 Professeur 

: J. Richard L.T P.E. Martin Année scolaire 1998/99

Fonction commutation .

CLASSE :1° S .
COURS 8 LES TRANSISTORS 2.1 Caractéristique d’entrée IB = f ( VBE ) :

 BIPOLAIRES DATE : / / 99 .
 Cette caractéristiques est celle d’une diode avec comme tension de seuil la tension V BE
( VBE : donnée constructeur variant de 0.2 à 0.7 V ).

1. Constitution. 2.2 Caractéristique de transfert en courant IC = f ( IB ) :

Un transistor bipolaire est constitué par un cristal semi-conducteur ( Germanium ou
silicium ) comportant trois zones dopées différemment de façon à former : IC
 Soit de 2 zones dopées N séparées par une zone dopée P, c’est le transistor NPN. ICSat
 Soit de 2 zones dopées P séparées par une zone dopée N, c’est le transistor PNP.

NPN PNP Mode Mode Mode
bloqué linéaire saturé
C C IB
Collecteur Collecteur IBSat
IC IC
N
Remarque :  est aussi appelé hFE ( Donnée constructeur ).
P
IB IB  On distingue donc 2 type de fonctionnement :
P Base B VCE N Base B VCE - Fonctionnement en linéaire.
N P - Fonctionnement en commutation.
VBE VBE
Fonctionnement en Commutation
Emetteur Emetteur Mode bloqué Mode linéaire Mode saturé
E E IB = 0 0 < IB < IBSat IB > IBSat

2. Caractéristiques idéalisées d’un transistor NPN.

2.3 Caractéristique de sortie IC = f (VCE ) :
IC
Caractéristique de transfert en courant Caractéristique de sortie  Définie par la valeur du courant IB. Le courant IC dépend directement de la valeur de la
PS
IB4 > IB3 tension VCE ( VCEsat  VCE  Tension d’alimentation )
 IB3 > IB2

P2 P1 IB2> IB1
3. Fonctionnement du transistor en linéaire ( 0 < IB < IBSat ).
IB1
 C’est le cas pour le point de fonctionnement P 1. Il lui correspond les points P2 ( IB2  ; IC2 )
IB et P3 ( IB2  ; VBE ). Dans ce cas les formules courantes du transistor s’appliquent.
IB4 IB3 IB2 IB1 PB VCE
VBE
P3
Droite de charge
IC =  . IB
Caractéristique d’entrée

VBE Remarque : IE = IB + IC  IC ( Car IC > IB )

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4. Fonctionnement du transistor en commutation ( Bloqué, saturé ). 5. Résumé des grandeurs IC et IB particulières.

4.1 Etat bloqué ( point PB )  ( IB = 0 ) . Blocage Linéaire Saturation

IB =0 0 < IB < IBsat > IBsat
 Il sera bloqué si le courant I C = 0 et VCE = E ( Tension d’alimentation ) c’est à dire si le =0 =  . IB = ICsat
IC
courant de base IB est nul. Dans ce cas le transistor est considéré comme un interrupteur
ouvert.
RC RC 6. Limites de fonctionnement.
IC= 0 IC= 0  Pour une utilisation correcte du transistor, son fabriquant nous
C informe qu’il faut respecter les conditions suivantes :
B
IB = 0
VCE E  VCE E
Grandeurs en utilisation
IC
Grandeurs maximales
< IC
VBE
E VCE < VCEmax
PTOT < PTOTmax
VBE < VBEmax
Conclusion : Si IB = 0, le transistor est bloqué ( VCE = E ; IC = 0 ). Remarque : La puissance dissipée par le transistor est égale à
PTOT = VCE. IC
4.2 Etat saturé ( point PS )  ( IB > IBSat ) .
 Il sera saturé si le courant I B > Icmax / min = IBsat. Pour déterminer Icmax on pause VCE = VCEsat, 7. Le transistor PNP.
puis on calcule Icmax = ( E - VCEsat ) / RC. Dans ce cas le transistor est considéré comme un
interrupteur fermé.  L’étude sur les transistors PNP est identique. Les tensions et les courants mis en jeu sont
Si l’on a atteint IBsat, IC prend une valeur définie seulement par R C et E ; IC est indépendant négatifs par rapport à la convention de signes indiquée sur le figure n°1.
de IB ( Contrairement au fonctionnement en linéaire ).
8. Montage Darlington ( Montage à double transistors ).
RC RC
 Exemple de montage Darlington à transistor NPN :
IC ICsat Ic
C
Ib T1 : Coefficient d’amplification 1
IB > IBSat
B VCE E  VCE E
T1
T2
T2 : Coefficient d’amplification 2

E
VBE
Coefficient d’amplification total du montage  = Ic/Ib = 1 x 2
 Conclusion :
Le courant de base Ib du transistor T1 est amplifié successivement par le transistor T1 puis
par le transistor T2. Ce montage est assimilable à un « super transistor » dont le coefficient
Conclusion : Si IB > IBsat, le transistor est saturé ( IC est indépendant de IB ).
( VCE = VCEsat ; IC = Icmax = ( E - VCEsat ) / RC ).
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d’amplification total  est très élevé car il correspond au coefficient d’amplification 1 du

premier transistor multiplié par le coefficient d’amplification 2 du second transistor.

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