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THÈSE

DOCTORAT DE L’UNIVERSITE D’AIX MARSEILLE

Délivré par: L’école doctorale 353, Sciences pour l’ingénieur

Soutenue le 30/11/2016 par
Anthony Tornambé

Modélisation système et développement d’antennes
multistandards pour objets de paiement sans contact et de
communication NFC

JURY
M. Philippe PANNIER Directeur de Thèse
M. Thibaut DELERUYELLE CoEncadrant de Thèse
M. Jean Marc LAHEURTE Rapporteur
M. Robert STARAJ Rapporteur
M. Yvan DUROC Examinateur

Unité de Recherche :
IM2NP – Equipe RFID Capteur
Directeur de Thèse : Philippe Pannier
Entreprise :
STMicroelectronics – Equipe Application
Encadrant : Pierre Rizzo
« Le problème avec les citations sur Internet, c’est qu’on ne
peut jamais vraiment savoir si elles sont authentiques »
Napoléon Bonaparte
I
Résumé
Le contexte de la thèse se situe sur le marché du NFC, des cartes sécurisées
ainsi que du paiement sans contact qui sont en forte croissance ces dernières années.
L’objectif est de développer un environnement de simulation afin de concevoir dif-
férents dispositifs NFC destinés à des produits nomades comme un smartphone ou
une tablette tactile et qui répondent aux différentes normes NFC.
Mots Clés
ADS, Antennes, RFID, Modélisation Électromagnétique, Near Field Communi-
cation, NFC, Norme EMVCo, Norme ISO 14443, Adaptation d’impédance automa-
tique, Tests de certification NFC.
Abstract
The thesis context is focused on the NFC market, secure cards and contactless
paiement which are in strong development in recent years. The objective is to develop
a simulation environment to design NFC features for mobile devices as smartphone
or tactile tablet which satisfy NFC standards.
Key Words
ADS, Antennas, RFID, Electromagnetic Model, Near Field Communication,
NFC, EMVCo Certification, ISO 14443 Certification, Automatic impedance mat-
ching, NFC Certification tests
II
Remerciement
Je voudrais tout d’abord adresser mes remerciements aux personnes qui ont en-
cadré ma thèse et qui ont permis la réalisation de ces travaux de recherche, Philippe
Pannier et Thibaut Deleruyelle du côté du laboratoire IM2NP et Pierre Rizzo et
Nathalie Vallespin du côté de l’entreprise STMicroelectronics.
Je souhaiterai également remercier l’ANRT pour avoir rendu la collaboration
entre le laboratoire, l’entreprise et moi-même possible.
J’ai passé mes trois dernières années au sein de l’équipe Application de ST Rous-
set et je voudrais remercier chacun de ses membres pour leur accueil et pour la bonne
ambiance qui y règne. Dès que j’avais une question ou un problème, il y avait toujours
quelqu’un de disponible pour m’aiguiller.
Durant cette thèse, j’ai eu la chance de faire la connaissance de nombreux doc-
teurs, doctorants, alternants et stagiaires qui sont maintenant devenus plus que de
simples connaissances : Donc un grand merci à Abde, Adrien, Antho, les Arnaud,
les Clara, Clément, Dino, JJ, Jordan, Julien, Kéké, Marjo, Nico et Sebastian pour
toutes ces soirées, pour tous ces voyages, pour tous ces bons moments qu’on a eu
(et qu’on va avoir) ensemble.
Mes remerciements vont également à ma famille qui m’a toujours soutenu et qui
m’a permis d’en arriver là aujourd’hui.
III
Table des matières
Abstract II
Remerciement III
Liste des abréviations 1
1 Etat de l’art de l’identification 7

1.1 Les systèmes d’identifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.1 Les systèmes codes-barres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.2 La reconnaissance optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.3 La reconnaissance automatique de la parole . . . . . . . . . . 10
1.1.4 La reconnaissance d’empreintes biométriques . . . . . . . . . . 11
1.1.5 La carte à puce avec contact . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2 Les systèmes RFID et NFC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.1 Introduction aux systèmes RFID . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.2 Historique de la technologie RFID . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Evolution du marché du NFC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2.4 Télé-alimentation et transfert de données . . . . . . . . . . . . 18
1.3 Principes physiques du NFC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.1 Le champ magnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.2 L’induction magnétique B et le flux magnétique Φ . . . . . . . 23
1.3.3 L’inductance L d’une antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.3.4 L’inductance mutuelle M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.3.5 Le coefficient de couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.3.6 La loi de Lenz-Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.3.7 L’effet de peau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.3.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.4 Principes applicatifs du NFC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.4.1 Adaptation d’impédance du lecteur NFC . . . . . . . . . . . . 29
1.4.2 Fréquence de résonance de la carte . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.4.3 L’effet de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
IV
TABLE DES MATIÈRES
1.4.4 Le Courant de Foucault . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

1.4.5 La ferrite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.4.6 Transfert de données : Architecture générale . . . . . . . . . . 37
1.4.7 Transfert de données : Lecteur vers Carte : La modulation . . 40
1.4.8 Transfert de données : Lecteur vers Carte : Le codage . . . . . 43
1.4.9 Transfert de données : Carte vers Lecteur : La rétromodulation 45
1.4.10 Facteur de qualité et Débit de communication . . . . . . . . . 46
2 Developpement d’outils et de méthodologies pour l’intégration du

NFC 48
2.1 Outil de calcul du circuit d’adaptation . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.1 Présentation de l’outil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.2 Validation de l’outil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.1.3 Conclusion et Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2 Circuit équivalent RLC d’une antenne NFC . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2.1 Determination du circuit RLC équivalent via une mesure VNA 56
2.2.2 Outils de calcul de l’inductance de l’antenne NFC . . . . . . . 57
2.2.3 Outil de calculs de la DC série de l’antenne NFC . . . . . . . 58
2.3 Caractérisation de la puce ST . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.3.1 Plan de manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.2 Estimation de RP U CE en fonction de la tension d’alimentation 67
2.3.3 Estimation de XP U CE en fonction de la tension d’alimentation 69
2.4 Auto-adaptation d’une antenne lecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2.4.1 Problématique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2.4.2 Objectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.4.3 Mise en place d’une carte de démonstration . . . . . . . . . . 73
2.4.4 Développement d’un algorithme de convergence du circuit d’adap-
tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
2.4.5 Résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
2.4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.5 Cohabitation du NFC et de l’A4WP . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.5.2 Objectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
2.5.3 Architecture de circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
2.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3 Modélisation des bancs de certifications NFC 85

3.1 Présentation des bancs de certifications NFC . . . . . . . . . . . . . . 86
3.1.1 La norme EMVCo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
V
TABLE DES MATIÈRES
3.1.2 La norme ISO/IEC 14443 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

3.2 Présentation de la partie 3D EM du logiciel ADS . . . . . . . . . . . 91
3.2.1 Présentation du logiciel et choix du moteur de simulation . . . 91
3.2.2 Présentation générale des points clés de la FEM . . . . . . . . 91
3.2.3 Configuration de la simulation FEM . . . . . . . . . . . . . . 93
3.2.4 Conclusion de la paramétrisation de la simulation FEM . . . . 102
3.3 Méthodologie de modélisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.4 Modèle du banc de certification EMVCo . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.4.1 Modélisation de l’EMV-TEST PCD - Le lecteur de référence
EMVCo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.4.2 Modélisation de l’EMV-TEST PICC - L’antenne carte de ré-
férence EMVCo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.4.3 Modélisation du banc de certification EMVCo . . . . . . . . . 117
3.4.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.5 Modèle du banc de certification ISO/IEC 14443 . . . . . . . . . . . . 121
3.5.1 Modélisation du lecteur de référence ISO . . . . . . . . . . . . 121
3.5.2 Modélisation de la carte de référence classe 1 ISO/IEC 14443 . 130
3.5.3 Modélisation du banc de certification ISO/IEC 14443 . . . . . 133
3.5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
3.6 Simulation de tests de certification in situ . . . . . . . . . . . . . . . 136
3.6.1 Modélisation de l’antenne NFC intégrée sous test . . . . . . . 136
3.6.2 Modélisation du test de certification in-situ . . . . . . . . . . . 144
3.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
Conclusion Générale 149

A Les paramètres S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
B Calculs du circuit d’adaptation d’impédance . . . . . . . . . . . . . . 156
B.1 Modèle équivalent parallèle de l’antenne . . . . . . . . . . . . 156
B.2 Calcul de ZT R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
B.3 Calcul de ZT∗ R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
B.4 Calcul de Cp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
C Principaux documents des normes EMVCo et ISO . . . . . . . . . . . 166
C.1 Norme EMVCo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
C.2 Norme ISO 14443 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
Résultats et Publications 168
Bibliographie 168
VI
TABLE DES MATIÈRES
Liste des abréviations
2.5D 2 dimensions et demi ou pseudo 3D

3D 3 dimensions
ANRT Association Nationale de la Recherche et de la Technologie
BGA Ball Grid Array, Matrice de billes
CIFRE Conventions Industrielles de Formation par la REcherche
CLF Contactless Frontend, Controlleur NFC
DIL ou DIP Dual InLine Package, Boîter DIL (pas de traduction fr)
DUT Device Under Test, Outil sous test
EM Électromagnétique
EMVCo Europay, Mastercard and VISA contactless
EMV-TEST PCD Lecteur de référence de la norme EMVCo
EMV-TEST PICC Carte de référence de la norme EMVCo
ID IDentification
IM2NP Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
ISO International Organization for Standardization
Organisation internationale de standardisation
NFC Near Field Communication, communication par champ proche
OSL Open / Short / Load, Circuit ouvert / Court Circuit / Charge 50 Ω
OST Outil Sous TSest
PCB Printed Circuit Board, circuit imprimé
PCD Proximity Coupling Device, le lecteur NFC
PICC Proximity Integrated Circuit Card, la carte/tag NFC
RFID Radio Frequency IDentification
ROC Reconnaissance Optique de Caractères
SIM Subscriber Identity Module ou Module d’identité d’abonné
SRAP Système de Reconnaissance de la Parole
UPC Universal Product code, code universel des produits
VHBR Very High Bit Rate ou Très grand débit
VNA Vector Network Analyzer, Analyseur de réseaux vectoriel
1
Introduction générale
Contexte
Avant de présenter les travaux réalisés, il est nécessaire d’expliquer quelles sont
les raisons qui ont mené l’entreprise STMicroelectronics 1 et le laboratoire IM2NP 2
à l’élaboration de cette thèse de type "Conventions Industrielles de Formation par la
REcherche" (CIFRE) rendue possible grâce à l’Association Nationale de la Recherche
et de la Technologie 3 (ANRT).
Le contexte de la thèse se situe sur le marché du NFC, des cartes sécurisées
ainsi que du paiement sans contact qui sont en fort développement ces dernières
années comme expliqué dans la partie 1.2.3. L’objectif de la thèse vise à concevoir
différents dispositifs NFC destinés à des produits nomades comme un Smartphone
ou une tablette tactile. Le module NFC à déployer se compose d’une puce, d’une
ou plusieurs antennes, de matériaux ayant des propriétés magnétiques (comme la
ferrite) et d’un assemblage.
En plus des smartphones et tablettes, le marché du NFC s’étend également dans
des domaines comme les notebooks, les périphériques de PC, les consoles de jeux ou
les télévisions. En effet, les applications du NFC sont aujourd’hui très nombreuses
comme montrées dans la partie 1.2.3.
Par conséquence des différents types d’outils NFC ayant chacun leurs propres
applications et leurs standards à respecter, le marché du NFC a été divisé en de
nombreuses familles de produits avec leurs propres normes et tests de certification
incluant le NFC Forum 4 , l’EMVCo 5 , l’ISO/IEC 14443 6 , People’s Bank of China 7
(PBOC), American Express 8 et Discover 9 . Le problème majeur de cette division du
1. http ://www.st.com/
2. http ://www.im2np.fr/
3. http ://www.anrt.asso.fr/
4. http ://nfc-forum.org/
5. https ://www.emvco.com/
6. http ://www.iso.org/
7. PBOC, Homepage : www.pbc.gov.cn
8. American Express, Homepage : www.americanexpress.com
9. Discover, Homepage : www.discover.com
2
TABLE DES MATIÈRES
marché est l’énorme besoin d’interopérabilité entre ces différentes normes. En outre,
les tests de certification sont des procédures onéreuses et chronophages demandant
une version quasi-finale du prototype. Mais généralement ce prototype ne réussit pas
les tests de certification du premier coup et demande plusieurs itérations de phases
de correction et de tests additionnelles.
Ainsi, l’intégration du NFC devient de plus en plus complexe. Il faut ajouter à
cela, la demande permanente d’augmenter les performances RF du NFC alors que
les environnements d’intégration sont, par nature, hostiles à un module NFC (plan
métallique, batterie, etc..). Cette problématique d’intégration représente à ce jour
un verrou technologique qui bride fortement les performances des systèmes NFC.
Travail de modélisation
Pour apporter des solutions, un effort de modélisation doit être fait pour faciliter
l’intégration du module sans contact et assurer sa conformité avec les normes du
domaine. Le travail de modélisation doit s’effectuer sur plusieurs niveaux :
– La modélisation des bancs de certification NFC présentée dans les par-
ties 3.4 page 103 pour le banc EMVCo et 3.5 page 121 pour le banc ISO/IEC
14443. Chaque banc de certification possède ses propres antennes (lecteurs et
cartes) normalisées avec une circuiterie décrite dans les documents de spé-
cification. Afin de faciliter l’étude de la conformité des produits NFC à ces
différentes normes, ces bancs doivent être modélisés via un simulateur électro-
magnétique puis validés en comparant avec les résultats de mesures.
– La modélisation de l’outil NFC à tester. Lors de l’intégration d’une
antenne NFC dans un produit (carte, smartphone, tablette ...), il y a, en
théorie, une infinité de design d’antennes pouvant être utilisées (La longueur
et la largeur de l’antenne, la largeur des pistes, l’espace inter-piste, le nombre
de tours, le facteur de forme pouvant varier). Lorsque l’étude du meilleur
candidat se fait sans simulation, seuls quelques designs d’antennes tentant de
représenter une majorité de designs d’antennes possibles sont fabriqués. En
effet, tester toutes ces antennes prend beaucoup de temps. Cependant, il est
possible de lancer plusieurs simulations EM en parallèle.
– La modélisation de l’environnement d’intégration. En effet, l’environ-
nement d’intégration (plan métallique, ferrite ...) impacte très fortement les
performances RF de l’antenne intégrée. Cependant, un prototype de cet en-
vironnement n’est pas forcement toujours disponible (surtout lors de projets
clients pour de nouveaux produits pas encore disponible sur le marché). Cette
problématique peut partiellement être résolue en passant par des modèles sim-
plifiées d’environnement d’intégration 3D EM permettant d’évaluer l’impact
3
TABLE DES MATIÈRES
de plans métalliques ou de ferrite sur le comportement de l’antenne. De plus,

la circuiterie (le circuit d’adaptation d’impédance ou le circuit de résonance)
et la puce NFC doivent également être prise en compte dans le modèle.
– La modélisation du couplage entre antennes. Une fois les modèles du
banc de certification NFC et de l’outil NFC à tester construits, il est nécessaire
de modéliser l’interaction entre ces 2 outils afin d’en extraire l’effet de couplage.
C’est l’un des points clés pour la modélisation des tests de certification.
– La modélisation de tests de certification. C’est l’objectif final de ce tra-
vail de thèse. Pouvoir simuler, sans prototype, des tests de certification sur
un produit en développement et prévoir des premiers résultats permettant
d’effectuer des choix technologiques sur la conception de l’antenne de l’ob-
jet communiquant, ainsi que sur les matériaux et le procédé de fabrication à
adopter.
– Un exemple des 4 derniers points cités est donné dans le chapitre III qui
est consacré, entre autre, à la mise en application des modèles de bancs de
certification. Cet exemple est l’intégration de 2 différentes antennes NFC dans
un téléphone mobile avec la simulation d’un test de certification de la norme
EMVCo et est disponible dans la partie 3.6 page 136.
Travail théorique
En plus du travail de modélisation, d’autres travaux plus théoriques doivent être
menées pour concevoir et mettre à jour des outils de calculs ayant pour but de
faciliter l’étude d’antennes NFC et de leur intégration. Ces outils sont présentés
dans le chapitre II.
– Développement d’un outil de calculs automatique du circuit d’adap-
tation d’impédance présenté dans la partie 2.1 page 49. Cet outil permet de
calculer rapidement le circuit d’adaptation (la capacité série CS et la capacité
parallèle CP ) d’une antenne NFC à vide (l’antenne sous test n’est pas affectée
par la présence d’autres antennes ou plan métallique).
– Méthodologie de détermination du circuit électrique RLC équivalent
d’une antenne NFC via une mesure au VNA présentée dans la partie
2.2.1. Comme son nom l’indique cette méthodologie permet, à partir d’une
mesure au VNA, de déterminer le circuit RLC équivalent d’une antenne NFC
sans que le VNA n’ait d’analyseur d’impédance intégré. Une fois ce circuit
RLC connu, il pourra être rentré dans l’outil de calcul automatique du circuit
d’adaptation de l’antenne.
– Développement d’un outil de calculs de la résistance série d’une
antenne rectangulaire ou circulaire. Dans le cas où le VNA n’est pas dis-
4
TABLE DES MATIÈRES
ponible pour mesurer le circuit RLC équivalent d’une antenne, il est possible
de le calculer théoriquement. L’outil permettant de calculer l’inductance étant
en cours de développement par une autre équipe durant la thèse (voir la partie
2.2.2), une autre formule théorique a été développée afin de calculer la résis-
tance série d’une antenne rectangulaire ou circulaire et elle est présentée dans
la partie 2.2.3.
Travail de prototypage
Afin de mettre en pratique les études théoriques menées, il est également néces-
saire d’effectuer un travail de prototypage :
– Caractérisation de la puce NFC. Afin de pouvoir adapter l’impédance de
l’antenne à la puce, il est nécessaire de connaitre l’impédance de sortie de la
puce NFC. Ainsi, un plan de manipulation a été mis en place afin de mesurer
l’impédance de la puce en fonction de sa configuration de fonctionnement (par
exemple, en fonction de la tension maximales des signaux sortants). Ce plan
de manipulation est décrit dans la partie 2.3 page 63.
– Développement d’un circuit d’autoadaptation. L’un des principaux chal-
lenges dans le NFC est l’effet de charge. En fonction de la carte couplée au
lecteur NFC et de sa position, il y a une désadaptation d’impédance de l’an-
tenne lecteur par rapport à la puce NFC, dégradant ainsi les performances
RF. Il y a donc une infinité de désadaptation possible or le circuit d’adapta-
tion étant composé de composants fixes, il ne peut assurer les performances
RF optimales que dans une seule configuration. Ainsi un circuit d’autoadapta-
tion utilisant des composants variables pilotés en tension a été développé afin
d’assurer les meilleurs performances RF quelque soit la carte NFC.
– Développement d’un circuit permettant d’utiliser une antenne pour
des communications NFC et de la recharge sans fil A4WP. Le NFC
n’est pas la seule technologie de plus en plus répandue dans les appareils no-
mades, il y a aussi la technologie de recharge sans fil dont l’A4WP est un
des standards. Alors que le NFC fonctionne à 13.56 MHz, l’A4WP fonctionne
à 6.78 MHz et il est possible de remarquer que ces deux fréquences de fonc-
tionnement sont proches. Un circuit permettant à une antenne intégrée de
fonctionner à 13.56 MHz pour de la communication NFC ou bien à 6.78 MHz
pour de la recharge sans fil a été développé puis breveté et est présenté dans
la partie 2.5
5
TABLE DES MATIÈRES
Objectifs principaux
Pour synthétiser les principaux objectifs de la thèse, la figure 1 est proposée.
– Aide à la conception de la puce NFC : En utilisant des simulations, il est
possible de donner des directives à l’équipe de design lors de la conception de
la puce NFC. Par exemple, il est possible d’évaluer par simulation le courant
nécessaire au niveau des buffers de sortie de la puce afin de réussir certains
tests. Cette évaluation du courant pouvant amener à modifier la conception
du "câblage par fil" (traduction du terme "wire bonding", c’est une technique
pour effectuer une connexion électrique entre le boitier et le "die" d’un circuit
intégré).
– Augmenter le nombre d’antennes à tester : En utilisant des simulations, il est
possible d’étudier un plus grand nombre d’antennes.
– Étudier la conformité d’un produit aux normes NFC plus facilement, plus
rapidement et à moindre coût.
Avant la thèse
Test de
Conception de Conception de Fabrication de
certification
la puce NFC l’antenne NFC prototypes
sur robot
Après la thèse
Simulations de
Conception de Conception de Modélisation
certification
la puce NFC l’antenne NFC d’antennes
via script
Figure 1 – Objectif principal des travaux de recherches
6
Chapitre 1
Etat de l’art de l’identification
Introduction
L’identification automatique est un système permettant de donner des informa-
tions sur des personnes, des animaux ou des produits en transit de façon simple
et rapide. Depuis quelques décennies, ces procédures d’identifications automatiques
sont devenues très populaires dans beaucoup de services de l’industrie que cela soit
dans l’achat (lors du passage à la caisse enregistreuse dans les magasins), la logis-
tique (lors des inventaires), la sécurité ou la distribution (suivie des déplacements
de marchandises).
Les omniprésents codes-barres ont véritablement révolutionné le domaine des
systèmes d’identification. Cependant, le très faible coût d’un code barre est contre-
balancé par de gros défauts. En effet, ce dernier possède une très faible capacité de
stockage d’informations et il ne peut pas être reprogrammé. Une solution alternative
est de stocker les données dans une puce programmable. De nos jours, cette solution
est très largement déployée dans les cartes de crédit ou dans les puces de téléphones.
Mais cette solution repose sur un contact mécanique, contact trop souvent gênant
lors de son utilisation.
Ainsi, pour s’affranchir du contact mécanique, une nouvelle technologie de trans-
ferts de données sans contact entre un outil contenant l’information et un lecteur
est en développement constant ces dernières années. Ces systèmes d’identification
sans contact sont appelés systèmes RFID (Radio Frequency IDentification ou iden-
tification par fréquence radio en français).
La technologie RFID inclut plusieurs technologies dont celle du NFC (Near Field
Communication, Communication par champ proche). Le NFC est donc une technolo-
gie permettant l’échange de données entre plusieurs outils mais qui a la particularité
d’être concentrée sur des communications de petites distances (de l’ordre de quelques
centimètres au mètre). Cette faible distance de communication a permis au NFC de
7
CHAPITRE 1. ETAT DE L’ART DE L’IDENTIFICATION
se spécialiser pour des applications sécurisées où l’utilisateur doit volontairement

faire un mouvement pour effectuer la communication comme, par exemple, lors de
paiement sans contact ou d’identification à un point de contrôle.
Ces applications deviennent de plus en plus populaires et demandées de nos
jours grâce au développement des smartphones et des tablettes de plus en plus
perfectionnés.
Ainsi dans ce premier chapitre du manuscrit, une vue d’ensemble des différentes
technologies de l’identification est proposée. Cette vue d’ensemble mène à l’étude des
systèmes RFID en se concentrant sur la technologie du NFC. Suite à l’introduction
aux systèmes NFC, une présentation des principes fondamentaux et des principes
applicatifs permettant le fonctionnement de tels systèmes est proposée. Finalement,
pour terminer ce premier chapitre, une vue globale des normes NFC existantes est
présentée.
1.1 Les systèmes d’identifications

1.1.1 Les systèmes codes-barres
Le système code-barres, appelé également code à barres, est un pictogramme en
noir et blanc représentant une donnée numérique ou alphanumérique. La forme du
pictogramme varie en fonction de la symbologie utilisée. Les premiers codes-barres,
apparus en 1949, ont été grandement utilisés dans les années 1970 suite à l’adoption
du code UPC (pour « Universal Product code » ou Code universel des produits) qui
est le premier grand système d’identification numérique pour les articles vendus en
magasin. A l’origine dans les années 1950, les codes-barres étaient circulaires afin
d’être lus dans tous les sens mais ils n’ont jamais été mis en pratique. C’est avec la
naissance des codes-barres constitués de traits et d’espaces (voir Figure 1.1) que ce
système d’identification s’est largement déployé dans le monde.
Figure 1.1 – Un exemple de code-barres
Dans les années 1990, les codes-barres bidimensionnels (codes 2D), évolution des
codes-barres une dimension, font leur apparition. Les traits verticaux et les espaces
sont remplacés par des carrés permettant un codage des données en 2 dimensions,
augmentant ainsi leur capacité de stockage. Les codes-barres bidimensionnels les
plus connus sont les codes 2D Datamatrix, PDF-147, MaxiCode et le QR Code
(Figure 1.2).
8
Figure 1.2 – Exemples de codes-barres bidimensionnels de gauche à droite : 2D

Datamatrix, PDF-147, QR Code et MaxiCode
Il existe de nombreux articles traitant des systèmes codes-barres et de leur évo-

lution. Par exemple, l’article [TWW+ 10] présente une nouvelle approche permettant
de lire les codes-barres plus rapidement.
1.1.2 La reconnaissance optique

Apparue dans les années 1930, la reconnaissance optique de caractères (ROC)
ou vidéo-codage touche au domaine de la reconnaissance de documents imprimés ou
dactylographiés et de leur traduction en fichier texte. En effet, les systèmes infor-
matiques ROC procèdent à plusieurs étapes pour réaliser leur fonction (Figure 1.3).
– Dans un premier temps, les documents imprimés sur support papier (livres,
journaux, notes techniques . . . ) sont numérisés grâce à un scanner et traités
(résolution de la numérisation, configurations des niveaux de gris).
– Lors de la numérisation, il est courant que certaines parties du texte ne soient
pas alignées (à cause de l’épaisseur du livre ou du défilement des pages lorsque
plusieurs pages sont numérisées à la suite). Une opération de redressement du
texte scanné est alors réalisée.
– Une étape de binarisation permet de passer d’une image numérisée en différents
niveaux de gris à une image biniveau (les pixels de l’image deviennent soit
noirs, soit blancs).
– La page biniveau est segmentée en zones distinctes (partie texte, partie image,
partie tableau. . .).
– Une fois les zones de textes repérées, les caractères composant ces textes sont
identifiés, codés et regroupés en mots suivant un processus établi. Cette étape
est critique à cause des différentes polices d’écriture et taille pour un même
caractère et des défauts d’impression et de numérisation.
– Une fois les données recueillies, certaines applications permettent de recon-
naître la structure logique du texte tout en alimentant une base de données.
En plus de reconnaître la forme du texte (les caractères), le fond est également
extrait (Titre, auteur, date de parution . . . ).
– Les textes reconnus et traités sont ensuite traduits en un format exploitable
9
par l’utilisateur.
Figure 1.3 – Fonctionnement de la reconnaissance optique de caractères
A titre d’exemple, il est possible de citer l’article [FNK92] qui introduit la notion
de ROC et les méthodes de segmentations des caractères.
1.1.3 La reconnaissance automatique de la parole

Un Système de Reconnaissance Automatique de la Parole (SRAP en abrégé,
appelé également système de reconnaissance vocale) est un système informatique qui
a pour objectif de comprendre un message vocal. Pouvant reconnaître 10 chiffres à ses
débuts dans les années 1950, ces systèmes se sont considérablement développés ces
dernières années. En effet, de nos jours les systèmes de reconnaissance automatique
de la parole sont utilisées dans des domaines comme :
– Le contrôle d’équipements par la parole (par exemple, contrôler entièrement
un ordinateur).
– La retranscription dans un fichier texte d’un message vocal (mail, lettre, rap-
port . . . ).
– L’identification de la voix du locuteur.
Pour remplir leur rôle, une phrase enregistrée et numérisée est dans un premier
temps analysée et traitée par le système de reconnaissance vocale. En effet, l’ex-
ploitation du signal vocal ne peut pas être fait directement car il contient plusieurs
éléments sonores en plus du signal utile (bruit externe, bruit interne au micro, accent
du locuteur...). Ainsi, une image acoustique sous la forme de vecteurs est extraite du
signal vocal en utilisant la technique de fenêtrage de Hamming (le signal vocal est
échantillonné dans une fenêtre temporel valant 20 à 30 ms avec un pas de 10 ms).
La majorité des paramètres intéressants se trouvant dans le spectre fréquentielle et
dans son évolution au cours d’un temps donné, une technique de paramétrisation
10
liée à une transformée de fourrier est utilisée. Les paramètres extraits seront, par
exemple, comparés à une base de données pour identifier la voix. De plus, à par-
tir des observations acoustiques (notées X), le SRAP trouve la séquence de mots
qui a été énoncée en se basant sur une approche statistique qui peut se traduire
ainsi : Parmi toutes les séquences W connues du SRAP, quelle est la séquence la
plus probable (séquence notée Z) d’être la séquence X énoncée (1.1).
Z = argmaxW P (W |X) (1.1)
La reconnaissance automatique de la parole est en constante progression comme

l’explique l’article [KCC+ 13] et le développement de système comme Siri par Apple 1 .
1.1.4 La reconnaissance d’empreintes biométriques

La reconnaissance d’empreintes digitales est le principal moyen d’identification
s’inscrivant dans l’analyse morphologique qui comprend entre autre la reconnais-
sance de l’iris, la morphologie de la main, les traits du visage et le poids. Une
empreinte digitale (ou dactylogramme) est le dessin formé par les crêtes des doigts,
des paumes des mains, des orteils ou de la plante des pieds. Il existe 3 types d’em-
preintes :
– Empreinte dite directe, visible à l’œil nu (dépôt de saleté)
– Empreinte dite latente, invisible à l’œil nu (la trace vient du dépôt de sueur
qui s’évapore en laissant sels et acides aminés)
– Empreinte dite moulée, lorsque le contact du doigt modifie une surface mal-
léable (qui garde ainsi en mémoire les crêtes du doigt).
La criminologie utilise très souvent les empreintes digitales afin d’identifier les
personnes car la probabilité que deux individus possèdent une même empreinte
est de l’ordre de 10−22 %. Les empreintes peuvent être identifiées grâce au système
Henry qui se base sur la topographie générale de l’empreinte et de la définition de
points caractéristiques comme le montre la figure 1.4 (il est possible de se référer
par exemple à la présentation proposée par l’institut des systèmes intelligents et de
robotique 2 ).
Les empreintes digitales peuvent aussi être utilisées dans des systèmes de sé-
curités (contrôle d’accès à une zone sécurisée, accès à un ordinateur . . . ). Dans ce
cas, l’empreinte est scannée par un lecteur spécial et comparée à une base de don-
nées. Le système d’identification peut alors confirmer l’identité d’une personne en
un temps très court (moins d’une demi-seconde pour les plus performants). Les sys-
1. http ://www.apple.com/fr/ios/siri/
2. http ://www.isir.upmc.fr/UserFiles/File/LPrevost/Biometrie%20Empreintes.pdf
11
tèmes les plus perfectionnés peuvent également détecter si le doigt scanné provient
d’une personne en vie.
Figure 1.4 – Exemples de caractéristique d’une empreinte digitale
Afin de faire progresser le domaine de la reconnaissance d’empreintes digitales,

des études sont encore menées. Il est possible de citer par exemple l’étude dé-
crite dans l’article [CMS+ 10] qui introduit les points pseudo-caractéristiques des
empreintes digitales.
1.1.5 La carte à puce avec contact

La carte à puce est un système de stockage d’informations électronique portatif
ayant la forme d’une carte de quelques centimètres de côté et moins d’un millimètre
d’épaisseur. Composée d’un circuit intégré, élément capable de contenir de l’informa-
tion, la carte à puce peut également intégrer un microprocesseur, capable de traiter
cette information, et un composant de sécurité.
Figure 1.5 – Exemple de carte à puce moderne
Lorsque la carte à puce est placée dans un lecteur, une connexion galvanique se
réalise grâce aux broches de contacts placées dans la surface de contact de la carte
(Figure 1.6). La carte est alors alimentée en énergie rendant possible un transfert
de données avec le lecteur.
De plus, il est possible de protéger l’information stockée dans la mémoire contre
des utilisations non autorisées. C’est cet atout majeur qui a popularisé l’utilisation de
la carte à puce car cela rend les opérations d’identification et de transactions finan-
cières sécurisées en plus d’être rapides et peu couteuses. Ainsi les cartes à puce sont
largement utilisées dans des domaines comme la monétique (cartes bancaires, cartes
12
Figure 1.6 – Vue en coupe du circuit intégré d’une carte à puce
EMV « Europay Mastercard Visa », porte-monnaie électronique 3 ), l’e-identification

comme les cartes d’identité nationales en Belgique 4 , l’E-passeport en France 5 , les
badges d’accès ou les titres de transport comme le transpass marseillais 6 ) ou la té-
léphonie mobile (carte SIM, « Subscriber Identity Module » ou Module d’identité
d’abonné). Un exemple d’application récente est donné dans l’article [CZZ+ 13] où il
est décrit le design et l’implémentation d’une carte intelligente pour une application
de paiement pour de la recharge de voitures électriques.
Cependant, les inconvénients majeurs de ce type de technologie sont la dégra-
dation des contacts lors des fréquentes utilisations des cartes, de leur corrosion et
leur vulnérabilité à la saleté et aux électrostatiques. En effet, la carte se détériore au
cours du temps (cas de la « carte muette » indiquée par le lecteur lors d’utilisation
de cartes usagées) et les lecteurs nécessitent des maintenances couteuses. Afin de
s’affranchir de ces problèmes, une autre technologie très proche de celle décrite au-
dessus est en pleine expansion ces dernières années, la technologie RFID (technologie
décrite dans la partie 1.2).
1.2 Les systèmes RFID et NFC

1.2.1 Introduction aux systèmes RFID
La technologie RFID (Radio Frequency IDentification ou identification par radio
fréquence) est, comme son nom l’indique, une technologie d’identification d’objets à
distance utilisant les ondes RF. Le principe est de transmettre de l’information entre
plusieurs outils sans qu’il n’y ait de contact physique entre eux. Cette technologie
est globalement composée de deux éléments 7
3. http ://www.moneo.com/
4. http ://www.belgium.be/
5. https ://passeport.ants.gouv.fr/
6. www.rtm.fr
13
– Un tag (appelé également étiquette intelligente ou transpondeur) constitués

d’une antenne et d’un circuit intégré permettant de traiter les signaux reçus et
envoyés (modulation et démodulation de signaux), le traitement et le stockage
d’informations de façon sécurisée. Il a pour rôle de répondre aux requêtes du
lecteur comme des demandes d’identification ou d’informations. La figure 1.7
donne une liste d’objets du quotidien pouvant être des tags RFID ou NFC.
Chacun de ces objets contient une antenne intégrée qui, selon ses dimensions
physiques, est catégorisée dans une des classes d’antennes présentées dans la
figure 1.8 et définies dans la norme ISO/IEC 14443-1 [ISO08]
Figure 1.7 – Des objets du quotidien utilisés comme des tags NFC. De gauche à
droite, des jetons et des porte-clés, des cartes au format carte de crédit, un smart-
phone, des montres, des bracelets et des bagues
– Le lecteur (appelé également PCD, pour Proximity Coupling Device ou "Outils

de couplage de proximité" en français) qui initie la communication avec le
tag. Il génère une onde électromagnétique afin d’alimenter et d’interroger le
tag se trouvant dans son volume opératoire. Il analyse la réponse du tag afin
d’effectuer des actions spécifiques (par exemple, une autorisation d’accès). Des
exemples de lecteur sont présentés dans la figure 1.9.
Le figure 1.10 résume les différentes solutions que la RFID regroupe en fonction
de leur fréquence de fonctionnement.
1.2.2 Historique de la technologie RFID

La RFID existe depuis des dizaines d’années. Cependant, le manque de standar-
disation et le manque de technologie n’ont permit au NFC de se développer qu’à
partir des années 2010.
– 1935-1940 : Première utilisation de la RFID lors de la seconde Guerre Mon-
diale dans l’aviation. Chez les alliés, l’identification des avions sur les radars se
fait grâce au premier système RFID : le système IFF « Identification Friend or
Foe » (Identification amie ou ennemie). De grands tags sont positionnés sur les
avions alliés afin de répondre comme « amical » aux demandes d’identification
des radars.
14
Classe 1 Classe 2 Classe 3

49 27 50
34 35
13
40
24
64
81
81
51
7 =50
8.5 =32
Classe 4 Classe 5 Classe 6
50 40.5 25
35 25
24.5
20
27
13
10
=41 =35
=25
=24 =18
Figure 1.8 – Les dimensions (en mm) des différentes classes d’antennes
Les zones hachurées sont les zones où l’antenne ne doit pas être présente.
Figure 1.9 – Des objets du quotidien utilisés comme des lecteurs NFC. De gauche
à droite, un terminal de paiement NFC, un module permettant de lire des tags NFC
via un PC, un lecteur NFC classique, une console de jeux lisant des figurines NFC
15
Ondes Ondes Infra Domaine Ultra Rayons

Rayons X
électriques Radio rouge visible Violet Gamma
0 Hz 9 kHz 300 GHz 384 THz 789 THz 30 PHz 30 EHz ∞
9 kHz 30 kHz 300 kHz 3 MHz 30 MHz 300 MHz 3 GHz 300 GHz
VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF
125 kHz - 135 kHz 433 MHz

13.56 MHz
860 à 960 MHz
2.45 GHz
5.8 GHz
Figure 1.10 – Fréquences d’utilisation de la RFID
– Fin 1970 : La RFID qui était alors réservée au domaine militaire apparait
dans le secteur privé comme en 1977 dans le laboratoire scientifique de Los
Alamos. Une des premières applications commerciales est l’identification du
bétail en 1978 par « Identronix Research » en Californie.
– Début 1980 : Les années 80 marquent le début de la fabrication et la com-
mercialisation de tags par de nombreuses firmes européennes et américaines.
– 1983 : Le premier brevet associé à la RFID est déposé.
– 1990 : Le développement de la RFID prend de l’ampleur et nécessite une
standardisation pour une interopérabilité des équipements RFID à commencer
par les cartes à puces puis les systèmes tags-lecteurs de manière générale.
– 1994 : Apparition de la technologie MIFARE 1k sans contact.
– 1996 : 1ière utilisation des cartes MIFARE 1k dans un système de transport
à Séoul.
– 1997 : Intégration de la RFID dans des figurines Star Wars.
– 2002 : Les entreprises Sony et Philips se mettent d’accord pour rédiger des
spécifications techniques sur le NFC.
– 2003 : Le NFC est approuvé en tant que standard ISO/IEC puis il sera ap-
16
prouvé comme standard ECMA.

– 2004 :
– Les entreprises Nokia, Philips et Sony créent le NFC Forum.
– Apparition de l’organisation EPC global, une organisation à but non-lucratif
ayant pour objectif de développer un standard définissant un système d’iden-
tifiant unique par objet. Basé sur les tags RFID, il représente « le réseau de
la traçabilité des objets ». En France, c’est EPC Global France, émanation
de GS1-France (ex Gencod-Ean France), qui en assure le développement et
la promotion.
– Au Japon, des puces NFC (Felica) sont intégrées dans les téléphones por-
tables, servant de moyen de paiement.
– 2006 Les premières spécifications pour les tags NFC et les "SmartPoster" (pour
"poster intelligents") sont définies.
– 2007 Les tags "Topaz" d’Innovision sont utilisés pour la campagne de test à
grande échelle du NFC "O2" au Royaume-Uni.
– 2009 Le NFC Forum définissent les spécifications du mode "Peer to Peer" (Pair
à Pair en français).
– 2010 :
– Développement du Samsung Nexus S, le 1ier smartphone Android NFC.
– La ville de Nice, France, lance l’expérimentation "Nice, ville sans contact"
afin d’unir les acteurs de l’environnement des outils sans contacts comme
les banques, les commerçants et les opérateurs téléphoniques.
– 2011 Lors de l’événement Google I/O, une présentation "How to NFC" a dé-
montré l’utilisation du NFC dans des smartphones pour lancer des application
ou des vidéos et échanger des données.
– 2012 Sony présente ses tags intelligents NFC, tags programmable afin d’ef-
fectuer des taches spécifiques lorsqu’ils communiquent avec un téléphone NFC
(Par exemple, placer un tag intelligent sur une table de chevet qui active la
fonction réveil du téléphone, le place en mode économie d’énergie et en mode
silencieux, coupe le Wi-Fi/Bluetooth...).
– 2013 Samsung et VISA annoncent leur partenariat pour développer le paie-
ment mobile.
– 2014 :
– AT&T, Verizon et T-Mobile lancent Softcard, une plateforme de paiement
mobile qui utilise le NFC pour permettre aux utilisateurs d’effectuer des
paiements avec leur téléphone contenant les informations de leur carte de
crédit. Google a racheté cette technologie pour développer leur propre sys-
tème de paiement, l’Android Pay.
– La même année, Apple annonce leur système de paiement mobile, l’Apple
17
Pay pour leurs produits compatibles NFC, l’iPhone 6, l’iPhone 6 Plus et

l’Apple Watch.
– 2015 : Swatch et Visa annoncent leur partenariat pour effectuer des transac-
tions de paiement en utilisant les montres "Swatch Bellamy". Ce système est
déployé en Asie avec le partenariat de China UnionPay et Bank of Communi-
cations.
– 2016 : Je deviens Docteur ! Bravo pour avoir trouvé cette phrase
– Un rapport de Strategy Analytics prévoit que plus de 100 millions de per-
sonnes à travers le monde utiliseront le NFC pour des applications de paie-
ment.
– Visa Europe révèle que la proportion de paiements sans contact dans les
paiements Visa est passée de 1.7% (1 paiement sur 60) en 2013 à 20 % (1
paiement sur 5) en 2016 en Europe Dr. Dre + Mister. T = Dr. T
1.2.3 Evolution du marché du NFC

La technologie émergente du NFC se développe rapidement grâce à la demande
croissante d’applications de paiement et de contrôle d’accès sans contact dédiées
à des outils nomades (smartphone, tablette ...) listées dans l’image 1.11. En effet,
d’après ABI research 8 , le marché du NFC s’est lancé autour de 2009/2010 avec
des volumes de ventes de puces NFC limités et a très rapidement dépassé les 350
millions de pièces vendus en moins de 3 ans. Ce marché est évalué à 1 milliard
d’unités vendues en 2016 et d’environ 2.3 milliards d’unités en 2019. La figure 1.12
présente l’évolution du marché du NFC en présentant, entre autre, le volume de
téléphones mobiles et de PC compatibles avec la technologie NFC vendu en fonction
des années avec des prévisions jusqu’en 2019.
1.2.4 Télé-alimentation et transfert de données

Comme expliqué précédemment dans la partie 1.2.1, le lecteur et la carte NFC
s’échangent des informations alors que ces deux éléments n’ont pas de contact phy-
sique. Pour réaliser cette communication, ces systèmes utilisent le couplage inductif.
Le lecteur et la carte possèdent une antenne permettant de transmettre et de
recevoir des ondes dans le domaine de la HF (High Frequency, ou Haute fréquence).
Lorsque ces deux antennes sont proches l’une de l’autre, un couplage inductif se crée
et il devient possible d’envoyer de l’énergie d’une antenne à l’autre. Une description
technique détaillée des principes physiques utilisés pour cet échange d’énergie est
donnée dans la partie 1.3.
8. www.abiresearch.com
18
Cartes bancaires
(Paiement sans contact)
Échange de Cartes de fidélité

données
E-Ticket
Appairage (abonnements,
billets...)
Smartphone
NFC
Contrôle
Lecture de d’accès
tags sécurisé
Autres (clés, rechargement de

batterie ...)
Figure 1.11 – Liste de différents types d’applications NFC executable grâce à un

appareil mobile
2400
Nombre de produits NFC vendus (Million)
Telephone Mobile
2200
PC et périphériques
2000 Autres
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019
Années
Figure 1.12 – Evolution et prévision du marché du NFC par ABI Research
19
La figure 1.13 présente une schématisation simplifiée d’une communication NFC

dont les 3 étapes, la récupération d’énergie, la réception du signal et la modulation
de charge, sont décrites dans la thèse [Ant08] (partie 1.4.3 Architecture des tags
RFID UHF passifs).
Dans un premier temps, le lecteur NFC fournit l’énergie nécessaire à la carte afin
de la réveiller. En effet, généralement la carte NFC est un élément passif ne possédant
pas de batterie propre, pour avoir accès aux informations qu’elle contient il faut donc
l’alimenter en énergie. C’est ce qui est communément appelé la télé − alimentation.
Dans un second temps, lorsque la carte est opérationnelle, le lecteur envoie éga-
lement des commandes utilisant un protocole de communication (définit lors de la
conception et de la personnalisation de la carte) à cette dernière afin de l’interroger.
Comme la carte n’a pas de batterie, elle ne peut pas générer son propre champ
magnétique pour répondre à l’interrogation du lecteur. La carte utilise alors la
rétromodulation décrite plus précisément dans la partie 1.4.9. Elle modifie l’impé-
dance de son circuit afin de renvoyer de l’énergie vers le lecteur qui pourra décoder
alors décoder la réponse.
Figure 1.13 – Schematisation des étapes d’une communication NFC
L’aspect sécurité lors des transferts de données n’est pas abordé dans ce manus-
crit. Le lecteur peut se référer à la thèse [The11] proposant un état de l’art des types
d’attaques et de contre mesures existants.
20
1.3 Principes physiques du NFC

1.3.1 Le champ magnétique
1.3.1.1 La loi d’Ampère
C’est en 1820 que Hans Christian Oersted, physicien et chimiste danois, découvrit
l’interaction entre l’électricité et le magnétisme grâce à une expérience toute simple
[Oer20]. Il démontra expérimentalement qu’un fil parcouru par un courant était
capable de faire bouger une aiguille aimantée à proximité. En effet, tout mouvement
de charges électriques, i.e. tout courant parcourant un conducteur crée un champ
magnétique dont sa magnitude est appelée la force du champ magnétique H. Ce
phénomène physique fut mis en équation par le théorème d’André-Marie Ampère
montré dans l’équation 1.2 avec les grandeurs mises en jeu décrites dans le tableau
1.1.
�
� · d�l = (1.2)
�
H Itraversant
avec :
H Intensité du champ magnétique Ampère/mètre (A/m)

Intégrale curviligne sur un contour fermé N/A
�
→
−
dl élément infinitésimal de déplacement Mètre (m)
le long du contour
Somme algébrique des intensités Ampère (A)
�
Itraversant
des courants enlacés par le contour
Table 1.1 – Description des grandeurs utilisées dans le théorème d’Ampère
Ce dernier énonce que l’intégrale du champ magnétique, le long d’un circuit

fermé, est égale à la somme algébriques des courants traversant la surface délimitée
par le circuit fermé. La figure 1.14 illustre le comportement du champ H � lorsque le
courant passe dans deux types de conducteurs, un fil rectiligne et un fil bobiné.
1.3.1.2 La loi Biot et Savart
La loi de Biot et Savart est une loi donnant le champ magnétique créé par une
distribution de courants continus. Elle énonce que :
« Soit C la courbe géométrique représentant le circuit filiforme, et soit r �
→
−
un point de cette courbe C. On note dl le vecteur déplacement élémen-
taire tangent à la courbe C au point r � . Dans le vide, le circuit parcouru
21
z
+
+
H
H
-
I
-
Figure 1.14 – Exemples de champs magnétiques générés par différents types de

conducteurs traversés par un courant I
par un courant continu d’intensité I crée en tout point r extérieur à C

→
− −
le champ magnétique B (→ r ) donné par la formule 1.3 ([A.K90]) »
→
−
�
→
− �
→
− → µ0 � Id l ∧ →−
r − r�
B (−
r)= →
− (1.3)
4π |→−
r − r� |3
Il est supposé que le courant I est constant le long du circuit filiforme, i.e. que
la longueur de ce dernier n’excède pas λ/10.
Pour le fil conducteur rectiligne, les lignes de champ H, i.e. les lignes où la force
du champ magnétique est constante sont des cercles orthogonaux et centrés par
rapport au fil conducteur et peuvent être exprimés selon l’équation 1.4 ([Hec98])
I
H= (1.4)
2πr
Pour le fil conducteur bobiné, de par sa forme géométrique, les lignes du champ
H sont concentrées le long de l’axe z. C’est ce type de structure géométrique qui est
généralement utilisée pour fabriquer les antennes NFC. La valeur du champ H le
long de l’axe z est exprimée dans l’équation 1.5 ([Hec98]). Les définitions des termes
de l’équation sont données dans le tableau 1.2.
I · N · r2
H= � (1.5)
2 (r2 + z 2 )3
22

I L’intensité du courant parcourant les spires Ampère (A)
N Nombre de tours de l’antenne Sans unité
r Rayon des spires Mètre (m)
z Distance par rapport au centre de la spire Mètre (m)
Table 1.2 – Définition des termes utilisés dans l’équation 1.5
Cette formule n’est viable que pour une distance inter spire faible (elle suppose
théoriquement que la distance inter spire est nulle, que toutes les spires ont le même
diamètre et que donc elles sont superposées) et pour z << λ/2π.
1.3.2 L’induction magnétique B et le flux magnétique Φ

Le flux magnétique, appelé également flux d’induction magnétique et noté Φm ,
est une mesure du champ magnétique traversant une surface donnée.
L’induction magnétique, notée B, est la quantité de flux magnétique qui traverse
une unité de surface, notée S, et est exprimée dans l’équation 1.6 avec les définitions
des termes utilisés données dans le tableau 1.3.
Φm
B= (1.6)
S
B Densité de flux magnétique Tesla (T)

Φm Flux magnétique Weber (wb)
S Surface élémentaire Mètre carré (m2 )
Il existe une relation entre la densité de flux magnétique B et la force du champ

magnétique H donnée dans l’équation 1.7 et dont les termes utilisés sont listés dans
le tableau 1.4.
Φm
B = µ 0 · µr · H = µ · H = (1.7)
S
1.3.3 L’inductance L d’une antenne

Comme expliqué dans la partie 1.3.1, lorsqu’un courant passe dans un conduc-
teur, il y a création d’un champ magnétique. La force de ce champ dépend de la
23
B Densité de flux magnetique Tesla (T)

µ0 Perméabilité du vide 4 · π · 10−7 T · m/A
µr Perméabilité relative du matériaux T · m/A
forme géométrique du conducteur. Comme montré dans la figure 1.14, si le conduc-

teur a la forme d’une boucle, le champ magnétique peut être concentré dans une
certaine partie de l’espace. Ainsi, si l’on considère un fil conducteur formant une
boucle de plusieurs tours N délimitant la même surface S et parcouru par un cou-
rant d’intensité I, le flux magnétique total Ψ généré par ce conducteur peut être
vu comme la somme algébrique des flux magnétiques Φm i créés par chaque tour.
Finalement, Ψ peut être exprimé comme dans l’équation 1.8.
N
Ψ= Φmi = N · Φ = N · µ · H · S (1.8)
�
i=1
La capacité du matériau conducteur, conducteur qui sera appelé à présent antenne,

à générer un flux magnétique Ψ avec un courant I le traversant est appelée une
inductance, notée L et définie dans l’équation 1.9. Le tableau 1.5 liste les termes
utilisés et leur unité.
Ψ N ·Φ N ·µ·H ·S
L= = = (1.9)
I I I
L Inductance Henry (H)

Ψ flux magnétique total Weber (Wb)
Φ flux magnétique Weber (Wb)
I Intensité du courant Ampère (A)
N Nombre de tours de l’antenne Sans unité
S Surface de la spire Mètre carré (m2 )
µ Perméabilité T · m/A
1.3.4 L’inductance mutuelle M

Lorsqu’une antenne A1 , parcouru par un courant I1 , génère un champs magné-
tique H, une partie du flux magnétique, notée Ψ21 traverse une antenne A2 si celle
24
ci se trouve à proximité de A1 . Les deux antennes sont alors connectées par ce flux
magnétique Ψ21 , elles sont couplées. La figure 1.15 schématise ce phénomène.
Figure 1.15 – Description du phénomène de couplage entre deux antennes
La valeur de Ψ21 dépends des dimensions de l’antenne A1 d’émission et de l’an-

tenne A2 de réception et de la position relative de l’une par rapport à la seconde.
Le ratio entre Ψ21 et le courant I1 est appelé l’inductance mutuelle, notée M et est
décrite dans l’équation 1.10. Comme une inductance, elle s’exprime en Henry (H).
Ψ21 � B2
M21 = = · dA2 (1.10)
I1 A2 I1
De même, nous avons pour M12 l’équation 1.11.
Ψ12 � B1
M12 = = · dA1 (1.11)
I2 A1 I2
De plus, selon la relation de Neumann, l’équation 1.12 peut être donnée.
M21 = M12 = M (1.12)
1.3.5 Le coefficient de couplage

Le coefficient de couplage, noté k, est un paramètre plus simple d’utilisation
que la mutuelle inductance M et qui caractérise également le couplage entre deux
antennes. Il n’a pas d’unité (nombre pur) et est exprimé dans l’équation 1.13 en
fonction de l’inductance mutuelle M de deux antennes d’inductance L1 et L2 cou-
plées.
25
M
k=√ (1.13)
L1 · L 2
Avec 0 ≤ k ≤ 1. Le coefficient de couplage k peut être exprimé comme un
pourcentage du flux magnétique traversant l’antenne de réception. Ainsi, si k = 0,
aucun flux magnétique n’est capté par l’antenne de réception, les antennes sont
dites totalement isolées ; si k = 1, 100% du champ magnétique généré par l’antenne
d’émission va être capté par l’antenne de réception, il y a un couplage total.
1.3.6 La loi de Lenz-Faraday

La loi de Lenz-Faraday, ou plus simplement appelée la loi de Faraday, est une
loi décrivant le phénomène inverse que celui donné par la loi de d’Ampère détaillée
en 1.3.1.1. En effet, cette loi met en équation le fait que lors des variations du
flux magnétique (qui traverse la surface S délimitée par une antenne), un champ
électrique , noté E, est créé, ce champ E va à sont tour créer une tension induite
dans l’antenne notée ε. Cette équation est donnée en 1.14
�
dΨ(t)
ε= E · dS = − (1.14)
dt
La figure 1.16 montre un exemple de transfert de puissance d’un primaire vers
un secondaire et du circuit équivalent du système. L’antenne secondaire présente
une résistance interne R2 et est connectée à une résistance de charge RL . La tension
u2 récupérée au secondaire est décrite dans l’équation 1.15
Figure 1.16 – Exemple de transfert de puissance (à gauche) Circuit électrique

équivalent du système (à droite)
26
dΨ2 (t) di1 di2

u2 = =M − L2 − i 2 R2 (1.15)
dt dt dt
En notation complexe, l’équation 1.15 peut être simplifiée.
u2 = jωM i1 − jωL2 i2 − i2 R2 (1.16)
En remplaçant i2 dans l’équation 1.16, u2 devient :
jωM i1
u2 = (1.17)
1 + jωLR2L+R2
1.3.7 L’effet de peau

1.3.7.1 Résistance DC d’une antenne NFC
La résistance électrique est la propriété d’un matériau à s’opposer au passage

d’un courant. Certains matériaux sont de très bons conducteurs comme le cuivre
(souvent utilisé pour les antennes NFC) ou l’or (utilisé pour faire du "wire boun-
ding"). D’autres matériaux, comme les matériaux plastiques sont des isolants et ne
font pas passer le courant.
Lorsque une tension constante est appliquée sur un barreau métallique de section
constante, la résistance, notée R, de ce barreau est donnée par l’équation 1.18
l
R=ρ· (1.18)
S
R Résistance du barreau conducteur Ohm (Ω)

ρ Résistivité du matériau Ohm-mètre (Ω.m)
l longueur du barreau conducteur Mètre (m)
S Section du barreau conducteur Mètre carré(m2 )
1.3.7.2 Résistance AC d’une antenne NFC
En DC, les électrons parcourant le conducteur se répartissent équitablement sur

toute sa section. Cependant, lorsque la tension appliquée à un barreau conducteur
varie au cours du temps, la génération du champ magnétique au centre du conducteur
(voir la partie 1.3.1) implique une forte augmentation de la réactance dans cette
région. Ainsi, les électrons parcourent le conducteur préférentiellement au niveau du
bord du fil. Donc, la densité de courant augmente au bord du fil mais diminue en
27
son centre. Les électrons ne sont plus répartis équitablement. Ce phénomène, appelé
l’effet de peau, est d’autant plus fort que la fréquence du signal parcourant le
conducteur augmente.
Une approximation de l’épaisseur de peau δ (épaisseur où les électrons se ré-
partissent) est donnée dans l’équation 1.19 (voir [HI92] ou un article plus récent
[KP14]) :
1
δ=√ (1.19)
πf µσ
δ Épaisseur de peau Mètre (m)

f Fréquence du signal parcourant le conducteur Hertz (Hz) (Ω.m)
µ Perméabilité magnétique Henry par mètre (H/m)
σ Conductivité électrique Siemens par mètre(S/m)
Ainsi, la résistance AC d’un matériau peut être décrit dans l’équation 1.20.
l
RAC = ρ · (1.20)
SACT IV E
Avec SACT IV E étant la section du conducteur couverte par l’épaisseur de peau.
1.3.8 Conclusion
Ainsi, tous les phénomènes physiques permettant une transmission d’énergie
d’une antenne primaire d’émission, vers une antenne secondaire de réception ont
été présentés et peuvent être résumés comme suit. Lorsqu’un signal parcourt une
antenne, le courant génère un champ magnétique et donc un flux magnétique (voir
1.3.1 et 1.3.2). Une antenne de réception placée à proximité de l’antenne d’émission
capte une partie du flux (voir 1.3.5). Or, le courant dans le primaire variant au
cours de temps, le flux magnétique capté par le secondaire varie également au cours
du temps. Cette variation du flux magnétique crée une force électromotrice induite
(voir 1.3.6) dans le secondaire.
Seuls les principes fondamentaux d’un transfert d’énergie ont été expliqués. En
application, il faut tenir compte de plusieurs autres points.
– Pour que le primaire (le lecteur) puisse générer son champ magnétique, il faut
que l’énergie générée par la source RF soit transférée à l’antenne. Or, pour
que cette énergie soit transférée, il faut que l’impédance interne du générateur
soit adaptée à celle de l’antenne à la bonne fréquence (13.56 MHz). Sans cela,
28
il n’y a pas de transfert d’énergie. Il est donc obligatoire d’ajouter un circuit

d’adaptation d’impédance.
– Pour le secondaire (appelé également PICC ou tag), il faut que la fréquence
de résonance du système soit la fréquence du signal transmis afin d’augmenter
les performances de réception. Or dans la majorité des cas, la fréquence de
résonance propre de l’antenne secondaire n’est pas celle du signal envoyé par
le primaire. Il faut donc ajouter un circuit de résonance pour que l’antenne du
secondaire résonne autour de 13.56 MHz.
– Lorsque la position du secondaire change par rapport au primaire, le coefficient
de couplage entre ces deux antennes change également. Cela résulte qu’une
partie de l’impédance du secondaire s’ajoute plus ou moins à l’impédance de
l’antenne du primaire. Cela provoque donc une désadaptation d’impédance
entre le générateur RF et l’antenne du primaire. Cet effet, communément ap-
pelé l’effet de charge, doit absolument être pris en compte car selon la position
du secondaire, la désadaptation est si importante que le primaire ne génère
plus de champ.
– Il faut également tenir compte de l’environnement d’intégration des antennes
NFC. En effet, ces antennes sont amenées à être intégrées dans des environne-
ments métalliques (dans un téléphone, une tablette ...), environnements très
hostiles à la génération de champs magnétiques à cause du courant de Fou-
cault.
– Pour contrer les effets néfastes de l’environnement métallique, des ferrites, des
boucliers magnétiques, sont utilisées. Par exemple, une feuille de ferrite est
placée entre la batterie du téléphone portable et l’antenne NFC pour isoler
cette dernière. Ainsi, la ferrite change le comportement de l’antenne, il faut
donc prendre en compte sa présence dans l’environnement d’intégration.
Tous ces points vont être explicités dans la section suivante. Dans ces explications,
le terme de paramètres S va être utilisé. Les paramètres S étant des éléments im-
portants, une description de ces derniers est donnée en annexe.
1.4 Principes applicatifs du NFC

1.4.1 Adaptation d’impédance du lecteur NFC
Considérons le circuit présenté dans la figure 1.17. Un générateur de tension
sinusoïdale ayant une impédance interne de ZS = RS + j · XS est connecté à une
charge complexe, par exemple, une antenne NFC d’impédance ZL = RL + j · XL .
L’objectif est de trouver la relation entre les impédances ZS et ZL permettant un
transfert optimal d’énergie du générateur vers la charge.
29
Figure 1.17 – Une charge complexe connectée à une source de tension sinusoïdale
Le générateur fournit une tension à vide US , UL est la tension aux bornes de la

charge parcourue par le courant IL . IL est exprimé dans l’équation 1.21.
UL UL
IL = = (1.21)
Ztotal ZS + Z L
La puissance dissipée par la charge,PL est exprimée dans l’équation 1.23.
�2
1 1 UL
�
PL = · RL · IL2 = · · RL (1.22)
2 2 ZS + Z L
1 UL2 · RL
PL = · (1.23)
2 (RS + RL )2 + (XS + XL )2 + 2j (XL + XS ) (RS + RL )
Afin de maximiser la puissance dissipée par la charge, il faut maximiser le numé-

rateur et minimiser le dénominateur. Dans un premier temps, il est possible de poser
la relation XS = −XL afin de minimiser le dénominateur. Cependant, il n’est pas
possible de poser la relation RS = −RL car une résistance est forcément positive.
L’équation 1.23 se simplifie en l’équation 1.24.
1 UL2 · RL 1 UL2
PL = · = · (1.24)
2 (RS + RL )2 2 (RS2 /RL + 2RS + RL )
Pour déterminer le minimum du numérateur, ce dernier est dérivé en fonction
de RL dans l’équation 1.25.
d R2
(RS2 /RL + 2RS + RL ) = − S2 + 1 (1.25)
dRL RL
Pour trouver un extrema de RS2 /RL + 2RS + RL ,il faut que la dérivée première
soit égale à 0. Pour cela, il faut que RL = RS . Cependant, pour confirmer que cet
extrema est un minimum (et non un maximum), il faut étudier le signe de la dérivée
seconde par rapport à RL de RS2 /RL + 2RS + RL . Celle-ci est donnée dans l’équation
1.26.
30
d2 2 RS2
(R /RL + 2RS + RL ) = 2 · 3 (1.26)
dRL2 S RL
Si RL = RS , la dérivée seconde est positive, ainsi RS2 /RL +2RS +RL est minimisé
et la puissance dissipée par la charge est maximisée.
Finalement, pour que la puissance dissipée par la charge soit maximale, il faut
que les deux conditions suivantes soient respectées :
– RS = RL
– XS = −XL
Il peut être conclu que l’impédance de la charge doit être le complexe conjugué de
l’impédance interne du générateur pour avoir le maximum de transfert de puissance.
En remettant le phénomène d’adaptation d’impédance dans le domaine du NFC,
il devient obligatoire d’adapter l’impédance de l’antenne du lecteur NFC (considérée
comme la charge complexe) à la source RF à la fréquence d’application du NFC, le
13.56 MHz.
1.4.2 Fréquence de résonance de la carte

La résonance d’une carte est un phénomène où ladite carte absorbe préférentiel-
lement l’énergie d’une onde électromagnétique autour d’une fréquence particulière,
appelée la fréquence de résonance.
Afin d’expliquer brièvement la fréquence de résonance d’une carte, il faut faire
le parallèle entre l’antenne NFC de la carte et un circuit électrique RLC (dans ce
cas, on néglige l’impact de la puce NFC).
– L’antenne s’oppose à l’établissement du courant qui la traverse. Elle est donc
naturellement inductive (L en Henry, H).
– Elle stocke de l’énergie et se comporte également comme un condensateur (C
en farad, F).
– Le conducteur formant l’antenne n’étant pas un conducteur parfait, il dissipe
une partie de l’énergie qui le traverse. Ainsi l’antenne a également le compor-
tement d’une résistance ohmique (R en ohm, Ω).
La méthodologie pour trouver le circuit RLC équivalent d’une antenne est détaillée
dans la partie 2.2 page 55.
L’antenne, comme le circuit RLC a une fréquence de résonance. Pour déterminer
cette fréquence de résonance, considérons le circuit RLC série soumis à une tension
sinusoïdale montré dans la figure 1.18
L’impédance du circuit RLC est donnée dans l’équation 1.27.
1 1
ZL = RS + jLS ω − j = RS + j(LS ω − ) (1.27)
CS ω CS ω
31
Figure 1.18 – Exemple de circuit RLC série
À la fréquence de résonance, afin que le courant dans le circuit soit maximal,

l’impédance du circuit doit être minimale. Les paramètres RS , LS etCS étant fixes,
la condition montrée dans l’équation 1.28 doit être respectée.
1
LS ω0 − =0 (1.28)
CS ω0
En isolant la pulsation w0 le résultat présenté dans l’équation 1.29 est démontré.
1
ω0 = √ (1.29)
LS CS
Finalement, en remplaçant ω0 par ω0 = 2πf0 le résultat final est trouvé dans
l’équation 1.30.
1
f0 = √ (1.30)
2π LS CS
Une carte NFC, recevant l’énergie directement du champ émis par le lecteur NFC
n’a pas besoin d’adaptation d’impédance comme expliqué dans la partie précédente
1.17. Par contre, afin de maximiser le courant dans le circuit de la carte NFC il faut
que cette carte résonne autour de la fréquence d’application du NFC, 13.56 MHz.
1.4.3 L’effet de charge

Dans les parties 1.4.1 et 1.4.2, l’adaptation d’impédance du lecteur, permettant
de maximiser le transfert d’énergie entre la source RF et l’antenne, et la fréquence
de résonance de la carte, permettant de récupérer un maximum d’énergie, ont été
expliquées. En général, ces calibrages s’effectuent "à vide" c’est à dire que l’outil
NFC à calibrer est isolé.
Cependant, lorsqu’une carte NFC s’approche d’un lecteur NFC, il peut être ob-
servé une désadaptation d’impédance du lecteur. Ce phénomène est appelé l’effet
32
de charge de la carte sur le lecteur. L’effet de charge (plus communément appelé

"loading effect" en anglais) prends en compte les répercussions de la charge globale
de la carte sur le fonctionnement à vide du lecteur.
En effet, lorsque la carte se rapproche du lecteur, le couplage entre les deux
antennes augmente. Une partie de la charge de la carte s’ajoute à la charge du lecteur.
Finalement, l’adaptation à vide du lecteur n’est plus valable et l’énergie transmise
à l’antenne du lecteur diminue, dégradant ainsi les performance RF globales de la
communication NFC.
De plus, l’effet de charge peut être observé lors d’une communication entre deux
outils NFC alors que ces deux derniers sont immobiles. En effet, en fonction des
données échangées et de leur traitement (cryptage/décryptage, comparaison ...) la
consommation des puces NFC varie, faisant varier l’impédance globale du système
et donc désadaptant plus ou moins l’antenne lecteur.
La figure 1.19 montre un exemple d’une carte qui s’approche d’une antenne NFC
intégrée dans un téléphone mobile. La courbe 1.20 montre l’évolution de l’adaptation
de l’antenne du téléphone en fonction de la position de la carte. Il peut être observé
que lorsqu’il n’y a pas de couplage, l’antenne intégrée dans le téléphone est adaptée
à 13.56 MHz. Cependant, lorsque la carte NFC rentre dans le volume opératoire du
lecteur et se rapproche de ce dernier, l’adaptation d’impédance se dégrade. Finale-
ment, lorsque la carte est collée à la coque du téléphone (couplage à 0mm) l’antenne
lecteur est totalement désadaptée à 13.56 MHz.
Ainsi, l’effet de charge provoque des trous de communication, c’est à dire que
deux outils NFC sont capables de communiquer entre eux lorsqu’ils sont éloignés de
quelques centimètres mais pas lorsqu’ils sont plus proches.
Cet effet de charge est l’un des plus grands challenges à relever dans le NFC car
il induit qu’en fonction du type de carte présent dans le volume opératoire et de
sa position, le circuit d’adaptation doit être différent. Ainsi, l’effet de charge peut
potentiellement générer une infinité de désadaptation différente. Or, comme montré
dans la partie 1.17, le circuit d’adaptation est généralement un circuit utilisant
des composants fixes (composants moins couteux à la fabrication) permettant une
adaptation optimale dans seulement une configuration.
Pour prendre en compte cet effet de charge, plusieurs moyens existent, une liste
est donnée ci-dessous :
- La première solution qui est souvent adoptée est de tout simplement faire un
compromis dans les performances RF. Un circuit d’adaptation d’impédance fixe est
utilisé pour que le lecteur génère assez de puissance dans la majorité des configura-
tions. Le problème de cette solution est qu’elle est très couteuse en terme de temps.
En effet, elle impose à un technicien ou ingénieur de tester plusieurs circuits d’adap-
tation et de mesurer les performances RF du lecteur NFC couplé avec différentes
33
Figure 1.19 – Une carte de référence s’approchant d’un téléphone NFC en mode
lecteur
Figure 1.20 – Observation de la désadaptation d’une antenne lecteur due à la

présence d’une carte dans son volume opératoire
34
cartes NFC dans diverses positions. Cependant, rien ne garantit qu’il existe un cir-
cuit d’adaptation permettant au lecteur donné de pouvoir générer efficacement un
champ dans toutes les configurations. Et même s’il en existait un, les performances
RF ne seraient pas optimales.
- L’utilisation de circuit d’adaptation fixe n’étant pas une solution optimale,
les industries et les laboratoires de recherche se sont tournés vers l’utilisation de
circuit d’adaptation asservis, le circuit d’adaptation va automatiquement se modifier
afin de maximiser les performances du lecteur quelque soit l’effet de charge qu’il
subit. Il existe dans la littérature plusieurs études, on peut notamment citer l’article
[HKMM15] où les auteurs décrivent un système de contrôle adaptatif permettant
d’augmenter l’efficacité des résonances de couplage entre une antenne d’émission et
de réception.
- Durant la thèse, une solution pour le problème de l’effet de charge a été déve-
loppée, elle utilise entre autre des capacités contrôlées en tension afin de réadapter
l’antenne du lecteur pour optimiser les performances RF quelque soit le couplage.
Cette solution est développée dans la partie 2.4.
Note : Il est important de faire la différence entre l’effet de charge de la carte
sur le lecteur, qui est un effet non désiré, et la modulation de charge de la carte
(expliquée dans la partie 1.4.9) qui permet à la carte de répondre au lecteur.
1.4.4 Le Courant de Foucault

Les courants de Foucault sont des courants électriques créés dans une pièce mé-
tallique lorsque le flux magnétique traversant cette masse métallique varie au cours
de temps. Ce phénomène peut apparaitre dans deux situations.
– La pièce métallique est en mouvement dans un champ magnétique constant.
– La pièce métallique est immobile et est soumis à une variation de champ
magnétique. C’est le cas par example dans le contexte de la technologie NFC
intégrée dans un téléphone où l’antenne NFC est collée à la batterie.
La figure 1.21 illustre les phénomènes observables lorsqu’il y a une génération
de courant de Foucault. Un antenne génère un champ magnétique B en direction
d’une plaque métallique. Du fait que le champ magnétique varie au cours du temps,
localement dans la plaque métallique, des courants de Foucault vont apparaitre. Ces
courants vont à leur tour créer un champ magnétique B’ qui s’oppose au champ B
(cf la loi de Lenz-Faraday dans la partie 1.3.6) dégradant ainsi les performances RF
de l’antenne.
Afin d’éviter la dégradation des performances RF d’une antenne due à la présence
de pièces métalliques, un matériau, appelé f errite, est placé entre l’antenne et le
métal afin de les isoler. Une description de la ferrite est donnée dans la partie 1.4.5.
35
Figure 1.21 – Intensité du champ magnétique générée par une antenne dans diffé-
rents environnement.
1.4.5 La ferrite
La ferrite est un composant électrique passif avec une grande perméabilité ma-
gnétique. Elle a comme propriété de rediriger le champ magnétique environnant
et est donc est très utilisée dans le domaine du NFC pour isoler les antennes in-
tégrées dans des environnements métalliques (téléphone portable, tablette ...). En
effet, placer une feuille de ferrite entre l’antenne NFC et un plan métallique permet
de neutraliser les courants de Foucault. La figure 1.22 montre le champ magnétique
généré par une antenne dans 3 cas différents.
Antenne +
Antenne +
Antenne seule Ferrite +
Plan métallique
Plan métallique
Champs Faible Champs Fort
Figure 1.22 – Intensité du champ magnétique générée par une antenne dans diffé-
rents environnement.
36
– Premier cas, l’antenne est seule dans l’air et génère un champ magnétique dans
toutes les directions de l’espace.
– Deuxième cas, l’antenne est collée à un plan métallique (modélisant par exemple,
une batterie de téléphone). Avec les courants de Foucault (cf la partie 1.4.4
présents dans la batterie, le champ magnétique généré par l’antenne est qua-
siment nul.
– Troisième cas, une feuille de ferrite est placée entre le plan métallique et l’an-
tenne. L’antenne est isolée de ce plan métallique et il n’y a pas de courant de
Foucault. Ainsi, l’antenne peut générer un champ magnétique dans les zones
de l’espace non couvertes par la ferrite.
La ferrite est également utilisée pour augmenter l’efficacité des antennes (surtout
des antennes de petites dimensions). En effet, elle agit comme un concentrateur
des lignes de champs. Ainsi, comme l’explique l’article [SSJK13], il est possible de
manipuler les caractéristiques de la radiation d’une antenne en ajoutant de la ferrite
à proximité de cette dernière.
1.4.6 Transfert de données : Architecture générale

Une communication NFC se produit principalement à des débits de 106 kBit/s
et 212 kBit/s (notés également fC /128 et fC /64 où fC est la fréquence 13.56 MHz).
Il existe d’autres protocoles de communication à 424 kBit/s (fC /32) ou 848 kBit/s
(fC /16). Or ces débits correspondent à des signaux de très faibles fréquences qui
ont une portée trop faible pour être exploitée dans des applications basées sur une
communication sans contact. Afin d’augmenter la portée de la communication, une
f réquence porteuse est utilisée, pour le NFC, elle est à la fréquence de 13.56 MHz.
Il existe également des protocoles de communication utilisant le VHBR ("Very High
Bit Rate" ou "Très grand débit") pouvant atteindre des débits de 27.12 MBit/s
(2 ∗ fC ).
Un schéma présentant l’architecture générale d’une communication montante,
du lecteur vers la carte, est présenté dans la figure 1.23.
1.4.6.1 Côté lecteur
Les principes de modulation utilisés sont présentés en détails dans les parties
1.4.8 et 1.4.7.
Considérons le signal modulant UD dépendant du temps et qui est exprimé dans
l’équation 1.31.
UD (t) = AD ∗ cos(ωD t) (1.31)
37
Figure 1.23 – Schéma général d’une transmission d’informations du lecteur vers la

carte
Le spectre du signal UD (illustré pour un débit de 848 kBit/s) correspond au

point 1 donné dans la figure 1.24. Note : Dans ce cas, on parle également d’un signal
en bande de base.
Le signal modulant UD est dans un premier temps multiplié par le signal de
porteuse UP qui est exprimé dans l’équation 1.32.
UP (t) = AP ∗ cos(ωP t) (1.32)
Le spectre du signal UP (illustré pour une communication NFC) correspond au

point 2 donné dans la figure 1.24.
Le produit de ces deux signaux, appelé signal modulé et noté UM , est calculé
dans l’équation 1.34.
UM (t) = UD · UP = AD ∗ cos(ωD t) · AP ∗ cos(ωP t) (1.33)
AD AP
UM (t) = [cos ((ωD + ωP ) t) + cos((ωD − ωP )t)] (1.34)
2
Le spectre du signal UM est montré dans le point 3 de la figure 1.24. Il est
possible de remarquer que le spectre de ce signal est le double de celui du signal
utile et qu’il est centré autour de la fréquence de la porteuse (cependant, la porteuse
n’est pas présente dans le spectre du signal modulé). Cela implique que la bande du
signal UM , qui est envoyé par l’antenne du lecteur vaut 2 fois le débit du signal utile.
Ceci est très important dans le dimensionnement du f acteur de qualité de l’antenne
lecteur qui est plus précisément décrit dans la partie 1.4.10. En effet, de ce facteur
de qualité va dépendre la bande passante de notre système. La bande passante étant
la longueur du spectre du signal que l’antenne peut générer.
38
2
Porteuse
��
Amplitude
3
Signal modulé
��
2
�� 1
Signal utile
848 kHz 13.56 MHz
Fréquence (MHz)
Figure 1.24 – Les spectres du signal utile, de la porteuse et du signal modulé vus
du côté du lecteur
Le signal UM est ensuite transmis par l’antenne lecteur et capté par l’antenne de
la carte.
1.4.6.2 Côté carte
Le spectre du signal reçu par l’antenne de la carte correspond au point 1 dans la

figure 1.25. Afin de retrouver le signal utile, le signal reçu par la carte est démodulé.
Pour cela, le signal UM est multiplié par un signal UP� à la même fréquence que la
porteuse utilisée précédemment pour moduler le signal de donnée dans le lecteur
(son amplitude est notée A�P ). Ce nouveau produit de signaux, noté UM � est donné
dans l’équation 1.35 et son spectre correspond au point 2 dans la figure 1.25.
UM � = UM · UP�
= UD · UP · UP�
= AD ∗ cos (ωD t) · AP A�P ∗ cos2 (ωP t)
1 1
� �
= AD AP AP ∗ cos (ωD t)
�
+ ∗ cos (2ωP t)
2 2
AD AP A�P AD AP A�P
UM � = ∗ cos (ωD t) + ∗ cos (ωD t) · cos (2ωP t)
2 2
39
Ce qui donne :
AD AP A�P AD AP A�P AD AP A�P
UM � = cos (ωD t)+ cos ((2ωP + ωD ) t)+ cos ((2ωP − ωD ) t)
2 4 4
(1.35)
Il peut être remarqué dans le développement de l’équation 1.35 que multiplier le
signal modulé par la même porteuse utilisée dans le lecteur permet de simplifier un
terme (terme apparaissant en gras dans les équations) permettant à son tour d’isoler
un signal à la fréquence du signal de données.
Finalement, en utilisant un filtre passe bas, il est possible de ne garder que le
signal utile avec le bon débit UD� , directement exploitable par la carte et qui donné
par le point 3 dans la figure 1.25.
2
Signal démodulé
�� ′
Amplitude
�� ′
4
Signal modulé 1
��
2
�� ′
2 3
Signal filtré
848 kHz 13.56 MHz 2*13.56 MHz

Fréquence (MHz)
Figure 1.25 – Les spectres du signal modulé, démodulé et du signal de données vus
du côté de la carte
1.4.7 Transfert de données : Lecteur vers Carte : La modu-

lation
Dans la partie précédente, il a été expliqué comment le signal à un certain débit
UD était transmis du lecteur vers la carte. Dans cette partie, le codage et le type
de modulation du signal, procédés permettant à la carte de comprendre le message
envoyé par le lecteur, vont être expliqués.
L’objectif de la modulation est de pouvoir véhiculer une information en modifiant
un paramètre de la porteuse. Le paramètre modifié détermine le type de modulation,
40
il peut y avoir une modulation de fréquence (FM), une modulation de phase (PM) ou
une modulation d’amplitude (AM) (pour plus de détails, se référer au livre [Mor06]).
Cette dernière est la plus utilisée car c’est la plus facile à mettre en oeuvre.
Dans le cadre du NFC, c’est la modulation AM qui est utilisée. Ainsi, c’est en
modifiant l’amplitude du signal de la porteuse que l’information va être transmise.
Comme expliqué dans la partie 1.4.6 après la démodulation et le filtrage du signal
reçu par la carte, il ne reste que le signal UD� au débit souhaité qui est exprimé dans
l’équation 1.36.
AD AP A�P
UD� = ∗ cos (ωD t) (1.36)
2
Il est à noter que l’amplitude du signal UD� dépend de l’amplitude des signaux
UD et UP . Ainsi, en modifiant l’amplitude de la porteuse du côté du lecteur, il est
possible de de contrôler l’amplitude du signal reçu par la carte.
Dans le NFC, deux principaux types de modulation sont utilisés. Ces deux types
de modulation AM sont définis dans la norme ISO/IEC 14443-2 ([ISO07]).
– Modulation d’amplitude type A : L’amplitude du signal envoyé est du tout ou rien.
L’index de modulation vaut 100% lorsque le débit de communication est de
106kBit/s. Avec le taux de modulation, noté m et exprimé en %, qui est définie
dans l’équation 1.37.
� Vmax − Vmin ��
� �
m = �� ∗ 100 (1.37)
Vmax + Vmin �
Un exemple de signal de type A à 106 kBit/s est donnée dans la figure 1.26. Les
valeurs limites des temps t1 − t4 que le lecteur (PCD) doit être capable de générer
sont données dans le tableau 1.8. De même, les valeurs limites des temps t1 − t4 que
la carte (PICC) doit être capable de comprendre sont données dans le tableau 1.9
Pour les autres débits, 212, 424 et 848 kBit/s, d’autres paramètres sont pris en
compte par la norme ISO/IEC 14443 (voir le document [ISO07] pour plus de détails).
Valeurs limites des temps caractéristiques du signal

type A à 106 kbit/s que le PCD peut générer
Paramètre Minimum Maximum
t1 38/fC 40/fC
t2 7/fC t1 − 2/fC
t3 1.5 · t4 16/fC
t4 2/fC 6/fC
Table 1.8 – Valeurs limites du signal type A côté lecteur (106 kbit/s)
41
100 %
90%
60%
50 %
Vmod/Vmax
0% 5%
t4
-50 %
t2
-100 %
t1 t3
Temps (us) Vmod/Vmax

Enveloppe
Figure 1.26 – Modulation d’amplitude type A
Valeurs limites des temps caractéristiques du signal

type A à 106 kbit/s que le PICC doit comprendre
Paramètre Minimum Maximum
t1 37.5/fC 40.5/fC
t2 6/fC t1 − 1/fC
t3 1.5 · t4 17/fC
t4 1/fC 7/fC
Table 1.9 – Valeurs limites du signal type A côté carte (106 kbit/s)
42
– Modulation d’amplitude type B : Le lecteur envoie continuellement de l’énergie

à la carte. L’index de modulation est de 10%. Tout comme pour le type A, les
temps de monté et de descente sont spécifiés dans le document [ISO07].
105 %
tf tr
100 % a
0.9a+0.1b
95 %
Vmod/Vmax
90 %
85 % 0.1a+0.9b
b
80 %
75 %
Vmod/Vmax
Temps (us) Enveloppe
Figure 1.27 – Modulation d’amplitude type B
Il existe également un troisième type de modulation AM, la modulation type F

qui est définie dans la norme ISO/IEC 18092 [ISO05] où l’index de modulation est
compris entre 8% et 30%. Ce type de modulation n’ayant pas été étudié durant la
thèse, il ne sera pas développé plus en détails dans ce mémoire.
Finalement, grâce à la modulation d’amplitude, le lecteur peut envoyer des ni-
veaux haut et bas d’énergie à la carte. Cependant, ces niveaux haut et bas doivent
respecter certaines règles de codage pour que la carte puisse reconnaitre un ’0’ ou
un ’1’ logique.
1.4.8 Transfert de données : Lecteur vers Carte : Le codage

Lors d’une communication NFC en modulation type A, le lecteur doit utiliser le
code miller modifié pour s’adresser à la carte comme défini dans la norme ISO/IEC
14443-2. Un exemple du codage des ’0’ et des ’1’ logiques est donné dans la figure
1.28. Dans ce type de code :
– Un ’1’ logique est toujours codé par une pause de l’état haut dans la seconde
moitié du temps symbole (appelé également ETU en anglais pour "Elementay
Time Unit" ou unité de temps élémentaire).
43
– Un ’0’ suivant un ’1’ logique est codé par un signal à l’état haut sans pause.
– Un ’0’ suivant un ’0’ logique est codé par une pause dans la première moitié
du temps symbole.
0 1 1 0 0
Figure 1.28 – Code Miller Modifié
Lors d’une communication NFC en modulation type B, le lecteur doit utiliser le

code NRZ ("Non Return to Zero", "Pas de retour à zero" en français) pour s’adresser
à la carte comme défini dans la norme ISO/IEC 14443 [ISO07]. Un exemple du
codage des ’0’ et des ’1’ logiques est donné dans la figure 1.29. Dans ce type de
code :
– Un ’1’ logique est toujours codé par un signal à l’état haut.
– Un ’0’ logique est toujours codé par un signal à l’état bas.
0 1 1 0 0
Figure 1.29 – Code NRZ
44
1.4.9 Transfert de données : Carte vers Lecteur : La rétro-

modulation
Lorsqu’une carte NFC est placée dans le volume opératoire du lecteur, elle
consomme une partie de l’énergie du champ magnétique. L’effet de la carte sur
l’antenne lecteur peut être vu comme une modification de son impédance. Si une
résistance en parallèle de l’antenne de la carte est alternativement connectée et dé-
connectée, l’impédance équivalente de l’antenne lecteur prend alternativement deux
valeurs. Ainsi, la tension aux bornes de l’antenne lecteur varie et a également deux
valeurs, ce qui peut être vu comme une modulation de cette tension. De plus, si la
commutation de la résistance est contrôlée par la réponse de la carte, la modula-
tion de la tension aux bornes de l’antenne lecteur est directement l’image de cette
réponse et peut être décodée par le lecteur. Ce procédé de transfert d’information
de la carte vers le lecteur est appelée la modulation de charge. Tout comme lors de
la liaison montante (transmission d’informations du lecteur vers la carte), la liaison
descendante (transmission d’informations de la carte vers le lecteur) est soumis à
plusieurs types de codage résumés dans le tableau 1.10.
Codages utilisés pour une communication de la carte vers le lecteur

Débit Type A Type B
fC /128 OOK Manchester BPSK NRZ-L
fC /64 BPSK NRZ-L
fC /32 BPSK NRZ-L
fC /16 BPSK NRZ-L
Table 1.10 – Codages utilisés pour une communication de la carte vers le lecteur
en fonction du débit et du type de modulation
Note : Le phénomène de rétro-modulation est similaire à l’effet de charge. Ce-

pendant, la rétro-modulation est un effet souhaité permettant à la carte de répondre
45
alors que l’effet de charge est non désiré.
1.4.10 Facteur de qualité et Débit de communication

Comme expliqué dans la partie 1.4.2, une antenne NFC peut être considérée
comme un circuit résonnant RLC. Or tout circuit résonant possède un facteur de
qualité, noté Q, qui est défini dans l’équation 1.38. Le facteur de qualité est un
paramètre intrinsèque caractérisant l’idéalité du système réactif.
ω0 Lω
Q= = (1.38)
BP R
Q Facteur de qualité de l’antenne Sans unité

ω0 Pulsation à la fréquence de résonance de l’antenne (rad/s)
BP Bande passante de l’antenne Hertz (Hz)
L Inductance série de l’antenne Henry (H)
R Résistance série de l’antenne Ohm (Ω)
Comme on peut le remarquer, le facteur de qualité et la bande passante du sys-

tème sont inversement proportionnels. Lorsque le facteur de qualité est grand, le
système est communément appelé selectif . Le système accumule l’énergie plus effi-
cacement autour de la fréquence de résonance au détriment de la bande passante du
système qui est réduite. A l’inverse, lorsque le facteur de qualité est faible, le système
accumule moins efficacement l’énergie des signaux ayant une fréquence autour de
la fréquence de résonance mais la bande passante du système augmente. Ainsi, lors
du dimensionnement du facteur de qualité, il est important de prendre en compte
le débit de la communication utilisé par le système afin d’avoir une bande passante
suffisamment grande pour permettre la transmission du spectre du signal modulé
(voir la partie 1.4.6).
Conclusion de ce chapitre
Ainsi dans ce premier chapitre, un état de l’art de l’identification a été donné.
L’identification a commencé avec les codes barres (voir la partie 1.1.1 page 8), élé-
ments incontournables très peu couteux mais possédant une faible capacité de sto-
ckage et une impossibilité de re-programmation. Et l’état de l’art s’est terminé sur
la présentation des cartes à puces à contact et sur l’émergence ces dernières années
d’une technologie RFID, la technologie du NFC (voir la partie 1.2 page 13).
46
Après avoir introduit la technologie NFC, les bases fondamentales de son fonc-
tionnement ont été expliquées. Il a été présenté la loi d’Ampère (partie 1.3.1.1),
loi décrivant le phénomène d’apparition d’un champ magnétique lorsqu’un courant
traverse un fil conducteur, fil conducteur pouvant s’apparenter à un lecteur NFC, et
ce qui en découle :
– La loi de Biot et Savart, permettant de calculer l’intensité du champ magné-
tique en tout point de l’espace (1.3.1.2).
– Le flux magnétique et l’induction magnétique(1.3.2)
– La définition de l’inductance d’une antenne (1.3.3)
Puis, l’inductance mutuelle qui se crée lorsqu’une une deuxième antenne est placée
à proximité du primaire a été expliquée.
Suite à la présentation de ces bases fondamentales, les phénomènes à prendre en
compte lors de l’intégration de la technologie NFC dans un outils nomade ont été
présentés. Des phénomènes tels que :
– L’adaptation d’impédance entre la puce NFC et l’antenne lecteur (voir la partie
1.4.1)
– La fréquence de résonance de la carte NFC (voir la partie 1.4.2)
– L’effet de charge de la carte sur le lecteur, occasionnant une désadaptation
d’impédance de ce dernier.
– La diminution des performances RF due à la présence de métal à proximité
d’une antenne.
Finalement, ce chapitre s’est terminé sur la présentation de l’architecture géné-
rale utilisée pour la transmission de données entre la carte et le lecteur NFC (voir
la partie 1.4.6). Une description des types de signaux envoyés par le lecteur a été
donnée dans les parties 1.4.7 pour le type de modulation utilisé et 1.4.8 pour le
type de codage. Puis dans la partie 1.4.9, il a été vu quel codage est utilisé lors de
la liaison descendante (transfert de données de la carte vers le lecteur grâce à la
rétromodulation).
Pour plus d’informations sur tout ce qui a été présenté dans ce premier chapitre,
il est possible de consulter des livres tels que RFID Handbook de F.Klaus ([Fin10]).
L’état de l’art sur la technologie NFC étant maintenant terminé le chapitre II
de ce manuscrit est proposé. Ce chapitre II introduit les outils et les méthodes
développés durant la thèse permettant de faciliter l’intégration du NFC.
47
Chapitre 2
Developpement d’outils et de
méthodologies pour l’intégration
du NFC
Introduction
Dans ce chapitre, les différents outils et méthodes développés durant la thèse

vont être présentés.
Plusieurs de ces études s’inscrivent directement dans le cadre de l’objectif principal
de la thèse qui est de développer un environnement de simulation permettant de
simuler des tests de certification NFC.
En effet, une feuille de calculs a été développée afin de calculer automatique-
ment le circuit d’adaptation d’impédance à 13.56 MHz qui doit être utilisé entre
la puce NFC de STMicrolectronics et l’antenne NFC. Puis, afin de pouvoir utiliser
cette feuille de calcul, différents outils ont été développés afin de mesurer et cal-
culer le circuit équivalent RLC d’une antenne NFC. De plus, une méthodologie de
caractérisation de l’impédance de sortie de la puce NFC a été mise en place.
D’autres études portent, quant à elles, sur des challenges techniques rencontrés
durant la thèse.
Il y a d’une part, le problème de l’effet de charge décrit dans le chapitre I.
Cette problématique a amené à l’élaboration d’un circuit d’adaptation dynamique et
d’un prototype. D’autre part, depuis plusieurs années il y a une demande croissante
d’intégration de la technologie de recharge sans fil dans des objets nomades. C’est
dans ce cadre qu’un système permettant de faire de la communication NFC à 13.56
MHz et de la recharge sans fil suivant la norme A4WP à 6.78 MHz a été développé
et breveté.
48
CHAPITRE 2. DEVELOPPEMENT D’OUTILS ET DE MÉTHODOLOGIES
POUR L’INTÉGRATION DU NFC
2.1 Outil de calcul du circuit d’adaptation

L’objectif est de développer un outil permettant de calculer automatiquement la
valeur optimale des capacités série et parallèle du circuit d’adaptation d’impédance
en donnant, en entrée, le circuit équivalent RLC de l’antenne NFC que l’on veut
adapter à la puce de STMicroelectronics. Une vue globale du système est donnée
dans la figure 2.1.
Figure 2.1 – Vue globale du circuit NFC
Avec :
– L0 : Inductance du filtre EMI
– C0 : Capacité du filtre EMI
– CS : Capacité série du circuit d’adaptation de l’antenne
– CP : Capacité parallèle du circuit d’adaptation de l’antenne
– RP : Résistance permettant de contrôler le facteur de qualité de l’antenne.
– CRX : Capacité de retour
– rA : Résistance série équivalente de l’antenne
– rp : Résistance parallèle équivalente de l’antenne
– LA : Inductance série équivalente de l’antenne
– Lpa : Inductance parallèle équivalente de l’antenne
– CA : Capacité parallèle de l’antenne
2.1.1 Présentation de l’outil

Toutes les formules développées pour la conception de cet outil sont démontrées
dans l’annexe B page 156. Elles ont ensuite été implémentées dans une feuille de
calculs dont son interface graphique est montrée dans la figure 2.2.
Tous les paramètres sont montrés en 3 couleurs différentes :
– Les paramètres en bleu sont les paramètres d’entrée que l’utilisateur doit
définir.
49
Figure 2.2 – L’outil de calcul automatique du circuit d’adaptation d’impédance
– Les paramètres en noir sont les paramètres de calculs intermédiaires, des

constantes ou des paramètres fixes.
– Les paramètres en rouge sont les paramètres de sortie. Ce sont les résultats
attendus.
La page principale est divisée en 6 parties. Voici leur description
2.1.1.1 Paramètres généraux
Dans cette partie, l’utilisateur peut paramétrer la valeur de la tension d’alimenta-

tion de la puce VP s−T x correspondant à la tension de sortie Vout . En fonction de la va-
leur choisie, l’impédance complexe de sortie de la puce NFC Zmtch = Rmtch +j ∗Xmtch
est modifiée.
Paramètres Généraux
Paramètre Définition
f Fréquence d’adaptation (Hz)
ω Pulsation de f (rad/s)
CIN Capacité parasite de la puce (pF)
RIN Résistance parasite de la puce (Ω)
Vout Tension max du signal créneau de sortie TX1 − TX2 (V)
Zmtch Impédance complexe de sortie de la puce (Ω)
Rmtch Partie réelle de Zmtch (Ω)
Xmtch Partie imaginaire de Zmtch (Ω)
50
2.1.1.2 Paramètres de l’antenne
Dans cette partie, le circuit RLC équivalent de l’antenne à adapter est défini par
l’utilisateur.
Paramètres de l’Antenne
RA Résistance série de l’antenne (Ω)
LA Inductance série de l’antenne (H)
Ca Capacité parasite de l’antenne (F)
Qa Facteur de qualité de l’antenne seule (Ω)
rpa Résistance équivalente de l’antenne (modèle parallèle) (Ω)
Lpa Inductance équivalente de l’antenne (modèle parallèle) (H)
2.1.1.3 Paramètres du circuit
Dans cette partie, la valeur des capacités de retour CRX , qui limitent la tension
entrant dans les deux broches RX1 et RX2 et la résistance parallèle RP diminuant
le facteur de qualité de l’antenne, sont déclarées.
Paramètres du circuit
Rp Résistance de contrôle du facteur de qualité(Ω)
CRX Capacité de retour (F)
Q Facteur de qualité de l’antenne en tenant compte de Rp
CIN RX Capacité décrite dans l’équation 3.19 (F)
Req Résistance décrite dans l’équation 3.20 (Ω)
2.1.1.4 Paramètres du filtre EMI
Dans cette partie, les valeurs des composants du filtre EMI sont définies.
2.1.1.5 Paramètres du circuit d’adaptation
Dans cette partie, les valeurs idéales des composants CS et CP du circuit d’adap-
tation sont données.
51
Paramètres du Filtre EMI

LT X Inductance équivalente de la puce (calculée à partir de Xmtch ) (H)
L0 Inductance du filtre EMI (H)
C0 Capacité du filtre EMI (F)
f0 Fréquence de coupure du filtre EMI (Hz)
Rtr Résistance décrite dans l’équation 3.18 (Ω)
Xtr Réactance décrite dans l’équation 3.18 (Ω)
Paramètres du circuit d’adaptation

CS Capacité série du circuit d’adaptation (F)
CP Inductance du filtre EMI (H)
Vant Approximation de la tension aux bornes de l’antenne (V)
VRX Approximation de la tension aux bornes des pins RX1 et RX2 (V)
PRp Approximation de la puissance dans la résistance RP (W)
2.1.1.6 Paramètres normalisés du circuit d’adaptation
Dans la majorité des cas, les valeurs de CS et CP sont des valeurs avec plusieurs
chiffres après la virgule. Or dans le commerce, les valeurs des capacités sont défi-
nies selon des séries. Dans cette partie, l’utilisateur donne les valeurs normalisées
CSnorm et CP norm se rapprochant des valeurs CS et CP et la feuille de calculs donne
l’impédance à laquelle l’antenne est adaptée.
Paramètres normalisés du circuit d’adaptation

CSnorm Capacité série normalisée du circuit d’adaptation (F)
CP norm Capacité parallèle normalisée du circuit d’adaptation (F)
Vant Approximation de la tension aux bornes de l’antenne (V)
VRX Approximation de la tension aux bornes des pins RX1 et RX2 (V)
Zadaptation Impédance à laquelle l’antenne est adaptée (Ω)
2.1.2 Validation de l’outil

Dans le but de valider l’outil, les résultats donnés par la feuille de calculs ont
été comparés à celles donnés par une simulation électrique sous ADS. L’antenne
52
utilisée pour cette phase de validation est une antenne avec le circuit RLC équivalent
suivant :
– LA = 1.11 µH
– CA = 5.24 pF
– RA = 0.274 Ω
Ce circuit équivalent est entré dans la feuille de calcul, les autres variables d’en-
trées sont définies ainsi :
– C0 = 120 pF
– L0 = 560 nH
– RP = 2000 Ω
– CRX = 27 pF
– Vout = 3.3 V
Comme montré dans la figure 2.2, l’outil de calculs montre que dans cette confi-
guration, le circuit d’adaptation doit être composé de capacités séries CS = 30 pF
et d’une capacité parallèle CP = 90 pF. Avec ce circuit d’adaptation, l’antenne est
adaptée à l’impédance Zadaptation =26.86-j*29.09 Ω
Le circuit montré dans la figure 2.3 a également été simulé sous ADS en repre-
nant les valeurs des composants données dans l’outil de calculs. Des simulations de
paramètres S (avec le port 1 placé entre TX1 et TX2 à la place du générateur de
signaux) ont été lancées. Les figures 2.4, 2.5 et 2.6 montrent les résultats de simula-
tion en donnant respectivement l’adaptation de l’antenne à la puce ST, la résistance
et la réactance à laquelle l’antenne est adaptée. D’après les résultats de simulation,
le circuit d’adaptation donné par la feuille de calculs permet bien l’adaptation de
l’antenne NFC à la puce à 13.56 MHz et à cette même fréquence, l’antenne est
adaptée à Zadaptation =27-j*29 Ω corrélant ainsi avec les résultats donnés par l’outil
de calculs.
Figure 2.3 – Design du circuit d’adaptation paramétré par la feuille de calculs
53
-10
-20
S11 (dB)
-30
-40
-50
S11
-60
13.0 13.2 13.4 13.6 13.8 14.0
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 2.4 – Adaptation de l’antenne 1.11 µH à la puce ST
70
60
50
Resistance (ohm)
40
30
20
10
Resistance
0
12 13 14 15
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 2.5 – Résistance vue du port 1
-20
-30
-40
Réactance (ohm)
-50
-60
-70
-80
Réactance
-90
12 13 14 15
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 2.6 – Réactance vue du port 1
54
2.1.3 Conclusion et Discussion
Dans cette partie, le développement d’un outil permettant de calculer automa-

tiquement les valeurs des composants du circuit d’adaptation d’impédance de l’an-
tenne NFC à la puce a été démontré de façon théorique. Pour valider cet outil, ses
résultats ont été comparés à ceux donnés par une simulation de paramètres S sous
ADS. Au final, on peut résumer le fonctionnement de l’outil comme montré dans la
figure 2.7.
Figure 2.7 – Entrées/sorties de l’outil de calculs
Cet outil est un bon point de départ lors des manipulations afin de trouver le
circuit d’adaptation de l’antenne à vide. En effet, il faut tenir compte de l’effet de
charge qui apparaitra lorsque l’antenne NFC sera couplée avec une seconde antenne.
Cependant, pour utiliser cet outil, il faut être capable de donner le circuit RLC
équivalent de l’antenne que l’on souhaite adapter. La méthode pour déterminer ce
circuit va être l’objet de la prochaine partie.
2.2 Circuit équivalent RLC d’une antenne NFC
Comme décrit dans la partie 1.4.2 en page 31, il est possible de résumer le
comportement d’une antenne NFC passive avec un circuit électrique RLC. Comme
montrée dans la figure 2.8, en général l’inductance est en série avec la résistance et
le tout est en parallèle avec la capacité parasite.
Ces circuits RLC équivalents sont couramment utilisés lors d’études électriques.
Il est possible de citer par exemple, l’outil de calculs du circuit d’adaptation présenté
dans la partie précédente 2.1. Cependant, il est nécessaire de pouvoir déterminer ce
circuit équivalent.
55
Figure 2.8 – L’antenne NFC vue comme un circuit RLC
2.2.1 Determination du circuit RLC équivalent via une me-

sure VNA
Cette méthode permet de retrouver de le circuit équivalent de l’antenne en utili-
sant une seule mesure au VNA. L’antenne doit être isolée (pas de circuit électrique
connecté à l’antenne). Tout d’abord, il faut calculer l’impédance équivalente Zeq du
circuit RLC en modèle parallèle.
1 1 1
= + + jCp ω (2.1)
Zeq Rp jLp ω
Or, le VNA permet de donner l’impédance de l’antenne en fonction de la fré-
quence sous la forme R + jX d’où
1 1
= (2.2)
R + jX Zeq
Ainsi, en utilisant les équations 2.1 et 2.2 il est possible de donner les égalités
suivantes :
R2 + X 2

Rp =



R




avec  (2.3)
 X Lp Cp ω 2 − 1
=



R2 + X 2


Lp ω
La valeur de la résistance parallèle RP peut être calculée car les paramètres R
et X sont mesurés par le VNA. Ainsi, il reste à trouver l’inductance et la capacité.
Pour cela, la formule de la fréquence de résonance de l’antenne est utilisée.
1
ωr = � (2.4)
Lp Cp
56
La valeur de Cp est isolée...

1
Cp = (2.5)
Lωr2
...et est remplacée par sa valeur dans l’équation 2.3
1
Lp ω2 − 1
X Lp ωr2
= (2.6)
R2 + X2 Lp ω
Ainsi,
ω2
� �
[R + X ] 2 − 1
2 2
ωr
Lp = (2.7)
Xω
Avec le VNA mesurant les paramètres R, X à un ω donné et mesurant égale-
ment la pulsation de résonance ωr , il est possible de trouver l’inductance du circuit
RLC équivalent parallèle. En réutilisant les équations 2.5 et 2.3 le circuit total RLC
équivalent peut être déduit. Finalement, en réutilisant les formules de passage du
modèle parallèle au modèle série présentées dans l’annexe B.1.3 page 156 le circuit
équivalent RLC série peut être calculé.
Néanmoins, cette méthode suppose qu’il faut non seulement être en possession
d’un VNA mais également d’un prototype de l’antenne seule (sans le circuit). Ainsi,
une étude plus théorique pour déterminer le circuit équivalent RLC d’une antenne est
proposée dans les parties 2.2.2 et 2.2.3 montrant respectivement le calcul théorique
de l’inductance et le calcul théorique de la résistance DC série d’une antenne.
2.2.2 Outils de calcul de l’inductance de l’antenne NFC

Durant la thèse, une équipe de STMicroelectronics a développé un outil per-
mettant de calculer l’inductance d’une antenne rectangulaire. Cet outil en ligne est
disponible sur le site internet de STMicroelectronics :
www.st.com > Onglet "Support" > Bouton "Resources" > Bouton "eDesignSuite"
> Outil "Antenna Design"
L’utilisateur rentre les caractéristiques de l’antenne et obtient l’inductance de
l’antenne.
Un exemple est proposé dans la figure 6 2.9. Pour une antenne de 2 tours, faisant
79mm x 42mm avec une largeur de piste de 1mm et un espace inter-piste de 1mm,
l’outil en ligne calcule une inductance à 13.56MHz de 0.66µH. Une mesure VNA de
cette antenne donne également une inductance de 0.66µH.
Le calcul théorique de l’inductance d’une antenne NFC étant déjà effectué. Une
étude sur le calcul de la résistance DC série de l’antenne a été menée et est présentée
dans la partie 2.2.3 suivante.
57
Figure 2.9 – Présentation de l’outil de calculs de l’inductance à 13.56 MHz d’une

antenne
2.2.3 Outil de calculs de la DC série de l’antenne NFC

Une antenne NFC étant une pièce métallique et composée de segments rectilignes,
il est possible de calculer sa résistance DC série R grâce à la formule 2.8.
L
R=ρ· (2.8)
S
Avec :
– R : Résistance série de l’antenne (Ω)
– ρ : Résistivité du matériau de l’antenne pour une unité de longueur (Ω.m)
– L : Longueur de fil rectiligne (m)
– S : Section de la piste de l’antenne (m2 )
Figure 2.10 – Caractéristiques des pistes d’une antenne NFC
L’antenne étant généralement faite en cuivre, le paramètre ρ est connu. La largeur

de la piste et son épaisseur étant également connues, la section S de la piste est
connue. Il ne reste qu’à connaître la longueur de l’enroulement.
58
2.2.3.1 Cas d’une antenne rectangulaire
Dans le cas d’une antenne rectangulaire, il faut déterminer une équation expri-
mant la longueur totale de l’enroulement en fonction des paramètres dimensionnels
physiques de l’antenne :
– Le nombre de tours noté N ,
– La longueur de la spire extérieure notée LEXT
– La largeur de la spire extérieure notée lEXT
– La largeur de la piste notée w
– L’espace entre 2 pistes noté p
La figure 2.11 présente la décomposition du bobinage d’une antenne rectangulaire
3 tours en segments. Pour calculer la longueur totale Ltotale de l’enroulement, la
longueur de la ligne polygonale (en pointillée sur la figure) est calculée.
Figure 2.11 – Décomposition de l’enroulement en segments
La longueur totale du bobinage est égale à la somme des segments LX sur la

longueur et des segments lX sur la largeur. Elle se traduit par la relation 2.9
i=6
Ltotale = Li + l i (2.9)
�
i=1
Avec pour la somme des segments dans le sens de la longueur la relation suivante :
i=6
Li = L 1 + L 2 + L 3 + L 4 + L 5 + L 6
�
i=1
w
� �
= LEXT − + [LEXT − w] + [LEXT − w − w − p]
2
+ [LEXT − w − 2w − 2p] + [LEXT − w − 3w − 3p] + [LEXT − w − 4w − 4p]
Ainsi, l’expression de la somme des segments dans le sens de la longueur peut

être généralisée pour une antenne à N tours.
59
i=N �−2
n=2N
w
� �
Li = LEXT − + [LEXT − w − nw − np] (2.10)
�
i=1 2 n=0
De même, concernant la somme des segments dans le sens de la largeur la relation

suivante peut être exprimée ...
i=6
li = l1 + l2 + l3 + l4 + l5 + l6
�
i=1
= [lEXT − w] + [lEXT − w − w − p] + [lEXT − w − 2w − 2p]

w
� �
+ [lEXT − w − 3w − 3p] + [lEXT − w − 4w − 4p] + lEXT − − 5w − 5p
2
... et généralisée pour une antenne à N tours.
i=N �−1
w n=2N
li = + [lEXT − w − nw − np] (2.11)
�
i=1 2 n=0
Finalement, la longueur totale de l’antenne rectangulaire peut être calculée.
�−2
n=2N
w w
� �
Ltotale = LEXT − + [LEXT − w − nw − np] +
2 n=0 2
�−1
n=2N
+ [lEXT − w − nw − np]
n=0
= LEXT + (2N − 1) LEXT − (2N − 1) w + (2N ) lEXT − (2N ) w

�2N −2 n=2N
�−1
�
− (w + p) n+
�
n
n=0 n=0
= 2N LEXT + 2N lEXT − (4N − 1) w

(2N − 2) (2N − 1) + (2N − 1) (2N )
� �
− (w + p)
2
w+p
� �
Ltotale = 2N (LEXT + lEXT ) − (4N − 1) w − (2N − 1) (4N − 2)
2
2.2.3.2 Cas d’une antenne circulaire
Dans le cas d’une antenne circulaire, il faut déterminer une équation exprimant la
longueur totale de l’enroulement en fonction des paramètres dimensionnels physiques
de l’antenne :
– Le nombre de tours noté N ,
– Le rayon de la spire extérieure notée REXT
– La largeur de la piste notée w
– L’espace entre 2 pistes noté p
60
Pour cela, il faut considérer l’enroulement comme plusieurs spires concentriques

ayant chacun un rayon fixe. La figure 2.12 montre un exemple d’une antenne circu-
laire de 4 tours. Chaque spire est considérée comme un étant un tour de rayon Rn
fixe où avec X le numéro du tour.
Figure 2.12 – Décomposition de l’antenne circulaire
Le périmètre d’un cercle L est rappelé dans l’équation 2.12.
L = 2πR (2.12)
Dans notre exemple avec l’antenne circulaire de 4 tours, le bobinage total Ltot
vaut :
4 4
Ltot = 2πRn = 2π (2.13)
� �
Rn
n=1 n=1
Avec :
w
– R1 = REXT −
2
w
– R2 = REXT − − w − p
2
w
– R3 = REXT − − 2w − 2p
2
w
– R4 = REXT − − 3w − 3p
2
Il est possible de généraliser l’expression de Rn
w
Rn = REXT − − (n − 1)w − (n − 1)p (2.14)
2
61
Ainsi, l’équation 2.13 devient :
N N
� �
w
� �
Ltot = 2π Rn = 2π N REXT + −(n − 1)(w + p) (2.15)
� �
−
n=1 2 n=1
N (N + 1)
� � ��
w
� �
= 2π N REXT − − (w + p) −N (2.16)
2 2
2.2.3.3 Présentation de l’outil de calculs de la résistance série de l’an-

tenne
Toutes les formules démontrées précédemment ont été implémentées dans une
feuille de calculs. Son interface graphique est montrée dans la figure 2.13.
Figure 2.13 – Présentation de la feuille de calculs de la résistance équivalente de

l’antenne NFC
Tous les paramètres sont montrés en 3 couleurs différentes :

– Les paramètres en vert sont les paramètres d’entrée que l’utilisateur doit dé-
finir.
– Les paramètres en noir sont les paramètres de calculs intermédiaires ou des
constantes.
– Les paramètres en rouge sont les paramètres de sortie. Ce sont les résultats
attendus
La feuille de calculs est divisée en 2 parties. Voici leurs descriptions :
Antenne rectangulaire Dans cette partie, l’utilisateur donne les dimensions

d’une antenne rectangulaire afin de trouver sa résistance série.
Antenne circulaire Dans cette partie, l’utilisateur donne les dimensions d’une
antenne circulaire afin de trouver sa résistance série.
62
En rentrant les dimensions physiques de l’antenne, sa longueur totale L est cal-

culée. En spécifiant l’épaisseur du cuivre, la section de la piste S de l’antenne est
calculée. Finalement en donnant la conductivité du matériel utilisé, la résistance DC
série de l’antenne peut être calculée en réutilisant la formule 1.18 présentée page 27.
Cependant, pour calculer la résistance série à 13.56 MHz, l’effet de peau doit
être pris en compte. Pour cela, l’effet de peau est calculé en utilisant la formule 1.19
présentée page 28.
Ensuite, en fonction de l’épaisseur de la piste (notée e), l’impact de l’effet de
peau est déterminé de façon simplifié suivant deux cas (voir la figure 2.14) :
– Si 2 ∗ δ < e, une partie de la section de la piste n’est pas parcourue par le
courant. Dans ce cas là, la section Sutile où le courant passe est recalculée et
utilisée pour en déduire la résistance de l’antenne
– Si 2 ∗ δ ≥ e, le courant passe par toute la section du fil car la section
Figure 2.14 – Vue en coupe d’une piste de cuivre avec les zones hachurées montrant
où le courant se concentre. A gauche, 2 ∗ δ < e et le courant se concentre sur les
bords du fil. A droite, 2 ∗ δ ≥ e et toute la section du fil est traversée par le courant
2.2.3.4 Validation de l’outil de calcul de la résistance DC série de l’an-

tenne
Afin de valider la feuille de calcul, plusieurs antennes ont été simulées afin d’ex-
traire leur résistance DC série qui ont ensuite été comparées avec les résultats trouvés
théoriquement. Une synthèse des résultats est donnée dans le tableau 2.1 pour les
antennes rectangulaires.
2.3 Caractérisation de la puce ST

Comme expliqué dans la partie 1.4.1 dans la page 29, il est nécessaire d’avoir une
adaptation d’impédance entre la puce NFC (générateur) et l’antenne lecteur (charge
complexe). Dans la partie précédente il a été expliqué que le circuit RLC équivalent
de l’antenne peut être déterminé par divers moyens théoriques et pratiques. Il est
donc maintenant indispensable de connaître l’impédance de sortie du générateur.
63
Validation du calcul de la résistance série

ID 1 2 3 4 5 6
Longueur (mm) 72 72 35 25 79 80
Largeur (mm) 42 42 15 15 48 25
Nombre de tours 4 1 12 12 3 4
Largeur de piste (mm) 0.5 0.5 0.2 0.2 0.112 0.112
Espace inter piste (mm) 0.5 N/A 0.3 0.3 1.1 0.7
Résistance simulée (Ω) 0.86 0.23 2.3 1.7 1.1 1.9
Résistance calculée(Ω) 0.85 0.23 2.3 1.7 1.1 2.0
% Erreur < 1% < 1% < 1% < 1% < 1% 5%
Table 2.1 – Comparaison de la résistance DC série d’une antenne rectangulaire

calculée et simulée
2.3.1 Plan de manipulation

L’objectif est de caractériser l’impédance de sortie d’une puce NFC de STMicroe-
lectronics entre les pins TX1 et TX2 en fonction de la tension d’alimentation VP S_T X .
L’impédance de la puce sera notée Zpuce = Rpuce +j∗Xpuce dans la suite du manuscrit.
Pour réaliser cet objectif, la théorie du transfert de puissance maximale, liée à

l’adaptation d’impédance, est utilisée. Différentes charges avec des impédances com-
plexes sont connectées en sortie des pins TX1 et TX2 de la puce afin de couvrir tout
une zone de l’abaque de Smith. Pour chacune de ces charges, la puissance transmise
est mesurée. Le maximum de puissance transmise impliquant la meilleur adaptation
d’impédance et connaissant les valeurs des charges, lorsque ce maximum est atteint,
l’impédance de la puce est caractérisée.
Le matériel nécessaire est le suivant :

– Un ordinateur avec un logiciel permettant de communiquer avec la puce.
– Un Aardvark, une interface USB vers I2C/SPI, permettant de faire le lien
entre l’ordinateur et la carte de démonstration.
– Une carte de démonstration, contenant notamment la puce.
– Un PCB contenant les différentes charges complexes.
– Un oscilloscope, mesurant la tension transmise à la charge.
– Différents condensateurs, résistances et inductances permettant d’avoir une
charge complexe couvrant une zone de l’abaque de Smith.
– Des câbles, de la connectique, matériel pour souder/dessouder.
64
Un ordinateur est connecté à la carte contenant la puce NFC via un Aardvark.

Cette connexion permet l’alimentation et le contrôle de la puce NFC. Les pins TX1
et TX2 sont connectées à différentes charges complexes et un oscilloscope permet de
mesurer directement la tension transférée à la charge. Connaissant la valeur de cette
charge R (Ω) et la tension U (V) à ses bornes, la puissance P (W) peut être calculée
grâce à la formule montrée en 2.17.
U2
P = (2.17)
2R
Lors de précédentes analyses menées lors de la conception de la puce, il avait été
conclu que l’impédance de la puce se trouvait autour de 27Ω. Cette valeur sert de
point de départ à la manipulation. Les résistances, inductances et capacités formant
la charge complexe sont choisies pour couvrir la zone autour de 27Ω, correspondant
à 27/50 = 0.54 en valeur normalisée, comme montrée dans la figure 2.15.
A B
0.54
Figure 2.15 – La zone que la charge complexe doit couvrir
Une analyse est effectuée pour dimensionner les valeurs de composants afin d’at-
teindre les points extrêmes A, B C et D de cette zone de l’abaque de Smith.
Pour atteindre l’impédance normalisée ZA = 0.25, il faut que la charge soit

constituée d’une résistance de 12.5Ω. Voir la figure 2.16
Pour atteindre l’impédance normalisée ZB = 1.05, il faut que la charge soit

constituée d’une résistance de 52.5Ω. Voir la figure 2.17
65
Résistance série: 12.5 Ω

B
A
Résistance série: 52.5 Ω
Figure 2.16 – Composant utilisé Figure 2.17 – Composant utilisé

pour atteindre l’impédance normali- pour atteindre l’impédance normali-
sée ZA sée ZB
C
Inductance série: 150 nH
Résistance série: 25 Ω
Résistance série: 25 Ω
Capacité série: 340 pF
Figure 2.18 – Composants utilisés Figure 2.19 – Composants utilisés

pour atteindre l’impédance normali- pour atteindre l’impédance normali-
sée ZC sée ZD
66
Pour atteindre l’impédance normalisée ZC = 0.5 + j ∗ 0.25, il faut que la charge

soit constituée d’une résistance de 25Ω et d’une inductance série de 150nH. Voir la
figure 2.18
Pour atteindre l’impédance normalisée ZD = 0.5 − j ∗ 0.25, il faut que la charge

soit constituée d’une résistance de 25Ω et d’une capacité série de 340pF . Voir la
figure 2.19
Finalement, les composants ont été dimensionnés pour que la charge couvre la
zone de l’abaque de Smith souhaitée :
– Résistance série : entre 12.5 Ω et 52.5 Ω.
– Inductance série : entre 0 et 150 nH.
– Capacité série : entre 0 et 340 pF. Durant l’expérience, des capacités allant
jusqu’à 450 pF ont été utilisées
2.3.2 Estimation de RP U CE en fonction de la tension d’ali-

mentation
Dans un premier temps, une estimation de la partie réelle de l’impédance de
sortie de la puce est effectuée. Pour cela, le montage illustré dans la figure 2.20
est effectué. La charge est constituée d’une résistance afin de réaliser une charge
purement résistive.
[�� + �� ] ��

�
2
�� /2
NFC Chip
�� /2
[�� + �� ]
�
2 ��
Figure 2.20 – Caractérisation de la résistance RP U CE
La puce génère le signal carré entre ±VP S_T X à une fréquence de 13,56 MHz. La
67
tension aux bornes de TX1 et TX2 est mesurée pour différentes valeurs de RCHARGE .
Connaissant la valeur de RCHARGE et de la tension à ses bornes, il est possible de
calculer la puissance transférée en utilisant la formule 2.17. La figure 2.21 présente
la puissance transférée au cours du temps pour différentes valeurs de RCHARGE et
pour VP S_T X configuré à 3.3V.
55
50
45
Transferred power (mW)
40
35
30
25
20
15 RLoad= 10 Ohms
10 RLoad= 20 Ohms
RLoad= 30 Ohms
5
RLoad= 40 Ohms
0
0 20 40 60 80 100 120
Time (ns)
Figure 2.21 – Puissance transférée par la puce au cours du temps pour un

VP ST X =3.3V et différentes RCHARGE
Le maximum de puissance transférée est atteint lorsque RCHARGE est autour

de 30 Ω. La figure 2.22 présente la puissance transférée à la charge en fonction de
RCHARGE pour 4 tensions VP ST X couramment utiliser. Il peut être remarqué que
lorsque la tension VP ST X augmente, la valeur de la résistance RCHARGE donnant le
maximum de transfert de puissance diminue.
Ainsi, il peut être conclu que la partie réelle
– Lorsque VP ST X vaut 3.3 V, le pic de puissance transférée est atteint à RCHARGE =
27.3 Ohms.
25 Ohms.
24.2 Ohms.
– Lorsque VP ST X vaut 4 V, le pic de puissance transférée est atteint à RCHARGE =
19.9 Ohms.
68
Vpstx=3.3V
90 Vpstx=3.6V
Vpstx=3.8V
Vpstx=4V
Puissance transferée (mW) 80
70
60
50
15 20 25 30 35 40
R charge (Ohms)
Figure 2.22 – Puissance transferée à la charge en fonction de RCHARGE pour dif-

férents VP ST X
2.3.3 Estimation de XP U CE en fonction de la tension d’ali-

mentation
Dans un second temps, une estimation de la partie imaginaire de l’impédance de
sortie de la puce est effectuée. Pour cela, le montage illustré dans la figure 2.23 est
réalisé. La charge comporte maintenant une inductance en série en plus de la résis-
tance donnant le maximum de transfert de puissance. La tension est mesurée entre
T1 et T2 afin de mesurer directement la tension aux bornes d’une charge purement
résistive.
La figure 2.24 présente la puissance transférée à la charge au cours du temps en

fonction de LCHARGE pour VP S_T X =3.3V. On peut observer que lorsque la valeur
de l’inductance de la charge complexe augmente, la puissance transférée diminue au
cours du temps. Ainsi, l’adaptation d’impédance est moins efficace en présence de
cette inductance.
L’ajout d’une réactance positive à la charge diminuant la puissance transférée
à cette dernière, un autre montage est réalisé. Cette fois-ci, l’inductance LCHARGE
est remplacée par une capacité CCHARGE comme montrée dans la figure 2.25 pour
ajouter une réactance négative à la charge.
La puissance transférée est mesurée pour différentes valeurs de CCHARGE allant
de 50 pF à 450 pF. La figure 2.26 présente ces mesures. Il est à noter que le pic
maximum de puissance transférée est atteint pour CCHARGE = 250pF mais qu’au
69
Figure 2.23 – Caractérisation de la réactance XP U CE
cours du temps, ce n’est pas forcément pour cette valeur de capacité que la puissance
transférée est la plus forte. Il est nécessaire d’intégrer la puissance transmise au
cours du temps. Cette intégration est effectuée sur 74ns, correspondant environ à
une période du signal à 13.56 MHz. Les résultats de cette intégration sont présentés
dans le tableau 2.2.
Puissance totale transférée au cours

d’une période du signal à 13.56 MHz
CCHARGE (pF) Puissance transférée (x10−9 W)
50 0.87
150 2.8
250 4.4
350 4.8
450 4.8
Table 2.2 – Puissance totale transférée au cours d’une période du signal à 13.56
MHz
Afin de maximiser le transfert de puissance au cours du temps, il faut une capacité

entre 350 pF et 450 pF. Cette expérience a été réitérée avec différentes valeurs de
capacité série comprises entre 350 pF et 450 pF afin d’affiner la caractérisation. Il
a été montré qu’au final, il faut une capacité d’environ 400pF pour maximiser le
transfert de puissance, correspondant à une réactance de -29.34Ω à 13.56 MHz. De
plus, cette valeur de capacité ne semble pas changer en fonction de VP S_T X .
70
55
50
45
40
Transferred power (mW) 35
30
Ls = 0 nH
25 Ls = 50 nH
20 Ls = 100 nH
Ls = 150 nH
15
10
0
0 20 40 60 80 100 120
Time (ns)
Figure 2.24 – Puissance transferée à la charge au cours du temps pour différents

LCHARGE et VP S_T X =3.3V
Figure 2.25 – Caractérisation de la réactance XP U CE
Ainsi, il est possible de résumer l’impédance de sortie de la puce en fonction de

VP S_T X dans le tableau 2.3.
71
100
80
Transferred power (mW)

60
Cload = 50 pF
Cload = 150 pF
Cload = 250 pF
40 Cload = 350 pF
Cload = 450 pF
20
0
80 100 120 140
Time (ns)
Figure 2.26 – Puissance transferée à la charge au cours du temps pour différents

CCHARGE et VP ST X =3.3V
Impédance de sortie de la puce NFC

VP S_T X (V) Impédance de sortie (Ω)
3.3 27.3 + j*29.34
3.6 25 + j*29.34
3.8 24.2 + j*29.34
4 19.9 + j*29.34
Table 2.3 – Impédance de sortie de la puce NFC en fonction de la tension d’ali-

mentation des buffers de sortie
2.4 Auto-adaptation d’une antenne lecteur
2.4.1 Problématique
Comme expliqué dans les parties 2.1 en page 49 et 1.4.3 en page 32 lors de l’adap-
tation d’une antenne lecteur, la première étape consiste à effectuer une adaptation
à vide, c’est à dire que l’antenne NFC à adapter est isolée et n’est pas couplée avec
une seconde antenne. Cependant, il faut tenir compte de l’effet de charge provoqué
par une carte NFC dans le volume opératoire de l’antenne lecteur comme expliqué
dans la partie 1.4.3 en page 32. Cette problématique étant un challenge technique à
tenir compte. Une étude a été menée afin de développer un système avec un circuit
d’adaptation dynamique. D’autres études de ce genre ont été développées comme
[GBF13] où les auteurs utilisent également des capacités variables. Cependant dans
72
leur cas, ils utilisent des circuits complexes pour mesurer l’impédance vue de l’en-
trée de la puce afin de piloter le circuit d’adaptation dynamique. Dans le cas étudié
ci-dessous, il est proposé d’utiliser une simple mesure de la tension aux bornes de
l’antenne pour venir piloter les capacités variables.
2.4.2 Objectifs
Le système à développer doit remplir 2 principaux objectifs :
– Lorsqu’il est intégré dans un produit NFC, il doit permettre à l’antenne lecteur
d’avoir une adaptation d’impédance optimale quelque soit l’effet de charge.
Ainsi, en mode lecteur, de bonnes performances RF pourront être assurées
avec une grande population de cartes NFC.
– Lorsqu’il est utilisé dans un laboratoire de développement, il doit faciliter le
choix du circuit d’adaptation fixe de l’antenne lecteur permettant de faire le
meilleur compromis dans les performances RF en fonction de la carte dans son
volume opératoire. L’équipe de développement pourra connaitre pour n’im-
porte quel couplage le circuit d’adaptation optimal à utiliser. Il pourra ensuite
en fixer plusieurs de façon simple et rapide (il n’y aura plus besoin de sou-
der/dessouder les composants car ils sont directement pilotés par ordinateur)
et tester les performances RF dans différentes configurations.
2.4.3 Mise en place d’une carte de démonstration

Pour la conception de la carte de démonstration, des capacités STPTIC contrô-
lées en tension développées par STMicroelectronics Tours sont mises à contribution
pour remplacer les capacités fixes séries et parallèles utilisées dans le circuit d’adap-
tation d’impédance classique comme le montre la figure 2.27. La figure 2.28 montre
les caractéristiques de ces capacités variables en fonction de la tension de polarisation
pour différentes capacités maximales.
Ces capacités sont pilotées via un STHVDAC 303 1 , un convertisseur numé-
rique/analogique à forte tension (dont la datasheet est trouvable dans 2 comme le
montre la figure 2.29.
Afin de mettre en place la démonstration, 3 cartes sont utilisées :
– Une carte principale contenant la puce NFC ST (montrée dans la figure 2.30).
Elle est utilisée comme interface entre un PC et la puce NFC.
– une carte "d’extension", montrée dans la figure 2.31, contenant les capacités
variables et spécialement conçue pour venir se connecter à la carte principale.
1. www.st.com
2. http ://www.st.com/
73
Figure 2.27 – Utilisation de capacités variables dans un circuit d’adaptation dyna-

mique
110
100 Cmax=25 pF
Cmax=50 pF
90 Cmax=75 pF
80 Cmax=100 pF
70
Capacité (pF)
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
Tension de polarisation (V)
Figure 2.28 – Caractérisation de différentes STPTIC en fonction de la tension de

polarisation
74
Signaux de contrôle des capacités

Capacités contrôlables
Figure 2.29 – Présentation générale du STHVDAC et des STPTIC
Circuit d’adaptation Connexion à la
Connexion au PC Puce NFC ST
classique carte d’extension
Figure 2.30 – La carte contennant le controlleur NFC
75
Connexion à la Connexion au Circuit d’adaptation Antenne d’évaluation du NFC

carte principale HVDAC d’impédance dynamique et A4WP
Figure 2.31 – Description de la carte d’extension
– Une carte contenant contenant les HVDAC (voir la figure2.32). Cette carte
sert d’interface entre le PC et les HVDAC
Connexion à la carte
HVDAC
d’extension
Figure 2.32 – La board contenant le HVDAC permettant de piloter les PTIC
2.4.4 Développement d’un algorithme de convergence du

circuit d’adaptation
Une fois le système prêt à être testé, il a été nécessaire de trouver un algorithme
permettant aux capacités CS et CP de converger rapidement vers les valeurs opti-
males donnant la meilleur adaptation d’impédance. Pour cela, une étude a été menée
afin de voir l’allure du niveau d’adaptation d’une antenne NFC à la puce NFC ST
en fonction des valeurs des capacités du circuit d’adaptation.
76
Une simulation de paramètres S a été lancée avec le circuit donné dans la figure
2.33. Les capacités séries CS varient de 1pF à 60pF par pas de 1pF et la capacité
parallèle CP varie de 1pF à 150pF par pas de 1pF. Pour chaque couple CS CP , le
niveau d’adaptation de la boîte de paramètres S représentant une antenne NFC est
simulé à 13.56MHz.
Figure 2.33 – Simulation de paramètres S
Les résultats de simulations sont présentés dans la figure 2.34. D’après ces ré-
sultats, il peut être remarqué que lorsque S11 �= 0dB, i.e. lorsque l’impédance de
l’antenne est un minimum adaptée à celle de la puce, les valeurs de CS et CP sont
les solutions d’une équation type donnée en 2.18.

 a<0
CP = a · CS + b (2.18)
 b>0
Ce phénomène a été vérifié avec diverses antennes NFC représentées par des
circuits RLC équivalents ou des boîtes de paramètres S simulées et mesurées. Pour
chaque antenne, les valeurs des constantes a et b sont différentes et doivent donc être
déterminées. L’algorithme utilisé pour faire converger le circuit dynamique développé
se base sur cette équation.
Cependant, dans la puce NFC, il n’est pas possible de mesurer les paramètres S.
Ainsi, c’est la valeur de la tension redressée mesurée aux bornes de l’antenne qui est
utilisée comme boucle de contre-réaction pour piloter la capacités variables.
77
Figure 2.34 – Adaptation d’une antenne NFC en fonction des capacités CS et CP
2.4.4.1 Détermination de l’équation liant CS et CP
Il faut se placer dans le cas où l’outil NFC contenant le circuit d’adaptation est
en mode lecteur et qu’il détecte une carte dans son volume opératoire.
– Tout d’abord, la capacité CP est fixée avec une valeur pré-déterminée. Pour
chaque valeur des capacités séries CS la tension aux bornes de l’antenne est
mesurée et la valeur de CS donnant la tension maximale est enregistrée.
– Le point précédent est rejoué pour une seconde valeur de CP pré-déterminée
afin de trouver un second couple CS CP avec un maximum local de la tension
mesurée au niveau de l’antenne.
– Connaissant 2 couples CS et CP où la tension aux bornes de l’antenne est
maximale localement, il est possible de déterminer les constantes a et b de
l’équation 2.18. Ainsi, la puce NFC peut piloter les capacités pour être sur
cette courbe et atteindre le maximum de tension redressée.
2.4.5 Résultats
L’algorithme n’ayant pas pu être implémenté dans la puce NFC durant la thèse,
des tests ont été réalisés en rejouant l’algorithme manuellement. Pour cela, des tests
de transfert de puissance entre le prototype développé et une carte de référence ont
78
été effectués. Les antennes sont centrées et espacées d’une distance variant entre 0
et 50mm par pas de 10mm. Le lecteur génère un champ magnétique à 13.56 MHz
et la tension redressée reçue par la carte est mesurée. Ces tests sont effectués dans
4 cas afin de valider l’algorithme :
– Une recherche manuelle de la configuration de CS et CP donnant le meilleur
transfert de puissance est effectuée pour chaque position de la carte.
– La configuration optimale lorsque la carte de référence est à 10mm du proto-
type est utilisée. Ce circuit d’adaptation fixe est donc optimisé pour du fort
couplage.
– La configuration optimale lorsque la carte de référence est à 50mm du proto-
type est utilisée. Ce circuit d’adaptation fixe est donc optimisé pour du faible
couplage.
– L’algorithme est utilisé pour faire converger le circuit d’adaptation.
Le tableau 2.4 présente les résultats des tests des transferts de puissance dans
ces 4 cas.
Comparaison du transfert de puissance vers une carte de référence

Position 0mm 10mm 20mm 30mm 40mm 50mm
Meilleur Trans. de pui. 3.6V 3.4V 2.5V 1.4V 0.4V 0V
Circuit Fixe (10mm) 2.2V 3.4V 2.2V 0.9V 0.1V 0V
Circuit Fixe (40mm) 0.7V 2.6V 2.4V 1.4V 0.4V 0V
Algorithme 3.3V 3.2V 2.4V 1.4V 0.4V 0V
Table 2.4 – Validation de l’algorithme de convergence du circuit dynamique
Les résultats données avec les circuits fixes sont ceux attendus. En effet, le cir-
cuit fixe adapté pour le fort couplage à 10mm permet de bonnes performances RF
seulement pour cette position. Lorsque le carte s’éloigne de la position z=10mm, les
performances diminuent. De même, le circuit d’adaptation fixe donnant de bons ré-
sultats lorsque le lecteur est faiblement couplé n’assure pas de bonnes performances
lors de forts couplages. Par ailleurs, les résultats obtenus lors de l’utilisation du
circuit d’adaptation dynamique permet d’assurer des performances quasi-optimales
dans toutes les configurations. Le fait que l’algorithme ne permette pas d’avoir les
meilleurs performances provient de la mesure effectuée par la puce NFC de la ten-
sion aux bornes de l’antenne qui manque de précision (une meilleure granularité
du convertisseur analogique/numérique permettrait de piloter plus précisément les
capacités).
79
2.4.6 Conclusion
Afin de s’affranchir de l’effet de charge, l’utilisation d’un circuit dynamique a été
étudiée. Une mesure de la tension aux bornes de l’antenne lecteur permet d’avoir
une boucle de contre réaction simple ne nécessitant pas de circuits complexes. Après
avoir mis en place un prototype de démonstration et un algorithme pour permettre
la convergence des capacités variables, des tests de transfert de puissance ont été
effectués. Ces tests ont permis de mettre en évidence non seulement la dégradation
des performances RF à cause de l’effet de charge mais également la validité du
prototype développé.
2.5 Cohabitation du NFC et de l’A4WP

Durant la thèse, un second challenge technique est apparu, celui d’utiliser l’an-
tenne NFC intégré dans un outil nomade pour récupérer de l’énergie afin de recharge
la batterie. Ainsi, il a été nécessaire de développer un système permettant la coha-
bitation de la technologie du NFC et de la recharge sans fil.
Note importante : Fin 2015, A4WP (Alliance for Wireless Power) et PMA
(Power Matter’s Alliance), deux consortiums industriels créés pour développer des
technologies de recharge sans fil ont fusionné pour créer L’alliance AirFuel. L’étude
proposée s’étant déroulée avant cette fusion, la notation A4WP a été conservée.
2.5.1 Introduction
Parmi les différentes normes de chargement sans contact proposées, la norme
A4WP (Alliance for Wireless Power, "Alliance pour la puissance sans fil") figure
parmi l’une des normes choisies par les principaux fabricants de téléphones mobiles
cellulaires intelligents.
Pour résumer, l’énergie sans contact est transférée depuis une unité de trans-
mission de puissance (Power Transmitter Unit : PTU) vers une unité de réception
de puissance (Power Receiving Unit : PRU) qui est contrôlée par un protocole de
gestion du chargement. L’énergie sans contact est générée à une fréquence égale à
6,78 MHz. Cette fréquence d’application est très particulière car elle correspond à
la moitié de la fréquence d’application du NFC, 13.56 MHz.
De nombreuses publications existent sur les spécifications du standard A4WP
auxquelles il est possible de se référer à toutes fins utiles comme l’article [TVSG13].
Ainsi, ces dernières années, cette technologie de recharge sans fil s’est développée
et fait son apparition dans certains outils nomades (comme par exemple, les Samsung
Galaxy S6/S7 )
80
Cependant, de nos jours, pour faire cohabiter le NFC et la recharge sans fil, les
solutions développées sont d’utiliser soit 2 circuits électriques différents ou 2 antennes
différentes. Ainsi, il est proposé ici de regrouper au sein d’un même système, de façon
simple et compacte, la fonction de NFC, et une fonction de chargement sans contact
conforme aux spécifications A4WP.
La solution développée durant la thèse a été l’objet d’un brevet.
2.5.2 Objectifs
Afin de faire cohabiter le NFC et l’A4WP facilement, les objectifs à remplir sont
les suivants :
– Le circuit de recharge de l’appareil ne doit pas perturber les performances de
la communication NFC.
– Les puissances mises en jeu durant la recharge sans fil ne doivent pas endom-
mager les composants de la technologie NFC (par exemple, la puce NFC).
– Le circuit NFC ne doit pas perturber la recharge de l’appareil.
– Utiliser une seule antenne pour effectuer, de manière sélective, une communi-
cation sans contact à 13.56 MHz et de la recharge à 6.78 MHz.
– Utiliser un seul circuit reconfigurable connecté à l’antenne permettant d’adap-
ter cette dernière aux deux fréquences souhaitées, 6.78 MHz et 13.56 MHz.
Ainsi, le circuit de recharge et de communication NFC doivent cohabiter sans se
perturber. Une seule antenne doit être utilisée et elle doit être connectée à un circuit
permettant de la faire résonner soit à 6.78 MHz ou à 13.56 MHz
2.5.3 Architecture de circuit

La figure 2.35 présente une vue d’ensemble de l’architecture développée pour
répondre aux objectifs.
Une antenne servant pour les communications NFC et pour la recharge est reliée
à un circuit reconfigurable permettant une résonance à 13.56 MHz ou 6.78 MHz.
Un signal de contrôle généré par un micro-contrôleur (µC) permet de piloter ce
circuit. Lorsque le signal GPIO vaut ’0’, le système fonctionne en mode recharge
et le circuit permet une résonance à 6.78 MHz. Lorsque le signal GPIO vaut ’1’ le
système fonctionne en mode NFC, la résonance s’effectue à 13.56 MHz.
Entre l’antenne et le circuit de résonance, il y a le circuit de recharge. En mode
NFC, le circuit de recharge s’isole complètement de l’antenne pour ne pas perturber
la communication NFC et en mode recharge, ce circuit va permettre de récupérer
l’énergie pour recharger la batterie de l’appareil mobile.
Le CLF, le contrôleur NFC, est également connecté au circuit de résonance. En
81
Système NFC/A4WP pour appareil mobile
Circuit de recharge
Antenne Circuit de résonance à

GPIO=0 � 6.78 MHz Controlleur
NFC/A4WP GPIO=1 � 13.56 MHz
µC
NFC
USB
GPIO
Figure 2.35 – Présentation du système NFC/A4WP
82
mode recharge, le CLF s’isole complètement afin de se protéger des trop grandes
puissances mises en jeu dans le système et pour ne pas perturber la recharge. En
mode NFC, le contrôleur NFC permet au système de se comporter comme une carte
NFC et de répondre aux interrogations d’un lecteur NFC.
L’µC gère la transition entre le mode NFC et recharge et permet de communiquer
avec l’appareil mobile.
Le brevet déposé se concentre sur le circuit reconfigurable permettant d’automa-
tiquement changer la fréquence de résonance de l’antenne et d’isoler le contrôleur
NFC ou le circuit de recharge. Il se concentre notamment sur la simplicité de mis
en oeuvre permettant de faire cette reconfiguration. Cependant, le brevet étant en
cours d’extension pour les Etats-Unis, il n’est pas permis de donner plus de détails
sur le fonctionnement de ce système.
Un prototype a été fabriqué afin de valider la demande de brevet. En mode NFC,
le système reconfigurable se comporte comme un circuit d’adaptation d’impédance
entre l’antenne et la puce à 13.56MHz. Dans ce mode, il est possible de communiquer
avec des outils NFC et le circuit de recharge est isolé. En mode recharge sans fil,
c’est la puce NFC qui est isolée et le système se comporte comme une carte résonant
à 6.78 MHz connecté au circuit de recharge.
2.6 Conclusion
Dans ce chapitre, plusieurs études théoriques et pratiques ont été menées afin
de faciliter l’intégration du NFC. Ces études ont permis d’utiliser toutes les notions
théoriques expliquées dans le chapitre I. Elles ont ainsi menées à développer une
solide vision globale du fonctionnement du NFC et de voir l’impact de chaque com-
posant du système (Puce NFC, circuit d’adaptation d’impédance et antenne NFC)
sur le système NFC dans sa globalité.
Afin de faciliter la recherche du circuit d’adaptation d’impédance de l’antenne,
une feuille de calculs a été mise en place et validée. L’utilisateur, en spécifiant le
circuit RLC équivalent de l’antenne qu’il veut adapter à la puce ST, connait rapi-
dement les valeurs des capacités composant le circuit d’adaptation d’impédance.
Afin d’utiliser cette feuille de calculs, plusieurs méthodes pour déterminer le
circuit équivalent RLC d’une antenne ont été étudiées. Il est maintenant possible de
trouver le circuit RLC d’une antenne via la mesure, la simulation électromagnétique
ou théoriquement.
Pour adapter correctement l’impédance de l’antenne à la puce, un plan de mani-
pulation a été mis en place afin de caractériser l’impédance de la puce. Ainsi, il est
maintenant possible de connaître l’impédance de sortie de la puce quelque soit son
83
package (traduction de "boîtier") par exemple un BGA (Ball Grid Array ou Matrice
de Billes) ou un DIL (Dual In-Line).
De plus, deux nouveaux projets proposant des challenges techniques ont été étu-
diés. Le 1er concerne l’effet de charge. Afin de s’affranchir de cette problématique, un
système a été mis en place afin d’utiliser des capacités variables pour contrebalancer
l’effet de charge. Un algorithme a été mis en place pour faire converger facilement et
rapidement les capacités en utilisant une simple mesure de tension. Le 2nd concerne
la cohabitation entre le NFC et une technologie de recharge sans fil. Un système
a été développé afin de n’utiliser qu’une seule antenne et un circuit reconfigurable
pour passer du mode NFC au mode recharge sans fil. Cette étude a aboutit à la
fabrication d’un prototype et d’un dépôt de brevet.
84
Chapitre 3
Modélisation des bancs de

certifications NFC
Introduction
Dans le but de commercialiser des produits NFC, il est nécessaire que ces der-
niers passent des tests de certification. Le marché du NFC s’étendant dans plusieurs
domaines (Smartphones, tablettes, PC et périphériques, moyen de paiement, console
de jeux ...) il s’est divisé en plusieurs familles de standards à respecter. Cependant,
ces standards donnent lieu à des problèmes d’interopérabilités. De plus, les phases de
certification sont des procédures onéreuses et chronophages demandant une version
quasi-finale du prototype.
Afin d’apporter des solutions, un travail de modélisation de l’environnement de
certification doit être fait.
Dans cette partie, une présentation de la modélisation 3D EM de deux bancs
de certification est proposée. Les normes visées sont la norme EMVCo et la norme
ISO/IEC 14443. Cette modélisation comprends la modélisation des antennes des
lecteurs de référence et également celles des cartes de référence. les modèles électro-
magnétiques développés sont ensuite validés avec des comparaisons avec des mesures.
Puis, les circuits électriques de référence sont modélisés et une nouvelle fois vali-
dés en vérifiant que ces derniers adaptent ou font résonner les antennes à la fréquence
souhaitée.
Finalement, des tests de certification sont simulés. Les tests visés sont ceux les
plus utilisés : Des tests de transfert de puissance et de facteurs de forme.
Tous ces modèles 3D EM étant développés avec le logiciel de Keysight, ADS,
quelques points clés sur la théorie du moteur de calcul utilisé et de la configuration
de la simulation sont proposés. Cette introduction au logiciel ADS est tout d’abord
précédée par une rapide présentation des deux bancs de certification étudiés durant
85
CHAPITRE 3. MODÉLISATION DES BANCS DE CERTIFICATIONS NFC
la thèse.
3.1 Présentation des bancs de certifications NFC

Avant de commencer l’étude de modélisation des bancs de certification NFC,il
est nécessaire de les présenter. Ces bancs de certification sont les bancs de la norme
EMVCo et ISO/IEC 10373.
3.1.1 La norme EMVCo

3.1.1.1 Introduction à la norme EMVCo
Europay Mastercard Visa (EMV) est depuis 1995 le standard international de sé-
curité des cartes de paiement. Au départ, EMV était le regroupement des 3 membres
fondateurs, Europay International (absorbé par Mastercard en 2002), MasterCard
International et Visa International. EMV a ensuite été rejoint par American Ex-
press, Discover et JCB International. De nos jours, ces 6 membres gèrent le travail
du standard EMVCo qui est supporté par des dizaines de "EMVCo Associates" (ou
associés de l’EMVCo en français) comme des banques ou des industries. L’objectif
de l’EMVCo est de faciliter le développement des systèmes de transactions sécu-
risées en permettant une interopérabilité au niveau mondial des produits certifiés
EMVCo. Pour être certifié EMVCo, le produit doit réussir des tests définis dans la
norme EMVCo. Une liste des principaux documents faisant référence à la norme
EMVCo est proposée dans l’annexe C
3.1.1.2 Présentation du banc EMVCo
Le banc de certification EMVCo est composé d’un lecteur de référence (appelé

l’EMV-TEST PCD) donné dans la figure 3.1 et d’une carte de référence (appelée
EMV-TEST PICC) montrée dans la figure 3.2.
Le EMV-TEST PCD est composé d’un PCB et d’un support. Ce support sur-
élève le PCB. Cela permet notamment à l’EMV-TEST PCD d’être éloigné de tout
élément extérieur au banc EMVCo pouvant modifier son comportement (comme
par exemple, du métal sous le plan de travail). Le "landing plane" est le plan qui
sert de référence pour les positions du volume opératoire EMVCo. Par construction
(comme montré dans la figure 3.3), le "landingplane" est éloigné de 15 mm de
l’antenne lecteur. Le volume opératoire EMVCo, quant à lui, est l’ensemble des
positions définies par le standard EMVCo que le PICC (la carte) doit prendre lors
des tests de certifications, il est donné dans la figure 3.4. Ce volume opératoire
86
Figure 3.1 – Photo de l’EMV-TEST PCD
Figure 3.2 – Photo de l’EMV-TEST PICC
représente la zone de l’espace où le PICC doit pouvoir communiquer avec le PCD et

ainsi, il représente la zone de l’espace minimale où l’utilisateur final pourra placer
son outils NFC afin d’initialiser une communication.
La position du PICC est donnée par le quadruplet (r, ϕ, z, θ) avec :
– r : Coordonnée radiale du centre du PICC. Peut prendre la valeur [0, 1.5 ,2.5]
cm
– ϕ : Coordonnée angulaire du centre du PICC. Peut prendre la valeur [0, π/2,
π,3π/2] rd
– z : Hauteur du centre du PICC. Peut prendre la valeur [0, 1, 2, 3, 4] cm
– θ : Orientation du PICC. Peut prendre la valeur [0, π/4, π/2 ] rd
3.1.2 La norme ISO/IEC 14443
3.1.2.1 Introduction à la norme ISO/IEC 14443
L’ISO (acronyme anglais pour "Organisation Internationale de Normalisation")

est le premier producteur mondial de normes internationales d’application volon-
87
Figure 3.3 – Dimensions du support de l’EMV-TEST PCD
Figure 3.4 – Volume opératoire de l’EMV-TEST PCD
taire 1 . C’est une organisation non gouvernementale à but non-lucratif composée de

162 membres, chaque membre étant un organisme national de normalisation d’un
pays différent. C’est le groupe AFNOR 2 qui représente la France à l’ISO.
L’ISO a plus de 20500 normes pour presque tous les aspects de la vie courante
et plusieurs d’entre elles sont consacrées à la technologie du NFC.Une liste des prin-
cipaux documents faisant référence à la norme ISO/IEC 14443 est proposée dans
l’annexe C
3.1.2.2 Présentation du banc ISO/IEC 14443
Le lecteur de référence ISO/IEC-14443 présenté dans l’image 3.5 est composé

d’un empilement de 4 antennes (3.6).
1. www.iso.org
2. www.afnor.org
88
– L’antenne lecteur principale, appelée PCD, est l’antenne connectée au circuit

d’adaptation et au générateur de commandes NFC.
– Placées à 37.5 mm de part et d’autre de l’antenne PCD, il y a les 2 antennes
capteurs appelées couramment en anglais "Sense coils". La sense coil B, placée
en dessous du PCD, capte le champ généré par le PCD. La sense coil A, placée
symétriquement par rapport au PCD, capte le même champ généré par le PCD
mais également la réponse du DUT présente à proximité. Ainsi, en utilisant
un circuit différenciateur entre les 2 sense coils, il est possible de retrouver le
signal de réponse du DUT.
– Placée sous la sense coil B, il y a l’antenne de calibrage. Son rôle est de mesurer
le champ généré par le PCD afin de calibrer le gain de l’amplificateur RF
connecté au PCD.
Figure 3.5 – Un banc ISO/IEC-14443 vendu par le laboratoire Keolabs

(source : www.keolabs.com)
Figure 3.6 – Le lecteur de référence de la norme EMVCo
Il existe 6 cartes de référence pour la norme ISO/IEC 14443 (qui s’appuie sur les
antennes de la norme ISO/IEC 10373-6). Chacune de ces antennes définit une des 6
classes d’antennes présentées dans la figure 1.8 page 15. La figure 3.7 présente une
photo des cartes de la classe 1 à la classe 3. Cependant, dans le cadre de la thèse,
89
seule l’antenne de classe 1 a été étudiée car c’est la principale carte utilisée de nos
jours.
La carte de référence classe 1 est constituée en réalité de 2 antennes distinctes :
– L’antenne carte principale de 4 tours (en rouge sur la figure 3.8).
– L’antenne secondaire (en bleu sur la figure 3.8) appelée communément en
anglais l’antenne "pickup" car cette antenne 1 tour sert à mesurer le champ
magnétique reçu par l’antenne principale. Cette antenne est concentrique avec
l’antenne principale.
Figure 3.7 – Les cartes de references ISO/IEC 10373 de la classe 1 à 3

(source : www.keolabs.com)
Figure 3.8 – Le layout de la carte de référence ISO/IEC 14443 classe 1
Contrairement à la norme EMVCo, dans la norme ISO, il n’y a pas de volume

opératoire. En effet, une carte NFC sous test ne peut prendre qu’une seule position
en face du lecteur : centrée avec les antennes du lecteur et positionnée sur l’antenne
capteur du haut (la carte sous test se retrouve donc à égale distance de l’antenne
de calibrage, permettant de mesurer le champ envoyé par le PCD).
90
3.2 Présentation de la partie 3D EM du logiciel

ADS
3.2.1 Présentation du logiciel et choix du moteur de simu-

lation
Le travail de modélisation effectué durant la thèse a été fait sur le logiciel ADS
(pour "Advanced Design System", ou Système de design avancé en français). ADS
est un logiciel développé par Keysight EEsof EDA une division de Keysight Tech-
nologies 3 . Il fournit un environnement de design intégré permettant de faire, entre
autre, du layout, des simulations électriques et des simulations électromagnétiques.
Pour les simulations électromagnétiques, deux moteurs peuvent être utilisés. Le
moteur se basant sur la méthode des éléments finis (ou FEM pour Finite Element
Modeling) et le moteur se basant sur la méthode des moments (ou MoM pour Method
Of Moment). Chaque moteur a ses avantages et inconvénients et il existe plusieurs
articles dans la littérature comme par exemple [aBHPM01] comparant ces moteurs.
Le moteur FEM est plus adapté pour des structures 3D complexes car il se base
sur un maillage volumique alors que le moteur MoM a plutôt une approche d’un
maillage en surface, surtout adapté pour des structures en 2D.
Comme le contexte de la thèse est autour de simulations de couplages d’antennes
NFC intégrées dans des outils comme des smartphones, c’est le moteur FEM qui a
été sélectionné et qui va être utilisé pour l’ensemble des travaux de recherche.
3.2.2 Présentation générale des points clés de la FEM

Le moteur de simulation qui a été utilisé durant la thèse est le moteur FEM afin
d’extraire les paramètres S d’une antenne NFC seule ou bien d’antennes couplées.
Une grande partie des travaux de recherche ayant été des travaux de modélisation,
il est important de comprendre de manière générale la philosophie de cette méthode
de modélisation. Ainsi, une vue d’ensemble de la FEM est proposée en se basant sur
les informations données dans le logiciel ADS.
3.2.2.1 Maillage de l’espace simulée
Dans une simulation FEM, la structure modélisée est divisée en un très grand
nombre de tétraèdres. Cette division est appelée le "maillage" de la zone de l’espace
simulée (appelée en anglais "mesh").
3. http ://www.keysight.com/
91
Pour chaque sommet, la simulation FEM calcule les composantes des champs
tangentielles aux 3 arrêtes délimitées par ledit sommet. De plus, au milieu de chaque
arrête, les composantes des champs qui sont tangentielles à la face du tétraèdre et
normales à l’arrête sont stockées. Dans le volume délimité par chaque tétraèdre,
les champs vecteurs sont déterminés après interpolation des champs calculés aux
sommets du tétraèdre et aux milieux des arêtes. Ces 3 derniers points sont résumés
dans la figure 3.9.
A chaque sommet, les composantes

tangentielles aux arêtes des champs
sont stockées
Les champs à l’interieur du tétraèdre

sont interpollés à partir des champs
calculés aux sommets et aux milieux
des arêtes
A chaque milieu d’arête , les

composantes tangentielles aux
faces et normales à l’arête des
champs sont stockées
Figure 3.9 – Les composantes des vecteurs champs calculés lors d’une simulation
FEM
Pour calculer les champs à chaque nœuds, les équations de Maxwell sont utilisées.
Ainsi, lorsque la structure modélisée est divisée en tétraèdre, il y a une conversion
des équations de Maxwell en une grande matrice qui doit ensuite être résolue.
3.2.2.2 Compromis entre maillage, précision de simulation et temps de

simulation
Lors de la configuration de la simulation, il y a un compromis à prendre en compte

lors du maillage de la structure. En effet, pour générer une description précise des
champs, il faut que les volumes des tétraèdres soient le plus petit possible.
D’une part, si le maillage est faible, c’est à dire que la structure modélisée est
divisée en un nombre faible de tétraèdres, la matrice formée par les équation de Max-
well sera d’un faible ordre, et donc plus facile à résoudre. Cela conduit à un temps
92
de simulation très faible et à une réduction des ressources matérielles nécessaires à

sa résolution. Mais les champs simulés seront moins précis.
D’autre part, si le maillage est trop fort, c’est à dire s’il y a un trop grand
nombre de tétraèdres, la matrice à résoudre sera d’un très grand ordre. Le temps
de simulation augmentera significativement tout comme les ressources matérielles
nécessaires à sa résolution. Et finalement, la ratio entre la précision de simulation
gagnée et l’augmentation du temps de simulation sera très faible.
Pour déterminer quel maillage utilisé, le simulateur FEM utilise un processus
itératif qui renforce automatiquement le maillage dans les régions critiques afin de
converger vers un certain niveau de précision appelé ∆SERROR .
3.2.2.3 Processus de convergence vers ∆SERROR
Voici le processus utilisé pour que le maillage converge vers le maillage répondant
au degré de précision demandé par l’utilisateur :
– Un maillage de base est appliqué à la structure, ce maillage initial dépends de
la taille des éléments constituants la structure à simuler (ce maillage de base
peut également être spécifié par l’utilisateur).
– Les paramètres S du système sont calculés à quelques fréquences particulières
(ces fréquences peuvent être spécifiées par l’utilisateur) et stockées.
– Un deuxième maillage plus précis est appliqué à la structure.
– Les paramètres S sont recalculés aux mêmes fréquences particulières et sont
ensuite comparés aux paramètres S de la première itération.
– Deux cas de figure :
– Si les différences entre les paramètres S des 2 premières itérations sont in-
férieures au ∆SERROR , alors le maillage est considéré comme suffisamment
précis et la simulation des autres paramètres S commence.
– Si, au contraire, les différences sont plus grandes que ∆SERROR alors un nou-
veau maillage plus dense est appliqué jusqu’à ce que les différences entre les
paramètres S de deux itérations consécutives soient inférieures à ∆SERROR .
3.2.3 Configuration de la simulation FEM

Comme expliqué précédemment, avant de lancer une simulation FEM, il est né-
cessaire de la configurer correctement. Pour cela, une liste des principaux paramètres
à prendre en compte est proposée ci dessous. Afin de voir l’impact de ces paramètres
sur les paramètres S simulées, une simulation de couplage entre 2 antennes présentée
dans la figure 3.10 va être rejouée plusieurs fois en changeant à chaque fois un de
ces paramètres. Les paramètres de base de la simulation sont :
– Simulation entre 10 kHz et 110 MHz
93
– Pas d’extension du volume d’air simulé

– ∆SERROR à 0.05
– Evaluation du ∆SERROR à la fréquence maximale, soit 110 MHz.
– Nombre d’itérations consécutives où le ∆SERROR est respecté : 1
Le résultat utilisé pour visualiser l’impact d’un paramètre de simulation est le
paramètre de transmission S12
Il est très important de noter que les simulations sont lancées dans les fermes
de calculs de STMicroelectronics en parallèles de milliers d’autres simulations qui
tournent en permanence. Ceci peut impacter les ressources matérielles utilisées (en
particulier le temps de simulation). De plus, les processeurs utilisés et la version
ADS utilisée peuvent également impacter ces ressources.
Figure 3.10 – Une modélisation du couplage entre 2 antennes NFC identiques
3.2.3.1 Extension du volume simulé
Comme expliqué ci dessus, lorsque la simulation est lancée, le volume simulé

est divisé en tétraèdre. Ce volume n’est pas infini, ADS réduit automatiquement
le volume à simuler autour de la structure modélisée. Cependant, comme expliqué
dans la partie 1.3.1.2 page 21, des lignes de champs vont se former autour du fil
conducteur lorsqu’il est parcouru par un courant. Si le volume simulé est trop petit,
une partie de ces lignes de champs risque de ne pas être prise en compte dans la
simulation. Cela risque également de fausser les résultats dans le cas d’un couplage
entre 2 antennes. Si une partie des lignes n’est pas prise en compte, le simulateur
donnera un couplage entre les deux antennes plus faible que prévu.
Ainsi, 2 simulations comparatives ont été faites. Dans un cas, le volume simulé
est défini par ADS (voir la figure 3.11. Dans l’autre cas, une extension du volume
de simulation de 10 cm en vertical et en horizontal est imposée comme le montre la
94
Figure 3.11 – Le volume d’air si- Figure 3.12 – Extension du volume d’air
mulé automatiquement par ADS simulé
Figure 3.13 – Le maillage dans

Figure 3.14 – Le maillage dans le volume
le volume d’air simulé automati-
d’air étendu
quement par ADS
figure 3.12. A titre informatif, les maillages de ces 2 volumes sont proposés dans les
figures 3.13 et 3.14.
Une fois la simulation FEM terminée, le coefficient de transmission S12 est ex-
trait. La figure 3.15 montre la comparaison du S12 en fonction du volume d’air
simulé. Comme attendu, il peut être remarqué que le S12 , ie, le couplage, semble
plus fort lorsque le volume d’air est grand ce qui tend à confirmer qu’une partie
des lignes de champs n’a pas été prise en compte lors de la simulation avec le vo-
lume d’air automatique proposé par ADS. L’impact du volume d’air simulé sur les
résultats de paramètres S étant prouvé, il est possible de regarder s’il y a eu un
changement au niveau du déroulement de la simulation. Le tableau 3.1 compare les
ressources mémoires utilisées durant la simulation. Comme il peut être remarqué,
il n’y a pas de différences significatives dans la consommation mémoire ou le temps
de simulation. Le maillage se concentrant autour des antennes NFC, le fait d’aug-
menter le volume n’a pas d’impact significatif sur le nombre de tétraèdres (comme
il est possible de le voir dans la figure 3.14). Ainsi, afin d’augmenter la précision de
la simulation sans impacter son temps d’exécution, une extension du volume d’air
simulé sera toujours utilisée dans les futures simulations.
95
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
S12 (dB)
-140
-150
-160
-170
-180
-190
-200
-210
-220 Volume automatique
-230 Volume étendu
-240
0 20 40 60 80 100
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.15 – Comparaison du paramètre de transmission S12 en fonction du vo-

lume d’air simulé
Ressources matérielles utilisées durant la simulation

Paramètres Volume par défaut Volume d’air étendu
Temps de simulation 11 min 56 s 12 min 15 s
Mémoire (ROM) 2.87 Go 2.66 Go
Itérations de maillage 2 2
Tétrahèdres 106155 104556
Inconnues à résoudre 652656 650594
Table 3.1 – Comparaison des ressources matérielles utilisées en fonction du volume

d’air simulé
96
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
S12 (dB)
-150
-160
-170
-180
-190
-200 Delta S = 0.01
-210 Delta S = 0.05
-220
-230
-240
0 20 40 60 80 100
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.16 – Comparaison du paramètre de transmission S12 en fonction du

∆SERROR
3.2.3.2 ∆SERROR
Comme expliqué dans la partie 3.2.2.3, le paramètre appelé ∆SERROR est un

paramètre très important à prendre en compte. En effet, c’est ce paramètre qui est
utilisé en tant que critère de convergence pour le maillage. Il limite donc significati-
vement la précision de la simulation. De base, ∆SERROR est paramétré à 0.01. Cette
valeur étant très faible pour un couplage d’antennes NFC, le support Keysight, de
façon empirique, suppose qu’augmenter cette valeur à 0.05 permet de ne pas perdre
en précision de simulation tout en diminuant les contraintes imposées à la simu-
lation (de manière relative, passer le ∆SERROR de 0.01 à 0.05 divise la précision
demandée par 5). Ainsi, 2 simulations comparatives ont été faites. Dans un cas, le
∆SERROR est défini par ADS et vaut 0.01. Dans l’autre cas, il est augmenté à 0.05.
La comparaison du coefficient de transmission est donnée dans la figure 3.16 et la
comparaison des ressources matérielles utilisées est donnée dans le tableau 3.2.
D’après les résultats de simulation, et selon les prévisions du support de Keysight,

le fait d’augmenter le ∆SERROR de 0.01 à 0.05 n’a pas d’impact sur la précision
de la simulation et les ressources matérielles utilisées changent très peu. Ainsi, le
∆SERROR sera paramétré à 0.05 dans les futures simulations de couplage d’antennes
NFC.
97

Paramètres ∆SERROR à 0.01 ∆SERROR à 0.05
Table 3.2 – Comparaison des ressources matérielles utilisées en fonction du

∆SERROR configuré

Paramètres 1 itération 2 itérations
Table 3.3 – Comparaison des ressources matérielles utilisées en fonction du nombre

d’itérations consécutives où le ∆SERROR doit être respecté
3.2.3.3 Nombre d’itérations réussies
Il est possible de définir également le nombre d’itérations consécutives de maillage

où la condition du ∆SERROR est respectée. Dans la partie 3.2.2.3 un exemple où
le ∆SERROR devait être respecté une fois a été donné. Cependant, dans certains
cas, 2 maillages consécutifs peuvent donner sensiblement les mêmes résultats de
paramètres S (et ainsi faire en sorte que le critère de convergence ∆SERROR soit
respecté) sans pour autant être de bons maillages. Dans ces cas là, il est possible
que les itérations suivantes fassent augmenter le ∆SERROR comme le montre la figure
3.17. Afin de limiter le risque que cela se produise, il est conseillé de paramétrer la
simulation de telle sorte qu’elle considère le maillage comme correcte lorsque le
∆SERROR est respecté dans plusieurs itérations consécutives. Ainsi, une simulation
où le ∆SERROR doit être respecté deux fois d’affilés a été effectuée et les résultats vont
être comparés à ceux donnés par la simulation de base où le ∆SERROR ne doit être
respecté qu’une fois. Les résultats de comparaison du paramètre de transmission S12
sont donnés dans la figure 3.18 et la comparaison des ressources matérielles utilisées
est donnée dans le tableau 3.3.
Le fait de demander au simulateur 2 itérations consécutives où le ∆SERROR est
98
0.5 Delta S
0.4
Delta S error
0.3
0.2
0.1
Critère de
convergence
0.0
1 2 3 4 5 6 7 8
Nombre d'itération
Figure 3.17 – Exemple de convergence du maillage
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
S12 (dB)
-150
-160
-170
-180
-190
-200 1 itération
-210 2 itérations
-220
-230
-240
0 20 40 60 80 100
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.18 – Comparaison du paramètre de transmission S12 en fonction du

nombre d’itérations consécutives où le ∆SERROR doit être respecté
99
respecté l’oblige à faire au minimum 3 itérations et augmente le temps de simulation.

Cependant, cela augmente la robustesse de la simulation car il y a une double vérifi-
cation sur la précision du maillage. En conclusion, afin de s’assurer que les résultats
de simulation sont correctes, le nombre d’itérations consécutives où le ∆SERROR doit
être respecté sera paramétré à 2, même si cela augmente le temps de simulation.
3.2.3.4 Fréquences d’affinement
Lorsque le ∆SERROR est calculé, ces paramètres S sont calculés par défaut à la
fréquence maximale de la simulation (par exemple, si une simulation de paramètres
S est effectuée entre 10 Hz et 100 MHz, le ∆SERROR sera calculé à la fréquence de
100 MHz). Par défaut, la précision du maillage est évaluée à une grande fréquence,
fréquence où le comportement de la structure simulée n’est pas forcement intéressant
et où la densité du maillage peut ne pas avoir d’impact sur les résultats de simulation.
Cependant, dans la configuration de la simulation FEM, il est possible de modifier
la fréquence d’évaluation du ∆SERROR . Ainsi, une autre simulation comparative
est lancée. Dans un cas, la fréquence d’affinement est laissée à son paramètre par
défaut, soit 110 MHz dans notre cas et dans l’autre cas, afin d’assurer que le maillage
est correct sur toute la bande de fréquence simulée, 4 fréquences d’affinement sont
paramétrées. Ces fréquences sont :
– 10 kHz, afin d’assurer une bonne précision du maillage en très faible fréquence
(proche du DC).
– 13.56 MHz, afin d’assurer une bonne précision du maillage à la fréquence du
NFC.
– 40 MHz, afin d’assurer une bonne précision du maillage à plusieurs harmo-
niques du 13.56 MHz.
– 80 MHz, afin d’assurer une bonne précision du maillage en hautes fréquences.
La comparaison du paramètre de transmission S12 est montrée dans la figure
3.19. D’après les résultats, dans le cas étudié, augmenter le nombre de fréquences
d’affinage ne change pas les résultats de la simulation du coefficient de transmis-
sion S12 car la fréquence d’affinement par défaut est suffisant. Cependant, selon la
documentation d’aide d’ADS, augmenter le nombre de fréquences d’affinages peut
augmenter grandement la précision des résultats de simulation, surtout si la fré-
quence de résonance du système est utilisée. De plus, le tableau 3.4 compare les
ressources matérielles utilisées en fonction des fréquences d’affinement de la simula-
tion. D’apres les résultats, le fait d’augmenter le nombre de fréquences d’affinement,
augmente le temps de simulation mais n’impacte pas la ROM utilisée où le nombre
d’inconnues à calculer.
100
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
S12 (dB)
-150
-160
-170
-180
-190
-200
-210
-220 1 fréquence d'affinement: fmax
-230 4 fréquences d'affinement: 10kHz, 13.56/40/100MHz
-240
0 20 40 60 80 100
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.19 – Comparaison du paramètre de transmission S12 en fonction des

fréquences où ∆SERROR est calculé

Paramètres Fréquence Max. 4 Fréquences définies
Table 3.4 – Comparaison des ressources matérielles utilisées en fonction des fré-
quences où ∆SERROR est calculé
101
Finalement, même si l’augmentation du nombre de fréquences d’affinage aug-

mente le temps de simulation, cela permet de rendre la simulation plus robuste et
augmente la confiance de l’utilisateur quant à la précision des résultats. Ainsi, le
choix est fait de toujours paramétrer 4 fréquences d’affinage, pour des simulations
de couplage d’antennes : une fréquence très basse (proche du DC), le 13.56 MHz,
une harmonique (autour de 40 MHz, ou bien la fréquence de résonance du système
si elle est connue) et une grande fréquence (autour de 100 MHz).
3.2.4 Conclusion de la paramétrisation de la simulation FEM

Dans cette partie, une description de la simulation FEM a été donnée et une
partie des paramètres permettant de la configurer a été développée. Ainsi, une confi-
guration permettant d’avoir simulation FEM robuste est maintenant disponible. Il
est maintenant possible de commencer la modélisation des antennes de référence des
bancs de certification NFC. La phase de modélisation et de validation de chaque
antenne suivant la même méthodologie, cette dernière est présentée dans la partie
3.3.
3.3 Méthodologie de modélisation

Afin de modéliser, calibrer et valider une antenne NFC, la méthodologie montrée
dans la figure 3.20 a été utilisée. En particulier, cette méthodologie a été utilisée
pour modéliser les antennes de référence des normes EMVCo et ISO/IEC 14443.
Cette méthodologie est la suivante :
– Étape 1 : Le layout de l’antenne à tester est modélisé. La description physique
sur le plan XY de l’antenne est donnée.
– Étape 2 : Le substrat de l’antenne est modélisé. Le substrat permet de donner
la description physique de l’antenne suivant l’axe Z. Il permet également de dé-
finir les matériaux utilisés et de définir l’environnement où se trouve l’antenne
(dans une boite d’air, sur du substrat...).
– Étape 3 : Une fois les étapes 1 et 2 effectuées, un modèle 3D de l’antenne est
disponible. Une simulation FEM est lancée afin d’extraire les paramètres S
simulés de l’antenne.
– Étape 4 : En parallèle des 3 premières étapes, un échantillon de l’antenne
qui a été modélisée est mesurée aux VNA afin d’en extraire les paramètres S
mesurés.
– Étape 5 : Les paramètres S simulés et mesurés étant disponibles, une compa-
raison de ces derniers est effectuée. Le critère permettant de valider le modèle
de l’antenne est en comparant les circuits RLC équivalents. La partie 2.2.1
102
page 56 explique la méthode pour extraire le circuit RLC des paramètres S

(mesurés au VNA ou simulés).
– Étape 6 : Le modèle de l’antenne seul étant validé, le circuit est à son tour
modélisé. Une simulation du calibrage de l’antenne est effectuée afin d’obtenir
le même niveau de calibrage que l’échantillon.
– Étape 7 : Le circuit simulé est comparé avec le circuit de l’échantillon per-
mettant de valider le modèle de l’outils NFC (la partie antenne et la partie
circuit).
3.4 Modèle du banc de certification EMVCo

3.4.1 Modélisation de l’EMV-TEST PCD - Le lecteur de
référence EMVCo
Il est important de noter que la modélisation de l’antenne du EMV-TEST PCD
a été effectuée sur la base de la version 2.0 (Juillet 2008) du document "EMV Conta-
cless Specifications for Payment Systems - Level 1 - Test Equipment Specifications
PCD manual". Suivant les futurs versions de ce document, il se peut que des détails
décrits dans ce manuscrit aient été modifiés. La méthodologie utilisée pour modéliser
et valider les antennes de référence est celle proposée dans la partie 3.3.
3.4.1.1 Modélisation de l’antenne EMV-TEST PCD
Dans un premier temps, l’antenne lecteur seule doit être modélisée sur ADS.
Pour cela, deux étapes sont nécessaires. La première étape consiste à modéliser le
layout de l’antenne qui est donné dans la figure 3.21. Il est à noter que ces dimensions
correspondent à la version 1.2 du PCB de l’EMV-TEST PCD. L’antenne est une
antenne 2 tours (seulement 2 des 4 tours sont utilisés, en effet, l’antenne possède 3
entrées et l’une d’entre elles est en circuit ouvert). Les spires ont une largeur de 1
mm avec un espace inter-spires de 0.5 mm. Le diamètre de la spire externe est de
71 mm.
Le layout, donnant seulement la description de l’antenne en X et en Y, doit
être associé dans un second temps à un substrat qui donne l’information en Z. Le
substrat modélisé sur ADS est donné dans la figure 3.22.
Il y a 4 couches de cuivre d’une épaisseur de 35µm superposées. Les différentes
couches sont reliées grâce à des vias de cuivre et séparées par du PCB en FR4.
La couche appelée pc2 représente la quasi totalité de l’antenne. Les paramètres
diélectriques des matériaux utilisés et définis dans le simulateur sont donnés dans le
tableau 3.5.
103
Modéliser le layout
1 de l’antenne
Layout modélisé
Mesurer l’antenne
Modéliser le
4 au VNA
2 substrat de
l’antenne
Paramètres S mesurés extraits
Substrat modélisé
Lancer la
3 simulation FEM
Paramètres S simulés extraits
Comparer les
5 circuits equivalents
RLC
Les circuits RLC sont similaires,

validation du modèle de l’antenne
6 Modéliser le circuit
Antenne modélisée est calibrée
Comparer les
7 circuits de calibrage
Le circuit modélisé est similaire au circuit

donné dans la norme
Validation du modèle (antenne+circuit)
Figure 3.20 – Processus de modélisation d’une antenne de référence NFC
104
Niveaux de métal: 4
Matériau: Cuivre
Largeur de piste: 1 mm
Inter-piste: 0.5 mm
Diamètre spire externe: 71mm
Figure 3.21 – Layout de l’EMV-TEST PCD
Figure 3.22 – Le substrat de l’EMV-TEST PCD
Description du substrat de l’EMV TEST PCD

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Matériau des pistes Cuivre Conductivité du Cuivre 5.8e7 Siemens/m
Matériau des vias Cuivre Permittivité relative du FR4 4.6
Matériau du Substrat FR4 Épaisseur des pistes 35 µm
Épaisseur totale 1.6 mm
Table 3.5 – Description du substrat de l’EMV-TEST PCD
105
Le layout et le substrat étant définis, un modèle 3D de l’antenne est disponible.
3.4.1.2 Validation du modèle de l’antenne EMV-TEST PCD
Les paramètres S de l’antenne EMV-TEST PCD sont extraits de cette simulation

FEM et sont transformés en paramètres Z, représentant l’impédance. Ces paramètres
Z sont comparés à ceux mesurés avec un VNA à partir d’une antenne de référence. La
figure 3.23 montre la comparaison de la partie réel des paramètres Z, la résistance,
entre l’antenne mesurée, le modèle simulé avec le moteur Momentum et le modèle
simulé avec le moteur FEM.
10000
Mesure
9000
Mom
8000 FEM
7000
Résistance (Ohm)
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Fréquence (MHz)
Figure 3.23 – Comparaison de la résistance de l’antenne EMV-TEST PCD en

mesure, simulation Momemtum et simulation FEM
Il peut être noté que les différentes résistances des antennes ont le même com-
portement en fonction de la fréquence mais qu’autour de 35 MHz (la fréquence de
résonance des antennes) des différences sont visibles. La figure 3.24 montre un zoom
de la comparaison des résistances autour de 35 MHz. La figure 3.25 compare les
réactances des antennes en fonction de la fréquence autour de 35MHz.
Afin de valider le modèle de l’antenne, les circuits RLC équivalents des antennes
sont déterminés. Une comparaison de ces circuits RLC est proposée dans le table
3.6. Comme il peut être constaté, le modèle électrique de l’antenne modélisée est
équivalent à celui de l’antenne de référence mesurée. Il y a un degré d’imprécision
correspondant aux imperfections de modélisation et au niveau de précision demandé
lors de la simulation et à l’imprécision de la mesure. Cependant, comme il sera vu
dans la suite de l’étude, ces imprécisions permettent néanmoins d’avoir de bonnes
106
10000 6000
Mesure 5000
Mesure
9000 Mom
Mom
4000 FEM
8000 FEM
3000
7000
2000
Résistance (Ohm)
Réactance (Ohm)
6000 1000
5000 0
4000 -1000
-2000
3000
-3000
2000
-4000
1000 -5000
0 -6000
32 33 34 35 36 37 38 39 32 33 34 35 36 37 38 39
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)
Figure 3.24 – Comparaison de la Figure 3.25 – Comparaison de la

résistance de l’antenne EMV-TEST réactance de l’antenne EMV-TEST
PCD en mesure, simulation Momem- PCD en mesure, simulation Momem-
tum et simulation FEM tum et simulation FEM
simulations de transfert de puissance. Ainsi, il peut être conclu que le modèle de

l’antenne EMV-TEST PCD est valide et est conforme à la réalité.
Circuit RLC équivalent des modèles des antennes EMV-TEST PCD

Paramètres S L (µH) C (pF) R (Ω) % erreur sur L
Mesure VNA 0.60 36 0.7 N/A
Simulation Momentum 0.59 34 0.5 < 5%
Simulation FEM 0.59 37 0.4 < 5%
Table 3.6 – Comparaison du circuit équivalent RLC de l’antenne de référence me-

suré avec celui du modèle simulé
Le modèle de l’antenne étant validé, une modélisation du circuit d’adaptation

d’impédance de l’antenne EMV-TEST PCD peut être étudiée.
3.4.1.3 Modélisation du circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD
L’antenne lecteur de référence EMV-TEST PCD possède également un circuit

d’adaptation d’antenne. Ce dernier permet d’adapter l’impédance de l’antenne à
50Ω à la fréquence de 13.56 MHz. Un rappel du principe d’adaptation d’impédance
est proposé dans la partie 1.4.1 page 29. Le circuit d’adaptation présenté dans la
figure 3.26 est celui donné dans le document de référence de la norme EMVCo 4 .
Ainsi, suivant les mises à jour du document, il est possible que certaines valeurs des
composants changent dans le futur.
Ce circuit est modélisé dans un schématic d’ADS avec :
4. EMV Conctacless Specifications for Payment Systems - Level 1 - Test Equipment Specifica-
tions PCD Manual,Version 2.0 July 2008
107
Figure 3.26 – Le circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD modélise sur ADS
– Le port P1 est connecté à la sortie du générateur RF d’impédance 50Ω.

– Les ports P2 et P3 sont connectés aux bornes de l’antenne EMV-TEST PCD.
– Le port J2 est utilisé pour mesurer le courant dans l’antenne, permettant de
déterminer la modulation de charge de la carte NFC comme expliqué dans la
partie 1.4.9 page 45.
Les valeurs des composants sont données dans le tableau 3.7 et sont comparées
à celles données dans le document de référence de la norme EMVCo 5 .
Composants du circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD

Composant Valeur de la norme Valeur du modèle Delta Erreur
C1 33 pF 33 pF < 1 pF
C3 100 pF 100 pF < 1 pF
C4 33 pF 33pF < 1 pF
VC1 1 à 10 pF 4.75 pF < 1 pF
VC2 1 à 10 pF 23 pF 13 pF
Rs Typiquement 1 Ω 1Ω <0.1 Ω
Rm 0.38 Ω 0.38 Ω <0.1 Ω
Table 3.7 – Comparaison du circuit d’adaptation de l’antenne EMV-TEST PCD

modélisé avec celui donné dans les documents de certification
Il peut être remarqué que tous les composants modélisés sont conformes à ceux
donnés dans la norme sauf pour la capacité variable VC2. Cette capacité est modé-
lisée avec une valeur de 23 pF alors qu’elle devrait valoir 10 pF au maximum. Ce
tions PCD Manual,Version 2.0 July 2008
108
delta peut cependant être expliqué par une accumulation d’imprécisions apportées
par :
– Les composants soudés du circuit d’adaptation qui ont un degré de précision
de 5%.
– Les défauts de fabrication de la board de référence et de l’antenne.
– La mesure des paramètres S du circuit de référence. Même si le VNA est
calibré, sa mesure n’est pas absolue.
– La non-modélisation des pistes du circuit d’adaptation qui ajoute de la résis-
tance et une capacité parasite dans le circuit.
– Le niveau de précision demandé dans la simulation des paramètres S de l’an-
tenne dont une quantification est donnée dans le tableau 3.6.
Finalement, en prenant en compte toutes les imprécisions introduites durant la
modélisation du lecteur de référence EMVCo, il peut être admis qu’un delta de 13
pF sur la valeur d’une capacité peut être considéré comme un facteur de correction
acceptable. De plus, ce delta n’aura pas d’influence sur les simulations de transfert de
puissance proposées dans la suite de l’étude. L’antenne et le circuit étant modélisés,
il est maintenant possible de lancer une simulation de paramètres S du modèle simulé
et de comparer cette adaptation à celle mesurer sur l’antenne de référence avec un
VNA.
3.4.1.4 Validation du circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD
Dans un schematic ADS présenté dans la figure 3.27, la boîte de paramètres S de

l’antenne simulée dans la partie 3.4.1.1 est connectée au modèle du circuit d’adapta-
tion simulé dans la partie 3.4.1.3. Ce système est ensuite connecté à un composant
"term" de 50Ω modélisant un port de VNA. De même, la boite de paramètres S de
l’antenne lecteur de référence mesurée par un VNA est connectée à un second "term"
de 50Ω. Puis une simulation de paramètres S est lancée et les paramètres S11 vus
des 2 composants "term" sont comparés. Le résultat de cette comparaison est montré
dans la figure 3.28.
Comme il peut être noté, les paramètres S11 de l’antenne modélisée et de son cir-
cuit d’adaptation concordent avec ceux de la mesure au VNA. De plus, le paramètre
S11 vaut environ -40 dB à 13.56 MHz, validant ainsi l’adaptation d’impédance.
Finalement, le modèle de l’antenne EMV-TEST PCD et de son circuit d’adap-
tation étant complètement validé, le lecteur de référence de la norme EMVCo est
considéré comme bien modélisé et utilisable pour des simulations de tests de pré-
certification de DUT utilisé en mode carte.
109
Figure 3.27 – Le circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD modélise sur ADS
-5
-10
-15
S11 (dB)
-20
-25
-30
-35 Simulation FEM

Mesure
-40
10 12 14 16 18 20
13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.28 – Adaptation d’impédance de l’EMV-TEST PCD
110
Figure 3.29 – Photo de l’EMV-TEST PICC (côté Antenne principale)
Figure 3.30 – Photo de l’EMV-TEST PICC (côté Antenne "pickup")
3.4.2 Modélisation de l’EMV-TEST PICC - L’antenne carte

de référence EMVCo
3.4.2.1 Modélisation de l’antenne EMV-TEST PICC
Le modèle du lecteur NFC de référence EMVCo étant validé, c’est au tour de

la carte de référence EMVCo, appelée EMV-TEST PICC d’être modélisée. Comme
pour le lecteur EMVCo, l’antenne seule de l’EMV-TEST PICC va dans un premier
temps être validée suivi par la validation de son circuit.
Les figures 3.29 et 3.30 montrent des photos de la carte de référence EMVCo. Le
layout de l’antenne de cette carte est montrée dans la figure 3.31.
L’EMV-TEST PICC est constituée en réalité de 2 antennes distinctes :
– L’antenne carte principale de 4 tours (en rouge sur la figure 3.31). La piste est
en cuivre et fait 0.5mm de largeur et 35 µm d’épaisseur. La spire externe fait
72mm x 42mm.
– L’antenne secondaire (en bleu sur la figure 3.31) appelée communément en
anglais l’antenne "pickup" car cette antenne 1 tour sert à mesurer le champ
magnétique reçu par l’antenne principale. Sa piste est en cuivre et fait 0.5 mm
de largeur et 35µm d’épaisseur. Ses dimensions externes sont d’environ 84mm
x 52mm. Cette antenne est concentrique avec l’antenne principale.
Une fois le layout modélisé conformément aux dimensions spécifiées dans le do-
111
Figure 3.31 – Le layout de l’EMV-TEST PICC
cument [EMV08b], le substrat doit être donné. L’antenne EMV-TEST PICC est sur
2 niveaux de métaux (en cuivre) d’épaisseur 35µm et séparés par 1.6 mm de FR4.
Le substrat modélisé dans le simulateur est donné dans la figure 3.32. Le layer PC1
correspond à l’antenne principale, le layer PC2 correspond à l’antenne "pickup". Les
matériaux et leurs constantes dielectriques sont résumés dans le tableau 3.8
Figure 3.32 – Le substrat de l’EMV-TEST PICC
Description du substrat de l’EMV TEST PICC

Table 3.8 – Description du substrat de l’EMV-TEST PCD
Le layout et le substrat étant définis, une vue 3D de l’antenne est disponible

comme le montre la figure 3.33.
Ce modèle d’antenne est simulé avec ADS en utilisant le moteur FEM. Le tableau
3.9 donne les paramètres utilisés pour la simulation.
3.4.2.2 Validation du modèle de l’antenne EMV-TEST PICC
Après extraction des paramètres S du modèle de l’antenne EMV-TEST PICC en

utilisant le simulateur Momentum et FEM, les impédances sont comparées à celles
112
Figure 3.33 – Vue 3D de l’EMV-TEST PICC
Configuration de la simulation FEM de l’antenne EMV-TEST PICC

Paramètre Valeur
Delta S 0.05
Fréquence de test du maillage 10 kHz - 13.56 MHz - 40 MHz - 110 MHz
Réussite consécutive du maillage 2
Plage de fréquence 10 kHz à 110 MHz
Table 3.9 – Configuration de la simulation de l’EMV-TEST PICC
issues d’une mesure au VNA. Les figures 3.34 et 3.35 montrent respectivement la
comparaison de la résistance et de la réactance de l’antenne.
Afin de quantifier la précision de la simulation par rapport à la mesure, le tableau
3.10 compare les circuits RLC de l’antenne mesurée et du modèle simulé. Il peut
être noté que les modèles électriques sont très proches validant ainsi la modélisa-
tion et l’extraction des paramètres S du modèle de l’EMV-TEST PICC (les mêmes
imprécisions qu’avec l’antenne du lecteur de référence se retrouvent ici).
Circuit RLC équivalent des modèles des antennes EMV-TEST PICC

Paramètres S L (µH) C (pF) R (Ω) % erreur L
Mesure VNA 2.3 4.5 0.9 N/A
Simulation Momentum 2.3 3.5 0.9 < 5%
Simulation FEM 2.3 3.8 0.9 < 5%
Table 3.10 – Comparaison des circuits RLC équivalents des modèles des antennes
EMV-TEST PICC
3.4.2.3 Modélisation du circuit de l’EMV-TEST PICC
L’antenne carte de référence EMVco possède également un circuit électrique ser-

vant entre autre à la faire résonner à une fréquence particulière. D’après la norme
113
80000 40000
Mesure Mesure
70000 Mom 30000 Mom
FEM FEM
60000 20000
Réactance (Ohm)
Résistance (Ohm)
50000 10000
40000 0
30000
-10000
20000
-20000
10000
-30000
0
44 46 48 50 52 54 56 58 60 62
44 46 48 50 52 54 56 58 60 62
Figure 3.34 – Comparaison de la Figure 3.35 – Comparaison de la

résistance de l’antenne EMV-TEST réactance de l’antenne EMV-TEST
PICC en mesure, simulation Momem- PICC en mesure, simulation Momem-
tum et simulation FEM tum et simulation FEM
[EMV08b], cette carte peut voir sa fréquence de résonance réglée à 3 fréquences dif-
férentes, 13.56 MHz, 16.1 MHz et 18 MHz (afin d’émuler plusieurs types de cartes).
Le circuit présenté dans la figure 3.26 est celui donné dans le document de référence
de la norme EMVCo 6 . Ainsi, suivant les mises à jour du document, il est possible
que certaines valeurs des composants changent dans le futur.
Figure 3.36 – Modèle du circuit de référence de l’EMV-TEST PICC
Ce circuit est modélisé dans un schématic d’ADS avec :

– Le port J1 sert à mesurer le niveau de tension redressée aux bornes de l’antenne
carte.
– Le port J2 est l’entrée de la modulation (847.5 kHz).
– Le port J3 est l’entrée du circuit d’injection de bruit.
tions PICC Manual,Version 2.0 July 2008
114
Les valeurs des composants sont données dans le tableau 3.11 et sont comparées
à celles données dans le document de référence de la norme EMVCo [EMV08b].
Composants du circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD

Composant Norme Modèle ∆ Erreur
C2 100 pF 100 pF < 1 pF
C3 22-27-47 pF 22-27-47 pF < 1 pF
R3, C4, R17, R18, R19 N/A N/A N/A
C5 1 nF 1 nF < 0.1 nF
C6 18 pF 18 pF < 1 pF
D1, D2, D3, D4, D5 BAV99/SOT BAV99/SOT N/A
D8, D11, D13, D14, D15 BAV99/SOT BAV99/SOT N/A
D10 BZX284-C15 BZX284-C15 N/A
J1, J2, J3, J9 Connecteur SMA Connecteur SMA N/A
J7 Jumper 4x2 Jumper 4x2 N/A
J8 Jumper 3x2 Jumper 3x2 N/A
L1 Antenne PICC Antenne PICC N/A
Q2, Q3, Q4, Q5 MMBT 2222A MMBT 2222A N/A
Q8 BCV61C BCV61C N/A
R1 47 Ω 47 Ω <1Ω
R4 22 kΩ 22 kΩ <1Ω
R5 68 Ω 68 Ω <1Ω
R6, R7 4k02 Ω 4k02 Ω <1Ω
R8 2 kΩ 2 kΩ <1 Ω
R9 470 Ω 470 Ω <1 Ω
R10 200 Ω 200 Ω <1 Ω
R11 330 Ω 330 Ω <1 Ω
R12, R15, R20 51 Ω 51 Ω <1 Ω
R13 3 kΩ 3 kΩ <1 Ω
R14 50 kΩ 50 kΩ <1 Ω
R16 5 kΩ 5 kΩ <1 Ω
VC1 1 à 10 pF 8.55-12.17-9.67 pF 0 à 2 pF
J6 Connecteur SMA Connecteur SMA N/A
Table 3.11 – Valeurs des composants du circuit électrique de l’EMV-TEST PICC
115
donnés dans la norme sauf pour la capacité variable VC1 dans une des trois confi-
gurations possibles. Cette capacité est modélisée avec une valeur de 12.17 pF alors
qu’elle devrait valoir 10 pF au maximum. Ce delta a exactement les mêmes explica-
tions que pour l’antenne lecteur données dans la partie 3.4.1.3.
Finalement, il peut être admis qu’un delta d’environ 2 pF sur la valeur d’une
capacité dans une configuration sur les trois possibles peut être considéré comme
un facteur de correction acceptable. L’antenne et le circuit étant modélisés, il est
maintenant possible de lancer une simulation de paramètres S du modèle simulé en
utilisant les 3 configurations possibles du circuit.
3.4.2.4 Validation du circuit de l’EMV-TEST PICC
Dans un schematic ADS présenté dans la figure 3.37, la boite de paramètres

S de l’antenne simulée dans la partie 3.4.2.1 est connectée au modèle du circuit
d’adaptation simulé dans la partie 3.4.2.3. Ce système est ensuite connecté à un
composant "term" de 50Ω modélisant un port de VNA. Puis une simulation de
paramètres S est lancée et les paramètres S11 vus du composant "term" sont extraits.
La simulation est effectuée pour les 3 configurations du circuit de résonance et les
résultats sont comparés dans la figure 3.38. Dans cette figure, les réactances vues
du composant "term" sont montrées afin de valider la fréquence de résonance de
l’antenne.
Figure 3.37 – Simulation des paramètres S de l’EMV-TEST PICC
Comme il peut être noté, les fréquences de résonance de l’antenne modélisée et

de son circuit concordent avec celles données dans la norme.
Finalement, le modèle de l’antenne EMV-TEST PICC et de son circuit étant
complètement validé, la carte de référence de la norme EMVCo est considérée comme
bien modélisée et utilisable pour des simulations de tests de pré-certification de DUT
utilisé en mode lecteur.
116
20000
15000
10000
Réactance (Ohm)
5000
-5000
-10000
Résonance à 13.56 MHz
-15000 Résonance à 16.1 MHz
Résonance à 18 MHz
-20000
10 12 14 16 18 20
13.56 16.1 18
Fréquence (MHz)
Figure 3.38 – Réactance l’EMV-TEST PICC dans les 3 configurations données

dans la norme EMVCo
3.4.3 Modélisation du banc de certification EMVCo
Dans les parties 3.4.1 et 3.4.2 le lecteur et la carte de référence EMVCo ont été
modélisés, simulés et validés. Le banc de certification de la norme EMVCo peut
être modélisé. Pour cela, il faut modéliser le couplage entre le lecteur et la carte de
référence. Afin de valider ce couplage, le test de référence défini dans le document
[EMV08b] est utilisé. Il consiste à un test de transfert de puissance d’un signal à
13.56 MHz entre le lecteur et la carte.
3.4.3.1 Modélisation du couplage
Afin d’effectuer le test de vérification du calibrage défini dans [2], il faut que la
carte de référence soit à la position (0,0,2,0) dans le volume opératoire de l’EMV-
TEST PCD, c’est à dire à 20 mm au dessus du plan de référence et concentrique
avec l’antenne du lecteur. Cependant, il y a 15 mm entre l’antenne lecteur et le plan
de référence. Donc, l’antenne carte doit se trouver à une distance totale de 35 mm
de l’antenne lecteur comme le montre la figure 3.39.
Les paramètres S du couplage entre la carte et le lecteur sont extraits suite à
une simulation FEM.
117
35 mm
Figure 3.39 – Modélisation du couplage entre l’EMV-TEST PCD et l’EMV-TEST

PICC
3.4.3.2 Simulation du test de vérification - Transfert de puissance
Pour rappel, le test effectué dans cette partie est définie dans le document de
référence [EMV08b] dans la section 5 comme une méthode indirecte de vérification
du calibrage des antennes de référence EMVCo.
D’après la norme, il permet de vérifier le calibrage de l’EMV-TEST PICC sans
utiliser de VNA. Un EMV-TEST PCD calibré est utilisé pour générer un champ
magnétique connu qui est ensuite mesuré par l’antenne principale de l’EMV-TEST
PICC.
Pour effectuer ce test, l’EMV-TEST PCD doit être alimenté avec un signal à
13.56 MHz d’une amplitude de 15.5 V pic à pic (lorsqu’il n’y a aucune carte dans
le volume opératoire du lecteur). La carte, résonant à 16.1 MHz, placée à la posi-
tion (0,0,2,0) reçoit le champ magnétique créé par le lecteur. Une tension redréssée
moyenne de 5.53 V ± 0.1 V doit être mesurée au port J1 de la carte.
Il est à noter que dans le document de référence EMVCo version Juillet 2008 il
était spécifié que la tension moyenne au port J1 devait être de 5.8 V ± 0.1V dans le
cas où la carte PICC résonne à 16.1 MHz. Dans une nouvelle version du document,
cette valeur de tension moyenne a été corrigée à 5.53 ± 0.1 V.
La figure 3.40 présente le schématics ADS utilisé pour simuler le test de vérifi-
cation.
Un générateur parfait fournit une tension sinusoïdale de 31 V pic à pic à une
fréquence de 13.56 MHz. Une résistance série de 50Ω modélise son impédance interne.
Le lecteur est adapté à 50Ω à 13.56 MHz lorsqu’il n’est pas couplé. Ainsi, au noeud
appelé VSource , il y a un diviseur de tension de ratio 2 qui fait que le lecteur de
118
Contrôleur de simulation Répéter la simulation pour
temporelle différents pas temporel
Paramètres S du
couplage
Capacité parasite de
Circuit EMV-TEST PCD la sonde
Circuit EMV-TEST PICC Circuit moyenneur
(résonance à 16.1 MHz) du port J1
Générateur 50 Ω
Figure 3.40 – Modélisation du test de vérification des calibrages EMVCo

119
référence est bien alimenté par un signal d’amplitude 15.5 Vpp (toujours dans le cas
où il n’y a pas de carte dans son volume opératoire comme spécifié dans la norme).
La boîte de paramètres S du couplage entre l’EMV-TEST PCD et l’EMV-TEST
PICC en position (0,0,2,0) est utilisé et est relié aux circuits modélisés dans les
parties 3.4.1.3 et 3.4.2.3. Puis, un circuit moyenneur RC placé à la sortie du port
J1 de la carte de référence permet de mesurer directement la valeur moyenne de la
tension redressée.
Dans un premier temps, la simulation temporelle est lancée avec un pas de 36 ns
correspondant à la moitié de la période du signal à 13.56 MHz. Dans cette condition,
le simulateur trouve un transfert de puissance quasiment nul. La simulation a alors
été relancée avec différents pas temporel. La figure 3.41 présente la valeur de la
moyenne de la tension redressée au cours du temps pour différents pas temporel.
Le tableau 3.12 résume quant à lui les résultats de la simulation. Lorsque le pas
temporel de la simulation diminue, la tension redressée converge vers 5.51V, valeur
qui est en ligne avec la valeur donnée par la norme et qui valide ainsi, le modèle
complet du banc de certification EMVCo.
5
Tension rectifiée (V)
3
0.01 ns
0.73 ns
2 7.3 ns
18 ns
36 ns
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Temps (ns)
Figure 3.41 – Moyenne de la tension redréssée récupérée par l’EMV-TEST PICC

lors de la simulation du test de référence de la norme EMVCo pour différentes
configurations de simulation
120
Résultats des simulations du test de transfert de puissance

Pas Tension % erreur Résultat Temps de simulation
36ns 0V 100% ECHEC <1s
18ns 0.7V 87% ECHEC <1s
7.3ns 3.6V 35% ECHEC <1s
0.73ns 5.50V <1% OK 20s
0.01ns 5.51V <1% OK 7min
Table 3.12 – Résultats des simulations du test de transfert de puissance
3.4.4 Conclusion
En conclusion de cette partie, les outils de référence de la norme EMVCo ren-
contrées durant la thèse ont été modélisés et validés individuellement suivant la
méthodologie présentée dans la partie 3.3. Ces outils NFC sont :
– Le lecteur de référence EMVCo.
– La carte de référence EMVCo.
Afin de valider le couplage entre le lecteur et la carte de référence, une simulation
de test de transfert de puissance décrite dans la norme EMVCo a été menée. Cette
simulation a montré des résultats parfaitement en ligne avec les résultats prévus par
la norme.
Ainsi, il peut être considéré que les outils de référence de la norme EMVCo sont
correctement modélisés et peuvent être utilisés pour simuler des tests de certification
d’un DUT.
3.5 Modèle du banc de certification ISO/IEC 14443

3.5.1 Modélisation du lecteur de référence ISO
En utilisant la même méthodologie de modélisation et de validation utilisée dans
la partie 3.3, les modèles des 4 antennes qui composent le lecteur de référence
ISO/IEC 14443 ont été simulés dans ADS.
3.5.1.1 Modélisation de l’antenne principale lecteur ISO/IEC 14443
Dans un premier temps, l’antenne principale du lecteur (sans le circuit d’adap-

tation) doit être modélisée sur ADS. Pour cela, deux étapes sont nécessaires. La
première étape consiste à modéliser le layout de l’antenne qui est donné dans la
figure 3.42. Il est à noter que ces dimensions correspondent à la version ISO/IEC
10373-6 :2001(E). L’antenne est une antenne 1 tour (seulement 1 des 2 tours est
121
Figure 3.42 – Layout de l’antenne PCD ISO/IEC 14443
Figure 3.43 – Le substrat de l’antenne principale lecteur ISO/IEC 14443
utilisé). Les spires ont une largeur de 1.8 mm avec un espace inter-spires de 0.9 mm.
Le diamètre de la spire externe est de 150 mm.
Le layout, donnant seulement la description de l’antenne en X et en Y, doit être
associé dans la seconde étape à un substrat qui donne l’information en Z. Le substrat
modélisé sur ADS est donné dans la figure 3.43.
3.5.1.2 Validation de l’antenne PCD ISO/IEC 14443
Après extraction des paramètres S du modèle de l’antenne PCD ISO/IEC 14443

en utilisant le simulateur Momentum et FEM, les impédances sont comparées à
celle issue d’une mesure au VNA. Les figures 3.44 et 3.45 montrent respectivement
la comparaison de la résistance et de la réactance de l’antenne.
Afin de quantifier la précision de la simulation par rapport à la mesure, le tableau
3.14 compare les circuits RLC de l’antenne mesurée et du modèle simulé en utilisant
la méthode décrite dans la partie 2.2 en page 55. Il peut être noté que comme dans
les précédents cas, les modèles électriques sont très proches validant le modèle de
122
Configuration de la simulation FEM

de l’antenne principale PCD ISO/IEC 14443
Paramètre Valeur
Delta S 0.01
Table 3.13 – Configuration de la simulation de l’antenne principale PCD ISO/IEC

14443
9000 5000
Mesure Mesure
8000 4000 Mom
Mom
FEM
FEM 3000
7000
2000
6000
Résistance (Ohm)
Réactance (Ohm)
1000
5000
0
4000
-1000
3000 -2000
2000 -3000
1000 -4000
0 -5000
40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60
Figure 3.44 – Comparaison de la ré- Figure 3.45 – Comparaison de la ré-

sistance de l’antenne PCD ISO/IEC actance de l’antenne PCD ISO/IEC
14443 14443
123
l’antenne principale du lecteur de référence ISO/IEC 14443.
Circuit RLC équivalent des modèles l’antenne principale ISO/IEC 14443

Paramètres S L (µH) C (pF) R (Ω) % erreur
Mesure VNA 0.47 29 0.5 N/A
Simulation Momentum 0.47 18 0.7 < 5%
Simulation FEM 0.45 21 0.4 < 5%
Table 3.14 – Circuit RLC équivalent du modèle du PCD ISO/IEC 14443 simulé
avec Momentum et FEM et de l’antenne mesurée au VNA
3.5.1.3 Modélisation du circuit d’adaptation de l’antenne principale lec-

teur
L’antenne lecteur de référence ISO/IEC 14443 possède également un circuit

d’adaptation d’antenne. Ce dernier permet d’adapter l’impédance de l’antenne à
50Ω à la fréquence de 13.56 MHz. Un rappel du principe d’adaptation d’impédance
est proposé dans la partie 1.4.1 page 29. Il existe deux circuits d’adaptation dif-
férents. Le premier, présenté dans la figure 3.46, est le circuit d’adaptation utilisé
pour des bancs de certifications bas débit, c’est à dire que le débit de la commande
est de fc/128.
Le deuxième, présenté dans la figure 3.47, est le circuit d’adaptation utilisé pour
des bancs de certifications haut débit, c’est à dire que le débit de la commande est
de fc/64, fc/32 ou fc/16. Ces circuits d’adaptations sont décrits dans l’annexe A de
[ISO13]. Ainsi, suivant les mises à jour du document, il est possible que certaines
valeurs des composants changent dans le futur. Ils sont modélisés dans un schématic
d’ADS avec :
– Les ports "Antenna_ PCD_ UP" et "Antenna_ PCD_ Down" sont connectés
aux pins de l’antenne PCD.
– Les ports PCD_ in et REF sont connectés aux bornes du générateur RF 50Ω.
Les valeurs des composants sont données dans le tableau 3.15 et 3.16 et sont
comparées à celles données dans [ISO13].
donnés dans la norme sauf pour une valeur de capacité. La valeur de cette capacité est
plus grande qu’en théorique exactement comme pour les autres circuits développés.
– En configuration bas débit, cette capacité est modélisée avec une valeur de
51.5 pF au lieu de 47 pF.
– En configuration haut débit, cette capacité est modélisée avec une valeur de
96.95 pF au lieu de 90.2 pF.
124
Figure 3.46 – Circuit d’adaptation du lecteur ISO/IEC 14443 pour des communi-
cations à faible débit (fc/128)
Composants du circuit d’adaptation de lecteur de référence

ISO/IEC 14443 - Bas Débit
C1 47 pF 51.5 pF 3.5 pF
C2 180 pF 180 pF < 1 pF
C3 22 pF 22 pF < 1 pF
C4 2 à 27 pF 21.9 pF < 1 pF
Rext 0.94 Ω 0.94 Ω <0.1 Ω
Table 3.15 – Composants du circuit d’adaptation de lecteur de référence ISO/IEC

10373 - Bas Débit
Figure 3.47 – Circuit d’adaptation du lecteur ISO/IEC 10373 pour des communi-
cations à haut débit (fc/64, fc/32 et fc/16)
125
Composants du circuit d’adaptation de lecteur

de référence ISO/IEC 14443
C1a + C1b 90.2 pF 96.95 pF � 7 pF
C2 150 pF 150 pF < 1 pF
C3 10 pF 10 pF < 1 pF
C4 2 à 27 pF 26 pF < 1 pF
Rext 4.7 Ω 4.7 Ω <0.1 Ω
Table 3.16 – Composants du circuit d’adaptation de lecteur de référence ISO/IEC

10373 - Haut Débit
Cependant, en prenant en compte toutes les imprécisions introduites dans la

mesure et durant la modélisation de l’antenne PCD ISO/IEC 14443, il est conclu
que la modélisation du circuit est valide. Il est maintenant possible de lancer une
simulation de paramètres S du lecteur ISO/IEC 14443 complet.
3.5.1.4 Validation du circuit d’adaptation de l’EMV-TEST PCD
Dans un schematic ADS, la boite de paramètres S de l’antenne PCD ISO/IEC

14443 simulée dans la partie 3.5.1.1 est connectée aux deux modèles du circuit
d’adaptation simulés dans la partie 3.5.1.3. Ce système est ensuite connecté à un
composant "term" de 50Ω modélisant un port de VNA. Puis une simulation de para-
mètres S est lancée et les paramètres S11 vus du composant "term" sont comparés.
Le résultat de cette comparaison est montré dans la figure 3.48.
Comme le paramètre S11 simulé le montre, l’adaptation de l’antenne PCD à
50Ω est autour de -50 -̃60 dB à 13.56 MHz. De plus, il est possible de remarquer
que la bande passante est plus grande dans la configuration haut débit, permettant
effectivement de transmettre des informations avec un meilleur débit. Ainsi, l’an-
tenne PCD a été modélisée conformément à la norme et peut être utilisée dans des
simulations de pré-certification.
Les modèles des antennes capteurs et de l’antenne de calibrage doivent encore
être construits et validés afin d’avoir le modèle complet du lecteur de référence
ISO/IEC 14443.
3.5.1.5 Modélisation des antennes capteurs et de l’antenne de calibrage

ISO/IEC 14443
Le lecteur de référence ISO/IEC 14443 contient deux antennes de mesure du

champ placées à 37.5 mm au dessus et en dessous de l’antenne PCD et d’une antenne
126
-10
-20
S11 (dB)
-30
-40
-50
Haut débit
Bas débit
-60
-70
11 12 13 13.56 14 15 16
Fréquence (MHz)
Figure 3.48 – Simulation FEM de l’adaptation à 50 Ω de l’antenne principale PCD

ISO/IEC 14443 pour des communications bas débit et haut débit
de calibrage (voir la figure 3.6). L’antenne capteur B, placée en dessous du PCD,

capte le champ généré par le PCD. L’antenne capteur A, placée symétriquement
par rapport au PCD, capte le même champ généré par le PCD mais également la
réponse du DUT présente à proximité. Ainsi, en utilisant un circuit différenciateur
entre les 2 antennes capteurs, il est possible de retrouver le signal de réponse du
DUT. L’antenne de calibrage, placé en dessous de l’antenne capteur B permet de
mesurer le champ qui est reçu par le DUT (placé symétriquement par rapport au
PCD au dessus de l’antenne capteur A) et de calibrer le gain de l’amplificateur RF.
La même méthode de modélisation et de validation expliquée dans la partie 3.3
est utilisée pour ces antennes.
Dans un premier temps, les layouts des antennes capteurs et de calibrage, pré-
sentés respectivement dans les figures 3.49 et 3.50, sont modélisés sur ADS. Il est à
noter que ces dimensions correspondent à la version ISO/IEC 10373-6 :2001(E) de
la norme.
L’antenne capteur est une antenne 1 tour. La spire a une largeur de 1.8 mm. Et
ses dimensions externes sont de 100 mm x 70 mm.
L’antenne de calibrage est une antenne 1 tour. La spire a une largeur de 0.5 mm
(avec une tolérance de ± 20 %). Et ses dimensions externes sont de 72 mm x 42 mm
(avec une tolérance de ± 2%).
Les layouts sont associés au substrat donné dans la figure 3.51. Le layer Pc1,
127
Matériau: Cuivre
Longueur: 100 mm
Largeur: 70 mm
Largeur de piste: 1.8 mm
Epaisseur de piste: 35 µm
Figure 3.49 – Layout de l’antenne capteur ISO/IEC 14443
Matériau: Cuivre
Longueur: 72 mm
Largeur: 42 mm
Largeur de piste: 0.5 mm
Epaisseur de piste: 35 µm
Figure 3.50 – Layout de l’antenne de calibrage ISO/IEC 14443
128
Figure 3.51 – Le substrat des antennes capteurs et de calibrage ISO/IEC 14443
modélisant toute l’antenne, est en cuivre et fait une épaisseur de 35µm.

Ces modèles d’antennes sont simulés avec ADS en utilisant le moteur FEM. Le
tableau 3.17 donne les paramètres utilisés pour les simulations.
Configuration de la simulation FEM des antennes capteurs

et de calibrage ISO/IEC 14443
Paramètre Valeur
Delta S 0.01
Table 3.17 – Configuration de la simulation de l’antenne capteur et de calibrage

ISO/IEC 14443
3.5.1.6 Validation de l’antenne capteur et de l’antenne de calibrage

ISO/IEC 14443
Les paramètres S des modèles des antennes capteurs et de calibrage ISO/IEC

14443 sont extraits en utilisant le simulateur FEM (pour ces modèles d’antennes
et pour tous les modèles suivants, le moteur Momentum n’est plus utilisé à titre
de comparaison). Le circuit RLC de l’antenne capteur est également extrait de la
simulation et est comparé à celui extrait de la mesure dans le tableau 3.18. Le circuit
équivalent RLC de l’antenne de calibrage est extrait des paramètres S simulés et est
comparé aux résultats fournis dans le document [ISO13] dans le tableau 3.19.
La comparaison des circuits équivalents RLC des modèles des antennes permet de
mettre en évidence une erreur d’environ 6% dans les modèles simulés. Pour les mêmes
raisons évoquées pour les antennes précédentes, ce taux d’erreur est totalement
acceptable et permet de valider les modèles des antennes capteurs et de calibrage
de la norme ISO/IEC 14443.
129
Circuit RLC équivalent de l’antenne capteur ISO/IEC 14443

Mesure 0.320 N/A 0.33 N/A
Simulation FEM 0.300 N/A 0.32 6%
Table 3.18 – Circuit RLC équivalent de l’antenne capteur ISO/IEC 14443 simulée
avec FEM et mesurée
Circuit RLC équivalent de l’antenne de calibrage ISO/IEC 14443

Norme ∼ 0.250 N/A ∼ 0.4 N/A
Simulation FEM 0.235 N/A 0.4 6%
Table 3.19 – Circuit RLC équivalent de l’antenne de calibrage ISO/IEC 14443

simulée avec FEM et mesurée
3.5.2 Modélisation de la carte de référence classe 1 ISO/IEC

14443
3.5.2.1 Modélisation de l’antenne de référence PICC classe 1 ISO/IEC

14443
Le modèle du lecteur de référence ISO/IEC 14443 étant validé, c’est au tour de

la carte de référence d’être modélisée. Pour rappel, dans le cadre de la thèse, seule
l’antenne de classe 1 a été étudiée car c’est la principale carte utilisée de nos jours.
Dans un premier temps, l’antenne seule (sans la circuiterie) est étudiée. Le layout
de l’antenne de cette carte est montré dans la figure 3.8 page 90.
Une fois le layout modélisé conformément aux dimensions spécifiées dans le do-
cument [ISO13], le substrat doit être donné. L’antenne est sur 2 niveaux de métaux
(en cuivre) d’épaisseur 35µm et séparés par 0.76 mm de FR4. Le substrat modélisé
dans le simulateur est donné dans la figure 3.52. Le layer PC1 correspond à l’an-
tenne principale, le layer PC2 correspond à l’antenne "pickup". Les matériaux et
leurs constantes dielectriques sont résumés dans le tableau 3.20. Les dimensions de
l’antenne sont les mêmes que la carte de référence EMVCo.
130
Figure 3.52 – Le substrat de la carte ISO/IEC 14443 classe 1
Description du substrat de la carte de référence

ISO/IEC 10373 classe 1
Table 3.20 – Description du substrat de la carte de référence ISO/IEC 14443 classe

1
Configuration de la simulation FEM de la carte de référence

ISO/IEC 10373 classe 1
Paramètre Valeur
Delta S 0.05
Table 3.21 – Configuration de la simulation de la carte de référence ISO/IEC 14443

classe 1
131
3.5.2.2 Validation du modèle de l’antenne de la carte de référence ISO/IEC

14443 classe 1
Après extraction des paramètres S du modèle de l’antenne en utilisant le simu-

lateur FEM, le circuit RLC équivalent du modèle simulé de l’antenne est extrait en
utilisant la méthode expliquée dans la partie 2.2 à la page 55. Ce circuit est ensuite
comparé au circuit extrait d’une mesure au VNA et également au circuit équivalent
de l’antenne carte de référence de la norme EMVCo (donné dans la partie 3.4.2.2).
En effet ces antennes de références de ces deux normes étant similaires, les comparer
est un point de validation.
Les tableaux 3.22 et 3.23 montrent respectivement les résultats de la validation
de l’antenne principale et de l’antenne "pickup".
Circuit RLC équivalent du modèle de l’antenne principale carte

de référence ID1
Paramètres S L (µH) C (pF) RDC (Ω) R13.56M Hz (Ω) % erreur L
Mesure VNA 2.3 4.3 0.9 1.75 N/A
Simulation FEM 2.2 3.5 0.9 1.85 < 5%
EMV-TEST PICC 2.3 4.5 0.9 N/A < 5%
Table 3.22 – Comparaison des circuits RLC du modèle de l’antenne carte de réfé-
rence ID1
Selon la norme [ISO13], l’antenne principale à une inductance de 2.3µH ±10% et

une résistance à 13.56 MHz de 1.8Ω. Quant à l’antenne "pickup", à 13.56 MHz, elle
doit avoir une inductance de 375 nH et une résistance à 13.56 MHz de 0.65 Ω ± 10%
Circuit RLC équivalent du modèle de l’antenne pickup

de la carte de référence ID1
Paramètres S L (nH) C (pF) R13.56M Hz (Ω) % erreur L
Norme ISO/IEC 10373-6 375 N/A 0.65 N/A
Simulation FEM 379 4.6 0.7 < 5%
Table 3.23 – Comparaison des circuits RLC du modèle de l’antenne pickup de

référence ID1
Comme il peut être vu, les modèles RLC équivalents des antennes capteurs et de
calibrage sont conformes à ceux extraits des mesures et concordent également avec les
valeurs données dans les documents de la norme. Dans la norme, une imprécision de
10% est donnée pour l’inductance de l’antenne carte principale. Cette imprécision est
plus grande que celles rencontrées dans tous les modèles développés jusqu’à présent
ce qui renforce le niveau de confiance envers ces modèles.
132
3.5.3 Modélisation du banc de certification ISO/IEC 14443
Lors de la validation du modèle du banc de certification EMVCo (montrée dans la

partie 3.4.3 page 117), un test de transfert de puissance avait été réalisé. Pour le banc
ISO/IEC 14443, une simulation du test d’intégrité du signal (appelé en anglais test
de "waveforms" pour "formes d’ondes") va être effectué entre le lecteur de référence
et la carte de référence précédemment modélisés. Dans la partie 1.4.7 page 40 un
exemple des valeurs limites des temps que les signaux de type A et B devaient
respectés (pour un débit de communication de 106 kBit/s) été donné. L’ensemble
des définitions des temps caractéristiques du signal échangé et leurs valeurs limites
sont définies dans la norme [ISO07].
3.5.3.1 Modélisation du couplage
Dans la norme ISO/IEC 14443, la carte sous test ne peux prendre qu’une seule
position. En effet, elle ne peut qu’être positionnée au dessus de l’antenne capteur du
haut, symétrique à l’antenne de calibrage par rapport à l’antenne principale (voir la
figure 3.6 page 89). Le modèle 3D du couplage entre le lecteur et la carte est donné
dans la figure 3.53
Antenne lecteur principale Antenne carte
Antennes capteurs
Antenne de calibrage
Figure 3.53 – Modèle 3D du couplage entre le lecteur et la carte ID1 de référence

ISO/IEC 14443
133
3.5.3.2 Modélisation du test de validation - Intégrité du signal
Pour simuler le test d’intégrité du signal transmis du lecteur à la carte, l’expé-

rience montrée dans la figure 3.54 est utilisée.
Proxilab PCD ISO PICC ISO Oscilloscope
Mesure
Simulation
Comparaison
Simulation vs
Mesure
Modèle couplage
banc ISO/IEC 14443
Stimuli de simulation
+ modèles des circuits
Figure 3.54 – Méthodologie de validation du test d’intégrité du signal
D’une part, un proxilab, appareil générant des commandes NFC personnalisées 7

est connecté au lecteur de référence ISO/IEC 14443. Les signaux reçus par la carte
de référence ID1 couplée au lecteur sont enregistrés et analysés. D’autre part, les
commandes générées par le proxilab sont enregistrées via un oscilloscope et sont
utilisées comme stimulis dans une simulation temporelle mettant en jeu le modèle
de couplage entre le lecteur et la carte. Dans cette situation, il y a l’assurance qu’en
mesure et en simulation, les mêmes commandes NFC sont utilisées. Les signaux
reçus par le modèle de la carte sont également analysés. Le tableau 3.24 présente
pour chaque débit de communication de 106 kBit/s à 848 kBit/s, en type A et B,
les temps caractéristiques des signaux mesurés et simulés aux bornes de l’antenne
"pickup" de la carte de référence. De plus, l’erreur relative entre simulation et mesure
est présentée. Comme il peut être remarqué, pour l’ensemble des formes d’ondes
caractéristiques l’erreur relative est inférieure à 10 % montrant ainsi une bonne
précision dans ce type de simulation et permettant également de re-valider le modèle
des antennes du banc de certification ISO/IEC 14443 et le modèle du couplage entre
ces derniers.
7. http ://www.keolabs.com/
134
Validation du test d’intégrité du signal transmis

Paramètre Mesure Simulation % Erreur Verdict
106 kBit/s Type A t1 2.6 µs 2.7 µs < 5% OK
t2 2.2 µs 2.4 µs 9% OK
t3 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
t4 0.1 µs 0.1 µs < 5% OK
Type B tf 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
tr 0.3 µs 0.3 µs < 5% OK
m 9.9 % 10.2 % < 5% OK
t5 1.2 µs 1.3 µs 8% OK
t6 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
a 0 0 < 5% OK
tr 0.1 µs 0.1 µs < 5% OK
m 9.8 % 8.8 % 10% OK
t5 0.7 µs 0.7 µs < 5% OK
t6 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
a 0 0 < 1% OK
tr 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
m 9.6 % 10.4 % 9% OK
t5 0.4 µs 0.4 µs < 5% OK
t6 0.1 µs 0.1 µs < 5% OK
a 0.2 0.2 < 5% OK
tr 0.2 µs 0.2 µs < 5% OK
m 10.1 % 10.4 % < 5% OK
Table 3.24 – Comparaison des formes d’ondes des signaux transmis simulés et
mesurés en fonction du débit de communication et du type de signaux
135
3.5.4 Conclusion
En conclusion de cette partie, les principales antennes de référence de la norme
ISO/IEC 14443 rencontrées durant la thèse ont été modélisées et validés individuel-
lement suivant la méthodologie présentée dans la partie 3.3. Ces antennes sont :
– Le lecteur de référence ISO/IEC 14443, composé de 4 antennes, 1 antenne
principale connectée au générateur de commande, 2 antennes capteurs servant
à mesurer la réponse de la carte et l’antenne de calibrage permettant de calibrer
le champ émis par l’antenne principale
– La carte de référence de classe 1.
Afin de valider le couplage entre le lecteur et la carte de référence, un test différent
du test de transfert de puissance utilisé pour valider le modèle du banc EMVCo a
été simulé. Le test effectué a été un test de formes d’ondes. Pour cela, un plan de
manipulation a été monté afin d’avoir en mesure et en simulation la même commande
NFC en entrée du lecteur. La comparaison des signaux reçus par la carte a montré
que la précision de la simulation était d’au moins 90 %.
Ainsi, il peut être considéré que les outils de référence de la norme ISO/IEC
14443 sont correctement modélisés et peuvent être utilisés pour simuler des tests de
certification d’un DST.
3.6 Simulation de tests de certification in situ

Dans cette partie, l’utilisation du modèle du banc de certification de la norme
EMVCo pour la simulation de tests de pré-certification de deux antennes diffé-
rentes intégrées dans un téléphone mobile va être montrée. Dans l’exemple proposé
ci-dessous, 2 antennes NFC différentes vont être intégrées derrière la coque d’un té-
léphone portable à proximité de ce dernier. L’objectif est de jouer le test de transfert
de puissance donné dans la norme EMVCo [EMV15] en utilisant le DUT en mode
lecteur.
3.6.1 Modélisation de l’antenne NFC intégrée sous test

Cette partie explique les 3 étapes nécessaires pour modéliser le produit NFC sous
test. La figure 3.55 propose un découpage des blocs du produit NFC à modéliser et
à valider.
Premièrement, le layout de l’antenne est créé et son impédance est simulée avec
le moteur FEM du logiciel ADS. Les paramètres S extraits de la simulation sont
comparés à ceux provenant de la mesure de cette antenne au VNA. Ensuite, la
ferrite, le bouclier magnétique permettant d’isoler l’antenne de la batterie du té-
136
Figure 3.55 – Les blocs du produit NFC à modéliser
léphone mobile, est modélisée et ajoutée au modèle de l’antenne. Son impact sur
cette dernière est étudié et validé. Deuxièmement, l’impédance de sortie de la puce
NFC doit être simulée. Pour connaitre cette impédance, la puce NFC est caractéri-
sée suivant la méthodologie montrée dans la partie 2.3 page 63. Troisièmement, le
circuit d’adaptation entre la puce NFC et l’antenne est modélisé et est comparé à
celui utilisé dans le téléphone afin d’être validé.
3.6.1.1 Modélisation des antennes NFC intégrées dans le téléphone mo-

bile
Dans cette partie, la modélisation du layout des deux antennes DUT est décrite
et validée. Les layouts des antennes sont montrés dans la figure 3.56
Ces deux antennes sont au format ID1 (cf figure 1.8 page 15), elles ont des
dimensions extérieures de 79 mm * 42 mm. La piste est en cuivre et fait 1 mm de
largeur avec un espace inter piste de 1 mm également. L’épaisseur de la piste est de
35 µm. Ce qui différencie ces deux antennes c’est le nombre de tour, 2 tours pour la
première antenne, 3 tours pour la seconde. Ces deux antennes sont imprimées sur
un support souple de 12.5 µm d’épaisseur fait en Kapton (Permittivité relative du
Kapton : 4).
Ces antennes sont simulées en utilisant le moteur FEM d’ADS. Les paramètres
S extraits de la simulation sont comparés à ceux extraits de la mesure au VNA.
Par exemple, les figures 3.57 et 3.58 montrent respectivement la comparaison des
résistances et des réactances de l’antenne 2 tours simulé et mesuré.
137
Niveaux de métal: Niveaux de métal:

1 1
Nombre de tours: Nombre de tours:
2 3
Matériau: Matériau:
Cuivre Cuivre
Dimensions: Dimensions:
79 mm x 42 mm 79 mm x 42 mm
Largeur de piste: Largeur de piste:
1 mm 1 mm
Epaisseur de piste: Epaisseur de piste:
1 µm 1 µm
Figure 3.56 – Le layout des 2 antennes NFC à intégrer dans le téléphone mobile
30000
Simulation Simulation
10000 Mesure 20000 Mesure
1000 10000
Résistance (Ohm)
Réactance (Ohm)
0
100
-10000
10
-20000
1
-30000
0 13.56 20 40 60 80 100 0 13.56 20 40 60 80 100

sistance de l’antenne 2 tours simulée actance de l’antenne 2 tours simulée
et mesurée et mesurée
138
Il peut être noté que l’impédance de l’antenne simulée et mesurée ont la même
tendance en fonction de la fréquence avec un décalage en fréquence d’environ 10
MHz. Ce phénomène est le même que celui rencontré lors de la modélisation des
antennes de références. Ainsi, pour valider les modèles des deux antennes et pour
quantifier le pourcentage d’erreur, les circuits RLC équivalents vont être extraits des
paramètres S mesurés et simulés. Les tableaux 3.25 et 3.26 montrent respectivement
la comparaison du circuit RLC équivalent de l’antenne simulé en FEM et mesuré au
VNA pour les antennes sous test 2 tours et 3 tours. Les résultats de ces comparaisons
montrent que les modèles des 2 antennes sont très proches de la réalité et sont
considérés comme valides.
Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 2 tours

Paramètres S L (µH) C (pF) R (Ω)
Mesure VNA 0.66 3.0 0.41
Simulation FEM 0.60 3.4 0.52
Erreur <0.1 <1 ~0.1
Table 3.25 – Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 2 tours simulée avec
FEM et mesurée au VNA
Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 3 tours

Mesure VNA 1.17 2.6 0.57
Erreur <0.1 <1 ~0.1
Table 3.26 – Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 3 tours simulée avec
FEM et mesurée au VNA
3.6.1.2 Modélisation de l’antenne avec la ferrite
Afin d’isoler l’antenne NFC du métal présent dans le téléphone mobile (en parti-
culier la batterie), une feuille de ferrite est collée à l’antenne. La figure 3.59 propose
une vue 3D explosée du modèle de l’antenne 3 tours avec la ferrite. Le tableau 3.27
montre les caractéristiques de la ferrite.
Comme expliqué dans la partie 1.4.5 à la page 36, la présence de la ferrite aug-
mente l’inductance de l’antenne. Afin de valider le modèle de la ferrite, son impact
sur l’inductance de l’antenne est étudiée et comparée à l’échantillon mesuré. Pour
cela, les circuits RLC équivalents de l’antenne en présence de ferrite sont déterminés
139
Figure 3.59 – Vue 3D de l’antenne 3 tours en présence de la ferrite
Caractéristiques de
la Ferrite
Paramètre Valeur
Ferrite AFS150
Conductivité 1e-20 Siemens/m
Perméabilité relative 150
Épaisseur 0.14 mm
Table 3.27 – Caractéristiques de la ferrite
et comparés. Les tableaux 3.28 et 3.29 comparent respectivement ces circuits pour
l’antenne 2 tours et 3 tours. Comme il peut être constaté, les circuits équivalents des
antennes simulées correspondent aux circuits des échantillons. L’impact de la ferrite
simulée correspond également à l’impact sur l’échantillon. La ferrite augmente l’in-
ductance de l’antenne 2 tours d’environ 250 nH et celle de l’antenne 3 tours d’environ
500 nH. Finalement, le modèle de la ferrite peut être considéré comme valide.
Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test

2 tours en présence de ferrite
Mesure VNA 0.90 4.2 0.42
Erreur <0.1 ~1 <0.1
Table 3.28 – Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 2 tours en présence de
ferrite, simulée avec FEM et mesurée au VNA
3.6.1.3 Caractérisation de l’impédance de la puce NFC
Afin d’adapter l’impédance de l’antenne à celle du générateur, il est nécessaire

de connaitre cette dernière. Ainsi, le plan de manipulation expliqué dans la partie
140
Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test

3 tours en présence de ferrite
Mesure VNA 1.65 4.8 0.70
Erreur <0.1 1.8 ~0.1
Table 3.29 – Circuit RLC équivalent de l’antenne sous test 3 tours en présence de
ferrite, simulée avec FEM et mesurée au VNA
2.3 à la page 63 a été monté. Le résultat de cette caractérisation est montré dans le
tableau 2.3 à la page 72. Dans notre exemple, la tension d’alimentation des drivers
de sortie de la puce NFC de 3.3 V est choisit arbitrairement. Ainsi, il faut adapter
les 2 antennes décrites précédemment à l’impédance montrée dans l’équation 3.1.
ZCHIP = 27.2 + j ∗ 29.34 Ω (3.1)
3.6.1.4 Modélisation du circuit d’adaptation
Comme expliqué dans la partie 1.4.1 à la page 29 afin de maximiser le transfert

de puissance entre la puce NFC et l’antenne, il faut que les impédances de ces deux
dernières soient complexes conjuguées. Or ce n’est pas le cas dans notre intégration.
En effet, l’impédance à 13.56 MHz de la puce caractérisée dans la partie 3.6.1.3 et
donnée dans l’équation 3.1 et celle de l’antenne de 3 tours (par exemple) donnée
dans l’équation 3.2 ne sont pas conjuguées.
Z3tours = 0.65 + j ∗ 150 Ω (à 13.56M Hz) (3.2)
Ainsi, il est nécessaire d’ajouter un circuit d’adaptation d’impédance à 13.56 MHz

comme celui montré dans la figure 3.60. Les composants utilisés sont les suivants :
– L0 et C0 : Inductances et capacités du filtre EMI (electromagnetic interfe-
rence ou filtre d’interférence, appelé également RFI) ils servent à protéger le
circuit des perturbations provenant d’induction électromagnétique provenant
de sources RF externes. Il sert également de filtre passe-bas pour filtrer les
harmoniques du signal carré à 13.56 MHz émis par la puce NFC (en Tx1 et
Tx2) en général, la fréquence de coupure est autour de 18 MHz.
– Cs et Cp : Capacités d’adaptation d’impédance.
– Rp : Résistance de contrôle du facteur de qualité du système.
– Crx : Capacités de retour, connectées aux entrées Rx de la puce NFC, elles
servent à diminuer la tension aux bornes de l’antenne afin de protéger la puce.
141
Figure 3.60 – Circuit d’adaptation d’impédance intégré dans le téléphone mobile
Le tableau 3.30 compare le circuit d’adaptation d’impédance simulé pour adapter

le modèle de l’antenne de 2 tours et celui utilisé avec l’échantillon de l’antenne. De
même, le tableau 3.31 montre cette comparaison pour l’antenne de 3 tours.
Circuit d’adaptation de l’antenne de 2 tours

Composant Valeur simulée Valeur intégrée Delta
L0 560 nH 560 nH ±5% <5%
C0 120 pF 120 pF ±5% <5%
CS 43.1 pF 41 pF ±5% ~5%
CP 112.1 pF 106 pF ±5% ~5%
RP 770 Ω 770 Ω ±5% <5%
CRX 27 pF 27 pF ±5% < 5%
Table 3.30 – Comparison du circuit d’adaptation de l’antenne 2 tours simulé et

intégré dans le téléphone mobile
L’adaptation des antennes, de 2 tours et 3 tours, simulées et mesurées, à la puce

sont comparées respectivement dans les figures 3.61 et 3.62.
Comme il peut être constaté, les modèles de l’antenne 2 tours et 3 tours avec la
ferrite et le circuit d’adaptation donnent sensiblement la même adaptation que les
échantillons étudiés. Ainsi, il peut être conclu que les modèles proposés et notamment
celui de la ferrite sont valides.
142
Circuit d’adaptation de l’antenne de 3 tours

Composant Valeur simulée Valeur intégrée Delta
L0 560 nH 560 nH ±5% <5%
C0 120 pF 120 pF ±5% <5%
CS 175 pF 184 pF ±5% ~5%
CP 104 pF 100 pF ±5% ~5%
RP 300 Ω 300 Ω ±5% <5%
CRX 27 pF 27 pF ±5% < 5%
Table 3.31 – Comparison du circuit d’adaptation de l’antenne 3 tours simulé et

intégré dans le téléphone mobile
0 0
-10 -5
-10
-20
-15
S11 (dB)
-30
S11
-20
-40
-25 Simulation
-50 Mesure
Simulation -30
Mesure
-60
10 11 12 13 -35
13.56 14 15
6 8 10 12 14 16
Fréquence (MHz) 13.56
Fréquence (MHz)
Figure 3.61 – Adaptation de l’an- Figure 3.62 – Adaptation de l’an-

tenne de 2 tours à la puce tenne de 3 tours à la puce
143
3.6.2 Modélisation du test de certification in-situ

Dans cette partie, la modélisation d’un test de certification NFC est décrite. Le
test est un test de transfert de puissance entre le DUT (en mode lecteur) décrit
dans la partie 3.6.1 et l’EMV-TEST PICC (carte de référence de la norme EMVCo)
décrit dans la partie 3.4.2 à la page 111. Dans un premier temps, l’effet de couplage
entre l’antenne du DUT et l’antenne de référence EMV-TEST PICC est modélisé
et les paramètres S sont extraits d’une simulation FEM. Dans un second temps le
circuit d’adaptation et le circuit de référence de l’EMV-TEST PICC sont ajoutés
à la simulation. Afin de valider la modélisation du système dans sa globalité, les
paramètres S vus des ports Tx1 et Tx2 de la puce NFC sont simulés et comparés à
une mesure au VNA. Cette étape sert également de validation de l’effet de charge
décrit dans la partie 1.4.3 à la page 32 car l’effet de couplage est modélisé pour
plusieurs positions de l’EMV-TEST PICC. Finalement, le test de certification du
transfert de puissance est modélisé. Dans cette étape, le DUT est intégré dans le
téléphone. Ainsi, des modèles simplifiés de la batterie du téléphone et de la coque
seront présentés.
3.6.2.1 Modélisation du couplage entre l’antenne intégrée et l’antenne

de référence EMVCo
La modélisation du couplage se fait pour 3 positions différentes de l’EMV-TEST

PICC. Les antennes sont concentriques et séparées par 3 distances z différentes,
z=0mm, 10mm ou 20mm (pour rappel, dans le volume opératoire EMVCo, la dis-
tance z de la carte n’est pas mesurée par rapport à l’antenne du lecteur mais par
rapport au plan de référence "landing plane" qui se trouve à 15 mm de l’antenne lec-
teur). Une fois les paramètres S des couplages extraits de la simulation, les circuits
des 2 antennes sont ajoutés à la simulation et les impédances vues des ports Tx1
et Tx2 de la puce NFC sont simulées. L’objectif de cette manipulation est double.
En effet, cela doit permettre, d’une part, la validation du modèle du système total
(couplage d’antennes + circuits) et d’autre part, de vérifier qu’en simulation, l’effet
de charge est bien pris en compte.
La figure 3.63 montre le modèle 3D de la simulation de couplage entre l’antenne
DUT de 3 tours et l’antenne de référence EMV-TEST PICC. La figure 3.64 montre
la modélisation de la simulation des paramètres S vus des ports Tx1 et Tx2 de la
puce NFC.
Les figures 3.65 à 3.70 montrent les résistances et réactances vues des ports
Tx1/Tx2 de la puce dans le cas du couplage entre le DUT de 3 tours et la carte de
référence pour les 3 positions précédemment définies. Pour rappel, le même circuit
d’adaptation de l’antenne DUT donné dans le tableau 3.31 est utilisé. On peut
144
Antenne principale EMV-TEST PICC
Antenne secondaire EMV-TEST PICC Port 1
Port 3
Antenne DUT 3 tours

Port 2
Contour de la ferrite
Figure 3.63 – Modélisation du couplage entre une antenne DUT et l’antenne de

référence EMV-TEST PICC
Figure 3.64 – Simulation des paramètres S vues de la puce NFC
145
constater que lorsque la carte EMVCo est à z=20 mm, la résonance se situe non
plus à 13.56 MHz mais environ à 10 MHz. Lorsque la carte se rapproche du DUT et
se trouve à z=10 mm, la fréquence de résonance diminue et atteint environ 9.6 MHz.
De même, lorsque la carte se trouve à z=0 mm, la fréquence de résonance diminue
une nouvelle fois et se trouve à environ 8.3 MHz. Ainsi, lorsque la carte se rapproche
du lecteur, une partie de la charge de la carte s’ajoute à la charge de l’antenne lecteur
désadaptant ainsi le lecteur. En comparant les résultats de simulation et de mesure,
on peut conclure que cet effet de charge est bien pris en compte dans la simulation.
La modélisation du couplage entre le DUT et la carte de référence EMVCo étant
validée, l’environnement d’intégration est modélisé.
3.6.2.2 Modélisation du téléphone mobile
Le téléphone mobile est un système trop complexe à modéliser en détails car

il possède de nombreux éléments dont les matériaux ne sont pas connus. Ainsi,
un modèle simplifié du téléphone est effectué. Ce modèle est composé des deux
éléments ayant potentiellement le plus d’impact sur le comportement de l’antenne :
la batterie et la coque du téléphone. La figure 3.71 montre un exemple d’un modèle
3D de l’antenne sous test intégrée dans un modèle simplifié de téléphone mobile en
couplage avec la carte de référence EMVCo.
Comme il peut être remarqué, la batterie et la coque du téléphone sont des
éléments en "vrai 3D". En fonction de l’axe Z, le layout est modifié. Ceci a été fait
avec le logiciel EMPro de Keysight 8 qui utilise le même moteur EM qu’ADS mais
qui permet de créer des éléments en 3D.
La batterie est modélisée comme une boite pleine en aluminium (avec une conduc-
tivité réelle de 3.72e7 Siemens/m) et la coque est modélisée en matière plastique
(permittivité relative à 3.1). Une simulation est lancée pour extraire les paramètres
S du couplage avec la carte de référence pour les 3 positions précédemment spécifiées
(z=0,10 et 20 mm)
3.6.2.3 Simulation du test de certification de transfert de puissance
Finalement, le test présenté dans la figure 3.72 est modélisé sur un schématic
ADS. Le modèle d’impédance de sortie des drivers de la puce est connecté au circuit
d’adaptation d’impédance et à la boite de paramètres S. Puis, la tension redressée
récupérée par la carte est mesurée en sortie J1 du circuit. Pour rappel, bien que le
nom du test soit un test de "puissance", ce qui est étudié est la tension redressée sur
le port J1 de la carte de référence.
8. http ://www.keysight.com/
146
700
Simulation 200
600 Mesure Simulation
Mesure
100
500
Réactance (Ohm)
Résistance (Ohm)
400 0
300 -100
200 -200
100 -300
0
-400
8 9 10 11 12 13 14 8 9 10 11 12 13 14
13.56 13.56

sistance vue de TX1/TX2 (z=0mm) actance vue de TX1/TX2 (z=0mm)
500
1000
400
900 Simulation Simulation
Mesure 300 Mesure
800
200
Réactance (Ohm)
700
Résistance (Ohm)
100
600
0
500
-100
400
-200
300
-300
200
-400
100
-500
0
-600
8 9 10 11 12 13 14 8 9 10 11 12 13 14
13.56 13.56

1400 750
Simulation 600
1200 Mesure Simulation
450 Mesure
1000 300
Réactance (Ohm)
Résistance (Ohm)
800 150
0
600
-150
400 -300
-450
200
-600
0 -750
8 9 10 11 12 13 14 8 9 10 11 12 13 14
13.56 13.56
Fréquency (MHz) Fréquence (MHz)

147
Figure 3.71 – Modélisation de l’antenne sous test intégré dans le téléphone couplée
avec l’antenne de l’EMV-TEST PICC. 1 : L’antenne sous test + Ferrite / 2 : Antenne
de l’EMV-TEST PICC / 3 : Batterie / 4 : Coque
J1
Circuit Circuit de
Couplage l’EMV-Test
d’adaptation
d’antennes PICC
du DUT
Figure 3.72 – Modélisation du test de certification de transfert de puissance
148
Le tableau 3.32 compare les transferts de puissance mesurés et simulés aux 3

positions étudiées. Comme il peut être noté, pour les 3 positions étudiées, la simu-
lation du test de certification du transfert de puissance du DUT donne des résultats
similaires avec le vrai test de certification avec une imprécision de moins de 10%
bien que le modèle du téléphone soit un modèle simplifié. Ainsi, la possibilité de
simuler des tests de pré-certification a été démontrée.
Comparaison du transfert de puissance

Position (mm) Mesure (V) Simulation (V) % Erreur
Z=0 2.7 2.8 < 5%
Z = 10 4.0 4.0 < 5%
Z = 20 2.7 2.5 7%
Table 3.32 – Comparaison des tests de transferts de puissance du DUT intégré

dans le téléphone
3.7 Conclusion
Le principal objectif de la thèse a été de développer un environnement permet-
tant la simulation de tests de certification afin d’étudier plus efficacement un outils
NFC en développement sans avoir recours à des prototypes. Cet objectif a été at-
teint comme montré dans ce chapitre grâce à la modélisation et à la validation des
principaux bancs de certification utilisés : le banc EMVCo et le banc ISO/IEC 14443.
La modélisation des bancs de certification a, dans un premier temps, demandé de
prendre en main le logiciel ADS, et de se former sur comment configurer efficacement
une simulation en utilisant le moteur FEM.
Une fois le logiciel de simulation ADS pris en main, une méthodologie a été mis
en place afin de modéliser et de valider efficacement les antennes de référence de la
norme EMVCo et ISO/IEC 14443. De plus, des tests de certification, des tests de
transfert de puissance et d’intégrité du signal ont pu être simulés avec les 2 bancs
de certification validant le modèle du couplage entre les antennes de référence.
Durant la thèse, une 3ième norme a été étudiée, la norme NFC Forum 9 . Cepen-
dant seuls les modèles des antennes des lecteurs (les pollers 0, 3 et 6) et des cartes
de référence (les listeners 1, 3 et 6) ont pu être faits et validés. En perspective de
recherche, le banc de certification de la norme NFC Forum devra également être
développé et validé.
149
Conclusion et Perspectives
Le contexte de la thèse s’est situé dans le cadre du marché du NFC. L’objectif

principal de la thèse a été de proposer tout un environnement de simulation per-
mettant d’effectuer des tests de pré-certification et de concevoir différents dispositifs
facilitant l’intégration de la technologie NFC dans des produits mobiles.
Ainsi, le travail s’est articulé sur 3 grands axes :
– Travail de modélisation
Les bancs de certification NFC ISO/IEC 14443 et EMVCo ont été modélisés et
validés. Les environnements d’intégration, les antennes sous tests et un modèle
simplifié de la puce NFC ont également été modélisés. Le tout a permis de
développer des modèles de tests de pré-certification qui pourront être utilisés
lors de projets clients. Par la suite, il faudra effectuer le même travail pour
le banc de certification NFC Forum. Ces travaux ont conduit à la formation
d’une équipe à ST dont l’objectif est de reprendre les modèles des bancs de
certification afin de les utiliser lors de projets clients.
– Travail théorique
Plusieurs outils ont été développés durant la thèse et validés. Ces outils ont
pour objectif de faciliter l’intégration du NFC dans les objets nomades. Uti-
lisant des calculs théoriques, ces outils permettent d’étudier le comportement
d’une antenne NFC en déterminant et en se basant sur son circuit RLC équi-
valent. Ceci permettant, entre autre, de calculer automatiquement le circuit
d’adaptation d’impédance à utiliser.
– Travail de prototypage
L’un des principaux objectifs de la thèse étant de proposer tout un environne-
ment de simulation, il y a eu une forte nécessité que tous les modèles développés
fasse l’objet d’une validation via des comparaissons avec des mesures. De plus,
des cartes de démonstrations ont été développées afin d’étudier deux concepts :
L’auto-adaptation d’impédance d’une antenne et la cohabitation de la techno-
logie NFC et A4WP. Concernant l’auto-adaptation d’impédance de l’antenne
NFC, l’algorithme de convergence permettant de piloter les capacités variables
doit encore être implémenté. Ainsi, il sera possible de tester ce système dans
150
des cas réels et montrer par exemple, si le mécanisme d’auto-adaptation d’im-

pédance est assez efficace pour donner une expérience utilisateur convenable.
Finalement, concernant la cohabitation des technologies NFC et A4WP, bien
qu’un système de modification de la fréquence de résonance de l’antenne NFC
permettant le passage de la fréquence du NFC, 13.56 MHz, à la fréquence du
A4WP, 6.78 MHz, ait été créé et breveté, un réel système validant le concept
de cohabitation doit encore être développé. A cette fin, un stage ingénieur,
avec la possibilité de poursuivre ces travaux à travers une thèse, va être mis
en place.
151
Annexes
152
A Les paramètres S
Les paramètres S sont des coefficients utilisés en hyperfréquences en électricité et
électronique caractérisant le comportement électrique de systèmes en fonction de la
fréquence du signal d’entrée. Il existe plusieurs types de formalisme, par exemples,
les paramètres X, Y, Z, H, T ou ABCD. Cependant, dans le domaine NFC, ce sont
les paramètres S qui sont le plus souvent utilisés car ils donnent une bonne vision
de la quantité de puissance qui est transférée à travers un système en fonction de
la fréquence du signal d’entrée. Afin de faciliter l’utilisation des paramètres S, il
est nécessaire de définir le système étudié comme un ensemble de ports où chaque
port correspond à une ligne de transmission donneur ou accepteur d’énergie. En
général, le système étudié est défini comme un quadripôle à deux entrées et sorties
qui permet le transfert d’énergie entre deux dipôles, un exemple est donné dans la
figure 3.73.
Figure 3.73 – Couplage entre 2 antennes NFC vu comme un quadripôle
Soient les éléments ai et bj définissant respectivement les tensions complexes

normalisées incidentes sur le port i et transmises au port j (attention dans le cas où
i=j, le vocabulaire change, il n’y a pas de transmission de puissance du port i vers le
port i mais une réflexion de la puissance sur le port i) alors le calcul matriciel donné
dans l’équation 3.3 est vérifié.
� � � ��
� b1 � S11 S12 �� a1 ��
� � � ��
= (3.3)
�
� � �
� b2 � S21 S22 � � a2 �
� � � ��
�
avec les les tensions complexes normalisées incidentes et réfléchies définies dans
l’équation 3.4.
Vi −Zi Ii ∗
ai = V√i +Zi Ii bi = √ (3.4)
2 |�[Zi ]| 2 |�[Zi ]|
La matrice de paramètres S est définie dans l’équation 3.5
153
� �
S11 S12
� �
S= (3.5)
� �
� �
S21 S22
� �
� �
La définition de chaque élément Sij est donnée dans l’équation 3.6

�
bi ��
Sij = �� (3.6)
aj ak =0 pour k�=j
Ainsi :
– le paramètre Sij est le rapport des puissances sortant du port i par celle entrant
dans le port j avec toutes les autres ondes incidentes nulles, il est appelé le
coefficient de transmission.
– le paramètre Sii est le rapport des puissances sortant du port i par celle entrant
dans ce même port avec toutes les autres ondes incidentes nulles, il est appelé
le coefficient de reflexion.
Afin d’illustrer la lecture des paramètres S, la figure 3.74 est donnée. Sur cette
figure, on voit le coefficient de reflexion S11 en dB d’une antenne NFC entre 6 MHz
et 16 MHz.
-5
Reflection coefficient S11 (dB)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
6 8 10 12 14 16
13.56
Frequency (MHz)
Figure 3.74 – Un exemple de paramètres de reflexion S11 en fonction de la fréquence
Le minimum se situe à 13.56 MHz où le S11 vaut environ -30 dB, correspondant
en échelle linéaire à environ 0.001 ou en pourcentage à 0.1% . Cela signifie que si
un générateur de signal sinusoïdale fournit à l’antenne un signal avec une fréquence
de 13.56 MHz, 0.1% de la puissance envoyée par le générateur va être réfléchie et
renvoyée à ce générateur. Le reste de la puissance est transmise à l’antenne. Il peut
être remarqué que le coefficient de réflexion dépend de la fréquence. En effet, par
154
exemple vers 10 MHz, ce coefficient vaut environ -10 dB correspondant à environ

30% en linéaire. Ainsi, si le signal généré a une fréquence de 10 MHz, près de 30%
de la puissance est renvoyée au générateur, diminuant ainsi la puissance transmise à
l’antenne. Les paramètres S sont liés aux impédances du générateur et de la charge.
155
B Calculs du circuit d’adaptation d’impédance

B.1 Modèle équivalent parallèle de l’antenne
Le modèle RLC équivalent utilisé pour caractériser l’antenne est le modèle série,
c’est à dire que l’inductance et la résistance équivalente sont en série. Afin de faciliter
les calculs, un modèle parallèle va être utilisé. Les prochains calculs vont permettre
de démontrer les relations permettant de passer d’un modèle à l’autre.
B.1.1 Modèle série
Tout d’abord, l’impédance équivalente Zeq1 et le coefficient de qualité Qs du

modèle série sont calculés dans les équations 3.7 et 3.8
Zeq1 = rs + jLsa ω (3.7)
Lsa ω
Qs = (3.8)
rs
B.1.2 Modèle parallèle
Ensuite, l’impédance équivalente Zeq2 et le coefficient de qualité Qp du modèle

parallèle sont calculés dans les équations 3.9 et 3.10
jrp Lpa ω
Zeq2 = (3.9)
rp + jLpa ω
rp
Qp = (3.10)
Lpa ω
B.1.3 Formules de passage du modèle série au modèle parallèle.
L’antenne étant la même quelque soit le modèle utilisé, les relations 3.11 et 3.12
peuvent être données.
jrp Lpa ω
Zeq1 = Zeq2 ⇔ rs + jLsa ω = (3.11)
rp + jLpa ω
Lsa ω rp rp r s
Qs = Qp = Q = = ⇔ Lpa = (3.12)
rs Lpa ω Lsa ω 2
Il en découle les deux relations de passage du modèle série au modèle parallèle
3.13 3.14
rp = rs (1 + Q2 ) (3.13)
156
1 + Q2
Lpa = Lsa (3.14)
Q2
B.2 Calcul de ZT R
La figure 3.75 recense tous les éléments à prendre en compte pour l’adaptation
de l’antenne.
Figure 3.75 – Vue globale du circuit electrique du lecteur NFC
Dans un premier temps, l’impédance Ztr vu de la sortie du filtre EMI est calculée,
cette impédance comprends l’impédance de la puce et du filtre EMI comme simplifié
dans la figure 3.76.
Figure 3.76 – Simplification du calcul de Ztr
2
(Rm + 2jL0 ω)
jC0 ω 2 (Rm + 2jL0 ω) Rm + 2jL0 ω
ZT R = 2 = =
(Rm + 2jL0 ω) + jRm C0 ω − 2L0 C0 ω + 2
2 Rm C0 ω
1 − L0 C0 ω 2 + j
jC0 ω 2
(3.15)
Rm C0 ω
Rm + 2jL0 ω 1 − L0 C0 ω 2 − j
ZT R = · 2 (3.16)
R m C0 ω R m C0 ω
1 − L0 C0 ω 2 + j 1 − L0 C0 ω 2 − j
2 2
157
2
Rm C0 ω
Rm − Rm L0 C0 ω + Rm L0 C0 ω
2 2 2L0 ω − 2L20 C0 ω 3 −
= 2
ZT R �2 +j �2 = RT R +jXT R
R C ω R C 0ω
� �
2 m 0 2 m
(1 − L0 C0 ω ) +
2 (1 − L0 C0 ω ) +
2
2 2
(3.17)
Rm

RT R =


 �2
Rm C0 ω

 �
(1 − L0 C0 ω 2 )2 +



2







avec  �
2
� (3.18)
Rm C0

 2ω L0 (1 − L0 C0 ω ) −
2
4


=

XT R


Rm C0 ω 2

 � �

2
(1 − L0 C0 ω ) +
2



2

Connaissant l’impédance de la puce, les valeurs du filtre EMI et travaillant à

13.56 MHz, les valeurs de RT R et XT R peuvent être calculées.
B.3 Calcul de ZT∗ R

Comme expliqué dans la partie 1.4.1 du chapitre I, afin d’avoir une adaptation
d’impédance entre la source et la charge, il faut que leurs impédances soient des
impédances complexes conjuguées.
Ainsi, l’impédance conjuguée Ztr
∗
comprenant le circuit d’adaptation, les éléments
parasites de la puce et l’antenne est calculée. La figure 3.77 montre l’impédance à
calculer avec une première simplification du schéma électrique.
Figure 3.77 – Première simplification du calcul de Ztr

∗
Les capacités de retour CRX et la capacité de la puce CIN peuvent être réunies
pour donner une capacité équivalente CIN RX calculée dans l’équation 3.19
158
CRX
CIN
CIN RX = 2 (3.19)
CRX
+ CIN
2
La résistance contrôlant le facteur de qualité de l’antenne RQ , la résistance RIN
introduite par la puce et la résistance parallèle de l’antenne Rp peuvent être réunis
pour donner une résistance équivalent Req calculée dans l’équation 3.20
rP RQ RIN
Req = (3.20)
rP + RQ + RIN
Ainsi, le circuit simplifié montré dans la figure 3.78 est obtenu.
Figure 3.78 – Seconde simplification du calcul de Ztr

∗
Ce circuit peut être encore simplifié. Les deux capacités CS du circuit d’adapta-
tion peuvent former la capacité équivalente CSeq donnée dans l’équation 3.21.
CS
CSeq = (3.21)
2
La capacité CIN RX , la capacité parallèle Cp du circuit d’adaptation et la capacité
parasite Ca de l’antenne peuvent être regroupée pour donner la capacité équivalente
CP eq calculée dans l’équation 3.22
CP eq = CP + CIN RX + CA (3.22)
Suite à cette seconde phase de simplification, le circuit montré dans la figure

3.79.
L’impédance équivalente Zeq comprenant la capacité équivalente CP eq la résis-
tance équivalent Req et l’inductance parallèle de l’antenne Lpa est tout d’abord
calculée et donné dans l’équation 3.23.
159
Figure 3.79 – Dernière étape de simplification du calcul de Ztr

∗
1 1 1 j 2 Req Lpa CP eq ω 2 + jLpa ω + Req

= jCP eq ω + + =
Zeq Req jLpa ω jReq Lpa ω
jReq Lpa ω
⇔ Zeq =
Req − Req Lpa CP eq ω 2 + jLpa ω+
jReq Lpa ω Req Lpa ω
⇔ Zeq = = j
Req − Req Lpa CP eq ω 2 + jLpa ω+ Req (1 − Lpa CP eq ω 2 ) + jLpa ω
Req Lpa ω
Zeq = j (3.23)
Req (1 − Lpa CP eq ω 2 ) + jLpa ω
Ainsi, Ztr
∗
peut être calculé
1 1 Req Lpa ω
∗
Ztr = + Zeq = +j ⇔
jCSeq ω jCSeq ω Req (1 − Lpa CP eq ω 2 ) + jLpa ω
Req [(1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq )) + jLpa ω] [−jReq CSeq ω (1 − Lpa CP eq ω 2 ) − Lpa CSeq ω 2 ]
∗
Ztr =
[Req CSeq ω (1 − Lpa CP eq ω 2 )]2 + (Lpa CSeq ω 2 )2
Pour rappel, il y a la relation 3.24 avec les termes Rtr et Xtr découlant des calculs
précédents donnés dans 3.25.
∗
Ztr = Rtr − jXtr (3.24)
Req Lpa CSeq ω 2 [(1 − Lpa CP eq ω 2 ) − (1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq ))]


Rtr =




avec 
Lpa CSeq ω 3 + Req
2 2
CSeq ω (1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq )) (1 − Lpa CP eq ω 2 )
Xtr =



(3.25)
160
B.4 Calcul de Cp
La valeur de Cp va être calculée en reprenant la valeur de Rtr donnée dans 3.25
Req Lpa CSeq ω 2 [(1 − Lpa CP eq ω 2 ) − (1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq ))]

Rtr =
2
Rtr Lpa CSeq ω2
=
Req Lpa ω 2 [Req CSeq ω (1 − Lpa CP eq ω 2 )]2 + (Lpa CSeq ω 2 )2
Lpa
= 2
Req (1 − Lpa Ceq ω 2 )2 + L2pa ω 2
� �
2 2
� �
⇔ Req L2pa ω 2 = Rtr 2
Req 1 − Lpa CP eq ω + L2pa ω 2
� �2
⇔ (Req − Rtr ) L2pa ω 2 = Rtr Req
2
1 − Lpa CP eq ω 2
�
� Req − Rtr
�
⇔ 1 − Lpa CP eq ω 2 = Lpa ω � 2
Rtr Req
 �  �
�R − Rtr −1 1 1� R − Rtr
� �
⇔ CP eq = Lpa ω � eq − 1  = − � eq
2
Rtr Req Lpa ω 2 Lpa ω 2 ω 2
Rtr Req
Ainsi la valeur de CP eq est donnée dans 3.26.
�
1 1 � Req − Rtr
�
CP eq = 2
− � 2
(3.26)
Lpa ω ω Rtr Req
En reprenant l’expression de CP eq donné dans l’équation 3.22 il est possible de

donner l’expression de CP en fonction de données connues.
�
1 1 � Req − Rtr
�
CP = 2
− � 2
− CA − CIN RX (3.27)
Lpa ω ω Rtr Req
Calcul de Cs
La valeur de Cs va être calculée en reprenant la valeur de Xtr donnée dans 3.25
L2pa CSeq ω 3 + Req

2
CSeq ω (1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq )) (1 − Lpa CP eq ω 2 )
Xtr =
L2pa ω 2 + Req
2
(1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq )) (1 − Lpa CP eq ω 2 )
= 2 2
Seq ω (1 − Lpa CP eq ω ) + Lpa CSeq ω
2 C
Req 2 3
Il faut isoler CSeq
161
� �
2 2
� �
2
⇔ Xtr CSeq ω Req 1 − Lpa CP eq ω + L2pa ω 2
� ��
= L2pa ω 2 + Req
2
1 − Lpa ω 2 (CSeq + CP eq ) 1 − Lpa Ceq ω 2
� ��
= L2pa ω 2 + Req
2 2
− Req Lpa ω 2 CSeq − Req
2
Lpa ω 2 CP eq 1 − Lpa Ceq ω 2
= L2pa ω 2 + Req
2 2
− Req Lpa CP eq ω 2 − Req
2
Lpa CSeq ω 2 + Req
2
L2pa CSeq CP eq ω 4
2
− Req Lpa CP eq ω 2 + Req
2
L2pa CP2 eq ω 4
� �
2
= CSeq Req Lpa ω 2 Lpa CP eq ω 2 − 1 + L2pa ω 2 + Req
2 2
− 2Req Lpa CP eq ω 2 + Req
2
L2pa CP2 eq ω 4
� � � �2 � � ��
2
⇔ CSeq Xtr ω Req 1 − Lpa CP eq ω 2 2
+ L2pa ω 2 − Req Lpa ω 2 Lpa CP eq ω 2 − 1
= L2pa ω 2 + Req
2 2
2
L2pa CP2 eq ω 4
Ainsi, la valeur de CSeq est exprimée dans l’équation 3.28
L2pa ω 2 + Req
2
− 2Req
2
Lpa CP eq ω 2 + Req
2
L2pa CP2 eq ω 4 A
CSeq = � � =
2 (1 − L C
Xtr ω Req pa P eq ω 2 )2 + L2pa ω 2 − Req
2 L ω 2 (L C
pa pa P eq ω − 1)
2 B
(3.28)
L’expression de CSeq contient le terme CP ep calculé dans l’équation 3.26. Cepen-

dant, si CP ep est directement remplacé par son expression dans l’équation 3.28, cette
dernière devient difficile à étudier. Ainsi, pour simplifier le calcul, l’expression de
CSep va être étudié en deux temps. Dans un premier temps, le numérateur (noté A)
est étudié, et dans un second temps, c’est le dénominateur (noté B) va être simplifiés.
B.4.1 Calcul du numérateur de CSeq .
Le numérateur (noté A dans l’équation 3.28) est simplifié en utilisant l’équation

3.26.
162
A = L2pa ω 2 + Req
2 2
2
L2pa CP2 eq ω 4
 � 
1 1 � Req − Rtr  2
�
= L2pa ω 2 + Req
2 2
− 2Req Lpa  2
− � 2
ω
Lpa ω ω Rtr Req
 � 2
1 1 � Req − Rtr  4
�
2
+ Req L2pa  2
− � 2
ω
Lpa ω ω Rtr Req
�  
� Req − Rtr 
�
2 2 2 2 
= L ω + R − 2R
pa 1 − Lpa ω �
eq eq 2
Rtr Req
 � 
1 Req − Rtr 2 � R − Rtr  4
�
2
+ Req L2pa  2 − 2 2 − � eq ω
Lpa ω Req Rtr Lpa ω 3 2
Rtr Req
�
� Req − Rtr
�
2 2 2 2 2 2
= L ω + R − 2R + 2R Lpa ω �
pa eq eq eq 2
+ Req
Rtr Req
�
Req − Rtr � Req − Rtr
�
+ L2pa ω 2 2
− 2Req Lpa ω � 2
Rtr Rtr Req
Req − Rtr
� �
A= L2pa ω 2 1+
Rtr
Ainsi, le numérateur de CSeq vaut
Req
A = L2pa ω 2 (3.29)
Rtr
B.4.2 Calcul du dénominateur de CSeq .
Le dénominateur (noté B dans l’équation 3.28) est simplifié en utilisant l’équation

3.26.
163
� �
2 2
� � � �
2
B = Xtr ω Req 1 − Lpa CP eq ω + L2pa ω 2 2
− Req Lpa ω 2 Lpa CP eq ω 2 − 1
   �  2 
1 1� R − Rtr  2 
�
2 
= Xtr ω Req

1 − Lpa  − � eq ω + L2pa ω 2  2
 + Req Lpa ω
2
Lpa ω 2 ω 2
Rtr Req
 � 
1 1 � Req − Rtr 
�
2
− Req L2pa ω 4  2
− � 2
Lpa ω ω Rtr Req
  � 2
1 1� R − Rtr 
�
= Xtr ω L2pa ω 2

+ 2
Req + 2
Req L2pa ω 4  − � eq
Lpa ω 2 ω 2
Rtr Req
 � 
1 1� R − Rtr 
�
2
− 2Req Lpa ω 2  − � eq
Lpa ω 2 ω 2
Rtr Req
�
� Req − Rtr
�
2
+ Req Lpa ω 2 − Req
2
Lpa ω 2 + Req
2
L2pa ω 3 � 2
Rtr Req
�
�
= Xtr ω(L2pa ω 2 + Req
2 2
+ Req 2
+ Req L2pa ω 2 2
− 2R 2
eq L pa ω �
2
2
− 2Req
Rtr Req Rtr Req
� �
� Req − Rtr Req − Rtr
� �
2 2 2 3�
+ 2R Lpa ω �
eq 2
)+R L ω � eq pa 2
Rtr Req Rtr Req
�
� � �
= Xtr ω L2pa ω 2 L2pa ω 2 2
Req L2pa ω 3 � 2
Rtr Rtr Req
 � 
R � R − Rtr
� � �
= L2pa ω 2 Xtr ω 1 + eq − 1 + R2 ω � eq 
eq 2
Rtr Rtr Req
 � 
X � R − Rtr
�
B= L2pa ω 3 Req  tr + Req � eq 
Rtr 2
Rtr Req
Ainsi, le dénominateur de CSeq vaut
� � �
Xtr Req
B= L2pa ω 3 Req + −1 (3.30)
Rtr Rtr
B.4.3 Calcul de CSeq et CS .
En utilisant les équations 3.29 et 3.30, CSeq peut être calculé.
164
L2pa ω 2 + Req
2
− 2Req
2
Lpa CP eq ω 2 + Req
2
L2pa CP2 eq ω 4
CSeq = � � (3.31)
2 (1 − L C 2 2
pa P eq ω ) + Lpa ω
2 − R2 L ω 2 (L C
pa P eq ω − 1)
Xtr ω Req 2 2
eq pa
Req
L2pa ω 2
Rtr�
= � � (3.32)
Xtr Req
L2pa ω 3 Req + −1
Rtr Rtr
1
R�
= � tr
� (3.33)
Xtr Req
ω + −1
Rtr Rtr
1
CSeq = � (3.34)
ω(Xtr + 2
Req Rtr − Rtr
(3.35)
Finalement, CSeq est donné dans l’équation 3.36.
1
CSeq = � (3.36)
ω(Xtr + Rtr (Req − Rtr )
De plus, en utilisant l’équation 3.21, la valeur de CS peut être exprimée en
fonction de données connues.
2
CS = � (3.37)
ω(Xtr + Rtr (Req − Rtr )
165
C Principaux documents des normes EMVCo et

ISO
C.1 Norme EMVCo

– [EMV15] : Ce document (dont la dernière version a été publiée en 2015)
contient les spécifications du sans contact EMV pour des systèmes de paie-
ment. Il fait partie d’une série de 4 documents. Il décrit les fonctionnalités
minimales requises pour la carte (appelée communément en anglais Proximity
Integrated Circuit Cards - PICC - pour "cartes de proximité avec circuit inté-
gré") et le lecteur (appelé communément en anglais Proximity Coupling Device
- PCD - pour "Outils de couplage de proximité") pour assurer que ces derniers
fonctionnent correctement et soient interopérables. Ce document s’appuie sur
plusieurs autres documents de certification dont notamment :
– [EMV08b] : Ce document décrit la carte de référence EMVCo (abrégée
"EMV-TEST PICC") qui est utilisée pour certifier les lecteurs sous test.
– [EMV08a] : Ce document décrit le lecteur de référence EMVCo (abrégée
"EMV-TEST PCD") qui est utilisée pour certifier les cartes sous test.
– [ISO03] : La norme ISO/IEC 7810 donne les caractéristiques physiques de
certaines classes d’antennes de cartes présentées dans la figure 1.8 page 15
dont la classe 1 (souvent appelé "format ID-1" ou "format carte de crédit").
– [ISO08] : La norme ISO/IEC 14443-1, comme la norme ISO/IEC 7810 décrit
les paramètres physiques des cartes NFC
– [ISO07] : La norme ISO/IEC 14443-2 décrit, quant à elle, les caractéristiques
de deux types d’interfaces utilisées entre un PICC et un PCD (les signaux
de type A ou B présentés dans la partie 1.4.7 page 40).
– [ISO05] : La norme 18092 définit les modes de communications dans le NFC
en définissant les interfaces et protocoles utilisées lors d’une communication
C.2 Norme ISO 14443

– [ISO03] : La norme ISO/IEC 7810 donne les caractéristiques physiques de
certaines classes d’antennes de cartes présentées dans la figure 1.8 page 15
dont la classe 1 (souvent appelé "format ID-1" ou "format carte de crédit").
– [ISO08] : La norme ISO/IEC 14443-1, comme la norme ISO/IEC 7810, décrit
les paramètres physiques des cartes NFC.
– [ISO07] : La norme ISO/IEC 14443-2 décrit, quant à elle, les caractéristiques
de deux types d’interfaces utilisées entre un PICC et un PCD (les signaux de
type A ou B présentés dans la partie 1.4.7 page 40).
166
– [ISO05] : La norme ISO/IEC 18092 définit les modes de communications dans

le NFC en définissant les interfaces et protocoles utilisées lors d’une commu-
nication
– [ISO13] : La norme ISO/IEC 10373 définit les méthodes de test des caracté-
ristiques de cartes d’identification. En particulier, dans la partie 6 (ISO/IEC
10373-6) les layout des antennes du banc de certification et leurs circuits sont
spécifiés.
167
Résultats et Publications
Brevet
Anthony Tornambé, Pierre Rizzo. Flexible topology for NFC communication &
wireless charging using a single inductive antenna, Patent No. ZL201520935152.0
(FR, US, EP, CN)
Publication et conférence
A.Tornambé, T.Deleruyelle, P.Pannier, P.Rizzo and N.Vallespin. 3D electroma-
gnetic simulations of NFC certification tests in mobile phone environment, 6th IEEE
International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation, and EMC Techno-
logies (MAPE 2015)
Impact côté industriel

– La thèse a donné suite à un CDI dans l’équipe Application NFC de STMicro-
lectronics.
– Force de propositions lors des commissions NFC Forum ayant pour but d’amé-
liorer la réglementation (meilleur interopérabilité avec les autres normes NFC).
– Formation d’une équipe à STMicroelectronics reprenant les travaux de la thèse
pour les mettre en application lors de projets.
– Volonté de poursuivre les travaux de recherches grâce à d’autres thèses.
168
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171

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Liste des abréviations 1

1 Etat de l’art de l’identification 7

1.4.4 Le Courant de Foucault . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

2 Developpement d’outils et de méthodologies pour l’intégration du

3 Modélisation des bancs de certifications NFC 85

3.1.2 La norme ISO/IEC 14443 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

Conclusion Générale 149

Résultats et Publications 168

Liste des abréviations

2.5D 2 dimensions et demi ou pseudo 3D

de plans métalliques ou de ferrite sur le comportement de l’antenne. De plus,

Figure 1 – Objectif principal des travaux de recherches

Etat de l’art de l’identification

se spécialiser pour des applications sécurisées où l’utilisateur doit volontairement

1.1 Les systèmes d’identifications

Figure 1.1 – Un exemple de code-barres

Figure 1.2 – Exemples de codes-barres bidimensionnels de gauche à droite : 2D

Il existe de nombreux articles traitant des systèmes codes-barres et de leur évo-

1.1.2 La reconnaissance optique

Figure 1.3 – Fonctionnement de la reconnaissance optique de caractères

1.1.3 La reconnaissance automatique de la parole

Z = argmaxW P (W |X) (1.1)

La reconnaissance automatique de la parole est en constante progression comme

1.1.4 La reconnaissance d’empreintes biométriques

Figure 1.4 – Exemples de caractéristique d’une empreinte digitale

Afin de faire progresser le domaine de la reconnaissance d’empreintes digitales,

1.1.5 La carte à puce avec contact

Figure 1.5 – Exemple de carte à puce moderne

Figure 1.6 – Vue en coupe du circuit intégré d’une carte à puce

EMV « Europay Mastercard Visa », porte-monnaie électronique 3 ), l’e-identification

1.2 Les systèmes RFID et NFC

– Un tag (appelé également étiquette intelligente ou transpondeur) constitués

– Le lecteur (appelé également PCD, pour Proximity Coupling Device ou "Outils

1.2.2 Historique de la technologie RFID

Classe 1 Classe 2 Classe 3

Ondes Ondes Infra Domaine Ultra Rayons

0 Hz 9 kHz 300 GHz 384 THz 789 THz 30 PHz 30 EHz ∞

125 kHz - 135 kHz 433 MHz

Figure 1.10 – Fréquences d’utilisation de la RFID

prouvé comme standard ECMA.

Pay pour leurs produits compatibles NFC, l’iPhone 6, l’iPhone 6 Plus et

1.2.3 Evolution du marché du NFC

1.2.4 Télé-alimentation et transfert de données

Échange de Cartes de fidélité

Autres (clés, rechargement de

Figure 1.11 – Liste de différents types d’applications NFC executable grâce à un

Figure 1.12 – Evolution et prévision du marché du NFC par ABI Research

La figure 1.13 présente une schématisation simplifiée d’une communication NFC

Figure 1.13 – Schematisation des étapes d’une communication NFC

1.3 Principes physiques du NFC

H Intensité du champ magnétique Ampère/mètre (A/m)

Table 1.1 – Description des grandeurs utilisées dans le théorème d’Ampère

Ce dernier énonce que l’intégrale du champ magnétique, le long d’un circuit

1.3.1.2 La loi Biot et Savart

Figure 1.14 – Exemples de champs magnétiques générés par différents types de

par un courant continu d’intensité I crée en tout point r extérieur à C

H Intensité du champ magnétique Ampère/mètre (A/m)

Table 1.2 – Définition des termes utilisés dans l’équation 1.5

1.3.2 L’induction magnétique B et le flux magnétique Φ

B Densité de flux magnétique Tesla (T)

Table 1.3 – Définition des termes utilisés dans l’équation 1.6

Il existe une relation entre la densité de flux magnétique B et la force du champ

1.3.3 L’inductance L d’une antenne