Lors de la jonction des deux cristaux, les lectrons surabondants de la partie N vont migrer vers la partie P pour y boucher

les trous . Le ct N va se polariser positivement, et le ct P ngativement, crant ainsi un champ lectrique sopposant cette migration. Il existe, lquilibre thermodynamique, une diffrence de potentiel entre partie N et partie P (potentiel de jonction). Le champ lectrique est maximal aux abords de la jonction, dans une zone appele zone ZCE ( zone de dpltion, ou zone de charge d'espace dpourvue de porteurs libres, la ZCE est constitue de deux zones charges lectriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres).

Tension inverse et effet de claquage et d'avalanche : Si maintenant lon applique une tension positive ct N et ngative ct P, la jonction se creuse : les lectrons de la section N sont attirs vers lextrmit du barreau, un phnomne symtrique se produit ct P avec les trous : la ZCE stend, aucun courant ne peut circuler, la diode est dite bloque ; elle se comporte alors comme un condensateur, (proprit mise profit dans les varicaps, diodes capacit variable en fonction de la tension inverse quon leur applique).

Toutefois, si la tension inverse est pousse au-del dun certain seuil, il peut se produire deux phnomnes (claquage de la jonction) : les paires lectrons-trous cres dans le substrat suite lagitation thermique, acclres par le champ lectrique externe, vont pouvoir acqurir une nergie cintique suffisante pour arracher, par choc contre le rseau cristallin, dautres lectrons, etc. (effet davalanche) ; lnergie du champ lectrique devient suffisante pour permettre aux lectrons de valence de passer en bande de conduction (effet Zener). Ces derniers franchissent la jonction par effet tunnel.

Claquage : Ces deux phnomnes, dont la prdominance rsulte de la concentration en dopant, donnent lieu lapparition dun courant inverse important et non limit, qui aboutit souvent la destruction du cristal par effet Joule : la diode prsente en effet une rsistance trs faible dans cette plage de fonctionnement. Si ce courant est limit au moyen de rsistances externes, la diode en avalanche se comporte alors, du fait de sa faible rsistance interne, comme un gnrateur de f.c.e.m quasiparfait : cette proprit est lorigine de lutilisation des diodes dites Zener dans la

rgulation de tension continue.

Claquage par effet d'avalanche : Le claquage de la jonction intervient pour des champs lectriques dans la ZCE infrieurs au seuil de Zener. C'est un effet rapprocher l'ionisation des gaz. Soumis un champ lectrique important (10^5 V/cm), un lectron libre atteint dans la ZCE une vitesse trs grande (de l'ordre de la vitesse limite, c'est un "porteur chaud"). Lors d'une collision avec un atome du rseau, il peut l'ioniser en crant une paire lectron-trou (choc ionisant). Le nombre de porteurs libres augmente et le phnomne se reproduit avec le porteur initial et les porteurs crs par le choc ionisant. Il apparat un norme effet multiplicateur.

Condition d'avalanche : pour que l'lectron puisse faire un choc ionisant il faut que son nergie cintique acquise pendant le libre parcours moyen soit suprieure EG . q Eav L > EG -----> Eav = EG/qL Eav = amplitude du champ lectrique ncessaire pour l'avalanche.

L : libre parcours moyen, EG : hauteur de la B.I. du semiconducteur utilis.

Pour les lectrons dans le silicium : A = 9 10^5 cm^1, B = 1.8 10^6 V/cm la tension d'avalanche possde un coefficient de temprature positif : la tension d'avalanche augmente en valeur absolue lorsque la temprature augmente. C'est ce paramtre qui permet de distinguer exprimentalement si le claquage est provoqu par un effet Zener ou un effet d'avalanche.

Claquage par effet Zener : Dans le cas d'une jonction fortement dope "P" et fortement dope "N", la zone dserte est trs troite (500 A) et le champ lectrique est trs intense (10^6 V/cm). En polarisation inverse, un lectron de la BdV du ct "P" a une probabilit apprciable de traverser la zone dserte et de se retrouver du ct "N" par effet tunnel.

Physiquement le champ lectrique de la ZCE est suffisamment intense pour arracher un lectron

d'une liaison de valence et le transformer en lectron de conduction.

La tension (tension de Zener) pour obtenir ce phnomne dpend de l'paisseur de la ZCE (troite < 500 A) et des dopages P et N (levs > 5.0 10^17 cm^-3).

Une fois la tension de Zener atteinte, la tension inverse sur la jonction ne peut plus varier. Le claquage par effet Zener prsente un coefficient de temprature ngatif : la tension Zener diminue en valeur absolue quand la temprature augmente.

Pour les jonctions en silicium, les tensions de Zener sont infrieures environ 4 EG/q.

Constitution[modifier]
Les substrats utiliss vont du germanium (srie AC, aujourdhui obsolte), en passant par le silicium, larsniure de gallium, le silicium-germanium et plus rcemment le carbure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure d'indium. Pour la grande majorit des applications, on utilise le silicium alors que les matriaux plus exotiques tels que l'arsniure de gallium et le nitrure de gallium sont plutt utiliss pour raliser les transistors hyperfrquence et micro-onde.

Un transistor bipolaire se compose de deux parties de substrat semiconducteur

dopes identiquement (P ou N) spares par une mince tranche de semiconducteur dope inversement ; on a ainsi deux types : N-P-N et P-N-P.

Le transistor effet de champ classiquement se compose dun barreau de semiconducteur dop N(ou P), et entour en son milieu dun anneau de semiconducteur dop inversement P(ou N). On parle de FET canal N ou P suivant le dopage du barreau. Le transistor MOS se compose dun barreau de semiconducteur P ou N sur lequel on fait crotre par pitaxie une mince couche disolant (silice par exemple), laquelle est surmonte dune lectrode mtallique.

Description schmatique[modifier]

NPN

MOSFET

Les trois connexions sont appeles : transistors effet de champ

transistors symbole bipolaires

symbole

le collecteu C r

le drain

la base

la grille

lmetteur

la source

Pour le transistor bipolaire, la flche identifie lmetteur ; elle pointe vers l'extrieur dans le cas dun NPN, vers l'intrieur dans le cas d'un PNP. Llectrode relie la ligne droite figure la base et lautre lectrode figure le collecteur. Dans le cas de leffet de champ, la flche disparat, car le dispositif est symtrique (drain et source sont changeables). Les traits obliques sont habituellement remplacs par des traits droits. Pour le transistor MOS, la grille se dtache des autres lectrodes, pour indiquer lisolation due la prsence de loxyde. En ralit, il existe une quatrime connexion pour les transistors effet de champ, le substrat (parfois appel bulk), qui est habituellement reli la source (cest la connexion entre S et les deux traits verticaux sur le schma).

volution[modifier]
Les premiers transistors avaient comme base le germanium. Ce matriau, de nouveau utilis pour certaines applications, a vite t remplac par le silicium plus rsistant, plus souple demploi, moins sensible la temprature. Il existe aussi des transistors larsniure de gallium utiliss en particulier dans le domaine des hyperfrquences. Les transistors effet de champ sont principalement utiliss en amplification grand gain de signal de faible amplitude, trs basse tension. Ils sont trs sensibles aux dcharges lectrostatiques. Les volutions technologiques ont donn les transistors ou commutateurs MOS de puissance, ils sont de plus en plus utiliss dans toutes les applications de commutation de forte puissance (classe D), basse tension, vu quils nont presque plus

de rsistance de drain contrairement aux transistors, ils ne s'chauffent pas et n'ont donc pas besoin de refroidissement (radiateurs). Le graphne, nouveau matriau trs prometteur et performant, pourrait remplacer le silicium dans les transistors de future gnration.

Principe de fonctionnement[modifier]

Analyseur de transistors.

Les transistors MOS et bipolaires fonctionnent de faons trs diffrentes :

Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant, on injecte un courant dans lespace base/metteur afin de crer un courant multipli par le gain du transistor entre lmetteur et le collecteur.

Les transistors bipolaires NPN (ngatif-positif-ngatif) qui laissent circuler un courant de la base (+) vers lmetteur (), sont plus rapides et ont une meilleure tenue en tension que les transistors PNP base () metteur (+), mais peuvent tre produits avec des caractristiques complmentaires par les fabricants pour les applications le ncessitant.

Le transistor effet de champ. Son organe de commande est la grille (gate en anglais). Celle-ci na besoin que dune tension (ou un potentiel) entre la grille et la source pour contrler le courant entre la source et le drain. Le courant de grille est nul (ou ngligeable) en rgime statique, puisque la grille se comporte vis-vis du circuit de commande comme un condensateur de faible capacit.

Il existe plusieurs types de transistors effet de champ : transistors

 dpltion, enrichissement (de loin les plus nombreux) et jonction (JFET). Dans chaque famille, on peut utiliser soit un canal de type N soit de type P, ce qui fait donc en tout six types diffrents.

Pour les transistors dpltion ainsi que les JFET, le canal drain source est conducteur si le potentiel de grille est nul. Pour le bloquer, il faut rendre ce potentiel ngatif (pour les canaux N) ou positif (pour les canaux P). Inversement, les transistors enrichissement sont bloqus lorsque la grille a un potentiel nul. Si on polarise la grille dun transistor N par une tension positive ou celle dun transistor P par une tension ngative, lespace sourcedrain du transistor devient passant. Chacun de ces transistors est caractris par une tension de seuil, correspondant la tension de grille qui fait la transition entre le comportement bloqu du transistor et son comportement conducteur. Contrairement aux transistors bipolaires, dont la tension de seuil ne dpend que du semi-conducteur utilis (silicium, germanium ou AsGa), la tension de seuil des transistors effet de champ dpend troitement de la technologie, et peut varier notablement mme au sein dun mme lot. Le transistor effet de champ dpltion canal N est le semi-conducteur dont les caractristiques se rapprochent le plus des anciens tubes vide (triodes). puissance gale, les transistors N sont plus petits que les P. gomtrie gale, les transistors N sont galement plus rapides que les P. En effet, les porteurs majoritaires dans un canal N sont les lectrons, qui se dplacent mieux que les trous, majoritaires dans un canal P. La conductivit d'un canal N est ainsi suprieure celle d'un canal P de mme dimension. La plupart des circuits intgrs numriques (en particulier les microprocesseurs) utilisent la technologie CMOS qui permet d'intgrer grande chelle (plusieurs millions) des transistors effet de champ ( enrichissement) complmentaires (cest--dire quon retrouve des N et des P). Pour une mme fonction, lintgration de transistors bipolaires consommerait beaucoup plus de courant. En effet, un circuit CMOS ne consomme du courant que lors des

basculements. La consommation d'une porte CMOS correspond uniquement la charge lectrique ncessaire pour charger sa capacit de sortie. Leur dissipation est donc quasiment nulle si la frquence dhorloge est modre ; cela permet le dveloppement de circuits piles ou batteries (tlphones ou ordinateurs portables, appareils photo...).

Autres transistors :

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : hybride qui a les caractristiques dun transistor effet de champ en entre et les caractristiques dun transistor bipolaire en sortie. Uniquement utilis dans llectronique de puissance. Transistor unijonction : ce transistor est utilis pour ses caractristiques de rsistance dynamique ngative, ce qui permet de raliser simplement un oscillateur. Nest plus utilis de nos jours. Phototransistor : cest un transistor bipolaire, dont la jonction base collecteur est sensible la lumire. Par rapport unephotodiode, il est plus sensible, car il bnficie de leffet amplificateur propre au transistor. Lopto-isolateur : le phototransistor est mont dans le mme botier quune diode lectroluminescente. Cest la lumire qui assure la transmission des signaux entre le phototransistor et la diode lectroluminescente. Le pouvoir disolation trs lev (de lordre de5 kV) en fait le composant idal pour isoler galvaniquement un circuit de commande, dun circuit de puissance.

Il existe aussi des opto-isolateurs utilisant dautres composants en sortie tels le thyristor, le triac.

Emploi[modifier]
Sauf dans le domaine des fortes puissances, il est devenu rare de navoir quun seul transistor dans un botier (pour les fortes puissances, on optera pour un montage Darlington, permettant dobtenir un gain en courant plus important). Les circuits intgrs ont permis den interconnecter dabord des milliers, puis des millions. L'intgration de plus d'un milliard de transistors sur un seul composant a t

atteinte en juin 2008 par Nvidia avec la GT200. La puce, utilise comme processeur graphique (GPU) atteint 1,4 milliard de composants lectriques gravs en 65 nanomtres, sur une surface d'environ 600 mm2. Ces circuits intgrs servent raliser des microprocesseurs, des mmoires, par exemple. volution du nombre de transistors intgrs dans un microprocesseur Processeurs grand public :

1971 : 4004 : 2 300 1978 : 8086 : 29 000 1982 : 80286 275 000 1989 : 80486 : 1,16 million 1993 : Pentium/Pentium MMX : 3,1 millions 1995 : Pentium Pro : 5,5 millions 1997 : Pentium II : 27 millions 1997 : K6 : 8.8 millions 1998 : K6-II : 9.3 millions 1999 : Athlon : 37 millions 2001 : Pentium 4 HT : 42 millions 2001 : Athlon XP-Duron Palomino/Thoroughbred/Thorton/BartonSpitfire/Morgan/Applebred : 37.2 millions 2003 : Athlon 64 ClawHammer : 105.9 millions 2004 : Pentium Extreme Edition : 169 millions 2004 : Athlon 64 Newcastle : 68.5 millions 2004 : Athlon 64 Winchester : 77 millions 2005 : Athlon 64 Venice : 76 millions 2005 : Athlon 64/Athlon 64 X2 Manchester/Toledo : 233 millions

2006 : Core 2 Duo : 291 millions 2006 : Core 2 Quad : 582 millions 2006 : Athlon 64/Athlon 64 X2 Windsor : 227 millions 2006 : Athlon 64 X2/Athlon X2/Sempron Brisbane : 221 millions 2008 : Core i7 Bloomfield : 730 millions 2008 : Phenom X4/X3/Athlon X2 Agena/Toliman/Kuma: 450 millions 2009 : Core i7/i5 Lynnfield : 774 millions 2010 : Core i5/i3/Pentium G Clarkdale : 382 millions 2010 : Core i7 Gulftown : 1,17 milliard 2010 : Phenom II X4/X3/X2-Athlon II X4/X3/X2: Deneb/Heka/CallistoPropus/Rana/Regor : 758 millions 2011 : Core i7/i5/i3/Pentium G Sandy bridge : 1.16 milliards (i7 et i5) - 504 millions (i3 et Pentium G) 2012 : Core i7 Sandy Bridge-E : 2.27 milliards 2012 : Core i7/i5/i3/Pentium G Ivy Bridge : 1.40 milliards 2012 : FX-4100/6100/8100 Zambez (Buldozer) : 1.20 milliards 2012 : FX-4300/6300/8300 Vishera : 1.20 milliards

Domaine graphique :

1997 : SST-1 (3Dfx Voodoo 1) : 1 milions 1998 : SST-2 (3Dfx Voodoo 2) : 4 millions 1998 : NV4 (Nvidia TNT) : 7 millions 1998 : Rage 5 (ATI Rage 128) : 8 millions 1999 : NV5 (Nvidia TNT2) : 15 millions 1999 : Avenger (3Dfx Voodoo 3) : 3 millions 1999 : G4+ (Matrox Millenium) : 9 millions 1999 : NV10 (Nvidia GeForce256) : 23 millions

2000 : NV15 (Nvidia GeForce2) : 25 millions 2000 : R100 (ATI Radeon 7500) : 30 millions 2000 : VSA-100 (3Dfx Voodoo 4/5) : 14 millions 2001 : NV20 (Nvidia GeForce3 Ti) : 57 millions 2001 : R200 (ATI Radeon 8500) : 60 millions 2003 : NV28 (Nvidia GeForce4 Ti) : 63 millions 2003 : R360 (ATI Radeon 9800) : 115 millions 2003 : NV35 (Nvidia GeForce FX5900) : 135 millions 2004 : R480 (ATI Radeon X850) : 160 millions 2004 : NV40 (Nvidia GeForce 6800) : 222 millions 2005 : G71 (Nvidia GeForce 7900) : 278 millions 2005 : R580 (ATI Radeon X1950) : 384 millions 2006 : G80 (Nvidia GeForce 8800) : 681 millions 2006 : G92 (Nvidia GeForce 9800) : 754 millions 2006 : R600 (ATI Radeon HD2900) : 700 millions 2007 ! RV670 (ATI Radeon HD3800) : 666 millions 2007 : POWER6 (IBM) : 291 millions 2008 : GT200 (Nvidia GeForce GTX200) : 1,40 milliard 2008 : RV770 (ATI Radeon HD4800) : 956 millions 2009 : RV870 (ATI Radeon HD5800/5900) : 2,154 milliards 2010 : GF100 (Nvidia GeForce GTX400) : 3.00 milliards 2011 : RV970 (ATI Radeon HD6900) : 2.64 milliards 2011 : GF110 (Nvidia GeForce GTX500 : 3.00 milliards 2012 : RV1070 (ATI Radeon HD7900) : 4.313 milliards 2012 : GK104 (Nvidia GeForce GTX600) : 3.54 milliards 2013 : GK114 (Nvidia GeForce GTX700) : 7.00 milliards

Serveurs :

1993 : IBM POWER2 : 15 millions 1998 : IBM POWER3 : 15 millions 2001 : IBM POWER4 : 174 millions 2004 : IBM POWER5 : 276 millions 2007 : IBM POWER6 : 790 millions 2008 : SPARC64 VII : 600 millions 2010 : IBM POWER7 : 1,2 milliard 2010 : Xeon (8 curs) : 2,3 milliards

Notes et rfrences[modifier]
1. Comme souvent en histoire des sciences, la paternit de cette dcouverte est parfois remise en
cause, pour tre attribue Julius Edgar Lilienfeld qui, en1930, avait dj dpos un brevet concernant le principe du transistor effet de champ. Cependant, Bardeen, Shockley et Brattain restent universellement reconnus comme les pres de cette invention.

Annexes[modifier]
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Articles connexes[modifier]

Transistor Darlington IGBT Transistor JFET Transistor bipolaire MOSFET EOSFET Loi de Moore