Composants de llectronique de puissance

Claude Chevassu
A jour du 01/09/2005

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2
Prsentation de l'lectronique de puissance :
L'lectronique de puissance a pour but de modifier la prsentation de l'nergie lectrique avec un rendement
maximum. Modifier la prsentation de l'nergie lectrique veut dire que :
on transforme l'alternatif en continu : montages redresseurs,
on transforme le continu en alternatif : montages onduleurs,
on modifie la valeur efficace d'une tension alternative : montages gradateurs,
on modifie la valeur moyenne d'une tension continue : montages hacheurs,
on modifie la frquence d'une tension alternative : montage cycloconvertisseurs.
L'lectronique de puissance ayant le souci de travailler rendement maximum ne peut tre qu'une lectronique
de commutation o les composants ne fonctionnent qu'en interrupteurs ouverts ou ferms.
Le mot "puissance" ne signifie pas que l'lectronique de puissance ne s'intresse qu' la commande de moteur
d'au moins 1MW ! Le domaine de l'lectronique de puissance s'tend de quelques micro watts (nano machines
lectriques) une centaine de mga watts (MW).
Les "interrupteurs" de l'lectronique de puissance travaillent jusqu' plusieurs dizaines de kHz. Il est impossible
d'employer des interrupteurs classiques. Ceux-ci ne supporteraient pas de telles frquences de fonctionnement.
De plus, un arc lectrique s'tablirait entre les contacts qui ne couperaient plus aucun courant. Seuls les
interrupteurs statiques base de semi conducteurs sont utiliss. On trouve :
la diode,
le transistor bipolaire,
le transistor effet de champ grille isol (MOS),
l'IGBT (insulated gate bipolar transistor),
le thyristor "classique",
le thyristor GTO (gate turn off).

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Principes fondamentaux :
Aire de scurit en direct :
Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini, ni supporter des tensions infinies.
On dfinit une aire de scurit en direct qui correspond aux performances maximum du composant.
Elle se dcoupe en 3 parties :
1. limitation du courant maximum par la section des connexions de sortie ;
2. limitation par la puissance maximum que peut dissiper le composant I AK VAK PMAX ;
3. limitation par lavalanche (tension inverse maximum).

IAK

IMAX

PMAX

VAK
VMAX

Ces trois paramtres sont essentiels pour le choix dun composant de puissance.

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Lorsque lon tudie les performances relatives des composants en fonction des tensions dalimentation et des
frquences auxquelles le composant est capable de fonctionner, on peut tracer le domaine suivant. Notons quil
est valable aujourdhui en 2003, mais quil peut tre assez profondment modifi dans le futur en fonction de
lvolution des composants, volution qui est trs rapide.
U (kV)

10

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Thyristor / thyristors GTO

1 IGBT

Transistors bipolaires
0,2

0,1
MOS

F (kHz)
0,01 0,1 1 10 100 1000

Densit de courant

thyristor
GTO

bipolaire

IGBT

MOSFET

Vitesse

Classification des commutateurs de puissance

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Pertes Joule la coupure ou la fermeture :
Supposons un composant de puissance idal du point de vue de ses qualits statiques dinterrupteur et non idal
du point de vue dynamique, c'est--dire que cet interrupteur se ferme ou souvre en un temps non nul.
Ce composant ne prsente pas de perte Joule lorsquil est ltat dinterrupteur ferm. En effet, la d.d.p. ses
bornes est nulle et donc VAK I AK 0 I AK 0 .
Lorsquil est ltat dinterrupteur ouvert, ce composant est galement le sige de pertes nulles car, cette fois ci,
cest le courant qui est nul. Donc, VAK I AK VAK 0 0 .
Par contre, louverture ou la fermeture du composant, la tension et le courant ne sont pas simultanment nul
(ouverture ou fermeture prennent un temps non nul) :
VAK

Fermeture

temps

temps de commutation
IAK

temps

Pertes Joule composant

temps

On obtiendrait un diagramme symtrique de celui-ci dessus pour louverture du composant. Ceci montre que les
pertes Joule dans le composant ont lieu essentiellement lors des commutations. On comprend quil y a intrt
limiter la frquence de travail des composants de puissance afin de ne pas augmenter ces pertes. La frquence
de travail dun dispositif dlectronique de puissance est le rsultat dun compromis. On aurait souvent intrt
travailler frquence la plus leve possible. Par exemple pour un hacheur, plus la frquence est leve, plus la
tension de sortie est lisse. Mais, dune part les performances du composant employ imposent une limite haute
cette frquence, dautre part la ncessit de rduire les pertes Joule dans le composant limite galement cette
frquence.
Exemple numrique :
Prenons E = 200 V, I = 10 A, P = 1000 W, tous les temps de commutation T = 100 ns, frquence de dcoupage
f = 100 kHz.
Les pertes par commutation seront de f 2T E I 40 W soit 4 % de P. Les pertes par commutation sont
directement proportionnelles la frquence de dcoupage pour un composant actif donn. C'est de l que
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provient la limite en frquence d'utilisation. On souhaiterait que cette frquence soit la plus leve possible, cela
permettrait d'obtenir des ondes plus sinusodales par exemple ou bien des courants plus lisses. Mais, tant
donn que les pertes augmentent avec cette frquence, il faut trouver un compromis entre une forme d'onde
acceptable (frquence la plus leve possible) et des pertes raisonnables (limiter la frquence).

7
Diode de puissance
Prsentation
La diode de puissance (Figure 1) est un composant non commandable (ni la fermeture ni louverture).
Elle nest pas rversible en tension et ne supporte quune tension anode-cathode ngative (VAK < 0) ltat
bloqu.
Elle nest pas rversible en courant et ne supporte quun courant dans le sens anode-cathode positif ltat
passant (IAK > 0).

Fonctionnement du composant parfait

Le fonctionnement de la diode sopre suivant deux modes :
diode passante, tension anode cathode = 0 pour VAK > 0
diode bloque, courant anode cathode = 0 pour VAK < 0
C'est un interrupteur automatique qui se ferme ds que VAK > 0 et qui s'ouvre ds que IAK = 0.

En rsum, une diode se comporte comme un interrupteur parfait dont les commutations sont exclusivement
spontanes :
il est ferm tant que le courant qui le traverse est positif (conventions de la Figure 1).
il est ouvert tant que la tension ses bornes est ngative.

Composant rel et ses imperfections

Le fonctionnement rel est toujours caractris par ses deux tats :
ltat passant : IAK , le courant direct est limit au courant direct maximal ;
ltat bloqu : VAK , la tension inverse est limite (phnomne de claquage par avalanche) la tension inverse
maximale.

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Critres de choix dune diode
Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, ltude du fonctionnement de la structure de
conversion dnergie permet de tracer les chronogrammes de vAK et iAK.
Ce sont les valeurs extrmes de ces grandeurs qui sont prises en considration :
La tension inverse de vAK ltat bloqu ;
Le courant moyen de iAK ltat passant ;
ventuellement, le courant maximal rptitif (sans dure prolonge).
Par scurit de dimensionnement, on applique une marge de scurit (de 1,2 2) pour ces grandeurs. Cest
avec ces valeurs que le choix du composant est ralis.

Protection du composant
Protection contre les surintensits
Cette protection est assure par un fusible ultra rapide (UR) dont la contrainte thermique (I2.t) est plus faible que
celle de la diode. (Si bien quil fond avant la diode.)
Protection contre les surtensions
Les surtensions peuvent tre attnues en insrant un circuit RC-srie en parallle avec le commutateur (Figure
4) ou un lment non linaire supplmentaire, la diode transil (Figure 5) : place en parallle avec llment ou
en tte de linstallation, elle dissipe lnergie de la surtension.

Protection en dv/dt et di/dt

Les semi-conducteurs sont trs sensibles aux variations brutales de tension et de courant qui apparaissent lors
des commutations. Contre les variations de courant, on utilise une inductance (qui retarde le courant) tandis que
le condensateur retarde la tension (Figure 6). Pour amortir les oscillations induites par le circuit LC, les circuits
daide la commutation (CALC ou snubber ) ou adoucisseurs sont insrs (Figure 7).

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Protection thermique
En fonctionnement normal, la jonction PN encoure le risque datteindre une temprature trop leve (jmax
donne par le constructeur). Pour palier cet inconvnient, le composant est mont sur un dissipateur thermique
ou radiateur pour assurer lvacuation de lnergie thermique.
Aprs avoir calcul la puissance maximale dissipe par le composant (en utilisant son schma quivalent : fcem
ou {fcem + rsistance}), on peut calculer la rsistance thermique du radiateur installer.

Diode de roue libre

Hormis les applications de redressement, les montages dlectronique de puissance sont souvent quips de
di
diodes dites de roue libre. Le but de ces diodes est dempcher lapparition de surtensions eL dues aux
dt
brusques variations dintensit (essentiellement la coupure) dans les charges inductives (moteurs,
transformateurs). Les surtensions qui apparatraient en labsence de DRL (diode de roue libre) auraient tt fait de
dtruire les composants de puissance du montage. On peut illustrer le phnomne de la coupure de lintensit
dans un rcepteur inductif laide de lanalogie hydraulique : circuit lectrique = canalisation o circule un liquide
(tension = diffrence de pression entre deux point du circuit, intensit lectrique = dbit de liquide).
Lanalogue hydraulique dun circuit inductif est une canalisation o circule plus ou moins rapidement le liquide.
Imaginons la longue partie rectiligne dun terminal ptrolier o le pipe line qui va remplir les citernes peut faire
quelques centaines de mtres de long pour un diamtre de lordre du mtre. La vitesse de la veine liquide atteint
quelques kilomtres lheure. Il nest pas question de fermer brusquement la vanne se trouvant juste avant le
ptrolier. Lnergie cintique du ptrole circulant dans le pipe provoquerait une monte trs brusque et trs rapide
de la pression (la ddp) et la canalisation se romprait, exploserait au niveau de la vanne. De mme que lorsque
quun vhicule automobile rentre dans un mur, les dgts sont considrables, mme vitesse rduite.
Dans un autre ordre dide, imaginons un cycliste dont les pieds seraient attachs aux pdales dun vlo sans
roue libre. Lanc vive allure, le cycliste arrte brusquement de pdaler. Lnergie cintique va faire basculer
cycliste et vlo cul par-dessus tte. Tout change si on muni la bicyclette dune roue libre. Lengin va continuer
sur son erre lorsque le cycliste arrte de pdaler et rien de fcheux ne lui arrivera. La diode de roue libre
remplit cet office pour les circuits lectriques. Elle permet lnergie accumule dans les inductances
t
1
2 Li
2
( )de se dissiper sans occasionner de dommages.
0
Ces diodes doivent tre promptes commuter, on emploie souvent pour ce faire des diodes de types Schottky.

Diode de
roue libre

Exemple dapplication des DRL dans un hacheur

10
Transistor bipolaire de puissance
Prsentation
Parmi les deux types : NPN et PNP, le transistor de puissance existe essentiellement dans la premire catgorie
(Figure 8).
Cest un composant totalement command la fermeture et louverture. Il nest pas rversible en courant, ne
laissant passer que des courants de collecteur Ic positifs. Il nest pas rversible en tension, nacceptant que des
tensions VCE positives lorsquil est bloqu.

IC

VCE
IB

IE
VBE
Figure 8

Fonctionnement du composant parfait

Le transistor possde deux types de fonctionnement :
le mode en commutation (ou non linaire) est employ en lectronique de puissance
le fonctionnement linaire est plutt utilis en amplification de signaux.

Fonctionnement et tats du transistor

Transistor bloqu (B) : tat obtenu en annulant le courant IB de commande, ce qui induit un courant de
collecteur nul et une tension VCE non fixe. Lquivalent est un interrupteur ouvert entre le collecteur et lmetteur.
Transistor satur (S) : ici, le courant IB est tel que le transistor impose une tension vCE nulle tandis que le
courant iC atteint une valeur limite dite de saturation, iCsat. Lquivalent est un interrupteur ferm.

Figure 9

Dans son mode de fonctionnement linaire, le transistor se comporte comme une source de courant IC
commande par le courant IB. Dans ce cas, la tension VCE est impose par le circuit extrieur.
La Figure 10 propose lvolution des grandeurs entre le blocage, le fonctionnement linaire et la saturation.

11
 Figure 10

Composant rel et limites de fonctionnement

Le composant rel subit quelques diffrences par rapport llment parfait.
A ltat satur
le transistor est limit en puissance : courbe limite dans le plan (VCE, IC), lhyperbole de dissipation maximale ;
le courant maximal moyen de collecteur est donc lui aussi limit (ICmax) ;
la tension nest pas tout fait nulle (VCEsat 0).
A ltat bloqu
la tension VCE ne peut dpasser une tension (VCE0) qui provoquerait de claquage de la jonction ;
un courant rsiduel d aux porteurs minoritaires circule dans le collecteur (ICB0).

Choix dun transistor

Aprs avoir tabli les chronogrammes de fonctionnement (vCE et iC), on calcule les valeurs extrmes prises par :
la tension ( ltat bloqu) ;
le courant maxi ( ltat satur).
Par scurit de dimensionnement, on applique un coefficient de scurit (1,2 2) ces valeurs. Elles doivent
tre supportes par le composant choisi. On doit ensuite dterminer le courant IB (> IC/) que doit dlivrer la
commande.

Protection du composant
Protection contre les court circuits
Les fusibles ne sont pas suffisamment rapides pour protger les transistors qui claquent trs rapidement
lorsque le courant dpasse I0.
La protection est donc assure par lintermdiaire dun circuit lectronique qui mesure iC ou iE et interrompt la
commande en cas de danger.

Figure 11
Protection thermique
La puissance dissipe, vacue par un radiateur, a deux origines :
12
 pertes en conduction, <vCExiC.> ltat satur car ces grandeurs ne sont pas nulles ;
pertes en commutation, <vCE.xiC> car pendant les commutations courants et tensions coexistent.

Commutation du transistor
Le passage de ltat satur ltat bloqu (ou inversement) ne seffectue pas instantanment. Ce phnomne
doit tre systmatiquement tudi si les commutations sont frquentes (fonctionnement en haute frquence), car
il engendre des pertes qui sont souvent prpondrantes.
A la fermeture
Un retard de croissance de iC apparat la saturation. Le constructeur indique le temps de retard (delay time)
not td et le temps de croissance (rise time) not tr.
La tension est alors impose par le circuit extrieur (charge, alimentation) et par lallure de iC.

Figure 12
A louverture
Le courant de collecteur iC ne sannule pas instantanment. Le constructeur indique le temps de stockage
(storage time), not ts, correspondant lvacuation des charges stockes (ce temps dpend du coefficient de
saturation .iB/ICsat) et le temps de descente (fall time) not tf.
Remarque : dans la pratique, les courants voluent de manire plutt arrondie . Pour en tenir compte, les
temps sont rfrencs par rapport 10% et 90% du maximum.

Interfaces de commande
La ralisation dinterfaces de commande doit satisfaire plusieurs exigences, lies aux caractristiques des
transistors bipolaires :
le gain en courant des transistors bipolaires tant faible, un courant de base important est souvent ncessaire,
do la ncessit dun tage amplificateur de courant transistors, pouvant comporter plusieurs transistors en
cascade ;
pour assurer une dsaturation rapide du transistor de puissance (diminution de ts), le circuit dinterface doit tre
capable dextraire les charges stockes dans sa base en faisant circuler un courant IB ngatif linstant du
blocage (polarisation ngative) ;
Remarque : il existe dautres circuits ayant les mmes buts et rassembls sous lappellation circuit daide la
commutation ou CALC.
dans le cas de circuits de puissances en pont, il arrive frquemment que les potentiels de la base de plusieurs
transistors soient flottants (les rfrences de tension sont diffrentes). Le remde cette situation est
lisolation galvanique entre la commande et linterface. Les solutions les plus souvent rencontres sont les opto-
coupleurs car les temps de commande plutt faibles sont incompatibles avec le produit E. des transformateurs
dimpulsions ;
13
 en outre, la plupart du temps, les circuits dinterface comportent certains composants permettant au transistor
principal une saturation limite (en empchant son VCE de devenir trop faible). Ceci assure un blocage rapide du
composant. On y retrouve galement des systmes de protection en courant.

14
MOS et MOSFET de puissance
Prsentation
Le transistor MOS est un composant totalement command la fermeture et louverture. C'est le composant le
plus rapide se fermer et s'ouvrir. Il est classiquement utilis jusqu' 300 kHz, voire 1 MHz. C'est un
composant trs facile commander. Il est rendu passant grce une tension VGS positive (de lordre de 7 V 10
V). La grille est isole du reste du transistor, ce qui procure une impdance grille-source trs leve. La grille
nabsorbe donc aucun courant en rgime permanent. Cela nest pas vrai lors des commutations et cest pour cela
que les microprocesseurs (Pentium ou Athlon) chauffent autant. La jonction drain-source est alors assimilable
une rsistance trs faible : RDSon de quelques m.
On le bloque en annulant VGS, RDS devient alors trs leve.

Figure 13 transistor MOS canal N

2,7
L'inconvnient majeur est sa rsistance l'tat passant ( RDS on) qui augmente suivant la loi : Vmax DS . Pour pallier
cet inconvnient, les fabriquants proposent des composants grande surface de silicium. Cela rend les MOS
chers ds que la tension nominale dpasse 200 V.

Fonctionnement et modles du composant parfait

Transistor ouvert (O) : tat obtenu en annulant la tension VGS de commande, procurant une impdance drain-
source trs leve, ce qui annule le courant de drain ID. La tension VDS est fixe par le circuit extrieur.
Lquivalent est un commutateur ouvert.
Transistor satur (F) : une tension VGS positive rend RDS trs faible et permet au courant iD de crotre.
Lquivalent est un commutateur ferm.

Figure 14 caractristiques du transistor MOS

Remarque
A linstar du transistor bipolaire, le transistor MOS possde galement un mode de fonctionnement linaire mais
qui nest pas utilis en lectronique de puissance. Il se comporte alors comme une rsistance (RDS) commande
en tension (vGS).

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Limites de fonctionnement
Les MOS les plus courants supportent des tensions allant jusqu' 500 V. On trouve des MOS pouvant supporter
jusqu' 1400 V. Le MOS n'est intressant pour les tensions leves que dans le cas des convertisseurs de faible
puissance (< 2 kW) ou lorsque la rapidit est indispensable.
Circuits de puissance transistors MOS
Les interfaces sont beaucoup plus simples que pour les transistors bipolaires, car les transistors MOS sont
commands en tension (le courant de grille trs faible est sans influence). Ils peuvent donc tre directement
commands par un simple circuit numrique en logique TTL ou CMOS.
Les seuls problmes qui apparaissent sont lis aux potentiels de source levs ou flottants. Les solutions
adoptes sont les mmes que pour les transistors bipolaires (opto-coupleurs).

Transistor IGBT : le mariage du bipolaire et du MOS

Un interrupteur idal doit avoir les caractristiques suivantes: impdance nulle ltat ferm et infinie ltat
ouvert, puissance consomme et temps de commutation nuls. On peut donc avancer quun interrupteur idal
nexiste pas aujourdhui et nexistera pas davantage demain.
Les deux plus clbres composants lectroniques ralisant la fonction interrupteur sont : le transistor bipolaire et
le transistor MOS. Le premier prsente comme avantages une faible tension de dchet ltat passant et le
pouvoir de commuter de forts courants, mais ncessite une puissance de commande non ngligeable et sa
frquence de travail est relativement basse. Le MOS quant lui, connu pour des frquences de travail plus
leves et une puissance de commande presque nulle, est limit par sa tension de dchet qui est importante
pour des dispositifs mettant en jeu des hautes tensions (quelques centaines de Volts).
Depuis 1979, se dveloppe lide dintgrer sur une mme puce un transistor MOS et un transistor bipolaire afin
de profiter des avantages de chacun des deux dispositifs en vitant au mieux leurs inconvnients.

Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est lassociation dun transistor bipolaire (collecteur et
metteur) et dun transistor MOSFET. Il associe les performances en courant entre collecteur et metteur (la
faible chute de tension collecteur metteur 0,1 V) et la commande en tension par sa grille qui ncessite un
courant permanent quasiment nul.
Ses caractristiques sont reprises de celles du transistor bipolaire : vCEsat et iCsat.

Figure 15 symbole de l'IGBT

16
Schma quivalent de lIGBT

Le schma quivalent dun IGBT est celui de la figure 16. L'effet thyristor apparat quand la tension aux bornes
de Rp atteint la tension Vbi (seuil de la jonction base-metteur du NPN). Dans ce cas, cette jonction est polarise
en direct et le transistor NPN est conducteur, ce qui entrane le dclenchement de l'effet thyristor. Dans les
IGBTs modernes, cette rsistance est rendue suffisamment faible pour que le thyristor ne soit plus dclench
dans le domaine de fonctionnement garanti par le constructeur.

Figure 16 schma quivalent de l'IGBT

Le transistor NPN n'a alors plus d'influence sur le fonctionnement de lIGBT dans ce domaine et le schma
quivalent se rduit alors un transistor bipolaire PNP command par un MOSFET dans une configuration
pseudo-darlington. La figure 17 symbolise alors le fonctionnement normal de lIGBT.

Figure 17 schma quivalent simplifi de l'IGBT

17
Rversibilit en courant des transistors
Les transistors bipolaires et MOS sont des composants que lon pourrait qualifier un quadrant : quivalents
un interrupteur, la tension et le courant sont exclusivement positifs. Il faudrait tendre leurs caractristiques en les
associant dautres lments pour en faire des commutateurs rversibles en courant. Grce cette adaptation,
lassemblage peut faire circuler des courants inverses au sens privilgi du transistor seul.
Cette solution est envisageable en plaant une diode anti-parallle .

Figure 16 transistor bipolaire rendu rversible en courant

Figure 17 transistor MOS rendu rversible en courant

18
Exemples de ralisations :

Figure 18 onduleur IGBT

19
Thyristor ordinaire
Prsentation

Lanctre des thyristors tait un tube gaz : le thyratron. Le terme thyristor est la contraction de THYRatron et de
transISTOR. Le thyristor est un composant command la fermeture, mais pas louverture (Figure 19).
Il est rversible en tension et supporte des tensions VAK aussi bien positives que ngatives lorsquil est bloqu.
Il nest pas rversible en courant et ne permet que des courants IAK positifs, c'est--dire dans le sens anode-
cathode, ltat passant.

Figure 19 symbole du thyristor

Fonctionnement du composant parfait

Caractristique et fonctionnement
Le composant est bloqu si le courant IAK est nul tandis que la tension VAK est quelconque.
Lamorage (A) est obtenu par un courant de gchette IG positif damplitude suffisante alors que la tension VAK est
positive.
Ltat passant est caractris par une tension VAK nulle et un courant IAK positif.
Le blocage (B) apparat ds annulation du courant iAK (commutation naturelle) ou inversion de la tension vAK
(commutation force).

Figure 20 caractristiques du thyristor

20
Constitution
Un thyristor est un dispositif 4 couches et 3 jonctions qui possde 3 connexions externes : lanode, la cathode
et la gchette. Cest un composant bistable (passant bloqu).

anode A A

P1 P1

N1 N1
N1
gchette
P2 G
P2 P2
G
N2
N2

cathode
K
K

Figure 21 analogie classique expliquant le fonctionnement du thyristor

Le courant de gchette (gale au courant base metteur) sature le transistor NPN qui extrait un courant metteur
base du transistor PNP qui est satur son tour. Le PNP injecte un courant base metteur dans le NPN, qui
extrait un courant metteur base du PNP. Ds lors, le courant de gchette peut sannuler, le phnomne sauto
entretient.
iAK

it

Courant
daccrochage
i
Courant de iG4 > iG3 > iG2 >
maintien ihiL/3 iG1
Tension
inverse max

vAK

Vt1,5 2 V

Caractristiques de sortie du thyristor

21
Blocage par commutation naturelle
Ce blocage intervient par extinction naturelle du courant anode-cathode.
Le montage de la Figure 22 fournit un exemple de commutation naturelle qui se traduit par les chronogrammes
de la Figure 23.

Figure 22

Figure 23 chronogramme illustrant la commutation naturelle

Blocage par commutation force

Ce blocage est impos par la mise en conduction dun autre composant, qui applique une tension ngative aux
bornes du thyristor, provoquant donc son extinction.
Les deux thyristors sont initialement bloqus. Ds que ThP est amorc, il conduit et assure le courant iP dans la
charge.

Figure 24 circuit d'extinction d'un thyristor ordinaire

Ds lamorage de ThE, la tension vAK = uC est ngative et donc bloque ThP.

22
 Figure 25 chronogrammes d'une commutation force

Composant rel
Caractristique et limites de fonctionnement

Le fonctionnement rel est, comme pour une diode, caractris par ses deux tats (Figure 25 ) :
ltat passant, vAK 0, le courant direct est limit par le courant direct maximal.
ltat bloqu, iAK 0, la tension inverse est limite (phnomne de claquage par avalanche) par la tension
inverse maximale.

Figure 26 caractristiques d'un thyristor rel

Amorage
Pour assurer lamorage du composant, limpulsion de gchette doit se maintenir tant que le courant danode na
iAK MAX
pas atteint le courant de maintien Ih (h = hold = maintien) ih .
1000
La largeur de limpulsion de gchette dpend donc du type de la charge alimente par le thyristor. Sa dure sera
dautant plus importante que la charge sera inductive

23
 Figure 27 volution du courant iAK l'amorage

Blocage
Aprs annulation du courant iAK, la tension vAK doit devenir ngative pendant un temps au mois gal au temps
dapplication de tension inverse tq (tq 100 s).
Si ce temps nest pas respect, le thyristor risque de se ramorcer spontanment ds que vAK tend redevenir
positive, mme durant un court instant.

Figure 28 volution du courant iAK au blocage

Capacit
dextinction

Thyristor
Thyristor principal
auxiliaire

Figure 29 circuit dextinction forc de thyristor utilis lorsquun thyristor conduit du courant continu

24
Choix dun thyristor
Aprs avoir tabli les chronogrammes de fonctionnement du thyristor (vAK et iAK) dans le systme envisag, on
calcule les valeurs extrmes prises par :
la tension inverse VRRM ou directe maximale VDRM de vAK ( ltat bloqu) ;
le courant moyen I0(= <iAK> ltat passant) ;
le courant efficace iAKeff ( ltat passant).
De la mme manire que la diode, on applique un coefficient de scurit (de 1,2 2) ces grandeurs. Cest avec
ces valeurs que le choix du composant est ralis.

Protection du composant
Protection contre les surintensits, les surtensions, les variations brusques et thermiques
Pas de diffrence avec celles dune diode. Le dimensionnement sera trait comme si le thyristor tait dans les
pires conditions de conduction, lorsquil est passant, donc quivalent une diode.

Circuits de commande de gchette

Modlisation et commande de la gchette
La gchette peut tre assimile une diode de grande rsistance dynamique : tension de seuil VGK0 (proche de
0,7 V) et rsistance RGK (Figure 30 ). Pour provoquer lamorage, on doit tablir dans la gchette un courant iG de
quelques centaines de mA tant que le courant danode na pas atteint Ih
Pour amorcer, on peut utiliser une impulsion simple, mais une rafale dimpulsions chacune susceptible damorcer
le composant (largeur suffisante) est prfrable pour palier les "rats".

Figure 30 modle de la gchette

Mode de commande et prcautions

Les signaux de commande oprent des niveaux de puissance faibles. Pour assurer un courant suffisant dans la
gchette, un tage amplificateur adapte les signaux issus de la commande.
Dautre part, les niveaux de tension de la partie puissance sont levs : la sparation par une isolation galvanique
simpose afin de protger la partie commande.
Enfin, dans les structures labores, la disposition des composants ne leur permet pas les mmes rfrences de
potentiel.
Toutes ces fonctions sintgrent dans lensemble entre la commande et les gchettes (avant la puissance) pour
constituer un circuit dinterfaage qui a pour but disoler galvaniquement le circuit de commande du circuit
puissance (Figure 31 ).

25
 Figure 31 pont redresseur mixte monophas et sa commande

Isolement magntique par transformateur dimpulsions (T.I.)

Un transformateur dimpulsions possde un circuit magntique en ferrite pour minimiser les pertes fer. Son
rapport de transformation est gnralement gal 1 (Figure 32).
Son utilisation normale a lieu dans la zone linaire du matriau magntique. L, les relations qui sappliquent sont
:
d
u1 u2 N (Faraday)
dt
Ni1 NiG R (Hopkinson).

Pendant lapplication dune impulsion de commande la base de T, la tension u2 = u1 = E apparat au secondaire

du TI pour crer le courant damorage iG : cest la phase de magntisation.
Au blocage de T, les diodes D et Dz sont transitoirement passantes pour imposer une tension ngative au
primaire du TI. Ceci provoque la dcroissance puis lannulation du flux : cest la phase de dmagntisation.

Figure 32 commande par TI, le signal de commande permet au transistor T d'tre alternativement passant puis
bloqu pendant chaque demi-priode.

Exemple de carte de commande industrielle : la commande arccosinus

Dans le cas de la commande dun redresseur, il faut assurer une volution linaire de la tension moyenne de
sortie du pont. Lexpression de celle-ci est proportionnelle au cosinus de langle damorage. Si la commande
damorage varie suivant une fonction arccosinus, la relation entre la tension moyenne et la tension de
commande externe sera linaire.
Le schma de la Figure 33 reprsente une carte de commande de thyristor utilise dans un pont redresseur
command. Le potentiomtre P1 permet de rgler langle damorage tandis que et P2 contrle la largeur des
impulsions de commande.

26
 Figure 33 commande "arccosinus"

Isolement optique par opto-coupleur ou fibre optique

Lisolement galvanique de limpulsion de gchette peut tre obtenue par un intermdiaire optique : un opto-
coupleur et/ou une fibre optique par exemple.
Sur la Figure 34, le transistor de sortie du composant est satur lorsque la diode missive envoie une nergie
lumineuse suffisante. Il est bloqu sinon.

Linconvnient majeur de cette solution est la ncessit dune alimentation isole E2 rfrence par rapport la
cathode du thyristor Th pour fournir lnergie ncessaire au dblocage (donc une alimentation par composant si
les cathodes ne sont pas communes).
Par contre, ce systme possde lavantage de pouvoir transmettre des impulsions longues, et il est insensible
aux perturbations lectromagntiques.
Remarque : pour les systmes fonctionnant dans un environnement perturb sur le plan lectromagntique, ou
lorsque la distance entre la carte de commande et le dispositif de puissance est importante, lisolation par fibre
optique offre dexcellentes performances. Le principe de fonctionnement est le mme.

Figure 34 isolation galvanique par opto-coupleur

Exemples d'applications :

Figure 35 pont redresseur monophas thyristor (pont de Gratz)

27
Figure 36 pont redresseur triphas thyristors (pont de Gratz)

28
Thyristor GTO (Gate Turn Off)
Prsentation
Le thyristor GTO est un composant command la fermeture et louverture.
Ce composant a permis la motorisation des TGV transmanche par des machines asynchrones. En effet, la
machine asynchrone ne dveloppe pas, comme la machine synchrone, de forces contre lectromotrices
suffisantes pour teindre le thyristor n lorquon allume le n+2. Il faut donc des circuits dextinction pour la partie
onduleur, circuits base de condensateurs. Les condensateurs sont dautant plus volumineux que lnergie
couper est importante. Le volume de lensemble onduleur + circuit dextinction tait jug prohibitif pour un
quipement de motrices. Larrive du GTO a permis dconomiser le volume des condensateurs et donc
dquiper des locomotives.
Il est rversible en tension et supporte des tensions vAK aussi bien positives que ngatives lorsquil est bloqu.
Il nest pas rversible en courant et ne permet que des courants iAK positifs, c'est--dire dans le sens anode-
cathode, ltat passant.
A

Symbole du thyristor GTO

Le symbole comprend deux gchettes, une pour la fermeture de linterrupteur et une pour louverture. Dans la
ralit, la mme gchette sert injecter le courant gchette cathode pour commander la fermeture de
linterrupteur et extraire un courant gchette cathode pour ouvrir linterrupteur. Le courant extraire est
I AK
important, environ (par exemple, pour couper 600 A, il faut extraire un courant de gchette de 120 A
5
environ).
Un thyristor GTO ne peut couper un courant suprieur (en valeur instantane) une valeur prcise par le
fabricant (appel ITGQ). Cette valeur maximum est actuellement voisine de 1000 A pour les GTO les plus
performants.
Cette caractristique est trs importante car elle conditionne lempli du GTO. Il ne faut, en aucun cas, que les
conditions de charge puissent entraner une valeur de courant couper suprieure ITGQ.

29
Exercices
Exo n1

K
2
RC

R5
R4
C

T1 R3
1

T2

R1 R2

On donne : E = 100 V ; R1 = 0,1 ; R2 = 200 ; R3 = 100 ; R4 = R5 = 2 k ; C = 1 F.

Charge rsistive de rsistance RC = 10 .
Lintensit du courant de maintien de T2 est de 80 mA.

1. Expliquer les volutions du circuit lors de la squence suivante :

mise du circuit sous tension par fermeture de K ;
impulsion sur le bouton poussoir 1 ;
impulsion sur le bouton poussoir 2.

2. Prciser le rle de la rsistance R1 et de la diode D.

30
Exo n2
+E

A
C T2
D L
T1

B.P.

R2

R1 T3

R3

Dans le schma ci-dessus, E est une tension continue.

1. Analyse squentielle qualitative :

Quel est ltat du thyristor la mise sous tension du circuit ? Justifier la rponse.
Que se passe-t-il quand A souvre ?
Quadvient-il quand A se referme ?
Quel est leffet de lappui sur B.P. ?

2. Quelle est lutilit du composant D ?

3. Quel est le rle des deux composants T1 et T2 ? (prciser le nom du montage).
4. Que se passe-t-il en cas douvertures et de fermetures trs brves de A (vibrations) ?

31
exo n3

R3

R1
R4
L

12 V

+
Th
Alimentation
surveiller
T
- R5

R2

Le schma ci-dessus reprsente un avertisseur de coupure dalimentation lectrique.

Analyser ce montage qui dcle une coupure dalimentation, mme transitoire. On suppose le transistor T
normalement satur tant que la tension dalimentation surveiller est prsente.
Expliquer les rles respectifs de la batterie 12 V, de la diode D et du pont diviseur de tension R1, R2.

32
Le triac
Prsentation
Le Triac (TRIode for Alternative Current) est un composant permettant la ralisation de gradateurs pour les
puissances jusqu 30 kW environ (limite maximum : 50 A et 800 V). On le trouve surtout dans les ralisations
domestiques : rglage de luminosit des lampes incandescence, rglage de la puissance des radiateurs
lectriques, rglage de la vitesse des moteurs universels quipant de nombreux outils portatifs (moteurs
courant continu excitation srie avec circuit magntique feuillet).

Anode1

grille

Anode2

La structure du triac offrant une certaine symtrie (deux thyristors tte bche), il nest gure possible de
distinguer clairement une anode et une cathode. Nous dsignerons la connexion ct gchette par anode 2 ou
A2 et lautre par anode 1 ou A1.

A1 A1

iGK faible

iGK moyen fort

A2 A2
deuxime quadrant premier quadrant

troisime quadrant quatrime quadrant

A1 A1

iGK fort
iGK faible
A2 A2

Quadrants damorage du triac

Couramment, le premier et le troisime quadrant damorage sont utiliss dans les montages gradateurs.

33
Fonctionnement du triac
Le triac samorce par injection ou extraction dun courant de gchette suffisant. Ensuite, comme les thyristors, il
reste ltat dinterrupteur ferm tant que le courant A1 A2 reste suprieur au courant de maintien Ih. Ds que le
courant A1 A2 est infrieur Ih le triac redevient un interrupteur ouvert. Cela se produit chaque passage de la
tension secteur par 0 (soit 100 fois par seconde en 50 Hz). Il faut ramorcer le triac ensuite.
La commande analogique des triacs seffectue laide de Diac. Le diac est un composant symtrique seuil.
Pour simplifier, cest un interrupteur automatique qui se ferme ds que la tension ses bornes (peu importe le
sens de cette tension) devient suprieur un seuil (couramment 32 V). Cet interrupteur se r ouvre ds que le
courant qui le traverse sannule.

Schma quivalent du diac

Applications du triac : le gradateur

charge

220 V 50 Hz

Schma de principe du gradateur triac

34
Table des matires
Claude Chevassu A jour du 01/09/2005 .................................................................................... 1
Prsentation de l'lectronique de puissance : ............................................................................ 3
Principes fondamentaux : ....................................................................................................... 4
Aire de scurit en direct : .................................................................................................. 4
Classification des commutateurs de puissance ......................................................................... 5
Pertes Joule la coupure ou la fermeture : ..................................................................... 6
Diode de puissance ................................................................................................................... 8
Prsentation ....................................................................................................................... 8
Fonctionnement du composant parfait................................................................................ 8
Composant rel et ses imperfections.................................................................................. 8
Critres de choix dune diode ............................................................................................. 9
Protection du composant .................................................................................................... 9
Diode de roue libre ........................................................................................................... 10
Transistor bipolaire de puissance ............................................................................................ 11
Prsentation ..................................................................................................................... 11
Fonctionnement du composant parfait.............................................................................. 11
Choix dun transistor ......................................................................................................... 12
Protection du composant .................................................................................................. 12
Commutation du transistor................................................................................................ 13
Interfaces de commande .................................................................................................. 13
MOS et MOSFET de puissance ............................................................................................... 15
Prsentation ..................................................................................................................... 15
Fonctionnement et modles du composant parfait ........................................................... 15
Limites de fonctionnement ................................................................................................ 16
Transistor IGBT : le mariage du bipolaire et du MOS .............................................................. 16
Schma quivalent de lIGBT ........................................................................................... 17
Thyristor ordinaire .................................................................................................................... 20
Prsentation ..................................................................................................................... 20
Fonctionnement du composant parfait.............................................................................. 20
Constitution ....................................................................................................................... 21
Blocage par commutation naturelle .................................................................................. 22
Blocage par commutation force ...................................................................................... 22
Composant rel ................................................................................................................ 23
Amorage ......................................................................................................................... 23
Blocage............................................................................................................................. 24
Choix dun thyristor ........................................................................................................... 25
Protection du composant .................................................................................................. 25
Circuits de commande de gchette .................................................................................. 25
Mode de commande et prcautions.................................................................................. 25
Thyristor GTO (Gate Turn Off) ................................................................................................. 29
Prsentation ..................................................................................................................... 29
Exercices .......................................................................................................................... 30
Le triac ..................................................................................................................................... 33
Prsentation ..................................................................................................................... 33
Fonctionnement du triac ................................................................................................... 34

35
36
37