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Mod`

ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Micro-
electronique
(GIF-4201/GEL-7016)

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
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JJ

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Professeur: Benoit Gosselin


courriel: benoit.gosselin@gel.ulaval.ca
bureau: Pouliot 2114
page web du cours: http://GIF4201.gel.ulaval.ca
Departement de genie electrique et informatique
Universite Laval
Hiver 2011
Conception du cours: Sebastien Roy
et Benoit Gosselin

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
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JJ

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7 Analyse
electronique des portes
CMOS

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.1. Mod`
ele physique du MOSFET

Mod`
ele RC des . . .
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erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
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Si on fait abstraction du drain et de la


source, le MOSFET est essentiellement
un condensateur.
Lisolant (loxyde de grille) y joue un role
primordial.

Grille

On a:

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Oxyde

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VG

Cox =

ox
tox

F
cm2

o`
u ox = 3.90 , 0 = 8.854 1014 F/cm.
On mesure lepaisseur de loxyde tox en
cm. Typiquement, tox < 10 nm= 106
cm.

Substrat

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Charge de surface

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ele RC des . . .
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erisation du . . .
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Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
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Lapplication dune tension positive a` la


grille cree un champ electrique au travers
de la couche doxyde qui induit une charge
a` la surface du substrat.

VG > 0

Cette charge est caracterisee par une densite de charge QS (C/cm2 ):

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QS = Cox VG .
La tension a` la grille est donnee par
VG = Vox + S
o`
u Vox est la difference de tension imputable a` loxyde et S est le potentiel en
surface.

QS

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Profil de potentiel

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ele RC des . . .
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erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Si on observe le potentiel en fonction de la distance a`


partir de la surface de la grille, on note que:

Linverseur

Le potentiel diminue rapidement dans loxyde...

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...plus lentement dans le substrat.

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Potentiel

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VG
Vox

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Distance

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ele physique du . . .
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erisation du . . .

Champ
electrique

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erisation du . . .
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Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
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Lapplication dun VG > 0 cree un champ


electrique dirige vers le bas.
VG > 0

On a ES (champ electrique de surface) et


Eox (champ electrique dans loxyde).

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Le champ exerce une force sur les particules


(loi de Lorentz):
F = Qparticule E
Pour les e-: Fe = qE, pour les trous Fh =
+qE o`
u q = 1.60218 1019 C.

Eox
ES

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Zone de d
epl
etion

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ele RC des . . .
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erisation du . . .
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Porte NON-ET
Porte NON-OU
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Si la tension de grille est faible:


Il se cree a` la surface du substrat une zone de depletion, c-`a-d une zone vide de tout porteur.
En effet,
1. les trous sont pousses vers le bas par le champ
electrique;
2. les e- attires vers le haut sont absorbes par les
atomes dopeurs de Bore.
Il ny a donc aucun porteur de charge mobile capable
de transmettre un courant.
La charge immobile ainsi creee est la charge de volume:
p
QB = 2qSi Na S = Cox Vox .

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ele physique du . . .
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erisation du . . .

Tension de seuil

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ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
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Linverseur

Comportement autour de la tension de seuil:

Porte NON-ET

1. Si VG < VTn , QS = QB (charge immobile)

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2. Si VG > VTn , QS = QB + Qe < 0 (couche de- mobiles


en surface, peuvent se deplacer lateralement)
Qe = Cox (VG VTn )

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3. A VG = VTn , Qe = 0; si VG = VTn + dV , Qe < 0.


JJ

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Donc, VTn est la tension `a partir de laquelle tous les atomes


accepteurs de la zone de depletion sont remplis;
Les e- additionnels attires vers le haut sont donc mobiles
et creent un canal de conduction.

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.2. Caract
erisation du nFET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
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a l
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Porte NON-ET
Porte NON-OU
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Il existe plusieurs methodes de modelisation des MOSFETs avec differents degres de precision / complexite.
Les mod`eles les plus simples sont employes pour les calculs
a` la main; les plus complexes sont geres par les outils de
simulation (e.g. SPICE, Microwind)
Dans les mod`eles simples, on neglige limpact de certains
phenom`enes, les effets de deuxi`eme ordre.
La caracterisation passe par letude des relations I-V (couranttension).
Il y a deux tensions: VGSn et VDSn
On en garde une constante, et on trace le courant ID en
fonction de lautre.

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
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a l
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Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

A- Caract
eristique IDn vs VGSn
Si on fixe VDSn a` VDD ...
Mathematiquement, on peut approximer le courant par
 n
(VGS VTn )2 si VGSn > VTn
2
IDn =
0 si VGSn < VTn
Cest une relation parabolique mod`ele quadratique (squarelaw) du nFET.

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IDn

teint

conduction

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VTn
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VGSn

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Caract
erisation du . . .
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ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
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Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

A- Caract
eristique IDn vs VGSn
La tension au carre est reliee au courant par le facteur de
gain n la transconductance du nFET.
 
W
0
n = kn
L
Le facteur kn0 est la transconductance de procede :
kn0 = n Cox

Techniques de . . .
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qui, comme param`etre, nest pas sous le controle du concepteur VLSI.


Par ailleurs, on a
Cox =

ox
n ox
kn0 =
tox
tox

ce qui montre quune couche mince doxyde resulte en un


grand kn0 .
Un grand kn0 est desirable nFET plus sensible, commute plus rapidement.

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ele physique du . . .
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erisation du . . .
Mod`
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Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

B- Caract
eristique IDn vs VDSn
Si maintenant on fixe VGSn a` une valeur quelconque >
VTn ...
...le courant de drain suit approximativement une courbe
parabolique jusqu`a la tension de saturation:

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

IDn =

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n 
2
2 (VGSn VTn ) VDSn VDS
n
2

La tension de saturation est definie par le point de pente


IDn
nulle, i.e. o`
u V
= 0.
DS
n

Ainsi, on a
IDn
= 2(VGSn VTn ) 2VDSn = 0
VDSn

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ce qui fait que Vsat = VGSn VTn .


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erisation du . . .
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ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
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a l
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B- Caract
eristique IDn vs VDSn
On differencie trois zones:
1. La zone lineaire (o`
u le terme lineaire est dominant);

Linverseur

2. La zone triode (o`


u le terme quadratique est dominant);

Porte NON-ET
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3. La zone de saturation (o`


u le courant est a` peu pr`es
constant).

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Saturation
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IDn
Triode

VGSn
Zone
linaire

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VDSn
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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
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Portes complexes
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B- Caract
eristique IDn vs VDSn
En saturation IDn est a` peu pr`es independant de VDSn ,
donc:
n
IDn =
(VGSn VTn )2
2
.
Cest le courant de saturation.
En incluant des effets de deuxi`eme ordre, on se rend compte
quen fait, IDn augmente leg`erement avec VDSn en saturation:
IDn =

n
(VGSn VTn )2 [1 + (VDSn Vsat )]
2

o`
u est le param`etre de modulation de longueur du canal
(V1 ).
Point de saturation:
IDn =

n 2
V
2 sat

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Effets de polarisation du substrat


Sil existe une tension VSBn entre la source et le substrat,
celle-ci peut affecter la tension de seuil:
p

p
VTn = VT 0n +
2|F | + VSBn 2|F |

Porte NON-OU
Caract
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o`
u
est le coefficient de polarisation de substrat (V1/2 );
|F | est le potentiel de substrat de Fermi donne par:
   
Na
kT
ln
|F | =
q
ni
o`
u k est la constante de Boltzmann.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.3. Mod`
ele RC des MOSFET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

On propose une structure simple comme mod`ele dun


MOSFET composee:
dun interrupteur ideal;

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

dune resistance;

Techniques de . . .

de 2 condensateurs.

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Rn
S

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CS

CD

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Mod`
ele RC
En conduction, on a necessairement
VDSn
Rn =
IDn

Porte NON-ET

Rn est donc variable f (VDSn ).

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
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Techniques de . . .
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II

On peut calculer Rn approximativement pour chacune des


trois zones doperation:
(a) Dans la zone lineaire: IDn n (VGSn VTn ) VDSn
1
Rn
n (VGSn VTn )
(b) Dans la zone triode:
Rn

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2
n [2 (VGSn VTn ) VDSn ]

(c) En saturation:
Rn

2VDSn
n (VGSn VTn )2

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
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ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Mod`
ele RC
Dans les trois zones: Rn

Cette
n implique une dependance sur
 dependance sur
W
0 W
L (puisque n = kn L ).
On postule un mod`ele de resistance constante, valable
dans les 3 zones (avec differents degres de precision):

Techniques de . . .

Rn =
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1
n

n (VDD VTn )

on a substitue VDD pour VGSn ;


le param`etre na pas de signification physique; on
le modifie pour tenir compte de la zone.
On simplifier davantage en posant = 1: Rn =

1
n (VDD VTn ) .

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ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

capacit
es parasites

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

1. capacit
e de grille
La structure en sandwich du transistor MOS est intrins`equement un condensateur.
Il sagit de la capacite de grille:

Porte NON-OU

CG = Cox AG

Caract
eristiques . . .

(F)

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o`
u AG = W LD est laire de la grille.
On divise CG en deux parties, CGS et CGD .

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Ces deux parties sont difficiles `a traiter parce quelles changent


avec les tensions appliques au FET.
Pour simplifier, on suppose que CGS CGD 12 CG .

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CGS

CGD

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S
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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

2. Capacit
e de jonction

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ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Les jonctions source / substrat et drain / substrat (jonctions pn) exhibent des capacites parasites.
On les definit `a partir du param`etre Cj (capacite de jonction par unite de surface en F/cm2 ), i.e. C0 = Cj Apn o`
u
Apn est laire de la jonction.

Techniques de . . .

Cette capacite varie aussi avec le voltage selon


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C=

C0
1+

VR
0

m j

o`
u VR est la tension inverse appliquee `a la jonction, C0
est la capacite a` tension nulle (VR = 0), 0 est le potentiel intrins`eque de la jonction et mj est le coefficient de
gradient de la jonction.
0 et mj dependent des profils de dopage.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

2. capacit
e de jonction

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Si la jonction est abrupte, i.e. densite constante daccepteurs


transition immediate densite constante de donneurs,
on a:
  

Nd Na
1
kT
ln
0 =
,
m
=
j
q
n2i
2

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Techniques de . . .

C(VR )
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C0

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VR

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

2. capacit
e de jonction

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

La jonction a la forme dune bote rectangulaire.

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

On distingue la capacite due au fond de la bote (Cbot ) et


celle due aux cloisons (sidewall Csw ).

Portes complexes
Techniques de . . .
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xj
X

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JJ

II

n+

n+

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X
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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

2. capacit
e de jonction

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

On a:

Mise `
a l
echelle des . . .

Cbot = Cj Abot = Cj XW

Linverseur

Csw = Cjsw Psw

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
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Techniques de . . .
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o`
u
Cjsw = Cj xj (F/cm) est la capacite de cloison par
unite de longueur;
Psw = 2(W + X) est le perim`etre.
A VR = 0, on a
Cn = Cbot + Csw = Cj Abot + Cjsw Psw
Les caracteristiques non-lineaires des capacites du fond et
des cloisons sont distinctes:

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Cn = 

Cj Abot
C Psw
mj +  jsw 
mjsw
R
1 + VR0
1 + Vosw

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Mod`
ele RC

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Deux capacites (une capacite de jonction et une capacite de grille) sont percues par un signal entrant dans le
transistor par le drain ou la source.
Pour simplifier le mod`ele, on somme toutes les capacites
connectees a` un terminal ainsi:

Techniques de . . .

CS = CGS + CSB

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CD = CGD + CDB
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JJ

II

G
G

CGS

CGD

Rn

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S
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CSB

CDB

CS

CD

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

7.4. Caract
erisation du pFET
La creation du canal dans un pFET est commandee par
la tension VSGp .
La tension de seuil est negative, typiquement VTp = 0.5
1.0V.

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

A partir de VG = VTp , la grille est suffisamment negative


pour quil y ait creation dune couche de trous mobiles
capable de supporter la conduction.

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JJ

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On a Qh = 0 si VSGp < |VTp | et Qh > 0 autrement.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

A- Caract
eristique IDp vs VSGp

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Si on fixe VSDp a` VDD ...


Mathematiquement, on peut approximer le courant par
 p
2
V

|V
|
si VSGp > |VTp |
SG
T
p
p
2
IDp =
0 si VSGp < |VTp |

Techniques de . . .
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IDp

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JJ

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teint

conduction

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VTn

VSGp

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
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A- Caract
eristique IDp vs VSGp
La transconductance du pFET:
 
W
n = kp0
L
La transconductance de procede (en A/V2 ):
kp0 = p Cox
Typiquement p = 220 cm2 /V-sec, passablement plus petit que n (typiquement 550 cm2 /V-sec)
Typiquement, on observe
n
2 4
r=
p

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

B- Caract
eristique IDp vs VSDp
Si maintenant on fixe VSGp a` une valeur quelconque >
|VTp |...
On a

Linverseur
Porte NON-ET

IDp

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

i

p h
2
=
2 VSGp |VTp | VSDp VSDp
2

De meme la tension de saturation est donnee par


Vsat = VSGp |VTp |

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Saturation

IDp
Triode

JJ

II

VSGp
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Zone
linaire

plein
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VSDp
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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

7.5. Mise `
a l
echelle des transistors MOS
` la base, la reduction de la taille des transistors est avanA
tageuse sur 3 fronts:
(a) Moins de surface occupee, donc densite plus elevee;

Linverseur
Porte NON-ET

(b) Rapidite plus grande;

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

(c) Consommation plus faible.

Portes complexes
Techniques de . . .
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Reduction des dimensions dun facteur s:


=W
W
s

=L
L
s

reduction de laire de lordre de s2 (!!)


Le ratio daspect est invariant, i.e.

W
W
=

L
L

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Mise `
a l
echelle - transconductance
Supposons a` present que lepaisseur de loxyde de grille est egalement
reduite dun facteur s:
tox
tox =
s
La capacite de loxyde devient:

Porte NON-OU

ox
Cox = tox  = sCox

Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

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Puisque k 0 = Cox , la transconductance devient


 
W
0
= s
= sk
L
...ce qui fait que la resistance linearisee devient:
=
R

1
s (VDD VT )

.
=
Si on ne change pas VDD et VT , on a: R
Par contre, si VDD =

VDD
s

et VT =

VT
s

R
.
s

= R.
, on a R

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Mise `
a l
echelle - consommation

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

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Si on met a` lechelle les tensions, on a VGS = VGS


s , VDS =
VDS
s .


2
Or ID = 2 2 (VGS VT ) VDS VDS

 

2
s

V
V
ID
V
V
T
GS
DS
ID =

DS
=
2
2
s
2
s
s2
s
Donc la consommation de puissance devient
VDS IDS
P = VDS IDS =
s2

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

7.6. Linverseur
Pour caracteriser un circuit CMOS, on
sinteressera `a deux types danalyses.

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Lanalyse statique ou analyse DC assume


que la sortie a eu le temps de se stabiliser, i.e. fait abstraction des effets
transitoires, des delais de propagation,
etc.

VDD

Vi

page daccueil

page titre

JJ

II

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Lanalyse dynamique ou transitoire


etudie les instabilites ponctuelles
les delais de propagation, les temps de
montee et de descente de la sortie, etc.
Lanalyse statique consiste generalement
en une caracteristique de transfert de
tension (VTC).

Vo

VSS

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Inverseur analyse statique


On sait que dans les circuits CMOS:
soit le reseau pMOS est actif et fournit une connection
directe a` VDD ;

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

soit le reseau nMOS est actif et fournit une connection


directe a` VSS ;
soit les deux reseaux sont actifs si les entrees sont dans
des etats intermediaires.

page daccueil

Donc, la plage de sortie de linverseur est pleine (0VDD ).


page titre

JJ

II

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quitter

Tension `a la sortie correspondant `a un 1: VOH = VDD


Tension `a la sortie correspondant a` un 0: VOL =
VSS = 0 V.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur analyse statique

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Si on fait varier Vi de 0 a` VDD suffisamment lentement pour eliminer


tout effet transitoire, on obtient la
VTC.

VOH = VDD

Vo = Vi

Portes complexes

page titre

JJ

II

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quitter

VM

1. Si Vi <
VTn , la sortie est
a` VDD (pFET en conduction,
nFET eteint)
2. Si VDD Vi < |VTp | (Vi > VDD
|VTp |), la sortie est `a VSS (nFET
en conduction, pFET eteint)
3. Si VTn < Vi < VDD |VTp |, les
deux transistors sont en conduction sortie intermediaire.

VOH = 0
"1"

"0"

VSS

VIH

page daccueil

La caracteristique poss`ede 3 regions


distinctes:

VIL

Techniques de . . .

VDD

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur analyse statique

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Les plages valides de 0 et de 1 sont definies par les points de pente


-1 (a) et (b).

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

On a donc un 0 `a lentree si Vi [0, VIL ] et un 1 si Vi [VIH , VDD ].


Les marges de bruit sont donc

Techniques de . . .

V N MH = VOH VIH
page daccueil

V N ML = VIL VOL
page titre

Pour calculer le point milieu o`


u Vi = Vo = VM , on pose IDn = IDp .
JJ

II

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quitter

On determine ensuite dans quelles zones doperation sont les deux


transistors.
Pour le nFET: Vsat = VGSn VTn = VM VTn saturation
Pour le pFET: VSGp = VSDp = VM VSDp = VM > Vsat = VM |VTp |
saturation

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur analyse statique

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

Les deux transistors etant en saturation, on a


2
n
p
(VM VTn )2 =
VDD VM |VTp |
2
2
Apr`es division par p et extraction de la racine carree, on
obtient
s
n
(VM VTn ) = VDD VM |VTp |
p
...ce qui est equivalent a`
q

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quitter

VM

VDD |VTp | +
q
=
1 + np

n
p VTn

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur analyse statique

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

On observe que VM peut etre fixe en ajustant le ratio



kn0 W
n
L n

= 0 W
p
kp L p

page daccueil

Le facteur fixe (hors du controle du concepteur) est


page titre

kn0
kp0 .

Puisque Cox est semblable pour les nFET et pFET, on a


JJ

II

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ecran

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quitter

kn0
n Cox
n
=
=
=r
kp0
p Cox
p
qui, typiquement vaut environ 24.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .

Inverseur sym
etrique
Pour obtenir un inverseur symetrique, on pose VM =

VDD
.
2

Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

On a alors

Linverseur

VDD
2

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

1+

page titre

JJ

II

!
= VDD |VTp | +

1

V |VTp |
2 DD
1
V VTn
2 DD

n
=
p

n = p

Or
n
=r
p

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revenir

Ex: Si r = 4,

W
L p

=4

W
L n

W
L p

W
L n

Pour un L constant on a Wp = 4Wn .


fermer

quitter

2


Si VTn VTp , linverseur symetrique demande que

plein
ecran

n
VT
p n

...qui devient

Techniques de . . .
page daccueil

n
p

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Inverseur analyse dynamique


Afin de maximiser la frequence doperation et donc, la
capacite de calcul des circuits, il est important que la
sortie dun circuit reagisse le plus rapidement possible aux
changements `a lentree.

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Letude de linverseur CMOS constitue une fondation pour


letude de circuits plus complexes.

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 39 de 96

Si une transition abrupte (i.e. ideale) 01 se presente `a


lentree de linverseur, la sortie prendra un certain temps
avant de se stabiliser a` 0 (temps de descente)
De meme, la transition inverse est associee a` un temps de
montee non-nul.
Ces temps sont fonction des capacites et resistances parasites de linverseur.

revenir

On peut donc les calculer approx. a` partir du mod`ele RC.


plein
ecran

fermer

quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur analyse dynamique

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Les temps de montee et de descente sont proportionnels


a` la constante de temps RC.

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Vi

Portes complexes
Techniques de . . .

VDD

page daccueil

page titre

JJ

II

Vo

tf

tr

VDD
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ecran

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quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur mod`
ele RC
equivalent

Mod`
ele RC des . . .
VDD

Caract
erisation du . . .

VDD

Mise `
a l
echelle des . . .

Rp

Linverseur
CDp

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Vi

Vo

Vi

Vo

Portes complexes

CDn

Techniques de . . .
page daccueil

VSS

Rn

page titre

JJ

II

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plein
ecran

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quitter

On calcule les capacites dapr`es les dimensions des transistors:


1
CDn = CGSn + CDBn = Cox LD Wn + Cjn An + Cjswn Pn
2
1
CDp = CGSp + CDBp = Cox LD Wp + Cjp Ap + Cjswp Pp
2

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur sortance

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Il est egalement important de considerer la sortance, c-`a-d


le nombre de portes alimentees par la sortie de linverseur.
La sortance correspond `a une capacite de charge CL en
sortie.

page daccueil

page titre

JJ

II

page 42 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

CL correspond a` la somme des capacites dentrees Cin des


portes alimentees.
Par exemple, la capacite dentree de linverseur est la
somme des capacites de grille
Cin = CGp + CGn

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Mod`
ele RC avec sortance
VDD

Mod`
ele RC des . . .

Rp

Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Vi

Vo

Porte NON-OU
Cout

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Rn

page daccueil

page titre

JJ

II

La capacite de sortie totale est donnee par


Cout = CF ET + CL
o`
u la capacite des transistors est

page 43 de 96

CF ET = CDn + CDp
revenir

et la capacite de charge est


plein
ecran

CL = 4Cin
fermer

quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Temps de descente

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Sur une transition montante a` lentree,


le nFET devient un court-circuit et le
pFET est eteint.

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

On obtient alors un circuit isole de


decharge.

Vo

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

Condition initiale: Vo (0) = VDD .


Courant de decharge:
dVo
Vo
i = Cout
=
dt
Rn
Solution de lequation differentielle:

page 44 de 96

Vo (t) = VDD et/n


revenir

plein
ecran

fermer

quitter

o`
u n = Rn Cout .

Rn

Cout

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Temps de descente

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

Typiquement, le temps de descente est defini comme lintervalle


entre Vo = 0.9VDD et Vo = 0.1VDD .
Rearrangement de la solution de lequation differentielle:


VDD
t = n ln
Vo

page titre

JJ

II

page 45 de 96

revenir

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ecran

fermer

quitter

On a:
tf = t0.9 t0.1




VDD
VDD
= n ln
n ln
0.1VDD
0.9VDD
= n ln(9)
2.2n
On designe egalement le temps descente par tHL .

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Temps de mont
ee

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Sur une transition descendante a`


lentree, le pFET devient un courtcircuit et le nFET est eteint.
On obtient alors un circuit isole de
charge.

VDD
Rp

Techniques de . . .

Condition initiale: Vo (0) = 0.


page daccueil

Courant de charge:

page titre

JJ

II

page 46 de 96

dVo
VDD Vo
i = Cout
=
dt
Rp
Solution de lequation differentielle:


t/p
Vo (t) = VDD 1 e

revenir

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ecran

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quitter

o`
u p = Rp Cout .

Vo
Cout

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Fr
equence maximale
Avec les memes manipulations que pour le temps de descente, on montre que
tr = tLH 2.2p

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Si on suppose que lon a une onde carree symetrique en


entree, on definit sa frequence maximale comme etant

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

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quitter

fmax =

1
1
=
tHL + tLH
tr + tf

o`
u lon suppose que tHL et tLH sont approximativement
du meme ordre.
Si lun des deux delais est significativement plus grand
que lautre, il devient dominant.
Par exemple, si tHL  tLH , on a
fmax =

1
2tHL

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

D
elai de propagation

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Comme son nom lindique, le delai de propagation est


une mesure du temps de reaction de la sortie dun circuit
lorsquune transition est presentee `a lentree.
On le definit comme suit:

Portes complexes

tp =

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

o`
u tpf est le temps de chute de VDD a` VDD /2 et tpr est le
temps de montee de 0 `a VDD /2.
En utilisant les equation exponentielles, on obtient
tpf = ln(2)n 0.693n
tpr = ln(2)p 0.693p

page 48 de 96

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quitter

tpf + tpr
2

Donc:
tp 0.35(n + p )

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Compromis taille rapidit


e sortance
On peut exprimer tr et tf en fonction des capacites:
tr = 2.2Rp (CF ET + CL )
tf = 2.2Rn (CF ET + CL )

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

... ce qui correspond a` deux fonctions lineaires de la capacite de charge CL :

page daccueil

tr = tr0 + p CL

page titre

tf = tf0 + n CL

JJ

II

page 49 de 96

Laugmentation des delais avec laugmentation de CL est


caracterisee par les pentes
p = 2.2Rp =

2.2

VDD |VTp |

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quitter

n = 2.2Rn =

2.2
n (VDD VTn )

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU

Compromis taille rapidit


e sortance
Les pentes n est p sont proportionnelles au ratios daspect
puisque
 
 
W
W
0
0
p = kp
,
n = kn
L p
L n

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 50 de 96

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quitter

Il sensuit que pour un CL donne, tr et tf peuvent etre


reduits en utilisant de grands transistors.
Donc, on peut accelerer un circuit mais ce faisant, on
augmente sa surface.
Ceci constitue la base du compromis general surface
vitesse.
On peut donc optimiser un circuit en termes de vitesse ou
en termes de surface et les deux objectifs sont en opposition.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Consommation

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

La consommation de puissance derive enti`erement des chemins de


conduction entre VDD et la masse.
En tout temps, on a:

Porte NON-OU

P = VDD IDD

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

On divise la consommation en une partie statique et une partie dynamique, i.e.


P = PDC + Pdyn

page daccueil

Dans un circuit CMOS ideal, PDC = 0.


page titre

En realite, les transistors ont un leger courant de fuite IDDQ lorsqueteints.


JJ

II

Donc, on a
PDC = VDD IDDQ
.

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quitter

Typiquement IDDQ est tr`es petit (de lordre du picoamp`ere par porte)
de sorte que la consommation est essentiellement determinee par le
terme Pdyn

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur consommation

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Pendant une transition, les deux transistors sont bri`evement en conduction simultanement, ce qui provoque une
impulsion sur IDD .

Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

VDD
Icrte

JJ

II

VM

page 52 de 96
IDDQ

revenir

0
VSS

plein
ecran

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quitter

VM

VDD

Vin

VM

Vin

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

Inverseur consommation
On etudie la consommation dynamique en examinant un cycle complet a` lentree.

Mise `
a l
echelle des . . .

Lentree est a` 0 pendant une demi-periode T /2 et ensuite a` 1 pendant une demi-periode T /2.

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU

Pendant la premi`ere demi-periode, le condensateur est charge a`

Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Q = Cout VDD

Techniques de . . .

Pendant la deuxi`eme demi-periode, cette charge se dissippe.


page daccueil

page titre

JJ

II

Il sensuite que la puissance moyenne consommee pendant un cycle


de periode T est
 
Q
2
Pcycle = VDD IDD = VDD
f
= Cout VDD
T
Donc, la puissance totale est

page 53 de 96

2
f
P = VDD IDDQ + Cout VDD
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o`
u f est la frequence de lhorloge et est un facteur dactivite (entre
0 et 1) qui correspond a` la probabilite qu`a un coup dhorloge donne,
il y ait une transition montante a` lentree.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.7. Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

VDD

VDD

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Vo

Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

V1

V2

page titre

JJ

II

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quitter

Ayant deux entrees, plusieurs caracteristiques de transfert


de tension sont necessaires pour caracteriser la porte.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

VDD

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU

(i)

Caract
eristiques . . .
Portes complexes

(iii)

(ii)

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

VSS

VDD

Vin

page 55 de 96

Trois ev`enements provoquent une transition de 1 vers 0:


revenir

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(i) Une transition simultanee de V1 = V2 = 0 a` V1 = V2 = VDD ;


(ii) Une transition de V2 = 0 a` V2 = VDD , V1 etant constant a` VDD ;
(iii) Une transition de V1 = 0 a` V1 = VDD , V2 etant constant a` VDD .

fermer

quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 56 de 96

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quitter

(i) La caracteristique la plus distante est celle des transitions


simultanees.
Puisque V1 = V2 , les deux pFETs et les deux nFETs
ont la meme entree.
On peut donc etablir un isomorphisme avec un inverseur equivalent.
2 pFETs en parall`ele de dimensions Wp L un
pFET equivalent de 2Wp L.
2 nFETs en serie de dimensions Wn L un nFET
equivalent de Wn 2L.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

VDD

VDD

VDD

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

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2p
Vo

V1

V2

V1 = V2

Vo
n
2

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Porte NON-ET
Les deux transistors equivalents sont en saturation, donc au point
milieu VM on a:
IDp = IDn
2
(n /2)
(2p )
(VM VTn )2 =
VDD VM |VTp |
2
2

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 58 de 96

...ce qui donne VM =

q
VDD |VTp |+ 21 n VTn
p
q
1+ 21 n
p

Meme forme que pour linverseur, excepte que

n
p

est divise par 2.

Ceci reduit le denominateur, ce qui deplace la courbe de transfert


vers la droite.
De meme, pour une porte NON-ET `a N entrees, on a
q
VDD |VTp | + N1 np VTn
q
VM =
1 + N1 np

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

La translation a` droite est due aux nFETs en serie resistance plus


grande

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

(iii) Les deux autres caracteristiques sont proches, mais pas


identiques (!!)

Porte NON-ET

Ici, le nFET superieur est a` priori un court-circuit.

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Le pFET correspondant est un circuit ouvert.

Portes complexes

On peut modeliser les deux nFETs par un transistor


equivalent.

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

VDD

VDD

VDD

VDD
VDD

Vo

page 59 de 96

V1

V2

Vo
0 VDD

VDD

V1

Vo
n
2

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 60 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Le nFET equivalent refl`ete le fait que les 2 nFETs en serie


ont une resistance double 2n
Le pFET de linverseur equivalent correspond a` un seul
pFET original, lautre etant eteint.
Donc, on a:
q q

VM

VDD |VTp | + 12
q
=
1 + 12 np

n
p VTn

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-ET

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

(ii) Cette caracteristique est leg`erement differente de la (iii)


car
La source du nFET qui subit une transition a` la grille
nest pas branchee directement `a la masse.

page titre

Donc, la tension sappliquant est VM VX .


JJ

II

page 61 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

De plus, VSB 6= 0, ce qui modifie leg`erement la tension


de seuil VTn .

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.8. Porte NON-OU

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

VDD

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

V1

V2

page titre

JJ

II

page 62 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Vo
n

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-OU

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

VDD

Linverseur
Porte NON-ET

(i)

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

(ii)

(iii)

Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

0
VSS

JJ

II

VDD

Vin

Trois ev`enements provoquent une transition de 1 vers 0 a` la sortie:


page 63 de 96

(i) Une transition simultanee de V1 = V2 = VDD a` V1 = V2 = 0;


revenir

plein
ecran

fermer

quitter

(ii) Une transition de V1 = VDD a` V1 = 0, V2 etant constant a` 0;


(iii) Une transition de V2 = VDD a` V2 = 0, V1 etant constant a` 0.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-OU

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 64 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

(i) La caracteristique la plus proche de 0 est celle des transitions simultanees.


Puisque V1 = V2 , les deux pFETs et les deux nFETs
ont la meme entree.
On peut donc etablir un isomorphisme avec un inverseur equivalent.
2 pFETs en serie de dimensions Wp L un pFET
equivalent de Wp 2L.
2 nFETs en parall`ele de dimensions Wn L un
nFET equivalent de 2Wn L.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Porte NON-OU

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

VDD

Portes complexes
Techniques de . . .

VDD

page daccueil

page titre

V1

V2

p
2

p
Vo

JJ

II

page 65 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

V1 = V2

Vo
2n

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Porte NON-OU
Les deux transistors equivalents sont en saturation, donc au point
milieu VM on a:
IDp = IDn
2
(2n )
(p /2)
(VM VTn )2 =
VDD VM |VTp |
2
2

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

...ce qui donne

Portes complexes
Techniques de . . .

VM
page daccueil

page titre

JJ

II

page 66 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

q
VDD |VTp | + 2 np VTn
q
=
1 + 2 np

Meme forme que pour linverseur, excepte que


2.

n
p

est multiplie par

Ceci augmente le denominateur, ce qui deplace la courbe de transfert


vers la gauche.
De meme, pour une porte NON-OU `a N entrees, on a
q
VDD |VTp | + N np VTn
q
VM =
1 + N np

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .

7.9. Caract
eristiques dynamiques NON-ET
Soit une porte NON-ET. Sa capacite de sortie est

Mise `
a l
echelle des . . .

Cout = CF ET + CL

Linverseur
Porte NON-ET

o`
u

Porte NON-OU

CF ET = CDn + 2CDp

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Aussi: capacite de jonction Cx = CSn + CDn

page daccueil

VDD

VDD

Rp

Rp

page titre

JJ

II

Vo
V1

V2

Rn

page 67 de 96

Cout
revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Rn

Cx

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

NON-ET: cycle de charge

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Initialement, la tension de sortie Vo est a` 0.


Une transition a` lentree provoque une montee
vers VDD .

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Puisquun seul pFET conduit, on obtient un circuit de charge identique `a celui dun inverseur.

JJ

II

Vo (t) = VDD 1 et/p

Vo

o`
u
p = Rp Cout
Le temps de montee est donc

tr 2.2p
page 68 de 96

Si les deux pFETs conduisent, il se reduit a`


revenir

tr 1.1p
plein
ecran

fermer

quitter

ich

On a donc

page daccueil

page titre

VDD

Cout

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

NON-ET: cycle de charge

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

On peut exprimer le temps de montee sous forme de fonction lineaire de CL :

Porte NON-ET

tr = t0 + 0 CL

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

page 69 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

o`
u
t0 = 2.2Rp CFET
est le temps de montee irreductible et
0 = 2.2Rp
est la pente de tr = f (CL ).
Si les 2 pFETs conduisent, Rp (et donc tr ) est divise par
2 dans toutes les expressions.
Toutefois, on doit se servir du pire cas (un seul pFET
conducteur) dans lanalyse de conception.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

NON-ET: cycle de d
echarge

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Facteur de complication la capacite de


jonction CX

Linverseur

Dans le pire des cas, CX portera une charge


et devra etre decharge en plus de Cout .

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

On modelise la decharge selon la loi exponentielle


Vo (t) = VDD et/n
o`
u la constante de temps est modelisee par la
formule dElmore:

idch2
Vo

idch1

Cout

page titre

n = n1 + n2
JJ

II

page 70 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

La constante de temps de la decharge de Cout


est donnee par
n1 = Cout 2Rn
et celle de CX est donnee par
n2 = CX Rn

Cx

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .

NON-ET: cycle de d
echarge
Le temps de chute est donc

Caract
erisation du . . .

tf 2.2n

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

...ce qui m`ene a`

Porte NON-ET

tf 2.2 [(CFET + CL ) 2Rn + CX Rn ]

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Sous forme de relation lineaire, on a:

Techniques de . . .
page daccueil

tf = t1 + 1 CL
...avec un delai irreductible de

page titre

JJ

II

page 71 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

t1 = 2.2Rn (2CFET + CX )
...et une pente de
1 = 4.4Rn
La constante de temps n = Rn (2Cout + CX ), ce qui est equivalent a`
une capacite effective totale de
Ceff = 2Cout + CX
...plus de 2 fois la capacite de sortie les FETs en serie m`enent `a
des ralentissements majeurs.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

NON-ET `
a N entr
ees

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Le delai pire cas correspond a` la transition pilotee par une chane de


FETs en serie.
Ce delai augmente de mani`ere quadratique avec le nombre dentrees.

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

On se limite donc `a 4 entrees.

Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

1000

page titre

II

page 72 de 96

revenir

Dlai (ps)

JJ

800

tHL
600

tp

400

200

tLH
2

Nombre dentres
plein
ecran

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quitter

10

12

14

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .

7.10. Portes complexes


Soit la porte complexe CMOS realisant la fonction

Caract
erisation du . . .

y = x4 x5 (x2 + x3 ) + x2 x3 + x1

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

VDD

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
x3

Portes complexes
x5

x4

Techniques de . . .

x2
page daccueil

x3

x2

page titre

JJ

x1

II

x5

page 73 de 96

x3

x4

x1

revenir

x2
x2

plein
ecran

fermer

quitter

x3

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Capacit
e de sortie
La capacite de sortie irreductible CFET est la somme de
contributions parasitiques de tous les transistors branches
a` la sortie.
Il y a un pFET et 3 nFET raccordes a` y.

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Si tous les nFETs sont de meme taille, on a:


CFET = 3CDn + CSp

page daccueil

page titre

JJ

II

page 74 de 96

revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Il est donc essentiel deffectuer des permutations (lorsque


possible) pour miniser le nombre de transistors directement relies a` y.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Temps de descente

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Le reseau de nFETs est toujours responsable du temps de


descente.

Linverseur

Dans ce cas-ci, le pire cas est une chane de 3 transistors


x4 , x5 , (x2 ou x3 ).

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

Il faut donc determiner le temps de decharge si x4 = x5 =


1 et soit x2 , soit x3 est a` 1 (aucun autre chemin entre y
et VSS )

page titre

JJ

II
x5

Cn2

x2
x1

x4
page 75 de 96

x3
revenir

plein
ecran

fermer

quitter

x2

Cn1

x3

Cn3

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cycle de d
echarge

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

La formule dElmore sapplique:

Linverseur
Porte NON-ET

n = n1 + n2 + n3

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

Si tous les nFETs sont de taille


egale, on a

idech3
x5

idech2

page daccueil

n1 = Rn Cn1 = Rn (CSn + 2CDn )

x4

idech1

page titre

JJ

II

n2 = 2Rn Cn2 = 2Rn (CSn + CDn )


n3 = 3Rn Cout
Il sensuit que

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revenir

plein
ecran

fermer

quitter

Ceff = 3Cout + 2Cn2 + Cn1

x3 ou x2

Cn1

Cn2

Cout

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .

Temps de mont
ee
Le reseau de pFETs est lie au temps de montee.

Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Dans ce cas-ci, le pire cas est une chane de 3 transistors x1 , (x4 ou


x5 ), (x2 ou x3 ).
Il faut donc determiner le temps de decharge si x1 = 0, (x4 xor
x5 = 1), (x2 xor x3 = 1) et quil nexiste aucun autre chemin entre y
et VDD .

Portes complexes
Techniques de . . .

VDD

page daccueil

page titre

x4

x3

x5
Cp 1

JJ

II

Cp 2
x2

page 77 de 96

x3

x2

Cp 3

x1

revenir

plein
ecran

y
fermer

quitter

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cycle de d
echarge

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

La formule dElmore sapplique:

Linverseur

VDD

Porte NON-ET

n = n1 + n2 + n3

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

x4 ou x5

Si tous les nFETs sont de taille


egale, on a

n1 = Rp Cp1 = Rp 2CSp + 2CDp

n2 = 2Rp Cp3 = 2Rp 3CSp + CDp

ich1

Cp 1

x2 ou x3
ich2

Cp 3

x1

n3 = 3Rp Cout
Il sensuit que
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ecran

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quitter

Ceff = 3Cout + 2Cp3 + Cp2

ich3

Cout

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Consommation
La consommation de linverseur etait donnee par
2
P = VDD IDDQ + Cout VDD
f

Linverseur

Le terme dynamique provient en fait des transitions `a la


sortie.

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

Le facteur dactivite correspond donc a` la probabilite


quil y ait une transition 01 a` la sortie dans un cycle
dhorloge donne.

JJ

II

Cette transition appelle necessairement une transition opposee 10 et correspond donc `a un cycle charge / decharge
de Cout .

Pour un reseau de N portes, on a

page titre

page 79 de 96

Pdyn =
revenir

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quitter

N
X

2
i Ci VDD
f

i=1

o`
u i est le facteur dactivite de la i`eme porte et Ci la
capacite du noeud correspondant.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Consommation
On peut estimer les facteurs dactivites en assumant les
entrees dune porte equiprobables.
On part alors de la table de verite, e.g.

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

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ecran

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quitter

x1 x2 x3 x1 + x2 + x3 x1 x2 x3
0 0 0
1
1
0 0 1
0
1
0 1 0
0
1
0 1 1
0
1
1 0 0
0
1
1 0 1
0
1
1 1 0
0
1
1 1 1
0
0
Le facteur dactivite est donne par
= p0 p1
o`
u p0 est la probabilite que la sortie soit `a 0, p1 quelle
transite vers 1.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Consommation

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

En vertu des tables de verite, on trouve


  
1
7
=
N ON OU 3 =
8
8
  
1
7
N ON ET 3 =
=
8
8

7
64
7
64

page titre

JJ

II

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quitter

Cette approche est limitee car les entrees sont rarement


equiprobables.
Des techniques avancees existent cependant, dans le meme
esprit.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

7.11. Techniques de conception

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Optimisation de la performance:
1. Augmenter VDD

Porte NON-ET

gains marginaux

Porte NON-OU

consommation + elevee

Caract
eristiques . . .

probl`emes de robustesse dans les circuits denses

Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

2. Augmenter le ratio

W
L

permet un courant plus eleve, donc des cycles de charge / decharge


plus rapides
attention `a lautocharge (self-loading) lorsque CF ET domine Cout
3. Reduire la capacite de charge Cout
reduction de la sortance (donc de CL )

page 82 de 96

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reduction de CF ET
reduction de la capacitance parasite des interconnexions

4. Equilibrer
les temps de montee et de descente
rend la performance plus constante

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reduit la consommation

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Optimisation dune porte

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

La caracteristique statique (position du point milieu VM ) depend du


ratio n et p .
Le temps de montee depend de p et le temps de descente de n .

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

Il est plus important de minimiser les delais de propagation (tp , tr et


tf ) que davoir une caracteristique DC parfaite.
On ajuste donc les tailles des transistors afin de maximiser la rapidite
et on verifie ensuite si la caracteristique DC est acceptable.
Linverseur symetrique peut servir de reference n = p
Linverseur de reference est donc caracterise par
 
 
W
W
=r
L p
L n

page 83 de 96

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ecran

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M
ethode pour une porte complexe, on ajustera les tailles des
transistors de mani`ere `a approcher les tr , tf de linverseur de reference.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Transistor unitaire
En conception, on utilise le transistor unitaire comme reference.
Transistor unitaire le plus petit transistor possible (avec L = 2)
tel que defini par les r`egles de design.
On determine les caracteristiques de ce transistor:

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Ru =

k0

W
L u

1
(VDD VT )

Techniques de . . .
page daccueil

page titre

JJ

II

CGu = Cox (W L)u


CDu = CGDu + CDBu
CSu = CGSu + CSBu
On se limite a` des multiples entiers W = mWu o`
u m entier

page 84 de 96
Wu

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ecran
X

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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Techniques de conception: NON-OU

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET

Reseau nFET de la porte NON-OU: pire temps de descente lorsquun


seul nFET conduit.
Situation semblable a` linverseur, donc on pose N = n

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Le temps de descente sera tout de meme un peu plus grand que pour
linverseur car CFET (et donc Cout ) est plus grand.

Techniques de . . .
page daccueil

VDD
page titre

JJ

II

V1

V2

P
Vo

page 85 de 96

N
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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Techniques de conception: NON-OU


Reseau pFET de la NON-OU: 2 pFET en serie avec une resistance
totale de
R = RP + RP
o`
u

Porte NON-ET

RP =

Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes

Utilisant linverseur comme reference, on pose

Techniques de . . .
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1

VDD |VTp |

R = Rp = 2RP
ce qui implique
P = 2p

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JJ

II

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Les pFET sont donc 2 plus gros que dans linverseur:


 
 
W
W
=2
L P
L p
Le temps de montee sera quand meme plus grand que linverseur
(Cout plus grand)

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Dans une porte NON-OU `a N entrees on aurait


plein
ecran

N = n
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P = N p

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Techniques de conception portes complexes

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .

VDD

Reseau pFET: Dans tous les


cas, une chane de 3 transistors est impliquee.

x3
x5

x4

x2

Donc, tous les pFETs ont un


P = 3p .

x3

x2

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JJ

II

Reseau nFET: La chane a`


gauche implique dans le pire
cas 3 transistors N 3 =
3n .
Chane du milieu: N 2 = 2n

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Transistor `a droite: N 1 = n .

N 3

x1
y

x5

x3
N 2

x4

x1
N 1
x2

x2

x3

N 2

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Autres techniques

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

1. Mise `
a l
echelle progressive
peut ameliorer la performance jusqu`a 20%;
technique moins efficace avec des technologies plus denses.

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
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JJ

II

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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Autres techniques

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

2. Tampon disolement: permet disoler lentrance et la


sortance

Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

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JJ

II

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La porte a` entrance elevee voit une capacite de sortie


faible (sortance de 1)
La porte a` sortance elevee (2e inverseur) a une entrance faible

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Autres techniques

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

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JJ

II

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3. Structures arborescentes: remplacer les portes `a entrance elevee par plusieurs portes a` entrance faible
Le delai cumule des etages sera moindre que le delai
de la porte originale
Permet disoler lentrance elevee de la sortance elevee
analogue au tampon.

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cascade dinverseurs

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
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JJ

II

Pour piloter une charge capacitive elevee, on utilise une


cascade de portes logiques.
Contre-intuitif : une cascade de portes proprement mises
a` lechelle sera plus rapide quune seule porte
Le plus simple est de considerer dabord une cascade dinverseurs.
On peut determiner:
le nombre optimal detages;
la taille optimale de chaque etage.

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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cascade dinverseurs - 2

Mod`
ele RC des . . .

VDD

Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

Linverseur de reference est symetrique et le


transistor nMOS est un transistor unitaire.

Linverseur

r ()

Porte NON-ET
Porte NON-OU

Probl`
eme: pour piloter une grosse charge,
la porte pilotante peut etre grossie elle
devient elle-meme difficile `a piloter.

Caract
eristiques . . .
Portes complexes

1 ()

Techniques de . . .

Solution: cascade de portes progressive


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JJ

II

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Ci

S 2

...

N
CL
S

N 1

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cascade dinverseurs - 3

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur
Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Techniques de . . .
page daccueil

On suppose les param`etre de linverseur de reference connus:


R1 resistance FET
C1 capacite dentree
1 = n = p transconductance

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JJ

II

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Dans la cascade, les param`etres sont mis a` lechelle comme


suit:
j = S j1 1

Cj = S j1 C1

Rj =

R1
S j1

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cascade dinverseurs - 4
etage j

Mod`
ele RC des . . .

etage j + 1
VDD

Caract
erisation du . . .

VDD

Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

Rj

j+1

Rj

j+1

Porte NON-ET
Porte NON-OU
Caract
eristiques . . .

Cj

Cj+1

Portes complexes
Techniques de . . .
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JJ

II

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Constante de temps de charge / decharge a` letage j: j = Rj Cj+1 .


Delai total:
= 1 + 2 + 3 + + N
= R1 C2 + R2 C3 + R3 C4 + + RN CL
R1 2
R1
R1
= R1 SC1 +
S C1 + 2 S 3 C1 + + N 1 S N C1
S
S
S
= N SR1 C1
= N Sr (A),

plein
ecran

o`
u r = R1 C1 est le delai de reference.
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Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .

Cascade dinverseurs - 5

Mod`
ele RC des . . .
Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .
Linverseur

On a lequation (A) ( = N Sr ); on rajoute lequation (B): CL =


S N C1 .
Syst`eme de 2 equations `a 2 inconnues (S et N )

Porte NON-ET
Porte NON-OU

(B) implique N =

Caract
eristiques . . .
Portes complexes

ln

CL
C1

ln(S)

On substitue dans (A) pour obtenir = f (S) = r ln

Techniques de . . .

Pour minimiser le delai, on pose


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JJ

II

 

CL S
= r ln
=0
S
C1 S ln(S)
S
1
S
=

=0
S ln(S)
ln(S) S [ln(S)]2
ce qui implique ln(S) = 1 S = e.

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On peut ensuite trouver N =

ln

Le delai total est donc = e ln

CL
C1

= ln

ln(S)

CL
C1

CL
C1

CL
C1

S
.
ln(S)

Mod`
ele physique du . . .
Caract
erisation du . . .
Mod`
ele RC des . . .

Cascade dinverseurs - 6
Le resultat precedent sous-estime S en assumant CF ET = 0

Caract
erisation du . . .
Mise `
a l
echelle des . . .

etage j

Linverseur

etage j + 1
VDD

VDD

Porte NON-ET
Porte NON-OU

Rj

j+1

Caract
eristiques . . .
Portes complexes
Rj

Techniques de . . .
Cj

CF,j

j+1
Cj+1

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JJ

II

Ici, on a j = Rj (CF,j + Cj+1 ) et CF,j = S (j1) CF,1 .

Donc = R1 (CF,1 + C2 ) + R2 (CF,2 + C3 ) + + RN (CF,N + CL ).

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Le delai total devient = N R1 CF,1 + N SR1 C1 .


h

i  
S
On obtient = lnxS + r ln(S)
ln CCL1 o`
u x = R1 CF,1 .
En optimisant par rapport a` S, on obtient lequation S(ln(S) 1) =
x
.
r