Chapitre 3

FICHE DU TROISIEME CHAPITRE

Titre :

LES DIODES
Objectif :
Comprendre les Rappeler le fonctionnement des diodes.
Expliquer le fonctionnement des circuits diodes.

Pr-requis :
Lois et thormes gnraux de l'lectronique.

Classes :
Niveau 1 des I.S.E.T.

Elments de contenu :

Semi-conducteurs (P et N)
Jonction P-N
Dfinition d'une diode
Polarisation
Caractristiques limites d'utilisation
Etude de quelques circuits diodes.

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LES DIODES
1 - Gnralits
1.1 - Les semi-conducteurs
Les semi-conducteurs sont des matriaux (Silicium, germanium ...) qui, une temprature
ambiante (25C), ne sont ni bon isolant ni bon conducteur. Plus que la temprature augmente
plus que la conductibilit d'un semi-conducteur est leve.
On distingue deux types :
les semi-conducteurs intrinsques ;
les semi-conducteurs extrinsques, obtenu par dopage (type P , Type N).
1.1.1 - Semi-conducteurs intrinsques
Un cristal de silicium ou de germanium pur (dans lequel chaque atome est form par un atome
de silicium) est un semi-conducteur intrinsque.
1.1.2 - Semi-conducteurs extrinsques
Le dopage est l'ajout d'atome d'impuret un cristal pur pour augmenter le nombre d'lectrons
libres (ou le nombre de trous). Un cristal dop s'appelle un semi-conducteur extrinsque.
Quand les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous sont les porteurs minoritaires, les
semi-conducteur est de type N ( N pour ngatif) ; dans le cas contraire il est de type P (P pour
positif).
1.2 Jonction PN
Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsque avec des atomes 5 lectrons
priphriques (le semi conducteur devient extrinsque de type N) et l'autre avec des atomes 3
lectrons priphriques (extrinsque de type P), on cre une jonction, qui est la limite de
sparation entre les deux parties.

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La jonction PN est la zone de rencontre des semi-conducteurs de types P et N. Les lectrons

du ct N ont tendance diffuser dans toutes les directions. Certains dentre aux diffusent
travers la jonction et forment la zone de dpltion.
1.2.1- quilibre sans gnrateur.

Fig. 3.1. quilibre au niveau de la jonction.

Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons libres de la
zone N (il y a diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand le champ lectrique Eint
cr par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et
-) va tre suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une
barrire de potentiel pour les porteurs majoritaires. Par contre, cette barrire de potentiel va
favoriser le passage des porteurs minoritaires (conduction lectrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires)
s'quilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en l'absence de champ lectrique
extrieur.
1.2.2- Avec un gnrateur en sens direct.
La barrire de potentiel interne empche donc toute circulation de courant. Si on applique
un champ externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la zone P et le ple - sur la
zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le
phnomne d'attraction des lectrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion)
n'est plus contrari, et le gnrateur va pouvoir injecter des lectrons dans la zone N et les
repomper par la zone P.
Le courant de conduction constitu par les porteurs minoritaires prend une valeur If
indpendante du champ extrieur.
Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct d aux
porteurs majoritaires ds que la tension atteint la centaine de mV.
La diode est alors polarise dans le sens direct, et un courant relativement intense peut
circuler : de quelques dizaines de milliampres pour des diodes de signal quelques ampres
pour des diodes de redressement standard, voire des centaines d'ampres pour des diodes
industrielles de trs forte puissance.
aa
Avec un gnrateur en sens inverse.

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Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent, on renforce le champ

lectrique interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les lectrons libres sont
repousss dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la sparation des charges
(zone de dpltion).
Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et lectrons libres pour la zone P)
peuvent traverser la jonction et reboucler par le gnrateur : ils forment le courant inverse If
qui dpend essentiellement de la temprature.
Le champ extrieur repousse les charges qui vont se trouver une distance sensiblement
proportionnelle |V|, crant ainsi une capacit proportionnelle cette distance, donc |V|.
Cette capacit est inhrente toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale
limitation (en rgime linaire tout du moins) au fonctionnement haute frquence des
composants lectroniques (diodes, transistors et circuits intgrs les employant).

2 - Diodes jonction
2.1 - Dfinition
Une diode jonction est un diple non linaire dont le rle dans la plus part des circuits
lectriques est de ne laisser passer le courant lectrique que dans un seul sens.
En tant que composant lectronique, une diode jonction est une simple jonction PN enferme
dans un botier protecteur.
2.2 - Symboles
A

A
A : Anode
K : Cathode

L'lectrode relie la zone P est l'Anode.

L'lectrode relie la zone N est la cathode.
Fig. 3.2. Symboles de la diode jonction..

2.3 - Caractristique courant/tension.

a - Caractristique globale.
Le courant tant ngligeable pour une tension Vd = Vp-Vn ngative jusqu' la tension Vc dite
tension de claquage. Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct
croit trs rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base utilis. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.
La caractristique a la forme suivante :

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Fig. 3.3. Caractristique complte.

b - Caractristique directe (Vd > 0)

Fig. 3.4. Caractristique directe d'une diode.

Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de 0,7V. C'est une
diode de redressement supportant 1A en direct et 600V en tension inverse.
Autour de zro.
La caractristique passe par l'origine. Pour Vd ngatif, le courant tend rapidement vers la limite
-If (courant de fuite), car le courant de diffusion d aux porteurs majoritaires va s'annuler.
c - Caractristique inverse (Vd < 0) : Phnomne de claquage.
Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcrot
(attention : il est dj ngatif !) trs rapidement. S'il n'est pas limit par des lments externes,
il y a destruction rapide de la diode. Deux phnomnes sont l'origine de ce rsultat :
phnomne davalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction devient trop
intense, les lectrons acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libre d'autres
lectrons qui sont leur tour acclrs Il y a divergence du phnomne, et le courant
devient important.
phnomne Zner : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le champ
lectrique dans la zone de transition et crent un courant qui devient vite intense quand la
tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zner.
Si on construit la diode pour que le phnomne Zner l'emporte sur le phnomne d'avalanche
(en s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient une diode Zner. On
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utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet zner n'est pas destructif dans ce cas.
Ces diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.
d - quation.

Fig. 3.5. Linarit de Log (I) fonction de V.

La courbe Fig. 2. ( l'exception de la zone de claquage) rpond assez bien la formule

suivante, explique par la thermodynamique statistique :

O :
If est le courant de fuite
q la charge de l'lectron = 1,6E-19C
k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K
T temprature absolue
La loi logarithmique [1] est bien illustre par les figures 3 et 4. La courbe exprimentale
s'loigne toutefois de la thorie aux forts courants, o le modle n'a pas tenu compte d'autres
phnomnes dont les chutes de tension ohmiques dans le semi conducteur.
A noter que sur la figure 4, le courant maxi reprsent est gal au 1/10me admissible par cette
diode.
e - Effet de la temprature.
Pour Vd positif, la diode a un coefficient de temprature ngatif gal -2mV/K. Cette drive
en temprature est suffisamment stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme
thermomtres.
Pour Vd ngatif, le courant de fuite If varie trs rapidement avec la temprature. Il est plus
important pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui devient rapidement
gnant. Dans le silicium, ce courant double tous les 6C.
2.4 - Rsistance diffrentielle (ou dynamique).

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Fig. 3.6. Rsistance dynamique .

La rsistance dynamique tant l'inverse de la pente de la caractristique en un point donn, on

peut la dduire par drivation de la formule [1] :
C'est la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est fonction du
courant de polarisation Id au point tudi.
La figure 5 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont trs
importantes.
2.4 - Valeurs caractristiques limites
Le choix d'une diode se fait sur les catalogues des constructeurs, en tenant compte des
caractristiques limites suivantes :
VRRM : tension inverse de pointe rptitive maximale ;
VRSM : tension inverse de pointe non rptitive maximale ;
IF = I 0
IFRM
IFSM
TJ

: courant moyen direct maximal ;

: courant de pointe direct rptitif maximum ;
: courant de pointe direct non rptitif maximum ;
: temprature maximale de la jonction.

2.5 - Approximations d'une diode

La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de
tous les jours. Plusieurs schmas quivalents simplifis sont proposs :
2.5.1 - 1re Approximation : Diode idale
Dans ce cas, on nglige la tension de seuil et la rsistance interne de la diode. La
caractristique est alors celle de la figure 6.
Ce schma est utile pour des pr calculs, surtout si les diodes sont employes dans des circuits
o les tensions sont leves (plusieurs dizaines de volts) : la tension de coude est alors
ngligeable.

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Fig. 3.7. Caractristique idale.

2.5.2 - 2me Approximation : Diode avec seuil.

On peut continuer ngliger la rsistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractristique devient :

Fig. 3.8. Caractristique avec seuil.

Ce schma est le plus utilis pour les calculs.

2.5.3 - 3me Approximation : Diode avec seuil et rsistance
Ici, on prend en compte la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la diode en
petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa rsistance dynamique.

Fig. 3.9. Caractristique avec seuil et rsistance.

Attention : dans ce cas, on considre que la rsistance dynamique est constante, ce qui n'est
vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en
continu.

3 - Applications des diodes jonction

Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du
secteur pour faire des gnrateurs de tension continue destins alimenter les montages
lectroniques.
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : les diodes standard pour le
redressement secteur classique, et les diodes rapides pour les alimentations dcoupage. Nous
tudierons ces dernires ultrieurement.

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Caractristiques physiques.
Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font l'objet d'aucun
traitement particulier, les conditions d'utilisations tant peu contraignantes.
Elles ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF vont de 1A
plusieurs centaines d'ampres.
Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert abaisser
la tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent sous des tensions de
polarisation allant de quelques volts quelques dizaines de volts), et qui sert aussi isoler les
montages du secteur 230V.
3.1 Redressement simple alternance.
Cest le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur
Vt dpasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct
dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est alors gale la tension aux bornes du
transformateur moins la tension directe VF de la diode.

Fig. 3.10. Redressement avec une diode.

Quand la tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de seuil, la diode
est bloque ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est ngligeable en comparaison du
courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du transformateur : il
faudra choisir une diode avec une tension Vr au minimum gale la tension crte du secondaire
du transformateur.
Valeurs caractristiques

* Tension moyenne aux bornes de la charge : Vrmoy Vr

1
T

* Tension efficace aux bornes de la charge : Vreff Vr

1
T

0 Vt max sin

* Courant moyen dans la charge : Irmoy

T /2

Vt max sin(t )dt

(t)dt =

Vt max

Vtmax
2

Vr max
.R

* Tension inverse maximale aux bornes de la diode : VRRM : VRRM = -Vtmax

* Facteur de forme F : F
* Taux dondulation :

Ireff

1,57
Irmoy
2
F 2 1 1,21

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3.2 Redressement double alternance

3.2.1 Avec transfo double enroulement.

Fig. 3.11. Redressement avec transfo double sortie.

Le montage prcdent prsente linconvnient de ne laisser passer que la moiti du

courant que peut dlivrer le transformateur. Pour remdier cela, on utilise un transformateur
avec deux enroulements secondaires que lon cble de manire ce quils dlivrent des
tensions en opposition de phase sur les diodes.
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand les tensions
alternatives sont faibles (4V crte dans lexemple ci-dessus).
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques celui de la Fig. 9 qui
fonctionnent lun pour lalternance positive, lautre pour lalternance ngative. On vrifie bien
(Fig. 11 et 12) que le courant dans la charge est toujours orient dans le mme sens.

Fig. 3.12. Alternance positive.

Fig. 3.13. Alternance ngative.

Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui
ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de
transformateur, la tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle devra supporter une
tension VR double de celle requise dans le montage simple alternance, soit deux fois la
tension crte prsente sur chacun des secondaires.
3.2.2 Avec pont de Grtz.

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Fig.3.14. Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne ncessitant pas
un transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes montes en pont. Des ponts tous
faits sont disponibles dans le commerce, permettant de rduire le nombre de composants du
montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand
elle est ngative, D2 et D3 conduisent (Fig. 14 et 15).

Fig. 3.15. Alternance positive.

Fig. 3.16. Alternance ngative.

Chaque diode na supporter quune fois la tension crte du secondaire du transformateur

(contre deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on a deux tensions directes de
diode en srie. La puissance totale dissipe dans les diodes est double par rapport la solution
prcdente.
Valeurs caractristiques

2Vt max

* Tension moyenne aux bornes de la charge : Vrmoy Vt

2
T

* Tension efficace aux bornes de la charge : Vreff Vt

Vt max
1 T 2
2
V
sin
(

t)dt
=
t
T 0 max
2

* Courant moyen dans la charge : Irmoy

T /2

Vt max sin(t )dt

2Vr max
.R

* Tension inverse maximale aux bornes de la diode : VRRM

Facteur de forme F : F

Taux dondulation :

Ireff

1,11
Irmoy 2 2

F 2 1 0,483

Quelle solution choisir ?

Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transfo point milieu, pour plusieurs
raisons :
- le transfo nest pas plus cher que celui secondaire simple.
- avec un transfo un seul secondaire, on ne peut pas faire dalimentation double
symtrique en redressement double alternance. Ce type de transfo est moins universel.

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- le fait que les diodes aient tenir une tension double nest pas un problme dans la
plupart des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux
tensions VR minimum des diodes disponibles dans le commerce.
- dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui
peut tre gnant dans certains cas.

4 Filtrage dune tension redresse

4.1 Redressement simple alternance.
Ici, la charge est absolument quelconque, et peut tre un montage lectronique complexe ayant
une consommation en courant alatoire.

Fig. 3.17. Redressement simple alternance et filtrage.

Sur le graphique du bas de la Fig. 16, on voit en pointill la tension redresse telle quelle serait
sans condensateur. En traits pleins pais, on voit la tension filtre.
Sur ce graphe, le courant de dcharge du condensateur est linaire : il correspond lhypothse
de dcharge courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est suprieure
la tension aux bornes du condensateur additionne de la tension directe de la diode, la diode
conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant
de recharge du condensateur.
Quand la tension du transformateur devient infrieure celle du condensateur plus la tension
de coude de la diode, la diode se bloque. Lensemble condensateur / charge forme alors une
boucle isole du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un gnrateur de tension, et il restitue lnergie
accumule dans la phase prcdente.
A noter que la tension aux bornes du condensateur tant en permanence voisine de la tension
crte positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crte ngative, la diode
doit supporter deux fois la tension crte dlivre par le transformateur : on perd le seul
avantage (hormis la simplicit) du montage redressement simple alternance.
Calcul du condensateur : dans la littrature, on trouve classiquement le calcul du
condensateur pour une charge rsistive. La dcharge est alors exponentielle et le calcul
inutilement compliqu. Ce calcul est assez loign des besoins rels : en gnral, on ne fait pas
des alimentations continues pour les faire dbiter dans des rsistances !

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Trs souvent, ces alimentations redresses et filtres sont suivies dun rgulateur de tension. La
charge est frquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours du
temps.
Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une dcharge courant constant, le
courant servant au calcul tant le maximum (moyenn sur une priode du secteur) consomm
par la charge.
Le critre de choix ne sera pas un taux dondulation qui na souvent aucune utilit pratique,
mais une chute de tension maxi autorise sur le condensateur pour que le montage connect en
aval fonctionne correctement.
Avec ces hypothses, le calcul du condensateur devient trs simple : On considre que le
condensateur C se dcharge courant Imax constant pendant un temps T et que la chute de
sa tension est infrieure V.
On a alors la relation :

Le temps T choisi va tre approxim la priode du secteur. En pratique, le condensateur va

se dcharger moins longtemps (Fig. 16), on va donc le surdimensionner lgrement.
Lerreur commise est en fait trs faible compare la dispersion que lon aura sur le rsultat de
par les tolrances des composants, et notamment des condensateurs de filtrage : on utilise des
condensateurs chimiques qui ont des tolrances trs larges (-20% / +80% en gnral) et qui
nexistent souvent que dans la srie E6 (1 ; 1,5 ; 2,2 ; 3,3 ; 4,7 ; 6,8). Les transformateurs sont
eux aussi assez disperss, ce qui fait quau final, mieux vaut prvoir large pour viter les
mauvaises surprises !
Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui correspond linverse de
la frquence secteur 50Hz. La valeur du condensateur est alors :

Il faudra veiller choisir un condensateur supportant au moins la tension crte du

transformateur vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions
diverses (rsistance du transfo, diode).
4.2 Redressement double alternance.
Les hypothses seront les mmes que prcdemment. La seule diffrence viendra du temps
T ; vu quon a un redressement double alternance, la frquence du courant redress est
double de celle du secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :

Comme dans la formule [4], F est la frquence secteur (50Hz en Vis--vis).

A chute de tension gale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le
redressement simple alternance, ce qui est intressant, vu la taille importante de ces
composants.

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La diode aura tenir deux fois la tension crte dlivre par chaque enroulement du
transformateur.

Fig. 3.18. Redressement double alternance et filtrage.

Fonctionnement des diodes et transfos.

On peut remarquer Fig. 16 et 17 que les diodes ne conduisent pas pendant toute lalternance
du secteur, mais seulement pendant un temps trs court vis--vis de cette alternance. Lnergie
qui est restitue par le condensateur dans la phase de roue libre doit tre au pralable stocke
pendant ce court temps de conduction des diodes.
La consquence de ceci, cest que pour assurer un certain courant moyen dans la charge,
lensemble transfo plus diode devra dbiter un courant de crte beaucoup plus intense que le
courant moyen lors des phases de conduction des diodes (environ 15 fois le courant moyen).
La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus prs d1V que de 0,6V) ainsi
que la chute de tension dans les rsistances du transformateur.
Il ne faudra pas perdre ces considrations de vue quand on voudra calculer lalimentation au
plus juste !
Lautre consquence est le dmarrage de lalimentation : lorsquon branche le transformateur
sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension de lalternance secteur. La charge du
transformateur, principalement constitue du condensateur de filtrage, sera lquivalent dun
court-circuit. Le courant dappel sera alors uniquement limit par la rsistance interne du
transformateur (quelques diximes dohms quelques ohms), et il sera trs intense : les diodes
devront supporter ce courant (paramtre IFSM)
5. Alimentations doubles symtriques.
Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance transformateur point
milieu, on s'aperoit que chaque secondaire dbite du courant seulement pendant une
alternance. L'autre alternance serait susceptible de fournir un courant ngatif.
Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double symtrique,
avec 4 diodes dispose en pont : deux diodes vont conduire les alternances positives des
secondaires du transformateur, et les deux autres les alternances ngatives.
Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux alimentations.

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Fig. 3.19. Alimentation double positive et ngative.

On peut bien videmment mettre un condensateur aux bornes de chacune des charges pour
filtrer les tensions redresses obtenues.
Ces alimentations sont incontournables dans les montages symtriques o il est ncessaire
d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages amplificateurs
oprationnels
6. Doubleur de tension.
Dans certaines applications, on peut avoir besoin de tensions continues trs leves (quelques
milliers de volts). On pourrait les obtenir avec un transformateur lvateur et un redressement /
filtrage classique.
Il existe une solution moins onreuse faisable avec des diodes et des condensateurs : c'est le
doubleur de tension.
Le montage de la Fig. 19 se dcompose en deux : redressement / filtrage par la cellule D1 / C1,
puis dtecteur de crte D2 / C2.

Fig. 3.20. Doubleur de tension de Schenkel.

Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension Vc restera constante et gale
la tension crte du transformateur.
La diode D1 verra ses bornes la tension Vt + Vc, dont la valeur crte est gale deux fois la
tension crte du transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait t
translate d'une fois la valeur de la tension crte.
Il suffit alors de filtrer cette tension sa valeur de crte avec D2 et C2 : on obtient une tension
continue gale deux fois la tension crte du transformateur.
Il est possible de continuer ce raisonnement, et en ajoutant d'autres cellules semblables celle
du doubleur, on peut tripler, quadrupler ou plus les tensions.
Ces montages sont utiliss entre autres pour gnrer les tensions d'acclration des tubes
d'oscilloscopes (2 5 kV). On remarquera qu'ils ne peuvent pas dbiter beaucoup de courant
(les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des condensateurs de forte valeur), et
donc, ils sont plutt destins des applications quasi statiques.

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7 - DIODES AVALANCHE CONTRLE.

Les diodes de redressement standard ne sont pas garanties pour fonctionner au del de la
tension VR spcifie. Si on utilise des diodes standard dans des milieux parasits, il se peut
qu'on dpasse momentanment la tension inverse maxi et qu'on dtruise la diode.
Certaines applications ont besoin de diodes qui ne soient pas dtruites par une entre en
avalanche.
7.1- Caractristiques physiques.
Les diodes avalanche contrles sont fabriques dans du silicium de meilleure qualit que les
diodes standard : meilleure homognit du cristal, traitement de surface pouss limitant les
courants de fuite
La rsistivit du silicium est ainsi plus homogne, et lorsque le phnomne d'avalanche se
produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter des puissances trs leves
pendant quelques dizaines de s.
Ces diodes sont svrement tries en fin de fabrication pour dtecter les dfauts ventuels.
On spcifie en plus des IR et VR standards une tension inverse maxi pour un courant inverse
donn.
7.2- Protection contre les surtensions.
Une des applications est l'utilisation dans des milieux parasits : des surtensions brves
(quelques s) d'une amplitude trs suprieure la tension VR de la diode peuvent apparatre :
la diode va partir en avalanche, et limiter la surtension parasite. Ce phnomne ne sera pas
destructif car la diode est conue pour fonctionner en avalanche sans casser.
Il y a une double fonction d'autoprotection (la diode n'est pas dtruite), et de protection de
l'environnement de cette diode (crtage de la surtension).
7.3- Mise en srie de diodes.
Lorsqu'on veut bloquer des fortes tensions sans faire appel des diodes spciales haute tension
(chres et difficiles se procurer), on peut mettre en srie plusieurs diodes dont la somme des
VR sera suprieure la tension bloquer.
Si on met en srie des diodes ordinaires, les tensions ne vont pas se rpartir de faon gale
pour toutes les diodes comme le montre la Fig. 20.

Fig. 3.21. Caractristiques de deux diodes.

Si on met les deux diodes de cet exemple en srie, sans autres composants en parallle, le
courant de fuite sera le mme pour les deux diodes, et tel que VD1 + VD2 = U, tension totale
bloquer ; VD1 et VD2 sont les tensions aux bornes des diodes D1 et D2 pour le courant de
fuite commun IR.

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Chapitre 3

La diode D1 qui fuit plus que l'autre tension donne va imposer un courant IR entranant une
tension aux bornes de D2 suprieure la tension de claquage VR : D2 va tre dtruite par
avalanche.
Dans le cas gnral o on met plusieurs diodes en srie, la rupture de la premire entrane la
destruction en chane de toutes les autres diodes.
La solution est dans les diodes avalanche contrle : les courants de fuite (hors porteurs
minoritaires) sont trs rduits par construction, et une ou plusieurs diodes peuvent rentrer en
avalanche sans problmes. Le courant de fuite tant faible, la puissance dissipe restera dans
les limites admissibles par le composant.
8 - DIODES DE REDRESSEMENT RAPIDES.
8.1- Notions de charge recouvre.
Nous avons dj mentionn le phnomne de diffusion au travers de la jonction PN : les
lectrons majoritaires de la zone N franchissent la jonction et tendent neutraliser les trous de
la zone P et vice versa.
Quand la jonction est polarise en direct, le champ lectrique externe s'oppose au champ
lectrique interne cre par les ions dpossds de leur lectron (zone N) ou trou (zone P)
libres, et permet ainsi une plus grande diffusion des porteurs majoritaires dans la rgion de type
oppos o ils deviennent minoritaires. Ils se recombinent alors avec une charge de signe
oppos.
Ce phnomne de recombinaison n'est pas instantan : les porteurs ont une dure de vie t gale
environ 1ms dans le silicium. Il existe donc dans le cristal des charges en excs de part et
d'autre de la jonction, la manire de charges prsentes sur les armatures d'un condensateur.
On associe d'ailleurs cette charge, appele charge stocke, une capacit appele capacit de
diffusion.
Si on inverse brusquement la polarit aux bornes de la diode pour la bloquer, ces porteurs vont
se comporter de la mme manire que les porteurs minoritaires en rgime inverse tabli : ils
vont tre attirs de l'autre ct de la jonction par le champ lectrique externe et vont former un
courant intense qui va s'ajouter au courant de fuite Is, jusqu' ce que la charge stocke
disparaisse.
Ce courant va dcrotre jusqu' devenir nul pendant un temps t RR appel temps de
recouvrement inverse.
La charge stocke est d'autant plus importante que le dopage est important. Le dopage
intervenant directement dans la conductivit du cristal, il se pose le problme pour les diodes
de puissance qui ncessitent une conductivit, et donc un dopage importants.
Pour diminuer la charge stocke dans ces composants, on utilise des piges recombinants, qui
sont souvent des atomes d'or. Ils diminuent la dure de vie des porteurs, ce qui induit une
charge stocke plus faible.
8.2- Utilisation.
Ces diodes sont utilises en lectronique de puissance partout o l'on doit commuter trs
rapidement des courants importants. Elles sont le complment indispensable des transistors de
puissance rapides.

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Chapitre 3

Des diodes standard sont inutilisables dans ces cas l car elles sont trop lentes. Lors de la
commutation des transistors, elles se comporteraient comme des courts circuits (pendant le
temps de recouvrement inverse), ce qui entranerait des surcourants dans les transistors, et leur
destruction plus ou moins rapide.
9- DIODES DE SIGNAL.
Les diodes prcdemment tudies font intervenir des courants et tensions non ngligeables.
Les diodes de signal sont utilises dans des applications bas niveaux de courants et tensions.
9.1- Caractristiques physiques.
Les diodes de signal n'ont pas besoin de tenir des fortes tensions inverses : par construction,
elles pourront avoir une capacit parasite faible, et donc fonctionner des frquences leves.
Ces caractristiques sont obtenues grce une surface de jonction rduite et un faible dopage
(diminution des charges stockes).
9.2- Dtecteur de crte.
Ce dispositif permet de mmoriser la valeur crte d'un signal. Il est trs utilis en
instrumentation.
C'est en fait un redresseur simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi nulle (aux
courants de fuite prs) : la constante de temps de dcharge du condensateur est thoriquement
infinie, (trs grande en pratique).
Il se charge donc la valeur crte (moins la tension de seuil de la diode) et reste charg cette
valeur.
La rsistance R sert limiter le courant de charge du condensateur une valeur raisonnable
pour le gnrateur d'attaque.
Lorsque la tension e est suprieure la tension aux bornes du condensateur U plus la tension
de coude de la diode, celle ci conduit et charge le condensateur travers la rsistance R.
A noter que tel quel, ce montage est inexploitable pour des petits signaux : la tension
mmorise par la diode et le condensateur est infrieure la valeur crte du signal d'entre de
la tension de seuil de la diode.
Il existe une version amliore avec amplificateur oprationnel qui pallie cet inconvnient. Il
faut aussi adjoindre ce montage un systme permettant de dcharger le condensateur pour
faire une nouvelle mesure.

Fig. 3.22. Dtecteur de crte.

9.3- Dtection AM.

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Chapitre 3

En radio diffusion, on ne peut pas mettre correctement un signal audible (20Hz-20kHz)

directement sous forme d'une onde radio-lectrique : il faut passer par un signal haute
frquence (Fig. 22.).

Fig. 3.23. Signal HF modul en amplitude.

Fig. 3.24. Dtecteur grandes ondes.

Le signal haute frquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse est modul en
amplitude par le signal audio (basse frquence) mettre. A l'arrive (le poste transistors !),
on doit sparer les deux signaux. On le fait trs simplement avec une diode et un condensateur
(Fig. 23.).

Fig. 3.25. Signal dmodul.

Sans la rsistance R, on aurait un dtecteur de crte comme prcdemment. On dtermine

cette rsistance de manire ce que la constante de temps RC soit petite devant la priode de
la porteuse, et grande devant la priode du signal mettre : on arrive ainsi reconstituer le
signal basse frquence (BF) : c'est la courbe en gras de la Fig. 24.
9.4- Thermomtres - Compensation thermique.
C'est une utilisation importante des diodes. La tension directe des jonctions PN en silicium est
affecte d'un coefficient de temprature ngatif (environ -2mV/C).
Certains montages transistors ncessitent une drive minimum en temprature. On peut
arriver compenser cette drive l'aide d'une diode couple thermiquement au transistor et
place judicieusement dans son circuit de base (voir chapitre sur les transistors).
Cette drive en temprature peut aussi tre utilise comme thermomtre sur un montage.
Lorsque la diode dtecte des tempratures trop leves, elle peut commander un circuit qui va
(par exemple) couper certaines fonctions du montage (autoprotection). Cette fonction est trs
utilise dans les composants intgrs.

10 - DIODES SPCIALES.
10.1 - DIODES ZENER.
a- Caractristique.

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Chapitre 3

L'effet zner concerne la caractristique inverse de

la diode. En direct, une diode zner se comporte
comme une mauvaise diode normale. En inverse, on
fait en sorte que par construction l'effet zner et / ou
d'avalanche se produise une tension bien
dtermine, et ne soit pas destructif. La
caractristique inverse prsente alors l'allure d'un
gnrateur de tension faible rsistance interne.
Fig. 3.26. Caractristique d'une diode zner.

En gnral, les constructeurs spcifient :

La tension d'avalanche Vzt pour un courant dtermin Izt. (les valeurs de tension sont
normalises). ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la rsistance dynamique de la
diode rzt. le courant Izm pour lequel la puissance dissipe dans le composant sera le maximum
admissible. on indique aussi le coefficient de variation en temprature de la tension Vzt. En
dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet zner qui prdomine. Au dessus, c'est l'effet d'avalanche.
L'effet zner est affect d'un coefficient de temprature ngatif (Vzt diminue quand la
temprature augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes ayant une
tension Vzt d'environ 5V ont un coefficient de temprature nul, car les deux phnomnes se
produisent de manire quilibre, et leurs effets se compensent.
L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zner, ce qui fait que le coude de tension inverse est
plus arrondi pour les diodes zner de faible tension.
Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de rsistance dynamique ont des tensions
zner voisines de 6 7V.
b - Schma quivalent.

Pour simplifier les calculs, et comme pour la

diode, on va dfinir un schma quivalent
approchant la ralit.
Si on utilise le composant suffisamment loin du
coude, le schma suivant modlise bien le
comportement d'une diode zner :
On dfinit une tension de coude Vzo, et une
rsistance interne constante Rz.

Fig. 3.27. Schma quivalent de la diode zner

Ce schma sera utiliser avec beaucoup de prudence sur des zners de faible tension (< 5V) :
leur coude est trs arrondi, et la rsistance dynamique varie beaucoup avec le courant. Pour
des tensions suprieures 5V, il n'y aura en gnral pas de problmes.
d - Rgulation de tension.
De par leurs caractristiques de gnrateur de tension, ces diodes sont idales pour rguler des
tensions continues ayant une ondulation rsiduelle non ngligeable (cas des tensions redresses
filtres).

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Fig. 3.28. Rgulation de tension avec diode zner.

Il est ncessaire d'intercaler une rsistance (ou un gnrateur de courant) entre le gnrateur de
tension filtre et la zner de rgulation : ces deux lments ayant des caractristiques de
gnrateurs de tension faible rsistance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un
sur l'autre sans les dtruire.
Pour que la zner fonctionne et assure son rle de rgulateur, il faut qu'un courant Iz non nul
circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension
d'entre Vc et de la charge Ru.
La rsistance R assure donc le rle de polarisation de la zner, et elle sera calcule pour que la
condition nonce ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller ce que le courant Iz ne
dpasse pas le courant Izm, sous peine de dtruire le rgulateur.

Fig. 3.29. Schma quivalent du rgulateur

Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schma quivalent du montage. La tension
d'entre du rgulateur a t scinde en une tension continue (la tension moyenne aux bornes du
condensateur), et une tension alternative (l'ondulation).
On peut dfinir deux coefficients de stabilisation pour caractriser ce montage. En effet, il est
loin d'tre parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension d'entre et / ou la charge
vont varier. On distingue deux coefficients :
Stabilisation amont : ce coefficient est reprsentatif de la sensibilit du montage aux
variations de la tension non rgule, et ceci charge constante. Si on utilise les notations de la
Fig. 27, c'est le rapport (Vz/Vc)Iu = cte.
Stabilisation aval : ce coefficient est reprsentatif de la variation de la tension de sortie quand
le courant dans la charge varie (Ru varie de Ru), et ceci tension d'entre constante. C'est le
rapport (Vz/Iu)Vc = cte, soit en fait, l'impdance de sortie du montage . Ce paramtre
est trs important dans tous les rgulateurs de tension.
Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schma quivalent alternatif petits
signaux. On retire alors toutes les sources de tension continues.

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Fig. 3.30. Schma quivalent petits signaux

Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :

Comme en gnral Ru >> Rz, cette formule devient :

On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais en
contrepartie, quel gchis ! Il faudrait prvoir des tensions filtres trs grandes par rapport aux
tensions rgules pour avoir un bon coefficient de rgulation. Cela ferait beaucoup d'nergie
perdue dans R. Pour pallier cet inconvnient, on remplace R par un gnrateur de courant : la
chute de tension ses bornes pourra tre petite, et par contre, sa rsistance interne (celle qui
va servir pour le calcul en remplacement de R) sera trs grande : on a les deux avantages, une
trs bonne rgulation et un bon rendement.
Le coefficient de stabilisation aval est gal l'impdance de sortie du montage ; c'est la
rsistance du gnrateur de Thvenin quivalent, soit :
R tant souvent trs suprieur Rz, on obtient :
Dans ce cas, il n'y a pas grand chose esprer d'un artifice quelconque pour amliorer cette
valeur, sauf rajouter d'autre composants actifs comme des transistors.
En gnral, on rajoute toutefois un condensateur en parallle avec la zner : son impdance
vient diminuer celle du montage aux frquences leves. C'est avantageux si le montage
aliment a une consommation en courant avec des composantes hautes frquences. Ce
condensateur diminue aussi le bruit interne de la zner qui est assez important.
Ce type d'alimentation est appel rgulateur shunt, car le courant de rgulation Iz est driv
la masse.
En pratique, ces rgulateurs sont utiliss dans des montages simples ncessitant peu de
puissance.
e - crtage des surtensions.
De par leurs caractristiques, les diodes zner sont idales pour crter des surtension
(commutation de selfs ou autres) et sont donc toutes indiques pour la protection d'autre semiconducteurs sensibles a ces surtensions.
Certains composants comme les transils ont des caractristiques similaires aux zners, mais
peuvent supporter des puissances crte considrables pendant de courts instants. Ils sont
utiliss pour protger les installations coteuses contre la foudre et les parasites d'quipements
industriels (gros moteurs, relais de puissance, commutateurs statiques).
10.2 - DIODES LECTROLUMINESCENTES.

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10.2.1. Caractristique.
Ces diodes spcifiques base d'arsniure de gallium ont la proprit d'mettre de la lumire
dans une bande de frquence dtermine par les caractristiques du matriau employ quand
elles sont traverses par un courant direct.
Il en existe de diverses couleurs (jaune, orang, rose, rouge, vert, infrarouges).
Leur rendement lumineux est assez faible. On les utilise avec un courant direct d'environ 10
20mA.
La tension de coude de ces composants est plus leve que pour les diodes standard, et elle
dpend de la couleur. Elle va de 1,2 2V environ.
10.2.2. Utilisation.
Les utilisations des Led sont de plus en plus nombreuses, car ces composants sont plus fiables
que des lampes incandescence, et leur rendement est un peu meilleur.
On les rencontre partout o on a besoin de tmoins lumineux, et de plus en plus, associes en
matrices pour remplacer des grosses lampes (feux tricolores de circulation par exemple), ou
pour faire des panneaux d'affichage lectroniques (heure, temprature, publicits diverses ).
Les diodes infrarouges servent beaucoup dans les tlcommandes d'appareils TV / HIFI. On
les utilise alors avec des forts courants pulss.
11 - AUTRES.
Il existe encore beaucoup d'autres varits de diodes. Citons entres autres :
- les diodes Schottky, jonction mtal / semi-conducteur : cette jonction htrogne est
caractrise par l'absence de stockage des charges, elle est donc trs rapide. Elle est
trs utilise dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky).
- les diodes varicap : on utilise la variation de la capacit de jonction avec la polarisation
inverse dans des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors facilement varier la
tension d'oscillation ou d'accord en modifiant la tension de polarisation.

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