Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
phase-matched GaAs
E.L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, California
&
Thalès Research & Technology, Orsay
10/15/08 1
Plan de l’exposé
10/15/08 2
Oscillateur paramétrique
Principe :
ωs Signal
Pompe ωp χ(2)eff ωi Idler
ωp
ωi
ωp
ωs
10/15/08 3
Amplification paramétrique
Principe :
ωs Signal
Pompe ωp χ(2)eff ωi Idler
ωp
Accord de phase :
ωi
p s i ωp
r r r r r
k k p ks ki 0 ωs
10/15/08 4
Quasi-accord de phase
10/15/08 5
Quasi-accord de phase
d sin kz / 2
2
2
Is eff
n 3
k / 2
r r r r ur
k k p ks ki K
2
K
10/15/08 7
Accordabilité en longueur d’onde
n = n(ω,T) :
p s i
r r r r ur r
k k p T ks T ki T K 0
10/15/08 8
Plan de l’exposé
10/15/08 9
Pourquoi un OPO en OP-GaAs?
10/15/08 10
Description de l’OP-GaAs
OP-GaAs de 200µm
d’épaisseur et de période
27µm
QPM period :
61,2µm
Direction de propagation
du faisceau
11 mm
0,5 mm
(110)
(001)
5 mm
( 1 10 )
10/15/08 12
Description de l’OPO en GaAs
11 mm Traitement AR
0,5 mm
(110) R < 2% pour
(001)
5 mm λ = 1,5 – 3µm
( 1 10 )
10/15/08 13
Description de l’OPO en GaAs
Direction de propagation du
faisceau
10/15/08 14
Description du dispositif expérimental
10/15/08 15
Description du dispositif expérimental
PPLN = LiNbO3
Réfléchissant
pour tous les
faisceaux
Réfléchissant
pour le signal
10/15/08 19
Accordage de l’OPO (GaAs) par λp
10/15/08 20
Accordage de l’OPO (GaAs) par T
10/15/08 21
Comparaison des différentes configurations
10/15/08 22
En conclusion...
10/15/08 23