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egr
ees pour
solutions RF SiP
Mickael Jeangeorges
THSE
pour obtenir le titre de
Docteur en Sciences
de lUniversit de Nice - Sophia Antipolis
Mention : lectronique
Prsente et soutenue par
Mickal Jeangeorges
Jury :
Je tiens tout dabord remercier les personnes qui ont accept de faire partie
du jury :
Je tiens galement remercier tout le personnel du LEAT, les doctorants, les en-
seignants, les chercheurs, les quipes techniques et administratives. Ces trois annes
vos cts ont t riches en vnements. Je vous souhaite une bonne continuation
tous.
Je remercie mes collgues dInsight SiP pour mavoir accueilli au sein de lentre-
prise durant ces trois annes et mavoir fait partager leur expertise et leurs connais-
sances. Jai beaucoup appris vos cts.
Enfin, je remercie vivement ma famille et mes amis qui je dois beaucoup. Ils
mont toujours bien conseill et encourag tout au long de mes tudes.
Table des matires
Sigles et abrviations 1
Introduction 3
Conclusion 119
Perspectives 121
Bibliographie 125
Le dfi technologique principal pos par le projet consiste intgrer une antenne
dans un petit volume tout en essayant de conserver ses proprits radiolectriques,
notamment en termes defficacit rayonne et bande passante. Le but est avant tout
de mettre en vidence, tudier, voire exploiter les phnomnes mis en jeu lors de la
miniaturisation. Pour des raisons videntes de focalisation du travail, nous ciblerons
une unique bande de frquences. Nous veillerons toutefois proposer des solutions
potentiellement adaptables dautres frquences.
Fonde en 2005, la socit Insight SiP est base Sophia Antipolis. Spcialise
dans le domaine des modules de type SiP (System in Package), elle propose
des services dtude et de conception de solutions RF destines apporter des
fonctionnalits sans-fil tout type dobjet communicant. Elle mise sur lintrt
grandissant pour ce type de module manifest par les grands fabricants de lindus-
trie lectronique pour se dvelopper rapidement. Lentreprise a pris une dimension
mondiale en ouvrant des bureaux au Japon et aux Etats-Unis.
Insight SiP propose des solutions trs intressantes dans un secteur des tl-
communications de plus en plus actif, multipliant les standards (WiFi, Bluetooth,
GSM, GPS, UMTS, Zigbee, etc. . . ) et souhaitant proposer ses clients des objets
lectroniques de plus en plus convergents, nomades et miniaturiss. Ces appareils
doivent en outre imprativement tre dvelopps trs rapidement du fait de leur
faible dure de vie. Insight SiP offre une rponse crdible aux besoins de tous ces
secteurs dactivit (quipements informatiques, objets communicants nomades,
tlcommunications, sant, automobile...).
comptences runies dans une mme quipe permettent de satisfaire les demandes
des clients dans des dlais trs courts en proposant des modules sur mesure qui
peuvent tre hautement personnaliss.
Cest dans ce contexte dinnovation que lentreprise consacre une grande impor-
tance la recherche et y a naturellement consacr cette thse. Le projet allie un
travail de recherche un travail de dveloppement concret dans la perspective de
proposer un produit novateur aux clients de la socit.
Chapitre 1
Sommaire
1.1 Introduction aux technologies de rseaux sans fils . . . . . . 10
1.1.1 Description gnrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.2 WiFi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.2.2 Modes de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.3 Bluetooth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.3.2 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.3.3 Standards . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.4 Autres technologies et protocoles . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2 Introduction la technologie System in Package . . . . . . . 16
1.2.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.2 Avantages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.3 SiP vs SoC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.5 Substrats multi-couches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.1 Lamin FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2.5.2 LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
10 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP
La bande utilise par le WLAN fait partie des bandes dites ISM : Industrial,
Scientific, Mdical (tableau 1.2). Libres de droit, elles sont utilisables gratuitement
pour des applications industrielles, scientifiques ou mdicales. Seules les puissances
dmission et la perturbation des bandes voisines sont limites pour rduire au maxi-
mum les problmes de cohabitation des appareils. Un grand nombre dobjets com-
municants sans fil utilisent ces bandes : tlphones sans fil DECT, tlcommandes
domotiques (ouverture de portails par exemple), Bluetooth, WiFi, camras de sur-
veillance, tlcommandes de voitures, thermomtres dextrieur, transmetteurs au-
dio/vido.
1.1.2 WiFi
1.1.2.1 Prsentation
1.1.2.3 Standards
Le tableau 1.3 dcrit les diffrents standards 802.11. Les notions de dbit maxi-
mal et de porte sont dpendants de lenvironnement rel dutilisation. Les valeurs
maximales sont uniquement atteintes proximit directe du point daccs, sans
obstacle. De plus, la bande ISM tant libre, elle est utilise par plusieurs autres
technologies. Des interfrences peuvent donc perturber le signal WiFi et diminuer
les performances de la liaison sans fil. Enfin, le WiFi tant destin des rseaux
locaux porte limite, sa puissance dmission est strictement limite. Ainsi, les
14 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP
Tab. 1.3 Caractristiques des standards WiFi 802.11 les plus marquants
1.1.3 Bluetooth
1.1.3.1 Prsentation
1.1.3.2 Fonctionnement
1.1.3.3 Standards
Depuis sa cration au milieu des annes 1990 par le fabricant sudois Ericsson, le
Bluetooth a volu de manire progressive grce lalliance de plusieurs fabricants
dans le Bluetooth Special Interest Group (SIG). Il atteint aujourdhui sa quatrime
version en introduisant le mode Low Energy. En partant de la version dorigine, on
constate que les efforts ont t ports successivement sur lamlioration de linter-
oprabilit, puis des dbits, et enfin de la consommation. Tous ces perfectionnements
ont t apports en gardant le cot unitaire des puces infrieur trois dollars.
Les avances concernant le Bluetooth Low Energy ont pour objectif de rduire
drastiquement la consommation, de faon alimenter un appareil avec une simple
pile bouton pendant plusieurs annes. Le but est de conqurir le march des montres,
capteurs divers, quipements sportifs, implants mdicaux.
Les futurs travaux visent notamment amliorer la qualit de service QoS (Qua-
lity of Service) et la scurit.
16 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP
1.2.1 Prsentation
La technologie System in Package (SiP) est ne ds le dbut des annes 1990,
bnficiant de lexplosion de la tlphonie mobile. Les appareils de premire gn-
ration, composs de multiples circuits et puces souds sur un PCB (Printed Circuit
Board) taient complexes, fragiles, coteux, lourds. Le besoin dintgration et de
miniaturisation sest rapidement fait sentir. Lindustrie lectronique a alors imagin
de runir plusieurs fonctions spares dans un mme module, donnant naisance au
SiP (figure 1.4). Alors que les premiers modules regroupaient simplement les fonc-
tions damplification, on trouve aujourdhui par exemple toutes les fonctions dun
tlphone mobile multibandes dans un seul module de quelques millimtres carrs.
Fig. 1.5 Vue en coupe dun SiP RF comprenant un transceiver, un circuit bande
de base, un circuit dalimentation et un rseau dadaptation
1.2.2 Avantages
La technologie SiP prsente de multiples avantages pour lindustrie lectronique :
Solution cl en main : elle permet un assembleur de disposer dun module
test et physiquement protg, quil suffit de souder sur son appareil lectro-
nique. Toutes les fonctionnalits assures par le module nont plus besoin dtre
dveloppes sparment. Les besoins en ingnieurs et concepteurs sont donc
rduits, ainsi que la complexit du systme lectronique. Ainsi, les rendements
de production sont amliors et participent la rduction des cots.
Modularit : elle permet de crer des fonctions sur mesure, parfaitement
adaptes au besoin du client, grce la slection la carte des composants.
Flexibilit : les SiP sont des assemblages de composants existants. La fa-
brication est donc plus rapide et moins coteuse que la fabrication classique
de puces sur wafers. Lors de la phase de conception, la rapidit de fabrica-
tion des prototypes est dcisive. Elle offre une grande flexibilit lorsque des
modifications ou ajustements sont ncessaires.
Multi-technologies : les composants utiliss ne doivent pas forcment tre
tous issus de la mme technologie de fabrication. Il est possible de mixer les
substrats pour utiliser le meilleur de chaque monde.
Cots : grce tous les avantages prciss prcdemment, les SiP ont des
cots relativement matriss et sont parfaitement adapts au monde lectro-
nique actuel.
que les SoC intgrent tous les composants dans une mme puce, les SiP intgrent
plusieurs puces et composants dans un mme module. Ces deux technologies sont
la fois concurrentes et complmentaires.
1.2.4 Applications
Du fait de ses nombreux avantages, la technologie System in Package est large-
ment utilise. On retrouve aujourdhui des modules SiP dans la plupart des objets
lectroniques proposs sur le march. La courte dure de vie de ces objets, volontai-
rement rendus obsoltes par lapparition de nouvelles versions ncessite des phases
de conception et dveloppement de plus en plus courtes pour soutenir la concurrence.
Les SiP permettent de rpondre cette problmatique.
Ils sont ainsi trs utiliss dans les tlphones mobiles. Ils y regroupent la plu-
part des fonctions rseaux (connectivits GSM, 3G, WiFI, Bluetooth, GPS), ainsi
que multimdia. Pour des raisons stratgiques, les SiP sont mme parfois utiliss
pour occuper rapidement un march dans des industries traditionnellement SoC,
en attendant le dveloppement des solutions compltement intgres. Certains pro-
cesseurs multi-core dordinateurs sont par exemple des modules SiP constitus de
plusieurs processeurs mono-core.
1.2. Introduction la technologie System in Package 19
Fig. 1.7 Photographie dun module SiP sur substrat lamin FR4 avec surmoulage,
vue de dessus et vue de dessous
1.2.5.2 LTCC
Plus chre que celle du lamin FR4, la solution LTCC (Low Temperature Co-
fired Ceramics) possde une caractristique importante : sa capacit enfouir les
composants passifs (rsistances, inductances, capacits) dans les couches internes
(figure 1.8). Cette particularit permet de rduire drastiquement les dimensions du
module. Ces composants sont en effet gnralement encombrants et doivent tre
disposs dune certaine manire. Ils occupent souvent beaucoup de place en surface
du module.
Le substrat LTCC est compos de couches de cramique (gnralement entre
cinq et huit) de permittivit r = 7, 8 et de tangente de pertes tan = 0, 005.
20 Chapitre 1. Systmes communicants sans fil et modules SiP
Fig. 1.8 Dtail de la structure interne dun module SiP LTCC, avec composants
passifs sur les couches internes
Les SiP LTCC sont donc prconiss pour optimiser la miniaturisation lorsque
beaucoup de composants passifs sont intgrer. Par ailleurs, la permittivit plus le-
ve du substrat favorise son utilisation pour les circuits RF. Dans ces conditions, ils
sont comptitifs en termes de cots. Dans le cas de circuits passifs simples, composs
de peu dlments, les substrats lamins sont gnralement prfrs.
1.3 Conclusion
Les bandes de frquences libres de droit de type ISM sont particulirement uti-
lises de nos jours. Elles permettent aux fabricants de produits lectroniques de
proposer des objets interconnectables oprant partout dans le monde, en respectant
simplement quelques normes techniques. La gamme 2, 4 GHz est la plus utilise,
grce notamment aux technologies WiFi et Bluetooth.
La technologie SiP est aujourdhui incontournable. Grce ses multiples avan-
tages, essentiellement en termes de flexibilit, rduction des cots, rapidit de
conception et modularit, elle rpond de nombreux besoin actuels. Cest pour-
quoi elle est utilise par lindustrie lectronique dans la conception de la grande
majorit des objets communicants grand public.
Notre projet de recherche propose damliorer cette technologie en ajoutant lin-
tgration en module dune composante essentielle de tous ces objets : lantenne.
Difficilement miniaturisable, cet lment physique occupe encore beaucoup despace
actuellement et ncessite de vritables phases consacres de conception. Lobjectif
1.3. Conclusion 21
est donc de comprendre les phnomnes mis en jeu lors de la miniaturisation afin
de les matriser et les exploiter pour lintgration de llment rayonnant.
Dans le but de proposer des solutions rapidement industrialisables, nos travaux
se limiteront aux technologies majeures du march, savoir les modules SiP sur
substrats LTCC ou lamin FR4 pour des objets communicants oprant dans la
bande ISM 2, 4 GHz (systmes WiFi et Bluetooth par exemple).
Chapitre 2
Techniques dintgration
dantennes
Sommaire
2.1 Caractrisation des antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.2 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.3 Efficacit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.4 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.1.5 Gain et directivit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2 Etat de lart des antennes intgres . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.1 Antennes imprimes sur PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2.2 Intgration en module ddi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.3 Intgration en modules complets . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.2.5 Avantages et inconvnients des techniques actuelles . . . . . . 33
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
24 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes
2.1.3 Efficacit
Lefficacit est le rapport de la puissance rayonne par lantenne sur la puissance
fournie en entre de lantenne.
On distingue lefficacit rayonne de lefficacit totale. Alors que lefficacit totale
prend en compte les pertes de dsadaptation, lefficacit rayonne dpend unique-
ment de la structure gomtrique de lantenne. Elle est fixe par les dimensions, la
forme, ou encore lpaisseur et la largeur des mtallisations, mais aussi les pertes
dans le substrat dilectrique. Elle reprsente bien un paramtre intrinsque lan-
tenne. Cest cette valeur que nous utiliserons gnralement dans nos travaux afin de
comparer les proprits en efficacit des antennes de manire quitable, sans tenir
compte des problmes dadaptation.
Les logiciels de simulation lectromagntique donnent les valeurs defficacit,
aussi bien totale que rayonne. La mesure sur prototype est plus dlicate. Elle n-
cessite une mesure complte du rayonnement en trois dimensions, puis un traitement
numrique lourd dintgration des rsultats pour dduire lefficacit. Cette opra-
tion peut se faire avec un quipement de mesure tel que la Starlab de Satimo (voir
chapitre 4. Une autre mthode, dite de Wheeler Cap ([Diallo 2007]), consiste
court-circuiter la rsistance de rayonnement en plaant lantenne dans une bote
lectromagntiquement tanche aux dimensions spcifiques. Les relevs de coeffi-
cient de rflexion sont ensuite compars aux relevs en champ libre pour dduire
lefficacit de rayonnement.
Une efficacit rayonne de 50 % est une valeur typiquement acceptable pour des
antennes miniatures.
26 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes
Fig. 2.2 Tlphone portable avec antenne hlicodale protge par un chassis
plastique
Fig. 2.5 Antenne imprime sur un PCB de carte WiFi PCMCIA pour ordinateur
portable
Fig. 2.6 Module antennaire bi-bande intgrant deux structures rayonnantes in-
tgres. Le module est soud sur un PCB de test muni dune ligne dalimentation.
Travaux de Y.D. Kim.
30 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes
Fig. 2.7 Antenne patch intgre dans un module ddi. Travaux de S.H. Wi.
Cette technique nest pourtant pas exempte de contraintes. Bien que le module
soit de dimensions modestes, il ncessite toujours une ouverture dans le plan de
masse et un placement tudi pour viter les perturbations des autres composants.
En outre, ce type de composant a gnralement besoin dun circuit dadaptation pour
se connecter au circuit lectronique. En effet, tant conu sparment de lapplication
finale et de manire globale pour viser le plus grand nombre de poduits, il doit
souvent tre adapt. Lajout des composants indispensables rduit les performances
cause des pertes dnergie quils impliquent.
Fig. 2.8 Module complet WLAN avec antenne patch au dessus des composants
sur une couche spcifique. Travaux de S. Brebels.
Fig. 2.9 Antenne dispose sur deux couches dans un module Bluetooth. Travaux
de D. Seo.
Fig. 2.10 Antenne dispose au dessus des composants sur une couche spcifique.
Travaux de Y. Zhang.
32 Chapitre 2. Techniques dintgration dantennes
Ces solutions sont difficilement industrialisables car elles ncessitent des chanes
de production spciales pour intgrer cette couche spcifique. De plus, les caractris-
tiques lectromagntiques des antennes patchs, qui ncessitent une certaine hauteur
par rapport au plan de masse et une certaine surface de mtallisation, font quil est
difficile de descendre des frquences de fonctionnement infrieures 5 GHz pour
un module de quelques millimtres carrs.
Afin de conclure ce panorama des techniques dintgration dantennes, on peut
citer lintgration sur silicium, directement dans la puce (SoC). Ce degr ultime
dintgration est aujourdhui tudi pour des applications fonctionnant plus de
60 GHz.
2.2.4 Applications
Les antennes imprimes sur PCB sont largement rpandues aujourdhui. On en
trouve dans la plupart des appareils lectroniques grand public du fait de leur faible
cot. Elles quipent par exemple certains tlphones portables, tlphones DECT,
assistants de navigation (GPS), systmes multimdia pour automobiles, tlvisions,
consoles de jeux, set-top box internet, systmes RFID (figure 2.11).
Les solutions dantennes en modules ddis sont plutt utiliss pour quiper les
petits objets communicants o chaque millimtre est important. On pense notam-
ment aux cls USB avec fonctions sans fil (WiFi ou Bluetooth : [Wong 2006a]), aux
petits priphriques informatiques (figure 2.12). On trouve aujourdhui sur le march
plusieurs modules aux applications et dimensions varies (tableau 2.1 et figure 2.13).
Fig. 2.12 Antenne intgre en module ddi soud sur une cl USB WiFi
2.2. Etat de lart des antennes intgres 33
Fig. 2.13 Module antennaire Antenova pour applications dans la bande 2,4
2, 5 GHz
Tab. 2.1 Exemples de produits existants sur le march des modules ddis
Tab. 2.2 Comparaison des techniques dintgration dantennes sur quelques points
cls
2.3 Conclusion
Pour des raisons videntes dintgration, de mobilit et de robustesse, les objets
lectroniques communicants ncessitent des antennes lgres, petites, faible cot.
Les solutions embarques actuellement sont constitues dantennes directement im-
primes sur le PCB, ou de modules antennaires souds sur le circuit. Ils ncessitent
systmatiquement de longues phases de conception et dadaptation. Par ailleurs,
bien que ces antennes soient invisibles pour lutilisateur, on ne peut toujours pas
parler dintgration car elles restent spares du reste du systme et occupent encore
trop despace.
Ltat de lart de la recherche dans le domaine montre que des techniques dint-
gration en modules sont envisageables pour certaines frquences, mais quil nexiste
pas de solution concrte pour des systmes utilisant la bande ISM 2, 4 GHz.
Lobjectif de nos travaux est donc de proposer une solution cette problma-
tique. Nous chercherons particulirement mettre en valeur les phnomnes phy-
siques afin de les matriser et les exploiter. Il est en effet important de proposer une
solution adaptable au maximum de systmes et frquences. Enfin, nous veillerons
proposer un projet viable pour une production industrielle de masse en respectant
les contraintes de fabrication.
Chapitre 3
Sommaire
3.1 Cahier des charges initial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2 Slection dune structure antennaire miniaturisable . . . . . 37
3.3 Miniaturisation par repliements et mandres . . . . . . . . . 39
3.3.1 Repliements en deux dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.2 Repliements en trois dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.3 Influence des paramtres gomtriques de la structure . . . . 41
3.4 Performances simules et rsultats de mesures . . . . . . . . 43
3.4.1 Prototype sur FR4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4.2 Prototype sur LTCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.2.1 Adaptation de la structure aux nouvelles contraintes 44
3.4.2.2 Fabrication dun prototype . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4.2.3 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . 47
3.4.2.4 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.4.2.5 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.4.2.6 Test de rception de signal . . . . . . . . . . . . . . 48
3.5 Techniques damlioration des performances . . . . . . . . . 50
3.5.1 Ajout de fentes sur le plateau de lantenne . . . . . . . . . . . 50
3.5.2 Alimentation capacitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.5.3 Ajout dlments parasites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.1 Principe et optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.3.2 Performances simules et mesures . . . . . . . . . . 52
3.5.3.3 Problme de creux defficacit rayonne . . . . . . . 54
3.5.3.4 Conclusion sur la technique de llment parasite . . 58
3.6 Modlisation par circuits quivalents . . . . . . . . . . . . . . 58
3.7 Amlioration par circuit dadaptation . . . . . . . . . . . . . 60
3.7.1 Ajout dun circuit dadaptation LC (2 cellules) . . . . . . . . 60
3.7.2 Ajout dun circuit dadaptation LC (4 cellules) . . . . . . . . 61
3.7.3 Circuit dadaptation CL (2 cellules) avec composants rels . . 63
3.7.4 Calcul des pertes apportes par les composants . . . . . . . . 64
3.7.5 Utilisation de composants haut coefficient Q . . . . . . . . 66
3.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
36 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Lobjectif dintgrer une antenne dans un module SiP est trop vaste et ne peut
constituer un point de dpart de nos recherches lui tout seul. Il sera atteint par
tapes successives. La premire consiste travailler sur une antenne pour la miniatu-
riser et lintgrer dans un espace limit. Nous utiliserons dans un premier temps un
substrat FR4 qui permet une fabrication rapide et facile de prototypes. Nous porte-
rons ensuite la structure miniaturise sur un substrat LTCC. Les premiers critres
viss en termes de performances devraient permettre dassurer le fonctionnement
dun objet de type WiFi ou Bluetooth. Le cahier des charges suivant numre ces
objectifs atteindre.
dimensions du module AiP sur substrat FR4 : 14 x 10 mm2
espace rserv lantenne sur substrat FR4 : 14 x 2 mm2
dimensions du module AiP sur substrat LTCC : 8 x 8 mm2
espace rserv lantenne sur substrat LTCC : 8 x 2 mm2
bande passante : bande ISM de 2,4 2, 484 GHz (84 MHz soit 3, 4 %)
adaptation : au minimum 6 dB sur la bande passante
efficacit rayonne : > 40 %
3.2. Slection dune structure antennaire miniaturisable 37
Lantenne Hlicodale :
La premire ide pour rduire lencombrement est denrouler les brins du diple
afin de conserver leur longueur tout en occupant moins despace. Cest le principe
de lantenne hlicodale (figure 3.2), qui permet de rduire significativement la lon-
gueur totale dun diple classique tout en conservant au maximum ses performances.
Celles-ci sont dfinies en fonction du diamtre des enroulements et de la distance
entre eux appele galement pas. Il existe galement une version mono-brin issue
de lantenne monople.
Les performances de cette structure peuvent tre amliores par lajout de divers
lments (exemple : lments capacitifs, figure 3.5), ainsi que la cration de fentes
dans le patch afin de crer de nouvelles rsonances ([Ciais 2004]). Ces antennes sont
donc particulirement bien adaptes aux appareils multi-bandes, et ont lavantage
de prsenter un faible cot de fabrication, ce qui explique leur large utilisation
([Su 2006c]).
3.3. Miniaturisation par repliements et mandres 39
Adaptation :
La position du point dalimentation par rapport au court-circuit joue un rle dter-
minant dans ladaptation de lantenne. En effet, limpdance dentre de la structure
varie tout le long du bras de lantenne. Ce phnomne a t vrifi et confirm par
des tudes paramtriques (tableau 3.1). Le paramtre d seul permet lobtention de
ladaptation tout en conservant une structure de lantenne fixe. Ce paramtre na
donc pas dinfluence sur la frquence de rsonance. Le parcours des courants entre
le point de court-circuit et le point dalimentation est plus ou moins long, ce qui
permet de trouver aisment le point dadaptation sans modifier le comportement
frquentiel de lantenne.
42 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Frquence de rsonance :
Par dfinition pour ce type dantenne, la distance totale de parcours des courants
dans le bras rayonnant lt est gale au quart de la longueur donde. Or la frquence
de rsonance dpend de cette longueur donde selon la formule simplifie 3.1 (sans
tenir compte de la permittivit du substrat).
c0 c0
f= = (3.1)
0 4.lt
Avec :
f : frquence de rsonance (Hz)
0 : longueur donde dans le vide (m)
c0 : clrit dans le vide (3.108 m/s)
lt : longueur totale du parcours des courants (m)
paisseur (mm) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Frquence dadaptation (GHz) 2,8 2,7 2,61 2,53 2,48 2,45 2,42 2,36
Bande passante absolue (MHz) 78 68 62 57 54 53 51 48
Bande passante relative (%) 2,8 2,5 2,4 2,3 2,2 2,2 2,1 2,0
Efficacit rayonne :
En partant de lhypothse que plus la surface de mtallisation est importante,
plus lefficacit rayonne est grande (moins de pertes par effet Joule), le paramtre
important doit tre la largeur des pistes lp. Les exprimentations ralises dans ce
sens (tableau 3.3) montrent bien quil est important de conserver des pistes les plus
larges possible pour maintenir une certaine efficacit rayonne.
3.4. Performances simules et rsultats de mesures 43
Longueur 13, 65 mm
Largeur 1, 8 mm
paisseur 0, 5 mm
Largeur des mandres 0, 5 mm
Substrat FR4
Longueur 7, 6 mm
Largeur 1, 85 mm
paisseur 0, 46 mm
Largeur des mandres 0, 38 mm
Substrat LTCC
est constitu de 7 couches de substrat superposes. Les couches contenant les pistes
de lantenne (haut et bas) sont relies entre elles par des vias traversant lpaisseur
du module (figure 3.14).
Fig. 3.15 S11 simul et mesur de la structure de rfrence LTCC et son prototype
La figure 3.15 montre que les performances mesures sont trs proches des r-
sultats de simulation. La bande passante 6 dB est de 80 MHz en mesure sur
le prototype et la frquence dadaptation est conforme la simulation. Mme si
la bande ISM nest pas tout fait couverte, les rsultats semblent suffisants pour
assurer un fonctionnement du module et rpondre au cahier des charges initial.
Protocole de test :
Daprs les performances mesures, le prototype LTCC semble tout fait apte
oprer dans la bande 2, 4 GHz pour des standards de type Bluetooth ou WiFi.
Afin de vrifier cette hypothse, nous avons soumis le prototype un protocole de
test en conditions relles (figure 3.18). Le module AiP, mont sur le PCB de test
3.4. Performances simules et rsultats de mesures 49
Fig. 3.18 Schma du dispositif de test avec le module AiP (a) et une antenne
diple classique (b)
Fig. 3.19 Comparaison de niveau de signal WiFi reu entre le prototype LTCC et
une antenne fouet servant de rfrence
50 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Rsultats :
On constate sur la figure 3.19 que le niveau de signal reu par le module AiP
est lgrement plus faible (5 dB) dans la bande WiFi que celui issu de lantenne
de rfrence. Le rapport signal sur bruit (SNR) est cependant tout fait correct et
suffisant pour tre exploit sans pertes par la partie lectronique du module.
Les premires tentatives de positionnement dun bras parasite sur les cts de
lantenne et au milieu des mandres napportent pas de rsultat exploitable (fi-
gure 3.21). On constate que lintensit des courants est trs faible dans le parasite.
Nous avons donc dcid de placer le court-circuit du bras parasite au plus proche
des points chauds de lantenne, par exemple lalimentation. Cette configuration peut
reprsenter une sorte de deuxime antenne alimente par couplage inductif entre la
languette dalimentation de lantenne principale et la languette de court-circuit de
llment parasite. La longueur totale du parasite dtermine la frquence de rso-
nance. Il devrait donc tre possible de la rgler prcisment pour la rapprocher de la
premire rsonance, avec une longueur ncessaire typique de lordre du quart de la
longueur donde de la frquence dsire. Ainsi, pour ramener la frquence dadapta-
tion environ 2, 5 GHz, il faudrait une longueur de 30 mm, ce qui est difficilement
intgrable dans notre module de 8 mm de ct.
52 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Fig. 3.21 Exemples de structures avec bras parasites. Distribution des courants
lectriques 2, 45 GHz.
Avec une optimisation de tous les paramtres (longueur totale, distance entre
les repliements, lieu du repliement, distance entre parasite et antenne), nous avons
obtenu un couplage optimal des deux rsonances, comme en tmoigne la boucle
sur labaque de Smith (figure 3.22). Les performances en bande passante doublent
quasiment par rapport la structure de rfrence sans parasite pour atteindre une
valeur maximale de 129 MHz 6 dB (5, 3 %).
Les performances peuvent encore tre amliores en augmentant lgrement les
dimensions de la structure. En effet, en utilisant 0, 5 mm de plus selon laxe y, il est
possible de rallonger les mandres de lantenne, de supprimer la longueur superflue
en bout de structure, et dlargir globalement le bras. Toutes ces modifications
3.5. Techniques damlioration des performances 53
Rsultats de mesure :
Afin de vrifier le fonctionnement de cette technique, un prototype a t fabriqu.
Malheureusement, la mesure du S11 (figure 3.24) montre que les deux frquences de
rsonance dues lantenne dune part, et llment parasite dautre part sont trop
loignes pour se coupler. Il ny a donc aucune augmentation de bande passante. Ce
problme sexplique par lextrme sensibilit du phnomne de couplage. En effet,
la simulation montre quune seule variation de 50 m de la distance entre lantenne
et le parasite suffit dcaler les frquences de rsonance et dtruire leffet recherch.
Or ce type de dcalage est difficilement matrisable lors de la phase de fabrication.
54 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Fig. 3.26 S11 et efficacit rayonne simuls. Creux defficacit rayonne sur la
premire rsonance.
56 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Fig. 3.27 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans plan de masse sous
llment parasite. Dcouplage des rsonances et creux defficacit rayonne.
On remarque sur la figure 3.28 que dans cette configuration, lintensit des cou-
rants est plus forte dans le parasite que dans lantenne, ce qui explique les pertes
et la faible efficacit rayonne obtenue. Le retrait du plan de masse sous llment
parasite a donc visiblement chang son mode de fonctionnement. Il nest plus pos-
sible dobtenir de couplage satisfaisant en agissant sur la longueur des bras ou leur
distance.
Fig. 3.29 S11 et efficacit rayonne simuls de la structure sans repliement sous
llment parasite
58 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
C = 0, 7 pF
R1 = 3, 35
Le modle de Boyle utilis ici permet dobtenir une bonne concordance avec
les simulations HFSS (figure 3.31). On constate que ce modle reste valable pour
toutes les configurations dantennes que nous avons utilises. Dune manire gn-
rale, il est applicable la plupart des structures IFA et PIFA. Les lgres diffrences,
notamment en phase, entre le modle circuit et la simulation HFSS pourraient tre
compenses par une modlisation plus fidle en ajoutant quelques composants au
circuit. Cependant, la concordance tant suffisamment bonne, il nest pas indispen-
sable de rendre la structure plus complexe.
nRC
ln(S11 ) = (3.4)
n1
ln(S11 )
n= (3.5)
ln(S11 ) + RC
Tab. 3.7 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans un
circuit LC 2 cellules
Fig. 3.33 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules dadap-
tation LC (exemple pour La2 = 11, 25 nH ; Ca2 = 0, 8 pF ; La1 = 8 nH ;
Ca1 = 0, 15 pF)
Tab. 3.8 Variation de bande passante en fontion des composants utiliss dans un
circuit LC 4 cellules
Fig. 3.35 Comparaison avec (courbe bleue) et sans (courbe rouge) cellules dadap-
tation LC
Mount Technology) rels dun fabricant (Murata). Il sagit dune tape intermdiaire
pour dmontrer la faisabilit raliser des tests sur prototypes avant lintgration
finale des composants directement dans le module, en technologie LTCC.
Tab. 3.9 Variation de bande passante en fontion des composants rels utiliss dans
un circuit CL 2 cellules
Fig. 3.37 Exemple de rsultat obtenu. Comparaison avec (courbe bleue) et sans
(courbe rouge) cellules dadaptation CL.
64 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Fig. 3.38 Circuit dadaptation deux cellules et port spcial prsentant limpdance
de lantenne
Fig. 3.39 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)
Fig. 3.40 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)
Sur la bande passante largie grce au circuit dadaptation (317 MHz), lefficacit
totale est toujours suprieure 30 %. Or elle tait au moins de 60 % sur la bande
passante de lantenne dorigine (148 MHz) (figure 3.43). Ainsi, bien que la bande
passante soit effectivement amliore, lefficacit totale est trs affaiblie, fortiori
aux extrmits de bande, l o elle a t largie. Cette chute defficacit est uni-
quement due au circuit dadaptation. En effet, les autres composantes de lefficacit
totale (pertes de dsadaptation et efficacit rayonne) sont fixes par la structure
antennaire. Les pertes apportes par ces composants sont donc trop importantes et
pnalisent largement lefficacit totale.
Fig. 3.44 Circuit dadaptation deux cellules avec composants Murata HQ 0402,
srie LQW15, Q>100
3.7. Amlioration par circuit dadaptation 67
Fig. 3.45 Antenne seule (courbe rouge) et avec circuit dadaptation (courbe bleue)
Fig. 3.47 Efficacit totale en pourcentage avec (courbe bleue) et sans (courbe
rouge) les composants HQ
68 Chapitre 3. Structure mandre en trois dimensions
Cette tude montre clairement que les composants standards apportent trop de
pertes (plus de 2, 5 dB dans tous les cas). Le circuit dadaptation perd donc tout
son intrt. La solution propose consiste utiliser des composants fort coefficient
de qualit (Q>100). Les pertes sont largement rduites. Lefficacit totale maximale
est plus faible que celle dorigine sans circuit dadaptation, mais reste acceptable.
Elle est de plus quasiment constante sur toute la bande passante.
Une autre solution damlioration pourrait tre intressante dans ce type dap-
plication : le changement de topologie du circuit dadaptation. En effet, bien que la
topologie LC (ou CL) permette de calculer des valeurs thoriques limites, elle nest
pas forcment la seule optimale pour un rseau dadaptation. De nombreuses autres
configurations sont envisageables. On pense notamment aux circuits en PI ou encore
aux circuits en T contenant trois composants.
3.8 Conclusion
Suite une tude complte de ltat de lart des structures dantennes, la forme
IFA a t retenue. Ses caractristiques et ses qualits en font une candidate intres-
sante pour rpondre aux besoins de miniaturisation et dintgration en module SiP.
Elle est en effet aisment adaptable par de simples modifications gomtriques telles
que la distance entre lalimentation et le retour la masse, ou encore la longueur
totale de la structure. Elle dispose surtout dun bras rayonnant dont la forme peut
tre modifie afin de rduire lencombrement global. Nous avons slectionn une dis-
position en mandres en trois dimensions qui exploite les surfaces offertes par les
empilements de couches du substrat pour optimiser la miniaturisation.
Plusieurs simulations et tudes paramtriques ont permis de matriser cette an-
tenne et de la rduire aux dimensions fixes par le cahier des charges. Les premiers
rsultats de mesure ont confirm les espoirs, avec des prototypes capables de rem-
placer des antennes beaucoup plus grandes pour oprer dans la bande 2, 4 GHz.
Toutefois, ces rsultats ont t obtenus dans des conditions spcifiques, sur un
support de tests aux dimensions fixes. Or ces antennes intgres en modules sont des-
tines quiper de multiples appareils aux dimensions varies, aux plans de masse
diffrents, dans des conditions changeantes. De plus, elles seront produites de faon
industrielle et doivent tenir compte des tolrances de fabrication. Toutes ces condi-
tions impliquent des variations sur les paramtres sensibles que sont notamment
la bande passante et lefficacit des antennes. Afin dassurer le respect du cahier
des charges dans toutes les conditions, il est indispensable de prvoir des marges
importantes sur ces paramtres.
Plusieurs techniques connues damlioration des performances ont t appliques
sur la structure antennaire. Les deux premires, qui consistent utiliser des fentes
ou une alimentation capacitive se rvlent difficilement applicables du fait de la trs
faible paisseur de la structure en module. La troisime investigation a montr des
rsultats de simulation encourageants. Lide est dutiliser un lment parasite form
par une structure mtallique proche de lantenne pour crer une seconde rsonance
3.8. Conclusion 69
proche des 2, 4 GHz. En couplant les deux rsonances, la bande passante globale est
double. Cependant, les mesures sur protoype ont mis en vidence un phnomne
de creux defficacit d la faible hauteur de la cavit cre entre le parasite et
le plan de masse. Malgr plusieurs tudes paramtriques, ce phnomne na pas pu
tre matris dans un espace aussi confin. Les solutions damlioration par ajouts
dlments sur la structure de lantenne nont donc pas permis de rpondre au besoin
damlioration des performances.
Nous avons ensuite tudi la structure par une approche circuit. Aprs avoir
affin une modlisation de Boyle, plusieurs circuits bass sur des composants passifs
de type capacits et inductances ont t placs en amont du modle. Lobjectif
est damliorer la bande passante grce lutilisation dun circuit dadaptation. Les
rsultats ont mis en valeur une importante augmentation de la bande passante, mais
des pertes trop importantes defficacit certaines frquences. Seule lutilisation de
composants haut coefficient de qualit permet de limiter ces pertes et de proposer
une solution convaincante. Cette technique est donc intressante et remplit bien son
objectif. Toutefois, elle nest pas la plus approprie dans loptique dune production
industrielle, de la matrise des cots et de la miniaturisation.
Pour rpondre ces problmatiques damlioration des performances, dautres
solutions doivent donc tre proposes.
Chapitre 4
Amliorations et nouvelles
structures
Sommaire
4.1 Influence des dimensions de lantenne . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.1 Nouveau cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.1.2 largissement de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.1.3 Panel de structures de rfrence . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.2 Description de nouvelles gomtries . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.1 Forme 1 : mandres progressifs . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2.2 Forme 2 : largissement progressif du bras rayonnant . . . . . 79
4.2.3 Etude paramtrique sur lvolution de la largeur du bras . . . 80
4.2.4 Forme 3 : loignement progressif du bras rayonnant . . . . . . 81
4.3 Modification structurelle de lantenne IFA . . . . . . . . . . 82
4.3.1 Nouvelles structures tirant parti de cette technique . . . . . . 82
4.3.2 Bilan des nouvelles structures antennaires . . . . . . . . . . . 86
4.4 Analyse des paramtres des antennes . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.1 Influence de la taille du plan de masse . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.2 Impact des tolrances de fabrication . . . . . . . . . . . . . . 90
4.4.3 Influence de lenvironnement de lextrmit dantenne . . . . 91
4.4.4 tude comportementale selon lorientation des mandres . . . 91
4.5 Rsultats de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.5.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 94
4.5.2 Gain et rayonnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.5.3 Efficacit rayonne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
72 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Configuration 1 :
Dans cette configuration (figure 4.1), les dimensions totales du module AiP ne sont
pas modifies (8 x 8 mm2 ). Seule la zone rserve lantenne est agrandie, passant de
2 mm 3 mm selon laxe y. Les bras sont donc plus longs sur cet axe, ce qui rallonge le
trajet des courants. La simulation confirme lhypothse de rduction de la frquence
de rsonance (figure 4.2). Il est donc possible de supprimer compltement le dernier
mandre de lantenne pour remonter 2, 5 GHz. La place laisse vacante est comble
par llargissement des pistes mtalliques de la structure, dans le but damliorer
lefficacit rayonne. Celle-ci passe de 21 % 40 %. La bande passante est galement
lgrement amliore. Elle atteint 84 MHz au lieu de 80 MHz (tableau 4.1).
Configuration 2 :
Suite aux bons rsultats obtenus en agrandissant lantenne, une tude param-
trique a t ralise pour trouver la taille maximale de lantenne selon laxe y. Sur
cette configuration (figure 4.3), nous tudions galement leffet de lagrandissement
de lencoche des plans de masse du PCB. Ces lments ntant pas infinis, ils par-
ticipent au rayonnement, et peuvent perturber lantenne du fait de leur proximit
en certains points. Les rsultats confirment les observations prcdentes (figure 4.4).
Lagrandissement global de lantenne permet damliorer son efficacit rayonne et
sa bande passante. Lencoche largie participe lamlioration de lefficacit rayon-
ne (tableau 4.2). Nous avons atteint ici les limites de la structure avec cette taille
de module (8 x 8 mm2 ). En agrandissant encore la taille de lantenne selon laxe y
sans toucher laxe x et sans augmenter la taille totale du module, les performances
se dgradent rapidement. Ce phnomne peut sexpliquer par la rduction trop im-
portante du plan de masse, notamment lorsque sa dimension selon laxe y devient
infrieure 4 mm.
Configuration 3 :
Une autre faon dagrandir lantenne est de modifier les dimensions totales du
module selon laxe x uniquement (figure 4.5). Avec un AiP de 10 x 8 mm2 , lantenne
peut stendre sur 2 mm de plus selon laxe x. Il suffit alors dutiliser les mthodes
dcrites dans la configuration 1 pour rgler la frquence et largir au maximum
les pistes mtalliques. Llargissement de lencoche du PCB est conserv puisquil
amliore les rsultats. L encore, la bande passante est largie et lefficacit rayonne
amliore (figure 4.6). La technique dagrandissement de lantenne est donc efficace
(tableau 4.3). Elle permet par ailleurs de rduire la sensibilit aux variations de
fabrication (les pistes plus larges sont moins sensibles des variations typiques de
quelques microns). Le principal inconvnient est la rduction de lespace disponible
pour les composants internes dans le module.
Configuration 4 :
En augmentant encore les dimensions selon laxe x (figure 4.7), on constate bien
que la rgle damlioration des performances par augmentation des dimensions est
l encore confirme, avec une bande passante largie et une efficacit rayonne su-
prieure 50 % sur toute la bande (figure 4.8 et tableau 4.4).
Toujours dans loptique de rduire les pertes par effet Joule, il est possible dajou-
ter des vias de connexion grce lagrandissement des surfaces mtalliques en vis
vis. En effet, la distance minimale entre deux vias est impose par le processus de
fabrication. Avec des largeurs de pistes de lordre de 0, 4 mm, seuls deux vias peuvent
tre placs cte cte. En agrandissant les surfaces connecter, par exemple avec
0, 6 mm de ct, il devient possible de placer quatre vias chaque changement de
couche du mandre. Cette mthode a t teste sur les structures prcdentes et
montre dans tous les cas une lgre amlioration defficacit rayonne. Le phno-
mne est tout de mme nettement moins flagrant que lors de llargissement des
78 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
pistes mtalliques. Cette diffrence peut sexpliquer par la faible distance parcourue
par les courants dans les vias par rapport la distance totale.
Dune manire gnrale, nous avons bien prouv que laugmentation des dimen-
sions, de la largeur des pistes et lajout de vias ont un impact positif sur les per-
formances en bande passante et efficacit rayonne de lantenne, comme prvu par
la thorie. Toutefois, ces techniques montrent rapidement leurs limites dans notre
projet o chaque millimtre carr est important. Elles ne vont pas dans le sens de la
miniaturisation. Il est donc ncessaire de trouver dautres solutions pour amliorer
les performances.
Lide ici (figure 4.11) est dlargir les mandres au fur et mesure afin doffrir
un dernier bras trs large tout en rduisant les dimensions globales de la structure.
On constate que les performances sont amliores, tant en bande passante quen effi-
cacit rayonne par rapport la structure de rfrence de taille identique (figure 4.12
et tableau 4.7).
Structure 1 2 3 4 5
Largeur en dbut de bras (mm) 1,8 1,4 1,1 0,9 0,6
Largeur en fin de bras (mm) 0,6 0,9 1,1 1,4 1,8
S11 minimum (dB) -19 -18 -27 -14 -21
Bande passante absolue (MHz) 87 96 104 116 125
Bande passante relative (%) 3,6 3,9 4,2 4,7 5,1
Efficacit rayonne (%) 46 48 50 53 54
vit ([Ciais 2004]). Une cavit simple forme par un patch demi-onde comporte deux
bords rayonnants. Laugmentation de la taille de ces bords rayonnants, en jouant
notamment sur la largeur du patch, amliore les performances globales de lantenne.
Dans le cas de notre antenne IFA de type quart donde, un seul bord est rayon-
nant. Il sagit du ct circuit ouvert (open ended ) du bras principal de la structure.
Lautre ct de lantenne est court-circuit. Ainsi, en augmentant la largeur du bras
rayonnant ct circuit ouvert (en bout dantenne), on agrandit le bord rayonnant,
ce qui amliore les performances en bande passante et efficacit rayonne.
Les rsultats (figure 4.15 et tableau 4.10) valident la nouvelle technique puisque
les performances en bande passante nen souffent pas, et sont mme amliores
pour un encombrement total identique. Cependant, lefficacit rayonne nest pas
amliore dans cette configuration. Ce phnomne montre que le repliement sur une
ou plusieurs couches du bras rayonnant na pas dimpact majeur sur ce paramtre.
Les rsultats de simulation (figure 4.17 et tableau 4.12) sont rvlateurs dune
nette amlioration de la bande passante de lantenne, sans dgrader lefficacit de
rayonnement. Ces bonnes performances sexpliquent par lloignement maximal de
lextrmit du bras rayonnant (ct open ended ) par rapport au plan de masse.
Par analogie avec la mthode de la cavit ([Ciais 2004]), cette structure loigne
au maximum le bord rayonnant du plan de masse, ce qui provoque lamlioration
des performances. Par ailleurs, cet aspect est renforc par les repliements interm-
diaires qui isolent encore plus lextrmit dantenne du plan de masse. Cette forme
4.3. Modification structurelle de lantenne IFA 85
gomtrique est la plus optimale pour exploiter au mieux ces phnomnes lectro-
magntiques. Elle est donc particulirement adapte pour notre objectif. La bande
passante ncessaire pour les applications de type Bluetooth ou WiFi est dailleurs
largement couverte sur cet exemple.
Avec 135 MHz centrs 2, 4 GHz, la bande passante relative atteint 5, 6 % (fi-
gure 4.18 et tableau 4.13). Cette valeur est quasiment double par rapport lan-
tenne dorigine (bande passante relative de 3 %). La bande ISM est entirement cou-
verte avec des marges confortables de part et dautre. Le niveau de performances
atteint pour un faible encombrement de 8 x 2 mm2 est trs intressant pour rpondre
aux besoins dintgration en module.
86 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Fig. 4.19 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction de
lencombrement de lantenne
Fig. 4.20 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans le
meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne
4.4. Analyse des paramtres des antennes 87
Ces rsultats confirment clairement la rgle observe depuis le dbut des travaux.
Plus lantenne est miniaturise, plus ses performances se rduisent. Ces graphiques
permettent dtablir une loi afin de connatre rapidement les performances attei-
gnables en fonction du volume accord lantenne.
Fig. 4.21 Module AiP sur PCB de format cl usb standard (15 x 28 mm2 )
Fig. 4.22 Module AiP sur PCB de format tlphone portable (40 x 80 mm2 )
Fig. 4.23 Coefficient de rflexion de la forme 4 sur plan de masse de type cl usb
(en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation ADS)
Fig. 4.24 Coefficient de rflexion de la forme 6 rduite sur plan de masse de type
cl usb (en bleu) et tlphone portable (en rouge) (simulation ADS)
4.4. Analyse des paramtres des antennes 89
Tab. 4.14 Rsultats de simulation ADS des formes 4 et 6 rduite sur diffrents
types de plans de masse
Fig. 4.25 Bande passante relative obtenue dans le meilleur des cas en fonction de
lencombrement de lantenne pour deux tailles de plans de masse
Afin de saffranchir de ces effets et assurer le fonctionnement dans tous les cas de
figure, il est donc indispensable de choisir des structures offrant une bande passante
plus large que la bande requise par lapplication. Dans le cas de la bande ISM, nous
avons tabli que la bande passante relative minimale atteindre est de 5, 5 % au
lieu des 3, 4 % requis (84 MHz 2, 44 GHz). On remarque qu partir dun volume de
8 mm3 , toutes les structures satisfont ce critre. Les antennes plus petites peuvent
toujours tre utilises pour des applications ncessitant une partie seulement de la
bande ISM.
90 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Fig. 4.26 Efficacit rayonne minimum dans la bande passante obtenue dans le
meilleur des cas en fonction de lencombrement de lantenne pour deux tailles de
plans de masse
Forme 5 Forme 6
Variations de fabrication -5 % 0 +5 % -5 % 0 +5 %
Frquence de rsonance (GHz) 2,43 2,41 2,40 2,46 2,43 2,41
S11 minimum (dB) -15 -14 -14 -15 -12 -14
Bande passante absolue (MHz) 123 124 127 216 220 221
Bande passante relative (%) 5,1 5,1 5,3 8,8 9,0 9,2
Efficacit rayonne (%) 43 46 47 48 50 51
Tab. 4.15 Rsultats de simulation ADS des formes 5 et 6 pour les cas extrmes
de tolrances de fabrication
Daprs cette tude, les tolrances de fabrication ne sont pas trs pnalisantes
pour les performances des modules. Dans les cas extrmes, la bande passante relative
varie au pire de +/-0,2 points. Leffet est donc trs faible par rapport aux variations
4.4. Analyse des paramtres des antennes 91
Forme 1 Forme 3
Distance extrmit - PDM (mm) 1,5 3 0,2 3,2 2 1
Frquence de rsonance (GHz) 2,72 2,64 2,56 2,46 2,4 2,36
S11 minimum (dB) -17 -18 -15 -37 -28 -30
Bande passante absolue (MHz) 158 150 143 132 125 119
Bande passante relative (%) 5,8 5,7 5,6 5,4 5,2 5,0
Efficacit rayonne (%) 71 70 68 49 46 44
Les meilleures performances pour une forme donne sont toujours obtenues
lorsque le bras rayonnant se termine vers lextrieur du module au lieu de lint-
rieur (ct plan de masse). La zone dextrmit dantenne est manifestement la plus
importante pour le rayonnement, la bande passante et lefficacit rayonne de la
structure. Ce ct circuit ouvert est le principal point de rayonnement des courants.
Le fait de lloigner au maximum du plan de masse permet de limiter les courants
de retour et les pertes. La mme tude tendue aux autres structures antennaires
confirme ces rsultats.
cette proximit provoque des pertes. Sur la forme mandres horizontaux (replis
selon laxe x), le bras rayonnant est en vis--vis du plan de masse sur ses premiers
millimtres seulement (7, 6 mm pour lantenne modlise prcdemment). Tout le
reste de la structure rayonnante est loign du plan de masse. Les courants de
retour y sont donc moins forts, ce qui rduit considrablement les pertes.
Comme nous lavons voqu en traitant de limportance du positionnement de
lextrmit dantenne, la partie la plus importante pour le rayonnement et la bande
passante se situe au bout de lantenne. Logiquement, cest donc bien la forme
mandres horizontaux qui permet disoler au maximum cette zone du plan de masse.
Le maximum dnergie est alors rayonne. Tous les rsultats confirment cette thorie
et expliquent les diffrences de comportement entre les deux familles dantennes.
Fig. 4.29 Photographie dun prototype soud sur un PCB de type cl USB
94 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Fig. 4.30 Photographie de plusieurs prototypes souds sur deux types de PCB
Antenne num. 2 4 6 7 9
Taille (mm2 ) 8x4 8x3 8x2 8 x 1,5 8 x 3,5
Format de pcb usb tl usb tl usb tl usb tl usb tl
Fr (GHz) 2,64 2,59 2,55 2,53 2,51 2,49 2,49 2,49 2,5 2,47
S11 min (dB) -20 -14 -42 -15 -37 -18 -32 -20 -18 -12
BP abs (MHz) 197 257 138 194 134 181 121 170 119 145
BP rel (%) 7,5 9,9 5,4 7,7 5,3 7,3 4,8 6,8 4,7 5,9
Tab. 4.17 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes sur deux tailles de
pcb (format cl usb et tlphone portable)
Le tableau 4.17 compare les rsultats obtenus pour certaines antennes sur les
deux formats de PCB. On remarque que les phnomnes de dcalage en frquence
en fonction de la taille du PCB mis en vidence lors des simulations se confirment.
La variation de bande passante relative reste toutefois assez contenue (-2,4 points
dans le cas le plus dfavorable). La figure 4.32 illustre parfaitement ce phnomne.
La frquence de rsonance varie clairement, mais la bande passante relative reste
comparable. Elle est suffisamment large ici pour couvrir dans les deux cas une bande
minimale de 6, 6 %. Cette antenne pourrait donc convenir aux applications exploitant
la bande ISM. Il suffirait daffiner loptimisation de sa frquence de rsonance pour
la rapprocher de 2, 45 GHz.
Fig. 4.32 Coefficients de rflexion mesurs sur deux types de PCB pour lantenne 2
Dune manire gnrale, tous les prototypes tests atteignent une bande passante
relative dau moins 4 %. Ils pourraient donc tous tre utiliss pour des applications
en bande ISM de type WiFi ou Bluetooth sous rserve que la structure antennaire
puisse tre optimise pour avoir une frquence centrale 2, 45 GHz.
96 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Fig. 4.33 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 2
Fig. 4.34 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 7
4.5. Rsultats de mesures 97
Fig. 4.35 Gain total (dBi) mesur sur deux types de PCB (en bleu : cl usb, en
rouge : tlphone) pour lantenne 9
Fig. 4.36 Antenne sur pcb de type cl usb en mesure dans la Starlab
Antenne num. 2 4 6 7 9
Taille (mm2 ) 8x4 8x3 8x2 8 x 1,5 8 x 3,5
Format de pcb usb tl usb tl usb tl usb tl usb tl
Eff totale min (%) 50 47 42 40 38 36 32 30 35 34
Tab. 4.18 Efficacit totale minimum mesure dans la bande passante sur les pro-
totypes sur deux tailles de pcb (format cl usb et tlphone portable)
On constate sur les rsultats de mesure (figures 4.37 et 4.38, et tableau 4.18)
que lefficacit totale minimale dans la bande passante se situe pour la plupart des
modules plus de 35 %. Comme nous lavons voqu prcdemment, ce paramtre
est difficilement matrisable. Sa valeur dcoule la fois de la structure de lantenne
et de la surface de mtallisation. Pour lamliorer, il faut gnralement agrandir
lantenne. Dans notre optique de miniaturisation et dintgration, nous estimons que
la valeur releve ici de 35 % est un bon compromis entre performance nergtique et
encombrement. Cette valeur est sensiblement identique la majorit des solutions
dantennes intgres actuelles.
4.6 Conclusion
Afin damliorer les performances en bande passante et en efficacit du prototype
AiP, plusieurs tudes focalises sur lantenne elle-mme ont t ralises dans ce cha-
pitre. Lobjectif est de proposer des solutions de structures antennaires adaptables
la plus grande varit possible dobjets communicants.
Le premier champ dinvestigation a port sur les dimensions de lantenne. En
relevant les valeurs limitant lencombrement, nous avons dmontr limpact impor-
100 Chapitre 4. Amliorations et nouvelles structures
Sommaire
5.1 Description du module et des composants . . . . . . . . . . 102
5.1.1 Choix du substrat et cahier des charges . . . . . . . . . . . . 102
5.1.2 Architecture et schma du module . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.2 tude paramtrique et performances simules . . . . . . . . 104
5.2.1 Coefficient de rflexion et bande passante . . . . . . . . . . . 104
5.2.2 Distribution des courants et diagramme de rayonnement . . . 105
5.3 Tests sur prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.1 Description des prototypes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.3.2 Caractrisation de lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.1 Coefficient de rflexion . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.3.2.2 Diagramme de rayonnement . . . . . . . . . . . . . 109
5.3.3 Mesure dEiRP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
5.3.4 Performances du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
102 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
fin de rpondre au besoin exprim par ses clients sur la miniaturisation dan-
A tenne, la socit Insight SiP a men plusieurs travaux de recherche et dvelop-
pement sur les modules AiP utilisant un substrat lamin de type FR4. Lexprience
accumule dans ce domaine a permis non seulement de proposer ses clients des solu-
tions dantennes intgres aux modules, mais aussi de mettre sur le march plusieurs
modules communicants dans la bande ISM utilisant le concept AIP ([Ciais 2010]).
Ltude de diffrents types dantennes LTCC a permis daboutir des perfor-
mances amliores. Comme expliqu dans le chapitre 4, certaines structures pr-
sentent des caractristiques intressantes pour tre candidates une application de
modules communicants sur substrat LTCC.
Faute de temps, et en raison du cot trs lev des prototypes LTCC, laspect
applicatif a t abord en suivant de prs le dveloppement dun module AIP sur la-
min. Le but tait de comprendre la mthodologie applique par lquipe R&D dIn-
sight SiP dans les diffrentes phases de ralisation des produits AIP, afin dtre ca-
pable dappliquer cette mthodologie aux antennes LTCC. Ainsi nous allons prsen-
ter en dtail un exemple de miniaturisation et dintgration dune solution 2, 4 GHz
dun fabricant de chip (Nordic semiconductor).
Fig. 5.1 Solution de rfrence compose dune grande antenne et dun partie
lectronique. Vue de dessus (a) et vue de dessous (b).
Fig. 5.2 Pads de connexion du module QFN. Les pads 1, 2, 21, 22, 23, 24, 25 et
26 se situent sous lantenne.
Trois cas ont donc t tudis pour cette antenne (figure 5.3) :
PCB de type cl usb : 29 x 15 mm2
PCB de type tlphone portable config 1 : 100 x 40 mm2 , module sur bord
court du plan de masse
PCB de type tlphone portable config 2 : 100 x 40 mm2 , module sur bord
long du plan de masse
5.2. tude paramtrique et performances simules 105
garantissent une bonne efficacit rayonne. Le tableau 5.1 confirme cette hypothse.
Lefficacit de rayonnement est suprieure 40 % dans plusieurs configurations.
Tab. 5.1 Efficacit totale minimum et gain total simuls dans la bande passante
pour les trois formats de pcb
Fig. 5.6 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test de
type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 107
Fig. 5.7 Module contenant uniquement lantenne, soud sur un PCB de test de
type tlphone portable
Fig. 5.8 Module contenant uniquement la partie lectronique, soud sur un PCB
de test
Fig. 5.9 Module complet, soud sur un PCB de test de type cl USB
108 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
Fig. 5.12 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB
110 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
Fig. 5.13 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB
Fig. 5.14 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 111
Fig. 5.15 Gain total (dBi) dans le plan yz mesur sur le PCB de type tlphone
portable
Fig. 5.16 Gain total (dBi) dans le plan xz mesur sur le PCB de type tlphone
portable
112 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
Fig. 5.17 Gain total (dBi) dans le plan xy mesur sur le PCB de type tlphone
portable
EiRP = Pt Lc + Ga (5.1)
Avec :
Pt : puissance transmise lantenne dmission (dBm)
Lc : pertes dans les cbles (dB)
Ga : gain de lantenne (dBi)
Pour cela, nous avons mis au point un protocole de tests base danalyseur de
spectre afin de relever la puissance reue en chambre anchode par une antenne
calibre. LEiRP est ensuite calcule partir de ces valeurs en utilisant la formule
de Friis (5.2).
Pr 2
= Gr Gt ( ) (5.2)
Pt 4R
5.3. Tests sur prototypes 113
Avec :
Pr : puissance reue par lantenne de rception (W)
Pt : puissance transmise lantenne dmission (module AiP) (W)
Gr : gain linaire de lantenne de rception
Gt : gain linaire de lantenne dmission (module AiP)
R : distance entre les antennes (m)
Fig. 5.18 EiRP (dBm) dans le plan yz mesur sur le PCB de type cl USB
114 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
Fig. 5.19 EiRP (dBm) dans le plan xz mesur sur le PCB de type cl USB
Fig. 5.20 EiRP (dBm) dans le plan xy mesur sur le PCB de type cl USB
5.3. Tests sur prototypes 115
Les rsultats (figures 5.18, 5.19 et 5.20) montrent que lEiRP maximum est su-
prieur 2 dBm. Les mmes mesures ont t effectues aux premires frquences
harmoniques du systme afin de vrifier le niveau des ventuelles fuites de rayon-
nement. Elles doivent en effet tre suffisamment attnues pour ne pas perturber
dautres appareils. Les normes internationales fixent des limites ne pas dpasser
(ETSI : 30 dBm, FCC : 27 dBm). LEiRP des frquences suivantes a donc t
mesure :
frquence de travail du module : 2, 45 GHz
harmonique de rang 2 : 4, 9 GHz (2, 45 GHz x 2)
harmonique de rang 3 : 7, 35 GHz (2, 45 GHz x 3)
harmonique de rang 4 : 9, 8 GHz (2, 45 GHz x 4)
Le cas le plus dfavorable est relev sur lharmonique de rang 2 44, 4 dBm. Les
normes sont donc respectes dans tous les cas. En outre, nous avons mesur la fuite
de loscillateur local, typiquement la frquence fLO (5.3).
8
fLO = (2, 45 GHz + 2 MHz) = 2, 8 GHz (5.3)
7
LEiRP maximum mesur cette frquence slve 36, 9 dBm. Elle est donc
suffisamment filtre pour viter les perturbations.
Le tableau 5.2 rassemble les diffrents rsultats de mesure raliss sur les pro-
totypes. Les mesures de gain, de bande passante et de coefficient de rflexion ont
t ralises sur le prototype contenant uniquement lantenne. Les autres mesures
concernent le module AiP complet. Toutes les caractristiques sont meilleures que
les exigences du cahier des charges. On note galement que la porte (comprise entre
11 et 60 mtres) est plus importante que celle obtenue avec le circuit de rfrence
(environ 10 mtres).
Tab. 5.2 Rcapitulatif des performances relles mesures sur le module AiP
116 Chapitre 5. Intgration en module SiP complet
5.4 Conclusion
Le module conu et fabriqu (figure 5.21) valide les travaux de recherche me-
ns sur la miniaturisation et lintgration dune antenne dans un module de type
System in Package. Grce lutilisation de plusieurs techniques innovantes et des
tudes approfondies sur les structures dantennes, la miniaturisation a pu tre matri-
se sans sacrifier les performances radiolectriques de lantenne. Ce module atteint
de meilleurs rsultats que le circuit de rfrence qui est plus de quatre fois plus
encombrant (figure 5.22).
donc parfaitement les objectifs fixs dans le cahier des charges et offre une solu-
tion tout-en-un particulirement facile exploiter par les concepteurs dappareils
lectroniques pour apporter les fonctionnalits sans fil leurs produits.
Une autre manire dagir sur les performances est de modifier directement la
structure de lantenne. La forme de rfrence a dabord t modifie en augmentant
ses dimensions et la largeur de ses pistes. Les tudes paramtriques ont mis en vi-
dence une amlioration de la bande passante et de lefficacit rayonne lorsque le
bout du bras rayonnant est largi. Ce comportement a t tudi plus prcisment et
expliqu par la mthode de la cavit. En outre, une modification structurelle inspire
dun brevet de la socit a permis damliorer la fois la miniaturisation et les rsul-
tats. La combinaison de tous ces facteurs a permis de concevoir un panel complet de
structures amliores. La seconde srie de prototypes a confirm lamlioration des
performances. Ce critre est primordial pour des modules qui sont destins tre
utiliss sur tout type de support pour quiper des objets communicants de dimen-
sions varies. Les marges obtenues au niveau de la bande passante par rapport aux
exigences strictes des standards permettent dassurer le fonctionnement du module
malgr les dcalages frquentiels causs par ces varits de conditions dutilisation.
Lensemble des rsultats obtenus au cours de ces travaux constituent une avan-
ce intressante dans le domaine de lintgration dantennes en module SiP. Les
meilleures structures offrent suffisamment de performances pour garantir leur utilisa-
tion dans une grande majorit des objets communicants oprant dans la bande ISM
2, 4 GHz. Lexplication des phnomnes radiolectriques caractrisant leur compor-
tement devrait permettre dadapter facilement ces structures dautres frquences
pour largir le champ des applications potentielles. Nous avons galement dmontr
que cette solution peut tre utilise sur les deux principaux types de modules SiP,
savoir LTCC et lamin FR4.
Nous avons galement veill tout au long du projet respecter les contraintes
techniques afin de disposer dune solution viable industriellement. Nos structures
antennaires, les pistes et les composants enfouis du module sont raliss en une seule
phase. Aucune tape supplmentaire nest requise, ce qui rduit considrablement
les cots et dlais de fabrication. Ainsi, il est prouv que lintgration dune antenne
dans un module RF complet, aussi difficile soit-elle, est possible non seulement
scientifiquement, mais aussi et surtout au niveau industriel en production de masse.
Systmes multi-antennes
Les rsultats obtenus sur le projet AiP montrent dune manire gnrale que
lamlioration des performances (bande passante, efficacit, rayonnement) passe par
lagrandissement des dimensions ou lutilisation de modifications structurelles de
lantenne. Mme si, dans le cas de llment parasite, les pistes de lantenne ne sont
pas forcment largies, cest le parasite lui-mme qui augmente lencombrement
global. Partant de ce constat, nous pourrions raisonnablement envisager un lger
122 Perspectives
compromis sur les dimensions, et placer deux relles antennes (actives toutes les
deux) dans le module. Avec des frquences lgrement dcales, elles pourraient se
coupler pour obtenir un comportement large bande. Comme pour llment parasite,
il faudra matriser les phnomnes de couplage et les techniques dalimentation,
ainsi que les circuits dadaptation. Les travaux dA. Diallo (deux antennes proches
frquences spares : [Diallo 2007]) et K. Ryu (deux antennes proches rsonances
couples : [Ryu 2008]) pourraient donner un bon point de dpart ces investigations.
Systmes multi-bandes
Afin de couvrir lensemble des besoins des systmes sans-fil, il serait intressant
de disposer de solutins AiP multi-bandes. Pour parvenir cet objectif, plusieurs axes
de recherche sont envisageables, tels que lutilisation dune seconde antenne active,
lutilisation dun lment parasite ou encore lajout de bras rayonnants lantenne.
Annexe A
IE3D
IE3D, dvelopp par Zeland Software, est un logiciel de simulation lectromagn-
tique de type 2,5D. Il permet de modliser des circuits haute frquence et utilise la
superposition de couches pour simuler la troisime dimension. Particulirement uti-
lis pour la simulation des antennes, composants RFID, MMIC et Circuits Intgrs,
il utilise la mthode des moments (MoM).
Ce logiciel a t utilis au dbut des travaux pour simuler la premire structure
de rfrence et concevoir le premier prototype. Pour des raisons de disponibilit
de licences, nous avons ensuite transfr toutes les structures vers les deux autres
logiciels.
Aujourdhui, IE3D est vendu par Mentor Graphics et a connu une volution
majeure avec lintroduction dune version de simulation 3D.
ADS
ADS (Advanced Design System) est un logiciel complet de simulation circuits
propos par Agilent. Il a particulirement t utilis dans nos travaux pour optimiser
les circuits dadaptation des antennes. ADS posssde galement une composante de
simulation lectromagntique de type 2,5D appele Momentum. La plupart de nos
structures ont t conues et optimises sur ce logiciel du fait de la rapidit de calcul
des rsultats.
Toutefois, il reste limit pour la simulation dantennes en modules du fait de
lutilisation de substrats infinis. Nous lavons utilis pour effectuer les tudes para-
mtriques et les nombreux tests de nouvelles structures.
HFSS
Dvelopp par la socit Ansoft, HFSS est un logiciel de simulation lectroma-
gntique de type 3D. Bas sur la mthode des lments finis (FEM), il est particu-
lirement adapt la simulation dantennes en modules.
Nous lavons utilis pour la dernire tape avant la fabrication des prototypes.
Grce une modlisation trs fidle des structures et de leur environnement, il nous
permettait de valider le comportement observ sur les simulations ADS.
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Publications et communications
Brevet
Efficient integrated miniature antenna structure for multi-GHz wireless
applications
M. Jeangeorges, C. El Hassani, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc
European Patent Application 09305581.2
Confrence internationale
Antenna miniaturization and integration in a 2.4 GHz System in Package
M. Jeangeorges, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc, C. El Hassani, P. Ciais
European Conference on Antennas and Propagation 2010
Barcelone
12-16 Avril 2010
Congrs nationaux
Intgration dantennes multicouches en module SiP Bluetooth
M. Jeangeorges, A. Chebihi, R. Staraj, C. Luxey, P. Le Thuc, C. El Hassani,
P. Ciais
GDR Ondes, Assemble gnrale
CNAM Paris
2-4 novembre 2009
4.15 Rsultats de simulation ADS des formes 5 et 6 pour les cas extrmes
de tolrances de fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4.16 Rsultats de simulation ADS de structures diffrencies par la dis-
tance plan de masse - dernier mandre . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4.17 Coefficients de rflexion mesurs sur les prototypes sur deux tailles
de pcb (format cl usb et tlphone portable) . . . . . . . . . . . . . 95
4.18 Efficacit totale minimum mesure dans la bande passante sur les
prototypes sur deux tailles de pcb (format cl usb et tlphone portable) 99
5.1 Efficacit totale minimum et gain total simuls dans la bande passante
pour les trois formats de pcb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.2 Rcapitulatif des performances relles mesures sur le module AiP . 115
Conception dantennes miniatures intgres pour solutions RF SiP
Rsum : Ce mmoire prsente la conception et loptimisation dantennes minia-
tures intgres en modules de type System in Package. Lobjectif est de rpondre
un besoin croissant en modules intgrs complets, comprenant tous les composants
ncessaires pour apporter des fonctionnalits sans-fil aux objets communicants. Afin
de remplir cet objectif, les antennes doivent satisfaire de nombreux critres, autant
au niveau des performances (adaptation, bande passante, efficacit, diagramme
de rayonnement) quau niveau des mthodes de conception (robustesse, cot,
adaptation au processus de fabrication SiP, possibilit de production industrielle).
Lextrme miniaturisation rend dautant plus dlicate leur mise en oeuvre quelle
entrane des phnomnes physiques limitant les performances. Nos travaux tudient
la possibilit dutiliser certaines techniques damlioration par lajout dlments
structurels (lments capacitifs, lments parasites, fentes) et lutilisation de
circuits dadaptation spcifiques. Diverses modifications gomtriques innovantes
appliques aux structures antennaires ont galement t utilises pour obtenir des
rsultats satisfaisant tous les critres. Les antennes labores permettent des
objets communicants de dimensions varies doprer dans la bande de frquences
2, 4 GHz pour des applications de type WiFi ou Bluetooth. Plusieurs sries de
ralisations de prototypes ont permis de valider les rsultats et confirmer les
phnomnes lectromagntiques mis en jeu.