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CELLULES PHOTOVOLTAIQUES.
Etude et comparaison de deux types de cellules.
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I-THEORIE.
Seul sera considr pour exposer le principe de fonctionnement d'une cellule
photovoltaque, le cas des cellules base de silicium cristallin. La structure
lectronique d'un semi-conducteur est reprsente sur la figure I-1.
Bande de Conduction
Ec
de
Ban
rdit
e
t
n
I
Bande de Valence
Ef
Ev
Figure I-1
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f (E ) =
1
1 +e
(1)
EE F
kT
(2)
BC
(3)
Page 3
Energie
Ec
Ef
Ev
0,5
f
Figure I-2
Aux n lectrons excits dans BC correspond un nombre gal p de trous (ou
dfauts d'lectrons) dans BV.
Si l'on applique une tension V aux bornes de l'chantillon, on observe un
courant qui correspond une conductivit donne par :
= q(nn + p p )
(4)
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I-2 Dopage
Si l'on introduit dans le rseau de silicium des atomes pentavalents tels que le
phosphore ou l'arsenic, ils se placent en site de substitution.
Quatre lectrons sont utiliss pour les liaisons avec les Si voisins, le cinquime
est trs peu li et a une trs grande probabilit d'tre excit vers BC. On a du
silicium dop n. La rpartition des lectrons est encore rgie par la fonction de
Fermi mais cette fois EF est situe dans la moiti suprieure de la bande
interdite ainsi que le montre la figure I-3a. Les niveaux lectroniques
correspondant aux atomes d'impuret sont situs dans la bande interdite et
trs proches de Ec. Il y a un nombre gal de charges positives sur les atomes
donneurs (P ou As) et d'lectrons dans la bande de conduction.
Si l'on introduit des atomes trivalents (bore), il manque maintenant un lectron
pour former les quatre liaisons autour de l'impuret. Un lectron sera excit
depuis BV pour combler cette lacune et il reste un trou dans BV. La statistique
des trous est aussi rgie par la fonction de Fermi, E F est alors dans la moiti
infrieure de la bande interdite (figure I-3b).
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Niveau donneur
Ec
Ec
Ef
Ef
Niveau donneur
Ev
b
s em i-conducteur dop p
s em i-conducteur dop n
Ev
Figure I-3
Vi =
E F EF
n
(5)
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EF et EF
n
qV/ kT
1)
(6)
js est appel courant de saturation et dpend des caractristiques des semiconducteurs formant la jonction.
La jonction p-n est le dispositif utilis dans les cellules photovoltaques. En
effet, quand des photons sont absorbs dans la zone de charge d'espace, les
paires lectron-trou formes sont spares par le champ lectrique de la
jonction qui fait migrer les lectrons vers la rgion n et les trous vers la rgion
p. Si l'on trace la caractristique j-V avec le mme montage que
prcdemment, on a cette fois une courbe du type "b" de la figure I-4 dont
l'quation est calcule dans le paragraphe suivant. La zone hachure dans le
quatrime quadrant correspond l'nergie disponible ainsi qu'on le verra.
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a
b
(7)
jg =j s(eqV /kT 1) + ju
(8)
V = juRs + V u
(9)
k T
jg ju
Rs j u
Vu = Log 1+
j s
q
(10)
kT
j
Vco = Log 1+ cc
js
q
(11)
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ju
jcc
Pmax
Vco
Vu
nous
indique
C = 1 (300 / 6000 ) = 0, 95 .
que
le
rendement
maximum
est
= C R A E FF
(12)
II-MANIPULATIONS.
Les diffrentes tapes de la manipulation sont les suivantes :
-- Etude l'obscurit et sous clairement de la caractristique j-V de la cellule
considre comme jonction p-n.
-- Etude de la caractristique j V des cellules. Dtermination de
jcc , V co et FF.
-- Effet du flux lumineux sur jcc et V co
-- Comparaison de diffrentes cellules
--Etude de la rponse spectrale d'une cellule.
II-1 Matriel
Cellules: on dispose de 2 types de cellules :
- cellule A au silicium mono-cristallin
- cellule B au silicium amorphe compose de 7 lments monts
en srie.
Alimentation de tension continue (de couleur jaune) avec bouton de
reglage fin
Multimtres: pour les mesures d'intensit, choisir la gamme A. Pour les
mesures de tension choisir la gamme V= (tension continue).
Dispositif d'clairement : il comprend une lampe halogne alimente par un
transformateur tension variable (12 V au maximum).
Bote de rsistances
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cellule
B
L2
L1
D lampe
Figure II-1
Figure II-2
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ne
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Filtre
L2 neutre
cellule
A
L1
D lampe
Figure II-4
-Modifier la figure II-1 en intercalant entre L1 et L2 un porte-filtre
perpendiculaire l'axe optique de manire ce que tout le faisceau passe
travers le filtre (le mettre assez proche de la lentille L2 pour viter de le griller
au point de focalisation entre L1 et L2) (voir figure II-4)..
-Avec la cellule A, dterminer les variations de jcc et Vco en fonction du flux
lumineux F. Le flux sera attnu par les filtres neutres disponibles. Pour un
filtre neutre donn, le flux est gal F=Fo.T, T tant le facteur de transmission
du filtre utilis et Fo le flux en l'absence de filtre. La valeur d'un filtre est
donne en terme de densit d, avec la relation d=log10(1/T). On dispose des
valeurs de filtres suivantes: filtre 1: d=0,2; filtre 2: d=0,5; filtre 3: d=0,7; filtre 4:
d=1; filtre 5: d=2.
-Mesurer les valeurs de jcc et Vco pour le filtre (grille) de densit inconnue.
-Vrifier en traant les courbes correspondantes que jcc varie linairement
avec T et Vco avec d. Expliquer.
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L1
cellule A
lampe
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