Physique de la matire

I. La gomtrie des cristaux

Rseaux de Bravais, structures cristallines, rseaux avec motif, rseau rciproque

Cristaux : solides polycristallins, quasi-cristaux, cristaux liquides, alliages, verres
Cristal parfait : modle objet 3D parfaitement priodique, donc infini
Ce modle est raisonnable si les proprits tudies ne sont pas grandement influences
par ce qui se passe la surface (ce sont alors des proprits de bulk/du massif
Ex : paramtre de maille, compressibilit du solide

Df : soit o
1
, o
2
et o
3
trois vecteurs indpendants. Lensemble |R

= n
1
o
1
+ n
2
o
2
+n
3
o
3
|n

L|
est un rseau de Bravais.
Nomenclature
Nuds : points qui constituent le rseau de Bravais
o
1
, o
2
et o
3
sont appels vecteurs primitifs du rseau
Maille primitive : volume qui permet de recouvrir tout lespace SANS superpositions en
effectuant toutes les translations correspondant aux vecteurs du rseau de Bravais
Maille conventionnelle : volume qui permet de recouvrir tout lespace sans superpositions en
effectuant un sous-ensemble des translations correspondant aux R

Maille de Wigner-Seitz : (par rapport un nud du rseau) volume comprenant tous les
points qui sont plus proches de ce nud que de tous les autres nuds du rseau de Bravais.
Rq : la maille de W-S est une maille primitive, et a toutes les proprits de symtrie du cristal
(translations exclues)
Rq : ni les vecteurs primitifs, ni la maille primitive ne sont uniques. Il y en a une infinit.
Rq : lenvironnement de chaque nud est identique

Mailles primitives
Le paralllpipde dtermin par les 3 vecteurs primitifs est une maille primitive
Le volume de toutes les mailles primitives est identique et est donn par o
1
. (o
2
o
3
)
Chaque maille primitive contient un seul nud

Ex : en 2D, il y a 5 types de rseaux de Bravais diffrents : oblique, rectangle, rectangulaire centr,
carr, hexagonal.
En 3D, il y en 14. Ceux retenir sont :
Les cubiques : normal, centr, faces centres
Hexagonal : base hexagonal 2D, 3
e
vecteur primitif normal au plan

Description complte dun cristal : rseau de Bravais + motif
Le motif est le contenu dune maille primitive. Dans un cristal, ce sont des atomes dont on spcifie
les coordonnes, souvent dans le systme rduit.

Rseau rciproque
Toute fonction (r) qui dcrit une proprit observable du cristal doit satisfaire :
(r) = (r + R

)
On exploite cela en dfinissant le rseau rciproque.
(r) = (r + R

) C(k

)c
k

.
k

= C(k

)c
k

.(+R

)
k

C(k

)c
k

.
[1 -c
.k

.R

= u
Les ondes planes sont indpendantes donc : C(k

) [1 -c
k

.R

= u
Ceci doit tre vrai pour tout R

du rseau de Bravais. Donc k

. R

= 2mn pour un m
k
donn.
Quels sont les k

qui satisfont cette condition ? Posons :

R

= n
1
c
1
+ n
2
c
2
+ n
3
c
3

k

= c
1
o
2
o
3
+ c
2
o
3
o
1
+ c
3
o
1
o
2

Alors k

= l
1
o
1

+ l
2
o
2

+ l
3
o
3

o :
o
1

= 2n
o
2
o
3

o
1
. (o
2
o
3
)

Lensemble des k

est un rseau de Bravais dont les o

i

sont des vecteurs primitifs. On lappelle

le rseau rciproque du rseau de Bravais de dpart.
On indiquera les vecteurs du rseau rciproque par 0

. Ils vrifient : c
k

.u

= 1 et o
i
. o
]

= 2no
,]

Prop : la rciproque du rciproque est le rseau de Bravais de dpart. Le volume V
R
de la maille
primitive du rseau rciproque vaut : I
R
=
(2n)
3
v
B

Df : la maille de Wigner-Seitz du rseau rciproque sappelle la premire Zone de Brillouin

Plans rticulaires, rseau rciproque et indices de Miller
Soit 0

un vecteur du RR. Lquation 0

. R

= 2nm est satisfaite pour tous les vecteurs R

du RdB
pour un m donn. On peut normaliser lquation : 0 [0

[. Lquation prcdente se met alors

sous la forme : 0
`
. R

=
2nm
u
.
Cest lquation dun plan situ 2m/G de lorigine et normal au vecteur 0
`
. Lensemble des
points du RdB qui satisfont lquation pour un m donn sont situs sur un plan normal 0

.
Lquation est satisfaite (moyennant m) pour tous les R

: le RdB peut donc tre considr comme

un ensemble de plans perpendiculaires 0

. Chacun est caractris par la valeur de m. Par

proprits du RdB, la distance interplane est toujours la mme : notons-la d. Si on choisit le plus
court des vecteurs du RR // 0

: 0
hkI

= bo
1

+ ko
2

+ lo
3

.
On a alors : J = 2n[0
hkI

[. h, k, l sont premiers entre eux (car cest le plus cours). Ils sont appels
indices de Miller de la famille de plan.

II. Diffusion diffraction
De faon gnrale, lexistence de diffusion traduit lhtrognit dun milieu. La diffusion
renseigne donc sur la structure du milieu.
On tudiera dabord la diffusion de la lumire par un lectron dans le cadre dune description
classique, i.e. diffusion de la lumire pour un spectre de lIR jusquaux rayons X.
Ensuite : cas dune molcule traite comme un ensemble dlectrons il y a alors des effets
dinterfrence. Ils sont dcrits par le facteur de diffusion (forme).
Enfin, cas particulier de la diffusion par des systmes ordonns diffraction.

1) Diffusion simple par un ensemble de diffuseurs
r
]
: position du j
e
diffuseur (parmi N), quasi-cste pendant quelques priodes T = 2/. Cest le
cas mme pour les lectrons.
Si la longueur donde taille du systme, les ondes sont diffuses en phase. Le champ total
est la somme des champs, lintensit proportionnelle N
2
.
Sinon, elles ne sont plus en phase. La rpartition angulaire de lintensit diffuse dpend alors de
lagencement des diffuseurs (structure).
Champ diffus par un diffuseur ponctuel
Soit r le point dobservation. Le champ diffus peut scrire comme le produit dune onde
sphrique et dun facteur damplitude proportionnel au champ incident :

1
(r)c
-ot
=
S
nc
(u) exp _-i_t -
|r|
c
]_
|r|

S est lamplitude de diffusion et dpend par exemple de la charge et la masse du diffuseur, ou
de la direction de propagation de londe incidente et de londe diffuse.
Champ diffus par un ensemble de diffuseurs ponctuels

]
(r)c
-ot
=
S
nc
(r
]
) exp _-i_t -
|r - r
]
|
c
__
|r - r
]
|

Rq : on a nglig le champ incident sur j d aux autres charges : approximation de la diffusion
simple. Dans le cas dune onde plane incidente de vecteur donde k
inc

,
nc
(r) =

nc
exp(ik
inc

. r), la phase de londe diffuse est donne par: exp|ik

inc

. r
]
]exp |-i ()]
Au 1
er
ordre, on a (approximation du champ lointain):
exp|ik
inc

. r
]
] exp _-i_t -
r
c
+ u

.
r
]

c
__
Le terme [k
inc

-
o
c
u

. r
]
reprsente le dphasage entre le champ diffus par le j
e
diffuseur et le
champ diffuseur et le champ diffus par un diffuseur qui serait plac lorigine des coordonnes.

Hyp : les amplitudes de diffusion S
j
= S sont les mmes pour tous les diffuseurs. Seules les phases
varient. Do, dans lapproximation des champs lointains :
(r)c
-ot
=
]
(r)c
-ot
]
=
S
r
_exp|i [k
inc

c
u

. r
]
]
]
_exp j-i[t -
r
c
[
nc

On peut donc crire le rsultat sous la forme :
= S(q)
c
k
r

nc
exp(-it)
O : S(q) = S exp (-iq. r
] ]
) et q = -k
inc

-
o
c
u

. La valeur maximale de S(q) est donc NS.

Lorsque q est suffisamment faible en module pour que exp(iq. r
]
) = 1 pour tout j, tous les points
du systme rayonnent en phase. Le facteur de diffusion prend alors des valeurs maximales. On a
alors : k
inc

=
o
c
u

Cette condition signifie que le point dobservation est dans la direction du rayonnement incident :
on parle de diffusion vers lavant.

Diffusion par un atome, facteur de forme atomique
= S
ut
(q)
c
k
r

nc
exp(-it)

ut
(q) est le facteur de forme atomique et scrit :
ut
(q) = exp(-iq. r
]
)
]
, la somme portant sur
lensemble des lectrons de latome.
Rq : f
at
est le rapport entre lamplitude diffuse par latome dans une direction donne et
lamplitude qui serait diffuse dans cette mme direction par un lectron situ lorigine.
La contribution du noyau est nglige (masse plus importante).

Rq : la transition au cas quantique se fait en remplaant la somme sur la distribution discrte de
charges par une intgrale sur tout lespace :

ut
(q) = _p(r)exp (-iq. r
]
) u
3
r
Au lieu davoir des lectrons dont les positions sont parfaitement dfinies, on pondre par la
densit de probabilit de prsence : cest la transforme de Fourier de !

2) Diffraction par un cristal : formulation de von Laue
Un cristal arrangement priodique de diffuseurs de taille finie + motif : facteur de structure
(not F). F est non nul seulement pour des valeurs discrtes du vecteur de diffusion q.
Priodicit du cristal directions pour lesquelles on observe des pics dintensit (interfrences
constructives). La donne de ces directions permet de remonter la structure cristalline.
Puisque le cristal est priodique, la densit dlectrons scrit sous la forme dune srie de Fourier :
p(r) = p
u

exp(i0

. r)
u

sont les vecteurs du RR. Les p

u

se calculent par intgration sur une priode du cristal.

Lamplitude de londe diffuse est proportionnelle la tsF de la densit de charge. On sait que la
tsF dune exponentielle complexe exp(i0

. r) est une distribution de Dirac o(q - 0

).
La lumire est donc diffuse (diffracte) dans un ensemble de directions k
d

=
o
c
u

tq q = 0

:
k
d

=

c
u

= k
inc

+ 0

Cest la condition gnrale de diffraction : loi de Bragg sous forme vectorielle.
CCL : les facteurs de structure du cristal 0 seulement en correspondance des vecteurs du RR
3) Diffraction par un cristal : formulation de Bragg
On considre le cristal comme un ensemble de plans rticulaires parallles. Onde diffuse peut
donc tre pense comme le rsultat de la rflexion spculaire de londe incidente sur ces plans.
Von Laue q = -k
inc

+ k
d

= 0

Rappel : on ne considre que la diffusion lastique, do |k
inc

| = |k
d

|, et chaque vecteur du RR
est perpendiculaire une famille de plans rticulaires.
Illustration :

On tablit alors facilement :
4n
x
sin0 = |0

|
En crivant 0

= n0
hkI

o h, k, l sont les indices de Miller de la direction 0

et nL, on a :
2J
hkI
sin 0 = nz
4) Facteur de structure en termes de facteurs forme atomiques
Densit du cristal densit des densits des atomes qui le composent.
p
u

= _ p(r) exp(-i0

. r)u
3
r
MP
= _ p
A
(r - r
A
) exp(-i0

. r) u
3
r
uII spucc
A

O la somme porte sur tous les atomes constituant un motif, et r
A
et p
A
(r - r
A
) sont les positions
et les densits de ces atomes. On a donc :
F(0

) = p
u

=
A
(0

) exp(-i0

. r
A
)
A

O f
A
est le facteur de forme atomique.
On voit que le fds peut sannuler pour des vecteurs du RR du fait des interfrences entre diffrents
atomes dune mme maille. Ainsi, certaines directions de diffraction permises par la structure du
RdB peuvent avoir une amplitude nulle : extinction systmatique.

III. Les phonons
Etude des vibrations des atomes dun cristal ; modes de vibration dun rseau cristallin :
ondes lastiques ; nergie de ces modes quantifie ; quantum dnergie : phonon ; diffusion
inlastique des photons par le cristal
Approx : noyaux bcp plus lourds qulectrons se dplacent peu et plus lentement. Aux f de
vibration des noyaux, les lectrons suivent le mouvement des noyaux. On traite donc de faon
indpendante le mvt des lectrons et les vibrations des atomes on nglige les termes de couplage.

1) Oscillations dune chane linaire monoatomique, modes propres de vibration
Equation du mouvement
On repre chaque atome par n. Abscisse au repos : na. Position instantane : x
n
(t) = no + u
n
(t)
Approx : nergie potentielle dinteraction entre 2 atomes de masse m distants de r :
I(r) = I(o) +
1
2
m
0
2
(r - o)
2

PFD: m
u
2
u
n
ut
2
= -m
0
2
|u
n
- u
n-1
+ u
n
- u
n+1
] (plus pioches voisins)
Rq : dans une chane priodique, on peut montrer que les modes propres ont la structure dune
onde plane progressive. On peut chercher la solution sous la forme : u
n
(t) = u
0
c
(Knu-ot)
. Do :

2
u
0
=
0
2
u
0
(2 - c
Ku
- c
-Ku
)
Do la relation de dispersion :
2
= 4
0
2
sin
2
Ku
2
ou encore = 2
0

sInKu
2

Vitesse de groupe
~ : vitesse du maximum dun paquet donde. :
g
=
do
dK
. On assimile gnralement la vitesse de
propagation de lnergie la vitesse de groupe.
Relation de dispersion
2 ondes progressives de mme amplitude et de vecteurs donde K et K + 2/a. Pour un mme
atome, un instant t, il est impossible de faire la diffrence entre les 2 ondes. Les vecteurs donde
de la 1ZdB permettent donc de dcrire lensemble des dformations du rseau.
Basses frquences :
0
; =
0
oK. Les ondes sonores (10
3
Hz 10
6
Hz ;
0
10
13
Hz dans
un solide) respectent cette approx. Donc o
0
est la vitesse du son dans le milieu. La vitesse de
phase ne dpend pas de : milieu non dispersif.
Hautes frquences :
0
, longueur donde du mme ordre que le pas du rseau. Structure
discrte du milieu courbure dans la relation de dispersion : le milieu devient dispersif. A la
limite de la 1ZdB, i.e., K /a, la pulsation tend vers = 2
0
. La tangente (K) devient
horizontale : :
g
= u : onde stationnaire : rflexion de Bragg de londe sur un priodique.
Rq : dans ce cas, 2 atomes voisins sont en opposition de phase.
Cas dune chane finie conditions aux limites priodiques
BvK : permet de retrouver lessentiel des prop physiques du { dues aux effets de volume, tout en
utilisant la dcomposition des solutions en ondes progressives.
BvK : imposer u
n
= u
n+N
. Do : exp(iKNo) = 1. Do une quantification du v.o. :
K
p
= p
2n
No

Energie dun mode de vibration : le phonon
Calcul de lnergie : dcoule de la phyQ.
Daprs BvK : les variables u
n
sont priodiques de Na. Dcomposons alors les u
n
sur les N modes
q
p
(t)c
p
2n
Nc
nu
. Les u
n
formant un ensemble fini, leurs dcompositions sont des sommes finies :
u
n
(t) =
1
N
q
p
(t)c
p
2n
Nu
nu
N
p=1

PFD:
u
2
q
p
(t)
ut
2
= -
0
2
(2 - c
K
p
u
- c
-K
p
u
)q
p
(t) = -
p
2
q
p
(t)
CCL : volution de lamplitude dun mode de vibration : oscillateur harmonique
On est ainsi ramens au problme de N oscillateurs harmoniques indpendants correspondant
chacun un mode (K
p
,
p
). Le Hamiltonien du { systme total est la somme des E
c
de tous les
atomes et des E
p
de chaque liaison :
E = _
1
2
m
0
2
(u
n
- u
n+1
)
2
+
1
2
m_
uu
n
ut
]
2
_
N
n=1
= = _
m
p
2
q
p
2
2
+
p
p
2
2m
_
N
p=1
= E
p
N
p=1

On sait alors que lnergie dun mode de vibration de pulsation
p
(oscillateur harmonique) est
quantifie et vaut : E
p
= [n
p
+
1
2
l
p

l
p
est appel phonon. Attention : les phonons sont des modes tendus spatialement
caractriss par un v.o. et une frquence. La discrtisation des modes vient de la taille finie du {

2) Gnralisation
Chane linaire multiatomique modes acoustique et optique
Dans ce cas, les mvts relatifs entre les atomes font apparatre de nouveaux modes de vibration.
La branche infrieure a la mme allure : mvt du centre de masse
des atomes de la maille (assimilable un seul atome effectif plus
gros). Pour ce mode, tous les atomes dune mme maille vibrent
en phase. La longueur donde = 2/K p interprte comme
plus grande que la maille cristalline. Branche acoustique
La branche sup correspond au mvt de vibration lintrieur de la
maille. Dans le cas diatomique : particule rduite dans le pb 2
corps les 2 atomes de la maille sont en opposition de phase.
Branche optique.
Pour 2 atomes de nature =, la densit de proba de prsence des e
-
au voisinage des 2 atomes est
diffrente. Opposition de phase diple oscillant capable dmettre et absorber du rayonnement.
Rq : gamme de pulsations correspondant aucun v.o. Il nexiste donc pas dOP pouvant se
propager dans le cristal ces frquences : bande interdite.
Rq : chane linaire avec n atomes/maille : une branche acoustique ( de masse de la maille) et
n 1 branches optiques. Quand il y a apparition de charges partielles, la vibration mcanique.
Cas 3D
Dans un continu: combinaisons dondes de compression (long) et de cisaillement (transverses).
Mvt des atomes parallle la chane linaire : onde longitudinale. Perpendiculaire : transverse.
Df de 3 polarisations possibles : 1 longitudinale, 2 transverses. Pour chacune, il faut considrer
une branche acoustique et (n 1) branches optiques.
Esquisse du calcul en 3D :
m
u
2
x
i

ut
2
=
]
x
]

]

La sommation porte sur latome i et ses plus proches voisins,
ij
est une matrice rendant compte
de linteraction dans le cadre de lapprox harmonique. On cherche une solution de la forme :
x
i
= oc
|K
p

.
i
-o(K
p

)t]

est la polarisation de londe. BvK conduit la quantification de K
p

.
Avec ces 2 quations, on obtient un { de 3 quations linaire homogne fonctions de o
x
, o

et o
z
.
Pour assurer la compatibilit du {, son dterminant
S
doit tre nul.

S
= u possde 3 solutions distinctes en en fonction des coordonnes de K
p

.
3) Diffusion inlastique dune onde sur un cristal
Rien pig

IV. Electrons dans les mtaux, modle du gaz dlectrons libres
1) Modle de Drude, proprits lectriques des mtaux
Description : ~ introduit pour rendre compte de la forte conductivit lectrique des mtaux.
Description purement classique, mais rend compte de la conductivit lectrique et thermique et
de leffet Hall. Hypothses :
{ assimil un {} de n e
-
par unit de volume dans un uniforme charg positivement ({}
neutre). Les e
-
sont ponctuels de masse m et de charge e, sans interaction
On peut dcrire classiquement leur mvt
Ils subissent des collisions tq la vitesse moyenne aprs collision est nulle. La proba den subir
une entre t et t + dt vaut dt/. est appel temps de relaxation. Cest la qt clef du modle
Conductivit lectrique
Loi dOhm locale : = oE

= n(-c): o : est la vitesse moyenne des lectrons.

En labsence de champ lectrique, il ny a pas de courant, donc la vitesse moyenne est nulle.
Vitesse induite par le champ lectrique avec le PFD :
m
u:
ut
= -
m:

- cE

En stationnaire, on a : : = -
cL:
m
. On a donc : o =
nc
2
:
m

Dans cette expression, on suppose connues la masse, la charge, et n, le nombre de

par unit de
volume. On en dduit et une mesure de rsistance lectrique.
ODG : 19 fs pour Cu (10
15
s), 28 fs pour Ag.
Drude supposa que le th dquipartition de lnergie sapplique, tq :
1
2
m:
2
=
3
2
kI. Pour T = 300K,
on trouve une vitesse de 6.4 10
4
ms
-1
. parcours moyens de 1,3 nm pour un de 20 fs. Suggre
que les collisions sont dues aux chocs avec les atomes du rseau. Plausible, mais : 73K, passe
de 19 fs 210 fs. Cette dpendance en T nest pas compatible avec une origine associe des
collisions lectron-atome/impuret.
2) Modle de Sommerfeld, proprits thermiques des solides
Le modle de Drude nexplique pas le comportement de la capacit calorifique.
Modle dun gaz de

libres : prdit une E
c
de (S2)kI par e

donc une c.c. de (S2)Nk pour
N e


: rsultat ~ 100 fois suprieur ce qui est observ T
amb
. De plus, le modle prdit une c.c.
cste. En vrai : celle due aux e

crot linairement avec T.
Dmarche : calculer les niveaux dnergie des lectrons libres. On peut alors connatre le nombre
moyen doccupation de chaque tat laide de la statistique de Fermi-Dirac. On peut alors en
dduire lnergie E du systme et sa capacit calorifique c

= oEoI.
Niveaux dnergie dun lectron libre V = 0
Trouver les valeurs propres de lquation de Schrdinger stationnaire correspondante :
-
l
2
2m
(r) = E(r)
Solution de la forme exp(ik

. r). Lnergie vaut donc : E =

l
2
k

2
2m
.
Par condition de normalisation : (r) = 1I exp(ik

. r). Un tat lectronique est caractris par

un v.o. k

et une nergie l
2
k
2
2m, un tat de spin, et une f donde
k

(r). Les tats dnergie sont

dgnrs : il existe plusieurs v.o. k

ayant le mme module. Pour calculer lnergie du systme, il

faut donc sommer sur tous les tats du systme avec la densit dtats du systme.
Densit dtats, condition aux limites priodique
Obtenir la densit dtats dans lespace des k, puis celle en nergie avec la relation de dispersion.
Imaginons que le cristal est reproduit priodiquement tq si un lectron sort en x = L
x
, il rentre en
x = 0. BvK : (x) = (x + I
x
).
Solution gnrale de la forme exp|i(k
x
x + k
x
y +k
z
z)] avec k
x
= (2nI
x
)p, etc.
En 3D : nb de v.o. compris entre de module dans [k, k + dk] :
v
8n
3
4nk
2
Jk (selon x : uk
x
I
x
2n)
Le nb dN dtats avec de tels v.o. vaut : uN = 2
v
8n
3
4nk
2
uk (spin)
uN =
I
n
3
k
2
uk
Comme k =
2mL
l
, on a : uN =
8vn
3
h
3
2m
32
EuE
Do : g(E) =
dN
dL
=
8vn
3
h
3
2m
32
E
Energie de Fermi
Le principe dexclusion de Pauli interdit aux e

de sassembler tous sur les niveaux de basse
nergie : E totale du { augmente bcp. On appelle nergie de Fermi E
F
celle de le

le plus
nergtique temprature nulle. Pour la trouver, il suffit dcrire que le { contient N e

:
N = _ g(E)uE
L
F
0
=
16nI2m
32
E
P
32
Sb
3

On peut faire le mme calcul dans lespace des k : N = 2
4
3
nk
P
3
v
8n
3
do k
P
= [
3n
2
N
v

13

Energie et capacit calorifique
Estimation : pour quun e puisse participer la c.c., il doit pouvoir recevoir de lnergie. Pour
T 300K, il peut recevoir kT 10
4
k, nergie de Fermi.
Les e occupant les niveaux fondamentaux ne peuvent pas tre excits : pas dtats libres
susceptibles de les accueillir : seuls les e situs au voisinage de E
F
le peuvent. En supposant
que ceux-ci donnent chacun 3k/2, et quils sont sur une largeur dordre kT i.e. g(E
F
)kT, on a :
c

=
3
2
g(E
P
)k
2
I =
n
3
3
k
2
Ig(E
P
) lordre 2 en kT/E
F

Calcul : il faut dabord calculer lnergie du { des N lectrons
E = _ Eg(E
i
)

0
1
exp [
E
i
-p
kI
+ 1
uE
(E densit dtats nombre moyen doccupation de chaque tat (statistique de Fermi-Dirac)
Il faut dabord connatre le potentiel chimique :
N = _ g(E
i
)

0
1
exp [
E
i
-p
kI
+ 1
uE
i

Critique du modle
Nexplique pas lorigine des collisions subies par les lectrons
Lexpression de la c.c. prdit la dpendance linaire en T, mais la valeur du coeff est fausse
Les proprits optiques des mtaux non-alcalins ne sont pas dcrites correctement
Ne permet pas de savoir combien dlectrons de conduction fournit chaque atome
Ne permet pas de prdire si un milieu est conducteur, semi-conducteur ou isolant

V. Niveaux lectroniques dans un potentiel priodique
1) Proprits gnrales
Hyp de libres revient ngliger leffet sur les niveaux nergtiques lis la priodicit du cristal.
On a donc aussi nglig les interactions entre e. Ici : approximation des e indpendants.
: ne signifie pas ngliger les interactions entre e, mais les prendre en compte au moyen dun
potentiel effectif. Dans ce qui suit, on le suppose connu.
Si le { est un cristal parfait, le potentiel a la priodicit du cristal. Il sagit donc de rsoudre
une quation de Schrdinger monolectrique :
E(r) = -
l
2
2m
(r) + I(r)(r) = E(r)
Avec I(r +R

) = I(r) pour tous les vecteurs R

appartenant au RdB.
Conditions aux limites
BvK : soient o
1
, o
2
, o
3
les vec primitifs du RdB. Soient N
1
, N
2
, N
3
des entiers trs grands (i.e. avec
N = N
1
N
2
N
3
10
23
). Les conditions de BvK sont : (r + N

o
i
) = (r)
La priodicit suppose de la f donde est dcrite par un super-rseau dont le volume de
priodicit est Nv. Cela implique quelle peut se dvelopper en srie de Fourier :
(r) = c
q
c
q.
qRR du SR

Si on appelle b
i

les vec primitif du RR du SR, on a : b

i

=
1
N
i
o
i

(r) = c
k

+u

c
(k

+u

).
u

RR k

MP du RRSR
; k

=
n

o
i

On peut prendre comme MP du RRSR sa 1ZdB.
Thorme de Bloch
Les solutions de lquation de Schrdinger sont des fonctions produits dune onde plane c
k

.
et
dune fonction u
k

(r) ayant la mme priodicit que le potentiel : (r) = u

k

(r)c
k

.
, o
u
k

(r +R

) = u
k

(r), R

tant un vecteur du RdB.

Le vecteur donde k

joue le rle dun nb quantique caractristique dun tat e particulier.

2
e
formulation : les fonctions de Bloch satisfont la proprit (r + R

) = c
k

.R

(r)
une f de Bloch change dun facteur de phase lorsquon effectue une translation correspondant
un vecteur du RdB.
Dmonstration
Soit V dans lequel est plong le. Il est priodique et scrit : I(r) = I
u

c
u

.
u

o 0

RR.
La f donde satisfait BvK donc : (r) = c
q
c
q.
qRR du SR

En remplaant dans lq de Schrdinger, on a : -
l
2
2m
(r) =
l
2
2m
q
2
c
q
c
q.
q

I = _ I
u

c
u

.
u

RR
__ c
q
c
q.
qRR du SR
_ = I
u
c
q
c
(u+q).
q u
= I
u
c
q
|
-u
c
q
|
.
q
|
u

= I
u
| c
q-u
| c
q.
q u
|
c
q.
__
l
2
q
2
2m
-E_ c
q
+I
u
| c
q-u
|
u
|
_
q
= u
Comme les ondes planes forment un ensemble de fonctions indpendantes, on obtient :
_
l
2
q
2
2m
- E_c
q
+ I
u
| c
q-u
|
u
|
= u
Rappel : q peut scrire k + G (kMP du SR et GRR) ou encore k G.
_
l
2
|k -0|
2
2m
- E_ c
k-u
+ I
u
||
-u
c
k-u
||
u
||
= u: (E1)
On a un systme linaire homogne. Pour avoir des solutions non nulles, il faut que son
dterminant sannule. On obtient alors une relation qui fournit E
k
. La solution du { pour
chacune de ces nergies nous donne ensuite la fonction donde correspondante, sous la forme :
(r) = c
k+u
c
(k+u)
u

Puisque le { ne couple que les coeff donde splanes dont les v.o. diffrent dun vec du RR.
Cela scrit donc : (r) = c
k.
c
k+u
c
(u.)
= c
k.
u
k
(r)
u


E1 vue de prs
Elle est strictement quivalente lq de Schrdinger (f donde exprime sur une base complte)
Pour chaque valeur de k

on a un nb de valeurs de lE = nb de vec du RR. Il sagit dun {}

discret de valeurs quon numrote avec n. Les E monoe du cristal sont donc repres par 2 nb
quantiques n et k

.
Soit une E E
n
(k

). Faisons varier k

en gardant n fix. Puisque les k admissibles constituent un

{} quasi-continu dans la 1ZdB, les E
n
(k) sont trs proches les unes des autres : elles constituent
une bande de valeurs admissibles. n qui caractrise cet {} est donc lindice de bande.

Remplissage des bandes distinction mtal isolant
Supposons avoir rsolu lq de Schrdinger prcdente. Les f donde obtenues sont monoe. Pour
obtenir les tats du { et notamment le fondamental, on procde par remplissage des niveaux.
Les e tant des fermions, chaque niveau p occup par 2 e. On occupe dabord ltat monoe dE
la plus basse, on continue avec celui dE immdiatement suprieure et ainsi jusque tous les e soient
cass. 2 situations sont alors possibles :
Certaines bandes dE sont remplies (i.e. le n
e
niveau dE est rempli pour tous les v.o. k

) et
dautres (suprieures) vides. Une bande interdite les spare. Le cristal est isolant
Une ou plusieurs bandes sont partiellement remplies : le cristal est un mtal
Peut-on savoir a priori dans quelle catgorie se situe un cristal donn ? Le nombre dtats
disponibles dans une bande donne est 2N (spin), i.e. 2 fois le nb de MP du cristal. Combien de
de valence y a-t-il par MP ? Sil est impair, le cristal est forcment un mtal.
Pourquoi cette distinction pour les mtaux et les isolants ?
Pensons ce qui se passe lorsquon applique un champ lectrique. Sans lui, il ny a pas de courant,
i.e. il ny a pas de courant lorsque le { est dans son tat fondamental. Pour avoir un courant,
il faut modifier cet tat : le champ lectrique transfre certains e des tats occups aux tats vides.
Cela se fait facilement si une bande est partiellement remplie : dE entre niveaux contigus de
la bande est trs petite. Ce transfert est gnralement difficile avec une bande interdite.
A T non nulle, il faut comparer la largeur de la bande interdite kT.

Modle des lectrons presque libres
Dans lapprox des e presque libres, les e sont sensibles la priodicit du rseau, mais le potentiel
est suppos faible . En pratique : potentiel pris en compte par la thorie des perturbations.
Le hamiltonien dordre est celui des e libres : E
(0)
= -
l
2
2m

Les solutions de lq de Schrdinger imperturbe sont des ondes planes. En adoptant la mme
gomtrie quavt, la relation de dispersion E = l
2
q
2
/2m est un parabolode stendant dans tout
lespace rciproque.
Rappels : correction dordre 1 lE
n
(0)
due au potentiel perturbateur : E
n
(1)
=
n
(0)
|I|
n
(0)

Cette expression nest valable quen cas de non dgnrescence (ou presque), i.e. :

n
(0)
|I|
n
(0)
E
m
(0)
- E
n
(0)
, avec m n.
Application :

q
m

(0)
|I|
q
n

(0)
= _c
-q
m
.
I
u

c
u

.
c
q
n
.
u

= I
u

_c
(q
n
+u

-q
m
)
u
3
r
u

= I
u

o
q
m
,q
n
+u

E
q
(1)
=
q
(0)
|I|
q
(0)
= I
u

=0

Cette correction prend la mme valeur pour tous les tats : il sagit dun dcalage du 0 dE.
On le choisit gnralement nul.
La correction devient donc dordre 2 par rapport aux composantes de Fourier du potentiel : en
pratique, les E changent trs peu, la relation de dispersion est proche du parabolode des E
imperturbes. Attention : ce nest pas forcment le cas lorsque E
q
(0)
= E
q-u

(0)
(expression de la
correction de 2
e
ordre), i.e. en cas de (presque) dgnrescence. Cela arrive lorsque :
|q| = |q - 0

|
Calcul des niveaux dnergie en prsence de dgnrescence
Considrons un cristal 1D de paramtre de rseau a. Celui du RR est alors 2/a et la 1ZdB est
constitue par les v.o. entre -/a et /a.
On vrifie que la condition |q| = |q + 0| est remplie quand |q| = |0|2, ce qui implique |q| = nn2
o nL. il faut utiliser la thorie des perturbations pour les tats dgnrs en rsolvant lq E1
en limitant la somme la seule valeur de G pour laquelle |q| |q G|, i.e. q.G/|G| |G|/2
On a alors :
_
l
2
q
2
2m
- E_c
q
+ I
u
c
q-u
= u
_
l
2
(q -0)
2
2m
-E_ c
q-u
+ I
-u
c
q
= u
Ce systme admet des solutions non nulles si son dterminant est nul :
_
l
2
(02 - o)
2
2m
- E__
l(02 + o)
2
2m
- E_ -I
u
2
= u
O = G/2 q et o on a utilis le fait que I
-u
= I
u

= I
u
car la potentiel est rel. On a alors :
E
q
(_) =
l
2
2m
_
0
2
4
+ o
2
_
_(0o)
2
+ _
I
u
l2m
]
2
_
La dgnrescence pour |q| = |G|/2 a t leve. Les 2 valeurs propres sont spares par :
E = 2I
u


VI. Conductivit lectrique dans les mtaux et les semiconducteurs
1) Conduction lectrique : modle de Sommerfeld
Rappel : dynamique dune particule libre
p = lk

; : =
p
m
=
lk

m
; E =
l
2
k
2
2m

Vitesse et E sont relies par la formule exprimant la vitesse de groupe : : =
1
l
v
k

E(k

)
Une particule ayant une p ne peut tre parfaitement dfinie : elle est alors dcrite par un paquet
donde et, dans les limites du principe dHeisenberg, peut tre relativement bien localise. On ne
peut alors que dterminer sa vitesse moyenne. Cette description savre bien adapte pour
prendre en compte les effets dun champ appliqu. Si ce dernier est dcrit par un potentiel u(r):
m
u
2
r
ut
2
=
up
ut
= -v

u
Si la f donde dune particule est (r), alors :
m
u
2
ut
2
|r | =
u
ut
|p | = -|v

u|
Si le champ appliqu est uniforme, le membre de droite peut tre identifi la force applique
la particule. Dans ce cas : la position moyenne de la particule obit la 2
e
loi de Newton.
Conductivit dans le modle de Sommerfeld
Si on applique un champ E

un e libre, on a alors : m
d
dt
: = -cE

Avec collisions : m
d
dt
: = -cE

-
m
:
. On obtient : o =
nc
2
:
m

2) Dynamique des lectrons en prsence dun potentiel priodique
Vitesse : un calcul permet de montrer que la vitesse moyenne dun e de Bloch vaut :
:
k
=
1
l
v

E(k

)
Il sagit de lexpression de la vitesse de groupe quon aurait utilise si le tait dcrit par un
paquet dondes planes. Surprise : le se trouve dans un tat propre du Hamiltonien, i.e. dans un
tat stationnaire : sa vitesse moyenne ne change pas avec le temps il se meut dans le cristal
sans subir de collisions ! En fait, la prsence du rseau cristallin est compltement prise en compte
dans le Hamiltonien et les f de Bloch sont prcisment ses f propres.
Les collisions proviennent de tout ce qui perturbe la priodicit parfaite du cristal : les dfauts,
les phonons sont source de rsistivit.
Masse effective : soit F

une force applique un e de Bloch (doit tre lentement variable dans

lespace et dans le temps). LE est modifie par la force : F

. :
k

ut = uE(k

)
F

.
1
l
v

E(k

)ut = v

E(k

)uk

= l
uk

ut

On obtient une 2
e
expression de lq du mvt :
u:
k

ut
= v
k

:
k

.
uk

ut
=
1
l
2
v
k

. |v
k

E(k

)]. F

u:

ut
=
1
l
2
o
2
E
ok

ok
]
F
]
: (notation tensoiielle: summe sui ])
Le satisfait donc une quation de mme structure que le PFD, une masse effective prs :
_
1
m

_
,]
=
1
l
2
o
2
E
ok

ok
]

Rq : la masse effective peut tre ngative si la courbure de la relation de dispersion lest. Cest
le cas en bord de 1ZdB. Origine physique : rflexion de Bragg sur le rseau de londe associ le.
Le tenseur est symtrique et peut donc tre diagonalis.
Rq : au voisinage dun extremum dnergie : E(k

) = E
0
+
l
2
2m

(k

- k

0
)
2
: approximation des
bandes paraboliques.
Notion de trou : une bande pleine ne contribue pas la densit de courant. Une bande dans
laquelle tous les tats sont occups sauf un, la densit devient :
= u - |-c:
k

] =
k

= c:
k

Tout se passe comme si le courant tait celui dune charge positive e de vitesse :
k

. Ceci
suggre dintroduire une particule effective appele trou.
Proprits : charge positive, vitesse moyenne identique celle de le manquant. On peut lui
associer une nergie E
t
. LE totale du systme est alors : E = E
pIcnc
-E
k

= E
pIcnc
+E
t

On associe donc un v.o. k

t
= -k

au trou. Dynamique du trou ?

Mme raisonnement quavec le avec une masse effective oppose. Cela conduit une masse
effective positive au voisinage du de la 1ZdB et une masse ngative au bord : comme pour
les e de la bande de conduction.

3) Semiconducteurs
On appelle semiconducteurs les matriaux qui sont isolants 0K mais conducteurs pour des
tempratures infrieures leur point de fusion. La transition isolant-conducteur sexplique par le
fait que les e occupant une bande pleine (bande de valence) peuvent tre excits thermiquement
dans une bande dE plus leve (bande de conduction). La entre semiconducteur et isolant
est donc essentiellement lie la largeur de la bande interdite.
La plupart des semiconducteurs cristallisent dans la structure c.f.c avec 2 atomes pour motif. Si
les 2 atomes sont identiques : structure diamant. Sinon : structure blende.
Prop optiques : la bande interdite entrane que les semiconducteurs sont transparents pour les
photons dnergie infrieure sa largeur. MAIS : ds que lE excde la largeur de la bande, une
absorption par cration de paires e-trou peut avoir lieu. La varit des matriaux ayant des
largeurs de bande interdite permet de raliser des dtecteurs adapts frquences. a
marche aussi dans lautre sens : linjection de dans la bande de conduction par application dune
tension, on peut observer une mission de lumire : principe des DEL.
Loi daction des masses
Proprit la plus importante dun semic : nb de par unit de volume dans la bande de conduction
n et le nb de trous par unit de volume dans la bande de valence p.
g
c
(E), g
v
(E) : densits des tats des bandes de conduction et de valence. e : fermions, donc :
n(I) = _ g
c
(E)
+
L
c
1
c
L-
k
B
1
+ 1
JE et p(I) = _ g

(E)
L

-
_1 -
1
c
L-
k
B
1
+ 1
_JE = _ g

(E)
L

-
1
c
-L
k
B
1
+ 1
JE
O E
c
est lE minimale de la bande de conduction, et E
v
le sommet de la bande de valence.
Rq : ces expressions sont valables gnralement. La prsence ventuelle dimpurets modifie la
valeur de , et donc celles de n et p.
Hypothses supplmentaires
1. E
g
= E
c
E
v
est grande par rapport k
B
T 1/40 eV 300 K, alors que E
g
~1 ev
2. se situe dans la bande interdite et sa distance des extrmits des bandes de valence et de
conduction est grande par rapport k
B
T. On dit alors que le semic est non-dgnr.
Sous ces hypothses, comme E > E
c
pour la bande de conduction, on a :
1
c
E-
k
B
T
+1
= c
-
E-
k
B
T

De mme, pour la bande de valence :
1
c
-E
k
B
T
+1
= c
-
-E
k
B
T

On a donc des expressions de n(T) et p(T), etc.
Comme il y a des intgrales dexp, les contributions dominantes viennent des e ayant des E proches
de E
c
et de trous dE proches de E
v
: approximation parabolique des bandes, i.e. utiliser la
densit des tats du modle de Sommerfeld en remplaant la masse des e par la masse effective
m
c

ou m
t

. Etc. On a alors la loi daction de masse :

np = N
c
N

exp _-
E
g
k
B
I
]
CCL : le produit du nb de porteurs de charge positive et ngative par unit de volume dans
semic non-dgnr dpend seulement de la largeur de la bande interdite E
g
et de T.

Semiconducteur intrinsque
un semiconducteur dpourvu de toute impuret. Ainsi, les e dans la bande de conduction
ne peuvent provenir que de lexcitation des e de la bande de valence. Il y a autant de trous
dans la bande de valence que de dans la bande de conduction : n = p = n

o n
i
est appel
densit de porteur intrinsques. On a via la loi daction des masses :
n

= N
c
N

exp _-
E
g
2k
B
I
]
On a alors : p =
L
c
+L

2
+
3
4
k
B
I ln [
m
t

m
c

Pour T = 0, le potentiel chimique se trouve au milieu de la bande interdite. Laugmentation
avec T est de lordre de k
B
T ce qui nous permet de vrifier lhyp de non-dgn a posteriori.
Semiconducteur extrinsque
Donneurs et accepteurs (de supplmentaires): on peut modifier considrablement les prop
dun semic en lui apportant des e ou des trous en plus. On le fait en remplaant certains atomes
par ceux des colonnes voisines dans la classification priodique.
Ex : lintroduction datomes de la colonne V dans un semic de type IV augmente le nb de dans
la bande de conduction. Si cest des atomes de la colonne III, il y a un dfaut de un trou de +
Niveaux dimpuret
Etudions le cas dun donneur. Supposons limpuret ionise. Le se trouve alors dans la bande de
conduction du semi-conducteur et limpuret se prsente comme un ion de charge +e. Elle attire
le et cherche le garder proximit (comme pour un hydrognode). Dans ltat fondamental (T
= 0), le est li lion et occupe un niveau dimpuret. Ces niveaux se situent en-dessous
de E
c
: les tats de la bande de conduction jouent ici le mme rle des tats de particule libre
pour un atome dhydrogne isol. Pour les donneurs, ces niveaux sont proches de E
c
(en
k
B
T lorsque T est proche de T
amb
). Cest d 2 choses : la masse effective de le qui remplace la
vraie masse et la constante dilectrique
r
relative du semiconducteur (~10). Pour lhydrogne :
o
0
=
4n
0
l
2
mc
2
; E
H
=
c
2
8n
0
o
0

O a
0
est le rayon de Bohr et E
H
lE de ltat fondamental. Pour une impuret :
r
0
=
m
m

o
0
; E =
m

m
1

2
E
H

ODG : r
0
~1 - 1u nm et E~1u
-2
ev
Le est donc trs faiblement li latome dorigine.
Rq : les semic extrinsques sont durs traiter dans leur globalit car , n et p dpendent de T,
E
g
, et la concentration en impurets.

Semiconducteur de type n
~ : semic extrinsque dans lequel les impurets sont en majorit des donneurs. Supposons les
accepteurs totalement absents et soit N
d
la densit des donneurs. A T
amb
, les impurets sont presque
toutes ionises. Hyp en + : N
d
n
i
. Donc n = n
i
+ N
d
N
d
. On a alors :
p = E
c
- k
B
I ln_
N
c
N
d
]

VII. Dfauts dans les cristaux
Dfaut : toute htrognit dans larrangement priodique des atomes dun cristal. Mme si leur
concentration est faible (la notion de cristal naurait de sens sinon), ils sont responsables de
certaines prop macroscopiques du matriau. Ex :
Mobilit atomique (diffusion des atomes) : li lexistence de lacunes et dinterstitiels
Rsistance relle la rupture dun mtal 10
3
10
5
fois infrieure la valeur thorique pour un
cristal parfait : existence de dislocations
Corrosion : due la prsence dhtrognits locales la surface du matriau

1) Dfauts ponctuels
Perturbation du cristal dont le volume est de lODG de celui de latome
Lacune : absence dun atome en un site normalement occup
Interstitiel : un atome en excs en un site normalement vide
Impuret : prsence dun atome tranger (B) la place dun atome (A) du rseau
On peut ajouter les petits agrgats de ces dfauts : association impuret-lacune, de deux lacunes

Concentration
Un dfaut augmente lnergie interne U du cristal de E
f
, E de formation, et lentropie S
galement (puisquil peut tre plac diffrents endroits). Csq : il existe une nergie libre F = U
TS minimale pour une certaine concentration en dfauts.
Ex : pour un seul type de dfaut ponctuel (interstitiel). Soit N le nb datomes sur les sites du
rseau et n le nb dinterstitiels. S = k
B
ln, le nb de faons de choisir n atomes parmi N + n:
=
(N + n)!
n! N!

n est petit devant N, mais suffisamment grand pour appliquer la formule de Stirling :
S = k
B
|(N + n) ln(N + n) - Nln N - n lnn]
Et F = nE
f
k
B
T[(N + n)ln(N + n) NlnN nlnn], en ne considrant que la contribution F
des dfauts. En minimisant F par rapport n, on a : ln[
n
N+n
= -
L
]
k
B
1

Soit n la concentration en dfauts. On a alors : c = exp [-
L
]
k
B
1

ODG : E
f
~ 1 eV, c = 1u
-17
temprature ordinaire.

Lacune dans un cristal ionique
On distingue les lacunes cationiques (absence ion positif) et donc charge ngativement des
anioniques. Le cristal se rarrange de manire conserver sa neutralit lectrique : formation de
paires de Schottky : association en volume des 2 types de lacunes ; formation dune couche
dipolaire de Debye : lexcdent dun type de lacune conduit la sgrgation en surface de lacunes
du signe oppos.
Dfauts de Frenkel : association dune lacune cationique (-) avec une interstitiel cationique (+).
Rsulte du passage dun cation dun site du rseau un site interstitiel.
Diffusion des lacunes : dplacement des lacunes. Un atome au voisinage dune lacune vient
occuper le site vide (plus facile de considrer que la lacune sest dplace). Le passage se fait par
franchissement dune barrire de potentiel E
m
: E de migration.
2) Dfauts linaires : dislocation
3) Dfauts 2D
Surface libre : lieu o sarrtent toutes les proprits priodiques du cristal.
Energie superficielle dun mtal
Le caractre fini du mtal E supplmentaire, inhrente la surface. Sobtient en comparant les
tats des e libres dans un mtal ceux du mme mtal, limit dans une direction par 2 plans
// : les tats occups dans le 1
er
nexistent pas dans le 2
nd
, et les e correspondants doivent tous
aller occuper des tats libres au voisinage du niveau de Fermi. Augmentation dE : E de surface :
E = S o est lnergie superficielle et scrit :
=
m
4nl
2
E
P
2

Rq : les e sont supposs libres et donc insensibles lanisotropie du cristal. Cette E est positive ;
un mtal va tendre diminuer sa surface libre pour diminuer son E.

VIII. Supraconductivit
1) Rsistivit nulle ou trs petite ?
Il existe une densit de courant et une temprature critiques : [
c

et I
c

Technique du voltmtre limit par la plus petite tension dtectable par le voltmtre. On peut
utiliser le fait que la rsistance dtermine, avec linductance, la cste de temps qui rgle
lamortissement dun courant dans un circuit en labsence dun gnrateur. Pour une boucle
conductrice dinductance L et rsistance R, parcourue par I :
I
JI
Jt
+ RI = u I(t) = I
0
exp _-
Rt
I
]
Pour un supra, il faut produire I
0
initial sans utiliser un gnrateur et observer I(t) : on utilise la
loi de Faraday-Lenz. Si on soumet la boucle daire S un champ dinduction magntique uniforme
B

u
perpendiculaire au plan de la boucle, on a :
-S
JB
u
Jt
= I
JI
Jt
+RI
Si R est ngligeable, SB
a
+ LI est pratiquement constant. Donc I = -
SAB
c
L
. En pratique :
i. En tat normal, on soumet la boucle B
a

ii. On la refroidit jusqu ltat supra
iii. On supprime brusquement B
a
. Un courant est alors gnr.
iv. On mesure le champ dinduction magntique au centre de la bouche avec le temps. Cela permet
de vrifier les changements ventuels de I.
Exp : a montr que la rsistivit dun supra est infrieure 10
26
.m soit 18 ODG plus petite
que celle du Cu T
amb
: diffrence comparable celle entre conducteur et isolant !
2) Densit de courant critique ou champ magntique critique ?
T
c
change en prsence dun champ magntique. Un courant assez intense dtruit ltat supra. Est-
ce le mme phnomne ? En absence de B, on fait passer dans un fil supra cylindrique I. Le module
du champ la surface du fil vaut : H = I/2R. Sil existe un H
c
T T
c
, la supra est dtruite
la surface du fil. Le courant devrait alors circuler dans la partie restant du fil, de rayon r < R. Le
champ gnr est plus intense que H
c
: supra dtruite pour tout le fil.
Vrifi exprimentalement. On a avec une bonne approximation :
E
c
_
I
I
c
] = E
c
(u) _1 -_
I
I
c
]
2
_
Rappel : champ magntique : E

, induction magntique : B

. B

= p
0
E

3) Conducteur parfait dans un champ lectromagntique lentement variable
Soit un conducteur de rsistivit nulle soumis un champ lectrique uniforme E

. Les e vrifient :
m
d
dt
= -cE

. Soit n le nb de de conduction de vitesse :. Leur contribution la densit de courant :

[

= -nc:. Par consquent :

d]

dt
=
nc
2
m
E

: premire quation de London.

Leffet dun champ magntique : 3e et 4e quations de Maxwell :
rot

= -
JB

Jt
et rot

= p
0
[

+
0
p
0
JE

Jt

On a donc, avec London :
-
JB

Jt
=
m
nc
2
rot

_
J[

Jt
_
Pour des champs lentement variables : rot

= p
0
[

(juste champ lectrique ??)

En liminant la densit de courant : -
dB

dt
=
m

0
nc
2
rot

rot

[
dB

dt

Or, rot rot = grad div . De plus, comme uivB

= u, on a :
_
JB

Jt
_ =
p
0
nc
2
m
JB

Jt

Ex simple : conducteur parfait (i.e. de resistivit nulle) remplissant le demi-espace x u en
prsence dun champ appliqu B

u
parallle la surface, variant au cours du temps. On a donc :
o
2
ox
2
_
JB

Jt
_ =
p
0
nc
2
m
JB

Jt

JB

Jt
(x) =
JB

Jt
(u) exp
`

-
x
_
m
p
0
nc
2
/

CCL : les changements du champ dinduction magntique appliqu pntrent dans un conducteur
parfait seulement jusqu une profondeur donne par :
z
L
=
_
mp
0
nc
2
: longueur de pntration de London
4) Effet Meissner, quations de London
On a vu que les changements dun champ dinduction magntique ne pntrent pas dans un
conducteur parfait. Ils sont compltement crants par des courants gnrs dans une fine couche
de surface du conducteur. Dans un supra : le champ dinduction magntique est nul. Cest ce
quon appelle leffet Meissner.
Une explication 2 balles : on accepte que linduction magntique B

dans un supra obit la

mme quation que ces changements : B

=
1
x
L
2
B

. Les frres London proposrent plus prcisment :

p
0
z
L
2
J[

Jt
= E

et p
0
z
L
2
rot

= -B

Rq : proposes sur une base purement phnomnologique.