Chap3 Transistor Amplification 2007

UNIVERSITE DE VERSAILLES-SAINT-QUENTIN-EN-YVELINES
I.U.T. de VELIZY
RESEAUX ET TELECOMUNICATIONS
Cours, TD lectronique module E4
Chapitre 3 : transistor bipolaire et amplification en tension
Emmanuelle Peuch
Tables des matires : polarisation du transistor bipolaire
TABLE DES MATIERES
COURS
I Introduction __________________________________________ 1
II
Caractristiques statiques du transistor ____________________ 1

Caractristiques IB constant ______________________________3 Caractristiques VCE constante ____________________________3 Relations fondamentales (rsum) __________________________4
II.1 II.2 II.3
III
III.1 III.2 III.3 III.4
Polarisation du transistor ______________________________ 6

Droite de charge statique - Droite d'attaque statique ___________7 Saturation (point P1)____________________________________7 Blocage (point P2) ______________________________________8 Fonctionnement en rgime linaire (point Po) ________________8
III.4.1 Polarisation par rsistance d'metteur, premire approche ___________10 III.4.2 Polarisation par pont de rsistances sur la base ___________________12 III.4.3 Conclusion ________________________________________________13
TRAVAUX DIRIGES
18
Cours : Polarisation du transistor bipolaire
Transistor bipolaire : polarisation
I Introduction
Un transistor bipolaire est un semi-conducteur form de deux jonctions PN. On dispose donc de deux types de transistors qui sont complmentaires: un transistor NPN et un transistor PNP:
C C
C
N B P N
C
Ic
P B N P
Ic Ib
Ib
Vce V be
Ie
B
Vbe
V ce
Ie
Transistor NPN
Transistor PNP
Courants et tensions sont positifs
Courants et tensions sont ngatifs
Objectif: nous allons analyser les caractristiques statiques du transistor

afin d'tudier les diffrents modes de fonctionnement de celui-ci: nous parlerons alors de polarisation du transistor. Puis nous nous intresserons plus particulirement au mode de fonctionnement linaire du transistor, mode de fonctionnement qui dbouchera sur l'tude des amplificateurs transistors et des oscillateurs haute frquence.
II Caractristiques statiques du transistor

Afin d'tudier la mode de fonctionnement du transistor, on utilise le montage suivant:
Ec Rc
A
Ib
Rb
A
Vbe
Ic Vce V
Eb et Ec sont des sources de tension continue variables.
Eb
Circuit d'entre Ib , Vbe
Circuit de sortie Ic , Vce
IUT Vlizy R&T / Emmanuelle Peuch
Figure 1: caractristiques statiques du transistor 2N2222
II.1 Caractristiques IB constant

Si, pour diffrentes valeurs du courant IB (fix par Eb et RB) on reprsente les variations du courant IC et de la tension VBE en fonction de VCE, on obtient les deux rseaux de caractristiques dont l'allure est reprsente dans les premiers et quatrimes quadrants de la figure 1. Les variations de VCE entranent les variations de Ic et de VBE.
Interprtation:
Pour un courant IB donn, le courant Ic est trs variable et croissant tant que la tension VCE est infrieure une centaine de millivolts (0,3 0,4V). Au del de cette tension, IC varie peu : IC est pratiquement constant. Pour IB > 0 et VCE suprieure une centaine de mV: VBE = Cste (VBE= 0,6 0,7 V pour le silicium). On dit que la jonction B-E est polarise en directe. Pour une valeur fixe de IB, Ic est pratiquement constant et indpendant de VCE: Ic = cste = IB C'est ce que l'on appelle l'effet transistor qui consiste contrler, l'aide du courant de base IB, relativement faible, un courant de collecteur Ic, beaucoup plus important.
On est dans la zone de fonctionnement linaire.

Pour VCE trs faible (VCE infrieure une centaine de mV): On remarque que Ic < .IB, pour une valeur donne de IB. La jonction B-E est polarise en directe.
On est dans la zone de saturation.

Pour IB = 0, Ic = 0 VBE < 0,7 V La jonction B-E est bloque.
On est dans la zone de blocage. II.2 Caractristiques VCE constante

La tension VCE tant constante, nous donnons IB (pris comme variable) une suite de valeurs pour lesquelles nous relevons Ic et VBE. On obtient les deux
rseaux de caractristiques dont l'allure est reprsente dans les deuximes et troisimes quadrants de la figure 1.
Interprtation:
La tension VCE influe peu sur la caractristique VBE = f(IB). Les caractristiques IC = f(IB) sont des droites passant pratiquement par l'origine. On retrouve bien la relation IC = .IB caractristique du fonctionnement linaire.
II.3 Relations fondamentales (rsum)

En fonctionnement linaire: Le transistor est alors, le plus souvent, utilis dans un montage amplificateur. IC = .IB avec =
= gain en courant en metteur commun
( varie entre 0,99 et 0,995 donc est de l'ordre de 100) IE = IC + IB = IC + IC/ = IC (1 + 1/) IC
VBE = 0,6 0,7 V (silicium)
Le constructeur ne peut prciser la valeur exacte du gain en courant car sa valeur varie dun chantillon lautre pour une mme srie de transistor. Dans les Data Book, on trouve un intervalle de valeur : par exemple, 100 < < 300 Ainsi, les montages dutilisation devront tenir compte de cette dispersion.
Zone de saturation: IC < .IB VCE = VCEsat VCEsat est de lordre de 0,3 0,4V. En pratique, on prendra donc VCEsat 0V. VBE = 0,6 0,7 V (silicium)
Zone de blocage: IC = IE = IB = 0 VBE < 0,7 ou 0,6 V En pratique, il est prfrable de prendre VBE < 0
Puissance dissipe par un transistor - domaine utilisable Les constructeurs prcisent, pour chaque type de transistor, les valeurs ne pas dpasser sous peine de dtruire le composant.
Extrait de la documentation constructeur du transistor 2N2222 (valeurs typiques) VCE max = 30V IC max = 800 mA Ptot max = 0,5 W = puissance totale que peut dissiper le transistor au maximum
La puissance que peut dissiper un transistor est donne par: Pd = VCE * IC + VBE*IB = Somme des puissances fournies au transistor par les circuits dentre et de sortie En fonctionnement linaire, le terme VBE*IB est ngligeable (quelques W) devant VCE*IC. Ainsi, la puissance dissipe par le transistor est donne par : Pd = VCE * IC Les coordonnes des points pour lesquels la puissance maximale est atteinte sont lies par la relation : Pdmax = VCE * IC IC = Pdmax / VCE Dans le rseau de sortie, cette relation est lquation de lhyperbole de dissipation maximale H :
Le point de fonctionnement devra donc se situer dans la zone appele domaine utilisable .
III Polarisation du transistor

Il faut maintenant imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqu, satur ou linaire). C'est dire qu'il faut se fixer les grandeurs IC, IB, IE, VCE et VBE. Ces grandeurs vont tre imposes par les lments extrieurs au transistor.
Ec Rc
Ib
Rb
Ic
Vs Vce
EB = EC ou EB EC. On rencontre les deux cas.
Eb
Vbe
Montage : polarisation de base
Suivant les valeurs de IC, IB, VBE, VCE, le transistor va fonctionner en rgime linaire, bloqu ou satur.
III.1 Droite de charge statique - Droite d'attaque statique

D'aprs la loi des mailles applique sur le circuit, nous avons: VCE = EC - RC.IC (droite de charge) Et VBE = EB - RB.IB (droite dattaque)
Ic Ec/Rc P1 Ib1 > Ibo
Sur la caractristique IC = f(VCE) du transistor, on trace la droite de charge statique VCE = EC - RC.IC
Vce
Po P2 Ec
Ibo
Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractristiques du transistor nous donne le point de fonctionnement P0, P1 ou P2 du montage ou point de polarisation.
Ce sont les lments extrieurs au transistor qui vont fixer ce point de fonctionnement : - Si le dans - Si le - Si le point de fonctionnement est en P0 alors le transistor fonctionne la zone linaire. point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqu. point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est satur.
Nous allons maintenant dterminer les lments extrieurs qui vont permettre de faire fonctionner le transistor dans l'un de ces trois modes.
III.2 Saturation (point P1)

Condition de saturation: IC < .IB et VCE = VCEsat 0V
Hypothse: EB >> VBEsat 0,7V
Hypothse: EC >> VCEsat 0V
EB VBEsat = RB * IB EB VBEsat IB = RB EB IB RB
EC VCEsat = RC *IC EC VCEsat IC = RC EC IC RC
d'o: IC < .IB EB EC RC < RB RB < * RC *

EB EC
Si EB = EC alors la condition pour saturer le transistor devient: RB < C .R
Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) lorsque le transistor est satur: VCE = VCEsat = 0 d'o Vs = Vc = 0 (car VE = 0)
III.3 Blocage (point P2)

Condition de blocage:IB=IC=IE=0 et VBE 0 V
EB VBE = RB * IB = 0 EB VBE 0V
En pratique, la condition de blocage est donc EB 0
Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) lorsque le transistor est bloqu: Les courants sont nuls. Il n'y a donc pas de chute de tension aux bornes de RC, d'o: Vs = EC
III.4 Fonctionnement en rgime linaire (point Po)

Nous avons alors: IC=.IB IE IC VBE = 0,7 V VCE > VCEsat
En rgime linaire, nous avons, la plupart du temps EC = EB = VCC Do : VCE = Vcc - RC.IC VBE = Vcc - RB.IB
Typiquement, pour un transistor au silicium, passe de 55 25C 100 175C. La tension VBE diminue d'environ 2,2 mV par C. Ainsi, la temprature peut jouer sur la stabilit du montage transistor. Dans notre cas, on voit que si varie (changement de transistor ou variation due la temprature), alors le courant IC varie fortement (IC = .IB), ce qui dplace le point de fonctionnement. Ce montage n'est donc pas trs stable: il dpend normment de la temprature de fonctionnement!
Consquence dun changement de transistor Le transistor est choisi dans une srie o le gain statique en courant peut varier de 50 150. Cahier des charges : Vcc = 15V Ic = 15 mA VCE = 7,5 V Le transistor utilis a un de 75. Les quations nous donnent : VCE = Vcc - RC.IC do Rc = (Vcc - VCE)/Ic Rc = 500 VBE = Vcc - RB.IB do RB = (Vcc - VBE)/(Ic/) RB = 71,5 K Supposons que lors dun dpannage le transistor soit remplac par un transistor de la mme srie mais pour lequel = 150. Les lments du
montage ntant pas changs (Vcc = 15V, RB = 71,5 K , Rc = 500 ), on obtient : IB = (Vcc - VBE)/RB IB est inchang.
Mais, Ic = .IB = 30 mA car = 150 et non plus 75 ! Et VCE = Vcc - RC.Ic = 0V au lieu de 7,5V Le point de polarisation nest donc plus celui du cahier des charges. Avec cet autre transistor, le montage ne fonctionne plus en linaire mais en satur ! Ce montage est donc exclure lorsque lon veut travailler dans la zone linaire. Ce circuit appel "polarisation de base" est surtout utilis dans les circuits numriques. Le transistor travaille alors en bloqu satur. Pour le fonctionnement linaire, nous allons utiliser un autre montage qui permettra d'obtenir un point de fonctionnement indpendant du du transistor et donc indpendant de la temprature.
III.4.1 Polarisation par rsistance d'metteur, premire approche
Vcc
Rb Ic Vce Vbe Re
Premire approche : Si augmente, alors IC augmente. Ceci provoque l'augmentation du potentiel d'metteur VE = RE.IC. Or Vcc - VBE - VE = RB.IB On a alors la tension RB.IB qui diminue et donc IB diminue, ce qui provoque la diminution de IC: RE permet alors de contrebalancer partiellement l'augmentation de .
Rc
Condition sur RE pour raliser cette condition Vcc VBE = RB *

IC =
IC
+ RE * IC
VCC VBE RB + RE
Si RB/ est trs petit devant RE alors IC indpendant de .

(VCC VBE) qui est RE
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Il faut donc choisir : .RE >> RB, condition qui permet d'obtenir un courant (VCC VBE) Ic indpendant de : IC et donc de la temprature. Cela RE entrane lindpendance de VCE vis--vis de la temprature. Le point de fonctionnement est donc stable.
Etude de la polarisation Le point de polarisation Mo(VCE,IC) est dfini par: VCE = Vcc - (RC+RE)IC et Vcc - VBE = (
RB
+RE)IC
Avec RE >> RB/
Problme Il est impossible de raliser ces trois conditions simultanment avec ce montage. On va donc modifier celui-ci en cblant un pont de rsistances sur la base.
Le montage utilis classiquement pour polariser le transistor dans sa zone linaire est le montage pont de base tudi ci-aprs.
11
III.4.2 Polarisation par pont de rsistances sur la base Thvenin vu de la base:

Vcc
R1 Ip R2 Ic
Ib
Vcc Rc
Rth
Ic Vce
Rc
Vce Vbe Re
Eth
Vbe
Re
Eth =
R2 * Vcc R1 + R2
Rth = R1//R2
Stabilit du montage VCE = Vcc - (RC+RE)IC
et
Eth - VBE = (
Rth
+RE)IC
d'o IC =
Eth VBE Rth RE +
Si RE >> Rth/ alors IC
Eth VBE qui est indpendant de . RE
Etude de la polarisation: stabilit du point de fonctionnement Cahier des charges : Vcc = 15V Ic = 15 mA VCE = 7,5 V
On utilise un transistor ayant un de 75. Nous avons VCE = Vcc - (RC+RE)IC

12
do Rc + RE = 500 On choisit par exemple Rc = 400 et RE = 100 Nous avons IC

Eth VBE puisque RE >> Rth/ RE R2 * Vcc (1) R1 + R2
d'o Eth = RE.Ic + VBE = 2,2 V =
RE >> Rth/ c'est dire 7,5 K >> Rth et Rth = R1//R2 On choisit par exemple Rth = 1 K Les quations (1) et (2) nous donnent : R1 = 6,8 K et R2 = 1,17 K Rcapitulatif : on obtient alors Eth = 2,2 V Eth VBE Ic = IC = = 13,25 mA Rth RE +
(2)
VCE = 8,37 V
Si maintenant on change le transistor (dpannage du montage) et que lon utilise un transistor dont le gain statique en courant est de 150, on obtient : Ic = 14,06 mA et VCE = 8V Le point de polarisation varie donc trs peu. III.4.3 Conclusion Le choix du point de fonctionnement est dtermin par l'application du montage. Nous verrons, lors de l'tude des amplificateurs transistors, que certaines rsistances du montage seront dtermines par le cahier des charges li l'amplificateur (amplification en tension, rsistance d'entre, ...).
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ANNEXES
14
SOMMAIRE
Choix des transistors de signal (Extrait de Guide du technicien

lectronique chez Hachette)
Documentation constructeur du 2N2222 (Extrait du Data Book transistors petits signaux , RTC)
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17
TD : Polarisation du transistor
Travaux dirigs : Polarisation du transistor
Calcul du point de polarisation
Vcc
RB1 Ip RB2 Re
Rc
RB1 = 30 K RB2 = 5K RC = 10 K RE = 2 K Vcc= 10V Caractristiques du transistor : VBE0 = 0,6 V = 100
Aprs avoir dtermin le schma quivalent de Thvenin vu de la base, calculez le point de polarisation du montage. Est-ce que ce point de polarisation sera stable ? Calculez lintensit du courant de pont Ip et comparez-la celle de IB. Conclure.
Calcul des composants pour imposer un point de polarisation
Vcc
RB1 Ip RB2 Re
Rc
Vcc = 12 V Caractristiques du transistor : VBE0 = 0,6 V varie de 100 300
On fixe le point de polarisation VCE0 = 6V et IC0 = 5 mA.
18
TD : Polarisation du transistor
On suppose que le courant de pont Ip est trs grand devant le courant de base IB. Dterminez des valeurs de rsistances afin dobtenir le point de fonctionnement souhait.
Pour les deux montages : utilisez le simulateur pour mesurer le point de polarisation. En dduire la mesure de et comparez vos mesures vos calculs thoriques.
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Table des matires : amplificateur de tension transistor
TABLE DES MATIERES
COURS
I Rgime dynamique : approche graphique____________________________ 21
II
Modle quivalent du transistor en dynamique petits signaux: paramtres hybrides _________________________________________________ 24

Paramtres hybrides ____________________________________________________ 24 Modlisation du transistor dans la bande passante___________________ 25
II.1 II.2
III
III.1 III.2 III.3 III.4 III.5
Montages amplificateur de tension________________________________ 27

Montage metteur commun __________________________________________ 27 Montage rsistance dmetteur ____________________________________ 29 Montage collecteur commun__________________________________________ 31 Montage base commune ______________________________________________ 32 Tableau comparatif des diffrents montages ________________________ 34
IV
Influence des capacits de liaison __________________________________ 34
Exemple de synthse ________________________________________________ 36
TRAVAUX DIRIGES
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20
Cours : amplificateur de tension
Amplificateurs de tension transistors: petits signaux, basse frquence

Le point de fonctionnement se trouve dans la zone dite linaire. Petits signaux : les signaux sont de faible amplitude autour du point de fonctionnement de manire ce que le transistor travaille toujours en rgime linaire (il nest ni bloqu, ni satur).
Aprs avoir dtermin ltat de fonctionnement dun montage transistor en rgime continu, nous allons mettre en vidence les proprits de ce montage en rgime variable. Puis nous tablirons un modle quivalent du transistor en rgime dynamique.
I Rgime dynamique : approche graphique

Soit le montage amplificateur liaison capacitive :
Vcc R1 Rg eg ~ Cb R2 vs Ru Rc Cs
ve
Les condensateurs Cb et Cs sont des condensateurs dits de liaison. Ils vitent que les courants continus de polarisation circulent ventuellement dans les parties qui prcdent ou suivent lamplificateur. Ils sont choisis de faon ce que : Leur impdance soit trs faible la frquence de travail (en rgime dynamique) : on les assimile alors des courts-circuits. En continu, ils ont une trs grande impdance: on les assimile alors des circuits ouverts. Ces condensateurs naffectent donc pas le point de fonctionnement statique (point de polarisation).
21
Un amplificateur peut tre constitu de plusieurs tages :
Ve
Ampli 1
Ampli 2 Liaison
Ampli 3 Liaison
Vs
La liaison entre ces tages peut se faire de diffrentes manires : Liaison continue : la sortie de lamplificateur 1 est relie directement lentre de lamplificateur 2. Cette liaison est indispensable pour traiter des signaux continus. Liaison capacitive : les tages sont spars par des capacits de liaison. Ainsi, la polarisation dun tage est parfaitement indpendante de ltage amont et de ltage aval (les capacits sont quivalentes des circuits ouverts en continu). Liaison par transformateur : liaison trs utilise en haute frquence pour ladaptation dimpdance.
Nous nous limiterons ltude des amplificateurs liaison capacitive.
Etude de lamplificateur : cas o ve(t) est une tension sinusodale Graphiquement, on obtient :
Ic Vcc/Rc
ic Droite de charge statique: pente -1/Rc P1 Po vce P2 0 Vcc Vce Droite de charge dynamique: pente-1/(Rc//Ru)
Figure 1
22
Le point de polarisation Po se dplace sur la droite de charge dynamique entre les points P1 et P2.
Lexcursion crte crte de VCE va se trouver limite le long de laxe Ic par la saturation et le long de laxe VCE par le blocage :
Limitation par saturation

Ic P1 Zone de saturation Po P2 Vce
Limitation par blocage

Ic
P1 Po
Zone de blocage
P2
Vce
Figures 2 On observe une dformation de la sinusode. Pour avoir une excursion maximale de vce autour du point de fonctionnement Po sans atteindre la saturation ou le blocage, ce point Po doit tre plac au milieu de la droite de charge dynamique.
On se place maintenant dans le cas o les signaux alternatifs ont des amplitudes telles que le transistor reste toujours dans sa zone linaire (petits signaux). Nous sommes dans le cas de la figure 1. On observe alors des signaux galement sinusodaux pour les grandeurs du transistor. Le transistor va donc pouvoir tre modlis par un systme linaire dans ce cas bien prcis, et on peut parler de superposition de deux rgimes : Un rgime continu qui sert fixer le point de polarisation Po du montage. Un rgime sinusodal (petits signaux) qui reprsente le signal utile amplifier.
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On peut donc en dduire les deux circuits quivalents suivant :
Circuit quivalent en continu : circuit de polarisation (les capacits sont quivalentes des circuits ouverts)
Vcc R1 Rc
eg, Rg ~
Circuit quivalent en alternatif
(les capacits sont quivalentes des courtscircuits)
ic
R1
R2
Rc
Ru
R2
Gnrateur de thvenin de l'tage prcdent
Rsistance d'entre de l'tage suivant
Si plusieurs tages
Droite de charge statique : VCE = VCC - RC.IC
Droite de charge dynamique : vCE(t) = - (Rc//Ru).ic(t)
II Modle quivalent du transistor en dynamique petits signaux: paramtres hybrides

En rgime alternatif petits signaux autour du point de fonctionnement Po, le transistor peut tre vu comme un quadriple actif. On va donc tablir un schma quivalent petits signaux. Ainsi, on utilisera les lois gnrales des circuits lectriques plutt que dutiliser un raisonnement graphique qui peut tre assez lourd. Pour modliser le transistor en petits signaux basse frquence, nous utiliserons les paramtres hybrides (paramtres h ), modle le plus utilis.
II.1 Paramtres hybrides

i1 v1 Quadriple i2 v2
Lorsque les grandeurs caractristiques choisies sont la tension dentre v1 et le courant de sortie i2, les paramtres qui les lient au courant dentre i1 et la tension de sortie v2 sont appels paramtres hybrides et sont nots hij.
24
Nous avons : v1 = h11.i1 + h12.v2 i2 = h21.i1 + h22.v2

Le terme hybride vient du fait que les paramtres hij ne possdent pas tous la mme dimension.
Ces relations conduisent au schma quivalent suivant :

i1 h11 h12.v2 h21.i1 i2 1/h22
v1
v2
Ces paramtres h sont bien adapts la description des transistors bipolaires fonctionnant faible frquence et dans lapproximation des faibles signaux.
II.2 Modlisation du transistor dans la bande passante

Dans la bande passante signifie que les paramtres h sont rels.
Le schma quivalent est tabli pour le montage metteur commun, cest dire que cest lmetteur qui est la rfrence commune (la masse).
C ib vbe B vce E ic
v1 vBE
et
i1 iB i2 iC
v2 vCE et
do : vBE = h11.iB + h12.vCE
iC = h21.iB + h22.vCE
Ainsi, le transistor en petits signaux peut tre modlis par :
B vbe ib h11 h12.vce E h21.ib E ic 1/h22 C vce
Dans les fiches techniques, les chiffres sont souvent remplacs par des lettres : i (au lieu de 11) = Input (entre) o (au lieu de 22) = Output (sortie) f (au lieu de 21) = Forward transfert (transfert direct) r (au lieu de 12) = Reverse transfert (transfert inverse)
25
Signification des paramtres h :

Ic ) Vce = cste, Po = Ib
h21 = (
Cest la pente de la caractristique IC = f(IB) qui est sensiblement une droite dquation IC = .IB
Ic ) Ib = cste, Po Vce
h22 = (
Si les caractristiques IC = f(VCE) sont bien horizontales, alors h22 0. Ainsi, plus h22 est faible, meilleur est le transistor. En ralit h22 est de lordre de 10-5 s. On a donc 1/h22 qui est trs lev. On pourra donc considrer que 1/h22 est infini.
h11 = (
Vbe ) Vce = cste, Po Ib
Cest la pente de la caractristique VBE = f(IB) Or IB = IS. e do (

Vbe Vt
(Cest le mme type de jonction que la diode)
Vbe Ib Ib IB 1 ) Vce = cste, Po = = *Is*e Vt = Vbe Vt Vbe Vt
h11 =
Vt Vt = * Ib Ic
h11 est de lordre du kilo ohm.
h12 = (
Vbe ) Ib = cste, Po Vce
Cest la pente de la caractristique VBE = f(VCE) h12 0 car les droites sont pratiquement horizontales. Plus h12 est faible, meilleur est le transistor. En gnral, h12 est de lordre de 10-4 10-5.
26
On pourra donc considrer que h12 est nul.
Conclusion : Le schma quivalent du transistor en petits signaux en basse frquence que nous utiliserons sera donc:
ib B vbe h11 vce .ib E E ic C
h11 =
Vt Vt = * , Vt = 26 mV 30 mV temprature ambiante. Ib Ic
h11 dpend du point de polarisation.

= gain statique en courant
III Montages amplificateur de tension

On distingue trois montages de base : Emetteur commun Collecteur commun Base commune III.1 Montage metteur commun
Vcc Rb Cb eg, Rg ~ Ru vs Rc Cs
On suppose que ltude de la polarisation a t effectue. Cela signifie que lon sest fix un point de fonctionnement Po.
Ltude de lamplificateur consiste dterminer lamplification en tension, limpdance dentre, limpdance de sortie et ventuellement le gain en courant du montage. Pour cela, on commence par tracer le schma quivalent petits signaux du montage.
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Schma quivalent
Rg ie
B ib h11 .ib ic C
is Rc vs Ru
E
eg ~
E
ve
Rb
Gain en tension
Av = vs (Rc / /Ru) = * ve h11
Le gain est ngatif. Le montage metteur commun est un amplificateur inverseur. Remarque : h11 =
Vt Vt = * Ib Ic Le gain en tension dpend donc du courant de polarisation IC.
Ordre de grandeur : le gain est de lordre de 100. Lamplificateur a donc un fort gain en tension. Gain vide (Ru = ) : Avo =
* Rc
h11
Impdance dentre (Impdance vue du gnrateur)

Ze = ve = h11 / /RB ie
En gnral, RB est trs grande devant h11. On a donc Ze h11 qui est de lordre du kilo ohm. Limpdance dentre du montage metteur commun est relativement faible (Moyenne). Impdance de sortie (Impdance vue de la charge)
Zs = ( vs ) avec ve = 0, donc Zs = Rc is
Zs est de lordre du kilo ohm. Limpdance de sortie du montage peut donc tre relativement leve. Ainsi, lamplificateur metteur commun peut tre reprsent par le quadriple suivant (modle {Avo, Ze, Zs}):
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ie eg, Rg V e Ze =h11
Zs=Rc
is Vs Ru (charge)
Avo.V e Amplificateur
Avo =
* Rc
h11
et
On dtermine aisment le gain en tension total vide partir de ce schma : Gt0 = (vs/eg)vide = Av0. Le gain total en charge : Gt = (vs/eg) =
Ru h11 Rc//Ru h11 .Avo. * = Ru + Rc h11 + Rg h11 h11 + Rg h11 Rc h11 * = h11 + Rg h11 h11 + Rg
III.2 Montage rsistance dmetteur Ltude de la stabilisation thermique a montr que lutilisation dune rsistance dmetteur tait ncessaire. Nous allons donc voir linfluence de la rsistance dmetteur RE sur le gain en tension. Schma quivalent petits signaux :
Vcc Rb1 Cb eg, Rg ~ Rb2 Ru Re vs Rc Cs
eg ~ ve
E Rg
ie
ib h11
ic
is Rc vs Ru
Rb
.ib
Re
(+1)Ic
RB = RB1//RB2 Nous avons :

Av = vs (Rc / /Ru) (Rc / /Ru) = ve h11 + RE( + 1) h11 + * RE
Lintroduction de la rsistance RE diminue lamplification en tension.
29
Pour palier cet inconvnient, il est ncessaire de trouver un systme qui permette une bonne stabilisation en temprature et dont linfluence soit ngligeable en rgime variable. Cet lment est une capacit de dcouplage place en parallle sur la rsistance RE. Le montage devient donc :
Vcc Rb1 Cb eg, Rg ~ Rb2
Ce
Rc Cs
Re
En rgime continu, la capacit CE est quivalente un circuit ouvert. Elle nintervient donc pas sur la dtermination du point de polarisation Ru vs et sur la stabilit en temprature.
En rgime variable, nous avons le schma quivalent suivant :

Rg
ie
ib h11 E
ic
is Rc vs Ru
eg ~ ve
Rb
.ib E
Re
Ce
Pour obtenir un vrai metteur commun, il faut que :

RE >> 1 CE * o
Ainsi le schma petits signaux devient :

Rg
ie
ib h11 E
ic
is Rc vs Ru
eg ~ ve
Rb
.ib E
Ce
La capacit CE soit donc tre choisie de faon ce que son impdance soit trs faible la frquence de travail. Ainsi, on la considre comme un
30
court-circuit. Nous avons alors le mme schma petits signaux que pour le montage metteur commun, et donc les mmes grandeurs caractristiques (gain en tension, impdance dentre,...).
III.3 Montage collecteur commun

Vcc Rb1 Cb Cs eg, Rg ~ Rb2 Re Ru vs
Schma quivalent
Rg
ie
h11
ib
is Re Ru
eg ~
ve
Rb
.ib
vs
RB = RB1//RB2
Gain en tension
Av = vs (RE / /Ru) (Ru / /RE) = * =1 (Ru / /RE ve h11 + (RE / /Ru) *
Le gain est gal lunit. Le montage collecteur commun est tel que vs = ve.

Ze = ve = RB / / [h11 + ( +1)(RE / /Ru)] ie
31
Limpdance dentre du montage est de lordre de plusieurs centaines de K. Le collecteur commun a donc une trs forte impdance dentre.
Impdance de sortie (Impdance vue de la charge)

vs (Rb//Rg)+ h11 (Rb//Rg)+ h11 Zs = ( )ve = 0 = //RE //RE is +1
Limpdance de sortie du montage est trs faible.

Remarque : si le gnrateur est parfait, cest dire que sa rsistance interne Rg est nulle, alors nous avons Rb//Rg = 0 et Zs =
h11 h11 / /RE / /RE +1
Le montage collecteur commun est un suiveur : gain en tension gale lunit, grande impdance dentr, faible impdance de sortie. Il peut donc tre utilis comme adaptateur dimpdance.
III.4 Montage base commune

Vcc Rb1 Rc Cs
Cb
Rb2
Re
eg, Rg
Ru vs
RB = RB1//RB2 est parfaitement dcouple par CB. Schma quivalent

Rg
ie ve Re
E .ib
C Rc
is Ru B
eg ~ B
h11
ib
vs
32
Gain en tension
Av = vs (Rc / /Ru) = * ve h11
Le gain est positif. Le montage base commune est un amplificateur non inverseur. Remarque : h11 =
Vt Vt = * Ib Ic Le gain en tension dpend donc du courant de polarisation IC.
Ordre de grandeur : le gain est de lordre de 100. Lamplificateur a donc un fort gain en tension. Gain vide (Ru = ) : Avo =
* Rc
h11

Ze = ve h11 h11 = RE / / RE / / ie +1
Limpdance dentre est de lordre dune dizaine dohms. Limpdance dentre du montage base commune est donc relativement faible. Impdance de sortie (Impdance vue de la charge)
Zs = ( vs )eg = 0 = Rc is
Zs est de lordre du kilo ohm. Limpdance de sortie du montage est donc relativement leve. Remarque : grce la faible valeur de limpdance dentre, ce montage se prte bien des tages dont lentre doit avoir des valeurs normalises telles que 50, 600,....
33
III.5 Tableau comparatif des diffrents montages Emetteur Collecteur commun : montage commun : montage
inverseur suiveur
Base commune :
montage non inverseur
Elev (environ 100)

Gain en tension Av
Elev (environ 100) Av 1

Av = (Rc//Ru) * h11
(Rc / /Ru) Av = * h11
Impdance dentre Ze
Moyenne (jusqu' quelques dizaines de k) Ze = h11//RB Eleve
Eleve (jusqu' quelques centaines de k)

Ze= RB//[h11+ ( +1)(R//Ru)] E
Faible (jusqu' quelques centaines dohms)

Ze RE / / h 11
Trs faible
Zs (Rb / /Rg) + h11
Eleve
/ /RE
Impdance de sortie Zs
Zs = RC
Zs = RC
Ltage metteur commun (le plus utilis) amplifie de faon importante en courant et en tension. Ltage collecteur commun namplifie pas en tension, mais prsente une trs grande impdance dentre et une trs faible impdance de sortie, do son emploi frquent en tage adaptateur en tension. Ltage base commune namplifie pas en courant, mais prsente une faible impdance dentre. Son utilisation se limite lemploi en haute frquence.
IV Influence des capacits de liaison

Nous prendrons comme exemple le montage metteur commun. Lamplificateur peut se mettre sous sa forme gnrale suivante :
Ce
Zs=Rc Ze=h11 Avo.V e

Amplificateur
Cs
V e
Vs
Ru (charge)
34
Influence de la capacit de liaison dentre (Ce0 et Cs=0) : v 'e =

j.Ze.Ce. ve 1 + j.Ze.Ce.
et
vs =
j.Ze.Ce. Ru Ru ve *Avo * v'e = *Avo * 1 + j.Ze.Ce. Ru + Zs Ru + Zs
Or Avo =
Rc et Zs = Rc h11 Ru j.Ze.Ce. Rc / /Ru j.Ze.Ce. do : Av = * Avo * = * 1 + j.Ze.Ce. 1 + j.Ze.Ce. Ru + Zs h11
On pose e = 1/(Ze.Ce)
Av db Av 20 dB/dc F Fe
Le gain en tension Av est donc un passe-haut.
Influence de la capacit de liaison de sortie (Cs0 et Ce=0) :

j.Ru.Cs. ve 1 + j.(Ru + Zs)Cs. On obtient galement la fonction de transfert dun passe-haut.
ve = ve et vs = Avo
Conclusion Les capacits de liaison introduisent une frquence de coupure basse dans lexpression du gain en tension. Cest la plus grande frquence qui dtermine la frquence de coupure basse de lamplificateur. Dans un montage amplificateur transistors, les condensateurs de liaison et dcouplage limitent le fonctionnement du montage aux frquences basses car leurs valeurs sont souvent leves. Un amplificateur transistors est galement limit en hautes frquences. Cette limitation est due aux condensateurs internes au transistor (capacits de diffusion, de transition) qui, elles , ont de faibles valeurs. Ainsi, la courbe de rponse dun amplificateur transistors a lallure suivante :
35
Av dB Bande passante
F Fb Fh
V Exemple de synthse
On dsire raliser un amplificateur un seul transistor ayant un gain en tension de -180. La frquence dutilisation se situe entre 500 Hz et 10 KHz. La charge de lamplificateur est de 1 K. Au point de fonctionnement VCE = 7,5V et IC = 5mA, le transistor est caractris par sa valeur de = 220. On prendra une tension dalimentation de 15V.
Solution :
Le gain est ngatif, on utilise donc un metteur commun. Le schma de lamplificateur sera donc :
Vcc Rb1 Cb
Ce
Rc Cs
eg, Rg ~
Rb2
Re
Montage rsistance dmetteur et pont de base pour une meilleure Ru vs stabilit du point de fonctionnement.
Av =
Rc / /Ru (Rc / /Ru) Ic * = 30mV h11
do Rc//Ru = 480
do Rc = 923 On choisira Rc = 1 K Av = -83 Pour dterminer RE, RB1 et RB2 on utilise le montage en polarisation : Vcc - VCE =(RC + RE)IC RE =
Vcc VCE RC = 500 IC
36
On prendra RE = 560 Pour dterminer RB1 et RB2 on se fixe un courant de pont Ip = 20.IB (Ip = 454,5 A). Nous avons alors : RB1 =
Vcc VBE RE.IC =25,3 K Ip
On choisira RB1 = 27 K RB2 =

VBE + RE.IC RB1 =8,22 K Vcc (VBE + RE.IC)
On choisira RB2 = 8,2 K Nous avons alors : Ze = h11//(RB1//RB2) h11 = 1,3 K Zs = RC = 1 K Dterminons les capacits de liaison et de dcouplage : CB et CS doivent tre considrs comme des courts-circuits la frquence de travail. Lamplificateur peut se mettre sous la forme suivante :
Ce
Zs=Rc Ze=h11 Avo.V e

Amplificateur
Cs
V e
Vs
Ru (charge)
Ainsi, il faut : 1 << Ze do CE >> 244,85 nF (Fmin = 500 Hz) CE.o On pourra prendre CE = 10 F
1 << Ru + Zs do Cs >> 156,15 nF (Fmin = 500 Hz) CS.o
On pourra prendre CS = 10 F
37
Pour la capacit de dcouplage CE, il faut do CE >> 568,4 nF
1 << RE CE.o
On pourra prendre CE = 10 F, voir plus.
38
TD : Amplificateur de tension transistor
Travaux dirigs : Amplificateur de tension Modle Ze, Zs, A0 - Limitation en frquence
Le montage tudi est le suivant :
RC RE R1 R2
= = = =
560 120 18 k 2,7 k
C1 = C2 = 10 F CE = 100 F
Pour les calculs, nous prendrons = 160, h11 = 500 et VBE = 0,7V.
Vous devez toujours dterminez les expressions littrales des grandeurs puis effectuer les applications numriques. Toute mesure doit tre analyse, commente.
Etude de la polarisation
Tracez le schma lectrique correspondant la polarisation et calculez le point de polarisation du montage.
Mesurer votre point de polarisation et en dduire la valeur du gain en courant de votre transistor. Dans la suite, vous utiliserez cette valeur.
Etude dynamique : caractristiques Ze, Zs et A0 dans la bande passante

1- Tracez le schma en petits signaux de votre amplificateur de tension.
39
2- Dterminez les expressions : - du gain en tension vide A0 = vs/ve - de limpdance dentre Ze (vue de BM) - de limpdance de sortie Zs (vue de SM) Calculez ces grandeurs pour avoir un ordre de grandeur. 3- Tracez alors le schma lectronique correspondant au modle {Ze, Zs, A0} de votre amplificateur de tension dans sa bande passante.
Mesures des paramtres {Ze, Zs, A0} de lamplificateur. Pour effectuer ces mesures on rglera le signal dentre (GBF) une frquence de 10 kHz. 1- Rglez lamplitude de votre signal dentre de faon ce que votre amplificateur ne sature pas. Mesurez alors le gain en tension vide A0 = vscc/vecc En dduire une mesure de h11. 2- Visualisez la tension de sortie avant la capacit C2. Quobservezvous (commentaires et analyse du phnomne) ? 3- Augmentez progressivement la tension du signal dentre. Quel phnomne observez-vous et pourquoi ? Est-ce que ce phnomne apparat de faon symtrique, pourquoi ?
Rglez de nouveau lamplitude du signal dentre de faon ce que la sortie ne soit pas dforme.
4- Limitation en frquence : Relevez la rponse en frquence de votre amplificateur de tension. Commentaires.
5- Mesurez la rsistance dentre de votre montage. Pour cela on utilisera la mthode de la tension moiti (voir annexe). 6- Mesurez la rsistance de sortie de votre montage. Pour cela on utilisera la mthode de la tension moiti (voir annexe). 7- Rsumez lensemble de vos mesures en traant le modle {Ze, Zs, A0} de votre amplificateur.
40
Influence de la charge
Dterminez lexpression de la tension vs(t) en fonction de ve(t), A0 et les rsistances du circuit lorsque lamplificateur est charg par la rsistance Ru.
Amplificateur en charge 1- Placez une charge Ru = 10 k et mesurez le gain en tension A = vs/ve. Placez une charge Ru = Zs et mesurez le gain en tension A = vs/ve. Commentez vos deux mesures. 2- Conclusion Si on veut utiliser cet amplificateur de tension, avec quelles valeurs de charge pourra t-on lutiliser ? Si on souhaite lutiliser avec une charge Ru = Zs, que faudra t-il faire pour quil y ait adaptation en tension ? Quelles sont les caractristiques dun amplificateur de tension idal ?
41

Chap3 Transistor Amplification 2007

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UNIVERSITE DE VERSAILLES-SAINT-QUENTIN-EN-YVELINES

Cours, TD lectronique module E4

Chapitre 3 : transistor bipolaire et amplification en tension

Tables des matires : polarisation du transistor bipolaire

TABLE DES MATIERES

Caractristiques statiques du transistor ____________________ 1

II.1 II.2 II.3

Polarisation du transistor ______________________________ 6

Cours : Polarisation du transistor bipolaire

Transistor bipolaire : polarisation

Courants et tensions sont positifs

Courants et tensions sont ngatifs

Objectif: nous allons analyser les caractristiques statiques du transistor

II Caractristiques statiques du transistor

Eb et Ec sont des sources de tension continue variables.

Circuit d'entre Ib , Vbe

Circuit de sortie Ic , Vce

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

Figure 1: caractristiques statiques du transistor 2N2222

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

II.1 Caractristiques IB constant

On est dans la zone de fonctionnement linaire.

On est dans la zone de saturation.

On est dans la zone de blocage. II.2 Caractristiques VCE constante

Cours : Polarisation du transistor bipolaire

II.3 Relations fondamentales (rsum)

= gain en courant en metteur commun

VBE = 0,6 0,7 V (silicium)

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

III Polarisation du transistor

EB = EC ou EB EC. On rencontre les deux cas.

Montage : polarisation de base

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

III.1 Droite de charge statique - Droite d'attaque statique

III.2 Saturation (point P1)

Hypothse: EB >> VBEsat 0,7V

Hypothse: EC >> VCEsat 0V

EC VCEsat = RC *IC EC VCEsat IC = RC EC IC RC

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

d'o: IC < .IB EB EC RC < RB RB < * RC *

Si EB = EC alors la condition pour saturer le transistor devient: RB < C .R

III.3 Blocage (point P2)

En pratique, la condition de blocage est donc EB 0

III.4 Fonctionnement en rgime linaire (point Po)

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

III.4.1 Polarisation par rsistance d'metteur, premire approche

Condition sur RE pour raliser cette condition Vcc VBE = RB *

Si RB/ est trs petit devant RE alors IC indpendant de .

(VCC VBE) qui est RE

Cours : Polarisation du transistor bipolaire

Avec RE >> RB/

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Cours : Polarisation du transistor bipolaire

III.4.2 Polarisation par pont de rsistances sur la base Thvenin vu de la base:

Vbe Ib Ib IB 1 ) Vce = cste, Po = = Ise Vt = Vbe Vt Vbe Vt