11/09/01 Cours d ’électronique analogique 1

SEMICONDUCTEURS
XV – L’amplificateur opérationnel parfait

-
Zediff A V2
+ Zsortie
Ze

•Gain en tension infini ~ 103 à 106

•Impédance d’entrée différentielle, Zediff infinie ~ 104 à 109
•Impédance d’entrée Ze infinie ~ 104 à 109
•Impédance de sortie nulle ≤ 100 Ω

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 2

 REACTION ET CONTRE REACTION
I – BOUCLE OUVERTE - BOUCLE FERMEE

Considérons un amplificateur A qui est attaqué par une source S et qui attaque lui-même
un circuit de charge C :

S1 S2
Amplificateur
Source Charge
Gain : A

Ce montage est dit en boucle ouverte

S1 est le signal en entrée de l’amplificateur
S2 est le signal en sortie de l’amplificateur

S2 = A.S1

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 3

 REACTION ET CONTRE REACTION
I – BOUCLE OUVERTE - BOUCLE FERMEE (suite)

Mais, …
le gain de l’amplificateur peut varier à cause de différents paramètres extérieurs
• Température,
• Dérive des tensions d’alimentation,
• Changement d’un composant,
• Etc…

Il faut donc trouver le moyen de stabiliser le gain de l’amplificateur. Le moyen le plus

simple consiste à réinjecter une partie du signal de sortie, S2, en entrée de
l’amplificateur (c’est à dire sommer cette partie de S2 avec S1).

On dit alors que l’on opère une réaction de la sortie sur l’entrée (on parle aussi
d’asservissement de l’entrée par la sortie).

Le système est dit alors en boucle fermée

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 4

 REACTION ET CONTRE REACTION
I – BOUCLE OUVERTE - BOUCLE FERMEE (suite)

Deux cas se présentent alors :

1. Le signal réinjecté à l’entrée est en phase avec le signal d’entrée, on parle alors
de réaction positive (que l’on désignera tout simplement par réaction). Nous
verrons par la suite que la réaction est à l’origine de la conception des
oscillateurs.

2. Le signal réinjecté à l’entrée est en opposition de phase avec le signal d’entrée,

on parle alors de réaction négative (que l’on désignera plus simplement par
contre-réaction

Amplificateur S2=A.S1
Source S S1=S - Sr Gain : A
Charge C

S2 B est le gain de la chaîne de

B contre-réaction.
Sr = B.S2 B comme A peut être réel ou
complexe
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 5
 REACTION ET CONTRE REACTION
I – BOUCLE OUVERTE - BOUCLE FERMEE (suite)

Dans le système contre-réactionné le gain global, comme nous allons le voir, est
différent du gain de l’amplificateur utilisé seul. Nous avons en effet :

S1 = S − Sr= S − B.S2 S2 = A.S1 S2 = A.(S − BS2)

S2
ACR = = A
S 1 + AB

∆ACR
Si A varie de ∆A alors : ∆ACR = ∆A 2 Soit : = 1 ∆A
(1+AB) ACR 1+AB A

Donc le système contre-réactionné est beaucoup plus stable (division par (1+AB)) que
le système en boucle ouverte, mais le gain obtenu est plus faible. Il faut donc qu’au
départ le gain de l’amplificateur soit très grand (c’est d’ailleurs pour cela que l’on
utilise très souvent de amplificateurs opérationnels dont le gain peut dépasser les 105).
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 6
 REACTION ET CONTRE REACTION
I – BOUCLE OUVERTE - BOUCLE FERMEE (suite)

On peut alors définir le facteur de sacrifice (ou taux de rétroaction) comme étant le
rapport de A à ACR soit :

S = A = 1 + AB
ACR

Nous allons voir maintenant les différentes possibilités de contre-réaction. Pour ce

faire nous allons utiliser une représentation quadripolaire en considérant les
différentes possibilités d’association du quadripole amplificateur et du quadripole
contre-réaction. Nous avons ainsi quatre possibilités d’association :

• Association série
• Association parallèle
• Association série-parallèle
• Association parallèle-série

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 7

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 1 Montage série-parallèle (tension – tension) Gain

i i2
1
e = V1 − VCR VCR = B.V2
e A V2 Rc
Rg V2 = A.e = A(V1 − VCR) = A.(V1 − B.V2)
V1 i1
V2
Eg ACR = = A
VCR B V2 V1 1 + AB

Impédance d’entrée e = Ze.I1 V1 = Ze .I1

CR Impédance de sortie
V1 = e + VCR= e + B.V2 = e.(1 + AB)
Zs
V1 Zs =
1 + AB
Ze = = Ze(1 + AB) CR

I1
CR

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 8

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 1 Montage série-parallèle (tension – tension) – Quelques exemples

A – Suiveur de tension

+
A V2
-
1 0
R T1 × T2 =  
V0 V1
 0 0 

B=1
1 R
T1 =  
 0 1 
V2 A
1 0 ACR = = = A =1
V1 1 + AB 1 + A
T2 =  
 0 0  V2 = V1
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 9
 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 1 Montage série-parallèle (tension – tension) – Quelques exemples

B – Amplificateur non inverseur
+
1 R V2
T1 =   A
 0 1  -
R
V0 V1

R2
 1 0 VCR R1
T2 =  ACR 
 0 0  R1
B=
R1 +R2

 1 0 V2 R + R2
T1 × T2 =  ACR  ACR = = A = 1
 0 V1 1 + AB R1
0 
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 10
 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 2 Montage parallèle-parallèle (courant – tension)

ie i2
i1
Eg Rg
V1 A V2 Rc

iCR

Gain Ie = I1 − ICR VCR B V2

ICR = B.V2 V2 = A.Ie

Impédance d’entrée V1 = ZeCR.I1 = Ze.Ie
V2
ACR = = A Ze Impédance de sortie
I1 1 + AB Ze = << Ze
1 + AB
CR
Zs
B est une admittance et Zs =
A une résistance 1 + AB
CR

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 11

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 2 Montage parallèle-parallèle (courant – tension)

Un exemple
V1 − R2ICR = −V2 I1 Ie
-
V1(A + 1) = R2ICR V1 A V2
+
RI Convertisseur ICR
V1 = 2 CR Courant-tension
A+1

V2 = −AV1 ≅ −R2ICR = −R2I1

R2

− 1 0
A C’est comme si l’on avait une masse
T2 =  1 
− 0 virtuelle sur l ’entrée inverseuse
 R2 

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 12

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 2 Montage parallèle-parallèle (courant – tension)

Un autre exemple: I1 Ie
-
R1
V0 V1 A V2
+
ICR

1 R1 
T1 =  
 0 1  R2
x
− 1 0
A
T2 =  1 
− 0
 R2   − 1 + R1
A R2
( ) 0 R2
T = T1 × T2 =   V2 ≅ − V
 − 1 0 R1 1
 R2 
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 13
 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 3 Montage série -série (tension – courant)

i i2
1

e A Gain V1 = e + VCR
Rg
V1 i1 i2 V2 Rc
VCR = B.I2 I2 = A.e
Eg I2
VCR B ACR = = A
V2 1 + AB

Impédance d’entrée Impédance de sortie

V1 = Ze .I1 e = Z .I
e 1
CR Zs = Zs.(1 + AB)
Ze = Ze.(1+AB)
CR

CR

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 14

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 4 Montage parallèle-série (courant – courant) Gain

ie i2
i1
Eg Rg Ie = I1 − ICR I2 = A.Ie
V1 A
ICR = B.I2
iCR i2 V2 Rc
I2
ACR = = A
VCR B I1 1 + AB

Impédance d’entrée
Impédance de sortie
V1 = Ze .I1 V1 = Ze.Ie
CR
Zs = Zs.(1 + AB) >> Zs
Ze CR

Ze = << Ze
CR 1 + AB
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 15
 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 5 Les différents montages à amplificateurs opérationnels

A – Suiveur de tension B – Amplificateur non inverseur

R2
R1
- -
R R’
+ VS + VS

Ve Ve

R2
VS = Ve VS = (1 + )V
R1 e

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 16

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 5 Les différents montages à amplificateurs opérationnels

C – Sommateur non inverseur

Ve1 − Ve2 = 2.R' I

R2
R1
- Ve = Ve1 − R' I = Ve1 − Ve1 − Ve2 = Ve1 + Ve2
2 2
R' R2 Ve1 + Ve2
+ VS Donc : VS = (1 + R ) 2
Ve1 1

R' Ve Et plus généralement si l’on a n entrées

et n tensions d’entrée Vei :
Ve2
n
R2 i∑ Vei
VS = (1 + ) = 1
R1 n

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 17

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 5 Les différents montages à amplificateurs opérationnels

D – Amplificateur inverseur E – Sommateur inverseur

R2 R2
R1 R1
Ve1
- -
Ve R1
+ VS
Ve2
+ VS

R’ R’

Masse virtuelle à l’entrée : Ve1 R2

I1 = I = I1 + I2 VS = − (V + Ve2)
R1 R1 e1
VS = −R2I
R2
VS = − V V Et plus généralement :
Ve = R1I R1 e I2 = e2
R1 R2 n
VS = −
R1 i∑
V
=1 ei

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 18

 REACTION ET CONTRE REACTION
II – BOUCLE FERMEE – Contre réaction

II – 5 Les différents montages à amplificateurs opérationnels

E – Intégrateur E – Dérivateur

C C R2
R1
- -
Ve Ve
+ VS + VS

R’ R’

Masse virtuelle à l’entrée :

t
VS(t) = −Ri(t)
VS(t) = − 1 ∫ i(t)dt t
dVe(t)
C0 VS = − 1 V (t)dt
RC 0∫ e dVe(t) VS = −RC
dt
Ve(t) = R1i(t) i(t) = C
dt
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 19
 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs

Il existe différent types d’oscillateurs :

Oscillateurs à résistance différentielle négative. Il s’agit de circuits oscillants dont les
pertes sont compensées par un amplificateur formé d’un dipole à résistance
différentielle négative.

Oscillateurs à amplificateur réactionné. Il s’agit d’amplificateurs sur lesquels on opère

une réaction de la sortie sur l’entrée c’est à dire que le signal de sortie est en phase
avec le signal d’entrée.
Quel que soit le type d’oscillateurs, le principe de fonctionnement est le même à savoir
que la source initiale qui va donner naissance aux oscillations est le bruit électronique
(bruit blanc) présent dans le circuit. Un circuit accordé sélectionne dans ce bruit une
fréquence particulière que l’amplificateur en aval du circuit accordé va se charger
d’amplifier. Ce signal amplifié puis a nouveau filtré par le circuit accordé est alors
réinjecté, en phase avec le signal initial, à l’entrée de l’amplificateur (réaction positive).

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 20

 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs

Amplificateur S2=A.S1
S1=S + Sr Gain : A
Charge C

Circuit accordé
S2
Sr = B.S2 Gain B

B est le gain de la chaîne de réaction.

B comme A peut être réel ou complexe

Comme on peut le voir sur ce schéma, pour que les oscillations naissent puis
s’amplifient, il faut que le produit des gains A et B soit supérieur à 1. Les oscillations
seront entretenues lorsque le produit des gains sera unitaire. C’est ce que l’on appelle
la condition de BARKHAUSEN.

AB = 1
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 21
 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs

Ainsi :
•Si AB<1 les oscillations ne peuvent prendre naissance et si elles existent elles
s’amortiront
•Si AB>1 l’amplitude des oscillations aura tendance à croître et ne sera limitée que par
la non linéarité du système d’amplification.

Différents types d’oscillateurs

Diode tunnel,

R1
thyratron, …

R2
C2 C3 C4

R5

R6

R7
T1

R3
C5

C1
R4
Oscillateur à résistance négative Oscillateur àréseau déphaseur

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 22

 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs
1 - HARTLEY
Différents types d’oscillateurs (suite)

L2
C3

R4 R2
R1 C1

L3

C2
T1 V1
R2

R3
-

L1
C4
P1
+
IOP1
R4 C1 2 - COLPITTS
R3

C2

L2
C3
C1 R4

R3 T1 V1
Oscillateur à réseau déphaseur sélectif L1
R2 C4 C5

C6
Oscillateur à transistors
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 23
 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs

Différents types d’oscillateurs (suite)

3 - CLAPP 4 - QUARTZ

L1
L1

R2
R2

C1

C1
C5 C4

L2

Quartz
T1

R3
T1
R3

C2

C2
C3

C3
C4
R1

R1
Oscillateur à transistors (suite)
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 24
 REACTION ET CONTRE REACTION
III – BOUCLE FERMEE – Réaction positive - Oscillateurs

Oscillateur à transistors - Calculs Dans le cas du montage COLPITTS

Z1 = 1
i Z2 (L) i2 jC1ω
V1
V2 = −
Z2 = jLω LC2ω2 − 1
Z1 Z3
V1 V2
(C1) (C2) Z3 = 1
i1 jC2ω
D’autre part :
A la résonance :
β RC
ω2 = 1 A=−
i = i1 + i2 CC h11e
L 1 2
(
v1 = Z1i1 = Z2 + Z3 .i2 ) v2 =Z3i2 =
Z3v1 C1 +C2
Et donc :
Z2 + Z3
v1 v2 = −
v1C1 A≥ 1
i2 = C2 B
Z2 + Z3
v C β RC C2
B= 2 =− 1 ≥
v1 C2 h11e C1
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 25
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET)
I – LES FET A JONCTION

A – LES FET A JONCTION DE CANAL N

Contact
Symbole Ne fonctionne que pour VGS<0
Drain
Grille Barreau de
N
silicium dopé
+
- P P
-
+
Source Zone déplétée
Contact
Contact
Drain Barreau de
Grille silicium dopé
P
B – LE FET A JONCTION DE CANAL P
N N
Symbole
Zone
Source déplétée

Contact
Fonctionne pour VGS>0
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 26
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
C – LE FONCTIONNEMENT DU FET A JONCTION

i – Grille court-circuitée Drain

Drain G P P

Source
ID G
P P
D
G + ID
VDS Source
P P VDD=VP
-
S
VDD=0
IDSS
Drain
- 10
à
G P P
20 V

IDSS = courant-drain source Source

VP VDSmax VDS
grille court-circuitée
Tension de
pincement VP<VDD<VDSmax

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 27

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
C – LE FONCTIONNEMENT DU FET A JONCTION

ii – Grille polarisée
JFEToperation

Contact ID
VGS1 D
VGS2
+
G
- P P
- VGS=0
+ IDSS
IG S
VGS = VGS0
Tension de blocage

Extension de VGS et ID :
VP VDS
VGS0<VGS<0 Tension de pincement VP = VGS0
0<ID<IDSS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 28

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
C – LE FONCTIONNEMENT DU FET A JONCTION

ii – Grille polarisée (suite)

Résistance d’entrée des FET à jonction :

Pas beaucoup de sens de
VGS Exemple : IG = 1nA pour VGS = -15V parler de gain en courant
Rentrée =
IG Rentrée ~15000 MΩ comme pour les transistors
bipolaires
Rappel transconductance d’un transistor bipolaire

IB IC On préfère parler de trans-

conductance, c’est à dire exprimer le
courant de sortie en fonction de la
tension d’entrée

Pour le FET :
2
 VGS 
ID = IDSS. 1 − 
 VGS0 
VBE VBE
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 29
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
C – LE FONCTIONNEMENT DU FET A JONCTION

ii – Grille polarisée (suite)

1
ID
ID IDSS

IDSS
9/16 -->
ID ~1/2 I DSS

1/4

1/16
0
0 VGS
VGS0 0 VGS 1 3
4
1
2
1
4 VGS0

Caractéristique quadratique Caractéristique de transconductance normalisée

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 30

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
C – LE FONCTIONNEMENT DU FET A JONCTION

iii – La polarisation standard du FET à jonction en classe A

IDSS VGS0
ID ≈ 
→ VGS =
2 4
∆ID dID 2IDSS VGS
gm = 
→ =− (1 − ) Tansconductance (mho ~1/Ω)
∆VGS dVGS VGS0 VGS0

2IDSS  V 
En posant : gm0 = − il vient : gm = gm0. 1 − GS 
VGS0  VGS0 

 ∆VDS 
Résistance différentielle de drain (rDS) rDS =  
 ∆ ID V = cste
GS

Si VDS>VP, rDS ~ 1kΩ à 1MΩ On donne en général : gOS = 1

rDS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 31

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée

• La capacité MOS

http://www.univ-lille1.fr/eudil/bbsc/sc00a.htm

http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/mos/mosCap/biasBand10.html

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 32

 La capacité MOS

Silicium
Métal

Dopé
SiO2

P
V

W Wmax Couche d’inversion

Silicium
déplétée
+

Métal
Silicium

+
déplétée

Dopé
Zone
Métal

SiO2
Dopé
SiO 2

Zone

+ +

P
P

+ +

V W V W=Wmax

+ - + -
V V
Régime de déplétion
11/09/01
Régime d’inversion
33
Cours d ’électronique analogique
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée
Grille
Constitution du MOSFET
Métal
Isolant = oxyde

Source Drain
N P
P N

Contact Contact

Substrat

A l’inverse du FET à jonction, le MOSFET, parce que la grille est isolée, peut travailler
avec un VGS >0 ou un VGS <0 à savoir travailler dans les deux régimes que sont :

LA DEPLETION L’ENRICHISSEMENT
= Accumulation
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 34
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée

A – LA DEPLETION
Métal
G ------------------
- ++++++++++
Silicium
+
S D Effet capacitif
N P N

Les charges - VGS1

sont repoussées G VGS2
- +
VGS < 0
Le canal a tendance à devenir isolant
N P
P N VGS2<VGS1

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 35

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée

B – L’ENRICHISSEMENT
Métal
G ++++++++++

------------------
+
- Silicium
S D Effet capacitif

N P N
Les charges
-
sont attirées
- +
dans le canal
La résistance du canal a tendance à diminuer

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 36

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée

C – Symboles du MOSFET
Drain
Drain

Grille
Grille
Source
Source
D – Résistance d’entrée du MOSFET

Du fait de l’isolant (oxyde de silicium = SiO2) entre le silicium et le contact

métallique la résistance d’entrée du MOSFET est très grande : ~ 104 à 106 MΩ

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 37

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
II – LE MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
~ FET à grille isolée

E – Caractéristiques du MOSFET

ID ENRICHISSEMENT

ID VGS>0
VGS=VGS0
VGS=0 DEPLETION
tension de blocage
IDSS
VGS<0

VP VDS IDSS
Tension de
pincement 2
 V 
ID = IDSS  1 − GS  VGS0 VGS
 VGS0 

avec VGS > 0 ou VGS < 0

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 38
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
III – LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, A GRILLE ISOLEE ET A REGIME
D’ENRICHISSEMENT SEUL (en fait c'est le regime d'inversion)

A – Principe
N
Drain +
P VDS
Oxyde -
N +
VGS N
-
Grille P Substrat
Fabrication
Métal N
Le silicium prend un caractère de type N
Drain Drain
Source
B – Symboles
Grille Grille
11/09/01
Source 39 Source
Cours d ’électronique analogique
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
III – LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, A GRILLE ISOLEE ET A REGIME
D’ENRICHISSEMENT SEUL

B – Caractéristiques et transconductance
ID

ID V GS3

V GS2
ID0

V GS1
V GSseuil
VDS
V GS3 >V GS2 >V GS1 VGS seuil VGS0 VGS

Estimation de la constante K

Equation caractéristique de le transconductance : ID = K(VG − VGseuil)2

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 40
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
IV – POLARISATION DES FET

A – FET à jonction

Polarisation automatique
Nous avons déjà vu que la polarisation la plus simple IDSS
en classe A d’un FET à jonction correspond à : ID ≈
2
ID
RD V = VDS + (RD + RS).ID

+ VGS = −VS = −ID.RS

VDS V
-
RG Si ID augmente alors VS augmente, mais comme
VGS VGS = - VS, ID diminue alors.
RS VS=ID.RS
IDSS VGS0
ID ≈ 
→ VGS =
2 4
VGS V
RS = − ≈ − GS0 = 1 C’est la polarisation médiane
ID 2IDSS gm0
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 41
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
IV – POLARISATION DES FET

A – FET à jonction

Polarisation automatique (suite) On a vu que la caractéristique de

Représentation générale de la polarisation transconductance normalisée était
automatique sous la forme :

ID 2
1  VGS 
IDSS 
ID = IDSS . 1 − 
 VGS 0 
0.8
IDSS
0.6 VGS 0 = −2
gm 0
0.4
VGS = − ID.RS
0.2 2
ID  I Rg 
0 =  1 − D S m 0 
0.1 1 10 IDSS  2.IDSS 
g m0R S
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 42
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
IV – POLARISATION DES FET

A – FET à jonction

Polarisation par source de courant

+V
+VDD
RD ID
RD ID

Il faut
IC < IDSS RB1
RG IC
IC Le transistor
bipolaire fixe le
courant drain

RB2 RE
RE
-VEE
Avec alimentation symétrique double Avec alimentation simple

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 43

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
IV – POLARISATION DES FET

B – MOSFET

ID ENRICHISSEMENT

RD

DEPLETION

RG
IDSS

VGS0 VGS
Polarisation nulle Æ VGS = 0 ÆVDS = V – RD.IDSS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 44

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
IV – POLARISATION DES FET

C – Transistor FET à grille isolée et à enrichissement seul (réaction de drain)

ID

I
VRG ~ 0
ID0
I=0 RG

VGS seuil VGS0 VGS

VDS = VGS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 45

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET
Comme dans le cas des transistors bipolaires il y a trois types de montages :

i. Source commune
ii. Drain commun
iii. Grille commune

i. Source commune
CGD C GD

C GS R GS R DS C DS
CDS V e Vs

CGS
Schéma équivalent
Capacités parasites du FET

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 46

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET

i. Source commune (suite)

A basse fréquence le schéma équivalent devient :

Dans le montage, la résistance de

RGS gm.V GS RDS polarisation de drain est en parallèle
Ve Vs avec RDS. Comme RDS est très grand,
seule la résistance RD est à prendre en
compte.

Donc si RD << RDS

gm.V GS
vs= iD.RD = gm.ve.RD RGS RDS RD
Ve Vs
vS
= gm.RD
ve

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 47

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET

i. Source commune (suite)

Si l’on met une résistance de source, RS, le schéma équivalent devient :

ve = vGS + RS.ID
RGS gm.VGS
VGS

vS = RD.ID = RD.gm.vGS
Ve RD Vs
vS gm.RD
RS A= =
ve 1 + gm.RS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 48

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET

i. Source commune (suite)

Caractéristique de transconductance normalisée.

2
ID  VGS   VGS 
On avait : = 1 −
IDSS 

VGS0  et : gm = gm0. 1 − V 
 GS0 

10
gm
gm0
2
ID g 
Donc : =  m  1
IDSS  gm0 

0.1
0.01 0.1 1 10
ID
IDSS

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 49

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET

ii. Drain commun

ID
+V
ve = vGS + RS.ID

vs = RS.ID
Ve
RS ID = gm.vGS
Vs

vS gm.RS
A= = Si gm.RS >> 1 Æ A=1
ve 1 + gmRS

Gain en tension

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 50

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
V – AMPLIFICATION DES FET

iii. Grille commune

ie S D iD vs = RD.ID = RD.gm.vGS

ve = vGS
G RD
Ve Vs
vS
A= = gm.RD
ve

Impédance d’entrée en grille commune

ve = vGS

ie = iD = gm.vGS
C’est donc une impédance très faible
ve vGS
Ze = = = 1
ie gm.vGS gm
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 51
 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
I – Rappels sur jonction PN et Transistor

i. Jonction PN

V VR=0
I=0 + - V VR~V
≠0
I≠ + -
R
Avalanche R
e(V0+V) P P
N
N W
W
V

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 52

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
I – Rappels sur jonction PN et Transistor

ii. Transistor NPN

Rb V’=0 V ’’=0 Rc V’=0 ≠0

V’’≠
Rb Rc
+ - + - + - + -
Ib ≠0
Ib =0 IC =0 VRC=0
P P
N IC =0
N N
N

Ib ≠0 R V’ ≠0 V’’ ≠0 Rc
b
+ - + -

IC ≠0
P
N
N
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 53
 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
II – Structure PNPN – Diode shockley

I=0 V =0 R VR=0
+ - EQUILIBRE

P N P N
Anode Cathode
J1 J2 J3

≈0
I≈ V ≠0 R VR≈0
+ -

POLARISATION DIRECTE P N P N
Etat non passant Anode Cathode
J1 J2 J3
Courant de minoritaires de la jonction J2

J1 et J3 polarisées en direct, J2 polarisée

en inverse
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 54
 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
II – Structure PNPN – Diode Shockley

AVALANCHE

≠0
I≠ V ≠0 R VR⇒V
+ -
POLARISATION DIRECTE
Etat passant
P N P N
Anode Cathode
J1 J2 J3

Les trois jonctions J1 et J2 et J3 sont

Polarisées en direct

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 55

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
II – Structure PNPN – Diode Shockley

i. Caractéristiques

I
+ sur région P

D V

- sur région N

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 56

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
II – Structure PNPN – Diode Shockley

ii. Equivalent transistor

Anode

P
N PNP
N

P P

N
NPN
Cathode

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 57

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
II – Structure PNPN – Diode Shockley

ii. Equivalent transistor (suite)

Dans ce montage les deux jonctions base-collecteur des deux transistors sont en
inverse. Il n’y a pas de courant excepté le courant de fuite (de minoritaires) qui est
très faible. Lorsque la différence de potentiel augmente, il se produit un phénomène
d’avalanche qui se traduit par une brusque augmentation du courant collecteur des
deux transistors et donc des courants de base. Ainsi, les deux transistors passent
rapidement à saturation et la tension entre les deux émetteurs chute vers 0. Le
système reste alors dans cet état passant. Le seul moyen de ramener le système dans
l’état initial est de réduire la tension d’alimentation pour désaturer les deux
transistors.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 58

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
III – Structure PNPN – Thyristor

Anode

P
N PNP
N

P P

N Grille
NPN
Cathode

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 59

 DIODE SHOCKLEY et THYRISTOR
III – Structure PNPN – Thyristor

Lorsque une impulsion positive attaque la grille (c’est à dire la base du transistor
NPN) celui-ci se met à conduire. La base du transistor PNP étant alors
attaquée par ce courant, ce dernier se met à conduire entretenant ainsi la
polarisation de base du transistor NPN. La tension aux bornes du sipositif
constitué des deux transsitors tend alors vers 0 (les deux transsitors sont alors
saturés). Le seul moyen de ramener le système dans son état initial est de
réduire le courant de manière à ramener les deux transistors dans l’état
bloqué. On obtient cette réduction en réduisant la tension d’alimentation,
comme pour la diode Shockley.
Un tel dispositif est aussi appelé bascule.
Les grandeurs caractéristiques sont:
• La tension de blocage direct,
• Le courant de déclenchement, c’est à dire le courant qu’il faut appliquer à la
grille pour faire conduire le thyristor,
• Le courant minimum de fonctionnement, c’est à dire le courant en dessous
duquel le thysristor retourne à l’état bloqué.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 60