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Panneaux Solaires PDF
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Installations photovoltaques
Technical Application Papers
Installations photovoltaques
Table des matires
Introduction................................................ 4 2 Production d'nergie............... 18
PARTIE I 2.1 Circuit quivalent de la cellule................. 18
1 Gnralits sur les installa- 2.2 Caractristique courant-tension de la
cellule....................................................... 18
tions photovoltaques (PV)... 5
2.3 Schma de raccordement au rseau...... 19
1.1 Principe de fonctionnement...................... 5
2.4 Puissance crte nominale....................... 20
1.2 nergie solaire........................................... 5
2.5 Prvision de production annuelle
1.3 Principaux composants d'une installation d'nergie.................................................. 20
photovoltaque............................................ 8
1.3.1 Gnrateur photovoltaque.............................. 8
2.6 Inclinaison et orientation
1.3.2 Onduleur........................................................ 11 des panneaux.......................................... 22
1.4 Types de panneaux photovoltaques ..... 12 2.7 Tensions et courants d'une installation
1.4.1 Panneaux en cristaux de silicium.................. 12 PV............................................................ 24
1.4.2 Panneaux couche mince............................ 13 2.8 Variation de la production d'nergie....... 24
1.5 Types d'installations photovoltaques..... 15 2.8.1 Irradiance....................................................... 24
Suite
1
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Installations photovoltaques
Table des matires
PARTIE II Contexte italien
6 Protection contre les surin-
4 Raccordement au rseau et tensits et les surtensions..... 42
mesure de l'nergie................... 33
6.1 Protection contre les surintensits du ct DC.42
4.1 Gnralits...................................................... 33 6.1.1 Protection des cbles.............................................. 42
6.1.2 Protection des strings contre le courant inverse..... 43
4.2 Montage en parallle au rseau BT................ 34
6.1.3 Comportement de l'onduleur.................................. 43
4.3 Montage en parallle au rseau MT................ 36 6.1.4 Choix des dispositifs de protection......................... 43
4.4 Mesure de l'nergie produite et change 6.2 Protection contre les surintensits du ct AC.44
avec le rseau................................................. 38
6.3 Choix des dispositifs de commutation et de
dconnexion.................................................... 44
5 Mise la terre et protection
contre le contact indirect... 39 6.4 Protection contre les surtensions.................... 45
6.4.1 Foudroiement direct................................................ 45
5.1 Mise la terre.................................................. 39 6.4.1.1 Btiment sans systme de protection
contre la foudre (LPS)................................. 45
5.2 Installations avec transformateur.................... 39 6.4.1.2 Btiment avec systme de protection
5.2.1 Parties conductrices exposes du ct charge du contre la foudre (LPS)................................. 45
transformateur......................................................... 39
6.4.1.3 Installation PV au sol.................................. 46
5.2.1.1 Installation avec systme IT........................ 39
6.4.2 Foudroiement indirect............................................. 46
5.2.1.2 Installation avec systme TN....................... 39
6.4.2.1 Protection du ct DC................................ 47
5.2.2 Parties conductrices exposes du ct
6.4.2.2 Protection du ct AC................................ 48
alimentation du transformateur................... 40
2
PARTIE III
Annexe A Nouvelles technologies de panneaux
7 Solutions d'ABB pour les ap-
A.1 Technologies mergentes................................. 55
plications photovoltaques... 49
A.2 Photovoltaque concentration......................... 56
7.1 Disjoncteurs botier moul et disjoncteurs A.3 Photovoltaque avec panneaux cylindriques...... 56
ouverts............................................................. 49
7.1.1 Disjoncteurs botier moul T Tmax pour les
Annexe B Autres sources d'nergie renouvelables
applications de courant alternatif............................ 49
7.1.2 Disjoncteurs diffrentiels........................................ 50 B.1 Introduction..................................................... 57
B.2 nergie olienne.............................................. 57
7.2 Contacteurs................................................... 50
B.3 nergie de la biomasse................................... 57
7.3 Interrupteurs-sectionneurs............................ 50 B.4 nergie gothermique..................................... 58
3
Technical Application Papers
Introduction
Dans le contexte nergtique et environnemental mondial et de protection contre les surintensits, les surtensions
actuel, l'objectif visant rduire les missions de gaz et le contact, afin de bien choisir les dispositifs de com-
Introduction
effet de serre et les substances polluantes (au-del du mande et de protection des diffrents composants des
protocole de Kyoto), en exploitant et en combinant des installations.
sources d'nergie alternatives et renouvelables ainsi Ce document technique est divis en trois parties : la
qu'en rduisant l'utilisation de combustibles fossiles premire partie, qui est plus gnrale et comprend les
vous l'puisement en raison de leur forte consomma- trois premiers chapitres, dcrit le principe de fonctionne-
tion dans de nombreux pays, est devenu capital. ment des installations PV, leur typologie, les principaux
Le Soleil constitue naturellement une source d'nergie composants, les mthodes d'installation et les diffrentes
renouvelable offrant un grand potentiel et pouvant tre configurations. Elle propose par ailleurs une analyse de
utilise tout en respectant l'environnement. chaque la production d'nergie d'une installation et illustre la
instant, la surface de l'hmisphre terrestre expose manire dont celle-ci varie en fonction de quantits dter-
au Soleil reoit une nergie suprieure 50 000 TW par mines. La seconde partie (comprenant les chapitres
consquent, la quantit d'nergie solaire atteignant la quatre a huit) traite des mthodes de raccordement au
surface de la Terre est considrable, quivalant prs de rseau et des systmes de protection puis fournit une
10 000 fois l'nergie utilise dans le monde entier. description du systme de tarif de rachat ainsi qu'une
Parmi les diffrents systmes utilisant des sources analyse conomique simple de l'investissement requis
d'nergie renouvelables, le photovoltaque s'avre pro- pour la mise en place d'une installation PV, en faisant
metteur en raison de ses qualits intrinsques: ses frais notamment rfrence a la situation Franaise et aux
de fonctionnement sont trs rduits (le combustible est normes, rsolutions et dcrets en vigueur au moment
gratuit), ses exigences d'entretien sont limites, il est de l'laboration de ce document technique. Enfin, la
fiable, silencieux et relativement facile installer. De plus, troisime partie (comprenant le chapitre 9) dcrit les
dans certaines applications autonomes, le photovolta- solutions proposes par ABB pour les applications
que est trs pratique compar d'autres sources d'ner- photovoltaques.
gie, en particulier dans les endroits difficiles d'accs et
peu rentables pour l'installation de lignes lectriques
traditionnelles.
En France, la croissance du photovoltaque est lie Deux annexes viennent complter ce document tech-
la politique de tarif de rachat. Ce mcanisme visant a nique et proposent :
financer le secteur PV en rmunrant, par des mesures une description des nouvelles technologies de pan-
d'incitation mises en place par ltat, l'nergie lectrique neaux solaires et de la mthode de concentration
produite par les installations raccordes au rseau. solaire permettant d'augmenter le rayonnement solaire
sur les panneaux;
Ce document technique a pour but d'analyser les pro- une description des autres nergies renouvelables, une
blmes et les concepts de base rencontrs lors de la analyse de la situation italienne en matire d'nergie.
mise en place d'une installation photovoltaque. Partant
d'une description gnrale des modalits d'exploitation
de l'nergie solaire par des installations PV, il expose
brivement les mthodes de raccordement au rseau
4 Installations photovoltaques
PARTIE I
Installations photovoltaques 5
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Par ensoleillement, nous faisons rfrence l'intgrale Le rayonnement rflchi dpend de la capacit d'une
de l'irradiance solaire sur une priode donne [kWh/m2]. surface rflchir le rayonnement solaire. Il est mesur
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)
Par consquent, le rayonnement tombant sur une sur- par le coefficient albdo calcul pour chaque matriau
face horizontale est constitu d'un rayonnement direct, (Figure 1.4).
associ l'irradiance directe sur la surface, d'un rayon- Figure 1.4 - Rayonnement rflchi
nement diffus qui frappe la surface depuis l'ensemble
Type de surface albdo
du ciel et non depuis une partie spcifique de celui-ci et
Routes sales 0.04
d'un rayonnement rflchi sur une surface donne par
Surfaces aqueuses 0.07
le sol et l'environnement (Figure 1.3). En hiver, le ciel est
couvert et le composant diffus est donc suprieur au Fort de conifres en hiver 0.07
composant direct. Asphalte us 0.10
Toits et terrasses en bitume 0.13
Figure 1.3 - Composants du rayonnement solaire
Terre (argile, marne) 0.14
Herbe sche 0.20
Gravats 0.20
Bton us 0.22
Fort en automne/champs 0.26
constante solaire
Rduction Herbe verte 0.26
du rayonnement solaire
Surfaces fonces de btiments 0.27
Feuilles mortes 0.30
Rflchi
6 Installations photovoltaques
En France, l'irradiance annuelle moyenne varie de 3 kWh/ sible d'obtenir pratiquement 2 MWh (5.2 * 365) par an a
m2 par jour la frontire Belge un peu plus de 4 kWh/ partir de chaque mtre carr, soit l'quivalent nergtique
Installations photovoltaques 7
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B Si P
Charge
Atome Atome
de BORE de PHOSPHORE
Rayonnement Courant lectrique
Si Si Si lumineux
Silicium de type N
Rgion d'appauvrissement
Jonction P-N
Jonction Silicium de type P
Photons Flux des
lectrons
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3 Flux des
trous
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3
+5 +5 +5 +3 +3 +3
2
L'effet photovoltaque se produit lorsqu'un lectron se trouvant dans la bande de valence
d'un matriau (gnralement un semi-conducteur) passe dans la bande de conduction
en raison de l'absorption d'un photon incident suffisamment nergtique (quantum
+5 +5 +5 +3 +3 +3 de rayonnement lectromagntique) sur le matriau. De fait, dans les matriaux semi-
conducteurs, l'instar des matriaux isolants, les lectrons de valence ne peuvent pas
se dplacer librement. Toutefois, par rapport aux matriaux isolants, l'cart nergtique
entre la bande de valence et la bande de conduction (typique des matriaux conducteurs)
est rduit, de sorte que les lectrons peuvent facilement se dplacer vers la bande de
conduction lorsqu'ils reoivent de l'nergie de l'extrieur. Cette nergie peut tre fournie
par le rayonnement lumineux, d'o l'effet photovoltaque.
8 Installations photovoltaques
La partie du silicium contribuant fournir le courant est la Des modules photovoltaques constitus d'un assem-
zone entourant la jonction P-N ; les charges lectriques se blage de cellules sont disponibles sur le march. Les
1 Sparation de la charge
2 Recombinaison
3 Transmission
4 Rflexion et ombrage des contacts frontaux
lectrode
ngative
4
Couche N
Plusieurs panneaux raccords lectriquement en srie
constituent une range et plusieurs ranges raccordes
lectriquement en parallle pour gnrer l'nergie requise
1 constituent le gnrateur ou champ photovoltaque (Fi-
gures 1.11 et 1.12).
Figure 1.11
2 1
Rgion P-N Panneau
Contact assemblage de plusieurs modules
positif 1 Couche P
en une structure unique
3 Cellule Module
Range
assemblage de panneaux
raccords en srie
Installations photovoltaques 9
Technical Application Papers
Les cellules PV des modules ne sont pas exactement un matriau d'encapsulation afin d'viter le contact
identiques en raison des carts de fabrication invita- direct entre le verre et la cellule, d'liminer les intersti-
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)
bles ; par consquent, deux blocs de cellules raccords ces dus aux imperfections de la surface des cellules et
en parallle peuvent avoir des tensions diffrentes. Un d'isoler lectriquement la cellule du reste du panneau ;
courant circule alors du bloc de cellules ayant une ten- dans les processus o la phase de laminage est requise,
sion suprieure au bloc de cellules ayant une tension l'thylne-actate de vinyle (EVA) est souvent utilis ;
infrieure. Une partie de l'nergie gnre par le module un substrat de support (verre, mtal, plastique) l'ar-
est donc perdue dans le module lui-mme (pertes par rire ;
dissipation). un cadre mtallique, gnralement en aluminium.
L'ingalit des cellules peut galement tre dfinie par
une irradiance solaire diffrente, par exemple lorsque
certaines cellules sont ombrages ou dtriores. Ces Figure 1.13
cellules se comportent comme une diode, bloquant le
courant gnr par les autres cellules. Cette diode est Cadre d'aluminium
soumise la tension des autres cellules, ce qui entrane
la perforation de la jonction ainsi qu'une surchauffe locale
et des dommages sur le module.
Afin de limiter ce phnomne, les modules sont quips
de diodes by-pass court-circuitant la partie ombrage
ou endommage du module. Le phnomne de dissipa-
tion se produit galement entre les ranges du champ
photovoltaque, en raison de l'ingalit des modules, de
la diffrence d'irradiance des ranges, des ombrages et
des dfauts d'une range. Pour viter la circulation de
courant inverse dans les ranges, il est possible d'insrer
des diodes.
Les cellules formant le module sont encapsules dans
un systme d'assemblage qui :
isole lectriquement les cellules de l'extrieur ;
protge les cellules contre les agents atmosphriques Verre
et les contraintes mcaniques ;
rsiste aux rayons ultraviolets, aux basses tempra- Sous-couche
Cellules
de support
tures, aux variations soudaines de temprature et EVA
l'abrasion ;
vacue facilement la chaleur afin d'viter que la hausse de
temprature ne rduise l'nergie fournie par le module.
Ces proprits doivent tre conserves pendant toute Dans les modules en silicium cristallin, des contacts m-
la dure de vie du module. La Figure 1.13 montre la vue talliques souds aprs la construction des cellules sont
en coupe d'un module standard en silicium cristallin utiliss pour raccorder les cellules ; dans les modules
comprenant : couche mince, le raccordement lectrique entre dans le
une couche de protection sur le ct suprieur expos processus de fabrication des cellules et est assur par
la lumire, caractrise par une grande transparence une couche d'oxydes mtalliques transparents, tels que
(le matriau le plus utilis est le verre tremp) ; l'oxyde de zinc ou l'oxyde d'tain.
10 Installations photovoltaques
1.3.2 Onduleur L'nergie fournie par un gnrateur PV dpend de son
point de fonctionnement. Afin de maximiser la production
Le systme de conditionnement d'nergie et de contrle
- N
2
valles rguliers, de lgres variations de charges qui se
0
traduisent par des carts des valeurs courant-tension et
-2 en valuant si la valeur I-V du nouveau produit est sup-
-4 rieure ou infrieure la prcdente. En cas de hausse, les
-6
conditions de charge continuent de varier dans le sens
en question. Dans le cas contraire, les conditions sont
-8
0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 modifies dans le sens oppos.
temps (s)
En raison des caractristiques de performances requi-
ses, les onduleurs des installations autonomes et des
installations raccordes au rseau doivent prsenter des
caractristiques diffrentes :
dans les installations autonomes, les onduleurs doivent
tre capables de fournir une tension ct AC aussi
constante que possible lors de la variation de la pro-
duction du gnrateur et de la demande de charge ;
dans les installations raccordes au rseau, les onduleurs
m = Vsin / Vtr <1
doivent reproduire le plus fidlement possible la tension
du rseau et en mme temps tenter d'optimiser et de
maximiser la production d'nergie des panneaux PV.
Installations photovoltaques 11
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1.4 Types de panneaux photovoltaques panneaux en silicium polycristallin (Figure 1.17), o les
cristaux constituant les cellules s'agrgent en prenant
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)
Figure 1.16 Panneau en silicium monocristallin Figure 1.17 Panneau en silicium polycristallin
3
Certains fabricants garantissent les panneaux pendant 20 ans avec une perte maximale
d'efficacit de 10% par rapport la valeur nominale.
4
La couleur bleu fonc est due au revtement antireflet en oxyde de titane visant amliorer
l'absorption du rayonnement solaire.
12 Installations photovoltaques
Le march est actuellement domin par la technologie silicium amorphe ;
de silicium cristallin, qui reprsente environ 90% des CdTeS (Tellure de cadmium-Sulfure de cadmium) ;
Couche tampon
100-200nm
Sulfure de cadmium
(CdS 60nm)
Tellure de cadmium
(CdTe 6nm)
Tellurure d'antimoine
(Sb2 Te3 200nm)
Molybdne
(Mo 200nm)
Installations photovoltaques 13
Technical Application Papers
CdTe contenu dans la cellule: tant donn qu'il n'est pas court, correspondant uniquement la priode durant
soluble dans l'eau et qu'il est plus stable que d'autres laquelle une installation PV doit fonctionner avant que
1 Gnralits sur les installations photovoltaques (PV)
composs contenant du cadmium, il peut s'avrer pro- l'nergie utilise pour la construire ait t gnre (envi-
blmatique s'il n'est pas correctement recycl ou utilis ron 1 an pour les couches minces de silicium amorphe
(Figure 1.19). Le cot unitaire de ces modules varie de contre 2 ans pour le silicium cristallin). Compars aux
1.5 2.2 /W. modules en silicium cristallin, les modules couche
Actuellement, la technologie GaAs est la plus intres- mince montrent une dpendance moindre entre l'effica-
sante du point de vue de l'efficacit, qui est suprieure cit et la temprature d'utilisation et une bonne rponse
25 30%. Cependant, la production de ces cellules mme lorsque le composant diffus est plus marqu et
est limite par le cot lev et la raret du matriau, que les niveaux de rayonnement sont bas, notamment
principalement utilis dans les semi-conducteurs les jours nuageux.
grande vitesse et l'industrie optolectronique. En fait,
la technologie GaAs est essentiellement employe dans
les applications spatiales o la rduction du poids et des
dimensions joue un rle cl.
Tableau 1.1
Les modules CIS/CIGS/CIGSS correspondent une Silicium Silicium Couche mince
technologie qui est encore l'tude et en cours de d- monocristallin polycristallin (silicium
amorphe)
veloppement. Le silicium est remplac par des alliages 14% - 17% 12% - 14% 4-6% mono
cellule
spciaux tels que : 7-10% tandem
cuivre, indium et slnite (CIS) ; lev cot infrieur cot infrieur
cuivre, indium, gallium et slnite (CIGS) ; constant production plus influence rduite
simple de la temprature
cuivre, indium, gallium, slnite et soufre (CIGSS). Avantages
nergie suprieure dimensions rendement nergtique
L'efficacit est actuellement de 10 11% et les perfor- globales optimales suprieur avec
rayonnement diffus
mances restent constantes au fil du temps ; concernant
nergie suprieure sensibilit aux dimensions suprieures
le silicium monocristallin et polycristallin, une rduction du impurets dans cot de la structure
Inconvnients quantit ncessaire
cot de production est prvue, tant aujourd'hui d'environ pour la production les processus de et temps de
2.2-2.5 /W.
fabrication montage
14 Installations photovoltaques
1.5 Types d'installations photovoltaques Figure 1.20 Abris et clairage public photovoltaques
Figure 1.21
5 7
3 6
2
4
Installations photovoltaques 15
Technical Application Papers
1 Gnrateur PV
2 Tableaux de distribution ct DC
1
3 Convertisseur statique DC/AC (onduleur)
4 Tableau de distribution ct AC Raccordements DC
5 Rseau de distribution Raccordements AC
16 Installations photovoltaques
1.6 Intermittence de la gnration et stockage de synthse et nergie lectrochimique dans les accu-
de l'nergie produite
Installations photovoltaques 17
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2 Production d'nergie
2.1 Circuit quivalent de la cellule Par consquent, le courant fourni la charge est obtenu
par la formule :
2 Production d'nergie
Figure 2.2
Voc 4.5
Temp. cellule= 25C Pm = Im* Vm
GI
4.0 Irrad. incid. = 1 000W/m2
ISC 59.9 W
3.5
Im
3.0
P=I*V
2.5
Courant [A]
18 Installations photovoltaques
et le produit (Voc . Isc ) de la tension vide multiplie Les courants Ig et Ir, qui proviennent respectivement du
par le courant de court-circuit. gnrateur PV et du rseau, convergent au nud N de
2 Production d'nergie
Si une tension extrieure est applique la cellule PV en la Figure 2.4 et le courant Iu absorb par l'installation du
sens inverse par rapport au fonctionnement standard, le consommateur part du nud :
courant produit reste constant et l'nergie est absorbe
par la cellule. Lorsqu'une certaine valeur de tension in- Iu = Ig + Ir [2.4]
verse (tension de rupture) est dpasse, la jonction P-N
est perfore, comme cela se produit dans une diode, et tant donn que le courant de la charge est galement
le courant atteint une valeur leve endommageant la le rapport entre la tension du rseau U et la rsistance
cellule. En l'absence de lumire, le courant gnr est nul de charge Ru :
pour la tension inverse jusqu' la tension de rupture. Il y a
ensuite un courant de dcharge comme dans des condi- U
Iu = [2.5]
tions d'ensoleillement (Figure 2.3 partie gauche). Ru
Figure 2.3
Courant [A]
le rapport entre les courants devient :
U
Ir = - Ig [2.6]
Courant [A] Ru
U
Ir = [2.7]
Ru
Tension [V]
En revanche, si l'intgralit du courant gnr par l'ins-
Vinv 0 Voc
tallation PV est absorbe par l'installation du consom-
mateur, le courant fourni par le rseau doit tre nul et par
consquent la formule [2.6] devient :
2.3 Schma de raccordement au rseau
U
Ig = [2.8]
Une installation PV raccorde au rseau et alimentant une Ru
installation de consommateur peut tre reprsente de
manire simplifie par le schma de la Figure 2.4.
Le rseau d'alimentation (dont la puissance de court-cir- Lorsque l'ensoleillement augmente, si le courant gnr
cuit est prsume infinie) est schmatis par un gnra- Ig devient suprieur celui requis par la charge Iu, le
teur de tension idal dont la valeur est indpendante des courant Ir devient ngatif, autrement dit il n'est plus pris
conditions de charge de l'installation du consommateur. du rseau mais introduit dans celui-ci.
Le gnrateur PV est quant lui reprsent par un gn- En multipliant les termes de [2.4] par la tension du rseau
rateur de courant idal (avec un courant constant et un U, les remarques prcdentes peuvent galement s'ap-
ensoleillement gal) tandis que l'installation du consom- pliquer aux puissances, en considrant que :
mateur est reprsente par une rsistance Ru. U2
Pu = U . Iu = l'nergie absorbe par l'installation de
Ru
Figure 2.4 l'utilisateur ;
Ig N Ir Pg = U . Ig l'nergie gnre par l'installation PV ;
Gnrateur
PV U Rseau
RU
Installations photovoltaques 19
Technical Application Papers
2.4 Puissance crte nominale AM = 1 au niveau de la mer un jour o le ciel est dgag
et le soleil au znith (P = Po, sen(h) = 1) ;
2 Production d'nergie
La puissance crte nominale (kWp) est l'nergie lectri- AM = 2 au niveau de la mer un jour splendide avec le
que fournie par une installation PV dans des conditions soleil un angle de 30 au-dessus de l'horizon
d'essai standards (STC) : 1
(P = Po, sen(h) = ).
1 kW/m2 ensoleillement perpendiculaire aux panneaux ; 2
25C temprature dans les cellules ;
Figure 2.6
masse d'air (AM) gale 1.5.
Limite suprieure de
l'atmosphre absorbante
La masse d'air influence la production d'nergie PV car
elle constitue un indicateur de tendance de la densit AM = AM1 = 0
spectrale de puissance du rayonnement solaire. De fait,
ce dernier a un spectre dot d'une longueur d'onde W/ )
n(h
m2 caractristique qui varie galement en fonction de /se
AM = AM1 = 1 =1
la densit de l'air. Dans le schma de la Figure 2.5, la AM Surface
h de la distance znithale
surface jaune reprsente le rayonnement perpendiculaire Horizon local
la surface de la Terre absorb par l'atmosphre tandis m
0k
que la surface bleue reprsente le rayonnement solaire 10
qui atteint rellement la surface de la Terre ; la diffrence
entre la tendance des deux courbes donne une indication Surface de la Terre
de la variation du spectre due la masse d'air1.
Figure 2.5
2.5 Prvision de production annuelle d'nergie
[W/m2]
2 Production d'nergie
la partie Sud-Est du pays, ainsi que la Corse, sont les rayonnement solaire, pertes dues la rflexion). Cette
zones bnficiant du meilleur ensoleillement du territoire efficacit, dans une installation correctement conue et
Le rayonnement solaire annuel pour un site donne peut installe, peut varier de 0.75 0.85.
varier de 10% d'une source a l'autre, car il drive du
traitement statistique des donnes recueillies sur diff- Cependant, si nous tenons compte de l'ensoleillement quo-
rentes priodes ; de plus, ces donnes sont soumises a tidien moyen Emg, la production d'nergie annuelle attendue
la variation des conditions mtorologiques d'une anne pour chaque kWp est calcule l'aide de la formule :
a l'autre. Par consquent, les valeurs d'ensoleillement
ont une signification probabiliste, autrement dit elles Ep = Emg . 365 . hBOS [kWh/kWp] [2.11]
Tableau 2.2
Site Janvier Fvrier Mars Avril Mai Juin Juillet Aot Septembre Octobre Novembre Dcembre Anne
Paris 27 43 89 118 155 168 165 138 101 61 30 22 1117
Metz 25 45 81 121 155 161 171 144 106 59 29 20 1117
Lyon 31 52 100 136 165 179 197 158 110 69 33 22 1252
Nantes 31 52 107 134 154 179 182 160 119 73 40 26 1257
Montpellier 52 77 120 145 180 205 209 178 135 84 59 48 1490
Montlimar 43 78 119 157 180 209 231 187 143 94 52 36 1529
Marseille 52 67 121 154 192 209 219 189 139 93 58 46 1539
Nice 50 69 114 157 194 208 228 193 138 95 55 44 1545
Toulon 58 82 126 164 195 223 249 202 153 101 67 51 1670
Installations photovoltaques 21
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2.6 Inclinaison et orientation des panneaux En trouvant l'angle complmentaire de (90-), il est
possible d'obtenir l'angle d'inclinaison des panneaux
2 Production d'nergie
L'efficacit maximale d'un panneau solaire serait atteinte par rapport au plan horizontal (CEI/TS 61836) de manire
si l'angle d'incidence des rayons solaires tait toujours de ce que les panneaux soient touchs perpendiculai-
90. De fait, l'incidence du rayonnement solaire varie en rement par les rayons du soleil au moment mentionn
fonction de la latitude ainsi que de la dclinaison solaire plus haut2.
pendant l'anne. tant donn que l'axe de rotation de la Cependant, il ne suffit pas de connatre l'angle pour
Terre est inclin d'environ 23.45 par rapport au plan de dterminer l'orientation optimale des panneaux. Il est
l'orbite de la Terre autour du Soleil, une latitude dfinie, galement ncessaire de considrer la trajectoire du
la hauteur du Soleil sur l'horizon varie quotidiennement. Soleil dans le ciel pendant les diffrentes priodes de
Le Soleil se trouve un angle d'incidence de 90 par l'anne et par consquent l'angle d'inclinaison doit tre
rapport la surface de la Terre (Znith) au niveau de calcul en tenant compte de tous les jours de l'anne3
l'quateur lors des quinoxes et le long des tropiques (Figure 2.8). Cela permet d'obtenir un rayonnement total
lors des solstices (Figure 2.7). annuel capt par les panneaux (et par consquent la
production d'nergie annuelle) suprieur celui obtenu
Figure 2.7 dans la condition d'irradiance prcdente perpendiculaire
aux panneaux lors du solstice.
N Figure 2.8
Solstice d't au diagramme solaire la latitude 45 Nord
Tropique du Cancer
21 ou 22 juin 11
12
, 45 quinoxe de printemps 10
+23
Hauteur du Soleil
0 20 ou 21 mars
+23
, 45 quinoxe d'automne 9 11
12
22 ou 23 septembre
10
8
Solstice d'hiver au
9
Tropique du Capricorne
*2
7
1j
22 ou 23 dcembre 11 12
uin
8 O
*2
6 10
U
1m
S
*2
9
1
E 7
ars
E
d
8 S
ce
S
m
6 T
br
T 0
e
22 Installations photovoltaques
Une valeur positive de l'angle d'azimut indique une orien- Pour la premire valuation de la capacit de production
tation vers l'ouest, tandis qu'une valeur ngative indique annuelle de puissance lectrique d'une installation PV, il
2 Production d'nergie
une orientation vers l'est (CEI 61194). suffit gnralement d'appliquer au rayonnement annuel
Concernant les panneaux monts au sol, la combinaison moyen sur le plan horizontal (Tableaux 2.2) les coeffi-
de l'inclinaison et de l'orientation dtermine l'exposition cients de correction du tableau 2.3.
des panneaux (Figure 2.9). En revanche, lorsque les pan-
neaux sont installs sur les toits des btiments, l'exposition 6
Albdo suppos gal 0.2.
est dtermine par l'inclinaison et l'orientation de la pente Tableau 2.3 Italie du Nord : latitude 44N
du toit. De bons rsultats sont obtenus par les collecteurs
orients vers le sud-est ou le sud-ouest avec une dviation Orientation / Inclinaison 0 30 60 90
de 45 maximum (Figure 2.10) par rapport au sud. Des Est 0,93 0,90 0,78 0,55
Sud-Est 0,93 0,96 0,88 0,66
dviations suprieures peuvent tre compenses par un Sud 0,93 1,00 0,91 0,68
Sud-Ouest 0,93 0,96 0,88 0,66
lger largissement de la surface du collecteur. Ouest 0,93 0,90 0,78 0,55
Figure 2.9
Exemple 2.2
Nous souhaitons dterminer l'nergie annuelle moy-
enne produite par l'installation PV de l'exemple pr-
cdent, prsent avec une orientation sud-est et une
inclinaison de 30.
Le Tableau 2.3 nous donne un coefficient croissant
gal 0.96. En multipliant ce coefficient par l'nergie
attendue sur le plan horizontal de l'exemple prcdent,
la capacit de production attendue devient :
SUD E = 0.96 . Ep = 0.96 . 3476 3337 kWh
Figure 2.10
-170
Nord
+170
0
+16
-16
0
+1
-15
50
+1
40
+1
40
-1
30 30
-1
+1 0
20
-12
+11 0
0 -11
+100 -100
Ouest 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Est
+80 -80
-70
+70
-60
0
+6 -5
0 0
+5
-4
0
0
+4
-30
0
-20
+3
-10
+20
+10
Sud
Ensoleillement annuel en %
30 40 50 60 70 40 80 90 100
Angle d'inclinaison
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Installations photovoltaques 23
Technical Application Papers
Les panneaux PV gnrent GNRALEMENT un courant Les principaux facteurs influenant la production d'ner-
de 4 12A une tension de 30 60V. gie lectrique d'une installation PV sont les suivants :
Pour obtenir la puissance crte attendue, les panneaux irradiance ;
sont raccords lectriquement en srie pour former des temprature des modules ;
strings, qui sont leur tour raccords en parallle. La ombrage.
tendance est de dvelopper des strings constitus du
plus grand nombre de panneaux possible, tant donn la 2.8.1 Irradiance
complexit et le cot du cblage, en particulier la mise en En fonction de l'irradiance incidente sur les cellules PV,
parallle des tableaux de distribution entre les strings. leur courbe de caractristique V-I varie comme indiqu
Le nombre maximum de panneaux pouvant tre rac- dans la Figure 2.11.
cords en srie (et par consquent la tension maximale Lorsque l'irradiance diminue, la gnration de courant
accessible) pour former un string est dtermin par la PV diminue proportionnellement, tandis que la variation
plage d'utilisation des onduleurs (voir Chapitre 3) et par de la tension vide est trs faible.
la disponibilit des dispositifs de dconnexion et de
protection compatibles avec la tension obtenue. De fait, l'efficacit de conversion n'est pas influence
Plus particulirement, la tension de l'onduleur est lie, par la variation de l'irradiance dans la plage d'utilisation
pour des raisons d'efficacit, sa puissance : en gn- standard des cellules. Cela signifie que l'efficacit de
ral, lors de l'utilisation d'un onduleur d'une puissance conversion est la mme lorsque le ciel est dgag ou
infrieure 10 kW, la plage de tension la plus utilise nuageux.
est comprise entre 250 et 750V, alors que si la puissance Par consquent, la rduction de la gnration d'nergie
de l'onduleur dpasse 10 kW, la plage de tension est lorsque le ciel est nuageux est lie non pas une baisse
gnralement de 500 900V. de l'efficacit mais une rduction de la gnration de
courant due une irradiance solaire infrieure.
Figure 2.11
3.5 1000 W/m2
900 W/m2
800 W/m2
3
700 W/m2
600 W/m2
500 W/m2
2.5
2
Courant [A]
1.5
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Tension [V]
24 Installations photovoltaques
2.8.2 Temprature des modules 2.8.3 Ombrage
Contrairement au cas prcdent, en cas de hausse de
2 Production d'nergie
Compte tenu de la surface occupe par les modules
la temprature des modules, le courant produit reste sur une installation PV, certains (une ou plusieurs cellu-
pratiquement inchang, tandis que la tension diminue et les) peuvent tre ombrags par des arbres, des feuilles
entrane une rduction des performances des panneaux en mortes, des chemines, des nuages ou des panneaux
termes de production d'nergie lectrique (Figure 2.12). PV installs proximit.
En cas d'ombrage, une cellule PV prsentant une jonc-
tion P-N cesse de produire de l'nergie et devient une
Figure 2.12
charge passive. Cette cellule se comporte comme une
3
diode qui bloque le courant produit par les autres cellules
E = 1000 W/m2 raccordes en srie, compromettant toute la production
du module. De plus, la diode est soumise la tension des
autres cellules, ce qui peut entraner la perforation de la
2 20
jonction due une surchauffe localise (point chaud) et
40 endommager le module.
60 Afin d'viter qu'une ou plusieurs cellules ombrages
80 ne compromettent la production de l'ensemble d'un
1
100 string, des diodes court-circuitant la partie ombrage
ou endommage du modle sont insres au niveau du
module. Par consquent, le fonctionnement du module
Tension
est garanti mme si l'efficacit est rduite. En thorie,
0
0.2 0.4 0.6
il serait ncessaire de monter une diode by-pass en
parallle chaque cellule, toutefois cela s'avrerait trop
La variation de la tension vide Voc d'un module PV par onreux en termes de rapport cot/bnfice. 2 4 diodes
rapport aux conditions standards Voc,stc, en fonction de by-pass sont donc gnralement installes sur chaque
la temprature d'utilisation des cellules Tcell, est exprime module (Figure 2.13).
par la formule suivante (Guide CEI 82-25, II d.) :
Figure 2.13
Diode by-pass
Voc(T) = Voc,stc - NS . b . (25-Tcel) [2.13]
o :
est le coefficient de variation de la tension en fonction
de la temprature et dpend du type de module PV
(gnralement -2.2 mV/C/cellule pour les modules en
silicone cristallin et environ -1.5 -1.8 mV/C/cellule pour Rayonnement solaire
les modules couche mince) ;
Ns est le nombre de cellules montes en srie dans le
module.
Ombre
Par consquent, pour viter une rduction excessive des
performances, il convient de contrler la temprature de
service en tentant de fournir une bonne ventilation aux
+
panneaux en vue de limiter leur variation de tempra-
ture. De cette manire, il est possible de rduire la perte
I I
d'nergie due la variation de temprature (par rapport
la temprature de 25C dans des conditions standards)
une valeur de l'ordre de 7%7.
7
La rduction de l'efficacit en cas d'augmentation de la temprature peut tre estime
0.4 0.6 pour chaque C.
Installations photovoltaques 25
Technical Application Papers
Typologie spcifique 1 Modules PV installs sur les toits plats et les terras-
3 Mthodes d'installation et configurations
Tableau 3.2
Typologie spcifique 1 Remplacement des matriaux de revtement des
toits, couvertures et faades de btiment par
des modules PV ayant la mme inclinaison et la
mme fonctionnalit architecturale que la surface
recouverte.
Typologie spcifique 2 Auvents, tonnelles et abris dans lesquels la structure
Les installations partiellement intgres sont des instal- du revtement est constitue de modules PV et de
leurs systmes de support.
lations dont les modules sont placs conformment aux
Typologie spcifique 3 Parties du revtement du toit des btiments dans
typologies listes dans le Tableau 3.1 sur les lments de lesquelles les modules PV remplacent le matriau
mobilier urbain, les surfaces extrieures des enveloppes transparent ou semi-transparent permettant l'clai-
rage naturel d'une ou plusieurs pices.
de btiment, les btiments et les structures toute fin Typologie spcifique 4 Barrires acoustiques dans lesquelles une partie des
sans remplacer les matriaux de construction de ces panneaux d'insonorisation est constitue de modules PV.
structures (Figure 3.2). Typologie spcifique 5 lments d'clairage dans lesquels la surface des
lments rflchissants expose au rayonnement
Figure 3.2 solaire est constitue de modules PV.
Typologie spcifique 6 Brise-soleil dans lesquels les lments structurels
sont constitus de modules PV et de leurs systmes
de support.
Typologie spcifique 7 Balustrades et parapets dans lesquels les lments de revte-
ment et de couverture sont remplacs par des modules PV.
Typologie spcifique 8 Fentres dans lesquelles les modules PV remplacent
ou intgrent les surfaces vitres des fentres.
Typologie spcifique 9 Stores dont les modules PV constituent les lments
structurels.
Typologie spcifique 10 Toute surface dcrite dans les typologies ci-dessus
sur laquelle les modules PV constituent un revte-
ment ou une couverture adhrant la surface.
26 Installations photovoltaques
3.2 Configuration du champ solaire 3.2.2 Installation avec un onduleur pour chaque
string
Figure 3.4
string
module
Installations photovoltaques 27
Technical Application Papers
De plus, la dfaillance d'un onduleur n'implique pas 3.3 Choix de l'onduleur et interfaage
la perte de production de l'ensemble de l'installation
3 Mthodes d'installation et configurations
(comme dans le cas de l'onduleur unique) mais du sous- Le choix de l'onduleur et de sa taille est ralis en tenant
champ correspondant uniquement. Il est recommand compte de la puissance assigne PV prise en charge. La
de pouvoir dconnecter chaque string sparment, de taille de l'onduleur peut tre dtermine par un rapport
manire ce que les vrifications de fonctionnement et variant de 0.8 0.9 entre la puissance active mise dans
d'entretien requises puissent tre ralises sans mettre le rseau et la puissance assigne du gnrateur PV.
hors service l'ensemble du gnrateur PV. Ce rapport tient compte de la perte de puissance des
Lors de l'installation en parallle du tableau de distribu- modules PV dans des conditions relles d'utilisation
tion du ct DC, il est ncessaire de prvoir l'introduction (temprature d'utilisation, chutes de tension au niveau
d'un dispositif de protection contre les surtensions et les des raccordements lectriques...) et de l'efficacit de
courants inverses sur chaque string afin d'viter l'ali- l'onduleur. Il dpend galement des mthodes d'ins-
mentation des strings ombrags ou dfectueux par ceux tallation des modules (latitude, inclinaison, temprature
monts en parallle. La protection contre les surtensions ambiante...) susceptibles d'entraner une variation de la
peut tre assure par un disjoncteur thermomagntique puissance gnre. C'est pourquoi l'onduleur est fourni
ou un fusible, tandis que la protection contre le courant avec une limitation automatique de l'nergie fournie afin
inverse est assure par des diodes3. de contourner les situations dans lesquelles la puissance
Dans cette configuration, le diagnostic de l'installation gnre est suprieure celle gnralement estime.
est ralis par un systme de supervision qui vrifie la Afin d'obtenir un bon dimensionnement de l'onduleur,
production des diffrents strings. les caractristiques suivantes doivent notamment tre
Figure 3.6 considres :
string Ct DC :
- puissance assigne et puissance maximale ;
- tension assigne et tension maximale admissible ;
module
2
Remarque : l'ouverture du dispositif de dconnexion n'empche pas la prsence d'une 4
L'efficacit europenne est calcule en tenant compte des efficacits la charge partielle
tension du ct DC. de l'onduleur l'aide de la formule suivante :
heuro = 0.03.h5% + 0.06.h10% + 0.13.h20% + 0.10.h30% + 0.48.h50% + 0.20.h100%
3
Les diodes entranent une perte de puissance constante due la chute de tension au
niveau de leur jonction. Cette perte peut tre rduite par l'utilisation de composants dots 5
Ce schma fait apparatre que l'efficacit maximale varie de 40% 80% de la puissance
d'une jonction mtal-semi-conducteur ayant une perte de 0.4V (diodes Schottky), au lieu assigne de l'onduleur, ce qui correspond l'intervalle de puissance dans lequel l'onduleur
de 0.7V comme les diodes conventionnelles. fonctionne la plupart du temps.
28 Installations photovoltaques
Figure 3.7 du string pour une puissance maximale correspondante
100 dans des conditions de rayonnement solaire standards
97
96 dans des conditions de rayonnement solaire standards,
95
94
doit tre infrieure ou gale la tension d'utilisation
93 maximale du MPPT de l'onduleur.
92
91
90
0 5 10 20 30 50 100
La Figure 3.8 montre un schma de couplage entre le
Puissance [% de la puissance assigne] champ PV et l'onduleur tenant compte des trois ingalits
susmentionnes.
De plus, il est ncessaire d'valuer les valeurs assignes
Outre la conformit avec les trois conditions susmen-
de tension et de frquence la sortie et de tension
l'entre de l'onduleur. tionnes concernant la tension, il est ncessaire de v-
Pour les installations raccordes au rseau public, les rifier que le courant maximum du gnrateur PV lors de
valeurs de tension et de frquence la sortie sont impo- l'utilisation au Maximum Power Point (MPP) est infrieur
ses par le rseau dans les tolrances dfinies6. au courant maximum admis par l'onduleur au niveau de
Concernant la tension l'entre, les conditions extrmes l'entre.
d'utilisation du gnrateur PV doivent tre values Figure 3.8
afin de garantir un fonctionnement sr et productif de Plage d'utilisation du champ PV
l'onduleur.
Il est tout d'abord ncessaire de vrifier que la tension 0V U min U max U oc max
vide Uoc la sortie des strings, la temprature pros-
pective minimale (-10C), est infrieure la temprature
maximale prise en charge par l'onduleur, savoir : 0V U MPPT min U MPPT max U MAX
Uoc max UMAX [3.1]
Plage d'utilisation DC de l'onduleur
Certains modles d'onduleurs prsentent une batterie de
condensateurs l'entre ; par consquent, la connexion Dfaut d'allumage de l'onduleur
dans le champ PV peut gnrer un appel de courant gal Possible disfonctionnement en cas de limite basse de la tolrance rseau
la somme des courants de court-circuit de tous les
Opration autorise
strings raccords. Ce courant ne doit pas dclencher
les protections internes, le cas chant. Blocage de l'onduleur protection contre les surtensions d'entre
Chaque onduleur est caractris par une plage normale Possible dommage de l'onduleur
de tensions l'entre. tant donn que la tension la
sortie des panneaux PV est fonction de la temprature,
il est ncessaire de vrifier que dans des conditions Lgende :
d'utilisation prvisibles (de -10C +70C), l'onduleur Umin tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV
fonctionne dans la plage de tensions dclare par le la temprature d'utilisation maximale attendue pour les
fabricant. Par consquent, les deux ingalits [3.2] et modules PV sur le site d'installation
[3.3] doivent tre simultanment vrifies : Umax tension au Maximum Power Point (MPP) du champ PV,
correspondant la temprature d'utilisation minimale
Umin UMPPT min [3.2]
attendue pour les modules PV sur le site d'installation
autrement dit, la tension minimale ( 70C) la sortie Uoc max tension vide du champ PV la temprature d'utilisation
minimale attendue pour les modules PV sur le site d'ins-
tallation
6
Depuis 2008, la tension standard europenne est de 230/400V avec une tolrance de UMPPT min tension d'entre minimale admise par l'onduleur
+6% et -10%, tandis que la tolrance pour la frquence est de 0.3 Hz.
UMPPT max tension d'entre maximale admise par l'onduleur
7
Concernant le choix de l'onduleur et des autres composants de l'installation PV du
ct AC, une valeur de prcaution de 1.2 Uoc pour la tension maximale du string peut UMAX tension d'entre maximale supporte par l'onduleur
tre prsume.
Installations photovoltaques 29
Technical Application Papers
Les onduleurs disponibles sur le march ont une puis- Dans les installations de petite/moyenne taille, la solution
sance assigne de 11 kW maximum pour les modles privilgie comporte gnralement plusieurs onduleurs
3 Mthodes d'installation et configurations
monophass et jusqu' plusieurs centaines de kW pour monophass rpartis de manire gale sur les trois
les modles triphass. phases et sur le neutre commun et un seul transformateur
Dans les installations de petite taille jusqu' 6 kW avec pour la sparation du rseau public (Figure 3.9).
un raccordement monophas au rseau BT, un onduleur
unique est gnralement install, tandis que dans les En revanche, pour les installations de moyenne/grande
installations de plus de 6 kW avec un raccordement taille, il convient de privilgier une structure comportant
triphas au rseau BT ou MT, plusieurs onduleurs sont un nombre rduit d'onduleurs triphass auxquels sont
gnralement installs. raccords plusieurs strings en parallle du ct DC des
tableaux de distribution du sous-champ (Figure 3.10).
Figure 3.9
Coffret de distribution Onduleur mont en parallle dans le tableau de distribution basse tension
OND 1
I1
Coffret de distribution
OND 2 I2
Coffret de distribution
OND 3 I3
U
V
W
Coffret de distribution
OND 4 I4 N
Coffret de distribution
OND 5 I5
Coffret de distribution
OND 6
I6
30 Installations photovoltaques
Figure 3.10
Q1-2 Onduleur
dans le coffret de protection
String mont en parallle
Q1-3 Onduleur
dans le coffret de protection
String mont en parallle
Q1-4 Onduleur
dans le coffret de protection
String mont en parallle
Pour permettre la maintenance des onduleurs PV, des sur chaque string, afin qu'il soit possible d'effectuer
moyens de sectionnement doivent tre prvus par ondu- les oprations de vrification et d'entretien sur chaque
leur, tant du ct continu que du ct alternatif. string sans mettre hors service les autres parties de
De plus, comme indiqu dans la Figure 3.10, il est l'installation.
recommand d'installer un dispositif de dconnexion
Installations photovoltaques 31
Technical Application Papers
Les cbles installs sur la partie tension continue. Dans ce cas, le courant admissible des cbles doit au
Ceux-ci possdent des particularits. moins tre gal au courant conventionnel I2. Ce dernier
dpend du type dappareil de protection utilis. Il est
Les conducteurs du ct DC de l'installation doivent avoir dfini comme suit :
une isolation double ou renforce (classe II) afin de mini- - pour les fusibles : I2 = 1,45 x In
miser le risque de dfauts la terre et de courts-circuits - pour les disjoncteurs : I2 = 1,3 x In
(CEI 60364-7-712).
Ils doivent tre au minimum de type C2 (non propagateur Le mode de pose influe galement sur la section et linten-
la flamme). sit admissible des cbles.
Ils doivent possder en rgime permanant, une tempra- Pour le calcul des cbles de chanes, la temprature
ture minimale sur lme dau moins 90C. prendre en compte pour leur dimensionnement est
Les cbles HO7 RN-F install en poste fixe et R02V sont considre gale 70C et un facteur de correction de
utilisable jusqu 1500V DC. 0,58 est appliquer conformment au Tableau 3.4.2 dans
les cas suivant :
Les cbles du ct DC sont diviss en : - Cbles soumis lchauffement direct des
cbles solaires (ou cbles de string) qui raccordent les modules ;
- Cbles soumis au rayonnement solaire. Dans ce
cas, le facteur de correction de 0,85 dfini larticle 512-
8
L'ensemble des cbles et du systme de conduits dans lequel ils sont placs.
32 Installations photovoltaques
2-11 de la NF C 15-100 nest pas prendre en compte ;
- Cbles cheminant dans des isolants thermiques
de toiture ou de faade. Dans ce cas, le facteur de cor-
rection de 0,58 doit tre multipli par 0,77, soit 0,45.
.
Tableau 3.4 : Facteur de correction k pour les modules mono ou poly
cristallins
Temprature Elastomre Isolation
ambiante (caoutchouc)
(C) PVC PR / EPR
10 1,29 1,22 1,15
15 1,22 1,17 1,12
20 1,15 1,12 1,08
25 1,07 1,06 1,04
30 0,93 0,94 0,96
35 0,82 0,87 0,91
40 0,71 0,79 0,87
45 0,58 0,71 0,82
50 0,61 0,76
55 0,50 0,71
60 0,65
65 0,58
70 0,50
75 0,41
Installations photovoltaques 33
Technical Application Papers
1
Ces limites peuvent tre dpasses la discrtion de l'autorit de distribution. De plus,
s'agissant des installations dj raccordes au rseau, ces limites sont augmentes jusqu'au
niveau de puissance dj disponible pour le retrait.
34 Installations photovoltaques
4.2 Montage en parallle au rseau BT Pour une puissance allant jusqu' 6kW dans des syst-
mes monophass et 20kW dans des systmes tripha-
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie
En analysant la Figure 4.1, nous pouvons remarquer que ss, le dispositif d'interface peut galement tre intgr
trois dispositifs de commutation sont interposs entre au systme de conversion. Pour les installations allant
l'installation de production de l'utilisateur et le rseau jusqu' 20 kW, la fonction d'interface peut tre assure
public (Guide CEI 82-25, II d.) : par jusqu' 3 diffrents dispositifs (Guide de raccorde-
dispositif principal, il spare l'installation de l'utilisateur ment aux rseaux lectriques d'Enel Distribution).
du rseau public ; il se dclenche en cas de dfaillance
de l'installation PV ou, si cette dernire est facturation Dans les installations PV dotes d'une puissance
nette, en raison d'une dfaillance du systme PV ou de maximale de 20 kW et d'au maximum trois onduleurs,
l'installation de l'utilisateur ; il consiste en un disjoncteur auxquels les charges ne sont pas raccordes pour le
permettant la dconnexion en cas de surintensit et le fonctionnement autonome, le dispositif du gnrateur
dclenchement de toutes les phases et du neutre ; peut galement assurer la fonction de dispositif d'inter-
dispositif d'interface, il spare l'installation de gnration face (Figure 4.1a), tandis que dans les installations PV de
du rseau non autonome de l'utilisateur et par cons- gnration uniquement, autrement dit celles auxquelles
quent du rseau public ; il se dclenche en prsence de aucune installation de consommation n'est associe,
perturbations sur le rseau du distributeur et consiste le dispositif d'interface peut tre combin au dispositif
en un contacteur ou un disjoncteur automatique dclen- principal (Figure 4.1b).
chant toutes les phases impliques et le neutre en cas Figure 4.1a
de surtension ; il est de catgorie AC-7a si monophas Rseau public
ou AC-1 si triphas (CEI EN 60947-4-1) ;
quipement de production
dispositif du gnrateur, il spare le gnrateur PV du d'nergie et quipement
reste de l'installation de l'utilisateur; il se dclenche en de mesure Ener
Systme
de gnration
Tableau 4.1
PV
Valeur de Temps de
Protection Version consigne dclenchement
Figure 4.1b
Tension maximale (59) Unipolaire/ 1.2 Un 0.1 s
Tripolaire(1)
Rseau public
Installations photovoltaques 35
Technical Application Papers
Une sparation mtallique entre l'installation PV et le Les installations PV peuvent fournir une nergie active
prsentant un facteur de puissance (Guide CEI 82-25,
Figure 4.2
Rseau public BT
Installation de l'utilisateur
Disjoncteur principal
(DG)
Dispositif
Protection
d'interface (DDI ) 27 - 59 - 81 d'interface (PI)
Disjoncteur Disjoncteur
du gnrateur du gnrateur
(DDG) (DDG)
Onduleur
Gnrateur
photovoltaque
(PV)
36 Installations photovoltaques
4.3 Montage en parallle au rseau MT sont autoriss condition que la commande de dclen-
chement de chaque protection agisse sur tous les dis-
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie
cas de rseaux neutre compens et un en cas de Frquence minimale (81<) 49.7 Hz 170 ms 100 ms
neutre isol, associ un dclencheur maximum de
courant homopolaire avec un seuil pour les dfauts
la terre monophass doubles. Concernant le dispositif du gnrateur, les observations
faites pour le montage en parallle avec la partie BT
Le dispositif d'interface peut tre plac du ct MT ou s'appliquent.
BT. Si ce dispositif est install sur la partie MT de l'instal-
lation, il peut tre constitu des lments suivants (Fiche Les Figures 4.3 et 4.4 montrent deux schmas type de
d'interprtation CEI 0-16) : raccordement du rseau MT d'une installation PV. Le
un disjoncteur tripolaire en version amovible avec schma de la Figure 4.3 montre une installation quipe
dclencheur d'ouverture minimum de tension ou ; d'onduleurs monophass dans laquelle le dispositif
un disjoncteur tripolaire avec dclencheur d'ouverture d'interface est plac du ct BT. Cette configuration est
minimum de tension et un interrupteur-sectionneur ins- caractristique des installations ayant une puissance
tall du ct alimentation ou charge du disjoncteur5. maximale de 100 kW.
En revanche, les installations plus grandes utilisent des
En rgle gnrale, pour les installations dotes de plu- onduleurs triphass avec un ou plusieurs transformateurs
sieurs gnrateurs PV, le dispositif d'interface doit tre BT/MT et le dispositif d'interface est gnralement plac
unique et permettre d'exclure en mme temps tous les du ct MT (Figure 4.4).
gnrateurs. Cependant, plusieurs dispositifs d'interface
4
Une protection 67N est requise lorsque la contribution au courant capacitif de dfaut 6
Lorsqu'une installation PV (d'une puissance totale de 1 MW maximum) est ajoute des
la terre monophas du rseau MT de l'utilisateur excde 80% du courant de consigne fix installations raccordes au rseau depuis plus d'un an, il n'est pas possible d'installer plus
par le distributeur de la protection 51N. En pratique, lorsque les cbles MT de l'utilisateur de trois dispositifs d'interface, chacun d'eux pouvant prendre en charge 400 kW maximum
excdent la longueur de : (CEI 0-16 Fiche d'interprtation).
400m pour les rseaux avec Un=20 kV ;
533m pour les rseaux avec Un=15kV.
5
L'ventuelle prsence de deux interrupteurs-sectionneurs (un du ct alimentation et
l'autre du ct charge) doit tre envisage par l'utilisateur en fonction du besoin de scurit
pendant les oprations d'entretien.
Installations photovoltaques 37
Technical Application Papers
Figure 4.3
kWh
kvarh Distributeur
Installation de
l'utilisateur
Disjoncteur 50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
principal
(DG)
Dispositif Dispositif
d'interface <U 27 - 59 - 81 d'interface
(DDI ) (DDI )
Disjoncteur Disjoncteur
du gnrateur du gnrateur
(DDG) (DDG)
Onduleur
Gnrateur
photovoltaque
(PV)
Figure 4.4
Rseau MT
kWh
kvarh Distributeur
Installation de
l'utilisateur
Disjoncteur
principal 50-51 - 51N - (67N) Protection principale PG
(DG)
Dispositif Protection
d'interface <U 27 - 59 - 81 d'interface
(DDI) (PI)
Utilisateurs BT
non autonomes
kWh kWh
Disjoncteur
du gnrateur
(DDG)
Onduleur Onduleur
triphas triphas
38 Installations photovoltaques
4.4 Mesure de l'nergie produite et change
avec le rseau En revanche, lorsque l'installation PV gnre de l'nergie,
4 Raccordement au rseau et mesure de l'nergie
Installations photovoltaques 39
Technical Application Papers
Figure 5.1
A + - + - + - B
Id
+ - + - + - B
Charge
Id Re
Charge 1
Dans ce cas, l'amont et l'aval se rapportent au sens de l'nergie lectrique produite
par l'installation PV.
2
Pour des raisons de scurit, le systme de mise la terre est commun l'installation
Re PV et l'installation de consommation. Cependant, afin que le contrleur d'isolement de
l'onduleur fonctionne correctement et contrle le gnrateur PV, il est ncessaire que
les cadres et/ou les structures de support des panneaux (y compris de classe II) soient
mis la terre.
40 Installations photovoltaques
En prsence d'un dfaut la terre, un court-circuit se des points parallles A-B, par exemple la partie conduc-
produit comme dans les systmes TN habituels, toutefois trice expose du transformateur ou de l'onduleur lorsque
5 Mise la terre et protection contre le contact indirect
ce courant ne peut pas tre dtect par les dispositifs le transformateur est intgr, un disjoncteur de courant
de courant maximum car les installations PV sont carac- rsiduel4 doit tre interpos comme indiqu dans la Figure
trises par la gnration de courants de dfaut ayant 5.4 ; ce dispositif de courant rsiduel dtecte les courants
des valeurs peine suprieures au courant assign. Par de fuite venant du rseau ainsi que du gnrateur PV.
consquent, concernant la dangerosit de ce dfaut, les Lorsque le dispositif de courant rsiduel se dclenche en
observations faites dans le paragraphe prcdent3 sur le raison d'un courant de dfaut la terre, l'onduleur se met
second dfaut pour un systme IT s'appliquent. en veille cause du manque de tension du rseau.
Figure 5.4
5.2.2 Parties conductrices exposes du ct
alimentation du transformateur A
Re Id
A
IdPV
+ - IdPV Idr Rseau
B
Charge
Rn
A
Il ne doit y avoir aucune partie conductrice expose entre
les points parallles A-B et le rseau, sinon l'exigence
+ -
normative stipulant que toutes les parties conductrices IdPV Idr Rseau
4
Le courant rsiduel assign doit tre coordonn avec la rsistance de terre Re, confor-
mment au rapport habituel des systmes TT :
50
Re
Idn
Installations photovoltaques 41
Technical Application Papers
Figure 5.6
IdPV A
Idr
Id Rseau
type B
B
+ - + - + -
Rn
Charge
Re
42 Installations photovoltaques
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
Lors de la dfinition de la configuration d'une installation au courant de service du circuit entre le tableau de distri-
photovoltaque, il convient de prvoir, si ncessaire, bution du sous-champ et l'onduleur, tandis que le courant
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
la protection des diffrentes sections de l'installation Isc4 = (x-y) . 1.25 . Isc est suprieur au courant de service
contre les surintensits et les surtensions d'origine at- si x-y > y x > 2y.
mosphrique. Dans ce cas, il est ncessaire de protger le cble contre
Nous indiquerons tout d'abord les conditions de protec- le court-circuit si son intensit admissible est infrieure
tion contre les surtensions de l'installation PV du ct Isc4, soit Iz<(x-y).1.25.Isc.
alimentation (ct DC) et du ct charge (ct AC) de Figure 6.1
l'onduleur, puis les mthodes de protection de l'instal-
A reprsente le dispositif de protection dans le tableau de distribution du
lation contre les dommages causs par une ventuelle sous-champ pour la protection du cble 1 raccordant le string et le
fulmination directe ou indirecte1. tableau de distribution.
B reprsente le dispositif de protection install dans le tableau de distri-
bution de l'onduleur pour protger le cble 2 raccordant l'onduleur
6.1 Protection contre les surintensits du ct DC et le tableau de distribution du sous-champ.
y nombre de strings raccords au mme tableau de distribution de
sous-champ.
x nombre total de strings raccords au mme onduleur.
6.1.1 Protection des cbles
Il n'est pas ncessaire de protger les cbles contre les String
+ Cble 1
Tableau de distribution
surcharges (CEI 64-8/7) si leur intensit admissible n'est du sous-champ
A
pas infrieure au courant maximum qui peut les affecter
(1.25 Isc)2.
Cble 2
+
Concernant les courts-circuits, les cbles du ct DC y
sont affects par cette surintensit en cas de :
dfaut de polarit du systme PV ; Isc3
dfaut la terre des systmes mis la terre ; Dfaut 1
double dfaut la terre des systmes isols de la terre. Dfaut 2
Isc1 Isc2
Un court-circuit sur un cble raccordant le string au
tableau de distribution du sous-champ (dfaut 1 de la
Isc4
Figure 6.1) est fourni simultanment en amont du ct Tableau de
distribution
charge par le string considr (Isc1 = 1.25 . Isc) et en aval du sous-champ
1
Concernant la correction du facteur de puissance d'une installation d'utilisateur com-
prenant une installation PV, voir l'Annexe E de QT8 Correction du facteur de puissance
et filtrage des harmoniques dans les installations lectriques.
2
Isc est le courant de court-circuit dans le module dans des conditions d'essai standards et
l'augmentation de vingt-cinq pour cent tient compte de valeurs d'ensoleillement excdant
1kW/m2 (voir Chapitre 3).
Installations photovoltaques 43
Technical Application Papers
3
Les diodes peuvent tre utilises, toutefois elles ne remplacent pas les protections contre 5
Pour les disjoncteurs thermomagntiques, [6.1] devient I1 1.25 . Isc, tandis que pour les
les surintensits (CEI TS 62257-7-1), car il faut envisager la possibilit que la diode ne disjoncteurs magntiques seulement Iu 1.25 . Isc afin d'viter leur surchauffe.
fonctionne pas correctement et soit court-circuite. De plus, les diodes impliquent une
perte d'nergie en raison de la chute de tension au niveau de la jonction, une perte qui 6
Protection contre le court-circuit uniquement car Iz 1.25 . Isc .
peut tre rduite en utilisant des diodes Schottky causant une chute de 0.4V au lieu de
0.7V pour les diodes traditionnelles. Cependant, la tension inverse assigne des diodes 7
Le court-circuit Isc1 = 1.25 . Isc (fig. 6.1) (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble du
devra tre 2 Uoc et le courant assign 1.25 Isc (Guide CEI 82-25). string a une intensit admissible minimale de 1.25 . Isc .
44 Installations photovoltaques
Aux fins de la protection du string, le courant assign du requise. Cependant, le cble doit tre protg contre les
dispositif de protection (disjoncteur thermomagntique courts-circuits du rseau 10 par un dispositif de protection
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
ou fusible) ne doit pas excder le courant indiqu par le situ proximit du point parallle au rseau.
fabricant pour la protection des panneaux (clause 6.1.2) ; Pour protger ce cble, le disjoncteur principal de l'ins-
si aucune indication n'est donne par le fabricant, les tallation de consommation peut tre utilis si l'nergie
valeurs suivantes sont prsumes (CEI TS 62257-7-1) : passante est supporte par le cble. Cependant, le
1.25 . I I 2 . I [6.3] dclenchement du disjoncteur principal met l'ensemble
sc n sc
de l'installation de consommation hors service. Dans
Aux fins de la protection du cble de raccordement, le dis- les installations multi-onduleurs (Figure 6.2), la prsence
positif de protection doit tre choisi de manire ce que le d'une protection pour chaque string permet, en cas de
rapport suivant soit respect pour chaque valeur de court- dfaut sur un onduleur, le fonctionnement des autres,
circuit (CEI 60364)8 jusqu' un maximum de (x-1) . 1.25 . Isc : condition que les disjoncteurs de chaque string soient
I2t K2 S2 [6.4] slectifs avec le disjoncteur principal.
6.2 Protection contre les surintensits du ct 6.3 Choix des dispositifs de commutation et
AC de dconnexion
tant donn que le cble raccordant l'onduleur au point L'installation d'un dispositif de dconnexion sur chaque
de raccordement avec le rseau est gnralement di- string est recommande afin de permettre les interven-
mensionn de manire obtenir une intensit admissible tions de vrification et d'entretien sur le string sans mettre
suprieure au courant maximum pouvant tre fourni par hors service d'autres parties de l'installation PV (Guide
l'onduleur, une protection contre les surcharges n'est pas CEI 82-25 II d.)11.
8
Pour le disjoncteur magntique uniquement, il convient dans la mesure du possible 10
L'onduleur limite gnralement le courant de sortie une valeur correspondant au double
de rgler I3 une valeur gale la valeur Iz du cble afin de dfinir le dclenchement de son courant assign et se met en veille en quelques dizaines de secondes suite au
du dispositif lorsque le courant de court-circuit excde l'intensit admissible du cble dclenchement de la protection interne. Par consquent, la contribution de l'onduleur au
protg. De plus, il est possible d'utiliser un disjoncteur magntique uniquement si le courant de court-circuit est ngligeable par rapport la contribution du rseau.
nombre de strings raccords au mme onduleur est au maximum de 3 ; sinon, pour la
protection du string, il est ncessaire d'utiliser un disjoncteur thermomagntique choisi 11
Lorsqu'un disjoncteur automatique est utilis, la fonction de commutation et de d-
en fonction de [6.3]. connexion est dj incluse.
9
Le courant de court-circuit Isc3 = y . 1.25 . Isc (Figure 6.1) n'a pas d'importance car le cble
du string a une intensit admissible minimale de y . 1.25 . Isc.
Installations photovoltaques 45
Technical Application Papers
tant donn que les installations PV sont gnralement En revanche, si l'installation PV modifie considrablement
places l'extrieur des btiments, elles peuvent tre le profil du btiment, il convient de reconsidrer la fr-
soumises des surtensions d'origine atmosphrique, quence des fulminations sur celui-ci et donc d'envisager
aussi bien directes (foudre frappant la structure) qu'indi- la ncessit d'intgrer un LPS (Guide CEI 82-25 II d.)
rectes (foudre tombant ct de la structure du btiment, (Figure 6.4).
affectant l'nergie ou les lignes de signalisation entrant
dans la structure) par un couplage rsistif ou inductif.
Le couplage rsistif se produit lorsque la foudre frappe la Figure 6.4
12
Systme de protection contre la foudre : il est constitu de systmes de protection 13
Il est recommand de raccorder l'installation de mise la terre de la protection celle
externes (dtecteurs, conducteurs de foudre et lectrodes de terre) et internes (mesures de la protection contre la foudre.
de protection visant rduire les effets lectromagntiques du courant de foudre entrant
dans la structure protger).
46 Installations photovoltaques
la distance de scurit s (EN 62305-3), des mesures Enfin, si l'installation PV altre le profil du btiment, une
supplmentaires pour la protection de la nouvelle ins- nouvelle valuation des risques et/ou une modification
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
tallation (Guide CEI 82-25 II d.) ne sont pas requises du LPS sont ncessaires (Guide CEI 82-25, II d.) (Figure
(Figure 6.5). 6.7).
Figure 6.5 Figure 6.7
14
L'effet protecteur du botier mtallique est possible grce aux courants induits dans le
botier ; ces derniers crent un champ magntique qui, selon la loi de Lenz, s'oppose la
cause les gnrant, savoir le champ magntique du courant de foudre; plus les courants
induits dans la protection sont levs (autrement dit plus la conductance est leve), plus
l'effet de protection est important.
Installations photovoltaques 47
Technical Application Papers
Figure 6.8
6.4.2.1 Protection du ct DC
15
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct DC.
16
Le SPD doit tre install du ct alimentation (sens de l'nergie du gnrateur PV) du
dispositif de dconnexion de l'onduleur de manire galement protger les modules
lorsque le dispositif de dconnexion est ouvert.
48 Installations photovoltaques
6.4.2.2 Protection du ct AC Si l'analyse des risques du btiment prconise l'installa-
Une installation PV raccorde au rseau est galement tion d'un LPS l'extrieur, il est ncessaire de placer un
6 Protection contre les surintensits et les surtensions
soumise aux surtensions provenant de la ligne. En pr- SPD pour la protection contre le foudroiement direct au
sence d'un transformateur de sparation dot d'une point de distribution de l'nergie. Ce SPD doit prsenter
protection mtallique mise la terre, l'onduleur est pro- les caractristiques suivantes :
tg des surtensions du transformateur. En l'absence type 1 ;
de transformateur ou en prsence d'un transformateur tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo ;
dnu de protection, il est ncessaire d'installer un SPD niveau de protection Up Uinv ;
adapt immdiatement en aval de l'onduleur. courant de choc Iimp 25 kA pour chaque ple ;
Ce SPD doit prsenter les caractristiques suivantes : pouvoir de coupure du courant de suite Ifi excdant le
type 2 ; courant de court-circuit au point d'installation et coor-
tension de service assigne maximale Ue > 1.1 Uo17 ; dination avec une protection de secours adapte.
niveau de protection Up Uinv18 ;
courant de dcharge nominal In 5 kA ; Les Figures ci-dessous montrent la configuration d'une
protection thermique ayant la capacit de supprimer installation PV divise en zones de A E et indiquent la
le courant de court-circuit en fin de vie et coordination fonction de protection ralise par le SPD lorsqu'il est
avec une protection de secours adapte. install dans chaque zone.
String
A +
A
B L1 L2
C
G
D
E
A B C D E
17
Uo est la tension la terre des systmes TT et TN; en cas de systme IT, c'est Ue > 1.73 Uo. 18
Uinv est la tension de tenue aux chocs de l'onduleur ct AC.
Installations photovoltaques 49
Technical Application Papers
PART III
50 Installations photovoltaques
7.2.2 Disjoncteurs diffrentiels 7.2 Contacteurs
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques
F204 B type B
Courant assign In : 40, 63, 125 A Srie A
Tension d'utilisation maximale assigne 1000 V AC
Sensibilit assigne Idn : 30, 300, 500 mA
Courant assign :
Tension assigne : 230 400 V
- contacteurs tripolaires : de 25 A 2050 A
Ples : 4 dans 4 modules (dans AC-1 - 40C) ;
Type : B, B slectif - contacteurs ttrapolaires : de 25 A 1000 A
Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, (dans AC1- 40C).
CEI 62423
Accessoires pour F204 type B Design compact de toute la gamme
- contact auxiliaire/de signalisation Gamme :
- contacteurs tripolaires ;
F202 PV B - contacteurs ttrapolaires ;
Courant assign In : 25, 63 A - contacteurs auxiliaires.
Sensibilit assigne Idn : 30, 300 mA
Tension assigne : 230 V
Ples : 2 dans 4 modules
Type : B
Normes de rfrence : EN 61008, CEI 60755, CEI
62423
Accessoires pour F202PV B
- contact auxiliaire/de signalisation
7.3 Interrupteurs-sectionneurs
Srie OT
Courant assign In: de 15 125 A
Ples : 3, 4, 6 et 8 ples selon la tension d'utilisation
Caractristiques :
- mcanisme de fermeture/d'ouverture rapide et fonction
d'attache indpendante (Version OT 45...125) ;
- accessoires pour le montage par encliquetage sur les
disjoncteurs ;
- mcanisme de montage sur rail DIN des interrup-
teurs-sectionneurs OT 45...125, cadenassable par un
adaptateur de verrouillage.
Norme de rfrence : CEI 60947-3
S800 PV-M
Courant assign In: 32, 63, 125 A
Tension assigne Ue :
- 2 ples, jusqu' 800 V DC ;
- 4 ples, jusqu' 1200 V DC.
Courant de courte dure admissible assign Icw : 1.5 kA
Plage de tempratures : 25C...+60C
Installations photovoltaques 51
Technical Application Papers
S284 UC Z
Courant assign In : 6...63 A
Ples : 4
Tension assigne Ue : 500 V DC
Pouvoir ultime de coupure en court-circuit Icu : 4.5 kA
Plage de tempratures : 25C...+55C
Norme de rfrence : CEI 60947-2
Accessoires pour S284 UC Z :
- dclencheurs d'ouverture mission ;
- dclencheurs minimum de tension ;
- contacts auxiliaires/de signalisation ;
- adapteur commande rotative et poigne rotative.
800 V DC 1200 V DC 80 A
1 3 5 7 800 V DC 1200 V DC
2 4 6 8
1 3 1 3 5 7
2 4 2 4 6 8 1 3 1 3 5 7
+
2 4 2 4 6 8
Onduleur
100, 125 A
+
600 V DC 1200 V DC
1 3 1 3 5 7
Panneaux solaires 2 4 2 4 6 8
52 Installations photovoltaques
7.5 Dispositifs de protection contre les surtensions, 7.6 Fusibles sectionneurs et porte-fusibles
Type 2
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques
E 90 PV
OVR PV Tension assigne : 1000 V DC
Protection du ct DC Courant assign : jusqu' 32 A
Tension continue applique maximale jusqu' 1120 V DC Dimensions du fusible : 10.3 mm x 38 mm
Courant de dcharge assign du ple : 20 kA Catgorie d'utilisation : DC-20B
Courant de dcharge maximum du ple : 40 kA Norme de rfrence : CEI EN 60947-3
Installations photovoltaques 53
Technical Application Papers
Degr de protection : IP 65
Classe d'isolement : II
Disponibles en matriau polycarbonate auto-extincteur,
rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu'
960C (essai au fil incandescent) conformment la
norme CEI 60695-2-11
Temprature d'installation : de 25C +60C
Rsistance aux chocs : 20 J (degr IK 10)
Normes de rfrence : CEI 23-48, CEI 60670
Approuves IMQ
Srie Europa
Degr de protection : IP 65
Classe d'isolement : II
Disponibles en matriau thermoplastique auto-extincteur,
rsistant la chaleur extrme et aux incendies jusqu'
650C (essai au fil incandescent) conformment la
norme CEI 60695-2-11
Temprature d'installation : de 25C +60C
Tension d'isolement assigne : 1000 V AC, 1500 V DC
Rsistance aux chocs : 6 J (degr IK 08)
Cadre de rail DIN amovible afin de faciliter le cblage
du banc, il peut galement tre dmont (et encliquet)
afin de faciliter le raccordement des cbles des ranges
simples
Possibilit d'installer un quipement d'une profondeur
de 53, 68 et 75 mm
Units comprenant 8 modules ou plus, quipes de
54 Installations photovoltaques
7.10 Bornes de raccordement Moteurs sans balai Srie 9C
Transducteur contre-raction absolue
7 Solutions d'ABB pour les applications photovoltaques
Raccordement ressort
Tension : max 800 V
Courant : max 125 A
Section : max 35 mm2
AC500 CPU
2 interfaces srie intgres, configurables RS232/
RS485
cran intgr pour le diagnostic et le contrle d'tat
Possibilit d'extension centralise, jusqu' 10 modules
d'extension locale et jusqu' 4 modules de communi-
cation externe simultanment, dans toute combinaison
souhaite
Option : carte SD pour le stockage des donnes et la
sauvegarde du programme
Ils peuvent galement tre utiliss en tant qu'esclave sur
Profibus DP, CANopen et DeviceNet via FieldBusPlug
Disponibles avec ports Ethernet intgrs
Installations photovoltaques 55
Technical Application Papers
56 Installations photovoltaques
les systmes de concentration traditionnels. 40% pour les cellules multi-jonctions ayant une sous-couche
En dpit de la mise en uvre des premires lignes de de germanium (Ge) ou d'arsniure de gallium (GaAs).
Annexe A : Nouvelles technologies de panneaux
production pilote, les modules bass sur ces technologies Concernant la production dcentralise d'nergie, les
ne sont encore pas disponibles sur le march. Le dlai de systmes PV concentration permettent non seulement
commercialisation des cellules organiques est estim la production d'nergie lectrique mais galement la rcu-
environ dix ans. pration de la chaleur ncessaire pour les applications de
La Figure A.1 montre la prvision de part de march de ces cognration. En effet, la chaleur lie au refroidissement des
technologies court, moyen et long terme. Outre les tech- cellules (60 120C selon le facteur de concentration) peut
nologies mergentes, les nouveaux concepts comprennent tre utilise pour la climatisation ou l'eau chaude sanitaire.
le photovoltaque concentration. Cependant, la solution de cognration prsente l'incon-
vnient de faire fonctionner les cellules une temprature
Figure A.1 suprieure pour la production de chaleur, entranant une
100% rduction de l'efficacit PV.
90% Le photovoltaque concentration est encore en phase
80% de dmonstration, toutefois, un passage progressif la
70% phase de production industrielle a t constat au cours
60%
des dernires annes. Par consquent, le cot de cette
March
50%
technologie (3.5 5 /W) est encore li au dveloppement
40%
30%
pr-industriel ; cependant, une rduction 2-3/W est
20% prvue pour les 5 prochaines annes de mme qu'une
10% rduction supplmentaire de moiti au cours des 5 annes
0% suivantes, notamment grce aux nouveaux systmes de
2010 2020 2030
suiveur solaire et la recherche sur les systmes haute
Nouveaux concepts Couches minces Silicium cristallin concentration (1000x).
Installations photovoltaques 57
Technical Application Papers
58 Installations photovoltaques
employes directement comme combustibles ou transfor- L'immense rserve nergtique offerte par la mer (plus de
mes en combustibles liquides ou gazeux dans les usines 70% de la surface de la Terre est constitue d'eau d'une
Annexe B : Autres sources d'nergie renouvelables
de transformation, pour un usage plus adapt et plus large. profondeur moyenne de 4000 m) peut tre exploite de dif-
Le terme biomasse regroupe des matires htrognes, frentes manires. En effet, outre la chaleur lie au gradient
allant des rsidus forestiers aux dchets de l'industrie de thermique (diffrence de temprature entre deux points),
transformation du bois ou de fermes zootechniques. En la mer produit une nergie cintique due la prsence de
gnral, toutes les matires organiques drives de rac- courants, de vagues et de mares.
tions photosynthtiques peuvent tre dfinies comme de
Dans les rgions prsentant une grande amplitude entre la
la biomasse.
mare haute et la mare basse, il est possible d'envisager
En Italie, les biomasses couvrent environ 2.5% de la
la construction d'une usine marmotrice. Sur les ctes
demande d'nergie. Leur contribution aux missions de
canadiennes ou sur le littoral de la Manche, la diffrence
dioxyde de carbone dans l'atmosphre peut tre quasiment
de hauteur entre les mares hautes et les mares basses
considre comme nulle tant donn que la quantit de
atteint 8 15 m ; en revanche, dans la Mer Mditerrane,
CO2 mise pendant la combustion est quivalente celle
le marnage n'excde gnralement pas 50 cm.
absorbe par la plante durant sa phase de croissance. Les
Dans un usine marmotrice, l'eau circule l'intrieur et
biomasses peuvent tre utilises dans des centrales thermi-
l'extrieur d'un bassin de quelques kilomtres carrs,
ques de diffrentes dimensions, lesquelles sont strictement
passant dans une srie de tuyaux dans lesquels elle gagne
lies aux caractristiques du territoire et la disponibilit de
de la vitesse et entrane des turbines raccordes des g-
ce combustible dans les zones environnantes.
nrateurs (alternateurs). mare descendante, l'eau circule
du bassin vers la haute mer, entranant les turbines; lorsque
B.4 Gothermie le niveau de la mer commence monter et que la mare est
suffisamment haute, l'eau de la mer circule dans le bassin,
La gothermie est une forme d'nergie utilisant les sources entranant nouveau les turbines. Une particularit de ce
de chaleur des rgions intrieures de la terre, savoir le systme est la rversibilit des turbines, qui peuvent fonc-
sous-sol. Elle est naturellement prsente dans les rgions tionner mare montante et descendante (Figure B.1).
connaissant des phnomnes gothermiques (la Toscane, Figure B.1
le Latium, la Sardaigne, la Sicile et d'autres rgions de la
Vntie, de l'milie Romagne et de la Lombardie peuvent
tre signales comme des rgions chaudes). La chaleur
se diffusant dans les pierres proches de la surface peut tre Haute mer
exploite pour gnrer de l'lectricit l'aide de turbines
vapeur ou utilise dans des applications rsidentielles et
industrielles2.
Il existe galement des technologies (pompes chaleur Bassin
capteurs gothermiques) capables d'exploiter l'nergie
latente stocke dans le sol : dans ce cas, nous parlons
de gothermie basse temprature. Ces pompes sont des Turbine avec
gnrateur
systmes de chauffage (mais galement de refroidisse-
ment) lectrique qui exploitent la temprature relativement
constante du sol pendant l'anne et peuvent trouver une
application dans un grand nombre de btiments dans Globalement, l'exploitation des mares pour produire de
le monde entier. Les capteurs gothermiques sont des l'lectricit s'avre peu efficace ; jusqu' prsent, seules
changeurs de chaleur (des tubes) monts verticalement deux installations de ce type ont t construites : la plus
(ou horizontalement) au sol dans lesquels circule un fluide importante est situe sur l'estuaire de la Rance en Bretagne
caloporteur. Pendant l'hiver, l'environnement est chauff (France) et a une capacit nergtique totale de 240 MW
en transfrant l'nergie du sol vers la maison. En t le tandis que l'autre se trouve en Russie.
systme est invers, prlevant la chaleur ambiante et la Les vagues emmagasinent l'nergie du vent. Plus la lon-
transfrant dans le sol. gueur d'onde est importante, plus la quantit d'nergie
stocke est grande. tant donn l'tendue de l'ocan et
B.5 nergie marmotrice et nergie variable l'nergie contenue dans une seule vague, nous disposons
d'une immense rserve d'nergie renouvelable. La quantit
totale moyenne d'nergie contenue dans le mouvement
En Italie, l'exploitation de la gothermie est aujourd'hui limite la Toscane et au haut
ondulatoire des vagues (parcourant des centaines de ki-
2
Lazio avec une capacit totale de 681 MW en 2004 et une production de 5.4 milliards de
kWh quivalant 1.55% de la production lectrique nationale. lomtres sans vent et avec une faible dispersion) au large
Installations photovoltaques 59
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des ctes amricaines, calcule avec une profondeur piscines. Cette technologie est mature et fiable, offrant
d'eau de 60 m (l'nergie commence se dissiper une des installations d'une dure de vie suprieure 20 ans
60 Installations photovoltaques
4. pour les particuliers ainsi que pour les structures plus circulation force. Contrairement la circulation na-
grandes (centres de loisirs, hpitaux, htels, etc.). turelle, la circulation force permet de placer l'unit de
Annexe B : Autres sources d'nergie renouvelables
En simplifiant cette classification, trois types d'installations stockage un niveau infrieur celui des collecteurs
solaires thermiques peuvent tre identifis : et donc dans la maison. Dans ce type d'installation, la
circulation naturelle. Ces systmes exploitent le principe prsence d'une pompe lectrique permet au fluide calo-
naturel selon lequel un fluide chaud a tendance monter, porteur de circuler des collecteurs (position suprieure)
tandis qu'un fluide froid tendance descendre. Dans ce l'unit de stockage thermique (position infrieure). Par
cas, l'unit de stockage thermique est place au-dessus rapport aux systmes circulation naturelle, ce type
du panneau (montage sur le toit comme dans la Figure d'installation requiert une pompe de circulation, une
B.2a ou installation au grenier comme dans la Figure unit de commande, des capteurs de temprature et des
B.2b). Le fluide caloporteur, aprs avoir t chauff par le cuves d'expansion et implique des cots gnralement
rayonnement solaire, monte directement dans l'unit de plus levs et des exigences d'entretien suprieures.
stockage et transfre sa chaleur l'eau contenue dans Cependant, les personnes habitant dans des centres
l'unit. Lorsque le fluide a refroidi, il redescend dans les historiques prestigieux (et par consquent dans des
panneaux et le cycle recommence. Cette technologie btiments soumis des rgles architecturales) et ne dis-
requiert simplement quelques collecteurs solaires et une posant pas de grenier pour cacher l'unit de stockage
unit de stockage/changeur de chaleur. Les surfaces et du systme circulation naturelle, peuvent rsoudre ce
les tailles varient en fonction des exigences thermiques. problme de dimensions de l'unit de stockage sur le
Les avantages de ce type d'installations sont notamment toit grce la circulation force (Figure B.3) ;
le faible cot, le fonctionnement sans pompe lectrique
Figure B.3 - Types de collecteurs solaires
ni unit de contrle, l'inclinaison donne par la pente du
Panneaux gnralement placs
toit, l'installation rapide et conomique, l'entretien mini- sur un toit ou tout autre
mum et la grande efficacit renforce par la circulation endroit suffisamment
spacieux et ensoleill
naturelle du fluide caloporteur. Toutefois, ces installations
prsentent galement quelques inconvnients, allant
des plus mineurs comme la nature esthtique aux plus
importants comme l'exposition de l'unit de stockage
aux agents atmosphriques et aux conditions environ-
nementales adverses et la ncessit que la structure du
toit puisse supporter le poids de l'installation ;
Figure B.2
Unit de stockage
contenant de l'eau Chaudire utilise pour intgrer
la chaleur si ncessaire
Installations photovoltaques 61
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une unit de stockage de 150/200 litres pour l'eau tu de miroirs spcialement conus pour capter et focaliser
chaude sanitaire (utile pour rpondre aux besoins de le rayonnement solaire sur un rcepteur qui l'absorbe et le
CONTINU
soins en eau chaude sanitaire d'une maison. Lors de l'uti- Concentrateur
lisation de l'nergie solaire pour le chauffage domestique,
le besoin total satisfait peut atteindre 40%. Un systme Rcepteur
solaire thermique correctement install peut tre garanti
jusqu' quinze ans et un entretien appropri peut allonger
sa dure de vie.
Il est possible de bnficier d'une exonration fiscale pour Rcepteur
les installations thermiques (uniquement lorsqu'elles sont Rcepteur
DISCONTINU
Concentrateur
installes dans des btiments dj inscrits au cadastre)
quivalant 55% des cots d'achat et de montage de
l'installation, rpartie sur 5 ans conformment la Loi n2
du 28 janvier 2009 relative la conversion du Dcret lgis-
latif anticrise 185/2008. Cette dduction a t prolonge
Heliostat
d'une priode de trois ans dans la Loi des finances 2008.
La TVA pour les installations solaires est de 10%. De plus,
dans de nombreuses rgions, provinces et communes,
des incitations et des prts sont proposs, couvrant g- Chaque technologie permet d'atteindre divers facteurs
nralement 25 30% des dpenses totales. de concentration, autrement dit diffrentes valeurs de
temprature maximale ainsi que des types de cycles ther-
modynamiques plus adapts la conversion de l'nergie
B.8 nergie solaire thermodynamique thermique en nergie lectrique.
Par consquent, une installation solaire thermique peut
Dans une installation solaire thermodynamique, la conver- tre considre comme le regroupement de deux sous-
sion de l'nergie solaire en lectricit est ralise en deux ensembles :
phases : l'un constitu du collecteur solaire qui ralise la pre-
le rayonnement solaire est tout d'abord converti en mire phase de la conversion d'nergie ;
nergie thermique ; l'autre convertissant l'nergie thermique en nergie
puis l'nergie thermique est convertie en nergie lectrique et constitu de l'quipement de conversion
lectrique par un cycle thermodynamique. d'nergie et du systme de transport et de stockage
qui transfre la chaleur du collecteur au cycle ther-
La conversion thermodynamique de la seconde phase est modynamique.
entirement analogue celle des installations thermiques
conventionnelles. Il est donc ncessaire que l'nergie L'unit de stockage thermique a pour but de stocker la
thermique ait une temprature leve afin d'obtenir une chaleur gnre afin de garantir le bon fonctionnement de
grande efficacit. Par consquent, dans les systmes so- l'installation en cas de variations soudaines de l'ensoleille-
laires thermodynamiques, il faut gnralement concentrer le ment dues des phnomnes mtorologiques.
rayonnement solaire au moyen d'un concentrateur, consti- Selon la temprature maximale du fluide caloporteur, les
62 Installations photovoltaques
types de cycles thermodynamiques suivants peuvent tre petit moteur Stirling ou d'une petite turbine gaz.
adopts : le cycle de Rankine eau-vapeur (pour les tem- Ces types d'installations ont une conversion nette an-
Annexe B : Autres sources d'nergie renouvelables
pratures comprises entre 400 et 600C) typique pour les nuelle moyenne d'environ 18% avec des pics quotidiens
installations collecteurs cylindro-paraboliques, le cycle 24%, toutefois elles sont adaptes la gnration de
de Stirling (pour les tempratures jusqu' 800C) dans les faibles puissances (quelques dizaines de kW).
installations concentrateurs paraboliques et le cycle de Figure B.6 Installation parabolique
Joule-Brayton (pour les tempratures jusqu' 1000C) en
configuration simple ou en cycle combin, gnralement
dans des installations tour solaire.
Installations photovoltaques 63
Technical Application Papers
Dans les installations rcepteur central (Figure B.8), d'utilisation ; le second permet de raccorder un systme
le rayonnement solaire provenant des miroirs plats PV en remplacement temporaire du cognrateur afin
64 Installations photovoltaques
Documents d'application technique
QT5
Disjoncteurs ABB pour les applications de cou-
rant direct
QT6
Appareils de commutation et de contrle basse
tension l'preuve des arcs lectriques
QT1 QT7
Slectivit basse tension avec les disjoncteurs Moteurs asynchrones triphass
ABB Gnralits et propositions d'ABB pour la coordi-
nation des dispositifs de protection
QT2 QT8
Postes de transformation MT/BT : thorie et Correction du facteur de puissance et filtrage
exemples de calcul de court-circuit des harmoniques dans les installations lectri-
ques
QT3 QT9
Systmes de distribution et protection contre le Communication par bus avec les disjoncteurs ABB
contact indirect et le dfaut la terre
QT4 QT10
Disjoncteurs ABB dans les tableaux de distribu- Installations photovoltaques
tion BT
Contact
1SDC007109G0201 - 04/2010
Une division de ABB S.p.A. indicatif. Nous nous rservons le droit de modifier sans
L.V. Breakers pravis le contenu de ce document sur la base du
Via Baioni, 35 dveloppement technique des produits.
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