 Qu'est-ce que le laboratoire de statistiques Carrier ?

- Laboratoire de statistiques sur les transporteurs :

Un outil basé sur MATLAB®. Fournit la distribution des électrons et des trous dans les semi-
conducteurs courants. Calcul du niveau de Fermi dépendant de la température et calcul des
électrons, des trous et des dopants ionisés. Permet d'utiliser les statistiques non dégénérées de
Fermi-Dirac et Maxwell-Boltzmann. Outil développé à l'Université de Purdue Fait partie des
outils d'enseignement sur nanoHUB.org.

-Développeurs :
Abhijeet Paul / Université de Purdue.
Gerhard Klimeck / Université de Purdue.

 Sélection du matériel et du modèle de distribution

1 2
[a]

[b]

[c]

1- matériel et statistiques :
a- Sélectionnez la fonction de distribution
Deux types de distribution sont disponibles. Ef, Ei et gi sont le niveau de Fermi, le niveau
d'énergie et la dégénérescence de la bande d'énergie Ei.

[(Ef – Ei)/KT]
FFD = gi /(1+exp )

[(Ef – Ei)/KT]
FMB = gi exp
 b- Sélectionnez la fonction de distribution
Options de matériaux disponibles. Le matériau détermine la masse de e- & h+ et par conséquent
de la mdos. Et de la densité d'états

c- Sélectionnez la méthode du niveau de fermi

Sous dopage, le niveau de fermi est calculé en fixant la densité de charge totale à zéro dans le
semi-conducteur. (Neutralité de charge)

2- Température et Energie

Deux options disponibles pour la température :

[1] Température fixe : calcule la distribution à une seule température. Réglez [Sweep the Temp]
sur NO et entrez la valeur de T en K.
[2] Température de Balayage ( Sweep ) : Permet de voir la variation de la fonction de
distribution en fonction de la température. Avec la température. Réglez [Sweep the Temp] sur
YES Entrées autorisées :

 Energie
Plage d'énergie dans laquelle la fonction de distribution est évaluée .Fournir les valeurs
minimales et maximales en eV

 Que se passe-t-il quand on appuie sur SIMULATE ?

Exécution avec les entrées par défaut :

[Fonction de distribution] : Fermi-Dirac

[Matériau] : Silicium
[Sélection du niveau de Fermi] : Défini par l'utilisateur
[Valeur du niveau de Fermi] : 0.56 eV (par rapport à Ev)
[Température de balayage] : Non
[Température] : 300 K
[Énergie minimale] : -0,4 eV
[Énergie maximale] : 1,52 eV
  Sorties par défaut

1
2

3
4

[1]
[2]

[4]

[3]

 Température de Balayage

- Dopage constant
Na = 1e14cm-3, Nd = 100 cm-3
En maintenant un dopage constant, Efs varie avec la température.

Comme T inc. la distribution Se

déplace vers le haut puisque Efs est
inc. AvecT( discuté plus loin)
T inc
 - Niveau de Fermi constant
Ev – Efs = 0.1 eV, Ev = 0eV
Maintien d'une Efs constante ; le dopage varie avec la température.

Comme la distribution de T inc. se

déplace vers le haut autour du même
point d'énergie puisque Efs est
constante.

 Température de Balayage : dopage constant

Réglage de l'entrée :
[1] [Sélection du niveau de Fermi] = Doper le semi-conducteur.
[2] Définir les valeurs de dopage pour Na = 1e14 cm-3 et Nd = 100cm-3.
[3] [Balayage de la température] = Oui.
[4] Réglez [Min Temp ] = 50K ; [Max Temp] = 600K, [Steps] = 15, Material = Si.

High temperature
Intrinsic fully -Ionized

Extrinsic
Energy(eV)

Increasing Ionization of Na with

temperature

Low
temperature
less -Ionized
Temperatur
Temperature
e (K)
(K)
T<120K : Les dopants ne sont pas complètement ionisés. p = Na- [ < Na ] (Freeze out)

120K<T<440K : Dopants complètement ionisés. p = Na (Na- =Na) (Extrinsèque)

T > 440K : n = p = ni (p > Na) (Intrinsèque)

 Température de Balayage : dopage constant continue

- Mobile carrier density

p Intrins
ic
n

Extrins
ic

Freeze-out Temperature

La concentration de n, p et ni varie avec la température.

 p = Na- ; n = ni2/Na- Ionisation partielle des dopants (Freeze out)
 p = Na ; n = ni2/Na Ionisation complète des dopants (Extrinsèque)
 n=p=ni Haute T plus de porteurs intrinsèques générés pour maintenir la neutralité de la
charge (Intrinsèque)

- Densité de porteurs intrinsèques (ni)

ni = 1e10cm-3
@ T = 300K

Temperature
  Limites de l'outil
-L'outil ne peut pas gérer les statistiques de porteurs dégénérés. Échec pour le dopage lourd (Na
ou Nd > 1e20 cm-3).

-Ne peut pas simuler la distribution de Bose-Einstein.

-Les résultats peuvent être entachés d'erreurs pour de très petites températures (T < 4K).

-Ea et Ed (niveaux d'énergie de l'accepteur et du dopant) sont supposés être à 50meV du

bandage.
 Nous résultats

 Pour : [Température de balayage] : Non

[Fonction de distribution] : Fermi-Dirac
[Matériau] : Silicium
[Sélection du niveau de Fermi] : Défini par l'utilisateur
[Valeur du niveau de Fermi] : 0.56 eV (par rapport à Ev)
[Température] : 300 K
[Énergie minimale] : -0,4 eV

[Énergie maximale] : 1,52 eV

  Pour : [Température de balayage] : Oui
- Dopage constant - Niveau de Fermi constant
Na = 1e14cm-3, Nd = 100 cm-3
Ev – Efs = 0.1 eV, Ev = 0eV

 Maintenant on change les valeurs de la température

[Min T ] = 50K ; [Max T] = 600K, [Steps] = 15