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Conception dantennes miniatures int

egr
ees pour
solutions RF SiP
Mickael Jeangeorges

To cite this version:


Mickael Jeangeorges. Conception dantennes miniatures integrees pour solutions RF SiP. Micro
et nanotechnologies/Microelectronique. Universite Nice Sophia Antipolis, 2010. Francais. <tel-
00544576>

HAL Id: tel-00544576


https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00544576
Submitted on 8 Dec 2010

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teaching and research institutions in France or recherche francais ou etrangers, des laboratoires
abroad, or from public or private research centers. publics ou prives.
UNIVERSIT DE NICE - SOPHIA ANTIPOLIS

COLE DOCTORALE STIC


SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LINFORMATION
ET DE LA COMMUNICATION

THSE
pour obtenir le titre de

Docteur en Sciences
de lUniversit de Nice - Sophia Antipolis
Mention : lectronique
Prsente et soutenue par
Mickal Jeangeorges

Conception dantennes miniatures


intgres pour solutions RF SiP
Thse dirige par Robert Staraj
Prpare au LEAT, Sophia Antipolis
Soutenue le 2 dcembre 2010

Jury :

Prsident : Philippe Benech - IMEP-LAHC (Grenoble)


Rapporteurs : Patrick Vaudon - XLIM (Limoges)
Mohamed Himdi - IETR (Rennes)
Directeur : Robert Staraj - LEAT (Sophia Antipolis)
Examinateurs : Cyril Luxey - LEAT (Sophia Antipolis)
Philippe Le Thuc - LEAT (Sophia Antipolis)
Chakib El Hassani - Insight SiP (Sophia Antipolis)
Invits : Christian Pichot - LEAT (Sophia Antipolis)
Patrice Brachat - Orange Labs (La Turbie)
Yann
Remerciements
Le travail prsent dans ce mmoire est le fruit dune collaboration entre le
Laboratoire dlectronique, Antennes et Tlcommunications et la socit Insight
SiP dans le cadre dun contrat CIFRE.

Je tiens tout dabord remercier les personnes qui ont accept de faire partie
du jury :

M. Philippe BENECH, professeur lUniversit Joseph Fourier de Grenoble et


lIMEP-LAHC (Institut de Microlectronique, Electromagntisme et Photonique -
Laboratoire dHyperfrquences et Caractrisation). Il ma fait lhonneur daccepter
le rle dexaminateur de ce travail et de prsider le jury de thse.

M. Patrick VAUDON, professeur lUniversit de Limoges et au laboratoire


XLIM. Il a accept de juger et rapporter mon travail et ma fait part de ses remarques
constructives, ses conseils et ses encouragements.

M. Mohamed HIMDI, professeur lUniversit de Rennes 1 et lIETR (Institut


dlectronique et de Tlcommunications de Rennes). Il ma fait lhonneur daccep-
ter dexaminer ce travail et dtre rapporteur de cette thse. Je tiens le remercier
pour la pertinence de ses remarques.

M. Robert STARAJ, professeur lUniversit de Nice-Sophia Antipolis et au


LEAT, qui a efficacement dirig ma thse. Merci pour ton encadrement, ton soutien
constant, tes conseils, tes ides qui mont permis de mener ces recherches terme
dans de bonnes conditions. Merci galement pour avoir toujours trouv rapidement
des solutions tous les problmes rencontrs au cours de ces trois annes. Je te
remercie dailleurs pour la grande confiance que tu mas tmoigne tout au long de
mes tudes.

M. Cyril LUXEY, professeur lUniversit de Nice-Sophia Antipolis et au LEAT.


Je tiens te remercier vivement pour ta prsence constante durant ces travaux, tes
ides pertinentes et tes conseils aviss. Merci de mavoir donn lopportunit de
participer des vnements internationaux trs intressants et fait rencontrer des
doctorants, chercheurs et professeurs qui mont beaucoup apport dans mon travail.

M. Philippe LE THUC, matre de confrences lUniversit de Nice-Sophia


Antipolis et au LEAT. Je tiens te remercier sincrement pour ton suivi rgulier
pendant ces trois annes, tes conseils et ta disponibilit. Tu as un don particulier
pour encourager et motiver les gens.

M. Chakib EL HASSANI, ingnieur recherche et dveloppement chez Insight SiP.


Merci pour ton encadrement et tes prcieux conseils au niveau de la technique et de
la gestion de mon travail. Merci galement pour ta patience et tes encouragements.
iv Remerciements

M. Christian PICHOT, directeur de recherche CNRS, directeur du LEAT et


co-directeur du CREMANT. Je vous remercie pour lexcellent accueil dans le la-
boratoire. Jadmire la diplomatie avec laquelle vous avez rgl tous les problmes
rencontrs au cours de cette thse.

M. Patrice BRACHAT, ingnieur Orange Labs La Turbie et co-directeur du


CREMANT. Merci pour laccueil La Turbie lors des phases de mesure des an-
tennes, les questions trs pertinentes, lintrt pour mes travaux et les nombreux
encouragements durant les confrences. Je tiens par ailleurs remercier tout le per-
sonnel du site pour laccueil, la mise disposition du matriel et les explications
techniques.

Je tiens galement remercier tout le personnel du LEAT, les doctorants, les en-
seignants, les chercheurs, les quipes techniques et administratives. Ces trois annes
vos cts ont t riches en vnements. Je vous souhaite une bonne continuation
tous.

Je remercie mes collgues dInsight SiP pour mavoir accueilli au sein de lentre-
prise durant ces trois annes et mavoir fait partager leur expertise et leurs connais-
sances. Jai beaucoup appris vos cts.

Enfin, je remercie vivement ma famille et mes amis qui je dois beaucoup. Ils
mont toujours bien conseill et encourag tout au long de mes tudes.
Table des matires

Sigles et abrviations 1

Introduction 3

Prsentation de la socit Insight SiP 7

1 Systmes communicants sans fil et modules SiP 9


1.1 Introduction aux technologies de rseaux sans fils . . . . . . . . . . . 10
1.1.1 Description gnrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.2 WiFi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.2 Modes de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.3 Bluetooth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.2 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.3.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.4 Autres technologies et protocoles . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2 Introduction la technologie System in Package . . . . . . . . . . . . 16
1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.2 Avantages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.3 SiP vs SoC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.5 Substrats multi-couches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.1 Lamin FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.2 LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2 Techniques dintgration dantennes 23


2.1 Caractrisation des antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.2 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.3 Efficacit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.4 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.1.5 Gain et directivit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2 Etat de lart des antennes intgres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.1 Antennes imprimes sur PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2.2 Intgration en module ddi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.3 Intgration en modules complets . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
vi Table des matires

2.2.5 Avantages et inconvnients des techniques actuelles . . . . . . 33


2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

3 Structure mandre en trois dimensions 35


3.1 Cahier des charges initial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2 Slection dune structure antennaire miniaturisable . . . . . . . . . . 37
3.3 Miniaturisation par repliements et mandres . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.1 Repliements en deux dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.2 Repliements en trois dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.3 Influence des paramtres gomtriques de la structure . . . . 41
3.4 Performances simules et rsultats de mesures . . . . . . . . . . . . . 43
3.4.1 Prototype sur FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4.2 Prototype sur LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.2.1 Adaptation de la structure aux nouvelles contraintes 44
3.4.2.2 Fabrication dun prototype . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4.2.3 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . 47
3.4.2.4 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.4.2.5 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.4.2.6 Test de rception de signal . . . . . . . . . . . . . . 48
3.5 Techniques damlioration des performances . . . . . . . . . . . . . . 50
3.5.1 Ajout de fentes sur le plateau de lantenne . . . . . . . . . . . 50
3.5.2 Alimentation capacitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.5.3 Ajout dlments parasites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.1 Principe et optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.2 Performances simules et mesures . . . . . . . . . . 52
3.5.3.3 Problme de creux defficacit rayonne . . . . . . . 54
3.5.3.4 Conclusion sur la technique de llment parasite . . 58
3.6 Modlisation par circuits quivalents . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.7 Amlioration par circuit dadaptation . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.7.1 Ajout dun circuit dadaptation LC (2 cellules) . . . . . . . . 60
3.7.2 Ajout dun circuit dadaptation LC (4 cellules) . . . . . . . . 61
3.7.3 Circuit dadaptation CL (2 cellules) avec composants rels . . 63
3.7.4 Calcul des pertes apportes par les composants . . . . . . . . 64
3.7.5 Utilisation de composants haut coefficient Q . . . . . . . . . 66
3.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

4 Amliorations et nouvelles structures 71


4.1 Influence des dimensions de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.1 Nouveau cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.2 largissement de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.1.3 Panel de structures de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.2 Description de nouvelles gomtries . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.1 Forme 1 : mandres progressifs . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.2 Forme 2 : largissement progressif du bras rayonnant . . . . . 79
Table des matires vii

4.2.3 Etude paramtrique sur lvolution de la largeur du bras . . . 80


4.2.4 Forme 3 : loignement progressif du bras rayonnant . . . . . . 81
4.3 Modification structurelle de lantenne IFA . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.3.1 Nouvelles structures tirant parti de cette technique . . . . . . 82
4.3.2 Bilan des nouvelles structures antennaires . . . . . . . . . . . 86
4.4 Analyse des paramtres des antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.1 Influence de la taille du plan de masse . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.2 Impact des tolrances de fabrication . . . . . . . . . . . . . . 90
4.4.3 Influence de lenvironnement de lextrmit dantenne . . . . 91
4.4.4 tude comportementale selon lorientation des mandres . . . 91
4.5 Rsultats de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.5.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 94
4.5.2 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.5.3 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99

5 Intgration en module SiP complet 101


5.1 Description du module et des composants . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.1.1 Choix du substrat et cahier des charges . . . . . . . . . . . . 102
5.1.2 Architecture et schma du module . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.2 tude paramtrique et performances simules . . . . . . . . . . . . . 104
5.2.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 104
5.2.2 Distribution des courants et diagramme de rayonnement . . . 105
5.3 Tests sur prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.1 Description des prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.2 Caractrisation de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.2 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . . 109
5.3.3 Mesure dEiRP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
5.3.4 Performances du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

Conclusion 119

Perspectives 121

A Prsentation des logiciels de simulation utiliss 123

Bibliographie 125

Publications et communications 131


Sigles et abrviations
AiP Antenna in Package
CMT Composants Monts en Surface
DECT Digital Enhanced Cordless Telecommunications
DSSS Direct-Sequence Spread Spectrum
EDR Enhanced Data Rate
FEM Finite Element Method
GPS Global Positioning System
GSM Global System for Mobile communications ou Groupe Spcial Mobile
HQ Haute Qualit
HS High Speed
ISM Industrial, Scientific and Medical
LAN Local Area Network
LE Low Energy
LTCC Low Temperature Co-fired Ceramics
MiMo Multiple-Input Multiple-Output
MoM Method of Moments
OFDM Orthogonal Frequency-Division Multiplexing
PAN Personal Area Network
PCB Printed Circuit Board
QoS Quality of Service
RF Radio Frquence
RFID Radio Frequency IDentification
SiP System in Package
SMT Surface Mount Technology
SoC System on Chip
UMTS Universal Mobile Telecommunications System
WiFi Wireless Fidelity
WiMAX Worldwide Interoperability for Microwave Access
WLAN Wireless Local Area Network
WPAN Wireless Personal Area Network
Introduction
Ces vingt dernires annes ont t tmoin dun spectaculaire essor des tlcom-
munications sans-fil grand public. Lavnement de la tlphonie mobile a enclench
le phnomne en se rendant rapidement indispensable pour les utilisateurs. Il sagit
pour la plupart des gens du premier contact avec un objet personnel permettant de
communiquer sans-fil depuis nimporte quel endroit. Au dpart limit des com-
munications vocales ou par courts messages textuels, il sest trs rapidement dmo-
cratis en amenant une vritable rvolution dans la vie des usagers. Son adoption
massive a permis, au fil des ans, dobserver de nouveaux comportements et dinven-
ter de nouveaux usages pour rpondre des besoins de plus en plus varis. Cest
ainsi que sont apparues progressivement les fonctionnalits de multimdia (photo,
vido, musique), internet (web, mail), tlvision, navigation GPS ou encore assis-
tant personnel. Cette volution a permis de rendre les tlphones portables de plus
en plus utiles, pratiques, ludiques. Cest donc tout naturellement que lensemble de
lindustrie lectronique a cherch suivre cet exemple. On trouve aujourdhui des
fonctionnalits sans-fil dans un nombre considrable dobjets (ordinateurs, appareils
photo, imprimantes, consoles de jeux, tlvisions, montres, priphriques informa-
tiques, domotique), dont linterconnexion a t rendue possible et facile grce
llaboration de standards dsormais incontournables tels que WiFi, Bluetooth, 3G,
ZigBee. Significativement amliors chaque nouvelle gnration, ces objets commu-
nicants offrent de plus en plus de possibilits aux utilisateurs en intgrant toujours
davantage de fonctionnalits.

Ce phnomne de convergence des fonctionnalits marque une tendance forte


dans lindustrie lectronique actuelle. Il permet la fois de rpondre un besoin pour
ses utilisateurs, mais aussi de simplifier sa conception et rduire ses cots pour un
fabricant. En effet, les progrs en termes dintgration ont permis une augmentation
notable des systmes de tlcommunications intgrs des objets de plus en plus
petits et de plus en plus nombreux. Une des technologies possible consiste utiliser
des composants ou sytmes de type SiP (System In Package) que lon peut traduire
par Systmes en Botier. Cependant, les objets communicants doivent aussi possder
un lment antennaire. Sil est important de rduire les dimensions des composants
lectroniques, il va de soi que les antennes doivent aussi subir ces effets de rduction
afin dtre plus compactes. lment indispensable pour tablir des communications
sans-fil, les antennes sont en effet des structures physiques rayonnantes relativement
encombrantes lheure de la nanolectronique. Elles doivent donc faire lobjet dun
travail de recherche important pour tendre vers lobjectif de miniaturisation. Grce
aux nombreux efforts consentis, les antennes sont devenues au fil des annes de plus
en plus compactes. Elles sont aujourdhui dans la plupart des cas invisibles pour
lutilisateur, totalement intgres lobjet communicant.
4 Introduction

Les solutions actuelles consistent principalement imprimer lantenne sur le cir-


cuit de lobjet sans-fil, ou utiliser des antennes intgres en botier ddi quil suffit
de souder sur le circuit. Ces techniques conomiques permettent de masquer lan-
tenne sur le produit final et de rduire les cots de fabrication en supprimant ltape
dajout dun lment extrieur. Elles permettent en outre damliorer la robustesse
des produits et de rduire leurs dimensions. Lobjectif de cette thse est damlio-
rer encore le niveau dintgration en tudiant la faisabilit de placer lantenne
lintrieur mme dun module RF de type SiP, aux cts des composants assurant
les fonctionnalits sans-fil. Ce concept de miniaturisation extrme et dintgration
de la structure antennaire sinscrit parfaitement dans le contexte de convergence
des composants lectroniques. Cette solution permettrait de bnficier de tous les
avantages de la technologie SiP en termes de rduction des dimensions, des dlais
de conception et de fabrication, ainsi que des cots.

Ce travail sinscrit dans le cadre dune collaboration CIFRE entre le Laboratoire


dlectronique, Antennes et Tlcommunications (LEAT) et la socit INSIGHT
SiP, qui possde une forte comptence dans le domaine des systmes packags (Sys-
tem In Package) et des modules RF de communication sans-fil. Relever ce dfi n-
cessite en effet non seulement la matrise des techniques de miniaturisation des
antennes, mais aussi une bonne comprhension de la mthodologie de conception
des SiP RF et des contraintes industrielles.

Le dfi technologique principal pos par le projet consiste intgrer une antenne
dans un petit volume tout en essayant de conserver ses proprits radiolectriques,
notamment en termes defficacit rayonne et bande passante. Le but est avant tout
de mettre en vidence, tudier, voire exploiter les phnomnes mis en jeu lors de la
miniaturisation. Pour des raisons videntes de focalisation du travail, nous ciblerons
une unique bande de frquences. Nous veillerons toutefois proposer des solutions
potentiellement adaptables dautres frquences.

Le premier chapitre prsente le monde des objets communicants. Nous tablirons


un panorama des technologies et standards de tlcommunications sans-fil exploites
par ces objets pour sinterconnecter et changer des donnes. Nous voquerons leurs
spcificits et leurs applications. La seconde partie prsente la technologie System
in Package et ses atouts dans lindustrie lectronique actuelle.

Le second chapitre est un tat de lart des techniques dintgration dantennes


utilises de nos jours. Nous dbuterons cette partie par un bref aperu des principaux
paramtres qui permettent de caractriser une antenne. Ils seront utiliss tout au
long du projet pour comparer les performances des diffrentes structures antennaires.
Nous dcrirons ensuite les principales techniques dintgration dantennes, de la
plus encombrante la plus compacte. Cette prsentation listera les avantages et
inconvnients de chaque solution et mettra en valeur lintrt de notre projet.
Introduction 5

Le troisime chapitre prsente le point de dpart des travaux. Il commence par la


recherche de formes dantennes susceptibles dtre miniaturises en tenant compte
des spcificits de la technologie SiP. Nous prsenterons ensuite les rsultats des
tudes paramtriques effectues sur la structure retenue, ainsi que les mesures ra-
lises sur les premiers prototypes. Nous appliquerons ensuite plusieurs techniques
damlioration des performances en bande passante et en efficacit sur cette antenne
et dresserons un bilan des rsultats obtenus afin dcarter ventuellement les solu-
tions ne permettant pas dexploiter les avantages quoffrent les dimensions rduites
du module.

Le quatrime chapitre a pour objectif dtudier prcisment le comportement


de lantenne et les phnomnes lectromagntiques caractrisant leur rayonnement.
Nous proposerons des modifications structurelles innovantes pour amliorer la bande
passante et lefficacit rayonne en occupant le minimum despace dans le module.
Les notions de marges et de variations des conditions dutilisation des modules
Antenna in Package (AiP) seront tudies et expliques en dtails.

Enfin, le dernier chapitre consiste illustrer et concrtiser le rsultat de ces tra-


vaux avec la fabrication des premiers prototypes AiP fonctionnels complets, incluant
antenne et composants dans un mme module. Les mesures pratiques mettront en
vidence leur comportement.
Prsentation de la socit
Insight SiP

Fonde en 2005, la socit Insight SiP est base Sophia Antipolis. Spcialise
dans le domaine des modules de type SiP (System in Package), elle propose
des services dtude et de conception de solutions RF destines apporter des
fonctionnalits sans-fil tout type dobjet communicant. Elle mise sur lintrt
grandissant pour ce type de module manifest par les grands fabricants de lindus-
trie lectronique pour se dvelopper rapidement. Lentreprise a pris une dimension
mondiale en ouvrant des bureaux au Japon et aux Etats-Unis.

Insight SiP propose des solutions trs intressantes dans un secteur des tl-
communications de plus en plus actif, multipliant les standards (WiFi, Bluetooth,
GSM, GPS, UMTS, Zigbee, etc. . . ) et souhaitant proposer ses clients des objets
lectroniques de plus en plus convergents, nomades et miniaturiss. Ces appareils
doivent en outre imprativement tre dvelopps trs rapidement du fait de leur
faible dure de vie. Insight SiP offre une rponse crdible aux besoins de tous ces
secteurs dactivit (quipements informatiques, objets communicants nomades,
tlcommunications, sant, automobile...).

Insight SiP sinscrit dans une politique de conception de produits toujours


innovants, forte dune quipe dexprience, comptente dans le domaine RF.
Elle applique certaines mthodes de conception uniques issues du savoir-faire de
ses ingnieurs pour valuer les dimensions et performances des modules ds les
premires phases dtude de faisabilit. Les ingnieurs Insight SiP possdent de
solides comptences dans de nombreux domaines tels que les composants passifs,
les circuits de composants, les filtres, les circuits actifs, les architectures RF, les
technologies de modules et leurs contraintes de conception et fabrication, et les
antennes. La socit propose un savoir-faire reconnu pour lintgration de circuits
dans les substrats multi-couches de type LTCC ou FR4 lamin. Ces qualits et
8 Prsentation de la socit Insight SiP

comptences runies dans une mme quipe permettent de satisfaire les demandes
des clients dans des dlais trs courts en proposant des modules sur mesure qui
peuvent tre hautement personnaliss.

Ds sa cration, la socit a conu pour Nanoradio un module WiFi longtemps


considr comme le plus miniaturis au monde. Depuis, plusieurs succs importants
ont marqu le dveloppement dInsight SiP, tels que la conception de modules
GSM, 3G ou encore GPS. En 2008, lentreprise concrtise les travaux mens sur
lintgration des antennes en proposant son premier module AiP (Antenna in
Package). Un module GSM quadribande incluant une antenne a rapidement suivi.
Aujourdhui, Insight SiP multiplie les innovations en travaillant sur des solutions
Bluetooth 4.0, sur des modules destins la prochaine gnration de tlphonie
mobile (4G), ou encore sur des composants WHDI (transmission de signaux audio
et vido haute dfinition pour remplacer les cbles HDMI).

Cest dans ce contexte dinnovation que lentreprise consacre une grande impor-
tance la recherche et y a naturellement consacr cette thse. Le projet allie un
travail de recherche un travail de dveloppement concret dans la perspective de
proposer un produit novateur aux clients de la socit.
Chapitre 1

Systmes communicants sans fil et


modules SiP

Sommaire
1.1 Introduction aux technologies de rseaux sans fils . . . . . . 10
1.1.1 Description gnrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.2 WiFi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.2 Modes de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.3 Bluetooth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.2 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.3.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.4 Autres technologies et protocoles . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2 Introduction la technologie System in Package . . . . . . . 16
1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.2 Avantages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.3 SiP vs SoC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.5 Substrats multi-couches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.1 Lamin FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.2 LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
10 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

INCROYABLE ESSOR des tlcommunications et les avances dans le do-


L maine de lintgration des circuits radio-frquence ont conduit au cours des der-
nires annes au dveloppement rapide de multiples technologies sans-fil telles que
WiFi, Bluetooth, RFID, WiMax, tlphonie mobile. Elles permettent aujourdhui de
connecter entre eux plusieurs milliards dobjets dits communicants pour rpondre
des besoins varis. Tous ces systmes oprent aux frquences micro-ondes.
Dans ce chapitre, nous dcrirons les bases de ces technologies et systmes com-
municants afin dapprhender les prrequis techniques ncessaires la comprhen-
sion de nos travaux. Ces informations nous permettront de nous familiariser avec
les spcificits des diverses technologies, cibler les besoins, identifier les points cls
et proposer des solutions capables de rpondre aux objectifs fixs par le projet de
recherche.
Nous introduirons galement la technologie dintgration en modules de type Sys-
tem in Package (SiP), spcialit de la socit Insight SiP. Nous verrons les nombreux
avantages quoffrent ces modules lindustrie lectronique en termes de conception
et rapidit de mise sur le march des produits par rapport dautres technologies
plus coteuses. Cette description permettra de comprendre lintrt et les enjeux de
lintgration dune antenne au sein mme du SiP.

1.1 Introduction aux technologies de rseaux sans fils


1.1.1 Description gnrale
Les technologies de tlcommunications sans fil oprent dans la gamme de fr-
quences micro-ondes (figure 1.1). Cette ressource tant par nature limite, son uti-
lisation est strictement rglemente. En fonction des critres de bande passante n-
cessaire et des effets de propagation (attnuation des ondes) une frquence donne,
une bande de frquences prcise est alloue chaque technologie wireless.

Fig. 1.1 Spectre lectromagntique


1.1. Introduction aux technologies de rseaux sans fils 11

Le tableau 1.1 dcrit globalement le dcoupage du spectre opr au niveau in-


ternational entre 88 MHz et 6 GHz. Il est important de noter que certains pays
appliquent quelques modifications ce dcoupage pour des raisons commerciales
ou militaires. Elles sont valables uniquement sur leur territoire ou dans une zone
dlimite.

Bande de frquences Dsignation Utilisation


88 108 MHz Band II Radio
174 240 MHz Band III Tlvision
450 470 MHz 450 MHz Tlphonie
470 750 MHz Band IV/V Tlvision
824 890 MHz 850 MHz Tlphonie
870 960 MHz 900 MHz Tlphonie
1, 575 GHz GPS Golocalisation
1, 71 1, 88 GHz 1800 MHz Tlphonie
1, 85 1, 99 GHz 1900 MHz Tlphonie
1, 9 2, 17 GHz 2100 MHz Tlphonie
2, 4 2, 485 GHz 2, 4 GHz WLAN
2, 5 2, 69 GHz 2, 5 GHz WiMAX
3, 4 3, 6 GHz 3, 6 GHz WiMAX
4, 9 5, 9 GHz 5 GHz WLAN, WiMAX

Tab. 1.1 Dcoupage et utilisation du spectre micro-ondes

La bande utilise par le WLAN fait partie des bandes dites ISM : Industrial,
Scientific, Mdical (tableau 1.2). Libres de droit, elles sont utilisables gratuitement
pour des applications industrielles, scientifiques ou mdicales. Seules les puissances
dmission et la perturbation des bandes voisines sont limites pour rduire au maxi-
mum les problmes de cohabitation des appareils. Un grand nombre dobjets com-
municants sans fil utilisent ces bandes : tlphones sans fil DECT, tlcommandes
domotiques (ouverture de portails par exemple), Bluetooth, WiFi, camras de sur-
veillance, tlcommandes de voitures, thermomtres dextrieur, transmetteurs au-
dio/vido.

Pour des raisons dorganisation, nous limiterons nos travaux de recherche la


bande 2, 4 GHz. En effet, lobjectif de cette thse est de mettre en valeur, comprendre
et exploiter les phnomnes mis en jeu lors de la miniaturisation et lintgration
dantennes au sein mme de modules SiP. Afin dviter de reproduire des rsultats
proportionnellement identiques sur toutes les gammes de frquences, il est important
de focaliser le travail sur une unique bande. La bande de 2, 4 GHz a t choisie car
elle est utilise par les technologies majeures que sont le WiFi et le Bluetooth. Elle
reprsente donc un enjeu essentiel sur le march des modules SiP.
12 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

Bande de frquences Frquence centrale Bande passante


6, 765 6, 795 MHz 6, 78 MHz 30 kHz
13, 553 13, 567 MHz 13, 56 MHz 14 kHz
26, 957 27, 283 MHz 27, 12 MHz 326 kHz
40, 66 40, 7 MHz 40, 68 MHz 40 kHz
433, 05 434, 79 MHz 433, 92 MHz 1, 74 MHz
868 870 MHz 869 MHz 2 MHz
902 928 MHz 915 MHz 26 MHz
2,4 - 2,5 GHz 2,45 GHz 100 MHz
5, 725 5, 875 GHz 5, 8 GHz 150 MHz
24 24, 25 GHz 24, 125 GHz 250 MHz
61 61, 5 GHz 61, 25 GHz 500 MHz
122 123 GHz 122, 5 GHz 1 GHz
244 246 GHz 245 GHz 2 GHz

Tab. 1.2 Bandes ISM

1.1.2 WiFi
1.1.2.1 Prsentation

Laccroissement exponentiel des besoins en communications sans fil et lexplosion


du trafic internet grand public ont pouss lindustrie et la recherche imaginer une
solution de connexion entre les rseaux fixes et les appareils nomades. Le standard
Wireless LAN IEEE 802.11 (figure 1.2) a t cr pour rpondre cette probl-
matique et assurer linteroprabilit de ces appareils communicants. Lide tait de
dcliner une version sans-fil du clbre IEEE 802.3 plus connu sous le nom dEther-
net. Le WiFi (Wireless Fidelity) offre des connexions entre appareils mobiles sur de
courtes distances, typiquement de lordre de quelques dizaines de mtres.

Fig. 1.2 Logo du standard WLAN IEEE 802.11 WiFi

Lutilisation de cette technologie, introduite ds le dbut des annes 1990 au


niveau industriel et au dbut des annes 2000 pour le grand public, sest rapide-
ment dmocratise du fait de la rduction du prix des puces WLAN. Au dpart
relativement complexes et coteuses, elles se rduisent de nos jours des modules
de quelques millimtres carrs produits en masse par les grands fabricants dlectro-
nique. Cette prouesse est le fruit des efforts dintgration et de miniaturisation des
composants, facteurs cls de llectronique daujourdhui. On trouve la fonctionna-
lit WiFi dans un nombre toujours plus important dappareils nomades : ordinateurs
portables, imprimantes, consoles de jeux, tlviseurs, tlphones portables.
1.1. Introduction aux technologies de rseaux sans fils 13

La technologie WiFi prsente de nombreux avantages par rapport aux tech-


niques classiques de rseaux cbls. Le plus vident est la mobilit. Permettre de
connecter les ordinateurs portables aux rseaux sans fil, les rendant ainsi rllement
nomades, a fortement contribu lacclration de leurs ventes, au point de dpasser
les solutions fixes depuis quelques annes. Le second avantage significatif des sys-
tmes WiFi est ladaptabilit des environnements parfois complexes, impossibles
cbler ou changeant constamment de configuration dans lespace. On pense notam-
ment certains milieux industriels de production, aux btiments en travaux, aux
points de vente, mais aussi aux btiments historiques ou fragiles. Enfin, un avantage
indniable apport par cette technologie est la rduction des cots dinstallation,
de configuration, et surtout de cblage des systmes informatiques. Il est en effet
prouv que 70 % des problmes de rseaux taient causs par les erreurs de cblage
ou la mauvaise qualit des cbles. Linstallation de vastes rseaux comprenant un
grand nombre dordinateurs est par ailleurs sensiblement acclre grce au WiFi.

1.1.2.2 Modes de fonctionnement

On distingue trois modes de fonctionnement du WiFi :


Mode access point : cest le mode le plus couramment utilis. Tous les appa-
reils du rseau sont connects un mme point daccs qui gre les connexions,
les permissions, les conflits. Toutes les communications passent par ce point
daccs. Il sagit dune connexion point multipoints.
Mode peer-to-peer : il ne ncessite pas de point daccs. Les appareils sont
directement connects entre eux en mode ad-hoc et peuvent communiquer sans
demander la permission dun autre quipement. Cest une connexion point
point.
Mode passerelle : il est utilis pour relier entre eux plusieurs rseaux sans
fil. Les quipements WiFi peuvent y tre configurs pour agir en tant que
rpteurs.
Le WiFi opre dans les bandes ISM 2, 4 GHz et 5 GHz. Pour des raisons de
restriction de bande dans certains pays, la gamme 2, 4 GHz est seulement utilise de
2, 4 GHz 2, 4835 GHz. Au niveau de la bande 5 GHz, trois dcoupages sont utiliss :
5, 15 5, 35 GHz, 5, 47 5, 725 GHz et 5, 725 5, 850 GHz. Ces bandes sont divises
en canaux de 5 MHz 20 MHz.

1.1.2.3 Standards

Le tableau 1.3 dcrit les diffrents standards 802.11. Les notions de dbit maxi-
mal et de porte sont dpendants de lenvironnement rel dutilisation. Les valeurs
maximales sont uniquement atteintes proximit directe du point daccs, sans
obstacle. De plus, la bande ISM tant libre, elle est utilise par plusieurs autres
technologies. Des interfrences peuvent donc perturber le signal WiFi et diminuer
les performances de la liaison sans fil. Enfin, le WiFi tant destin des rseaux
locaux porte limite, sa puissance dmission est strictement limite. Ainsi, les
14 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

autorits rgulant les tlcommunications ont fix un seuil maximal de puissance


rayonne de 1 W pour un appareil utilisant une antenne avec un gain infrieur
6 dBi. Afin de contrer ces limitations, la norme WiFi na cess dtre amliore au
cours des dernires annes pour atteindre depuis 2007 la dclinaison 802.11n. Cette
dernire version utilise les deux bandes de frquences 2, 4 GHz et 5 GHz, lagrgation
de canaux, ainsi que la technique de diversit du MiMo (Multiple-Input Multiple-
Output) pour augmenter les dbits et la porte.

IEEE 802.11 Frquences Dbit max Porte max Codage


a 5 GHz 54 Mbps 120 m OFDM
b 2, 4 GHz 11 Mbps 140 m DSSS
g 2, 4 GHz 54 Mbps 140 m OFDM
n 2,4 et 5 GHz 300 Mbps 250 m OFDM

Tab. 1.3 Caractristiques des standards WiFi 802.11 les plus marquants

1.1.3 Bluetooth

1.1.3.1 Prsentation

Autre technologie majeure utilisant la bande libre ISM 2, 4 GHz, le Bluetooth


(devenu standard IEEE 802.15, figure 1.3) a t cr pour rpondre aux besoins de
rseaux trs faible porte appels rseaux personnels (WPAN, Wireless Personal
Area Network). A la diffrence du WiFi, le Bluetooth nest pas destin remplacer
les cbles des rseaux locaux traditionnels, mais a pour but dinterconnecter tout
type dobjet lectronique nomade ayant besoin de communiquer sans ncessiter for-
cment un dbit important.

Fig. 1.3 Logo du standard WPAN IEEE 802.15 Bluetooth

Les principales qualits de la technologie sont sa robustesse, sa faible consom-


mation dnergie, son faible cot. Tout comme le WiFi, latout majeur du standard
est linteroprabilit. Il garantit une connexion de base entre plusieurs appareils
dorigines diffrentes mais certifis compatibles grce lutilisation de profils com-
muns. Par ailleurs, certaines spcifications tant optionnelles, le Bluetooth autorise
les fabricants diffrencier leurs produits sur le march.
Cette technologie est aujourdhui largement rpandue dans le monde. Elle quipe
notamment les tlphones portables, ordinateurs portables, priphriques informa-
tiques (claviers, souris), casques audio, oreillettes mains-libres, autoradios, appareils
photo numriques, bornes publicitaires.
1.1. Introduction aux technologies de rseaux sans fils 15

1.1.3.2 Fonctionnement

Le Bluetooth opre dans le spectre de frquence 2, 4 GHz. Sa porte est limite


10 ou 100 m selon la classe de lappareil (tableau 1.4). Le dbit maximal actuel slve
24 Mbps. Le systme utilise un metteur rcepteur exploitant la technique du
saut de frquence pour minimiser les interfrences et lvanouissement frquemment
rencontrs sur ces frquences encombres. Un algorithme peut modifier le modle
de saut de frquence la vole pour exclure les frquences utilises par dautres
technologies.

Classe Puissance max Porte max


1 100 mW (20 dBm) 100 m
2 2, 5 mW (4 dBm) 10 m
3 1 mW (0 dBm) 1 3m

Tab. 1.4 Classes des appareils certifis Bluetooth

La bande de frquences 2, 4 2, 4835 GHz est divise en 79 canaux spars de


1 MHz. Chaque canal RF est partag par plusieurs priphriques qui sont synchro-
niss sur une mme horloge fixe par le priphrique matre.

1.1.3.3 Standards

Depuis sa cration au milieu des annes 1990 par le fabricant sudois Ericsson, le
Bluetooth a volu de manire progressive grce lalliance de plusieurs fabricants
dans le Bluetooth Special Interest Group (SIG). Il atteint aujourdhui sa quatrime
version en introduisant le mode Low Energy. En partant de la version dorigine, on
constate que les efforts ont t ports successivement sur lamlioration de linter-
oprabilit, puis des dbits, et enfin de la consommation. Tous ces perfectionnements
ont t apports en gardant le cot unitaire des puces infrieur trois dollars.

Version Dbit max Caractristiques majeures


1.0 1.2 1 Mbps Interoprabilit et standardisation IEEE 802.15
2.0 2.1 3 Mbps Amlioration du dbit EDR (Enhanced Data Rate)
3.0 24 Mbps Ajout du mode HS (High Speed)
4.0 24 Mbps Ajout du mode LE (Low Energy)

Tab. 1.5 Caractristiques des versions successives du Bluetooth

Les avances concernant le Bluetooth Low Energy ont pour objectif de rduire
drastiquement la consommation, de faon alimenter un appareil avec une simple
pile bouton pendant plusieurs annes. Le but est de conqurir le march des montres,
capteurs divers, quipements sportifs, implants mdicaux.
Les futurs travaux visent notamment amliorer la qualit de service QoS (Qua-
lity of Service) et la scurit.
16 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

1.1.4 Autres technologies et protocoles


Les technologies WiFi et Bluetooth, bien que majeures et largement utilises, ne
sont pas les seules exploiter la bande ISM 2, 4 GHz. Cette gamme de frquences
tant libre, de nombreux fabricants ont dvelopp leurs propres technologies et pro-
tocoles afin de rpondre des besoins spcifiques leurs produits. On trouve au-
jourdhui sur le march une multitude dobjets communicants utilisant leur propre
technologie dite propritaire : souris et claviers sans-fil, manettes de consoles de
jeux, transmetteurs audio/vido. Tous ces objets au champ dapplication spcifique
sont vendus avec leur propres metteurs/rcepteurs et nont aucun besoin dinter-
oprabilit. Ils ne ncessitent donc pas dutiliser un standard particulier tel que le
WiFi et le Bluetooth.

1.2 Introduction la technologie System in Package


Aprs avoir dfini la gamme de frquences vise par nos recherches et les tech-
nologies qui lutilisent, nous allons maintenant prsenter et dcrire le monde des
modules de type SiP. Il reprsente le coeur de mtier de la socit Insight SiP et de
notre projet de recherche visant y intgrer une antenne.

1.2.1 Prsentation
La technologie System in Package (SiP) est ne ds le dbut des annes 1990,
bnficiant de lexplosion de la tlphonie mobile. Les appareils de premire gn-
ration, composs de multiples circuits et puces souds sur un PCB (Printed Circuit
Board) taient complexes, fragiles, coteux, lourds. Le besoin dintgration et de
miniaturisation sest rapidement fait sentir. Lindustrie lectronique a alors imagin
de runir plusieurs fonctions spares dans un mme module, donnant naisance au
SiP (figure 1.4). Alors que les premiers modules regroupaient simplement les fonc-
tions damplification, on trouve aujourdhui par exemple toutes les fonctions dun
tlphone mobile multibandes dans un seul module de quelques millimtres carrs.

Fig. 1.4 Vue dun module SiP dpourvu de botier ou de surmoulage

Un module SiP moderne est constitu notamment de puces digitales, de compo-


sants passifs discrets, doscillateurs, de circuits RF (figure 1.5).
1.2. Introduction la technologie System in Package 17

Fig. 1.5 Vue en coupe dun SiP RF comprenant un transceiver, un circuit bande
de base, un circuit dalimentation et un rseau dadaptation

1.2.2 Avantages
La technologie SiP prsente de multiples avantages pour lindustrie lectronique :
Solution cl en main : elle permet un assembleur de disposer dun module
test et physiquement protg, quil suffit de souder sur son appareil lectro-
nique. Toutes les fonctionnalits assures par le module nont plus besoin dtre
dveloppes sparment. Les besoins en ingnieurs et concepteurs sont donc
rduits, ainsi que la complexit du systme lectronique. Ainsi, les rendements
de production sont amliors et participent la rduction des cots.
Modularit : elle permet de crer des fonctions sur mesure, parfaitement
adaptes au besoin du client, grce la slection la carte des composants.
Flexibilit : les SiP sont des assemblages de composants existants. La fa-
brication est donc plus rapide et moins coteuse que la fabrication classique
de puces sur wafers. Lors de la phase de conception, la rapidit de fabrica-
tion des prototypes est dcisive. Elle offre une grande flexibilit lorsque des
modifications ou ajustements sont ncessaires.
Multi-technologies : les composants utiliss ne doivent pas forcment tre
tous issus de la mme technologie de fabrication. Il est possible de mixer les
substrats pour utiliser le meilleur de chaque monde.
Cots : grce tous les avantages prciss prcdemment, les SiP ont des
cots relativement matriss et sont parfaitement adapts au monde lectro-
nique actuel.

1.2.3 SiP vs SoC


Grce ses avantages indniables en termes de taille, cot, rapidit de concep-
tion, facilit dassemblage et temps de mise sur le march, la technologie SiP sest
vite impose. Elle vient complter dautres techniques telles que les SoC (System
on Chip, figure 1.6) en proposant un premier niveau dintgration. En effet, alors
18 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

que les SoC intgrent tous les composants dans une mme puce, les SiP intgrent
plusieurs puces et composants dans un mme module. Ces deux technologies sont
la fois concurrentes et complmentaires.

Fig. 1.6 Vue dune puce SoC (System on Chip)

Les avances en termes de miniaturisation et dintgration conduisent naturelle-


ment crer des SoC, plus petits et moins chers produire en masse. Linconvnient
de cette solution rside dans le degr de complexit dune telle intgration. Certains
composants sont difficiles miniaturiser. Cest pourquoi un SoC est souvent dlicat
concevoir. Il demande du temps (jusqu 18 mois) et une grande expertise, ce qui
peut finalement augmenter le cot global.
Avec lapproche SiP, la complexit est distribue en amont. Les composants
utiliss ont dj t conus, dvelopps, tests. Ils sont slectionns en fonction des
besoins et contraintes. Grce cette simplification, un SiP se conoit gnralement
en moins de 6 mois.
Par ailleurs, alors quun prototype SiP est facilement ajustable au niveau des ses
composants accessibles en surface, un prototype SoC noffre aucun accs facilement
modifiable. La flexibilit est donc du ct de lindustrie SiP.
Ainsi, le choix de lutilisation des technologies SiP ou SoC est examiner au cas
par cas en fonction des besoins. Lamlioration des techniques permettra peut-tre
un jour de se tourner exclusivement vers les SoC. En attendant, les SiP offrent un
excellent compromis.

1.2.4 Applications
Du fait de ses nombreux avantages, la technologie System in Package est large-
ment utilise. On retrouve aujourdhui des modules SiP dans la plupart des objets
lectroniques proposs sur le march. La courte dure de vie de ces objets, volontai-
rement rendus obsoltes par lapparition de nouvelles versions ncessite des phases
de conception et dveloppement de plus en plus courtes pour soutenir la concurrence.
Les SiP permettent de rpondre cette problmatique.
Ils sont ainsi trs utiliss dans les tlphones mobiles. Ils y regroupent la plu-
part des fonctions rseaux (connectivits GSM, 3G, WiFI, Bluetooth, GPS), ainsi
que multimdia. Pour des raisons stratgiques, les SiP sont mme parfois utiliss
pour occuper rapidement un march dans des industries traditionnellement SoC,
en attendant le dveloppement des solutions compltement intgres. Certains pro-
cesseurs multi-core dordinateurs sont par exemple des modules SiP constitus de
plusieurs processeurs mono-core.
1.2. Introduction la technologie System in Package 19

Les modules SiP permettent donc lintgration de plus en plus de fonctionnalits


et services dans les objets communicants que nous utilisons au quotidien.

1.2.5 Substrats multi-couches


Bien que de nombreuses autres technologies de substrats existent, le lamin
FR4 et le LTCC sont les deux principalement utilises dans les System in Package.
Composes de multiples couches empiles, elles permettent de proposer des modules
compacts et solides. Les diffrentes pistes mtalliques et composants sont relis par
des vias qui traversent les couches pour assurer les interconnexions. Les grands
fabricants imposent des rgles de conception qui fixent des limites ne pas dpasser
(distance entre les pistes mtalliques, paisseur des couches, taille des vias, etc...).

1.2.5.1 Lamin FR4


Cest typiquement la solution la moins chre. Composs gnralement de deux
quatre couches, les modules lamins sont devenus des standards de lindustrie SiP
pour la conception de solutions relativement simples et peu coteuses (figure 1.7).
Les fabricants utilisent de larges feuilles de substrat de permittivit r = 4, 9 et
de tangente de pertes tan = 0, 014. Elles sont ensuite dcoupes pour composer
les couches du module.

Fig. 1.7 Photographie dun module SiP sur substrat lamin FR4 avec surmoulage,
vue de dessus et vue de dessous

1.2.5.2 LTCC
Plus chre que celle du lamin FR4, la solution LTCC (Low Temperature Co-
fired Ceramics) possde une caractristique importante : sa capacit enfouir les
composants passifs (rsistances, inductances, capacits) dans les couches internes
(figure 1.8). Cette particularit permet de rduire drastiquement les dimensions du
module. Ces composants sont en effet gnralement encombrants et doivent tre
disposs dune certaine manire. Ils occupent souvent beaucoup de place en surface
du module.
Le substrat LTCC est compos de couches de cramique (gnralement entre
cinq et huit) de permittivit r = 7, 8 et de tangente de pertes tan = 0, 005.
20 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP

La fabrication utilise un processus dassemblage et de cuisson basse temprature


aprs la prparation spare de toutes les couches.

Fig. 1.8 Dtail de la structure interne dun module SiP LTCC, avec composants
passifs sur les couches internes

Les SiP LTCC sont donc prconiss pour optimiser la miniaturisation lorsque
beaucoup de composants passifs sont intgrer. Par ailleurs, la permittivit plus le-
ve du substrat favorise son utilisation pour les circuits RF. Dans ces conditions, ils
sont comptitifs en termes de cots. Dans le cas de circuits passifs simples, composs
de peu dlments, les substrats lamins sont gnralement prfrs.

1.3 Conclusion
Les bandes de frquences libres de droit de type ISM sont particulirement uti-
lises de nos jours. Elles permettent aux fabricants de produits lectroniques de
proposer des objets interconnectables oprant partout dans le monde, en respectant
simplement quelques normes techniques. La gamme 2, 4 GHz est la plus utilise,
grce notamment aux technologies WiFi et Bluetooth.
La technologie SiP est aujourdhui incontournable. Grce ses multiples avan-
tages, essentiellement en termes de flexibilit, rduction des cots, rapidit de
conception et modularit, elle rpond de nombreux besoin actuels. Cest pour-
quoi elle est utilise par lindustrie lectronique dans la conception de la grande
majorit des objets communicants grand public.
Notre projet de recherche propose damliorer cette technologie en ajoutant lin-
tgration en module dune composante essentielle de tous ces objets : lantenne.
Difficilement miniaturisable, cet lment physique occupe encore beaucoup despace
actuellement et ncessite de vritables phases consacres de conception. Lobjectif
1.3. Conclusion 21

est donc de comprendre les phnomnes mis en jeu lors de la miniaturisation afin
de les matriser et les exploiter pour lintgration de llment rayonnant.
Dans le but de proposer des solutions rapidement industrialisables, nos travaux
se limiteront aux technologies majeures du march, savoir les modules SiP sur
substrats LTCC ou lamin FR4 pour des objets communicants oprant dans la
bande ISM 2, 4 GHz (systmes WiFi et Bluetooth par exemple).
Chapitre 2

Techniques dintgration
dantennes

Sommaire
2.1 Caractrisation des antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.2 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.3 Efficacit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.4 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.1.5 Gain et directivit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2 Etat de lart des antennes intgres . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.1 Antennes imprimes sur PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2.2 Intgration en module ddi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.3 Intgration en modules complets . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.2.5 Avantages et inconvnients des techniques actuelles . . . . . . 33
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
24 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

explosion du march de llectronique grand public au cours de la


L dernire dcennie a mis entre les mains des utilisateurs une multitude dap-
pareils aux fonctionnalits diverses, intressantes, utiles, voire aujourdhui totale-
ment indispensables. Les progrs raliss par la recherche et lindustrie ont permis
de miniaturiser et perfectionner ces appareils. Ils possdent gnralement des fonc-
tionnalits sans fil et sinterconnectent grce des standards ou des technologies
propritaires de tlcommunications.
Ces millions dobjets communicants en fonctionnement dans le monde possdent
tous un point commun : une antenne. lment indispensable pour tablir des com-
munications sans fil, lantenne est une structure physique rayonnante relativement
encombrante lheure de la nanolectronique. Bien que de nombreuses avances
aient permis de rduire progressivement leurs dimensions, elles restent toujours un
lment spar connect au reste du systme lectronique.
Lobjectif de nos travaux est dintgrer cette structure antennaire lintrieur
mme dun module de type System in Package. Cette solution permettrait de b-
nficier de tous les avantages de la technologie SiP en termes de rduction des
dimensions, des dlais de conception et de fabrication, ainsi que des cots.
Sans entrer dans les dtails de la physique et des proprits lectromagntiques,
nous tablirons tout dabord un panorama des principaux paramtres qui permettent
de caractriser une antenne. Ils seront utiliss tout au long de nos travaux pour
comparer les performances obtenues. Nous ferons ensuite un tat de lart du monde
des antennes miniatures intgres modernes, aussi bien au niveau de la recherche
quau niveau des produits qui existent sur le march et qui quipent actuellement
nos appareils lectroniques. Enfin, nous listerons les avantages et inconvnients de
ces solutions.

2.1 Caractrisation des antennes

Les antennes se caractrisent gnralement par quelques paramtres importants.


Ils permettent de comparer les structures entre elles, mais aussi les simulations et
les mesures sur prototypes.

2.1.1 Coefficient de rflexion

Il sagit du rapport damplitude entre londe incidente (transmise lantenne)


et londe rflchie du fait des discontinuits entre le circuit et lantenne. Not S11 ,
il permet de caractriser ladaptation de lantenne au circuit qui la prcde. Plus
lantenne est adapte, plus ce coefficient est faible. Ainsi, avec un coefficient de
rflexion 10 dB, 90 % de la puissance est transmise lantenne.
Le coefficient de rflexion se mesure lanalyseur de rseaux en fonction de la
frquence.
2.1. Caractrisation des antennes 25

2.1.2 Bande passante


La bande passante est la gamme de frquences sur laquelle un coefficient de
rflexion maximal nest pas dpass. Il sagit donc de la bande de frquences o
lantenne est suffisamment adapte pour oprer sans trop de pertes de puissance
par dsadaptation. Ainsi, pour couvrir une application utilisant une certaine bande
de frquences, la bande passante de lantenne doit tre au moins gale celle de
lapplication.
La bande passante se dduit de la courbe du coefficient de rflexion mesur
lanalyseur de rseaux. Elle peut tre exprime en valeur absolue, mais galement
en valeur relative par rapport sa frquence centrale. Cette reprsentation permet
de comparer dune manire plus quitable les antennes entre elles.
Au cours de ces travaux, nous utiliserons la bande passante 6 dB (75 % de la
puissance transmise lantenne). Cest une valeur typiquement utilise aujourdhui
dans lindustrie lectronique pour caractriser les petits objets communicants.

2.1.3 Efficacit
Lefficacit est le rapport de la puissance rayonne par lantenne sur la puissance
fournie en entre de lantenne.
On distingue lefficacit rayonne de lefficacit totale. Alors que lefficacit totale
prend en compte les pertes de dsadaptation, lefficacit rayonne dpend unique-
ment de la structure gomtrique de lantenne. Elle est fixe par les dimensions, la
forme, ou encore lpaisseur et la largeur des mtallisations, mais aussi les pertes
dans le substrat dilectrique. Elle reprsente bien un paramtre intrinsque lan-
tenne. Cest cette valeur que nous utiliserons gnralement dans nos travaux afin de
comparer les proprits en efficacit des antennes de manire quitable, sans tenir
compte des problmes dadaptation.
Les logiciels de simulation lectromagntique donnent les valeurs defficacit,
aussi bien totale que rayonne. La mesure sur prototype est plus dlicate. Elle n-
cessite une mesure complte du rayonnement en trois dimensions, puis un traitement
numrique lourd dintgration des rsultats pour dduire lefficacit. Cette opra-
tion peut se faire avec un quipement de mesure tel que la Starlab de Satimo (voir
chapitre 4. Une autre mthode, dite de Wheeler Cap ([Diallo 2007]), consiste
court-circuiter la rsistance de rayonnement en plaant lantenne dans une bote
lectromagntiquement tanche aux dimensions spcifiques. Les relevs de coeffi-
cient de rflexion sont ensuite compars aux relevs en champ libre pour dduire
lefficacit de rayonnement.
Une efficacit rayonne de 50 % est une valeur typiquement acceptable pour des
antennes miniatures.
26 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

2.1.4 Diagramme de rayonnement


Le diagramme de rayonnement reprsente la puissance rayonne par lantenne
dans toutes les directions de lespace autour delle en champ lointain. Ce paramtre
nest pas matrisable par le concepteur. Il dpend de la structure globale de lantenne.
Le diagramme est difficilement mesurable en trois dimensions. Il ncessite du
matriel spcifique tel que la Starlab. Dans une chambre anchode traditionnelle,
le diagramme est typiquement mesur dans les trois plans de lantenne (xy, yz, xz).
Ces rsulats en deux dimensions sont reprsents sur une chelle logarithmique pour
mettre en valeur leurs variations. Ils donnent une bonne indication du diagramme
total.
Pour notre type dapplication destine des appareils mobiles qui doivent fonc-
tionner dans nimporte quelle position de lespace, lidal serait davoir un dia-
gramme de rayonnement omnidirectionnel.

2.1.5 Gain et directivit


Le gain reprsente lamplification dune antenne dans une direction donne. Ex-
prim en dBi, il est est issu du rapport entre la puissance rayonne par lantenne
et la puissance rayonne par une antenne de rfrence isotrope (rayonnement uni-
forme sur toute la sphre, soit 0 dBi). Logiquement, le gain maximal est lev sur
les antennes directives. Pour notre type dantenne quasi omnidirectionnelle, le gain
maximal typique est compris entre 1 dBi et 1 dBi.
Le gain maximal est relev sur les diagrammes de rayonnement mesurs en
chambre anchode.

2.2 Etat de lart des antennes intgres


Depuis lapparition de la tlphonie mobile, les antennes ont beaucoup volu.
Les premiers appareils sur le march taient munis dimposantes antennes externes,
lentement remplaces par des antennes fouet (figure 2.1), puis des antennes h-
licodales protges par un chassis en plastique ou moules dans un caoutchouc
(figures 2.2 et 2.3).

Fig. 2.1 Tlphone portable avec antenne fouet


2.2. Etat de lart des antennes intgres 27

Fig. 2.2 Tlphone portable avec antenne hlicodale protge par un chassis
plastique

Fig. 2.3 Schma de lantenne hlicodale protge par un chassis plastique

2.2.1 Antennes imprimes sur PCB

Le dbut des annes 2000 a t tmoin dune volution majeure : lintgration de


lantenne lintrieur du tlphone (figure 2.4). Cette prouesse pour lpoque se ba-
sait sur limpression de lantenne directement sur le PCB de lappareil, gnralement
du ct de loreille de lutilisateur.

Fig. 2.4 Antenne imprime multi-bandes sur un PCB de tlphone portable


.
28 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

Cette technique impose certaines contraintes de placement de lantenne sur le


PCB. Elle ncessite notamment une large ouverture dans le plan de masse du t-
lphone, ainsi que lloignement des composants comprenant beaucoup de parties
mtalliques (chassis, vibreur, batterie). Malgr ces contraintes, lintgration de lan-
tenne dans le tlphone sest immdiatement dmocratise grce ses nombreux
avantages en termes de robustesse et rduction des cots de fabrication (lantenne
est imprime lors du process de fabrication du PCB). Mais cest surtout laspect
esthtique qui a t dterminant. La suppression de cet lment externe encombrant
a t trs bien accueilli par les utilisateurs. Il offrait galement de nouvelles pos-
sibilits de design aux concepteurs de tlphones. Lutilisation de cette technique
dintgration au premier degr de lantenne sest largement rpandue. On la re-
trouve aujoudhui dans de nombreux appareils au del du monde de la tlphonie
(figure 2.5).

Fig. 2.5 Antenne imprime sur un PCB de carte WiFi PCMCIA pour ordinateur
portable

Au cours des annes, la technique a t amliore et continue dalimenter plu-


sieurs axes de recherche. Les travaux de G.Y. Lee tudient par exemple lutilisation
de certains matriaux pour miniaturiser des antennes GSM bi-bande ([Lee 2003a]).
W.Y. Li utilise une antenne sous forme de boucle pour obtenir une bande pas-
sante importante et couvrir quatre bandes de tlphonie mobile ([Li 2007a]). Enfin,
certains substrats haute permittivit permettent de rduire les dimensions des
antennes imprimes sur PCB ([Liu 2007]).
2.2. Etat de lart des antennes intgres 29

2.2.2 Intgration en module ddi


Afin de rduire les temps de conception des produits par les grands fabricants,
la recherche et lindustrie ont imagin un second degr dintgration de lantenne.
Au lieu dimprimer directement lantenne sur le PCB, lide est de la miniaturiser
pour lintgrer dans un module spcifiquement ddi. Lantenne y est imprime selon
diffrentes structures sur des substrats multicouches (par exemple de type LTCC).
Les avantages sont multiples. Outre la miniaturisation par rapport une solu-
tion imprime, ce type dantenne en module permet un fabricant qui dcide de
lintgrer dans son produit de saffranchir des phases de design longues ncessitant
un savoir faire particulier dans le domaine des antennes. De plus, alors quune an-
tenne imprime doit tre conue spcifiquement pour chaque produit en fonction de
la forme de son PCB et de la disposition de ses composants, le botier ddi antenne
est adaptable la majorit des applications du fait de sa miniaturisation.
De nombreux travaux cherchent amliorer ces produits ([Wong 2005a],
[Sim 2002]), en proposant notamment des solutions multi-bandes ([Moon 2003a],
[Kim 2005a], [Kim 2005b], [Lee 2007]) ralises grce deux structures mandres
disposes dans le module ddi (figure 2.6). On trouve galement des solutions bi-
bande pour des applications de tlphonie mobile ([Wong 2002]). S.W. Su propose
dutiliser deux brins rayonnants connects la mme alimentation afin de crer deux
rsonances couples ([Su 2006a]). Lobjectif de cette technique est daugmenter la
bande passante. Quant aux travaux de S.H. Wi, ils utilisent une antenne patch pour
travailler dans la bande de frquences 5 GHz ([Wi 2007], figure 2.7). Certaines publi-
cations prsentent des solutions ULB (Ultra Large Bande : [Su 2006b]). On trouve
galement des modules avec des formes originales (forme triangulaire : [Lee 2003b],
forme intgrant le haut parleur du tlphone : [Chang 2008]). Enfin, J.H. Yoon
utilise un module antennaire ddi sur lequel il place les composants Bluetooth
([Yoon 2008]).

Fig. 2.6 Module antennaire bi-bande intgrant deux structures rayonnantes in-
tgres. Le module est soud sur un PCB de test muni dune ligne dalimentation.
Travaux de Y.D. Kim.
30 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

Fig. 2.7 Antenne patch intgre dans un module ddi. Travaux de S.H. Wi.

Cette technique nest pourtant pas exempte de contraintes. Bien que le module
soit de dimensions modestes, il ncessite toujours une ouverture dans le plan de
masse et un placement tudi pour viter les perturbations des autres composants.
En outre, ce type de composant a gnralement besoin dun circuit dadaptation pour
se connecter au circuit lectronique. En effet, tant conu sparment de lapplication
finale et de manire globale pour viser le plus grand nombre de poduits, il doit
souvent tre adapt. Lajout des composants indispensables rduit les performances
cause des pertes dnergie quils impliquent.

2.2.3 Intgration en modules complets


Afin de corriger les problmes dadaptation et de disposition des techniques pr-
cdentes, un nouveau degr dintgration est envisag. Il consiste placer lantenne
dans un module contenant dautres composants.
Mme si cette technique ncessite un dveloppement spcifique au module hte,
elle prsente de nombreux avantages qui en font une solution trs intressante. Le
premier est la miniaturisation. Lantenne tant intgre un module qui est forc-
ment prsent dans le produit, elle ne ncessite plus un espace rserv sur le PCB.
Cette technique permet galement de saffranchir dun circuit dadaptation puisque
lantenne est spcialement dloppe pour fonctionner avec les composants du mo-
dule. En supprimant des composants annexes, la robustesse du produit est amliore.
Enfin, les cots de conception pour le fabricant final sont largement rduits.
Malgr tous ses avantages vidents, cette technique est trs peu utilise. Elle est
encore ltat de recherche. Les rsultats actuels proposent des prototypes avec une
antenne place au dessus des composants, sous forme de patchs, dans une couche sp-
ciale ([Brebels 2004] : figure 2.8, [Tong 2006]). On peut citer notamment les tudes
de Y. Zhang, trs actif sur le sujet ([Zhang 2001], [Zhang 2004], [Zhang 2008] : fi-
gure 2.10). D. Seo a imagin une antenne utilisant deux couches et la moiti dun
module LTCC ([Seo 2008] : figure 2.9). Cette ide est exploite dans plusieurs publi-
cations ([Yoon 2010], [Chow 2008]). Notre objectif sera damliorer cette technique
en rduisant les dimensions de la structure antennaire.
2.2. Etat de lart des antennes intgres 31

Fig. 2.8 Module complet WLAN avec antenne patch au dessus des composants
sur une couche spcifique. Travaux de S. Brebels.

Fig. 2.9 Antenne dispose sur deux couches dans un module Bluetooth. Travaux
de D. Seo.

Fig. 2.10 Antenne dispose au dessus des composants sur une couche spcifique.
Travaux de Y. Zhang.
32 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

Ces solutions sont difficilement industrialisables car elles ncessitent des chanes
de production spciales pour intgrer cette couche spcifique. De plus, les caractris-
tiques lectromagntiques des antennes patchs, qui ncessitent une certaine hauteur
par rapport au plan de masse et une certaine surface de mtallisation, font quil est
difficile de descendre des frquences de fonctionnement infrieures 5 GHz pour
un module de quelques millimtres carrs.
Afin de conclure ce panorama des techniques dintgration dantennes, on peut
citer lintgration sur silicium, directement dans la puce (SoC). Ce degr ultime
dintgration est aujourdhui tudi pour des applications fonctionnant plus de
60 GHz.

2.2.4 Applications
Les antennes imprimes sur PCB sont largement rpandues aujourdhui. On en
trouve dans la plupart des appareils lectroniques grand public du fait de leur faible
cot. Elles quipent par exemple certains tlphones portables, tlphones DECT,
assistants de navigation (GPS), systmes multimdia pour automobiles, tlvisions,
consoles de jeux, set-top box internet, systmes RFID (figure 2.11).

Fig. 2.11 Antenne imprime quipant la console de jeux Sony PSP

Les solutions dantennes en modules ddis sont plutt utiliss pour quiper les
petits objets communicants o chaque millimtre est important. On pense notam-
ment aux cls USB avec fonctions sans fil (WiFi ou Bluetooth : [Wong 2006a]), aux
petits priphriques informatiques (figure 2.12). On trouve aujourdhui sur le march
plusieurs modules aux applications et dimensions varies (tableau 2.1 et figure 2.13).

Fig. 2.12 Antenne intgre en module ddi soud sur une cl USB WiFi
2.2. Etat de lart des antennes intgres 33

Fig. 2.13 Module antennaire Antenova pour applications dans la bande 2,4
2, 5 GHz

Fabricant Bande passante Efficacit rayonne Dimensions


Fractus 2,4 2, 5 GHz 70 % 6,7 x 6,7 x 1 mm3
Fractus 2,4 2, 5 GHz 70 % 7 x 3 x 2 mm3
Fractus 2,5 2, 6 GHz 50 % 7 x 3 x 1 mm3
Murata 2,4 2, 5 GHz nc 1,5 x 4 x 1, 8 mm3
Murata 2,4 2, 5 GHz nc 3 x 9 x 4 mm3
Murata GPS nc 1,5 x 4 x 1, 8 mm3
Antenova 2,4 2, 5 GHz 60 % 6,1 x 3,9 x 1 mm3
Antenova 2,4 2, 5 GHz 50 % 4 x 3 x 1 mm3
Epcos 2,4 2, 5 GHz nc 10,1 x 2,6 x 0, 64 mm3

Tab. 2.1 Exemples de produits existants sur le march des modules ddis

Quant la mthode dintgration en module complet, elle na pas dapplica-


tion industrielle concrte pour le moment du fait de contraintes techniques encore
trop importantes. Toutefois, condition de parvenir oprer dans des gammes de
frquences plus basses, le march potentiel est norme. Cette technique pourrait
remplacer avec succs les prcdentes dans la majorits des systmes communicants
actuels.

2.2.5 Avantages et inconvnients des techniques actuelles

On distingue trois niveaux dintgration de lantenne : dans lappareil, dans un


botier ddi, et dans un module compos dautres composants. Dans tous les cas,
la taille du plan de masse de lapplication joue un rle primodial. Il sera indispen-
sable den tenir compte dans nos travaux. Le tableau 2.2 rsume les avantages et
inconvnients de ces techniques et compare leurs caractristiques sur quelques points
cls.
On constate que lintgration de niveau 3 est prometteuse. Elle reprsente lavenir
des techniques de miniaturisation dantennes. Toutefois, les solutions pour ladapter
aux frquences les plus utilises et la rendre industrialisable grande chelle ne
sont pas videntes. Nos travaux de recherche ont pour objectif de rpondre ces
problmatiques.
34 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes

Technique Impression sur PCB Module ddi Module complet


Degr dintgration 1 2 3
Miniaturisation - + ++
Intgration au produit - ++
Robustesse ++ + ++
Industrialisation ++ ++

Tab. 2.2 Comparaison des techniques dintgration dantennes sur quelques points
cls

2.3 Conclusion
Pour des raisons videntes dintgration, de mobilit et de robustesse, les objets
lectroniques communicants ncessitent des antennes lgres, petites, faible cot.
Les solutions embarques actuellement sont constitues dantennes directement im-
primes sur le PCB, ou de modules antennaires souds sur le circuit. Ils ncessitent
systmatiquement de longues phases de conception et dadaptation. Par ailleurs,
bien que ces antennes soient invisibles pour lutilisateur, on ne peut toujours pas
parler dintgration car elles restent spares du reste du systme et occupent encore
trop despace.
Ltat de lart de la recherche dans le domaine montre que des techniques dint-
gration en modules sont envisageables pour certaines frquences, mais quil nexiste
pas de solution concrte pour des systmes utilisant la bande ISM 2, 4 GHz.
Lobjectif de nos travaux est donc de proposer une solution cette problma-
tique. Nous chercherons particulirement mettre en valeur les phnomnes phy-
siques afin de les matriser et les exploiter. Il est en effet important de proposer une
solution adaptable au maximum de systmes et frquences. Enfin, nous veillerons
proposer un projet viable pour une production industrielle de masse en respectant
les contraintes de fabrication.
Chapitre 3

Structure mandre en trois


dimensions

Sommaire
3.1 Cahier des charges initial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2 Slection dune structure antennaire miniaturisable . . . . . 37
3.3 Miniaturisation par repliements et mandres . . . . . . . . . 39
3.3.1 Repliements en deux dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.2 Repliements en trois dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.3 Influence des paramtres gomtriques de la structure . . . . 41
3.4 Performances simules et rsultats de mesures . . . . . . . . 43
3.4.1 Prototype sur FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4.2 Prototype sur LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.2.1 Adaptation de la structure aux nouvelles contraintes 44
3.4.2.2 Fabrication dun prototype . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4.2.3 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . 47
3.4.2.4 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.4.2.5 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.4.2.6 Test de rception de signal . . . . . . . . . . . . . . 48
3.5 Techniques damlioration des performances . . . . . . . . . 50
3.5.1 Ajout de fentes sur le plateau de lantenne . . . . . . . . . . . 50
3.5.2 Alimentation capacitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.5.3 Ajout dlments parasites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.1 Principe et optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.2 Performances simules et mesures . . . . . . . . . . 52
3.5.3.3 Problme de creux defficacit rayonne . . . . . . . 54
3.5.3.4 Conclusion sur la technique de llment parasite . . 58
3.6 Modlisation par circuits quivalents . . . . . . . . . . . . . . 58
3.7 Amlioration par circuit dadaptation . . . . . . . . . . . . . 60
3.7.1 Ajout dun circuit dadaptation LC (2 cellules) . . . . . . . . 60
3.7.2 Ajout dun circuit dadaptation LC (4 cellules) . . . . . . . . 61
3.7.3 Circuit dadaptation CL (2 cellules) avec composants rels . . 63
3.7.4 Calcul des pertes apportes par les composants . . . . . . . . 64
3.7.5 Utilisation de composants haut coefficient Q . . . . . . . . 66
3.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
36 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

intgration dune antenne lintrieur mme dun module de type Sys-


L tem in Package (SiP) fait face plusieurs dfis scientifiques et technologiques
intressants. Le premier dentre eux, et certainement le plus dlicat, concerne la
miniaturisation de la structure rayonnante. Il est en effet largement prouv que la
rduction drastique dune antenne influe radicalement sur ses performances, avec
gnralement un affaiblissement de la bande passante et de lefficacit de rayonne-
ment par rapport une structure de taille standard. Les travaux de A. Chebihi
([Chebihi 2006]) le confirment. De nombreuses tudes scientifiques ont permis de
comprendre le phnomne et mme de fixer des limites thoriques pour la miniatu-
risation des structures ([Balanis 1997] et [Fano 1948]).
La premire tape en vue de lintgration consiste en la recherche et la slection
dune structure antennaire la fois peu encombrante et surtout miniaturisable dans
le sens de la technologie SiP. Il est indispensable de tenir compte des paramtres
imposs par celle-ci, tels que la faible paisseur, le type de substrat ou encore lassem-
blage multi-couches. Nous verrons quil est mme possible de tirer parti de certaines
de ces caractristiques pour favoriser la miniaturisation. Nous tudierons ensuite les
rsultats de simulation et de mesures sur prototypes afin de dterminer si la struc-
ture choisie est bien adapte lobjectif dintgration. En fonction des performances
obtenues, nous appliquerons certaines techniques connues damlioration de la bande
passante et dterminerons leur impact rel. Enfin, une modlisation de type circuit
de la structure permettra de mieux apprhender le fonctionnement de lantenne et
dterminer quels sont les paramtres les plus influents sur ses performances.

3.1 Cahier des charges initial

Lobjectif dintgrer une antenne dans un module SiP est trop vaste et ne peut
constituer un point de dpart de nos recherches lui tout seul. Il sera atteint par
tapes successives. La premire consiste travailler sur une antenne pour la miniatu-
riser et lintgrer dans un espace limit. Nous utiliserons dans un premier temps un
substrat FR4 qui permet une fabrication rapide et facile de prototypes. Nous porte-
rons ensuite la structure miniaturise sur un substrat LTCC. Les premiers critres
viss en termes de performances devraient permettre dassurer le fonctionnement
dun objet de type WiFi ou Bluetooth. Le cahier des charges suivant numre ces
objectifs atteindre.
dimensions du module AiP sur substrat FR4 : 14 x 10 mm2
espace rserv lantenne sur substrat FR4 : 14 x 2 mm2
dimensions du module AiP sur substrat LTCC : 8 x 8 mm2
espace rserv lantenne sur substrat LTCC : 8 x 2 mm2
bande passante : bande ISM de 2,4 2, 484 GHz (84 MHz soit 3, 4 %)
adaptation : au minimum 6 dB sur la bande passante
efficacit rayonne : > 40 %
3.2. Slection dune structure antennaire miniaturisable 37

3.2 Slection dune structure antennaire miniaturisable


Lantenne diple 2 (demi-onde) :
Il sagit de lantenne la plus simple et historiquement certainement la plus an-
cienne. Compose de deux brins replis, sa longueur totale L est gale la demi-
longueur donde (chaque brin a une longueur de 4 ). Alimente au centre, cette
structure est parcourue par un courant maximum qui dcrot jusquaux extrmits
(figure 3.1). Lmission est nulle dans la direction des brins conducteurs. De nom-
breux travaux sur les diples ont t publis ([Ryu 2008], [Floch 2006]). Cest une
antenne trs efficace, mais dont les dimensions ne sont pas adaptes lintgration
en module de quelques millimtres carrs aux frquences qui nous intressent. De
plus, son diagramme de rayonnement prsente des creux importants aux extrmits
de lantenne.

Fig. 3.1 Antenne diple demi-onde - Rpartition des courants et tensions

Lantenne Hlicodale :
La premire ide pour rduire lencombrement est denrouler les brins du diple
afin de conserver leur longueur tout en occupant moins despace. Cest le principe
de lantenne hlicodale (figure 3.2), qui permet de rduire significativement la lon-
gueur totale dun diple classique tout en conservant au maximum ses performances.
Celles-ci sont dfinies en fonction du diamtre des enroulements et de la distance
entre eux appele galement pas. Il existe galement une version mono-brin issue
de lantenne monople.

Fig. 3.2 Antenne hlicodale


38 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

L encore, les dimensions ne permettent pas denvisager une intgration en mo-


dule, quelque soit le nombre denroulements. Il sagit nanmoins dune ide intres-
sante de miniaturisation, ventuellement applicable dautres structures ou dautres
bandes de frquences ([Wang 2003], [Noguchi 2003]).

Lantenne F inverse ou Inverted-F Antenna (IFA) :


Il sagit dune antenne quart donde possdant une connexion de court-circuit,
en forme de F invers (figure 3.3). Le court-circuit permet de tirer parti du ph-
nomne de miroir lectrique, et ainsi de saffranchir du second brin dune antenne
diple demi-onde classique. Les dimensions sont donc rduites de moiti ( 4 ), tout
en conservant de bonnes performances en bande passante, efficacit et gain. De plus,
le positionnement du point dalimentation par rapport au court-circuit permet de
rgler efficacement ladaptation de lantenne ([Flint 2003], [Ali 2002]).

Fig. 3.3 Antenne F inverse (IFA)

Lantenne F inverse planaire ou Planar IFA (PIFA) :


Fonctionnant sur le mme principe que lantenne IFA, la PIFA se diffrencie
par le remplacement du brin quart donde par un lment planaire de type patch
(figure 3.4). Les dimensions de ce patch permettent dajuster la frquence de rso-
nance, et la position du point dalimentation agit directement sur ladaptation. De
plus, sa hauteur faible devant la longueur donde en fait une antenne trs compacte.

Fig. 3.4 Antenne PIFA

Les performances de cette structure peuvent tre amliores par lajout de divers
lments (exemple : lments capacitifs, figure 3.5), ainsi que la cration de fentes
dans le patch afin de crer de nouvelles rsonances ([Ciais 2004]). Ces antennes sont
donc particulirement bien adaptes aux appareils multi-bandes, et ont lavantage
de prsenter un faible cot de fabrication, ce qui explique leur large utilisation
([Su 2006c]).
3.3. Miniaturisation par repliements et mandres 39

Fig. 3.5 Antenne PIFA avec lment capacitif

Bilan de la slection dune antenne miniaturisable :


Bien que ces antennes offrent des performances correctes et des facilits de fabri-
cation, elles conservent un inconvnient important : leurs dimensions. Ainsi, mme
ramene une longueur quart donde, la plus grande dimension dune antenne de
type PIFA pour une application 2, 45 GHz mesure prs de 30 mm. Pour des raisons
videntes dencombrement, la structure PIFA ne peut tre utilise pour une intgra-
tion en module. La hauteur minimale ncessaire entre le plateau et le plan de masse
est de plusieurs millimtres l o un SiP ne peut dpasser 1 mm dpaisseur. De
mme, les antennes demi-ondes ne sont pas retenues du fait de la longeur de leurs
deux brins.
Seules les solutions quart donde de type filaire (IFA) semblent donc promet-
teuses en vue dune importante miniaturisation. Ce sont donc ces structures qui
ont t choisies comme point de dpart nos travaux. Le premier dfi est de les
miniaturiser davantage afin datteindre les dimensions stipules dans le cahier des
charges.

3.3 Miniaturisation par repliements et mandres


3.3.1 Repliements en deux dimensions
La premire ide pour rduire lencombrement de lantenne IFA est de replier
le brin rayonnant sur lui-mme afin de conserver la longueur lectrique indispen-
sable tout en occupant moins despace (figure 3.6). Outre la rduction gomtrique
vidente dans le sens de la longueur, cette technique de miniaturisation bnficie
galement dun effet capacitif entre le brin rayonnant et son repliement. Ce phno-
mne permet de rduire la frquence de rsonance par rapport une structure droite
de la mme longueur lectrique. Cette technique permet de ramener lencombrement
global en longueur de lantenne 6 . Les performances en terme de bande passante
ne souffrent quasiment pas de cette rduction de dimensions. Les dimensions to-
tales restent toutefois trop importantes pour satisfaire aux exigences du cahier des
charges.
40 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Fig. 3.6 Repliement simple de lIFA

Cette technique de miniaturisation par repliement peut tre toutefois exploi-


te de manire encore plus optimale en multipliant les repliements. Lide est
dutiliser au maximum lespace disponible en disposant le brin rayonnant de lan-
tenne sous forme de mandres (figure 3.7) ([Kim 2002], [Huang 2005], [Kim 2006],
[Warnagiris 1998], [Lin 2005], [Choi 2001], [Yu 2009]). Leffet capacitif est de cette
manire amlior, et la longueur lectrique totale ncessaire pour rsonner
2, 45 GHz est davantage rduite. Suffisamment optimise, cette technique permet
de ramener lencombrement global en longueur seulement 8 et ainsi de se rappro-
cher des dimensions maximales vises ([Lee 2002], [Marrocco 2003]).

Fig. 3.7 Repliements en mandres de lIFA

3.3.2 Repliements en trois dimensions


Inspire de lantenne IFA replie en mandres, lide suivante est dexploiter dau-
tant plus ce principe dallongement du bras en le repliant au maximum sur les trois
dimensions, de faon former une sorte dantenne hlicodale mandres rectangu-
laires en trois dimensions (figure 3.8) ([Chebihi 2006], [Moon 2003a], [Moon 2003b]).
Grce cette mthode de miniaturisation, cette structure se conforme au cahier des
charges au niveau des dimensions.
3.3. Miniaturisation par repliements et mandres 41

3.3.3 Influence des paramtres gomtriques de la structure


Afin de simuler la structure antennaire dans des conditions ralistes, plusieurs
choix techniques ont t effectus :
Utilisation dun circuit imprim (Printed Circuit Board, PCB) de
100 x 40 x 1 mm3 avec plan de masse pour servir de support au module AiP.
Ce type de PCB est largement utilis dans la tlphonie mobile. Il doit tre
pris en compte dans les simulations car il a une influence importante sur les
performances de lantenne (voir chapitre 4).
Ralisation dune encoche dans le plan de masse pour positionner le module.
Elle permet de ne pas prsenter de plan de masse directement sous lantenne,
vitant ainsi la dgradation totale de ses performances radiolectriques (rayon-
nement, efficacit, adaptation).
Interconnexion des couches du bras rayonnant par des vias mtalliques.

Ce type dantenne a lavantage doffrir plusieurs degrs de libert pour en effec-


tuer les rglages. En effet, les variations de quelques paramtres prcis permettent
dajuster finement le comportement en simulation de la structure (figure 3.8).

Fig. 3.8 Paramtres permettant dajuster le comportement de lantenne

Adaptation :
La position du point dalimentation par rapport au court-circuit joue un rle dter-
minant dans ladaptation de lantenne. En effet, limpdance dentre de la structure
varie tout le long du bras de lantenne. Ce phnomne a t vrifi et confirm par
des tudes paramtriques (tableau 3.1). Le paramtre d seul permet lobtention de
ladaptation tout en conservant une structure de lantenne fixe. Ce paramtre na
donc pas dinfluence sur la frquence de rsonance. Le parcours des courants entre
le point de court-circuit et le point dalimentation est plus ou moins long, ce qui
permet de trouver aisment le point dadaptation sans modifier le comportement
frquentiel de lantenne.
42 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Distance d (mm) 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4


S11 minimum (dB) -2 -2,3 -5 -12 -35 -16 -4
Frquence dadaptation (GHz) 2,50 2,48 2,46 2,42

Tab. 3.1 Adaptation de lantenne en fonction de la distance d entre alimentation


et court-circuit

Frquence de rsonance :
Par dfinition pour ce type dantenne, la distance totale de parcours des courants
dans le bras rayonnant lt est gale au quart de la longueur donde. Or la frquence
de rsonance dpend de cette longueur donde selon la formule simplifie 3.1 (sans
tenir compte de la permittivit du substrat).

c0 c0
f= = (3.1)
0 4.lt

Avec :
f : frquence de rsonance (Hz)
0 : longueur donde dans le vide (m)
c0 : clrit dans le vide (3.108 m/s)
lt : longueur totale du parcours des courants (m)

Ainsi, pour diminuer la frquence de rsonance, il faut augmenter la longueur


donde, cest--dire augmenter la longueur du trajet total des courants. Il faut donc
ajouter quelques mandres en bout de bras ou augmenter lpaisseur de lantenne,
et inversement pour augmenter la frquence. Le tableau 3.2 donne lvolution des
caractristiques radiolectriques en frquence et bande passante pour une augmen-
tation de la hauteur de lantenne, ce qui implique une augmentation de lpaisseur
du substrat.

paisseur (mm) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Frquence dadaptation (GHz) 2,8 2,7 2,61 2,53 2,48 2,45 2,42 2,36
Bande passante absolue (MHz) 78 68 62 57 54 53 51 48
Bande passante relative (%) 2,8 2,5 2,4 2,3 2,2 2,2 2,1 2,0

Tab. 3.2 Frquence de rsonance de lantenne en fonction de lpaisseur

Efficacit rayonne :
En partant de lhypothse que plus la surface de mtallisation est importante,
plus lefficacit rayonne est grande (moins de pertes par effet Joule), le paramtre
important doit tre la largeur des pistes lp. Les exprimentations ralises dans ce
sens (tableau 3.3) montrent bien quil est important de conserver des pistes les plus
larges possible pour maintenir une certaine efficacit rayonne.
3.4. Performances simules et rsultats de mesures 43

Largeur des pistes (mm) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5


Frquence dadaptation (GHz) 2,32 2,45 2,51 2,53 2,49
S11 minimum (dB) -12 -18 -30 -26 -19
Bande passante absolue (MHz) 24 44 54 60 61
Bande passante relative (%) 1,0 1,8 2,2 2,4 2,4
Efficacit rayonne (%) 39 47 53 50 52

Tab. 3.3 Efficacit rayonne de lantenne en fonction de la largeur des pistes lp

3.4 Performances simules et rsultats de mesures


3.4.1 Prototype sur FR4
Grce aux tudes paramtriques effectues sur la structure antennaire en trois
dimensions, un premier prototype de rfrence a t optimis sur substrat FR4 et
fabriqu, avec les caractristiques du tableau 3.4.

Longueur 13, 65 mm
Largeur 1, 8 mm
paisseur 0, 5 mm
Largeur des mandres 0, 5 mm
Substrat FR4

Tab. 3.4 Caractristiques du premier prototype fabriqu sur substrat FR4

Fig. 3.9 Simulation et mesure du coefficient de rflexion S11 du prototype

La figure 3.9 montre la bonne concordance entre simulations et mesures au niveau


du coefficient de rflexion S11 . Avec une bande passante de 106 MHz 10 dB (4, 3 %
2, 475 GHz), ce prototype est capable doprer dans la bande ISM 2, 4 GHz. Il est
donc bien adapt pour les applications vises, de type WiFi ou Bluetooth.
44 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

3.4.2 Prototype sur LTCC


3.4.2.1 Adaptation de la structure aux nouvelles contraintes
De nos jours, une quantit importante de modules SiP est fabrique en uti-
lisant la technologie Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC) ([Kulke 2003],
[Ha 2009], [Manteuffel 2009]). Comme expliqu dans le chapitre 1, elle prsente plu-
sieurs caractristiques avantageuses pour les modules SiP, notamment lintgration
des composants habituellement situs en surface. Ce substrat se caractrise par une
permittivit r = 7, 8, une tangente de pertes tan = 0, 005 et une architecture
en couches multiples.
Lobjectif tant dadapter la structure antennaire en trois dimensions cette
technologie en vue de son industrialisation, il est important de se baser sur un
module standard. Nous avons slectionn un SiP de 7 couches, de dimensions
8 x 8 x 0, 46 mm3 . Lantenne doit donc tre rduite par rapport la structure FR4.
Le substrat de type cramique a lavantage de prsenter une permittivit plus leve
que le substrat classique epoxy FR4 utilis prcdemment (r = 7, 8 au lieu de
r = 4, 7). Cette caractristique participe la miniaturisation. En effet, la permitti-
vit du substrat entre en compte dans la formule de la longueur donde (formule 3.2).
Laugmentation de la permittivit permet de diminuer la longueur donde, ce qui
implique sur notre antenne une rduction du parcours total des courants ncessaire
pour conserver une frquence de 2, 45 GHz (formule 3.3).
c0
= (3.2)
r .f
c0
f= (3.3)
4.lt . r
Avec :
: longueur donde (m)
c0 : clrit dans le vide (3.108 m/s)
f : frquence de rsonance (Hz)
r : permittivit relative du substrat
lt : longueur totale du parcours des courants (m)

Lantenne tant destine tre intgre dans un module de 8 mm de ct, il


est indispensable de conserver une distance de scurit entre les pistes mtalliques
intrieures et les bords extrieurs du module. Il est prconis de nutiliser que 7, 6 mm
de ct maximum (0, 2 mm de marge tout autour, figure 3.10).

Fig. 3.10 Dimensions intrieures et extrieures du module


3.4. Performances simules et rsultats de mesures 45

La premire tape a donc consist rduire la longueur initiale L = 13, 65 mm.


Pour cela, des mandres en bout dantenne ont t supprims jusqu obtenir la
longueur maximale disponible de 7, 6 mm. Aucun autre paramtre na t modifi.
La longueur du trajet des courants est donc rduite drastiquement, ce qui provoque
comme prvu une remonte en frquence importante. La rsonance se situe dsormais
4, 5 GHz. On se rapproche ici des configurations vues dans ltat de lart, avec des
dimensions rduites, mais un fonctionnement des frquences proches de 5 GHz.
En rduisant les largeurs des bras et des mandres de lantenne, et en ajoutant une
longueur de 2 mm en bout de bras, la frquence a t ramene 2, 45 GHz.

Fig. 3.11 Structure de rfrence LTCC. Modle de simulation avec composants


fictifs.

Longueur 7, 6 mm
Largeur 1, 85 mm
paisseur 0, 46 mm
Largeur des mandres 0, 38 mm
Substrat LTCC

Tab. 3.5 Caractristiques de la structure de rfrence LTCC

3.4.2.2 Fabrication dun prototype


Cette nouvelle structure de rfrence (figure 3.11 et tableau 3.5) a t optimise
et fabrique sur LTCC (figure 3.12). Les conditions de montage restent les mmes
que prcdemment, avec un PCB aux dimensions dun tlphone mobile contenant
une encoche dans le plan de masse sous lantenne (figure 3.13). Le module LTCC
46 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

est constitu de 7 couches de substrat superposes. Les couches contenant les pistes
de lantenne (haut et bas) sont relies entre elles par des vias traversant lpaisseur
du module (figure 3.14).

Fig. 3.12 Photographies du prototype LTCC fabriqu (faces avant et arrire)

Fig. 3.13 Prototype mont sur PCB, avec SMA de connexion

Fig. 3.14 Empilement des couches du module LTCC : 7 couches de substrat,


8 couches de mtallisation
3.4. Performances simules et rsultats de mesures 47

3.4.2.3 Coefficient de rflexion et bande passante

Fig. 3.15 S11 simul et mesur de la structure de rfrence LTCC et son prototype

La figure 3.15 montre que les performances mesures sont trs proches des r-
sultats de simulation. La bande passante 6 dB est de 80 MHz en mesure sur
le prototype et la frquence dadaptation est conforme la simulation. Mme si
la bande ISM nest pas tout fait couverte, les rsultats semblent suffisants pour
assurer un fonctionnement du module et rpondre au cahier des charges initial.

3.4.2.4 Gain et rayonnement

Le diagramme de rayonnement en trois dimensions mesur en chambre anchode


(figure 3.17) prsente une forme globale proche de la simulation (figure 3.16), avec
une direction meilleur gain situe loppos du bras de court-circuit par rapport
lantenne. Le gain ralis mesur maximum est de 0, 6 dBi (simulation : 0, 19 dBi).
La forme quasi omnidirectionnelle du diagramme est un avantage indniable. Elle
garantit des conditions de rception acceptables dans toutes les positions, ce qui est
indispensable pour un appareil mobile qui doit fonctionner dans un environnement
dondes multi-trajets.

Fig. 3.16 Rayonnement 3D simul (prototype plac au centre du diagramme)


48 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Fig. 3.17 Rayonnement 3D mesur en chambre anchode (prototype plac au


centre de la demi-sphre)

3.4.2.5 Efficacit rayonne

Comme pour lantenne FR4, la rduction de la surface mtallique due la minia-


turisation provoque une perte defficacit rayonne. Ltude paramtrique suivante
(tableau 3.6) montre clairement limpact de la largeur des pistes sur lefficacit
rayonne de la structure antennaire. Nous avons fix un seuil raisonnable 40 %,
atteint avec une largeur de pistes de 0, 38 mm. Cette largeur a t retenue pour la
fabrication du prototype.

Largeur des pistes (mm) 0,2 0,3 0,38 0,4 0,5


Frquence dadaptation (GHz) 2,49 2,63 2,69 2,69 2,65
S11 minimum (dB) -13 -20 -31 -27 -19
Bande passante absolue 6 dB (MHz) 29 50 62 68 68
Bande passante relative 6 dB (%) 1,2 1,9 2,3 2,5 2,6
Efficacit rayonne (%) 33 38 40 46 53

Tab. 3.6 Variation de lefficacit rayonne en fonction de la surface mtallique

3.4.2.6 Test de rception de signal

Protocole de test :
Daprs les performances mesures, le prototype LTCC semble tout fait apte
oprer dans la bande 2, 4 GHz pour des standards de type Bluetooth ou WiFi.
Afin de vrifier cette hypothse, nous avons soumis le prototype un protocole de
test en conditions relles (figure 3.18). Le module AiP, mont sur le PCB de test
3.4. Performances simules et rsultats de mesures 49

de type tlphone portable, est branch un analyseur de spectre. Ce dispositif


est plac une distance fixe d dun point daccs WiFi 802.11g configur en mode
test (mission dun signal successivement sur chaque canal). Le spectre est relev en
mode max hold qui consiste garder en mmoire le niveau maximum atteint par le
signal pour chaque frquence sur la bande 2, 4 2, 5 GHz. Le module AiP a ensuite
t remplac par une antenne fouet dune longueur de 10 cm (modle classique qui
quipe gnralement les routeurs WiFi). Les mesures lanalyseur de spectre ont
t ralises exactement dans les mmes conditions.

Fig. 3.18 Schma du dispositif de test avec le module AiP (a) et une antenne
diple classique (b)

Fig. 3.19 Comparaison de niveau de signal WiFi reu entre le prototype LTCC et
une antenne fouet servant de rfrence
50 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Rsultats :
On constate sur la figure 3.19 que le niveau de signal reu par le module AiP
est lgrement plus faible (5 dB) dans la bande WiFi que celui issu de lantenne
de rfrence. Le rapport signal sur bruit (SNR) est cependant tout fait correct et
suffisant pour tre exploit sans pertes par la partie lectronique du module.

3.5 Techniques damlioration des performances


Bien que cette premire structure antennaire permette doprer correctement
dans la bande ISM 2, 45 GHz, la bande passante trs limite noffre aucune marge
de scurit. Or il sagit dun paramtre critique dans la mesure o sa valeur mini-
male est impose par les diffrentes normes en vigueur dans les tlcommunications.
Malheureusement, plusieurs facteurs peuvent influer sur la frquence de rsonance
(tolrances de fabrication : [Baras 2008], conditions dutilisation [Rautio 2005], in-
fluence des lments proximit : [Guterman 2008] et [Lin 2005]) et dcaler la bande
de fonctionnement de lantenne. Il est donc indispensable dlargir la bande passante
afin dassurer un fonctionnement dans toutes les conditions. Le nouvel objectif at-
teindre est fix une bande relative de 6 % au lieu des 3, 4 % initiaux.
Plusieurs techniques classiques permettent dajouter une ou plusieurs rso-
nances supplmentaires sur une antenne, notamment lutilisation dlments pa-
rasites ([Wong 2005b] et [Wong 2006b]), la cration de fentes, ou encore lutilisation
dlments capacitifs ([Ciais 2004]). En sinspirant de ces mthodes, lide que nous
allons essayer de dvelopper est de coupler deux rsonances trs proches afin dlargir
la bande passante.

3.5.1 Ajout de fentes sur le plateau de lantenne


Cette technique consiste crer une ou plusieurs fentes sur le plateau suprieur
de lantenne. Les fentes modifient le parcours des courants en crant de nouveaux
chemins. Ce phnomne ajoute des frquences de rsonance la structure ou fait
baisser les modes suprieurs. En matrisant et en optimisant ces paramtres, il est
donc possible de rapprocher suffisamment plusieurs frquences de rsonance pour
les coupler. La bande passante est ainsi largie. Retenue dans un premier temps,
cette technique a t abandonne du fait de la faible surface mtallique disponible
sur notre antenne.

3.5.2 Alimentation capacitive


Lide est de supprimer la connexion directe entre lalimentation et lantenne,
et de disposer deux plateaux mtalliques face face pour raliser une capacit (fi-
gure 3.20). Les premiers rsultats ont fait apparatre une rsonance supplmentaire
7, 5 GHz. Les divers travaux de recherche publis sur le sujet ont permis de mettre
en vidence que la surface des plateaux et surtout la distance entre eux permettent
de baisser la frquence de rsonance. Notre antenne noffre cependant que trs peu
3.5. Techniques damlioration des performances 51

de marge de manuvre, puisque lpaisseur totale ne doit pas dpasser 0, 46 mm. Or


la faible hauteur sur une alimentation capacitive dtruit totalement la rsonance et
lefficacit. Enfin, la surface disponible pour agrandir les plateaux est trop petite,
mme en superposant plusieurs plateaux.

Fig. 3.20 Modlisation de lantenne 3D avec alimentation capacitive

3.5.3 Ajout dlments parasites


Cette troisime technique damlioration de bande passante semble adaptable
notre structure dantenne. La distribution des courants observe sur la structure
de rfrence montre la prsence de points de concentration des courants (appels
points chauds) sur les bords de lencoche dans le PCB. Cette zone semble donc plus
sensible que dautres. Un lment parasite plac cet endroit devrait thoriquement
jouer un rle dans le comportement de lantenne.

3.5.3.1 Principe et optimisation

Les premires tentatives de positionnement dun bras parasite sur les cts de
lantenne et au milieu des mandres napportent pas de rsultat exploitable (fi-
gure 3.21). On constate que lintensit des courants est trs faible dans le parasite.
Nous avons donc dcid de placer le court-circuit du bras parasite au plus proche
des points chauds de lantenne, par exemple lalimentation. Cette configuration peut
reprsenter une sorte de deuxime antenne alimente par couplage inductif entre la
languette dalimentation de lantenne principale et la languette de court-circuit de
llment parasite. La longueur totale du parasite dtermine la frquence de rso-
nance. Il devrait donc tre possible de la rgler prcisment pour la rapprocher de la
premire rsonance, avec une longueur ncessaire typique de lordre du quart de la
longueur donde de la frquence dsire. Ainsi, pour ramener la frquence dadapta-
tion environ 2, 5 GHz, il faudrait une longueur de 30 mm, ce qui est difficilement
intgrable dans notre module de 8 mm de ct.
52 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Fig. 3.21 Exemples de structures avec bras parasites. Distribution des courants
lectriques 2, 45 GHz.

La solution la plus vidente pour rduire lencombrement est de replier le bras


parasite simplement sur la mme couche, ou en exploitant plusieurs couches de
substrat LTCC relies par des vias. Ces techniques ont dailleurs lavantage dajouter
un couplage capacitif entre les repliements du bras. En effet, les parties suprieure et
infrieure du bras parasite sont en vis vis. Cette disposition de plateaux mtalliques
spars par seulement quelques centaines de microns cre une capacit qui influe sur
la frquence de rsonance. La longueur totale ncessaire pour rsonner 2, 45 GHz
est encore plus rduite grce ce phnomne.

3.5.3.2 Performances simules et mesures

Avec une optimisation de tous les paramtres (longueur totale, distance entre
les repliements, lieu du repliement, distance entre parasite et antenne), nous avons
obtenu un couplage optimal des deux rsonances, comme en tmoigne la boucle
sur labaque de Smith (figure 3.22). Les performances en bande passante doublent
quasiment par rapport la structure de rfrence sans parasite pour atteindre une
valeur maximale de 129 MHz 6 dB (5, 3 %).
Les performances peuvent encore tre amliores en augmentant lgrement les
dimensions de la structure. En effet, en utilisant 0, 5 mm de plus selon laxe y, il est
possible de rallonger les mandres de lantenne, de supprimer la longueur superflue
en bout de structure, et dlargir globalement le bras. Toutes ces modifications
3.5. Techniques damlioration des performances 53

Fig. 3.22 Couplage des deux frquences de rsonance (simulation HFSS)

permettent une meilleure matrise du couplage entre le bras parasite et lantenne


grce au gain de surfaces mtalliques en vis vis. La figure 3.23 le prouve, avec une
bande passante maximale de 140 MHz 6 dB (5, 8 %). Avec de telles performances,
cette structure pourrait convenir pour les applications oprant dans la bande ISM
2, 45 GHz, qui ncessitent environ 85 MHz de bande.

Fig. 3.23 Amlioration de la bande passante par largissement de la structure


(simulation HFSS)

Rsultats de mesure :
Afin de vrifier le fonctionnement de cette technique, un prototype a t fabriqu.
Malheureusement, la mesure du S11 (figure 3.24) montre que les deux frquences de
rsonance dues lantenne dune part, et llment parasite dautre part sont trop
loignes pour se coupler. Il ny a donc aucune augmentation de bande passante. Ce
problme sexplique par lextrme sensibilit du phnomne de couplage. En effet,
la simulation montre quune seule variation de 50 m de la distance entre lantenne
et le parasite suffit dcaler les frquences de rsonance et dtruire leffet recherch.
Or ce type de dcalage est difficilement matrisable lors de la phase de fabrication.
54 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Labaque de Smith (figure 3.25) rvle les niveaux de couplage :


simulation : couplage fort (boucle fine)
simulation avec dcalage de 50 m : couplage trs faible (boucle large)
mesure sur prototype : absence de couplage (aucune boucle)

Fig. 3.24 Simulation avec variation de 50 microns de la distance entre antenne et


parasite et rsultat de mesure sur prototype

Fig. 3.25 Observation des trois couplages diffrents

3.5.3.3 Problme de creux defficacit rayonne


Lefficacit rayonne pose galement problme. En effet, ladaptation de llment
parasite semble tre exclusivement due aux pertes. Ce phnomne est flagrant quelle
que soit la taille globale de la structure (ici 8 x 3 mm2 ). Afin de mettre en valeur
3.5. Techniques damlioration des performances 55

ce comportement, nous avons volontairement spar les deux rsonances. Celle de


lantenne se situe 2, 51 GHz. Celle de llment parasite 2, 38 GHz. La bande
passante est bien amliore et atteint 228 MHz. Par contre, la courbe defficacit
rayonne en fonction de la frquence montre une valeur maximale de 40 % au niveau
de la rsonance de lantenne, mais moins de 15 % au niveau de la rsonance de
llment parasite (figure 3.26).
Ce comportement sexplique par la prsence du plan de masse directement sous
le parasite. La chute defficacit rayonne montre que le bras, par couplage avec le
plan de masse, agit comme un filtre et perd lnergie par effet Joule dans la cavit
cre entre le parasite et le plan de masse, sans rayonnement. Cest la hauteur de
cette cavit qui est particulirement en cause dans cette structure. Elle est en effet
trop faible (500 m) par rapport la longueur donde. La rsonance qui sy produit
prsente un fort coefficient de qualit, ce qui explique quelle soit trs troite et
avec un bon coefficient de rflexion. Limportante quantit dnergie stocke est
donc dissipe dans les lments mtalliques conducteurs (essentiellement le plan de
masse). Plusieurs publications ([Ollikainen 2002] et [Ollikainen 2004]) parlent de ce
problme et arrivent aux mmes conclusions. Lamlioration par lment parasite
ne fonctionne donc pas dans la forme actuelle. De plus, lpaisseur du module est
limite. Il nest donc pas possible daugmenter la hauteur de la cavit en remontant
le bras parasite.

Fig. 3.26 S11 et efficacit rayonne simuls. Creux defficacit rayonne sur la
premire rsonance.
56 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Retrait du plan de masse sous le parasite :


Lobjectif ici est de retirer ce plan de masse pour librer llment parasite et
den observer limpact sur les performances de lantenne. La structure utilise est
exactement la mme que prcdemment. On constate nettement sur la figure 3.27
leffet de dcalage des frquences. Le bras parasite ne crant dsormais plus une
cavit avec le plan de masse, il prsente une frquence de rsonance plus basse,
trop loigne de la frquence dadaptation de lantenne principale. Il ny a plus
de couplage. Quant lefficacit rayonne, elle est encore plus dsquilibre que
prcdemment, avec une rsonance trs peu efficace (moins de 10 %) et une autre
encore plus efficace (58 %).

Fig. 3.27 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans plan de masse sous
llment parasite. Dcouplage des rsonances et creux defficacit rayonne.

Fig. 3.28 Distribution des courants 2, 27 GHz (a) et 2, 81 GHz (b)


3.5. Techniques damlioration des performances 57

On remarque sur la figure 3.28 que dans cette configuration, lintensit des cou-
rants est plus forte dans le parasite que dans lantenne, ce qui explique les pertes
et la faible efficacit rayonne obtenue. Le retrait du plan de masse sous llment
parasite a donc visiblement chang son mode de fonctionnement. Il nest plus pos-
sible dobtenir de couplage satisfaisant en agissant sur la longueur des bras ou leur
distance.

Suppression du repliement sous le parasite :


Afin dexploiter compltement lide de suppression des parties mtalliques jux-
taposes sur le parasite, le repliement du bras a lui aussi t limin. Le parasite
est donc plus libre de rayonner dans toutes les directions. On remarque clairement
lamlioration au niveau de lefficacit rayonne (figure 3.29), avec une valeur de
plus de 40 % pour les deux rsonances. On peut en dduire que les deux lments
(antenne et parasite) participent efficacement au rayonnement. Le comportement du
parasite est donc encore modifi, mais il nest toujours pas possible de coupler les
deux rsonances. Celles-ci sont dailleurs remontes en frquence denviron 300 MHz,
ce qui prouve la dpendance mutuelle entre le parasite et lantenne et la complexit
de leur fonctionnement.

Fig. 3.29 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans repliement sous
llment parasite
58 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

3.5.3.4 Conclusion sur la technique de llment parasite

La technique dlargissement de bande passante par lajout dun lment para-


site semble prometteuse en simulation. La juxtaposition dun bras proximit de
lantenne et court-circuit non loin de son alimentation permet la cration dune
seconde rsonance qui peut se coupler celle de lantenne pour doubler la bande
passante. Les rsultats ont cependant mis en vidence deux problmes. La technique
souffre dune part de lextrme sensibilit aux variations de fabrication et dautre
part dun phnomne de perte defficacit rayonne dans la cavit cre entre le
parasite et le plan de masse.
Le premier enseignement en tirer est que la forte miniaturisation de lantenne
laisse trs peu de place aux techniques classiques damlioration de bande passante.
Les espaces trs rduits favorisent les pertes par effet Joule et les courants de retour
dans le plan de masse. Il est donc ncessaire de se tourner vers dautres mthodes
afin dlargir la bande passante.

3.6 Modlisation par circuits quivalents


Les diffrentes tentatives damlioration de bande passante testes prcdem-
ment, exclusivement par modifications gomtriques de la structure antennaire,
ne sont pas suffisamment concluantes pour satisfaire aux exigences du cahier des
charges. Nous avons donc dcid dtudier la mthode dite du circuit dadaptation
qui consiste ajouter des composants passifs afin dadapter au mieux lantenne au
circuit lectronique. Pour cette tude, il est prfrable de modliser entirement lan-
tenne afin de faciliter les simulations de type circuit ([Lee 2009]). Le modle utilis
est le modle PIFA de Boyle ([Balanis 1997], [Aberle 2008], [Ollikainen 2002]). Il est
le plus appropri pour une antenne de type quart donde compose dun bras rayon-
nant et dun retour la masse. Compos de plusieurs lments passifs, il permet
de modliser fidlement notre structure mandres. La rsistance R1 reprsente
la somme de la rsistance de pertes (pertes par effet Joule) et de la rsistance de
rayonnement de lantenne (figure 3.30).

Fig. 3.30 Modlisation de lantenne mandres 3D par circuit quivalent

Valeurs de composants utilises :


Lp = 1 mH
L = 5, 041 nH
3.6. Modlisation par circuits quivalents 59

C = 0, 7 pF
R1 = 3, 35

Fig. 3.31 Comparaison simulation HFSS (courbes rouges) / cuircuit quivalent


(courbes bleues) de lantenne mandres 3D
60 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Le modle de Boyle utilis ici permet dobtenir une bonne concordance avec
les simulations HFSS (figure 3.31). On constate que ce modle reste valable pour
toutes les configurations dantennes que nous avons utilises. Dune manire gn-
rale, il est applicable la plupart des structures IFA et PIFA. Les lgres diffrences,
notamment en phase, entre le modle circuit et la simulation HFSS pourraient tre
compenses par une modlisation plus fidle en ajoutant quelques composants au
circuit. Cependant, la concordance tant suffisamment bonne, il nest pas indispen-
sable de rendre la structure plus complexe.

3.7 Amlioration par circuit dadaptation


Lobjectif de cette tude est de dmontrer la faisabilit de lamlioration de la
bande passante par circuit dadaptation, en sinspirant des publications traitant ce
sujet ([Pues 1989]). Les critres de miniaturisation du circuit et defficacit rayon-
ne de lantenne seront particulirement observs. Le modle circuit dfini prc-
demment permet dtablir un ensemble dquations (travaux de Y. Li : [Li 2007b]
et [Li 2007c]). Ce systme propose de calculer les valeurs thoriques limites attei-
gnables BPmax et S11 min pour lantenne modlise. Lapplication numrique sur
notre modle donne une bande passante maximale atteignable de 400 MHz pour une
adaptation au moins 6 dB.

nRC
ln(S11 ) = (3.4)
n1

ln(S11 )
n= (3.5)
ln(S11 ) + RC

fmax = n.fmin (3.6)

BPmax = fmax fmin (3.7)


Y. Li a dmontr que ces limites peuvent tre atteintes par lajout dun certain
nombre de cellules dadaptation (LC ou CL par exemple) positionnes en amont de
lantenne.

3.7.1 Ajout dun circuit dadaptation LC (2 cellules)


Dans un premier temps, nous ajoutons deux cellules LC (figure 3.32). Les valeurs
de ces quatre composants passifs sont optimises sur ADS afin de proposer la bande
passante la plus large possible (tableau 3.7).
Ces rsultats mettent effectivement en valeur laugmentation de bande passante
apporte par le circuit dadaptation. Dans cet exemple (figure 3.33), elle atteint
250 MHz au lieu des 120 MHz de lantenne seule. En optimisant la valeur des com-
posants, il est possible dajuster finement le couplage et de trouver un compromis
entre largeur de bande passante et niveau dadaptation sur cette bande.
3.7. Amlioration par circuit dadaptation 61

Fig. 3.32 Modle quivalent prcd de deux cellules dadaptation LC

La2 (nH) 6,7 7,5 8 11,25 10


Ca2 (pF) 1,15 1,1 1 0,8 0,9
La1 (nH) 5,5 5,5 6,5 8 7
Ca1 (pF) 0,7 0,5 0,5 0,15 0,4
Frquence de rsonance (GHz) 2,465 2,475 2,465 2,475 2,470
S11 minimum (dB) -7 -6,5 -8 -7 -6
Bande passante absolue 6 dB (MHz) 190 210 210 250 260
Bande passante relative 6 dB (%) 7,7 8,4 8,5 10,1 10,5

Tab. 3.7 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans un
circuit LC 2 cellules

Fig. 3.33 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules dadap-
tation LC (exemple pour La2 = 11, 25 nH ; Ca2 = 0, 8 pF ; La1 = 8 nH ;
Ca1 = 0, 15 pF)

3.7.2 Ajout dun circuit dadaptation LC (4 cellules)


Afin de constater limpact de lajout de cellules, nous testons un circuit dadap-
tation quatre circuits LC conscutifs (figure 3.34 et tableau 3.8). La technique
dajout de circuit dadaptation remplit nouveau son rle. Dans cet exemple (fi-
gure 3.35), la bande passante atteint 220 MHz et assure une adaptation dau moins
8 dB sur toute la bande. Ainsi, dans tous les cas il est possible aprs quelques op-
timisations damliorer de manire importante la bande passante 6 dB (jusqu
+100 %), et ce mme avec peu de cellules (deux sries de deux composants).
62 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Fig. 3.34 Modle quivalent prcd de quatre cellules dadaptation LC

La4 (nH) 0,31 1,26 0,8 1,13 0,19


Ca4 (pF) 2,14 2,5 2,72 2,95 3,88
La3 (nH) 2,94 2,39 1,94 1,97 1,72
Ca3 (pF) 5,37 6,05 7,04 5,96 5,98
La2 (nH) 4,7 5,83 4,93 6,68 9,45
Ca2 (pF) 1,53 1,2 1,38 1,07 0,86
La1 (nH) 9,97 9,95 8,9 9,9 9,99
Ca1 (pF) 0,3 0,2 0,5 0,38 0,59
Frquence de rsonance (GHz) 2,460 2,465 2,450 2,450 2,450
S11 minimum (dB) -15 -9,5 -8 -8 -6,9
Bande passante absolue 6 dB (MHz) 160 205 220 225 285
Bande passante relative 6 dB (%) 6,5 8,3 9,0 9,2 11,6

Tab. 3.8 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans un
circuit LC 4 cellules

Fig. 3.35 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules dadap-
tation LC

Nous avons poursuivi cette investigation avec un circuit compos de 10 cellules


LC. La bande passante optimale atteint alors 364 MHz. On se rapproche bien des li-
mites thoriques calcules prcdemment. Toutefois, notre objectif principal reste la
miniaturisation et lintgration en module. Il est donc primordial de trouver un com-
promis entre nombre de cellules et performances. Dans cette optique, les rsultats
obtenus avec deux cellules sont prometteurs.
Ltape suivante consiste remplacer le modle quivalent par les paramtres S
de lantenne relle, et les composants dadaptation parfaits utiliss jusqu prsent
(L et C) par les modles CMS (Composants Monts en Surface, ou SMT : Surface
3.7. Amlioration par circuit dadaptation 63

Mount Technology) rels dun fabricant (Murata). Il sagit dune tape intermdiaire
pour dmontrer la faisabilit raliser des tests sur prototypes avant lintgration
finale des composants directement dans le module, en technologie LTCC.

3.7.3 Circuit dadaptation CL (2 cellules) avec composants rels


Nous utilisons ici la modlisation ADS des composants rels Murata 0402
la place des composants parfaits utiliss prcdemment (figure 3.36). On constate
quil est toujours possible damliorer largement la bande passante (tableau 3.9
et figure 3.37) pour atteindre 220 MHz dans cet exemple. La technique de circuit
dadaptation semble donc utilisable sur notre structure.

Fig. 3.36 Paramtres S de lantenne prcds de deux cellules dadaptation CL

La2 (nH) 6,8 6,2 3,6 3,6 3,3


Ca2 (pF) 0,2 0,2 0,4 0,4 0,4
La1 (nH) 3,3 5,6 3,3 5,1 3,6
Ca1 (pF) 0,2 0,3 0,5 0,5 0,6
Frquence de rsonance (GHz) 2,430 2,480 2,490 2,480 2,475
S11 minimum (dB) -8 -9,5 -8 -6 -6
Bande passante absolue 6 dB (MHz) 200 220 240 260 290
Bande passante relative 6 dB (%) 8,2 8,9 9,6 10,5 11,7

Tab. 3.9 Variation de bande passante en fontion des composants rels utiliss dans
un circuit CL 2 cellules

Fig. 3.37 Exemple de rsultat obtenu. Comparaison avec (courbe bleue) et sans
(courbe rouge) cellules dadaptation CL.
64 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

3.7.4 Calcul des pertes apportes par les composants


Les composants rels ne sont pas parfaits et engendrent des pertes. Il est donc
indispensable dans un premier temps de mesurer ces pertes, puis de trouver quels
paramtres permettent de les rduire afin de choisir les composants en consquence.
Pour cela, nous avons suivi la procdure suivante. Nous avons plac un port
Term en sortie du circuit dadaptation (figure 3.38). Ce port prsente limpdance
de lantenne pour chaque frquence simule.

Fig. 3.38 Circuit dadaptation deux cellules et port spcial prsentant limpdance
de lantenne

Coefficients de rflexion S11 : Aprs optimisation en jouant sur la valeur


des composants, le circuit dadaptation slectionn pour cette tude fait passer la
bande passante 6 dB de 148 MHz 317 MHz (figure 3.39).

Fig. 3.39 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)

Pertes de dsadaptation : Elles correspondent la dsadaptation de lan-


tenne et sont calcules selon la formule 3.8 (figure 3.40). On constate que lantenne
seule ne prsente pas de pertes 2, 45 GHz, ce qui correspond bien la frquence
de la meilleure adapation (coefficient de rflexion de 17 dB 2, 45 GHz). Avec
le circuit dadaptation, les pertes restent toujours infrieures 1 dB sur la bande
passante.

Padapt = 1 |S11 |2 (3.8)


3.7. Amlioration par circuit dadaptation 65

Fig. 3.40 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)

Efficacit rayonne de lantenne : Lefficacit rayonne est issue de la si-


mulation lectromagntique sous HFSS. Intrinsque lantenne elle-mme, elle est
uniquement dfinie par la structure gomtrique. Elle ne dpend donc pas du cir-
cuit dadaptation (figure 3.41). On remarque que les pertes dues ce facteur sont
galement denviron 1 dB sur la bande passante de lantenne.

Fig. 3.41 Efficacit rayonne de lantenne

Pertes des composants du circuit : Elles correspondent au coefficient de


transmission entre le port dentre et le port de sortie du circuit (formule 3.9 et
figure 3.42). Ces pertes reprsentent la dissipation dnergie dans les quatre com-
posants passifs (L et C) avant darriver lantenne. Elles illustrent donc directe-
ment limpact ngatif de la technique damlioration de bande passante par circuit
dadaptation sur lefficacit de lensemble. On relve ici une perte de plus d1 dB sur
la bande passante.
Pcomp = S21 (3.9)

Fig. 3.42 Pertes des composants du circuit


66 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Efficacit totale : Elle prend en compte lefficacit rayonne, les pertes de


dsadaptation et les pertes des composants du circuit (formule 3.10, avec tous les
termes en dB).

Etot = Padapt + Eray + Pcomp (3.10)

Fig. 3.43 Efficacit totale, en dB (a) et en pourcentage (b). Comparaison avec


(courbes bleues) et sans (courbes rouges) circuit dadaptation.

Sur la bande passante largie grce au circuit dadaptation (317 MHz), lefficacit
totale est toujours suprieure 30 %. Or elle tait au moins de 60 % sur la bande
passante de lantenne dorigine (148 MHz) (figure 3.43). Ainsi, bien que la bande
passante soit effectivement amliore, lefficacit totale est trs affaiblie, fortiori
aux extrmits de bande, l o elle a t largie. Cette chute defficacit est uni-
quement due au circuit dadaptation. En effet, les autres composantes de lefficacit
totale (pertes de dsadaptation et efficacit rayonne) sont fixes par la structure
antennaire. Les pertes apportes par ces composants sont donc trop importantes et
pnalisent largement lefficacit totale.

3.7.5 Utilisation de composants haut coefficient Q


Afin de continuer utiliser cette technique pour amliorer la bande passante, il
faut intervenir sur la seule partie modifiable : le circuit dadaptation. Dans le but
daugmenter lefficacit totale, il est donc ncessaire de rduire les pertes apportes
par ce circuit. Lide principale est dutiliser des composants de meilleure qualit
(composants Haute Qualit ou HQ, avec un coefficient de qualit suprieur 100)
(figure 3.44).

Fig. 3.44 Circuit dadaptation deux cellules avec composants Murata HQ 0402,
srie LQW15, Q>100
3.7. Amlioration par circuit dadaptation 67

Coefficients de rflexion S11 : Le circuit dadaptation avec ces nouveaux


composants fait passer la bande passante 6 dB de 148 MHz 311 MHz (fi-
gure 3.45).

Fig. 3.45 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)

Pertes des composants du circuit : Comme prvu, les composants HQ


provoquent moins de pertes (figure 3.46). Elles sont infrieures 1 dB sur toute la
bande largie, y compris aux extrmits.

Fig. 3.46 Pertes des composants HQ du circuit

Efficacit totale : Logiquement, les composants HQ donnent de meilleurs


rsultats (figure 3.47). Lefficacit totale est suprieure 40 % sur plus de 300 MHz.
Llargissement de bande est donc bien fonctionnel.

Fig. 3.47 Efficacit totale en pourcentage avec (courbe bleue) et sans (courbe
rouge) les composants HQ
68 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions

Cette tude montre clairement que les composants standards apportent trop de
pertes (plus de 2, 5 dB dans tous les cas). Le circuit dadaptation perd donc tout
son intrt. La solution propose consiste utiliser des composants fort coefficient
de qualit (Q>100). Les pertes sont largement rduites. Lefficacit totale maximale
est plus faible que celle dorigine sans circuit dadaptation, mais reste acceptable.
Elle est de plus quasiment constante sur toute la bande passante.
Une autre solution damlioration pourrait tre intressante dans ce type dap-
plication : le changement de topologie du circuit dadaptation. En effet, bien que la
topologie LC (ou CL) permette de calculer des valeurs thoriques limites, elle nest
pas forcment la seule optimale pour un rseau dadaptation. De nombreuses autres
configurations sont envisageables. On pense notamment aux circuits en PI ou encore
aux circuits en T contenant trois composants.

3.8 Conclusion
Suite une tude complte de ltat de lart des structures dantennes, la forme
IFA a t retenue. Ses caractristiques et ses qualits en font une candidate intres-
sante pour rpondre aux besoins de miniaturisation et dintgration en module SiP.
Elle est en effet aisment adaptable par de simples modifications gomtriques telles
que la distance entre lalimentation et le retour la masse, ou encore la longueur
totale de la structure. Elle dispose surtout dun bras rayonnant dont la forme peut
tre modifie afin de rduire lencombrement global. Nous avons slectionn une dis-
position en mandres en trois dimensions qui exploite les surfaces offertes par les
empilements de couches du substrat pour optimiser la miniaturisation.
Plusieurs simulations et tudes paramtriques ont permis de matriser cette an-
tenne et de la rduire aux dimensions fixes par le cahier des charges. Les premiers
rsultats de mesure ont confirm les espoirs, avec des prototypes capables de rem-
placer des antennes beaucoup plus grandes pour oprer dans la bande 2, 4 GHz.
Toutefois, ces rsultats ont t obtenus dans des conditions spcifiques, sur un
support de tests aux dimensions fixes. Or ces antennes intgres en modules sont des-
tines quiper de multiples appareils aux dimensions varies, aux plans de masse
diffrents, dans des conditions changeantes. De plus, elles seront produites de faon
industrielle et doivent tenir compte des tolrances de fabrication. Toutes ces condi-
tions impliquent des variations sur les paramtres sensibles que sont notamment
la bande passante et lefficacit des antennes. Afin dassurer le respect du cahier
des charges dans toutes les conditions, il est indispensable de prvoir des marges
importantes sur ces paramtres.
Plusieurs techniques connues damlioration des performances ont t appliques
sur la structure antennaire. Les deux premires, qui consistent utiliser des fentes
ou une alimentation capacitive se rvlent difficilement applicables du fait de la trs
faible paisseur de la structure en module. La troisime investigation a montr des
rsultats de simulation encourageants. Lide est dutiliser un lment parasite form
par une structure mtallique proche de lantenne pour crer une seconde rsonance
3.8. Conclusion 69

proche des 2, 4 GHz. En couplant les deux rsonances, la bande passante globale est
double. Cependant, les mesures sur protoype ont mis en vidence un phnomne
de creux defficacit d la faible hauteur de la cavit cre entre le parasite et
le plan de masse. Malgr plusieurs tudes paramtriques, ce phnomne na pas pu
tre matris dans un espace aussi confin. Les solutions damlioration par ajouts
dlments sur la structure de lantenne nont donc pas permis de rpondre au besoin
damlioration des performances.
Nous avons ensuite tudi la structure par une approche circuit. Aprs avoir
affin une modlisation de Boyle, plusieurs circuits bass sur des composants passifs
de type capacits et inductances ont t placs en amont du modle. Lobjectif
est damliorer la bande passante grce lutilisation dun circuit dadaptation. Les
rsultats ont mis en valeur une importante augmentation de la bande passante, mais
des pertes trop importantes defficacit certaines frquences. Seule lutilisation de
composants haut coefficient de qualit permet de limiter ces pertes et de proposer
une solution convaincante. Cette technique est donc intressante et remplit bien son
objectif. Toutefois, elle nest pas la plus approprie dans loptique dune production
industrielle, de la matrise des cots et de la miniaturisation.
Pour rpondre ces problmatiques damlioration des performances, dautres
solutions doivent donc tre proposes.
Chapitre 4

Amliorations et nouvelles
structures

Sommaire
4.1 Influence des dimensions de lantenne . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.1 Nouveau cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.2 largissement de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.1.3 Panel de structures de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.2 Description de nouvelles gomtries . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.1 Forme 1 : mandres progressifs . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.2 Forme 2 : largissement progressif du bras rayonnant . . . . . 79
4.2.3 Etude paramtrique sur lvolution de la largeur du bras . . . 80
4.2.4 Forme 3 : loignement progressif du bras rayonnant . . . . . . 81
4.3 Modification structurelle de lantenne IFA . . . . . . . . . . 82
4.3.1 Nouvelles structures tirant parti de cette technique . . . . . . 82
4.3.2 Bilan des nouvelles structures antennaires . . . . . . . . . . . 86
4.4 Analyse des paramtres des antennes . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.1 Influence de la taille du plan de masse . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.2 Impact des tolrances de fabrication . . . . . . . . . . . . . . 90
4.4.3 Influence de lenvironnement de lextrmit dantenne . . . . 91
4.4.4 tude comportementale selon lorientation des mandres . . . 91
4.5 Rsultats de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.5.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 94
4.5.2 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.5.3 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
72 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

rce la fabrication dune premire srie de prototypes AiP sur


G LTCC, la faisabilit technologique et industrielle du projet dintgration dune
antenne dans un module SiP a pu tre dmontre. Toutefois, la campagne complte
de mesures sur les prototypes a permis de cerner plusieurs problmes au niveau des
performances en bande passante et efficacit rayonne. Bien que les valeurs actuelles
permettent de rpondre au cahier des charges, labsence de marges ne donne pas le
droit lerreur lors de la conception et la fabrication du module. De plus, un module
AiP est susceptible dtre utilis dans des situations et sur des supports potentiel-
lement varis. Ces variations de paramtres peuvent influencer les performances de
lantenne. Il est donc primordial de prvoir des marges pour contenir ces variations.
Les premires tentatives damlioration de la bande passante et de lefficacit
rayonne par utilisation de techniques connues et classiques ne sont pas suffisam-
ment efficaces dans notre cas. Bien que lajout dlments parasites soit possible
et prometteur au vu des premires simulations, nous nous sommes heurts un
problme de creux defficacit rayonne et au dlicat phnomne de couplage avec
lantenne. Lajout dlments dadaptation offre une alternative intressante avec
dans la plupart des cas une nette amlioration de bande passante, mais pose le pro-
blme des pertes dans le circuit, ce qui influe directement sur lefficacit totale. Ces
solutions ne semblent donc ni suffisantes ni adaptes lindustrialisation.
Le champ dinvestigation que nous tudierons dans ce chapitre se recentre sur
la structure antennaire rayonnante principale, toujours dans le but damliorer la
bande passante et lefficacit rayonne. Il sagira dans un premier temps dtudier
linfluence des dimensions de lantenne, sans se fixer de limites strictes comme pr-
cdemment. Nous modifierons ensuite la forme de la structure afin doffrir plusieurs
alternatives, que ce soit au niveau du bras rayonnant ou de la technique de retour
la masse. Dans loptique dune utilisation en conditions relles, nous chercherons
caractriser et quantifier limpact de paramtres tels que la taille du plan de masse
de lobjet communicant ([Lin 2005], [Guterman 2008]), ou les tolrances de fabri-
cation ([Baras 2008], [Napijalo 2008]). Enfin, la fabrication dune seconde srie de
prototypes permettra de valider ces rsultats.

4.1 Influence des dimensions de lantenne


Comme voqu dans le chapitre 3, la taille de la surface de mtallisation de lan-
tenne a un impact direct sur les performances. Il a t dmontr que llargissement
des pistes mtalliques amliore lefficacit de rayonnement ainsi que la bande pas-
sante. Afin dapprofondir cette tude et de la confirmer dfinitivement, nous avons
dcid de rduire la contrainte constitue par les dimensions de la structure.

4.1.1 Nouveau cahier des charges


dimensions du module AiP sur substrat LTCC : {8 12} x 8 mm2
espace rserv lantenne sur substrat LTCC : {8 12} x {1,5 4} mm2
bande passante minimale : bande ISM de 2,4 2, 484 GHz (84 MHz soit 3, 4 %)
4.1. Influence des dimensions de lantenne 73

bande passante couvrir avec marges : 6 %


adaptation : au minimum 6 dB sur la bande passante
efficacit rayonne : > 40 %

4.1.2 largissement de lantenne

Configuration 1 :
Dans cette configuration (figure 4.1), les dimensions totales du module AiP ne sont
pas modifies (8 x 8 mm2 ). Seule la zone rserve lantenne est agrandie, passant de
2 mm 3 mm selon laxe y. Les bras sont donc plus longs sur cet axe, ce qui rallonge le
trajet des courants. La simulation confirme lhypothse de rduction de la frquence
de rsonance (figure 4.2). Il est donc possible de supprimer compltement le dernier
mandre de lantenne pour remonter 2, 5 GHz. La place laisse vacante est comble
par llargissement des pistes mtalliques de la structure, dans le but damliorer
lefficacit rayonne. Celle-ci passe de 21 % 40 %. La bande passante est galement
lgrement amliore. Elle atteint 84 MHz au lieu de 80 MHz (tableau 4.1).

Fig. 4.1 Configuration 1 - Allongement de lantenne selon laxe y

Fig. 4.2 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 1


74 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8x3


Frquence de rsonance (GHz) 2,49
S11 minimum (dB) -34
Bande passante absolue (MHz) 84
Bande passante relative (%) 3,4
Efficacit rayonne (%) 40

Tab. 4.1 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 1

Configuration 2 :
Suite aux bons rsultats obtenus en agrandissant lantenne, une tude param-
trique a t ralise pour trouver la taille maximale de lantenne selon laxe y. Sur
cette configuration (figure 4.3), nous tudions galement leffet de lagrandissement
de lencoche des plans de masse du PCB. Ces lments ntant pas infinis, ils par-
ticipent au rayonnement, et peuvent perturber lantenne du fait de leur proximit
en certains points. Les rsultats confirment les observations prcdentes (figure 4.4).
Lagrandissement global de lantenne permet damliorer son efficacit rayonne et
sa bande passante. Lencoche largie participe lamlioration de lefficacit rayon-
ne (tableau 4.2). Nous avons atteint ici les limites de la structure avec cette taille
de module (8 x 8 mm2 ). En agrandissant encore la taille de lantenne selon laxe y
sans toucher laxe x et sans augmenter la taille totale du module, les performances
se dgradent rapidement. Ce phnomne peut sexpliquer par la rduction trop im-
portante du plan de masse, notamment lorsque sa dimension selon laxe y devient
infrieure 4 mm.

Fig. 4.3 Configuration 2 - Allongement maximum de lantenne selon laxe y

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8 x 3,5


Frquence de rsonance (GHz) 2,51
S11 minimum (dB) -27
Bande passante absolue (MHz) 93
Bande passante relative (%) 3,7
Efficacit rayonne (%) 49

Tab. 4.2 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 2


4.1. Influence des dimensions de lantenne 75

Fig. 4.4 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 2

Configuration 3 :
Une autre faon dagrandir lantenne est de modifier les dimensions totales du
module selon laxe x uniquement (figure 4.5). Avec un AiP de 10 x 8 mm2 , lantenne
peut stendre sur 2 mm de plus selon laxe x. Il suffit alors dutiliser les mthodes
dcrites dans la configuration 1 pour rgler la frquence et largir au maximum
les pistes mtalliques. Llargissement de lencoche du PCB est conserv puisquil
amliore les rsultats. L encore, la bande passante est largie et lefficacit rayonne
amliore (figure 4.6). La technique dagrandissement de lantenne est donc efficace
(tableau 4.3). Elle permet par ailleurs de rduire la sensibilit aux variations de
fabrication (les pistes plus larges sont moins sensibles des variations typiques de
quelques microns). Le principal inconvnient est la rduction de lespace disponible
pour les composants internes dans le module.

Fig. 4.5 Configuration 3 - Allongement de lantenne selon laxe x


76 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.6 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 3

Encombrement de lantenne (mm2 ) 10 x 2,7


Frquence de rsonance (GHz) 2,47
S11 minimum (dB) -40
Bande passante absolue (MHz) 100
Bande passante relative (%) 4,0
Efficacit rayonne (%) 50

Tab. 4.3 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 3

Configuration 4 :
En augmentant encore les dimensions selon laxe x (figure 4.7), on constate bien
que la rgle damlioration des performances par augmentation des dimensions est
l encore confirme, avec une bande passante largie et une efficacit rayonne su-
prieure 50 % sur toute la bande (figure 4.8 et tableau 4.4).

Fig. 4.7 Configuration 4


4.1. Influence des dimensions de lantenne 77

Fig. 4.8 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 4

Encombrement de lantenne (mm2 ) 11,5 x 2,2


Frquence de rsonance (GHz) 2,46
S11 minimum (dB) -12
Bande passante absolue (MHz) 137
Bande passante relative (%) 5,6
Efficacit rayonne (%) 57

Tab. 4.4 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 4

4.1.3 Panel de structures de rfrence


Afin de proposer un panel de structures de rfrence, cette tude paramtrique
a t poursuivie en utilisant des dimensions varies. Chaque structure est optimise
pour prsenter la meilleure bande passante possible 6 dB. Le tableau 4.5 permet
de mettre en valeur les performances optimales atteignables avec la structure de
rfrence, pour une dimension donne.

Longueur (mm) 8 8 8 10 10 11,5 11,5


Largeur (mm) 2,2 3 3,4 2,7 3,5 2,2 2,4
Surface (mm2 ) 17,6 24 27,2 27 35 25,3 27,6
Frquence de rsonance (GHz) 2,50 2,49 2,51 2,47 2,45 2,46 2,49
Bande passante absolue (MHz) 79 84 93 100 145 137 148
Bande passante relative (%) 3,2 3,4 3,7 4,0 5,9 5,6 5,9
Efficacit rayonne (%) 20 40 49 50 63 57 58

Tab. 4.5 Panel de structures de rfrence

Toujours dans loptique de rduire les pertes par effet Joule, il est possible dajou-
ter des vias de connexion grce lagrandissement des surfaces mtalliques en vis
vis. En effet, la distance minimale entre deux vias est impose par le processus de
fabrication. Avec des largeurs de pistes de lordre de 0, 4 mm, seuls deux vias peuvent
tre placs cte cte. En agrandissant les surfaces connecter, par exemple avec
0, 6 mm de ct, il devient possible de placer quatre vias chaque changement de
couche du mandre. Cette mthode a t teste sur les structures prcdentes et
montre dans tous les cas une lgre amlioration defficacit rayonne. Le phno-
mne est tout de mme nettement moins flagrant que lors de llargissement des
78 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

pistes mtalliques. Cette diffrence peut sexpliquer par la faible distance parcourue
par les courants dans les vias par rapport la distance totale.
Dune manire gnrale, nous avons bien prouv que laugmentation des dimen-
sions, de la largeur des pistes et lajout de vias ont un impact positif sur les per-
formances en bande passante et efficacit rayonne de lantenne, comme prvu par
la thorie. Toutefois, ces techniques montrent rapidement leurs limites dans notre
projet o chaque millimtre carr est important. Elles ne vont pas dans le sens de la
miniaturisation. Il est donc ncessaire de trouver dautres solutions pour amliorer
les performances.

4.2 Description de nouvelles gomtries


La structure de rfrence, constitue dune antenne IFA avec bras rayonnant
repli en mandres rectangulaires en trois dimensions est dsormais suffisamment
caractrise. Toutes les tudes menes prcdemment ont permis de loptimiser au
maximum et dexploiter tout son potentiel. Lide suivante est donc naturellement
de chercher modifier la structure gomtrique de cette antenne, tout en conser-
vant le principe quart donde avec une alimentation et un court-circuit. Le degr
de libert sera donc situ principalement au niveau du bras rayonnant (forme, sens,
repliements, nombre de couches, largeur). Il sagit dun paramtre critique puisque
sa modification entrane un changement du trajet des courants, et donc des carac-
tristiques de lantenne.

4.2.1 Forme 1 : mandres progressifs


Lobjectif de cette forme (figure 4.9) est dallonger le trajet des courants tout
en gardant une largeur de pistes maximale afin daugmenter lefficacit rayonne.
Les rsultats de simulation HFSS montrent que cet objectif est atteint, mais sans
amlioration de la bande passante (figure 4.10 et tableau 4.6).

Fig. 4.9 Forme 1


4.2. Description de nouvelles gomtries 79

Fig. 4.10 Rsultats de simulation HFSS de la forme 1

Encombrement de lantenne (mm2 ) 10 x 3,5


Frquence de rsonance (GHz) 2,56
S11 minimum (dB) -15
Bande passante absolue (MHz) 143
Bande passante relative (%) 5,6
Efficacit rayonne (%) 68

Tab. 4.6 Rsultats de simulation HFSS de la forme 1

4.2.2 Forme 2 : largissement progressif du bras rayonnant

Lide ici (figure 4.11) est dlargir les mandres au fur et mesure afin doffrir
un dernier bras trs large tout en rduisant les dimensions globales de la structure.
On constate que les performances sont amliores, tant en bande passante quen effi-
cacit rayonne par rapport la structure de rfrence de taille identique (figure 4.12
et tableau 4.7).

Fig. 4.11 Forme 2


80 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.12 Rsultats de simulation ADS de la forme 2

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8 x 3,3


Frquence de rsonance (GHz) 2,44
S11 minimum (dB) -13
Bande passante absolue (MHz) 117
Bande passante relative (%) 4,8
Efficacit rayonne (%) 50

Tab. 4.7 Rsultats de simulation HFSS de la forme 2

4.2.3 Etude paramtrique sur lvolution de la largeur du bras


Daprs les simulations prcdentes, la modification de la largeur du bras au
fur et mesure de sa longueur a un impact sur les performances dans certains
cas. Ltude paramtrique suivante a pour but de prciser ce comportement pour le
comprendre et lexploiter au mieux. Cinq cas ont t tudis, dune forme extrme
lautre (tableau 4.8). Lencombrement global de la structure est fix 8 x 3, 5 mm2
pour ne pas influencer les rsultats. Chaque structure a t optimise pour rsonner
2, 45 GHz en jouant sur la longueur totale du bras.

Structure 1 2 3 4 5
Largeur en dbut de bras (mm) 1,8 1,4 1,1 0,9 0,6
Largeur en fin de bras (mm) 0,6 0,9 1,1 1,4 1,8
S11 minimum (dB) -19 -18 -27 -14 -21
Bande passante absolue (MHz) 87 96 104 116 125
Bande passante relative (%) 3,6 3,9 4,2 4,7 5,1
Efficacit rayonne (%) 46 48 50 53 54

Tab. 4.8 tude de limpact de lvolution de la largeur du bras rayonnant de


lantenne

Cette tude paramtrique met clairement en valeur lamlioration des perfor-


mances en bande passante et en efficacit rayonne lorsque lantenne se termine par
un bras large. Ce comportement sexplique par analogie avec la mthode de la ca-
4.2. Description de nouvelles gomtries 81

vit ([Ciais 2004]). Une cavit simple forme par un patch demi-onde comporte deux
bords rayonnants. Laugmentation de la taille de ces bords rayonnants, en jouant
notamment sur la largeur du patch, amliore les performances globales de lantenne.
Dans le cas de notre antenne IFA de type quart donde, un seul bord est rayon-
nant. Il sagit du ct circuit ouvert (open ended ) du bras principal de la structure.
Lautre ct de lantenne est court-circuit. Ainsi, en augmentant la largeur du bras
rayonnant ct circuit ouvert (en bout dantenne), on agrandit le bord rayonnant,
ce qui amliore les performances en bande passante et efficacit rayonne.

4.2.4 Forme 3 : loignement progressif du bras rayonnant


La prsence du plan de masse interne est indispensable pour le fonctionnement
des composants du module AiP, mais aussi pour lantenne elle-mme (court-circuit).
Pourtant, sa prsence proximit directe de lantenne (seulement 0, 2 mm) perturbe
son comportement, notamment en offrant un circuit direct pour les courants de
retour en bout de bras rayonnant. Lobjectif de cette forme (figure 4.13) est donc
dloigner progressivement le bras rayonnant du plan de masse afin de limiter le
phnomne. Lamlioration des performances constate (figure 4.14 et tableau 4.9),
essentiellement au niveau de la bande passante, tmoigne du changement de com-
portement des courants. Pour une taille globale de structure antennaire identique,
lamlioration de bande passante atteint 30 %.

Fig. 4.13 Forme 3

Fig. 4.14 Coefficient de rflexion simul de la forme 3 (simulation ADS)


82 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8 x 3,5


Frquence de rsonance (GHz) 2,46
S11 minimum (dB) -37
Bande passante absolue (MHz) 132
Bande passante relative (%) 5,4
Efficacit rayonne (%) 49

Tab. 4.9 Rsultats de simulation ADS de la forme 3

Les nouvelles formes tudies permettent effectivement damliorer les perfor-


mances pour un encombrement donn. Cette tude confirme que laugmentation des
surfaces mtalliques de lantenne amliore lefficacit rayonne de la structure. Il
a galement t dmontr que llargissement progressif du bras rayonnant permet
de raliser un bon compromis entre miniaturisation (premiers mandres fins, donc
trajet des courants allong) et efficacit rayonne (dernier mandres larges). Enfin,
nous avons vu que lloignement de lextrmit de lantenne par rapport au plan de
masse empche un retour direct des courants, ce qui amliore le comportement de
la structure et ses performances en bande passante.

4.3 Modification structurelle de lantenne IFA


Une technique innovante exploitant un brevet de la socit a t applique sur
ces structures. Elle amliore la fois la miniaturisation et les performances en bande
passante de toutes les antennes tudies depuis le dbut. Pour des raisons de confi-
dentialit, les structures gomtriques ne seront pas montres. Seuls les rsultats
seront exposs.

4.3.1 Nouvelles structures tirant parti de cette technique


Forme 4 : dploiement du bras rayonnant sur une unique couche
Afin de dmontrer le gain de miniaturisation apport par cette innovation, le
bras rayonnant a t dispos sur une seule et unique couche. La rduction de lon-
geur du bras selon laxe z est ici compense par lajout dun mandre complet en
bout dantenne. Lespace occup est donc le mme, mais les performances devraient
augmenter du fait de la suppression des lments rsistifs constitus par les vias de
connexion.

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8x4


Frquence de rsonance (GHz) 2,38
S11 minimum (dB) -13
Bande passante absolue (MHz) 143
Bande passante relative (%) 6,0
Efficacit rayonne (%) 43,5

Tab. 4.10 Rsultats de simulation ADS de la forme 4


4.3. Modification structurelle de lantenne IFA 83

Fig. 4.15 Coefficient de rflexion simul de la forme 4 (simulation ADS)

Les rsultats (figure 4.15 et tableau 4.10) valident la nouvelle technique puisque
les performances en bande passante nen souffent pas, et sont mme amliores
pour un encombrement total identique. Cependant, lefficacit rayonne nest pas
amliore dans cette configuration. Ce phnomne montre que le repliement sur une
ou plusieurs couches du bras rayonnant na pas dimpact majeur sur ce paramtre.

Forme 5 : mandres replis en trois dimensions


Cette structure est constitue du bras rayonnant repli en trois dimensions de la
forme dorigine, laquelle on applique la nouvelle technique innovante. La longueur
lectrique ajoute au bras principal par les vias de connexion permet de rduire
lencombrement selon laxe y d1 mm par rapport la forme 4.

Fig. 4.16 Coefficient de rflexion simul de la forme 5 (simulation ADS)

La figure 4.16 et le tableau 4.11 mettent en valeur le gain de performances.


Avec une bande passante de 5, 1 % et une efficacit rayonne correcte de 46 %, cette
structure antennaire est meilleure que toutes les formes tudies prcdemment pour
un encombrement quivalent.
84 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8x3


Frquence de rsonance (GHz) 2,41
S11 minimum (dB) -14
Bande passante absolue (MHz) 124
Bande passante relative (%) 5,1
Efficacit rayonne (%) 46

Tab. 4.11 Rsultats de simulation ADS de la forme 5

Forme 6 : repliement horizontal des mandres


Le nouveau degr de libert offert par la technique innovante permet de replier le
bras rayonnant selon laxe x au lieu de y prcdemment. Afin de simplifier les pre-
mires simulations, le bras principal se dplie uniquement sur la couche suprieure.

Fig. 4.17 Coefficient de rflexion simul de la forme 6 (simulation ADS)

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8 x 3,5


Frquence de rsonance (GHz) 2,43
S11 minimum (dB) -12
Bande passante absolue (MHz) 220
Bande passante relative (%) 9,0
Efficacit rayonne (%) 50

Tab. 4.12 Rsultats de simulation ADS de la forme 6

Les rsultats de simulation (figure 4.17 et tableau 4.12) sont rvlateurs dune
nette amlioration de la bande passante de lantenne, sans dgrader lefficacit de
rayonnement. Ces bonnes performances sexpliquent par lloignement maximal de
lextrmit du bras rayonnant (ct open ended ) par rapport au plan de masse.
Par analogie avec la mthode de la cavit ([Ciais 2004]), cette structure loigne
au maximum le bord rayonnant du plan de masse, ce qui provoque lamlioration
des performances. Par ailleurs, cet aspect est renforc par les repliements interm-
diaires qui isolent encore plus lextrmit dantenne du plan de masse. Cette forme
4.3. Modification structurelle de lantenne IFA 85

gomtrique est la plus optimale pour exploiter au mieux ces phnomnes lectro-
magntiques. Elle est donc particulirement adapte pour notre objectif. La bande
passante ncessaire pour les applications de type Bluetooth ou WiFi est dailleurs
largement couverte sur cet exemple.

Forme 7 : miniaturisation de la forme 6


La structure a mandres horizontaux et nouvelle technique innovante offre les
meilleurs rsultats pour un encombrement de 8 x 3, 5 mm2 . Afin de valider ce com-
portement pour des dimensions infrieures, lantenne a t rduite proportionnel-
lement pour occuper un espace de 8 x 2 mm2 . Le bras rayonnant est plus fin et
les mandres plus rapprochs. Les performances pourront ainsi tre compares
lantenne dorigine tudie dans le chapitre prcdent.

Fig. 4.18 Coefficient de rflexion simul de la forme 7 (simulation ADS)

Encombrement de lantenne (mm2 ) 8x2


Frquence de rsonance (GHz) 2,4
S11 minimum (dB) -16
Bande passante absolue (MHz) 135
Bande passante relative (%) 5,6
Efficacit rayonne (%) 40

Tab. 4.13 Rsultats de simulation ADS de la forme 7

Avec 135 MHz centrs 2, 4 GHz, la bande passante relative atteint 5, 6 % (fi-
gure 4.18 et tableau 4.13). Cette valeur est quasiment double par rapport lan-
tenne dorigine (bande passante relative de 3 %). La bande ISM est entirement cou-
verte avec des marges confortables de part et dautre. Le niveau de performances
atteint pour un faible encombrement de 8 x 2 mm2 est trs intressant pour rpondre
aux besoins dintgration en module.
86 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

4.3.2 Bilan des nouvelles structures antennaires


Grce la diversification opre sur les formes gomtriques des antennes et
lutilisation dune technique originale, plusieurs nouvelles structures ont t enti-
rement caractrises. Cette gamme aux performances et caractristiques varies est
un atout pour lintgration en module de type SiP. Elle permet de disposer dun
panel de solutions disposition du concepteur du module, qui pourra choisir la plus
adapte en fonction du cahier des charges.
Les figures 4.19 et 4.20 montrent les performances maximales en termes de bande
passante relative et efficacit de rayonnement obtenues en fonction de lespace occup
dans le module. Pour chaque cas, cest la structure antennaire la plus performante
qui a t retenue.

Fig. 4.19 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction de
lencombrement de lantenne

Fig. 4.20 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans le
meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne
4.4. Analyse des paramtres des antennes 87

Ces rsultats confirment clairement la rgle observe depuis le dbut des travaux.
Plus lantenne est miniaturise, plus ses performances se rduisent. Ces graphiques
permettent dtablir une loi afin de connatre rapidement les performances attei-
gnables en fonction du volume accord lantenne.

4.4 Analyse des paramtres des antennes


Les travaux raliss jusqu prsent taient bass sur un protocole fixe (PCB
de taille fixe, support de test avec ligne dalimentation, dimensions prcises). Or
les conditions relles dutilisation de ces modules seront trs varies. Les antennes
doivent fonctionner dans tous les cas de figure. Nous tudierons donc linfluence des
diffrentes variations de paramtres possibles afin de les matriser et de proposer des
solutions viables. Nous chercherons ensuite expliquer les diffrences observes sur
les nouvelles structures (orientation des mandres et forme de lextrmit dantenne)
par rapport lantenne initiale. Ces paramtres sont essentiels et semblent jouer un
rle important dans lamlioration des performances.

4.4.1 Influence de la taille du plan de masse


Le plan de masse joue un rle primordial dans le domaine des antennes minia-
tures, comme en tmoignent les nombreux travaux utilisant des tailles rduites de
PCB ([Su 2007], [Rotaru 2008], [Yu 2009]), ou plus importantes, de type ordinateur
portable ([Roach 2007]). Dans notre cas dantennes de type IFA, il doit mesurer
plusieurs fois la longueur donde afin de simuler un plan de masse idalement infini.
Cette contrainte indispensable est pourtant impossible satisfaire dans des modules
de type SiP qui mesurent typiquement quelques millimtres carrs. La solution utili-
se consiste tirer parti du plan de masse global de lappareil sur lequel est soud le
module AiP. En effet, un System In Package nest jamais utilis seul. Il fait toujours
partie dun systme plus vaste qui constitue la fonction lectronique recherche.
On trouve notamment ce type de SiP dans des cls usb, des tlphones portables,
des cartes de communication pour ordinateurs, des montres, etc. Naturellement, ces
appareils ont des dimensions et des formes trs varies, Les variations de taille de
plan de masse qui en dcoulent peuvent donc influencer fortement le comportement
de lantenne. Afin de couvrir le maximum dapplications possibles, nous tudierons
dans cette partie les rsultats obtenus pour deux cas extrmes de plans de masse :
du plus petit, un format de cl usb standard, au plus encombrant, un format de
tlphone portable (figures 4.21 et 4.22).
Toutes les structures dantennes ont t simules sur ces deux formats de plans de
masse. Les figures 4.23 et 4.24 et le tableau 4.14 montrent les rsultats de simulation
ADS obtenus pour la forme 4 et la forme 6 rduite.
88 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.21 Module AiP sur PCB de format cl usb standard (15 x 28 mm2 )

Fig. 4.22 Module AiP sur PCB de format tlphone portable (40 x 80 mm2 )

Fig. 4.23 Coefficient de rflexion de la forme 4 sur plan de masse de type cl usb
(en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation ADS)

Fig. 4.24 Coefficient de rflexion de la forme 6 rduite sur plan de masse de type
cl usb (en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation ADS)
4.4. Analyse des paramtres des antennes 89

Forme 4 Forme 6 rduite


Cl usb Tlphone Cl usb Tlphone
Frquence de rsonance (GHz) 2,38 2,37 2,27 2,33
S11 minimum (dB) -13 -15 -16 -17
Bande passante absolue (MHz) 143 142 206 208
Bande passante relative (%) 6,0 5,9 9,0 8,9
Efficacit rayonne (%) 43,5 44 41 42

Tab. 4.14 Rsultats de simulation ADS des formes 4 et 6 rduite sur diffrents
types de plans de masse

On constate que la variation de taille du plan de masse a peu dimpact sur


la forme dantenne originale (forme 4). La bande passante varie de moins de 1 %.
Par contre, lantenne de forme 6, avec ses mandres replis horizontalement, est
plus perturbe. La variation de bande passante est galement trs faible, mais la
frquence de rsonance subit un dcalage plus important (+2, 6 %). Cette diffrence
de comportement peut tre handicapante si la bande ISM nest plus intgralement
couverte.
Toutes les structures antennaires mises au point lors de nos recherches ont t
simules sur les deux types de plans de masse. Les rsultats rassembls sur les
figures 4.25 et 4.26 confirment les premires observations. Le changement de taille
de plan de masse a un impact sur la bande passante et lefficacit rayonne des
antennes.

Fig. 4.25 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction de
lencombrement de lantenne pour deux tailles de plans de masse

Afin de saffranchir de ces effets et assurer le fonctionnement dans tous les cas de
figure, il est donc indispensable de choisir des structures offrant une bande passante
plus large que la bande requise par lapplication. Dans le cas de la bande ISM, nous
avons tabli que la bande passante relative minimale atteindre est de 5, 5 % au
lieu des 3, 4 % requis (84 MHz 2, 44 GHz). On remarque qu partir dun volume de
8 mm3 , toutes les structures satisfont ce critre. Les antennes plus petites peuvent
toujours tre utilises pour des applications ncessitant une partie seulement de la
bande ISM.
90 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.26 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans le
meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne pour deux tailles de
plans de masse

4.4.2 Impact des tolrances de fabrication


Dans une moindre mesure que les variations de taille du plan de masse, les
tolrances de fabrication du module AiP en lui-mme peuvent avoir un impact sur
les performances des antennes. A ce niveau de miniaturisation, chaque millimtre
de la structure est important. Une variation entre deux modles supposs identiques
peut modifier les caractristiques du module.
Typiquement, les fabricants qui exploitent la technologie LTCC donnent des
tolrances de fabrication +/-5 % au niveau des largeurs de pistes mtalliques, de
lpaisseur des couches et de la distance entre les pistes. Afin de prendre en compte
ces valeurs et de vrifier leur impact sur les performances des structures, plusieurs
tudes paramtriques ont t ralises. Par exemple, toutes les longueurs ont t
augmentes de 5 %, ce qui rallonge le trajet des courants et diminue la frquence
de rsonance tout en augmentant lefficacit rayonne de lantenne. Ensuite, le cas
inverse (-5 %), puis des combinaisons de variations ont t tudies. Les cas extrmes
ont t isols. Les rsultats pour deux structures sont rassembls dans le tableau 4.15.

Forme 5 Forme 6
Variations de fabrication -5 % 0 +5 % -5 % 0 +5 %
Frquence de rsonance (GHz) 2,43 2,41 2,40 2,46 2,43 2,41
S11 minimum (dB) -15 -14 -14 -15 -12 -14
Bande passante absolue (MHz) 123 124 127 216 220 221
Bande passante relative (%) 5,1 5,1 5,3 8,8 9,0 9,2
Efficacit rayonne (%) 43 46 47 48 50 51

Tab. 4.15 Rsultats de simulation ADS des formes 5 et 6 pour les cas extrmes
de tolrances de fabrication

Daprs cette tude, les tolrances de fabrication ne sont pas trs pnalisantes
pour les performances des modules. Dans les cas extrmes, la bande passante relative
varie au pire de +/-0,2 points. Leffet est donc trs faible par rapport aux variations
4.4. Analyse des paramtres des antennes 91

de taille de plan de masse releves prcdemment. Ce critre sera prendre en


compte uniquement dans le cas dantennes trs miniaturises offrant une faible marge
par rapport la bande passante requise par lapplication.
Quant la variation de la permittivit du matriau cramique, elle est trs faible
(+/-4 %) et na pas dinfluence sur les rsultats.

4.4.3 Influence de lenvironnement de lextrmit dantenne


La caractrisation des diffrentes structures tudies a mis en valeur une forte
sensibilit de lextrmit de lantenne. La modification de son orientation influence
nettement les caractristiques des antennes. Le tableau 4.16 compare les rsultats
de simulation dantennes uniquement diffrencies par lorientation de leur dernier
mandre et sa distance par rapport au plan de masse.

Forme 1 Forme 3
Distance extrmit - PDM (mm) 1,5 3 0,2 3,2 2 1
Frquence de rsonance (GHz) 2,72 2,64 2,56 2,46 2,4 2,36
S11 minimum (dB) -17 -18 -15 -37 -28 -30
Bande passante absolue (MHz) 158 150 143 132 125 119
Bande passante relative (%) 5,8 5,7 5,6 5,4 5,2 5,0
Efficacit rayonne (%) 71 70 68 49 46 44

Tab. 4.16 Rsultats de simulation ADS de structures diffrencies par la distance


plan de masse - dernier mandre

Les meilleures performances pour une forme donne sont toujours obtenues
lorsque le bras rayonnant se termine vers lextrieur du module au lieu de lint-
rieur (ct plan de masse). La zone dextrmit dantenne est manifestement la plus
importante pour le rayonnement, la bande passante et lefficacit rayonne de la
structure. Ce ct circuit ouvert est le principal point de rayonnement des courants.
Le fait de lloigner au maximum du plan de masse permet de limiter les courants
de retour et les pertes. La mme tude tendue aux autres structures antennaires
confirme ces rsultats.

4.4.4 tude comportementale selon lorientation des mandres


La recherche de nouvelles structures antennaires plus performantes que la forme
originale nous a amens dans certains cas replier les mandres de manire horizon-
tale (ct long selon laxe x) au lieu de la manire verticale (ct long selon laxe y)
tudie dans le chapitre 3. Les rsultats ont montr que cette technique amliore
parfois assez nettement les performances en bande passante.
La distribution des courants permet dexpliquer ce phnomne. En effet, les
courants de retour sur le plan de masse sont plus nombreux sur la structure
mandres verticaux. La forme gomtrique veut que lantenne soit en proximit
directe du plan de masse (moins d1 mm) plusieurs reprises du dbut la fin du
bras rayonnant (6 fois dans lexemple de lantenne de rfrence). A chaque fois,
92 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

cette proximit provoque des pertes. Sur la forme mandres horizontaux (replis
selon laxe x), le bras rayonnant est en vis--vis du plan de masse sur ses premiers
millimtres seulement (7, 6 mm pour lantenne modlise prcdemment). Tout le
reste de la structure rayonnante est loign du plan de masse. Les courants de
retour y sont donc moins forts, ce qui rduit considrablement les pertes.
Comme nous lavons voqu en traitant de limportance du positionnement de
lextrmit dantenne, la partie la plus importante pour le rayonnement et la bande
passante se situe au bout de lantenne. Logiquement, cest donc bien la forme
mandres horizontaux qui permet disoler au maximum cette zone du plan de masse.
Le maximum dnergie est alors rayonne. Tous les rsultats confirment cette thorie
et expliquent les diffrences de comportement entre les deux familles dantennes.

4.5 Rsultats de mesures


Afin de valider les rsultats de simulation, toutes les structures amliores, ainsi
que les nouvelles formes et techniques ont t fabriques. Lobjectif tant de proposer
une large gamme dantennes adaptables tout type de module AiP, de nombreuses
dimensions diffrentes ont t produites (figures 4.27 et 4.28). La technologie LTCC
utilise pour la premire srie de prototypes a t conserve : substrat 7 couches,
interconnexion par vias traversant. Les modules raliss ont t souds sur des PCB
de type cl usb et tlphone portable grce aux pads de soudure prsents sur la
dernire couche, tout autour du plan de masse (figures 4.29 et 4.30).

Fig. 4.27 Panel de prototypes fabriqus - Vue de dessus


4.5. Rsultats de mesures 93

Fig. 4.28 Panel de prototypes fabriqus - Vue de dessous

Fig. 4.29 Photographie dun prototype soud sur un PCB de type cl USB
94 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.30 Photographie de plusieurs prototypes souds sur deux types de PCB

4.5.1 Coefficient de rflexion et bande passante


La figure 4.31 rassemble quelques rsultats de mesure du coefficient de rflexion
lanalyseur de rseaux pour des modules sur PCB de type cl usb.

Fig. 4.31 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes


4.5. Rsultats de mesures 95

On constate sur ce graphique que la frquence de rsonance des antennes est


trs sensible et subit largement les effets de dcalage induits par la fabrication et
limperfection des modles simuls. Alors que toutes les structures taient optimi-
ses pour une frquence de 2, 4 GHz, on retrouve en mesure des rsultats allant de
2, 35 GHz 2, 65 GHz. Les diffrences de comportement sexpliquent par les diff-
rences fondamentales de structures (bras horizontaux, verticaux, nouvelle technique
innovante) et confirment les phnomnes mis en valeur prcdemment.

Antenne num. 2 4 6 7 9
Taille (mm2 ) 8x4 8x3 8x2 8 x 1,5 8 x 3,5
Format de pcb usb tl usb tl usb tl usb tl usb tl
Fr (GHz) 2,64 2,59 2,55 2,53 2,51 2,49 2,49 2,49 2,5 2,47
S11 min (dB) -20 -14 -42 -15 -37 -18 -32 -20 -18 -12
BP abs (MHz) 197 257 138 194 134 181 121 170 119 145
BP rel (%) 7,5 9,9 5,4 7,7 5,3 7,3 4,8 6,8 4,7 5,9

Tab. 4.17 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes sur deux tailles de
pcb (format cl usb et tlphone portable)

Le tableau 4.17 compare les rsultats obtenus pour certaines antennes sur les
deux formats de PCB. On remarque que les phnomnes de dcalage en frquence
en fonction de la taille du PCB mis en vidence lors des simulations se confirment.
La variation de bande passante relative reste toutefois assez contenue (-2,4 points
dans le cas le plus dfavorable). La figure 4.32 illustre parfaitement ce phnomne.
La frquence de rsonance varie clairement, mais la bande passante relative reste
comparable. Elle est suffisamment large ici pour couvrir dans les deux cas une bande
minimale de 6, 6 %. Cette antenne pourrait donc convenir aux applications exploitant
la bande ISM. Il suffirait daffiner loptimisation de sa frquence de rsonance pour
la rapprocher de 2, 45 GHz.

Fig. 4.32 Coefficients de rflexion mesurs sur deux types de PCB pour lantenne 2

Dune manire gnrale, tous les prototypes tests atteignent une bande passante
relative dau moins 4 %. Ils pourraient donc tous tre utiliss pour des applications
en bande ISM de type WiFi ou Bluetooth sous rserve que la structure antennaire
puisse tre optimise pour avoir une frquence centrale 2, 45 GHz.
96 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

4.5.2 Gain et rayonnement


Bien entendu, la bande passante ne suffit pas elle seule garantir le bon
fonctionnement dantennes intgres en modules SiP. Comme nous lavons vu prc-
demment, ce type de solution extrmement miniaturise est essentiellement destin
tre embarqu dans un appareil mobile. Il est donc vident que lantenne ne sera
pas toujours positionne de la mme manire vis--vis de lmetteur et du rcep-
teur. Comme le module doit fonctionner dans nimporte quelle position dans les-
pace, le diagramme de rayonnement est un paramtre important caractriser. Les
figures 4.33, 4.34 et 4.35 reprsentent le gain total de quelques antennes mesures
en chambre anchode.

Fig. 4.33 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 2

Fig. 4.34 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 7
4.5. Rsultats de mesures 97

Fig. 4.35 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 9

Daprs lensemble des mesures sur les prototypes, plusieurs constatations


peuvent tre faites. La rduction de la taille de lantenne dgrade le diagramme
de rayonnement et rduit le gain. Ces deux paramtres varient galement en fonc-
tion de la forme de la structure antennaire. Enfin, le plan de masse de type tlphone
portable dforme le diagramme de rayonnement en creusant certains angles pour for-
mer un solnode. Cette combinaison antenne et grand plan de masse semble donc
agir comme un diple, le premier brin tant constitu par lantenne et le second
par le plan de masse. On ne retrouve pas ce phnomne sur le pcb de type cl usb.
Globalement, les diagrammes de rayonnement restent quasi-omnidirectionnels, ce
qui convient bien au cahier des charges de ces modules.

4.5.3 Efficacit rayonne


De la mme manire que la bande passante et le diagramme de rayonnement,
lefficacit rayonne est un paramtre crucial pour ce type dapplication. En effet,
la majorit des appareils mobiles dans lesquels les modules AiP opreront tirent
leur nergie dune batterie. Il est donc vital de prserver au maximum cette source
dnergie tous les tages du systme. Au niveau de lantenne, une bonne effica-
cit de rayonnement en plus dune bonne adaptation garantissent une rduction
maximale de la dissipation dnergie par pertes (effet Joule). Lefficacit totale (qui
prend en compte les pertes par dsadaptation) a t mesure laide du matriel
Starlab de Satimo (figure 4.36). Le rayonnement est mesur sur toute la sphre en
trois dimensions. Les rsultats sont ensuite intgrs pour dduire une multitude de
paramtres.
98 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

Fig. 4.36 Antenne sur pcb de type cl usb en mesure dans la Starlab

Fig. 4.37 Efficacit totale mesure pour lantenne 2


4.6. Conclusion 99

Fig. 4.38 Efficacit totale mesure pour lantenne 9

Antenne num. 2 4 6 7 9
Taille (mm2 ) 8x4 8x3 8x2 8 x 1,5 8 x 3,5
Format de pcb usb tl usb tl usb tl usb tl usb tl
Eff totale min (%) 50 47 42 40 38 36 32 30 35 34

Tab. 4.18 Efficacit totale minimum mesure dans la bande passante sur les pro-
totypes sur deux tailles de pcb (format cl usb et tlphone portable)

On constate sur les rsultats de mesure (figures 4.37 et 4.38, et tableau 4.18)
que lefficacit totale minimale dans la bande passante se situe pour la plupart des
modules plus de 35 %. Comme nous lavons voqu prcdemment, ce paramtre
est difficilement matrisable. Sa valeur dcoule la fois de la structure de lantenne
et de la surface de mtallisation. Pour lamliorer, il faut gnralement agrandir
lantenne. Dans notre optique de miniaturisation et dintgration, nous estimons que
la valeur releve ici de 35 % est un bon compromis entre performance nergtique et
encombrement. Cette valeur est sensiblement identique la majorit des solutions
dantennes intgres actuelles.

4.6 Conclusion
Afin damliorer les performances en bande passante et en efficacit du prototype
AiP, plusieurs tudes focalises sur lantenne elle-mme ont t ralises dans ce cha-
pitre. Lobjectif est de proposer des solutions de structures antennaires adaptables
la plus grande varit possible dobjets communicants.
Le premier champ dinvestigation a port sur les dimensions de lantenne. En
relevant les valeurs limitant lencombrement, nous avons dmontr limpact impor-
100 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures

tant de la surface de mtallisation sur la bande passante et lefficacit rayonne. Les


rsultats des tudes paramtriques ont permis de constituer une gamme complte
dantennes aux dimensions et performances varies. Afin de complter cette gamme,
diverses modifications gomtriques ont t tudies. Grce des structures avec un
bras rayonnant la largeur variable, un repliement en mandres selon un autre axe,
ou encore une modification innovante, notre gamme dantennes offre de multiples
alternatives destines aux concepteurs de modules.
Ces travaux ont galement permis de mettre en valeur des phnomnes impor-
tants qui expliquent le comportement de ces antennes. Ainsi, lextrmit du bras
rayonnant de lantenne (ct circuit ouvert de la structure) est trs sensible. Pour
obtenir des performances maximales, il doit tre le plus large possible et suffisam-
ment loign du plan de masse. Cest donc la structure avec mandres replis selon
laxe x qui offre les meilleurs rsultats.
Par ailleurs, limpact des tolrances et fabrication, et surtout de la taille du
plan de masse de lapplication finale a t quantifi. Grce ces recherches, les
performances minimales atteindre pour une application donne ont t fixes de
manire plus prcise.
Enfin, une seconde srie de prototypes a t frabrique. Constitue de lensemble
de la gamme optimise, elle montre une grande varit de performances et confirme
les phnomnes mis en valeur dans ce chapitre. On relve plusieurs structures pos-
sdant des caractristiques en bande passante et efficacit suffisantes pour rpondre
au cahier des charges AiP. Elles sont donc prtes pour une intgration en module
SiP complet.
Chapitre 5

Intgration en module SiP


complet

Sommaire
5.1 Description du module et des composants . . . . . . . . . . 102
5.1.1 Choix du substrat et cahier des charges . . . . . . . . . . . . 102
5.1.2 Architecture et schma du module . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.2 tude paramtrique et performances simules . . . . . . . . 104
5.2.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 104
5.2.2 Distribution des courants et diagramme de rayonnement . . . 105
5.3 Tests sur prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.1 Description des prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.2 Caractrisation de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.2 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . 109
5.3.3 Mesure dEiRP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
5.3.4 Performances du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
102 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

fin de rpondre au besoin exprim par ses clients sur la miniaturisation dan-
A tenne, la socit Insight SiP a men plusieurs travaux de recherche et dvelop-
pement sur les modules AiP utilisant un substrat lamin de type FR4. Lexprience
accumule dans ce domaine a permis non seulement de proposer ses clients des solu-
tions dantennes intgres aux modules, mais aussi de mettre sur le march plusieurs
modules communicants dans la bande ISM utilisant le concept AIP ([Ciais 2010]).
Ltude de diffrents types dantennes LTCC a permis daboutir des perfor-
mances amliores. Comme expliqu dans le chapitre 4, certaines structures pr-
sentent des caractristiques intressantes pour tre candidates une application de
modules communicants sur substrat LTCC.
Faute de temps, et en raison du cot trs lev des prototypes LTCC, laspect
applicatif a t abord en suivant de prs le dveloppement dun module AIP sur la-
min. Le but tait de comprendre la mthodologie applique par lquipe R&D dIn-
sight SiP dans les diffrentes phases de ralisation des produits AIP, afin dtre ca-
pable dappliquer cette mthodologie aux antennes LTCC. Ainsi nous allons prsen-
ter en dtail un exemple de miniaturisation et dintgration dune solution 2, 4 GHz
dun fabricant de chip (Nordic semiconductor).

5.1 Description du module et des composants


5.1.1 Choix du substrat et cahier des charges
Pour des raisons de besoin du march au moment du dveloppement du module
complet, le substrat slectionn est un multicouches lamin FR4. Cette technologie
offre lavantage dune production de prototypes plus rapide et moins coteuse quen
technologie LTCC. Ce choix permettra galement de montrer que les structures
antennaires tudies jusqu prsent peuvent tre adaptes plusieurs supports en
conservant leurs proprits.

Le module complet devra rpondre au cahier des charges suivant :


dimensions : 12 x 8 x 0, 2 mm3
espace rserv lantenne : 6 x 8 x 0, 2 mm3
substrat : lamin FR4 (r = 4, 9, tan = 0, 014)
bande passante minimale couvrir : bande ISM de 2,4 2, 484 GHz (3, 4 %)
bande passante couvrir avec marges : 6 %
adaptation : au minimum 6 dB sur la bande passante
efficacit rayonne : > 40 %

Lespace relativement important allou lantenne par rapport aux solutions


LTCC sera mis contribution pour compenser le changement de substrat. En effet,
du fait dune permittivit plus faible du FR4 (r = 4, 9) par rapport au LTCC
(r = 7, 8), les antennes doivent tre proportionnellement agrandies pour obtenir
la mme frquence de rsonance.
5.1. Description du module et des composants 103

Ce module remplacera une solution actuelle de rfrence fournie par la socit


Nordic Semiconductor et constitue dune grande antenne imprime sur un pcb et
de composants spars, le tout occupant un espace de 33 x 15 mm2 (figure 5.1). Il
doit atteindre au minimum les mmes performances. Ce SiP est destin assurer
la liaison RF entre des priphriques dordinateur en exploitant un protocole de
communication propritaire.

Fig. 5.1 Solution de rfrence compose dune grande antenne et dun partie
lectronique. Vue de dessus (a) et vue de dessous (b).

5.1.2 Architecture et schma du module

Grce lexpertise et au savoir faire dInsight SiP, la partie lectronique du


module a t fortement miniaturise pour occuper un espace de 6 x 8 mm2 . Elle
comprend notamment un transceiver, un oscillateur et des composants monts en
surface (CMS).
La partie antennaire a t optimise pour rpondre au cahier des charges. Elle
sinspire des antennes tudies prcdemment. Elle profite notamment de la tech-
nique innovante. Le bras principal est repli en mandres sur la couche suprieure.
Sa largeur est maximise afin doptimiser lefficacit rayonne de lantenne. Cette
structure rayonnante est directement connecte la partie lectronique.
Lensemble est encapsul dans un module de type QFN (Quad Flat No-leads).
Les pads de connexion se situent sur la couche infrieure du substrat, y compris sous
lantenne (figure 5.2). Ils permettent dassurer lquilibre mcanique du module aprs
soudure. Daprs les simulations, ils ne perturbent pas son fonctionnement. Enfin, les
composants et lantenne sont recouverts dune rsine de surmoulage permettant de
protger le systme et lui donner un aspect final de module complet QFN dpaisseur
1, 45 mm. La permittivit de cette rsine (r = 3, tan = 0, 02) a t prise en
compte dans toutes les simulations. Elle participe la miniaturisation de lantenne
(daprs la formule 3.2) en augmentant la permittivit relative en contact avec la
structure rayonnante.
104 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

Fig. 5.2 Pads de connexion du module QFN. Les pads 1, 2, 21, 22, 23, 24, 25 et
26 se situent sous lantenne.

5.2 tude paramtrique et performances simules


5.2.1 Coefficient de rflexion et bande passante
Ce module tant destin plusieurs types dappareils applicatifs, il est essentiel
quil fonctionne sur plusieurs tailles de plan de masse. Comme pour les recherches
sur les antennes LTCC, deux formats de PCB ont t retenus. De plus, une tude
paramtrique a t ralise pour dterminer limpact de la position du module sur
le grand plan de masse. Lobjectif est de vrifier que le module peut tre plac
dans plusieurs positions diffrentes afin de ne pas donner trop de contraintes au
concepteur de lappareil.

Trois cas ont donc t tudis pour cette antenne (figure 5.3) :
PCB de type cl usb : 29 x 15 mm2
PCB de type tlphone portable config 1 : 100 x 40 mm2 , module sur bord
court du plan de masse
PCB de type tlphone portable config 2 : 100 x 40 mm2 , module sur bord
long du plan de masse
5.2. tude paramtrique et performances simules 105

Fig. 5.3 Trois configurations de PCB tudies

Fig. 5.4 Coefficient de rflexion simul en fonction des PCB utiliss

Les rsultats de simulation montrent les dcalages en frquence et les diffrences


de bande passante en fonction des PCB utiliss (figure 5.4). Comme pour les an-
tennes sur LTCC, la taille de plan de masse influence ces paramtres. On constate
toutefois que limpact reste limit. La bande passante minimale couverte dans les
trois cas de figure est de 12, 3 % (305 MHz centrs 2, 47 GHz). La bande ISM est
donc largement couverte dans tous les cas. La marge obtenue doit permettre de
contenir les ventuelles variations de fabrication et erreurs de simulation.

5.2.2 Distribution des courants et diagramme de rayonnement


La figure 5.5 affiche le diagramme de rayonnement 3D pour lantenne sur plan de
masse de type cl USB 2, 5 GHz. Le comportement est sensiblement identique aux
antennes similaires sur LTCC tudies prcdemment. Avec un rayonnement quasi-
omnidirectionnel, le module sera capable de communiquer quelle que soit sa position
dans lespace par rapport lmetteur ou au rcepteur. De plus, on remarque que
les courants se concentrent bien dans lantenne. Lloignement du plan de masse est
suffisant pour rduire au minimum les courants de retour et les pertes. Ces rsultats
106 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

garantissent une bonne efficacit rayonne. Le tableau 5.1 confirme cette hypothse.
Lefficacit de rayonnement est suprieure 40 % dans plusieurs configurations.

Fig. 5.5 Diagramme de rayonnement 3D simul de lantenne intgre dans le


module

Format de pcb cl usb tl config 1 tl config 2


Efficacit rayonne min dans la BP (%) 52 40 37
Gain total min dans la BP (dBi) -0,1 -0,1 0

Tab. 5.1 Efficacit totale minimum et gain total simuls dans la bande passante
pour les trois formats de pcb

5.3 Tests sur prototypes


5.3.1 Description des prototypes
Afin de tester et caractriser totalement le module AiP, trois types de prototypes
ont t fabriqus :
Module contenant uniquement la partie antennaire : cette configura-
tion (figures 5.6 et 5.7) permet de caractriser lantenne en termes de bande
passante, gain et efficacit de rayonnement. Une ligne microstrip adapte
50 dporte lalimentation du bras de lantenne un connecteur SMA sur le
PCB. La connexion entre la couche suprieure du module et le PCB se fait
par un via traversant et un des pads du package QFN.

Fig. 5.6 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test de
type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 107

Fig. 5.7 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test de
type tlphone portable

Module contenant uniquement la partie lectronique : cette configu-


ration (figure 5.8) est dote de plusieurs points de tests afin de vrifier le
fonctionnement de la partie lectronique, les valeurs des composants CMS et
les impdances dentre.

Fig. 5.8 Module contenant uniquement la partie lectronique, soud sur un PCB
de test

Module complet autonome (antenne et composants) : il sagit de lob-


jectif de notre projet de recherche (figure 5.9). Il ncessite uniquement une
alimentation et un circuit de tests pour fonctionner de manire autonome.
Il permettra de valider tous les rsultats en montrant quune antenne trs
miniaturise et directement intgre dans un module peut atteindre des per-
formances au moins identiques un circuit clat et beaucoup plus grand.

Fig. 5.9 Module complet, soud sur un PCB de test de type cl USB
108 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

5.3.2 Caractrisation de lantenne


5.3.2.1 Coefficient de rflexion

La premire tape de test consiste mesurer le coefficient de rflexion de lan-


tenne seule. Les rsultats de mesure (figures 5.10 et 5.11) montrent une bande pas-
sante plus faible quen simulation, que ce soit sur le plan de masse de type cl USB
ou tlphone portable. Avec 6, 2 % dans le cas le plus dfavorable, la bande passante
exige par le cahier des charges (3, 4 %) de lapplication ISM est toujours couverte
avec suffisamment de marges.

Fig. 5.10 Coefficient de rflexion mesur du module contenant uniquement lan-


tenne, soud sur un PCB de test de type cl USB

Fig. 5.11 Coefficient de rflexion mesur du module contenant uniquement lan-


tenne, soud sur un PCB de test de type tlphone portable
5.3. Tests sur prototypes 109

On remarque toutefois que la frquence centrale du prototype mont sur cl


USB est trop dcale vers les hautes frquences. La bande passante absolue 6 dB
commence 2, 42 GHz. Ce dcalage sexplique, comme pour les prototypes LTCC,
par limperfection du modle simul et les tolrances de fabrication. Ce problme
peut facilement se corriger pour une future fabrication de prototype, par exemple
en allongeant lgrement le bras rayonnant de lantenne.

5.3.2.2 Diagramme de rayonnement


En ce qui concerne le gain total, on note galement une certaine similitude de
comportement par rapport aux antennes LTCC. Lantenne sur plan de masse de
type tlphone portable (figures 5.15, 5.16 et 5.17) prsente plus de dformations du
diagramme de rayonnement que celle sur cl USB (figures 5.12, 5.13 et 5.14). Bien
que le diagramme reste quasi omnidirectionnel, le gain total maximum est donc plus
lev avec le grand plan de masse. La valeur maximale, proche de 0 dBi, est releve
dans le plan de lantenne (plan XY).

Fig. 5.12 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB
110 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

Fig. 5.13 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB

Fig. 5.14 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 111

Fig. 5.15 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type tlphone
portable

Fig. 5.16 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type tlphone
portable
112 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

Fig. 5.17 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type tlphone
portable

5.3.3 Mesure dEiRP


Les mesures sur les prototypes ne peuvent pas se limiter la caractrisation de
lantenne seule. Il est indispensable de vrifier les performances et le comportement
du module complet. Le paramtre le plus intressant mesurer pour rpondre
ce besoin est lEiRP du module (Effective Isotropic Radiated Power : puissance
isotropique rayonne effective, 5.1).

EiRP = Pt Lc + Ga (5.1)
Avec :
Pt : puissance transmise lantenne dmission (dBm)
Lc : pertes dans les cbles (dB)
Ga : gain de lantenne (dBi)

Pour cela, nous avons mis au point un protocole de tests base danalyseur de
spectre afin de relever la puissance reue en chambre anchode par une antenne
calibre. LEiRP est ensuite calcule partir de ces valeurs en utilisant la formule
de Friis (5.2).

Pr 2
= Gr Gt ( ) (5.2)
Pt 4R
5.3. Tests sur prototypes 113

Avec :
Pr : puissance reue par lantenne de rception (W)
Pt : puissance transmise lantenne dmission (module AiP) (W)
Gr : gain linaire de lantenne de rception
Gt : gain linaire de lantenne dmission (module AiP)
R : distance entre les antennes (m)

Le module AiP est plac en phase dmission continue la frquence de 2, 45 GHz.


Il est positionn sur un support multi-axes qui permet de lui faire raliser une ro-
tation complte de 360 pour caractriser les trois plans principaux. Toutes ces
oprations (pilotage des axes mcaniques, mesure tous les 5 , centrage et relev du
maximum de puissance lanalyseur du spectre) ont t mises au point et automa-
tises. Lensemble du processus est contrl par ordinateur laide dun programme
Labview spcialement conu.

Fig. 5.18 EiRP (dBm) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB
114 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

Fig. 5.19 EiRP (dBm) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB

Fig. 5.20 EiRP (dBm) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 115

Les rsultats (figures 5.18, 5.19 et 5.20) montrent que lEiRP maximum est su-
prieur 2 dBm. Les mmes mesures ont t effectues aux premires frquences
harmoniques du systme afin de vrifier le niveau des ventuelles fuites de rayon-
nement. Elles doivent en effet tre suffisamment attnues pour ne pas perturber
dautres appareils. Les normes internationales fixent des limites ne pas dpasser
(ETSI : 30 dBm, FCC : 27 dBm). LEiRP des frquences suivantes a donc t
mesure :
frquence de travail du module : 2, 45 GHz
harmonique de rang 2 : 4, 9 GHz (2, 45 GHz x 2)
harmonique de rang 3 : 7, 35 GHz (2, 45 GHz x 3)
harmonique de rang 4 : 9, 8 GHz (2, 45 GHz x 4)
Le cas le plus dfavorable est relev sur lharmonique de rang 2 44, 4 dBm. Les
normes sont donc respectes dans tous les cas. En outre, nous avons mesur la fuite
de loscillateur local, typiquement la frquence fLO (5.3).

8
fLO = (2, 45 GHz + 2 MHz) = 2, 8 GHz (5.3)
7

LEiRP maximum mesur cette frquence slve 36, 9 dBm. Elle est donc
suffisamment filtre pour viter les perturbations.

5.3.4 Performances du systme

Le tableau 5.2 rassemble les diffrents rsultats de mesure raliss sur les pro-
totypes. Les mesures de gain, de bande passante et de coefficient de rflexion ont
t ralises sur le prototype contenant uniquement lantenne. Les autres mesures
concernent le module AiP complet. Toutes les caractristiques sont meilleures que
les exigences du cahier des charges. On note galement que la porte (comprise entre
11 et 60 mtres) est plus importante que celle obtenue avec le circuit de rfrence
(environ 10 mtres).

Format de pcb Valeur mesure


Bande passante relative (%) Cl USB 6,2
Bande passante relative (%) Tlphone 8,2
Gain total max (dBi) Cl USB -0,3
Gain total max (dBi) Tlphone +0,6
EiRP (dBm) Cl USB -1,5
Harmonique de rang 2 (dBm) Cl USB -44,4
Harmonique de rang 3 (dBm) Cl USB -46,2
Harmonique de rang 4 (dBm) Cl USB -57,2
Fuite de loscillateur local (dBm) Cl USB -36,9
Porte en espace libre (m) Cl USB 11 < d < 60

Tab. 5.2 Rcapitulatif des performances relles mesures sur le module AiP
116 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet

5.4 Conclusion
Le module conu et fabriqu (figure 5.21) valide les travaux de recherche me-
ns sur la miniaturisation et lintgration dune antenne dans un module de type
System in Package. Grce lutilisation de plusieurs techniques innovantes et des
tudes approfondies sur les structures dantennes, la miniaturisation a pu tre matri-
se sans sacrifier les performances radiolectriques de lantenne. Ce module atteint
de meilleurs rsultats que le circuit de rfrence qui est plus de quatre fois plus
encombrant (figure 5.22).

Fig. 5.21 Prototypes fabriqus, vue de dessus et de dessous

Fig. 5.22 Module AiP et circuit de rfrence

Ce premier module complet et fonctionnel ncessite des techniques de fabrica-


tion exclusivement industrielles, parfaitement adaptes la production de masse.
Lantenne est imprime sur les couches du substrat au cours du mme processus que
le reste des pistes du module. Aucune tape spcifique nest ncessaire. Il remplit
5.4. Conclusion 117

donc parfaitement les objectifs fixs dans le cahier des charges et offre une solu-
tion tout-en-un particulirement facile exploiter par les concepteurs dappareils
lectroniques pour apporter les fonctionnalits sans fil leurs produits.

En travaillant avec lquipe R&D dInsight SiP sur un exemple de miniaturisation


de solution RF avec antenne intgre nous avons pu tirer plusieurs enseignements
sur les facteurs primordiaux prendre en compte dans la conception de solution
complte savoir :
la modlisation de lantenne et de son environnement rel
une tude approfondie de linterface entre lantenne et la puce
les contraintes de fabrication et les effets des tolrances
les difficults de raliser des mesures sur des antennes miniatures et les modules
Ces connaissances sont parfaitement applicables au cas LTCC. La partie concep-
tion dantennes a t largement adresse dans ce rapport, il reste traiter les aspects
interface, ralisation du layout, adaptation aux contraintes de fabrication, prototy-
page. Etant donn le cot de cette technologie, un tel dveloppement ncessiterait
un partenariat.
Conclusion

Le projet Antenna in Package, initi par la socit Insight SiP en collaboration


avec le Laboratoire dlectronique, Antennes et Tlcommunications de Sophia An-
tipolis, a pour objectif dtudier la possibilit dintgrer une antenne dans un module
de communications RF de type System in Package. La premire phase a consist
slectionner lantenne la plus apte tre miniaturise en tenant compte des carac-
tristiques des modules SiP sur substrats multicouches. Une structure de type IFA
a t retenue, puis rduite, adapte et amliore en exploitant la troisime dimen-
sion pour replier son bras rayonnant en mandres. Plusieurs tudes paramtriques
ont permis disoler clairement certains paramtres conditionnant le comportement
global de lantenne. Deux prototypes sont venus couronner le travail accompli et
ont permis de confirmer les espoirs placs dans ce projet grce des rsultats de
mesures trs encourageants.

Pourtant, bien que la faisabilit technologique et industrielle du projet ait t


dmontre, certaines limites de performances ont t mises en vidence. La phase sui-
vante a port sur lamlioration de la bande passante par des techniques classiques.
Malgr de bons rsultats en simulation, la technique dajout dun lment parasite
a t carte pour des problmes de perte defficacit en raison de la faible taille
de la structure. Lajout dun cicuit dadaptation constitu de composants passifs a
apport de meilleurs rsultats condition dutiliser des composants haute qualit.

Une autre manire dagir sur les performances est de modifier directement la
structure de lantenne. La forme de rfrence a dabord t modifie en augmentant
ses dimensions et la largeur de ses pistes. Les tudes paramtriques ont mis en vi-
dence une amlioration de la bande passante et de lefficacit rayonne lorsque le
bout du bras rayonnant est largi. Ce comportement a t tudi plus prcisment et
expliqu par la mthode de la cavit. En outre, une modification structurelle inspire
dun brevet de la socit a permis damliorer la fois la miniaturisation et les rsul-
tats. La combinaison de tous ces facteurs a permis de concevoir un panel complet de
structures amliores. La seconde srie de prototypes a confirm lamlioration des
performances. Ce critre est primordial pour des modules qui sont destins tre
utiliss sur tout type de support pour quiper des objets communicants de dimen-
sions varies. Les marges obtenues au niveau de la bande passante par rapport aux
exigences strictes des standards permettent dassurer le fonctionnement du module
malgr les dcalages frquentiels causs par ces varits de conditions dutilisation.

Enfin, le projet Antenna in Package a t concrtis grce la conception et


la fabrication dun premier prototype complet et fonctionnel. Ce module comprend
lantenne et tous les composants ncessaires pour assurer une liaison sans-fil.
120 Conclusion

Lensemble des rsultats obtenus au cours de ces travaux constituent une avan-
ce intressante dans le domaine de lintgration dantennes en module SiP. Les
meilleures structures offrent suffisamment de performances pour garantir leur utilisa-
tion dans une grande majorit des objets communicants oprant dans la bande ISM
2, 4 GHz. Lexplication des phnomnes radiolectriques caractrisant leur compor-
tement devrait permettre dadapter facilement ces structures dautres frquences
pour largir le champ des applications potentielles. Nous avons galement dmontr
que cette solution peut tre utilise sur les deux principaux types de modules SiP,
savoir LTCC et lamin FR4.

Nous avons galement veill tout au long du projet respecter les contraintes
techniques afin de disposer dune solution viable industriellement. Nos structures
antennaires, les pistes et les composants enfouis du module sont raliss en une seule
phase. Aucune tape supplmentaire nest requise, ce qui rduit considrablement
les cots et dlais de fabrication. Ainsi, il est prouv que lintgration dune antenne
dans un module RF complet, aussi difficile soit-elle, est possible non seulement
scientifiquement, mais aussi et surtout au niveau industriel en production de masse.

Un brevet a t dpos au niveau europen afin de protger le concept et les


structures antennaires tridimensionnelles fortement miniaturises (European Patent
Application 09305581.2).
Perspectives
Plusieurs perspectives peuvent tre envisages pour poursuivre le projet AiP et
amliorer le concept dantenne intgre en module.

Fabrication dun module complet sur LTCC


La premire srie de prototypes LTCC a mis en vidence plusieurs problmes
de simulation (dcalage frquentiel, efficacit sur-value, . . . ). Grce aux rtro-
simulations, nous avons mis des hypothses qui expliquent ces problmes. Pour les
contourner, nous avons ralis de nombreuses optimisations efficaces en simulation.
Ces travaux ont t valids par une seconde srie de prototypes offrant une diver-
sit des dimensions des antennes (de la taille originale aux agrandissements tudis
prcdemment), ainsi que leur forme (des antennes aux largeurs de pistes non uni-
formes, ou des antennes utilisant plus ou moins de couches) et leur structure. Ces
prototypes ont permis de valider un panel, que nous voulions le plus large possible,
de structures aux performances varies, susceptibles de rpondre divers cahiers des
charges pour diffrentes applications. Plusieurs de ces concepts ont t utiliss dans
la conception de modules complets incluant antenne et composants sur substrat la-
min FR4. Il serait intressant de raliser le mme travail sur substrat LTCC afin
damliorer la miniaturisation en profitant de la permittivit plus leve et surtout
de lintgration des composants passifs dans les couches internes.

Adaptation du concept dautres frquences


Pour des raisons de temps et de choix daxes de recherche, tous ces travaux
ont t raliss pour des frquences de lordre de 2, 4 GHz. Lobjectif tait avant
tout dobserver, comprendre, et exploiter les phnomnes physiques mis en jeu par
la miniaturisation et lintgration en module. La suite logique serait maintenant
dtendre ces recherches dautres frquences afin de vrifier la validit des observa-
tions. Lobjectif final est dappliquer le concept dintgration dantenne tout type
dobjet communicant et dapplication sans-fil.

Systmes multi-antennes
Les rsultats obtenus sur le projet AiP montrent dune manire gnrale que
lamlioration des performances (bande passante, efficacit, rayonnement) passe par
lagrandissement des dimensions ou lutilisation de modifications structurelles de
lantenne. Mme si, dans le cas de llment parasite, les pistes de lantenne ne sont
pas forcment largies, cest le parasite lui-mme qui augmente lencombrement
global. Partant de ce constat, nous pourrions raisonnablement envisager un lger
122 Perspectives

compromis sur les dimensions, et placer deux relles antennes (actives toutes les
deux) dans le module. Avec des frquences lgrement dcales, elles pourraient se
coupler pour obtenir un comportement large bande. Comme pour llment parasite,
il faudra matriser les phnomnes de couplage et les techniques dalimentation,
ainsi que les circuits dadaptation. Les travaux dA. Diallo (deux antennes proches
frquences spares : [Diallo 2007]) et K. Ryu (deux antennes proches rsonances
couples : [Ryu 2008]) pourraient donner un bon point de dpart ces investigations.

Systmes multi-bandes
Afin de couvrir lensemble des besoins des systmes sans-fil, il serait intressant
de disposer de solutins AiP multi-bandes. Pour parvenir cet objectif, plusieurs axes
de recherche sont envisageables, tels que lutilisation dune seconde antenne active,
lutilisation dun lment parasite ou encore lajout de bras rayonnants lantenne.
Annexe A

Prsentation des logiciels de


simulation utiliss

IE3D
IE3D, dvelopp par Zeland Software, est un logiciel de simulation lectromagn-
tique de type 2,5D. Il permet de modliser des circuits haute frquence et utilise la
superposition de couches pour simuler la troisime dimension. Particulirement uti-
lis pour la simulation des antennes, composants RFID, MMIC et Circuits Intgrs,
il utilise la mthode des moments (MoM).
Ce logiciel a t utilis au dbut des travaux pour simuler la premire structure
de rfrence et concevoir le premier prototype. Pour des raisons de disponibilit
de licences, nous avons ensuite transfr toutes les structures vers les deux autres
logiciels.
Aujourdhui, IE3D est vendu par Mentor Graphics et a connu une volution
majeure avec lintroduction dune version de simulation 3D.

ADS
ADS (Advanced Design System) est un logiciel complet de simulation circuits
propos par Agilent. Il a particulirement t utilis dans nos travaux pour optimiser
les circuits dadaptation des antennes. ADS posssde galement une composante de
simulation lectromagntique de type 2,5D appele Momentum. La plupart de nos
structures ont t conues et optimises sur ce logiciel du fait de la rapidit de calcul
des rsultats.
Toutefois, il reste limit pour la simulation dantennes en modules du fait de
lutilisation de substrats infinis. Nous lavons utilis pour effectuer les tudes para-
mtriques et les nombreux tests de nouvelles structures.

HFSS
Dvelopp par la socit Ansoft, HFSS est un logiciel de simulation lectroma-
gntique de type 3D. Bas sur la mthode des lments finis (FEM), il est particu-
lirement adapt la simulation dantennes en modules.
Nous lavons utilis pour la dernire tape avant la fabrication des prototypes.
Grce une modlisation trs fidle des structures et de leur environnement, il nous
permettait de valider le comportement observ sur les simulations ADS.
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Letters, vol. 52, no. 2, pages 458462, Fvrier 2010. 30
[Yu 2009] Y. Yu et J. Choi. Compact internal inverted-F antenna for USB dongle
applications. Electronics Letters, vol. 45, no. 2, Janvier 2009. 40, 87
[Zhang 2001] Y. P. Zhang et M. A. Do. Integrated-circuit-pressed-ceramic package
antenna for the single-chip solution of a wireless transceiver. Microwave and
Optical Technology Letters, vol. 30, no. 5, pages 330332, Septembre 2001.
30
[Zhang 2004] Y. P. Zhang. Integrated Circuit Ceramic Ball Grid Array Package
Antenna. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol. 52, no. 10,
pages 25382544, Octobre 2004. 30
[Zhang 2008] Y. P. Zhang, M. Sun et W. Lin. Novel Antenna-in-Package Design
in LTCC for Single-Chip RF Transceivers. IEEE Transactions on Antennas
and Propagation, vol. 56, no. 7, pages 20792088, Juillet 2008. 30
Publications et communications

Brevet
Efficient integrated miniature antenna structure for multi-GHz wireless
applications
M. Jeangeorges, C. El Hassani, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc
European Patent Application 09305581.2

Confrence internationale
Antenna miniaturization and integration in a 2.4 GHz System in Package
M. Jeangeorges, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc, C. El Hassani, P. Ciais
European Conference on Antennas and Propagation 2010
Barcelone
12-16 Avril 2010

Congrs nationaux
Intgration dantennes multicouches en module SiP Bluetooth
M. Jeangeorges, A. Chebihi, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc, C. El Hassani,
P. Ciais
GDR Ondes, Assemble gnrale
CNAM Paris
2-4 novembre 2009

Intgration dantenne pour solutions RF SiP


A. Chebihi, M. Jeangeorges, P. Le Thuc, C. Luxey, R. Staraj
GDR Ondes, Assemble gnrale
CNAM Paris
2-4 novembre 2009
Table des figures

1.1 Spectre lectromagntique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10


1.2 Logo du standard WLAN IEEE 802.11 WiFi . . . . . . . . . . . . . 12
1.3 Logo du standard WPAN IEEE 802.15 Bluetooth . . . . . . . . . . . 14
1.4 Vue dun module SiP dpourvu de botier ou de surmoulage . . . . . 16
1.5 Vue en coupe dun SiP RF comprenant un transceiver, un circuit
bande de base, un circuit dalimentation et un rseau dadaptation . 17
1.6 Vue dune puce SoC (System on Chip) . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.7 Photographie dun module SiP sur substrat lamin FR4 avec surmou-
lage, vue de dessus et vue de dessous . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.8 Dtail de la structure interne dun module SiP LTCC, avec compo-
sants passifs sur les couches internes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2.1 Tlphone portable avec antenne fouet . . . . . . . . . . . . . . . . . 26


2.2 Tlphone portable avec antenne hlicodale protge par un chassis
plastique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.3 Schma de lantenne hlicodale protge par un chassis plastique . . 27
2.4 Antenne imprime multi-bandes sur un PCB de tlphone portable . 27
2.5 Antenne imprime sur un PCB de carte WiFi PCMCIA pour ordina-
teur portable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.6 Module antennaire bi-bande intgrant deux structures rayonnantes
intgres. Le module est soud sur un PCB de test muni dune ligne
dalimentation. Travaux de Y.D. Kim. . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.7 Antenne patch intgre dans un module ddi. Travaux de S.H. Wi. . 30
2.8 Module complet WLAN avec antenne patch au dessus des composants
sur une couche spcifique. Travaux de S. Brebels. . . . . . . . . . . . 31
2.9 Antenne dispose sur deux couches dans un module Bluetooth. Tra-
vaux de D. Seo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.10 Antenne dispose au dessus des composants sur une couche spcifique.
Travaux de Y. Zhang. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.11 Antenne imprime quipant la console de jeux Sony PSP . . . . . . . 32
2.12 Antenne intgre en module ddi soud sur une cl USB WiFi . . . 32
2.13 Module antennaire Antenova pour applications dans la bande 2,4
2, 5 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

3.1 Antenne diple demi-onde - Rpartition des courants et tensions . . 37


3.2 Antenne hlicodale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.3 Antenne F inverse (IFA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.4 Antenne PIFA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.5 Antenne PIFA avec lment capacitif . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.6 Repliement simple de lIFA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
134 Table des figures

3.7 Repliements en mandres de lIFA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40


3.8 Paramtres permettant dajuster le comportement de lantenne . . . 41
3.9 Simulation et mesure du coefficient de rflexion S11 du prototype . . 43
3.10 Dimensions intrieures et extrieures du module . . . . . . . . . . . . 44
3.11 Structure de rfrence LTCC. Modle de simulation avec composants
fictifs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.12 Photographies du prototype LTCC fabriqu (faces avant et arrire) . 46
3.13 Prototype mont sur PCB, avec SMA de connexion . . . . . . . . . . 46
3.14 Empilement des couches du module LTCC : 7 couches de substrat,
8 couches de mtallisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.15 S11 simul et mesur de la structure de rfrence LTCC et son prototype 47
3.16 Rayonnement 3D simul (prototype plac au centre du diagramme) . 47
3.17 Rayonnement 3D mesur en chambre anchode (prototype plac au
centre de la demi-sphre) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.18 Schma du dispositif de test avec le module AiP (a) et une antenne
diple classique (b) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.19 Comparaison de niveau de signal WiFi reu entre le prototype LTCC
et une antenne fouet servant de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.20 Modlisation de lantenne 3D avec alimentation capacitive . . . . . . 51
3.21 Exemples de structures avec bras parasites. Distribution des courants
lectriques 2, 45 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.22 Couplage des deux frquences de rsonance (simulation HFSS) . . . . 53
3.23 Amlioration de la bande passante par largissement de la structure
(simulation HFSS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.24 Simulation avec variation de 50 microns de la distance entre antenne
et parasite et rsultat de mesure sur prototype . . . . . . . . . . . . 54
3.25 Observation des trois couplages diffrents . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.26 S11 et efficacit rayonne simuls. Creux defficacit rayonne sur la
premire rsonance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.27 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans plan de masse
sous llment parasite. Dcouplage des rsonances et creux deffica-
cit rayonne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.28 Distribution des courants 2, 27 GHz (a) et 2, 81 GHz (b) . . . . . . 56
3.29 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans repliement sous
llment parasite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.30 Modlisation de lantenne mandres 3D par circuit quivalent . . . . 58
3.31 Comparaison simulation HFSS (courbes rouges) / cuircuit quivalent
(courbes bleues) de lantenne mandres 3D . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.32 Modle quivalent prcd de deux cellules dadaptation LC . . . . . 61
3.33 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules
dadaptation LC (exemple pour La2 = 11, 25 nH ; Ca2 = 0, 8 pF ;
La1 = 8 nH ; Ca1 = 0, 15 pF) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.34 Modle quivalent prcd de quatre cellules dadaptation LC . . . . 62
Table des figures 135

3.35 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules


dadaptation LC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.36 Paramtres S de lantenne prcds de deux cellules dadaptation CL 63
3.37 Exemple de rsultat obtenu. Comparaison avec (courbe bleue) et sans
(courbe rouge) cellules dadaptation CL. . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.38 Circuit dadaptation deux cellules et port spcial prsentant limp-
dance de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.39 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe
bleue) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.40 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe
bleue) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.41 Efficacit rayonne de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.42 Pertes des composants du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.43 Efficacit totale, en dB (a) et en pourcentage (b). Comparaison avec
(courbes bleues) et sans (courbes rouges) circuit dadaptation. . . . . 66
3.44 Circuit dadaptation deux cellules avec composants Murata HQ 0402,
srie LQW15, Q>100 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.45 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe
bleue) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.46 Pertes des composants HQ du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.47 Efficacit totale en pourcentage avec (courbe bleue) et sans (courbe
rouge) les composants HQ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

4.1 Configuration 1 - Allongement de lantenne selon laxe y . . . . . . . 73


4.2 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 1 . . . . . . . . . . 73
4.3 Configuration 2 - Allongement maximum de lantenne selon laxe y . 74
4.4 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 2 . . . . . . . . . . 75
4.5 Configuration 3 - Allongement de lantenne selon laxe x . . . . . . . 75
4.6 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 3 . . . . . . . . . . 76
4.7 Configuration 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.8 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 4 . . . . . . . . . . 77
4.9 Forme 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.10 Rsultats de simulation HFSS de la forme 1 . . . . . . . . . . . . . . 79
4.11 Forme 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.12 Rsultats de simulation ADS de la forme 2 . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.13 Forme 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.14 Coefficient de rflexion simul de la forme 3 (simulation ADS) . . . . 81
4.15 Coefficient de rflexion simul de la forme 4 (simulation ADS) . . . . 83
4.16 Coefficient de rflexion simul de la forme 5 (simulation ADS) . . . . 83
4.17 Coefficient de rflexion simul de la forme 6 (simulation ADS) . . . . 84
4.18 Coefficient de rflexion simul de la forme 7 (simulation ADS) . . . . 85
4.19 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction
de lencombrement de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
136 Table des figures

4.20 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans le


meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne . . . . . 86
4.21 Module AiP sur PCB de format cl usb standard (15 x 28 mm2 ) . . . 88
4.22 Module AiP sur PCB de format tlphone portable (40 x 80 mm2 ) . 88
4.23 Coefficient de rflexion de la forme 4 sur plan de masse de type cl
usb (en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation ADS) . . 88
4.24 Coefficient de rflexion de la forme 6 rduite sur plan de masse de
type cl usb (en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation
ADS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.25 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction
de lencombrement de lantenne pour deux tailles de plans de masse . 89
4.26 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans
le meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne pour
deux tailles de plans de masse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4.27 Panel de prototypes fabriqus - Vue de dessus . . . . . . . . . . . . . 92
4.28 Panel de prototypes fabriqus - Vue de dessous . . . . . . . . . . . . 93
4.29 Photographie dun prototype soud sur un PCB de type cl USB . . 93
4.30 Photographie de plusieurs prototypes souds sur deux types de PCB 94
4.31 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes . . . . . . . . . . 94
4.32 Coefficients de rflexion mesurs sur deux types de PCB pour lan-
tenne 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
4.33 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb,
en rouge : tlphone) pour lantenne 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.34 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb,
en rouge : tlphone) pour lantenne 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.35 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb,
en rouge : tlphone) pour lantenne 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.36 Antenne sur pcb de type cl usb en mesure dans la Starlab . . . . . . 98
4.37 Efficacit totale mesure pour lantenne 2 . . . . . . . . . . . . . . . 98
4.38 Efficacit totale mesure pour lantenne 9 . . . . . . . . . . . . . . . 99

5.1 Solution de rfrence compose dune grande antenne et dun partie


lectronique. Vue de dessus (a) et vue de dessous (b). . . . . . . . . . 103
5.2 Pads de connexion du module QFN. Les pads 1, 2, 21, 22, 23, 24, 25
et 26 se situent sous lantenne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.3 Trois configurations de PCB tudies . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
5.4 Coefficient de rflexion simul en fonction des PCB utiliss . . . . . . 105
5.5 Diagramme de rayonnement 3D simul de lantenne intgre dans le
module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.6 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test
de type cl USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.7 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test
de type tlphone portable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
Table des figures 137

5.8 Module contenant uniquement la partie lectronique, soud sur un


PCB de test . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.9 Module complet, soud sur un PCB de test de type cl USB . . . . . 107
5.10 Coefficient de rflexion mesur du module contenant uniquement lan-
tenne, soud sur un PCB de test de type cl USB . . . . . . . . . . . 108
5.11 Coefficient de rflexion mesur du module contenant uniquement lan-
tenne, soud sur un PCB de test de type tlphone portable . . . . . 108
5.12 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB 109
5.13 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB 110
5.14 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB 110
5.15 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type tlphone
portable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.16 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type tlphone
portable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.17 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type tlphone
portable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
5.18 EiRP (dBm) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB . . 113
5.19 EiRP (dBm) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB . . 114
5.20 EiRP (dBm) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB . . 114
5.21 Prototypes fabriqus, vue de dessus et de dessous . . . . . . . . . . . 116
5.22 Module AiP et circuit de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
Liste des tableaux

1.1 Dcoupage et utilisation du spectre micro-ondes . . . . . . . . . . . . 11


1.2 Bandes ISM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3 Caractristiques des standards WiFi 802.11 les plus marquants . . . 14
1.4 Classes des appareils certifis Bluetooth . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.5 Caractristiques des versions successives du Bluetooth . . . . . . . . 15

2.1 Exemples de produits existants sur le march des modules ddis . . 33


2.2 Comparaison des techniques dintgration dantennes sur quelques
points cls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

3.1 Adaptation de lantenne en fonction de la distance d entre alimenta-


tion et court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.2 Frquence de rsonance de lantenne en fonction de lpaisseur . . . . 42
3.3 Efficacit rayonne de lantenne en fonction de la largeur des pistes lp 43
3.4 Caractristiques du premier prototype fabriqu sur substrat FR4 . . 43
3.5 Caractristiques de la structure de rfrence LTCC . . . . . . . . . . 45
3.6 Variation de lefficacit rayonne en fonction de la surface mtallique 48
3.7 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans
un circuit LC 2 cellules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.8 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans
un circuit LC 4 cellules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.9 Variation de bande passante en fontion des composants rels utiliss
dans un circuit CL 2 cellules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

4.1 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 1 . . . . . . . . . . 74


4.2 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 2 . . . . . . . . . . 74
4.3 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 3 . . . . . . . . . . 76
4.4 Rsultats de simulation HFSS de la configuration 4 . . . . . . . . . . 77
4.5 Panel de structures de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.6 Rsultats de simulation HFSS de la forme 1 . . . . . . . . . . . . . . 79
4.7 Rsultats de simulation HFSS de la forme 2 . . . . . . . . . . . . . . 80
4.8 tude de limpact de lvolution de la largeur du bras rayonnant de
lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.9 Rsultats de simulation ADS de la forme 3 . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.10 Rsultats de simulation ADS de la forme 4 . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.11 Rsultats de simulation ADS de la forme 5 . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.12 Rsultats de simulation ADS de la forme 6 . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.13 Rsultats de simulation ADS de la forme 7 . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.14 Rsultats de simulation ADS des formes 4 et 6 rduite sur diffrents
types de plans de masse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
140 Liste des tableaux

4.15 Rsultats de simulation ADS des formes 5 et 6 pour les cas extrmes
de tolrances de fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4.16 Rsultats de simulation ADS de structures diffrencies par la dis-
tance plan de masse - dernier mandre . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4.17 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes sur deux tailles
de pcb (format cl usb et tlphone portable) . . . . . . . . . . . . . 95
4.18 Efficacit totale minimum mesure dans la bande passante sur les
prototypes sur deux tailles de pcb (format cl usb et tlphone portable) 99

5.1 Efficacit totale minimum et gain total simuls dans la bande passante
pour les trois formats de pcb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.2 Rcapitulatif des performances relles mesures sur le module AiP . 115
Conception dantennes miniatures intgres pour solutions RF SiP
Rsum : Ce mmoire prsente la conception et loptimisation dantennes minia-
tures intgres en modules de type System in Package. Lobjectif est de rpondre
un besoin croissant en modules intgrs complets, comprenant tous les composants
ncessaires pour apporter des fonctionnalits sans-fil aux objets communicants. Afin
de remplir cet objectif, les antennes doivent satisfaire de nombreux critres, autant
au niveau des performances (adaptation, bande passante, efficacit, diagramme
de rayonnement) quau niveau des mthodes de conception (robustesse, cot,
adaptation au processus de fabrication SiP, possibilit de production industrielle).
Lextrme miniaturisation rend dautant plus dlicate leur mise en oeuvre quelle
entrane des phnomnes physiques limitant les performances. Nos travaux tudient
la possibilit dutiliser certaines techniques damlioration par lajout dlments
structurels (lments capacitifs, lments parasites, fentes) et lutilisation de
circuits dadaptation spcifiques. Diverses modifications gomtriques innovantes
appliques aux structures antennaires ont galement t utilises pour obtenir des
rsultats satisfaisant tous les critres. Les antennes labores permettent des
objets communicants de dimensions varies doprer dans la bande de frquences
2, 4 GHz pour des applications de type WiFi ou Bluetooth. Plusieurs sries de
ralisations de prototypes ont permis de valider les rsultats et confirmer les
phnomnes lectromagntiques mis en jeu.

Mots cls : Miniaturisation dantenne, intgration, LTCC, lamin, lments


parasites, circuits dadaptation, System in Package
Design of miniature integrated antennas for RF SiP systems
Abstract : This thesis presents the design and optimization of miniature antennas
integrated in RF System in Package modules. The goal is to meet the growing
need for complete integrated modules, including all components needed to provide
wireless functionality to electronic devices. In order to achieve this objective,
the antennas must meet several criteria in terms of performance (matching,
bandwidth, efficiency, radiation pattern) and design methods (robustness, cost, SiP
manufacturing process, industrial production). The extreme miniaturization makes
it more difficult because it leads to physical phenomena limiting the performance.
Our research is investigating the possibility of using some techniques to improve the
antenna with the addition of structural elements (capacitive feed, parasitic arms,
slots) and the use of specific matching circuits. Various geometrical innovative
modifications applied to antenna structures have also been used to obtain results
satisfying all criteria. The designed antennas allow communicating objects of
various sizes to operate in the 2.4 GHz band for applications such as WiFi or
Bluetooth. Several runs of prototypes have validated the results and confirm the
electromagnetic phenomena observed.

Keywords : Antenna miniaturization, integration, LTCC, laminate, parasi-


tic arm, matching network, System in Package