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DeIivre par :
DiscipIine ou speciaIite :
Presentee et soutenue par :
7itre :
coIe doctoraIe :
Unite de recherche :
Directeur(s) de 7hese :
Rapporteurs :
Ie :
Membre(s) du jury :
Institut National Polytechnique de Toulouse (INP Toulouse)
Gnie Electrique, Electronique et Tlcommunications (GEET)
Etude, Commande et Mise en Oeuvre de Nouvelles Structures Multiniveaux
mardi 8 novembre 2011
Alexandre Leredde
Gnie Electrique
Jean-Paul Ferrieux, G2Elab, INP de Grenoble
Eric Monmasson, SATIE, Universit de Cergy-Pontoise
Guillaume Gateau, LAPLACE, INP de Toulouse
LAPLACE, UMR CNRS-INPT-UPS n 5213
Thierry Meynard, LAPLACE, INP de Toulouse (Prsident)
Jean-Paul Ferrieux, G2Elab, INP de Grenoble (Rapporteur)
Eric Monmasson, SATIE, Universit de Cergy-Pontoise (Rapporteur)
Guillaume Gateau, LAPLACE, INP de Toulouse (Directeur de thse)

Rsum

RESUME

Etude, Commande et Mise en uvre de nouvelles
Structures Multiniveaux

Mot Cls

- Electronique de puissance - Equilibrage du bus continu
- Conversion Statique - Structure Partage de Composants
- Convertisseurs Multiniveaux
- Structures Multicellulaires Hybride Srie
Parallle
- Etude de Nouvelles Structures - Contrle Numrique par FPGA

Rsum

Les structures de conversion multiniveaux permettent de convertir en moyenne tension et
forte puissance. Celles-ci sont construites partir de cellules de commutations et permettent
daugmenter le courant et la tension en entre ou en sortie. Ces structures sont appeles
multiniveaux car les formes dondes des tensions en sortie permettent davoir plus de deux
niveaux de tension diffrents. Les diffrentes structures peuvent tre classes dans diffrentes
catgories tel que la mise en srie de pont en H, les convertisseurs multicellulaires srie ou
parallle ou encore les structures utilisant le fractionnement du bus continu. Toutes ces
structures ont des proprits et applications diffrentes, mme si certaines structures ont des
proprits communes. Il est aussi possible de crer de nouvelles structures en mixant les
diffrentes structures de bases des diffrentes familles de convertisseurs multiniveaux ou en
assemblant les structures de base de la conversion statique.

Mme si lutilisation de structure de conversion multiniveaux permet de convertir forte
puissance, celle-ci nest pas toujours aise. En effet laugmentation du nombre de niveaux ou
de la tension dentre implique galement une augmentation du nombre de composants semi-
conducteurs. Ceci peut tre un frein lutilisation de convertisseur multiniveaux. Pour cela
une nouvelle structure utilisant des composants partags entre les diffrentes phases est
propose afin de limiter leur nombre. Un autre problme important li aux convertisseurs
multiniveaux est lquilibrage des tensions des condensateurs du bus continu si celui-ci est
compos de plus de deux condensateurs mis en srie. Pour cela plusieurs solutions sont
possibles : soit en utilisant une commande spcifique utilisant la modulation vectorielle, soit
en utilisant des structures auxiliaires qui ont pour but dquilibrer les diffrentes tensions des
condensateurs.

Dans une dernire partie ont t proposes de nouvelles structures qui permettent la fois
daugmenter le courant de sortie et la tension en entre en utilisant les principes des structures
de base des convertisseurs multicellulaires srie et parallle. De plus, ces structures ont des
proprits intressantes sur les formes dondes de sortie. De ces structures a t conu un
prototype permettant de valider les rsultats de simulation. Une commande numrique
implante sur FPGA a t ralise et a permis davoir des rsultats exprimentaux
intressants.

Abstract

ABSTRACT

Study and Design of Multilevel Converters for High Power
Applications

Keywords

- Power Electronic - Active Control of the DC link
- High Power Static Conversion - Shared Components topologies
- Multilevel Converters - Hybrid Multicell Converter
- Study of new topologies - Digital Implementation (FPGA)

Abstract

This PhD Thesis deals with the study of new multilevel structures. At the beginning of this
work, a new methodology to create new multilevel structures has been conceived. To evaluate
the performances of these structures, there are many possibilities: number of output voltage
levels, number of components, and the quality of the converters output waveforms. The list
of criteria is not exhaustive.

One technique to obtain an output multilevel waveform is to split the DC link in several
capacitors. There is a limitation since putting more than two capacitors in serial connection
leads to an unbalancing of these voltage capacitors. Several solutions are possible to balance
these voltages. The first one uses the control of the structure in a three phase application,
using a space vector modulation and minimizing the energy stored in the DC link. The second
solution consists in using auxiliary circuits, which realize an energy transfer between one
capacitor to another through an inductor. The drawback of this method is the high number of
components. This problem can be reduced sharing some components between the three phases
of the converter.

The third part of this study is related to multicell converters, structures with very interesting
good properties. New converter structures mix serial and parallel multicell converters, to
obtain a hybrid converter with similar performances to the two basic converters. An
experimental prototype was built to validate the results of the PhD. The digital control of this
hybrid structure was made with a FPGA where two DSP processors were implemented.

Avant-propos

AVANT-PROPOS

Les travaux de recherche prsents dans ce mmoire ont t raliss au sein de lquipe
Convertisseur Statique du laboratoire LAPLACE. Ce travail de trois ans a permis de faire
une douce transition entre le statut dtudiant et le statut professionnel. Ces trois annes
enrichissantes professionnellement, et humainement sont le fruit de rencontres. Je tiens
exprimer toute ma gratitude aux personnes qui ont pu contribuer de prs ou de loin
laboutissement de ce travail. La liste de ces personnes serait trop longue. Tout de mme, je
voudrais en remercier quelques unes

Tout dabord, Monsieur Maurice FADEL, directeur adjoint du laboratoire LAPLACE pour
son accueil, Philippe LADOUX, responsable de lquipe Convertisseur Statique mon
entre en Thse pour lambiance de travail et ses nombreuses histoires ; je tiens aussi
remercier Frdric RICHARDEAU, responsable de lquipe la fin de la thse pour sa
disponibilit et ses conseils.

Je tiens aussi remercier les membres de mon jury :
- Monsieur Jean-Paul FERRIEUX, Professeur des universits au G2Elab Grenoble
pour avoir accept la lourde tche de rapporteur. Jai apprci lintrt quil a port au
sujet trait et ses remarques constructives sur diffrents points de ce manuscrit.
- Monsieur Eric MONMASSON, Professeur des universits au SATIE Cergy-
Pontoise, pour lintrt quil a port nos travaux en participant au jury de thse en
tant que rapporteur
- Monsieur Thierry MEYNARD, Directeur de recherche au CNRS, pour avoir prsid
ce jury mais aussi pour avoir suivi lavance des travaux tout au long de ces trois ans.
Il a pu me donner de nombreux conseils au moment de lexprimentation et avoir un
il critique sur diffrents points de cette thse.
- Monsieur Guillaume GATEAU, Professeur des universits au LAPLACE Toulouse
pour lencadrement quil ma apport pendant ces trois ans en tant que directeur de
thse. Mais aussi la confiance quil ma donne tout au long de ces trois annes
mme si les pistes que lon a suivies nont pas toujours t les bonnes. Je le remercie
aussi pour la bonne ambiance quil a apporte notre binme de recherche, travailler
avec lui a toujours t un plaisir.

Mes remerciements vont aussi lensemble du personnel du laboratoire LAPLACE qui
permet de travailler dans de trs bonnes conditions. Je pense particulirement aux personnes
qui mont facilit les formalits administratives, Mesdames Daguillanes, Schwarz, Moll-
Mazella, Bastie, Domencq, et Mebrek. Je remercie aussi le personnel technique, en particulier
messieurs Blaquire, Durrieu, Vinnac, Bonnafou, et surtout jai une attention particulire pour
Jacques Benaioun qui ma souvent dpann en informatique. (Quelle ide tu as eu de
minstaller un portable). Je pense aussi Didier Flumian qui ma apport son soutien lors de
la phase dexprimentations. Je tiens aussi remercier lensemble des chercheurs et
enseignants chercheurs que jai rencontrs durant mon sjour au laboratoire et avec qui jai pu
changer sur mes thmatiques de recherche ou dautres sujets qui navaient aucun lien avec le
travail.

Je tiens aussi remercier les personnes qui mont accompagn pendant les diffrents
enseignements que jai effectus pendant mon monitorat et lanne dATER. Mes penses
Avant-propos
vont plus particulirement la Team Circuit : Ana Llor, Nicolas Roux, Guillaume Gateau,
Guillaume Fontes, Benoit Morin, Franois Defay et Baptiste Trajin. Je pense aussi Jacques
Luga (pour les nombreuses discutions sur la montagne) et mesdames Merlot et Djanati.

Je remercie aussi ceux qui ont relu mon manuscrit et ainsi viter une crise cardiaque
Guillaume devant tant de fautes dorthographe : Julie Egalon (pour la plus grande partie et
spcialiste des s manquants ), Maeva Collet et Corentin Rizet (avec qui jai pu confronter
mon point de vue sur la conversion multiniveaux).

Enfin je noublie pas tout les thsards et stagiaires qui ont contribu ou qui contribuent
toujours la bonne ambiance au sein du laboratoire:
- Je pense particulirement ceux qui ont eu loccasion pour ne pas dire la chance de
partager mes bureaux (nouveau et ancien) mme si cela na pas t facile : Linh (co-
chef du bureau et professeur en rouleaux de printemps), Eduard (alias Hernando le
sprinteur), Leire (camarade basque, mais surtout espagnole passionne de cyclisme et
de Samuel Sanchez), Tony (Quest ce quon attend ? tu me sers un ti punch, mec),
Guillaume (alias Bignole ) et Seb (qui eu la chance darriver aprs la soutenance).
Mais aussi Julie et Olivier (adversaires de mots croiss), Rubens (Je nai plus 24 ans,
Bichona !), Nadia, Jihen, Tahar et les deux cambodgiens Makara et Labo qui
subissaient le bruit et lodeur avec moi dans lancien btiment.
- Je pense aussi aux personnes des bureaux voisins : Damien (camarade au QPUC et
TLMVPSP), Baptiste (le ct obscur de la force), Majid, Noch, Meriem, Sbastien,
Sylvain (la tata du Poitou ), Matthieu, Laurianne, et aussi ceux den face : Arnaud,
Jehan, Marwan et Ziad.
- Je tiens aussi remercier : Dd (compagnon de randonne), Edouard, Clment, Raph,
Franois, Bernardo, Isabelle, Madiha, Jrome, Benoit, Rmy, Mustapha, Mounir,
Aziz, Amine, Zhifeng, Hoang, Aurlien, Giuliano, Nicolas, Cline, Titou, Vincent,
Cdric, Olivier, Eric, Didier et tout ceux que jai oublis et avec qui jai pu partager de
bons moments.

Je remercie aussi tous mes amis que jai connus pendant les trois annes Cachan et qui
mont vu voluer au long de ces trois ans : Fabien (corse grand amateur dlectronique, de
pche et de champignons), Maeva, Nathalia , Marcel, Xabi (collgues expatris comme moi
Toulouse), Guillaume (qui lui na pas vu la pluie de cailloux au col de Vence) et tous les
autres collgues de promo, mais aussi mes camarades de la Wei Spirlist : Olivier, Arnaud,
Fabien, Marion, Dorothe, et Aline (ainsi que leurs conjoints respectifs).

Mes penses vont galement ma famille et plus particulirement mes parents, ma sur et
mon beau-frre, mon frre et ma nice qui mont toujours soutenu et encourag depuis le
dbut de mes tudes.

On rencontre parfois son destin sur la route quon a pris pour lviter
Mon Nom est Personne

Table des Matires
I
TABLE DES MATIERES

Introduction Gnrale ..................................................................................... 1

Partie I : Conversion dEnergie Forte Puissance

CHAPITRE I Structures de Base de la Conversion Multiniveaux
I.A. Introduction ............................................................................................................................................ 5
I.B. Le Convertisseur Clamp par le Neutre (NPC) ...................................................................................... 5
I.C. Le Convertisseur Clamp Activement par le Neutre (ANPC) ................................................................ 8
I.D. Le Convertisseur Multicellulaire Srie (FC) ........................................................................................ 10
I.D.1. Convertisseur 2 Cellules (FC 3N) .............................................................................................. 11
I.D.2. Convertisseur multicellulaire srie p cellules ............................................................................ 13
I.E. Le Convertisseur Multicellulaire Superpos (SMC) ............................................................................. 17
I.E.1. La Cellule 3 Niveaux (SMC1x2) .................................................................................................. 17
I.E.2. Le Convertisseur SMC px2 ........................................................................................................... 19
I.F. Conclusion ............................................................................................................................................ 22

CHAPITRE II Classification des Structures de Conversion Multiniveaux
II.A. Introduction ......................................................................................................................................... 25
II.B. Tableau de classification des structures de conversion multiniveaux ................................................. 25
II.C. Les diffrentes familles de convertisseur multiniveaux ...................................................................... 27
II.C.1. Les ponts en H ............................................................................................................................. 27
a. Structure simple.............................................................................................................................. 27
b. Mise en srie .................................................................................................................................. 28
c. Convertisseur multiniveaux modulaires ......................................................................................... 29
II.C.2. Structures utilisant le fractionnement du bus continu .................................................................. 30
a. Les structures ................................................................................................................................. 30
b. Utilisation et Limitations de ces structures .................................................................................... 31
II.C.3. Convertisseur multicellulaire srie et parallle ............................................................................ 32
II.C.4. Association entre ces diffrentes familles ................................................................................... 32
II.D. Vers de nouvelles structures ................................................................................................................ 34
CHAPITRE III Construction et valuation de nouvelles structures
III.A. Introduction ....................................................................................................................................... 35
III.B. Schmatisation pour la recherche de nouvelles structures ................................................................. 35
III.B.1. Principe de la reprsentation ...................................................................................................... 36
III.B.2. Limitations et volutions possibles ............................................................................................ 38
III.C. Evaluation des structures de conversion ............................................................................................ 39
III.C.1. Pertes .......................................................................................................................................... 39
a. Analyse thorique ........................................................................................................................... 40
b. Analyse numrique ........................................................................................................................ 41
c. Vers une analyse rapide .................................................................................................................. 42
III.C.2. Courant admissible ..................................................................................................................... 43
III.C.3. Nombre de composants .............................................................................................................. 43
III.C.4. Formes donde en sortie ............................................................................................................. 44
III.C.5. Autres critres possibles ............................................................................................................. 44
III.C.6. Evaluation sur diffrentes structures de conversion classique.................................................... 45
III.D. Conclusions ....................................................................................................................................... 46
Table des Matires
II
Partie II : Etude de la problmatique des structures
bus partag

CHAPITRE IV Fractionnement du Bus Continu et Problme
dEquilibrage
IV.A. Introduction ....................................................................................................................................... 49
IV.B. Equilibrage du bus dentre pour des applications triphases ........................................................... 50
IV.B.1. Prsentation de la structure ........................................................................................................ 50
IV.B.2. Calcul du courant et de la dviation des tensions des condensateurs ......................................... 52
IV.B.3. Commande de la structure .......................................................................................................... 55
a. La Space Vector Modulation pour une structure 4 niveaux ........................................................... 55
b. Choix de la redondance lie lutilisation de la Space Modulation Vector ................................... 58
c. Mise en Forme du signal de rfrence ............................................................................................ 61
d. Choix de la redondance lie la structure ...................................................................................... 61
IV.B.4. Rsultats de Simulation sur la structure 4 niveaux..................................................................... 62
IV.B.5. Amlioration du domaine dquilibrage par ajout dune source de tension flottante ................. 64
a. Modification de la stratgie de commande ..................................................................................... 66
b. Rsultats de simulation .................................................................................................................. 66
IV.C. Equilibrage des condensateurs par transfert dnergie via un lment passif inductif ....................... 68
IV.C.1. Prsentation de la structure tudie ............................................................................................ 69
IV.C.2. Calcul du courant et de la dviation des tensions des condensateurs du bus continu................. 70
IV.C.3. Circuit auxiliaire ddi lquilibrage du bus ........................................................................... 72
a. Dimensionnement de linductance du circuit auxiliaire ................................................................. 73
b. Commande du circuit auxiliaire ..................................................................................................... 74
c. Rsultats de simulation ................................................................................................................... 75
IV.C.4. Intgration de linductance des circuits auxiliaires la structure de conversion........................ 76
a. Equilibrage indpendant de la conversion ...................................................................................... 77
b. Commande Couple entre lquilibrage et la conversion ............................................................... 79
c. Bilan et comparaison entre les diffrentes commandes .................................................................. 82
IV.D. Conclusions sur le fractionnement du bus dentre et lquilibrage des tensions de condensateurs . 83

CHAPITRE V Structure Partage de Composants
V.A. Introduction ......................................................................................................................................... 85
V.B. LActive Stacked Neutral Point Clamped (ASNPC)........................................................................... 85
V.B.1. Prsentation de la structure .......................................................................................................... 85
V.B.2. Rsultats de simulation ................................................................................................................ 87
V.B.3. Rsultats Exprimentaux ............................................................................................................. 88
V.B.4. Pertes dans londuleur ASNPC ................................................................................................... 90
V.C. Analyse prliminaire sur la faisabilit du partage de composants ....................................................... 91
V.D. LActive-Stacked-NPC partage de composants ............................................................................... 93
V.D.1. Possibilit de partager certains composants de cette structure .................................................... 93
V.D.2. La structure partage de composants.......................................................................................... 93
V.D.3. Commande de la structure partage de composants ................................................................... 95
a. Organisation de la commande et analyse des redondances ............................................................ 95
b. Stratgies de Commande du convertisseur partage de composants ............................................. 96
V.D.4. Rsultats de Simulation sur la Structure Partage de Composants............................................. 98
a. Formes dondes et proprits en sortie du convertisseur ................................................................ 98
b. Analyse des pertes pour les diffrentes commandes .................................................................... 100
V.E. Comparaison de cette structure avec dautres onduleurs multiniveaux ............................................. 102
V.F. Conclusion ......................................................................................................................................... 103

Table des Matires
III
Partie III : Mise en uvre de Structures de
Conversion Multiniveaux

CHAPITRE VI Structures Multiniveaux Hybride Srie-Parallle
VI.A. Introduction ..................................................................................................................................... 107
VI.B. Londuleur multiniveaux parallle 3 niveaux triphas ..................................................................... 108
VI.B.1. Topologie de londuleur ........................................................................................................... 108
VI.B.2. Commande de londuleur multicellulaire parallle .................................................................. 111
a. Architecture de la commande ....................................................................................................... 111
b. Gnration des modulantes et modulation optimise ................................................................... 113
VI.B.3. Contrle des courants Diffrentiels .......................................................................................... 115
a. Echantillonnage des modulantes .................................................................................................. 115
b. Effet du changement de bande avec la modulation PD ................................................................ 116
c. Compensation du courant diffrentiel .......................................................................................... 118
d. Effets de lchantillonnage la frquence de la porteuse ............................................................ 120
e. Contrle par estimation du courant .............................................................................................. 121
VI.B.4. Simulation de la structure multicellulaire parallle 3 niveaux ................................................. 125
a. Rsultats du Contrle avec un chantillonnage de la modulante 2 fois la frquence de dcoupage
......................................................................................................................................................... 125
b. Rsultat du contrle par estimation du courant avec un chantillonnage quatre fois la frquence
de dcoupage .................................................................................................................................... 128
VI.C. LActive Neutral Pointed Clamped Srie-Parallle 5 niveaux ......................................................... 129
VI.C.1. Construction de la structure ..................................................................................................... 129
VI.C.2. Commande de lANPC Srie Parallle 5 niveaux .................................................................... 131
a. Machine dtat de la structure ...................................................................................................... 131
b. Contrle du courant avec lchantillonnage deux fois la frquence de dcoupage ................... 132
c. Contrle du courant par estimation avec lchantillonnage quatre fois la frquence de dcoupage
......................................................................................................................................................... 133
VI.C.3. Rsultats de simulation ............................................................................................................ 133
VI.D. Ralisation dun prototype de convertisseurs multiniveaux hybrides sries parallles ................... 136
VI.D.1. Objectif et ralisation de ce prototype ..................................................................................... 136
a. Cahier des charges ........................................................................................................................ 136
b. Maquette exprimentale ............................................................................................................... 138
VI.D.2. Commande numrique de lANPC 5 Niveaux srie-parallle ................................................. 138
a. Architecture modulateur et machine dtat .................................................................................. 138
b. Gestion des temps morts .............................................................................................................. 139
c. Installation dun processeur .......................................................................................................... 141
VI.D.3. Rsultats exprimentaux de lANPC 5 Niveaux srie-parallle .............................................. 142
a. Echantillonnage deux fois la frquence de dcoupage - Double commutation gre par la
modulante ......................................................................................................................................... 142
b. Estimateur du courant diffrentiel ................................................................................................ 145
VI.E. Convertisseur Multicellulaire Hybride Srie-Parallle .................................................................... 146
VI.E.1. Prsentation de la structure ...................................................................................................... 146
VI.E.2. Influence dune modulation PD sur la tension de la source flottante pour un convertisseur
multicellulaire srie............................................................................................................................... 147
VI.E.3. Commande et proposition pour quilibrer les courants diffrentiels et tensions des sources
flottantes ............................................................................................................................................... 148
VI.E.4. Rsultats de simulation avec cette structure ............................................................................. 149
VI.F. Conclusions ...................................................................................................................................... 150
Conclusion gnrale ..................................................................................... 153
Bibliographie ................................................................................................ 157
Annexe ........................................................................................................... 163

Liste des Figures
V
LISTE DES FIGURES

Chapitre 1
Figure I-1 Onduleur NPC 3 Niveaux ...................................................................................................................... 6
Figure I-2 Porteuses, Modulantes et Signaux de Commande de T1 et T2 pour un Onduleur NPC 3 Niveaux ....... 7
Figure I-3 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur NPC 3N ..................................................... 7
Figure I-4 Onduleur ANPC 3 Niveaux .................................................................................................................... 8
Figure I-5 Les Diffrents modes de commande pour un onduleur ANPC 3 Niveaux : A) Commande de type NPC,
B) Commande de type BF/HF, C) Commande de type HF/BF, D) Commande de type HF/HF ............................. 9
Figure I-6 Rpartition relative des pertes frquence de sortie quivalente pour les diffrents modes de
commande pour un onduleur ANPC 3 Niveaux : A) Commande de type NPC, B) Commande de type BF/HF, C)
Commande de type HF/BF, D) Commande de type HF/HF ................................................................................. 10
Figure I-7 Onduleur FC 3 Niveaux ....................................................................................................................... 11
Figure I-8 Porteuses, Modulantes et Signaux de Commande de T1 et T2 pour un Onduleur FC 3 Niveaux........ 12
Figure I-9 Ralisation des diffrents niveaux de tension avec londuleur FC 3Niveaux ...................................... 12
Figure I-10 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur FC 3N.................................................... 13
Figure I-11 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur FC 3N.................................................................. 13
Figure I-12 Onduleur multicellulaire srie p cellules ........................................................................................ 15
Figure I-13 Onduleur multicellulaire srie 4 cellules ........................................................................................ 15
Figure I-14 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur FC 5N.................................................... 16
Figure I-15 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur FC 5N.................................................................. 16
Figure I-16 Tensions dans les diffrents condensateurs flottants pour un onduleur FC 5N pour un bus continu
E=600V ................................................................................................................................................................. 17
Figure I-17 Onduleur SMC1x2 3 Niveaux ............................................................................................................ 18
Figure I-18 Onduleur multicellulaire srie p cellules ........................................................................................ 19
Figure I-19 Onduleur SMC3x2 7 Niveaux ............................................................................................................ 20
Figure I-20 Etat des interrupteurs :A) pendant lalternance positive B) pendant lalternance ngative ............. 20
Figure I-21 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur SMC3x2 7N ........................................... 21
Figure I-22 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur SMC3x2 7N ......................................................... 21
Figure I-23 Energie stocke relative par rapport lnergie stocke dans un FC 3 niveaux dans les
convertisseurs multicellulaire srie (FC) et superpose (SMC) ........................................................................... 22

Chapitre 2
Figure II-1 Base du tableau de classification des convertisseurs multiniveaux.................................................... 26
Figure II-2 Structure Pont en H 3 niveaux ......................................................................................................... 27
Figure II-3 Formes donde de la tension et du courant de sortie et des modulantes des deux cellules de
commutation et de la porteuse .............................................................................................................................. 27
Figure II-4 Mise en srie de 2 ponts en H ............................................................................................................. 28
Figure II-5 Schma du convertisseur multiniveaux modulaire ............................................................................. 29
Figure II-6 Structures donduleur 4 niveaux utilisant le principe du fractionnement du bus continu :A) NPC 4 B)
convertisseur P2 C) SMC1x3 ................................................................................................................................ 30
Figure II-7 Onduleur multicellulaire 3 niveaux : A) srie B) parallle ................................................................ 32
Figure II-8 Onduleur ANPC 5 niveaux ................................................................................................................. 33

Chapitre 3
Figure III-1 Formalisme de reprsentation des cellules de commutation par lutilisation de triangles ............... 36
Figure III-2 Schmatisation des structures :A) Active-NPC 3 Niveaux B) SMC2x2 ............................................. 37
Figure III-3 Schmatisation de la structure Active Stacked NPC ......................................................................... 37
Figure III-4 Schmatisation de la structure NPC avec reprage du transit possible du courant ......................... 38
Figure III-5 Ajout dune source flottante dans lActive NPC 3 niveaux ............................................................... 39
Liste des Figures
VI
Figure III-6 Principe de fonctionnement de lvaluation numrique des pertes ................................................... 41
Figure III-7 Modle thermique dune installation avec N IGBT ........................................................................... 43

Chapitre 4
Figure IV-1 Reprsentation schmatique de la structure ...................................................................................... 50
Figure IV-2 Onduleur monophas 4 Niveaux ....................................................................................................... 51
Figure IV-3 Onduleur triphas 4 Niveaux ............................................................................................................ 52
Figure IV-4 Schma du bus continu ...................................................................................................................... 53
Figure IV-5 Schma synoptique de la commande ................................................................................................. 55
Figure IV-6 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans lespace de Concordia ...................................... 56
Figure IV-7 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans lespace orthonorm ......................................... 57
Figure IV-8 Etape de construction de la SVM : a)Point de la modulante, b) Recherche du point le plus proche, c)
trac de lhexagone lmentaire, d), Les vecteurs adjacents, e)Projection du vecteur de rfrence, e) trac des
diffrents vecteurs avec leurs dures .................................................................................................................... 58
Figure IV-9 Energie Stocke relative en fonction des tensions de deux condensateurs ........................................ 59
Figure IV-10 Squence de mise en forme des signaux partir des vecteurs rsultant de la SVM ........................ 61
Figure IV-11 Formes dondes des Tensions aux bornes des condensateurs et de la tension entre phase pour un
facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.64 ......................................................... 62
Figure IV-12 Formes dondes de la tension entre deux phases et de la tension simple de la premire phase pour
un facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.64 .................................................... 62
Figure IV-13 Courbe de Limite de stabilit de la profondeur de modulation en fonction du facteur de puissance
.............................................................................................................................................................................. 63
Figure IV-14 Hexagones pour une structure 4 Niveaux (rouge) et une structure 7 Niveaux (rouge et bleu) en Vert
et jaune trajet du vecteur de rfrence pour une profondeur de modulation de 0.8 (vert) et 1 (en jaune) ........... 64
Figure IV-15 Reprsentation schmatique de la structure avec le condensateur flottant ..................................... 64
Figure IV-16 Onduleur monophas 7 Niveaux ..................................................................................................... 65
facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.75 ......................................................... 67
un facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.75 .................................................... 67
Figure IV-19 Point de Limite de stabilit pour un facteur de puissance de 0.8 et comparaison avec la courbe
limite pour la structure prcdente ....................................................................................................................... 68
Figure IV-20 Reprsentation schmatique de la structure .................................................................................... 69
Figure IV-21 Onduleur monophas 5 Niveaux ..................................................................................................... 70
Figure IV-22 Formes dondes de la tension aux bornes des condensateurs C4 et C3 .......................................... 72
Figure IV-23 Schma de deux circuits auxiliaires placs sur le bus continu ........................................................ 72
Figure IV-24 Schma de lquilibreur .................................................................................................................. 73
Figure IV-25 Schma de la commande de lquilibreur ....................................................................................... 74
Figure IV-26 Formes dondes des tensions des capacits du bus continu, de la tension de sortie et ordre de
commande des interrupteurs des structures auxiliaires ........................................................................................ 75
Figure IV-27 Formes dondes des courants traversant les inductances des circuits auxiliaires et tension de sortie
de londuleur ......................................................................................................................................................... 76
Figure IV-28 Onduleur monophas 5 Niveaux auto quilibrante ......................................................................... 77
commande de linterrupteur T
H1
........................................................................................................................... 78
de londuleur ......................................................................................................................................................... 79
Figure IV-31 Explication de la ncessit davoir un interrupteur 4 segments pour la commande couple .......... 80
H1
........................................................................................................................... 81
de londuleur ......................................................................................................................................................... 81
Figure IV-34 Variation de la valeur de linductance en fonction de la profondeur de modulation et du facteur de
puissance ............................................................................................................................................................... 82

Liste des Figures
VII
Chapitre 5
Figure V-1 Onduleur ASNPC monophas 3 Niveaux............................................................................................ 86
Figure V-2 Ordre de commande des diffrents IGBT en fonction du signal modulant : A) modulante positive B)
modulante ngative [FLO1] .................................................................................................................................. 87
Figure V-3 Formes donde de la tension de sortie et du courant de sortie ........................................................... 88
Figure V-4 Formes donde des tensions aux bornes des IGBT T1, T2, et T2b...................................................... 88
Figure V-5 Installation exprimentale du prototype donduleur ASNPC 3 niveaux ............................................. 89
Figure V-6 Rsultats Exprimentaux pour londuleur ASNPC 3N : A) jaune : Tension de sortie, vert : modulante
bleu : courant de sortie, B) jaune : tension de sortie, Bleu : tension aux bornes de linterrupteur T1, violet :
tension aux bornes de linterrupteur T2, vert : tension aux bornes de linterrupteur T2b.................................... 90
Figure V-7 Rpartition des pertes dans les diffrents composants semi-conducteurs pour une profondeur de
modulation gale 0.8 et un facteur de puissance : A) PF=0.86 B) PF=0 .......................................................... 91
Figure V-8 Formes donde de la modulante et de la tension de sortie de rfrence ............................................. 92
Figure V-9 Possibilits pour raliser les diffrents niveaux de tension en sortie ................................................. 93
Figure V-10 Onduleur ASNPC 3 niveaux partage de composants .................................................................... 94
Figure V-11 Exemple de ralisation de certaine combinaison :A) [E/2, 0,-E/2] B) [-E/2, 0,-E/2] ...................... 94
Figure V-12 Schma synoptique de la commande ................................................................................................ 95
Figure V-13 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans le plan de Concordia (, ) .............................. 96
Figure V-14 Exemple de commutation entre la combinaison [E/2, 0,-E/2] et la combinaison [E/2, 0, 0] reprage
du nombre de commutations obligatoires ............................................................................................................. 98
Figure V-15 Formes donde de la tension de sortie entre la phase R et le neutre, la tension entre les phases R et
S, le courant de sortie et le courant traversant linterrupteur T
Ms
et du courant de sortie pour la premire
commande ............................................................................................................................................................. 99
Figure V-16 Formes donde de la tension aux bornes de linterrupteur T
R1
pour les diffrentes commandes
(celui-ci nest pas doubl pour assurer la tenue en tension) ............................................................................... 100
Figure V-17 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande basique : A) PF=0.86 et
B) PF=0 .............................................................................................................................................................. 101
Figure V-18 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande pour la rpartition des
pertes : A) PF=0.86 et B) PF=0 ......................................................................................................................... 101
Figure V-19 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande moindre effort de
commutation : A) PF=0.86 et B) PF=0 .............................................................................................................. 102

Chapitre 6
Figure VI-1 Onduleur ASNPC monophas 3 Niveaux [COU1] .......................................................................... 108
Figure VI-2 Ondulation rduite du courant de sortie en fonction du nombre de cellules p mise en parallle
[COS] .................................................................................................................................................................. 109
Figure VI-3 Formes dondes des courants de sortie et dun bras pour une topologie 3 bras en parallle avec
un couplage : rouge inductance indpendante, bleu inductance couple [COS] ............................................... 110
Figure VI-4 Architecture de la commande du convertisseur multicellulaire parallle [COU1] ........................ 111
Figure VI-5 Disposition des porteuses pour les trois types de modulation ......................................................... 112
Figure VI-6 Machine dtat pour un onduleur multicellulaire parallle 3 niveaux [COU1] ............................. 112
Figure VI-7 Modulantes optimiss de rfrence pour une modulation PD pour un convertisseur multiniveaux
avec :A) 3 Niveaux de tension en sortie B) 5 Niveaux, pour une profondeur de modulation gale 0.8 ........... 114
Figure VI-8 Courant diffrentiel avec un chantillonnage : A) 2*Fdec (haut des triangles) B) 4*Fdec (haut et
bas (exemple pour un chantillonnage en bas) ................................................................................................... 115
Figure VI-9 Problme du changement de bande pour une modulation PD ........................................................ 116
Figure VI-10 Modification de la machine dtat pour introduire la double commutation ................................. 117
Figure VI-11 Placement de la double commutation en fonction de valeur de la modulante .............................. 118
Figure VI-12 Schma Bloc de la rgulation du courant diffrentiel par modification de la modulante [COU1]119
Figure VI-13 Effet de la Rgulation du courant diffrentiel par modification de la modulante ......................... 119
Figure VI-14 Formes dondes des modulantes pour chaque phase avec chantillonnage 2*Fdec et signal
modulant entre phase R et S ................................................................................................................................ 120
Figure VI-15 Causes des discontinuits sur les modulantes. A) Phase en retard par rapport aux autres B) Phase
en avance ............................................................................................................................................................ 121
Figure VI-16 Exemple destimation du courant au prochain tat S3 ou S4 : effet dun changement de bande .. 122
Figure VI-17 Schma synoptique de la commande par estimation du courant diffrentiel ................................ 123
Figure VI-18 Placement de la double commutation par lestimateur de courant ............................................... 124
Liste des Figures
VIII
Figure VI-19 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase : Mise en vidence du
problme sur le courant diffrentiel avec une modulation :A) POD B) PD ....................................................... 126
Figure VI-20 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase : Placement de la
double commutation ............................................................................................................................................ 127
Figure VI-21 Formes donde de tension de sortie, du courant diffrentiel, de la modulante et de la composante
ajoute sur celle-ci : compensation de la composante continue du courant ....................................................... 127
Figure VI-22 Effet spectral de lamlioration de la forme donde entre phase par avancement ou retardement de
lchantillonnage dune des modulantes A) Sans correction B) Avec correction ............................................... 128
Figure VI-23 Formes dondes de tension de sortie, du courant diffrentiel, zoom sur une double commutation
avec les signaux de courant mesur, du courant chantillonn, et du signal de double commutation ............... 128
Figure VI-24 Onduleur Hybride Srie Parallle 5 Niveaux................................................................................ 130
Figure VI-25 Machine dtat pour lANPC 5 niveaux Srie-Parallle ............................................................... 131
Figure VI-26 Placement de la double commutation en fonction de valeur de la modulante : changement entre les
bandes intermdiaires ......................................................................................................................................... 132
Figure VI-27 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase avec des modulantes :
A) sinusodale B) optimise (chantillonnage 2*Fdec) ....................................................................................... 133
Figure VI-28 Formes dondes de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase avec des modulantes :
A) sinusodale B) optimise (chantillonnage 4*Fdec) ....................................................................................... 134
Figure VI-29 Boucle de rgulation des courants de sortie ................................................................................. 135
Figure VI-30 Rponse de la boucle de courant des chelons (chantillonnage 4*Fdec) : Formes dondes des
courants Id et Iq de la modulante de la phase R et du courant diffrentiel sur la phase R ................................. 135
Figure VI-31 Principe dintroduction du dysfonctionnement sur un ordre de commande.................................. 136
Figure VI-32 Effet de dysfonctionnement sur la commande : A) retard amorage mR1 B) retard blocage mR1
(chantillonnage 4*Fdec) ................................................................................................................................... 136
Figure VI-33 Schma 3D du prototype avec busbar ANPC 5 N srie Parallle ................................................. 137
Figure VI-34 Vue densemble de linstallation exprimentale et vue de dessus du convertisseur ...................... 138
Figure VI-35 Schma de principe de la commande numrique .......................................................................... 139
Figure VI-36 Explication de la programmation du temps mort .......................................................................... 140
Figure VI-37 Onduleur Monophas Hybride Srie Parallle 5 Niveaux partage de composants ................... 140
Figure VI-38 Problme et solution apporte lors du changement de bande intermdiaire en partant de ltat 7
vers ltat 1 avec un courant positif. ................................................................................................................... 140
Figure VI-39 Architecture du processeur implante dans le FPGA ................................................................... 141
Figure VI-40 Formes dondes pour une modulation POD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases
(vert), somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) pour une frquence de dcoupage gale :
A) F
dec
=2kHz B) F
dec
=20kHz .............................................................................................................................. 143
Figure VI-41 Formes dondes pour une modulation PD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases (vert),
somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) pour une frquence de dcoupage gale : A) Sans
contrle F
dec
=2kHz B) sans contrle F
dec
=20kHz C) avec contrle F
dec
=2kHz (zoom sur la double commutation
D) avec contrle F
dec
=20kHz .............................................................................................................................. 144
Figure VI-42 A) Formes dondes pour une modulation PD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases
(vert), somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) avec contrle par estimation de courant B)
Zoom sur une double commutation :courant diffrentiel(bleu) Ordre de ncessit de rguler (Vert) Courant de
seuil (rouge ) ordre de double commutation ( front montant du signal jaune) ................................................... 145
Figure VI-43 Onduleur multicellulaire Srie Parallle 5 Niveaux ..................................................................... 146
Figure VI-44 Formes dondes de la tension du condensateur flottant pour un onduleur multicellulaire srie 3
niveaux avec une modulation PD ........................................................................................................................ 147
Figure VI-45 Machine dtat pour londuleur multicellulaire srie parallle 5 niveaux.................................... 148
Figure VI-46 Formes dondes des tensions des condensateurs flottants de la tension de sortie et du courant
diffrentiel pour un onduleur multicellulaire srie parallle 5 Niveaux avec une modulation PD avec le contrle
des tensions des capacits flottantes ................................................................................................................... 149
du courant diffrentiel ......................................................................................................................................... 150

Liste des Tableaux
IX
LISTE DES TABLEAUX

Chapitre 1
Tableau I-1 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur NPC 3N ............................................................... 6
Tableau I-2 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur FC 3N ............................................................... 11
Tableau I-3 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur SMC1x2 3N ....................................................... 18

Chapitre 3
Tableau III-1 Comparatif sur diffrentes structures de bases ............................................................................... 45

Chapitre 5
Tableau V-1 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur ASNPC ............................................................. 86
Tableau V-2 Tableau comparatif entre les diffrentes structures de conversion ................................................ 103

Chapitre 6
Tableau VI-1 Intervalles o la moiti de lamplitude de la porteuse doit tre ajoute [ABD] ................. 114
Tableau VI-2 Conditions de simulation de londuleur ........................................................................................ 125
Tableau VI-3 Caractristiques gnrales du prototype ...................................................................................... 137

Introduction Gnrale
1
INTRODUCTION GENERALE

Depuis de nombreuses annes, lvolution de llectronique de puissance est trs importante
dans un monde o les aspects nergtiques sont devenus un enjeu essentiel. Les applications
de celle-ci sont diverses et touchent un vaste domaine du gnie lectrique allant de quelques
watts plusieurs centaines de mgawatts. Les structures de conversion statique qui composent
principalement les applications de llectronique de puissance deviennent de plus en plus
puissantes, la technologie a d sadapter cette croissance de la puissance convertir.
Cette croissance a t permise grce lvolution des technologies des composants semi-
conducteurs. Lvolution des calibres en tension et courant ainsi que lamlioration des
performances de ces composants a permis dutiliser une lectronique de puissance plus
performante pour des applications de plus grande puissance. Nanmoins, les performances des
composants actuels ne permettent pas davoir une conversion optimale de lnergie lectrique.
En effet, laugmentation de la tension est souvent employe pour amliorer les rendements.
Or lutilisation de composants avec des calibres en tension importants namliore pas le
rendement global de linstallation, voire le dtriore car ces composants sont globalement
moins performants que des composants de calibres en tension moins levs et produisent donc
plus de pertes.
Pour rsoudre ce problme et utiliser des composants plus performants, de nouvelles
structures ont t dveloppes. Ces structures sont appeles convertisseurs multiniveaux car
elles possdent en sortie plus de deux niveaux de tension en sortie. Cres dans un premier
temps pour pouvoir la fois mettre plusieurs interrupteurs en srie et assurer correctement la
tenue en tension aux bornes de ceux-ci, par la suite, ces convertisseurs ont montr des
proprits intressantes sur les formes dondes en sortie.

Ce mmoire prsente les travaux de recherche sur de nouvelles structures de conversion
multiniveaux. Suite aux travaux existants et dvelopps au laboratoire sur les convertisseurs
multicellulaires sries et superposs, de nouvelles structures ont t proposes. Ce mmoire se
compose de trois parties qui ont pour but daboutir sur la cration et la mise en uvre de
convertisseurs multiniveaux. Dune prsentation gnrale des structures de conversion, il est
possible de trouver de nouvelles topologies de convertisseurs possdant de nouvelles
proprits. Mais lutilisation de convertisseurs multiniveaux entrane un certain nombre
dinconvnients, notamment sur la mise en uvre de ceux-ci.

La premire partie de ce mmoire est consacre une prsentation des structures de base de la
conversion multiniveaux ainsi que leur principe de fonctionnement. Ces structures de
conversion peuvent tre classes par rapport au principe de conversion quelle utilise pour
avoir en sortie une tension sur plusieurs niveaux. Outre lventail de ces structures, les
diffrents modes de commande seront dtaills afin de bien comprendre le contrle de ces
structures. A partir de ces structures de base, il est possible de trouver de nouvelles topologies
soit par un jeu dimbrication de cellules de base soit par concatnation de deux structures bien
connues. Connatre la commande des structures de base permet de mieux apprhender la
commande de ces nouvelles structures. Pour valuer celle-ci, il est possible de les comparer
entre elles avec de nombreux critres. Ces critres peuvent aussi bien tre dordre structurel
que sur les formes dondes en sortie du convertisseur. Ces critres dpendent des
convertisseurs tudis ainsi que leurs avantages et inconvnients lis leur utilisation.

Introduction Gnrale
2
Lutilisation de convertisseurs multiniveaux entrane quelques complications lorsque le
nombre de niveaux de tension augmente en sortie. Dans la deuxime partie de ce mmoire est
aborde la rsolution de deux problmes lis lutilisation de convertisseurs multiniveaux. Le
premier de ces problmes est lquilibrage des tensions aux bornes des condensateurs du bus
continu lorsque celui-ci est compos de plus de 2 condensateurs. Pour rsoudre ce problme,
plusieurs solutions sont tudies par action sur la commande en utilisant un algorithme bas
sur une minimisation de lnergie stocke dans le pont diviseur capacitif, ou bien en agissant
directement sur la structure en ralisant un transfert dnergie du condensateur en surcharge
vers un autre condensateur en utilisant un lment de stockage inductif. Lautre problme
tudi est le nombre de composants semi-conducteurs qui peut devenir important sur certaines
structures. La solution propose est de raliser un partage de composants entre diffrentes
phases. Ce partage est possible sous certaines conditions et impose un fonctionnement
particulier pour certains interrupteurs. Une structure utilisant ce principe est propose et
diffrentes commandes ont t testes.

La dernire partie de ce mmoire est ddie ltude, la commande et la mise en uvre de
nouvelles structures de conversion de type parallle ou srie/parallle. Ces nouvelles
structures utilisent donc le principe dassociation de deux types de structure de conversion. De
plus un travail sur la commande a t ralise, la fois sur la modulation mais aussi sur les
modulantes pour avoir en sortie des formes dondes de qualit la meilleure possible. Outre la
rsolution des nombreux problmes lis lutilisation dune modulation Phase Disposition,
deux nouveaux convertisseurs multiniveaux ont t tudis. De cette tude a t conu un
prototype qui a permis de valider des rsultats obtenus par simulation numrique. La
commande de ce prototype a t implante sur un FPGA avec programmation de diffrentes
boucles internes de rgulation. Les diffrentes boucles de rgulation et les systmes de
modulation sont dveloppes la fois dans un langage ddi (VHDL) et sur un systme
numrique base de processeur intgrs directement dans le FPGA (NIOS /SOPC).

Partie I : Conversion dEnergie
Forte Puissance
CHAPITRE I. Structures de Base de la Conversion Multiniveaux
5
CHAPITRE I
STRUCTURES DE BASE DE LA CONVERSION
MULTINIVEAUX
I.A. Introduction
Avant de commencer lexploration de nouvelles topologies de convertisseur, il est ncessaire
de prsenter les structures de conversion multiniveaux les plus classiques. Lhistoire de la
conversion multiniveaux commence dans les annes 60 [KOU]. La premire structure dcrite
est une mise en srie de pont en H. Puis dans la fin des annes 70 est apparu le convertisseur
clamp par le neutre (NPC) [NAB]. Cette structure est considre comme le premier
convertisseur multiniveaux pour des applications de moyennes puissances. Depuis, de
nombreuses tudes ont t proposes pour tudier ses proprits et les volutions possibles de
cette structure.
Dans les annes 90, les recherches vers de nouvelles structures se sont portes vers les
convertisseurs multicellulaires srie [MEY], aussi connu dans la littrature sous le nom de
Flying Capacitor (FC). Et cest la fin des annes 90 quest n le convertisseur multicellulaire
superpos, cette structure est une suite de la rflexion sur les convertisseurs multicellulaires
srie.
Ces structures peuvent tre considres comme les structures de base de la conversion
multiniveaux. Beaucoup de proprits de ces structures sont communes avec les nouvelles
structures, cest pour cela que dans un premier temps, ces structures de base seront prsentes.

I.B. Le Convertisseur Clamp par le Neutre (NPC)
Une des structures de rfrence dans la conversion multiniveaux est le convertisseur NPC 3
niveaux (Neutral Point Clamped) (Figure IV-3). Ce convertisseur utilise la mise en srie
dinterrupteurs, la rpartition de la tension aux bornes des interrupteurs ltat bloqu tant
ralise avec des diodes connectes au point milieu (N). Ces diodes de clamp permettent
dassurer une tension de blocage E/2 aux points A et B.
I.B Le Convertisseur Clamp par le Neutre (NPC)
6

Figure I-1 Onduleur NPC 3 Niveaux

Dans le cas dune utilisation de cette structure en Onduleur, les niveaux de tensions en sortie
ralisables sont au nombre de 3 : -E/2, 0 et E/2.
Les possibilits pour raliser les diffrents niveaux sont rsumes dans le Tableau I-1.

Tension de
sortie
Interrupteurs rendus
passants
Sens du courant
Le courant circule
dans
E/2 T1 et T2
Is>0 T1 et T2
Is<0 D1 et D2
0 T2 et T3
Is>0 X1 et T2
Is<0 X2 et T3
-E/2 T3 et T4
Is>0 D4 et D3
Is<0 T4 et T3
Tableau I-1 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur NPC 3N

Les interrupteurs T
1
et T
3
(respectivement T
2
et T
4
) sont commands de manire
complmentaire. Tous les interrupteurs ne sont pas actifs pendant la totalit de la priode de
modulation : 2 interrupteurs sur 4 sont dans un tat bloqu :
- Si la modulante est positive, alors linterrupteur T
2
est toujours passant et T
4
bloqu.
Si T
1
est amorc alors linterrupteur T
3
doit tre bloqu, la tension en sortie est alors
E/2. Au contraire si T
1
est ltat OFF et T
3
est ON, la tension de sortie est gale
0V.
- De mme si le signal modulant est ngatif, les interrupteurs figs sont T
1
ltat
bloqu et T
3
ltat passant. Si T
2
est amorc et T
4
bloqu alors la tension de sortie est
fixe 0V et si T
2
est ltat OFF et T
4
est ON, la tension de sortie est gale E/2.

La commande de cet onduleur est ralis simplement laide dune commande de type MLI
intersective. Le systme est compos de deux porteuses superposes (Figure IV-6). Chacune
de ces porteuses est lie un des deux groupes dinterrupteurs commands de manire
complmentaire. La porteuse positive permet de fixer les tats des interrupteurs T
1
et T
3
alors
que celle ngative permet de commander T
2
et T
4
.

7

Figure I-2 Porteuses, Modulantes et Signaux de Commande de T1 et T2 pour un Onduleur NPC 3 Niveaux

La Figure IV-7 prsente les formes dondes en sortie de cet onduleur. Ces rsultats sont
obtenus par simulation dun convertisseur 3 niveaux avec un bus continu V E 600 =
,
une
charge compose dune rsistance de O =1
L
R et dune inductance mH L
L
15 = . La frquence
de dcoupage est de kHz F
dec
1 = , la modulante a une frquence de modulation gale
Hz F 50
mod
=

et un indice de modulation 8 . 0 = k .

Figure I-3 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur NPC 3N

Avec ce convertisseur, la frquence de dcoupage apparente en sortie est gale la frquence
de dcoupage des interrupteurs. Les applications de ce convertisseur sont nombreuses :
entranement moyenne tension, application maritime ou activits minires. Ceci est d ses
bonnes performances statiques et dynamiques par rapport une structure 2 niveaux. En effet,
avec une structure NPC, il est possible de rduire les pertes globales dans les diffrents
interrupteurs, mais ces pertes ne sont pas bien rparties [BRU] dans les diffrents composants
semi-conducteurs.

Nanmoins, cette structure possde un inconvnient majeur : lquilibrage du point milieu.
Celui-ci est ralis la plupart du temps par un pont diviseur capacitif. Dans le cas dune
utilisation dun onduleur NPC 3 niveaux monophas, le potentiel du point milieu peut avoir
une grande ondulation. De plus, lutilisation dun NPC suprieur ou gal 4 niveaux entrane
une divergence des tensions aux bornes des condensateurs. Pour rsoudre ces problmes, il
existe plusieurs solutions telles que lutilisation dun contrle actif ou limplantation dune
I.C Le Convertisseur Clamp Activement par le Neutre (ANPC)
8
structure ddie lquilibrage de ces tensions de condensateurs. Mais ces solutions
deviennent de plus en plus complexes et rajoute des cots supplmentaires au convertisseur.
Ces solutions seront prsentes dans la suite de ltude.

I.C.Le Convertisseur Clamp Activement par le Neutre (ANPC)
Une variante de la structure NPC, est le convertisseur Active-NPC (ANPC) (Figure I-4)
[BRU]. Dans cette structure, les diodes de clamp sont remplaces par des interrupteurs trois
segments (IGBT et diode en parallle). Les pertes dans les interrupteurs pour un convertisseur
NPC ne sont pas correctement rparties dans les diffrents composants semi-conducteurs.
Dans le cas o tous les composants sont installs sur le mme systme de refroidissement, les
tempratures de jonction nont pas les mmes valeurs et les performances sont limites par le
composant possdant la temprature de jonction la plus haute. Ajouter des interrupteurs
composs dIGBT en parallle avec une diode permet cette structure davoir plusieurs
modes de commande et ainsi une possibilit de choisir le type de modulation pour quilibrer
ces pertes [BRU].

Figure I-4 Onduleur ANPC 3 Niveaux

Chaque interrupteur trois segments (not S sur la Figure I-4) est compos dun IGBT (T) et
dune diode (D).
Sur la Figure I-5, sont reprsents les diffrents modes de commande [BRU][FLO1] en
fonction de la frquence maximale de commande de linterrupteur. La premire commande
(Figure I-5-A) possible est bien sr celle similaire londuleur NPC. Pour cela les
interrupteurs S1b et S2 ne sont pas commands de telle manire ce que lIGBT soit dans la
position bloque. Aprs les commandes de S
1
, S
2
, S
2b
et S
3b
sont respectivement similaires
aux commandes de T
1
, T
2
, T
3
et T
4
.

9

Figure I-5 Les Diffrents modes de commande pour un onduleur ANPC 3 Niveaux : A) Commande de type NPC,
B) Commande de type BF/HF, C) Commande de type HF/BF, D) Commande de type HF/HF

Les deux commandes suivantes (Figure I-5-B et C) sont des commandes de type aiguilleur
c'est--dire que certains interrupteurs commutent la frquence de dcoupage alors que
dautres commutent uniquement la frquence de modulation. La diffrence entre les deux
commandes rside sur le placement des interrupteurs ayant le rle daiguilleur. Dans le
premier cas (B), les aiguilleurs choisissent la source de tension alors que dans le deuxime cas
(C), les interrupteurs choisissent la cellule de commutation qui commute la frquence de
dcoupage.
La dernire commande est un peu particulire (Figure I-5-D) : tous les interrupteurs
commutent la frquence de dcoupage. Ceci permet de doubler la frquence de dcoupage
apparente en sortie avec comme contrepartie daugmenter les pertes.
I.D Le Convertisseur Multicellulaire Srie (FC)
10

A)

B)
C) D)
Figure I-6 Rpartition relative des pertes frquence de sortie quivalente pour les diffrents modes de
commande pour un onduleur ANPC 3 Niveaux : A) Commande de type NPC, B) Commande de type BF/HF, C)
Commande de type HF/BF, D) Commande de type HF/HF

Globalement les pertes pour toutes ces commandes sont gales, mais selon la commande
applique sur les diffrents interrupteurs, leur rpartition est diffrente. Sur la Figure I-6 sont
reprsentes les pertes pour les diffrents types de commande pour un cahier de charges
prcis dfini prcdemment. Celles-ci sont donnes en relatif par rapport aux pertes globales
pour un facteur de puissance, un courant efficace et une tension de bus continu identique aux
quatre cas. De plus pour la commande HF/HF (Figure I-5-D), la frquence de dcoupage a t
divise par deux pour avoir en sortie une frquence de dcoupage apparente gale la
frquence de dcoupage relle des autres commandes (pour travailler qualit des formes
dondes de sortie gale).
Pour toutes ces commandes, les pertes par commutation ne sont pas correctement rparties
dans les diffrents interrupteurs. Par contre, dans la majorit des composants, les pertes par
conduction sont sensiblement identiques. Ceci est d lunicit de la ralisation de certains
niveaux (E/2 et E/2). La seule solution pour essayer de rpartir les pertes en commutation
est de jouer sur la redondance pour raliser le niveau 0. La rpartition ingale des pertes est un
problme lors du dimensionnement du systme de refroidissement du convertisseur. Il est
possible destimer les diffrentes tempratures de jonction des diffrents interrupteurs
[BRU1] partir du courant de sortie et des diffrents paramtres de londuleur. Il est possible
ensuite dutiliser un algorithme pour choisir la transition qui permet dquilibrer au mieux les
pertes dans les diffrents composants semi-conducteurs.

I.D.Le Convertisseur Multicellulaire Srie (FC)
Cette structure est apparue au dbut des annes 90 [BRE1][MEY1]. Le principe du
convertisseur multicellulaire srie FC (Flying Capacitor) est la mise en srie de cellule de
commutation. Les cellules sont connectes entre elles par une source de tension. Ceci permet
11
davoir une tension multiniveaux, ainsi que dautres proprits intressantes qui sont
rapidement rappeles.

I.D.1.Convertisseur 2 Cellules (FC 3N)
Le convertisseur FC 2 cellules (Figure I-7) est compos dune mise en srie de deux cellules
de commutation par lintermdiaire dune source de tension. Cette source de tension est
ralise par un condensateur flottant.

Figure I-7 Onduleur FC 3 Niveaux

Pour viter de court-circuiter les sources de tension, les interrupteurs T
1
et T
1b
, ou T
2
et T
2b

doivent tre commands de manire complmentaire. Ces deux couples dinterrupteurs
forment alors deux cellules de commutation.

Cette structure permet davoir trois niveaux de tension en sortie -E/2, 0 et E/2. Les diffrentes
possibilits sont rsumes dans le Tableau I-2

Tension de
sortie
passants
Sens du courant
Le courant circule
dans
E/2 T1 et T2
Is>0 T1 et T2
Is<0 D1 et D2
0
T1 et T2b
Is>0 T1 et D2b
Is<0 D1 et T2b
T1b et T2
Is>0 D1b et T2
Is<0 T1b et T2
-E/2 T1b et T2b
Is>0 D1b et D2b
Is<0 T1b et T2b
Tableau I-2 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur FC 3N

Les sources de tension sont soit gales E ou E/2, celles-ci imposent la contrainte en
tension sur les diffrents interrupteurs.

La commande de ce convertisseur est assez simple (Figure I-8). Chaque cellule de
commutation possde sa propre porteuse. Ceci implique que chaque interrupteur dcoupe
pendant la totalit dune priode de modulation. Dans les structures prsentes prcdemment,
les structures NPC et ANPC, seulement deux interrupteurs dcoupent la frquence de
dcoupage au mme instant, alors que dans le cas du FC 3N, ce sont 4 interrupteurs (2 par
cellule de commutation) qui dcoupent en mme temps. Pour avoir une tension de 3 Niveaux,
12
les porteuses sont dphases de 180. Si celles-ci ne sont pas dphases, les interrupteurs T
1
et
T
2
(et donc T
1b
et T
2b
) commutent en mme temps, et la tension nest plus que de 2 niveaux (-
E/2 et E/2). Avec un fonctionnement tel que celui-l, il est ncessaire davoir un contrle actif
de la tension de la capacit flottante. Il nest pas forcment intressant car la forme donde en
sortie nest pas amliore.

Figure I-8 Porteuses, Modulantes et Signaux de Commande de T1 et T2 pour un Onduleur FC 3 Niveaux

Sur la Figure I-9 sont reprsentes les quatre possibilits pour raliser les diffrents niveaux
de tension. Le niveau intermdiaire est ralisable par deux combinaisons diffrentes. La
commande avec les deux porteuses dphases permet naturellement dalterner entre les deux
combinaisons. Pour chaque priode de dcoupage, le niveau 0 est atteint deux fois alors que
chaque interrupteur na subi quun amorage et un blocage. Ceci va permettre de doubler la
frquence de dcoupage apparente en sortie par rapport la frquence de dcoupage des
cellules de commutation.

Figure I-9 Ralisation des diffrents niveaux de tension avec londuleur FC 3Niveaux

Les rsultats de simulation de londuleur FC 3 Niveaux possdant les mmes paramtres que
la structure NPC 3 niveaux pour la charge, la tension et le courant de sortie sont montrs sur
la Figure I-10.

13

Figure I-10 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur FC 3N

Comme pour la structure NPC 3 niveaux, cette structure permet davoir 3 niveaux de tension
distincts. Mais lavantage de cette structure est davoir une bonne qualit de la tension
dcoupe en sortie ainsi quune ondulation de courant plus faible que pour un onduleur NPC 3
niveaux. Sur le spectre de la tension dcoupe, les premiers harmoniques dus au dcoupage
sont autour de deux fois la frquence de dcoupage, cest pour cette raison que le courant est
de meilleur qualit, londulation haute frquence est plus faible. Cette proprit est assez
intressante en termes de filtrage car elle permet davoir une rduction du volume des
composants du filtre de sortie.

Figure I-11 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur FC 3N

Au niveau des pertes, mme si tous les interrupteurs commutent la frquence de dcoupage,
elles sont quivalentes aux pertes dans londuleur NPC pour des formes dondes en sortie
identiques (mme frquence de dcoupage).

I.D.2.Convertisseur multicellulaire srie p cellules
Sil est possible de mettre en srie deux cellules de commutation, il est alors possible de
mettre en srie p cellules de commutation (Figure I-12). Les deux interrupteurs de la cellule
de commutation ont des commandes complmentaires pour viter les courts-circuits des
14
sources de tension. La mise en srie de p cellules de commutation impose de placer dans la
structure (p - 1) condensateurs flottants.
Lutilisation dune cellule de commutation permet davoir une variation de la tension entre
deux niveaux de E. Avec la structure prcdente, le FC 3 niveaux, la variation entre 2 niveaux
est gale E/2. Lextension pour une structure multicellulaire srie p cellules permet davoir
une variation de tension de sortie entre deux niveaux de E/p. Il en est de mme pour la tenue
en tension des IGBT, chaque composant semi-conducteurs doit bloquer une tension gale
E/p.
Ceci va imposer les valeurs des diffrentes sources de tension flottante. En effet pour assurer
la tenue en tension pour chaque composant, les sources de tension flottantes doivent avoir
pour valeur :

p
E
k V
Ck
=

{ } p k ,..., 1 e Eq. I-1

Comme pour le cas de londuleur FC 3 niveaux, les sources de tension sont ralises par des
condensateurs flottants qui ont pour valeur [CAR] :

s dec
s
V F p
I
C
A
=
Eq. I-2

tant londulation de tension de condensateur acceptable, p le nombre de cellules
imbriques et Is le courant maximal en sortie.
Cependant cette tension doit tre stable pour assurer une tension de sortie multiniveaux de
bonne qualit. Pour cela, les courants circulants dans chaque condensateur flottant doivent
avoir une valeur moyenne nulle sur une priode de modulation [GAT97]. Avec un rapport
cyclique constant, les ordres de commande doivent tre dphass dun angle
k
. Cet angle est
donn par la formule :

p
k
k
t 2
) 1 ( = u

{ } p k ,..., 1 e Eq. I-3

Le nombre de niveau en sortie dpend du nombre de cellules de commutation mises en srie.
Pour un onduleur avec p cellules, le nombre de niveaux que le convertisseur est capable de
gnrer en sortie est :

1 + = p N
niv
Eq. I-4

15

Comme pour londuleur FC 3 niveaux, le convertisseur multicellulaire srie possde des
proprits intressantes en sortie : grce aux redondances de certains niveaux, il est possible
daugmenter la frquence apparente de dcoupage par rapport la frquence de dcoupage
des cellules de commutation. Pour une structure p cellules, la frquence apparente est gale
:

dec app
f p f = Eq. I-5

Les premiers harmoniques du spectre napparaissent alors seulement qu cette frquence et
leur amplitude est p fois plus faible que pour un onduleur 2 niveaux classique. De plus les
harmoniques suivants ne sont quautour des frquences multiples de cette frquence
apparente.

Pour illustrer ces diffrents rsultats, une simulation dun onduleur avec 4 cellules de
commutation (Figure I-13) a t faite avec les mmes paramtres que les deux structures
prcdentes pour la charge, la tension du bus dentre, la frquence de dcoupage et la
modulante.

Sur la Figure I-14 est reprsente la tension de sortie, il est possible de retrouver le rsultat de
lEq. I-4 avec les 5 niveaux sur la tension de sortie.

Figure I-12 Onduleur multicellulaire srie p cellules

Figure I-13 Onduleur multicellulaire srie 4 cellules
16

Figure I-14 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur FC 5N

De plus le courant possde beaucoup moins doscillations haute frquence. Ceci est une
consquence de lloignement de la frquence de dcoupage apparente par rapport la
frquence de dcoupage des cellules de commutation (Figure I-15). En effet loscillation en
sortie est une consquence du dcoupage de la tension.

Figure I-15 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur FC 5N

Plus le nombre de cellules de commutation est grand, plus les premiers harmoniques du
spectre de la tension sont hauts en frquence. Les amplitudes de celles-ci sont aussi plus
petites. Lamplitude des premiers harmoniques est inversement proportionnelle au nombre p
de cellules mises en srie.

Pour avoir une tension multiniveaux de bonne qualit, il est ncessaire que les tensions aux
bornes des diffrentes sources flottantes soient quilibres (Figure I-16). Lquilibrage des
condensateurs est naturel si les porteuses sont dphases de 2/p. Les condensateurs
squilibrent de manire autonome si la charge absorbe un courant qui possde des
harmoniques la frquence de dcoupage. Dans le cas dune charge passive, le dsquilibre
dune des tensions aux bornes dun des condensateurs cre des harmoniques la frquence de
dcoupage sur la tension et donc sur le courant. Si la charge nabsorbe pas de courant avec
des harmoniques la frquence de dcoupage, il est possible dquilibrer les condensateurs en
utilisant un filtre passif RLC qui absorbe du courant la frquence de dcoupage (qui donc
17
permet lquilibrage des condensateurs). Ce filtre, dans un fonctionnement normal o les
tensions des condensateurs sont bien quilibres, nabsorbe aucun courant [CAR].

Figure I-16 Tensions dans les diffrents condensateurs flottants pour un onduleur FC 5N pour un bus continu
E=600V

Une des applications du convertisseur multicellulaire srie est lentranement haute tension.
Il est possible de voir quelques applications donduleurs avec 2 ou 3 cellules imbriques
[SHA]. Nanmoins la mise en srie de plus de 5 cellules pose quelques problmes pour le
dveloppement de cette structure au niveau du stockage dnergie dans la structure. En effet
les tensions aux bornes des condensateurs les plus proches du bus continu sont dautant plus
grandes que le nombre de cellules mises en srie augmente. Donc ces condensateurs doivent
stocker plus dnergie ce qui occasionne une augmentation du volume de condensateur
ncessaire : en effet le volume dun condensateur peut tre considr comme proportionnel
lnergie stocke.

I.E.Le Convertisseur Multicellulaire Superpos (SMC)
Cette structure est une volution du convertisseur multicellulaire srie. Elle a t brevete en
2000 en France [BRE2] et 2001 dans le monde [BRE3].

Pour comprendre cette structure, la premire partie est une description de la cellule
lmentaire 3 niveaux, puis dans un deuxime temps, comme pour la structure multicellulaire
srie, les caractristiques gnrales de ce convertisseur sont donnes.
I.E.1. La Cellule 3 Niveaux (SMC1x2)
La cellule lmentaire du convertisseur multicellulaire est compose de 4 ou 6 interrupteurs
(Figure I-17). Les branches extrieures sont composes de deux interrupteurs 3 segments : la
mise en srie dinterrupteurs est ncessaire pour la tenue en tension. La tenue en tension de
lensemble des diffrents interrupteurs est E/2. Doubler les interrupteurs, naugmente pas les
pertes par commutation, car un seul des deux interrupteurs commute la frquence de
dcoupage, lautre ne commutant uniquement que deux fois par priode de modulation. La
branche du milieu est compose de deux interrupteurs placs en opposition. Pour ces
interrupteurs la tenue en tension maximale est gale E/2, ils nont pas besoin dtre doubls.

I.E Le Convertisseur Multicellulaire Superpos (SMC)
18

Figure I-17 Onduleur SMC1x2 3 Niveaux

Comme pour le NPC 3 niveaux, la commande se spare en deux parties :
- Pendant lalternance positive de la modulante, les interrupteurs T
2
et T
4
restent ferms
alors que T
5
et T
6
restent en position OFF. Pour avoir la tension de sortie gale E/2,
T
1
doit tre en position ON alors que T
3
doit tre bloqu. Au contraire T
3
doit tre
amorc et T
1
en position OFF pour avoir le niveau 0.
- Pendant lalternance ngative, T
3
et T
5
doivent tre passants alors que T
1
et T
2
sont en
position OFF. Pour avoir en sortie le niveau 0, linterrupteur T
4
doit tre passant alors
que T
6
doit tre en position OFF. Pour le niveau E/2, linterrupteur T
5
doit tre
passant alors que T
6
est OFF.

Il y a donc 2 couples dinterrupteurs commands de manire complmentaire : T
1
et T
3
, et T
4

et T
6
. Chaque interrupteur dcoupe au maximum pendant une moiti de priode de
modulation comme pour le NPC 3 niveaux. Le passage du courant dans chaque interrupteur se
fait soit par lIGBT soit par la diode, cela dpend du signe du courant. Le Tableau I-1 rsume
les diffrentes conductions des diffrents composants semi-conducteurs en fonction du signe
du courant de sortie et du niveau dsir.

Tension de
sortie
passants
Sens du courant
Le courant circule
dans
E/2 T1 et T2
Is>0 T1 et T2
Is<0 D1 et D2
0 T3 et T4
Is>0 D3 et T4
Is<0 T3 et D4
-E/2 T5 et T6
Is>0 D5 et D6
Is<0 T5 et T6
Tableau I-3 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur SMC1x2 3N

Le comportement de cette structure est similaire au NPC 3 niveaux, dailleurs en termes de
pertes, les deux structures sont quivalentes. De mme les formes dondes sont identiques.
Cest pour cette raison que les rsultats de simulation ne sont pas prsents. Ce principe a
deux volutions possibles. La premire est une extension verticale avec la mise en srie de
plus de deux condensateurs pour raliser le pont diviseur capacitif. Or, avec une extension
19
verticale suprieure ou gale 3 condensateurs, les tensions aux bornes de ceux-ci ne sont pas
quilibres naturellement. Cest pour a que ltude se limite dans la littrature deux tages.
Lautre extension possible pour cette structure est dutiliser le principe du convertisseur
multicellulaire srie, en mettant en srie plusieurs cellules 3 niveaux en plaant entre chacune
deux condensateurs flottants.
I.E.2.Le Convertisseur SMC px2
Le convertisseur multicellulaire superpos px2 (SMCpx2) est une mise en srie de structures
SMC1x2. Comme dans le cas du FC, les cellules sont connectes entre elles par des
condensateurs flottants. Sur la Figure I-18 est prsente une mise en srie de p cellules
SMC1x2. Le nombre dtages n est dans notre cas gal 2. La diffrence de tension entre
deux niveaux et la tenue en tension des diffrents interrupteurs est gale :

n p
E
V
niveaux
= A Eq. I-6

Le nombre de niveaux possibles avec ce convertisseur est :

1 ) ( + = p n N
niveaux
Eq. I-7

Entre chaque cellule, il y a n condensateurs, donc pour une association de p cellules le nombre
de condensateurs doit tre de . Leurs tensions leurs bornes sont :

n p
E
k V
Ck
=

{ } p k ,..., 1 e Eq. I-8
O k reprsente le numro de la cellule et E la tension du bus dentre

Ce convertisseur possde certaines proprits du convertisseur multicellulaire srie. Une des
proprits similaires est la multiplication de la frquence de dcoupage apparente par rapport
la frquence de dcoupage relle en fonction du nombre de cellules p mises en srie :

dec app
f p f = Eq. I-9

Figure I-18 Onduleur multicellulaire srie p cellules
I.E Le Convertisseur Multicellulaire Superpos (SMC)
20
Un onduleur SMC3x2 est prsent en Figure I-19. Cette structure possde 7 niveaux de
tension en sortie. La diffrence de tension entre 2 niveaux conscutifs est de E/6. Le nombre
de condensateurs est gal 4 et leurs tensions sont E/6 et E/3.

La commande de ce convertisseur [DEL] est une combinaison entre la commande de
londuleur SMC1x2 et le convertisseur multicellulaire srie 3 cellules (Figure I-20). Pendant
lalternance positive la conversion se fait avec ltage suprieur, certains interrupteurs sont
rendus passants pendant toute la demi-priode alors que sur la branche infrieure tous les
interrupteurs sont en position OFF. Au contraire, pendant lalternance ngative, ce sont les
interrupteurs de ltage infrieur qui ralisent la conversion.

Comme pour le SMC1x2, tous les interrupteurs ne dcoupent pas la frquence de
dcoupage, les interrupteurs qui sont placs dans la structure pour assurer la tenue en tension
(ceux en clair sur les branches extrieures sur la Figure I-20) ne dcoupent qu la frquence
de modulation. De plus les autres interrupteurs ne dcoupent la frquence de dcoupage que
pendant la moiti dune priode de modulation (alternance ngative ou positive).

Chaque cellule possde n porteuses (dans lexemple prsent n=2) superposes. Chaque
porteuse correspond une cellule de commutation. Comme pour le convertisseur

Figure I-19 Onduleur SMC3x2 7 Niveaux

Figure I-20 Etat des interrupteurs :A) pendant lalternance positive B) pendant lalternance ngative
21
multicellulaire srie, les porteuses entre les diffrentes cellules sont dphases entre elles dun
angle :
p
k
k
t 2
) 1 ( = u

{ } p k ,..., 1 e Eq. I-10
Ce dphasage est important pour la stabilit des tensions aux bornes des condensateurs.
Comme pour le convertisseur multicellulaire srie, les condensateurs flottants squilibrent
grce la prsence dharmoniques la frquence de dcoupage sur le courant de sortie. Si la
source de courant en sortie ne peut pas absorber cet harmonique, il est possible de rajouter un
filtre RLC dimensionn sur la frquence de dcoupage.

Les Figure I-21 prsentent des rsultats de simulation de cette structure. Pour le
dimensionnement des condensateurs flottants, il est possible de rutiliser lEq. I-2. Les
paramtres de la charge, de la frquence de dcoupage ainsi que de la modulante sont
identiques aux structures prcdentes.

Figure I-21 Tension de sortie et Courant de Charge pour un onduleur SMC3x2 7N

La tension possde 7 niveaux de tension. Le spectre de la tension (Figure I-22) prsente un
fondamental 50Hz, puis des harmoniques des multiples de 3 fois la frquence de
dcoupage, ceci correspond lEq. I-9 et une mise en srie de 3 cellules.

Figure I-22 Spectre de la Tension de sortie pour un onduleur SMC3x2 7N

I.F Conclusion
22
Les harmoniques la frquence apparente de dcoupage sont plus faibles dans le cas du SMC
que pour le FC. En effet, le fait davoir une tension de 7 niveaux en sortie permet de diminuer
lamplitude des harmoniques aux niveaux de la frquence apparente de dcoupage. Par
exemple entre la Figure I-15 et la Figure I-22, lamplitude des harmoniques la frquence de
dcoupage apparente de sortie est plus faible dans le cas du SMC3x2 alors que la frquence
apparente est plus importante dans le cas du convertisseur multicellulaires srie 4 cellules.
Un autre avantage des structures multicellulaires superposes est une rduction de lnergie
stocke dans les condensateurs flottants. En effet lorsque le nombre de cellules devient trop
important pour un convertisseur FC, la tension du condensateur le plus proche du bus dentre
tend avoir la mme tension que le bus continu. Dans le cas du SMC, chaque tension aux
bornes des condensateurs est divise par 2 par rapport au convertisseur multicellulaires srie.
Ce qui permet de diminuer le volume des condensateurs car lnergie stocke dans ceux-ci est
moindre que pour un convertisseur multicellulaire srie car elle est proportionnelle au carr de
la tension. La Figure I-23 montre la diffrence dnergie stocke dans les deux structures en
fonction du nombre de niveaux de tension en sortie.

Figure I-23 Energie stocke relative par rapport lnergie stocke dans un FC 3 niveaux dans les
convertisseurs multicellulaire srie (FC) et superpose (SMC)

Dans une tude prcdente [LIE], une comparaison a t effectue entre diffrentes structures
multiniveaux pour une application spcifique. Le convertisseur multicellulaire apparat
comme une structure intressante quand le nombre de niveaux de tension en sortie augmente.
En effet, en termes de pertes, celles-ci sont infrieures celles dun convertisseur
multicellulaires srie et se rapprochent dune structure NPC.

I.F.Conclusion
Les structures multiniveaux se sont dveloppes suite la limitation des composants semi-
conducteurs. Pour des applications moyenne ou haute tension, elles restent encore une
solution pour assurer la conversion tout en assurant la tenue en tension des composants.
La structure la plus commune, et aussi historiquement une des premires, est le NPC. Cette
structure est apprcie car sa mise en uvre est simple et possde beaucoup dapplications.
Elle reste cependant contraignante quant lextension de cette structure pour avoir en sortie
plus de niveaux de tension. La mise en srie de plus de deux condensateurs pour raliser le
pont diviseur capacitif reste un problme rsoudre. Une alternative intressante du NPC est
23
lActive-NPC (ANPC). Avec un contrle adapt il est possible de commander cette structure
pour avoir une rpartition des pertes dans les diffrents composants semi-conducteurs.
Alors que les structures comme le NPC ou lANPC utilisent le fractionnement de la tension
du bus continu, les convertisseurs multicellulaires utilisent des sources de tension flottantes.
Ces structures sont intressantes pour leurs caractristiques en sortie, notamment
laugmentation de la frquence de dcoupage apparente par rapport la frquence de
dcoupage des diffrentes cellules de commutation. Nanmoins lnergie stocke dans les
diffrents condensateurs flottants est une limitation lextension de cette structure vers plus
de niveaux.
Le principal avantage des convertisseurs multicellulaires superposs est de diminuer cette
nergie stocke en superposant plusieurs FC. De plus, il permet de rduire les pertes par
rapport cette dernire structure. Par contre cette structure est gourmande en composants,
mme si ceux-ci ne commutent pas tous la frquence de dcoupage et pendant toute la
priode de modulation.
Lutilisation des structures de conversion multiniveaux connat une croissance pour les
applications moyenne tension et forte puissance. Les structures prsentes prcdemment
peuvent tre considres comme des structures de base. Le prochain chapitre va balayer de
faon encore plus large les diffrents principes pour avoir une tension multiniveaux afin
denvisager de nouvelles structures avec des proprits intressantes.

CHAPITRE II. Classification des Structures de Conversion Multiniveaux
25
CHAPITRE II
CLASSIFICATION DES STRUCTURES DE CONVERSION
MULTINIVEAUX
II.A. Introduction
Les structures de conversion multiniveaux sont devenues une des solutions utilises pour la
conversion dnergie pour des fortes puissances dans le milieu industriel. Il est possible de
trouver ces convertisseurs dans des applications trs varies telles que la propulsion marine,
systme de pompage, les liaisons courant continu (HVDC), la conversion dnergie
olienne, la traction ferroviaire, lextraction minire ou encore la compensation dnergie
ractive. Si le domaine dapplication des structures multiniveaux est trs vari, les structures
de conversion sont elles aussi trs diffrentes. Ceci est d aux diffrentes proprits des
structures de base de la conversion multiniveaux qui peuvent tre dterminantes dans leurs
choix pour une application donne.
A partir des principes de base de la construction de structure de conversion multiniveaux, de
nouvelles structures peuvent tre mises en uvre, soit en faisant voluer celles-ci dans leur
propre famille, soit en mariant deux familles ce qui permet davoir une nouvelle structure
possdant des proprits des deux familles. Celles-ci accroissent dautant plus le domaine
dutilisation des convertisseurs multiniveaux ainsi que leurs performances.
A partir des principes de base ainsi que des structures prsentes prcdemment, il est
possible de proposer une classification de ces structures et de voir apparaitre les nouvelles
topologies proposes depuis une dizaine dannes ainsi que celles prsentes dans la suite de
ce travail. Un retour sur les diffrentes familles est fait afin de montrer les diffrents
avantages et inconvnients lors de lutilisation des diffrentes structures, ainsi que quelques
exemples dutilisation de celles-ci dans le domaine industriel.

II.B. Tableau de classification des structures de conversion
multiniveaux
Le tableau de classification propos est un angle de vue des structures de conversion
multiniveaux, il existe des articles dans la bibliographie qui proposent dautres visions et
arrivent dautres rsultats. Ce tableau est construit partir de quatre principes de conversion
multiniveaux et partir de rflexion cherchant rpondre aux diffrents problmes pour faire
voluer les structures. Les structures prsentes dans ce tableau sont majoritairement des
structures prsentes dans la suite de cette tude et montrent ainsi comment elles ont t
construites. De plus, ce tableau nest pas born, de nouvelles structures peuvent encore tre
cres.

II.B Tableau de classification des structures de conversion multiniveaux
26

Figure II-1 Base du tableau de classification des convertisseurs multiniveaux

Les diffrentes familles sont principalement : les ponts en H, les structures utilisant le
fractionnement du bus continu, les convertisseurs multicellulaires sries et parallles. Elles
constituent pour chacune dentre-elles une base de convertisseur. Certaines proprits peuvent
tre bien sr communes plusieurs familles telles que laugmentation de la frquence de
dcoupage apparente en sortie par rapport la frquence de dcoupage rel.
Il ne faut pas perdre de vue que les convertisseurs multiniveaux ont t conus afin de pouvoir
convertir des puissances plus grandes en essayant de limiter les pertes dans la partie
conversion et filtrage. Dj des familles peuvent se distinguer par leur utilisation. Tout
dabord au niveau des convertisseurs multicellulaires qui sont dans le cas parallle conus
pour augmenter le courant en sortie du convertisseur et, dans le cas srie, pour augmenter la
tension du bus continu en entre.

Si une classification peut tre faite pour les structures de conversion, une autre peut tre
ralise au niveau de la commande de celles-ci. En effet, comme pour les structures, celle-ci
peut tre multiples. Les deux familles prsentes dans ce cas sont les algorithmes bass sur
lespace vectoriel (Space Modulation Vector) [MON][GUP] et celle base sur les niveaux de
tension en sortie : partir dune forme donde de rfrence, un modulateur donne le niveau de
tension que doit raliser le convertisseur. Il est mme possible de raliser une liaison entre ces
deux familles en ralisant une injection dhomopolaire afin de faire un lien entre les deux
techniques de modulation[MCG3][HOL].
Plusieurs classifications ont t ralises et exposes dans la littrature [KOU] [FRA]. Dans
la suite, diffrentes techniques exposes dans ces articles sont utilises des fins particulires,
mme si la plus utilise reste celle base sur le niveau de tension dsir en sortie. De plus,
ltude sintresse plus particulirement lutilisation des redondances que peut avoir une
27
structure pour atteindre certains niveaux. Lutilisation de ces redondances peut tre varie :
amlioration des formes dondes, ou quilibrage de pertes dans le cas de lANPC [BRU].

II.C.Les diffrentes familles de convertisseur multiniveaux
II.C.1. Les ponts en H
Cette famille de structure de conversion est la premire dcrite dans la littrature comme une
structure de conversion multiniveaux [KOU]. En effet la mise en cascade de plusieurs
structures 2 niveaux permet davoir en sortie une forme donde de tension multiniveaux.

a.Structure simple
La structure de base est compose de cellules de commutation (Figure II-2), le principe pour
avoir une forme donde de tension multiniveaux en sortie est dagir sur la diffrence de
potentiel entre les deux sorties des cellules de commutation (A et B).

Figure II-2 Structure Pont en H 3 niveaux

Cette structure peut tre utilise dans le cas dune alimentation dun moteur courant continu,
par exemple, car en fonctionnement hacheur elle permet de raliser toutes les configurations
possibles pour le moteur : rotation dans les deux sens et fonctionnement soit en gnrateur ou
moteur. La commande la plus simple dans le cas dun onduleur est ralise de la faon
suivante : une porteuse commune aux deux cellules de commutation et une modulante pour
chacune de ces cellules, ces deux modulantes sont en opposition de phase.

Figure II-3 Formes donde de la tension et du courant de sortie et des modulantes des deux cellules de
commutation et de la porteuse

II.C Les diffrentes familles de convertisseur multiniveaux
28
La Figure II-3 montre quelques formes dondes issues de la structure de base du pont en H
ainsi que de la commande la plus simple pour un onduleur. Au niveau du dimensionnement
des interrupteurs, il est identique celui dune cellule de commutation simple. Nanmoins
avec une structure simple il est possible de faire commuter deux fois plus de puissance car la
tension de sortie nest plus entre E/2 et E/2 mais entre E et +E.

b.Mise en srie
Un des intrts de la structure pont en H est de pouvoir raliser une mise en srie pour avoir
en sortie une forme donde de tension multiniveaux. La disposition de deux ponts en H mis
en srie est montre sur la Figure II-4. Le point A dun pont en H est reli au point B de
lautre et ainsi de suite si lapplication met plus de 2 ponts en H en srie. Ce type de
conversion ncessite des sources de tension isoles les unes par rapport aux autres si le
systme de conversion doit fournir de la puissance active. Dans le cas dun filtrage
dharmonique ces sources peuvent tre remplaces par des condensateurs dont il sera
ncessaire dassurer lquilibrage.

Figure II-4 Mise en srie de 2 ponts en H

Au niveau de la commande de cette structure, celle-ci est relativement simple : les modulantes
pour toutes les cellules de commutation A sont identiques, idem pour les cellules de
commutation B avec signe oppos par rapport la modulante des cellules de commutation A.
les porteuses sont elles dphases de
, entre les diffrents pont en H mis en srie, : N

reprsente le nombre de ponts en H mis en srie. Ceci permet de raliser un entrelacement
entre les diffrents ponts en H et ainsi dobtenir en sortie un forme donde de tension
possdant 2*N-1 niveaux de tension qui possde une frquence apparente gale 2*N*F
dec
,

F
dec
tant la frquence de dcoupage dune cellule de commutation.

Linconvnient de cette structure est le fait que toutes les sources de tension doivent tre
isoles. Nanmoins elle devient trs intressante pour des applications de compensation de
puissance ractive. En effet, pour de telles applications, la tension aux bornes des diffrentes
sources de tension reste quilibre. Dans le cadre dune tude sur un compensateur de
puissance ractive dune puissance de 1MVAR (Annexe), qui ncessite de mettre une
vingtaine de pont en H en srie, il a t tudi le remplacement des cellules de commutation 2
niveaux par des structures de conversion multiniveaux classiques.
29
Un des avantages de cette structure est dtre performante au niveau de la tolrance de panne.
En effet, grce aux nombreuses redondances pour raliser les diffrents niveaux, en particulier
quand le nombre de pont en H mis en srie augmente, et donc les possibilits pour raliser les
diffrents niveaux sont nombreuses. Au niveau de lutilisation de cette structure comme un
onduleur classique il existe diffrentes applications. Chaque source de tension est alimente
par une source de tension globale et autant de transformateurs que de sources de tension
isoles.

c.Convertisseur multiniveaux modulaires
Le convertisseur multiniveaux modulaire est une variante de la mise en srie de ponts en H
[LES][ALL]. Nanmoins cette structure possde beaucoup davantages. Tout dabord
contrairement la mise en srie de ponts en H, les sources de tension isole sont remplaces
par des condensateurs flottants, qui possdent la proprit dauto-quilibrage dans certaines
conditions [GLI]. Comme pour la mise en srie de ponts en H, la structure est compose
dune mise en srie de sous-modules. Cette fois ci, les sous-modules sont raliss par une
unique cellule de commutation place aux bornes dun condensateur flottant (Figure II-5).

Figure II-5 Schma du convertisseur multiniveaux modulaire

Les inductances en sortie sont places pour limiter le courant alternatif en cas de dfaillance
ou de court-circuit [ALL].
Cette topologie est spcialement adapte des applications haute tension et fortes
puissances. Il est possible de retrouver cette topologie dans des applications de liaison
courant continu haute tension. Lintrt de cette structure est augmentation du nombre de
degr de libert lorsque le nombre de sous-modules mis en parallle crot. Cette augmentation
permet davoir un plus grand nombre de redondance pour raliser certains niveaux. Ainsi il
est possible davoir une continuit de service mme si un sous module est dfaillant. Un
avantage de cette structure est de ne pas avoir besoin de condensateur sur le bus continu celui-
ci tant ralis par lensemble des condensateurs de la structure ( et donc dimensionn la
frquence de modulation)

30
Ces structures pourront tre utilises dans des applications fortes puissances. Dans le cas de
la mise en srie de ponts en H, les puissances peuvent aller du kW la centaine de mgawatt.
Dans le cas des convertisseurs multiniveaux modulaires, ils commencent tre utiliss dans
lindustrie notamment pour la ralisation de liaison courant continu : un projet de ralisation
de ligne HVDC entre la France et lEspagne de 2000MVA pour une tension continu de 320kV
[SIE].

II.C.2. Structures utilisant le fractionnement du bus continu
a.Les structures
Les structures utilisant le principe du fractionnement du bus continu sont multiples. Les plus
connues sont celle prsentes dans le chapitre prcdent : londuleur Neutral Point Clamped
(NPC) ou lActive-NPC. Mais ce principe tant une des bases pour la construction de
nouvelles topologies, la cration de celles-ci est assez aise. En effet, il suffit de fractionner le
bus avec N-1 condensateurs que le nombre N de niveaux dsir en sortie et de placer derrire
ce bus continu les interrupteurs en faisant attention ne pas court-circuiter une des sources de
tension ou douvrir une source de courant.
Si dans le premier chapitre il a t prsent la structure NPC pour 3 niveaux de tension en
sortie, cette structure est extensible de plus nombreux niveaux. Par exemple la Figure II-6-A
montre la structure tendue 4 niveaux de tension en sortie. Le principe est le mme que pour
londuleur homonyme pour trois niveaux de tension : la tenue en tension aux bornes de
chacun des interrupteurs est assure par des diodes de clamp. Chaque niveau nest ralisable
que dune seule faon car les diodes nautorisent le passage du courant que dans un seul sens.

Figure II-6 Structures donduleur 4 niveaux utilisant le principe du fractionnement du bus continu :A) NPC 4 B)
convertisseur P2 C) SMC1x3
31

Une autre volution possible des structures prsentes prcdemment et utilisant le principe
du fractionnement est le convertisseur multicellulaire superpose (SMC) avec uniquement une
cellule mais en superposant plusieurs cellules de commutation (Figure II-6-C pour un
exemple avec 4 niveaux de tension en sortie). La commande de ces structures comme pour la
prcdente est assez simple car un niveau ne peut tre ralis que dune seule faon. Mais
contrairement la structure prcdente, ici les interrupteurs sont mis en srie pour assurer la
tenue en tension de ceux-ci. Il est donc ncessaire dans la commande de faire attention ne
pas provoquer une surtension aux bornes dun des interrupteurs.

Lavantage de cette famille est lvolution quelle peut permettre dans les topologies de
conversion multiniveaux. En effet, dans le cas 3 niveaux, dans le premier chapitre une
volution de londuleur NPC avec lActive-NPC a t montre. Ce convertisseur est trs
intressant de part la redondance quil possde pour raliser certains niveaux qui peuvent tre
utiliss soit pour rduire ou quilibrer les pertes soit pour augmenter la frquence de
dcoupage apparente en sortie qui permet de limiter le volume des composants du filtre en
sortie du convertisseur. Un autre exemple est donn dans le cas dun onduleur 4 niveaux sur la
Figure II-6-B [ROD]. Cette structure peut tre vue comme une variante de lActive-NPC 4
niveaux (similaire au NPC 4 niveaux en remplaant les diodes par des interrupteurs actifs)
avec pour seule diffrence lajout dun nud au centre de la structure. Ce nud permet
daugmenter le nombre de redondances pour raliser certains niveaux ce qui augmente bien
sr le nombre de degrs de libert de cette structure.
Dans la suite de cette tude est propos un outil graphique daide la conception de nouvelle
structure de conversion qui permet de crer assez rapidement de nouvelles structures.

b.Utilisation et Limitations de ces structures
La structure NPC 3 niveaux tant connue depuis de nombreuses annes (fin des annes 70),
elle a fait lobjet de nombreuses tudes [NAB],[ZAR],[SIN], De plus celle-ci est utilise
dans de nombreuses applications industrielles pour toute une gamme de puissance allant du
kW 40MW. Il est possible de retrouver ce convertisseur dans des applications telles que
dans la chane de conversion de lnergie olienne ou dans la traction ferroviaire du
Shinkansen (train grande vitesse japonais). Les avantages de cette structure sont la
simplicit de la topologie comme celle de la commande. Globalement ces structures utilisant
le principe de fractionnement possdent beaucoup dapplications, de plus les nombreuses
tudes permettent dlargir le domaine dutilisation de celles-ci.

Nanmoins si ces structures sont largement utilises, elles possdent quelques inconvnients
qui limitent leur utilisation. Un des inconvnients majeurs de ces structures est le nombre de
composants qui composent ces structures. Par exemple dans le cas du NPC laccroissement du
nombre de composants est assez important entre le cas 3 niveaux (4 interrupteurs et 2 diodes)
et celui 4 niveaux (6 interrupteurs et 6 diodes si tous les composants doivent avoir le mme
calibre). Ceci est d au fait que les composants ne sont pas utiliss pendant toute la priode de
modulation. Par exemple les composants qui ralisent uniquement les niveaux E/2 et E/2 ne
sont utiliss que la moiti du temps dans le cas dun onduleur 3 niveaux et uniquement au
mieux un tiers du temps dans le cas 4 niveaux. Ajouter des composants qui ne sont pas utiliss
pendant la totalit dune priode de modulation pnalisera de toute faon la structure (mme
si pendant ce temps ce composant ne produit pas de pertes).
Un autre inconvnient de cette famille de convertisseur est mis jour lors du fractionnement
du bus continu par plus de 2 condensateurs. En effet avec la mise en srie de plus de deux
32
condensateurs, lquilibre de la tension aux bornes de ceux-ci nest plus assur avec une
modulation sinusodale classique. Ce problme a aussi lieu avec toutes ces structures si elles
sont utilises pour une application de hacheur. Pour pallier ce problme, il existe diffrentes
solutions soit en jouant sur la commande, ou en rajoutant une ou des structures qui auront
pour but dquilibrer les tensions aux bornes du bus continu. Ce problme fait lobjet dun
chapitre dans la suite de ltude.

II.C.3.Convertisseur multicellulaire srie et parallle
Les convertisseurs multicellulaires srie ou parallle (Figure II-7) fonctionnent sur le mme
principe. Dailleurs ils peuvent tre tudis par dualit. Alors que le convertisseur
multicellulaire srie permet daugmenter la tension du bus continu en entre, le convertisseur
multicellulaire permet lui daugmenter le courant en sortie. Contrairement aux structures
utilisant le principe du fractionnement du bus continu pour avoir une tension avec diffrents
niveaux de tension en sortie, les interrupteurs pour les convertisseurs multicellulaires
fonctionnent pendant toute la priode de modulation.

Figure II-7 Onduleur multicellulaire 3 niveaux : A) srie B) parallle

Mme si les objectifs sont diffrents pour la conversion dnergie, certaines proprits sont
communes ces deux types de structures, telle que laugmentation de la frquence de
dcoupage apparente en sortie. De mme, il est possible de retrouver des problmes lis la
modulation sur les deux structures de manire duale (si le problme a lieu sur le courant pour
une des structures alors un problme a lieu sur une tension de lautre structure). Le
convertisseur multicellulaire srie a t tudi dans la premire partie de ltude alors que le
parallle est tudi dans le dernier chapitre.

II.C.4.Association entre ces diffrentes familles
Sil est possible dutiliser les structures simples, il est aussi possible de crer de nouvelles
structures en prenant deux principes. Par exemple, en utilisant les principes du convertisseur
multicellulaire srie et du fractionnement du bus continu, il est possible davoir des
convertisseurs multicellulaires superposs (prsents dans le premier chapitre). De mme une
variante de lANPC et du convertisseur multicellulaire srie est appele ANPC 5 niveaux
[MIE] (Figure II-8).

33

Figure II-8 Onduleur ANPC 5 niveaux

Cette structure possde 5 niveaux de tension de tension et fonctionne comme un convertisseur
multicellulaire srie sur deux bandes de tension. Les interrupteurs en entre ont un rle
daiguilleurs qui, pour un signal modulant positif, orientent le convertisseur multicellulaire
vers la source de tension suprieure et pour un signal modulant ngatif vers la source de
tension infrieure. Il est possible de retrouver certaines proprits lies au convertisseur
multicellulaire srie 3 niveaux comme celle sur la frquence apparente de sortie mais aussi sur
le dimensionnement des interrupteurs. De plus la commande ne change pas totalement car il
sagit dun mme convertisseur pour deux bandes de commutation diffrentes.

Dautres mariages entre familles de structures peuvent tre effectus, notamment sur la mise
en srie de structure de ponts en H. Il est possible de remplacer les cellules de commutation
par des structures multiniveaux classiques telles que le NPC ou le FC. Ceci a pour avantage
de crer un nouveau convertisseur avec des proprits quil navait pas auparavant. Par
exemple, le NPC, qui a le dfaut de ne pas tre performant sur la tolrance de panne, permet
avec la mise en srie de ponts en H davoir cette fonctionnalit. Dans le sens inverse, avec des
cellules de commutation, il tait ncessaire de mettre plus de blocs en srie que pour des blocs
avec des structures NPC qui permettent davoir des sources de tension isoles de plus grandes
valeurs. Si les avantages sadditionnent, les inconvnients de certaines structures demeurent et
pnalisent lutilisation dune telle structure. Avec le dernier exemple, le fait davoir des
composants ntant pas utiliss pendant une partie de la conversion accrot le nombre global
de ces composants utiliss dans des blocs en srie.
Lassociation de ces deux structures peut tre aussi utilise de manire diffrente. En effet, il
est possible de voir dans la littrature de nouvelles structures cres partir de structures de
conversion mises en srie. Par exemple dans [SIL] est donn lexemple dune mise en srie
dune cellule de commutation avec un pont en H.

Il est intressant de noter que lassociation de deux familles peut donner diffrentes structures.
Par exemple dans le cas dun mlange entre les structures utilisant le principe du
fractionnement et les convertisseurs multicellulaire srie, deux structures de bases en sont
issues : dans un cas le convertisseur multicellulaire superpos et dans lautre lActive-NPC 5
niveaux. Ceci est d une sparation qui peut tre faite dans la famille des structures utilisant
le principe du fractionnement. En effet certains interrupteurs dans ces structures peuvent tre
utiliss comme aiguilleurs, c'est--dire quils vont commuter basse frquence (frquence de
modulation) et sont placs soit pour orienter vers une source de tension qui pourra assurer les
potentiels dsirs en sortie, soit pour assurer la tenue en tension des diffrents interrupteurs.

II.D Vers de nouvelles structures
34
II.D.Vers de nouvelles structures
Lobjectif de cette tude est de trouver de nouvelles structures et de rsoudre les problmes
lis lutilisation de celles-ci. Lutilisation dun arbre tablissant les diffrents principes des
convertisseurs multiniveaux peut permettre de dessiner de nouvelles topologies. Lvolution
dune structure prsente dans un chapitre suivant, le Shared ASNPC, qui partie dune
structure NPC, permet darriver au final une structure totalement diffrente. Cette
classification a permis aussi de penser de nouvelles structures, ou encore de les interprter
diffremment.
Ainsi dans les mlanges possibles entre deux familles de convertisseurs multiniveaux, de
nouvelles structures ont t penses comme un mixte entre les deux familles de convertisseurs
multicellulaires (srie ou parallle) ou encore davoir une structure avec un fonctionnement
proche de celui de londuleur Active-NPC 5 niveaux qui permettra non plus cette fois-ci
doptimiser les contraintes en tension sur les interrupteur mais celles en courant.
Cette classification pourrait tre amliore en listant pour chaque famille une liste davantages
et dinconvnients plus complte et ainsi de crer de nouvelles structures spcialement
tudies pour une application donne et de llaborer partir de structures de base.

CHAPITRE III. Construction et valuation de nouvelles structures
35
CHAPITRE III
CONSTRUCTION ET EVALUATION DE NOUVELLES
STRUCTURES
III.A. Introduction
Sil est possible de construire de nouvelles structures partir des structures de base de
conversion statique multiniveaux, il est aussi possible de construire de nouvelles structures
partir dun assemblage de cellules lmentaires. Les structures ainsi cres, sont assez proches
de la famille des convertisseurs utilisant le fractionnement du bus continu pour avoir une
tension multiniveaux en sortie. Mais il est galement possible de crer de nouvelles topologies
la frontire de deux familles, comme par exemple celle des convertisseurs multicellulaires
sries en plaant dans la structure un ou plusieurs condensateurs flottants. Si cette technique
peut tre intressante pour trouver de nouvelles topologies de convertisseurs statiques, elle
peut aussi tre trs dangereuse. En effet, assembler diffrentes cellules de base peut faire
perdre la ralit au niveau de la ralisation pratique dune nouvelle structure.
Il est galement intressant de pouvoir comparer les structures afin de savoir si la nouvelle
structure tudie est comptitive par rapport aux topologies existantes. En effet, ajouter un
grand nombre de composants uniquement pour avoir en sortie une tension possdant un grand
nombre de niveaux nest pas toujours judicieux et souvent trs coteux ou irralisable. Pour
valuer ces structures, il est possible de prendre en compte diffrents critres qui sont soit
pnalisants, soit avantageux lutilisation de nimporte quelle structure de conversion. Cest
pour cette raison quun travail de recensement des diffrents avantages et inconvnients lis
lutilisation dun convertisseur multiniveaux est important. Dans un premier temps
lvaluation a t faite sur des structures de conversion bien connues dans la littrature mais
sest limite dans des familles utilisant le fractionnement pour avoir une tension multiniveaux
en sortie ou sur les multiniveaux multicellulaires sries ainsi que les structures utilisant ces
deux principes. Mais cette valuation pourrait tre tendue aux autres familles en ajoutant de
nouveaux critres qui pourraient favoriser ou pnaliser lutilisation dune structure pour une
application donne.
Les critres peuvent tre assez varis, ils peuvent tre lis la structure tel que le nombre de
composants, le nombre de niveaux de tension diffrents en sortie ; mais aussi aux composants
utiliss : courant admissible, tension de blocage des diffrents composants ; ou encore sur la
qualit des formes donde en sortie : frquence de dcoupage apparente,
Toute cette tude a pour but davoir une premire analyse rapide dune nouvelle structure et
ainsi davoir un premier avis et dterminer si celle-ci mrite une tude plus approfondie, ou
dans le cas contraire si elle ne mrite pas dtre utilise avec les technologies actuelles.

III.B.Schmatisation pour la recherche de nouvelles structures
Cette schmatisation est venue la suite de diffrentes tudes sur les structures de conversion
[GAT07]. Aprs la cration de diffrentes structures telles que le convertisseur multicellulaire
srie ou lActive-NPC, dautres structures sont apparues dans la littrature comme le Stacked-
NPC ou Active-NPC gnralis (par exemple Active-NPC 5 niveaux). De toutes ces
structures, lide dune schmatisation afin de les reprsenter plus simplement est apparue
III.B Schmatisation pour la recherche de nouvelles structures
36
logique. En effet dans la recherche de structure, la reprsentation avec tous les lments peut
tre parfois trs lourde. Cest pour cela quune reprsentation allge est toujours la
bienvenue.

III.B.1.Principe de la reprsentation
Le principe de la schmatisation est bas sur une reprsentation graphique dun assemblage de
triangle. Les structures de bases peuvent tre reprsentes simplement comme sur la Figure
III-1. Sur cette figure sont reprsentes les schmatisations dune cellule de commutation et
dune cellule de base dun convertisseur multicellulaire superpose.

Figure III-1 Formalisme de reprsentation des cellules de commutation par lutilisation de triangles

Cette reprsentation est assez intressante car elle permet dassocier ces diffrentes cellules et
ainsi crer de nouvelles structures. Mais dans un premier temps, il est possible de schmatiser
des structures dj existantes afin de voir les diffrents schmas possibles pour les structures
de bases. Par exemple, pour le convertisseur Active-NPC, celui-ci est compos de trois
cellules de commutation, il peut tre schmatis comme sur la Figure III-2-A. Pour le
convertisseur multicellulaire superpos 1 par 2 la schmatisation est simple et est reprsente
sur la Figure III-1-B. Par contre pour son extension deux cellules, la reprsentation possible
est schmatise sur la Figure III-2-B. Utiliser uniquement des triangles nest plus possible
dans ce cas l car pour la premire cellule (celle proche du bus continu) les branches ne vont
pas au mme point.

37

Figure III-2 Schmatisation des structures :A) Active-NPC 3 Niveaux B) SMC2x2

Lintrt de ces lments de base est de pouvoir tel un jeu de construction construire
diffrentes topologies de convertisseurs. Par exemple, avec deux triangles cellule de
commutation et un triangle cellule superpose, il est possible davoir une structure variante de
lActive NPC prsente dans la suite de ltude. Cette structure est appele Active-Stacked-
NPC et permet un meilleur quilibrage des pertes dans les diffrents composants semi-
conducteurs par rapport la structure Active-NPC.

Figure III-3 Schmatisation de la structure Active Stacked NPC

Cette schmatisation est trs utile lors dune augmentation du nombre de condensateurs
composant le bus continu. En effet rien quavec les deux structures de base (Figure III-3), le
nombre de combinaisons est assez important. De plus chaque triangle peut lui aussi voluer
soit vers un convertisseur multicellulaire srie (FC) pour le cas dune cellule de commutation
III.B Schmatisation pour la recherche de nouvelles structures
38
simple, soit avec un convertisseur multicellulaire superpos (SMC px2) pour le cas dune
cellule superpose (Figure III-2).

Les perspectives que donne cette schmatisation sont assez intressantes et ouvrent une
nouvelle aide vers la recherche de nouvelles topologies de convertisseur. Nanmoins, il est
ncessaire de faire ensuite une tude approfondie sur les interrupteurs placer sur chaque
branche, sur la faisabilit et surtout de son intrt dans une application industrielle.

III.B.2.Limitations et volutions possibles
Si cette schmatisation peut tre utile pour reprsenter rapidement des structures de
conversion statique assez complexes, elle reste incomplte dans la reprsentation de certaines
structures. En effet, les schmatisations de certaines structures sont similaires. En effet, pour
une structure NPC 3 niveaux et sa variante Active-NPC, la reprsentation schmatique est
identique alors quune reprsentation avec les diffrents interrupteurs met en vidence la
prsence dune diode de clamp dans le cas du NPC. La solution propose pour pouvoir
diffrencier les deux structures est de rajouter un signe sur une des branches pour indiquer
dans quel sens le transit du courant est possible.

Figure III-4 Schmatisation de la structure NPC avec reprage du transit possible du courant

Avec ces signes (Figure III-4), il est maintenant possible de reprer si toutes les combinaisons
sont possibles (transit du courant dans les deux sens) pour chaque niveau. De plus chaque
structure est diffrencie tout en conservant une certaine unicit entre la structure et sa
schmatisation.
Un autre problme avec la construction par schmatisation est la modification de la structure
avec un condensateur flottant plac dans la structure. Par exemple, dans le cas de lActive-
NPC 3 niveaux, il est possible de modifier la reprsentation schmatique en ajoutant un
condensateur flottant (Figure III-5) ce qui permet davoir ainsi une structure avec 5 niveaux
de tension en sortie. Mais il est important de refaire la synthse des composants semi-
conducteurs pour chaque branche du schma. Aprs synthse, il est possible de voir quil est
ncessaire dajouter deux interrupteurs (de couleur diffrente sur la Figure III-5). Cette
structure au final est une variante de la structure ANPC 5 niveaux prsent dans le chapitre
prcdent.

39

Figure III-5 Ajout dune source flottante dans lActive NPC 3 niveaux

Si cette schmatisation est intressante pour reprsenter simplement les nouvelles structures
de conversion multiniveaux, elle ne renseigne en rien sur le nombre de composants utiliser
ainsi que leur tenue en tension. Il est ncessaire, aprs avoir dessin une nouvelle topologie,
de complter ltude pour savoir la disposition des diffrents interrupteurs ainsi que le calibre
en tension que doivent avoir ceux-ci. Pour amliorer et complter cette schmatisation, il
pourrait tre intressant de crer un outil qui permettrait de calculer tous ces paramtres (et
peut-tre en ajouter dautres) automatiquement partir de la schmatique de la structure
dsire. Un tel outil concernant la conception de chane de conversion a dj t conu au
laboratoire [DEM]. Cela permettrait davoir un jeu dassemblage et dvaluer rapidement la
faisabilit ou non de la nouvelle structure considre.

III.C.Evaluation des structures de conversion
Parmi toutes les nouvelles structures quil est possible de crer, beaucoup dentre elles
napportent pas doriginalit par rapport aux structures dj existantes et tudies trs
largement dans la littrature. Pour savoir, si une structure est viable, lvaluation peut se faire
sur diffrents critres : pertes, courant admissible, nombre de composants, qualit des formes
dondes en sortie, etc. cette liste de critres peut bien sr tre allonge en fonction de
lapplication de la structure de conversion.

III.C.1.Pertes
Les pertes que produisent les diffrents composants ainsi que la rpartition de ces pertes dans
ceux-ci sont un critre assez important dans le choix dune structure. Les structures de
conversion doivent avoir un rendement le plus lev possible pour viter davoir un systme
de refroidissement trop volumineux qui entranerait un surplus de masse installer, de place
avoir et pourrait engendrer un surcot lors de la conception de la structure. Pour calculer ces
pertes, plusieurs solutions sont possibles : un calcul thorique, un calcul numrique grce
PSIM ou encore par analyse rapide de la structure sur les temps de commutation et de
conduction.

III.C Evaluation des structures de conversion
40
a.Analyse thorique
Les pertes dans les composants semi-conducteurs (IGBT et diode dans notre cas) se sparent
en deux termes : le premier concerne les pertes en conduction et le second concerne les pertes
par commutation.
Les pertes par conduction sont calculables partir du modle du transistor lorsque celui-ci est
passant. En effet, lquation de la tension aux bornes dun transistor lors de sa phase de
conduction est de la forme :

c T T ce
i R v v + = Eq. III-1

et
sont des donnes qui proviennent de la nature du composant, notamment de la

caractristique 125C de la tension aux bornes du transistor :

Donc les pertes en conduction sont de la forme :

2
effT T T T condT
I R I v P + =
Eq. III-2

et
sont respectivement le courant moyen et efficace parcourant le transistor pendant la

phase de conduction. Ces courants moyen et efficace sont calculables partir de :

}
=
2
1
) ( ) (
2
1
t
t
s T
dt t f t i I
t
et
}
=
2
1
) ( ) (
2
1
2
t
t
s effT
dt t f t i I
t
Eq. III-3

est la fonction de modulation, cest--dire lexpression du rapport cyclique ou temps de
conduction la frquence de dcoupage du composant par rapport la priode de dcoupage.
Une formule similaire existe pour le calcul des pertes dans les diodes :

2
effD D D D condD
I R I v P + =

Eq. III-4

et
sont des caractristiques de la diode et
et
sont respectivement le courant

moyen et le courant efficace circulant dans la diode.

Pour calculer les pertes en commutation dans les semi-conducteurs, le constructeur nous
donne les caractristiques 125C de lnergie consomme au blocage et lamorage pour
une tension donne. Lnergie absorbe pendant une priode de dcoupage sera la somme de
ces nergies. Elle sera approxime par une parabole avec les coefficients
, et
disponibles dans les donnes constructeurs. Pour

connatre lnergie relle commute, il faut appliquer une relation de proportionnalit entre la
tension commute et la tension nominale :

) . . (
2
I C I B A
v
v
E
def
com
com
+ + =
Eq. III-5

Pour calculer les pertes, il faut raliser la somme de cette nergie sur une priode de
commutation, pour une priode de modulation. Finalement, les pertes par commutation
sexpriment ainsi :

41
) . . . (
2
com
eff
com com
def
com
dec com
I C I B A
v
v
f P + + A ~
Eq. III-6

Dans la dernire formule,
correspond au rapport entre lintervalle de commutation et la

priode de modulation,
est le courant moyen commut,
et est le courant efficace

commut. Ils peuvent tre calculs de la faon suivante :

com
com
T
t t
1 2

= A ,
}
=
2
1
) (
2
1
t
t
S
com
dt t i I
t
et
}
=
2
1
.
2
1
2
2
t
t
S
com
eff
dt i I
t
Eq. III-7

Une formule quivalente permet dvaluer les pertes en commutation dans la diode. Les
paramtres pour la caractristique de lnergie de recouvrement sont disponibles dans les
donnes des constructeurs fournies par les fabricants.
Cette approche thorique est extrmement performante dans le cas de structure assez simple
pour lesquelles les fonctions de modulation peuvent aisment tre dduites de la topologie.
Pour des structures plus complexes, il est malheureusement difficile dobtenir simplement ces
fonctions de modulation et donc den dduire aisment des pertes. Lapproche numrique
prsente par la suite prend alors toute son importance et sa justification.

b.Analyse numrique
Laugmentation du nombre de niveaux entrane forcment une complexit supplmentaire
dans le calcul des pertes. De plus, les structures utilises peuvent possder des redondances
pour la ralisation de certain niveau. Si certaines commandes utilisent galement toutes les
redondances, dautre chercheront optimiser un paramtre (comme la rpartition des pertes
par exemple).
Cest pour cette raison quune autre manire de calculer les pertes dans les interrupteurs peut
tre utilise pour valuer les pertes dans les diffrents interrupteurs ou de manire globale. La
solution utilise est une solution numrique ralise avec le logiciel PSIM. Le principe est de
calculer chaque pas de calcul les pertes par conduction, et les pertes par commutation sil y
a eu des interrupteurs changeant dtat, et de raliser une moyenne sur la priode de
modulation.

Figure III-6 Principe de fonctionnement de lvaluation numrique des pertes

Pralablement les donnes techniques des composants utiliss aussi bien au niveau du
comportement statique, que de lnergie dissipe par le transistor ou la diode pour chaque
42
commutation sont intgres au logiciel. Il est ainsi capable de donner les rsultats des pertes
en conduction et par commutation pour le transistor et pour la diode.

c.Vers une analyse rapide
Afin davoir une estimation assez rapide des pertes dans les composants et de voir
grossirement o celles-ci se rpartissent dans les diffrents interrupteurs, une mthode de
calcul relatif rapide a t propose. Contrairement aux dernires mthodes o les pertes sont
calcules pour chaque interrupteur, les pertes sont calcules pour un duo dinterrupteurs qui
possde une commande duale. Chaque paire dinterrupteur est repre dans la structure qui
doit tre value. Dans un premier temps, il est tout dabord utile de reprer le rle de ceux-
ci : ceux qui raliseront la conversion la frquence de dcoupage et dont les pertes sont la
fois des pertes en conduction et par commutation et ceux qui ont un rle daiguilleur et qui
commutent uniquement deux fois par priode de modulation, dans ces interrupteurs les pertes
sont des pertes en conduction. Les pertes sont calcules de manire relative, c'est--dire par
comparaison avec une structure 2 niveaux possdant autant dinterrupteurs mis en srie que
pour la structure value. Par exemple dans le cas dun onduleur ANPC, la structure est
compare une structure 2 niveaux o chaque interrupteur est ddoubl pour tenir la tension
du bus continu.
Dans un second temps, il faut reprer les temps o les interrupteurs commutent, conduisent
uniquement ou ne rentrent pas en jeu dans la conversion. En effet pour certaines structures,
des duos dinterrupteurs commutent uniquement pendant un instant de la priode de
modulation, le reste tant ralis par dautre interrupteur. Pour une cellule ayant le rle de
commuter la frquence de dcoupage les pertes par conduction relatives peuvent tre
exprimes par :

bus
com
rel
v
v
T
T
P
mod
A
=
Eq. III-8

Il est possible de trouver une formule similaire pour les pertes en conduction pour chaque
interrupteur. Cette formule rduite est fonction des paramtres de la conversion [RIZ]. Dans
ltude suivante les pertes en conduction rduite ne sont pas exprimes, car les pertes sont
calcules de manire globale. En effet, dans le cas des structures tudies dans la suite les
pertes en conduction sont identiques pour les diffrentes structures car pour chacune dentre
elle, la conversion se fait pour chaque niveau par un nombre dinterrupteurs identique.

Quelques exemples de calcul de pertes dans les interrupteurs sont donns ci-dessous :

- 2 Niveaux : 1 Cellule commutant la tension
pendant
. Bilan : 1.
- FC 3N : 2 Cellules commutant la tension
pendant
. Bilan : 0.5+0.5=1.
- ANPC BF/HF : 1 cellule commutant
pendant
. Bilan : 0.5
- ANPC HF/BF : 2 cellules commutant
pendant
,. Bilan : 0.25+0.25=0.5
- ANPC HF/HF : 2 cellules commutant
pendant
, 1 cellule commutant

pendant
. Bilan : 0.25+0.25+0.5=1
- SMC1x2 : 2 cellules commutant
pendant
,. Bilan : 0.25+0.25=0.5

Ce principe a t test sur des structures 3 et 5 niveaux nayant pas plus de deux sources de
tension pour raliser le bus continu et qui sont donc composes de condensateurs flottants.
43
Dans ces structures, les temps de conduction et de commutation ne dpendent pas de la
profondeur de modulation. Pour des structures avec plus de sources de tension mises en srie,
les temps seraient alors fonction du rapport de modulation ce qui induit une valuation
lgrement plus complique.

III.C.2.Courant admissible
Les pertes dans les semi-conducteurs peuvent tre utilises de plusieurs manires. La premire
et la plus vidente est dvaluer de manire globale les pertes afin de dterminer le rendement
de la structure. Une autre faon dutiliser lvaluation des pertes est de regarder la rpartition
de celles-ci dans les diffrents interrupteurs. Les pertes dans les interrupteurs ne sont pas
identiques du fait de leurs commutations qui nont pas toujours la mme frquence ou du
courant qui les traverse. De plus certains interrupteurs ne fonctionnent pas pendant toute la
dure de la priode de commutation.
Dans les donnes fournies par les constructeurs, les paramtres dcrivent le cas o le
composant peut tre utilis de manire optimise. Pour un fonctionnement avec une structure
multiniveaux, leur utilisation nest pas du tout optimise c'est--dire que le composant admet
des pertes moins importantes car la plus grande valeur de la temprature de jonction pour un
des composants prsents dans la structure est assez loigne de la valeur nominale donne par
le constructeur. Pour amliorer le fonctionnement de la structure et ainsi faire augmenter la
temprature de jonction des diffrents composants, il est possible daugmenter le courant en
sortie. La structure qui thoriquement doit avoir pour limite en courant la limite fixe par les
composants semi-conducteurs peut finalement avoir une limite en courant plus grande (et
fixe par le composant ayant le plus de pertes).
Pour calculer cette limite de courant, il est possible de calculer de lvolution des pertes en
fonction du courant efficace en sortie. Celles-ci voluent de manire parabolique (polynme
dordre 2). Avec le modle thermique du systme (Figure III-7), il est possible dobtenir
lvolution des diffrentes tempratures de jonction en fonction du courant. Rciproquement
pour une valeur de temprature de jonction voulue, il est possible de dterminer le courant
efficace admissible en sortie de la structure.

Figure III-7 Modle thermique dune installation avec N IGBT

III.C.3.Nombre de composants
Un autre critre assez important et qui est aussi assez limitant lors de lutilisation de structure
de conversion multiniveaux est le nombre de composants semi-conducteurs qui compose cette
structure. En effet, pour chaque composant plac dans une topologie, il faut prvoir sa
44
commande ainsi que son systme de refroidissement. Tout ceci entrane une augmentation du
volume de la structure.
Mais le nombre de composants dans une structure peut tre calcul de diffrentes faons. La
plus simple est de compter tous les composants sans se soucier de leur calibre en tension ou
courant. Mais lors de la ralisation de ce convertisseur, il est prfrable davoir des
composants identiques pour tous les interrupteurs. La solution pour respecter les tenues en
courant est daugmenter la surface de silicium en mettant les interrupteurs en parallle tandis
que pour respecter la tenue en tension il faut les mettre en srie tout en faisant attention ce
que cette tension soit correctement rpartie entre les deux interrupteurs.
Bien sr, pour une tude approfondie de la structure, il faut compter ces doubles interrupteurs
mme si ceux-ci sont identiques au niveau commande. Une des structures bien connue
utilisant ce principe est lActive NPC prsente dans le chapitre prcdent. Les composants
ayant pour rle laiguillage doivent avoir une tenue en tension deux fois plus grande que les
interrupteurs du convertisseur multicellulaire srie de sortie.

III.C.4.Formes donde en sortie
Un autre critre qui peut tre valu dans le cadre dune comparaison entre diffrentes
structures de conversion multiniveaux est la qualit de la forme donde de tension en sortie
aussi bien au niveau du nombre de niveau de tension que sur la frquence de dcoupage de
cette forme donde.
Au niveau du premier critre, ceci a des effets au niveau des harmoniques hautes frquences.
En effet, plus une structure permet datteindre de niveaux en sortie, plus la forme donde dans
un cas onduleur est de forme sinusodale, plus les premiers harmoniques la frquence de
dcoupage sont rduits. Bien sr, une augmentation du nombre de niveau aura une influence
ngative sur un autre critre (par exemple sur celui du nombre de composants dans certain
cas).
Lautre critre sur les formes dondes de tension en sortie est celui de la frquence de
dcoupage apparente en sortie. En effet, lorsquune structure possde des redondances pour
raliser certains niveaux, la commande permet daugmenter la frquence de dcoupage
apparente en sortie sans augmenter la frquence de dcoupage des diffrents interrupteurs.
Ceci a pour effet de pouvoir rduire la taille des lments de filtrage en sortie qui sont
dimensionns pour une frquence de dcoupage. Il est aussi possible de fonctionner avec une
frquence de dcoupage rduite pour diminuer les pertes par commutation dans les
interrupteurs.

III.C.5.Autres critres possibles
Dautres critres sont envisageables pour valuer les structures de conversion multiniveaux.
En effet, tout critre, avantageux ou contraignant, est un lment de comparaison possible,
mme si celui-ci nest pas vident sur une autre structure.

Par exemple un des inconvnients des convertisseurs multicellulaire srie est le stockage
dnergie dans les condensateurs flottants lorsque le nombre de cellules mis en srie devient
trop important. Dans le cas dun convertisseur multicellulaire superpos, lnergie stocke
dans les diffrents condensateurs flottants est rduite par rapport un convertisseur
multicellulaire srie possdant un nombre de niveau quivalent en sortie. Mais dautres
structures nutilisent aucun condensateur flottant. Le critre de comparaison nest plus valable
dans ce cas l. Bien sr, il y a aussi les condensateurs du bus continu mais les technologies de
45
ces composants sont diffrentes et il est tout de mme possible de les comparer avec un critre
de volumes via la densit dnergie stocke.

Un autre critre possible est la sret de fonctionnement dune structure, cest--dire sa
tolrance aux pannes de certains composants et la possibilit de fonctionner avec ces
composants. Ce critre est trs important pour des applications o la fiabilit est primordiale
comme dans le domaine aronautique. Ce critre tant assez particulier, mais utile pour
dimensionner des applications spcifiques, il ne peut pas tre considr comme primordial
dans une analyse globale de structure. Par contre il peut faire partie dune liste de critres
secondaires.

La liste de critres nest pas fixe car il est toujours possible de trouver de nouveaux critres.
Dailleurs ces derniers ont t penss avec des structures multiniveaux de la famille des
convertisseurs multicellulaires sries et celle utilisant le principe du fractionnement du bus
dentre. La rflexion avec les deux autres familles fait apparatre de nouveaux avantages et
inconvnients qui sont eux aussi valuer.

III.C.6.Evaluation sur diffrentes structures de conversion classique
Une comparaison a t faite sur quelques structures de bases de conversion multiniveaux avec
certains des critres prsents prcdemment. Ces critres sont souvent relatifs une cellule
de commutation simple. Les critres de comparaison sont : le nombre de niveaux, le rapport
entre la frquence de dcoupage apparente et la frquence de dcoupage relle, le rsultat du
calcul rapide des pertes, ainsi que la somme des tenues en tension et le courant admissible.

Structure Niveaux
Frquence
Apparente
Pertes par
commutation
Tenue en
Tension
Courant
Admissible
2 Niveaux 2 1 1 1 1
FC 3N 3 2 1 1 1.62
ANPC NPC 3 1 0.5 1.5 2.43
ANPC BF/HF 3 1 0.5 1.5 1.62
ANPC HF/BF 3 1 0.5 1.5 2.43
ANPC HF/HF 3 2 1 1.5 1.62
SMC1x2 3 1 0.5 1.5 2.37
Tableau III-1 Comparatif sur diffrentes structures de bases

Il est possible de faire un produit de tous ces facteurs. Tout dabord il faut reprer les facteurs
favorisant lutilisation de la structure (Nombre de niveaux, Frquence apparente leve, ou
courant Admissible important et ceux dfavorisant lutilisation de la structure considre
(pertes en commutation et tenue en tension). En inversant les critres dfavorisants, le rsultat
montre que globalement trois structures se dtachent : le FC, le NPC et lActive-NPC avec la
commande HF/BF. Tout de mme, le produit des critres des autres structures ont des valeurs
assez proches des trois autres. Mais ce produit nest pas totalement satisfaisant car il ne tient
pas compte de tous les critres possibles et de limportance dun critre par rapport un autre.
Il pourrait tre possible de trouver un moyen de quantifier ceux-ci en utilisant le maximum de
critres de comparaison possibles et en pondrant en fonction de limportance du critre
considr.
Les structures multiniveaux se distinguent par rapport la cellule de commutation simple,
alors quentre elles, les diffrences ne sont pas flagrantes. Un dfaut est souvent corrig par
III.D Conclusions
46
un avantage. De plus tous les critres possibles ne sont pas prsents comme par exemple
celui pouvant pnaliser le convertisseur multicellulaire srie 3 niveaux (FC 3N) au niveau de
lnergie stocke dans les condensateurs flottants.
Cela permet tout de mme davoir une premire approche sur lintrt relatif de la structure
propose.

III.D.Conclusions
Lvolution des structures de conversion multiniveaux est possible en ajoutant diffrentes
cellules comme dans un jeu de construction. Il est tout de mme ncessaire de mener des
tudes plus approfondies de ces structures afin davoir une certitude sur la faisabilit de la
ralisation de celle-ci. La construction gomtrique par triangle est intressante du fait quelle
simplifie la reprsentation des structures. En effet, lorsque le nombre de niveaux augmente, le
nombre dinterrupteurs reprsenter augmente galement et la schmatisation peut devenir
incomprhensible. Comme pour les structures du chapitre prcdent, la construction avec
cette schmatisation est possible, mais le rsultat nest pas assur.
Les structures peuvent tre values sur de nombreux points mais celui qui reste assez
dterminant dans le choix dune structure est celui concernant les pertes dans les diffrents
composants. Pour calculer ces pertes, plusieurs solutions sont possibles, tout dabord de
manire thorique en calculant les courants moyens et efficaces qui traversent le composant
semi-conducteur. Ceci impose davoir des structures simples et des commandes bien connues
au niveau mathmatique (surtout au niveau des fonctions de modulation des ordres de
commande des interrupteurs). Pour les structures plus complexes ou pour des commandes
atypiques, lvaluation des pertes est possible de manire numrique grce des logiciels de
simulation.
Pour une valuation rapide dune structure, une autre solution dvaluation des pertes est
possible. Cela donne un ordre de grandeur des pertes dans cette structure. Ce calcul est bas
sur les temps o les interrupteurs commutent et conduisent. Ceci est compar une structure
simple compose uniquement dune cellule de commutation. Dautres critres sont
envisageables pour valuer une structure comme la qualit des formes dondes en sortie, le
nombre de composants, ou encore le courant admissible par la structure. Cette liste nest pas
fixe et dpend de lapplication o le convertisseur prendra place.
De plus il pourrait tre intressant dtendre ces critres dvaluations tous les types de
convertisseurs multiniveaux afin davoir la meilleure structure possible pour une application
donne. Pour cela, un inventaire de tous les inconvnients et avantages pour toutes les
structures doit tre fait, afin davoir les meilleurs critres dvaluation possible.

Partie II : Etude de la problmatique
des structures bus partag
CHAPITRE IV. Fractionnement du Bus Continu et Problme dEquilibrage
49
CHAPITRE IV
FRACTIONNEMENT DU BUS CONTINU ET PROBLEME
DEQUILIBRAGE
IV.A. Introduction
Dans les chapitres prcdents, diffrentes familles de convertisseurs ont t prsentes. Parmi
elles, certaines utilisent le fractionnement du bus continu pour avoir les diffrents niveaux de
tension en sortie. Une des structures les plus connues utilisant ce principe sont les structures
de type Neutral Point Clamped (NPC). Dans le premier chapitre, la structure NPC pour 3
niveaux de tension en sortie a t prsente : le bus continu a t fractionn en deux parties.
Le fractionnement de ce bus est ralis par un pont diviseur capacitif. Lorsque le pont est
compos de deux condensateurs, les tensions aux bornes des condensateurs sont naturellement
quilibres pour une modulation avec une modulante valeur moyenne nulle. Cest pour cette
raison que le NPC 3 niveaux ne peut pas tre utilis comme un hacheur simple.
Le fractionnement avec plus de 2 condensateurs en srie pose dautres problmes : les
tensions aux bornes des diffrents condensateurs ne sont plus quilibres, mme avec une
modulante valeur moyenne nulle. Ceci limite lutilisation dune telle structure car il est alors
ncessaire de prvoir une technique pour assurer la stabilit de ces tensions afin davoir des
formes dondes en sortie convenables.

Dans la littrature, plusieurs solutions sont dj proposes : la premire est dalimenter
indpendamment chaque source de tension [NEW]. Cette solution ncessite un isolement
galvanique des diffrentes sources de tension qui sont aux bornes des diffrents
condensateurs. Donc plus le fractionnement est important plus cette solution est coteuse
donc peu viable. Une deuxime solution utilise un redresseur command qui vient contrler
les diffrentes tensions aux bornes des condensateurs [MAR] [PAN].
Un autre dfaut des convertisseurs multiniveaux tant le nombre de composants souvent trop
important quand le nombre de niveaux de tension en sortie augmente. De rajouter un
redresseur command double le nombre dinterrupteur pour la structure, le nombre
dinterrupteur devient alors pnalisant pour lutilisation dune structure multiniveaux.
Dautres solutions sont possibles et deux autres sont prsentes par la suite. La premire ide
est de contrler les diffrentes tensions en utilisant la commande du convertisseur [SIN]. Une
application triphase permet lutilisation de la Space Vector Modulation (SVM), lquilibrage
se faisant par lutilisation des diffrentes redondances des tats pour un mme point dans le
plan diphas.

Ce problme de mise en srie de condensateurs est valable aussi pour des applications mettant
en srie des supercapacits. Si les solutions [BAR] pour quilibrer ces supercapacits ne sont
pas toutes viables pour les transposer des applications fortes puissance, certaines
philosophies peuvent tre intressantes dans notre cas. Lutilisation du transfert dnergie
dune source de tension vers une autre via un lment de stockage est une solution qui est
transposable pour des applications fortes puissance [BUS].
Ces deux dernires solutions sont assez intressantes car elles permettent, par volution des
structures proposes, damliorer les performances au niveau de lquilibrage des tensions
IV.B Equilibrage du bus dentre pour des applications triphases
50
aux bornes des condensateurs : soit en augmentant le nombre niveaux de tension en sortie ou
en diminuant le nombre de composants.

IV.B. Equilibrage du bus dentre pour des applications
triphases
Une mthode pour quilibrer les tensions aux bornes des condensateurs du pont diviseur
capacitif est dutiliser la Space Vector Modulation (SVM). Ce principe est assez avantageux
car il peut tre utilis par un grand nombre de structures sans avoir faire trop de
modifications dans la commande.
IV.B.1.Prsentation de la structure
Le schma simplifi propos pour tudier ce principe dquilibrage est reprsente sur la
Figure IV-3 pour une version monophase.

Figure IV-1 Reprsentation schmatique de la structure

Cette structure est construite partir de structure SMC1x2. Le schma de la structure (Figure
IV-2) montre bien la construction de cette topologie avec les deux structures de base relies
en sortie par un aiguilleur permettant de slectionner la structure SMC1x2 qui est utilis pour
la conversion. Dautres structures plus classiques auraient pu tre utilises pour cette tude
comme le NPC 4 niveaux. Lavantage de cette structure est la possibilit dvolution de celle-
ci pour avoir de meilleures performances.

51

Figure IV-2 Onduleur monophas 4 Niveaux

Le pont capacitif est compos de quatre condensateurs si la structure ncessite un point neutre
(monophas), sinon trois condensateurs sont suffisants pour raliser le bus dentre (triphas).
Ce bras monophas possde quatre niveaux de tension en sortie [-E/2 ; -E/6 ; E/6 ; E/2]. Dans
la suite ils sont respectivement nomm [0, 1, 2, 3]. Un des avantages de cette structure est la
redondance pour raliser les niveaux intermdiaires E/6 et E/6. La redondance de certains
niveaux de tension est une proprit commune beaucoup de structures multiniveaux.
Lutilisation de cette proprit a dj t explique prcdemment (doublement de la
frquence apparente de sortie). Mais ce qui peut tre intressant, cest dutiliser cette
redondance pour quilibrer les diffrentes tensions des condensateurs. Or ceci nest pas
possible car le point connect au niveau du pont diviseur capacitif est le mme quelle que soit
la solution utilise pour raliser la conversion. Lautre solution est dutiliser alors les
diffrentes redondances consquentes lutilisation de cette mme structure en triphase
(Figure IV-3).

52

Figure IV-3 Onduleur triphas 4 Niveaux

La structure possdent 10 interrupteurs par phase, les tensions de blocage des diffrents
composants semi-conducteurs ne sont pas identiques selon leurs places dans la structure.
Comme pour le cas dune structure lmentaire SMC1x2, les interrupteurs sur les branches
extrieures ont un calibre en tension double par rapport ceux de la branche du milieu. Il est
possible de ddoubler les interrupteurs des branches extrieures pour avoir des calibres
identiques sur tous les composants. Comme pour le SMC, les composants assurant
uniquement la tenue en tension dcoupent une frquence trs infrieure la frquence de
dcoupage et de lordre de la frquence de modulation. Les pertes dans ces IGBT sont
pratiquement que des pertes en conduction. Dans la suite laccent est mis sur lquilibrage des
tensions aux bornes des condensateurs, ces diffrents interrupteurs sont considrs uniques
sur chaque branche externe des SMC1x2.

IV.B.2. Calcul du courant et de la dviation des tensions des
condensateurs
La drive des tensions aux bornes des condensateurs est due des valeurs non nulles des
courants moyens les traversant. Il est possible de connatre la dviation des tensions pour une
modulation sinusodale classique en calculant tout dabord les courants moyens absorbs par
chaque niveau, puis de retrouver ainsi le courant traversant les condensateurs. Il est alors ais
de connatre la dviation de la tension pour chaque condensateur et pour chaque priode de
modulation.

53

Figure IV-4 Schma du bus continu

Le calcul des courants moyens pour chaque niveau et pour chaque condensateur est identique
pour toutes les structures quatre niveaux ne possdant pas de condensateur flottant
lintrieur de la structure. Pour calculer les diffrents courants, il est ncessaire de connatre
les fonctions de modulation pour chaque niveau. Celles-ci varient en fonction de la
profondeur de modulation. Dans le cas dun convertisseur quatre niveaux si la profondeur de
modulation est infrieure 1/3, la forme donde de la tension en sortie est seulement sur deux
niveaux [-E/6 ; E/6] pour une modulation sinusodale sans ajout de composante homopolaire.
Dans le cas dun convertisseur 4 niveaux monophas et avec une modulation sinusodale avec
une profondeur de modulation k suprieure 1/3, les fonctions de modulation scrivent
ainsi :
| |
=
sinon 0
2
1 sin 3
1 1
2 u t u x
x k
f
E
M

| |
| | | | | |
+ e
+
e
=
sinon 0
2 2 0
2
1 sin 3
2
sin 3 3
1 1 1 1
1 1
6
t u t u t u t u
u t u
x
x k
x
x k
f
E
M

| | | | | |
| |
+ e
+
+ e
sinon 0
2
2
3 sin 3
2 2 0
2
sin 3 1
1 1
1 1 1 1
6
u t u t
t u t u t u t u
x
x k
x
x k
f
E
M

| |
+ e

=
sinon 0
2
2
sin 3 1
1 1
2 u t u t x
x k
f
E
M

o
k 3
1
sin
1
= u
Eq. IV-1

54
Le courant de sotie est considr comme sinusodal et dphas dun angle par rapport au
signal modulant :
) sin( ) ( u = x I x i
m
Eq. IV-2

Les courants moyens dans chaque niveau sont calculs partir de lintgrale sur une priode
de modulation du produit de la fonction de modulation par le courant de sortie :
}
=
t
t
2
0
) ( ) (
2
1
dx x f x i I
X
M
X
Eq. IV-3

En combinant les quations Eq. IV-1, Eq. IV-2, et Eq. IV-3, les courants moyens pour chaque
niveau scrivent :
( ) | |
1 1
2 2
cos 2 2 3 cos
8
1
u u t u
t
= =

k I I I
m
E E

( ) | |
1 1
6 6
cos 2 6 cos
8
3
u t u u
t
+ = =

k I I I
m
E E

Eq. IV-4

La somme des tensions du bus est considre comme constante. Ce qui a pour consquence
davoir au niveau des courants traversant les diffrents condensateurs, la somme de ceux ci
nulle :
0
3 2 1
= + +
C C C
I I I Eq. IV-5

Or les courants traversant les condensateurs sont fonction des courants des diffrents niveaux,
des courants traversant les autres condensateurs ainsi que du courant moyen fourni par
lalimentation (source de tension dentre) appel I
DC
. Les courants moyens traversant les
condensateurs peuvent scrire ainsi :

6 /
2 1
E
C C
I I I

=
6 /
3 2
E
C C
I I I =
2 /
3
E
DC C
I I I =
Eq. IV-6

A partir des quations Eq. IV-4, Eq. IV-5, et Eq. IV-6, il est possible de dterminer le courant
moyen fourni par lalimentation :
( ) u cos
4
2 3
3
1
6 6 2
m
E E E
DC
I
k
I I I I = + + =

Eq. IV-7

Les courants moyens traversant les diffrents condensateurs peuvent alors scrire ainsi :

( ) | |
1 1 1 3
cos 2 6 cos
8
1
u t u u
t
+ = = k I I I
m C C

( ) | |
1 1 2
cos 2 6 cos
8
2
u t u u
t
+
= k I I
m C

Eq. IV-8

Pour calculer la dviation de la tension, il faut connatre la valeur de la capacit C des
condensateurs. La dviation sur une priode de modulation est fonction de la frquence de
modulation ainsi que du condensateur et du courant le traversant :
55
f C
I
V
Cx
Cx
= A Eq. IV-9

La seule manire pour avoir une dviation des tensions nulle est davoir des courants moyens
traversant les condensateurs nuls eux aussi. Or ceci est possible uniquement si le facteur de
puissance est nul, ce qui correspond (uniquement) un cas particulier de fonctionnement de
londuleur.
Le calcul pour une application triphase est identique celui ralis prcdemment avec pour
chaque phase un signal modulant et un courant de charge dphass de 120. Au final, les
courants moyens par niveau sont trois fois plus grands que pour une structure monophase. La
dviation de la tension est elle aussi trois fois plus grande.
IV.B.3.Commande de la structure
Pour cette premire partie, le principe dquilibrage utilis est li lutilisation de la Space
Vector Modulation (SVM). La commande de la structure est ralise en plusieurs parties
(Figure IV-5). La premire partie concerne la dtermination des vecteurs ainsi que leurs
dures dapplications. La deuxime partie concerne lalgorithme de choix de la redondance
lie lutilisation de la SVM. La troisime partie correspond la mise en forme dun signal
de rfrence pour chacune des phases. Ce signal est trait dans la dernire partie de la
commande qui gre la redondance lie la structure.

Figure IV-5 Schma synoptique de la commande

a.La Space Vector Modulation pour une structure 4 niveaux
La Space Vector Modulation est une commande qui est effectue dans un repre diphas. Il
est possible de reprsenter toutes les possibilits que peut prendre le convertisseur en termes
de niveau de tension de sortie sur un plan. La transforme choisie pour passer du plan triphas
au plan diphas est la transforme de Concordia (Eq. IV-10).

|
|
|
.
|
\
|
|
|
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
Vt
Vs
Vr
V
V
2
3
2
3
0
2
1
2
1
1
3
2
|
o
Eq. IV-10

R, S et T correspondent au trois phases. Avec cette transforme, les diffrentes possibilits
pour raliser les diffrents niveaux sont reprsents par diffrents points dans le plan (Figure
IV-6). Certains points possdent plusieurs combinaisons diffrentes. Les points possdant le
mme nombre de combinaisons peuvent tre relis entre eux par un hexagone. Plus
lhexagone est proche du centre plus les points le composant possdent de redondance. Pour
56
des structures 4 niveaux les points composant lhexagone tant le plus lextrieur ne sont
ralisables que par une combinaison de niveaux de tension de sortie alors que lhexagone le
plus lintrieur qui nest lui compos que dun seul point est ralisable par quatre
combinaisons diffrentes.

Figure IV-6 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans lespace de Concordia

Il est possible aussi de reprsenter dans le plan avec la mme transforme le rsultat des trois
modulantes. Le rsultat de cette transformation est un point dans le plan qui se dplace au fur
et mesure et pour une modulation sinusodale classique (modulantes dphases entre elles de
120), le point se dplace sur un cercle dont le rayon dpend de la profondeur de
modulation.
Lide de la modulation SVM est de raliser ce vecteur partir des trois vecteurs les plus
proches de ce point de rfrence de telle sorte quen appliquant tour tour les diffrents
vecteurs, le vecteur somme de ces diffrents vecteurs corresponde au vecteur de rfrence.

Pour rechercher les vecteurs les plus proches de ce vecteur de rfrence, une nouvelle
transformation [DEA] est effectu afin davoir pour chaque point reprsentant les possibilits
des convertisseurs, des coordonnes entires. N reprsente le nombre de niveaux de tension en
sortie de londuleur.

|
|
.
|
\
|
|
|
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
|
o
V
V
N
V
V
B
A
3
2
0
3
1
1
3
2
1
Eq. IV-11

57
Le nouveau repre est maintenant un repre orthonorm (Figure IV-7), il facilite les calculs de
recherche des vecteurs les plus proches [DEA] ainsi que les dures dapplication de chacun
deux. La transforme inverse est donne par la formule suivante :
|
|
.
|
\
|
|
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
B
A
V
V
N
V
V
2
3
0
2
1
1
1
3
2
|
o
Eq. IV-12

Figure IV-7 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans lespace orthonorm

Le calcul et la recherche des vecteurs se fait partir de la combinaison ralisable, la plus
proche. Pour retrouver ce point dans le plan orthonorm, il suffit darrondir les coordonnes
du vecteur rfrence aux entiers les plus proches.

=
=
) (
) (
B
pp
B
A
pp
A
V arrondi V
V arrondi V
Eq. IV-13

58

Figure IV-8 Etape de construction de la SVM : a)Point de la modulante, b) Recherche du point le plus proche, c)
trac de lhexagone lmentaire, d), Les vecteurs adjacents, e)Projection du vecteur de rfrence, e) trac des
diffrents vecteurs avec leurs dures

Aprs la recherche du point le plus proche (Figure IV-8), il est ncessaire de reprer les deux
autres vecteurs qui composeront le vecteur final. Pour cela il faut reprer dans quelle portion
de lhexagone lmentaire se trouve le point dsir (Figure IV-8-b). La solution la plus simple
et la fois rapide est de faire une comparaison entre les diffrentes droites. Une fois les deux
vecteurs adjacents retrouvs, il faut maintenant connatre leurs dures dapplication. Le
vecteur de rfrence est projet sur les deux vecteurs adjacents (Figure IV-8-e). La proportion
entre la projection et les vecteurs adjacents donne directement la dure appliquer de ces
deux vecteurs. La somme de ces deux vecteurs permet de calculer le temps dapplication du
point le plus proche. Il est alors possible davoir la dernire figure avec chaque vecteur et
leurs dures dapplication (Figure IV-8-f).

b.Choix de la redondance lie lutilisation de la Space Modulation Vector
Une fois le choix des trois vecteurs dtermin, il peut y avoir un degr de libert sur la
combinaison utiliser en termes de niveau de tension appliquer sur chaque phase. Si pour
les vecteurs composants lhexagone extrieur, la ralisation ne peut se faire que par une
combinaison, pour les autres vecteurs plusieurs solutions sont envasigeables. Il faut alors faire
un choix.
Le principe de choix de la redondance est bas sur une minimisation de lnergie stocke
[SAE1] dans les condensateurs du pont diviseur capacitif. En effet, lalimentation du bus est
considre comme constante et gale E. La somme des tensions des diffrents condensateurs
est gale :

DC C C C
V V V V = + +
3 2 1
Eq. IV-14

59

Figure IV-9 Energie Stocke relative en fonction des tensions de deux condensateurs

Sur la Figure IV-9 est reprsente lnergie stocke en fonction de la tension aux bornes de
deux condensateurs. La somme du bus continu est normalise de telle manire ce que la
somme des tensions soit unitaire. En rouge sur cette figure est reprsente la projection du
minimum de la fonction nergie stocke. Celle-ci a pour antcdent des valeurs de tension
gale 1/3 de la valeur du bus continu et a bien lieu pour des valeurs de tension aux bornes
des condensateurs toutes gales.
Le calcul suivant se fait avec les notations de la Figure IV-3 pour les courants et les
diffrentes tensions. Lnergie stocke dans le bus continu est gale la somme des nergies
stockes dans les diffrents lments capacitifs :
2
3
1
2
1
i
C i
i
v C E

=
= Eq. IV-15

Les condensateurs C
i
sont considrs comme tous gaux et possdant la mme valeur de
capacit C. Pour travailler uniquement sur la diffrence entre la valeur dsire et la valeur
relle de la tension du condensateur, le changement de variable suivant est effectu :
3
DC
C C
V
v v
i i
A Eq. IV-16

La nouvelle fonction concernant lnergie stocke dans le bus continu peut alors scrire :
=
A =
3
1
2
2
1
i
C
i
v C J Eq. IV-17

Ce changement de variable permet de dplacer le minimum de la fonction nergie stocke
dune valeur gale
. Le terme
est appel dviation de la

tension.
60
Pour minimiser lnergie stocke, il est ncessaire davoir la drive de cette fonction
ngative en effet pour atteindre le minimum, cette fonction doit tre dcroissante :
0
3
1
3
1
s A = A =

= = i
C C
i
C
C
i i
i
i
i v
dt
dv
v C
dt
dJ
Eq. IV-18

Les courants dans les condensateurs peuvent scrire :
2 2 3
i i i
C C
+ =
1 1 2
i i i
C C
+ =
Eq. IV-19
Or
dt
dv
C i
Ci
Ci
=
Eq. IV-20
De plus
=
=
3
1
0
i
Ci
dt
dv
Eq. IV-21
Donc
=
=
3
1
0
i
Ci
i Eq. IV-22

Les formules pour les courants peuvent tre dduites des quations Eq. IV-19 et Eq. IV-22, et
tre mises sous la forme suivante [SAE2] :
( ) ( )
2 1 2 1 1
2
3
1
i i i i i
C
+ + =

( )
2 2 1 2
2
3
1
i i i i
C
+ =

( )
2 1 3
2
3
1
i i i
C
+ =

Eq. IV-23

La forme condense ou gnralise des courants peut tre exprime par la formule suivante :

= =
=
2 2
1
3
1
i x
x
x
x C
i i x i
i
Eq. IV-24

Alors en combinant les quations Eq. IV-18 et Eq. IV-24, un critre de choix possible pour
quilibrer les diffrentes tensions des condensateurs apparat.

0
2
1
2
>
|
|
.
|
\
|
A

= = j j x
x C
i v
j
Eq. IV-25

Pour que lquilibrage seffectue dans le bon sens, le critre doit tre positif, plus le rsultat
du critre est grand plus lquilibrage est efficace. Il arrive parfois que tous les rsultats soient
ngatifs, dans ce cas-l le rsultat le plus proche de zro est gard car cest celui-l qui
dstabilise le moins les tensions du bus continu. Dans la commande, pour chaque vecteur, le
critre est calcul pour toutes les redondances et pour chaque vecteur, la redondance ayant le
rsultat le plus grand est gard et envoy vers ltape suivante.

61
c.Mise en Forme du signal de rfrence
Aprs avoir dtermin les vecteurs ainsi que leur dure dapplication, il est ncessaire de
mettre en forme les signaux [MON] afin dtablir un signal de rfrence qui est utile pour la
dernire partie de la commande qui consiste envoyer les ordres de commande aux diffrents
interrupteurs.
La technique la plus simple pour mettre en forme les signaux est dappliquer les vecteurs
pendant toute leur dure dapplication les uns la suite des autres (Figure IV-10-A). Afin
dquilibrer un peu plus les signaux de rfrence, une autre squence est propose (Figure
IV-10-B). Cette squence quilibre dans le sens o il existe une symtrie par rapport au milieu
du temps appel ici Tdec.

Figure IV-10 Squence de mise en forme des signaux partir des vecteurs rsultant de la SVM

Le principe de cette seconde squence est de commencer par regarder les diffrents temps
dapplication des vecteurs et de reprer le vecteur qui a le temps dapplication le plus long qui
est aussi le vecteur le plus proche du point de rfrence ainsi que le second vecteur le plus
proche. Dans un premier temps, le vecteur ayant le temps dapplication le plus long est
appliqu pendant la moiti de sa dure puis le second vecteur le plus proche aussi pendant la
moiti de sa dure puis enfin le dernier vecteur est appliqu pendant toute sa dure. Le reste
du temps, les deux autres vecteurs sont rappliqus en commenant par le vecteur ayant la
plus petite dure.
Dautres techniques auraient pu tre tudies comme une technique permettant par une tude
rapide des signaux des vecteurs afin de limiter le nombre de commutations ou que celles-ci
soient le plus continu possible en vitant davoir des sauts entre les niveaux (par exemple une
transition entre le niveau E/2 et le niveau E/6). Mais lquilibrage des condensateurs du bus
dentre a t privilgi.

d.Choix de la redondance lie la structure
Le choix de la redondance lie la structure est la dernire tape de la commande. Si les
autres tapes peuvent tre utilises pour dautres structures de conversion avec 4 niveaux de
tension en sortie, le dernier bloc est lui intimement li la structure. Ce bloc dfini les ordres
de commande des diffrents interrupteurs partir du signal de rfrence qui lui indique quel
niveau de tension est dsir en sortie.
La structure utilise possde des redondances pour certains niveaux. Dans la premire partie
de ce chapitre, il a t montr que ces redondances ne peuvent tre utilises pour quilibrer les
tensions du pont diviseur capacitif. Lide est dalors de jouer sur un autre critre. Un des
critres les plus simples mettre en uvre est celui de limiter les commutations dans les
diffrents interrupteurs. Une tude a posteriori montre les diffrentes commutations possibles
afin de trouver chaque fois la commutation qui utilise le moins dinterrupteurs que se soit
lamorage ou au blocage.
62

IV.B.4.Rsultats de Simulation sur la structure 4 niveaux
Pour tudier les performances de cette commande, cette structure a t simule sur le logiciel
PSIM. La commande est programme en langage C, en respectant comme sur la Figure
IV-5, une fonction par tape. Le calcul des diffrents vecteurs se fait toute les 0.1ms. Les
paramtres pour la simulation de cette structure sont tout dabord un bus continu E=1000V, ce
qui fait des tensions aux bornes des capacits gales 333V. La valeur de ces capacits est de
4mF. La charge est compose de trois sources de courants sinusodaux idales dphases
entre elles de 120. Elles absorbent un courant efficace gal k* 60A, o k reprsente la
profondeur de modulation.
Avec les quations, il est possible de calculer la dviation maximale de la tension dans les
diffrents condensateurs. Pour un facteur de puissance gal 0.8, la dviation de la tension est
de 33V pour les condensateurs C
1
et C
3
, alors quelle est de 66V pour le condensateur C
2
.

facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.64

Il est possible dobserver une limite sur la profondeur de modulation pour que la tension aux
bornes des condensateurs reste quilibre. Cette limite pour un facteur de puissance de 0.8 est
gale 0.64. Ceci nest pas tout fait satisfaisant car une structure qui pourrait avoir au
maximum 7 niveaux entre phases ne peut en avoir que 5 au vu des performances actuelles.

un facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.64
63

Sur la Figure IV-12, est reprsente la tension entre phases ainsi que la tension simple. La
tension simple na pas beaucoup de sens car contrairement au cas monophas o on soblige
suivre une tension de rfrence, dans un cas triphas la tension respecter est la tension entre
phase. Toutefois, il est important de ne pas trop sauter de niveaux par exemple passer dune
tension E/3 E/2 ou de E/2 E/3 car ceci oblige fermer plusieurs interrupteurs mis en
srie en mme temps. Lors de la fermeture simultane de ceux-ci, il ny pas la matrise de la
rpartition de la tension aux bornes de ceux-ci.

La frquence de calcul des diffrents vecteurs est gale 1000Hz. Cette frquence nest pas
gale la frquence de dcoupage au niveau des interrupteurs. Dailleurs celle-ci est trs
difficile calculer, car elle nest pas matrise et dpend uniquement des niveaux voulus en
sortie du convertisseur. Comme il y a trois vecteurs diffrents et que les vecteurs sont mis en
forme de manire ce que la forme donde sur une priode de dcoupage soit centre, la
rfrence sur une phase peut changer au maximum 4 fois sur une priode de dcoupage. De
plus si on regarde la tension entre phase, la frquence de dcoupage apparente est double.
La Figure IV-13 reprsente le domaine o les tensions des condensateurs restent quilibres
avec cette commande en fonction de la profondeur de modulation et du facteur de puissance.
Plus le facteur de puissance est faible plus la profondeur de modulation limite est leve, en
effet, lquation Eq. IV-8 montre que plus la profondeur de modulation est faible plus les
courants moyens sont proches de 0 et donc la dviation des tensions est elle aussi faible.

Figure IV-13 Courbe de Limite de stabilit de la profondeur de modulation en fonction du facteur de puissance

La Space Vector Modulation peut tre vue pour chaque vecteur comme lajout dune
composante homopolaire. En effet si dans le plan (, ), choisir lune ou lautre na pas de
consquence visible, la projection dans un autre plan ((,h) ou (,h)) montre que les vecteurs
choisis sont bien diffrents. Pour aller plus loin il peut tre intressant de trouver une
commande ajoutant directement de la composante homopolaire afin doptimiser les temps de
calcul et de mieux matriser les frquences de dcoupage au niveau des interrupteurs ainsi que
les commutations dans les diffrents composants semi-conducteurs.

64
IV.B.5. Amlioration du domaine dquilibrage par ajout dune source de
tension flottante
Le but principal est daugmenter le nombre dhexagones et ainsi pour une mme profondeur
de modulation de rajouter des redondances (Figure IV-14). Une comparaison entre un
onduleur 2 niveaux composs dune cellule de commutation et un convertisseur
multicellulaire srie 3 niveaux montre quil est assez facile de pratiquement doubler le
nombre de niveaux en sortie avec un condensateur flottant.

Figure IV-14 Hexagones pour une structure 4 Niveaux (rouge) et une structure 7 Niveaux (rouge et bleu) en Vert
et jaune trajet du vecteur de rfrence pour une profondeur de modulation de 0.8 (vert) et 1 (en jaune)

Lide de la nouvelle structure est de rajouter, partir de la structure Figure IV-1, un
condensateur flottant un endroit judicieusement choisi afin daugmenter le nombre de
niveaux de tension en sortie. En effet partir dune structure avec 4 niveaux de tension, la
nouvelle structure possderait 7 niveaux de tension en sortie. La nouvelle structure propose
peut tre schmatise par la Figure IV-15 :

Figure IV-15 Reprsentation schmatique de la structure avec le condensateur flottant
65

La source de tension flottante a une valeur de tension gale E/6. La nouvelle structure
possde 7 niveaux de tension en sortie qui sont [-E/2, -E/3, -E/6, 0, E/6, E/3, E/2]. Mme si la
structure est maintenant munie de 3 condensateurs flottants (un par phase), cela ne rajoute pas
beaucoup de contraintes au niveau des interrupteurs, La cellule de sortie doit maintenant
bloquer une tension de E/6, ce qui oblige dautres interrupteurs se rpartir le reste de la
tension.
La Figure IV-16 reprsente une version monophase de cet onduleur avec les diffrents
composants semi-conducteurs. Deux interrupteurs doivent tre rajouts (en rouge sur la
Figure IV-16) pour assurer le blocage de la tension lors de lutilisation de certaines
combinaisons. Ceux-ci se comprennent trs bien si la structure est construite comme un
convertisseur multicellulaire srie avec la cellule la plus proche du bus continu qui vient se
connecter diffrents endroits du bus continu.


La commande de ce convertisseur est assez similaire la commande de la structure
prcdente. Les diffrents blocs sont encore prsents et ont les mmes fonctions. Seul change
le bloc de critre de choix. En effet maintenant une nouvelle contrainte est place sur chaque
phase : les tensions des condensateurs flottants doivent tre elles aussi rgules. Nanmoins le
premier bloc ne peut pas tre utilis tel quel, puisque maintenant la structure possde 7
niveaux de tension en sortie (Figure IV-14), la transformation est alors lgrement diffrente
et intgre laugmentation du nombre de niveaux.
La structure tudie pourrait tre aussi une variante de lANPC. Comme pour lANPC 5
niveaux, la cellule de commutation en sortie et le condensateur pourrait tre remplace par un
convertisseur multicellulaire srie avec deux cellules. En sortie la tension aurait aussi 7
niveaux et la tensions aux bornes des condensateurs serait identique.

66
a.Modification de la stratgie de commande
Le critre du minimum dnergie stocke dans la structure nest plus valable lorsque la
structure possde des condensateurs flottants car le minimum de la fonction nergie stocke
intervient lorsque les condensateurs ont une tension nulle (Eq. IV-26).

= =
+ =
T S R j
C f C
i
j
f i
v C Cv E
, ,
2 2
3
1
2
1
2
1

Eq. IV-26

Pour raisoner en dviation de la tension, il est ncessaire de faire les changements de variable
proposs en Eq. IV-27. Les tensions des condensateurs ntant pas identiques, il est ncessaire
de distinguer deux changements de variable diffrents. Dans la suite, le terme li aux
condensateurs du bus continu est toujours distinct du terme sapparentant aux condensateurs
flottants, ces deux termes ne peuvent pas tre mis en commun.

3
DC
C C
V
v v
i i
A et
6
DC
C C
V
v v
j
f
j
f
A Eq. IV-27

La nouvelle fonction peut scrire alors :

= =
A + A =
T S R j
C f C
i
j
f i
v C v C J
, ,
2 2
3
1
2
1
2
1

Eq. IV-28

Ces changements de variable a permis 2 choses : comme pour lquation Eq. IV-17 il a permis
de transfrer le minimum de lnergie stocke dans le premier terme dune valeur non nulle
vers une valeur nulle, car les tensions des condensateurs du bus sont lies entre elles par
lquation Eq. IV-14. Le second changement de variable a permis de changer compltement le
minimum du second terme.
En utilisant le mme principe que pour la structure prcdente avec les quations Eq. IV-18 et
Eq. IV-23, un nouveau critre apparat :

0
, ,
2
1
2
> A
|
|
.
|
\
|
A

= = = T S R j
Cf C
i i x
x C
j j i
i v i v Eq. IV-29

Comme prcdemment, ce critre est maximiser pour quilibrer au mieux les diffrentes
tensions des diffrents condensateurs. Bien sr maintenant les calculs au niveau du choix de la
redondance sont beaucoup plus longs car le nombre de redondances est beaucoup plus grand.
Toutes les redondances sont maintenant utilises pour quilibrer les tensions aux bornes des
diffrents condensateurs. Un vecteur possdant le mme nombre de redondances lies la
SVM que prcdemment peut avoir plus de redondances globales permettant dquilibrer les
tensions car les redondances lies la structure sont utilises dsormais pour quilibrer toutes
les tensions des condensateurs.

b.Rsultats de simulation
Comme prcdemment, la profondeur de modulation est limite mais cette valeur limite est
plus grande que dans le cas prcdent. Pour un facteur de puissance de 0.8, la valeur limite sur
la profondeur de modulation pour que les tensions des condensateurs restent quilibres est de
0.75 (Figure IV-17).

67

facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.75

Les tensions ne sont pas forcment rgules autour de la valeur nominale, mais sont stables
autour de leurs valeurs. Les conditions de simulation sont les mmes que prcdemment part
la valeur de la profondeur de modulation qui est choisie au maximum des performances de la
structure avec cette commande.

un facteur de puissance de 0.8 et une profondeur de modulation gale 0.75

La qualit de la forme donde de la tension entre phases est due diffrents paramtres
comme la frquence de calcul ou la mthode de mise en forme du signal. Dans le cas de
ltude effectue, le but tait dquilibrer les tensions des diffrents condensateurs, aucun
travail na t fait pour amliorer la forme donde de la tension entre phase en sortie du
convertisseur.
La tension entre phases ne possde pas le nombre de niveaux maximum quelle pourrait avoir
si la structure possdait un systme dquilibrage des condensateurs du bus continu. En effet
avec une profondeur de modulation unitaire, la tension entre phases possderait 13 niveaux de
tension alors que dans notre cas, le maximum de niveaux que peut avoir la tension est
uniquement de 9 niveaux.
Contrairement au cas prcdent, la tension possde beaucoup de sauts de tension. Ce qui
conduira fermer plusieurs interrupteurs en srie en mme temps et ne pas matriser la
rpartition de la tension entre les deux interrupteurs. De plus les niveaux les plus utiliss sont
IV.C Equilibrage des condensateurs par transfert dnergie via un lment passif inductif
68
les niveaux utilisant les condensateurs flottants [-E/3, 0, E/3], car ils sont plus nombreux et
surtout permettent dquilibrer la fois les tensions des condensateurs du bus continu ainsi
que les tensions des capacits flottantes.

Figure IV-19 Point de Limite de stabilit pour un facteur de puissance de 0.8 et comparaison avec la courbe
limite pour la structure prcdente

Sur la Figure IV-19 est reprsente la limite de stabilit pour un point avec le facteur de
puissance gal 0.8 compar la limite de stabilit pour lancienne structure sans
condensateur flottant. Mme si le domaine de stabilit est augment, un fonctionnement de la
structure pour nimporte quelle profondeur de modulation nest pas encore concevable. De
plus les performances obtenues par lajout de nouveaux hexagones entre ceux existants pour
une structure 4 niveaux ne sont pas linaires. Ceci peut se comprendre aussi par le nombre de
tensions rguler. Lajout des hexagones avec des sources de tension flottantes ajoute aussi
de nouvelles tensions de condensateurs contrler et donc un besoin en plus de redondances.

Cette premire mthode pour rguler les tensions est assez intressante mais possde des
performances encore loin des performances optimales quune structure avec un systme
dquilibrage externe pourrait avoir.
Lalgorithme dquilibrage se base dans un premier temps sur une minimisation de lnergie
stocke. Il a t tendu pour des structures possdant des sources de tension flottantes en se
basant sur les mmes principes. De plus, Il est facilement transposable pour de nouvelles
structures possdant peut-tre plus dune source de tension flottante.
Le travail fait dans cette tude sur la Space Vector Modulation et surtout sur la mise en forme
des signaux de rfrence ncessaires gnrer les ordres de commande des interrupteurs nont
pas t tudis, le but de cette tude tant principalement dquilibrer les tensions du bus
continu.

IV.C.Equilibrage des condensateurs par transfert dnergie via un
lment passif inductif
Un principe connu pour lquilibrage des tensions des condensateurs du bus continu est
lutilisation de circuits auxiliaires qui permettent dquilibrer ces tensions. Ce principe est
69
utilis pour quilibrer les tensions lors de la mise en srie de supercapacits [BAR]. Le
principe de lquilibrage est de raliser un transfert dnergie dun condensateur o la tension
est trop importante vers un condensateur o la tension est moindre. Ce transfert dnergie est
ralis via un lment de stockage inductif.
La structure tudie est une structure 5 niveaux avec pour la ralisation du pont diviseur
capacitif avec une mise en srie de quatre condensateurs. Dans un premier temps, la structure
prsente pour quilibrer, appele structure auxiliaire, est une structure valable pour toute
structure possdant un bus continu qui doit tre rgul en tension avec au moins deux
condensateurs mis en srie. La seconde tape sera dintgrer cette structure auxiliaire dans la
structure de conversion pour viter dajouter des composants la structure globale.
Lavantage de cette structure est quelle peut tre aussi bien utilise dans une application
triphase que monophase.

IV.C.1.Prsentation de la structure tudie
La structure tudie est une structure base sur un assemblage de cellules multicellulaires
superposes 1x2 (SMC1x2) (Figure IV-20). Le nombre de niveaux en sortie est gal 5 [-E/2,
-E/4, 0, E/4, E/2]. En comparaison avec la structure NPC 5 niveaux, lavantage de cette
structure est quelle possde des redondances pour certains niveaux. En effet les niveaux E/4
et E/4 peuvent tre raliss de 2 faons diffrentes et le niveau 0 de 3 manires diffrentes.
Comme pour la structure du chapitre prcdent, la redondance de ces niveaux ne peut pas tre
utilise pour quilibrer les tensions des condensateurs car les redondances pour un mme
niveau sont connectes en un mme point du bus.

Figure IV-20 Reprsentation schmatique de la structure

La structure avec tous ses interrupteurs est reprsente sur la Figure IV-21. Un des principaux
inconvnients de cette structure est le nombre de composants qui la compose. En effet pour
chaque phase la structure est compose de 16 interrupteurs possdant des tenues en tension
diffrentes. En effet, sur chaque structure de base (SMC1x2), les interrupteurs des branches
extrieures doivent tenir une tension de E/2 alors que ceux de la branche intrieure doit tenir
une tension de E/4.
70


Il est possible comme pour le SMC2x2, de doubler ces interrupteurs pour obtenir une
structure avec des interrupteurs dont la tenue en tension est identique. Ceux-ci commuteront
une frquence de dcoupage plus faible (de lordre de la frquence de modulation). Mais ceci
augmente encore plus le nombre dinterrupteurs : le nombre total dinterrupteurs par phase est
alors de 24 composants semi-conducteurs. Lintrt de cette tude est avant tout dquilibrer
le bus continu. Alors pour plus de simplicit dans la commande, chaque interrupteur devant
tenir une tension de E/2 est considr comme unique.

IV.C.2.Calcul du courant et de la dviation des tensions des
condensateurs du bus continu
Comme pour la structure 4 niveaux prcdente, il est possible de calculer les courants dans les
condensateurs du bus continu pour les cas o les structures ne possdent pas de source de
tension flottante lintrieur de la structure. Comme prcdemment, partir de la
connaissance des diffrentes fonctions de modulation pour chaque niveau, il est possible de
calculer les courants moyens pour ces diffrents niveaux et enfin retrouver le courant moyen
traversant chaque condensateur et la dviation de la tension de ceux-ci. Les fonctions de
modulation pour chaque niveau scrivent ainsi :
| |
e
=
sinon 0
1 sin 2
1 1 2
u t u x x k
f
E
M

| |
| | | |
e
e
=
sinon 0
0 sin 2
sin 2 2
1 1 1
1 1
4
t u t u
u t u
x x k
x x k
f
E
M

Eq. IV-30
71
| | | |
| | | |
+ e +
e
=
sinon 0
2 2 1 sin 2
0 sin 2 1
1 1
1 1
0
t u t u t t
t u t u
x x k
x x k
f
M

| | | |
| |
+ e +
+ e
=
sinon 0
2 2 sin 2
2 2 sin 2
1 1
1 1
4
u t u t
t u t u t t
x x k
x x k
f
E
M

| |
+ e
=
sinon 0
2 sin 2 1
1 1 2
u t u t x x k
f
E
M

o
k 2
1
sin
1
= u

Le courant est dfini comme pour lquation Eq. IV-2, et en utilisant les quations Eq. IV-3 et
Eq. IV-30, il est possible de retrouver les courants moyens absorbs pour chaque niveau.
( ) | |
1 1
2 2
cos 2 2 3 cos
8
1
u u t u
t
= =

k I I I
m
E E

( ) | |
1 1
4 4
cos 2 6 cos
8
3
u t u u
t
+ = =

k I I I
m
E E

0
0
= I
Eq. IV-31

Comme prcdemment il est possible de calculer le courant du bus continu en fonction du
courant de sortie :
( ) u cos
4
2 3 4
4
1
4 0 4 2
m
E E E DC
I
k
I I I I I = + + + =

Eq. IV-32

Il est possible alors de dterminer les courants dans les diffrents condensateurs :
( ) | |
1 1 1 4
cos 2 4 cos
4
1
u t u u
t
+ = = k I I I
m C C

( ) | |
1 1 2 3
cos 2 4 cos
4
1
u t u u
t
+
= = k I I I
m C C

Eq. IV-33

Comme dans le cas de londuleur avec 4 niveaux de tension en sortie, le courant moyen
traversant les diffrents condensateurs ne peut tre annul que pour un facteur de puissance
nul. La dviation de la tension pour une priode de modulation peut tre dtermine par
lquation Eq. IV-9.

72

Figure IV-22 Formes dondes de la tension aux bornes des condensateurs C4 et C3

Sur la Figure IV-22 est reprsente la variation de la tension sur quelques priodes de
modulation. Les conditions de simulation sont identiques aux simulations prcdentes en ce
qui concerne la valeur de la tension du bus continu et du courant absorb par la charge. Le
facteur de puissance est gal 0.8 et les formes dondes ont t releves pour une profondeur
de modulation gale 0.95 Celle-ci nvolue pas linairement et dpend du courant de sortie
ainsi que de la modulante. Connatre la dviation de la tension est utile pour le
dimensionnement du circuit auxiliaire ddi lquilibrage des tensions des condensateurs.

IV.C.3.Circuit auxiliaire ddi lquilibrage du bus
Le circuit auxiliaire est une structure trois points connects au bus continu (Figure IV-23).
Elle est compose de deux interrupteurs avec une inductance qui permet de raliser le
transfert dnergie dun condensateur ayant une tension trop importante vers un condensateur
adjacent. Pour un fonctionnement avec des modulantes sinusodales, le nombre de circuits
auxiliaires ncessaire est de 2. Les quations Eq. IV-33 ont montr que les courants taient
semblables dans les condensateurs C
1
et C
4
ainsi que dans C
2
et C
3
. Cette structure auxiliaire
peut tre vue comme un hacheur dvolteur ou survolteur ne possdant pas de charge. Laspect
dvolteur ou survolteur du hacheur dpend du condensateur qui possde la surtension.

Figure IV-23 Schma de deux circuits auxiliaires placs sur le bus continu

73
a.Dimensionnement de linductance du circuit auxiliaire
Si ce circuit ressemble un hacheur dvolteur (Figure IV-24), les quations sont assez
simples retrouver. Malgr tout, pour simplifier le calcul, certaines hypothses et
approximations sont faites. La premire est celle davoir une tension fixe pendant le transfert
dnergie. Cette approximation est assez raliste si la variation de la tension pendant une
priode de dcoupage est trs petite devant la tension aux bornes des condensateurs. De plus,
le circuit est dimensionn dans le cas o le transfert dnergie dun condensateur lautre est
optimis : c'est--dire que le hacheur fonctionne en limite de conduction continue-discontinue
afin davoir toujours un courant non nul dans linductance pendant une priode de
modulation. Pour chaque priode de dcoupage la variation de la tension est note p*Vc, Vc
tant la valeur nominale de la tension du condensateur. La rgulation se fait partir dun seuil
de tension not :

C C
V g V = A Eq. IV-34

Le courant dans linductance en limite de conduction continu-discontinu peut scrire :

| |
| |
e +
e
=
T T t
L
T
V
L
T t
V
T t
L
t
V
i
i Cs i Ci
i Cs
L
,
, 0
] [ ] [
] [
o
o o
o
Eq. IV-35

Figure IV-24 Schma de lquilibreur

Pour le dimensionnement de linductance suivant, la surtension a lieu sur le condensateur
suprieur C
S
, donc les tensions des condensateurs avant le dclenchement du circuit
dquilibrage sont gales
et
. La limite sur le rapport

cyclique est alors de:

2
1
lim
g
= o Eq. IV-36

La variation de la tension pour le condensateur suprieur sur une priode de dcoupage du
hacheur peut scrire par une quation de rcurrence :

}
=
+
T
L i Cs i Cs
dt i
C
V V
o
0
] [ ] 1 [
1
Eq. IV-37

74
En approximant et en se plaant dans le cas o la tension du condensateur est maximum, il est
possible dcrire lquation suivante :

( )
2
2
T
LC
V V
V p
c c
C
o A +
=
Eq. IV-38

Ce qui permet davoir une condition sur la valeur de linductance :

( )( )
p
p p
F C
L
hach dec
2
2
_
1 1
8
1 +

= Eq. IV-39

Le courant maximum dans linductance peut alors scrire :

( ) ( )
2
1 1
2
_
max
p
F L
V p
I
hach dec
C

+
=
Eq. IV-40

Avec les conditions de simulation prcdentes, le courant moyen traversant les condensateurs
est gal 2.98A (le signe dpend du condensateur) pour une profondeur de modulation de
0.95. Si le bus continu est compos de condensateurs de valeur 4mF, la dviation de la tension
pour une priode de modulation est de 14.5V. Cette tension est fixe comme tension de
rfrence pour le dclenchement du circuit auxiliaire ce qui fait une valeur pour le paramtre
g=5.9%. Pour ce circuit et pour viter davoir trop de pertes par commutation, la frquence de
dcoupage du circuit auxiliaire est gale F
dec_hach
=500Hz. Donc si lquilibrage se fait pour
une priode de modulation alors le pourcentage p de la dviation de la tension sur une priode
de dcoupage a alors la valeur de p=0.0058. De tous ces paramtres, il est ainsi possible de
dterminer la valeur de linductance ainsi que du courant maximum dans celle-ci : L=21.6mH
et I
Lmax
=11.57A.
b.Commande du circuit auxiliaire
La dtection dune tension trop (ou pas assez) importante se fait uniquement sur la tension
dun condensateur (celui du haut). Lhypothse est faite que les deux tensions sont en valeur
moyenne opposes par rapport la tension nominale de la tension des condensateurs. La
commande se fait avec un rapport cyclique constant choisi en position limite (Eq. IV-36) et
chaque fois avec uniquement un IGBT, lautre composant tant passif c'est--dire
quuniquement la diode est utilise.

Figure IV-25 Schma de la commande de lquilibreur

75
Sur la Figure IV-25 est reprsent un schma synoptique de la commande [BAR] avec le
rsultat du capteur de tension compar la tension dsir au niveau des condensateurs. Le
dclenchement se fait sur un seuil de tension et reste actif tant que la tension du condensateur
nest pas redevenue sa tension dsire.

c.Rsultats de simulation
La structure mis en aval a peu dimportance sur les rsultats au niveau du bus continu et dans
les quilibreurs tant que celle-ci possde 4 points de connexion diffrents sur le bus continu.
Les conditions de simulation sont identiques aux simulations prcdentes au niveau de la
tension du bus, du courant de la charge ainsi que de la frquence de dcoupage de la structure
de conversion. En ce qui concerne la profondeur de modulation, elle est choisie maximale et
galement dans loptique dun fonctionnement optimal de la structure dquilibrage.

commande des interrupteurs des structures auxiliaires

Il existe une certaine ressemblance entre les formes dondes. Les tensions des condensateurs
du haut sont dphases de 180 par rapport celles du bas. Les formes dondes entre deux
couples de condensateurs (C1/C2 ou C3/C4) ne sont pas rigoureusement symtriques ce qui
implique un petit dplacement du potentiel du point milieu mais qui reste tout de mme
stable. Le signal de commande de la structure dquilibrage du haut commute pendant toute la
priode de modulation alors que celui du bas possde trois priodes de dcoupage de repos.
Ceci implique que la structure auxiliaire est optimale pour lquilibrage des condensateurs du
haut mais pas entirement pour les tensions des capacits du bas.
76

de londuleur

Sur les formes dondes du courant (Figure IV-27), le fait que lquilibreur du bas nest pas en
fonctionnement pendant toute la dure de la priode de modulation est une nouvelle fois
visible. La conduction nest pas parfaitement la limite continu-discontinu, mais la limite est
quand mme assez proche, notamment pour lquilibreur du haut. Par contre celui du bas est
lgrement en conduction discontinue. Mais les courants maximum en simulation sont tout de
mme proches de ceux calculs de manire thorique. Ceci est d aux approximations faites
pour le dimensionnement de linductance. Les rsultats montrs sont pour une valeur limite de
la profondeur de modulation. Si celle-ci est moindre les structures dquilibrage des tensions
sont moins utilises.

Avec cette technique dquilibrage des tensions des condensateurs, il ny a plus de limite
concernant la profondeur de modulation. En effet le dimensionnement de lquilibreur a t
effectu dans les conditions les plus dfavorables, c'est--dire avec une profondeur de
modulation maximale. Lapplication place derrire le bus a peu dimportance sur le rsultat.
En effet il existera toujours une valeur dinductance pour russir quilibrer le bus. De mme,
il est envisageable davoir une structure triphase en sortie. La dviation en tension serait
alors 3 fois plus grande et linductance plus petite (mais le courant la traversant plus
important). De mme pour rduire le calibre en tension des composants semi-conducteurs, il
est envisageable de placer comme quilibreur une structure multiniveaux de type NPC ou FC
[SHU]. Un des inconvnients de cette solution est lajout dun stockage dnergie inductif par
module. Le second est lajout de nouveaux interrupteurs pour lquilibrage des condensateurs.
Pour pallier cet inconvnient, lide est dintgrer les lments de stockage inductifs la
structure.

IV.C.4.Intgration de linductance des circuits auxiliaires la structure
de conversion
Lajout de circuits auxiliaires augmente le nombre global de composants semi-conducteurs
dans la structure. Lide pour une nouvelle structure est dintgrer ces circuits la structure et
ainsi avoir une structure qui auto-quilibre les condensateurs du pont diviseur capacitif. Un
des avantages, de la structure Figure IV-21 est davoir des redondances pour certains niveaux.
De plus la structure de base SMC1x2 composant la structure possde quelques similarits
avec la structure du circuit auxiliaire. En effet celle-ci est connecte en trois points sur le bus
et les deux interrupteurs sur les branches extrieures peuvent former une cellule de
77
commutation. La nouvelle structure propose utilise les deux structures de base connectes
sur le bus le plus en haut et en bas pour placer linductance lintrieur de la structure de
conversion (Figure IV-28).

Figure IV-28 Onduleur monophas 5 Niveaux auto quilibrante

Avec cette nouvelle structure, les redondances que la structure Figure IV-21 a pour les
niveaux -E/4 et E/4 nexistent plus car chaque fois, une des deux redondances est utilise
maintenant pour quilibrer les tensions du bus continu. Les interrupteurs de la branche du
milieu des structures SMC1x2 ne sont connects que pendant le temps o le transfert
dnergie est effectu. Pour raliser la fois lquilibrage et la conversion, deux commandes
sont possibles : la premire contrle indpendamment les interrupteurs qui ralisent la
conversion (fonction onduleur) et les interrupteurs qui permettent dquilibrer les tensions des
condensateurs (fonction quilibrage). La deuxime commande utilise les mmes interrupteurs
au mme moment pour la fois raliser la conversion et lquilibrage du pont diviseur
capacitif. Pour cette commande, la structure ncessite de rajouter deux interrupteurs
supplmentaires (en rose sur la Figure IV-28) pour assurer la tenue en tension pour certaines
configurations.

a.Equilibrage indpendant de la conversion
Cette commande est la plus simple mettre en uvre car elle reprend les deux commandes
prcdentes : celle de la structure si lquilibrage des tensions des condensateurs est parfaite
et celle concernant lquilibrage avec le circuit auxiliaire. La nouvelle commande est une
mise en commun de ces principes de contrle. Nanmoins pour lquilibrage des
condensateurs, la conversion impose quelques restrictions. Alors quavec la structure
auxiliaire, lquilibrage peut se faire tout moment. La conversion impose des plages de
78
temps o lquilibrage peut se faire et dautres moments o celui-ci est impossible. La
commande se fait de la manire suivante : par exemple si le signal modulant est positif, la
conversion se fait avec les SMC1x2 rouge et vert (ceux du haut), et pendant cette priode de
temps, les tensions des condensateurs C
1
et C
2
sont contrlables par lintermdiaire de la
structure SMC1x2 en bleu (celle du bas). Respectivement pour un signal modulant ngatif, la
conversion se fait avec les SMC1x2 vert et bleu alors que les tensions des condensateurs C
3
et
C
4
sont assures par la le SMC1x2 en rouge.

Le dimensionnement de linductance est similaire au dimensionnement de linductance du
circuit auxiliaire, seuls changent les paramtres de la variation de la tension que lquilibreur
rectifie sur une priode car celle-ci doit maintenant tre plus importante car la rgulation de la
tension se fait uniquement sur une demi-priode de modulation. Pour viter davoir un
courant trop important dans linductance ainsi que pour avoir une seule frquence de
dcoupage. La frquence de dcoupage pour lquilibrage des tensions est alors augmente
F
dec_hach
=1000Hz. Le paramtre p est alors gal p=0.0058 : similaire la valeur prcdente
car si le temps possible pour quilibrer a t divis par deux, la frquence de dcoupage a t
multiplie par deux. Ce qui fait une valeur dinductance, L=5.4mH et le courant maximum la
traversant est de 23.1A. Comme pour le dimensionnement du circuit auxiliaire, ces paramtres
sont optimiss pour une profondeur de modulation de 0.95 et un facteur de puissance de 0.8

Une simulation de cette structure avec cette commande a t faite avec les mmes paramtres
que les simulations des structures prcdentes avec pour la modulante une profondeur de
modulation gale 0.95 et un facteur de puissance de 0.8 pour la charge.

H1

La Figure IV-29 montre quelques formes dondes sur la tension des diffrents condensateurs
du bus continu. Comme pour le cas de la structure auxiliaire, les formes dondes ne sont pas
centres autour de la valeur dsire. Chaque condensateur a une volution oppose par rapport
son condensateur coupl (C
3
et C
4
, et C
1
et C
2
). Au niveau de la tension de sortie les formes
dondes sont conformes la tension de rfrence gnre par le modulateur de la commande.
Sur les signaux de commande de linterrupteur T
H1
, il est possible de remarquer deux phases,
la premire phase est celle o le rapport cyclique du signal carr nest pas constant. Pendant
cette phase, la fonction ralise par cet interrupteur cet instant-l est la fonction onduleur.
Pendant lautre phase (une moiti de priode de modulation), le rapport cyclique est constant :
la fonction ralise est celle de lquilibrage. Linconvnient de cette commande est lajout de
79
commutations par exemple pour linterrupteur T
H1
lorsque le signal modulant est ngatif. Cela
ajoute des commutations et augmente ainsi les pertes par commutation dans ce composant
(ainsi que dans T
H0
et les interrupteurs symtriques par rapport au point milieu).

de londuleur

Les courants sont plus importants que dans le cas o lquilibrage est externe la structure.
En effet, le courant moyen dans les inductances sont les mmes dans les deux cas. Seulement
dans le cas o la structure dquilibrage est intgre dans la structure de conversion, ce
courant doit tre fourni avec moiti moins de temps. Donc il est normal que les courants
soient plus importants. Comme dans le cas prcdent, la conduction est la limite de la
conduction continue-discontinue.

b. Commande Couple entre lquilibrage et la conversion
Cette commande a pour but de diminuer le nombre de commutations sur les diffrents
composants. Avec les quations Eq. IV-33, il a t montr que lorsque la structure est utilise
comme un onduleur avec un facteur de puissance positif, lvolution moyenne des tensions
des condensateurs est toujours la mme : les condensateurs C
1
et C
4
se chargent, alors que C
2

et C
3
se dchargent. Dans ce cas, lide est dutiliser les niveaux E/2 et E/2, pour stocker de
lnergie dans les inductances et restituer lnergie dans les condensateurs C
2
et C
3
pendant
les autres tats. Bien sr, il est aussi possible davoir une rflexion similaire dans le cas o les
condensateurs C
2
et C
3
ont la tension la plus grande. Dans ce cas-l, les niveaux o
linductance stocke lnergie est le niveau 0.
La structure ncessite lajout de deux composants semi-conducteurs sur les branches externes
du SMC1x2 en sortie de la structure. En effet linductance impose de navoir aucune
discontinuit de courant. Une fois quil y a du courant dans linductance (par exemple celle du
SMC1x2 rouge), ce qui arrive aprs une tension de sortie gale E/2 et que le seuil de tension
a t franchi (dclenchement de lquilibreur), le potentiel au point A est soit 0 soit E/2. Or il
est possible que le niveau dsir soit la tension E/4 : ce moment il est ralis par le
SMC1x2 vert, le potentiel de sortie tant E/4 et celui du point A tant 0. Linterrupteur
prsent initialement sur la structure nest pas capable de tenir la tension : cest pour cette
raison que deux nouveaux interrupteurs sont intgrs la structure.

80

Figure IV-31 Explication de la ncessit davoir un interrupteur 4 segments pour la commande couple

Le dimensionnement de linductance est diffrent de la commande prcdente. En effet
maintenant le rapport cyclique de lquilibreur nest plus constant. Ds que le niveau de sortie
dsir est E/2 ou E/2, les inductances stockent de lnergie qui ne peut tre restitue
uniquement quand le niveau dsir est diffrent de ces deux niveaux. Le calcul du
dimensionnement tant assez difficile, une routine sur MATLAB a t mise en uvre.
Cette routine va chercher la valeur de linductance par dichotomie. A partir dune valeur
dinductance et de tension de condensateur parfaitement quilibr, cette routine calcule les
formes dondes en fonction des paramtres de la structure, de la charge mais aussi de la
tension de rfrence de la modulante et des diffrentes porteuses. Au bout dune priode de
modulation, les tensions des condensateurs sont releves et si celles-ci ne sont pas
satisfaisantes, un calcul du courant moyen dans le condensateur C
4
est effectu. Si celui-ci est
de signe positif alors la nouvelle valeur de linductance sera plus faible Au contraire si celui-
ci est ngatif, la valeur de linductance est augmente. Le calcul est effectu en boucle jusqu'
ce que la tension du condensateur C4 soit gale en dbut et en fin de priode de modulation.
La dichotomie nest peut-tre pas la meilleure solution doptimisation. Mais dans notre cas
puisquil sagit dun calcul a posteriori, mme sil est un peu long, il reste tout fait
convenable.
Dans les conditions de simulation utilises jusqu prsent, avec toujours une profondeur de
modulation de 0.95 et un facteur de puissance de 0.8, la valeur de linductance est de
L=12.4mH avec un courant maximum la traversant de I
max
=48A. Cette valeur assez grande
pour le courant sexplique par le temps dapplication des niveaux extrmes qui sont de plus en
plus longs lorsque les profondeurs de modulation sont grandes.

La simulation de ce convertisseur a t effectue dans les mmes conditions pour pouvoir
comparer les diffrentes performances des techniques dquilibrage des tensions du pont
diviseur capacitif.

81

H1

La variation de la tension avec cette commande est beaucoup moins importante quavec les
autres commandes. Ceci est d au fait que la variation des tensions du bus capacitif est
corrige directement. Avec la commande prcdente, dans le pire des cas, il fallait attendre
une demi-priode de modulation. Comme prcdemment, la forme donde de tension de sortie
est limage de la tension dsire. Au niveau des ordres de commande, aucune commutation
supplmentaire nest ajoute par rapport aux commutations ncessaires la conversion.

de londuleur

A la vue des rsultats de simulation, le dimensionnement de linductance nest pas optimis
pour une profondeur de modulation gale 0.95. Sur la Figure IV-33, les formes dondes de
courant dans les inductances sont nulles pendant certaines priodes de modulation alors que
dans un cas o le dimensionnement est optimis, le courant sur chaque priode de modulation
est non nul. Ceci est d au dimensionnement de linductance, dans le calcul de celui-ci.
Lhypothse faite repose sur le fait que les tensions sont parfaitement quilibres au dbut du
calcul alors que dans la commande, lquilibrage des tensions des condensateurs ne dbute
qu partir dun certain seuil de tension. La modification du calcul pour avoir une valeur de
linductance optimise tant trop complexe et les rsultats dj trs satisfaisants, le calcul ne
sera pas men et la valeur de linductance qui permet dquilibrer les tensions dans les
condensateurs sera conserve comme propos prcdemment.
82
Contrairement aux autres cas, cette commande permet davoir de bons rsultats avec des
profondeurs de modulation assez fortes mais un dsquilibre avec des profondeurs faibles. De
plus lquilibrage devient impossible si la profondeur de modulation est infrieure 0.5 car
les niveaux extrmes ne sont plus utiliss.

Figure IV-34 Variation de la valeur de linductance en fonction de la profondeur de modulation et du facteur de
puissance

Le dimensionnement de linductance nest valable que pour une profondeur de modulation
unique. Pour dimensionner linductance, une valeur mdiane de celle-ci est choisie permettant
une limitation de la dviation des tensions pour une plage de fonctionnement sur la
profondeur de modulation. La Figure IV-34 montre lvolution de la valeur de linductance en
fonction de la profondeur de modulation et du facteur de puissance.

c. Bilan et comparaison entre les diffrentes commandes
La structure utilisant des circuits auxiliaires pour quilibrer les tensions de bus est assez
intressante car elle permet dquilibrer les tensions pour nimporte quelle profondeur de
modulation, de plus la commande est assez simple et le dimensionnement a beaucoup de
degrs de libert. Mais cette structure ajoute des composants supplmentaires la structure, ce
qui pnalise cette structure au niveau du nombre global de composants.
Pour cela, lide dintgrer linductance la structure a pour but de limiter ce nombre qui peut
devenir un obstacle lutilisation de ce convertisseur. Sur cette nouvelle structure, deux
commandes ont t proposes. La premire commande est analogue de la commande avec les
circuits dquilibrage. Comme pour cette dernire, lquilibrage est possible pour nimporte
quelle profondeur de modulation et facteur de puissance mais il est un peu plus contraint. En
effet maintenant lquilibrage nest possible que sur une demi-priode de modulation : les
courants dans linductance doivent tre plus importants. De plus cette commande rajoute des
commutations supplmentaires sur certains composants.
Pour viter ces commutations supplmentaires, une deuxime commande a t implante o
lquilibrage et la conversion dnergie se font sur les mmes composants au mme instant.
Cette commande ncessite de rajouter deux composants semi-conducteurs la structure et ne
possde pas beaucoup de modularits sur la plage de variation possible pour la profondeur de
modulation pour garder des tensions aux bornes des condensateurs du bus continu
convenables.
83

Une volution possible cette structure passe par lutilisation de la complmentarit des deux
commandes pour quilibrer les tensions dans les condensateurs pour toute profondeur de
modulation. Toutefois, le dimensionnement de linductance est diffrent. Une tude pralable
est ncessaire pour dimensionner au mieux linductance.
Bien sr cette structure fonctionne dans une application triphase. Le dimensionnement est
identique si les structures sur chaque phase intgrent toutes leurs systmes dquilibrage. Il est
videmment envisageable de mettre le systme dquilibrage sur une seule phase et des
structures plus classiques sur les autres. Mais dans ce cas-ci le dimensionnement sera
diffrent.

IV.D.Conclusions sur le fractionnement du bus dentre et
lquilibrage des tensions de condensateurs
Les solutions pour quilibrer les tensions des condensateurs du bus continu sont nombreuses
et possdent chacune des caractristiques diffrentes. La stabilisation des tensions est
essentielle pour assurer une conversion correcte et de bonne qualit. Les deux solutions
prsentes, savoir : lutilisation des redondances de la Space Vector Modulation, le transfert
dnergie via un lment de stockage inductif, rpondent chacune un problme donn.
Lutilisation des redondances de la SVM a pour but de ne pas rajouter de composant
supplmentaire la structure et dutiliser un bus continu compos dun pont diviseur capacitif
aliment par une unique source de tension. Le critre de choix pour la redondance se fait sur
un choix de minimisation de lnergie stocke dans les condensateurs du bus continu.
Lutilisation de cette technique dquilibrage ne permet pas dutiliser le convertisseur ses
meilleures performances. Pour un facteur de puissance de 0.8, la profondeur de modulation
maximale est denviron 0.64. Lajout dun condensateur flottant permet daugmenter la plage
dutilisation du convertisseur au niveau de la profondeur de modulation, mais le critre de
minimum dnergie nest plus valable et doit tre adapt pour avoir un nouveau critre
satisfaisant.
La deuxime technique pour quilibrer les diffrentes tensions des condensateurs du bus
continu fait appel lutilisation de circuits auxiliaires ddis lquilibrage des tensions. Le
principe de lquilibrage est un transfert dnergie du condensateur en surcharge vers un
condensateur moins charg. Ce transfert dnergie se fait par lintermdiaire dun lment de
stockage inductif. Linconvnient majeur de cette technique est lajout de composants
supplmentaires pour assurer la conversion dnergie. Certaines structures permettent
lintgration de cette inductance lintrieur de londuleur. Ceci permet de limiter le nombre
de composants ajouter mais ceci impose quelques contraintes supplmentaires sur les
moments o il est possible dquilibrer les diffrentes tensions. De cette structure sont nes
deux commandes permettant la fois dquilibrer les tensions des condensateurs et la
conversion dnergie : la premire commande ralise ces deux oprations de manire
indpendante alors que la deuxime ralise la conversion et lquilibrage avec les mmes
composants au mme instant. La tenue en tension des composants de la structure de base nest
plus assure par rapport la structure originale. Mais un des avantages de cette technique est
le fonctionnement quels que soient la profondeur de modulation et le facteur de puissance.

CHAPITRE V. Structure Partage de Composants
85
CHAPITRE V
STRUCTURE A PARTAGE DE COMPOSANTS
V.A. Introduction
Un des points les plus pnalisants lors de lutilisation de structures de conversion
multiniveaux est le nombre de composants semi-conducteurs qui composent celles-ci. En effet
de faon simple comprendre, plus le nombre de niveaux augmente, plus le nombre de
composants augmente. De plus, les structures utilisant le principe du fractionnement du bus
dentre, (comme les structures Neutral Point Clamped (NPC)) sont souvent plus gourmandes
que les structures multicellulaires sries, mme si dans le premier cas, les interrupteurs
peuvent tre distingus en deux catgories : ceux qui ralisent la conversion et qui commutent
la frquence de dcoupage et ceux qui sont placs pour assurer la tenue en tension. Ces
derniers crent moins de pertes que ceux qui ralisent la conversion car ils commutent
uniquement la priode de modulation. Les pertes dans ces composants sont donc
exclusivement des pertes en conduction (pertes par commutation pratiquement nulles).
Si le nombre de composants pour une structure est important lorsquelle est utilise en bras
monophas, ce nombre devient un inconvnient majeur lorsque la structure est utilise pour
une application triphase. Lide des nouvelles structures pour limiter le nombre de
composants est de partager certains dentre eux entre les diffrentes phases pour limiter le
nombre de composants global dans la structure. Bien sr, toutes les structures ne peuvent pas
utiliser ce principe, certaines conditions sur celles-ci sont ncessaires pour assurer la
conversion dnergie.
La structure tudie dans cette partie est une structure 3 niveaux de tension assez gourmande
en composants semi-conducteurs, en comparaison dautres structures trois niveaux
analogues. Cette structure est lActive Stacked NPC (ASNPC) [FLO1]. Suite une
collaboration avec M. Dan Floricau, de lUniversit Polytechnique de Bucarest, un prototype
de cette structure a t conu afin de valider les essais en simulation.
A partir de cette structure, une nouvelle structure pour une application triphase a t pense
en utilisant le principe du partage dinterrupteurs entre les diffrentes phases. De cette
structure, diffrentes commandes ont t considres mettant en avant certains objectifs.

V.B. LActive Stacked Neutral Point Clamped (ASNPC)
LASNPC est une variante de la structure ANPC dj prsente dans le chapitre I. Cette
structure possde lavantage doffrir plusieurs commandes diffrentes qui ont des rpartitions
de pertes dans les composants diffrents [FLO2]. Dans certains cas, une combinaison de ces
diffrentes commandes peut tre utilise pour rpartir les pertes dans les diffrents
composants semi-conducteurs en utilisant le mme principe que dans le travail de T. Brckner
[BRU].
V.B.1.Prsentation de la structure
LASNPC (Figure II-1) est une structure qui possde trois niveaux de tension en sortie [-E/2,
0, E/2]. La diffrence par rapport la structure ANPC est lajout dune branche centrale entre
V.B LActive Stacked Neutral Point Clamped (ASNPC)
86
le point milieu du bus continu et la sortie. Sur cette branche sont placs deux interrupteurs
trois segments, chacun compos dun IGBT et dune diode.

Figure V-1 Onduleur ASNPC monophas 3 Niveaux

La tenue en tension des diffrents interrupteurs est identique celle des interrupteurs de
lANPC et gale E/2. Le Tableau III-1 rsume les diffrents moyens de raliser les
diffrents niveaux en fonction de ltat des interrupteurs.

Tension de
sortie
passants
Sens du courant
Le courant circule
dans
E/2 T1 et T2
Is>0 T1 et T2
Is<0 D1 et D2
0
T1b et T2
Is>0 D1b etT2
Is<0 T1b et D2
T2b et T3
Is>0 D2b et T3
Is<0 T2b etD3
T3b et T4
Is>0 T4 et D3b
Is<0 D4 et T3b
-E/2 T3b et T4b
Is>0 D4b et D3b
Is<0 T4b et T3b
Tableau V-1 Ralisation des diffrents niveaux pour londuleur ASNPC

Le niveau 0 est maintenant ralisable de trois manires diffrentes ce qui est un degr de
libert supplmentaire par rapport lutilisation de lANPC pour effectuer une rpartition des
pertes dans les diffrents composants. En effet en utilisant la branche du milieu, cela permet
de moins utiliser les interrupteurs T2 et T3b obligatoirement utiliser pour les niveaux E/2 et
E/2 dans le cas de lANPC. Une autre manire dutiliser la redondance pour le niveau
intermdiaire est dimplanter une commande qui double la frquence de dcoupage apparente
en sortie par rapport la frquence de dcoupage par lutilisation judicieuse des redondances
de ltat 0.
Il est possible de mettre en place dautres commande du mme type que celle utilise pour
londuleur ANPC o certains interrupteurs sont utiliss comme aiguilleurs la frquence de la
modulante et les autres sont utiliss pour raliser la conversion la frquence de dcoupage.
Dans ltude suivante une seule commande est tudie : celle permettant davoir une
frquence de dcoupage apparente double par rapport la frquence de dcoupage.
87

Pour cette commande, deux porteuses sont utilises. Elles sont dphases entre elles de 180.
La Figure V-2 dcrit les tats des interrupteurs en fonction de la modulante.

Figure V-2 Ordre de commande des diffrents IGBT en fonction du signal modulant : A) modulante positive B)
modulante ngative [FLO1]

Les ordres de commandes entre les diffrents interrupteurs qui peuvent former une cellule de
commutation (reli par un trait sur la Figure II-1) ne sont pas forcment complmentaires. En
effet une conversion o les ordres de commande pour une mme cellule est strictement
complmentaire laisse pour le niveau intermdiaire plusieurs chemins pour tre ralis. Or sil
y a plusieurs chemins, la rpartition du courant nest pas matrise. Pour cela, certains
interrupteurs restent bloqus alors que leurs interrupteurs complmentaires ralisent quelques
commutations.
Sur les ordres de commande Figure V-2, il est possible de voir le doublement de la frquence
de dcoupage apparente par rapport la frquence de dcoupage relle (applique sur les
diffrents interrupteurs).
V.B.2. Rsultats de simulation
Pour connatre les formes dondes de sortie de cet onduleur, une simulation a t effectue
avec le logiciel PSIM. La simulation est ralise avec un bus continu de 3400V, une
frquence de dcoupage de 2kHz et une profondeur de modulation de 0.8. La charge est
compose dune inductance dune valeur L=1mH et une rsistance R=1.

88

Figure V-3 Formes donde de la tension de sortie et du courant de sortie

Sur la Figure V-3, il est possible de distinguer clairement les trois niveaux de tension de
sortie. Le courant lui est bien sinusodal et possde une ondulation rduite du fait que la
frquence de dcoupage apparente est double. Les tensions de blocage (Figure V-4) dans les
diffrents interrupteurs, changent en fonction du niveau de tension en sortie mais pour tous les
interrupteurs la tension de blocage maximale est gale E/2.

Figure V-4 Formes donde des tensions aux bornes des IGBT T1, T2, et T2b

Au niveau des pertes, cette commande a pour avantage, dans certaines conditions, davoir une
assez bonne rpartition des pertes dans les diffrents composants comme pour la commande
analogue pour la structure ANPC (Chapitre I). Mais dun point de vue global, une tude
prsente ultrieurement montrera qu il y a autant de pertes dans ce type donduleur avec
cette commande que pour un convertisseur multicellulaire srie avec un nombre de niveau de
tension de sortie quivalent.
V.B.3.Rsultats Exprimentaux
A partir de cette tude, un prototype a t ralis pour valider les rsultats issus de la
simulation. Ce prototype a t labor partir du prototype conu pendant la thse de Laurent
DELMAS [DEL]. La modification du prototype a uniquement eu lieu sur le design du busbar
afin de raliser la structure ASNPC. Lancien prototype est un convertisseur multicellulaire
superpos 3 cellules dont la dernire cellule (plus proche de la charge) est un onduleur
89
NPC. Bien sr tous les composants ne sont pas utiliss. De plus le design permet de simuler
dautres structures comme le NPC ou lANPC. En effet, la seule diffrence entre lANPC et
lASNPC est lajout dune connexion supplmentaire entre le neutre bus continu et la charge.
Pour assurer la stabilit du bus continu, deux redresseurs sont placs aux bornes des
condensateurs du bus continu. Il est alors ncessaire de placer entre le rseau et les
redresseurs deux transformateurs pour raliser une isolation galvanique des deux sources de
tension continue. Thoriquement pour une modulation sinusodale, cette installation nest pas
ncessaire car le courant moyen circulant dans les diffrents condensateurs est nul ; cette
installation est surtout utile dans des cas triphass o de linjection dhomopolaire est utilise.
En effet linjection dhomopolaire dplace le point milieu du bus continu et le systme
compos des deux transformateurs et des deux structures redresseurs permet de le stabiliser.
Par contre lutilisation de ce principe pour quilibrer le bus continu ajoute des composants
supplmentaires la structure par rapport la solution dun simple redresseur connect entre
le rseau triphas et le bus continu de la structure.

Figure V-5 Installation exprimentale du prototype donduleur ASNPC 3 niveaux

La commande est ralise par lintermdiaire dun FPGA et dun DSP. La partie FPGA gre
la commande rapproche du convertisseur, elle gnre la fois les porteuses qui dans notre
cas sont au nombre de deux (Le principe utilis est celui des porteuses dphass), la
comparaison entre la modulante et les diffrentes porteuses, la logique combinatoire
permettant de gnrer les ordres de commande ainsi que la gestion des temps morts. Cette
programmation est ralise sur le logiciel QUARTUS. La modulante est gnre dans le DSP.
Il serait aussi possible de raliser une boucle de courant grce au DSP.

Le prototype tant une structure monophase, la modulation utilise est une modulation
sinusodale. En effet les structures utilisant le principe du fractionnement tels que le NPC ou
lASNPC, ne peuvent pas tre utilises pour une application de conversion statique continu-
continu (Hacheur) car elles dsquilibrent le bus continu. De plus avec une structure
monophase, il est impossible de raliser de linjection dharmoniques. La frquence de
dcoupage utilise est de 16kHz. Le bus continu a une valeur de 400V, les tensions de sortie
sont alors gales [-200V, 0V, +200V]. La charge en sortie est compose dun banc de
charge 4kW rgl pour avoir une rsistance gale 9,8, et une inductance gale 6mH. Les
composants IGBT utiliss pour raliser ce prototype sont les IXSN 80N60AUI du
constructeur IXYS. Ces composants ont un calibre en tension de 600V et peuvent tre utiliss
en toute scurit pour bloquer une tension de 300V, leur calibre en courant est de 80A
efficace. La structure nest pas utilise dans des conditions optimales. En effet avec ces
composants, il est possible davoir un bus continu avec une valeur suprieure (600V). Mais les
90
composants ralisant la charge ne sont pas adapts pour avoir des valeurs de tensions
suprieures sur le bus continu.

Sur la Figure V-6 sont prsents quelques rsultats exprimentaux sur le prototype. Les trois
niveaux de tension sont clairement visibles sur la tension de sortie. De plus, il est possible
dobserver une petite ondulation sur la tension de sortie qui correspond la variation de la
tension aux bornes des condensateurs du bus continu. Par contre londulation sur le courant de
sortie nest pas visible : ceci est d limportance de la frquence de dcoupage apparente en
sortie. Cette frquence de dcoupage apparente est remarquable sur la Figure V-6B), la forme
donde de la tension de sortie est une frquence deux fois plus importante que les frquences
des formes dondes des tensions aux bornes des diffrents interrupteurs. Il est galement
visible que linterrupteur T
2b
possde deux tensions de blocage diffrentes E/2 et E/4.

Figure V-6 Rsultats Exprimentaux pour londuleur ASNPC 3N : A) jaune : Tension de sortie, vert : modulante
bleu : courant de sortie, B) jaune : tension de sortie, Bleu : tension aux bornes de linterrupteur T1, violet :
tension aux bornes de linterrupteur T2, vert : tension aux bornes de linterrupteur T2b

V.B.4.Pertes dans londuleur ASNPC
Pour cette structure une analyse de perte a t effectue pour la commande permettant de
doubler la frquence de dcoupage prsente dans le paragraphe prcdent. Celle-ci a t
effectue dans des conditions diffrentes de celle prsente dans la partie exprimentale. En
effet pour se rapprocher des conditions de ltude sur lANPC de la thse de T. Brckner
[BRU]. Le bus continu est un bus de 3400V, la charge est une source de courant sinusodale
suppose parfaite avec une valeur efficace gale k*720A, o k est la profondeur de
modulation, et dphase dun angle par rapport la modulante. La modulante est la
frquence de 50Hz et a une valeur maximale gale k. La frquence de dcoupage vaut
1000Hz ce qui permet davoir en sortie une frquence de dcoupage apparente de 2000Hz et
la frquence de modulation de 50Hz.

91

Figure V-7 Rpartition des pertes dans les diffrents composants semi-conducteurs pour une profondeur de
modulation gale 0.8 et un facteur de puissance : A) PF=0.86 B) PF=0

La rpartition des pertes dpend du facteur de puissance. Pour un facteur de puissance
PF=0.86, les pertes sont plus concentres dans les interrupteurs T
1
et T
2
ainsi que par
symtrie dans T
3b
et T
4b
. les pertes importantes dans linterrupteur T
2
(et respectivement T
3b
)
sont normales car cet interrupteur est la fois utilis pour raliser le niveau E/2
(respectivement E/2) et une fois sur deux le niveau 0. Un des avantages de la structure
ASNPC, est davoir une bonne rpartition des pertes pour une charge possdant un dphasage
de 90 par rapport la tension. Avoir une bonne rpartition des pertes permet davoir un
meilleur dimensionnement du dispositif de refroidissement.
Lintrt de cette structure au niveau des pertes, est la triple redondance pour raliser le
niveau intermdiaire. Pour limplantation dune commande permettant de rpartir les pertes
dans les diffrents composants, lajout dun nouveau degr de libert nest pas ngligeable.
Toutefois certains composants sont contraints davoir des pertes constantes quelle que soit la
commande. En effet pour raliser les niveaux E/2 et E/2, il est obligatoire dutiliser les
interrupteurs T
1
et T
4b
, la rpartition des pertes se fait alors plutt dans les autres interrupteurs
et uniquement lorsque le niveau dsir en sortie est le niveau intermdiaire.

Cette structure est une variante de la structure ANPC assez intressante par lajout dune
branche entre la sortie de londuleur et le point milieu du bus continu. Cette structure permet
davoir en sortie une forme donde de tension avec une frquence de dcoupage apparente
double par rapport la frquence de dcoupage des diffrents interrupteurs et cela sans
lutilisation de source de tension flottante comme pour le convertisseur multicellulaire srie 3
niveaux. Or lASNPC contrairement cette dernire structure ncessite davoir pour un mme
niveau de tension en sortie un nombre de composants deux fois plus grand. De plus cette
structure possde au niveau des pertes, dans certain cas (facteur de puissance nul), des
caractristiques intressantes au vu de la rpartition des pertes. Mais au niveau des pertes
globales dans la structure, elles sont comparables celles de structures NPC ou ANPC.

V.C. Analyse prliminaire sur la faisabilit du partage de
composants
La structure prsente dans le paragraphe prcdent possde trois niveaux de tension en
sortie, mais aussi 8 interrupteurs pour chaque phase. Si cette structure veut tre utilise pour
une application triphase, le nombre dinterrupteurs alors utiliser est multipli par trois et
atteint un total de 24 IGBT (et autant de diodes) : ce paramtre peut tre handicapant lors du
choix dune structure pour une application donne. Le but des structures prsentes dans ce
V.C Analyse prliminaire sur la faisabilit du partage de composants
92
chapitre est de rduire ce nombre de composants en partageant certains dentre eux entre
toutes les phases. Ceci est possible certaines conditions : premirement les interrupteurs qui
peuvent tre partags ne doivent pas tre connects directement la sortie. La structure, pour
pouvoir partager certains de ces composants, doit possder un certain nombre de redondances
pour raliser certains niveaux.
Si la modulation est une modulation classique de type MLI intersective avec des modulantes
possdant toute la mme profondeur de modulation et tant dphases entre elles de 120. La
Figure V-8 reprsente les diffrentes modulantes ainsi quune image de la tension de sortie de
rfrence pour une priode de modulation.

Figure V-8 Formes donde de la modulante et de la tension de sortie de rfrence

Sur cette figure, il est remarquable quune priode de modulation puisse tre divise en 6
parties. Pour ces six parties distinctes, chaque phase commute dans une bande (Figure V-8)
qui correspond la porteuse utilise pour laborer le signal de rfrence. Sachant quil y a
trois phases et que le nombre de bandes est gal 2, le nombre de combinaisons possibles est
alors gal 8. Comme les modulantes sont dphases de 120 entre elles, le nombre de
combinaisons est alors gal 6 car les modulantes ne pourront jamais tre en mme temps
dans la mme bande. Sur cet exemple de modulation, il est visible que pratiquement toutes les
combinaisons possibles au niveau de la tension dsire en sortie doivent tre ralisables. Les
combinaisons o les tensions de rfrence sont toutes gales ne sont pas reprsentes. Avec
une modulation classique, uniquement celle o les tensions de rfrence sont toute gale 0
doit tre ralisable quand la profondeur de modulation infrieure 0.5.
Pour pouvoir partager des composants entre les diffrentes phases, il est ncessaire que
lorsquune phase doit raliser un certain niveau, les deux autres phases doivent pouvoir
raliser toutes les autres combinaisons. Au niveau de la structure de base ( partager), il est
ncessaire sur celle-ci, que pour toutes les combinaisons de tension en sortie entre les trois
phases, il existe une possibilit, sur chaque phase, de raliser les niveaux de tension sans
utiliser les composants utiliss respectivement sur les autres phases.

93
V.D.LActive-Stacked-NPC partage de composants
V.D.1.Possibilit de partager certains composants de cette structure
Dans le paragraphe de prsentation de la structure ASNPC, il a t montr que cette structure
possdait trois redondances pour raliser le niveau intermdiaire (Figure V-9), mais une
unique possibilit pour les deux autres niveaux de tension.

Figure V-9 Possibilits pour raliser les diffrents niveaux de tension en sortie

Les deux conditions de partage sont runies pour les interrupteurs formant une cellule aux
bornes des condensateurs du bus continu. En effet ceux-ci ne sont pas directement connects
la sortie du convertisseur, et de plus il est possible pour chaque niveau de tension, davoir une
possibilit qui nutilise jamais plus dune fois le mme interrupteur. La mutualisation de
certains interrupteurs est donc possible.
Si ceci est possible avec lASNPC, londuleur ANPC ne possde pas ces conditions pour
pouvoir partager certains de ses composants pour une application triphase. En effet, pour
raliser le niveau intermdiaire, il faut obligatoirement utiliser un interrupteur qui peut tre
dj utilis pour raliser les niveaux E/2 ou E/2.

V.D.2.La structure partage de composants
La structure partage de composants propose est reprsente Figure V-10. La diffrence
entre lASNPC (Figure II-1) et cette nouvelle structure est la mutualisation des interrupteurs
T
1
, T
1b
, T
4
, et T
4b
des diffrentes phases remplaces par les interrupteurs T
Ms
, T
Msb
, T
Mi
, et
T
Mib
. Ceci permet de rduire le nombre total dinterrupteurs dans la structure de 8
V.D LActive-Stacked-NPC partage de composants
94
composants. Une application triphase avec un ASNPC comprendrait 24 IGBT (et autant de
diodes), alors que cette structure nen comprend que 16.

Figure V-10 Onduleur ASNPC 3 niveaux partage de composants

Le nombre de niveaux de tension en sortie reste inchang et est gal 3. Le nombre de
niveaux de tension entre phases est gal 5. Toutes les combinaisons sont a priori ralisables,
mais celles-ci possdent des proprits diffrentes selon les niveaux raliser en sortie par
chaque phase. Par exemple dans le cas de la Figure V-11-A, chaque niveau nest ralisable
que dune seule faon. Alors que dans le deuxime cas (Figure V-11-B), le niveau
intermdiaire pour la deuxime phase est ralisable de deux manires diffrentes.

Figure V-11 Exemple de ralisation de certaine combinaison :A) [E/2, 0,-E/2] B) [-E/2, 0,-E/2]

Les redondances de ce niveau intermdiaire ne peuvent pas tre utilises pour doubler la
frquence de dcoupage apparente en sortie comme dans le cas de la structure ASNPC
monophas. Cette fois-ci la redondance sur le niveau intermdiaire nest pas toujours
disponible et dpend du niveau de tension demand par les autres phases. La possibilit de
doubler la frquence de dcoupage apparente nest donc plus possible mais ces redondances
peuvent tout de mme tre utilises pour rpartir les pertes dans les diffrents composants ou
encore limiter les pertes par commutation en essayant de faire commuter le moins de
composants possible.

La tenue en tension des composants est impose par les cas de fonctionnement les plus
limitant, c'est--dire ceux ne possdant pas de redondance. Sur la Figure V-11-A, il est
possible de dterminer les tenues en tension des diffrents composants. La plupart dentre eux
doivent avoir une tenue en tension gale E/2, comme dans le cas dune utilisation de
95
londuleur ASNPC 3 niveaux. Ce qui change dans le cas de cette nouvelle structure est la
tenue en tension des composants T
X1
et T
X2b
(X=R, S, T). En effet celle-ci doit tre
maintenant gale E. Lautre possibilit est de ddoubler ces interrupteurs pour avoir une
tenue en tension aux bornes de chacun gale E/2 et essayer den faire commuter un de deux
interrupteurs mis en parallle une frquence beaucoup plus faible que la frquence de
dcoupage. Mais cette structure a dabord t pense pour limiter le nombre total de
composants dans la structure : ddoubler ces interrupteurs ajoute 6 interrupteurs dans la
structure. Le nombre de total dinterrupteurs dans la structure est alors de 22 IGBT (et autant
de diodes en parallle) alors que la structure ASNPC en triphas utilise 24 IGBT (et autant de
diodes). Dans la suite de ltude, les composants devant tenir une tension gale E sont
considrs comme ddoubls en essayant chaque commande de faire en sorte que celui-ci
commute le moins possible. Les rsultats au niveau de cette tude structurelle ne sont pas trs
probant, nanmoins cette structure savre intressante au niveau de la commande et de
lutilisation des redondances quelle possde pour raliser certains niveaux.

V.D.3.Commande de la structure partage de composants
a.Organisation de la commande et analyse des redondances
La structure de la commande est reprsente sur la Figure V-12. Elle est compose de deux
parties : la premire partie est un modulateur (MOD) qui permet de gnrer une forme donde
qui est limage de la tension idale de sortie. La deuxime partie de la commande (GENE) a
pour but de gnrer les ordres de commande pour les diffrents interrupteurs [MCG1] [GOS]
[COU].

Figure V-12 Schma synoptique de la commande

La premire partie de cette commande sert gnrer les niveaux pour les diffrentes phases
Ces niveaux de tension sont dcrypts ensuite par une machine dtat. Chaque phase possde
son modulateur avec pour entre la modulante ainsi que les diffrentes porteuses. Ceci permet
davoir en sortie les diffrents niveaux de rfrence quelle que soit la modulante (avec ajout
ou non dhomopolaire) mais aussi indpendante de la modulation : Phase Shift (PS), Phase
Opposition Disposition (POD), Phase Disposition (PD) (voir chapitre VI). Ce modulateur est
indpendant de la structure place en aval et est rutilisable pour toute structure possdant
trois niveaux de tension en sortie

Il est possible de reprsenter les diffrentes possibilits ralisables par ce convertisseur dans
un plan diphas en ralisant la transformation de Concordia suivante :
96

|
|
|
.
|
\
|
|
|
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
Vt
Vs
Vr
V
V
2
3
2
3
0
2
1
2
1
1
3
2
|
o

Eq. V-1

Les diffrentes possibilits sont places sur des hexagones (Figure V-13), o chaque point
peut tre ralis par une, deux ou trois combinaisons en fonction de sa place sur lhexagone
d au triphas. La redondance au niveau des points nest pas utilise car choisir entre lun ou
lautre des vecteurs dun mme point naura pas dincidence au niveau de la tension entre
phase. Uniquement les redondances structurelles concernant la ralisation du niveau
intermdiaire sont utilises.

Figure V-13 Reprsentation des diffrentes combinaisons dans le plan de Concordia (, )

Les diffrentes redondances permettent dlaborer diffrentes commandes ayant pour objectif
la minimisation des pertes ou lamlioration des formes dondes de sortie. Dans cette tude, 3
commandes ont t implantes. Elles ont principalement pour but la rpartition des pertes
dans les diffrents composants semi-conducteurs ou encore la minimisation des pertes par
commutation en minimisant le nombre de composants qui doivent tre actifs pour chaque
commutation.
b.Stratgies de Commande du convertisseur partage de composants
La premire commande est une commande simple qui reprend la commande de lASNPC en
limitant le nombre de commutations de certains interrupteurs quand cela est possible. Cette
commande utilise la proprit des diffrents secteurs, visible sur la Figure V-8. Pour chaque
secteur, il est possible de voir quune phase ralise ses commutations dans une bande de
tension diffrente des deux autres phases. Par exemple pour le premier secteur, les phases R et
97
T commutent dans la bande de tension positive alors que la troisime phase (S) commute dans
la bande de tension ngative. Le principe de la commande est alors de raliser les niveaux
souhaits par une des cellules partages lorsque la phase est la seule commuter dans sa
bande de tension ou de commuter avec la cellule de sortie propre chaque phase lorsque deux
phases commutent dans la mme bande de tension. Cette commande est simple mais ne
profite pas des multiples redondances offerte par le convertisseur. En effet pour chaque
combinaison, une seule redondance est choisie dans le but de valider le principe du partage.
De plus, cette commande est galement la plus facile implanter mme si le nombre dtats
de la machine dtat est assez lev (27) et que le nombre de conditions (de 3 6) pour
changer dtat est lui aussi assez grand.

La seconde commande implante est une commande ayant pour but de rpartir les pertes dans
les diffrents composants semi-conducteurs. Pour cela partir des informations issues des
diffrents modulateurs, il est possible de dterminer la combinaison qui doit tre utilise et
ainsi dterminer selon une nouvelle logique les interrupteurs qui doivent tre utiliss pour
raliser la conversion. La commande ayant pour but de mieux rpartir les pertes dans les
diffrents composants, la logique implante utilise les interrupteurs les moins utiliss pour
raliser la conversion. A chaque changement dtat, une incrmentation de compteurs
mmorisant lutilisation de chaque composant est ralise. Ce choix se fait exclusivement sur
les interrupteurs qui ne sont pas partags, les composants partags entre les diffrentes phases
sont eux beaucoup plus utiliss car en commun sur les trois phases, la logique dcisionnelle
reviendrait alors choisir uniquement la branche intermdiaire sur toutes les phases pour
raliser les niveaux intermdiaires. Les rsultats, au final, seraient comparables aux rsultats
obtenus avec un SMC2x1 avec linconvnient davoir des composants supplmentaires qui,
pour certains, ne seraient mme pas utiliss. Cette commande nest pas optimale pour
quilibrer les pertes dans les composants car elle ne tient pas compte du temps pendant lequel
les tats sont appliqus, ni si le courant est conduit dans lIGBT ou la diode. La meilleure
solution pour avoir une commande performante rpartissant les pertes dans les diffrents
composants serait dvaluer tout moment la temprature de jonction aux bornes de tous les
composants semi-conducteurs [BRU2] et en fonction du courant, de choisir la solution qui
minimiserait les diffrentes tempratures de jonction [BRU]. La solution implante est une
solution plus simple qui permet tout de mme davoir des rsultats plus satisfaisants que pour
la commande simple.

La troisime commande implante a pour but de minimiser les pertes par commutation dans
les diffrents composants semi-conducteurs afin dviter des commutations multiples pour
raliser un niveau. Pour cela, une tude prliminaire a permis de rpertorier toutes les
commutations possibles et choisit pour chaque transition possible (exemple sur la Figure
V-14)

98

Figure V-14 Exemple de commutation entre la combinaison [E/2, 0,-E/2] et la combinaison [E/2, 0, 0] reprage
du nombre de commutations obligatoires

les solutions mettant en uvre le moins dinterrupteurs possible pour raliser la commutation.
Si cette commande est simple et ne faisant appel aucun calcul ou aucun capteur, son tude
prliminaire peut tre longue car il est ncessaire de regarder lensemble des cas. Nanmoins
beaucoup de combinaisons ne sont pas utilises : en particulier celles permettant le transit du
courant par deux chemins diffrents ne sont pas utilises car elles ne permettent pas un
contrle de la rpartition du courant dans un ou lautre des chemins. De plus, il est fait
lhypothse que deux phases ne changent pas en mme temps mais chaque fois lune aprs
lautre ce qui permet de mieux contrler les transitions et viter davoir trop de transitions
entre les tats de la machine dtat. Pour les mmes raisons, les commutations pour les
diffrentes phases se font entre des niveaux de tension conscutifs, c'est--dire quuniquement
les commutations entre E/2 et 0, 0 et E/2, 0 et E/2 et E/2 et 0 sont prises en compte. Ceci
limite le nombre de transitions grer pour laborer la machine dtat qui est tout de mme
assez complexe.
Le point ngatif de ces deux dernires commandes, rpartition des pertes et minimisation des
pertes par commutation, rside en une non-utilisation complte des diffrentes redondances.
Cette limitation volontaire est due la mconnaissance de la rpartition des courants dans les
diffrents composants. Cette limitation est pnalisante dans la troisime commande car elle
oblige faire commuter des interrupteurs qui nauraient peut-tre pas besoin de commuter
dans un cas o la rpartition du courant serait parfaite et connue.

V.D.4.Rsultats de Simulation sur la Structure Partage de Composants
a.Formes dondes et proprits en sortie du convertisseur
Pour simuler cette structure, les diffrents paramtres pris sont similaires la simulation de
lASNPC vue dans un paragraphe prcdent, savoir un bus continu de 3400V, une frquence
de dcoupage de 1kHz, et une modulante une sinusodale sur chaque phase dcale entre elles
dun angle de 120 et ayant une profondeur de modulation 0.8. La charge est quand elle
99
compose de trois sources de courant parfaites dphases elles aussi de 120. Le facteur de
puissance de ces sources est gal 0.86.

Figure V-15 Formes donde de la tension de sortie entre la phase R et le neutre, la tension entre les phases R et
S, le courant de sortie et le courant traversant linterrupteur T
Ms
et du courant de sortie pour la premire
commande

Sur la Figure V-15, il est possible de distinguer sur la tension de sortie les trois niveaux de
tension pour la tension simple, et les 5 niveaux de tension pour la tension entre phases. De
plus sur la forme donde de la tension entre phases, le doublement de la frquence de
dcoupage apparente par rapport la frquence de dcoupage de la forme donde de tension
simple est visible. Ces deux formes dondes ainsi que celle du courant de sortie sont
indpendantes de la commande. En effet la forme donde des tensions simples pour chaque
phase dpend de la rfrence issue des diffrents modulateurs. Ceci est totalement
indpendant de la logique de contrle qui assigne les ordres de commande aux diffrents
interrupteurs.
En ce qui concerne le courant, les interrupteurs sont certes mutualiss, mais ils ne voient pas
au niveau du courant maximum trois fois plus de courant. Le maximum du courant est gal au
maximum du courant absorb par la charge. Ceci a pour consquence de ne pas avoir
surdimensionner ces interrupteurs partags au niveau du calibre en courant. Nanmoins la
valeur du courant efficace est beaucoup plus leve que dans le cas o linterrupteur nest pas
partag (ASNPC simple). Il faut prvoir dans ces interrupteurs beaucoup plus de pertes.

100

Figure V-16 Formes donde de la tension aux bornes de linterrupteur T
R1
pour les diffrentes commandes
(celui-ci nest pas doubl pour assurer la tenue en tension)

La Figure V-16 reprsente la tension aux bornes de linterrupteur T
R1
pour les diffrentes
commandes dveloppes dans le paragraphe prcdent. Lintrt de cette figure ne se situe
pas quand la tension est leve car pour les trois commandes, la tension est identique. Elle se
situe plutt au niveau des diffrences de commutations lorsque la tension commute entre 0 et
E/2 o les redondances sont exploites. Les diffrences entre les formes dondes sont assez
minimes et difficilement visibles car le nombre de redondances est finalement assez rduit.
Ces diffrences feront tout de mme quelques carts au niveau dune analyse des pertes dans
les diffrents composants pour les diffrentes commandes.

b.Analyse des pertes pour les diffrentes commandes
Pour valuer leffet des diffrentes commandes sur la rpartition des pertes dans les
composants, une analyse de pertes a t effectue. Pour valuer ces pertes, la solution adopte
est un calcul numrique avec le logiciel PSIM. Le calcul thorique ntant pas possible dans
la plupart des commandes car trop complexe, le calcul numrique apparat alors comme la
seule alternative pour pouvoir valuer les pertes dans les composants semi-conducteurs. Dans
le cas de la commande simple, il est possible dutiliser le principe de lvaluation rapide des
composants prsent dans un chapitre prcdent. Il faut dabord reprer le rle de toutes les
cellules ou duos dinterrupteurs puis les diffrents instants o ils sont bloqus, conduisent,
ou commutent la frquence de dcoupage.
Pour le calcul numrique, les interrupteurs utiliss sont les FZ1200R33KF2C [EUP] de la
marque EUPEC. Ils sont dimensionns pour commuter une tension de 1800V et peuvent avoir
un courant les traversant jusqu 1200A. Les conditions de test sont identiques celles de la
simulation mais pour deux facteurs de puissance diffrents : 0.86 et 0. Le calcul numrique
ncessite une premire tape de renseignement des diffrentes donnes concernant lIGBT et
la diode au niveau statique ainsi que les caractristiques dynamiques. A partir des
renseignements issus des donnes du constructeur, il est possible alors de dterminer les
pertes aussi bien la frquence de dcoupage que les pertes moyennes sur une priode de
modulation. Le calcul est effectu en fonction des courants moyens et efficaces traversant les
composants pour les pertes en conduction ainsi que des valeurs des courants et des tensions
commuts pour les pertes par commutation.
101

Figure V-17 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande basique : A) PF=0.86 et
B) PF=0

Les pertes sont principalement situes dans les cellules partages ce qui est comprhensible
car le courant efficace y est plus important (Figure V-15). Dailleurs il est possible de
remarquer que la cellule partage (Tm-Dm) possde beaucoup de pertes lorsque le facteur de
puissance est grand. En effet pour un facteur de puissance nul, les pertes dans les interrupteurs
partags sont comparables. Une proprit de lASNPC qui conduit une rpartition des pertes
assez bonne est retrouve pour des facteurs de puissance proche de 0.

Figure V-18 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande pour la rpartition des
pertes : A) PF=0.86 et B) PF=0

Pour cette deuxime commande dont le but est de rpartir les pertes dans les diffrents
composants semi-conducteurs, le rsultat (Figure V-18) a t daugmenter les pertes dans les
interrupteurs des cellules partages. Ceci est logique car la commande ne rpartit les pertes
que dans les interrupteurs non partags car pour rpartir les pertes dans tous les interrupteurs,
la meilleure solution reste de raliser le niveau intermdiaire avec la branche intermdiaire
chaque fois ce qui reviendrait avoir un convertisseur multicellulaire superpose 1x2. Il est
possible dobserver tout de mme quavec cette commande les pertes globales sont plus
faibles que pour la premire commande. Ceci est d au nombre de composants qui doivent
commuter au total qui doit tre plus faible.

V.E Comparaison de cette structure avec dautres onduleurs multiniveaux
102

Figure V-19 Rpartition des pertes dans les diffrents composants pour la commande moindre effort de
commutation : A) PF=0.86 et B) PF=0

La rpartition des pertes avec la dernire commande (Figure V-19) est encore meilleure
quavec la prcdente commande, mme si celle-ci comme les deux autres possdent la
majorit des pertes dans les composants partags. Nanmoins, les composants qui ne sont pas
partags restent avec des valeurs convenables. Lide pour une ralisation de cette structure
peut tre dutiliser des composants plus performants pour les interrupteurs partags ou encore
un systme de refroidissement diffrent entre les interrupteurs propres chaque phase et les
autres interrupteurs, car ceux-ci limitent les performances globales de la structure par leurs
pertes assez leves.
Globalement cette commande est la meilleure des trois commandes aux niveaux des pertes
totales engendres par les interrupteurs. Effectivement cette commande a pour but de limiter
les pertes par commutation qui sont prdominantes. De limiter celle-ci permet donc davoir un
meilleur rendement pour cette structure.

V.E.Comparaison de cette structure avec dautres onduleurs
multiniveaux
Afin dvaluer les performances de cette structure, une tude comparative avec dautres
structures de conversion mieux connues a t conduite. Ces structures sont le convertisseur
Neutral Point Clamped (NPC) 3 niveaux et la structure qui se rapproche le plus de la structure
partage, c'est--dire lASNPC. Lvaluation se fait sur plusieurs points dabord sur le nombre
de composants, sur les caractristiques de la frquence en sortie et les pertes globales dans
cette structure. La comparaison des pertes a t effectue dans les mmes conditions que pour
lanalyse de pertes prcdente. Les diffrents rsultats de cette tude sont rsums dans le
Tableau V-2.

103

Structure Partage
de composants
NPC triphas ASNPC triphas
IGBT+Diode 6 [E] + 10 [E/2] 12 [E/2] 24 [E/2]
Diodes de
Clampe
0 6 [E/2] 0
Frquence de
dcoupage
Apparente
1000 1000 2000
Pertes totales
pour PF=0.86
21070 16456 24292
Pertes totales
pour PF=0
17008 15369 23453
Tableau V-2 Tableau comparatif entre les diffrentes structures de conversion

La structure est assez avantageuse sur le nombre de composants qui composent la structure
compare aux deux autres structures. Mais au niveau de la frquence apparente, lASNPC
peut doubler celle-ci par rapport la frquence de dcoupage des interrupteurs alors que ce
doublement nest pas possible avec les deux autres structures. Tout de mme cette structure
nest pas optimale au niveau des pertes totales. La structure NPC possde de meilleures
performances au niveau global, mais la rpartition de ces pertes nest pas trs bonne alors
quelle peut tre contrle dans le cas de lASNPC. Les rsultats des Figure V-17, Figure
V-18, Figure V-19 ont montr que, mis part les interrupteurs partags, les autres IGBT et
diodes ont des pertes quivalentes.

V.F.Conclusion
Le partage de composants est une technique pour essayer de limiter le nombre global de
composants dans les structures multiniveaux. En effet lutilisation de structures multiniveaux
impose dans la plupart des cas une augmentation du nombre de composants. Lide de
partager certains dentre eux peut tre une ide pour rduire ce nombre dans certain cas.
Nanmoins ceci nest pas possible avec toutes les structures car pour pouvoir partager certains
composants entre les diffrentes phases, cela impose certaines conditions. Lune des
principales pour pouvoir partager des composants concerne le nombre de redondances que
possde la structure initiale.
La structure propose ASNPC et une variante du NPC et offre la possibilit de partager les
diffrents interrupteurs entre les diffrentes phases pour le cas triphase. Les redondances
permettent en effet de partager certains composants. Le partage entrane la perte de certains
avantages de cette structure tels que laugmentation de la frquence de dcoupage apparente
par rapport la frquence de dcoupage des interrupteurs, ou encore une tenue de tension
identique gale E/2 sur tous les composants. Sur cette structure, diffrentes commandes ont
t implantes qui ont pour but soit de rpartir les pertes dans les diffrents composants, soit
dessayer de rduire les pertes par commutation ce qui a pour consquence de rduire les
pertes totales dans la structure. Nanmoins cette structure nest pas vraiment avantageuse par
V.F Conclusion
104
rapport des structures multiniveaux quivalentes en termes de niveaux de tension en sortie,
de formes dondes en sortie, ou encore de tenue en tension des composants

Partie III : Mise en uvre de
Structures de Conversion
Multiniveaux
CHAPITRE VI. Structures Multiniveaux Hybride Srie-Parallle
107
CHAPITRE VI
STRUCTURES MULTINIVEAUX HYBRIDE SERIE-
PARALLELE
VI.A. Introduction
Les convertisseurs multicellulaires parallles constituent une famille de convertisseurs
multiniveaux. Souvent construits par dualit des convertisseurs multicellulaires sries, ils ont
trouv leur place dans de nombreuses applications telles que les Voltage Regulator
Modules (VRM), le rseau de puissance automobile ou les onduleurs de secours de forte
puissance [COS]. Si les convertisseurs multicellulaires sries permettent daugmenter la
tension du bus continu en entre de londuleur, les convertisseurs parallles permettent
davoir des courants plus importants en sortie.
Outre la possibilit daugmenter le courant, les convertisseurs multicellulaires parallles
possdent les mmes avantages que les autres structures multiniveaux en terme de
dimensionnement des composants : rduction des calibres (de courant pour les structures
multiniveaux parallles, de tension pour les multiniveaux sries), amlioration des formes
dondes lentre et la sortie qui peuvent entraner une rduction de la masse de certains
composants, ou encore la modularit de ces types de convertisseurs qui permettent de
rpondre assez rapidement une modification du cahier des charges. Tout ceci entrane bien
sr une rduction du cot total du convertisseur. Mais la mise en uvre de ce genre de
convertisseur entrane aussi quelques inconvnients lors de lapplication du principe
permettant damliorer les formes dondes en sortie. Ces problmes sont prsents dans la
suite ainsi que les diffrents principes de correction.
Les structures multicellulaires parallles permettent daugmenter le courant en sortie, alors
que les structures sries accroissent la tension du bus continu. Il est alors possible davoir une
nouvelle catgorie de convertisseurs qui permettent daugmenter ces deux paramtres en
mme temps. Dans la suite de ltude sont prsents deux onduleurs. Le premier de ces
onduleurs est bas sur la structure de lActive-NPC utilisant un partage de composants.
Lautre structure est une mise en parallle de deux structures multicellulaires sries. Cette
mise en parallle implique de nouveaux dfis pour viter des problmes dj connus et
corrigs indpendamment pour ces deux types de convertisseurs.
De ces deux structures a t conu un prototype de moyenne puissance qui a permis de valider
un grand nombre de rsultats. De plus ce prototype a t conu dans le but davoir une
certaine modularit permettant de tester ces deux convertisseurs en modifiant uniquement le
busbar. Pour la structure partage de composants, une commande a t implante. Celle-ci a
t ralise en commande numrique avec un FPGA dans lequel a t implant un processeur
permettant de raliser des traitements lgers qui corrigent les problmes lis lutilisation
dune telle structure.

VI.B Londuleur multiniveaux parallle 3 niveaux triphas
108
VI.B. Londuleur multiniveaux parallle 3 niveaux triphas
VI.B.1.Topologie de londuleur
Londuleur multiniveaux parallle 3 niveaux triphas est une mise en parallle de deux
onduleurs triphass. La connexion de ces deux onduleurs est ralise par des inductances
appeles inductances de liaison. Ces inductances sont places pour absorber les diffrences de
tension instantane au niveau de la sortie des deux onduleurs et ainsi viter tout court-circuit
du bus continu en entre.

Figure VI-1 Onduleur ASNPC monophas 3 Niveaux [COU1]

Pour chaque phase la mme modulante est applique sur chaque cellule de commutation. Les
porteuses des deux cellules de commutation sont dphases entre elles de 180. Les ordres de
commande obtenus ainsi sont dphass de entre deux bras dune mme phase. Lextension
de cette structure avec plusieurs bras en parallle impose au niveau des porteuses un
dphasage entre elles gale
. Ces diffrentes proprits au niveau de la commande sont

identiques celles prsentes dans le Chapitre I pour le convertisseur multicellulaires srie.
Le dphasage permet dintroduire une commande entrelace entre les diffrents bras dune
mme phase et ainsi de rduire londulation de courant de sortie due au dcoupage [COS].
109

Figure VI-2 Ondulation rduite du courant de sortie en fonction du nombre de cellules p mise en parallle
[COS]

La Figure VI-2 montre lvolution de londulation du courant de sortie la frquence de
dcoupage en fonction du rapport cyclique du signal de commande des cellules de
commutation. Un autre avantage de la mise en parallle, visible sur cette figure, est
lexistence de points o londulation du courant, la frquence de dcoupage est nulle
[ADA]. Ces points correspondent aux transitions entre les diffrentes bandes o la tension
commute.
Un autre avantage de ces structures comme pour les structures multicellulaires srie est
laugmentation de la frquence de dcoupage apparente en sortie par rapport la frquence de
dcoupage relle. Ceci est d au dphasage des ordres de commande sur les diffrents bras
dune mme phase qui entrane en sortie un dphasage au niveau des tensions sortie de chaque
bras. La consquence de ces dphasages est davoir sur la somme des formes donde de
tension multiniveaux avec une frquence de dcoupage apparente augmente et fonction du
nombre de bras mis en parallle. Cette augmentation permet davoir pour le filtre de sortie un
condensateur dimensionn pour une frquence gale p*F
dec
et donc avec un volume plus
petit que pour un convertisseur 2 niveaux classique.

La liaison entre les diffrents bras dune mme phase peut se faire de diffrentes mthodes.
La premire et la plus simple est lutilisation dinductances de liaison. Ces inductances sont
ncessaires car elles permettent dviter un court-circuit entre les diffrents bras. Si ces bras
possdent le mme rapport cyclique, les porteuses de ces bras sont dphases dun angle non
nul entre elles ce qui entrane des tensions instantanes en sortie de ces bras avec
rgulirement des valeurs diffrentes, il est donc ncessaire de placer des lments capables
dabsorber les diffrences de tension. Si la mise en parallle de plusieurs bras en entrelaant
les cellules permet de rduire londulation du courant en sortie, elle ne rduit en rien
londulation du courant dans chaque bras. De mme que laccroissement de la frquence de
dcoupage apparente en sortie est visible sur londulation du courant de sortie, les courants
dans chaque inductance restent la frquence de dcoupage de la cellule de commutation.
Une forte ondulation du courant entrane une augmentation des pertes en conduction dans les
diffrents composants de puissance ainsi quune augmentation des pertes cuivre haute
frquence dans les bobinages des inductances de liaison. Dautres inconvnients lis ces
ondulations des courants dans les diffrents bras sont visibles lors du dimensionnement des
110
inductances de liaison. La mise en parallle des bras avec des inductances de liaisons a pour
consquence daugmenter le volume global des inductances si la mise en parallle devient
trop importante ; lautre solution pour connecter les diffrents bras entre eux est le couplage
des diffrentes inductances sur le mme noyau magntique [MEY2]. Ce composant est appel
transformateur inter-cellule (ICT). Le principe est de partager lentrefer des inductances entre
les diffrents bras et ainsi de rduire londulation de courant dans les diffrents bras.

Figure VI-3 Formes dondes des courants de sortie et dun bras pour une topologie 3 bras en parallle avec
un couplage : rouge inductance indpendante, bleu inductance couple [COS]

La Figure VI-3 montre la diffrence sur les formes dondes du courant de sortie et du courant
dun bras lors de lutilisation dinductances indpendantes ou dun transformateur inter-
cellules pour une application donne [COS]. Si londulation du courant la frquence de
dcoupage apparente est identique pour le courant de sortie, la diffrence au niveau de
londulation de courant dans chaque bras est bien visible. Il est aussi possible de voir que
londulation de courant dans le bras est la frquence de dcoupage quand les inductances
sont indpendantes alors que londulation est la frquence de dcoupage apparente lorsque
les inductances sont couples. Ceci est bien sr d au couplage magntique entre les diffrents
bras. Linduction magntique est aussi diminue lors de lutilisation de transformateurs inter-
cellules, ce qui permet de diminuer les pertes fer dans certaines parties de linductance.
Diffrentes tudes antrieures [BOU] [COU] ont tudi le couplage magntique notamment
sur la disposition des bobinages de linductance ou la ralisation de convertisseurs
multicellulaires parallles o les bras sont coupls deux deux. Dans la suite de ltude, la
liaison sera ralise par des inductances indpendantes, car le travail est surtout ax sur la
topologie dune nouvelle structure hybride, ainsi que sur la commande de celle-ci.
111
VI.B.2.Commande de londuleur multicellulaire parallle
a. Architecture de la commande
La commande de ce convertisseur peut tre trs simple en utilisant le principe de
lentrelacement et en rendant toutes les cellules indpendantes. En effet dans ce cas, chaque
cellule de commutation possde sa propre porteuse et celles-ci sont toutes dphases entre
elles dun angle gale
. Dans notre cas, le nombre de cellules mises en parallle est de 2

pour avoir 3 niveaux de tension en sortie. Pour amliorer les spectres et avoir plus de degrs
de libert sur la commande, une stratgie de commande lgrement plus complexe est
implante. Larchitecture est proche de celle dj prsente dans le chapitre prcdent.

Figure VI-4 Architecture de la commande du convertisseur multicellulaire parallle [COU1]

La diffrence entre les deux architectures de commande (celle du Chapitre 4 et celle prsente
ci-dessus) est le dcouplage (dans le second cas) de chaque bloc entre chaque phase. En effet
larchitecture prsente lors du partage de composants montrait que pour tre command, le
gnrateur des signaux de contrle devait tre commun entre les diffrentes phases du
convertisseur. Dans le cas prsent, chaque groupe de blocs (Modulateur-Gnrateur de
signaux-Convertisseur) est propre chaque phase. Lavantage dutiliser cette mthode de
commande est la modularit du systme. Si une partie est propre au convertisseur utilis,
lautre partie de la commande est utilisable pour diffrentes structures possdant le mme
nombre de niveaux de tension en sortie.
Le but principal du modulateur est de sortir une tension de rfrence en fonction des
modulantes et des diffrentes porteuses. Plusieurs options sont possibles au niveau de la
disposition des porteuses (Figure VI-5). La premire est celle introduite dans le dbut du
paragraphe avec un dphasage des porteuses : cette solution est appele Phase Shifted
(PS) . La deuxime est appele Phase Opposition Disposition (POD) : sur chaque bande
de commutation est dfinie une porteuse la frquence de dcoupage entre deux bandes
adjacentes, les porteuses sont dphases de 180.

112

Figure VI-5 Disposition des porteuses pour les trois types de modulation

La frquence de ces porteuses est gale la frquence de dcoupage apparente voulue pour la
tension simple en sortie du convertisseur. La dernire disposition de porteuses reprend le
principe de la dernire prsente au niveau de la disposition et de la frquence des porteuses ;
mais dans ce cas, les porteuses sont en phase. Cette dernire disposition est trs intressante
car elle permet de rduire certains harmoniques [MCG1] [HOL]. Mais elle est assez
contraignante car elle occasionne un dsquilibre des commutations et dautres problmes
expliqus dans la suite.

La gnration des signaux de contrle est gre par une machine dtat (Figure VI-6). Chaque
tat reprsente une combinaison ralisable par les cellules de commutation.

Figure VI-6 Machine dtat pour un onduleur multicellulaire parallle 3 niveaux [COU1]

Ltat de linterrupteur indiqu sur la machine dtat est celui du haut sur la cellule de
commutation, bien sr la commande de lautre interrupteur est complmentaire. Sur la Figure
VI-6, il est possible de voir que plusieurs combinaisons peuvent raliser un mme niveau de
tension en sortie. Comme dans le cas du convertisseur multicellulaire srie, il existe une
redondance pour le niveau intermdiaire. Cest dailleurs cette redondance qui permet
daugmenter la frquence de dcoupage apparente en sortie par rapport la frquence de
commutation des diffrents interrupteurs. La gestion de cette redondance dans la machine
dtat est ralise par lajout dune variable interne qui change de valeur uniquement dans les
tats S1 et S2. La transition des tats S3 et S4 vers les tats S1 et S2 nest possible que si
deux conditions sont runies alors que dans le sens contraire seule la condition sur la valeur
de la tension image de rfrence suffit. Lutilisation de ce principe prsente un autre
113
avantage : le codage est relativement facile dans des langages de programmation tels que le
langage C utilis pour la simulation sur PSIM ou le VHDL pour la commande numrique sur
FPGA.

b. Gnration des modulantes et modulation optimise
Une autre partie de la commande est la gnration des modulantes. En effet si celle-ci nest
pas comprise dans un bloc part entire, elle peut tre assez complexe. Si la solution la plus
simple pour un onduleur triphas est la gnration de trois modulantes sinusodales dphases
entre elles de 120, il est possible aussi pour amliorer les formes dondes de sortie de
raliser de linjection dharmoniques. Cette injection dharmoniques ne change en rien les
formes dondes des tensions entre phases qui auront toujours une forme sinusodale. Un autre
point ralis avant lentre des signaux modulant dans le modulateur est lchantillonnage de
ces signaux. Celui-ci dpend de la stratgie de modulation utilise. Ce point est dtaill par la
suite.

Le principe de la modulation optimise [MCG2] [ABD] associe deux principes de
modulation : celui utilisant le principe des porteuses et de comparaison entre celles-ci et la
modulante et le principe dj prsent prcdemment qui est la Space Vector Modulation
(SVM). Des tudes ont prouv que ces deux mthodes sont quivalentes si les trois vecteurs
les plus proches sont ceux utiliss et que les deux vecteurs du milieu sur une priode de
dcoupage sont centrs. Cette technique de modulation est appele Centred Space Vector
(CSVPWM). Pour optimiser lutilisation dune modulation PD est quil est possible dinjecter
un mode commun par lintermdiaire de la composante homopolaire. Cette composante
continue est dfinie ainsi :

2
) , , min( ) , , max(
t s r t s r
k k
V V V V V V
V V
+
= '

t s r k , , = Eq. VI-1

Cette composante permet de dterminer dans un cas 2 niveaux, laquelle des rfrences est
responsable de la premire et de la dernire commutation pour une priode de dcoupage.
Pour retrouver cette rfrence dans un cas o la forme dondes en sortie est multiniveaux, il
faut appliquer la fonction modulo selon lquation suivant :

) mod(
2
1
DC DC k k
V V
N
V V
(

+ ' = ' ' Eq. VI-2

O V
DC
correspond lamplitude des porteuses. La rfrence finalement applique au
modulateur est la suivante :

2
) , , min( ) , , max(
2
_
t s r t s r DC
k k ref
V V V V V V V
V V
' ' ' ' ' ' + ' ' ' ' ' '
+ ' ' = Eq. VI-3

Un des problmes de cette stratgie de modulation est une utilisation non complte de tous les
niveaux disponibles pour certaines profondeurs de modulation. En effet le nombre de niveaux
de tension en sortie dpend avec une modulation simple (sinusodale) de la profondeur de
modulation. Par exemple pour un onduleur avec 4 niveaux de tension possibles en sortie, si la
profondeur de modulation est suprieure 0.33, la forme dondes de la tension en sortie
possde 4 niveaux diffrents. Mais si la profondeur est infrieure 0.33 alors la forme
114
dondes ne possde que 2 niveaux diffrents. Jamais avec une modulation sinusodale la
forme dondes de la tension en sortie ne possde 3 niveaux. Ceci affecte sensiblement les
spectres du courant de sortie et de la tension entre phase. Pour pallier ce problme une
modification de lquation Eq. IV-10 a t propose [MCG2] : il sagit de rajouter une
composante continue gale la moiti de lamplitude des porteuses. Lquation scrit
maintenant ainsi :

2
) , , min( ) , , max(
2
t s r t s r DC
k k
V V V V V V V
V V
+
+ = ' Eq. VI-4

Cette composante continue est applicable uniquement pour certains intervalles de la
profondeur de modulation. Ces intervalles sont fonction du nombre de niveaux possibles que
la forme dondes de la tension en sortie peut avoir. Ils sont rsums dans le Tableau III-1.

Nombre de
niveaux en
sortie
Profondeur de modulation
3 0 M < 0.35
4 0.23 M < 0.61
5
0 M <0.17
0.46 M < 0.76
6
0.14 M <0.36
0.61 M <0.85
7
0 M <0.12
0.30 M < 0.51
0.70 M < 0.90
Tableau VI-1 Intervalles o la moiti de lamplitude de la porteuse doit tre ajoute
[ABD]

Figure VI-7 Modulantes optimiss de rfrence pour une modulation PD pour un convertisseur multiniveaux
avec :A) 3 Niveaux de tension en sortie B) 5 Niveaux, pour une profondeur de modulation gale 0.8

Sur la Figure VI-7 sont reprsentes les modulantes de rfrence pour des convertisseurs
multiniveaux 3 ou 5 niveaux de tension en sortie. Deux types de sauts sont visibles pour les
modulantes dun convertisseur 5 niveaux, certains sont plus importants que dautres. Les sauts
les plus importants sont des transitions entre les diffrentes bandes de tension pour la
115
modulante alors que les discontinuits les plus faibles sont les consquences des fortes
discontinuits des autres phases. Une fois ces signaux crs, ils sont chantillonns pour
ensuite tre envoys dans le modulateur do sort la forme dondes de la tension de rfrence
pour chaque phase.

VI.B.3. Contrle des courants Diffrentiels
Si la modulation PD est avantageuse pour liminer certains harmoniques, il existe quelques
soucis lors de son utilisation avec des convertisseurs multicellulaires parallles. Une des
variables importantes avec ce type de convertisseur est la diffrence des courants entre les
bras dune mme phase qui reprsente une image du flux magntique dans le noyaux dans le
cas de lutilisation de transformateur inter-cellule. Cette diffrence doit tre la plus faible
possible pour viter de surdimensionner certains composants.

a. Echantillonnage des modulantes
Linstant dchantillonnage est trs important car sil est bien choisi le courant diffrentiel
peut rester stable avec des motifs rguliers. Dans un cas de 2 cellules en parallle, la
frquence apparente de sortie, et donc la frquence des porteuses, est gale 2*Fdec. Il est
possible de contrler cette diffrence en choisissant bien les instants de commutation. Sur la
Figure VI-8, le courant diffrentiel dcrit un trapze. Certains tats de la machine dtat
(Figure VI-6) font varier ce courant diffrentiel (S1 et S2) alors que dautres lui font garder la
mme valeur (S3 et S4). Avec un chantillonnage la frquence de la porteuse, il est possible
de conserver la forme de ce trapze et la valeur de la modulante rgle la hauteur de ce trapze
automatiquement.

Figure VI-8 Courant diffrentiel avec un chantillonnage : A) 2*Fdec (haut des triangles) B) 4*Fdec (haut et
bas (exemple pour un chantillonnage en bas)

La Figure VI-8-B montre leffet dun chantillonnage 4 fois la frquence dchantillonnage
si celui-ci a lieu sur le bas dun triangle. La consquence dchantillonner pendant un tat
stationnaire au niveau du courant diffrentiel est un changement possible sur la hauteur du
trapze. Lchantillonnage suivant qui doit thoriquement avoir lieu pour la valeur moyenne
du courant dsir nest pas correctement plac : La valeur du courant diffrentiel nest pas
nulle et entrane un dsquilibre qui devient de plus en plus grand au fil du temps.
116
De plus lchantillonnage la frquence de la porteuse ou deux fois la frquence de
dcoupage est ncessaire en modulation POD. Un instant mal choisi, peut entraner une
commutation entre deux niveaux de tension non conscutifs (par exemple E/2 et E/2) ce qui
a pour consquence de changer ltat de plusieurs interrupteurs au mme instant.
Ces instants dchantillonnage sont choisis pour avoir lieu dans le cas o les courants
diffrentiels sont parfaitement quilibrs linstant o celui-ci a une valeur nulle, c'est--dire
au milieu de la variation de ce dernier. Pour une modulation POD, ces instants ont lieu
toujours au mme moment et ne dpendent pas de la bande de commutation o est place la
modulante. Celle-ci a toujours lieu sur le haut des sommets des triangles de la porteuse
suprieure. Dans le cas dune modulation PD, les instants de commutation sont lgrement
plus complexes et dpendent de la valeur de la modulante. Si celle-ci est positive, les instants
dchantillonnage sont identiques ceux de la modulation POD. Mais si la modulante est
ngative alors le milieu de la variation se fait au moment o les porteuses sont leurs minima.
Cest donc cet instant quil faut chantillonner les diffrentes modulantes.

b. Effet du changement de bande avec la modulation PD
Si avec lchantillonnage, il est possible davoir un courant diffrentiel normalement
identique chaque chantillonnage lorsque la modulante ne change pas de bande de
modulation, dautres problmes interviennent lorsque la modulante passe dune valeur
positive ngative et vice-et-versa. Ce problme na lieu que dans les cas o la modulation
utilise est une modulation PD. En effet pour une modulation POD les instants
dchantillonnage ont lieu toujours aux mmes instants quel que soit le signe de la modulante
et pendant un tat qui fait crotre ou dcrotre le courant diffrentiel.
La Figure VI-9 montre un changement de bande pour une modulante qui passe dun signe
positif un signe ngatif.

Figure VI-9 Problme du changement de bande pour une modulation PD

La dviation du motif a lieu car les instants dchantillonnage sont dphass de 180 dune
bande par rapport une autre. Au moment du changement de bande, linstant
dchantillonnage fait que le courant diffrentiel cet instant est nul. Pour la nouvelle valeur
de la modulante, ltat de la machine dtat fait que le courant diffrentiel est dans un tat
stationnaire. Le problme est que la prochaine fois que le courant variera, la croissance (ou la
dcroissance) du courant diffrentiel sera complte, le milieu de la variation nest plus gal
la valeur prcdente.
117
Le but est donc de trouver une mthode qui pourrait stabiliser le courant diffrentiel lors des
changements de bandes : elle peut venir de la machine dtat. En effet, cette dernire possde
quatre tats dont deux o le courant diffrentiel reste la mme valeur. Les tats qui vont tre
intressants sont ceux o les courants diffrentiels varient, c'est--dire S1 et S2. Pour ces
tats, il existe un tat o le courant diffrentiel crot et lautre tat dcrot La variation du
courant pour les diffrents tats dpend de la convention prise pour effectuer la
diffrence
. Lide pour stabiliser ce courant diffrentiel est de

rajouter une transition supplmentaire entre ces deux tats (Figure VI-10) qui va permettre de
changer le sens de variation un instant bien dfini. Cette transition est appele double
commutation car elle est ralise par une inversion des tats des deux cellules de
commutation. Ceci ne modifie en rien la tension de sortie car ces deux tats sont les deux
possibilits pour raliser le niveau intermdiaire.

Figure VI-10 Modification de la machine dtat pour introduire la double commutation

Linstant de cette double commutation doit tre correctement plac pour pouvoir stabiliser le
courant diffrentiel autour dune valeur donne. Dans le paragraphe prcdent sur les instants
dchantillonnage, il a t observ que pour stabiliser le courant diffrentiel alors quil ny a
pas de changement de bandes cet instant dchantillonnage doit avoir lieu sur le haut des
triangles si la modulante est positive ou sur le bas pour une modulante ngative. Or linstant
dchantillonnage, la valeur du courant diffrentiel doit avoir la mme valeur qu linstant
dchantillonnage prcdent.

118

Figure VI-11 Placement de la double commutation en fonction de valeur de la modulante

Au moment dune transition, linstant dchantillonnage suivant est une demi-priode de la
porteuse. La valeur du courant ce futur instant doit tre gale celle au moment de la
transition. Il suffit de placer la double commutation la valeur moyenne entre le temps o
commence la variation du courant diffrentiel (intersection entre la modulante et le la
porteuse) et linstant dchantillonnage suivant. Il est possible de trouver linstant de la double
commutation par projection sur la porteuse, en effet lorsque celle-ci est gale une valeur
seuil la double commutation doit tre ralise. Cette valeur est dtermine avec les quations
suivantes :

+
+
=
ngative est modulante la si
2
1
positive est modulante la si
2
1
m
m
M
seuil
Eq. VI-5

reprsente la valeur de la modulante linstant de la transition de bande.
Comme pour linstant dchantillonnage, ceci ne permet pas davoir un contrle total du
courant diffrentiel. Tout de mme, celui-ci est stabilis autour dune valeur dquilibre.
Nanmoins, cette mthode nest pas tout fait satisfaisante car sil existe un dsquilibre au
dmarrage ou si celui-ci se cre en cours dutilisation de londuleur, il nexiste aucun contrle
permettant de le ramener autour dune valeur nulle.

c. Compensation du courant diffrentiel
Dans les deux derniers paragraphes, deux techniques ont t proposes qui permettent de
stabiliser ce courant diffrentiel, mais ne permettent pas de lamener vers une valeur moyenne
dsire. Si celui-ci nest pas autour dune valeur nulle, les deux mthodes prcdentes ne
permettent pas de le ramener autour dune valeur moyenne dsire.

La solution utilise pour compenser lerreur sur le courant est reprsente sur la Figure
VI-12 : il sagit de modifier lgrement la modulante sur deux priodes de la porteuse. Ce
signal rectangulaire ajout la modulante a une frquence gale celle de la frquence de
dcoupage des interrupteurs. Son amplitude dpend de la diffrence de courant diffrentiel
entre la valeur capte aux instants dchantillonnage et la valeur dsire (thoriquement
valeur nulle en cas dquilibre).
119

Figure VI-12 Schma Bloc de la rgulation du courant diffrentiel par modification de la modulante [COU1]

Le principe de la compensation est de jouer sur les temps de variation de la croissance ou
dcroissance du courant diffrentiel. En effet lajout de sur la modulante (Figure VI-13)
permet de modifier lgrement les temps de croissance ou dcroissance des variations sur le
courant diffrentiel. Par exemple, si le courant diffrentiel capt aux instants
dchantillonnage est infrieur 0, le signal rectangulaire appliqu la modulante est
construit de telle sorte que ltat o le courant diffrentiel est croissant soit appliqu plus
longtemps que pour ltat o le courant est dcroissant et cela jusquau moment o le courant
retrouve une valeur moyenne nulle.

Figure VI-13 Effet de la Rgulation du courant diffrentiel par modification de la modulante

120
Pour tre mise en uvre, cette solution ncessite dinstaller sur londuleur diffrents capteurs
de courant permettant de mesurer la valeur du courant diffrentiel sur chaque phase une fois
par priode de dcoupage. De plus cette solution nest pas satisfaisante dun point de vue
spectral. En effet, en modifiant la valeur de la modulante, le travail doptimisation prsent
prcdemment est un peu perturb et le spectre de la tension de sortie lest aussi. Il reste tout
de mme que cette solution est assez simple implanter et ne fait pas intervenir de calculs
trop complexes. Lajout de capteur est de toute faon ncessaire pour savoir sil y a une
dstabilisation du courant diffrentiel.

Avec lensemble des trois commandes prsentes, il est maintenant possible davoir un
contrle du courant diffrentiel total, une stabilisation avec un chantillonnage deux fois la
frquence de dcoupage, le placement dune double commutation pour les effets lors des
changements de bandes et une lgre modification de la valeur de la modulante pour contrler
les dsquilibres.

d. Effets de lchantillonnage la frquence de la porteuse
Si maintenant le courant diffrentiel est thoriquement bien contrl, il est intressant de
savoir quel effet a un chantillonnage la frquence de la porteuse. Dans le cas dune
modulation POD, lchantillonnage na que peu deffet.
Pour une modulation PD le problme est diffrent : prcdemment, il a t montr que pour
stabiliser le courant diffrentiel, linstant dchantillonnage dpend de la bande de
commutation o se trouve la modulante. Ceci na pas deffet sur la modulante, la forme
sinusodale est bien respecte (Figure VI-14).

Figure VI-14 Formes dondes des modulantes pour chaque phase avec chantillonnage 2*Fdec et signal
modulant entre phase R et S

Par contre en faisant la diffrence entre deux modulantes, ce qui correspond un signal
modulant entre phase, il apparat sur cette forme dondes quelques discontinuits. Ce signal
nest pas utile dans la commande. Nanmoins ces discontinuits influent sur la tension entre
phase en sortie du convertisseur. En effet la tension nest pas parfaitement sinusodale et
possde quelques plats. Toujours dans loptique damliorer la qualit spectrale des formes
dondes, il nest pas possible de laisser ces discontinuits qui conduisent ncessairement la
perturbation du courant de ligne.
Ces discontinuits apparaissent lorsquune modulante change de bandes de commutation. En
effet lorsque lune delles change de bandes, ces instants dchantillonnages changent eux
121
aussi et alors tout le systme se retrouve perturb. Sur la Figure VI-15, un zoom sur deux
discontinuits montre la cause de celles-ci. Elles sont dues au passage non simultan des
modulantes : dans le premier cas, une modulante a un saut avant les deux autres modulantes
alors que dans le second cas, une modulante a son saut en retard par rapport au deux autres.
Ceci est du au fait que les modulantes des deux premires phases sont chantillonnes en haut
de la porteuse, alors que la troisime est chantillonne en bas de la porteuse, car le signal
modulant se trouve dans la bande infrieure.

Figure VI-15 Causes des discontinuits sur les modulantes. A) Phase en retard par rapport aux autres B) Phase
en avance

La solution pour corriger ce problme est de dtecter dans un premier temps un changement
de bandes de commutation pour lune des trois modulantes. Ensuite, il faut dterminer au
niveau de chaque modulante laquelle est en avance ou en retard, sur les deux autres. La
dernire tape est la correction du problme en chantillonnant, quand il y a ncessit, toutes
les modulantes au mme instant. Ceci permet de corriger le problme localement avec
maintenant un signal modulant entre phase sinusodal sans discontinuit. Linconvnient de
cette correction est quil risque nouveau de perturber lgrement le courant diffrentiel entre
deux bras mais la perturbation reste trs petite par rapport au problme corrig.

e. Contrle par estimation du courant
Dans les paragraphes prcdents a t montr le contrle du courant diffrentiel. Cet
ensemble de solutions possde quelques dfauts : tout dabord lchantillonnage deux fois la
frquence de dcoupage qui oblige de rajouter un tage de plus dans la commande afin
davoir une tension entre phase la meilleure possible. Lautre dfaut de cette commande est
lajout dun petit signal de rgulation sur la modulante. De nombreux calculs sont raliss
pour avoir des formes dondes optimises pour le spectre et rajouter un signal mme si celui-
ci est faible perturbe le spectre de la tension.
La nouvelle ide pour contrler le courant diffrentiel est base maintenant sur un
chantillonnage quatre fois la frquence de dcoupage. Bien sr ce type de commande nest
intressant que dans le cas dune modulation PD car pour une modulation POD les problmes
de changement de bande nexiste pas, et lchantillonnage ne pose plus de problme sur le
signal modulant entre phase. Lautre objectif de ce contrle est de ne pas agir sur le signal
modulant et donc de respecter le travail doptimisation spectrale ralis dans le modulateur.
Pour cela, la solution imagine ralise une estimation du courant dans les tats o il ny a pas
de variation du courant diffrentiel, c'est--dire les tats S3 et S4 de la machine dtat (Figure
VI-6). Au milieu du temps dapplication de cet tat qui est aussi linstant o les porteuses sont
leur minimum, une mesure du courant diffrentiel est effectue. A partir de cette valeur,
mais aussi des paramtres du convertisseur, de la profondeur de modulation et de ltat du
122
courant diffrentiel, il est possible destimer la valeur du courant au prochain tat S3 ou S4.
La formule est la suivante:

L F
E
I I
dec
mes est

=
2 2
o

Eq. VI-6

Dans cette formule, E reprsente la valeur du bus continu, F
dec
la frquence de dcoupage
(gale aussi la moiti de la frquence des porteuses) et L la valeur de linductance de liaison.
Ces paramtres sont considrs fixes. Le paramtre reprsente la fonction de modulation
linstant o le courant est mesur. Il est fonction de la valeur de la modulante ainsi que de la
bande de commutation o elle se trouve.
Afin de savoir quand il faut rguler le courant diffrentiel, une nouvelle variable est calcule :
il sagit de la valeur moyenne entre le courant mesur et la valeur estime au prochain tat S3
ou S4. Le signe dpend de ltat prcdent o le courant varie : si le courant crot, alors le
signe pour estimer le courant est ngatif mais si le courant diffrentiel dcrot alors le signe
est positif.
Sur la Figure VI-16 est montr leffet dun changement de bande sur cette variable.

Figure VI-16 Exemple destimation du courant au prochain tat S3 ou S4 : effet dun changement de bande

Le changement de bande occasionne une brusque variation sur cette valeur moyenne, mais il y
a aussi des discontinuits sur cette variable lors dun saut sur la modulante. Le principe de
cette commande est de corriger le courant diffrentiel (Figure VI-17) pour chaque
discontinuit de la valeur moyenne entre le courant mesur et le courant estim (signal
orange). Deux autres dtections sont ralises au niveau du courant diffrentiel. La premire
dentre elles est la plus large : il sagit de dtecter les courants diffrentiels dont la valeur est
trop loigne de la valeur de rfrence. La seconde dtection concerne la drive de la valeur
moyenne en fonction du temps.

123

Figure VI-17 Schma synoptique de la commande par estimation du courant diffrentiel

Prcdemment, il a t montr la drive du courant diffrentiel pour un chantillonnage
quatre fois la frquence de dcoupage (Figure VI-8). Pour viter une drive trop importante,
un seuil de courant est plac qui, une fois franchi, donne lordre de rguler le courant
diffrentiel vers sa valeur de rfrence (fonctionnement dans un mode hystrsis).
Pour rguler ce courant uniquement en jouant sur les tats de la machine dtat et en ne
modifiant pas la modulante, deux solutions sont possibles (Figure VI-17). Soit le courant
dsir nest pas atteignable sur une priode de porteuse, alors ce moment-l, le mme tat
est appliqu plusieurs fois conscutives pour se rapprocher le plus prs de la valeur dsire.
La phase dapproche afin darriver cette valeur est ralise comme prcdemment par une
double commutation, c'est--dire une transition entre ltat S1 et S2. Cette transition na
aucun effet sur la tension de sortie. Dans la plupart des cas, c'est--dire les changements de
bande, seules les doubles commutations sont ncessaires. La rutilisation dun mme tat sert
uniquement en solution de secours (loignement trop important du courant diffrentiel).

124

Figure VI-18 Placement de la double commutation par lestimateur de courant

Le placement de la double commutation se fait maintenant partir du courant alors que
prcdemment elle se faisait partir de la valeur de la modulante. Celle-ci permettait
uniquement de stabiliser le courant diffrentiel, c'est--dire que le courant aux instants
dchantillonnage retrouvait la valeur au moment du changement de bandes, alors que la
nouvelle mthode permet de ramener la valeur moyenne du courant diffrentiel une valeur
dsire (valeur nulle). La double commutation se fait quand le courant atteint un seuil qui peut
tre dfini ainsi :

2
2
des
est mes
seuil
I
I I
I
+
+
=
Eq. VI-7

Pour dterminer le moment, il faut bien sr connatre le sens de variation du courant
diffrentiel : si le courant mesur est suprieur au courant de seuil, alors le courant diffrentiel
doit tre infrieur ou gal au courant de seuil pour avoir la double commutation et bien sr
suprieur dans le cas o le courant mesur est infrieur au courant de seuil.
Au vu de limplantation de cette commande dans un contrle numrique, une rflexion sest
faite sur la mesure de courant diffrentiel instantane. En effet si celle-ci est facile effectuer
avec un logiciel de simulation elle devient beaucoup moins aise en ralit, la chane de
conversion des donnes ne pouvant pas traiter assez rapidement cette charge dinformation.
Cest pour cette raison quun deuxime estimateur a t implant. Cet estimateur a pour but
de recrer le courant diffrentiel en fonction de la valeur mesure au moment du calcul de
lautre estimateur et de ltat actuel de la machine dtat. Ce calcul se fait pour chaque pas de
calcul. Avec la formule suivante, il est possible de retracer le courant diffrentiel :

| | | |
S2 et S1 tats les pour
2
1
L
pas E
I I
k k
=
+

| | | |
S4 et S3 tats les pour
1 k k
I I =
+

Eq. VI-8

Cet estimateur devra avoir une priode dintgration trs petite et sera donc implant (trs
infrieur la priode de dcoupage) et sera donc implant dans le FPGA.
A partir de ces deux estimateurs, il est alors possible de placer la double commutation
correctement et ainsi de rguler les courants diffrentiels dans les diffrentes phases sans
passer par la chane de mesure. Bien sr chaque phase possde son propre rgulateur, ce qui
125
permet de rester dans un schma similaire celui de la Figure VI-4 avec lajout de blocs
supplmentaires permettant ces diffrentes rgulations.
Dans ce paragraphe, diffrents moyens permettant de rguler le courant diffrentiel entre deux
bras sont expliqus. La premire mthode est dcompose en trois parties ayant toutes un rle
particulier. Cest la plus simple mettre en uvre mais elle possde quelques dfauts. Tout
dabord, elle agit sur la valeur de la modulante qui a tout de mme t calcule dans un
premier temps pour optimiser le spectre. De plus, elle occasionne des problmes pour
certaines modulations notamment au niveau de la tension entre phase. La seconde mthode
permet davoir une rgulation du courant diffrentiel qui nagit en rien sur la valeur de la
modulante. Elle ncessite cependant des temps de calcul assez long ce qui pourrait limiter les
performances globales du convertisseur.

VI.B.4.Simulation de la structure multicellulaire parallle 3 niveaux

Afin de valider les diffrents rsultats issus des commandes prsentes prcdemment, une
simulation numrique est ralise avec le logiciel PSIM. Les conditions de cette simulation
sont rsumes dans le Tableau VI-2.

Convertisseur
Bus Continu E = 300 V
Inductance de
liaison
L
liaison
= 6 mH
Commande
Frquence de la
modulante
F
mod
= 50 Hz
Amplitude de la
modulante
M = 0.8
Frquence des
porteuses
F
port
= 2*F
dec
= 10 kHz
Sortie
Rsistance de
charge
R
ch
= 10
Inductance de
charge
L
ch
= 1 mH
Tableau VI-2 Conditions de simulation de londuleur

Les charges passives sont constitues dune inductance et dune rsistance place en srie
(Figure II-1). Elles sont banches en toile (le neutre de la charge nest pas reli au point
milieu du bus continu en entre).
Dans un premier temps, les simulations effectues mettent en vidence les diffrents
problmes expliqus dans les paragraphes prcdents lors de lutilisation dune modulation
PD, que ce soit au niveau du courant ou de la tension entre phases.

a. Rsultats du Contrle avec un chantillonnage de la modulante 2 fois la
frquence de dcoupage
Dans un premier temps les rsultats prsents sont ceux du premier contrle. Ce contrle
permet dassurer simplement la stabilit du courant diffrentiel.

126

Figure VI-19 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase : Mise en vidence du
problme sur le courant diffrentiel avec une modulation :A) POD B) PD

Sur la Figure VI-19 est montre linfluence de la modulation PD sur le courant diffrentiel.
En effet, en comparaison avec la modulation POD o le courant reste stable, dans le cas dune
modulation PD, il possde des sauts chaque transition de bande. La direction que prend le
courant chaque changement de bandes dpend de ltat o se trouvait la machine dtat
avant le changement de bandes. Londulation dpend la fois de la frquence de modulation
et de la frquence de dcoupage. Nanmoins, entre les transitions de bandes, lchantillonnage
deux fois la frquence de dcoupage stabilise bien le courant diffrentiel, aussi bien pour
une modulation POD que PD. Dans le deuxime cas, le courant diffrentiel drive seulement
quand il y a un changement de bandes de la modulante. Ces sauts sont assez pnalisants car
non matriss, ils conduisent un surdimensionnement de la partie magntique. La charge
ntant pas assez inductive par rapport aux inductances de liaison, la forme donde de tension
nest pas facilement visible. Pour la tracer, une somme des deux tensions des deux bras par
rapport un neutre fictif (ralis par deux condensateurs) est ralise. Elle permet de voir en
sortie la forme donde de tension 3 niveaux.

La deuxime tape de la commande tait le placement de la double commutation, ncessaire
pour une stabilisation du motif de la forme donde du courant diffrentiel. Ce placement doit
tre effectu comme propos prcdemment pour viter une trop forte ondulation. La Figure
VI-20 montre que la double commutation na aucun effet sur la tension de sortie. Le niveau
reste gal quel que soit ltat du courant (croissant ou dcroissant) ou encore, linstant de la
transition. Comme affirm dans la premire partie, cette double commutation ne rsout pas le
problme de composante continue dans le convertisseur mais nanmoins il le stabilise. En
pratique, la composante continue sur le courant diffrentiel peut exister. Ceci sera visible sur
une des structures suivantes relative au prototype ralis.

127

Figure VI-20 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase : Placement de la
double commutation

Lajout dun signal rectangulaire na pas un grand effet sur la modulante comme il est visible
sur la Figure VI-21. Pourtant si cela a trs peu deffet lorsque lchantillonnage reste
parfaitement la frquence de la porteuse, la compensation devient importante lorsque
lchantillonnage est modifi pour viter les discontinuits sur la modulante entre phase. La
modification de lchantillonnage perturbe le courant diffrentiel. En effet en avanant ou
reculant la modulante, le processus de stabilisation mis en uvre prcdemment nest plus
respect, ce qui a pour consquence de rendre utile la compensation du courant.

Figure VI-21 Formes donde de tension de sortie, du courant diffrentiel, de la modulante et de la composante
ajoute sur celle-ci : compensation de la composante continue du courant
128

Figure VI-22 Effet spectral de lamlioration de la forme donde entre phase par avancement ou retardement de
lchantillonnage dune des modulantes A) Sans correction B) Avec correction

Mme si la correction due lchantillonnage irrgulier perturbe le courant diffrentiel et
donne de limportance au bloc de compensation du courant, celui-ci a tout de mme un effet
bnfique sur le spectre du courant de sortie sur chaque phase. Sur la comparaison des deux
commandes avec et sans compensation sur la Figure VI-22, la correction a permis dliminer
ou de rduire beaucoup dharmoniques comprises entre la frquence de la modulante et la
frquence de dcoupage.

b. Rsultat du contrle par estimation du courant avec un chantillonnage
quatre fois la frquence de dcoupage
La simulation a t effectue dans les mmes conditions que prcdemment mais cette fois-ci
lchantillonnage se fait quatre fois la frquence de dcoupage. Ceci permet dviter les
irrgularits sur lchantillonnage de la modulante, mais dstabilise le courant diffrentiel
lorsque celui-ci ne change pas de bande.

Figure VI-23 Formes dondes de tension de sortie, du courant diffrentiel, zoom sur une double commutation
avec les signaux de courant mesur, du courant chantillonn, et du signal de double commutation

La Figure VI-23 montre quelques formes dondes de tension et de courant obtenues avec ce
convertisseur et cette commande. Lavantage de celle-ci est quelle volue en ayant aucun
effet sur la modulante. De plus comme pour la commande prcdente, la double commutation
a en simulation aucun effet sur la tension de sortie. Ce qui fait que la modulante qui est a
priori calcule pour optimiser les formes dondes dun point de vue du spectre de sortie reste
intacte et donc la forme en sortie est de meilleure qualit que pour la solution prcdente.
129
Mais lajout de doubles commutations ne savre pas tre la solution idale. Cela ajoute des
pertes par commutation car elle fait tout de mme commuter quatre interrupteurs avec un
courant circulant non nul. De plus, la simulation est effectue dans des conditions idales. De
faon pratique, il serait ncessaire de prendre en compte des temps morts sur les ordres de
commutation des diffrentes cellules pour viter les courts-circuits du bus continu. Il est
possible de quantifier le nombre de doubles commutations par priode de modulation. Celui-
ci dpend de la drive du courant due lchantillonnage quatre fois la frquence de
dcoupage, de la discontinuit ou du saut dtect par lestimateur sur le courant diffrentiel et
surtout du placement des diffrents seuils de courant qui autorisent ou demandent le
placement dune double commutation pour replacer la valeur moyenne du courant une
valeur nulle.

Une ralisation pratique de deux onduleurs 2 niveaux en parallle a t effectue au
laboratoire [COU1]. Elle a permis de valider quelques rsultats, notamment ceux sur le
placement de la double commutation. Les effets dus au temps morts ne sont pas visibles
pendant les doubles commutations. La seconde technique de rgulation du courant diffrentiel
na pas t implante sur le contrle numrique de ce convertisseur. Cette tude sur un
onduleur multiniveaux parallle simple a permis dintroduire les bases sur ce type de
convertisseur. Il a permis didentifier les problmes lis lutilisation de celui-ci avec certains
types de modulation. De plus des solutions ont t proposes afin de rsoudre ces problmes.
Lenjeu maintenant est de transposer ces commandes de nouveaux convertisseurs possdant
plus de niveaux en sortie, mais gardant autant de cellules en parallle.

VI.C.LActive Neutral Pointed Clamped Srie-Parallle 5 niveaux
Les structures proposes pour la suite de ltude sont des extensions de la structure
multicellulaire parallle 2 cellules. Le nombre de bras mis en parallle est toujours gal 2.
Laugmentation du nombre de niveaux se fait en utilisant les connaissances dj prsentes
dans les premiers chapitres sur les convertisseurs multiniveaux sries.
VI.C.1.Construction de la structure
La structure tudie est prsente sur la Figure VI-24. Cette structure est une variante de la
structure ANPC [PAR].

VI.C LActive Neutral Pointed Clamped Srie-Parallle 5 niveaux
130

Figure VI-24 Onduleur Hybride Srie Parallle 5 Niveaux

Sa construction peut se voir de diffrentes manires. Pour comprendre simplement cette
structure, elle peut tre spare en deux. La premire partie est une structure similaire celle
prsente prcdemment dans ce chapitre : compose de deux cellules de commutation (mR1
et mR2 pour la phase R) relies en sortie par deux inductances de liaison qui permettent la
mise en parallle de ces deux cellules en absorbant les diffrences de tension instantane entre
les deux bras. La seconde partie de la structure est compose des cellules dentre de la
structure (mRH et mRL pour la phase R). Ces cellules ont un rle daiguilleur et permettent
de choisir simplement entre lune ou lautre des sources de tension qui composent le bus
continu en entre du convertisseur. Le choix se fait en fonction du signe de la modulante : si
la modulante est de signe positif, alors laiguillage soriente pour utiliser le condensateur situ
en haut du point milieu, alors que si le signe est ngatif, le condensateur infrieur est utilis.
Une autre faon de voir cette structure est de la prendre comme une structure partage de
composants. En effet, la structure uniquement compose des cellules mRH/mRL/mR1 ralise
une structure bien connue en conversion multiniveaux : lANPC. Or, il est possible de
composer un autre ANPC en enlevant la cellule mR1 et en la remplaant par la cellule mR2.
Ce qui fait que la structure propose peut tre vue comme une structure ANPC partage de
composants o les cellules partages sont mRH et mRL. Dans le chapitre prcdent, il a t
dit que lANPC ne pouvait pas tre partag dans un cas triphas. Or cette fois-ci, le partage ne
se fait pas entre les diffrentes phases, mais entre deux bras mis en parallle. Dailleurs dans
ce cas, le partage est plus efficace car les cellules partages ont uniquement un rle
daiguillage, les pertes par commutation dans ces cellules seront pratiquement nulles. De plus,
contrairement la structure prsente dans le chapitre prcdent, aucun des composants na
besoin dun surdimensionnement de son calibre en tension.

Le dimensionnement de ce convertisseur au niveau des interrupteurs est assez simple car
toutes les tensions de blocage sont identiques et gales E/2. Nanmoins le courant qui
traverse les interrupteurs partags est deux fois plus grand que ceux qui commutent la
frquence de dcoupage.
131
Le couplage des bras en parallle est similaire au chapitre prcdent, soit par des inductances
indpendantes, soit par des transformateurs inter-cellules. Cette fois, le maximum de tension
que les inductances (2 en srie) ont leurs bornes est gal E/2 alors que dans le cas
prcdent, il tait gal E. Dans la suite, les inductances de liaison seront ralises par des
inductances indpendantes entre les diffrents bras.

VI.C.2.Commande de lANPC Srie Parallle 5 niveaux
Comme pour londuleur multicellulaire parallle, plusieurs types de commande sont
possibles, la plus simple tant daffecter deux porteuses (superposes) par cellules de
commutation et que les porteuses entre ces deux cellules soient dphases dun angle gal .
Ceci permet de faire fonctionner simplement ce convertisseur pour une approche de validation
de la structure. Dans loptique dappliquer les connaissances sur les convertisseurs
multicellulaires parallles, larchitecture de la commande est similaire celle prsente
prcdemment (Figure VI-4). Le modulateur est reprogramm pour avoir cette fois ci quatre
porteuses en entre, et tre capable de gnrer une forme donde de rfrence possdant les 5
niveaux de tensions diffrents.

a. Machine dtat de la structure
La machine dtat possde quelques modifications notables. En effet, avec une augmentation
du nombre dinterrupteurs, le nombre de combinaisons ralisables par cette structure devient
plus important. Les deux cellules daiguillage possdent la mme commande. Sur la Figure
VI-25 sont rpertoris les diffrents tats possibles et ralisables par ce convertisseur. Il est
indiqu dans les bulles lordre de commande des interrupteurs du haut des diffrentes cellules
de commutation, lordre de commande de linterrupteur du bas associ tant complmentaire.
Certains niveaux possdent des redondances cest le cas pour les niveaux : E/4 (tats 0 et1),
0 (tats 2 et7) et E/4 (tats 4 et5).

Figure VI-25 Machine dtat pour lANPC 5 niveaux Srie-Parallle

132
Cette machine peut tre dcompose en deux parties pour se rapprocher dune machine dtat
dun convertisseur multicellulaire parallle (Figure VI-10). Quand le signal modulant est
positif, les tats concerns par la conversion sont les numros 4-5-6-7. Lorsque le signal
modulant est ngatif les tats utiliss sont 0-1-2-3. La transition entre ses deux sous-machines
dtat est ralise de telle sorte que le courant diffrentiel change dorientation. Si celui-ci
tait croissant, il sera dcroissant ltat suivant, mme si en sortie le niveau de tension est
diffrent. Comme pour la structure prcdente, la stabilisation du courant diffrentiel est
importante et reste une des principales proccupations de la commande. Avec cette nouvelle
structure, le placement dune double commutation est possible deux endroits dans la
machine dtat : entre les tats 0-1 si le signal modulant est ngatif et entre 4-5 sil est positif.

b. Contrle du courant avec lchantillonnage deux fois la frquence de
dcoupage
Comme pour la structure prcdente, un des principaux objectifs est le contrle du courant
diffrentiel. De nombreux lments de la commande prcdente sont transposables cette
nouvelle commande.
Tout dabord leffet de lchantillonnage la frquence des porteuses est toujours valable.
Mais il faut noter que dune bande lautre dans le cas dune modulation PD, les instants
dchantillonnage sont dphass dun angle . Ceci pour avoir toujours aux instants
dchantillonnage une valeur de courant diffrentiel identique et si possible nulle (Figure
VI-8).
Comme expliqu dans le paragraphe prcdent, la machine dtat peut tre vue comme un
ensemble de deux sous-machines dtat fonctionnant chacune comme la machine dtat 3
niveaux (Figure VI-10). Dans ces sous-machines, il y a chaque fois deux tats o le courant
diffrentiel varie. Dans un de ces tats, ce courant est croissant et dans lautre dcroissant. De
plus, la disposition des porteuses dans une sous-machine est identique au cas 3 niveaux.

Figure VI-26 Placement de la double commutation en fonction de valeur de la modulante : changement entre les
bandes intermdiaires

Par contre, les valeurs du seuil de la double commutation permettent de raliser une double
commutation satisfaisante sont diffrentes comme il est visible sur la Figure VI-26. En effet,
le nombre de transition de bande pour une priode de modulation a augment de 2 6 : Ceci
d un nombre de porteuses pass de 2 4. Lamplitude de celle-ci ayant vari, les quations
dfinies prcdemment aussi. Les nouvelles valeurs du seuil de la double commutation sont
dfinie comme ci-dessous :
133

<
+
< s
s
+
=
0.5 m si
2
1
0.5 m 0.5 - si
2
m 0.5 si
2
1
m
m
m
M
seuil
Eq. VI-9

Concernant la compensation du courant, elle reste identique prcdemment en incluant le
fait quil y a deux tats supplmentaires o le courant diffrentiel varie. De mme la
correction des discontinuits sur les formes dondes des modulantes entre phase dues
lirrgularit de lchantillonnage entre les diffrentes bandes, est identique celle utilise
pour londuleur multicellulaire parallle 3 niveaux.

c. Contrle du courant par estimation avec lchantillonnage quatre fois la
frquence de dcoupage
Un des avantages de cette commande est la modularit de celle-ci. Les modifications
apporter sont minimes. Outre les renseignements sur les tats ajouter dans les diffrents
estimateurs, il est tout de mme important de transformer leur formule lintrieur. Si dans le
cas prcdent les deux inductances pouvaient avoir leurs bornes la totalit du bus continu E,
avec cette nouvelle topologie le maximum que les deux inductances en srie peuvent avoir
leurs bornes est une tension de E/2, la moiti du bus continu.
Sinon la gestion de la double commutation se faisant exclusivement par les valeurs du
courant, aucune modification nest raliser sur le calcul du courant seuil qui correspond au
placement de la double commutations.

VI.C.3.Rsultats de simulation
Une simulation numrique avec le logiciel PSIM de cette structure a t effectue dans les
mmes conditions que celles rsumes dans le Tableau VI-2. Plusieurs conditions de
simulations ont t testes : tout dabord au niveau de la commande avec un chantillonnage
deux ou quatre fois la frquence de dcoupage mais aussi en testant des modulantes
sinusodales ou optimises aussi bien avec des modulations POD que PD. Dautres tests ont
t effectus afin de valider cette structure comme la ralisation dune boucle de courant dans
le plan de Park dq, ou le comportement de la structure et de la commande vis--vis dune
perturbation telle quun retard damorage ou de blocage.

Figure VI-27 Formes donde de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase avec des modulantes :
A) sinusodale B) optimise (chantillonnage 2*Fdec)

134
Mme si le nombre de doubles commutations est devenu maintenant plus important, la
commande possde de bonnes performances. Bien sur avec plus de doubles commutations, les
pertes par commutation risquent daugmenter. Pour une modulation sinusodale (Figure
VI-27-A), la transition intermdiaire a un effet pratiquement nul par rapport au courant
diffrentiel. Or la double commutation est effectue partir du moment o la modulante
change de bandes et donc celle-ci est quand mme ralise alors quelle naurait pas
forcment besoin de ltre. De plus si la diffrence des courants est nulle, les courants dans
chaque bras ne le sont pas toujours. Cette double commutation, qui nest pas forcment
ncessaire, peut produire des pertes par commutation supplmentaires. Si au niveau des
modulantes optimises (Figure VI-27-B) les formes dondes ont beaucoup plus de
discontinuits que prcdemment, ces discontinuits sont plus faibles, ce qui fait que le
courant est mieux compens.

Figure VI-28 Formes dondes de tension de sortie et du courant diffrentiel sur une phase avec des modulantes :
A) sinusodale B) optimise (chantillonnage 4*Fdec)

Globalement, le courant diffrentiel a une amplitude plus faible que dans le cas dun
convertisseur multicellulaire parallle. Ceci est d au partage du bus dentre en deux
condensateurs. La commande utilisant le principe de lestimation du courant diffrentiel est
trs intressante dans le cas de modulante sinusodale. En effet, la demande de double
commutation se faisant par des carts sur le courant, la transition intermdiaire devient alors
transparente et la double commutation lie ce changement de bande nest pas effectue.
Nanmoins cette commande est assez pnalisante avec lutilisation de modulantes aux formes
dondes optimises car chaque discontinuit sur la modulante offre lventualit la
commande de placer une double commutation. Il est tout de mme possible de rgler la
sensibilit de cette commande en jouant sur les seuils de dtection. En effet, la ncessit dune
double commutation est programme lors dune trop forte discontinuit sur le signal moyen
entre la valeur mesure et chantillonne. Augmenter ce seuil ne dsquilibre pas trop le
courant diffrentiel et permet dviter un nombre trop important de doubles commutations.

Afin daller plus loin avec cette structure et de tester les interactions possibles entre les
rgulations internes et externes, une boucle de courant a t implante. Cette boucle de
courant a t ralise dans le repre de Park (plan dq).

135

Figure VI-29 Boucle de rgulation des courants de sortie

Lavantage de ce plan est de raliser une rgulation avec des grandeurs continues tout en
ayant en sortie des grandeurs sinusodales. Les correcteurs utiliss sont des correcteurs
proportionnels intgraux, calculs avec la technique classique de loptimum symtrique.

Figure VI-30 Rponse de la boucle de courant des chelons (chantillonnage 4*Fdec) : Formes dondes des
courants Id et Iq de la modulante de la phase R et du courant diffrentiel sur la phase R

Les courants ont des rponses assez satisfaisantes et correspondent bien aux diffrentes
consignes appliques sur les grandeurs de rfrence. Nanmoins il est possible de voir
quelques discontinuits sur la valeur de la modulante : certaines sont dues au changement de
la valeur du courant de rfrence, alors que dautre sont dues au passage par zro de la
modulante : cette transition nest pas encore totalement matrise. Au niveau diffrentiel,
aucune grosse perturbation nest visible. Les interactions entre les boucles internes et les
boucles de courant externes seront donc minimales.

Afin de tester ce convertisseur et cette boucle interne un ventuel dfaut de la commande,
un test a t effectu sur cette structure. Ce test simule le dfaut dun signal de commande
dun interrupteur de la structure et a pour objectif de voir si la commande peut nanmoins
grer ce dfaut et continuer de stabiliser le courant diffrentiel. La Figure VI-30 montre
comment ce dfaut est gnr.

VI.D Ralisation dun prototype de convertisseurs multiniveaux hybrides sries parallles
136

Figure VI-31 Principe dintroduction du dysfonctionnement sur un ordre de commande

Les dfauts gnrs sont un retard lamorage ou au blocage. Ceci a pour effet sur le courant
diffrentiel de le faire driver dans un sens ou dans lautre. Thoriquement la rgulation se
dclenche cause dun dpassement de seuil sur la moyenne entre le courant mesur et estim
(Figure VI-17).

Figure VI-32 Effet de dysfonctionnement sur la commande : A) retard amorage mR1 B) retard blocage mR1
(chantillonnage 4*Fdec)

Avec des effets perturbants, la commande par estimation des courants diffrentiels a une
rponse satisfaisante. Les effets occasionnent une drive du courant diffrentiel car le blocage
ou lamorage rduit ou augmente la croissance ou dcroissance du courant diffrentiel. Or,
un des seuils qui autorise le placement dune double commutation est ddi viter une
drive trop importante. De plus chaque dtection de transitions de bandes replace le courant
diffrentiel une valeur nulle (mme si celui-ci est perturb par le retard sur linterrupteur).

Cette structure avec ses diffrentes commandes permettant de contrler les courants
diffrentiels ont des rsultats trs satisfaisants. De plus la commande ne ncessite pas
beaucoup de transformations par rapport au convertisseur multicellulaire parallle. De ces
rsultats est n un prototype qui a t conu dans loptique de valider deux structures hybrides
sries parallles.

VI.D.Ralisation dun prototype de convertisseurs multiniveaux
hybrides sries parallles
Suite aux rsultats satisfaisants en simulation numrique, un prototype permettant de valider
exprimentalement ceux-ci a t conu.
VI.D.1.Objectif et ralisation de ce prototype
a. Cahier des charges
Les objectifs de ce prototype sont multiples : valider la topologie ANPC 5 niveaux srie-
parallle et raliser un convertisseur multicellulaire srie-parallle 5 niveaux. Ce dernier est
137
prsent dans la suite de ltude. Lavantage de ces deux structures est davoir des donnes
comparables que ce soit au niveau du nombre de niveaux en sortie, ou du nombre de
composants qui est identique. Le changement entre les deux topologies sera effectu par un
changement du busbar. Les interrupteurs restent leur place et les modifications restent
minimes. Nanmoins pour la deuxime structure, il est ncessaire de rajouter des
condensateurs flottants.

Convertisseur
Bus Continu E = 600 V
Courant efficace
maximal
I
eff
= 50 A
Frquence de
dcoupage max
F
dec
= 20 kHz
Composants 12 IGBT 600V 100A
Sortie
Inductance de
liaison
L
liaison
= 6 mH @ 20kHz
Rsistance de
charge
Banc de charge 4 kW
Tableau VI-3 Caractristiques gnrales du prototype

Les caractristiques gnrales du convertisseur sont donnes dans le Tableau VI-3. Il sagit
bien videmment pour la partie convertisseur des performances maximales quil peut
atteindre. Parmi les diffrents tests certains seront atteints, mais par limitation de
lalimentation, ceux sur le courant et la tension ne peuvent pas tre atteints. Lalimentation du
bus continu est ralise par une alimentation continue pouvant fournir une tension de 300V et
un courant de 15A. Le bus continu est ralis par la mise en srie de deux condensateurs il
faut donc que la tension se partage correctement entre les deux condensateurs. Le calcul
thorique et les rsultats en simulation ont montr que si la composante homopolaire a une
valeur moyenne nulle, les tensions aux bornes des condensateurs du bus continu ne sont pas
dstabilises.

Figure VI-33 Schma 3D du prototype avec busbar ANPC 5 N srie Parallle

La ralisation de ce prototype (Figure VI-33) a t ralise par la socit ARCEL. La
conception du busbar a t faite en commun avec eux pour agencer au mieux les diffrents
138
composants afin davoir une souplesse de la structure entre les deux topologies la plus simple
possible.

b. Maquette exprimentale
La commande de ce convertisseur est ralise de manire numrique. La solution utilise est
un systme compos uniquement base de FPGA. Pour cela, la carte de dveloppement DE2
de chez Altera est idale. Cette carte est compose dun FPGA Cyclone II EP2C35F672C6,
mais aussi de diffrentes mmoires : Flash, SRAM et SDRAM, dun port srie et USB,
diffrents afficheurs et interrupteurs ainsi que deux horloges : 27MHz et 50 MHz. La
programmation se fait sur ordinateur avec le logiciel QUARTUS, le port USB sert
configurer le FPGA. Une interface graphique qui permet de grer en temps rel les diffrentes
options (modulante, frquence, profondeur de modulation,) communique avec le FPGA par
le port srie.

Figure VI-34 Vue densemble de linstallation exprimentale et vue de dessus du convertisseur

Linstallation du prototype exprimental na pas t pense dans un esprit dintgration et de
rduction des volumes. Par contre, elle peut tre facilement modifiable afin de tester
diffrentes configurations, comme le remplacement des inductances de liaison, qui est ralis
par des inductances indpendantes, par des transformateurs inter-cellules. Ceci permet de
valider dautres configurations pouvant encore amliorer la structure.
La liaison entre la commande numrique implante dans le FPGA et les drivers des IGBT est
ralise par des fibres optiques. Cette technique prsente lavantage de permettre des
transmissions dinformation sur longue distance (pas forcment ncessaire dans notre cas) et
surtout dtre moins sensible au problme de compatibilit lectromagntique.

VI.D.2.Commande numrique de lANPC 5 Niveaux srie-parallle
a. Architecture modulateur et machine dtat
Larchitecture de la commande est identique celle utilise pour la simulation numrique.
Diffrents blocs gnrent les formes dondes : modulantes pour chaque phase (puis partir de
ces modulantes recrer les formes dondes optimises) ainsi que le systme de porteuses. Il est
vident que les diffrents blocs modulateurs, machine dtat ou gestion du placement de la
double commutation, sont eux aussi prsents dans la commande numrique.
Pour la gnration des signaux (modulantes et porteuses), il a t choisi de coder sur 10 bits
signs c'est--dire des valeurs entires entre -512 et 511. Les porteuses ont une amplitude de 8
139
bits (256 points). Le codage se fait en VHDL. Une des rgles les plus importantes en
lectronique numrique est de rendre les systmes les plus synchrones possibles. Pour cela, il
y a disposition deux horloges : la premire, la plus lente, est 27 MHz. Cette horloge est
trs pratique car elle permet de dfinir assez aisment dans un premier temps des modulantes
une frquence de 50Hz prcisment. Lhorloge la plus rapide cadence 50 MHz. Elle est
utilise dans la plupart des blocs pour les diffrents calculs. Cest aussi cette horloge qui dans
un premier temps est utilise devant un diviseur de frquences pour gnrer des porteuses la
frquence de 10kHz.

Figure VI-35 Schma de principe de la commande numrique

Dans le FPGA, le modulateur (Figure VI-35) na pas exactement les mmes rles que pour la
simulation numrique. En effet, dans le cas de la simulation numrique, le modulateur
gnrait uniquement une forme donde image de la tension de sortie de rfrence. En plus de
ce rle, le modulateur programm dans le FPGA a la fois le rle de limiteur pour viter les
bandes extrieures afin de ne pas avoir de commutation trop rapide ralise avec le mme
interrupteur. De plus dans ce bloc est ralis lchantillonnage de la modulante : celui-ci est
fait en fonction de la valeur dune des porteuses, et possde la possibilit dtre effectu soit
la frquence des porteuses (2*Fdec) ou deux fois celle-ci (4*Fdec).
Avec la commande numrique, les deux lments du contrle, savoir la compensation du
courant et la correction due lchantillonnage irrgulier, nont pas t inclus dans la
commande. Ceci a t fait pour se consacrer au contrle par estimation du courant diffrentiel
qui nest pas ralis avec des blocs VHDL mais par un processeur intgr dans le FPGA.

b. Gestion des temps morts
Un des points diffrents entre la simulation et un systme rel est lintgration de temps
morts. Ceux-ci sont ajouts pour sassurer que les sources de tension ne seront pas court-
circuites car une cellule de commutation aurait ses deux interrupteurs ferms au mme
instant. Pour cela entre louverture de lun et louverture de lautre, un laps de temps (0.5s)
pendant lequel les deux interrupteurs sont tous les deux ouverts est ajout. La boucle de
courant nest pas interrompue car elle est assure par les diodes en parallle des IGBT.

140

Figure VI-36 Explication de la programmation du temps mort

Nanmoins la gestion de ces temps morts peut poser quelques difficults pour certaines
transitions de bandes, dans le cas de la transition intermdiaire c'est--dire celle o la
modulante change de signe et pour laquelle il y a un changement de sous-machine dtat. Pour
cette transition plusieurs interrupteurs changent ncessairement dtat au mme instant.

Figure VI-37 Onduleur Monophas Hybride Srie Parallle 5 Niveaux partage de composants

Figure VI-38 Problme et solution apporte lors du changement de bande intermdiaire en partant de ltat 7
vers ltat 1 avec un courant positif.

141
Outre ceux de laiguillage qui change en mme temps mais qui ne pose a priori pas de
problme, cest lajout dun changement dordre de commande sur T
X1
-T
X1b
ou T
X2
-T
X2b
qui
pose problme. En effet, comme il est donn en exemple sur la Figure VI-38, la tension de
sortie prend une valeur non dsire pendant une dure du temps mort.

La solution pour rgler ce problme est lajout dun pas de temps supplmentaire de la dure
du temps mort avant de faire la commutation sur les cellules aiguilleurs. Les effets de retard
de la commande de ces cellules sont lobtention un petit retard sur la tension de sortie. Pour la
transition intermdiaire dans le sens inverse, le principe est le mme. Nanmoins la solution
ainsi prsente est valable pour une charge inductive. Dans le cas dune charge capacitive, au
lieu de retarder lordre de commande des cellules aiguilleurs, il suffit de lavancer.
Lors de la ralisation de lANPC 5N avec en sortie (derrire laiguilleur) un convertisseur
multicellulaire srie, ABB a t confront au mme problme [KIE]. Pour rsoudre celui-ci, il
propose de faire au moment de la transition des bandes intermdiaires un squenage de
lordre de commande des interrupteurs. Cette solution ne possde pas de gros avantage vis--
vis de celle prsente ici. Elle inclut une tude beaucoup plus pousse (squence des
interrupteurs), et est ralise en plus de temps (ralisation en 5 tapes). Pour finir, le
squenage dpend de la charge en sortie et au final les formes dondes de sortie sont
identiques celles prsentes sur la Figure VI-38.

c.Installation dun processeur
Pour permettre de faire des calculs plus compliqus que ceux possibles avec un codage en
VHDL, un processeur a t implant au cur du FPGA. Ce processeur a finalement deux
objectifs : le premier est de raliser les calculs ncessaires la commande par estimation du
courant diffrentiel, le second est de pouvoir communiquer en temps rel avec le FPGA via le
port srie. La ralisation de ce processeur a d tre spare en deux cause de la diffrence
entre les interruptions ncessaires pour le calcul et celles ncessaires la communication entre
le FPGA et la supervision.

Figure VI-39 Architecture du processeur implante dans le FPGA

Le FPGA peut tre pilot en temps rel depuis le PC supervision, permettant ainsi de modifier
la configuration et de tester les diffrentes options sans avoir recompiler le programme
chaque fois quune modification est effectue. La liaison RS232 (liaison srie) est gre par le
processeur 2. Les informations sont ensuite envoyes dans la mmoire partage pour que le
142
second processeur (1) puisse les traiter. Les informations modifiables facilement par
lutilisateur sont : la modulation (POD/PD), lchantillonnage (2*F
dec
/4*F
dec
), le placement
dune double commutation et la manire de la placer (modulante/courant), les modulantes
(sinus/optimise), la frquence de dcoupage, la frquence des modulantes et la profondeur de
modulation.

Le deuxime processeur est un processeur ddi au calcul. Celui-ci est plus rapide et possde
de meilleures performances que le prcdent. Le premier rle de ce processeur est de gnrer
des horloges partir de timers. A partir des informations disponibles dans la mmoire
partage sur la frquence de modulation et de dcoupage dsire, le processeur gnre des
signaux dhorloge la bonne frquence. Ce processeur rcupre aussi les informations sur les
courants mesurs et les convertit par les convertisseurs analogique/numrique pour pouvoir
ensuite tre traites par le processeur. Ce traitement est la dernire fonction de ce processeur.
Le calcul est ensuite effectu par le processeur en fonction de ltat du reste de la commande
et des courants mesurs. Le rsultat de celui ci est un courant seuil qui correspond au
placement de la double commutation par le courant estim. Un des inconvnients du
processeur est un temps de calcul qui est relativement long (environ 15s). La commande ne
peut pas tre intgralement place dans le processeur car toute la partie estimateur en temps
rel est implante dans le FPGA en VHDL, alors que toute la programmation dans le
processeur est ralise en langage C.
Le temps de calcul est un handicap car il empche une augmentation de la frquence de
dcoupage. La frquence de dcoupage utilise pour le contrle du courant diffrentiel par
estimation a t faite pour une frquence de dcoupage gale 2kHz mais elle ne possde pas
une grande plage pour tre augmente.

VI.D.3.Rsultats exprimentaux de lANPC 5 Niveaux srie-parallle
Pour les rsultats suivants, les conditions sont pratiquement identiques, que ce soit pour la
charge ou la profondeur de modulation (M=0.8). Dans la premire partie, le bus continu est
gal 300V alors que dans la deuxime, il a t rduit 150V.

a. Echantillonnage deux fois la frquence de dcoupage - Double
commutation gre par la modulante
Plusieurs campagnes dessais ont t effectues sur la maquette afin de tester le convertisseur
dans le plus de configurations possibles. De plus, la modification assez aise grce une
interface graphique permettant de jouer sur diffrents paramtres a permis dacqurir
beaucoup de rsultats tout en tant sr de navoir rien modifi sur le prototype.

143

Figure VI-40 Formes dondes pour une modulation POD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases
(vert), somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) pour une frquence de dcoupage gale :
A) F
dec
=2kHz B) F
dec
=20kHz

Les premiers essais sont effectus pour une modulation POD. Avec un chantillonnage deux
fois la frquence de dcoupage, le courant diffrentiel est bien quilibr. Ceci est visible sur
les Figure VI-40-A et B. Lamplitude du courant diffrentiel dpend de la frquence de
dcoupage. Lamplitude du courant tant plus faible 10kHz (donc un zoom plus important),
il est possible de voir une oscillation basse frquence sur la Figure VI-40-B. Cette oscillation
basse frquence est due aux oscillations des tensions aux bornes des condensateurs formant le
bus continu. La somme des tensions des deux bras forme bien un signal compos de 5 niveaux
de tension.

144

Figure VI-41 Formes dondes pour une modulation PD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases (vert),
somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) pour une frquence de dcoupage gale : A) Sans
contrle F
dec
=2kHz B) sans contrle F
dec
=20kHz C) avec contrle F
dec
=2kHz (zoom sur la double commutation
D) avec contrle F
dec
=20kHz

Pour la modulation PD, le rle du contrle par la double commutation fait une grande partie
du travail de la rgulation totale du courant diffrentiel. Que ce soit avec une frquence de
dcoupage gale 2kHz ou 20kHz, le placement de la double commutation est toujours
correct. Comme pour la modulation POD (Figure VI-40), les ondulations sur le courant
diffrentiel Figure VI-41-D sont dues aux variations de la tension aux bornes des
condensateurs. Sur la Figure VI-41-C, un zoom est fait sur quelques doubles commutations et
montre que celles-ci stabilisent correctement le courant diffrentiel.
Les modulantes utilises sont dans ce cas des sinusodes. Les modulantes avec des formes
dondes optimises ont t programmes et testes sur le prototype. Mais celles-ci demandent
beaucoup dattention sur la valeur de la profondeur de modulation. Car si elles sont comprises
dans un des intervalles rsum dans le Tableau VI-2, lhomopolaire inject possde une
valeur moyenne non nulle sur une priode de modulation et dstabilise le bus continu.
Leffet de la double commutation de la transition entre les bandes intermdiaires est visible
sur le zoom de la Figure VI-41-C, et montre que celle-ci a trs peu dinfluence sur le motif du
courant diffrentiel.
La compensation de tension na pas t implante dans cette commande et les diffrentes
figures montrent quelle nest pas forcment ncessaire. Le centrage du courant autour de zro
est d aux rsistances parasites des inductances de liaison. De mme, les effets de
lirrgularit de lchantillonnage nest pas visible sur la tension entre phase car le filtrage du
aux inductances de liaison efface beaucoup les perturbations qui sont sur le signal de la
modulante entre phase.

145
b.Estimateur du courant diffrentiel
Pour valider les tudes faites en simulation sur cette commande, celle-ci a t implant afin de
valider les rsultats obtenus prcdemment. Lintrt de cette commande est de rguler la
valeur moyenne du courant diffrentiel sans modifier la valeur de la modulante et ainsi avoir
en sortie la meilleure forme donde possible. Nanmoins, cause de la limitation de la
frquence de dcoupage par les temps de calcul des courants de seuil, le contrle du courant
diffrentiel na t test que pour une frquence de dcoupage de 2kHz et un bus continu
dune tension de 150 V. Dans un premier temps, seule la correction avec la double
commutation a t ralise, la correction en rutilisant ltat prcdent na pas t
programme. Au niveau des seuils de dtection de ncessit dune double-commutation, le
seul seuil pris en compte est celui sur la discontinuit de la moyenne entre courant mesur et
estim. Ceux concernant la drive du courant ou un courant diffrentiel ne sont pas pour
linstant programms dans le FPGA. Nanmoins, ltude en simulation a montr que la
plupart des rtablissements du courant autour de zro sont ralises par des doubles
commutations.

Figure VI-42 A) Formes dondes pour une modulation PD : courant diffrentiel (bleu), tension entre phases
(vert), somme des tensions des deux bras dune mme phase (jaune) avec contrle par estimation de courant B)
Zoom sur une double commutation :courant diffrentiel(bleu) Ordre de ncessit de rguler (Vert) Courant de
seuil (rouge ) ordre de double commutation ( front montant du signal jaune)

Sur la Figure VI-42-A est reprsent le courant diffrentiel avec le contrle par estimation du
courant. Celui-ci est assez efficace et permet de stabiliser convenablement le courant autour
dune valeur nulle. Sur la Figure VI-42-B est montr le dtail dune double commutation
depuis la dtection de la ncessit de rguler le courant diffrentiel jusquau placement de la
double commutation en fonction dun seuil de courant. Le temps de calcul du seuil de courant
peut lui aussi tre visible. Il se calcule entre la pointe sur le courant diffrentiel avant le front
rouge et le front rouge : dans le cas prsent celui-ci est de 14s alors que la priode de
dcoupage apparente en sortie est de 250s.

Ce prototype a permis de valider beaucoup de rsultats obtenus prcdemment en simulation
numrique. Lintrt de ce prototype est aussi li sa commande uniquement ralise sur
FPGA avec implantation dun processeur pour raliser les calculs lis lestimateur de
courant mais aussi pour communiquer avec le FPGA en temps rel via une interface
graphique sur lordinateur. Malgr tout, cette commande quelques faiblesses au niveau des
temps de calcul qui limitent les performances au niveau de la frquence de dcoupage. Pour
amliorer cela, une des prochaines tapes est la mise en uvre dune commande qui se
passera de processeur : cela ncessite quelques amnagements du support numrique. De
VI.E Convertisseur Multicellulaire Hybride Srie-Parallle
146
nombreux tests restent faire avec cette maquette : quelques tudes spectrales peuvent tre
intressantes, ainsi que le remplacement des inductances par des transformateurs inter-
cellules.

VI.E.Convertisseur Multicellulaire Hybride Srie-Parallle
Une autre possibilit de structure utilisant la fois le principe des multiniveaux hybrides et
parallles est le convertisseur multicellulaire srie parallle. Cette structure est assez
intressante, elle permet de combiner la fois les avantages des convertisseurs
multicellulaires et parallles.

VI.E.1.Prsentation de la structure
Le principe de ce convertisseur est de remplacer les cellules de commutation classiques dun
convertisseur multicellulaire parallle par des convertisseurs multicellulaires parallle. Cette
structure est reprsente sur la Figure VI-43. Les rectangles bleus sont une aide pour la
comprhension la disposition des interrupteurs pour le prototype. En effet, deux
interrupteurs possdant le mme botier ne forment pas entre eux une cellule de commutation.

Figure VI-43 Onduleur multicellulaire Srie Parallle 5 Niveaux

Les sources de tension flottante ont une tension gale E/2. Ce qui fait que les interrupteurs
doivent bloquer une tension maximum de E/2. Mais le courant du fait de la mise en en
parallle est deux fois moins grand.
Un des avantages de ce type de convertisseur est la combinaison la fois des effets des
convertisseurs multicellulaires srie et parallle. En effet pour ces deux convertisseurs, dans
un cas deux cellules, il est possible davoir en sortie une frquence de dcoupage apparente
deux fois plus grande que la frquence de dcoupage. En combinant les deux effets, la
frquence de dcoupage apparente avec cet onduleur est maintenant multiplie par quatre par
rapport la frquence de dcoupage apparente. Pour pouvoir comparer avec la structure
prcdente, larchitecture de la commande est similaire la structure prcdente et le systme
de porteuses est la mme frquence. Ceci a pour effet davoir des interrupteurs qui
commutent une frquence deux fois plus faible que certains interrupteurs prcdents. Mais
avec la structure prcdente, certains interrupteurs navaient pratiquement pas de pertes par
commutation (ceux ayant le rle daiguilleur), alors que pour cette structure les pertes sont
147
rparties dans les diffrents interrupteurs. Globalement une tude de perte montre que les
pertes totales dans ces deux topologies sont quivalentes.

VI.E.2. Influence dune modulation PD sur la tension de la source
flottante pour un convertisseur multicellulaire srie
Dans la premire partie de ce chapitre a t montr les effets dune modulation PD sur le
courant diffrentiel pour un convertisseur multicellulaire parallle 3 niveaux. Par analogie, il
est assez comprhensible que les mmes problmes se retrouvent sur les convertisseurs
multicellulaires sries. Mais cette fois-ci au lieu davoir une dstabilisation du courant
diffrentiel, elle a lieu maintenant au niveau de la tension du condensateur flottant.

Figure VI-44 Formes dondes de la tension du condensateur flottant pour un onduleur multicellulaire srie 3
niveaux avec une modulation PD

La Figure VI-44 montre lvolution de la tension sur plusieurs priodes de modulation pour
un convertisseur multicellulaire srie 3 niveaux. Les sauts de tension nont lieu quau
changement de bande de commutation. Ces sauts de tension perturbent la tension de sortie ce
qui devient un lment handicapant lors de ltude spectrale des formes dondes de la tension
de sortie. De plus, si dans un cas parallle, il a t possible de voir que les courants
diffrentiels squilibrent pratiquement naturellement autour dune valeur nulle (prsence des
sauts tout de mme si pas de contrle ddi), dans le cas du multicellulaire parallle, la
tension ne bnficie pas de ce phnomne. Les tensions des condensateurs peuvent alors se
dcharger. Les contraintes admissibles au niveau des interrupteurs ne sont plus respectes et
peuvent entraner la destruction de la maquette exprimentale.
Nanmoins, les techniques de rgulation du courant diffrentiel sont transposables au niveau
de la rgulation de la tension du condensateur flottant. La premire technique utilisant le
placement dune double commutation calcul en fonction de la modulante, est dautant plus
intressante que le calcul est identique celui pour le courant diffrentiel. De plus le principe
de lchantillonnage deux fois la frquence de dcoupage permet de stabiliser cette tension
entre deux chantillonnages, et la tension peut tre aussi contrle par ajout dun signal
supplmentaire sur la modulante afin davoir un contrle total de la tension du condensateur
flottant.
La technique de rgulation du courant diffrentiel par estimation de celui-ci est aussi possible
avec la tension du condensateur flottant. Contrairement au courant diffrentiel, la tension
dpend plus de la tension du bus continu en entre que du courant de phase en sortie. Ceci
ncessite de rajouter un capteur supplmentaire car contrairement la tension du bus continu
VI.E Convertisseur Multicellulaire Hybride Srie-Parallle
148
qui tait considr stable pendant une priode de modulation, celle-ci varie de faon
sinusodale pendant la priode de modulation. De plus la variation de la charge entrane des
changements sur lamplitude et la phase du courant.
Toutes ces techniques ont t testes en simulation numrique sur le logiciel PSIM et donnent
des rsultats comparables la rgulation des courants diffrentiels prsents dans la premire
partie de ce chapitre.

VI.E.3.Commande et proposition pour quilibrer les courants
diffrentiels et tensions des sources flottantes
Larchitecture de la commande est identique celle de la Figure VI-44. Dailleurs, un des
avantages de cette architecture de commande est utilis dans ce cas. Il sagit de la rutilisation
de certains blocs et notamment du modulateur 5 niveaux qui est identique pour les deux
structures. De mme la gnration des modulantes aux formes dondes optimises est
identique au bloc prcdent.

Figure VI-45 Machine dtat pour londuleur multicellulaire srie parallle 5 niveaux

Le bloc qui change et le plus important est celui de la machine dtat. Celle-ci est prsente
sur la Figure VI-45. Les conditions de transition ne sont pas indiques pour essayer de
clarifier la machine dtat. Dans la plupart des cas, il sagit dune condition sur le niveau
demand. Seuls les tats extrmes possdent une variable qui est incrmente et qui permet un
droulement conscutifs de chaque tat comme pour la machine dtat du convertisseur
multicellulaire parallle 3 niveaux (Figure VI-6) et pour lANPC 5 niveaux srie parallle
(Figure VI-25).
Sur la Figure VI-45 est reprsent pour chaque tat lvolution du courant diffrentiel et des
deux condensateurs flottants pour un courant positif en sortie. Chaque tat pour un mme
niveau est diffrent au niveau de lvolution de ces trois variables. Le changement de bande
ne modifie plus une variable mais trois qui doivent toutes tre correctement contrles en
149
sortie afin davoir sur chacune delles des formes dondes satisfaisantes. Ce contrle nest pas
simple, voire trs compliqu dans ltat actuel de ltude sur cette structure. Il nest toujours
pas bien dfini et la stratgie employer au niveau du choix entre une rgulation par la
modulante ou par estimation du courant diffrentiel ou des tensions, voire un contrle mixant
ces commandes est un choix assez difficile faire.
Plusieurs commandes ont t testes avec pour but un contrle soit des tensions des
condensateurs, soit du courant diffrentiel. Une des solutions pour linstant les plus
satisfaisantes est celle contrlant le courant diffrentiel et grant lquilibrage des
condensateurs du bus continu par filtre RLC plac entre les deux bras absorbant un
harmonique la frquence de dcoupage des interrupteurs qui permet dquilibrer les
diffrentes tensions des condensateurs du bus continu. Cette solution nest pas pour autant
satisfaisante car elle entrane un ajout de composants sur la structure, et ne contrle pas
activement les sauts sur les tensions aux bornes des condensateurs.

VI.E.4.Rsultats de simulation avec cette structure
Deux simulations ont t effectues : la premire a pour objectif de rguler les tensions des
condensateurs du bus alors que la seconde a pour objectif de rguler le courant diffrentiel.
Dans le premier cas (contrle des tensions), la commande est lgrement diffrente pour
chaque sous-structure multicellulaire srie. Un systme modulateur-machine dtat avec
correction du motif est implant et pour corriger le courant et viter que celui-ci diverge, le
principe de la compensation est programm entre les deux sous-structures.

des tensions des capacits flottantes

Les formes dondes montrent que le courant diffrentiel est moyennement contrl car celui-
ci drive lentement mais parvient tout de mme osciller autour de la valeur dsire, mais par
contre les tensions aux bornes des condensateurs sont trs satisfaisantes. Nanmoins, bien que
la disposition des porteuses dans les deux sous-systmes soit en Phase Disposition , sont
dphases de 180 dun sous-systme lautre. Mais le problme vient du fait que deux sous-
systmes en modulation PD ne donnent pas en sortie les effets bnfiques que cette
modulation a sur le spectre des formes dondes en sortie du convertisseur.

VI.F Conclusions
150

du courant diffrentiel

En ce qui concerne le second contrle, cest cette fois-ci le courant qui est parfaitement
contrl. Les tensions restent stables mais les sauts dus aux changements de bande sont bien
visibles. Un contrle actif de ces changements de bande serait la solution idale car, en plus
davoir un ajout de composants dans la structure, cette solution entrane des pertes
supplmentaires dans ces composants passifs.

Mme si les performances de cette structure sont assez bonnes vu de lextrieur (frquence
apparente de dcoupage multiplie par quatre, rduction des calibres des interrupteurs,), la
mise en uvre de cette topologie savre assez complique, notamment pour lutilisation de
formes dondes ou de systmes de porteuses visant amliorer le spectre de sortie. Plusieurs
pistes pour linstant ont t abordes afin de contrler trois variables simultanment par
phase : le courant diffrentiel entre les deux bras en parallle et les tensions aux bornes des
condensateurs flottants. Mais aucun rsultat probant en simulation na permis de se lancer
dans la programmation de la commande sur la maquette exprimentale. Plusieurs autres pistes
peuvent tre suivies pour une future commande active de ces trois variables. Lune delles est
une tude profonde de la machine dtat et notamment au niveau de toute les transitions
possibles pour chaque fois trouver celle qui arrangera le mieux les diffrents motifs.

VI.F.Conclusions
A partir de toutes les familles de convertisseurs multiniveaux, il est possible de crer de
nouveaux types en croisant deux principes. La nouvelle famille prsente dans cette tude a
lavantage de combiner les avantages des convertisseurs multiniveaux sries qui, dans le cas
onduleur, permet daugmenter la tension du bus continu en entre et les avantages des
convertisseurs multiniveaux parallles, qui permettent daugmenter le courant en sortie tout
en gardant des ondulations de courant respectables. Ces deux types de convertisseurs ont dj
de nombreuses applications dans des domaines varis. Ce nouveau type conjugue lavantage
de ces deux grandes familles en admettant une augmentation de la tension du bus continu en
entre et un courant plus important en sortie du convertisseur.
Dans un premier temps, la structure considre qui est la structure duale de lANPC 5
niveaux, a permis de valider plusieurs rsultats pressentis lors dune tude prliminaire, tels
que le doublement de la frquence apparente en sortie, la rduction des calibres en courant de
151
certains composants ou laugmentation du calibre en tension. De plus avec cette commande,
les connaissances sur les convertisseurs multiniveaux parallles ont t rutilises comme par
exemple le contrle du courant diffrentiel pour viter que celui-ci drive et reste dans une
bande de courant limite. Pour cela, diffrentes stratgies ont t testes dont celle dj
connue utilisant une transition entre les tats intermdiaires placs en fonction de la
modulante. Cette technique a de nombreux avantages notamment la simplicit de
programmation. Mais elle ncessite lajout dune compensation de courant qui altre le signal
modulant normalement calcul pour optimiser le spectre de sortie. Une nouvelle technique
nayant aucun effet sur la modulante a t propose. Cette technique utilise le principe dun
estimateur qui va dterminer le courant dans un tat futur et ainsi dtecter les instants o
celui-ci drive de la bande de rfrence.
De ce travail est n un prototype qui a permis de valider les rsultats de simulation de cette
structure. Ce prototype a t conu dans le but de tester diffrentes structures multiniveaux
hybride srie parallle. Pour linstant, seule cette structure a t mise en uvre. La commande
de cette structure a t faite de manire numrique base uniquement dun FPGA. Dans ce
FPGA a t implant un processeur qui permet de raliser diffrents calculs ainsi quune
communication en temps rel entre le FPGA et une interface PC. De nombreux rsultats
concernant les types de commande ont pu tre valids avec cette manipulation. Nanmoins,
les performances que lon pourrait atteindre avec cette maquette sont freines par la frquence
de dcoupage. En effet, le temps de calcul dans le processeur empche dans ltat actuel
laccroissement de la frquence de dcoupage avec la deuxime technique de contrle du
courant diffrentiel.
Une autre topologie de cette nouvelle famille de convertisseur multiniveaux a t tudie. Il
sagit du convertisseur multicellulaire srie parallle. Cette topologie a beaucoup davantages
car elle permet dallier la fois les avantages des convertisseurs multicellulaires srie et
parallle et permet par exemple de multiplier par quatre la frquence apparente en sortie par
rapport la frquence de dcoupage des interrupteurs. Mais linconvnient de cette structure
est le nombre de variables internes contrler pour avoir des formes dondes en sortie
satisfaisantes. Avec une modulation PD, les tensions aux bornes des diffrents condensateurs
ainsi que le courant diffrentiel entre les bras ne sont pas stables lors des changements de
bande de commutation. Par manque de temps, aucune solution permettant de stabiliser ces
diffrentes variables en mme temps na pu tre propose. Les solutions semblent tre
complexes. Nanmoins les rsultats que lon pourrait obtenir avec cette maquette pourraient
savrer trs intressants pour la conversion statique multiniveaux.

Conclusion gnrale
153
CONCLUSION GENERALE

Les travaux sur les convertisseurs multiniveaux ont permis, ces dernires annes, la cration
de nombreuses structures. Depuis londuleur Neutral Point Clamped (NPC), de nombreuses
structures sont apparues ayant des proprits assez intressantes telles que les convertisseurs
multicellulaires sries ou superposes. Toutes ces structures peuvent tre classes en fonction
du mode utilis pour la conversion et le moyen pour avoir en sortie une tension sur diffrents
niveaux. Les principales familles sont : la mise en srie de pont en H, les convertisseurs
utilisant le fractionnement du bus, les convertisseurs multicellulaires sries et les
convertisseurs multicellulaires parallles. De nouvelles topologies peuvent tre cres partir
de ces dernires, soit en ajoutant en srie des structures utilisant diffrents principes, soit par
concatnation de deux principes. Les proprits obtenues sont similaires celles des
structures de base utilises.
Un autre principe pour crer de nouvelles structures est la construction de celles-ci par des
lments de base, tels que des cellules de commutation ou des cellules de base du
convertisseur multicellulaire superpose (SMC1x2). Avec toutes ces structures possibles, il
est alors intressant de savoir si celles-ci sont viables ou si elles napportent rien de plus par
rapport aux structures dj existantes. Pour cela, un certain nombre de critres ont t
prsents. Ces critres peuvent aussi tre lis la structure (comme le nombre de composants
ou lnergie stocke dans la structure) ou bien lis aux formes dondes en sortie (nombre de
niveaux ou frquence de dcoupage apparente en sortie), ou encore des critres lis sur
lutilisation de la topologie (pertes globales ou courant maximum admissible). Ce dernier
critre est un reflet de la rpartition des pertes dans les diffrents composants semi-
conducteurs et de leur utilisation sur une priode de modulation. En effet les caractristiques
donnes par le constructeur sont pour une application dans une cellule de commutation o les
interrupteurs commutent pendant toute la priode de modulation. Or dans certains
convertisseurs multiniveaux, les interrupteurs ne sont pas utiliss pendant toute cette priode
de modulation.
La cration de nouvelles structures est toujours possible, mais il est ncessaire dvaluer
celles-ci dans leurs utilisations futures. En effet, il est trs simple de crer de nouvelles
structures mais il faut que celles-ci possdent des qualits les dmarquant des autres structures
multiniveaux dj bien connues.

Lextension des structures un plus grand nombre de niveaux en sortie entrane davoir un
certain nombre dinconvnients sur lutilisation de convertisseur multiniveaux. Un de ces
problmes est lutilisation dun bus continu ralis par un pont diviseur capacitif compos de
plus de deux condensateurs. En effet avec trois condensateurs ou plus, le courant moyen
traversant ces lments nest pas nul. Il est donc ncessaire de contrler la tension aux bornes
de ces condensateurs. Pour cela plusieurs solutions sont possibles comme par exemple,
essayer de rguler ces tensions en utilisant la commande. La solution propose est lutilisation
dune modulation vectorielle couple un algorithme de minimisation de lnergie stocke.
Cet algorithme est bas sur un critre qui a son maximum pour la combinaison qui stabilise le
plus (ou dstabilise le moins dans le cas o aucune combinaison ne stabilisera le systme).
Avec ce principe pour stabiliser le pont diviseur capacitif, il y a certaines limitations sur la
profondeur de modulation. En effet le nombre de redondances tant limit, voire inexistant
pour des grandes profondeurs de modulation, il est beaucoup plus difficile de stabiliser la
tension aux bornes des condensateurs. Pour augmenter le nombre de redondances, une
Conclusion gnrale
154
nouvelle topologie a t propose. Cette structure est base sur une structure de conversion 4
niveaux laquelle a t ajout un condensateur flottant. Ceci a permis de passer dune
structure 4 niveaux une structure avec 7 niveaux de tension en sortie. Au niveau du plan de
Concordia, le nombre dhexagones a t doubl, c'est--dire que le nombre de redondances
par point est plus grand pour de nombreux points. Par contre le nombre de condensateurs o
la tension doit tre rgule est lui aussi plus grand : la zone de stabilit des tensions aux
bornes des condensateurs a pu tre tendue.
Une autre solution possible pour rguler ces tensions est lutilisation dun circuit auxiliaire qui
ralise un transfert dnergie dun condensateur vers un autre via un lment de stockage
inductif. Cette technique est trs intressante car elle permet davoir un fonctionnement de la
structure de conversion dans toutes les conditions possibles. Par contre un inconvnient de ce
principe est lajout de composants dans des structures dj assez gourmandes en interrupteurs.
Dans ce mmoire, une structure a t propose permettant dinclure linductance dans la
structure et ainsi globalement davoir les structures auxiliaires incluses dans la structure de
conversion. Ddies cette nouvelle structure, deux principes de commandes ont t
proposes permettant de contrler les tensions : la premire commande est similaire celle
utilise avec les circuits auxiliaires sauf que la priode de rgulation des tensions est rduite
la moiti de la priode de modulation. La seconde commande a pour principe de rguler les
tensions des condensateurs et de raliser la conversion dnergie au mme instant avec les
mmes composants. Ceux-ci a pour effet davoir un dimensionnement de linductance un peu
particulier et de devoir ajouter des interrupteurs pour pouvoir assurer la conversion.
Nanmoins ces commandes ont pu tre valides par simulation. Un travail futur pourrait tre
de coupler ces deux commandes pour avoir un convertisseur plus performant.
Un autre problme li lutilisation de structures multiniveaux concerne le nombre de
composants qui les compose. En effet, plus le nombre de niveaux de tension augmente en
sortie, plus le nombre dinterrupteurs augmente. Ceci est dautant plus vrai pour les structures
de la famille des convertisseurs qui utilisent le fractionnement du bus continu. Pour essayer de
rduire ce nombre de composants, un concept bas sur un partage de composants entre les
diffrentes phases dun convertisseur a t propos. Si dun point de vue structurel ceci na
pas t concluant, il a t intressant den tudier la commande. En effet, certaines
combinaisons de tension dsire en sortie peuvent tre ralises de manire diffrente. Le
choix entre les combinaisons a fait lobjet de limplantation de deux commandes, la premire
tant base sur une rpartition des pertes dans les diffrents composants, la seconde cherchant
minimiser les pertes par commutation en essayant de faire commuter le moins
dinterrupteurs possible entre deux combinaisons de tension. Ces deux commandes ont permis
de rduire les pertes globales dans la structure.

Un autre domaine a t explor avec la cration de deux nouvelles structures de conversion
multiniveaux. Cest chaque fois lassociation de deux familles qui a permis de crer celles-
ci. La premire structure est une variante de la structure ANPC 5N. En effet, au lieu davoir
un convertisseur multicellulaire en srie, la structure de sortie est un convertisseur
multicellulaire parallle. Lavantage de cette dernire structure est de permettre un plus grand
courant de sortie quune structure de conversion 2 niveaux classiques. De plus, certaines
proprits sur les formes dondes de sortie sont similaires celles des convertisseurs
multicellulaires sries. Cette structure a t tudie dans le but damliorer les formes dondes
en sortie en utilisant la modulation Phase Disposition (PD) et en ajoutant aux modulantes
une composante homopolaire permettant doptimiser le spectre des formes dondes en sortie.
La modulation PD entrane nanmoins quelques dsagrments sur la diffrence des courants
entre les deux bras. Pour contrler ce courant diffrentiel, plusieurs solutions ont t
proposes. Ces solutions sont bases sur le mme principe : introduire une double
Conclusion gnrale
155
commutation au niveau des interrupteurs qui ne change en rien la tension en sortie mais qui
modifie le sens de variation du courant diffrentiel. La premire solution calcule le placement
de cette double commutation en fonction de la valeur de la modulante. Cette solution ne
permet pas de contrler totalement le courant diffrentiel mais elle vite des sauts chaque
changement de bande de modulation. Un autre signal est ajout sur la modulante afin de
contrler totalement le courant diffrentiel. Le placement de la double commutation dans le
second cas est bas sur la valeur du courant diffrentiel. En effet, celui-ci est estim pour les
tats o il est stable et ne varie pas. Dans le cas dune dviation trop importante par rapport
sa valeur de rfrence, un courant seuil o doit tre plac la double commutation est calcul.
Une autre diffrence entre ces deux contrles est la frquence dchantillonnage de la
modulante : dans le premier cas la frquence de la porteuse et dans le deuxime cas, deux
fois celle-ci. Echantillonner la frquence de la porteuse entrane des problmes dans le cas
dune modulation PD, car les instants dchantillonnage nont pas lieu aux mmes instants.
De cette tude a t conu un prototype qui a permis de valider les diffrents rsultats de
simulation. La commande de ce prototype a t ralise par un FPGA dans lequel a t
implant un processeur (NIOS) permettant de raliser les calculs du courant de seuil o doit
avoir lieu la double commutation. De plus, un second processeur a t implant afin davoir
un contrle en temps rel sur la structure via une interface graphique sur PC superviseur.
Ainsi, il est possible de modifier aisment les frquences de modulation et de dcoupage, la
profondeur de modulation, la modulation POD ou PD, lchantillonnage des modulantes, de
placer ou non la double commutation ainsi que la nature de son calcul, ou encore le fait
davoir en entre des modulantes au formes dondes optimises ou non. De plus, cette
structure est modulable vers un autre type de convertisseur.
Le deuxime convertisseur tudi est une association des convertisseurs multicellulaires sries
et parallles. Il possde des proprits intressantes sur les formes dondes en sortie.
Nanmoins, il est trs difficilement contrlable car les problmes sur le courant diffrentiel au
niveau des changements de bande se retrouvent sur la tension des capacits flottantes pour
chaque bras. Or le nombre de donnes contrler est suprieur au cas prcdent donc la
gestion de la machine dtat en est dautant plus complique. Par manque de temps, aucune
solution intressante na t trouve pour le moment, et ltude de la commande de cette
structure reste un projet pour de futurs travaux.

Les convertisseurs multiniveaux ont cr un vaste domaine de llectronique de puissance de
part leur diversit au niveau de leur ralisation, mais aussi de la plage dutilisation de ceux-ci
au niveau des applications. La cration de nouvelles structures est toujours possible
principalement par une association de principe, mais les nouvelles structures cres sont
rarement novatrices et napportent pas toujours de meilleures performances en sortie.
Lexploration de nouvelles topologies seffectue maintenant par association de principes dj
connus, il faut sattendre, dans un futur proche voir un grand nombre de ces associations car
les possibilits sont trs nombreuses.

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[BRE3]
Device for Converting Multicell Energy. G. Gateau, T.A. Meynard and H.Foch,
Worlwide Patent n0193412, 06 Dcembre 2001

Annexe
ANNEXE A. Etude comparative de diffrentes topologies de compensateur de puissance ractive
165
ANNEXE A
ETUDE COMPARATIVE DE DIFFERENTES TOPOLOGIES
DE COMPENSATEUR DE PUISSANCE REACTIVE

Le STATCOM est un systme dlectronique de puissance qui permet de raliser un change
de puissance ractive avec un rseau auquel il est connect en parallle. Le contrle du
transfert de puissance se fait par le contrle de la phase et du courant fourni ou absorb par le
STATCOM. La structure prsent ici est une association srie donduleurs de tension.

A.I. Prsentation de la compensation
A.I.1. Principe du STATCOM
Le principe de la compensation est trs simple et est dcrit avec le schma suivant :

Fig. 1 Schma dinstallation sur le rseau dun STATCOM

Le principe du STATCOM est dinjecter un courant de manire ce que le rseau fournisse
uniquement de la puissance active. En effet si la charge absorbe un courant dphas par
rapport la tension le rseau fournira la partie du courant en phase et le STATCOM la partie
dphase. Pour cela on va ajuster la valeur efficace de la tension
stat
V .

Fig. 2 Reprsentation des vecteurs des tensions en convention gnrateur
Charge
stat
L
pcc
V
DC
V
L
V
stat
V
stat
I
r
I
Load
I
Charge
stat
L
pcc
V
DC
V
DC
V
L
V
stat
V
stat
I
r
I
Load
I
stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 > Q
a) Le STATCOM fournie de la puissance

stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 < Q
b) Le STATCOM absorbe de la puissance

stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 > Q

stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 > Q

stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 < Q

stat stat
I X
stat
I
pcc
V
stat
V
0 < Q

A.I Prsentation de la compensation
166

En convention gnrateur, pour fournir de la puissance, il faut que la tension du STATCOM
soit suprieure la tension du rseau, alors que pour en absorber il faut que la tension du
STATCOM soit infrieure la tension du rseau. Le rglage de la valeur efficace de la
tension du STATCOM se fait par lintermdiaire de la profondeur de modulation.

A.I.2. Lassociation srie de pont en H
Le compensateur est ralis par une association srie de pont en H. cette association permet
de raliser un compensateur sans transformateur. Chaque phase va tre ralise par une mise
en srie de blocs identiques. Chacun de ces blocs sur une mme phase possdera la mme
modulante mais leurs porteuses seront dphass de
N
n
t
, o n est le numro du bloc et N le
nombre total de bloc. Ce dphasage permet dentrelacer les tensions et ainsi davoir une forme
donde de tension multiniveaux et une frquence de dcoupage apparente augmente
Deux dispositions sont possibles, une disposition en toile et la deuxime en triangle.

Fig. 3 montage en toile et en triangle des cellules lmentaires

La disposition en toile permet dutiliser moins de blocs lmentaires mais le courant est plus
important alors que pour une disposition en triangle le courant est moins important et le
nombre de bloc plus lev.

A.I.3. Les diffrentes structures proposes
Pour raliser les diffrents blocs lmentaires, 3 structures sont proposes : Le 2 niveaux, le
Neutral Point Clamped (NPC) et convertisseur multicellulaire superpose (SMC). Chacun de
ces convertisseurs possde des caractristiques diffrentes qui entraineront un
dimensionnement et des performances diffrents.

a. Le Pont en H
Le 2 niveaux est la topologie la plus simple, la structure en pont en H est la suivante :

Disposition en toile Disposition en triangle
Structure Pont en H
lmentaire Inductance de
dcouplage
Disposition en toile Disposition en triangle
Structure Pont en H
lmentaire Inductance de
dcouplage
167

Fig. 4 Structure lmentaire 2 Niveaux en pont en H

Pour commander cette structure, on utilise un contrle par Modulation de Largeur
dImpulsion (MLI). Les ordres de commandes des interrupteurs relis par un trait rouge sont
complmentaires et la modulante des interrupteurs du cot A est en opposition de phase par
rapport la modulante des interrupteurs du cot B (entrelacement). Ceci permet davoir en
sortie les caractristiques suivantes : la tension
AB
V sur 3 niveaux et un doublement de la
frquence de dcoupage apparente par rapport la frquence de dcoupage relle.

Fig. 5 Formes dondes en sortie du pont en H (tension et courant) et de la commande de la structure (porteuse et
modulantes)

b. Le NPC
La topologie suivante est la structure NPC (Fig. 6)

DC
V
A B
DC
V
AA B
0.0K
-1.00K
-2.00K
-3.00K
1.00K
2.00K
3.00K
Vab I(Lstat)
0.0 10.00 20.00 30.00 40.00 50.00
Time (ms)
0.0
-0.50
-1.00
0.50
1.00
1.50
Sm_A Sm_B Sp
A.I Prsentation de la compensation
168

Fig. 6 Structure lmentaire NPC en pont

Les tensions en sortie de chaque bras peuvent prendre trois niveaux (0, V
DC
, 2.V
DC
). On
obtient donc 5 niveaux de tension pour un pont complet. De mme que prcdemment la
frquence de dcoupage apparente est double par rapport la frquence de dcoupage relle.

Fig. 7 Formes dondes en sortie du pont avec cellules NPC (tension et courant) et de la commande de la
structure (porteuses et modulantes)

La commande est ralise par un contrle MLI possdant deux porteuses superpose. Pour
avoir les niveaux intermdiaires
DC
V et
DC
V , ces porteuses, doivent tre en phase sinon il
existe une symtrie entre les tensions
AO
V et
BO
V qui influe sur la tension en sortie
AB
V en lui
donnant uniquement 3 niveaux et un cart entre les niveaux de
DC
V 2 .

Lavantage de cette structure est davoir une redondance pour raliser le niveau intermdiaire
et ainsi ne pas solliciter toujours les mmes interrupteurs. Ceci va permettre globalement de
rduire les pertes.

c. Le SMC2x2
La troisime structure prsente est le SMC2x2 dont le schma est ci-dessous :
A O B
O
DC
V
DC
V
1
T
2
T 1 c
D
2 c
D
3
T
4
T
A O B
O
DC
V
DC
V
1
T
2
T 1 c
D
2 c
D
3
T
4
T
0.0K
-2.00K
-4.00K
-6.00K
2.00K
4.00K
6.00K
Vab I(Lstat)
0.0 10.00 20.00 30.00 40.00 50.00
Time (ms)
0.0
-0.50
-1.00
0.50
1.00
1.50
Sm_A Sm_B Sp_s Sp_i
169

Fig. 8 Structure lmentaire SMC2x2 en pont

Dans tous les cas prsents, les sources de tension sont en pratique ralises par des
condensateurs. Dans le cas de cette structure, lquilibrage des tensions des condensateurs
intermdiaires (source de tension
DC
V ) est naturel.
Sur les branches extrieures deux interrupteurs sont mis en srie pour respecter la tenue en
tension, lors de la conversion, un seul de ces interrupteurs commute la frquence de
dcoupage, lautre reste ouvert. Ceci limite les pertes par commutation dans la structure.

La tension de sortie
AB
V prsente au maximum de 9 niveaux et une frquence de dcoupage
apparente multiplie par 4 par rapport la frquence de dcoupage relle.

Fig. 9 Formes dondes en sortie du pont avec cellules SMC2x2 (tension et courant) et de la commande de la
structure (porteuses et modulantes)

Les porteuses sont superposes et de frquence double par rapport la frquence de
dcoupage des interrupteurs. De mme pour avoir le bon nombre de niveaux en sortie, il est
ncessaire que ces porteuses soient en phases. Dans le cas o elles sont en opposition de
phase, la tension en sortie ne possde que 5 niveaux de tension.
DC
V 2
DC
V 2
O
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
O
A B
DC
V 2
DC
V 2
O
DC
V
DC
V
DC
V
DC
V
O
A B
0.0K
-5.00K
-10.00K
-15.00K
5.00K
10.00K
15.00K
Vab I(Lstat)
0.0 10.00 20.00 30.00 40.00 50.00
Time (ms)
0.0
-0.50
-1.00
-1.50
0.50
1.00
1.50
Sm_A Sm_B Sp1 Sp2 Sp3 Sp4
A.II Dimensionnement du compensateur statique
170

A.II. Dimensionnement du compensateur statique
Tout dabord avant de donner les formules pour le dimensionnement des diffrents lments,
il est important de rappeler le cahier des charges de ltude :
- La plage de compensation de la puissance doit se situer entre -100MVAR et
100MVAR
- La tension entre phase du rseau est de 35kV
- La frquence de dcoupage est de 150Hz
- Londulation de courant doit tre de 5%
- Les composants semi-conducteurs utiliss sont des IGBT TOSHIBA ST1500GXH24
associs des diodes POSEICO ARF670
- La tension commute par les IGBT est de 2500V
- La profondeur de modulation maximale est de 0.95
- Pour assurer une continuit de fonctionnement, 2 structures en pont sont redondantes
A.II.1. Cas du couplage Etoile
Dans un premier temps, le couplage toile est tudi. Pour une structure en pont en H
lmentaire, londulation de courant peut scrire ainsi :

sw stat
com
f L
V
I
= A
8
max

(1)

O
com
V est la tension commute et
sw
f la frquence de dcoupage de la structure simple.
Cette formule est valable pour les structures pont en H et pont avec cellules NPC. Du fait que
la structure SMC2x2 permet de doubler la frquence apparente, les formules sont lgrement
diffrentes. Londulation de courant maximum est donne par la formule suivante :

sw stat
com
f L
V
I
= A
16
max

(2)

Les formules suivantes sont calcules partir de la formule (1). Pour retrouver les formules
pour le SMC2x2 il faut changer le terme
sw
f par
sw
f 2 .

Si on tend la formule (1) pour N cellules lmentaires entrelaces et alors londulation de
courant maximum peut scrire :

sw stat
com
stat
f L N
V
I

= A
8
max

(3)

Le courant efficace maximum qui circulera dans linductance est gal :

pcc
L
stat
V
Q
I
=
3
max
max
(4)

Et partir des figures Fig. 1 et Fig. 2, la loi des mailles pour une phase peut scrire :
171

stat stat pcc
DC
a stat
I L V
V N
m V + =
= e
2
(5)

Il est alors possible de dduire les galits suivantes partir de (3),(4) et (5). Tout dabord
lquation qui permet de dterminer le nombre de bloc lmentaire :

0
. 8
2
2
max
max
=
|
|
.
|
\
| A
|
|
.
|
\
|

sw a
stat
DC
com
a DC
pcc
f m
I
I
V
V
N
m V
V
N
e
(6)

Cette quation possde deux solutions : une positive et lautre ngative. La bonne solution est
bien sur la positive que lon arrondit lentier suprieur pour trouver N .
On peut alors dterminer la valeur de linductance de liaison (7) et la plage de rglage de la
profondeur de modulation (8).
|
|
.
|
\
| A

=
stat
sw
com pcc
stat
I
I
Q f N
V V
L
8
3

(7)

|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
pcc
stat pcc
DC
a
DC
pcc
a
pcc
stat pcc
DC
a
V
Q
L V
V N
m
V N
V
m
V
Q
L V
V N
m
3
2
2
3
2
min
0
max
e
e
(8)

Il est possible de dterminer maintenant les donnes qui sont intressantes pour comparer les
diffrentes structures. Pour toutes les structures, le courant efficace maximum est identique et
gal A I
stat
1650
max
= . Les autres donnes sont diffrentes selon les structures et elles sont
regroupes dans le tableau suivant :

Pont en H
Pont avec Cellules
NPC
Pont avec cellules
SMC2x2
N 15 9 6
stat
L 1.7mH 2.8mH 2.1mH
stocke
E 2314 J 3812 J 2859 J
max
a
m
0.795 0.6808 0.502
0
a
m
0.7621 0.6351 0.4763
min
a
m
0.7292 0.5893 0.4506
Tab. 1 Nombre de bloc ncessaire, valeur de linductance
et valeurs extrmes de la profondeur de modulation
172

Les structures multiniveaux (NPC et SMC2x2) permettent de rduire le nombre de bloc mais
la valeur de linductance est plus grande. Toutefois, si le nombre de bloc a t rduit ce nest
pas le cas du nombre de composants. En effet, un bloc 2 Niveaux comprend 4 composants
(IGBT+ diodes) alors que le NPC comprend 8 composants IGBT et Diodes et 4 diodes de
clamp et le SMC2x2 comprend 24 composants par bloc.

Linconvnient du couplage toile est le courant qui peut tre trop important. Dans le cas
tudi, le calibre en courant des IGBT ST1500GXH24 est de 1500A or le courant efficace
maximum est de 1650A. Lavantage des structures multiniveaux qui fractionnent le bus est
dutiliser en intermittence les diffrents composants et ainsi de rduire le courant efficace et
les pertes par rapport une structure 2 Niveaux.

A.II.2. Cas du couplage Triangle
Certaines formules permettant deffectuer le dimensionnement avec le couplage triangle sont
similaires. En effet, londulation de courant dans une cellule en pont en H lmentaire (1) et
lextension la mise en srie (3) sont identiques quel que soit le couplage.

Par contre, le courant maximum scrit maintenant :

pcc
L
stat
V
Q
I

=
3 3
max
max

(9)

Dans le cas o le courant est en retard de
2
t
, la loi des mailles permet dcrire:

stat stat pcc
DC
a stat
I L V
V N
m V + =
= e 3
2
(10)

A partir des relations (4),(9) et (10), il est possible de calculer le nombre de bloc :

0
. 3 8
2
6
max
max
=
|
|
.
|
\
| A

|
|
.
|
\
|

sw a
stat
DC
com
a DC
pcc
f m
I
I
V
V
N
m V
V
N
e
(11)

Le nombre de bloc est dtermin partir de la solution positive arrondi lentier suprieur.
On peut ensuite dterminer la valeur de linductance de liaison (12) et la plage de rglage de
la profondeur de modulation (13).

|
|
.
|
\
| A

=
stat
sw
com pcc
stat
I
I
Q f N
V V
L
8
3 3

(12)

173
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|

+
=
pcc
stat pcc
DC
a
DC
pcc
a
pcc
stat pcc
DC
a
V
Q
L V
V N
m
V N
V
m
V
Q
L V
V N
m
3 3
3
2
6
3 3
3
2
min
0
max
e
e
(13)

Les diffrentes caractristiques sont disponibles dans le tableau ci-dessous. Le courant
efficace maximum est identique pour les 3 structures et gal A I
stat
953
max
= .

Pont en H
Pont avec cellules
NPC
Pont avec cellules
SMC2x2
N 24 13 8
stat
L 1.8mH 3.4mH 2.7mH
stocke
E 817 J 1544 J 1226 J
max
a
m
0.8378 0.7834 0.6332
0
a
m
0.825 0.7615 0.6187
min
a
m
0.8121 0.7396 0.6043
Tab. 2 Nombre de bloc ncessaire, valeur de linductance et valeurs extrmes de la profondeur de modulation

Le nombre de bloc est beaucoup plus lev que dans le cas du couplage toile car la tension
est 3 plus grande. De mme que les valeurs dinductance sont lgrement plus leves.
Mais en termes dnergie stocke, les valeurs sont plus faibles dans le cas triangle.

A.II.3. Calcul des pertes

Pour valuer les pertes dans les semi-conducteurs, deux mthodes sont prsentes. La
premire est base sur un calcul thorique et la deuxime utilise un calcul numrique avec le
logiciel PSIM.
a. Expression analytique des pertes
Dans cette partie, nous prsentons les diffrentes tapes permettant d'aboutir aux
expressions analytiques des pertes en conduction et en commutation dans les semi-
conducteurs. La figure 11 prsente un exemple de formes d'ondes de courant et de tension
pour un semi-conducteur sur une demi-priode rseau. Le bilan des nergies dissipes dans le
composant y est effectu chaque priode de dcoupage.
174

Fig. 10 Formes d'ondes de courant et de tension et nergies dissipes
chaque priode de commutation par un interrupteur.

Pertes en conduction

Le semi-conducteur de type transistor IGBT ou diode lorsqu'il conduit peut tre modlis de
la faon suivante :

Fig. 11 Modle quivalent d'un semi-conducteur l'tat passant

En considrant un courant constant l'chelle de la priode de dcoupage, l'nergie dissipe
par le semi-conducteur durant la i-me priode de conduction est donne par :

( )
2
0 _ _ i d i i on i cond
i r i V t E + = (14)

Avec
0
V : la tension de seuil du composant

d
r : La rsistance dynamique
i
v
E
cond
E
off
E
on
T
net
/ 2
E
off_1
E
off_2
E
off_i
E
on_1
E
on_2
E
on_i
t
on_1
t
on_2
t
on_i
T
dec
t
t
t
t
t
E
cond_1
E
cond_2
E
cond_i
r
d
V
0
i
175

i on
t
_
: La dure de conduction du composant

i
i : Le courant pendant la priode de conduction
(Les paramtres
0
V et
d
r sont dtermins partir des donnes constructeur)

La puissance dissipe sur une priode rseau
net
T s'exprime par la relation (15):

( ) ( )
dec i d i
n
i dec
i on
net
n
i
i d i i on
net
cond
T i r i V
T
t
T
i r i V t
T
P
cond cond
+ = + =

= =
2
0
1
_
1
2
0 _
1 1
(15)

En considrant que la frquence de commutation est trs grande devant la frquence de l'onde
fondamentale, l'expression analytique de la puissance dissipe en conduction peut tre tablie
grce la formule d'Euler :

}
= A
=
dx x f x x f
i
i
) ( ) (
1

(16)

Ainsi :

( )
}
+ =
2
1
2
0
) ( ) ( ) (
1
cond
cond
t
t
out d out
dec
cond
dt t i r t i V t
T
P o (17)

Avec :
cond
n le nombre de conduction du composant sur une priode basse frquence
( )
1 2 cond cond
t t : Lhorizon temporel de conduction du semi-conducteur
) (t o : La variation du rapport cyclique en fonction du temps

Pertes en commutation

Ces pertes dpendent de la tension applique aux bornes du composant l'tat bloqu et du
courant ltat passant.

ref
i
i i i com
V
v
i c i b a E + + = ) (
2
_

(18)

Avec
i
v : la tension aux bornes du semi-conducteur lors de la commutation
i
i : Le courant circulant dans le semi-conducteur lors de son changement d'tat

Les coefficients a , b et c sont dtermins partir des courbes d'nergie du semi-conducteur
donnes par le constructeur, pour une tension
ref
V et une temprature de jonction de 125C.

L'expression de la puissance dissipe sur une priode rseau est de la forme :

=
+ + =
com
n
i
dec
ref
i
i i
net dec
com
T
V
v
i c i b a
T T
P
1
2
) (
1 1
(19)
176

O
com
n est le nombre de commutation du composant sur une priode fondamentale.

En utilisant la formule d'Euler (16), les pertes dissipes par le semi-conducteur peuvent tre
approches par :

}
+ + =
2
1
) (
) ) ( ) ( (
2
com
com
t
t ref
in
out out
net
dec
com
V
t v
t i c t i b a
T
f
P (20)
Avec :
1 2 com com
t t lhorizon temporel de commutation du semi-conducteur
dec
f la frquence de commutation
) (t v
in
la tension aux bornes de la cellule de commutation

Bilan des pertes par calcul analytique

Il est possible de faire un bilan des pertes dans les diffrents composants pour les diffrentes
structures et pour les diffrents couplages.

Couplage toile :

IGBT Diodes
Pertes max Pertes min Pertes max Pertes min
2 Niveaux 2261 W 2261 W 1447 W 1447 W
NPC 2572 W 869 W 1588 W 292 W
SMC2x2 2373 W 279 W 1205 W 227 W
Tab. 3 Valeurs extrmes des pertes dans les composants pour un bloc lmentaire pour un couplage toile et
Hz f
sw
150 =

Les valeurs des pertes correspondent aux pertes minimum et maximum dans les diffrents
composants pour chaque structure.

Les valeurs de pertes sont assez importantes ce qui tait prvisible compte tenu du niveau de
courant. En effet le calibre en courant du composant utilis est de 1500A, or le courant
efficace maximum est de 1650A. Il est donc prfrable dutiliser le couplage triangle car le
courant efficace est plus faible.

Couplage triangle :

IGBT Diodes
Pertes max Pertes min Pertes max Pertes min
2 Niveaux 1140 W 1140 W 940 W 940 W
NPC 1173 W 490 W 814 W 171 W
SMC2x2 1050 W 160 W 641 W 138 W
Tab. 4 Valeurs extrmes des pertes dans les composants pour un bloc lmentaire pour un couplage triangle et
Hz f
sw
150 =

177

Les pertes cette fois ci sont quasiment deux fois plus faibles. Ce qui est prfrable
pour le dimensionnement du systme de refroidissement.

Toutefois, pour effectuer le calcul des pertes nous avons fait lhypothse dune
frquence de dcoupage beaucoup plus grande que la frquence du rseau. Or dans notre cas,
cette hypothse nest pas vrifie puisque la frquence de dcoupage est seulement trois fois
plus grande que la frquence de modulation. Nanmoins, cette tude donne un ordre de
grandeur des pertes dans les diffrents composants et renseigne sur le couplage utiliser. Pour
la suite les calculs de pertes sont effectus par PSIM.

b. Evaluation avec PSIM
Le module thermique de PSIM permet de calculer plus prcisment les pertes dans les
composants semi-conducteurs surtout quand la frquence de dcoupage est faible.

Tout dabord, il est ncessaire de renseigner le module sur les diffrentes caractristiques de
lIGBT et la diode : Les caractristiques statiques pour les pertes en conduction et les
caractristiques sur lnergie dissipe pour les pertes en commutation. En sortie du modle
thermique, linformation sur les pertes en conduction et en commutation est donne sous
forme de source de courant. Ceci permet de placer un modle thermique et davoir ainsi
linformation sur les diffrentes tempratures de jonction.

Pour valider lutilisation de ce module thermique, un test a t ralis une frquence de
dcoupage plus leve ( Hz f
sw
500 = ) et les rsultats compars avec les formules thoriques.
Les rsultats pour le pont en H sont les suivants :

Fig. 12 Comparaison des pertes dans les diffrents composants pour un pont en H entre le calcul thorique (
droite) et le calcul numrique droite

Les rsultats de la simulation numrique sont cohrents avec ceux du calcul thorique.
Les rsultats pour les pertes en conduction sont dailleurs trs proches. Pour les pertes en
commutation, il y a une lgre diffrence. La mme comparaison a t effectue pour la
structure NPC.
T1 D1 T2 D2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc 2 Niveaux (thorique)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc 2 Niveaux (simulation)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc 2 Niveaux (thorique)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc 2 Niveaux (simulation)
Pcon
Psw
A.III Comparaison entre les diffrentes structures
178

Fig. 13 Comparaison des pertes dans les diffrents composants pour un NPC entre le calcul thorique ( droite)
et le calcul numrique droite

Cette fois ci, la diffrence est plus importante, surtout sur les interrupteurs T1 et D1. En
augmentant la frquence de dcoupage, lcart diminue.

Le temps de simulation tant assez important et il est ncessaire de minimiser le nombre de
module thermique, cest pour cela que la simulation est effectue en considrant une seule
branche du compensateur.

A.III. Comparaison entre les diffrentes structures
Dans un premier temps, les structures sont compares du point de vue des pertes (rpartition
dans les blocs et pertes globales). Un tableau rcapitulatif est ensuite donn. Le couplage
choisi pour cette comparaison est bien entendu le couplage triangle.
A.III.1. Rpartition des pertes

Chaque simulation a t effectue avec la profondeur de modulation maximum qui permet
davoir le courant efficace maximum en sortie dans le cas o le compensateur fournit de la
puissance ractive au rseau.

T1 D1 T2 D2 Dc1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc NPC (theorique)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2 Dc1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc NPC (simulation)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2 Dc1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc NPC (theorique)
Pcon
Psw
T1 D1 T2 D2 Dc1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pertes dans les composants d un bloc NPC (simulation)
Pcon
Psw
179

Fig. 14 Rpartition des pertes dans les diffrents blocs
avec les bras 2 Niveaux, NPC et SMC2x2

La numrotation des blocs correspond au dphasage des diffrentes porteuses. Ainsi le bloc n
une porteuse dphase de ( )
N
n
t
1 . Les pertes ne sont donc pas gales selon les blocs
puisque le courant commut est diffrent dans chaque bloc mais il y a quand mme une
certaine continuit entre deux blocs adjacents.

Dans le cas des blocs avec des bras 2 Niveaux ou NPC certains blocs ont des pertes plus
faibles que les autres. Ceci est principalement d au nombre total de commutation effectu par
les composants dans un bloc. Dans les cas o les pertes sont moins leves, le nombre total de
commutation est plus faible que dans les autres blocs (une commutation en moins dans le cas
des ponts en H par exemple).

Pertes Totales
(par phase)
Pertes moyennes
bloc lmentaire
Ecart type
2 Niveaux 213882 W 8911 W 173 W
NPC 203766 W 15674 W 946 W
SMC2x2 197656 W 24707 W 43 W
Tab. 5 Bilan des pertes dans les diffrentes structures

0 5 10 15 20 25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pont en H: N=24 et ma=0.8378 f
sw
=150Hz
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
18000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pont avec cellules NPC: N=13 et ma=0.7834 f
sw
=150Hz
1 2 3 4 5 6 7 8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
4
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pont avec cellules SMC: N=8 et ma=0.6332 f
sw
=150Hz
0 5 10 15 20 25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
sw
=150Hz
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
18000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
sw
=150Hz
0 5 10 15 20 25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
sw
=150Hz
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
18000
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
sw
=150Hz
1 2 3 4 5 6 7 8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
4
numero du bloc
P
e
r
t
e
s

(
W
)
Pont avec cellules SMC: N=8 et ma=0.6332 f
sw
=150Hz
A.III Comparaison entre les diffrentes structures
180
Les pertes dans les structures multiniveaux sont lgrement plus faibles que pour la
structure 2 Niveaux. Bien sur les pertes moyennes sont plus faibles pour les blocs bras 2
Niveaux car ceux-ci possdent moins dinterrupteurs lintrieur et sont beaucoup plus
nombreux.
A.III.2. Structure et dimensionnement

Si les structures multiniveaux ressortent avec de meilleures performances au niveau des
pertes, les autres critres sont beaucoup moins avantageux. En effet les valeurs des
inductances (Tab. 2), sont plus importantes, surtout dans le cas de la structure NPC qui rajoute
des niveaux de tension sans augmenter la frquence de dcoupage apparente.

Lstat Fa
Nb IGBT
(par
phase)
Nb Diode
(hors
DRL)
Pertes
(par
phase)
Pertes
max
IGBT
Pertes
max
Diode
2 Niveaux
(N=24)
1.8mH 7.2kHz 96 0 213882 W 1140 W 940 W
NPC
(N=13)
3.4mH 3.9kHz 104 52 203766 W 1173 W 814 W
SMC2x2
(N=9)
2.7mH 4.8kHz 192 0 197656 W 1050 W 641 W
Tab. 6 Rcapitulatif des principales donnes de dimensionnement et des pertes pour les diffrentes structures

La structure bras 2 niveaux possde lavantage davoir une frquence de dcoupage
apparente beaucoup plus lev que les deux autres structures. Ceci est d au fait que le
nombre de blocs est plus lev et donc lentrelacement est plus important.

De mme si la structure base de cellules SMC2x2 permet davoir au maximum 9 niveaux de
tension en sortie, la frquence de dcoupage apparente en sortie de celle-ci nest multiplie
que par deux par rapport au pont en H. Ceci influe donc sur la frquence de dcoupage
apparente totale et ainsi sur la valeur de linductance de liaison.

Mme si le nombre de bloc est moins lev en utilisant des cellules NPC ou SMC2x2. le
nombre de composants est beaucoup plus important pour ces structures. En effet, alors quun
bloc avec des cellules 2 Niveaux possde 4 composants IGBT, le bloc compos de cellules
SMC2x2 en a lui 24. Ce qui fait au bilan, un besoin en IGBT qui est plus du double compar
aux blocs cellules 2 Niveaux.

Les blocs cellules NPC sont pnaliss par un nombre de diode de clamp assez important
(que les autres structures non pas). Mme si ces composants ne ncessitent pas de commande,
leur systme de refroidissement prend du volume et ce dautant plus que la majeure partie des
pertes dans les diodes dans la structure NPC sont situes dans les diodes de clamp.

Toutefois du point de vue pertes, les structures multiniveaux ont de meilleures performances
compares aux structures en pont en H, mais les diffrences ne sont pas trs flagrantes.

Dautre part, ce qui pnalise les structures multiniveaux est la rgle de dimensionnement qui
impose dajouter deux blocs en plus pour pouvoir assurer une continuit de fonctionnement.
181
En effet, dans le cas des ponts en H, cela ajoute uniquement 8 IGBT par branche alors que
pour une structure avec des blocs NPC le nombre dIGBT est doubl sans compter les 8
diodes de clamp qui sont elles aussi rajouter. Ceci sempire avec la structure avec des
cellules de SMC2x2 qui ajoute 48 IGBT par phase. De plus cette rgle entraine une rduction
de la plage de variation de la profondeur de modulation. Les structures multiniveaux ne sont
pas utilises dans les meilleures conditions. Par exemple pour un pont avec des cellules
SMC2x2, le nombre maximum de niveau de tension est de 9, or dans notre cas, la profondeur
de modulation est de 0.633 et finalement, la tension de sortie ne possde que 7 niveaux de
tension.
A.IV. Conclusion
Ltude comparative en vue de lutilisation de structures multiniveaux la place de
pont en H montre que cela najoute pas grand-chose. Mme si lutilisation de la structure avec
des cellules SMC2x2 rduit les pertes denviron 10%, le nombre de composant ajouter est
plus que doubl. De plus, lajout de 2 blocs pour assurer la continuit de fonctionnement nest
pas quitable pour toutes les structures. De plus, cette contrainte ajoute 9% de composants en
plus pour des blocs 2 Niveaux, 18% pour les blocs avec des structures NPC et 23% pour les
blocs avec structure SMC2x2. Pour amliorer la suret de fonctionnement il pourrait tre
envisageable dutiliser des structures tolrantes aux pannes qui permettent de saffranchir des
blocs supplmentaires.

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n vue de I'obtention du

%0$503"5%& -6/*7&34*5 %&506-064&

Presentee et soutenue par :

, entre les diffrents pont en H mis en srie, : N

sont des donnes qui proviennent de la nature du composant, notamment de la

sont respectivement le courant moyen et efficace parcourant le transistor pendant la

sont des caractristiques de la diode et

sont respectivement le courant

disponibles dans les donnes constructeurs. Pour

correspond au rapport entre lintervalle de commutation et la

est le courant moyen commut,

et est le courant efficace

est appel dviation de la

. La limite sur le rapport

. Ces diffrentes proprits au niveau de la commande sont

. Dans notre cas, le nombre de cellules mises en parallle est de 2

. Lide pour stabiliser ce courant diffrentiel est de

a) Le STATCOM fournie de la puissance

b) Le STATCOM absorbe de la puissance

a) Le STATCOM fournie de la puissance

a) Le STATCOM fournie de la puissance

b) Le STATCOM absorbe de la puissance

b) Le STATCOM absorbe de la puissance

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