Chapitre

2 : Notions de base sur les semiconducteurs

03/10/2021 12:20

Notions de base sur les semi-conducteurs La jonction PN

silicium Si germanium Ge

Bandes d'énergie
niveaux énergétiques de ses électrons sont discrets lorsque l'on approche N atomes
les niveaux énergétiques se scindent en N
Rapprochement de deux atomes de Silicium identiques
niveaux très proches les uns des autres
interaction réciproque des deux atomes la valeur de N est grande
dans le cas d'un cristal
les niveaux énergétiques discrets de
Formation d'une bande d'énergie continue
ses électrons se scindent en deux
la formation de ces bandes dépend de la distance interatomique

semi-conducteur Intrinsèque

les états énergétique électronique se scindent et forment deux bandes

continues appelées bande de conduction BC et bande de valence BV
séparées par une bande interdite appelée « gap » de largeur 𝐸! = 𝐸" ­ 𝐸# ,
avec 𝐸" 𝑙'énergie de la bande de conduction et 𝐸# de la bande de valence.

Semi-conducteurs extrinsèques
Matériau dopé N et propriétés extrinsèques Matériau dopé P et propriétés extrinsèques

Jonction

Polarisation directe

Polarisation inverse