DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Cours8 II.4 LE TANSISTOR IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR).

II.4.1 La place de lIGBT. Le transistor bipolaire grille isole ( I.G.B.T.) est un noveau composant semiconducteur de puissance, qui est n dans les annes 1985, suite la recherche des lectroniciens de puissance pour dvelopper sur la mme structure un composant qui rassemble les avantages du transistor bipolaire (chute de tension faible en conduction, tension blocable leve, rapport cot / puissance commute convenable) et ceux du transistor MOSFET (commande en tension et vitesse leve de commutation). Il en a rsult un transistor commandable en tension, avec une chute de tension en conduction infrieure celle du MOSFET mais suprieure celle du bipolaire et une vitesse de commutation mois leve que pour le MOSFET, mais plus leve que pour le bipolaire. Lamlioration des performances (calibres, chute de tension, vitesse de commutation) de IIGBT a t spectaculaire. Nous sommes dj la troisime gnration des IGBT. Par exemple si la premire gneration dIGBT lance sur la march par TOSHIBA Electronics en 1985 a eu les caractristique VCES=1000V, VCE sat=3V et tf =0,45s, les gnrations suivantes reprsentent un progrs vident. La deuxime gnration est structure sur deux types dIGBT: les uns vitesse leve de commutation et tension de saturation plus grande et les autres basse tension de saturation mais plus lents. Gnralement les IGBT individuels ou les modules IGBT vitesse leve de commutation sont construits pour les calibres: V CES =600V ou 1200V; IC dans lintervalle( 15800) A et ceux basse tension de saturation pour: V CES =600 V ou 1200V; IC dans lintervalle (25500) A On saperoit que la troisime gnration, grce aux nouvelles technologies (NPT-non punth trough tehnologie dit homogne) a russi donner des IGBT qui ont les deux qualits en mme temps.

On doit souligner quactuellement les tendances du dveloppement des IGBT sont dans les directions de: laugmentation de la puissance commute; la rduction de la tension de saturation V CE sat; la croissance de la vitesse de commutation; la cration des commandes intelligentes intgres;

Avec laugmentation de sa tenue en tension et de la puissance commute, lIGBT commence remplacer le thyistor et le GTO. Les avantages de tels convertisseurs sont la frquence plus leve de fonctionnement, donc de dimensions plus rduites et la possibilit de commande en tension. Il en rsulte le schma lectrique plus simple et plus fiable et cot total du convertisseur moindre.

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Figure II.44. Place actuelle de l'IGBT Toshiba a sorti sur le march la fin de lanne 1993 un composant nouveau sous les formes dIGBT individuel et module IGBT (bras de pont) avec des caractristiques: VCES = 1700 ; I C = 360 A ; VCEsat = 3.2 V ; t f = 0.5s , qui montrent clairemant le dveloppement de lIGBT dans les directions mentionnes. Pour conclure on peut affirmer que la place de lIGBT saffirme dune anne sur lautre parmi les autres composants semi-conducteurs de puissance. La figure II.45 illustre lhistoire de lvolution des composants semi-conducteurs de puissance et montre que vers les anne 2000 le domaine dutilisation de lIGBT sera trs large.

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Figure II.45 Evolution des composants semi-conducteurs de puissance II.4.2. Symbole. Structure. Techologie. La dsignation des transistors grille isole a t longtemps fluctuante (I.G.T., COMFET, GEMFET), comme les symboles utiliss (figure II.46).

Figure II.46 Symbole pour IGBT ( canal N) Actuellement il parat que le symbolele plus souvent utilis est celui montr sur la figure I .46.a. Les lectrodes sont: le collecteur, lmetteur et la grille.

En fait, lIGBT est un composant multicellulaire dans lequel chaque cellule est compose dun transistor MOS commandant un bipolaire de puissance, donc dun montage de type Darlington. La figure II.47 illustre une section transversale pour une cellule dIGBT canal N.

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Une telle structure est semblable celle dun DMOS, dans laquelle la couche N + a t remplace par une cauche P+. Souvent lmetteur et la grille ont une construction interdigite. Le schma lectrique quivalent de la structure de la figure II.47 est indiqu sur la figure II.48 a et le schma simplifi sur la figure II.48 b.

Figure II.47 Section transversale pour une cellule IGBT canal N (IGBT symtrique)

Figure II.48 Schmas lectriques pour une cellule d'IGBT: a) complte; b)simplifie

Le transistor NPN est inhrent la disposition des couches et le transistor PNP apparat dans la succession des trois zone trouves en allant du collecteur C lmetteur E. la rsistance Rb

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DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE correspond la zone P encadre par des lots, de type N, en contact avec une mme mtallisation dmetteur. Vu lorganisation de la structure, les transistors T 1 et T2 forment un thyristor parasite, qui ne doit pas fonctionner, mme pour des courants multiples du courant nominal de lIGBT pout que lensemble ne soit perturb. En ce sens la base et lmetteur du transistor T 2 (NPN) sont shunts, par exemple par un fil daluminium. De plus, pour rduire la rsistance R et b le gain en courant a n du transistor T2, on joue sur la forme gomtrique, les dimensions et la densit dintgration des cellule de lmetteur et on introduite dans ces cellules, par diffusion des plots P + (figure II.47) trs forement dops pour rduire le rsistivit de la rgion de base P. Pratiquement, on obtient alors le schma simplifi donn sur la figure II.48 b. Un montage Darlington BIPMOS appart, dans lequel le MOS canal N rgime denrichissement, comme transistor dentre, commande un bipolaire de puissance PNP avec une paisse et faiblement dope, comme transistor de sortie. En premire approximation on peut dire que le fonctionnement est celui dun Darlington BIPMOS. Si on applique une tension VGE entre la grille et lmetteur, le canal N se forme dans le MOS et le transistor PNP est aliment par un courant de base. Le PNP devient conducteur, ainsi que lensemble IGBT. Pour le blocage il suffit dannuler la tension V (=0). Le canal sera interrompu et le PNP va se bloquer, restant sans alimentation sur GE la base. Pour conclure, lIGBT est command de la mme faon que le MOSFET et il a tous les avantages lies son impdance dentre leve. En ralit, le functionnement de lIGBT est plus complexe que celui montr par le schma lectrique simplifidonn sur la figure II.48 b, cause de linteraction entre les deux transistors. Lorsque vGE<V GE(th) (tension de seuil de lIGBT), il ny a pas de couche dinversion pour faire la liaison entre drain et source. LIGBT est bloqu. Si la tension collecteur-metteur ce est >0, elle est tenue par la jonction J2 et si ce est <0 la jonction J 1 sera cella qui le bloque. Les caractristique de la couche N -, concentracion dimpurets et paisseur, sont celles qui dterminent les performances au blocage dans les deux directions. La tension blocable en direct ou en inverse correspond la tension maximale qui peut tre supporte par le transistor PNP. Pour ce>0 il faut viter le claquage de la zone P entre les jonctions J2 et J3, ce qui impose une longueur minimale du canal en fonction du profil de la distribution des impurets P, au dbut de la surface du cristal. Si GE>VGE(th), la couche dinversion se forme. Le canal apparat. De plus les trous (porteurs minoritaires) injects par le substrat P+ dans la couche N- dterminent un effet de modulation de la conductivit de la rgion N- ,qui rduit la rsistance de drain du MOSFET. LIGBT devient conducteur. La modulation fait que la rsistance apparente en conduction de lIGBT est infrieure celle dun VDMOS avec la mme surface du cristal et la mme tension blocable. Donc lIGBT peut fonctionner avec une densit de courant beaucoup plus leve. Par exemple pour le mme calibre et la mme tension de dchet la densit de courant dans lIGBT peut atteindre 200 A/cm2 , alors que pour le MOS elle ne dpasserait pas 10A /cm2 . LIGBT de 1000V; 50A fabriqu par la Socit TOSHIBA a une puce de 12 mm sur 12mm, qui est seulement 60% de la surface dun Darlington bipolaire de mme calibre. Autrement dit, cet IGBT a une densit de courant 1,6 fois plus grande que le composant classique. La tension collecteur- metteur de saturation VCE sat ,tenant compte du schma II.48 b se calcule par: VCE sat = VB E + I DMOS (R N (mod ) + R C ) avec: V BE : tension base-metteur de T1;

(II.63)

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DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE IDMOS :courant de drain de T 3 ; R N- (mod) :rsistance de la couche N- modul en conductivit; RC :rsistance du canal de MOSFET; sat est plus leve que celle dun bipolaire, mais infrieure celle dun MOSFET.

VCE

et le courant de lIGBT est donn par: I C = I DMOS + I CPNP avec: ICPNP : courant de collecteur de T 1 I I DMOS = CPNP h FE PNP h FE PNP : le gain statique en courant de T1. Les relations (II.64) et (II.65) donnent : I C = I DMOS + h FE PNP I DMOS I DMOS ( + h FE PNP ) 1

(II.64) (II.65)

(II.66)

Dans les IGBT modernes, la plus grande partie du courant passe dans le MOSFET. Si on suppose hFE PNP=0.3 (cas usuel) il rsulte Ic=1.3IDMOS ,70% du courant passera dans le MOSFET. La valeur h FE P N P a une grande influence sur la chute de tension en conduction et est lie aux performances en commutation. Pour avoir le plus faible VCEsat , on aurait intrt diminuer autant que possible IDMOS et donc augmenter h FE P N P , mais la possibilit de verrouillage (latch) du thyristor parasite crot aussi. Une structure comme celle prsente sur la figure II.47 a presque la mme tenue en tension pour les tensions collecteurmetteur directes et inverses , donc reprsente un IGBT symetrique. On peut gagner en performances(augmenter la vitesse de comutation et diminuer la chute de + tension) si on ajoute une couche tampon N entre la couche injectrice P + et la zone de drain N(figure II.49). La tenue en tension directe louverture est accrue, mais en revanche la tenue en tension inverse diminue fortement,fait qui rend lIGBT asymtrique (unidirectionnel en tension). La couche N + est mince (par exemple environ 10m).Elle diminue galement le gain du transistor bipolaire PNP donc augmente le VCE ON ; cependant fort courant le rendement dinjection reste bon et le VCE varie trs peu. En revanche cette couche permet aussi dviter le verrouillage et amliore la vitesse de commutation louverture, ceci dautant plus quelle est fortement dope. Il est clair que pour acclrer lIGBT il faut diminuer au maximum le temps de recombinaison des porteurs minoritaires (trous) et pour cela il y a plusieurs techniques, outre la couche tampon N+ , comme par exemple: * linjection de mtaux lourds (or ou platine) dans la zone N - ; * lirradiation du silicium afin de crer des dislocations.

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Figure II.49. I.G.B.T. asymtrique Le but est de crer des centres de recombinaison pour ces porteurs excdentaires. La rsistance apparente ltat conducteur va augmenter , mais un compromis est toujours possible pour gagner en vitesse sans trop augmenter la tension de dchet, comme le dmontre la croissance de la dose dirradition lectrons qu a une signifiante influence sur le temps de descente t f et la tension de saturationV CE sat .

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