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de traction ferroviaire 25 kV
Problématique abordée
Le réseau ferré français comprend 14 507 kilomètres de lignes électrifiées sur un réseau
exploité de 28 918 kilomètres. Plus de 85 % du trafic fret et 90 % du trafic voyageur sont
écoulés sur la partie du réseau équipée de lignes électrifiées.
Actuellement, la SNCF met à l’étude des solutions permettant de mieux répondre aux
contraintes spécifiques de son réseau : fluctuation importante des puissances consommées
en fonction du trafic et pollution harmonique. Cette problématique est l’objet de l’étude
proposée qui s’appuie sur les données correspondantes à la sous station de Creil alimentant
un secteur double voie sur la ligne classique Paris-Lille. Le schéma de principe de la sous-
station de Creil est donné en annexe 1.
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Organisation du questionnaire
Partie A (pages 4 à 6) :
Bilan de puissance / Prédimensionnement du condensateur de compensation fixe
de puissance réactive
Chaque partie peut être traitée indépendamment des autres. Cependant, la problématique
est abordée selon une approche descendante et pour l’appréhender globalement, il vaut
mieux respecter la progression du questionnaire.
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Principales notations utilisées
grandeur instantanée : u, v, i
grandeur complexe : U, V, I
valeur efficace : U, V, I
amplitude : Û, Î
composante fondamentale : Uf, If
composante harmonique (rang n) : Uhn, Ihn
Remarque : quand il est demandé de calculer un courant ou une tension, sans autre
indication, il s’agit de sa valeur efficace.
• En convention récepteur
U
I A
ϕ
I Q>0:
puissance réactive absorbée
U
I Q<0:
puissance réactive fournie
ϕ
B
U
• En convention générateur
U
A
I
ϕ
I Q>0:
puissance réactive fournie
U
I Q<0:
puissance réactive absorbée
B ϕ
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Partie A : Bilan de puissance / Prédimensionnement du condensateur de
compensation fixe de puissance réactive
Le nombre de trains pouvant circuler simultanément sur le secteur alimenté par la sous
station de Creil est variable de 1 à 4. Une analyse du trafic montre que la présence
simultanée de 3 ou 4 trains est peu fréquente.
Dans cette 1ère partie, on va faire un bilan de puissance pour une situation typique, puis
prédéterminer la batterie fixe de compensation de puissance réactive. La situation choisie
pour l’étude correspond à la présence de 2 trains de voyageurs, tractés par des locomotives
BB 26000, qui se croisent à 20 km de la sous station.
La locomotive BB 26000, de puissance nominale 5800 kW, est équipée de 2 bogies
monomoteur de type synchrone triphasé. Elle fonctionne sur réseau 25 kV alternatif mais
aussi sur réseau continu 1500 V.
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♦ Tableau A-2 : Caractéristiques électriques de l’alimentation du circuit de traction
Elément Caractéristiques
QA-1 : • Déterminer numériquement tous les éléments du schéma électrique Fig. A-1, en
fonction des données du tableau A-2.
- rapport de transformation : m ;
- réactances : Xa, Xcc, Xl ;
- résistances : Ra, Rcc, Rl.
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QA-4 : • A partir des relations de QA-3, établir l’équation de UT en fonction de US0, Re, Xe,
P et Q. Résoudre l’équation et donner la valeur numérique de UT.
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Partie B : Etude de la batterie de compensation fixe
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Résultats de mesurages effectués au niveau des locomotives :
♦ Fondamental et harmoniques de rang 3, 5 et 7 du courant absorbé par l’ensemble des
2 trains.
Fondamental Harmoniques
ITf rang 3 : ITh3 rang 5 : ITh5 rang 7 : ITh7
Fréquence (Hz) 50 150 250 350
Valeur efficace (A) 520 128 40 29
Lr Is A IT Ll
Ic
Lt
Uc
Us0
C
Rt
B
Figure B-2 : Schéma équivalent avec compensation par condensateur
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• Etablir le modèle de Thévenin du générateur qui alimente la voie (dipôle à gauche
des points A et B).
• Calculer :
- la tension aux bornes de la batterie de compensation, en charge : UCf ;
- la puissance réactive fournie par le condensateur de compensation : Qc ;
- la composante fondamentale du courant dans le condensateur : Icf ;
- la composante fondamentale du courant au secondaire des transformateurs : Isf .
Pour les composantes harmoniques de courant, la charge constituée par les 2 trains est
modélisée par un générateur de courant.
Is (ω ) Ic (ω ) 1
• Etablir : As(ω ) = et Ac (ω ) = , en fonction de ω et ω0 = .
IT ( ω ) IT ( ω ) Lr .C
• Calculer les valeurs efficaces de Ic et Is, les harmoniques au delà du rang 7 étant
négligés.
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Etude de la compensation par condensateur et inductance série :
Lr I’s A IT Ll
I’c
Lt
Lb U’c
Us0
Rt
C
• Calculer la tension à vide U’c0 aux bornes du dipôle de compensation (C, Lb). Cette
tension est-elle conforme à la norme EN 50-163 qui fixe à 29 kV la tension maximale
du réseau d’alimentation des voies ?
• Calculer :
- la tension aux bornes du dipôle de compensation, en charge : U’Cf ;
- la puissance réactive fournie par le dipôle de compensation : Q’c ;
- la composante fondamentale du courant dans le dipôle de compensation : I’cf ;
- la composante fondamentale du courant au secondaire des transformateurs : I’sf .
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QB-6 : Synthèse de la compensation par condensateur et inductance série
• Calculer les valeurs efficaces de Ic et Is, les harmoniques au delà du rang 7 étant
négligés.
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Partie C : Principe d’un système de compensation régulée, basé sur des
onduleurs de tension MLI
La sous station de Creil est équipée d’une batterie de compensation fixe qui fournit une
puissance réactive de 5,5 MVAR, sous 26 kV. Pendant les périodes de fort trafic, cette
puissance est insuffisante pour supprimer toute facturation d’énergie réactive. Pour mieux
s’adapter au trafic, la SNCF envisage la mise en œuvre d’un compensateur régulé, installé
en parallèle avec la compensation fixe. Cet équipement, actuellement à l’étude, peut être
réalisé par des onduleurs de tension MLI.
(Un compensateur de puissance réactive comprenant un convertisseur statique à commande
MLI est appelé : compensateur actif de puissance réactive, dénomination utilisée dans la
suite du texte).
Au poste de comptage, une centrale de mesure d’énergie permet un relevé des puissances
active et réactive, toutes les 10 minutes. La puissance du compensateur régulé a été fixée à
3 MVAR, en fonction des relevés de l’année 2005. On vous propose de justifier ce choix à
partir des relevés du mercredi 16/02/05 entre 6h et 22h, correspondant à une journée de fort
trafic. Pour limiter les calculs, on donne uniquement les valeurs moyennes de P et de Q
consommées toutes les ½ heures (voir document réponse DRQC1).
Exemple :
1ère ligne du tableau : P = 15264 kW, Q = 7488 kVAR correspondent aux puissances
moyennes entre 6h et 6h ½, au poste de comptage.
QC-1 :
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Etude du principe du compensateur actif de puissance réactive.
Lb
Us0 Uc
C
Retour tension B
Carte de régulation I
VL
Retour courant L
Vs
Conditions d’étude :
- L’origine des phases est donnée par la tension caténaire délivrée par la sous station :
uc (t ) = U c . 2 sin ωt
- Le courant délivré par le compensateur, supposé alternatif sinusoïdal, est de la forme :
π
i (t ) = ± I 2 .sin(ωt − )
2
- La tension vs(t), de fréquence 50 Hz, s’exprime par :
vs (t ) = ma .ET sin ωt , avec
- ET : tension continue du convertisseur statique réalisé par la mise en série des
onduleurs de tension, ET = 43,2 kV ;
- ma : profondeur de modulation, 0 < ma < 1.
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QC-2 : Diagramme vectoriel
π π
Pour i (t ) = + I 2 .sin(ωt − ) , puis pour i (t ) = − I 2 .sin(ωt − ):
2 2
• Représenter le diagramme de Fresnel de Uc, I, Vs et VL.
Capteur de
tension Uc (p)
Ke Kv
Correcteur PI
+ +
+ V
Vs(p) +
- I(p)
ref
iref (p) Tc(p) Kond H(p)
-
imes (p)
Ki
Capteur de courant
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- la référence de courant iréf(t), parfaitement sinusoïdale, est à la même fréquence que la
π
tension caténaire mais est déphasée par rapport à celle-ci de ± selon le mode de
2
fonctionnement du compensateur ;
- le convertisseur statique réalisé par la mise en série des onduleurs de tension est modélisé
par un gain statique : Kond = 8640 V/V ;
- le capteur de courant est modélisé par un gain statique : Ki = 0,05 V/A ;
- le capteur de tension est modélisé par un gain statique : Kv = 100.10-6 V/V ;
- l’inductance a une valeur : L = 6,25 mH ;
- la fonction de transfert du correcteur Proportionnel Intégral est de la forme :
1 + Ti . p
Tc ( p) = K
Ti . p
• Pour Uc(p) = 0,
I mes ( p)
- établir la fonction de transfert en boucle ouverte TBO ( p ) = .
I réf ( p)
- calculer les paramètres K et Ti du correcteur PI pour obtenir en boucle ouverte une
bande passante de 200 Hz et une marge de phase de 60°.
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Partie D : Synthèse de la source de tension alternative réglable du
compensateur actif de puissance réactive.
Comme cela a été indiqué dans partie C, la source de tension Vs est réalisée par la mise en
série de douze onduleurs de tension.
Dans cette partie, avant d’aborder l’étude de cette architecture haute tension, nous
considérons d’abord le fonctionnement d’un seul onduleur.
Les interrupteurs statiques sont supposés idéaux : la tension à leurs bornes est nulle à l’état
passant et le courant qui les traverse est nul à l’état bloqué.
Le circuit de la figure D-1 comporte une cellule de commutation constituée des interrupteurs
K1 et K2. Il permet de contrôler l’énergie échangée entre la source de tension et la source de
courant. Les interrupteurs commutent à une fréquence constante notée fc. La période de
commutation est notée Tc (Tc = 1/fc).
La tension d’entrée E et le courant de sortie sont des grandeurs continues (i(t) = I).
ie1
K1
E
i(t)
K2 Vs1
Cellule de commutation
vréf S2
vtri
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Vtri est un signal triangulaire symétrique d’amplitude crête Vˆtri , il fixe la fréquence de
commutation des interrupteurs fc. Vréf est appelé signal modulant, son amplitude est telle
que Vréf < Vˆtri . Il permet de contrôler le rapport cyclique α1 de la commande des
interrupteurs.
• Quels sont la fréquence de découpage fdec et le nombre de niveaux Nniv obtenus sur la
tension de sortie Vs1(t) ?
• A partir des tracés précédant, établir en fonction du rapport cyclique α1, l’expression des
valeurs moyennes de Vs1(t) et ie1(t) respectivement notées Vs1moy et ie1moy.
• Donner l’expression du rapport cyclique α1 en fonction de Vréf et Vˆtri .
QD2 : Etude des formes d’ondes pour une association différentielle de cellules
de commutation
Grâce au modulateur présenté à la figure D-4, les deux cellules commutent à la même
fréquence fc, mais les rapports cycliques de leurs signaux de commande sont
complémentaires : α2 = 1 – α1. Pour cela, le signal modulant de la cellule 2 est égal à – Vréf.
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ie
ie2
ie1
K1 Vond1 K3
E
K2
i(t)
Vs1 Vs2 K4
-1 - vréf
S1 S3
vtri
S2 S4
vréf
vtri
Figure D-4 : Modulateur utilisé pour l’association des deux cellules de commutation
• Compléter le document réponse DRQD2 en traçant l’allure de Vs1(t), Vs2(t), Vond1(t) ie1(t),
ie2(t), ie(t) pour Vréf >0 et Vréf < 0.
• Quels sont la fréquence de découpage fdec et le nombre de niveaux Nniv obtenus sur la
tension de sortie Vond1(t) ?
• Par un bilan de puissance au niveau du convertisseur, montrer qu’il est possible de déduire
directement l’allure du courant ie(t) à partir du tracé de Vond1(t) et i(t).
• Α partir des tracés du document réponse DRQD2 établir en fonction du rapport cyclique α1,
l’expression des valeurs moyennes de Vond1(t) et ie(t) respectivement notées Vond1moy et
iemoy.
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QD3 : Modèle moyen d’un onduleur de tension MLI
La structure et la commande d’un onduleur de tension sont identiques aux circuits présentés
aux figure D-3 et D-4. Le signal modulant Vréf ainsi que la source de courant de sortie sont
des grandeurs alternatives sinusoïdales de pulsation ω telles que :
On suppose que la fréquence du signal triangulaire est très grande devant la fréquence du
signal modulant, ainsi à l’échelle d’une période Tc, le signal vréf(t) peut être considéré
comme constant.
π
• Dans le cas particulier où ϕ = , expliquer pourquoi la source de tension E peut être
2
remplacée par un condensateur dont la valeur moyenne de la tension aux bornes est égale à
E.
QD4 : Tracé des formes d’ondes instantanées pour un onduleur de tension MLI
• Compléter le document réponse DRQD4 en traçant l’allure de Vs1(t), Vs2(t), Vond1(t) et ie(t).
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QD5 : Synthèse des interrupteurs
VK1
iK1
E
i(t)
iK2
VK2 VS1
Afin de déterminer les caractéristiques des interrupteurs à utiliser, nous supposons qu’à
l’échelle d’une période de commutation, le courant i(t) reste constant et nous allons
considérer deux cas :
- Courant positif : i(t) = I
- Courant négatif : i(t) = - I
La tension Vs1(t) et le courant i (t) sont donnés dans le document réponse DRQD5.
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Etude de l’architecture haute tension
Caténaire L
= = =
i(t) Vond12 Vond8 Vond4
~ ~ ~
Filtre HF
= = =
Vond11 Vond7 Vond3
Rhf
~ ~ ~
uc(t) Vs(t) = = =
Vond10 Vond6 Vond2
Chf
~ ~ ~
= = =
Vond9 Vond5 Vond1
~ ~ ~
Rail
Ainsi, la mise en série permet de fonctionner sans transformateur sous une tension de
27,5 kV. D’autre part grâce à l’entrelacement des tensions délivrées par les onduleurs, elle
permet d’augmenter la fréquence apparente et le nombre de niveaux de la tension de sortie
Vs(t) ce qui minimise la valeur de l’inductance de la bobine de lissage du courant.
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QD6 : Etude de la mise en série de deux onduleurs de tension
K1 K3
Vond1 i(t)
VC1 = E
K2 K4
Vond1+Vond2
K5 K7
Vond2
VC2 = E
K6 K8
Pour entrelacer les tensions délivrées par deux onduleurs, les porteuses triangulaires des
modulateurs sont déphasées de π/2 (un quart de période Tc). Le document réponse DRQD6
présente les formes d’ondes des tensions Vond1(t) et Vond2(t) pour différentes valeurs de
Vréf.
• Compléter le document réponse DRQD6 en traçant l’allure de la tension totale délivrée par
les deux onduleurs : Vond1(t)+ Vond2(t) pour les différentes valeurs de Vréf.
• En reprenant les résultats des questions QD1, QD2 et QD6, rappeler la fréquence
apparente de découpage fdec et le nombre de niveaux Nniv de l’onde de tension délivrée
dans le cas :
- d’une cellule de commutation
- d’un onduleur de tension (deux cellules de commutation à commande entrelacées)
- de l’association série de 2 onduleurs de tension (quatre cellules de commutation)
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• A partir de ces résultats, en déduire pour une association de n cellules de commutation
dont les commandes sont décalées de 2.π/n :
• En déduire, pour les douze onduleurs en série, la fréquence apparente de découpage ainsi
que le nombre de niveaux de tension obtenus sur la tension Vs(t).
La figure D-8 représente à l’échelle d’une demi-période de commutation la tension Vs(t) dans
un cas où l’ondulation du courant i(t) à la fréquence apparente de découpage est maximale.
Vs(t) Tc Tc
48 24
E
Vsmoy t
0
Tc
2
Vˆtri
Figure D-8 : Forme d’onde de Vs(t) pour Vréf =
24
Tc
• En faisant l’hypothèse qu’à l’échelle d’une période de découpage ( ), la tension
24
caténaire Uc est constante et égale à Vsmoy, donner l’allure de ihf(t), composante haute
fréquence du courant i(t), et établir l’expression de son ondulation crête à crête ∆i.
• Quelle sera alors la valeur de la chute de tension aux bornes de la bobine pour la
composante fondamentale à 50 Hz lorsque le compensateur délivre son courant nominal ?
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Partie E : Détermination des pertes et des températures de jonction des semi-
conducteurs.
Pour réaliser les interrupteurs d’un onduleur, on a choisi les modules IGBT EUPEC
FZ 200 R 65 KF1 dont la documentation est fournie en annexe 3. Chaque module comprend
un transistor IGBT et une diode connectés en antiparallèle. Il faut donc quatre modules pour
réaliser un onduleur conformément à la figure E-1.
T1 T3
D1 D3
+
VC = 3600 V
-
T2 T4
D2 D4
Figure E-1 : Réalisation d’un bloc onduleur avec des modules IGBT.
Le document réponse DRQE1 présente les formes d’ondes des courants dans la diode D1 et
le transistor T1 lorsque l’onduleur délivre son courant nominal. Pour ce point de
fonctionnement, on a calculé pour les semi-conducteurs les grandeurs suivantes :
QE1 : Calcul des pertes en conduction dans le transistor IGBT et dans la diode.
Pour effectuer le calcul des pertes en conduction, les caractéristiques à l’état passant du
transistor IGBT et la diode sont linéarisées :
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• Le document constructeur indique la caractéristique à l’état passant de la diode IF = f(VF).
En considérant que la caractéristique linéarisée passe par les points IF = 50 A et IF = 200 A,
déterminer les valeurs de VD0 et rD puis calculer les pertes en conduction dans la diode :
PCOND_D.
Le document constructeur donne sur le même graphique, pour la diode et le transistor, les
énergies dissipées par commutation en fonction du courant commuté (IF = IC).
Pour le transistor les énergies dissipées à l’amorçage et au blocage sont précisées (Eon et
Eoff). Pour la diode, l’énergie dissipée à l’amorçage est négligeable, seule l’énergie dissipée
au blocage lors du recouvrement est indiquée (EREC).
• A partir de ces courbes données dans le document constructeur, compléter les tableaux du
document réponse DRQE1 puis calculer les pertes en commutation dans le transistor et la
diode :
• Calculer les pertes totales dans le transistor et la diode, puis les pertes par module.
• En supposant qu’à l’intérieur du module, les puces diode et transistor sont thermiquement
découplées, proposer un modèle thermique nodal permettant de calculer approximativement
en fonction des puissances dissipées et pour une température de refroidisseur donnée, la
température de jonction de la diode et du transistor.
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DOCUMENTS RÉPONSES
Ic(A)
Is(A)
• Valeur efficace de Ic : A
• Valeur efficace de Is : A
Ic(A)
Is(A)
• Valeur efficace de Ic : A
• Valeur efficace de Is : A
t
vtri
− Vˆtri
S1
1
0 t
vS1
E
0 t
ie1
I
0 t
α1 T c
Tc
vtri t vtri t
0 t 0 t
α2Tc α2Tc
vS2 vS2
E E
0 t 0 t
Vond1 Vond1
E E
0 t 0 t
-E -E
ie1 ie1
I I
0 t 0 t
ie2 ie2
0 t 0 t
-I -I
ie ie
I I
0 t 0 t
-I -I
+E Vs1 (t )
0 t
+E Vs 2 (t )
t
0
+E
Vond 1 (t )
t
0
-E
ie (t ) t
i (t )
− i (t )
DRQD4 : Onduleur de tension MLI : Tracé des formes d’ondes
i(t) > 0 vS1(t) i(t)< 0
vS1(t)
E E
0 t 0 t
i (t) i (t)
I 0 t
0 t -I
vK1 vK1
E E
0 t 0 t
iK1 iK1
+I +I
0 t 0 t
-I -I
vk2 vk2
E E
0 t 0 t
ik2 ik2
I I
0 t 0 t
-I -I
iK1 iK1
I I
vK1 vK1
E E
-I iK2 -I iK2
I I
vK2 vK2
E E
-I -I
0 t
-E
Vond1+Vond2
2E
0 t
-E
-2E
3 1 1 3
Vréf = − .Vˆtri Vréf = − .Vˆtri Vréf = .Vˆtri Vréf = .Vˆtri
4 4 4 4
DRQD6 : Mise en série de deux onduleurs de tension : Tracé des formes d’ondes
ID1(A)
5
1
4
2 3
IT1(A) 3’
3 4
2’ 4’
2 5
5’
1’
1 t
20 ms
1 1'
2 2'
3 3'
4 4'
5 5'
e dissipée sur 20 ms
Energie Totale e dissipée sur 20 ms
Energie Totale
1
2
e dissipée sur 20 ms
Energie Totale
Réseau triphasé 63 kV
Rails
Caténaire voie 2
Rails
Transformateurs 63 kV/27,5 kV
Compensation
de puissance
réactive
Comptage
d’énergie
Sous station
Ik Ik
Ik Ik
V
k Vk
V V
k k
Fonction Transistor Diode
Ik Ik
Ik Ik
Vk V
V k
k off
on Vk
FonctionThyristor FonctionThyristor-dual
Gesamt-Verlustleistung
TC=25°C, Transistor Ptot 3,8 kW
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
IF 200 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 400 A
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 10,2 kV
insulation test voltage
Teilentladungs Aussetzspannung
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) VISOL 5,1 kV
partial discharge extinction voltage
Gate-Schwellenspannung
IC = 35mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 6,4 7,0 8,1 V
gate threshold voltage
Gateladung
VGE = -15V ... +15V QG - 2,8 - µC
gate charge
Eingangskapazität
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 28 - nF
input capacitance
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current
Modulinduktivität
LsCE - 25 - nH
stray inductance module
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj, max - - 150 °C
maximum junction temperature
Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Kriechstrecke
56 mm
creepage distance
Luftstrecke
26 mm
clearance
CTI
>600
comperative tracking index
Gewicht
G 500 g
weight
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
450
400
25°C
350 125°C
300
IC [A]
250
200
150
100
50
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
VCE [V]
450
400
20V
350 15V
12V
10V
300
250
IC [A]
200
150
100
50
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
VCE [V]
450
400
25°C
350 125°C
300
250
IC [A]
200
150
100
50
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
VGE [V]
450
400
25°C
350 125°C
300
250
IF [A]
200
150
100
50
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0
VF [V]
5500
5000
4500 Eon
Eoff
4000 Erec
3500
E [mJ]
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
IC [A]
4000
3600
Eon
3200 Eoff
Erec
2800
2400
E [mJ]
2000
1600
1200
800
400
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
RG [Ω]
450
400
350
300
Tvj=125°C
250 Tvj=25°C
IC [A]
200
150
100
50
0
2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 6000 6500
450
400
350
300
250
IR [A]
200
150
100
50
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
i 1 2 3 4
Äußere Abmessungen /
extenal dimensions
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
QA-1 : • Déterminer numériquement tous les éléments du schéma électrique Fig. A-1, en
fonction des données du tableau A-2.
Us0 27,5.103
• Rapport de transformation : m = = = 0,4365
Up 63.103
• Réseau HTB :
• Ra = Za .cosϕcc
Sn Ucc% . U2s0
• Ucc = Zcc . Isn = Zcc . ⇒ Zcc =
Zcc Us0 100 . Sn
Ucc% = 12
Isn
Ucc Us0 = 27,5.103 V ⇒ Zcc = 5,5 Ω
Sn = 16,5.106 VA
Pc Pc . U2s0
• Pc = Rcc . I2sn ⇒ Rcc = =
I2sn S2n
Pc = 344.103 W
Us0 = 27,5.103 V ⇒ Rcc = 0,955 Ω
Sn = 16,5.106 VA
• Xl = 20 . Xi = 20 . 0,28 = 5,6 Ω
Us0 UT
- R'a, X' a : résistance et réactance du réseau HTB diphasé, ramenées au secondaire des
transformateurs
Ra′ = 2 . m2 . Ra ; X a′ = 2 . m2 . X a
Ra = 0,965 Ω
X a = 5,276 Ω ⇒ R′a = 0,368 Ω ; X ′a = 2,01Ω
m = 0,4365
• Valeurs numériques de Re et Xe :
X e = X ′a + X ′cc + X l ⇒ X e = 10,32 Ω
Us0
j.Xe. IT
UT
O
ϕ A B
Re. IT
IT
QA-4 : • A partir des relations de QA-3, établir l’équation de UT en fonction de US0, Re, Xe,
P et Q. Résoudre l’équation et donner la valeur numérique de UT.
• Calculer ensuite le courant IT.
• Calculer la tension en charge US, au secondaire des transformateurs.
Us0 − UT = Re .IT .cosϕ + X e .IT .sinϕ
P
IT .cosϕ =
UT P Q
⇒ Us0 − UT = Re . + Xe .
Q UT UT
IT .sinϕ =
UT
−b + ∆
• On retient la solution : UT = = 23,3.10 3 V
2a
P2 + Q2
• On calcule le courant par la relation : IT =
UT
P = 11500.103 W
Q = 6500.103 VAR ⇒ IT = 567 A
UT = 23,3.103 V
• Tension en charge au secondaire des transformateurs :
Us = UT + (R l .cosϕ + X l .sinϕ). IT
P
cosϕ = = 0,87 ⇒ Us = 25,75.103 V
P2 + Q2
Qc
C= ⇒ C = 20,5.10−6 F
U2s . ω
P = 11500.103 W
Q = 6500.103 VAR
⇒ Rt = 42,5 Ω ; L t = 76,5.10−3 H
ITf = 520 A
−1
ω = 100.π rd.s
• Calculer la tension à vide Uc0 aux bornes de la batterie de compensation. Cette tension
est-elle conforme à la norme EN 50-163 qui fixe à 29 kV la tension maximale du réseau
d’alimentation des voies ?
Uc0 1 1 1
On peut écrire : = × =
Us0 jCω
j (Lr ω −
1
) 1− Lr Cω2
Cω
1
En posant : ω0 = , pulsation propre du circuit Lr-C, on écrit :
Lr C
1
Uc0 = Us0 .
1− (ω / ω0 )2
3
Us0 = 27,5.10 V
ω = 100.π rd.s−1 ⇒ Uc0 = 28,45.103 V
1
ω0 = = 1715 rd.s−1
−3
17.10 . 20.10−6
Modèle de Thévenin
Lr A Zth A
Us0 Uc Z Eth Uc Z
C
B B
1
• Eth = tension entre A et B en circuit ouvert ⇒ E th = Uc0 = Us0 .
1− (ω / ω0 )2
A.N. : Eth = Uc0 = 28,45.103 V
• Zth = impédance formée par Lr et C en parallèle
1 1− Lr Cω2
⇒ Yth = + jCω =
jLr ω jLr ω
jLr ω jLr ω
⇒ Zth = =
2
1− Lr Cω 1− (ω / ω0 )2
Lr
A.N. : Zth = jL′r ω avec L′r = ⇒ L′r = 17,6.10−3 H
2
1− (ω / ω0 )
• Calculer :
- la tension aux bornes de la batterie de compensation, en charge : Ucf :
Z Z
Ucf = Uc0 × = Uc0 ×
Z + Zth Z′
Z = Rt + j (X t + X l ) ω = 42,5 + j 29,7
⇒ Ucf = 26,73.103 V
Z′ = Rt + j (X t + X l + X r′ ) ω = 42,5 + j 35,2
P2 + ΣQ2
On en déduit le courant : Isf = ⇒ Isf = 450 A
Ucf
Ll
Is(ω) IC(ω)
IT(ω)
Lr C
Is (ω ) Ic (ω ) 1
• Etablir : As(ω ) = et Ac (ω ) = , en fonction de ω et ω0 = .
IT ( ω ) IT ( ω ) Lr .C
ZC 1
Is(ω ) = IT(ω ) × = IT(ω ) ×
ZC + ZLr 1 + YC . ZLr
1 Is(ω) 1
d'où : Is(ω) = IT(ω) × ⇒ A s(ω) = =
2
1 − (ω / ω0 ) IT(ω) 1 − (ω / ω0 )2
ZLr 1
IC(ω) = IT(ω) × = IT(ω) ×
ZLr + ZC 1 + YLr . ZC
1 IC(ω) 1
d'où : IC(ω) = IT(ω) × ⇒ A C(ω) = =
2
1− (ω0 / ω) IT(ω) 1− (ω0 / ω)2
Ac(ω)
As(ω)
G(db) G(db)
+40 +40
+20 +20
ω(rd/s) ω(rd/s)
0,1.ω0 ω0 10.ω0 0,1.ω0 ω0 10. ω0
-20 -20
-40 -40
ϕ ϕ
ω0 ω(rd/s) ω0 ω(rd/s)
0,1.ω0 10.ω0 0,1.ω0 10. ω0
-180° -180°
1
Ish3 = ITh3 .
1− (3.100.π / ω0 )2
ITh3 = 128 A
⇒ Ish3 = 183 A
ω0 = 1715 rd.s−1
ITh7 = 29 A ⇒ Ish7 = 45 A
1
ICh3 = ITh3 .
1− (ω0 / 3.100.π)2
ITh3 = 128 A
⇒ ICh3 = 55,4 A
ω0 = 1715 rd.s−1
ITh7 = 29 A ⇒ ICh7 = 74 A
• Calculer la tension à vide U’c0 aux bornes du dipôle de compensation (C, Lb).
On peut écrire :
1
j (Lb ω − )
U′c0 Cω 1− (ω / ω′0 )2 1 1
= = avec : ω′0 = et ω′0′ =
Us0 1 2
j ((Lr + Lb )ω − ) 1− (ω / ω0′′ ) Lb . C (Lr + Lb ). C
Cω
Us0 = 27,5.103 V
ω0′ = 754 rd.s−1 ⇒ U′c0 = 28,67.103 V
ω0′′ = 690 rd.s−1
1− (ω / ω0′ )2
Z′th = j.Lr ω × = j.Lr′′ω
1− (ω / ω0′′ )2
1− (ω / ω′0 )2
Lr′′ = Lr × ⇒ L′r′ = 17,7.10−3 H
2
1− (ω / ω0′′ )
• Calculer :
- la tension aux bornes du dipôle de compensation, en charge : U’cf :
Z Z
U′cf = Uc0 × = Uc0 ×
Z + Z′th Z′′
Z = Rt + j (X t + X l ) ω = 42,5 + j 29,7
⇒ Ucf = 26,9.103 V
Z′′ = Rt + j (X t + X l + X ′r′) ω = 42,5 + j 35,3
P2 + ΣQ2
⇒ I′sf = ⇒ I′sf = 438 A
U′cf
ZLr (ω / ω0 )2 (ω / ω0 )2
′
IC(ω) = IT(ω) × = IT(ω) × d'où : A ′C(ω) =
ZC,Lb + ZLr (ω / ω0′′ )2 − 1 (ω / ω0′′ )2 − 1
Ac(ω)
As(ω)
G(db) G(db)
+40 +40
+20 +20
ω0 ω(rd/s) ω’0
ω(rd/s)
0,1.ω"0 ω"0 ω’0 0,1. ω"0 ω"0 ω0 10. ω"0
10. ω"0
-20 -20 -16 db
-40 -40
ϕ ϕ
ω(rd/s) ω(rd/s)
-180° -180°
(300.π / 754)2 − 1
I′sh3 = 128. ⇒ I′sh3 = 83 A
(300.π / 690)2 − 1
(500.π / 754)2 − 1
I′sh5 = 40. ⇒ I′sh5 = 32 A
(500.π / 690)2 − 1
(700.π / 754)2 − 1
I′sh7 = 29. ⇒ I′sh7 = 24 A
(700.π / 690)2 − 1
(300.π / 1715)2
I′Ch3 = 128. ⇒ I′Ch3 = 45 A
(300.π / 690)2 − 1
(500.π / 1715)2
′ = 40.
ICh5 ⇒ I′Ch5 = 8 A
(500.π / 690)2 − 1
(700.π / 1715)2
I′Ch7 = 29. ⇒ I′Ch7 = 5,2 A
(700.π / 690)2 − 1
QB-7 :
• Conclure sur l’intérêt de réaliser la compensation de puissance réactive par un dipôle L - C,
en précisant le critère de dimensionnement de L.
La fréquence propre du circuit Lb-C doit être légèrement inférieure à celle du premier
harmonique présent (en monophasé : rang 3).
QC-1 :
π
- Pour i(t) = +I 2 . sin (ωt − )
2
Uc Vs
ϕ jLω I
I
- pas d'échange de puissance active puisque I est en retard de π/2 par rapport à Uc,
π
- Pour i(t) = −I 2 . sin (ωt − )
2
I
ϕ
Uc
Vs jLω I
- pas d'échange de puissance active puisque I est en avance de π/2 par rapport à Uc,
ma .E T .Uc U2c
On en déduit : Q = −
2 .Lω Lω
U2c ma .E T m .E
• Q peut se mettre sous la forme : Q = .( − 1) = Qcc . ( a T − 1)
Lω 2 .Uc 2 .Uc
Q
= 1,111 . ma − 1
Qcc
Q/Qcc
+ 0,11
ma
0,8 0,85 0,9 0,95 1
- 0,11
• Quand il n'y a pas de train sur le secteur, il est intéressant que le compensateur actif puisse
absorber de la puissance réactive pour éviter une surcompensation et donc une surtension
sur la caténaire.
Pour une marge de phase de 60°, la courbe de gain doit couper l'axe 0 db avec une pente
de - 20 db/dec.
G(db)
+40
- 40 db/dec
+20
ωc
ω
ωi ω0
- 20 db/dec
ϕ
ω
- 90°
m de ϕ
- 180°
Pour ω = ωc :
ωc ωc
m de ϕ = Arc tg ; m de ϕ = 60° ⇒ ωi =
ωi 3
1+ (ωc / ωi )2 ωc
TBO ( jω ) = =1 ⇒ ω0 =
2
(ωc / ω0 ) 2
A.N. :
L = 6,25.10−3 H
K ond = 8640 V / V
⇒ Ti = 1, 38.10−3 s ; K = 15,7.10-3
K i = 0,05 V / A
ωc = 2.π.200 = 1257 rd / s
• Calculer la valeur de Ke
+
Uc(p) Kv Ke Kond εc(p)
1
εc (p) = Uc (p). (K v . K e . K ond − 1) ; εc (p) = 0 ⇒ Ke = = 1,157
K v . K ond
+ amplitude I
Référence Regul
Uc PI
−
Calcul Référence I
uc(t) valeur efficace
Déphaseur
de π/2 phase I
QD2 : Etude des formes d’ondes pour une association différentielle de cellule
de commutation
• D’après le tracé, on voit que fdec = 2.fc et que Nniv = 3 (-E, 0, +E).
Vond 1 (t )
• Puissance instantanée : p = E.ie(t) ; p = Vond1(t).I(t) d’où ie (t ) = .i (t )
E
• Dans le cas où ϕ = 90°, la composante continue de iemoy est nulle. Si la source de tension
est remplacée par un condensateur, celui-ci conservera une tension égale à E en valeur
moyenne à l’échelle de la période de iemoy(t).
1 m .I 2 1
v c (t ) = E − ∫ iemoy (t ).dt = E + a . sin (2.ω.t − ϕ ). .
C 2 2.C.ω
26/11/07 16/20 Corrigé partie E
Corrigé
m a .I 2
D’où l’ondulation crête à crête : ∆Vc = . Pour ∆VC = 180 V ; I = 120 A ; C = 1,36 mF.
2.C.ω
QD4 : Tracé des formes d’ondes instantanées pour un onduleur de tension MLI
•
Dans le cas où le courant est positif :
K2 utilise deux segments perpendiculaires de signes contraires, les deux commutations sont
spontanées (amorçage et blocage). C’est donc une diode.
K1 utilise deux segments perpendiculaires de signes contraires, les deux commutations sont
spontanées (amorçage et blocage). C’est donc une diode.
k1
i
E
k2
• Le tracé des formes d’ondes montre que fdec = 4. fc et Nniv = 5 (-2.E, - E, 0 , E, 2.E)
•
1 Cellule : fdec = fc et Nniv = 2 (0 , E).
• Des résultats qui précèdent, on en déduit que pour n Cellules de commutation : fdec = n. fc
et Nniv = n+1.
Ainsi pour les douze onduleurs, on a n = 24. Ce qui donne fdec = 24.fc et Nniv = 25.
•
Vs(t) Tc Tc
48 24
E
Vsmoy t
0
Tc
ihf(t)
2
∆I
t
∆I T E
• Lorsque Vs(t) = E, on a : L = E − Vsmoy avec ∆T = c et Vsmoy =
∆T 48 2
E
Ainsi : ∆I = , d’où L = 6,25 mH pour ∆I = 12 A E = 3600 V et fc = 500 Hz.
96.L. f c
QE1 : Calcul des pertes en conduction dans le transistor IGBT et dans la diode.
∆VCE
rT = = 12,8mΩ ; VT 0 = VCE − rT .I C = 2,68V
∆I C
∆VD
rD = = 12,6mΩ ; V D 0 = V D − rD .I F = 1,38V
∆I F
•
Ptot_T = 118 + 230 + 180 = 528 W ; Ptot_D = 82,6 + 90 = 173 W ;
Rthjc_T
transistor RthCK
Ptot_T Dissipateur
Semelle
θjT Rthjc_D
Diode θh
Ptot_D
θjD
•
θ jT = θ h + Rt hjc _ T .Ptot _ T + RthCK ( Ptot _ T + Ptot _ D ) = 78,6°c
θ jD = θ h + Rt hjc _ D .Ptot _ D + RthCK ( Ptot _ T + Ptot _ D ) = 72,1°c
Ic(A) 205 45 8 5
Is(A) 438 83 32 24
(W’r – Wr) / Wr = 82 %
t
vtri
− Vˆtri
S1
1
0 t
vS1
E
0 t
ie1
I
0 t
α 1Tc
Tc
vtri t vtri t
0 t 0 t
α2Tc α2Tc
vS2 vS2
E E
0 t 0 t
Vond1 Vond1
E E
0 t 0 t
-E -E
ie1 ie1
I I
0 t 0 t
ie2 ie2
0 t 0 t
-I -I
ie ie
I I
0 t 0 t
-I -I
+E Vs1 (t )
0 t
+E V s 2 (t )
t
0
+E
Vond 1 (t )
t
0
-E
ie (t ) t
i (t )
− i (t )
DRQD4 : Onduleur de tension MLI : Tracé des formes d’ondes
i(t) > 0 vS1(t) i(t)< 0
vS1(t)
E E
0 t 0 t
i (t) i (t)
I 0 t
0 t -I
vK1 vK1
E E
0 t 0 t
iK1 iK1
+I +I
0 t 0 t
-I -I
vk2 vk2
E E
0 t 0 t
ik2 ik2
I I
0 t 0 t
-I -I
iK1 iK1
Diode
I Transistor I
vK1 vK1
E E
-I iK2 -I iK2
I I Transistor
vK2 vK2
E E
Diode
-I -I
0 t
-E
Vond1+Vond2
2E
0 t
-E
-2E
3 1 1 3
Vréf = − .Vˆtri Vréf = − .Vˆtri Vréf = .Vˆtri Vréf = .Vˆtri
4 4 4 4
DRQD6 : Mise en série de deux onduleurs de tension : Tracé des formes d’ondes
ID1(A)
5
1
4
2 3
IT1(A) 3’
3 4
2’ 4’
2 5
5’
1’
1 t
20 ms
1 0 0 1'
72 0,5
2 80 0,8 2' 143 0,8
3 159 1,5 3' 170 1,0
4 159 1,5 4' 143 0,8
5 80 0,8 5' 72 0,5
Energie Totale
e dissipée sur 20 ms 4,6 e dissipée sur 20 ms
Energie Totale 3,6
Energie Totale
e dissipée sur 20 ms 1,8