Facult des Sciences Dpartement de Physique Physique Thorique des Matriaux

Lige - Anne Acadmique 2010-2011

Chapitre 1 : Introduction
Physique des Matriaux : tude lchelle atomique des
proprits physiques des matriaux tude dun ensemble de noyaux et dlectrons en interaction. Comprendre comment lagencement des noyaux et la manire dont les atomes interagissent engendre des proprits particulires.

Rduction de lHamiltonien
Problme Gnral :

Rduction de lHamiltonien
Problme Gnral :

avec

Approximation de Born-Oppenheimer
Observation : M >>me Ti(R) petite perturbation

Approximation de Born-Oppenheimer
Observation : M >>me Ti(R) petite perturbation

Hamiltonien de Born-Oppenheimer

Approximation de Born-Oppenheimer
Observation : M >>me Ti(R) petite perturbation

Hamiltonien de Born-Oppenheimer

Paramtres de lHamiltonien. Recherche de ltat fondamental des lectrons positions ioniques fixes (e- sadaptent de manire adiabatique)

Problme lectronique
Positions R fixes : Uii(R) = constante

Problme lectronique
Positions R fixes : Uii(R) = constante

Energie fondamentale du systme Ee+i

e- indpendants !
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Plan du cours
Partie 1
tude de la dynamique des noyaux dans lapproximation de Born-Oppenheimer Hypo : Ee+i [R] peut tre calcule et est connue

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Plan du cours
Partie 1
tude de la dynamique des noyaux dans lapproximation de Born-Oppenheimer Hypo : Ee+i [R] peut tre calcule et est connue

Partie 2
Dtermination de ltat fondamental des lectrons (Eel [R] ) dans lapproximation dlectrons indpendants.

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Plan du cours
Partie 1
tude de la dynamique des noyaux dans lapproximation de Born-Oppenheimer Hypo : Ee+i [R] peut tre calcule et est connue

Partie 2
Dtermination de ltat fondamental des lectrons (Eel [R] ) dans lapproximation dlectrons indpendants.

Partie 3
Application de ces concepts diffrentes classes de matriaux. 12