Résistivité des semi-conducteurs

par André VAPAILLE

Professeur à l’Université de Paris XI

1. Matériau monocristallin non dopé ou matériau intrinsèque....... K 720 - 2

2. Matériau monocristallin dopé ou matériau extrinsèque .............. — 4
2.1 Exemple de matériau N : silicium dopé au phosphore ............................ — 4
2.2 Exemple de matériau P : silicium dopé au bore ....................................... — 4
2.3 Impuretés de dopage usuelles dans les matériaux semi-conducteurs... — 5
2.4 Domaine de concentration accessible pour les impuretés de dopage ... — 6
2.4.1 Concentration maximale.................................................................... — 6
2.4.2 Concentration minimale..................................................................... — 8
3. Silicium polycristallin............................................................................. — 8
4. Silicium amorphe hydrogéné (SiaH) ................................................... — 11
Références bibliographiques ......................................................................... — 13

epuis les années 50, les matériaux semi-conducteurs ont révolutionné

D l’électronique, l’informatique et l’optoélectronique en permettant de réaliser
une très grande variété de composants discrets et de circuits intégrés. Ils doivent
leur succès à la très grande richesse de leurs propriétés électroniques et en
particulier au fait qu’il est possible, en les dopant (c’est-à-dire en introduisant
dans le matériau des impuretés convenables en quantité contrôlée) :
— d’obtenir soit une conduction par électrons libres (comme dans les
métaux), soit une conduction par trous libres (un trou étant une absence
d’électron) ;
— de contrôler, par la concentration des impuretés de dopage, la résistivité du
matériau dans un domaine de valeurs compris entre 10 –5 et 10 2 Ω · m.
La résistivité de ces matériaux est donc extrêmement sensible :
— à l’état cristallin du matériau (amorphe, polycristallin, monocristallin) ;
— au niveau de dopage (concentration des impuretés électriquement actives
présentes dans le matériau).
Nous allons donc distinguer quatre types de matériau :
— matériau monocristallin non dopé ou matériau intrinsèque ;
— matériau monocristallin dopé ou matériau extrinsèque (pratiquement tous
les composants semi-conducteurs sont réalisés en matériau monocristallin
dopé) ;
— matériau polycristallin [grille des composants MOS (Métal Oxyde
12 - 1989

Semi-conducteur)] ;
— matériau amorphe (cellules solaires, écrans plats, etc.).
Pour satisfaire aux règles de normalisation, toutes les grandeurs ont été
exprimées dans les unités du système international. Toutefois, il faut bien
reconnaître que ce système n’est absolument pas utilisé par les spécialistes des
matériaux et composants semi-conducteurs qui lui préfèrent un système où les
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longueurs sont en centimètres et les énergies en électronvolts (eV). Le tableau A

donne les facteurs de conversion à utiliser.
(0)

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Tableau A – Facteurs de conversion

Facteur
Système Système
Grandeur de conversion
international usuel
SI → SU
Résistivité ρ ................................................ Ω·m Ω · cm 102
Conductivité σ............................................ Ω –1 · m –1 Ω –1 · cm –1 10 –2
Concentrations n, p, Na , Nc , Nd , Nv ...... m –3 cm –3 10 –6
Mobilités µ n , µ p ...................................... m 2 · V –1 · s –1 cm2 · V –1 · s –1 10 4
Énergies E .................................................. J eV 6,25 · 1018

Le lecteur se reportera utilement aux articles Composants semi-conducteurs de puissance :

caractère propre [D 3 100] et Composants semi-conducteurs de puissance [D 3 110] du traité
Génie électrique et aux articles de la rubrique Matériaux du traité Électronique.

1. Matériau monocristallin Dès lors, la conduction est possible de deux façons :

— par les électrons libres qui remontent le champ électrique ;
non dopé ou matériau — par les trous libres qui descendent le champ électrique
(figure 2).
intrinsèque Nota : on appelle porteurs ou porteurs libres, les électrons ou les trous libres capables
de transporter le courant.
La conductivité, σi (Ω–1 · m–1), inverse de la résistivité ρi (Ω · m),
Nota : le lecteur se reportera utilement aux références bibliographiques [1] [2] [3]. d’un matériau intrinsèque est donc donnée par la somme des
Ce matériau est parfaitement isolant à 0 K (– 273 oC) et dans contributions des électrons et des trous libres :
l’obscurité. En effet, tous les électrons sont alors non mobiles, qu’ils
–1
soient liés à un atome particulier ou qu’ils soient engagés dans les σi = ρi = q ( n µn + p µp ) (1)
liaisons de valence entre deux atomes voisins. En apportant une
énergie suffisante, supérieure à la largeur EG de la bande interdite, avec q charge de l’électron (1,6 · C), 10–19
paramètre caractéristique du matériau (tableau 1), au moyen d’un n, p (m –3) concentration des électrons, des trous,
photon ou en portant le matériau à une température suffisante, on
brise des liaisons de valence et l’on crée alors simultanément et en µn , µp (m 2 · V –1 · s –1) mobilité des électrons, des trous.
quantités égales des électrons libres et des trous libres (c’est-à-dire (0)
des places vacantes pour des électrons) (figure 1).

Tableau 1 – Principales caractéristiques de quelques semi-conducteurs usuels à 300 K

Grandeur (1)

Matériau Nc Nv EG ni n p i

(m–3) (m–3) (eV) (m–3) (m2 · V –1 · s–1) (m2 · V –1 · s–1) (Ω · m)

Ge 1,04 · 1025 6· 1024 0,66 2,4 · 1019 0,39 0,19 0,47

Si 2,8 · 1025 1,04 · 1025 1,12 1,45 · 1016 0,15 0,045 2,3 · 103
GaAs 4,7 · 1023 7 · 1024 (2) 1,43 1,79 · 1012 (2) 0,85 0,04 106
InP 5,7 · 1023 1,17 · 1025 1,35 1,12 · 1013 0,46 0,015 1,17 · 106
Alx Ga1 – x As
x=0 4,45 · 1023 1,29 · 1025 (2) 1,424 1,01 · 1012 (2) 0,85
x = 0,10 5,2 · 1023 1,34 · 1025 1,543 1,04 · 1011
x = 0,20 6,2 · 1023 1,4 · 1025 1,67 9,22 · 109
x = 0,30 9,5 · 1023 1,44 · 1024 1,804 7,94 · 108
x = 0,40 1,8 · 1024 1,49 · 1025 1,945 2,10 · 108 0,22
(1) Nc , Nv : densités effectives dans les bandes de conduction et de valence ; EG : largeur de la bande interdite ; n i : concentration intrinsèque des porteurs ;
µ n , µ p : mobilités ; ρ i : résistivité.
(2) La différence des deux données, pour GaAs et Alx Ga1 – x As pour x = 0, s’explique par l’imprécision avec laquelle ces grandeurs sont connues.

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Figure 1 – Cristal de silicium (dessiné à plat)

Figure 2 – Mouvement du trou Si+

Dans le cas d’un matériau intrinsèque, on a toujours, en

désignant par n i (m–3) la concentration intrinsèque des porteurs :
n = p = ni (2)
En effet, électrons et trous sont créés simultanément, ou se
recombinent simultanément (l’électron tombant dans le trou). On
peut donc écrire :
–1
σi = ρi = qn i ( µ n + µ p ) (3)

À l’équilibre thermique (matériau non éclairé, non soumis à un

champ électrique, etc.), la concentration intrinsèque ni (m –3) se
calcule au moyen de la relation :

ni = N c N v exp ( – E G  2kT ) (4)

avec Nc , Nv (m–3) densités effectives dans les bandes de conduc-

tion, de valence (tableau 1),
EG (eV) largeur de la bande interdite, c’est-à-dire
l’énergie qu’il faut fournir à un électron de
valence pour le libérer (1 eV = 1,6 · 10 –19 J),
k constante de Boltzmann (1,38 · 10 –23 J · K –1),
T (K) température thermodynamique.
Il résulte de la relation (4) que ni croît très rapidement avec la
température comme le montre la figure 3, donnant lg ni en fonc-
tion de 1/T pour le germanium (Ge), le silicium (Si) et l’arséniure
de gallium (GaAs).
Quant aux mobilités, elles sont différentes pour les électrons et
pour les trous, généralement µn > µp (tableau 1). Dans un matériau
intrinsèque, µn et µp décroissent quand la température croît, comme Figure 3 – Concentration ni des porteurs intrinsèques
le montre la figure 4. Cela est dû à ce que le mouvement des porteurs en fonction de la température T
de charge (électrons et trous) est gêné par les vibrations de la
structure cristalline et que celles-ci augmentent lorsque la tempé-
rature croît.

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Figure 4 – Mobilité  des électrons [5] et des trous [3]
dans le silicium peu dopé (≈ intrinsèque)
La décroissance des mobilités étant beaucoup moins rapide que
la croissance de la concentration intrinsèque, il résulte de la
relation (3) que ρi décroît très rapidement lorsque la température
croît. Les matériaux semi-conducteurs intrinsèques peuvent donc
être relativement isolants à température ordinaire (tableau 1).
Toutefois, seuls les semi-conducteurs à faible largeur de bande
interdite, comme le germanium, peuvent être obtenus dans un état
de pureté suffisant pour être intrinsèques à température ordinaire.
Pour les matériaux à large bande interdite (Si, GaAs), il est impossible
de les raffiner suffisamment pour les obtenir sous forme intrinsèque
à température ordinaire. En effet, les impuretés résiduelles
électriquement actives sont en concentration supérieure à ni, 300 K
et donnent au matériau à cette température le comportement extrin-
sèque que nous allons maintenant étudier.
2. Matériau monocristallin
dopé ou matériau
extrinsèque
En diffusant, dans un matériau semi-conducteur, certaines
impuretés électriquement actives, on peut :
— privilégier la conduction par électrons ou la conduction par
trous, donc réaliser des matériaux de type N ou de type P ;
— contrôler la résistivité du matériau typiquement entre 10–5
et 102 Ω · m.
2.1 Exemple de matériau N :
silicium dopé au phosphore
Supposons que des atomes de phosphore (P) soient diffusés dans
le réseau cristallin du silicium et qu’ils s’y placent en position
substitutionnelle (c’est-à-dire qu’un atome de phosphore prend la
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place d’un atome de silicium). Chaque atome de phosphore va se
trouver environné de 4 atomes de silicium avec lesquels il va
échanger 4 liaisons de valence dans lesquelles il va engager 4 de
ses 5 électrons de valence (figure 5).
Ce cinquième électron de valence est très faiblement lié et un
apport d’énergie de quelques 10–2 eV va suffire à le libérer. Il en
résulte que, pour des températures supérieures à quelques dizaines
de kelvins, la plus grande partie des atomes de phosphore aura
donné son cinquième électron. On dit que le phosphore est une
impureté de type donneur du silicium. Par conséquent, dans ce type
de matériaux, entre quelques dizaines de kelvins et quelques
centaines de degrés Celsius, pratiquement les seuls porteurs libres
sont les électrons donnés par les atomes de phosphore.
On a donc, Nd (m–3) étant la concentration des atomes
donneurs :
n ≈ Nd (5)
La conductivité σn d’un matériau extrinsèque de type N est égale
à:
–1
σ n = ρ n = qn µ n ≈ qN d µ n (6)
Au-dessous de ce domaine de température, les atomes de
phosphore ne sont pas ionisés ( n  N d ) : le matériau est isolant ;
au-dessus, l’énergie thermique est suffisante pour briser un nombre
significatif de liaisons de valence et l’on retrouve le comportement
intrinsèque décrit au paragraphe 1.
Dans un matériau dopé, la mobilité est fonction à la fois de la
température (à travers les vibrations cristallines) et de la
concentration des impuretés ionisées (qui, par interactions
coulombiennes, gênent également les électrons libres dans leur
mouvement). Les figures 6, 8 et 9a donnent :
— la variation de µn pour le silicium en fonction de T et pour
différentes valeurs de Nd ;
— la variation de µn à 300 K pour différents matériaux en
fonction de la concentration des impuretés ionisées Ni ;
— la variation de µn en fonction de la résistivité pour le silicium.
On peut donc relier directement, à travers la relation (6), la
résistivité du matériau à la concentration des impuretés
électriquement actives ; c’est ce que montrent les figures 10a et b
pour différents matériaux semi-conducteurs.
2.2 Exemple de matériau P :
silicium dopé au bore
Supposons que des atomes de bore (B) soient diffusés dans le
réseau cristallin du silicium et qu’ils s’y placent en position substi-
tutionnelle. Chaque atome de bore, entouré de 4 atomes voisins de
silicium, ne va pouvoir satisfaire que 3 liaisons de valence B  Si ;
la quatrième liaison, incomplète, comporte un seul électron
(figure 11).
Un faible apport d’énergie (quelques 10–2 eV) va faire passer un
électron d’une liaison Si  Si voisine à la liaison B—Si incomplète,
conduisant à la création d’un ion B– fixe et d’un trou (ion Si+)
mobile. On dit que le bore est une impureté de type accepteur du
silicium. Il en résulte que, pour ces matériaux, entre quelques
dizaines de kelvins et quelques centaines de degrés Celsius,
pratiquement les seuls porteurs mobiles sont les trous créés par
les atomes de bore.
On a donc, Na (m–3) étant la concentration des impuretés
acceptrices :
p ≈ Na (7)
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Figure 5 – Propriété donneur du phosphore substitutionnel

dans le réseau du silicium

Figure 7 – Mobilité  p en fonction de la température T

pour des échantillons de silicium P ayant différents niveaux
de dopage [5]

La mobilité µp est donnée :

— pour le silicium, en fonction de T et pour différentes valeurs
de Na , sur la figure 7 ;
— pour différents matériaux, en fonction de la concentration des
impuretés ionisées Ni et à 300 K sur la figure 8 ;
— pour le silicium, en fonction de la résistivité, sur la figure 9b.
De même que précédemment, les figures 10a et b permettent de
Figure 6 – Mobilité  n en fonction de la température T
relier la résistivité et la concentration des impuretés électriquement
pour des échantillons de silicium N ayant différents niveaux
actives pour différents matériaux semi-conducteurs.
de dopage [5]

La conductivité σp d’un matériau extrinsèque de type P est égale 2.3 Impuretés de dopage usuelles
à: dans les matériaux semi-conducteurs
–1
σ p = ρ p = qp µ p ≈ qN a µ p (8)
En règle générale, une impureté ayant un électron de plus sur sa
Au-dessous de ce domaine de température (comme pour le couche externe que l’atome de la matrice cristalline auquel elle se
matériau N), le matériau P est isolant ; au-dessus, il tend vers le substitue dope N. Si l’impureté a un électron de moins, elle dope P
comportement intrinsèque (§ 1). (tableau 2).

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Figure 9 – Mobilité  à température ordinaire

Figure 8 – Mobilité  à température ordinaire
en fonction de la concentration totale d’impuretés ionisées Ni
et de la concentration en donneurs Nd pour différents matériaux
■ Pour les éléments semi-conducteurs de la colonne IV de la
classification périodique (Ge, Si) ;
— tous les éléments de la colonne V dopent N : seuls le
phosphore P, l’arsenic As et l’antimoine Sb sont utilisés en
pratique ;
— tous les éléments de la colonne III dopent P : seul le bore B
est utilisé en pratique.
■ Pour les éléments semi-conducteurs composés III-V (formés
d’atomes de la colonne V associés à des atomes de la colonne III),
binaires (GaAs, InP), ternaires (Gax Al1 – x As) ou quaternaires
(Gax Al1 – x Asy P1 – y ) :
— les éléments de la colonne VI (exemple : le tellure Te)
substitués à l’élément de la colonne V dopent N ;
— les éléments de la colonne II (exemple : le zinc Zn) substitués
à l’élément de la colonne III dopent P ;
en fonction de la résistivité  pour le silicium [6]
— les éléments de la colonne IV (exemple : le silicium Si) sont
amphotères, c’est-à-dire qu’ils dopent N s’ils sont substitués à
l’élément de la colonne III et P s’ils sont substitués à l’élément de
la colonne V. (0)
2.4 Domaine de concentration accessible
pour les impuretés de dopage
2.4.1 Concentration maximale
Ce domaine est limité supérieurement par la solubilité limite de
ces impuretés dans la matrice cristalline. En effet, pour avoir les
propriétés électroniques annoncées aux paragraphes 2.1 et 2.2, ces
impuretés doivent être diffusées. Or, si on cherche à les introduire
en concentration supérieure à la solubilité limite, elles précipitent
en amas. Lorsque ces impuretés sont introduites par diffusion
thermique, la solubilité à considérer est celle correspondant à la
température du traitement thermique de diffusion. La figure 12
donne les solubilités limites de différentes impuretés dans le
silicium.

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Tableau 2 – Principaux éléments utilisés dans les semi-conducteurs

II III IV V VI

5 6 7 8
B C N O
1s 2 2s 2 2p1 1s 2 2s 2 2p2 1s 2 2s 2 2p 3 1s 2 2s 2 2p4
Bore Carbone Azote Oxygène

13 14 15 16
Al Si P S
(Ne) 3s 2 3p1 (Ne) 3s 2 3p2 (Ne) 3s 2 3p3 (Ne) 3s 2 3p4
Aluminium Silicium Phosphore Soufre

30 31 32 33 34
Zn Ga Ge As Se
(Ar) 3d 10 4s 2 (Ar) 3d 10 4s 2 4p1 (Ar) 3d 10 4s 2 4p2 (Ar) 3d 10 4s 2 4p3 (Ar) 3d 10 4s 2 4p4
Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium

48 49 50 51 52
Cd In Sn Sb Te
(Kr) 4d 10 5s 2 (Kr) 4d 10 5s 2 5p1 (Kr) 4d 10 5s 2 5p2 (Kr) 4d 10 5s 2 5p3 (Kr) 4d 10 5s 2 5p4
Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure

80 81 82 83 84
Hg TI Pb Bi Po
(Xe)4f 14 5d 10 6s 2 (Xe)4f 14 5d 10 6s 2 6p1 (Xe)4f 14 5d 10 6s 2 6p2 (Xe)4f 14 5d 10 6s 2 6p3 (Xe)4f 14 5d 10 6s 2 6p4
Mercure Thallium Plomb Bismuth Polonium

Figure 10 – Résistivité  en fonction de la concentration de dopants Ni à 300 K

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Lorsque les impuretés sont introduites par implantation ionique,
la solubilité limite doit être appréciée à la température du
traitement thermique post implantation sauf si un recuit rapide
(lampes, bombardement électronique) est mis en œuvre.
2.4.2 Concentration minimale
Le domaine de concentration d’impuretés de dopage est limité
inférieurement par les possibilités de raffinage du matériau. Ces
possibilités dépendent de l’impureté et de la matrice cristalline
considérées. Les meilleures valeurs sont obtenues pour le bore dans
le silicium où l’on atteint une concentration d’environ 1019 m –3.
Figure 11 – Propriété accepteur du bore substitutionnel
dans le réseau du silicium
Figure 12 – Solubilités limites de différentes impuretés
dans le silicium en fonction de la température [8]
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3. Silicium polycristallin
Le silicium polycristallin [9] [10] [11] [12] est utilisé pour la
réalisation des grilles de commande des composants MOS,
d’interconnexions pour les circuits intégrés, de composants sur
isolant (SOI : Silicon On Insulator ). Il est élaboré en couche mince
par décomposition thermique du silane (SiH4) à des températures
de 600 à 1 100 oC et à des pressions de 0,1 torr (LPCVD : Low Pressure
Chemical Vapor Deposition ) à 1 atm (CVD : Chemical Vapor
Deposition ) sur un support amorphe, qui est le substrat silicium
oxydé (figure 13).
Le matériau se présente sous la forme de grains monocristallins
(cristallites) d’orientations différentes (mais présentant
fréquemment une orientation préférentielle : matériau fibré) séparés
par des joints de grains.
La taille des grains dépend des conditions de croissance, de
l’épaisseur de la couche élaborée, du dopage, de la nature
(température, durée) des traitements thermiques (recuits)
subséquents au dépôt. Les figures 14, 15 et 16 montrent les effets
de ces différents paramètres sur la taille moyenne des grains.
La figure 14 montre que le recuit à 1 000 oC, après dépôt de
silicium polycristallin, a un effet important sur la taille des
cristallites dans les couches déposées à basse température.
Les propriétés électroniques du matériau polycristallin sont
fondamentalement différentes de celles du silicium monocristallin.
Toutefois, on écrit toujours la résistivité sous la forme des
relations (6) et (8) :
–1
ρ n = σ n = qn µ n
–1
ρ p = σ p = qp µ p
mais maintenant n ≠ Nd et p ≠ Na ; quant à µn et µp , ils varient non
seulement avec le niveau de dopage et la température mais aussi
avec les conditions de préparation du matériau, notamment la
taille des grains.
La figure 17 schématise les différences de comportement entre
matériaux mono et polycristallins en représentant les variations de
la résistivité ρ, de la concentration de porteurs n ou p et de la
mobilité µ en fonction de la concentration des impuretés de
dopage Ni pour les deux types de matériaux.
L’interprétation de ces comportements réside dans les
phénomènes qui se produisent aux joints de grains à savoir :
— la ségrégation des dopants ;
— le piégeage des porteurs.
Figure 13 – Couche de silicium polycristallin
déposée sur du silicium oxydé
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Figure 14 – Taille moyenne des grains en fonction de la température
de dépôt de silicium polycristallin [13]
Figure 15 – Taille moyenne des grains en fonction de l’épaisseur
de la couche de silicium polycristallin [14]
La précipitation (ségrégation) des dopants aux joints de grains
les rend électriquement inactifs. Cet effet est plus important si le
rayon atomique du dopant est grand vis-à-vis du rayon atomique
du silicium. Le phénomène est donc plus important pour l’arsenic
que pour le bore.
Le piégeage de certains porteurs aux joints de grains y localise
une charge électrique qui va confiner les autres porteurs, demeurés
libres, dans la région centrale du cristallite en créant une zone déserte
isolante de part et d’autre du joint de grain et une barrière de potentiel
qui limite le passage du courant (figure 18).
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Figure 16 – Taille moyenne des grains en fonction de la température
de recuit [15]
L’évolution de ces phénomènes lorsque le niveau de dopage du
matériau croît est la suivante :
— à faible niveau de dopage, la quasi-totalité des porteurs créés
par ionisation des dopants non ségrégés (dopants électriquement
actifs) est piégée aux joints de grains ; il y a très peu de porteurs
libres. Par conséquent, la résistivité est élevée, ρ ≈ 10 3 à 10 4 Ω · m,
la concentration des porteurs libres est faible, n ≈ 1017 m –3 et la
mobilité est relativement élevée, µ ≈ 5 · 10 –3 m 2 · V –1 · s –1 ;
— pour une concentration de dopants de l’ordre de 1023 à 1024 m–3
(fonction décroissante de la taille des grains), le nombre de porteurs
piégés aux joints de grains est maximal, ce qui a pour effet de rendre
maximale la hauteur de la barrière de potentiel intergranulaire ; la
mobilité passe donc par un minimum (figure 17c ) ;
— au-delà de cette concentration, les sites de piégeage aux
joints de grains étant saturés, les porteurs deviennent disponibles
pour la conduction : la courbe n = f (Ni ) du matériau polycristallin
se rapproche de celle obtenue pour le matériau monocristallin
(figure 17b ). Par ailleurs, la largeur des zones désertes décroît
ainsi que la hauteur de la barrière de potentiel intergranulaire ce
qui a pour effet d’augmenter la mobilité (figure 17c ). Consé-
quence de l’augmentation de la concentration des porteurs libres
et de la mobilité, la résistivité chute typiquement de 5 à 6 ordres
de grandeur.
La figure 19 montre les variations de ρ, n et µ en fonction de Ni ,
pour des couches de 1 µm d’épaisseur obtenues par décomposition
du silane à 650 oC et dopées par implantation de bore avec recuit
subséquent à 1 000 oC durant 30 min [9].
K 720 − 9
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Figure 17 – Résistivité  , concentration de porteurs libres n ou p,

mobilité  en fonction de la concentration de dopants Ni
pour des matériaux mono et polycristallins

Figure 18 – Joint de grain, zone déserte et zone de confinement Figure 19 – Résistivité  , concentration de porteurs libres n,
des porteurs dans un matériau polycristallin mobilité  en fonction de la concentration de dopants Ni
pour un matériau polycristallin (après recuit) [9]

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■ Le transport des porteurs s’effectue par un mécanisme de

4. Silicium amorphe multipiégeage : un porteur (électron) libre est, au cours de son
hydrogéné (SiaH) déplacement, capturé par un piège ; ce piège étant peu profond
(≈ 0,15 eV), le porteur pourra assez facilement être dépiégé par
activation thermique ; il poursuivra son chemin avant d’être de
nouveau capturé. Il en résulte que le porteur n’est libre que pendant
Le silicium amorphe peut être facilement élaboré en couche mince
une fraction de temps ; son temps d’indisponibilité est d’autant plus
en réalisant, à basse température (< 300 oC), sur substrat monocris-
grand que le piège est profond et que la température est basse. La
tallin ou amorphe (plaque de verre par exemple), un dépôt de silicium
mobilité est donnée par une relation d’Arrhénius :
par évaporation sous vide ou pulvérisation cathodique. Pendant
longtemps, ce matériau n’a eu aucune application pratique : sa
 
ET
résistivité est très élevée (beaucoup plus élevée que celle du silicium µ ( T ) = µ 0 exp – ---------
monocristallin intrinsèque puisque la largeur de sa bande interdite kT
de mobilité ou « gap de mobilité » est de l’ordre de 1,7 eV) et il était
avec ET énergie de dépiégeage dont l’ordre de grandeur est de
impossible de moduler sa résistivité par l’adjonction d’impuretés de
0,13 à 0,18 eV (fonction des conditions de dépôt),
dopage [16] [17] [18] [19].
k constante de Boltzmann (1,38 · 10 –23 J · K –1),
En 1969, il a été montré que si le matériau est élaboré en
présence d’hydrogène, c’est-à-dire : T (K) température thermodynamique,
— soit par décomposition du silane (SiH4) sous basse pression µ0 facteur pré-exponentiel dont l’ordre de grandeur est
(LPCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) ; de 10 –3 à 10 –2 m 2 · V –1 · s –1 (fonction des conditions
— soit par décomposition du silane dans une décharge de dépôt).
électroluminescente (PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor
Les figures 20, 21 et 22 [20] donnent, pour un matériau obtenu
Deposition ) ;
par PECVD :
il devient alors possible de moduler sa résistivité par dopage. — la variation de la mobilité des électrons à température
Dès lors, de nombreuses applications sont apparues : cellules ordinaire en fonction de la température de dépôt (figure 20) ;
solaires, tambours de photocopieuses, écrans de visualisation plats, — la variation de la mobilité avec la température pour des
etc. couches déposées à 151 et 237 oC (figures 21a et b ) ;
L’interprétation des comportements électroniques du silicium — les variations de ET et µ 0 avec la température de dépôt
amorphe (Sia) et du silicium amorphe hydrogéné (SiaH) est la (figure 22).
suivante. Dans le Sia, en raison du désordre, il existe de nombreuses
liaisons Si incomplètes ; ces liaisons pendantes piègent les électrons
fournis par les impuretés donnatrices qui ne sont donc plus
disponibles pour le transport du courant. Dans le SiaH, l’hydrogène
passive les liaisons pendantes et une partie des électrons fournis
par les donneurs devient disponible pour le transport.
La relation donnant la résistivité du silicium amorphe hydrogéné
est la même que pour le silicium monocristallin, soit :

ρ –1 = σ = q ( n µ n + p µ p )

l’un des deux termes de la parenthèse pouvant être négligeable si

le matériau a un caractère N ou P prononcé.
Les différences par rapport au silicium monocristallin sont de
deux ordres.
■ L’efficacité de dopage η, définie comme le rapport de la
concentration de porteurs n à la concentration de donneurs Nd
(pour un matériau N), est très inférieure à 1 :
n
η = ---------  1
Nd
Cela provient de ce qu’un certain nombre d’électrons sont piégés
sur les liaisons pendantes non passivées ou qu’un certain nombre
de donneurs ne sont pas tétracoordonnés. Le paramètre η, qui
dépend des conditions d’élaboration du matériau, est de l’ordre de
quelques pourcent :
η ≈ 10 –2 Figure 20 – Mobilité  en fonction de la température de dépôt t
pour SiaH [20]

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Figure 21 – Mobilité  en fonction de la température T pour SiaH [20]

Figure 22 – Énergie d’activation ET et facteur pré-exponentiel  0 en fonction de la température de dépôt t pour SiaH [20]

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