CHAPITRE : LA REACTION ET LA CONTRE REACTION

I°) Généralité sur la réaction :

Considérons le schéma équivalent d’un transistor bipolaire prenant en compte tous les
paramètres hybrides hij tel que décrit comme suit :

IB
IC

IB

IE

a°) Transistor NPN b°) Schéma équivalent

Figure n° 1 : Schéma équivalent d’un transistor NPN en régime dynamique petit signaux

Ce schéma équivalent fait apparaître dans le circuit d’entrée un générateur de tension

h12.Vce de f. e. m commandée par la tension de sortie Vce. Ce terme est appelé terme de
réaction. De façon générale, on dit qu’il y a réaction dans un amplificateur lorsqu’une
fraction d’une grandeur de sortie se retrouve dans le circuit d’entrée.

1) Organisation d’un montage à réaction :

Considérons le schéma de la figure ci dessous :

E  S
+ Chaîne d’act ion
-
er
Chaîne de réact ion

Figure n° 2 : Schéma d’un montage à réaction

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Un montage à réaction comprend trois organes essentiels :
- La chaîne directe ou chaîne d’action qui assure la commande de la charge. Aussi appelée
chaîne de puissance, elle est très sensible aux perturbations extérieures (température,
bruit, etc…).
- La chaîne de réaction ou chaîne de retour, elle assure le prélèvement de la grandeur de
sortie ; chaîne de précision, elle prélève qu’une puissance très faible par rapport à celle
fournie à la charge.
-

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3°) Différents types de réactions :
La fonction de transfert en B O est bien différente de celle obtenue en B. F.
   
'   
1     1     (5)

Deux cas se présentent :

* 1  
. ( )  1  ' ( )    donc le montage est dit à
réaction positive.
* 1         1  '        le montage est dit réaction négative
ou à contre réaction.
On notera qu’un système peut être à la fois à réaction >0 pour un certain domaine de
fréquences et à réaction négative pour un autre domaine.

4°) Influence sur les performances d’un amplificateur :

L’étude des  montages amplificateurs fait apparaître un certain nombre de
défauts qui peuvent être modifiés par adjonction d’une boucle de réaction.

a) Amplification et distorsion d’amplification :

On a vu qu’il est possible d’augmenter ou de diminuer le module de la fonction de
transfert d’un système par réaction positive ou négative .Il en résulte une amplification
de certaines fréquences au détriment d’autres. Pour évaluer ces fluctuations on fait appel
à la notion de distorsion d’amplification définit par la variation relative du module de la
fonction de transfert :

da   (6)
H
Dans le cas d’un montage à réaction, supposons une variation H1 à H 2 de la fT de la
chaîne d’action  il en résulte une variation de '1 à H'2 de la fT en chaîne fermée
avec :

H'1 H1 et H'2 H 2
1KH1 1KH 2
Désignons par  la variation de la fonction  et par ' la variation de la fonction
' . On a :
''2 '1 H  H 1. H
   
1KH1 1H 2 H1 1KH1 1H 2  
En notant que :

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 H1 H'1H'H'1.H . 1
1KH1 H1 1KH 2
H'  1 .H d'a  1 .da
H'1 1KH 2 H1
soit
1KH 2 (7)

Conclusion : La contre-réaction 1  2  1 diminue la distorsion d’amplification.

Rem : On peut éliminer pratiquement la distorsion d’amplification en notant

H
 1  1   . H'  1
que : et donc
1KH K
Dans ce cas particulier, la fT en Bf devient indépendante des éléments de la chaîne
d’action. On peut donner à la courbe de réponse une allure quelconque uniquement
fonction des éléments de la boucle de réaction. Il est alors possible de changer à tout
moment l’élément amplificateur sans craindre une modification de courbe de réponse.
Cette propriété est largement utilisée dans les applications des AOP.

b°) Bande passante :

Nous allons pour cette étude se placer dans le cas particulier où K est un nombre
réel. Désignons par fh et fb les fréquences de coupure à 3dB haute et basse d’un
amplificateur constituant la chaîne d’action d’un système bouclé.
* Domaine des Bf :
En Bf, la fT de la chaîne directe peut s’écrire :
 où Ho en la valeur de la fonction dans la bande passante.

en B.f on a :

Soit avec et

Conclusion :
La contre réaction diminue la fréquence de coupure basse dans la bande passante
d’un amplificateur.

* Domaine de Hf :
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*     = 1 ou légèrement > 1  l’oscillateur est sensiblement sinusoïdale
*     > 1 les signaux sont écrêtés  l’oscillateur est dit de relaxation.

La condition d’instabilité énoncée plus haut se traduit sous forme de courbe de réponse
comme ce qui suit :

a°) Module et argument de la fonction de transfert d’un système instable

Pour stabiliser le système, deux solutions :

- soit diminuer le gain de boucle sans modifier la courbe de phase
- soit augmenter la phase sans modifier la courbe de gain

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 b°) Correction par avance de phase ou pré- c°) Correction à retard de phase ou post-
compensation compensation

Figure n° 3 : Différents moyens de stabilisation d’un système

II°) Application de la contre-réaction :

Après avoir mis en évidence les propriétés essentielles de la réaction en générale, nous
allons nous intéresser dans cette partie aux applications de la CR dans les amplificateurs.

1°) Classification des montages à CR :

Pour classer les différents types de systèmes bouclés, la méthode la plus simple
consiste à tenir compte d’une part, de la façon dont on prélève le signal de sortie, d’autre
part, de la manière dont on réinjecte le terme de réaction dans le circuit d’entrée. Le
prélèvement en sortie peut se faire, soit en parallèle (voir fig4.a), soit en série (voir
fig4.b). Dans le premier cas, la grandeur prélevée est la tension de sortie, dans le second,
c’est le courant de sortie qui attaque la chaîne de retour.

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 Fig4.a : Prélèvement parallèle d’un signal Fig4.b : Prélèvement série d’un signal

Figures n° 4 : Différents type de prélèvement dans e circuit de sortie

La réinjection dans le circuit d’entrée peut se faire, soit en série (voir fig5. c), soit
en parallèle (voir fig5.d). Dans la réinjection série, le terme de réaction est une tension,

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 Zu Zu
 
A o.V1 Z s VsVs1 Z s A o.V Vs A o.V
1 Z s
1
1

Zu
K étant la f.T de la chaîne de réaction Vr K.Vs or la loi des mailles à l’entrée du
circuit :

   
   
Ve V1 Vr  V11 A 0K  avec V1Z eieVe Z e1 Z s ie Z e'.ie
A oK
 1 Zs   1 
 Zu   Zu 
 
Z’e = impédance d’entrée du montage à CR Z 'e Z e1 A o.K 
 1 Z s 
 Zu 

On peut aussi écrire que : V1Ve Vr

VeKVs or VsA 0 V1Z sIs
VsA oVeKVsZsIsA oVe A oKVsZsIs

Vs1A oK A oVe Z sIs  Vs  A o Ve  Z s Is

1A oK 1A oK

On peut la mettre sous la forme : VsA'o.Ve Z 's.Is avec

A'o A o et Z 's  Z s
1A oK 1A oK

A’o est l’amplification en tension à vide (Is =0) et Z’s = l’impédance de sortie en court-
circuit du montage à réaction.

Conclusion :

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 Les précédents résultats permettent d’établir un nouveau schéma équivalant du
système bouclé.
La CR tension-série
- diminue l’amplification en
tension à vide et l’impédance de

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 ' 
est l’admittance de transfert en court-circuit Vso et  Y' l’admittance de sortie
s
en court-circuit (ou admittance de sortie pour une commande en tension du montage à
réaction).

Conclusion : Les résultats permettent d’établir un nouveau schéma équivalent :

La CR courant-série diminue la pente

de l’admittance en court-circuit et
augmente l’impédance d’entrée

Yu

0
Figure n° 13 : Nouveau schéma équivalent du
système contre réactionné

Dans le cas particulier où est très grand devant 1, est pratiquement égal à

et est négligeable . Le système se comporte comme un générateur

de courant commandé par la tension d’entrée. On l’appelle convertisseur tension-

courant.

c) Application : Montage EC à résistance d’émetteur non découplée (cf. TD)

4°) Contre-réaction tension parallèle :

La grandeur prélevée est la tension de sortie et celle réinjectée est un courant.

a) Schéma équivalent sans CR :

Les grandeurs essentielles sont le courant d’entrée et la tension de sortie  on réalise
un schéma équivalent mettant en évidence un générateur de thévenin dans le circuit de
sortie commandé par le courant d’entrée.

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 Z's
Ve B C

Y'e Z'o.i e
Zu

E
0
Figure n° 17 : Nouveau schéma équivalent du système CR

 La CR tension // diminue l’impédance de transfert à vide et l’impédance de sortie à

vide.
 La CR tension // augmente l’admittance d’entrée.

1 ie
Remarque : Dans le cas où  1  '  et ' est négligeable  Vs  K
Le système se comporte comme un générateur de tension commandé par le courant
d’entrée. On l’appelle convertisseur courant-tension.

5°) Contre-réaction courant-parallèle :

Ici la grandeur prélevée est le courant de sortie et celle réinjectée est un courant.

a) Schéma équivalent sans réaction :

Nous allons mettre en évidence dans le circuit de sortie, un générateur de Norton
commandé par le courant d’entrée.

V1 B C
i1YeV1
Ao.i1
Ye i2 A oi1YsV2
Ys Yu

0
Figure n° 18 : Schéma équivalent du circuit sans CR
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 ' 
est l’admittance de transfert en court-circuit Vso et  Y' l’admittance de sortie
s
en court-circuit (ou admittance de sortie pour une commande en tension du montage à
réaction).

Conclusion : Les résultats permettent d’établir un nouveau schéma équivalent :

La CR courant-série diminue la pente

de l’admittance en court-circuit et
augmente l’impédance d’entrée

Yu

0
Figure n° 13 : Nouveau schéma équivalent du
système contre réactionné

Dans le cas particulier où est très grand devant 1, est pratiquement égal à

et est négligeable . Le système se comporte comme un générateur

de courant commandé par la tension d’entrée. On l’appelle convertisseur tension-

courant.

c) Application : Montage EC à résistance d’émetteur non découplée (cf. TD)

4°) Contre-réaction tension parallèle :

La grandeur prélevée est la tension de sortie et celle réinjectée est un courant.

a) Schéma équivalent sans CR :

Les grandeurs essentielles sont le courant d’entrée et la tension de sortie  on réalise
un schéma équivalent mettant en évidence un générateur de thévenin dans le circuit de
sortie commandé par le courant d’entrée.

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i i i i ki avec isA oi1YS Vs et donc :
1 e r e s

i A i kiY V A i A kiY V
s o e s s s o e o s s s 

i 1A kA i Y V i 1A

s o i  Y V
kA 1A k
o e s s s
o

o
e
s

o
s

Cette expression peut s’écrire : isA 'oie Y's V s avec

A et Y'  Y
A ' 1K o
A '  amplification en courant en court-circuit
s
o
A 1 A K o
s
o
o

V o et Y' est l’admittance de sortie à vide.

s s

Conclusion :
Les résultats précédents permettent d’établir un nouveau schéma équivalent du
système bouclé.

La CR courant //
Ve B C diminue l’amplification
en court-circuit et
A'o.ie l’admittance de sortie à
Y'e vide ; elle
Y's Yu
augmente l’admittance
E d’entrée.

Figure n° 20 : Nouveau schéma équivalent du système contre réactionné

6°) Application pour la CR tension-parallèle (cf. TD)

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 Z's
Ve B C

Y'e Z'o.i e
Zu

E
0
Figure n° 17 : Nouveau schéma équivalent du système CR

 La CR tension // diminue l’impédance de transfert à vide et l’impédance de sortie à

vide.
 La CR tension // augmente l’admittance d’entrée.

1 ie
Remarque : Dans le cas où  1  '  et ' est négligeable  Vs  K
Le système se comporte comme un générateur de tension commandé par le courant
d’entrée. On l’appelle convertisseur courant-tension.

5°) Contre-réaction courant-parallèle :

Ici la grandeur prélevée est le courant de sortie et celle réinjectée est un courant.

a) Schéma équivalent sans réaction :

Nous allons mettre en évidence dans le circuit de sortie, un générateur de Norton
commandé par le courant d’entrée.

V1 B C
i1YeV1
Ao.i1
Ye i2 A oi1YsV2
Ys Yu

0
Figure n° 18 : Schéma équivalent du circuit sans CR
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b°) Schéma équivalent avec CR :
L’introduction de la CR conduit au schéma équivalent suivant :

Pour hypothèse, le circuit de

Ve B C réaction ne charge pas
l’amplificateur et donc la tension
Ao.i 1 Ys
Ye aux bornes de la chaîne de retour
Yu est négligeable devant la tension
E aux bornes de la charge

0 K

Figure n° 19 : Schéma équivalent du circuit avec CR

isA0i1YsVsV0 A0i1YsVs
isYuVs  Vs  Yisu

On en déduit IS AYoi1s si K = fT de la chaîne de réaction, on a :

1
Yu
KA oi1
 soit ir  , la loi des nœuds à l’entrée nous donne :
1 Y s
Yu
 
 K 
   1 A
ie i1 ir i1 Ys  et en remplaçant i1 par sa valeur en fonction de Ve, on a :
o

 1 
 Yu 
 
 K 
A
ieYe1 Ys  V e . Cette expression peut se mettre sous la forme
o

 1 
 Yu 
 
 K 
A
ieY'eV e avec Y'eYe1 Ys  Y'e admittance d’entrée du montage.
o

 1 
 Yu 

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i i i i ki avec isA oi1YS Vs et donc :
1 e r e s

i A i kiY V A i A kiY V
s o e s s s o e o s s s 

i 1A kA i Y V i 1A

s o i  Y V
kA 1A k
o e s s s
o

o
e
s

o
s

Cette expression peut s’écrire : isA 'oie Y's V s avec

A et Y'  Y
A ' 1K o
A '  amplification en courant en court-circuit
s
o
A 1 A K o
s
o
o

V o et Y' est l’admittance de sortie à vide.

s s

Conclusion :
Les résultats précédents permettent d’établir un nouveau schéma équivalent du
système bouclé.

La CR courant //
Ve B C diminue l’amplification
en court-circuit et
A'o.ie l’admittance de sortie à
Y'e vide ; elle
Y's Yu
augmente l’admittance
E d’entrée.

Figure n° 20 : Nouveau schéma équivalent du système contre réactionné

6°) Application pour la CR tension-parallèle (cf. TD)

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