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Optical parametric oscillation in quasi-

phase-matched GaAs
E.L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, California
&
Thalès Research & Technology, Orsay

Article présenté par Camille Delezoide, Franck Morin et Mathieu Paurisse

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Plan de l’exposé

• Rappels sur l’oscillateur paramétrique optique et le quasi-accord de


phase

• Présentation de l’expérience décrite dans l’article

• Présentation des résultats obtenus

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Oscillateur paramétrique

Principe :

ωs Signal
Pompe ωp χ(2)eff ωi Idler
ωp

ωi
ωp

ωs

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Amplification paramétrique

Principe :

ωs Signal
Pompe ωp χ(2)eff ωi Idler
ωp

Accord de phase :
ωi
p  s  i ωp
r r r r r
 
k  k p  ks  ki  0 ωs

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Quasi-accord de phase

Accord de phase impossible dans le GaAs :


- Le GaAs est optiquement isotrope  pas de biréfringence
- On ne peut pas compenser la dispersion par la biréfringence
r r
k  0

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Quasi-accord de phase

Accord de phase impossible dans le GaAs :


- Le GaAs est optiquement isotrope  pas de biréfringence
- On ne peut pas compenser la dispersion par la biréfringence
r r
k  0

Efficacité de conversion pour Δk ≠ 0 :

d  sin  kz / 2  
2
2
Is  eff
 
n 3
k / 2 

10 x plus grand que pour le PPLN


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Quasi-accord de phase

r r r r ur
k  k p  ks  ki  K
2
K

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Accordabilité en longueur d’onde

n = n(ω,T) :

p  s  i
r r r r ur r
k  k p  T   ks  T   ki  T   K  0

 On peut faire varier ωs et ωi en faisant varier la température du cristal

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Plan de l’exposé

• Rappels sur l’oscillateur paramétrique optique et le quasi-accord de


phase

• Présentation de l’expérience décrite dans l’article

• Présentation des résultats obtenus

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Pourquoi un OPO en OP-GaAs?

• très grand coefficient non linéaire du second ordre :

d14 = 5.d 33 ( LiNbO3 ) = 94 pm / V @ 4 µm

•accordabilité très large (2 - 17 µm)

• bonne conductivité thermique

• bonnes propriétés mécaniques

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Description de l’OP-GaAs

Mode de croissance : combinaison d’épitaxie par jet moléculaire et d’épitaxie


hybride en phase vapeur (HVPE)
La MBE ne permet pas la croissance
en couche « épaisse » (limité à 10µm)
HVPE : couche >0,5mm possible*
Epitaxie en phase vapeur hybride car
tous les réactifs ne sont pas gazeux
(différent de MOVPE) : AsH3, HCl et
Ga métallique

OP-GaAs de 200µm
d’épaisseur et de période
27µm

* L. A. Eyres « All-epitaxially orientation-patterned semiconductors for


non-linear optics frequency conversion » PhD. Dissertation, Stanford
Univesity, 2001
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Description de l’OPO en GaAs

QPM period :
61,2µm
Direction de propagation
du faisceau

11 mm
0,5 mm
(110)
(001)
5 mm
( 1 10 )

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Description de l’OPO en GaAs

11 mm Traitement AR
0,5 mm
(110) R < 2% pour
(001)
5 mm λ = 1,5 – 3µm
( 1 10 )

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Description de l’OPO en GaAs

Direction de propagation du
faisceau

11 mm Pertes < 0,04cm-1


0,5 mm
(110) pour λ = 1,55 µm
(001)
5 mm
( 1 10 )

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Description du dispositif expérimental

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Description du dispositif expérimental

PPLN = LiNbO3

Signal (λ2 = 1,8 -


Pompe 2 µm)
( λ1=
Idler (λ3 = 2,3 -
QPM period : 31µm 1,06µm)
2,6 µm)
QPM atteint par contrôle de la
température (125°C – 160°C)
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Description du dispositif expérimental

Système de 3 miroirs forme une cavité


résonante pour le signal et laisse passer
la pompe et le complémentaire
Lame de Si utilisée comme filtre
intracavité pour diminuer la largeur
spectrale du signal émis par l’OPO
PPLN de 150cm-1 à 5cm-1. Nécessaire
pour le pompage de l’OP-GaAs car
acceptance de 6cm-1.
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Description du dispositif expérimental

Réfléchissant
pour tous les
faisceaux

Réfléchissant
pour le signal

Signal (λ2 = 2,28


Pompe – 3,08 µm)
Le gain le plus élevé et le seuil le plus bas ( λ1= 1,8 -
Idler (λ3 = 5,78
sont obtenus dans une configuration à 2µm)
– 9,14 µm)
deux passages
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Plan de l’exposé

• Rappels sur l’oscillateur paramétrique optique et le quasi-accord de


phase

• Présentation de l’expérience décrite dans l’article

• Présentation des résultats obtenus

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Accordage de l’OPO (GaAs) par λp

• Courbe théorique obtenue à


une température donnée grâce
aux données de dispersion du
GaAs
• Excellent accord entre théorie
et expérience : bon contrôle en
longueur d’onde de l’idler et du
signal
• Possibilité d’obtenir une
source accordable de 1,8 à 17
µm en continu (pas de sauts)

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Accordage de l’OPO (GaAs) par T

• Pour λp fixée, on peut


également accorder la
source en modifiant la
température du matériau
• Excellent accord entre la
théorie et l’expérience
• Cependant : diminution de la
puissance du signal quand T
augmente

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Comparaison des différentes configurations

• Le double passage dans le


matériau permet d’obtenir un
seuil plus faible et une
meilleure efficacité
• La configuration B est
optimale en terme de facteur
de mérite, mais ne peut être
obtenue que s’il y a un seul
passage
• On observe une baisse
d’efficacité au-delà de 60 µJ
qui semble être due au
premier OPO

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En conclusion...

• OPO à très large accordabilité, possiblement entre 2 et 17 µm


(démontrée de 2,28 à 9,14 µm)
• La grande conductivité thermique du GaAs peut permettre un
accordage rapide par la température
• Très faible puissance de pompe seuil, pouvant encore être
améliorée par : . optimisation de la cavité
. Augmentation de la taille du cristal de GaAs
• Offre des possibilités de pompage par des sources lasers non
polarisées, tels que les lasers à fibre

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