Anis Ammous

Le Thyristor

Le Thyristor
Structure quatre couches NPNP, trois jonctions
Matriau de dpart NDiffusion profonde P+ (anode et gchette)
Diffusion N+ (cathode)

A
N+

N-

A
G

Chapitre3

57

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Le Thyristor

J1

J2
E

8
K

J3

- 9
N1 2

7 +

+ 6

A
5

P1

+
IG

P2

N2
G
VAK

Fonctionnement
IG=0, VAK>0
J1 et J3 faiblement polarises en directes
J2 est polarise en inverse
Lorsque IG augmente J1 se polarise en directe
des lectrons sont injects de la couche N1 vers P1.

ces lectrons diffusent vers J2, la prsence du champ lectrique E

entrane ces lectrons vers la couche N-, et donc J3 se trouve polarise
en directe

Chapitre3

58

Anis Ammous

Le Thyristor

La jonction J3 injecte des trous dans N-, arrivs jusqu J2 ces trous
vont tre acclres par E en les entranant vers la couche P1.
Ces trous sajoutent ceux amens par la gchette et polarisent plus
fortement la jonction J1 en directe etc
les trous fournis par la gchette ont amorc la raction positive du
composant.
les trous injects de P2 travers N- vers P1 ne sajoutent ceux de
P1 que lorsquils ne subissent pas de recombinaison en cours de route
(dans N-)
si le courant danode atteint un seuil IL (courant de retournement
ou courant de latch-up ), alors la raction interne contribue la
croissance du courant IA qui entrane simultanment la dcroissance
de VAK .
J2 tant polarise en inverse, le thyristor sera compltement
amorc lorsque J2 est polarise en directe.

Chapitre3

59

Anis Ammous

Le Thyristor

V1

V2

V3

K
N

J1
Etat on

J3

J2

V AK = V1 V2 + V3

V1

V2

V3
-

A
N

Chapitre3

J1
Etat off

J2

J3

V AK = V1 + V2 + V3

60

Anis Ammous

Le Thyristor

Caractristique directe.
IA

n + p > 1
Fonctionnement en
transistor
bipolaire (structure NPN)
avec une diode P2N2 en srie

Courant de
retournement
(Latching current)

n + p = 1

IL

Courant de
maintient
(Holding current)

IG2

IH

IG1

IG=0
VAK

VH
VRRM

VDRM

Une fois dclench le thyristor peut fonctionner sans courant de

gchette
Pour le bloquer
il faut que le courant IA soit infrieur IH (pour dverrouiller la
structure)

Blocage naturel = passage par zro du courant IA

ou bien inverser la tension aux bornes du composant
commutation force
Chapitre3

61

Anis Ammous

Le Thyristor

Remarque
Si on polarise la jonction J1 en inverse (VGK<0) ceci semblait bloquer
le transistor N1P1N- seulement que la polarisation ngative de J1
entrane un courant inverse IGR.

.. .
N

G
VGK<0

V2

V1

P1

V3

V1<V2<V3
P
A

il va y avoir une dviation dune partie du courant IA qui traverse

transversalement la couche P1
cration dune DDP dans P1 (potentiels V1, V2, V3)
les potentiels proches de la grille sont ngatives par rapport la
cathode, alors que les potentiels loin de la gchette sont positives
la jonction J1 reste en directe loin de la gchette
pas possible de bloquer le thyristor par la gchette

Chapitre3

62

Anis Ammous

Le Thyristor

Distribution des porteurs ltat passant

n
K

A
p

La couche N- en forte injection est gorge de porteurs

Schma lectrique quivalent simplifi

La jonction J1 en directe et J2 en inverse
le transistor NPN avec J1 jonction B-E
et J2 jonction B-C

La jonction J3 en directe et J2 en inverse

le transistor PNP avec J3 jonction B-E
et J2 jonction B-C

Chapitre3

63

Anis Ammous

Le Thyristor

A
P2

IBp

N2

IA

P1
ICp

N
N
ICn
G

N2

P1

N
N1

IK

IBn

IG

K
K

IA =
IA =

I cp
p

I
I K = cn
n

n
IG
1 ( n + p )

Condition de verrouillage
n + p = 1

Chapitre3

64

Anis Ammous

Le Thyristor

IA augmente n et p augmentent jusqu ce que n + p = 1

IA est limit par les impdances du circuit extrieur

IC

Comportement vis vis des

dI A
dt

Avec une tension de grille positive, linstallation du courant dans le

composant nest pas instantan, le courant de gchette circule
transversalement dans la couche P1.

N
J1

J1

Loin de la gchette, la jonction J1 nest pas encore en directe

surface de conduction rduite du composant
il faut limiter le courant IA pour ne pas avoir un chauffement
excessif du composant (voir sa destruction).
Chapitre3

65

Anis Ammous

Le Thyristor

On introduit souvent une faible inductance en srie avec le composant

pour ralentir la mont du courant dedans.

Lorsque toute la surface du composant est conductrice, le courant IA

peut atteindre sa valeur maximale do la notion de dIA/dt maximum
de lordre de 500A/us.

Comportement vis vis des

dV AK
dt

Lorsquil y a une variation importante de VAK

cration dune jonction J2 tendue le champ lectrique E est
important
les trous de P1 ( la limite de J2) vont vers P1
les lectrons de N- ( la limite de J2) vont vers Nles lectrons crent le courant de base du transistor PNP
et les trous crent le courant de base du transistor NPN
on peut donc avoir n + p = 1
Chapitre3

66

Anis Ammous

Le Thyristor

do la limitation pour dVAK/dt de lordre de 200V/s

ce phnomne est amplifi par la prsence dune charge stocke
amplification du courant IA
lors du blocage du composant par application dune tension
inverse, il faut attendre la disparition de la charge pour rappliquer
un dV/dt positif aux bornes du composant

do tq (temps de rcupration) de 1 qqs s

tq est la dure minimale dune polarisation inverse exige avant
lapplication dun dV/dt maximum.
tq est dfini pour un dV/dt donn

tq

dV/dt

Chapitre3

67

Anis Ammous

Le Thyristor

VAK
tq<toff=tinv

IA

(pour un dV/dt donn)

dVAK/dt

IA

Ramorage
du thyristor

IA
VAK

tinv >tq
tinv <tq

Chapitre3

68

Anis Ammous

Le Thyristor

Caractristique de gchette
La caractristique IG=f(VG) est semblable celle dune diode ayant
une chute de tension et un courant de fuite plus importants

en impulsionnel

VG
PGM
PG0

VGT

IG
IGT

Le fabricant garantit que le thyristor se dclenche lorsque le courant

et la tension de gchette sont suprieures aux valeurs minimales IGT et
VGT.

Pour des thyristors rapides dont les calibres en courant moyen

compris entre 10A et 1000A, VGT est gal 3V et IGT est compris entre
150mA et 300mA.
ces paramtres sont sensibles la temprature
si T augmente IGT et VGT diminuent.
Chapitre3

69

Anis Ammous

Le Thyristor

le point de fonctionnement ne doit pas dpasser lhyperbole de

charge de dissipation maximale.
PG0 est la puissance moyenne maximale dissipable .

Amlioration de la tenue en tension.

structure MESA (par gravure chimique)

G
K

biseau
N

N
P

NP
A

les lignes de champ sont moins serres sur les priphriques

(jonction J2) que dans le cas des structures planes.

Chapitre3

70

Anis Ammous

Le Thyristor

Exemple de commande des composants Thyristors

*A lamorage
G

R
C1

C2
K

Transformateur
d impulsions

On utilise souvent des trains dimpulsions

si linstant o le courant devient positif dans le composant nest pas
prvisible
lorsque la charge est fortement inductive
scurit et sret de fonctionnement.

Chapitre3

71

Anis Ammous

Le Thyristor

*Au blocage

Commande force
VA

Ich

C
IC

TP

Taux
VC

D0

ITP
C1

IL

C2

C2

C1

Lorsque Tp est amorc Vc=-Vc0

On amorce Taux VTp =Vc <0
Tp commence la phase de blocage ITp dcrot et Ic crot.
Vc crot, si Vc > VA la diode D conduit, donc Taux se bloque par
annulation du courant.
On amorce Tp la capacit C se dcharge en partie dans Tp.
ITp=-Ic-Ich
Lorsque Ic veut changer de signe la diode D0 se bloque
Chapitre3

72

Anis Ammous

Le Thyristor

et Vc =-Vc0
le systme est donc prt pour une nouvelle impulsion de blocage.

D s amorce
Taux se bloque

On amorce Taux

ITP

Tp s amorce
D se bloque
D0 s amorce

ITP

Ic
VTP

-Vc0

Vc

t
IL

-Vc0

Chapitre3

73

Anis Ammous

Le Thyristor

Applications simples.
Redressement simple alternance sur charge rsistive
Vch
T

Ich

Ve

commande

Vch
Ich

Ve
Vch

Chapitre3

Ve

74

Anis Ammous

Le Thyristor

Redressement simple alternance sur charge inductive

Vch

l
Ich

Ve
R

commande

Vch

Blocage spontan
par annulation
du courant

Ich

t
Ve

Chapitre3

75