(C-An-23X23)

Les matériaux semi-conducteurs de la famille de l’arséniure de gallium possèdent des propriétés optiques originales qui les
rendent très bien adaptés au traitement du signal optique. Ce problème envisage les aspects chimiques liés à l’obtention de ces
matériaux et présente une de leurs applications dans le domaine optique.
Structure cristalline de GaAs
L’arséniure de gallium cristallise selon une structure de type blende de zinc (ZnS) dans laquelle les atomes d’arsenic forment un
réseau cubique à faces centrées, les atomes de gallium occupant certains sites tétraédriques.
1. Faire un dessin en perspective de la maille élémentaire du réseau CFC en représentant les atomes d’arsenic. Quelle est la
proportion des sites tétraédriques occupés par les atomes de gallium ?
2. Déterminer numériquement la masse volumique Ω de GaAs(s), sachant que la longueur d’un coté de la maille cubique
élémentaire est a = 0, 566 nm.
3. Déterminer le rayon des sites tétraédriques r T , en fonction de a et r As , rayon covalent de l’arsenic. Calculer numériquement
r T . Le comparer au rayon covalent du gallium et conclure.
Croissance de GaAs par épitaxie en phase gazeuse – Aspect thermodynamique
Une méthode permettant d’obtenir des couches de GaAs(s) d’épaisseur bien contrôlée est basée sur la réaction :

Ga(CH3 )3(g) + AsH3(g) = GaAs(s) + 3 CH4(g) (1)

4. Donner la structure de Lewis des molécules de Ga(CH3 )3 et AsH3 . Prévoir leur géométrie en utilisant la méthode VSEPR.
5. Préciser et démontrer l’influence de la pression sur l’avancement de la réaction (1).
6. Préciser et démontrer l’influence d’un ajout de Ga(CH3 )3 à pression et température costante sur l’avancement de la réaction
(1).
Croissance de GaA par épitaxie en phase gazeuse – Aspect cinétique
On s’intéresse dans cette question mécanisme réactionnel simplifié associé à la réaction (1) :

kd 3
AsH3(g) °°! As(g) + H2(g) (M0)
2
k1
Ga(CH3 )3(g) °°! GaCH3(g) + 2CH3(g) (M1)
k2
GaCH3(g) + As(g) °°! GaAs(s) + CH3(g) (M2)

On réalise la réaction (1) dans une enceinte cylindrique de volume V et de section S (on posera Æ = S/V = 10°4 m°1 ). Initialement,
à t = 0, on place dans l’enceinte une concentration c 0 de AsH3 et une concentration c 1 de Ga(CH3 )3 .
7. Déterminer la concentration de AsH3 , c A (t ), en fonction de c 0 , k d et t .
8. On opère en présence d’un fort excès de AsH3 et on considère que la réaction (M0) est beaucoup plus rapide que les proces-
sus (M1) et (M2). Montrer que, dans ces conditions, la réaction (M2) peut être considéré comme une réaction du premier
ordre dont on exprimera la constante de vitesse k 20 en fonction de k 2 et c 0 .
9. La concentration initiale en Ga(CH3 ) étant nulle, déterminer les concentrations en Ga(CH3 )3 et Ga(CH3 ), notées respecti-
vement c T (t ) et c M (t ) en fonction de t , k 1 , k 20 et c 1 .
10. On admet que le GaAs solide est seulement formé sur la base de l’enceinte, de section S. L’épaisseur de la couche de GaAs
(supposée homogène) est notée e(t ). Exprimer d e/d t en fonction de c M (t ), k 20 , du rapport Æ, de la masse volumique Ω et de
la masse molaire M de GaAs.
11. Dans les conditions expérimentales choisies, on a k 1 = 5.10°2 s°1 et k 20 = 5.10°4 s°1 . Déterminer, d’abord analytiquement
en fonction de k 1 et k 20 , puis numériquement , l’instant t max où le taux de croissance est maximal.
Données :