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Chapitre II

La diode en commutation


Sommaire


1 INTRODUCTION..................................................................................................................................... 11
1.1 SCHEMA EQUIVALENT......................................................................................................................... 11
1.1.1 Etude de V
F
< V
t0
.......................................................................................................................... 11
1.1.2 Etude de V
F
V
t0
........................................................................................................................... 12
2 LA DIODE EST ALIMENTEE PAR UNE SOURCE DE TENSION.................................................. 12
2.1 COMMUTATION A LA FERMETURE....................................................................................................... 12
2.1.1 Calcul du temps t
1
......................................................................................................................... 13
2.1.2 Calcul du temps t2......................................................................................................................... 14
2.1.3 Synthse......................................................................................................................................... 15
2.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE......................................................................................................... 17
2.2.1 Calcul du temps de stockage t
s
des charges libres ........................................................................ 17
2.2.2 Calcul du temps de stockage t
T
des charges stockes.................................................................... 19
3 LA DIODE EST ALIMENTEE PAR UNE SOURCE DE COURANT. ............................................... 20
3.1 COMMUTATION A LA FERMETURE....................................................................................................... 20
3.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE. ........................................................................................................ 21
4 PERTES PAR COMMUTATION........................................................................................................... 22
5 CONCLUSION.......................................................................................................................................... 24

Chapitre II : La diode en commutation
Chapitre II : La diode en commutation

1 Introduction
Il existe de nombreux types de diodes :
Signal,
Rgulation,
Redresseur,
Commutation (schockley, schottky)
Hyperfrquence et/ou attnuateur (PIN, snap off, )
Emission ou oscillation ( effet gunn),
A rsistance ngative (tunnel),
A capacit variable,

Toutefois nous nous contenterons, ici, d'tudier une simple diode jonction PN.
1.1 SCHEMA EQUIVALENT
La caractristique statique directe d'une jonction PN est la suivante :
Figure 1 : Schma 1 : Caractristique statique directe d'une diode

Avec :
I
F
, courant direct (Forward), V
F
, tension directe,
R
d
, rsistance diffrentielle, V
t0
, tension de seuil.

On remarque deux zones de fonctionnement bien distinctes : V
F
< V
t0
, V
F
V
t0

1.1.1 Etude de V
F
< V
t0


La diode est encore bloque, seule la tension aux bornes varie, il n'y a pratiquement aucun
courant. La jonction PN est soumise un champ lectrique, donc des charges de mme signe
sont accumules aux extrmits de la jonction. Par consquent la diode est quivalente un
condensateur.
VF
VF
CT
Id
Vd
Rd
Vt0
Sens direct
IF
VF
-1
I
F
V
F
Figure 2 : Quand V
F
< V
t0
la diode est quivalente un condensateur.

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Chapitre II : La diode en commutation
Ce condensateur est dit de TRANSITION, on le note C
T

1.1.2 Etude de V
F
V
t0


La diode est maintenant passante, la tension et le courant peuvent varier. La jonction PN est
toujours soumise un champ lectrique, donc des charges de mme signe sont prsentes aux
extrmits de la jonction. La diode est encore quivalente un condensateur mais cette fois ci
en parallle avec une rsistance, image de la difficult que les lectrons ont traverser la
jonction PN. D'o le schma quivalent la jonction.

Cd
Rd
P
N
Figure 3 : Quand V
F
V
t0
la jonction PN prsente les caractristiques d'une rsistance et
d'un condensateur en parallle.

Mais ce schma n'est pas complet car il ne prend pas en compte la tension de seuil V
t0
. Le
schma quivalent complet est donc le suivant :

Figure 4 : Schma quivalent la diode quand elle est passante.
Avec :
R
d
, la rsistance diffrentielle ou dynamique,
C
d
, le condensateur de diffusion.

Remarque : Pour V
F
= V
0
, le condensateur C
d
ne possde aucune charge.

2 La diode est alimente par une source de tension
2.1 COMMUTATION A LA FERMETURE
Soit le montage suivant :
E1
E2
e(t)
R
D1
Vd(t)
id(t)
VF
VF
Cd
IF
Vt0
Rd

Figure 5 : Montage tudi
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Chapitre II : La diode en commutation
e(t) est un crneau suffisamment long devant le temps de commutation du composant de telle
sorte qu'il soit vu pour cet instant prcis comme un chelon. Alors nous le dfinissons comme
suit :
e(t)
E1
E2
t
Figure 6 : Echelon appliqu au circuit RD

Nous venons de voir que la mise en conduction se droule en deux temps. Dans une premire
phase on peut calculer le temps t
1
que la capacit de transition C
T
met se charger. Dans une
deuxime phase, on calcul le temps t
2
que la capacit C
d
met se charger.

2.1.1 Calcul du temps t
1

Dans cette phase, la tension V
F
est infrieure au seuil de conduction V
t0
. La diode est bloque.
Le schma quivalent du montage est :

E1
E2
e(t)
R
Ct
Vd(t)
id(t)
Figure 7 : Schma quivalent quand V
d
(t)<Vto.

Ltude prcdente montrer la tension aux bornes de la diode est :
1 1 2
) ( ) ( E e E E t V
t
d
+ =

avec =RC
t
(cf. quation 3)

et V
d
atteint V
t0
au bout d'un temps t
1
tel que :

=
1 0
1 2
1
ln
E V
E E
t
t
(aprs t
1
cette quation n'est plus valable).
E1
E2
t
VF(t)
Vt0
t1
e(t)
Figure 8 : Temps t
1
pour lequel V
d
(t)=V
t0
.
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Chapitre II : La diode en commutation
2.1.2 Calcul du temps t
2


Dans cette phase, la tension V
d
est au moins gale la tension de seuil V
t0
. La diode conduit.
Son schma quivalent est le suivant :
R
Vd (t)
id(t)
Cd
Vt0
Rd
E1
Vcd (t)
Figure 9 : Schma quivalent quand V
d
(t)V
to
.

A linstant t
1
o ce schma devient vrai, la capacit de diffusion C
d
ne possde aucune charge.
Par consquent, elle va se charger jusqu un point de fonctionnement stable E
1
-RI
F
-V
F
(si I
F

et V
F
sont les valeurs finales du courant et de la tension). La commutation de la diode est alors
termine. Le calcul du temps t
2
revient donc celui du temps de charge de la C
d
.

Nous devons donc trouver lexpression de la tension V
cd
aux bornes de C
d
. Pour cela nous
utilisons le schma quivalent obtenu par application du thorme de Thvenin au circuit
alimentant C
d
. Soit le schma suivant :

R
Vd(t)
id(t)
Vt0
Rd
E1
Vcd(t)
A
B
Figure 10 : Etude du schma quivalent de Thvenin aux bornes AB (quand V
d
(t)V
to
).

Vu des bornes AB le circuit est aliment par une tension E
1
-V
t0
travers une rsistance
quivalente R//Rd.

Le schma devient :
R//Rd
A
E0
Vcd(t)
B
Cd

Figure 11 : Schma quivalent de Thvenin aux bornes AB (quand V
d
(t)

V
to
).


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Chapitre II : La diode en commutation
Avec :
( )
d
d
t
R R
R
V E E
+
=
0 1 0


Nous sommes en prsence d'un systme linaire du premier ordre dont la rponse un
chelon est du type :
) 1 ( ) (
0
d
t
cd
e E t V

= avec
d
= (R//R
d
)C
d

E0
0,95E 0
t
tr
Vcd
Figure 12 : Rponse d'un SL du 1
me
ordre un chelon.

t
2
est quivalent un temps de rponse t
r
. Il peut tre dfini 90 ou 95% de la valeur finale.
t
2
(90%) = 2,3 et t
2
(95%) = 3.
Remarque : dans la plupart des cas R>>Rd. Or
d
d
d
d
C
R R
R R
*
*
+
= soit
d
R
d
C
d

Or pour t
1
, =RC
t
, comme C
d
et C
t
sont du mme ordre de grandeur, t
2
sera ngligeable devant
t
1
(cf. valeurs en TD).

2.1.3 Synthse
La mise en conduction totale d'une diode se fait en t
1
+t
2
. Cette somme est appele temps de
recouvrement direct ou Forward Recovery Time, c'est--dire t
fr
= t
1
+t
2
.
2.1.3.1 Allure de la tension aux bornes de la diode.
E0
0,95E0
t
tfr
Vcd
0
E2
Vt0
Vt0+E0
t2
t1
VF
e(t)
Figure 13 : Allure de la tension aux bornes de la diode lors de la commutation ON.
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Chapitre II : La diode en commutation

Pour la clart du schma les chelles ne sont pas respectes entre tensions ngative et positive.
En effet, E
0
est une trs faible valeur, de l'ordre de la dizaine de millivolts.

2.1.3.2 Allure du courant dans la diode

A t=0, le courant est maximum et n'est limit que par la rsistance du circuit R, sa valeur vaut
R
E E
I
M
2 1

= , ensuite le courant subit une dcroissance exponentielle puisque c'est une
charge de capacit.

A t = t
1
, la diode commence conduire et son schma quivalent change. Le courant continu
sa dcroissance jusqu' sa valeur finale :
R
V E
I
F
F

=
1

R
V E
I
t
F
0 1

= (cf. remarque suivante)
R
E
I
F
1
= car V
t0
<<E
1
.

IF
IM
id
t t1 tfr
t2
t1>>t2
Figure 14 : Allure du courant dans la diode lors de la commutation ON.

Remarque :
On a vu que ( )
d
d
t
R R
R
V E E
+
=
0 1 0
et que R>>R
d

Si on trace la droite de charge sur la caractristique statique d'une diode on obtient :

Id
Vd
Rd
Vt0
Sens direct
R1
R2
IM(R1)
IM(R2)
R2>R1
E1
tension aux bornes
de la diode
VF
-1
Figure 15 : Tension aux bornes de la diode en fonction de la droite de charge.
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Chapitre II : La diode en commutation

La tension aux bornes de la diode varie d'un V trs faible. Donc quand la diode conduit la
tension ces bornes est de l'ordre de V
t0
.

2.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE

Lorsque le crneau de la tension d'alimentation passe de E
1
E
2
la diode va se bloquer.
e(t)
E1
E2
t

Figure 16 : Tension de blocage de la diode.

L encore, le blocage n'est pas immdiat. Dans un premier temps la diode prsente une
impdance faible (elle est conductrice) jusqu' complte recombinaison des porteurs
minoritaires et reconstitution de la barrire de potentiel. En effet le condensateur de diffusion
C
d
a emmagasin des charges libres et le condensateur de transition C
t
a stock des charges
qu'il faut maintenant vacuer. Donc le temps de recouvrement inverse dpend de la charge
stocke dans la jonction et de la dure de vie des porteurs c'est--dire de la dimension de la
jonction et du dopage du cristal.

L encore, on trouve deux tapes identiques aux prcdentes avec chacune un schma
quivalent.

2.2.1 Calcul du temps de stockage t
s
des charges libres
Tant que V
d
V
t0
la diode conduit et la tension ces bornes reste pratiquement constante (=
V
F
V
t0
). Un courant (constant) ngatif important traverse la diode, il vaut
R
V E
I
F
R
+
=
2
.


R
D1
VF
id(t)
E2
Cst
Figure 17 : Schma de blocage de la diode

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Chapitre II : La diode en commutation
Remarque : Une diode de roue libre court-circuite systmatiquement la source quand celle-ci
redevient positive.

Le schma quivalent est toujours le mme, soit :
R
VF
id(t)
Cd
Vt 0
Rd
E2 Vcd(t)

Figure 18 : Schma quivalent du montage si V
d
(t)V
to
.

Ici, nous cherchons calculer un temps de "dstockage" de charges appel le temps de
stockage (storage time) et not t
s
. Nous pouvons donc travailler avec la grandeur Q. Utilisons
le schma quivalent pour tudier le comportement du systme un chelon de charge Q.
Cd
Rd
IR
iC
iRd
IR

Figure 19 : Schma de Norton quivalent au montage si V
d
(t)V
to
.

Donc
d d
d d
d
cd d
Rd C R
R C
Q
dt
dQ
R
V
dt
dQ
i i I + = + = + =
Posons
d
= R
d
C
d
on a alors
R d
d
d d
I
dt
dQ
Q = + . Nous sommes en prsence d'une quation
diffrentielle du premier ordre analogue celle que nous avions pour la tension V
d
(t).

( )
R d
t
R d s
I e I Q t Q
d


+ =

) (
Avec
Q
s
= la quantit de charge libre stocke (condition initiale),

d
I
R
= la quantit de charge vers laquelle on tendrait si le processus continuait.
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Chapitre II : La diode en commutation

Qs
t
ts
Q
tdIR
Figure 20 : Allure de la dcroissance des charges Q l'ouverture de la diode

Par consquent, les charges stockes seront vacues quand Q(t
s
)=0. Donc en se rfrant
l'expression gnrale d'un temps en fonction du logarithme du contexte on trouve :


=
R d
s R d
d s
I
Q I
t

ln Or ( )
F d
d
t
d
d
d
t d d s
I
R R
V E
R R
R
V E C E C =

=
+
= =
0 1
0 1 0
Q

D'o finalement :


=
R
F R
d s
I
I I
t ln partir de ce temps t
s
, le condensateur de diffusion C
d
est dcharg, la
diode n'est toujours pas bloque, elle change de schma quivalent.
2.2.2 Calcul du temps de stockage t
T
des charges stockes
R
Ct
Vd(t)
id(t)
E2
Figure 21 : Schma quivalent au montage si V
d
(t)<V
to
.

a t=t
T
, la valeur aux bornes de la diode vaut V
t0
, elle va dcrotre jusqu' E
2
en suivant la loi

dj voque. t
T
est donc quivalent un temps de rponse 90 ou 95%. D'o :
( )
2 2 0
) ( E e E V t V
t
t d
+ =

d'o


= =
2
0 2
1 , 0
ln %) 90 (
E
V E
t t
t
r T

Vt0
0,9E2
t
tT
Vd
E2
Figure 22 : t
T
= temps de rponse t
r
qui permet d'affirmer que la diode est bloque.
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Chapitre II : La diode en commutation

Remarque : De la mme manire que lors de la mise en conduction, le temps de
charge/dcharge du condensateur de transition C
t
est beaucoup plus long que le temps
ncessaire l'vacuation des charges libres de C
d
. Donc t
T
>>t
s.
et le temps de recouvrement
inverse, reverse recovery time t
rr
= t
s
+t
T
t
T
.


Vd Vd
E0
ts
tT
trr
E2
t
IF
ts
tT
trr
IR
Id
t
Vt0
Dilatation
des
chelles
E0
ts
tT
tr r
E2
t
IF
ts
tT
trr
IR
Id
t















Figure 23: Allures des courants et tensions au blocage de la diode.

3 La diode est alimente par une source de courant.
Les schmas quivalents des deux phases V
F
< V
t0
et V
F
V
t0
sont les mmes.
3.1 COMMUTATION A LA FERMETURE
En gnral, c'est le circuit extrieur qui impose la vitesse d'tablissement du courant. Le
courant passe alors de 0 I avec une pente
t
i
d
d
constante.
L'volution de la tension aux bornes de la diode dpend de la pente de courant. Si elle est
leve, on observe un pic de tension, dans le cas contraire, la tension crot lentement jusqu'
V
F stat
V
t0
. Rem : t
fr
, v
d
(t) = 1,1 V
F stat
.
id
t
I
VFP
Vto
vd
tfr t
Figure 24 : Allure des courants et tensions la fermeture de la diode
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Chapitre II : La diode en commutation

Tout se passe comme si la jonction PN prsentait une rsistance srie de valeur leve au
dbut de la commutation. Puis au fil de la mise en conduction de la jonction, la rsistance
srie diminue jusqu' une valeur finale R
0
. D'o la possibilit d'un pic de tension aux bornes
de la diode.

On retrouve le temps de recouvrement direct (forward recovery time) t
fr
et un nouveau point
prendre en compte : V
FP
ou V
FM
soit le pic de tension (forward peak voltage). Sur les data
sheet, cette valeur reprsente un maximum ne pas dpasser.

3.2 COMMUTATION A L'OUVERTURE.
Le schma suivant permet d'envisager la commutation souhaite.
E1
0
E2
R
l
D Vd
id
k
Figure 25 : Type de schma pouvant raliser une telle commutation.

En gnral la vitesse de dcroissance du courant est limite. Juste avant la coupure, le courant
est tabli une valeur proche de
R
E
1
. A t=0, on ferme l'interrupteur k. La tension E
2
est alors
applique la diode par l'intermdiaire de l'inductance l.

Les allures des courbes de tension et courant sont les suivantes.
E
2

I
RM

courant
I
FM=
E
1/
R

( dpend de la diode )
t
( impos par le circuit )
tb
ta
dIF/dt
dIR/dt
tension
t
c

V
t0



Figure 26 : Allures des courants et tensions l'ouverture de la diode.
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Chapitre II : La diode en commutation
A l'instant t=tc le courant dans la diode dcrot avec une pente dIF/dt impose par le circuit.
Les charges stockes pendant la conduction commencent se recombiner, mais quand le
courant s'annule il reste encore beaucoup de porteurs et la diode reste conductrice pendant le
temps ta.

Le courant s'inverse et atteint la valeur I
RM
. A cet instant, les charges tant pratiquement
vacues, la diode s'ouvre et le courant s'annule, aprs un temps t
b
, avec une pente dIR/dt
caractristique de la structure du redresseur.

La tension aux bornes de la diode reste voisine de zro jusqu'au moment o le courant atteint
I
RM
. Ensuite la tension du circuit VR est brutalement applique avec, gnralement, une
surtension et, dans certains cas, des oscillations dues la rponse des inductances et des
capacits parasites du circuit au dIR/dt gnr par la diode.

On a coutume de dfinir le temps de recouvrement inverse (reverse recovery time) trr = ta+tb.
Ce temps et la surface hachure sont plus ou moins long en fonction du type de diode utilis.
(redressement, long ; snapp off et diode SiC, court).

La surface hachure reprsente la quantit de charges recouvre que lon note Qrr. On
caractrise le recouvrement des diodes laide du rapport :
S = tb/ta.


)
4 Pertes
4.1 PERTES EN CONDUCTION

En conduction, la tension aux bornes de la diode vaut :
0
( ) ( )
d t d d
v t V R i t = + .
Il en rsulte que les pertes par conduction P
cond
sont dfinies par :
2
0 ( ) ( cond t F av d F rms
P V I R I = +
avec :
( )
( )
= le courant direct moyen dans la diode,
= le courant direct efficace dans la diode.
F av
F rms
I
I

4.2 PERTES EN INVERSE
Les pertes en inverse peuvent tre estime grce la relation suivante :
(1 )
rev rev rev
P V I =
avec V
rev
et I
rev
la tension et le courant inverses. La variable reprsente le rapport cyclique
du courant direct dans la diode. De faon gnrale, les pertes en inverses sont trs faibles,
voire ngligeables pour les redresseurs bipolaires.

A noter que I
rev
est proportionnel la tension V
rev
et la temprature de jonction T
j
. Il y a
donc un risque demballement si T
j
augmente !!!

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Chapitre II : La diode en commutation
4.3 PERTES PAR COMMUTATION
4.3.1 la fermeture
Les pertes la fermeture peuvent tre values en fonction de la formule suivante :
on on
P W F =
avec :
(en J) l'nergie dissipe chaque commutation,
(en Hz) la frquence de commutation.
on
W
F

Lnergie W
on
peut , quant elle, tre value selon la formule :
( )
on Fp F stat M fr
W k V V I t =
k prend gnralement comme valeur typique : 0,4.

Les grandeurs de cette formule sont dfinies la Figure 24.

4.3.2 A louverture
4.3.2.1 Diode de roue libre
Les pertes louverture dun diode de roue libre peuvent tre values en fonction de la
formule suivante :
off off
P W = F
avec :
(en J) l'nergie dissipe
chaque commutation,
(en Hz) la frquence de commutation.
off
W
F

Lnergie W
off
peut , quant elle, tre value selon
la formule :
courant
E
2

dIF/dt fix par le
temps de
commutation du
transistor
tb
ta
I
RM

tension
2
2
F
RM
off
dI
dt
k E S I
W =
k prend gnralement comme valeur typique : 0,5.

4.3.2.2 Diode de redressement
Les pertes louverture dun diode de redressement peuvent tre values en fonction de la
formule suivante :
off off
P W = F
avec :
(en J) l'nergie dissipe
chaque commutation,
(en Hz) la frquence de commutation.
off
W
F

Lnergie W
off
peut , quant elle, tre value selon la formule :
2
2 2
2
0, 5 ou
F
RM
off RM off rr
dI
dt
k E S I
W l I W = + = E Q
avec l, linductance srie du montage.

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k prend gnralement comme valeur typique : 0,5.

Figure 27 : Formes d'ondes approches pour le calcul des pertes par commutation d'une
diode.
V =L. dIR/dt
courant
E
2

tb ta
dIF/dt=E
1
/L
(fix par l'inductance)
I
RM

tension

5 Conclusion
La diode est un des composants de puissance le plus utilis. Elle est prsente dans tous les
convertisseurs et onduleurs. C'est le composant de base de l'lectronique de puissance.

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