CR TP ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

FILIERE : GSE

Réalisé par  : Encadré par :

ANAS ALLA Mme IMANE HALKHAMS
MOHAMED BOUKHOU
AMINE EL GHINANY

Année universitaire :2022 /2023

1
Question 1 :

Question 3 :

La tension de claquage est de 16 V

Question 4 :

Le transistor se comporte comme une résistance

2
Question 5 :

Le transistor se comporte comme un générateur de courant

Question 6 :

Le transistor se comporte selon les réglages de constructeur vdsmax

Question 7 :

Le point de polarisation :vds=9.2 et ids=0,23 Vgs =1,4 (voir le graphe)

Question 8 :

Rds=Vds/Ids a.n 9 ,2/0,23=40 ohm

Question 9 :

On remarque que la est presque linéaire le courant Ids augmente proportionnellement avec la
tension Vgs

Question 10 :

3
De même pour le transistor double grille

Rds=Vds/Ids=9200/0.451=20.4 ohm

4
On remarque que La résistance de l’état normal est le double de l’état double grille 

Question 11 :

Quand on a ajouter le 2eme transistor on a amplifier le signal de premier montage.