Année 2020-2021

Synthèse des Convertisseurs

&
Composants SemiConducteurs

BB26000 ALSTOM 2 moteurs synchrones autopilotés

Onduleur à MOSFET de 3 kVA G2Elab
 Transistor Transistor Transistor THYRISTOR Thyristor
DIODE
BIPOLAIRE MOSFET IGBT GTO
PRINCIPAUX INTERRUPTEURS SEMICONDUCTEURS UTILISES

Caractéristiques
Statiques
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

ON ON ON ON C=1 ON ON
Caractéristiques de

V>0 I<0 C=1 C=0 C=1 C=0 C=1 C=0 et I<0 C=1 C=0
Commande

OFF OFF OFF OFF V>0 OFF OFF

Courant Tension Tension Courant (mA) Courant (qq A)
EN

Fréquence Qq MHz 500 kHz Qq MHz 50 kHz 1 kHz 5 kHz

200 A/ 600 V 200A/50 V 3,5 kA/4,5 kV
3 kA/ 1kV 400 A/ 3,3 kV 3 kA/10 kV
10 A/500 V
1 A/ 1000V
Alim à découpage Alim à découpage Traction ,
Tous les domaines Tous domaine, Traction,
Variateur de vitesse Induction réseaux d ’énergie
traction légère... réseaux d ’énergie
Moyenne puissance, Faible Puissance
Forte Puissance Très forte puissance Très forte Puissance
Haute fréquence Très haute fréquence
Moyenne fréquence Très faible fréquence faible fréquence
Année 2020-2021

Maturité déclin Maturité Maturité-déclin Maturité-déclin

croissance
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Le matériau silicium
Queue d’une carotte de silicium ou wafer
On découpe ensuite des tranches fines, polies pour ensuite graver les
composants semiconducteurs

Thyristor en boitier PRESS-PACK

Le packaging des semi-conducteurs

Module IGBT ancienne génération

Module IGBT (bras d’onduleur -2 IGBT et 2 diodes)
nouvelle génération extra plat pour limiter les
inductances parasites
Prototype d’onduleur du Tramway de Grenoble
connu sous le nom d’Onix
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Les refroidisseurs externes

Radiateur convection naturelle à air (Photo Semikron) Boite à eau (Photo Semikron)

(Photo Metal Process)

Caloduc pour le refroidissement de
processeur
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TD 1 – SYNTHESE DES CONVERTISSEURS DE PUISSANCE

Exercice 1 :
On désire relier une source alternative de tension à
une source de courant continue. Déterminer les
caractéristiques statiques et dynamiques des
interrupteurs à utiliser dans les deux cas de figure qui
sont susceptibles de se présenter.

On suppose maintenant que la source de tension alternative d’entrée est sinusoïdale (par exemple le réseau
d’énergie EDF)
En vous inspirant de la succession des phases de fonctionnement étudiées précédemment, tracer la tension continue
aux bornes de la source de courant Vch dans les deux modes de commutation des interrupteurs. Calculer la valeur
de la tension continue en fonction de l’angle de commande dans les deux cas.
Tracer aussi le courant Ie débité par la source alternative et conclure.

Exercice 2 :

On désire alimenter une machine à courant continu par une batterie de manière à contrôler la vitesse de cette
dernière. Des contraintes d’implantation font que les trois éléments, batterie, convertisseur, moteur sont assez
éloignés les uns des autres.
Dans la mesure où la batterie assez éloignée du convertisseur, préciser la nature dynamique de cette source vis-à-
vis du convertisseur. Préciser également de quelle nature dynamique peut être considérée la machine à courant
continu.
Dans un premier temps on considère que la machine CC se comporte comme une charge. Proposer une structure
de convertisseur avec seulement deux interrupteurs permettant de relier entre elles les 2 sources de courant. On
tracera le lieu des points de fonctionnement de ces interrupteurs dans l’optique de déterminer leurs caractéristiques
statiques et dynamiques.
Dans un deuxième temps on souhaite restituer l’énergie du moteur dans la batterie car le moteur tourne toujours
dans le même sens mais freine.
Proposer une modification de la structure et indiquer les caractéristiques statiques et dynamiques des interrupteurs
à implanter pour être en mesure de réaliser cet échange d’énergie.

Exercice 3 :

Extraire la cellule de commutation du convertisseur suivant :

Exercice 4 :

Etude de la commutation de la cellule de commutation suivante :

Tracer les formes d'onde lors d'une commutation à l'ouverture d'un thyristor dual. On supposera que le courant
décroît linéairement dans le thyristor dual concerné. En déduire l’incidence des condensateurs d’aide à la
commutation sur la tension aux bornes de la charge. Exprimer le temps de commutation en fonction de E, C et Ich.
Calculer le courant efficace de C.
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Exemple de réalisation d’un THYRISTOR DUAL

+ 15 V 100  1 k
IGBT
commandé en
D2 T1 Thyristor Dual
10 

680 
D3
D1
T2

- 15 V
Expliquer le fonctionnement du montage qui permet de faire commander l’interrupteur IGBT en mode thyristor –
dual.
Calculer le seuil de tension qui provoque soit l’ouverture de l’IGBT par sur courant soit qui empêche l’IGBT
d’être commandé à l’état passant en inhibant l’ordre de commande transmis par l’unité de commande centralisée.
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TD 2 : Synthèse des convertisseurs n°2

Etude d’une cellule de commutation

On considère un onduleur dont la structure en demi-pont est représentée par la figure ci-dessous.

La source de courant J alternative et sinusoïdale d’amplitude Jm et de fréquence F s’apparente à la charge. La

commande d’un interrupteur K1 à l’amorçage est représentée par le signal logique à l’état haut “1” et “0” pour le
blocage. Ce signal peut être représenté par une fonction de modulation Fm1(t).

Etude de la structure de base :

1°/ Montrer que les états de k1 et k2 sont complémentaires.
2°/ Tracer dans le plan I(V) les caractéristiques des interrupteurs et en donner plusieurs réalisations technologiques.

Commande en onde carrée.

Les fonctions de modulation Fm1 et Fm2 des interrupteurs K1 et K2 sont données par la figure ci-dessous.

1°/ Vérifier que ces commandes sont compatibles avec l’étude précédente.

2°/ Sur le document réponse donné page suivante, tracer les formes d’ondes suivantes : Vk1(t), Ik1(t),Vj(t) ainsi
que le déphasage  du courant J par rapport au fondamental de la tension onduleur et ce pour les deux cas de
figure considérés. Indiquer pour chacun des 2 cas, le mode de commutation de l’interrupteur et monter
l’évolution du point de fonctionnement sur le cyclogramme de l’interrupteur.
3°/ Quelles sont les limites de pour ces types de fonctionnement ? Que se passe-t-il si  appartient à l'intervalle
[-2Tm/T ; 2Tm/T] ?

Par soucis de simplification on néglige dans la suite le temps mort T m.

4°/ En déduire les relations qui lient Fm1(t) et Fm2(t), Vk1(t),Ik1(t) et Fm1(t),E, J(t).
5°/ En déduire la tension aux bornes de la source de courant Vj(t). A quelle condition doit satisfaire Fm1(t) pour
que Vj(t) soit alternative.
6°/ Exprimer la décomposition en série de Fourier de Fm1(t) et en déduire celle de Vj(t).
7°/ Quelles conditions doivent vérifier les fréquences F et F1 pour que la puissance moyenne échangée entre les 2
sources soit non nulle puis maximale ? On rappelle que F est la fréquence de la source de courant J et F1 la
fréquence de la fonction Fm1(t)
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TD3 -COMMUTATION D’UN SEMICONDUCTEUR de PUISSANCE

AIDE A L’OUVERTURE – PERTES - EXCURSION EN FREQUENCE

Dans une structure hacheur, l’interrupteur de puissance est un transistor dont la fréquence de commutation est
fixée à F. La source d’alimentation E vaut 300 V. On supposera en outre que la charge impose un courant
parfaitement constant Io = 10 A.
SANS CALC
0°) Dessiner le schéma du hacheur.
Quelles sont les différentes phases pendant la commutation en supposant linéaire la décroissance du courant dans
l’interrupteur ?
Représenter les formes d’onde temporelles. Tracer l’allure temporelle de la puissance instantanée dans
l’interrupteur.
Le temps d’ouverture toff du transistor est de 1 s. Le temps de fermeture ton du transistor est de 100 ns.
Dans un premier temps, on adoptera, pour ce tracé, que le rapport cyclique de 50 % et que la chute de tension à
l’état passant du transistor vaut 3 V.

AVEC CALC
1°) Dessiner le circuit d’aide à la commutation à l’ouverture à mettre en œuvre.
Représenter les formes d’onde en supposant linéaire la décroissance du courant dans l’interrupteur.

2°) Exprimer les pertes dans le transistor (PToff) lors de l’ouverture en fonction de C, E, Io, toff et F.
Calculer C pour avoir en t = toff ; d’abord Vc = E puis Vc= E/3.
Exprimer les pertes dans la résistance de décharge (Pr) lors de la fermeture du transistor en fonction de C, E, Io,
toff et F.
Calculer la valeur de R, sachant que le courant maximum admissible est de 15 A pour le transistor.
Pour les deux valeurs de C précédentes, calculer la valeur de PToff, Pr et Pr+PToff ainsi que la durée de la
commutation. En déduire la valeur de C pour minimiser l’ensemble des pertes PToff+Pr.

3°) Ecrire l’expression des pertes par commutation pour le transistor en faisant apparaître la fréquence comme
paramètre.
Ecrire également les pertes par conduction pour le transistor et la diode en fonction de .
On donne pour la diode Vo = 1,1 V et Rd = 0,01 . En ce qui concerne le transistor on donne Rt = 0,3 .
Le condensateur C vaut 16,6 nF.

4°) On fixe ces deux composants sur un seul et même radiateur de résistance thermique Rthrad = 0,5 °C/W. La
résistance thermique du transistor est de 0,6 °C/W alors que celle de la diode est évaluée à 0,8 °C/W.
Faire le schéma équivalent électrique de la situation thermique.
On se fixe min = 0,05 et max = 0,95 ainsi que la température maximum des jonctions semiconductrices à 125°C.
On prendra également comme température ambiante 40°C.
Déterminer la fréquence maximum à laquelle est susceptible de fonctionner le hacheur dans le pire cas pour le
courant maximum Io = 10 A.

5°) On tient désormais compte du couplage thermique ce qui

signifie Rt = 0,3.(0,008 .t + 0,8). Peut-on fonctionner à la
fréquence de 160 (à recalculer) kHz avec le rapport cyclique
 = 0,8 ? Quelle conclusion en tirez vous ?
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LA DIODE
Une diode PN est constituée d’un barreau de
silicium divisé en deux parties dopées P et N-
séparées par une jonction.
Le fait d’associer deux matériaux dopés
différemment provoque une dissymétrie dans le
fonctionnement du dispositif qui se matérialise
par la caractéristique statique IK(VK) montrée en
Figure 1 figure 1.1.

a) En polarisation directe (Quadrant 1)

On constate que la diode se comporte comme une chute de tension VAK : (1) VAK= Vo + rD*IK.
Vo est appelé hauteur de la barrière de potentiel et rD représente la somme des résistances d’accès à la jonction.
BYT 12 Ampères PI 400 Volts Vo = 1,1 V
BYT 12 PI 1000 Vo = 1,47 V

Par contre la résistance rD diminue avec le calibre en courant de la diode de celle-ci.

BYT 08 PI 400 rD = 0,024 
BYT 30 PI 400 rD = 0,0095 

La densité en courant d’une diode dépend de la surface de sa jonction ; 1A/mm2 est une valeur courante. On définit
comme grandeurs caractéristiques absolues à ne pas dépasser :
-IFAV = courant moyen -IFRMS = courant efficace
Ces deux valeurs sont importantes car elles interviennent dans l’expression des pertes et sont utilisées dans le
dimensionnement de la diode en pratique.
L’expression des pertes devient alors en utilisant la formule (1) : (2) P = Vo*IFAV + rD I2FRMS.
Les constructeurs définissent également des courants pointes répétitifs ou non répétitifs qui permettent de se faire
une idée des capacités de la diode à supporter un courant de court-circuit par exemple.
b) En polarisation inverse (Quadrant 3), 2 zones sont à distinguer :
La première zone où la diode se comporte comme un circuit presque ouvert. Elle est définie par V RRM tension
maximale inverse et obtenue pour un courant de fuite IR. C’est l’épaisseur de silicium qui définie la tenue en
tension, l’ordre de grandeur du champ électrique maximum pouvant être appliqué est de 3,5.10 5 V/cm.
La deuxième zone, au delà de VRRM, la diode rentre en avalanche ce qui entraîne des pertes très importantes au
sein de la jonction puis, si le courant n’est pas limité de façon externe, conduisent à sa destruction.

2 Caractéristiques dynamiques.

Mise en conduction d’une diode BYT 12 PI 1000 Evolution de la surtension avec le di/dt
di/dt = 100 A/s, courant : 2A/div, 50 ns/div, tension : 20 V/div (Doc SGS-Thomson) Figure
2
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b Le blocage :

La valeur de IRM dépend de 3 paramètres :

- le niveau de courant direct IF
- le di/dt pendant l’ouverture
- la température
Le constructeur précise ces diverses dépendances sous forme d’abaques présentés en figure 1.4.page 5.
On peut mettre en évidence ce phénomène dans un montage simple, représenté par la figure 1.3, celle-ci montre
aussi le relevé expérimental d’une commutation:

Fig 1.3.a Montage de test

BYT 12 PI 1000 courant : 2A/div, tension 50 V/div 50 ns/div

Fig 1.3.b Formes d’ondes avec inductance de maille très petite
Fig 1.3.c Formes d’ondes réelles et idéalisées en pointillé
Variation des paramètres définissant le recouvrement :

Valeur de IRM en fonction de di/dt Valeurs de IRM et Qrr en fonction de la température

Figure 4 (Doc SGS-Thomson)

3 Choix d’une diode PIN.

Il apparaît que trois paramètres sont fortement liés dans la construction de la diode, il s’agit de :
- sa chute de tension directe VF,
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- sa rapidité (amorçage et blocage),

- sa tenue en tension inverse VRRM.
Privilégier un de ces paramètres est possible en maîtrisant plusieurs procédés technologiques mais se fait au
détriment des autres comme le montre le tableau suivant où l’on compare 3 diodes 30 A de tenue en tension
différente.
Diodes VF(V) VRRM(V) Qr(nC) trr(ns)
BYW 99-200 0,85 200 60 40
BYT 30 PI 400 1,4 400 250 80
BYT30 PI 1000 1,8 1000 1700 200
Avec comme conditions de tests : Io= 30 A, Tj= 100°C di/dt = 100 A/s
En conclusion il apparaît qu’il ne faut jamais surdimensionner en tension une diode V RRM et prendre toujours la
plus juste possible. Toutefois il existe plusieurs technologies différentes pour réaliser une diode.
- celle pour les diodes de tenue en tension inférieure à 200 V
- comprise entre 200 et 600 V.
- au delà de 600 V.
Par exemple, les diodes 400 V sont triées dans un lot de fabrication 200-600 V et présentent la même rapidité
qu’une diode 600 V. Dans ce cas mieux vaut choisir, par sécurité, la diode 600 V. Ces limites évoluent, ainsi, la
technologie 200 V vient d’être étendue à 400 V mais la philosophie reste identique.
Les oscillogrammes suivants illustrent la commutation d’un même courant avec le même di/dt par des diodes de
tenues en tension inverses différentes.

Irm = 3,8 A Irm = 4,1 A

Blocage d’une diode BYT 08 PI 200 Blocage d’une diode 08 PI 400

courant : 2A/div tension : 20V/div 20 ns/div

Irm = 7,8 A Irm = 8,5 A Irm = 10 A

Blocage d’une diode BYT 08 PI 600 12 PI 800

12 PI 1000
Figure 1.5 courant : 2A/div tension : 20V/div 20 ns/div

Il existe plusieurs familles de diode PIN, nous allons les présenter afin de mieux cerner leur domaine d’application.
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La plupart des constructeurs proposent des diodes PN dites à haut rendement (tensions à l’état conducteur faibles
≈ 0,8 V série BYW chez Thomson). Elles sont définies par un trr faible donc elles peuvent être qualifiées de diodes
rapides. Cependant leur comportement durant la phase de remontée du courant peut être très différente. Lorsque
cette phase est très oscillatoire la diode est dite à recouvrement dure ou “snapp-off”, par opposition aux diodes
rapides avec recouvrement progressif “soft” Ces oscillations ont une répercussion importantes sur le comportement
de la tension aux bornes de la diode. Les oscillogrammes suivants mettent en évidence ce phénomène. Ici la diode
Snapp-off ne permet pas de travailler sous la même tension d’alimentation que pour la diode soft puisque les
oscillations engendrées dépasseraient sa tenue en tension.

BYW 08-100 (Snap-off) BYT 08 PI 400 (Soft)

Figure 1.6 courant : 2A/div tension : 20V/div 50 ns/div

1.2 Diodes à jonction métal-semi-conducteur : diode Schottky

Ces diodes font preuves d’une très grande rapidité au blocage mais
présentent une tenue en tension inverse médiocre et un courant de
fuite assez élevé. Une amélioration de ce paramètre détériore VF.
En outre elles ont un comportement capacitif au blocage important,
ce qui engendre des oscillations parasites importantes avec
l’inductance de maille tant sur le courant que sur la tension. Le
constructeur fournit l’évolution de la capacité équivalente en
fonction de la tension de blocage. La figure suivante illustre bien
ces propos.

Figure 1.7

Figure 1.8

Blocage d’une diode Schottky MBR 2545 Variation de la capacité parasite en fonction de la
courant : 2A/div tension : 10V/div 50 ns/div tension inverse
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Quelques caractéristiques intéressantes :

0,2 V <Vf <0,5 V quelques centaines d’Ampères et V RRM =100 V à 200V grand maximum
Elles sont indispensables dans les convertisseurs qui travaillent en basse tension où chaque chute de tension affecte
énormément le rendement. Elles sont également très employées dans les convertisseurs de tension moyenne mais
opérant en très haute fréquence (>1MHz).

1.3 Réseau d’aide à la commutation

Afin de réduire les oscillations et les pertes qui en découlent , on dote souvent les diodes d’un réseau Résistance -
Condensateur en parallèle sur celles-ci afin de réduire les oscillations. Le principe consiste à créer un réseau
oscillant regroupant l’inductance de maille et le réseau RC que l’on essaye d’amortir au mieux. Le
dimensionnement de R et de C est fort délicat et résulte d’un compromis.
- C doit être suffisamment grand pour masquer la capacité parasite de la diode et dériver assez de courant.
- R est destinée à amortir le circuit, elle doit donc être assez grande, mais une trop grande valeur rend inefficace
le condensateur.

Figure 1.9 Diode BYW 08-100 avec et sans CALC R = 4,7  et C = 4,7 nF

1.4 Associations de Diodes.

Pour réaliser des convertisseurs de forte intensité ou forte tension, on peut être amené à associer les diodes à la fois
en parallèle et en série
En ce qui concerne la mise en parallèle, la mise en œuvre de puces sur le même substrat permet de limiter les
déséquilibres dus au coefficient négatif de température que présente une jonction. Sinon en redressement basse
fréquence de très forte puissance, des inductances couplées permettent d’équilibrer les courants.
En ce qui concerne la mise en série, des résistances en parallèle équilibrent les tensions en statique et des réseaux
RC ( voir § 1.3) assurent l’équi-répartition durant la commutation.
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TD4 - PERTES EN COMMUTATION DE LA DIODE DE PUISSANCE

Dans une structure hacheur, l’interrupteur de puissance est un transistor dont la fréquence de commutation est
fixée à F = 30 kHz ; la source d’alimentation E vaut 300 V. On supposera en outre que la charge impose un courant
parfaitement constant Ich = 10 A.

Ich

Ton Toff
On prendra Ton = 100 ns et Toff = 1 s .

PREMIERE PARTIE : LA DIODE EST SUPPOSEE PARFAITE

L’évolution du courant Ik dans l’interrupteur K est donnée par la figure ci-dessus.

1°/ Représenter l’évolution de Vk.
En déduire l’énergie dissipée dans K à sa mise en conduction Wkon, à son blocage Wkoff.
Enfin en déduire les pertes par commutation à la fréquence F.

2°/ Représenter la trajectoire du point de fonctionnement de l’interrupteur K dans le plan (V k, Ik) en faisant
apparaître le sens de parcours.

DEUXIEME PARTIE : LA DIODE PRESENTE UNE PHASE DE RECOUVREMENT

Dans les premières questions, on cherche à établir des relations permettant de déterminer entièrement la
commutation de la diode. Pour établir ces relations, on admettra que les formes d’onde de commutation peuvent
être idéalisées comme ci dessous :

Ich

1°/ Indiquez quels sont les paramètres technologiques qui influent sur la valeur de Qrr.
Exprimez Qs et Qr en fonction de IRM, 1, 2.

2°/ Calculer IRM en fonction de dI/dt)b et 1 puis de la même façon en fonction de dI/dt)r et 2.

3°/ Exprimer IRM en fonction de Qrr, k et di/dt)b.

4°/ Calculer la relation entre dI/dt)b et dI/dt)r puis l’énergie dissipée dans la diode lors du blocage Wd off en
fonction de VkM, Qrr et k.

5°/ Représenter la nouvelle évolution du courant dans l’interrupteur Ik en fonction du temps, indiquez les valeurs
remarquables.
Calculer la nouvelle expression de l’énergie dissipée à l’amorçage Wkon.
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6°/ Tracer la trajectoire du point de fonctionnement de l’interrupteur dans le plan Ik, Vk en indiquant les valeurs
remarquables.

7°/ A l’aide des extraits de documentations joints, remplissez le tableau ci dessous :

IRRM QRR k 1 2 Wdoff Pdoff Wkon Pkon

Diode parfaite
BYT30PI-400
BYT30PI-800

Les informations ci-dessous sont extraites de la notice SGS-THOMSON - Shottky and rectifier diodes - Data
Book - 2nd edition - 1994.

Diode BYT30PI-200/400

Diode BYT30PI-600/800
TROISIEME PARTIE : INFLUENCE DE L’INDUCTANCE DE MAILLE
On désire maintenant prendre en considération l’influence de l’inductance de maille en série avec la source de
tension VKM. Reprendre les questions 5°) à 7°) avec L = 800 nH.
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LE TRANSISTOR MOSFET
1 Présentation et caractéristiques statiques
Les transistors Métal-Oxyde-Semi-conducteur (M.O.S.F.E.T) de puissance sont dérivés des transistors à effets de
champ utilisés en VLSI. En 1978, les fabricants ont réussi à réaliser des transistors de puissance au prix d'une
modification de la leur géométrie. Aujourd'hui, ils sont de structure verticale afin notamment de tenir des tensions
élevées contrairement aux transistors de signaux dont la géométrie est horizontale. L'association de multitudes de
cellules MOS en parallèle permet au composant de transiter de forts courants. La conduction se fait par porteurs
minoritaires (électrons) et le passage du flux d'électrons peut être interrompue par application ou non de champ
électrique. Ceci en fait un composant très rapide, dont la vitesse de commutation est souvent imposée en pratique
par les éléments parasites de la connectique ; boîtier, inductance de maille...

Figure 1
Il existe plusieurs types de transistors, certains à canal N ou P, d'autres à enrichissement ou à déplétion. En
puissance, on n'utilise que des MOS à enrichissement, et seuls les MOS canal N sont employés dans toute la
gamme de courants. Les procédés industriels ont des taux de déchet très importants pour les MOS de puissance à
canal P, ce qui implique l'utilisation quasi-exclusive de MOS à canal N en Electronique de puissance.
En régime saturé ou bloqué, le courant de gâchette est quasiment nul (grille isolée), la commande de grille
s'effectue donc en tension. Pour un MOS à canal N de puissance la tension Vgs doit être plus grande qu'une tension
Vth (tension de seuil) pour conduire. En régime saturé le transistor est équivalent à une résistance Rdson qui est
d'autant plus grande que le MOS a un calibre important en tension. Si Vbr est la tension qu'il est capable de tenir
à l'état bloqué, cette résistance est égale à k*Vbr2,6.
Le tableau ci-contre rassemble les performances de Vds Ids Rdson
transistors MOS en boîtier discret disponible 1000 v 1A 10 
aujourd'hui sur le marché. 500 v 8A 0,8
100 v 30 A 0,06
50 v 50 A 0,028
L'aire de sécurité en commutation est souvent carrée et peut correspondre à l'aire de surcharge accidentelle. [ voir
Doc SGS-Thomson]
Représentée en pointillé sur la figure 1, le transistor MOSFET comporte une diode de structure en antiparallèle
sur Drain-Source qui permet la conduction inverse du dispositif et le rend bidirectionnel en courant lui conférant
ainsi une caractéristique d'interrupteur à 3 segments.

2 Caractéristiques dynamiques
S'intéresser au comportement en commutation du transistor MOSFET nécessite de considérer le schéma équivalent
suivant qui comporte un certain nombre d'éléments parasites.

Figure 2 Figure 3
Il s'agit d'un schéma simplifié, mais suffisant pour expliquer la majorité des phénomènes de commutation leurs
dépendances vis à vis des paramètres importants.
Les capacités parasites Cgs,Cgd et Cds sont variables avec la tension Vds, mais aussi Vgs en ce qui concerne Cgs
seulement.
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En fait le constructeur fournit sous forme d'abaque la variation des grandeurs Ciss,Coss et Crss. [ voir Doc
Motorola Fig.3]
Les définitions sont les suivantes
Capacité d'entrée du MOS "Cinpuf': Ciss = Cgs+Cgd car la mesure se fait sous polarisation de Vds (Les
capacités varient fortement à faible tension Vds)
Capacité de l'effet Miller "Crss" : Crss = Cgd
Capacité de sortie du Mos "Coutpuf' se mesure entre drain et drain et source, la grille étant connectée à la
source: Coss = Cds+Cgd

Lorsque le transistor commute de l'état bloqué à saturé et

réciproquement, il passe en régime linéaire, le courant Ids dépend
de la tension de commande par la relation : Ids = Gm*(Vgs-Vth).
En réalité la dépendance est un peu plus complexe puisque le gain
Gm du générateur de courant dépend de la tension de commande ou
du courant Ids On peut remarquer que le gain Gm est en fait la pente
de la courbe Ids(Vgs). La figure 4 montre les valeurs que peuvent
prendre Gm.
Figure 4

2.1 Schéma d'étude et modèle complet utilisé.

La commutation du transistor, au sein d'un circuit hacheur série, s'effectue en plusieurs phases que nous allons
détailler.
L'étage de commande push-pull
constitue la commande la plus simple de
transistor MOSFET. Une résistance est
insérée en série avec la grille.

Figure 5

2.2 Analyse de la fermeture

Première phase

Pour amener le transistor MOS en conduction on doit faire évoluer son potentiel de grille de 0 V (ou - 15 V) à 15
V. Pour cela on suppose le générateur de commande évoluer instantanément de 0 V(ou - 15 V) à 15 V. Cette
première phase consiste en la charge de la capacité Ciss et principalement Cgs car Cgd est très faible ( Vds = E
tension d'alimentation). L'évolution de Cgs ne peut être instantanée du fait de la résistance d'accès à la grille du
MOS (résistance du cristal 1 à 2 ) ou de la résistance des pistes, du circuit de commande (push-pull ou autre) ou
encore de la résistance rg. Cette évolution est exponentielle et prend fin lorsque Vgs atteint Vth, le MOSFET
devient conducteur et passe en régime linéaire. La durée de cette phase dépend évidemment de la valeur totale de
la résistance du circuit de grille.
Deuxième phase
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La croissance du courant Ids dépend à la fois du gain Gm du générateur de courant et de l'importance de

l'inductance parasite de maille Ltotale = (Lm+Ls+Ld) et des capacités parasites du transistor MOS puisqu'elles
influent sur la tension Vds. Durant la phase de recouvrement de la diode, puis lorsque le courant MOS s'est enfin
stabilisé à la valeur Ich, la relation Ids= Gm(Vgs-Vth) fait que Vgs est 6i pratiquement " imposé par Ids. On
observe ainsi un pallier horizontal pour Vgs de valeur Vgo = Vth+Ich/Gm. Pendant la forte croissance de Ids, on
peut noter une décroissance de la tension aux bornes
du transistor MOSFFT égale à:
Pendant le pallier à la valeur Vgo, le courant ig de la commande est maintenu constant, égal à la valeur (+15 -
Vgo)/rg et dérivé par la capacité Cgd dont il fait évoluer le potentiel. On peut écrire une loi de mailles :
dt
(eql) Vgo= VCgd+ VCds & (eq2) VCgd  i g  C gd

La croissance de VCgd implique bien sûr la décroissance de VCds, qui est d'autant plus rapide que le courant de
charge de Cgd est important. L'évolution du potentiel VCgd n'est pas linéaire (charge à courant constant) car dans
cette phase Vds devient faible (inférieur à 50 V) et entraîne la variation des capacités Cgd et Cds. On remarquera
que la décharge de la capacité Cds induit des pertes au sein du transistor.
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Lorsque VCds atteint une valeur Vo qui correspond à la zone de saturation du MOSFET, on rentre dans la troisième
phase.
Enfin il faut remarquer qu'un recouvrement brutal de la diode de roue libre se transmet sur la grille à cause de la
capacité Cgd, dont la valeur est de plus en plus importante dans cette phase. Des oscillations mal contrôlées sont
susceptibles de provoquer le blocage intempestif du transistor MOS. (On rencontrera des phénomènes analogues
lors de l'ouverture du transistor.

Troisième phase

Dans cette dernière phase, l'évolution du circuit de grille se fait de façon déconnectée du circuit de puissance. A
noter une évolution de la tension Vgs plus lente que dans la première phase puisque la capacité Ciss a une grande
valeur, VCds étant très petit.

2.3 Influence des divers paramètres.

On a déjà noté au cours de l'analyse des différentes phases de la fermeture l'influence de la résistance de grille rg.
Une valeur faible permet de charger Cgd plus rapidement et donc de minimiser les pertes lorsque le courant MOS
a la valeur Ich à la fin du phénomène de recouvrement de la diode en écroulant plus rapidement la tension Vds.
Voir figure 7.En ce qui concerne les deux autres phases, rg n'a pas de répercussion directe (pas d'influence sur les
pertes) si ce n'est la présence de retards purs qui limitent les possibilités du transistor en fréquence. Le potentiel
de grille évolue d'autant plus lentement que rg est grand (circuit R C).

En relation avec rg, la valeur des capacités parasites influe sur la rapidité de la commutation, des capacités plus
grosses sont plus longues à charger et ralentissent d'autant la commutation. Ainsi un MOSFET basse tension
commute beaucoup moins vite qu'un haute tension dont les capacités parasites sont beaucoup plus faibles. La
figure 8 met en évidence ce phénomène puisque toutes les autres grandeurs ont été gardé identiques.

Le gain Gm est un paramètre moins sensible, il a néanmoins une répercussion directe sur la vitesse de croissance
du courant dans la drain. Voir figure 9.

Figure 8
Figure 7

Cette figure montre l'influence du gain Gm sur la

fermeture. Deux courbes sont tracées avec des gains
constants 6 et 10 ; puis superposées à celles avec un gain
variable donné par le constructeur

Figure 9

2.4 Analyse de l’ouverture

On retrouve toutes les phases étudiées lors de la fermeture, mais dans l’ordre inverse (figure 12)
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2.5 Influence des divers paramètres

On peut remarquer que la résistance de grille n'a pas

d'action sur la phase de décroissance du courant dans le
MOS. On a vu qu'il s'agit d'un circuit oscillant livré à lui-
même. Par contre une augmentation du courant de grille
permet de faire évoluer plus rapidement la charge des
capacités parasites. Ainsi plus la deuxième phase est
brève moins les pertes sont élevées.

La figure 11 montre l'ouverture d'un transistor Mos IRF

740 et IRF 250, on peut noter l'influence de la valeur de
Coss sur les formes d'onde.

Figure 11
Figure 12

3 Utilisation du transistor MOSFET en Electronique de Puissance.

3.1 Diode interne

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Dans les convertisseurs où les interrupteurs doivent être

bidirectionnels en courant, la diode interne du transistor
MOS ne peut être utilisée que dans une application en
thyristor-dual du fait de l'importance de la charge recouvrée
ou de sa lenteur. En mode Thyristor ou dans les onduleurs en
modulation de largeur d'impulsion, celle-ci doit être inhibée.
En revanche, elle présente une très faible chute de tension ce
qui nécessite de recourir au schéma ci contre.
Figure 13

La diode empêchant la conduction de la diode de structure est une diode Schottky afin de minimiser les pertes par
conduction. Aujourd'hui la plupart des ensembliers de puces proposent des ponts complets triphasés pour la
commande de moteur avec diode interne inhibée. L’hybridation sur un même substrat permet pratiquement de
s'affranchir des problèmes d'inductances de câblage préjudiciable dans l'association des composants.

3.2 Mise en parallèle

Les intérêts de la mise en parallèle sont multiples

- les capacités en courants sont multipliées,
- il y a répartition des sources de dissipation d'énergie,
- on diminue la chute de tension directe par mise en parallèle des résistances Rdson
- il est possible d'employer des MOS dont la taille de la puce est plus petite donc de coût inférieur.
La mise en parallèle ne pose pas de problème majeur dans la mesure où l'équilibrage des courants est naturel. En
effet Rdson augmente avec la température et conduit à un processus stable. Le transistor qui conduit le plus de
courant voit sa chute de tension augmenter et de ce fait oppose au passage du courant une force contre-
électromotrice plus élevée que les autres.
Par contre la commande est souvent plus délicate à réaliser. Des oscillations parasites peuvent s'établir dues aux
capacités parasites et engendrer des oscillations susceptibles -de détruire la grille. Il est conseiller alors de disposer
en série avec chaque grille une résistance permettant d'amortir le système.

3.3 Mise en série

La mise en série permet d'obtenir des MOS haute tension notamment utilisés pour réaliser des disjoncteurs
statiques à la place des disjoncteurs électromécaniques. Le problème est délicat à résoudre puisque les transistors
doivent avoir une faible chute de tension afin de ne pas engendrer de pertes trop importantes dans les régimes de
conduction qui sont nécessairement très longs par rapport aux phases d'ouverture (court-circuit à enrayer). De
multiples techniques sont requises afin d'équilibrer la répartition des tensions que ce soit à l'état statique ou en
dynamique.

4.4 Etage de commande

La simplicité apparente d'une commande en tension du transistor MOSFET donne une idée fausse sur la facilité
de la commande de ce composant. Néanmoins, on peut citer quelques cas simples de commande. - commande à
l'aide de transistors discrets, en montage push-pull tel celui représenté dans le paragraphe 4.2. La commande à
l'ouverture peut se faire soit par rapport au 0 V, soit en -15 V. La commande négative a l'avantage d'augmenter
grandement l’immunité au bruit et permet de s'affranchir des problèmes de remise en conduction lors de
l'ouverture. Par contre elle nécessite la présence d'une tension négative.
A noter cependant que les valeurs de résistances de grille ne doivent pas être calculées de la même façon en
présence ou non de tension de commande négative. - Il existe aujourd'hui des circuits intégrés qui font le travail
tout seul (Isolation galvanique par optocoupleur et étage de commande _HP3001par exemple-). Certains intègrent
même une pompe de charge qui permet la commande directe d'un bras d'onduleur, évitant ainsi les alimentations
auxiliaires. En général les possibilités en fréquence de ces circuits sont limitées car ils s'adressent principalement
à des commandes de moteur.
Enfin il existe de plus en plus des transistors MOS destinés au applications basses tensions (industrie automobile)
et dont la commande se fait à niveau logique 5V. De simples portes logiques mises en parallèle permettent parfois
de les commander, mais il ne faut pas être exigeant sur la fréquence et la rapidité de commutation. Dans le domaine
automobile, les MOS remplacent peu à peu les relais statiques.

4.5 Composant dérivé du MOSFET : Le SENSE-FET

Année 2020-2021

Le SenseFET, est un transistor MOSFET pour lequel quelques cellules sont accessibles de l'extérieur et fournissent
ainsi une image du courant transitant le MOSFET. Ces composants ont longtemps végété avec des réalisations
pour des MOS faibles courants. Aujourd'hui, les lectures de courants sont plus fiables et des SenseFET gros
calibres apparaissent. Il faut reconnaître que l'idée est bonne et que l'on a de plus en plus besoin de composants
dits intelligents.

Figure 14
Figure 15
Evolution des MOSFET
Certains constructeurs protègent leur MOS avec des Zeners de puissance intégrées sur le même substrat que la
puce. Une zener protège le MOS en tension Vds et une zener protège la grille des oscillations destructrices. Lorsque
la Zener DS est sollicitée celle-ci rentre en avalanche en protégeant ainsi le MOS, durant cette phase elle s'échauffe
et écrête de plus en plus bas en tension.
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L’IGBT

L’IGBT est l’acronyme anglo-saxon de « Insulated Gate Bipolar Transistor »

1 Présentation
Né dans les années 82-85 sous les noms d'IGT, COMFET ou GEMFET, le transistor IGBT a été conçu pour tirer
partie à la fois des avantages du transistor bipolaire et du transistor MOSFET. Il devait conquérir l'énorme marché
de l'électroménager grâce à un prix faible mais concédant des performances médiocres. Il a emprunté au transistor
bipolaire sa faible chute de tension à l'état passant et une bonne tenue en tension à l'état bloqué (au moins 500 V)
tout en bénéficiant de la commande économique tant en puissance, qu'en simplicité et bien sûr en coût du transistor
MOSFET.

Il a fallu attendre le début des années 90 pour que son emploi devienne courant, que ses faiblesses de jeunesse
soient éliminées et contre toute attente, les calibres en tension et courant ont rapidement dépassés ceux de
l'électroménager pour atteindre des courants commutés en 1 µs de 200 à 400 A tout en bloquant des tensions
comprises entre 1200 et 1600 V en 1995 et bientôt des versions 3300 V devraient voir le jour en 1996. A noter
qu'il s'agit alors de boîtier multipuces (MultiChip Module MCM) où la puce élémentaire est une pastille de silicium
12 x 12 mm d'une capacité unitaire de 50 à 100 A suivant les constructeurs.

Comme on le voit il couvre maintenant presque toute la gamme de puissance et sa maîtrise annonce le déclin du
transistor bipolaire et la stagnation du transistor MOSFET dont le domaine de prédilection reste la très haute
fréquence et la basse tension (≤ 200V).
Schéma équivalent simplifié et symbole

Schéma physique Schéma électrique Symbole

Figure 1.
5.2 Caractéristiques statiques

Fonctionnellement, il s'agit d'un interrupteur 2 branches ne possédant donc aucune tenue en tension inverse, ni
possibilité de conduction inverse (pas de diode de structure comme pour le transistor MOSFET) (tension inverse
de claquage ≈ 20 V).
A l'état passant le composant se caractérise par une chute de tension Vo en série avec une résistance rdson.

IGBT 12A 500V HGTH MOSFET 13A 500V IRFP

Rdson 146 mΩ 330 mΩ
Vo 1V

Figure 2 V(10 A) 2,5 V 3,3 V

La densité de courant admissible est trois

fois supérieure à celle d'un transistor MOS
100-150 A/cm2. Pour illustrer le propos
autrement, la figure 3 effectue une
comparaison de la taille de puce entre un
IGBT, un Bipolaire et un MOSFET pour un
calibre 15 A/500 V.

Figure 3
Le gain de taille réalisé sur la puce par rapport à celle d'un Mosfet équivalent a permis de fabriquer plus de
transistor à partir d’un wafer de même surface mais aussi de mettre au point des boîtiers plus petits et surtout
beaucoup moins coûteux.
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Notons qu'à l'heure actuelle la proportion du coût de packaging est en augmentation croissante par rapport au coût
global du composant du fait de la meilleure maîtrise des process.
· On définit le courant continu maximum qu'il peut transiter ICmax.
· Le courant pic qu'il peut occasionnellement transiter pour une température de jonction inférieure à 150° C.
· Comme tous les composants 4 couches, il a une prédisposition certaine à tenir des tensions élevées. On pourra
remarquer que le calibre minimal en tension est de 500 V. Tension à partir de laquelle le MOSFET perd
beaucoup de son intérêt.
Il s'agit d'un composant extrêmement robuste en courant, capable d'encaisser des surcharges 10 fois supérieures
au courant nominal ICmax,, à condition toutefois que la température de jonction ne dépasse pas 150°C.

3. Caractéristiques dynamiques
3.1 Fermeture
Grossièrement la fermeture de l'IGBT est très proche de
celle du transistor MOSFET.

Figure 4

5.3.2 Ouverture
En revanche, l'ouverture est plus laborieuse. On assiste tout d'abord à l'ouverture de la partie MOS du dispositif
qui conduit à une décroissance très brève du courant puis dans un second temps on assiste à l'apparition d'une
queue de courant tout à fait significative de l'ouverture du transistor bipolaire base en l'air. C'est en effet le
phénomène que l'on peut expliquer grâce au schéma simplifié présenté figure I.b. Le MOS étant ouvert le
composant ne peut plus évacuer les charges stockées dans les jonctions.

Figure 5
On pourra également noter que la décroissance extrêmement rapide du courant, au cours de la première phase de
commutation, induit une surtension importante aux bornes de l'IGBT en raison de l'inductance de maille. Dans
certains cas, cette surtension très brève peut dépasser largement le calibre en tension du composant et conduire à
sa destruction. En observant les formes d'onde globale, il n'est pas toujours évident d'apercevoir ce phénomène.
Le courant de queue, appelé traînage, est représentatif des composants 4 couches (le GTO par exemple). On peut
néanmoins constater qu'en 10 ans, des progrès spectaculaires ont été fait puisque d'un traînage de 1 µs sur un
composant 15 A en 1987, on est passé à la même durée de traînage pour un composant 200 ou 400 A. A l'inverse,
le traînage a pratiquement disparu sur un IGBT ultra rapide de 20 A en 1996. Ce traînage est bien sûr générateur
de pertes importantes qui limitent la montée en fréquence de ce composant.
On pourra également remarquer que la commutation en deux phases ne se produit qu'en présence d'un circuit d'aide
à la commutation. Lorsque le composant est soumis immédiatement à la pleine tension, l'ouverture dure à peu près
le même temps mais la courbe ressemble plus à une exponentielle et la partie imputable à la coupure MOS disparaît.
2 ou 3 familles sont disponibles suivant les constructeurs.
Des composants lents dont la chute de tension à l'état passant est particulièrement faible, mais l'ouverture très lente.
IRGBC 20 S (slow)
Leur usage est donc réservé aux applications très basse fréquence. Commande rustique de moteur, commutateur
statique,...
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Des composants rapides dont la chute de tension est moins bonne mais l'ouverture moins génératrice de perte.
IRGBC 20F (Fast)
Des composants dits ultra rapide dont la chute de tension est sacrifiée devant la rapidité du composant IRGB20 U
(ultra fast).
L'utilisation est orientée alimentation à découpage et commande de moteur plus sophistiquée (en faible et moyenne
puissance < 20 kW).
IGBC 20 S IGBC 20 F IGBC 20 U
600 V 600 V 600 V
19 A 16 A 13 A
Vcesat < 2,4 V Vcesat < 2,8 V Vcesat < 3
Ecomtotale < 6 mJ Ecomtotale < 2,3 mJ Ecomtotale < 0,5 mJ
Fdécoupage < 1 kHz Fdécoupage < 8 kHz Fdécoupace > 10 kHz
toff < 1600 ns toff < 600 ns toff < 280 ns
Les informations données dans ce tableau sont des informations constructeurs, dont les conditions expérimentales
sont spécifiées (résistance de grille, inductance de maille ... ) et permettent ainsi de se faire une idée des
performances du composant. A l'utilisateur d'extrapoler en fonction de ces propres paramètres de circuit, de
commande, ce qui n’est pas toujours possible...
La figure 6 concerne les commutations à
l'ouverture des 2 types d'IGBT. Celle du haut
montre l'évolution courant et tension durant la
commutation alors que la figure du bas met en
relief la puissance instantanée ainsi que l'énergie
dissipée au cours du temps.

Figure 6
Le tableau ci-dessous compare les performances des 3 familles avec celle d'un MOS
IGBT MOSFET
Interrupteur IRGBC 20S IRGBC 20F IRGBC 20U IRFP 450
Eon 0,45 mJ 0,35 mJ 0,2 mJ
ton 200 ns 150 ns 150 ns
Eoff 0,4 mJ 0,33 mJ 0,16 mJ
toff 2,8 µs 400 ns 150 ns
4. Commande
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La commande est analogue à celle d'un transistor MOSFET (voir polycopié MOSFET). En particulier, on pourra
noter la diminution des capacités parasites de l'IGBT comparativement au même MOSFET (calibre en courant
équivalent ).
La commande peut donc fournir moins de courant.
IGBT 12 A / 500 V MOSFET IRFP 450 13 A/500 V
Ciss # 500 pF Ciss # 2 nF
Coss, Crss # 50 pF Coss, Crss # 250 pF
Ces capacités traduisent en fait des surfaces en regard dans la structure de ces composants. Il faut bien sûr, être
conscient que ces valeurs sont beaucoup plus fortes pour des gros IGBT 40OAmpères.
BSM300GA120D 30OA/1200 V Ciss # 44 nF Coss # 3,4 nF Crss # 1,4 nF
Mais ceux-ci fonctionnent rarement au dessus de 5 kHz.

5 Utilisation

5.1 La mise en parallèle

Bien qu'un Module IGBT résulte de la mise en parallèle de plusieurs puces élémentaires de 50 A (8 puces pour
atteindre 400 A), il est possible également de disposer des modules en parallèle pour augmenter encore les
capacités en courant du dispositif. Certains constructeurs laissent à l'utilisateur le soin de réaliser le câblage de
mise en parallèle à l'extérieur du boîtier simplifiant ainsi le câblage interne au boîtier et permettant la réalisation
de boîtiers extra-plats dont les inductances parasites sont de ce fait relativement faibles ≈ 10-15 nH. Cette mise en
parallèle ne pose pas de problème particulier.
Dans la mesure où l'IGBT résulte d'une association MOSFET bipolaire, le coefficient de température est négatif à
bas niveau de courant (prédominance de la partie bipolaire) puis positif à fort niveau de courant (prédominance de
la partie MOS). On peut facilement montrer que le point où se fait le basculement du coefficient négatif au
coefficient positif et vaut I = -c/a où I représente le courant transitant dans un composant et non le courant total
de l'ensemble.
Avec c est la pente de la caractéristique Vo(θ) = c θ + d
a est la pente de la caractéristique rdS(θ) = a θ + b

Application numérique pour un IGBTMG400HIUS1 400A/500V

IGBT a=29.10-3 mΩ/°C et c = - 3,7 mV/°C
Soit encore en mV : Vce = 1356-3,7 θ + ( 3,39 + 29.10-3 θ ) I

Il convient donc d'envisager la mise en parallèle pour des forts courants où le composant présente un coefficient
de température positif.

2 La protection contre les courts-circuits

Deux philosophies s'opposent aujourd'hui concernant les défaillances des semi-conducteurs.

- Ceux, hostiles à toute protection, utilisent la redondance matérielle et estiment les protections inutiles. Cette
solution est souvent choisie lorsque les contraintes d'exploitation sont très sévère et où la continuité de service
est exigée (SNCF, RATP par exemple). Un fusible est disposé en amont des condensateurs de découplage pour
éviter la propagation de l'incendie.
- Dans des utilisations moins exigeantes, on peut choisir d'effectuer une protection des IGBT comme on va le voir
ci-après. Rappelons que de par sa structure, ce composant supporte des surcharges accidentelles en courant qui
peuvent atteindre dix fois son courant nominal. C'est cette propriété qui est utilisée ici. Pour cela il faut rentrer
plus dans le détail de fabrication des IGBT.

2 familles d'IGBT existent:

- la technologie « Punch Through PT » ou épitaxié.
On diminue le gain et la durée du traînage par réduction de la durée de vie des porteurs minoritaires. La très
grande majorité des IGBT sont conçus ainsi et donnent des IGBT plus ou moins rapides avec des chutes de
tension plus ou moins importantes.
- La technologie NPT ou homogène.
On diminue le gain et le traînage sans réduire la durée de vie des porteurs minoritaires. On limite l'efficacité
de l'injection de l'émetteur de la partie bipolaire.
Cette technologie (NPT) conduit à des compromis plus intéressants que la technologie PT mais ne peut être
réalisée que pour des IGBT de tension supérieure à 1000 - 1200 V…
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Les IGBT sont plus rapides que ceux de technologie PT mais provoquent de fortes surtensions au blocage.
Ceci a des conséquences importantes vis-à-vis de leur protection contre les courts-circuits.

Principe de la protection contre les courts-circuits

En cas de court-circuit : figure 7.a
 la tension du composant croît pour atteindre la tension d'alimentation,
 le courant croît pour atteindre Isc,
 on détecte la surcharge et on décide de bloquer le composant,
 le composant se bloque en générant une surtension dans l'inductance parasite d'autant plus
grande qu'il est coupé énergétiquement.

Figures 7.a 7.b

Evaluation du courant de court-circuit ISc
Ce paramètre varie beaucoup avec les compromis de fabrication des IGBT. Ceux très rapides ont des Isc très
importants qui conduisent à des composants fragiles. Les IGBT plus lents ont des Isc < 10 Inominal et résistent
mieux aux courts-circuits (cas des modules de puissance).
Apparemment Isc serait inversement proportionnel à VCEsat (figure 5.8.a) et en diminuant Vge on parvient à
réduire Isc. (figure 5.7.b)

Figures 8.a 8.b

Durée du court-circuit tsc
tsc est le temps pendant lequel l'IGBT est susceptible de supporter le court-circuit. Pour cela il faut qu'il puisse
tsc
évacuer W   E * Isc * dt d’où pratiquement W = E . Isc . tsc. (J).
0
On peut évaluer tsc en connaissant l'impédance thermique et faire en sorte que la température de jonction tj ne
dépasse pas la limite spécifiée. (figure 8.b)
Blocage de l'IGBT
Le principal danger est la destruction par surtension. En effet le courant à couper est beaucoup plus important que
le courant nominal et comme le temps de commutation est sensiblement identique, l'inductance de maille joue un
rôle d'autant plus capital. (figure 9)

Les stratégies de protection

La première méthode consiste : lorsqu'on a détecté un courant anormalement élevé à ouvrir l'IGBT avec une
grande résistance de grille de manière à limiter la surtension au blocage. La figure suivante illustre le
phénomène.
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Toutefois une précaution supplémentaire doit être prise dans le cas où le court-circuit intervient pendant la
conduction de l'IGBT, VdS remonte brutalement et via Cgd, la tension grille augmente et conduit à un courant de
court-circuit transitoire encore plus intense. Il faut donc clamper la tension grille-émetteur à 15 V.

La deuxième méthode consiste : à descendre la tension de commande à 10 V dès l'apparition d'un défaut grâce à la
commande de la figure 10.a. Si celui-ci persiste, on coupe l'IGBT alors que celui transite en fait un courant Isc
assez réduit, sinon la tension de commande est ramenée à 15 V pour permettre un fonctionnement correct.

Donc les constructeurs qui ont privilégié les performances des IGBT acceptent en contre partie un Isc fort
important, leur IGBT étant donc très fragile, préfèrent la deuxième stratégie, plaçant le composant dans une
situation même.

Figure 9

Figures 10.a 10.b

3 Application
Comme souligné dans l'introduction l'IGBT se retrouve dans la plupart des applications et bouscule les autres
composants. Les alimentations sans interruption, les commandes de moteur en machine outil et robotique,
l'électroménager et maintenant l'assaut est donné par les applications de traction, tramway, métro léger, train
express régionaux.
Le GTO est sur le déclin même dans ces applications de forte puissance où son coût packaging est trop élevé et
ses performances fréquences trop faibles et enfin sa commande bien complexe et délicate vis-à-vis de celle de
l'IGBT.
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TD 5 : Etude fine d’une commutation IGBT/MOS & diode

Lm On considère une cellule de commutation constituée

d’une source continue E = 300 V, d’une charge continue
Io = 120A. L’interrupteur commandé est un IGBT et la
Io diode de roue libre est une diode rapide PIN. Cette
E Rg Cgd cellule de commutation présente une inductance
Vds
parasite de maille Lm. L’IGBT est commandé par une
Ug Cgs Id tension de commande +/- Ug = 15V via une résistance
de grille Rg. On donne Cgs = 1 nF Cgd = 400 pF , Cds
= 500pF; Vth = 4V ; Id  k (Vgs - Vth) 2 avec k = 2.

Etude de la commutation à la fermeture de l’IGBT/MOS

1°) Evaluer le retard pur lors de la mise en conduction de l’IGBT dans le cas d’une résistance de grille Rg = 47
. Est-il préjudiciable ?

On suppose tout d’abord que l’inductance parasite de maille Lm est faible et vaut 10nH. Ceci nous permet de
supposer que Vds ne varie pratiquement pas pendant la montée du courant Id. Autre hypothèse simplificatrice :
La diode ne présente pas de phénomène de recouvrement, elle est considérée comme parfaite.

1°) Dessiner toutes les formes d’onde qui permettent de comprendre les phénomènes de commutation lors de la
fermeture de l’IGBT. Evaluer Id(t) et dId/dt pendant la phase de montée du courant. Vérifier l’hypothèse que la
tension Vds ne subit pas de variation importante devant la tension d’alimentation E.

2°) Evaluer le domaine de validité en examinant les variations de différents paramètres : Lm, Rg principalement.

3°) Déterminer maintenant que le courant dans l’IGBT a atteint Io, la loi de décroissance de la tension Vds.

4°) En déduire l’énergie dissipée durant cette commutation.

On suppose maintenant dans cette partie que Lm.dId/dt n’est plus négligeable devant la tension d’alimentation E.

Dessiner l’évolution des formes d’onde importantes. Estimer l’énergie de commutation.

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TD 6 : Etude fine d’une commutation IGBT/MOS & diode

Première partie :
On s'intéresse d'abord à un seul semiconducteur de type IGBT présentant les caractéristiques à l'état passant
suivantes :
Rdson = a θsi + ro avec a = 29 mΩ/°C et ro = 3,39 mΩ
V = Vo + c θsi avec c = - 3,7 mV/°C et Vo = 1,356 V
1°) Ecrire la chute de tension Vds (Io, θsi) où Io est le courant traversant le composant.
2°) On appelle Rth la résistance thermique globale reliant θsi à la température ambiante θamb. Ecrire les pertes
Pertes par conduction, puis la relation décrivant le comportement thermique du composant.
3°) Faire un schéma bouclé ayant comme entrée θamb et sortie Pertes, mettant en évidence le couplage
électrothermique.
4°) Exprimer littéralement θsi en fonction de θamb et Io.
5°) Que devient cette expression si le couplage électrothermique est négligé.
6°) Application numérique avec Rth=0,5 °C/W et Io = 200A.

Deuxième partie :
On donne les caractéristiques d'un composant (bipolaire) présentant à l'état passant une chute de tension :
Vce = V +c θ avec c =-3,7 mV/°C et Vo = 1,356 V et θ représente la température de la puce en °C.
Il s'agit des caractéristiques d'un composant de calibre 200 A environ. Par souci de simplicité on va supposer que
la température ambiante θamb = 0°C.

On associe en parallèle deux composants, dont les caractéristiques sont V1, c1, Rth1 et V2, c2, Rth2.

1°) Ecriture du système d'équations statiques traduisant la mise en parallèle des deux composants.
On appelle Io le courant total, i1 et i2 les courants traversant chacun des transistors. Montrer que seule la prise en
compte de la thermique permet de calculer la répartition des courants dans chacun des transistors.
2°) On suppose maintenant que les composants ont des caractéristiques identiques, seules les résistances
thermiques diffèrent. Que peut-on dire des températures θsi1 et θsi2 ? En déduire la répartition des courants i1 et
i2 ainsi que la température.
3°) Etude de sensibilité. On suppose que la résistance thermique Rth1 = Rth+δRth, Rth2 = Rth, θsi1 = θo+δθ1,
θsi2 = θo+δθ2, i1= Io/2 +δi1 et i2 =Io/2 +δi2. Linéariser le système d'équations pour obtenir les expressions de la
nouvelle température θ et de la nouvelle répartition des courant i1 et i2 en fonction de δRth.
4°) Application numérique avec δRth= 0,15°C/W.