0IMA-ITEC Correction du contrle dlectronique du 18/12/1998

Question 1 Dans un conducteur, il y a un seul type de porteurs, ce sont les lectrons.

Question 2 Les lectrons se dplacent en sens contraire du sens conventionnel du courant donc ils partent de B pour arriver A. Question 3

Densit de courant par unit de surface : AN : vd = 8 10-3 /(0.1 10-6 * 1.6 10-19 * 8.0 1028) = 1.0/1.6 10-5 m/s donc vd 6.2 10-6 m/s. Question 4 Dt = 2 L / vd donc Dt = 2.0 1.6 105 = 3.2 105 s. soit 3.7 jours (3 jours 17 h) La date darrive est : aux environs du 22 Dcembre 01 h. Remarque : Donner une date plus prcise (minutes, secondes) exige une trop grande prcision pour les donnes. Question 5 Rsistivit du conducteur : r = 1.6 10-8 W.m ; Rsistance dun cable : R = r L/S = 1.6 10-8 * 1.0/0.1 10-6 = 0.16 W La rsistance de la liaison ( 2*0.16 = 0.32 W < 1 % de la rsistance R) sera donc nglige. VAB = R * I = 47 * 8.0 10-3 = 0.376 V VAB 0.38 V. Question 6 Mobilit porteurs positifs : 4.5 10-2 m2.V-1.s-1., rsistivit : rp = 47 * 1.0 10-6/2.0 10-3 W.m. Si NA2 >> 4 ni2 alors sp = 1/ rp = donc : NA = 1.0/(q rp p) ; A.N. : NA = 2.0 10-3 /(1.6 10-19 * 47 * 1.0 10-6 * 4.5 10-2) = 5.9 1021 m-3 . ni2 = 1.0 1032 m-6 donc NA2 >> 4 ni2 alors NA = 5.9 1015 cm-3 Question 7

DVAB est une petite variation de VAB cre par une petite variation DT de T0. Le circuit est aliment courant constant donc DI = 0 et p(T) = k T-3/2 alors : DVAB/ VAB DR/R = - Dsp/sp = - Dp/p = 1.5 DT/T0 donc : DVAB/ DT = 1.5 VAB /T0 A.N. DVAB/ DT = 1.5 * 0.38/300 = 1.9 10-3 V/ C et : DVAB/ DT = 1.9 mV/C.

Question 8

Du ct N de la jonction le niveau de Fermi se trouve dEn de minimum de la BdC :

Du ct P de la jonction le niveau de Fermi se trouve dEp du maximum de la BdV :

Lorsque la jonction est lquilibre thermodynamique et non polarise lalignement des niveaux de Fermi entrane :

Eg = qVb + dEn + dEp mais NcNv = ni2 exp(Eg/kBT) ; en remplaant NcNv dans lexpression de qVb on trouve :

Question 9

Dans

on fait NA = 100 ND = 100 N ; on obtient :

que lon met sous la forme :

(cm-3 )

A.N. N = 1.0 1015 exp(0.65 *20) = 4.4 1020 m-3 donc ND = 4.4 1014 cm-3 , NA = 4.4 1016 cm-3 Question 10 On suppose que la zone dserte commence du ct P x = - xp et se termine du ct N x = + xn, son paisseur est : W = xp + xn (1)

On applique la loi de GAUSS du ct P : dEp(x)/dx = rv(x)/e = - qNA/e ou e est la permittivit du semiconducteur. En intgrant et en tenant compte de la condition aux limites : Ep(-xp) = 0 on trouve :

le champ dcrot linairement dune valeur nulle la valeur la plus ngative : Ep(0). On applique la loi de GAUSS du ct N : dEn(x)/dx = rv(x)/e = qND/e

En intgrant et en tenant compte de la condition au En(xn) = 0 on trouve :

; Le champ crot linairement de la valeur la plus n En(0) 0. Pour x = on a : En(0) = Ep(0) = EM on en dduit : ND xn = NA xp (2) Vb : la tension de la barrire de potentiel

en remplaant Ep et En par leurs expressions; en int trouve :

en tenant compte que : xn = NA xp/ ND on trouve :

en tenant compte que : xp = ND xn/ NA on trouve :

en consquences :

comme NA = 100 ND = 100 N

A.N. Dans le cas de la jonction abrupte, la forme du champ lectrique est triangulaire et : EM= - 2 Vb/W A.N. EM= - 2 *0.65/1.4 10-6 @ - 9.6 105 V/m EM @ - 9.6 kV/cm. Question 11 Lexpression du courant de saturation dans le cas de la jonction abrupte idale est :

W @ 1.4 m

; en utilisant

et

et en tenant compte de la loi dEinstein : trouve :

et de lgalit des dures de vie, on

A.N. 10-6 A/m2. = 3.5 10-10 A/cm2

= 3.5

Question 12 Calcul de la tension aux bornes du gnrateur : Avec la jonction on trouve la rsistance srie (3.0 W) et la rsistance de lchantillon de silicium P (47 W), on peut donc considrer une rsistance srie totale Rt = 50 W. VAB = Vj + Rt ID et Vj = kBT/q Log(ID/Is) A.N. VAB = 0.025 Log(8.0 10-3/3.0 10-13) = 0.60 V. + 50 *0.008 = 1.0 V VAB = 1.0 V. Calcul du coefficient de temprature : La rsistance srie de D et la rsistance R tant en silicium, elles ont la mme volution en fonction de temprature on a donc : VAB(T) = Vj(T) + Rt(T) ID(T) (A);

(B) et Is(T) = A T3 exp-(Eg/kBT) (C) : une petite variation DT de la temprature donne : DVAB(T) = DVj(T) + DRt(T) ID(T) + Rt(T) DID(T) ; alimentation courant constant DID(T) = 0 et DRt(T)/ Rt(T) = 1.5 DT/T donc : DVAB(T) = DVj(T) + 1.5 DT/T Rt(T) ID(T) (D) ; partir de la relation B on trouve : DID(T)/ ID(T) = 0 = DIs(T)/ Is(T) + q/kBT DVj(T) - q/kBT Vj(T) DT/T

lvolution du courant de saturation en fonction de la temprature permet dcrire :

DIs(T)/ Is(T) = (3 + Eg/kBT) DT/T en reportant dans lexpression prcdente on trouve : DVj(T) = (Vj(T) - Eg/q 3 kBT/q) DT/T ;

lexpression de DVj(T) est reporte dans lquation D : DVAB(T) = [Vj(T) - Eg/q 3 kBT/q + 1.5 Rt(T) ID(T)] DT/T

mais VAB = Vj + Rt ID. Ce qui donne pour une petite variation DT autour de T0 : DVAB(T0)/ DT = [VAB(T0) + 0.5 Rt(T0) ID(T0) - Eg/q 3 kBT0/q] 1/T0

A.N. : DVAB(T0)/ DT = [1.0 + 0.5 50 8.0 10-3- 1.12 3 0.025] 1/300 = 1.7 10-5 V/C.

DVAB(T0)/ DT = 1.7 10-2 mV/C. Le coefficient de temprature est trs faible cela signifie que la tension varie trs peu en fonction de la temprature. Le montage peut servir de tension de rfrence indpendante de la temprature.

Retour l'nonc. Retour la table des matires.

Dernire mise jour : 28 octobre, 2003 Auteur : Bernard BOITTIAUX