2005 Bollaert

HDR de Sylvain Bollaert, Lille 1, 2005
Habilitation Diriger des Recherches de S. Bollaert : composants ultra rapides pour applications en ondes millimtriques et sub-
millimtriques
UNIVERSIT DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE
Habilitation Diriger des Recherches
en
Sciences Physiques
Par
Sylvain BOLLAERT
Le 15 dcembre 2005
Titre :
Composants ultra rapides pour applications en

ondes millimtriques et submillimtriques
JURY
Mr G. SALMER Prsident
Mr. A. CAPPY Directeur
Mr G. HOLLINGER Rapporteur
Mr J. GRAFFEUIL Rapporteur
Mr D. PAVLIDIS Rapporteur
Mr D. PONS Examinateur
Mr. M. ROCCHI Examinateur
1
2006 Tous droits rservs. http://www.univ-lille1.fr/bustl
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Curriculum Vitae
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Nom : BOLLAERT
Prnom : Sylvain
Age : 40 ans (02/65)
Situation familiale : Vie maritale, 1 enfant
Adresse : IEMN-DHS, UMR CNRS 8520
Groupe ANODE (Advanced NanOmetric DEvices)
Avenue Poincar, BP 60069
59652 VILLENEUVE D'ASCQ
Tel : 03.20.19.78.58
Fax : 03.20.19.78.92
Mail : sylvain.bollaert@iemn.univ-lille1.fr
PARCOURS PROFESSIONNEL
Enseignant l'Universit des Sciences et Technologies de Lille (USTL) depuis
1990
Lieu des activits de recherche : Institut d'Electronique et de Micro-lectronique
du Nord, Dpartement Hyperfrquences et Semi-conducteurs (IEMN-DHS)
PEDR : 19992002 (supprime pour dlgation CNRS), 2004-2008
2002 2004 Dlgation au CNRS section STIC

1994 2002 Matre de Confrences l'Ecole Polytechnique Universitaire de
Lille, dpartement Informatique, Microlectronique, Automatique (PolytechLille-IMA)
1993 1994 Attach Temporaire d'Enseignement et de Recherche l'Ecole
Polytechnique Universitaire de Lille, dpartement Informatique, Microlectronique,
Automatique (PolytechLille-IMA)
1990 1993 Moniteur de l'Enseignement Suprieur l'UFR d'IEEA de
lUniversit des Sciences et Technologies de Lille (USTL)
FORMATION
1990 1994 : Thse de Doctorat spcialit Electronique l'U.S.T.L. (IEMN-DHS)
Date de soutenance : 20 janvier 1994
Directeur de thse : Pr. A. Cappy
Titre : Etude thorique et exprimentale de transistors effet
de champ canaux quasi-unidimensionnels
1989 1990 : DEA Electromagntisme et Micro-ondes
1987 1988 : Service National
1987 1988 : Matrise E.E.A.
1986 1987 : Licence E.E.A.
ACTIVITES DENCADREMENT
Stagiaires DEA
Andrey Shchepetov, (2005), Ralisation de transistors ondes plasma THz
Jean Sbastien Galloo, (2002), Composants nanomtriques balistiques pour
applications Trahertz
Nicolas Wichmann, (2002), HEMTs double grille sur substrat report
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Isabelle Duszynski, (2001), Nano-transistors pour communications optiques ultra

haut dbits
Thierry Parenty, (1999), Potentialits des transistors AlInAs/GaInAS sur substrat
dInP pour circuits intgrs au-del de 100GHz
Virginie Hoel, (1996), Technologie nitrure de HEMTs AlInAs/GaInAs sur substrat
dInP
Christophe Hespel, (1994), Etude de structure verticale effet de champ
Co-encadrements de Thses
Nicolas Wichmann, (2005), Conception, fabrication et caractrisation de transistors
double grille de la filire AlInAs/GaInAs adapt en maille sur substrat InP
Isabelle Duszynski, (2005), Etude et perspective de HEMTs AlInAs/GaInAs sur
substrat dInP de longueur de grille infrieure 50 nm
Vincent Roucher, (2005), Etude et fabrication de HEMTs AlInAs/GaInAs dsertion
et enrichissement pour applications haute frquence
Thierry Parenty, (2003), Etude et perspective des transistors htrostructure
AlInAs/GaInAs de longueur de grille infrieure 100 nm et conception de circuits intgrs
en bande G
Virginie Hoel, (1999), Conception, ralisation et caractrisation de transistors
effet de champ htrojonction sur substrat d'InP pour circuits intgrs coplanaires en
bandes V et W
Herv Fourr, (1997), Ralisation et caractrisation de transistors effet de champ
htrojonction de la filire AlInAs/GaInAs pour applications en ondes millimtriques
ACTIVITES CONTRACTUELLES
Contrat ESA, Evaluation de HEMTs modulation de vitesse , date 2004-2005
Action Concerte incitative Jeunes chercheurs (Y. Roelens) Dispositifs
nanomtriques balistiques et applications JC9015, date 2003-2006
Action concerte incitative Nanosciences-Nanotechnologies, Oscillations
Trahertz de plasma bidimensionnel dans les transistors effet de champ longueur de grille
nanomtrique , partenaires Universit de Montpellier, date 2003-2006
Contrat Europen IST-FET, NANOTERA , partenaires Universit Catholique
de Louvain, Universit de Salamanque, date 2002-2005.
Contrat ESA, MMIC Technology for Future Atmospheric Sounders partenaire
OMMIC, date 2002-2004
Contrat DGA n 95062, Evaluation de la filires InP pour circuits intgrs
en bandes V et W et dune chane de dtection pour imageur passif 94GHz , partenaires :
Dassault, date du 01/01/97 au 31/12/1998.
Contrat DGA n98392, Processabilit du matriau mtamorphique pour
applications hyperfrquences , partenaires : LCR Thomson, date du 01/01/99/ au
30/03/2000.
Contrat DGA n 95055, Evaluation de la filire HEMT sur matriau
mtamorphique pour applications faible bruit en bandes V et W date du 01/01/98 au
30/06/2000.
DIVERS
Responsabilits :
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Membre lu au conseil de laboratoire

Coordinateur AS169 (RTP4) Composants au-del de 100GHz en 2004
Responsable projet scientifique de lIRCICA Composants Trahertz pour
futurs systmes de tlcommunication
Comits de lecture et scientifiques de revues et confrences :

Comit de lecture confrence GaAs2004, GaAs2005
Comit scientifique JNM2005 Composants actifs
Evaluation : 2 IEEE Transactions on Electron Devices, 1 Solid-state
Electronics, 12 IEEE Electron Device Letters, 1 Electronic Letters.
Thses Examines :
Benoit Hackens, Universit Catholique de Louvain (Belgique) (2004), Coherent
and ballistic transport in InGaAs and Bi mesoscopic devices
Beatriz Garcia Vasallo, Universit de Salamanque (Espagne), (2005), Transport
lectronique dans les htrostructures InAlAs/InGaAs : HEMTs et dispositifs balistiques de
dimensions nanomtriques
ACTIVITES DENSEIGNEMENT
Lieu : Ecole Polytechnique Universitaire de Lille, dpartement Informatique,
Microlectronique, Automatique
Volume horaire : environ 200 heures/an quivalent TD
Rpartition : cours 45h, TD 70h, TP 100h
Matires : Semiconducteurs, composants (bruit et filires), circuits numriques (DSP,
FPGA), micro-ondes.
Responsabilits : animations de modules denseignement
ACTIVITES DE RECHERCHE
Jai dbut mes activits de recherche en 1990, par une thse de doctorat intitule
Etude thorique et exprimentale de transistors effet de champ (TEC) canaux quasi-
unidimensionnels dans le groupe du Professeur A. Cappy, lInstitut dElectronique, de
Microlectronique et de Nanotechnologie.
Au cours de ces dernires annes, jai dvelopp des travaux de recherche sur ltude
et la technologie de composants de la micro- et de la nano-lectronique. Lobjectif est de
fabriquer des composants et circuits, base de matriaux haute mobilit de la filire III-V,
pour des applications millimtriques voire sub-millimtriques. Les axes de recherche sont
principalement la technologie de ces dispositifs hautes frquences, et dans une moindre
mesure la caractrisation lectrique et la simulation-conception.
Depuis une dizaine danne, nous travaillons sur les filires de HEMTs base de
lhtrojonction AlInAs/GaInAs sur substrat dInP. Une filire mtamorphique sur substrat de
GaAs a aussi t dveloppe. Le grand axe de ces travaux a t la rduction des longueurs de
grille. Certains de ces composants ont t utiliss dans des dmonstrateurs sous forme de
circuit intgrs monolithiques. Plus rcemment, nous nous sommes intresss des
composants dits alternatifs : les HEMTs double grille et les composant balistiques. Lobjectif
est de trouver de nouvelles voies de fonctionnement pour dpasser les limites des HEMTs.
Lensemble de ces travaux a t effectu avec des partenaires internes (centrales de
technologie et de caractrisation, groupe EPIPHY), universitaires (Universit de
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Salamanque, Universit de Montpellier, Universit de Louvain) et industriels (Thales,

OMMIC, ESA).
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Composants ultra rapides pour applications en

ondes millimtriques et submillimtriques
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PREAMBULE ..13
I. INTRODUCTION GENERALE ............................................................... 16
II. LE HEMT AlInAs/GaInAs ...................................................................... 20

II.1. HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat dInP......................................................................... 20
II.1.1. HEMTs 100 nanomtres et circuits 100GHz ....................................................................... 21
II.1.2. HEMTs 60 nanomtres et circuits 140, 180GHz ................................................................. 26
II.1.3. Perspectives : filires sub-50 nanomtres ............................................................................ 29
II.2. Variantes : le HEMT mtamorphique sur substrat de GaAs ............................................. 32

II.2.1. Principe ................................................................................................................................ 32
II.2.2. Croissance............................................................................................................................ 34
II.2.3. Rsultats lectriques ............................................................................................................ 35
II.3. HEMT AlInAs/GaInAs enrichissement sur substrat de GaAs ........................................ 36

II.3.1. Objectifs............................................................................................................................... 36
II.3.2. Mise en uvre...................................................................................................................... 36
II.4. Perspective du HEMT: Transistors onde plasma ............................................................. 37

II.4.1. Motivations : dtecteurs et sources THz .............................................................................. 37
II.4.2. Principe de fonctionnent dun transistor onde plasma....................................................... 39
II.4.3. Rsultats exprimentaux ...................................................................................................... 41
II.4.4. Perspectives ......................................................................................................................... 42
III. COMPOSANTS RAPIDES ALTERNATIFS........................................ 46

III.1. Le HEMT : la fin dun rgne ?.............................................................................................. 46
III.2. HEMTs sur substrat transfr .............................................................................................. 48

III.2.1. Principe............................................................................................................................... 48
III.2.2. HEMTs reports sur silicium.............................................................................................. 49
III.2.3. HEMTs double grille .......................................................................................................... 50
III.2.4. Evolution de lactivit HEMTs sur substrat transfr......................................................... 53
III.3. Composants balistiques.......................................................................................................... 56

III.3.1. Principe de fonctionnement et fonctionnalits.................................................................... 57
III.3.2. Activits lIEMN ............................................................................................................. 59
IV. CONCLUSION ET PERSPECTIVES .................................................. 68
V. REFERENCES ....................................................................................... 72
VI. BIBLIOGRAPHIE DES TRAVAUX DE RECHERCHE ....................... 83

VI.1. Annexes ................................................................................................................................... 83
VI.2. Liste des publications ........................................................................................................... 113
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Prambule
Mes travaux de recherche ont dbut par une thse effectue sous la direction du
Professeur Alain Cappy. Le titre de ce travail tait Etude thorique et exprimentale de
transistors effet de champ canaux quasi-unidimensionnels , thse soutenue en 1994 [Rf.
1].
Ce travail consistait en ltude de transistors effet de champ gaz dlectron
unidimensionnel avec pour objectif dobtenir une augmentation des proprits lectroniques
par rduction de la dimensionnalit.
La structure tudie est reprsente figure 1. Des ralisations technologiques ont t
effectues [Rf. 2] et nous donnons une photographie effectue au microscope lectronique.
La structure de couche tait du type AlGaAs/GaInAs pseudomorphique sur GaAs. La
longueur de grille en T tait de 0.25m, et les canaux 1D atteignait 0.25m de large.
a) c)
b)
Figure 1 Structure dun transistor canaux unidimensionnels. (a) vue de dessus, (b)
coupe transversale, (c) Microscopie lectronique dun transistor de longueur de grille 250
nanomtres.
Les principaux rsultats de cette tude taient une nette amlioration de la commande
de charge par la combinaison de commandes verticale et latrales, qui se traduisait par une
transconductance plus importante, ainsi que la rduction de la conductance de sortie gd.
Finalement les performances frquentielles de ces composants taient infrieures celles dun
HEMT standard, du fait des lments parasites en particulier capacitifs. En effet, la largeur
totale W du composant fixe la capacit parasite, qui est presque identique celle dun HEMT
standard. Cependant la capacit intrinsque du transistor 1D dpend de la densit de canaux
1D entre lespace source-drain. A lpoque les moyens de lithographie, nous ont permis de
14
millimtriques
raliser des canaux de 250nm de large avec une priodicit de 1m, ce qui laisse une largeur
induisant une capacit parasite reprsentant les trois quarts du transistor.
Ainsi nous avons mis en vidence, il y a plus de dix ans, que les structures effet de
champ fils quasi-unidimensionnels sont limites par des effets parasites importants. On peut
esprer que les moyens de lithographie et les techniques modernes de fabrication des fils
permettront dviter ces problmes dans les MOSFET de type FINFET ou les transistors
nanotubes de carbone.
Ce travail effectu sur les transistors fils quasi-balistiques illustre bien les deux
objectifs que nous nous sommes toujours fixs :
Proposer des structures originales ayant des avantages potentiels par rapport
aux structures conventionnelles.
Fabriquer et caractriser ces dispositifs, vrifier leurs potentialits et
dterminer leurs limitations fondamentales.
15
millimtriques
I. Introduction gnrale
Ce manuscrit constitue un document de synthse des travaux de recherche visant au
dveloppement de composants pour la ralisation de circuits intgrs de frquence de
fonctionnement de quelques dizaines de Gigahertz au Terahertz. Ce travail stale sur une
priode denviron dix ans, et a t effectu en grande partie lInstitut dElectronique, de
Microlectronique et de Nanotechnologie. Le dbut de cette priode correspond ma
nomination en tant quenseignant-chercheur, ainsi qu la construction du laboratoire central
et surtout de sa salle blanche. Les activits de recherche sont en partie orientes vers la
technologie, et plus prcisment la nanotechnologie, grce aux quipements disponibles
lInstitut.
Lobjectif est lexploration de solutions plus ou moins originales pour la monte en
frquence des circuits intgrs. Bien que le choix final dun composant rpond de nombreux
critres (paramtres lectriques, fiabilit, cot), nous nous sommes concentrs sur la tenue
en frquence des composants, pour les applications petit signal ou numrique.
De nombreuses applications ncessitent lutilisation de circuits intgrs hautes
frquences ou en gammes dondes millimtrique et submillimtrique : la radiomtrie,
limagerie passive, lobservation de la terre, les communications hertzienne ou
optolectronique, ou plus rcemment en biologie, et dans des systmes de scurit (dtection
dexplosif).
Lensemble des composants qui sont prsents dans ce manuscrit utilisent les
matriaux III-V, et plus particulirement lhtrojonction AlInAs/GaInAs. Cette combinaison
de matriaux offre les avantages des proprits de transport lectronique du GaInAs, de fortes
densits de gaz bidimensionnel dlectrons, tout en tant dveloppe industriellement dans
des applications millimtriques. Llaboration de ces matriaux a t effectue par Epitaxie
par Jets Molculaires par le groupe EPIPHY de lIEMN.
Le premier composant abord fut le HEMT utilisant lhtrostructure AlInAs/GaInAs
de part les trs bonnes proprits de transport lectronique du matriau GaInAs fort taux
dIndium. En effet, durant les annes 90, ce transistor tait le meilleur candidat pour les
circuits millimtriques. Il atteint aujourdhui des frquences de coupure (fT et fmax) aux
alentours de 600GHz (Figure I-1). Deux voies ont t abordes et sont prsentes dans ce
document : la fabrication de ces composants sur substrat dInP ainsi que sur substrat de GaAs
par le concept mtamorphique (premier HEMT mtamorphique fabriqu lIEMN en 1992).
Pour la monte en frquence, diffrentes gnrations ont t dveloppes, en rduisant les
longueurs de grille de 100 nanomtres 20 nanomtres. Des circuits intgrs monolithiques
ont aussi t fabriqus, ce qui a dmontr les possibilits haute frquence des filires tudies.
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millimtriques
1200
TS-HBT-InP
1000
HEMT-InP
800 HEMT InSb 200nm
fmax (GHz)
MOSFET
600 SHBT-InP
DHBT-InP
400 HBT SiGe
TS-HBT-InP
200
0
0 200 400 600 800
ft (GHz)
Figure I-1 Etat de lart des transistors de la littrature tabli en juin 2005.
Au dbut des annes 2000, nous avons dcid dtudier de nouvelles topologies de
composants. Lensemble de ces nouveaux composants reste bas sur lutilisation de matriaux
AlInAs/GaInAs sur substrat dInP. Lobjectif est datteindre des frquences de coupure de
lordre du Terahertz.
Daprs la Figure I-2, lvolution des frquences des HEMTs sur InP rpond une
loi de Moore avec un accroissement denviron 6% par an, ce qui est loin des filires
silicium (17% par an daprs ITRS). Ce qui veut dire que pour atteindre une frquence de
coupure de 1THz, il faudra attendre environ 2010, si cette volution est respecte. Pour
atteindre ces performances, la longueur de grille devra atteindre 6 nanomtres, et si lon veut
conserver un rapport daspect correct, il nous faut une distance grille-canal de 2 nanomtres,
ce qui devient quasiment impossible. De plus, en observant plus dans le dtail la Figure I-2,
on peut constater que les frquences de coupure des HEMTs ne dpassent pas 600GHz. Enfin,
depuis lanne 2005, les records mondiaux des fT et fmax sont dtenus par les transistors
bipolaires htrojonction (HBT sur Figure I-1, except TS-HBT), et nous observons une
amlioration des performances des filires MOSFET sur silicium, bien que ce matriau soit
du point de vue du transport lectronique moins bon. Lenseignement que nous avons tir de
nos tudes sur les HEMTs AlInAs/GaInAs, est quil semble atteindre ses limites.
Laugmentation des frquences est lie au premier ordre la rduction de la longueur de
grille. Toutefois, cette rduction de longueur de grille, comme nous le verrons nest pas
suffisante. Il est ncessaire de trouver des solutions innovantes en terme de structure ou de
fonctionnement.
La premire solution envisage sest inspire des travaux de lquipe de M. Rodwell
de lUniversit de Santa Barbara, qui a dvelopp des transistors bipolaires htrojonction
sur substrat transfr (TS-HBT), dont la frquence de coupure fmax dpasse 1 THz (Figure
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I-1). Lutilisation du transfert de substrat leur permet de placer deux lectrodes face face de
part et dautre de la couche active. Ceci nous a donn lide de raliser un HEMT double
grille permettant de commander plus efficacement les lectrons 2D du canal GaInAs, et ainsi
de limiter les effets nfastes de canal court. Lensemble des briques technologiques a t
dvelopp, pour la fabrication de HEMT double grille de longueur 100 nanomtres. Les
rsultats lectriques sont prsents dans ce manuscrit. De plus ce nouveau type de structure
offre la possibilit de raliser un transistor modulation de vitesse, dont la modulation du
courant ne se fait pas comme dans un FET par la variation de charge, mais par la modulation
de vitesse des porteurs. Le schma de principe ainsi que les rgles de fonctionnement et de
ralisation sont introduits dans ce manuscrit.
1000
~ 6% de progression
annuelle
frquence coupure
(GHz)
ft
fmax
c
100
1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015
anne
Figure I-2 Evolution annuelle des frquences de coupure des HEMTs AlInAs/GaInAs.
La droite reprsente une variation denviron 6% par an.
Une deuxime solution a t tudie : les composants balistiques. Dans un composant

balistique (ou quasi-balistique), les lectrons durant leur dplacement ne subissent pas (ou
peu) dinteraction. Leur vitesse est ainsi trs leve, ce qui peut conduire des temps de
transit sub-picoseconde temprature ambiante, si les dimensions sont de lordre de la
centaine de nanomtre. Lobjectif est la ralisation de composants balistiques en particulier
des TBJ ( Three terminal Ballistic Junction ) pour applications non linaires (redresseur,
doubleur de frquence) et de commutateur de courant pour circuit numrique. Dans cette
tude, nous avons contribu la simulation des structures (par Monte Carlo), la
caractrisation hyperfrquence et surtout la fabrication des dispositifs nanomtriques.
Enfin, un autre champ dinvestigation a dbut rcemment : les transistors onde
plasma pour mission et dtection de signaux Terahertz. Ce sujet est bas sur la prsence
donde plasma qui peuvent se propager sous la grille dun HEMT. De part la faible longueur
de grille et la vitesse leve de londe plasma, il est possible datteindre les frquences
convoites du gap THz .
Ce manuscrit est divis en deux grandes parties. Dans la partie II, nous prsentons les
principaux rsultats obtenus sur les filires HEMTs (de 100 20 nanomtres), ainsi que la
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millimtriques
possibilit dapplication THz par les ondes plasma. Dans la partie III, nous prsentons les
rsultats prliminaires sur les filires plus prospectives, le HEMT double grille et les
composants balistiques. Enfin dans notre conclusion, nous indiquons les volutions de ces
diffrents thmes de recherche ainsi que nos perspectives.
19
millimtriques
II. Le HEMT AlInAs/GaInAs

Les filires bases sur lhtrojonction AlInAs/GaInAs sur substrat dInP, sont
tudies depuis le dbut des annes 90, et sont lune des meilleures solutions pour les
applications en gamme donde millimtrique, ou en numrique vers la centaine de
gigabit/seconde. Les frquences de transition (Figure I-1) se situent aux alentours de 600GHz
([Fujitsu, Rf. 3]. A titre indicatif, ces frquences de coupure ont permis le dveloppement
damplificateur faible bruit jusquen bande G (140-220GHz) pour les filires sur InP [Rf. 5].
Les rsultats obtenues par lutilisation de lhtrojonction AlInAs/GaInAs tant bien
suprieurs ceux des filires sur substrat de GaAs, la filire AlInAs/GaInAs mtamorphique
sur GaAs a t dveloppe, afin de combiner hautes performances lies lhtrojonction
AlInAs/GaInAs, tout en conservant la compatibilit technologique de fabrication des circuits
GaAs (amincissement et via hole ) et des cots de fabrication plus faibles pour le GaAs
(diamtre des substrats GaAs plus grand quInP, substrat GaAs moins fragile). Cette filire a
rapidement montr ses potentialits, par lobtention de performances en frquence proche des
filires sur InP ainsi que par la ralisation de circuits en bande D [Rf. 6].
Lessentiel des travaux prsent dans cette partie a commenc au dbut des annes
1990 par le dmarrage des filires AlInAs/GaInAs sur substrat dInP mais aussi
mtamorphique sur substrat de GaAs ; les filires conventionnelle et pseudomorphique sur
GaAs tant antrieures. Par ailleurs, afin de dvelopper des composants de plus en plus
rapides, il a t ncessaire de diminuer les longueurs de grille, qui saccompagne comme nous
le verrons dans la suite ce manuscrit de loptimisation de la structure de couche.
Dans cette partie, nous allons donner lvolution de nos travaux au cours de ces dix
dernires annes, qui ont consist dvelopper des filires de longueur de grille 100nm sur
InP et GaAs, ainsi que 60nm. Cette partie commencera par la prsentation des filires de
HEMTs 100nm et 60 nm sur InP, et de dmonstrateurs MMIC, ainsi que des premiers
rsultats de HEMTs sub-50nm. Ensuite, nous prsenterons dans une deuxime partie les
filires de HEMTs mtamorphiques 100nm et 60 nm sur GaAs. Enfin dans une dernire
partie, nous prsenterons un possible avenir des composants HEMTs lIEMN, pour la
gnration/dtection THz par onde de plasma.
II.1. HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat dInP

Lessentiel des travaux sur les HEMTs AlInAs/GaInAs ont dbut il y a environ une
dizaine danne, date de notre installation dans les nouveaux locaux de lIEMN, et aussi de
dmarrage de nouveaux matriels, en particulier le masqueur lectronique
LEICA EBPG5000+. Le dveloppement de ces composants est le fruit dannes de travail de
membres du groupe ANODE (permanents, thsards), mais aussi du groupes EPIPHY
(EPItaxie et PHYsique des htrostructures), du groupe Puissance et du personnel des
centrales de caractrisation et de technologie de lIEMN.
La dmarche que nous avons suivie est la suivante : tout dabord nous avons
dvelopp une filire 100 nm utilisant un procd technologique dit nitrure , qui tait dj
utilis dans nos anciens locaux pour la fabrication de HEMTs GaAlAs/GaInAs
pseudomorphiques sur GaAs, dont la longueur de grille Lg tait de 0.25 m lpoque. Il a
fallu transfrer et adapter cette technologie des HEMTs AlInAs/GaInAs de Lg = 100 nm.
Dans le groupe ANODE, deux thses (en co-direction :H. Fourr 1997 Rf. 8, V. Hoel 1999
Rf. 9) ont t effectues pour dvelopper ces composants. Des dmonstrateurs (MMIC, LNA
100GHz) ont t fabriqus partir de ces transistors, en collaboration avec Dassault
lectronique. Le prolongement de ces travaux fut la filire de longueur de grille 60 nm, ainsi
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millimtriques
que les circuits 140 et 180GHz de T. Parenty (co-direction de thse Rf. 5). Enfin la dernire
tape est la filire sub-50 nm qui est en cours dtude (co-direction de thse de I. Duszynski).
II.1.1. HEMTs 100 nanomtres et circuits 100GHz

II.1.1.a) Technologie des HEMTs
II.1.1.a.1) Etapes gnrales

Les tapes principales de ralisation dun HEMT AlInAs/GaInAs sont :
Lisolation par mesa ou implantation ionique.
Lisolation la plus utilise de part sa simplicit est obtenue par gravure humide de la couche
active. Toutefois lisolation par implantation ionique dArgon, a t tudie lIEMN par H.
Fourr [Rf. 8]. Pour des couches AlInAs/GaInAs de rsistance carre typique de 150, des
rsistances carres disolation de plusieurs dizaines de M on t obtenues.
La ralisation des contacts ohmiques.
La deuxime tape consiste en la ralisation des contacts ohmiques aprs dpt par
vaporation sous vide de Ni/Ge/Au/Ni/Au, puis d'un recuit rapide. Les meilleures valeurs de
rsistances de contact Rc obtenues sont de lordre de 0.1 .mm
La grille en T
La ralisation de la grille en T est l'tape la plus dlicate dans la fabrication d'un
HEMT, et va conditionner pour beaucoup les performances du transistor. En effet, c'est
principalement la longueur de grille qui va fixer la rapidit d'un composant. De ce fait la
rduction de cette longueur est l'un des enjeux majeurs des procds de fabrication. De plus,
pour un fonctionnement des frquences leves ainsi que pour les applications faible bruit,
un profil en forme de T (ou grille champignon) est ncessaire, afin dobtenir des rsistances
de grille de faible valeur. Une forte rsistance de grille peut altrer les performances
frquentielles et de bruit du transistor. Cette tape de grille est dtaille dans la partie
suivante.
Les plots dpaississement
La dernire tape est le dpt des plots dpaississement Ti/Au pour permettre la
connexion du transistor. Cette tape ne prsente aucune difficult de mise en uvre.
II.1.1.a.2) Grille en T et recess slectif

Afin de raliser une grille en forme de T, dont la fonction lectrique est dassurer un
contact Schottky, deux tapes fondamentales et critiques sont ncessaires et ont t
dveloppes ; lithographie de la grille en T ainsi que la gravure du foss de grille, appele
plus communment recess.
(a) Lithographie de grille en T 100nm

Deux types de procd technologiques de grille ont t mis au point au laboratoire. Le
premier appel nitrure est schmatis Figure II-1.a et a t dvelopp au cours de la thse
de V. Hol [Rf. 9]. Il est compos de deux tapes de lithographie, lune pour dfinir le pied
de grille et la seconde le haut de grille. Lavantage de la technique nitrure vient du fait que la
lithographie du pied de grille est simple de mise en uvre, elle correspond lcriture
lectronique dun trait dans une fine couche de rsine. De plus, le haut de grille reposant sur la
couche de nitrure de silicium, la tenue mcanique de la grille est amliore.
Avant le dpt du contact Schottky, un recess slectif est effectu, que nous
dtaillerons dans le paragraphe suivant.
21
millimtriques
Toutefois cette technique nest pas sans inconvnient : en effet deux tapes de
lithographie sont ncessaires. De plus, le haut de grille tant dpos sur une couche de nitrure
de silicium, dont la permittivit effective est leve, les couplages capacitifs entre les
lectrodes de grille et de drain (et de source) sont importants.
a) Procd Nitrure b) Procd bicouche
Dpt Si3N4 Si3N4

Dpt bicouche P(MMA-MAA)
rsines
PMMA
Dpt PMMA PMMA
Ecriture e-beam
Ecriture e-beam
pied de grille
Recess slectif
Ouverture SA/NH4OH/H2O2
pied de grille
plasma CHF3/CF4
Nettoyage rsine Dpt mtallisation

Schottky
PMMA
Dpt bicouche
rsines P(MMA-MAA)
Nettoyage rsine
Ecriture e-beam
haut de grille
Recess slectif
SA/NH4OH/H2O2
Dpt mtallisation
Schottky
Nettoyage rsine
Figure II-1 Procds technologiques a) nitrure et b) bicouche, de ralisation de grille en T de

longueur 100nm.
Une alternative ce procd est lutilisation du procd bicouche (Figure II-1.b). Ce

procd pour la fabrication de grille 100nm a t mis au point par P. Chevalier [Rf. 11] et M.
22
millimtriques
Zaknoune [Rf. 12]. Cette technique permet de supprimer les inconvnients de la technologie
Nitrure (une seule criture, moins de couplages capacitifs). Un certains nombre
damliorations ont t apportes cette technique durant les cinq dernires annes. Une sous
gravure importante aprs tape de recess a souvent t observe, et a t interprte par une
mauvaise adhrence de la rsine la surface du semiconducteur. Ce procd a t amlior
par N. Wichmann, par traitement pralable de surface (dsoxydation et dpt dun promoteur
dadhrence avant dpt de rsine).
(b) Recess slectif

Afin dobtenir un contact Schottky de bonne qualit, il est ncessaire denlever la
couche de contact ohmique GaInAs (cap layer) avant de dposer le mtal de grille. Pour des
composants de longueur de grille de 100 nm voire en de, lutilisation dune solution de
gravure slective est cruciale (vitesse de gravure du GaInAs plus leve que celle dAlInAs).
En effet, il est important de stopper (ou fortement ralentir) la gravure sur la couche dAlInAs.
La mthode par le contrle du courant noffrant pas les garanties suffisantes en termes
dhomognit et de reproductibilit. Ce critre est dautant plus important pour les grilles
courtes : la distance grille-canal devenant trs faible afin de conserver un rapport daspect
correcte (rapport longueur de grille/ distance grille-canal suprieur 3). La majeure partie du
travail a t effectue par H. Fourr [Rf. 8, Rf. 13]. Celui-ci a effectu une tude des
proprits de gravure partir dacide succinique. La slectivit obtenue est de 70 sur
matriaux adapts en maille sur InP, et la vitesse de gravure de lAlInAs est trs faible (~1
nm/mn).
II.1.1.b) Structure de couche
La topologie des HEMTs 100nm est donne Figure II-2. Lensemble des couches
AlInAs et GaInAs est adapte en maille sur InP (taux dIndium proche de 50%) et ont t
ralise par pitaxie jets molculaires dans un bti solide Riber 32P.
400nm
Si3N4 400nm
Contact Contact
ohmique ohmique
de source 100nm de drain
1.3m h
Cap Layer 100 100nm 100nm Ga0.47In0.53As 6 1018 /cm3
Schottky Layer 120 Al0.47In0.53As Plan de
dopage
Spacer 50 Al0.47In0.53As Silicium
Channel 150 Ga0.47In0.53As 5. 1012/cm
Buffer 3000 Al0.48In0.52As
InP Substrate
Figure II-2 Topologie dun HEMT AlInAs/GaInAs adapt en maille sur substrat dInP.
La hauteur h du pied de grille est de 80nm pour la technologie nitrure, et 150nm pour la
technologie bicouche.
23
millimtriques
Les meilleurs rsultats de Hall mesurs par la technique de Van der Pauw, sont donns
dans le Tableau II-1 tempratures ambiante et lazote.
Tableau II-1 Mesures de Hall sur trfle de Van der Pauw dune structure
AlInAs/GaInAs adapte en maille sur substrat dInP pour la ralisation de HEMTs 100nm.
Rcarr Nhx1012 h
/cm cm/Vs
300K 187 3.5 9600
77K 56 3.45 32200
II.1.1.c) Rsultats lectriques
Les principaux rsultats lectriques et la comparaison des transistors HEMTs-InP de

technologies nitrure et bicouche sont donns dans le Tableau II-2. Ces rsultats pour la
technologie nitrure obtenus durant la thse de V. Hol [Rf. 9], ont fait lobjet de
communications internationales [Rf. 14, Rf. 15, Rf. 16, Rf. 17], lessentiel des
technologies bicouches ayant t dveloppes par P. Chevalier [Rf. 11]. Dans ce tableau sont
reportes la transconductance extrinsque, la frquence fT de transition du gain en courant H21
ainsi que la frquence maximale doscillation fmax issue du gain unilatral de Mason U. Ces
valeurs ont t dtermines par extrapolation 6dB/oct des diffrents gains.
Tableau II-2 Transconductances intrinsques gm, frquences de coupure intrinsques

gm
fc = , et frquences de transition fT et fmax issues des technologies nitrure et bicouche.
2C gs
Les longueurs de grille Lg sont de 100nm et les largeurs W=100m.
Types Frquences de coupure
gm fc fT fmax
mS/mm GHz GHz GHz
Nitrure 1430 268 195 280
Bicouche 1450 298 225 320
Pour la technologie nitrure de longueur de grille 100nm, une transconductance Gm

extrinsque denviron 1S/mm est obtenu. La transconductance intrinsque gm atteint
1430mS/mm. Le fT et le fmax avoisinent respectivement 200 et 300GHz. La technologie
bicouche conduit la mme valeur de transconductance intrinsque, mais donne des valeurs
de fT et fmax plus leves. Ce comportement est li des valeurs de capacits Cgs et Cgd plus
faibles pour la technologie bicouche. Cette diffrence provient de labsence de couche de
Si3N4 entre la grille et les zones daccs du transistor. Une tude, contenue dans la thse de V.
Hol [Rf. 9], a dmontr cette hypothse : les capacits de bord ( fringe capacitances)
dtermines transistor froid (Vds = 0 Volt) et fortement pinc (Vgs << Vp), prsentent une
dpendance plus importante en fonction de la largeur du transistor, traduisant un effet plus
important de couplage lectrostatique au travers du Si3N4.
24
millimtriques
II.1.1.d) MMIC bandes V et W

A partir des travaux dvelopps autour de la filire HEMTs AlInAs/GaInAs adapts en
maille sur substrat dInP par V. Hoel, et des travaux de S. Boret [Rf. 19] sur les lments
passifs en technologie coplanaire (ligne de propagation, ponts air, capacits MIM,
rsistances), des amplificateurs faible bruit 60 et 94 GHz ont t raliss. La conception de
ces circuits a t effectue par Thomson-Detexis dans le cadre dune collaboration
contractuelle (DGA 95.536). La technologie utilise est de type nitrure, celle-ci tant la plus
mature au moment de la conception. Ces circuits ont t raliss dans la centrale de
technologie de lIEMN par B. Grimbert. La Figure II-3 prsente une photographie dun circuit
94GHz, et des lments le constituant.
1.7mm
Capacit MIM
HEMTs
1.5mm
Ligne coplanaire
Rsistance pont air
Figure II-3 Amplificateur faible bruit deux tages 94 GHz utilisant la technologie
des HEMTs AlInAs/GaInAs adapts en maille sur InP avec grille nitrure 100 nm.
Les meilleurs rsultats obtenus sont donns dans le Tableau II-3 et ont t prsents
dans plusieurs confrences internationales [Rf. 20, Rf. 21, Rf. 22]. Lamplificateur 94GHz
prsente en facteur de bruit NF de 3.3 dB pour un gain associ Ga de 12 dB, ce qui correspond
ltat de lart. Ce rsultat indique les potentialits des technologies de HEMTs 100 nm
dveloppes pour les applications en gamme donde millimtrique.
Tableau II-3 Mesures du facteur de bruit NF et du gain en puissance associ Ga.

Facteur de bruit NF Gain associ, Ga
(dB) (dB)
LNA 60 GHz 4 14.4
LNA 94 GHz 3.3 11.9
25
millimtriques
II.1.2. HEMTs 60 nanomtres et circuits 140, 180GHz

Le rcapitulatif des travaux prsents dans cette partie, est contenu dans la thse de T.
Parenty [Rf. 5].
II.1.2.a) Optimisation de la structure de couche

Laugmentation des performances frquentielles dun HEMTs par optimisation de sa
structure savre tre une tache trs dlicate. En effet, on peut constater daprs la Figure II-4,
quil existe beaucoup de paramtres importants. On peut en compter plus de dix. Linfluence
de ces paramtres sur le fT ou le fmax a t tudie dans une multitude de publications, mais il
est encore bien difficile de donner aujourdhui la structure idale.
Contact Contact
ohmique ohmique
de source Lg de drain
1.3m
Contact 100 Lr Lr Ga0.47In0.53As 6 1018 /cm3
aS Schottky Al1-ySInySAs yS
A a n
E Espaceur Al1 yEInyEAs yE
aC Canal Ga1-xCInxCAs xC
Couche tampon Al0.48In0.52As
InP Substrate
Figure II-4 Principaux lments intervenant dans les performances du HEMT
Si lensemble de ces paramtres tait retenu pour optimiser la structure de couche, ceci
demanderait par lexprience, un plan dtude insurmontable. Par des calculs numriques, un
problme environ 10 paramtres reste encore trop difficile rsoudre. Lobjectif de la filire
60 nm est de dvelopper des circuits intgrs pour application analogique petit signal et faible
bruit des frquences avoisinant 200 GHz. Notre objectif principal est donc dobtenir une
amplification en puissance suffisante ces frquences. Cest pourquoi, notre dmarche sest
restreinte lobtention dun fmax lev. Pour obtenir un fmax lev, il est ncessaire de respecter
le scaling down de la couche, c'est--dire un rapport daspect Lg/A suffisant. La distance A
correspond la somme de lpaisseur de la couche Schottky dAlInAs aS, de lespaceur aE et
de ltalement des charges dans le canal. Enoki et al [Rf. 24] estime que Lg/A doit tre choisi
au-del de 3 5. Ce qui donnerait une distance A denviron 10 nm pour une longueur de grille
Lg de 30 nm. De plus si le rapport Lg/A est infrieur 1, la variation de la tension de
pincement devient trs forte, et saccompagne dune dgradation du fT et de la
transconductance [Rf. 25, Rf. 3, Rf. 26]. Cette dgradation du fT dans le cas dun mauvais
rapport daspect provient dune diminution de la vitesse moyenne de transit des lectrons sous
la grille.
Une deuxime voie est loptimisation des extensions latrales de recess. Si ces zones
sont grandes, on aura dgradation des rsistances daccs en particulier ct source et donc de
26
millimtriques
la transconductance extrinsque Gm et du fT [Rf. 23, Rf. 28]. De plus un recess long ct

source est dfavorable leffet kink, du fait dune interface entre lAlInAs (couche Schottky)
et lair de plus grande surface. Toutefois ceci peut tre attnu en plaant une couche dInP,
dite de passivation, dans les zones de recess. Cependant lorsquune grande longueur de recess
ct drain est dfinie, la conductance de sortie gd et la capacit Cgd sont rduites, le champ
lectrique en sortie de grille ct drain stalant. Ceci sera bnfique pour le fmax [Rf. 28]. La
solution consiste donc raliser un recess asymtrique, pour lequel le recess grille-source est
court, et le grille-drain est long [Rf. 29, Rf. 30, Rf. 23]. Un frein la mise en uvre de
cette solution est la complexit technologique. On peut citer en exemple le procd de Fujitsu,
qui utilise une lithographie lectronique de grille en slit patterns [Rf. 29] ou dautres
procds bass sur des multicouches de rsines. De part la difficult de mise en uvre
technologique de ces techniques (lithographie complique, mauvais contrle de sous gravure
par recess slectif succinique,), nous avons seulement jou sur le rapport daspect.
Pour cette raison, nous avons diminu les paisseurs de la couche Schottky, de
lespaceur et du canal (Figure II-5) par rapport la couche utilise pour la filire 100 nm (voir
Figure II-2). Dautres paramtres ont t modifis :
Le taux dindium dans le canal GaInAs a t augment pour amliorer la
mobilit et la discontinuit de bande conduction. Afin dviter lapparition
dionisation par impact trop important, nous avons limit le taux dindium
65%.
Lpaisseur de barrire tant rduite, le taux daluminium de la barrire AlInAs
a t port 65%, afin daugmenter la hauteur de barrire Schottky et de
limiter le courant de grille. De plus, lexcursion en tension Vgs positive sen
trouvera amliorer.
Enfin, le dopage a t fix 6.1012/cm2, pour limiter les effets de surface dans
les zones de recess (dsertion du canal).
400nm
400nm
Contact Contact
ohmique ohmique
de source 60nm de drain
1.3m h
Cap Layer 100 Lr Lr Ga0.47In0.53As 6 1018 /cm3
Schottky Layer 80 Al0.65In0.35As Plan de
dopage
Spacer 35 Al0.65In0.35As Silicium
Channel 100 Ga0.35In0.65As 6. 1012/cm
Buffer 2000 Al0.48In0.52As
InP Substrate
Figure II-5 Structure de couche optimise pour filire 60 nm.
27
millimtriques
Cette optimisation sest appuye sur des simulations Monte Carlo effectues
lUniversit de Salamanque, par J. Mateos, et a fait lobjet de deux publications dans IEEE
Transactions on Electron Devices [Rf. 31, Rf. 32].
II.1.2.b) Rsultats lectriques

Afin de vrifier le bon choix des paramtres de la structure optimise, nous avons
effectu des mesures de Hall sur des trfles de Van der Pauw. Ces mesures sont compares
avec celles dune structure standard correspondant la couche utilise pour les transistors 100
nm (Figure II-2). Les principales grandeurs sont reportes dans le Tableau II-4. On peut
constater que les valeurs de densits et de mobilits de Hall sont proches pour les deux types
de couche.
Tableau II-4 Mesures deffet Hall sur structures standard et optimise.

R (/ ) H (cm.V-1.s-1) nH (cm-2)
Couche "standard" 158 9300 3,5.1012
(avec cap layer)
Couche "optimise" 180 8800 3,95.1012
(avec cap layer)
Pour aller plus loin dans la comparaison, nous avons ralis des technologies de
longueur de grille 60 nm sur structure standard et sur structure optimise. Notre choix sest
port sur une technologie de type bicouche au lieu de la technologie nitrure. Pour favoriser un
fonctionnement frquentielle de plusieurs centaines de GHz, il est en effet indispensable de
minimiser les lments parasites, en particulier les capacits parasites, qui sont plus faibles en
technologie bicouche. Les tapes technologiques sont les mmes que celles utilises pour un
HEMT 100nm en technologie bicouche.
Tableau II-5 Principaux paramtres lectriques de comparaison entre des HEMTs

60nm raliss sur couches standard et optimise.
Vp (V) Ids Gm Gm/gd fc ft (GHz) fmax
(mA/mm) extrinsques Intrinsque (GHz) (GHz)
(mS/mm)
Standard -0.7 500 710 10 350 260 370
Optimise -0.3 560 1000 16 330 250 460
Le tableau Tableau II-5 rcapitule les principaux rsultats lectriques obtenus sur les
HEMTs 60nm. On peut constater une trs nette amlioration de la transconductance
extrinsque, due une distance grille-canal plus faible, et une forte amlioration du fmax pour
la structure optimise, qui passe de 370GHz 460GHz. Ceci dmontre bien limportance du
rapport daspect dans le fonctionnement frquentiel dun HEMT, en particulier sur le fmax.
Pour les deux types de HEMTs, les frquences de transition maximales fT du gain |H21|2 sont
de lordre de 250GHz. Lamlioration du rapport daspect de 2.5 (standard) 3.6 (optimis)
conduit une amlioration du fmax de 25% et un ratio fmax/fT plus lev.
Lessentiel de ces travaux a fait lobjet dune thse de lUniversit [T. parenty, Rf. 5]
de plusieurs communications internationales [Rf. 33, Rf. 34, Rf. 35, Rf. 36, Rf. 37], dont
28
millimtriques
un papier prsent Indium Phosphide Related Materials (IPRM) en 2001 est fourni en
annexe 1.
II.1.2.c) Rsultats MMIC

Afin de valider les rsultats lectriques obtenu sur la filire HEMTs AlInAs/GaInAs
de longueur de grille 60nm, nous avons dvelopp un travail de conception de MMIC en
bande G (140-220GHz). Il sagit damplificateurs adapts en gain en puissance 140GHz et
180GHz, ainsi que des oscillateurs et VCO (Voltage Control Oscillator) 140GHz. La
frquence de 140GHz correspondant une fentre de propagation, est intressante pour les
communications. La frquence de 180GHz tant une zone dabsorption, elle est utile pour les
rseaux locaux de courte porte ainsi que lobservation terrestre (satellite, radiomtrie). Ces
conceptions utilisent une technologie coplanaire intgrant des capacits MIM et des
rsistances NiCr.
Les rsultats des conceptions sont :
Amplificateur 140GHz Amplificateur 180GHz

Gain insertion S21 ~ 7dB/tage Gain insertion S21 ~ 3.5dB/tage
Sii et S12 < -12dB Sii et S12 < -12dB
VCO 140GHz
f ~ 7GHz
Pout ~ 0dBm
A lheure de la rdaction de ces lignes, seuls les lments passifs ont t fabriqus et
caractriss jusque 220GHz, ce qui a permis de valider ces lments. Ces rsultats
prliminaires laissent prsager un fonctionnement intressant des futurs circuits, en cours de
fabrication lIEMN.
II.1.3. Perspectives : filires sub-50 nanomtres

Afin de poursuivre la monte en frquence, des tudes portant sur le dveloppement
dune filire sub-50nm ont t entreprises par I. Duszynski durant sa thse. Ces rsultats sont
reports dans la [Rf. 38].
II.1.3.a) Technologies de grille envisages

Pour le dveloppement de la filire 60nm, nous avons vu que la lithographie de grille
de type bicouche avait t retenue. Pour des longueurs de grille plus faibles, cette mthode est
trs difficile. En effet, si lon veut un pied de grille de 25nm de longueur associ un haut de
grille long et pais (la largeur et lpaisseur font environ 400nm pour des raisons de rsistance
de grille), en conservant des paisseurs de rsine identiques celles du procd bicouche, soit
au total environ 800nm, on arrive un rapport daspect entre la longueur de grille et
lpaisseur de rsine de 30. La ralisation dune telle lithographie lectronique ainsi que son
observation au microscope lectronique sont trs difficiles. La diminution des paisseurs de
rsines pourraient tre une solution, mais si lon veut conserver une paisseur de mtal de
grille suffisante, lpaisseur de la couche de copolymre (P(MMA-MAA)) qui sert dfinir le
haut de grille, doit tre conserve pour favoriser le lift-off.
Cest pourquoi, nous avons tudi une autre solution, qui est une combinaison de
technologies bicouche et nitrure, dj utilises lIEMN (voir partie II.1.1.a.2)(a)). Cette
29
millimtriques
technique est schmatise Figure II-6. Elle est constitue de deux tapes principale : la
dfinition du pied de grille dans une fine paisseur de nitrure de silicium (30nm) et ensuite la
ralisation dune grille en T bicouche de longueur 100nm. La premire tape ncessite une
lithographie lectronique, qui consiste dfinir le pied de grille dans une rsine PMMA de
fine paisseur (80nm) ceci afin de favoriser la rsolution. Le Si3N4 est ensuite grav par
plasma de CHF3/CF4, dj utilis pour la technologie nitrure. Enfin on dfinit le reste du profil
de grille par un procd bicouche standard de longueur de grille 100nm, qui ne ncessite pas
de mise au point particulire. Lintrt de cette technique par rapport une technologie
nitrure, est que le haut de grille de dimension 400nm, nest pas totalement dpos sur le
nitrure de silicium. Ainsi le couplage capacitif au travers du Si3N4 est moindre compar au cas
o le haut de grille couvrirait totalement le nitrure de silicium. De plus ce procd doit
permettre dobtenir des grilles plus robustes mcaniquement.
Ouverture de la rsine et Profil de grille final :

gravure du nitrure
Rsine PMMA
100nm
Si3N4
Si3N 4
Couche active
20nm
Couche active
Figure II-6 Etape de ralisation dune technologie de grille sub-50nm, base sur une
combinaison de procds bicouche et nitrure.
La Figure II-7 donne une photographie ralise par microscopie lectronique. La

coupe du transistor a t obtenue par faisceau ionique dion. On peut constater que la
longueur de grille atteint les 20nm.
Si3N4
20nm
20 nm
Figure II-7 Coupe transversale ralise au FIB (Focused Ion Beam) dun HEMT sub-
50nm.
II.1.3.b) Structures de couche

Dans le cadre de cette tude, nous avons suivi la mme dmarche de dveloppement
que pour la filire 60nm, c'est--dire conserver un rapport daspect LG/A suffisant (A est la
distance grille lectron du canal). La structure de couche est donne Figure II-8. Les
30
millimtriques
paisseurs de la couche Schottky, de lespaceur et du canal ont t diminues, et le plan de

dopage a t port 7.1012/cm2.
Lg = 20nm
Source Drain
Nitrure
Cap layer InGaAs 10 nm 6x1018 Si.cm-3

Barrire In0.35Al0.65As 5 nm
Spacer 3 nm -doped 7x1012
Si.cm-2
Canal In0.65Ga0.35As 10 nm
Couche tampon In0.52Al0.48As 200 nm
Substrat dInP
Figure II-8 Structure de couche optimise pour ralisation de grille sub-50nm.
II.1.3.c) Rsultats lectriques

La caractristique Id(Vds) dun HEMT 20nm est donne Figure II-9. Le courant Id
maximum est denviron 250mA/mm pour une transconductance maximale de 1S/mm. On
peut constater dans la caractristique la prsence dune conductance de sortie gd importante
lie aux effets de canal court, qui nest pas tonnant pour un transistor si court, ainsi que dun
effet kink.
300
Vgs=0,2V
250 Ids(Vds)
200
Ids (mA/mm)
Vgs=0,1V
150
100
Vgs=0V
50
Vgs= - 0,1V Vgs= - 0,2V
0 Vgs= - 0,3V
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Vds (V)
Figure II-9 Caractristiques Id(Vds) dun HEMT 20nm pseudomorphique sur InP.
A partir des mesures de paramtres Sij dans la bande 0-110GHz, on aboutit un fT de

253GHz et un fmax de 380GHz. Le fT obtenu est en de des rsultats des travaux de NTT et
Fujitsu, et le fmax se situe loin de nos propres rsultats pour un transistor de longueur de grille
60nm. Ce rsultat peut sexpliquer en observant la caractristique Id(Vds) donne Figure II-9.
Le courant Id devrait nettement dpasser les 600mA/mm [Rf. 3]. Ceci provient des zones
recesses, sous lesquelles le gaz 2D peut tre partiellement dsert et donc provoque une
limitation du courant. La solution est lutilisation dune couche dInP de passivation (et de
lingnierie du recess), dont la mise en uvre est une prochaine tape.
31
millimtriques
II.2. Variantes : le HEMT mtamorphique sur substrat de GaAs

Lactivit HEMT AlInAs/GaInAs mtamorphique sur substrat de GaAs a dbut
lIEMN par un travail de thse de P. Win [Rf. 39], en collaboration avec lquipe EPIPHY,
ce qui a donn des premiers HEMTs en 1992 [Rf. 40] et submicronique en 1993 [Rf. 41].
Sappuyant sur ces premiers rsultats prometteurs, nous avons repris avec H. Fourr ces
travaux [co-direction de thse Rf. 8]. Le travail de croissance a t repris par Y. Cordier
[Rf. 42, Rf. 43, Rf. 44]. Les premiers rsultats de HEMTs 100nm ont t prsents en
1998 International Electron Devices Meeting (IEDM) [Rf. 45]. Lensemble des travaux sur
le mtamorphique a donn lieu un chapitre de livre [Rf. 42], des articles dans des
magazines [Rf. 43, Rf. 44, Rf. 46 Rf. 51] ainsi que plus de 23 communications dans des
confrences internationales (Une publications est donne en annexe 2). Pour ce thme, nous
avons travaill sur deux contrats DGA en collaboration avec Thomson-LCR et PICOGIGA.
II.2.1. Principe
Pour les applications en gamme donde millimtrique faible bruit mais aussi de
puissance, les HEMTs mtamorphiques (MM-HEMTs) utilisant une htrostructure
InAlAs/InGaAs sur substrat de GaAs, constituent une bonne alternative aux HEMTs
pseudomorphiques AlGaAs/InGaAs/GaAs (PM-HEMTs) et aux HEMTs InAlAs/InGaAs/InP
adapts en maille (LM-HEMTs). Lavantage du MM-HEMTs est lutilisation de substrat de
GaAs, qui est plus appropri pour une production industrielle faible cot. En effet, un substrat
de GaAs prsente un diamtre plus grand (8 pouces) et est plus robuste mcaniquement quun
substrat dInP (4 pouces). Le second avantage est de raliser une htrojonction
InAlAs/InGaAs sur un substrat de GaAs, les HEMTs InAlAs/InGaAs prsentant les
meilleures performances en millimtrique.
Lutilisation de ce concept permet la ralisation dhtrojonctions Al1-yInyAs/Ga1-
In
x x As non contraintes, avec des taux dindium x~y. Un lment important est lvolution de
la discontinuit de bande de conduction Ec (Figure II-10) entre la matriau Al1-xInxAs et le
Ga1-xInxAs (daprs [Rf. 41]). On peut constater que Ec augmente avec la diminution du
taux dIndium pour atteindre une valeur maximale de 0.7 eV (x~0.3). Ceci va se traduire par
une augmentation de la densit dlectrons du gaz bidimensionnel (2DEG). En dessous de x =
0.3, lnergie de bande interdite de lAlInAs devient indirecte et les propites de transport
lectronique dans le canal GaInAs se dgradent (mobilit, sparation intervalle L).
Pour les forts taux dindium, la distance intervalle L augmente et les propites de
transport lectronique sont amliores. Toutefois au-del dun taux dindium de 0.5, le Ec est
infrieur celui de la filire adapte en maille sur InP, et donc lutilisation dune
htrostructure Al1-xInxAs/Ga1-xInxAs offre moins dintrt. En effet, la densit 2DEG serait
infrieure. Par ailleurs, le contact Schottky se dgraderait pour de faible taux daluminium
dans la barrire AlInAs (fort taux dindium). De plus, pour des taux dindium plus leves, le
dsaccord de paramtre de maille a suprieur 3% rend difficile la croissance de la couche
tampon mtamorphique. Une ide, qui na pas t tudie lIEMN, est dutiliser une couche
tampon mtamorphique AlInAs de taux dindium 0.5, est de faire crotre un canal Ga1-xInxAs
pseudomorphique (0.5<x<0.8). Dans ce cas particulier, on retrouve lavantage du
pseudomorphique sur InP (mobilit et densit 2DEG augmentent en mme temps avec
laugmentation du taux dindium du canal x). Cette solution a t exploite par lIAF [Rf.
52], qui ont obtenue de trs bons rsultats en composants et circuits.
32
millimtriques
2.5
AlAs
interdite (eV 2
Energie band
1.5 GaAs
1 Peak 0.7 eV
x ~ 0.3
0.5 InAs
Ec
0
InP
5.4 5.6 5.8 6 6.2
Paramtre de maille ()
Figure II-10 Energie de bande interdite fonction du paramtre de maille. La
discontinuit de bande de conduction Al1-xInxAs/Ga1-xInxAs est aussi trace pour diffrentes
valeurs de taux dindium x.
Nous nous sommes donc limits lhtrojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs non-

contrainte pour des taux dindium x compris entre 0.3 et 0.5. Diffrentes applications peuvent
tre envisages. Pour les faibles taux dindium (x~0.3), le MM-HEMT est intressant pour des
applications de puissance, parce que son grand gap (Figure II-10) permet de meilleures tenues
en tension (HRL [Rf. 53]), et la densits 2DEG est la plus leve (plus grand courant). De
plus, le grand gap Eg de lAlInAs pour des faibles compositions dindium doit permettre
dobtenir une hauteur de barrire Schottky plus leve. Les MM-HEMTs fort taux dindium
(x = 0.5) peuvent tre employs dans les applications faible bruit. Un taux dindium lev est
favorable aux transports des lectrons dans le canal GaInAs (masse effective plus faible), ce
qui laisse prsager de meilleures performances frquentielles. La valeur intermdiaire x ~ 0.4
est la valeur optimale pour les performances frquentielles et de bruit, et ceci a t dmontr
par H. Happy et al [Rf. 46]. Afin de comprendre les raisons de ce comportement, nous avons
trac sur la Figure II-11, lvolution de la densit 2DEG ns (calcule par Schrdinger-Poisson)
ainsi que la mobilit de ces charges (valeur de la littrature), en fonction du taux dindium.
On peut constater une volution antagoniste de ces deux grandeurs lorsque le taux dindium
varie. En effet, si le taux dindium x augmente, le Ec diminue (et donc le ns). Toutefois la
mobilit augmente. Ces effets opposs conduisent une valeur optimale de taux dindium
denviron 0.4 pour les performances en frquence et en bruit [Rf. 46].
33
millimtriques
Figure II-11 Evolution de la mobilit et de la densit 2DEG fonction du taux

dindium de lhtrostructure InxAl1-xAs/InxGa1-xAs, daprs les calculs de [Rf. 46].
II.2.2. Croissance
Les croissances ont t effectues lIEMN par Epitaxie par Jets Molculaires. La
couche tampon mtamorphique sert accommoder les paramtres de maille de
lhtrojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs et du substrat de GaAs par la formation de dislocations
( misfit ), et doit bloquer ces dislocations afin quelles ne remontent vers les couches
actives. Y. Cordier et al ont utilis une couche tampon AlInAs taux dindium variation
linaire, avec saut de composition en fin de croissance [Rf. 43, Rf. 44].
100 InGaAs 5.10 18

cm-3 In = x
150 InAlAs undoped In = x
d-doped
250 InGaAs undoped In = x

500C
Inversed step
x+0.1 graded
buffer
1m InAlAs undoped
In = 0.01 to (x+0.1) In 400C
0.01
GaAs substrate
Figure II-12 Structure de couche mtamorphique.
34
millimtriques
II.2.3. Rsultats lectriques

II.2.3.a) Longueur de grille 100nm
Afin de complter les donnes prsentes dans cette partie, la Rf. 51 est donne
annexe 2.
II.2.3.a.1) Technologie
Pour la fabrication des HEMTs 100nm, il faut se reporter la partie II.1.1.a.1). En
effet, les procds de fabrication sont quasiment identiques ceux des HEMTs
AlInAs/GaInAs sur InP (LM-InP). La technologie nitrure a t utilise pour les grilles. Seules
les tapes lies aux contacts ohmiques ont t modifies.
De plus, pour le dveloppement de MMICs, la technologie est aussi entirement
compatible avec les MMICs sur InP, car lutilisation dlments coplanaires vitent les tapes
damincissement et de via hole , dont la mise en uvre est fortement dpendante du
substrat.
II.2.3.a.2) Caractrisation lectrique

Les frquences de transition fT sont reportes dans le Tableau II-6. Pour x = 0.4 et x =
0.5, les frquences fT sont proches de celle du LM-InP (fT = 210GHz) ralis avec la mme
technologie. La meilleure valeur des MM-HEMTs est obtenue avec 195 GHz pour x = 0.4.
Ceci confirme les rsultats de simulation par Helena publis par H. Happy et al [Rf. 46].
Pour x = 0.33, le MM-HEMT donne un fT plus faible (160 GHz). Ceci est reli aux plus
faibles paramtres de transport lectronique du GaInAs.
Tableau II-6 Comparaison des frquences de transition fT du gain en courant H21 pour
les filires mtamorphiques sur GaAs et Lattice-Matched sur InP.
Filires fT (GHz)
MM 33% 160
MM 40% 195
MM 50% 180
LM-InP 210
II.2.3.b) Longueur de grille 60nm

Des MM-HEMTs de longueur de grille 60 nm utilisant une lithographie bicouche ont
t raliss sur une couche mtamorphique de composition dindium 0.5. La frquence de
coupure intrinsque fc = gm/2Cgs atteint 360 GHz, le fT est de 260 GHz et le fmax atteint 490
GHz. Ces rsultats ont t publis [Rf. 55, Rf. 56], et constituent encore aujourdhui (au
moment de la rdaction de ce manuscrit soit en 2005) un record mondial de frquence de
transition fmax pour un HEMT sur substrat de GaAs (Figure II-13).
35
millimtriques
Figure II-13 Article paru dans Compound Semiconductor en 2002.
II.3. HEMT AlInAs/GaInAs enrichissement sur substrat de GaAs

II.3.1. Objectifs
Cette partie concerne les travaux de V. Roucher, qui a effectu une thse (en co-
direction) finance par une Convention Industrielle de Formation par la Recherche (CIFRE)
effectue chez OMMIC. Lobjectif finale de cette thse consistait en un dveloppement dune
filire 50nm de HEMTs enrichissement (normaly-OFF, N-OFF) et appauvrissement
(normaly-ON, N-ON) AlInAs/GaInAs mtamorphiques sur substrat de GaAs, pour
dveloppement de circuits numriques DCFL [Rf. 57]. Une application vise tait les
communications optiques haut dbit 80Gbit/s. Un deuxime avantage li lutilisation de
transistor enrichissement dune filire N-OFF est la suppression de lalimentation de grille
[TriQuint Rf. 58, Motorola Rf. 59], ce qui simplifie la conception de circuit, et prsente un
intrt important pour les systmes mobiles (une seule batterie). TriQuint Semiconductor ont
par exemple obtenu une puissance maximale en sortie de 580mW/mm 35GHz, avec un N-
OFF mtamorphique sur GaAs de 0.15m de longueur de grille [Rf. 58]. Cet objectif
ambitieux devait conserver un minimum de compatibilit avec les procds technologiques de
la fonderie OMMIC pour la fabrication de circuits raliss partir de filire pseudomorphique
sur GaAs.
II.3.2. Mise en uvre

Les transistors N-OFF prsentent en gnral des performances frquentielles moins
bonnes que les N-ON. Le meilleur rsultat obtenu est un fT de 300GHz pour un N-ON de
longueur de grille 70nm, et il faut 30nm pour atteindre la mme valeur sur le mme substrat
pour le N-OFF [NTT Rf. 57]. Daprs la Figure II-14, on peut constater que les valeurs de fT
et de fmax sont plus faibles pour les filires N-OFF, si lon compare avec les valeurs des
HEMTs N-ON (Figure I-2).
36
millimtriques
350
N-ON, MM 50%
300 OMMIC
250 fmax
f (GHz)
200
N-OFF, MM 45%
IEMN
150 N-OFF, MM 50%
ft OMMIC
100
N-ON/N-OFF, InP
50 OMMIC
0
0.01 0.1 1
Longueur de grille Lg (m)
Figure II-14 Etat de lart des frquences de coupure fT et des fmax de transistor
AlInAs/GaInAs N-OFF et rsultats obtenus par V. Roucher.
Pour atteindre un fonctionnement N-OFF, nous avons diminu la distance grille-canal,

et utilis une Schottky base de platine (suivi dun recuit pour diffusion du mtal). Les
travaux ont t effectus dans un premier temps lIEMN et ensuite chez OMMIC. Les
principaux rsultats sont compars ltat de lart des N-OFF (Figure II-14). Les travaux
effectus lIEMN ont abouti des frquences de coupure fT et fmax de 155 et 235GHz pour
un MM-HEMT N-OFF 45% (Lg=0.12m). On peut prciser que les travaux chez OMMIC
ont abouti des HEMTS N-ON et N-OFF co-intgrs avec des frquences fT respectives de
130GHz et 120GHz pour Lg=0.17m. Enfin les meilleurs rsultats obtenus par V. Roucher
chez OMMIC sur des HEMTs mtamorphiques 50% fabriqus sparment, sont un fT de
240GHz (Lg=0.1m) pour un N-ON et 160GHz pour un N-OFF (Lg=0.14m). Ces rsultats
sont proches de ltat de lart si on les reporte sur la Figure II-14.
II.4. Perspective du HEMT: Transistors onde plasma

Lensemble de ces travaux est men au sein du groupe ANODE en collaboration avec
le GES (Groupe dEtudes des Semiconducteurs) et le LPM (Laboratoire de Physique
Mathmatique) de Montpellier dans le cadre dune Action Concerte Incitative
Nanosciences-Nanotechnologies intitule Oscillations Trahertz de plasma
bidimensionnels dans les transistors effet de champ longueur de grille nanomtrique . A.
Shchepetov a dbut une thse sur ce thme en septembre 2005 (co-direction).
II.4.1. Motivations : dtecteurs et sources THz

La gamme de frquence THz (ou de longueur donde sub-millimtrique ou infrarouge
lointain), qui stale de 300GHz 3THz (Figure II-15), intresse la communaut scientifique
37
millimtriques
lectronicienne pour la monte en frquence et opto-lectronicienne pour la descente.

Les principales applications de ces frquences sont historiquement la radioastronomie et la
spectroscopie des gaz, et servent lobservation terrestre (radiomtrie de gaz : H20, O2, Cl,
N,observation de la couche dOzone), des plantes et de comtes. Daprs P. H. Siegel
[Rf. 60], la gamme dobservation THz serait susceptible de mettre en vidence la prsence
de vie extraterrestre ! Les THz peuvent savrer intressant en communication (augmentation
des dbits) mais aussi pour limagerie mdicale (T-ray imaging). La faible nergie des rayons
THz (1 THz quivaut environ 4meV dnergie de photon) permet une observation non-
destructive (non ionisant) des cellules observes. La Figure II-16 prsente une observation
dune dent faite par la compagnie Teraview [Rf. 61].
Longueur d'onde (m)

3000 300 30
100 1000
Temprature photon (K
Energie photon (mEV
10 100
Energie
Temprature
1 10
0.1 1
0.1 1 10
Frquence (THz)
Figure II-15 Gamme de frquence THz et quivalences en longueur donde sub-

millimtrique, temprature et nergie des photons.
Figure II-16 Observation dune dent par imagerie T-ray daprs Teraview [Rf. 61]
38
millimtriques
Ltude des transistors onde plasma, dbute en 2003, a t motive par diffrents
facteurs. Les plus hautes frquences damplificateurs faible bruit sont aux alentours de
220GHz avec des HEMTs sur InP de 70nm de longueur de grille. Ces performances pourront
tre encore amliores par la rduction des longueurs de grille, mais nexcderont pas les
quelques centaines de GHz (les concepts originaux prsents dans ce manuscrit, double grille,
VMTnont pas encore dmontrs leur supriorit en terme de frquence de travail dans un
circuit). Un autre facteur est labsence de sources et dtecteurs intgrs faibles cots dans la
gamme de frquence THz. Les dtecteurs (dtection htrodyne ou homodyne) actuellement
utiliss sont les diodes Schottky, les diodes SIS, les bolomtres (HEB)Pour les metteurs,
les travaux actuels pour atteindre le gamme THz sont surtout axs vers la multiplication de
frquence, le photomlange, ou les laser quantiques cascades (QCL).
Une autre solution est base sur la prsence donde plasma dans un gaz dlectron
bidimensionnel sous la grille dun transistor effet de champ. Daprs M. Dyakonov et M.
Shur [Rf. 62, Rf. 63, Rf. 64, Rf. 65], ce principe peut tre utilis pour la dtection, le
mlange et la gnration de signaux aux frquences THz. Lobtention de frquences THz est
rendue possible par la vitesse trs leve des ondes de plasma (~108cm/s), plus grande que la
vitesse de dplacement des lectrons, combine des longueurs nanomtriques de grille. Les
avantages de ces dispositifs sont :
Une compatibilit avec des technologies existantes
La possibilit dintgrer sur la mme puce un dtecteur et un metteur
Laccordabilit en frquence
Un fonctionnement possible temprature ambiante
Des observations exprimentales sont reportes dans diffrentes publications : de la dtection
THz non-rsonnante avec des HEMTs AlGaAs/GaAs 0.25m [Rf. 66], des MOSFETS
nanometriques 300K [Rf. 67], rsonnante avec un HEMT AlGaAs/GaAs 0.15m [Rf. 68],
et enfin une mission entre 0.4 et 1THz avec un transistor LM-HEMT sur InP de longueur de
grille 60nm fabriqu lIEMN par T. Parenty [Rf. 69, annexe 3].
II.4.2. Principe de fonctionnent dun transistor onde plasma

Un plasma est un mlange sous forme gazeuse dlectrons libres, dions et de
particules lectriquement neutres. Le terme de plasma a t introduit par Langmuir et
Tonks en 1923. Une des particularits dun plasma est que les charges qui le constituent
peuvent osciller (par exemple si on les carte de leur position dquilibre, les charges vont
tendre y revenir du fait du potentiel lectrostatique, on aura alors un mouvement pendulaire
de charge despace du plasma : une perturbation responsable de ce phnomne peut tre par
exemple lagitation thermique). La frquence propre de ces oscillations, aussi appele
frquence (angulaire) de Langmuir w0 est donne par la formule suivante :
e 2 ne
w0 = (2)
0me
o e est la charge de llectron, me sa masse, 0 la permittivit du vide et ne la densit
lectronique.
Dans le cas dun semiconducteur en volume, on peut retrouver le mme type de
pulsation plasma wp daprs Dyakonov et al [Rf. 63] :
e 2n
wp = (3)
0 r m *
O ici la densit est remplace par une densit lectronique 3D n, et la masse devient
une masse effective m* des lectrons et est la permittivit du milieu (=0r).
39
millimtriques
Le cas le plus intressant est lorsque lon vient placer une grille au dessus dun gaz
bidimensionnel (Figure II-17), comme dans un transistor effet de champ.
Figure II-17 Structure dun transistor effet de champ.
Dans ce cas, nous obtenons une vitesse donde plasma s :

e 2 ns d eU
s= = (4)
m *
m*
O ns est la densit surfacique de charge, d la distance grille canal, et U lexcursion en
tension grille. Par ailleurs, de telles ondes dans un 2DEG avec grille, ont une loi de dispersion
du type :
w = sk (5)
O k est le vecteur donde, et w la pulsation.
La loi de dispersion de londe plasma est de la mme forme que celle obtenue pour la
propagation des ondes acoustiques, ou des vagues la surface dune eau peu profonde. Ainsi
le fluide lectronique a un comportement identique leau peu profonde ( shallow water ).
On pourra dailleurs dfinir une autre relation de dispersion dans le cas dun systme sans
grille analogue une propagation dans une eau profonde ( deep water ).
Si on considre un gaz bidimensionnel dans un canal GaInAs fort taux dindium, la
vitesse s de londe plasma atteint une valeur de lordre de 1.5.108cm/s (m*=0.041, U=0.5V),
ce qui est bien suprieur la vitesse de dplacement de lectrons. Ainsi si on choisit une
longueur approprie (aux alentours de 100nm), on peut obtenir des frquences de
fonctionnement de lordre du THz.
Diffrentes dispositifs ont t tudis par M. Dyakonov et M. Shur. Ces dispositifs
sont bass sur une structure de HEMT. Les plus intressantes sont des dtecteurs et des
metteurs THz. Pour les metteurs, en choisissant des conditions limites adquates, un court
circuit sur la source et un circuit ouvert sur le drain, il est possible de gnrer un signal de
frquence THz par onde plasma. Une des conditions doscillation, appele instabilit de Shur-
Dyakonov, est que la vitesse de londe plasma s soit suprieure la vitesse de dplacement
des lectrons v0 [Rf. 62, Rf. 63, Rf. 64]. Dans ce cas la frquence fondamentale
doscillation est :
( s 2 v 02 )
f0 = (6)
4 sLg
40
millimtriques
O LG est la longueur de grille. Ce dispositif se comporte comme une flute

lectronique [Rf. 62], le courant DC correspondant au souffle du musicien, la frquence
gnre tant similaire au son mis par linstrument.
En dtection [Rf. 64, Rf. 65], en choisissant les mmes conditions limites, on peut
dtecter une onde THz, qui peut tre rsonnante sous certaines conditions, et dont les
frquences sont :
s
f 0 = ( 2k + 1) (7)
4 LG
s tant la vitesse de londe plasma donne par la relation (4).
Un des avantages des dtecteurs et metteurs bass sur les ondes plasma, est quil est
possible daccorder les frquences par changement de la tension grille source (de la densit
ns). Toutefois le fonctionnement de ces dispositifs est conditionn par la relation (8).
s sm *
= >> 1 (8)
LG qLG
Ce terme traduit lattnuation des oscillations plasma en fonction de la longueur, due
aux interactions subites par les lectrons (phonon, impuret). Il est donc ncessaire de
choisir une longueur suffisamment faible afin dobtenir soit une dtection rsonnante, ou la
gnration dune onde dans le cas de lmetteur. Dans le cas, du dtecteur, on obtiendra une
dtection non-rsonnante (sans pic) de sensibilit trs faible. Pour le GaInAs, la longueur doit
tre infrieure 500nm temprature ambiante. Ce terme damortissement peut aussi tre
traduit par la dgradation du facteur de qualit de la cavit rsonnante constitue du canal du
transistor.
II.4.3. Rsultats exprimentaux

Ces travaux ont dbut par une rencontre avec W. Knap du Groupe dEtudes des
Semiconducteurs de lUniversit de Montpellier, spcialis dans les mesures THz. Ces
mesures ont t ralises 4.2K avec un dtecteur cyclotron InSb accordable par champ
magntique, sur des HEMTs adapts en maille sur InP de longueur de grille 60nm de lIEMN.
Afin dobtenir les conditions dmission (court circuit sur source), la grille et la source ont t
relies par un fil dor. La Figure II-18 reprsente le principal rsultat de cette exprimentation.
Le rsultat important est que la frquence du pic dmission peut tre modifie (de 0.4
1THz) en faisant varier la tension source-drain (grille drain). Ces rsultats sont en bon accord
avec les dmonstrations de M. Dyakonov [Rf. 62] et ont fait lobjet dune publication [Rf.
69] donne en annexe 3. Ce rsultat est la premire dmonstration exprimentale dune
mission THz par oscillation plasma et a fait lobjet de citations dans diffrents magazines.
41
millimtriques
20
1.0 InSb-bulk 1.0
18 a) b)
Emission Intensity (a.U.)
Emission (a.u.)
f (THz)
0.8
16
0.5
0.6
14
0.4
12 0.0
0 1 2 3 0.2 0.4 0.6 0.8
10 f (THz)
U sd (V)
8
InGaAs-HEMT
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12
Detection Frequency (THz)
Figure II-18 Spectres dmission 4.2K, dun LM-HEMT de longueur de grille 60nm
fabriqu lIEMN. Ces mesures ont t effectues au laboratoire GES de Montpellier. Les
figures insres a) et b) reprsentent respectivement la calibration du dtecteur InSb et
lvolution du pic en frquence en fonction de la tension source drain (ou gille drain).
II.4.4. Perspectives
Comme nous lavons vu prcdemment, les premiers rsultats sont trs encourageants.
Les futurs travaux vont dans un premier temps sorienter vers loptimisation de la structure
des HEMTs en vue de lmission. Les premiers rsultats dmission ont t obtenus sur un
HEMT dont la grille et la source taient en court circuit, empchant la polarisation Ugs, et
donc laccordabilit par cette tension.
Afin de raliser un court circuit aux frquences THz, pour respecter la condition limite
source-grille, nous avons dcid dintroduire une capacit MIM (Mtal-Isolant-Mtal) entre la
grille et la source comme schmatise Figure II-19. Lisolant utilis est du nitrure de silicium.
Sub-100nm
Capacit
Air
Grille
Source Drain
Couche
Active
Canal
Substrat InP
InGaAs
2DEG
Figure II-19 Topologies de HEMTs avec capacit de condition de bord ct source,

pour mission THz par oscillation plasma.
42
millimtriques
Une autre configuration peut aussi tre envisage dans laquelle la capacit MIM
pourra tre place sur les plots dpaississement (Figure II-20), ce qui viterait tout risque de
couplage de la grille et du canal entre la source et la grille.
Capacits
externes
Figure II-20 Topologies de HEMTs pour mission THz par oscillation plasma avec
capacits externes.
Afin damliorer les niveaux de dtection et dmission, des antennes THz large bande
peuvent intgres au structure. La Figure II-21 prsente un exemple dune antenne spirale
place entre la grille et la source du transistor. Ces conceptions ont t effectues par Y.
Roelens, et la fabrication par A. Shchepetov durant son Master.
Figure II-21 Transistor pour mission ou dtection par oscillation plasma avec antenne
large bande THz.
Une structure de type diple peut aussi tre ralise (Figure II-22). Cette structure est
constitue de deux contacts Schottky dposs sur lhtrostructure, qui correspondent deux
gaz 2D en configuration shallow water . Par des mesures dimpdance, il est possible
dobserver des pics de rsonance lis aux ondes plasma. Ceci a t dmontr
exprimentalement par P. J. Burke et al [Rf. 70] et est prsent Figure II-22. Lobjectif est de
pouvoir utiliser des moyens de mesures hyperfrquences de lIEMN, entre autre des
analyseurs de rseaux vectoriels (jusque 220GHz), avec une possibilit de mesure en basse
43
millimtriques
temprature (environ 20K , jusque 50GHz), afin de caractriser les ondes plasma dans nos
htrostructures sur InP. La diminution des frquences de mesures est possible en augmentant
les dimensions des dispositifs.
Figure II-22 Evolution de limpdance dans un diple constitu de deux diodes

Schottky daprs Burke et al [Rf. 70]
Enfin pour terminer, une rcente publication fait tat dune possibilit doscillation plasma
observe sur la densit spectrale de bruit du courant drain, obtenue par simulation Monte
Carlo par B.G. Vasallo et al [Rf. 71] dun LM-HEMT 100nm. La densit spectrale est
donne Figure II-23. On peut constater pour une frquence aux alentours de 2THz lapparition
dun pic dans la densit spectrale. La simulation Monte Carlo pourrait donc tre un outil
doptimisation des structures oscillation plasma. En plus, cet outil permettrait de tenir
compte de la topologie complexe dun HEMT, ce qui nest pas fait dans le cas des
dmonstrations analytiques de Dyakonov et Shur. En effet le canal dun HEMT est constitu,
hors contact ohmique, de trois zones diffrentes : une zone sous la grille, une zone de recess et
une zone daccs non-recesse. Ces deux dernires pouvant avoir un fonctionnement de type
onde plasma en eau profonde , peuvent rendre trs difficile les interprtations des
observations exprimentales. De plus, nous avons aussi vu que daprs lquation (8), les
interactions des lectrons pouvaient avoir un rle primordial dans la dtection et la gnration
THz par onde plasma. Cet aspect est aussi pris en compte dans les simulations Monte Carlo.
Enfin, nous devons vrifier labsence dautres phnomnes physiques, et que lmission THz
observe, na pas dautres origines que les ondes de plasma (effet Gunn par exemple).
44
millimtriques
Oscillation
Plasma
1 10 100 1000
f (GHz)
Figure II-23 Densit spectrale de bruit du courant drain dans un LM-HEMT 100nm,
calcul par Monte Carlo daprs B.G. Vasallo et al [Rf. 71].
45
millimtriques
III. Composants rapides alternatifs

III.1. Le HEMT : la fin dun rgne ?
Ces activits, dbutes en 2001, sont nes du constat dune limitation des
performances des HEMTs. En effet, la rduction de la longueur de grille, que nous avons
aussi entrepris, nest pas la solution suffisante pour continuer augmenter les frquences de
coupure, qui semblent limites pour la filire AlInAs/GaInAs aux environs de 600GHz. La
dmarche consistant adapter la structure de couche aux longueurs de grille plus courtes
(rgle de scaling down : Lg/A constant) devient difficile. Ce constat provient de lvolution au
cours des 15 dernires annes des frquences de coupure (Figure I-2). Pour atteindre un
accroissement des frquences denviron 6% par an, les longueurs de grille ont connu une
diminution annuelle denviron 12% (Figure III-1). Ainsi pour atteindre 1THz, il faudra
rduire la longueur de grille 6 nanomtres (en 2011 !), et pour conserver un rapport daspect
de 3, nous devrons rduire la distance grille-canal 2 nanomtres. Dans cette fine paisseur, il
faut placer la barrire Schottky, le plan de dopage ainsi que lespaceur. Cette faible distance
pose des problmes de densit de charge du gaz 2D ainsi que de mobilit. De plus, dun point
de vue technologique, le contrle des zones des extensions de recess va devenir un verrou
technologique .
1000
100
Rduction
Lg (nm)
12% par an
10
1
1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015
anne
Figure III-1 Evolution des longueurs de grille des HEMTs AlInAs/GaInAs de la

littrature.
Ce constat provient aussi des rsultats de frquence de coupure fT et fmax en fonction de

la longueur de grille, qui sont reportes respectivement sur les Figure III-2 a) et b). On
constate pour les faibles longueurs de grille, une augmentation moins significative des
frquences de coupure.
46
millimtriques
ft ft analytique
fmax fmax analytique
1000 1000
Frquence (GHz
Frquence (GHz
100
10 100
10 100 1000 10 100 1000
Longueur de grille (nm) Longeur de grille (nm)
a) b)
Figure III-2 Evolution des fT (a) et fmax (b) suivant la longueur de grille. Ces donnes
sont issues de la littrature et dduites analytiquement daprs lquation analytique 9.
Si lon extrapole, ces courbes par lquation (9) :
.v
f = (9)
2 ( Lg + Lg )
O v reprsente une vitesse moyenne des lectrons, et Lg+Lg une longueur de grille
effective, avec Lg qui correspond la dgradation lie aux effets parasites de fonctionnement
dun HEMT (canal court, capacits et rsistance parasites). En principe dans la littrature,
les extrapolations sont plutt prsentes en terme de temps de transit intrinsque et parasite, et
sont toujours donnes pour le fT. Toutefois, en tant que technologue, linformation sur la
dimension limite dune filire est plus intressante. On aboutit partir de lquation 9, aux
rsultats prsents dans le Tableau III-1. Pour le fT, on obtient une vitesse moyenne de 2.6
105cm/s, et les effets parasites vont devenir prdominant partir dune longueur de grille de
50nm. Pour le fmax, les donnes de la littrature aboutissent un ratio fmax/fT de 2.5 pour des
longueurs de grille de plusieurs centaines de nanomtre. De plus le fmax est trs vite limit par
la contribution des phnomnes parasites dun HEMT. En effet le Lg est de 170 nanomtres,
ce qui signifie qu partir dune longueur de grille avoisinant cette valeur, la frquence fmax est
limite.
Tableau III-1 Paramtres de vitesse et de longueur effective de grille dduits du fT et

du fmax daprs quation 9.
v x105 (m/s) Lg (nm)
fT 1 2.6 50
fmax 2.5 2.6 170
Ainsi une rupture, en terme de concept, est ncessaire. Il faut dvelopper de nouveaux
concepts ou nouvelles voies de fonctionnement. Deux voies ont t aborde : les HEMTs sur
substrat transfr et les composants balistiques.
47
millimtriques
III.2. HEMTs sur substrat transfr

III.2.1. Principe
Le transfert de substrat ou report de substrat, est bas sur deux tapes principales
(Figure III-3): le collage (ou bonding) et ensuite la suppression du substrat dorigine.
Il existe beaucoup de techniques issues principalement de lindustrie du silicium. Il
existe quatre types principaux de collage :
Le collage semiconducteur/semiconducteur (exemple :InP/InP).
Le collage isolant/isolant (exemple : SiO2/ SiO2).
Le collage par mtaux (exemple : InPb/Au).
Le collage utilisant des polymres.
Les deux premiers collages sont bass sur les forces de Van der Waals et ncessitent
des traitements de surface adquate (polissage, nettoyage), ainsi quun recuit aprs mise en
contact des deux substrats. Ces collages sont un peu plus dlicats de mise en uvre, car ils
ncessitent des surfaces parfaitement planes et trs propres, et des tempratures importantes
pas toujours compatibles avec un post-process. Le collage mtallique prsente lavantage de
la simplicit, mais va introduire un conducteur supplmentaire sous le composant. Le collage
polymre est trs simple de mise en uvre, les recuits sont compatibles avec des technologies
sur matriaux III-V. Cest ce collage que nous avons choisi.
Ltape finale est la suppression du substrat de rfrence (substrat dInP sur la Figure
III-3). Deux principales techniques existent :
La gravure du substrat
Des techniques de type Smart cut [Rf. 72].
La technique de type Smart cut prsente lavantage quil est possible de rcuprer le
substrat de dpart, et est intressante pour un dveloppement industriel. La rcupration des
substrats permet de rduire le cot de fabrication. La technique de gravure est trs simple de
mise en uvre, et ne demande que linsertion de couches darrt. Cest cette solution que nous
avons choisie.
1) Croissance 2) Dpt SiO2 ou polymre
3) Collage 4) Suppression du substrat
SubstratdInP SiO2
Couches actives Substrat hte: Si or GaAs...
Figure III-3 Technique de report de substrat.
A partir du report de substrat, il est possible de raliser de nouvelles structures de

composants. Lquipe de Rodwell, de lUniversit de Santa Barbara, a dmontr une
frquence maximale doscillation fmax suprieure 1THz [Rf. 73], obtenue avec un transistor
bipolaire htrojonction (HBT) sur substrat transfr. Cet excellent rsultat, jamais dpass,
a t permis par le positionnement du collecteur en vis--vis de lmetteur, permettant ainsi la
rduction de la capacit de contre raction Cbc, lment limitatif pour le fmax. La ralisation de
cette structure a t rendue possible par lutilisation de la technique de transfert de substrat.
Cette technique est aussi largement utilise dans lindustrie, pour la fabrication des MOSFETs
48
millimtriques
SOI (Silicon On Insulator) [Rf. 72]. De plus, des tudes sur des MOSFETs multigrille
(double gate, Gate All Around) ont dbut, et peuvent tre une solution pour poursuivre la
loi de Moore [ITRS 2003, Rf. 74]. Lessentiel des travaux sur silicium, concerne
lamlioration des caractristiques sous la tension de seuil.
Diffrentes possibilits sont offertes par lutilisation du report de substrat : le HEMT
sans couche tampon (Figure III-4-a) et le HEMT double grille (Figure III-4-b). Dans un
HEMT sans couche tampon, une rduction de la conductance de sortie est attendue, les
lectrons ne peuvent plus tre injects dans le substrat. La structure du double grille peut
permettre laugmentation de lefficacit de commande de charge, ainsi quune rduction,
comme pour le HEMT sans couche tampon, de la conductance de sortie. Par ailleurs, les
caractristiques de pincement peuvent tre amliores. Le double grille peut aussi permettre le
dveloppement du transistor modulation de vitesse (VMT : Velocity Modulation Transistor
[Rf. 75]), que nous aborderons plus en dtail dans la partie III.2.4.
Schottky AlInAs Schottky AlInAs
Canal GaInAs Canal GaInAs

Couche disolant (BCB, Si3N4) Schottky AlInAs
Substrat hte
Couche disolant (BCB, Si3N4)
Substrat hte
a) Sans couche tampon b) Double grille

Figure III-4 Possibilit de nouvelles structures de HEMTs utilisant la technique de
report de substrat.
Ces nouvelles structures seront prsentes dans les parties suivantes. Mais dans un
premier temps, nous allons donner les rsultats du premier HEMT report sur substrat de
silicium (TS-HEMT : Transferred Substrate HEMT).
III.2.2. HEMTs reports sur silicium

La premire tape de ces travaux a consist vrifier la compatibilit du transfert de
substrat et dune technologie de HEMT adapt en maille sur InP de longueur de grille 0.12m
(Figure III-5). La structure de couche est identique celle utilise pour un HEMT de 100nm
(couche tampon classique, seule diffrence inversion de croissance, voir annexe 4).
Lensemble de ces travaux fut une premire mondiale et a fait lobjet de communications
internationales (Rf. 76, Rf. 77), dont un article dans Electron Device Letters (Rf. 78)
donn en annexe 4. Ces travaux ont t mens en collaboration avec le CEA-LETI, qui sest
occup de la partie collage SiO2/SiO2 sur substrat de silicium. Les pitaxies par jets
molculaires (et le design des couches) ainsi que les technologies, ont t ralises lIEMN.
49
millimtriques
Schottky AlInAs
Canal GaInAs
Couche tampon AlInAs standard
Couche disolant SiO2
Substrat hte : Silicium
Figure III-5 Premier HEMT adapt en maille report sur substrat de silicium.
Des TS-HEMTs de 0.12m de longueur de grille ont t fabriqus. A partir des

mesures des paramtres Sij jusque 50GHz, nous avons obtenu les frquences fT et fmax de
185GHz et 280GHz respectivement. Ces donnes sont trs proches de ltat de lart pour un
HEMT sur InP de longueur de grille 120nm. De plus, ces performances ont t obtenues sur
un substrat de silicium. Ces rsultats ont permis de vrifier la quasi absence de dgradation
apporte par le transfert de substrat.
III.2.3. HEMTs double grille

III.2.3.a) Motivations
La structure dun HEMT double grille (DG-HEMT) sur substrat report est donne
Figure III-4-b. Deux types de topologie de grille peuvent tre raliss : une topologie simple
commande o les deux grilles sont relies, et une double commande o on peut commander
individuellement les deux grilles. Lensemble des travaux raliss dans cette partie a t
effectu par N. Wichmann au cours dune thse de lUniversit (co-directeur). Ces travaux ont
t en partie financs par lESA.
Les principaux avantages attendus dun DG-HEMT simple commande sont :
Absence deffet de substrat : amlioration de la conductance de sortie gd
Une densit de gaz bidimensionnel double (deux plans de dopage)
Une rsistance carre plus faible et donc de meilleures rsistances Rs et Rd
Deux grilles en parallle : Rg divise par 2
Une meilleure efficacit de commande charge : transconductance gm deux fois
plus grande que celle dun HEMT
Un meilleur pincement du canal
Lensemble de ces paramtres devraient conduire une diminution des effets de canal
court et donc permettre dobtenir des fmax plus leves. Toutefois, si lon nglige leffet des
rsistances daccs, peu de variation est attendue sur le fT (et surtout le fc), la double
commande des lectrons du canal double aussi la capacit Cgs, ce qui rend laugmentation du
gm peu efficace sur le fc (et finalement le fT).
En ce qui concerne le double commande, les lectrons ntant plus moduls en mme
temps, le comportement de ce composant ressemble celui dun HEMT. Toutefois un certains
nombres davantages peuvent tre tirs de cette structure :
Ce composant peut tre une solution idale pour des applications de mlange.
50
millimtriques
Pour les circuits numriques, la possibilit de dcaler les tensions de pincement

par simple contrle dun des potentiels de grille pourrait aboutir une
technologie enrichissement et dpltion.
Enfin, la structure la plus prometteuse est le transistor modulation de vitesse,
pour lequel nous prsenterons quelques lments de rflexion dans la suite de
ce manuscrit.
III.2.3.b) Technologie
Une mthode de collage a t dveloppe lIEMN, base sur une couche de
polymre, le BCB (BenzoCycloButene). Cette mthode a t choisie par sa simplicit de mise
en uvre. Le BCB possde une trs faible valeur de permittivit dilectrique (r # 2,5)
permettant ainsi dobtenir des capacits parasites les plus faibles possibles. De plus, le BCB
possde une trs faible valeur de perte dilectrique (tan # 5.10-4). Du point de vue
technologique, le BCB est trs simple dutilisation. Il se dpose de la mme manire quune
rsine optique. Enfin, ce polymre est trs rsistant aux diffrents procds technologiques
(actone, alcool, solution de gravure, recuit).
Les principales ralisations technologiques sont prsentes Figure III-6. La Figure
III-6-a correspond une technologie en lithographie optique [Rf. 79, Rf. 80]. Les longueurs
de grille sont de 1.2 et 1.4m. La Figure III-6-b est une coupe transversale dun DG-HEMT
ralise en lithographie lectronique [Rf. 81]. Les longueurs de grille en T de type bicouche
sont de respectivement 280 et 100nm. La dernire photographie correspond un DG-HEMT
de longueur de grilles 100nm [Rf. 82, annexe 5]. Pour lalignement avant et aprs collage, en
lithographies lectronique et optique, nous avons utilis le mme jeu de marques
dalignement. En effet lors de la fabrication du premier HEMT, des marques sont ralises et
permettent ainsi le bon positionnement des diffrents niveaux. Ensuite lors du retrait du
substrat dInP et des diffrentes couches darrt, les marques initiales se retrouvent en surface
du BCB et peuvent donc de nouveau tre utilises pour le positionnement de la seconde grille.
a) DG-HEMT Lg1=1.2m, b) DG-HEMT Lg1=100nm, c) DG-HEMT Lg1~Lg2~100nm

Lg2=1.4m Lg2=280m
Figure III-6 Microscopie lectronique de DG-HEMTs. Les coupes transversales ont
t ralises par FIB ( Focused Ion Beam ).
Un problme est cependant apparu durant lcriture lectronique de la seconde grille.

Le substrat hte tant recouvert de BCB sur toute sa surface, les lectrons du masqueur
51
millimtriques
lectronique viennent saccumuler et provoque une dviation du faisceau. Cet effet est
schmatis sur la photographie de la Figure III-7, o on peut constater un dsalignement
important entre les deux grilles. Ce problme a t rsolu par modification du procd de
lithographie (Figure III-6.c).
Figure III-7 Dsalignement de grille dun DG-HEMT li la dviation du faisceau

lectronique durant la lithographie de grille. Ce problme a t rsolu par modification du
procd de lithographie lectronique.
III.2.3.c) Rsultats lectriques

Les principaux rsultats lectriques ont fait lobjet de plusieurs communications dans
des revues et confrences internationales [Rf. 79 Rf. 82], avec un papier prsent IEDM
(International Electron Devices Meeting) en 2005, dont une copie est fournie en annexe 5. A
notre connaissance, ces rsultats constituent des premires mondiales.
Un record mondial de transconductance extrinsque a t obtenu avec un DG-HEMT
[Rf. 81], dont la coupe transversale est prsente Figure III-6-b. Les longueurs de grille sont
de 100nm et 280nm. Avec ce composant la transconductance extrinsque Gm atteint
2.65S/mm. Toutefois les performances frquentielles de ce composant sont limites par la
grille la plus longue, avec un fT et un fmax de 110 et de 200GHz respectivement.
Ce rsultat frquentiel a t amlior avec un DG-HEMT [Rf. 82] de longueur de
grilles 100nm (Figure III-6-c). Ces rsultats sont donnes Figure III-8, et sont compars avec
ceux dun HEMT adapt en maille sur InP 0.1m, utilisant le mme procd de fabrication.
En utilisant une extrapolation 6dB/octave, le fT et le fmax du HEMT sont de 209GHz et
220GHz respectivement. Le DG-HEMT prsente un fT et un fmax de 192GHz et 288GHz.
Laugmentation du fmax par la structure double grille est denviron 30%.
52
millimtriques
50 30
Mason's Unilateral power gain Ug (dB)

45 25
Current Gain |H21| (dB)

40 20
HEMT
35 15
DG-HEMT
30 10
DG-HEMT
25 5
20 0
10 100 1000
15 Frequency (GHz)
HEMT
10
5
0
10 100 1000
Frequency (GHz)
Figure III-8 Evolution du gain unilatral de Mason U en fonction de la frquence pour

un DG-HEMT et un HEMT. Les longueurs de grilles sont de 100nm. La figure insre
reprsente les gains en courant H21
Lamlioration du fmax pour le DG-HEMT, provient dun meilleur gain en tension

gm/gd, surtout lie une transconductance gm deux fois plus grande. De plus, lorsque la
tension Vgs se rapproche de la tension de pincement, le gm/gd atteint une valeur 10 fois plus
grande que celle du HEMT.
III.2.4. Evolution de lactivit HEMTs sur substrat transfr

Lensemble des rsultats prsents prcdemment a dmontr les potentialits et la
faisabilit des HEMTs sur substrat transfr. Diffrentes structures sont ltude, ou vont tre
dveloppes :
Nous avons vu quil tait possible de raliser des HEMTs sans couche tampon (Figure
III-4). Une tude comparative [Rf. 83] de ces composants avec des HEMTs standard par
modlisation Monte Carlo, indique une augmentation de 15% des frquences de coupure, lie
la diminution de la conductance de sortie gd. Cette tude doit tre confirme par des
ralisations technologiques.
Pour le HEMT double-grille, la structure de couche doit tre optimise. Lutilisation
dune structure de couche, qui a consist symtriser celle dun HEMT, nest peut tre pas
loptimal. On peut faire varier les paisseurs ou/et les valeurs des plans de dopage. La
ralisation dun canal composite, par introduction au centre du canal dune fine couche
dInAs, peut permettre daugmenter les proprits de transport. Les lectrons dans une telle
structure sont situs plus au centre du canal, et sont donc carts des plans de dopage. Cet
loignement des plans de dopage peut rduire les interactions avec impurets.
Enfin une volution possible est le DG-HEMT avec double commande. Dans les
prcdentes tudes, les grilles taient connectes ensemble (Figure III-9). Pour sparer les
deux grilles, il est ncessaire de les isoler laide du Msa (Figure III-9). Cette technique
requiert un parfait positionnement entre les diffrents niveaux, qui ne peut tre obtenu que par
lithographie lectronique de tous les niveaux (en particulier le msa et les grilles).
53
millimtriques
Mesa
Couche active
Mesa
Simple commande
Grille 1
Source
a) Coupe transversale
selon la largeur W
Drain
Grille 2
a) Vue de dessus
Double commande Mesa
Couche active
Grille 1
Grille 2
Figure III-9 Technologie double grille pour simple et double commande. Le schma a)
correspond une vue de dessus du transistor. Le schma b) est une coupe selon la largeur W
sous la grille.
Un DG-HEMT avec deux commandes de grilles rend possible la fabrication de

transistor modulation de vitesse (VMT, [Rf. 75]). La topologie dun VMT est prsente
Figure III-10. Lide de base est de moduler le courant, par une variation de vitesse entre deux
canaux de mobilit diffrente, sans variation de charge totale. La variation de conductance
source drain dun VMT, lorsque lon applique une variation de tension entre les deux grilles,
peut tre mise sous la forme [Rf. 75] :
G = qN + qN (10)
Dans lquation (10), le premier terme correspond un fonctionnement classique de

transistor effet de champ. Le second terme correspond la variation de conductance lie la
variation de vitesse du VMT. Dans un transistor effet (TEC), la modulation du courant se
fait par variation de la densit de charge, ce qui requiert une redistribution des charges via les
contacts de source ou de drain. Cette variation de charges sous la grille va se faire durant le
temps de transit tr. Ce temps de transit tr est la limitation frquentielle du transistor. Dans le
cas, ou la conductance du canal nest plus module par la variation de charges, cest--dire
que la densit de charges N est constante (N=0), la commutation du transistor est limite par
le temps ncessaire aux lectrons pour passer dun canal un autre. En choisissant une
distance faible entre les deux canaux (paisseur de couche fixe par croissance), on peut
atteindre un temps de commutation trs infrieur au temps de transit tr dun TEC. De plus ce
temps de commutation nest plus limit par la longueur de grille Lg.
En effet, si lon nglige les effets transitoires et si lon suppose que les vitesses et les
densits de charges sont constantes le long du canal du transistor, on peut crire :
I d = qW ( n1 v 1 + n2 v 2 ) (11)
54
millimtriques
Avec W la largeur du transistor et v1 et v2 les vitesses respectives des canaux 1 et 2 .

Si lon suppose quen appliquant une variation de tension Vg sur la grille 1 et Vg
sur la grille 2 (fonctionnement diffrentiel), et que les lois de commande de charge sont
identiques sur les deux grilles, on aura une variation de charges ns dans le canal 1 et -ns
dans le canal 2. La transconductance peut en premire approximation scrire :
dI d dn s
gm = qW (v 1 v 2 ) (12)
dV g dV g
De la mme manire on peut tablir que la capacit Cg est :
dn dn s
Cg qW ( Lg 1 Lg 2 ) (13)
dV g dV g
O Lg1 et Lg2 sont les longueurs de grille 1 et 2. Ainsi la frquence de coupure vaut :
gm v
fc = (14)
C gs Lg
Ainsi si les longueurs de grille sont identiques, la frquence de coupure dun VMT
idal est infinie.
Source Drain
Grille 1
Mobilit 1 Quelques
Mobilit 2 nanomtres
Substrat hte
Grille 2
1 << 2
Figure III-10 Topologie dun Transistor Modulation de Vitesse
Toutefois ce fonctionnement idal induit des contraintes de fonctionnement. Tout

dabord la condition ncessaire dun fonctionnement purement en modulation de vitesse, est
que la variation de charges doit tre nulle. Ceci va imposer des contraintes au niveau des
commandes de grille, qui doivent tre en premire approximation de signe oppose
(fonctionnement push-pull, signaux en opposition de phase). Des simulations Monte Carlo
[Rf. 84, Rf. 85] sur des structures AlGaAs/GaAs estiment que le temps de commutation
dun VMT peut atteindre 1/3 du temps de transit dun TEC. Cette limitation provient de la
diffrence de rpartition des lectrons dans le canal suivant la direction source-drain, entre
ltat haut (lectrons dans le canal haute mobilit) et ltat bas (lectrons dans le canal faible
mobilit). La carte de vitesse est en effet diffrente suivant ces deux tats. Ainsi afin
55
millimtriques
datteindre le rgime permanent, des lectrons doivent quand mme transiter de la source ou
du drain. Ce qui revient, si lon nglige le temps de passage des lectrons entre les deux
canaux, limiter le temps de commutation par une fraction (1/3 daprs Rf. 85) du temps de
transit tr (comme dans un TEC).
Beaucoup de travaux [Rf. 75, Rf. 84 Rf. 93] ont t publis sur des
htrostructures AlGaAs/GaAs. En gnral, les diffrences de mobilit sont obtenues par des
dopages compenss (accepteurs Na= donneurs Nd) ou en modifiant la temprature de
croissance. Des travaux sur des VMT base de silicium ont aussi t publis [Rf. 94 Rf.
96]. Ces travaux sont essentiellement des simulations Monte Carlo (avec dopage compens ou
silicium contraint). Lensemble de ces travaux montre la possibilit de modulation de courant
par la diffrence de mobilit. Toutefois la suprmatie frquentielle du VMT par rapport au
TEC na pas t clairement tablie. En simulation un temps de commutation correspondant au
tiers du temps de commutation dun HEMT peut tre obtenue daprs la Rf. 85. Par ailleurs
K. Maezawa et T. Mizutani de NTT [Rf. 97] affirment que le fT dun VMT est identique
celui dun TEC, et que le gain unilatral atteint une valeur de 10dB lorsque celui du TEC est
0dB, pour un rapport de mobilit suprieur 100 (7dB pour un rapport de 10).
Lobjectif des travaux effectus lIEMN sur cette structure est la dmonstration de la
monte en frquence avec un VMT. La motivation est dabord lie la possibilit de raliser
un vrai double grille. Avec notre procd technologique, les deux grilles sont places
lune en face de lautre, comme cela est schmatis Figure III-10, ce qui est plus favorable
une augmentation des performances frquentielles. Ensuite ces travaux utilisent
lhtrojonction AlInAs/GaInAs, qui prsente actuellement les meilleures proprits de
transport pour les HEMTs. La structure finale est ltude et nest pas encore dfinie, et
sinspire de celle utilise par le double grille. Toutefois pour le canal faible mobilit, nous
nous orientons vers un dopage compens. De plus en jouant sur lpaisseur des espaceurs, on
peut moduler la mobilit. Enfin il est envisag de faire varier le taux dindium entre les deux
canaux.
Un autre problme surmonter est la caractrisation hyperfrquence du VMT. Comme
nous lavons indiqu, il est ncessaire dappliquer des signaux en opposition de phase (push-
pull), afin de prserver une densit de charge constante. Ceci peut tre effectu soit en
intgrant un circuit passif de dphasage ( balun faible bande) ou de manire externe par
lutilisation dun circuit de dphasage (ou un analyseur diffrentiel de rseaux vectoriels).
Enfin, il nous faudra aussi dvelopper le schma quivalent petit signal, qui est
fortement li aux conditions et la comprhension du fonctionnement de ce composant.
III.3. Composants balistiques

Lensemble de ces travaux a dbut fin 2001 et a fait lobjet dun financement
Europen (IST-FET : NANOTERA) en collaboration avec lUniversit de Salamanque
(Espagne) et lUniversit Catholique de Louvain (Belgique). Ces travaux sont par ailleurs
soutenus par une ACI Jeune Chercheur (Y. Roelens). Pour lIEMN, ces travaux ont t
dvelopps par un thsard (J.S. galloo) et deux post-docs. Les activits dveloppes sont
fortement axes vers la technologie des nano-dispositifs balistiques. Toutefois une partie des
travaux de simulation Monte Carlo, ainsi que les caractrisations lectriques, ont aussi t
faits lIEMN. Ces travaux ont fait lobjet de nombreuses communications et publications
dans des revues internationales [Rf. 98 Rf. 109].
Dans cette partie, nous prsenterons dabord le principe de fonctionnement dun
composant balistique ainsi que les structures tudies lIEMN. Ensuite nous donnerons une
description des nano technologies dveloppes dans le cadre de cette activit. Enfin nous
terminerons par les caractrisations lectriques des dispositifs.
56
millimtriques
III.3.1. Principe de fonctionnement et fonctionnalits

Le transport balistique est possible lorsque les dimensions du composant sont plus
petites que la longueur du libre parcours moyen des lectrons. Les lectrons, ne subissant plus
ou peu dinteractions durant leur dplacement dans la zone active, peuvent atteindre des
vitesses trs leves et donc pour des dimensions nanomtriques, des temps de transit trs
faibles. Ces faibles temps de transit laissent prsager des frquences de fonctionnement trs
leves.
Les progrs de la nano-lithographie peuvent permettre le dveloppement de
composants balistiques ou quasi-balistiques, temprature ambiante avec toutefois une
condition importante : lutilisation dun matriau trs haute mobilit lectronique. Le
GaInAs fort taux dindium est un trs bon candidat pour un fonctionnement temprature
ambiante. En effet dans ce matriau, la longueur de libre parcours moyen temprature
ambiante est suprieure 100 nanomtres [Rf. 98].
Bass sur le transport balistique, des comportements intressants peuvent tre
exploits. Nous ne nous intresserons pas aux phnomnes quantiques (quantification de
conductance, interfrence quantique, stub lectronique). Les composants bass sur la
cohrence de phase des lectrons imposent trop de contraintes : ncessit dtre monomode,
fonctionnement trs basse temprature et excellente reproductibilit technologique (contrle
dimensions, dfauts matriaux). De rcents travaux bass sur des fonctionnements non
linaires de dispositifs balistiques [Rf. 110 Rf. 126] saffranchissent de ces contraintes.
Un composant trs intressant est la jonction balistique trois branches, appele TBJ Three-
terminal Branch Junction [Rf. 110 Rf. 123]. Une reprsentation de cette jonction est
donne Figure III-11-a. La Figure III-11-b correspond lvolution des coefficients de
transmission calculs par le formalisme de Landauer et Buttiker en fonction de V. Les
conditions de polarisation correspondent un fonctionnement en mode push-pull, c'est--dire
que le potentiel appliqu sur le drain 1, VD1, est de signe oppos par rapport celui appliqu
sur le drain 2, VD2 (VD1=VD2=V). On constate un changement des coefficients de
transmission de la source vers le drain 1 (ou drain 2) suivant la tension V appliqu, indiquant
une commutation de lune des deux branches (drain 1 ou drain 2). La transmission de londe
lectronique se fait vers une branche ou lautre suivant le V appliqu.
V
a) b)
Figure III-11 TBJ Three-terminal Branch Junction daprs J-O. J. Wesstrm [Rf.
110].
Diffrentes travaux ont t publis sur des ralisations de TBJ et leur caractrisation
lectrique. Le rsultat le plus intressant [Rf. 115] est donn Figure III-12, ou la structure est
57
millimtriques
constitue dune htrojonction InP/In0.75Ga0.25As. La courbe reprsente lvolution VC

temprature ambiante du potentiel de la branche centrale en fonction du potentiel V0 appliqu
en mode push-pull. Ce relev indique que le potentiel est ngatif et volue de manire
parabolique suivant V0. Ce comportement est relier un transport balistique des lectrons
dans le canal ainsi quun effet de charge despace. On peut aussi comprendre ce
comportement par les coefficients de transmission prsents prcdemment (Figure III-11).
Lorsquun potentiel V0 positif est appliqu sur la branche gauche (VL>0V et VR<0V), ce qui
correspond V<0, le coefficient de transmission de la branche droite T13 est gal 1, tandis
que le gauche T12 est nul. Ce qui signifie que la conductance du ct droit est trs grande alors
que celle du ct gauche est faible. Le ct droit tant fix un potentiel ngatif, on retrouve
un potentiel ngatif sur Vc. De plus la forme de ce potentiel est parabolique.
Les applications de ce comportement sont multiples. Dans un TBJ, le comportement

non linaire peut tre exploit pour le dveloppement de redresseur ou de multiplieur de
frquence [Rf. 118, Rf. 119].
T=300K
VR
VL=VR=V0
VC
VL
Figure III-12 Evolution du potentiel Vc de la branche centrale en fonction de la tension

en mode push-pull V0. La photographie reprsente le dispositif [Rf. 115].
58
millimtriques
VL=VR=V0
Figure III-13 Demi additionneur 1 bit daprs [Rf. 122]. X et Y sont les deux bits
dentre. C est la carry de sortie.
Par ailleurs un TBJ peut tre utilis pour raliser des portes logiques [Rf. 120 Rf.
123]. En effet ds que lon applique un signal ngatif sur une des branches dentre droite ou
gauche, on obtient un signal ngatif en sortie. En considrant ce niveau dentre ngatif
comme un niveau logique haut, on obtient [Rf. 120] une fonction OU (OR), ou un ET (AND)
si ce niveau est considr au niveau logique bas. Ainsi si lon inverse le signal de sortie, on
obtient un NAND [Rf. 123]. Des fonctions plus compliques ont t ralises comme par
exemple un demi additionneur 1 bit [Rf. 122], dont une photographie est donne Figure
III-13. Un avantage supplmentaire de ce dispositif est son faible encombrement.
III.3.2. Activits lIEMN

III.3.2.a) Topologies tudies
Nous avons vu que les composants balistiques pouvaient offrir des fonctionnalits trs
intressantes, et directement utilisables dans des circuits. Notre activit sest focalise sur le
dveloppement de TBJ [Rf. 98 Rf. 107] pour applications haute frquence de
redressement et de mlange [Rf. 108 et Rf. 109], ainsi que de TBJ avec grille (composant
dit actif ) [Rf. 99, Rf. 103, Rf. 106, Rf. 107]. La rfrence 116 est donne en annexe 6.
Loriginalit de notre structure avec grille, par rapport aux travaux publis, est lutilisation
dun contact Schottky, qui doit permettre dobtenir une commande de charge plus efficace, et
des tensions de commande compatibles avec les tensions des circuits modernes. Lessentiel
des travaux de la littrature prsents prcdemment utilisent des grilles de type side gate .
La commande se fait par un effet de champ. La distance entre la grille et le canal tant
importante, il faut des tensions de commande leves.
59
millimtriques
Grille 1.0
left right Left Branch
0.8
Right Branch
0.6
bottom
I/Imax
max
/II
0.4
0.2 Bottom Branch
0.0
-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
VG (V)
A) B)
1.0
0.5
Vg (V) (a)
0.0
(V)V
G
-0.5
-1.0
1.0
maxr
0.8
/I
0.6 (b)
Idroit/Imax
0.4
0.2
Right branch
0.0
1.0
maxc
0.8
Icentral/Imax Time (ps)
/I I
0.6
0.4
0.2 (c)
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Central
Time (ps)
C)
Figure III-14 TBJ avec grille (A), et volution des courants suivant la tension de grille
(B). Caractristiques temporelles des courants suivant une commande de grille 1THz (C).
Ces rsultats sont issus de simulation Monte Carlo [Rf. 103].
La Figure III-14-A est une reprsentation dun TBJ avec grille. Lobjectif ici, est de
raliser un commutateur de courant bas sur un fonctionnement balistique. En agissant sur le
potentiel de la grille, il est possible de dvier le flux dlectrons vers le contact droit ou bas.
Cette action est confirme par lvolution des courants (Figure III-14-B) obtenue dans les
diffrentes branches suivant le potentiel de grille. Ces caractristiques ont t obtenues par
simulation Monte Carlo [Rf. 103] dans le cadre du projet Nanotera . La largeur du TBJ
fait 40nm, et la longueur des branches est de 100nm. Les branches droite et basse sont fixes
un potentiel de 0.5V. La branche gauche est fixe 0V. La Figure III-14-C donne les
60
millimtriques
caractristiques temporelles des courants suivant un signal carr de grille 1THz. On constate
bien une commutation des courants des diffrentes branches une frquence de 1THz. Ces
rsultats confirment la possibilit de fonctionnement haute frquence des dispositifs
balistiques intrinsques (les lments parasites ne sont ici pas pris en compte) temprature
ambiante.
Une ide intressante [Rf. 117], qui utilise des TBJ avec grille, est de raliser un
inverseur complmentaire balistique utilisant des matriaux III-V. Lavantage dune porte
complmentaire, telle quen CMOS, est labsence de courant durant le rgime permanent.
Cette structure a t simule en Monte Carlo (Figure III-15-b) et la caractristique de transfert
est donne Figure III-15-c. On obtient bien un inverseur, avec toutefois un dfaut : lorsque Vg
est au niveau haut la tension de sortie nest pas nulle. Ceci sexplique par la caractristique de
la Figure III-14-b. Lorsque Vg est +0.5V, un courant non nul traverse la branche du bas
(bottom branch), ce qui signifie que cette branche nest pas totalement ferme. Sur linverseur
(Figure III-15-a), ce courant de fuite empche lisolation totale entre la sortie et lalimentation
VDD. Bien que cet inverseur ne soit pas sans dfaut, son fonctionnement peut tre tudi. En
effet, son faible encombrement et ses potentialits frquentielles sont des arguments
intressants.
a) b)
c)
Figure III-15 Inverseur complmentaire (a) utilisant des TBJ avec grille daprs Palm
et al [Rf. 117]. En (b), nous donnons la structure simule en Monte Carlo. La figure (c) est la
fonction de transfert du potentiel de sortie Vout en fonction de la tension de grille applique.
61
millimtriques
III.3.2.b) Fabrication des composants balistiques

Les dtails des procds de nano-fabrication dvelopps lIEMN peuvent tre
retrouvs dans la Rf. 99, et les Rf. 104 Rf. 107. (Rf. 106 est donne en annexe 6).La
structure de couche utilise pour la fabrication des composants balistiques est base sur une
htrostructure ralise par MBE sur substrat dInP. Cette structure a t optimise pour
supprimer tout transport diffusif dans les diffrentes couches dopes.
La technologie des composants balistiques est similaire celle utilise pour la
fabrication des HEMTs. Ce qui fait un avantage supplmentaire pour cette filire. Les
principales tapes sont :
1. le msa
2. les contacts ohmiques
3. la grille (dans le cas des actifs)
4. les plots dpaississement
Les diffrences sont essentiellement sur la dfinition de la zone active, qui se fait par
ltape de msa. Les dimensions des composants balistiques doivent atteindre des largeurs
denviron 100nm pour des longueurs de quelques centaines de nanomtres, avec des
rsolutions de la dizaine de nanomtres. Ceci demande un soin particulier pour la lithographie
lectronique et la gravure des msa. Pour la lithographie lectronique, nous avons utilis une
rsine ngative, la HSQ (Hydrogen SilsesQuioxane, (HSiO3/2)n), qui prsente une bonne
rsolution, due sa faible taille de polymre [Rf. 127 Rf. 131]. Lutilisation dune rsine
ngative est motive pour obtenir des temps dcriture raisonnables au masqueur lectronique.
Cette rsine se transforme en un oxyde de silicium aprs traitement adquat (recuit,
exposition). Elle peut tre utilise comme un isolant.
Pour la gravure, nous avons prfr une gravure plasma partir de gaz CH4/H2/Ar, la
gravure humide classiquement utilise pour les msa des HEMTs. La gravure plasma offre
une meilleure reproductibilit, une rugosit de bord moins importante et beaucoup moins de
sous-gravure.
Grille
HSQ
HSQ
Canal
a) Vue de dessus b) Coupe transversale au FIB

Figure III-16 Photographie dun TBJ avec grille.
62
millimtriques
Pour la ralisation de la grille, afin dviter le courant de fuite de grille, entre le canal
GaInAs (matriau petit gap) et le mtal, une fine couche de HSQ doit tre insre, ce qui
donne un contact combinant un effet Schottky et MIS (Metal Insulator Semiconductor), la
HSQ tant un oxyde de silicium. Cette technique est schmatise par les photographies de la
Figure III-16. Par ailleurs, un soin particulier a t apport la lithographie sur la prcision
dalignement et donc de positionnement des diffrents niveaux (rsolution
alignement<20nm).
III.3.2.c) Caractrisations lectriques
III.3.2.c.1) Composants balistiques passifs

La Figure III-17 prsente des rsultats de caractrisations lectriques en mode puh-pull
de TBJ temprature ambiante [Rf. 105]. Si lon mesure la tension Vc sur la branche
centrale, on observe bien un potentiel ngatif. Ce potentiel volue en V02 pour une tension
dVc
V LR = 2V0 0.5V et ensuite est linaire. En effet si lon trace la drive (Figure III-17-
dV0
c), on obtient bien deux zones. La zone parabolique correspond aux prdictions prsentes
dans la partie III.3.1 et ce rsultat a t retrouv par des simulations Monte Carlo, utilisant un
modle classique (pas deffet quantique) [Rf. 98, Rf. 101, Rf. 107]. La parabolocit est
obtenue si deux conditions sont runies : un transport quasi-balistique et un phnomne de
charge despace (le canal doit tre presque dsert). Ce qui conduit des conditions de
fonctionnement pour la forme quadratique :
Si la distance entre les lectrodes droite et gauche est trop grande (environ
500nm pour notre htrostructure temprature ambiante), leffet parabolique
sestompe et le signal au centre du TBJ devient linaire (nul si les rsistances
daccs des deux branches sont identiques). Ceci sexplique par le passage
dun mode quasi-balistique un mode de transport diffusif. Chaque branche se
comporte alors comme une rsistance, et lon obtient un diviseur de tension.
Un autre lment important pour obtenir une forme parabolique est la largeur
des branches. Celles-ci doivent tre suffisamment faible, sinon leffet
parabolique disparat. Ceci indique que le phnomne parabolique est atteint,
lorsque le canal est presque dsert.
Lautre rsultat des tudes menes en collaboration avec nos partenaires de

lUniversit de Salamanque [Rf. 98], est sur la deuxime partie de la courbe, ou lvolution
du potentiel central est linaire. Cette volution est due au passage des lectrons en valle
latrale L, qui vont venir saccumuler du ct de lanode du dispositif, et crent ainsi une
charge despace. Cette charge despace compense pratiquement toute volution de la tension
applique VRL. Ainsi on retrouve la quasi valeur du potentiel de la cathode (qui est ngatif) sur
la branche centrale. Ce comportement indique quau-del dune certaine tension (ici 0.5V
pour le GaInAs), les lectrons deviennent lourds, ce qui est antagoniste dun fonctionnement
balistique et donc de la monte en frquence.
63
millimtriques
VR
VC
VL
a) SEM dun TBJ. La largeur est de 120nm

0 1.5
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
-0.05 1
-0.1 0.5
dVc/dV0)
Vc (V)
-0.15 0
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
-0.2 -0.5
-0.25 -1
-0.3 -1.5
Vr=-Vl=V0 (V) Vr=-Vl=V0 (V)
b) Vc=f(V0) c) Drive de VC fonction de V0

Figure III-17 Caractrisations lectriques de TBJ (a) en mode push-pull temprature
ambiante. La courbe b) reprsente la tension Vc de la branche centrale et la courbe c) sa
drive en fonction de V0.
Si lon fait varier langle entre les branches droite et gauche, on obtient une jonction
en Y (YBJ). Leffet parabolique est plus prononc, les charges provenant de la cathode
pntrant plus loin dans la branche centrale [Rf. 100, Rf. 101, Rf. 106].
Enfin, des rsultas prliminaires de mesures hyperfrquences indiquent limportance

des lments extrinsques sur le comportement frquentiel dun dispositif balistique [Rf. 99,
Rf. 108, Rf. 109]. La Figure III-18 prsente un rsultat de la tension continue mesure en
sortie dun double TBJ monte en push-fix. Dans un montage push-fix, une des branches des
TBJ est connecte au plan de masse coplanaire, ce qui permet de supprimer un port daccs et
de pouvoir effectuer des mesures en quadriple. En appliquant un signal sinusodal sur un
port, on peut constater la dtection dun signal continu en sortie, ce qui correspond un
redressement du signal alternatif dentre. Toutefois si on observe la dpendance frquentielle
du dispositif (Figure III-18), on constate une diminution du signal dtect. Ce qui a t
interprte par la forte valeur dimpdance du dispositif balistique qui atteint quelques k,
associ aux capacits parasites de lordre du fF, dues aux couplages entre les diffrents accs.
On voit ici une difficult importante pour la monte en frquence. Les capacits parasites
pouvant tre difficilement rduites, la rsistance du dispositif balistique doit tre diminue,
ainsi que les rsistances daccs. Elargir les TBJ peut tre une solution, toutefois une structure
trop large est antagoniste dun effet parabolique marqu, et donc dune non-linarit
suffisante pour la dtection.
64
millimtriques
-1
[mV]
-10
stem voltage, Vstem
-100
measurements
simulations
-1000
1 10 100 300
Frequency [GHz]
Figure III-18 Mesures de la tension continue dtecte en sortie sur un double TBJ
(photographies) en mode push-fix.
III.3.2.c.2) Composants balistiques actifs

Nous avons vu quun composant actif tait constitu dun TBJ associ une grille. La
Figure III-19 prsente des rsultats de mesures sur un TBJ avec grille [Rf. 106, Rf. 107]. On
constate une volution similaire celle obtenue par les simulations Monte Carlo. On obtient
une commutation entre les courants des diffrentes branches.
65
millimtriques
Id, IsvsVg
16
12 is(A)
id(A)
Id, Is(A)
0
-0.4 -0.2 0 0.2
Vg(Volts)
Figure III-19 Mesures de la caractristique dun TBJ avec grille.
III.3.2.d) Evolution de lactivit composants balistiques
Les structures balistiques offrent des fonctionnalits intressantes pour le redressement

le mlange ainsi que des fonctions logiques.
Pour les TBJ, des effets lis au comportement quasi-balistique ont t observs
temprature ambiante, en utilisant des moyens actuels de technologie. Ces effets sont
aujourdhui bien compris. Pour le comportement frquentiel, les rsultats prliminaires
indiquent, une limitation quelques centaines de GHz. Le fonctionnement intrinsque des
dispositifs balistiques semble occult par les lments parasites. Toutefois nous avons pu
obtenir par simulation des frquences de fonctionnement de lordre du THz. Des
investigations doivent tre poursuivies afin de mieux comprendre lorigine des lments
limitant le fonctionnement de tels dispositifs. Les lments parasites capacitifs sont-ils
introduits par le composant balistique nanomtrique ou par les accs micro-ondes de quelques
centaines de micromtres ? Une fonction balistique compltement intgre subira-t-elle les
mmes limitations ? Par ailleurs, les impdances des dispositifs avoisinant le k compares
au 50 des appareils de mesures hyperfrquences, introduisent de nombreuses imprcisions
de mesures et rendent difficiles les interprtations des observations exprimentales. Ces
66
millimtriques
tudes ouvrent un nouveau champ dinvestigation : les mesures hyperfrquences sur

dispositifs nanomtriques hautes impdances (composants molculaires, transistors
nanotubes de carbone).
Une ide consisterait mettre en parallle plusieurs composants balistiques. La mise
en parallle peut seffectuer soit par connexion de plusieurs dispositifs ou par lutilisation de
structure de couche plusieurs puits. La premire solution est complique mettre en uvre,
les dispositifs tant des hexaples. De plus des connections par pont air risquent de
multiplier les lments parasites capacitifs. La solution multipuits semble la plus
prometteuse.
Pour les composants actifs, le comportement en frquence risque de suivre la mme
rgle que les TBJ. Toutefois, des dispositifs doivent tre tudis afin de confirmer ces
hypothses. De plus, ces composants actifs sont intressants pour le dveloppement
dinverseurs complmentaires.
67
millimtriques
IV. Conclusion et perspectives

Dans ce manuscrit, des rsultats concernant le dveloppement de composants rapides
partir de matriaux III-V ont t prsents, et plus particulirement lhtrostructure
AlInAs/GaInAs, qui offre encore aujourdhui des potentialits pour le dveloppement
dapplications millimtriques et sub-millimtriques. Lensemble des tapes technologiques a
t mis au point, notamment la lithographie pour atteindre des dimensions de quelques
dizaines de nanomtres.
Diffrentes voies ont t abordes sur ces dix dernires annes. Dans une premire
priode, les travaux concernaient le dveloppement de filires de HEMTs AlInAs/GaInAs sur
substrat dInP ou de GaAs. Des composants ont t fabriqus avec des frquences de coupure
ltat de lart pour les longueurs de grille 100 et 60 nanomtres. Le meilleur rsultat avoisine
les 500GHz pour le fmax et aux alentours de 300GHz pour le fT. A partir de ces filires de
composants, des dmonstrateurs de type circuits intgrs monolithiques ont t raliss
jusqu 94GHz avec des performances ltat de lart international. Des conceptions de
circuits jusque 180GHz ont aussi t engages dmontrant les potentialits de ces filires de
HEMTs AlInAs/GaInAs. Avec lacquisition de ces comptences, nous avons pu collaborer et
conseiller des partenaires industriels pour le dveloppement de leur propre filire. Les efforts
de recherche se sont poursuivis vers le dveloppement dune filire sub-50 nanomtres, dont
la reproductibilit de fabrication et la robustesse de la grille en T (20 nanomtres) laissent
envisager un possible transfert industriel.
Toutefois il faut des solutions alternatives et innovantes pour surpasser les limites de
ces composants. En effet, nos travaux de recherche ainsi que les constatations faites sur ltat
de lart des HEMTs AlInAs/GaInAs indiquent des difficults inhrentes la structure mme
du FET ou/et la limitation des matriaux utiliss, pour atteindre le THz. Si lon suit une
rgle dchelle (rapport daspect constant) pour les futures gnrations de HEMTs
AlInAs/GaInAs nanomtriques, nous avons constat que la limite semble dj atteinte en
terme de distance grille canal. Ce qui rvle limpossibilit de poursuivre cette rgle
dchelle.
Ainsi, des tudes de nouvelles structures ont t engages depuis le dbut des annes
2000 : les HEMTs doubles grilles et les composants balistiques.
Pour le HEMTs double grille, le fonctionnement reste conventionnel, c'est--dire quil
est bas sur un effet de champ. Lajout dune deuxime grille permet un meilleur contrle des
lectrons du canal. Lensemble des tapes technologiques a t mis au point, en particulier la
technique de report de substrat ainsi que loptimisation de la lithographie lectronique des
deux grilles. Des longueurs de grille de 100 nanomtres ont t obtenues, avec une prcision
de repositionnement de la deuxime grille de 20 nanomtres. Les rsultats lectriques sont
aussi trs encourageants. On obtient des records pour des HEMTs sur les transconductances
(gm extrinsque = 2.65S/mm). De plus les rsultats dynamiques indiquent une augmentation
de la frquence maximale doscillation de 30% par rapport une structure simple grille. Ceci
provient de la rduction des effets de canal court, ce qui est le point limitatif dune structure
simple grille. La structure double grille pourrait donc tre une solution pour poursuivre la
monte en frquence des HEMTs.
Une autre voie a t aborde, et est base sur le transport balistique. Des topologies
formes de trois banches connectes en T (TBJ : Three terminal Ballistic Junction) ont t
tudies. Pour atteindre un transport quasi balistique temprature ambiante, nous avons du
prendre un soin particulier aux tapes de technologie dfinissant ces composants ;
temprature ambiante, les dispositif doivent avoir des dimensions de lordre de la centaine de
nanomtres, ce qui a ncessit un dveloppement des procds de lithographie haute
68
millimtriques
rsolution. En ce qui concerne, le fonctionnement lectrique, des effets quasi-balistiques

temprature ambiante sont observs, se traduisant par la prsence de non linarit sur des
TBJ, ainsi que la possibilit de faire commuter le courant dans des TBJ avec grille. Pour le
comportement dynamique, bien quintrinsquement daprs des simulations Monte Carlo, des
frquences de fonctionnement au THz peuvent tre atteintes, il a t constat une limitation
frquentielle de ces dispositifs aux alentours de quelques centaines de GHz. Cette limitation
est lie aux hautes impdances prsentes par ces nano-dispositifs associes la prsence
dlments parasites (capacits parasites).
Enfin une tude nouvelle et prometteuse a t aborde : les transistors onde plasma
pour dtection et mission dondes THz. Des premiers rsultats dmission au THz ont t
obtenues partir de HEMTs de longueur de grille 60 nanomtres. Ces rsultats encourageants
doivent tre approfondis.
En ce qui concerne les perspectives de mes activits de recherche, je vais poursuivre

les tudes dmarres rcemment, et dvelopper de nouveaux projets. Lobjectif principal de
mon axe de recherche est de dvelopper des dispositifs industrialisables de frquences de
coupure THz, en utilisant de nouveaux matriaux et de nouveaux modes de fonctionnement.
1. HEMTs ultimes
Pour lactivit HEMT, les rsultats obtenus pour les filires sub-50 nanomtres sont encore
loin des meilleurs rsultats prsents dans la littrature. Bien que des lithographies de grille en
T 20 nanomtres aient t dveloppes, mon objectif nest pas de reproduire les travaux de
ces prestigieux laboratoires. Toutefois, les solutions innovantes prsentes dans ce manuscrit
(en particulier double grille) vont dans un avenir proche, ncessiter la rduction des longueurs
de grille pour dmontrer laugmentation significative des performances frquentielles par
lutilisation des concepts originaux, que nous avons abords dans ce manuscrit.
La limitation des HEMTs semble en partie lie la topologie des zones de recess du
transistor, qui deviennent essentielles dans le cas dune grille dca nanomtrique et dune
distance grille-canal faible. Lutilisation de structure double recess et de solutions de gravure
diffrentes ( digital recess ) vont tre abordes.
2. HEMTs double grille
Pour les HEMTs double grille, la longueur de grille doit tre rduite, bien que pour des
valeurs de lordre de 50 nanomtres, des problmes de lithographie (alignement des deux
grilles) risquent de se poser, du fait de la limitation de nos outils actuels de lithographie
(rsolution dalignement de 20 nanomtres). Il faudra donc dvelopper des solutions pour
amliorer ces rsolutions. Pour ces faibles valeurs de longueur de grille, les effets de canal
court sont beaucoup plus pnalisants que sur des HEMTs de 100 nanomtres. Ainsi la
rduction de la longueur de grille quelques dizaines de nanomtres devrait permettre de
valider la possibilit damlioration des performances frquentielles offerte par la structure
double grille.
Une autre application trs intressante de ces transistors double grille est deffectuer une
fonction de mlange, avec la possibilit de raliser avec le mme transistor les fonctions
damplification faible bruit, de mlange des signaux et de gnration du signal OL.
Dans un mme temps, des structures de type transistor modulation de vitesse vont tre
fabriques et tudies. Les lments technologiques sont en effet disponibles. Toutefois des
tudes plus approfondies doivent tre menes, en particulier en terme de simulation, afin de
vrifier la validit du concept, mais aussi de dfinir la structure requise pour ce nouveau mode
de fonctionnement, plus prcisment la structure de couche. De plus, cette nouvelle structure
69
millimtriques
en hexaple ainsi que la ncessit de fonctionnement en diffrentiel, exige des outils de

caractrisations hyperfrquences indisponibles actuellement. Ce travail reste engager. N.
Wichmann (actuellement ATER) poursuit ces travaux, et nous venons de recruter un tudiant
prparant un Master recherche.
3. Composants balistiques
En ce qui concerne les composants balistiques, nous sommes aussi confronts la
caractrisation haute frquence de systme multi-ples, avec une difficult supplmentaire : la
haute impdance des dispositifs. Beaucoup de questions restent en suspens. Est-il possible de
rduire les lments parasites (les capacits) ? Ces lments parasites sont-ils indissociables
du composant balistique ou sont-ils introduits par les guides dondes daccs ? Si tel tait le
cas, nous pourrions imaginer des frquences de travail au THz de fonctions plus tendues et
compltement intgres.
On constate quun nouvel axe de recherche se dgage de ces tudes : la caractrisation
hyperfrquence de dispositifs nanomtriques haute impdance. Ce thme peut tre aussi
intressant pour ltude dautres structures hautes impdances. On peut citer comme
exemples : les MOSFETs ultimes et alternatifs (FINFET) dvelopps lIEMN par E. Dubois
du groupe Microlectronique Silicium et les transistors nanotubes de carbone (H. Happy du
groupe ANODE).
4. Composants onde plasma
Enfin pour les transistors onde plasma, nous devons dans un premier temps valider le
concept, en particulier pour lmission, les travaux sur la dtection tant beaucoup plus
nombreux. Lmission THz observe sur un HEMT est-elle bien lie un phnomne donde
plasma ? Cette mission peut tre due un autre phnomne physique (oscillation Gunn par
exemple).
De plus, la structure de type transistor nest peut tre pas optimale pour ce
fonctionnement. Bien que dans un premier temps les structures pour la gnration-dtection
de signaux THz par onde plasma sont bases sur des HEMTs, il faut dvelopper des
topologies nouvelles.
Ce thme de recherche va ncessiter : des simulations physiques (Monte Carlo), des
ralisations technologiques de structures originales et enfin leur caractrisation au THz.
Les premires ralisations technologiques ont dbutes dans notre groupe, et ont t
effectues par un doctorant, A. Shchepetov. La caractrisation lectro-optique sub-
picoseconde dveloppe par J.F. Lampin de du groupe EPIPHY, peut tre un outil
complmentaire des caractrisations THz effectues par nos partenaires de lUniversit de
Montpellier. Pour mener bien ces travaux, nous avons dj engag pour ce thme une
collaboration avec lUniversit de Salamanque pour les simulations Monte Carlo, et dpos
plusieurs demandes de financement auprs dorganismes de recherche (ANR, STREP) avec
diffrents partenaires acadmiques et industriels.
5. Nouveaux systmes de matriaux
Le HEMTs htrojonction dAlInAs/GaInAs sur substrat dInP est lun des candidats
potentiels pour des applications en gamme donde millimtrique. Celui-ci dpasse les
performances frquentielles de lensemble des filires de HEMTs. Cette suprmatie en
frquence par rapport aux autres filires de HEMT, a t rendue possible en partie par
lutilisation dun autre systme de matriaux.
Cest pourquoi, il nous semble important pour nos futurs thmes de recherche de nous
intresser aux matriaux InAs et InSb. Notre motivation principale est la valeur des mobilits
lectroniques de ces matriaux (InAs ~40000cm2/Vs, InSb~80000cm2/Vs) lies la valeur
faible des masses effective des lectrons (InAs~0.023, InSb~0.014).
70
millimtriques
Un autre avantage est la faible consommation des transistors utilisant ces matriaux,
qui peut savrer un atout pour des systmes portables, dj dmontre par la ralisation de
MMIC (filire InAs) par des laboratoires de rputation mondiale. Des premiers HEMTs InSb
ont aussi t prsents en 2005 avec dj des fT de 300GHz pour une longueur de grille 100
nanomtres [Rf. 132], ce qui correspond ltat de lart des HEMTs sur InP, bien quil
sagisse dun premier rsultat.
Lactivit autour de ces nouveaux matriaux va se dcomposer en plusieurs axes :
La croissance : cette partie est dveloppe par les membres du groupe
EPIPHY, qui ont rcemment fait lacquisition dun bti de MBE avec source antimoine. Le
premier objectif est la croissance dInAs. Le choix du substrat sest dans un premier temps
port sur lInP, le paramtre de maille de lInP tant moins loign de lInAs que celui du
GaAs, pour la ralisation dune couche tampon mtamorphique. Ensuite des structures base
dInSb pourront tre abordes.
Lensemble de lactivit technologique est dvelopper sur ces nouveaux
matriaux antimonis, en particulier les tapes de gravure, pour la dfinition de motifs
micromtriques et nanomtriques (exemple : isolation mesa dun composant balistique).
Ces matriaux pourront tre utiliss pour lensemble des structures HEMTs,
DG-HEMTs, VMT et balistiques. Nous esprons par la combinaison dune structure de
composant originale et dune htrojonction utilisant cette famille de matriaux atteindre des
frquences au THz.
71
millimtriques
V. Rfrences
Rf. 1 Thse de S. Bollaert, Etude thorique et exprimentale de transistors effet de champ
canaux quasi-unidimensionnels , Universit de Lille 1, janvier 1994.
Rf. 2 S. Bollaert, P. Legry, E. Delos, A. Cappy, P. debray, J. Blanchet , "Design, Fabrication
and Characterization of Striped Channel HEMT's", IEEE Transactions on Electron Devices,
vol. 41, n10, pp.1716-1724, Oct. 1994.
Rf. 3 Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T.
Mimura, "Pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs With an Ultrahigh fT of 562
GHz", IEEE Electron Device Letters, vol. 23, no. 10, pp. 573-575, October 2002
Rf. 4 T. Suemistsu, H. Yokoyama, T. Ishii, T. Enoki G. Meneghesso, E. Zanoni, "30-nm
Two-Step Recess Gate InP-Based InAlAs/InGaAs HEMTs", IEEE Transactions on Electron
Devices, vol. 49, no. 10, pp. 1694-1700, October 2002.
Rf. 5 T. Parenty, Etude et perspective des transistors htrostructure AlInAs/GaInAs de
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Rf. 102J. Mateos, B.G. Vasallo, D. Pardo, T. Gonzalez, H. Boutry, B. Hackens, V. Bayot, L.
Bednarz, P. Simon, I. Huynen, J.S. Galloo, Y. Roelens, X. Wallaert, S. Bollaert, A. Cappy,
Room temperature nonlinear transport in InGas/AlInAs based ballistic nanodevices , IPRM
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Rf. 103 J. Mateos, B. G. Vasallo, D. Pardo, T. Gonzlez, J. S. Galloo, S. Bollaert, and A.
Cappy, "Ballistic nanodevices for THz data processing: Monte Carlo simulations,"
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78
millimtriques
Rf. 104 E. Pichonat, J.S. Galloo, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, T. Gonzalez,
H. Boutry, B. Hackens, V. Bayot, L. Berdnarz, I. Huynen. Fabrication of nano-ballistic
devices using high resolution process TNT 2003 (Trends in NanoTechnology), Salamanca,
Spain, September 15-19, 2003.
Rf. 105 J.S. Galloo, Y. Roelens, S. Bollaert, Pichonat E, , X. Wallart, A. Cappy, J Mateos, T.
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Rf. 107J. Galloo, E. Pichonat, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, J. Mateos, T. Gonzales, H.
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operating at room temperature as RF to DC rectifier , IEEE Nano 2004 Conference, Munich,
August 17-19, 2004, pp. 284-286 (IEEE Catalog Number (CD): 04TH8757C-ISBN: 0-7803-
8537-3)
Rf. 109 L. Bednarz, Rashmi, B. Hackens, S. Farhi, V. Bayot, I. Huynen, J.S. Galloo, Y.
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millimtriques
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Terminal Ballistic Junction , IEEE Electron device letters, vol .2 , n7, pp377-379, July
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AuG. 2002.
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Rf. 124 A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert, I. Shorubalko, H. Zirath,
Operation of InGaAs/InP based ballistic rectifiers at room temperature and frequencies up to
50GHz , Jpn J. Appl. Phys., vol 40, pp.L909-L911, Sept. 2001.
Rf. 125 A. M. Song, A. Lorke, A. Kriele, J.P. Kotthaus, W. Wegscheider, M. Bichler,
Nonlinear electron transport asymmetric microjunction : a ballistic rectifier , Phys Rev Let,
80 (17), pp.3831-3834, Apr. 1998.
Rf. 126 A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert, I. Shorubalko, H. Zirath, Room
temperature and 50GHz operation of a functionnal nanomaterial , Appl Phys Let, vol 79, n 9,
pp.1357-1359, Aug. 2001
Rf. 127 Falco C.M.J.M. van Delft, J.P. Weterings, A.K. van Langen-Suurling, H. Romijn,
hydrogen silsesquioxane bilayer resist for high aspect ration nanoscale electron beam
lithography, J. Vac. Sci. Techno. B 18 (6), pp3419-3423, Nov-Dec 2000
Rf. 128 B.E. Maile, W. Henschel, H. Kurz, B. rienks, R. Polman, P. Kaars, sub-10nm
linewidth and overlay performance achieved with a fine-tuned EBPG-5000 TFE electron
beam system, Jpn. J. Appl. Phys., vol.39, part1, n12B, pp6836-6842, Dec. 2000.
Rf. 129 L. Mollard, G. Cunge, S. Tedesco, B. DalZotto, J. Foucher, HSQ hybrid
lithography for 20nm CMOS development, Microelectronic Engineering 2002
Rf. 130 H. Namatsu, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Yamazaki, K. Kurihara, nano-paterning
of a hydrogen silsesquioxane with reduced linewidth fluctuation, Microelectrnic
Engineering, 41/42, pp331-334, 1998.
Rf. 131 M. Peuker, H.M. Lim, H.I. Smith, R. Morton, A.K. van Langen-Suurling, J. Romijn,
E.W.J.M van der Drift, F.C.M.J.M van Delft, Hydrogen silsesquioxane, a high resolution
negative tone e-beam resist, investigated for its applicability in photon-based lithographies,
Microelectronic Engineering, 2002.
Rf. 132 A.R. Bames, A. Boetti, L. Marchand, J. Hopkins, An overview of microwave
component requirements for future space applications , GaAs 2005, Paris.
80
millimtriques
81
millimtriques
82
millimtriques
VI. Bibliographie des travaux de recherche

VI.1. Annexes
Les publications constituant lannexe sont :
Annexe 1: T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy, "Design and

realization of sub-100nm gate length HEMTs", Indium Phosphine and Related Material
(IPRM), Nara Japan, pp626-629, May 2001
Annexe 2 : S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, V. Hoel, S. Lepilliet, D.

Thron, A. Cappy, "The Indium Content in Metamorphic InxAl1-xAs/InxGa1-xAs HEMTs on
GaAs Substrate: a New Structure Parameter", Solid State Electronics 44, pp1021-1027, 2000.
Annexe 3 : W. Knap, J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V. V. Popov,

M. S. Shur, Terahertz emission by plasma waves in 60nm gate high electron mobility
transistors , Applied physics letters, vol. 84, n13, pp. 2331-2333, March 2004.
Annexe 4 : S. Bollaert, X. Wallart, S. Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, B.

Aspar, "0.12m Transferred-Substrate InAlAs/InGaAs HEMTs on Silicon Wafer", IEEE
Electron Device Letters, vol. 25, n2, pp.73-75, February 2002.
Annexe 5 : N. Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy,

100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate , IEDM, San
Fransisco, USA, 13-15 dcembre 2004 , pp.1023-1026, 2004.
Annexe 6 : Galloo, J.S., Roelens Y., Bollaert S., Pichonat E., Wallart X., Cappy A.,
Mateos J., Gonzales T., "Ballistic devices based on T-branch junctions and Y-branch
junctions on GaInAs/AlInAs heterostructure", GaAs 2004, Amsterdam, Pays-bas, 11-12
octobre 2004, pp.219-222, 2004.
83
millimtriques
Annexe 1
Design and realization of sub 100nm gate length HEMTs
T. Parenty1, S. Bollaert1, J. Mateos2, X. Wallart1, A. Cappy1
1
Institut dElectronique et de Microlectronique du Nord U.M.R. CN.R.S. n9929
Dpartement Hyperfrquences et Semiconducteurs
BP 69, 59652 Villeneuve dAscq Cdex, France
2
Departamento de Fiscia Aplicada, Universidad de Salamanca.
Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain
Abstract
Standard layer structure InAlAs/InGaAs/InP designed for 100 nanometer gate length High
Electron Mobility Transistors (HEMTs) become inadequate, if we reduce the gate length under
100nm. An InAlAs/InGaAs/InP layer structure optimized for 50 nanometer gate length HEMTs has
been realized. DC and microwave characteristics are reported on HEMTs realized on a standard
layer and an optimized layer, with similar gate length. Comparable cutoff frequencies fT are
obtained for both devices. The main result is a large improvement of maximum oscillation
frequency fmax, which is 260 GHz and 470 GHz for respectively the standard and the optimized
devices. This behavior is attributed to the reduction of short channel effects.
barrier, the increase of the quantum energy levels in the

I. Introduction quantum well, or the loss of mobility with the reduction of
the spacer layer.
The demand for higher bit-rate communication is On the figure 1, we present the standard layer structure
rapidly growing. 40Gbit/s system has been recently currently used for 100 nm gate length HEMTs. In this
developed [1] and intensive research on 80Gbit/s and structure the aspect ratio Lg/A is close to 6 for a 100 nm
160Gbit/s is being done. One way to obtain these bit-rates gate length. For a 50 nm gate length, this value is only 3.
is the use of InP-based HEMTs and the reduction of gate To keep a constant value for the 50 nm gate length and so
length to nanometer dimension. With InP-based HEMTs, avoid short channel effects, the distance of gate-to-channel
it is possible to reach fT higher than 300GHz [2] and fmax A has to be reduced. On figure 2, we show the optimized
up to 600GHz [3]. However reduction of gate length will layer structure for 50 nm gate length HEMTs. In this
involve an increase of short channel effects. This point optimized structure, the distance of gate-to-channel A has
will limit microwave performance of the HEMT, been fixed at 11.5 nm, which gives an aspect ratio of
particularly the cutoff frequency of extrinsic current gain about 4.5. The gate-to-channel distance can not be further
fT and the maximum oscillation frequency fmax. To avoid reduced, because of gate tunneling current and depletion
this effect, layer structure has to be correctly designed for from the surface of the carrier in the channel near the
sub-100 nanometer gate length HEMTs. recessed region. To improve Schottky characteristics and
In this paper, we present an optimized the confinement of electrons in the channel, aluminum
InAlAs/InGaAs/InP layer structure for sub-100 nanometer content in the InAlAs layers has been fixed to a higher
gate length HEMTs. HEMTs have been fabricated on such value of 0.65. In the channel, we choose an indium
layer structure and on standard structure usually used for content of 0.65 to improve carrier transport properties.
100 nanometer gate length HEMTs. Same gate Monte-Carlo simulation has been used to confirm
lithography has been achieved on both layer structures. choices on this new layer structure. Details and results of
DC and microwave characteristics are compared. simulations are given elsewhere [4]. On figure 3, we give
some results of these simulation, concerning the influence
II. Device design of the doping level in the doped layer. These
simulations were performed for the standard (figure 1) and
The increase of the HEMTs performance is possible the optimized (figure2) structures. On figure 3, evolution
with obviously the reduction of the gate length, but its not of the drain current has been plotted versus the gate
enough to achieve the best results. The aspect ratio voltage for different values of -doping in the new layer
defined as the gate length Lg over the gate-to-channel structure, and for the standard layer structure. A
distance A has to be kept high enough to avoid short degradation of the drain current is observed with the new
channel effects. In this study, we worked to find a good structure if the -doping is kept at 5x1012cm -2. The reason
trade-off between a high aspect ratio and several physical of this degradation is the depletion of channel induced by
limitations as the tunneling current across the Schottky the surface states in the recess. To solve this problem, we
84
millimtriques
Annexe 2
89
millimtriques
Annexe 3
97
millimtriques
Annexe 4
101
millimtriques
Annexe 5
105
millimtriques
Annexe 6
109
millimtriques
VI.2. Liste des publications
CONFERENCES INVITEES
1. Ballistic nanodevices for high frequency applications
BOLLAERT S.
ICMAT 2005, International Conference on Materials for Advanced Technologies, Materials
Research Society, Singapoure, 3-8 juillet 2005, Abstract proceeding of Symposium J, PP.1,
2005.
2. Trends and Challenge in Micro and Nanoelectronics Device Research in Europe

ALAIN CAPPY, N. WICHMANN, J.-S. GALLOO, S. BOLLAERT, Y. ROELENS, J.
MATEOS, T. GONZLEZ, AND W. KNAP
Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005), Japan, August 2005.
3. New HEMT structures for THz applications

CAPPY A. , WICHMANN N. , BOLLAERT S. , WALLART X. , ROELENS Y. ,
SHCHEPETOV A. , KNAP W.
DRC, Device Research Conference, IEEE EDS, Santa Barbara, USA, 20-22 juin 2005 , 2005.
4. InP based ballistic nanodevices

CAPPY A. , GALLOO J.S. , BOLLAERT S. , ROELENS Y. , MATEOS J. , GONZALES T.
, KNAP W.
IPRM, Indium Phosphide and related materials, Universit de Glasgow, Glasgow, Ecosse, 8-
12 mai 2005,, 2005.
5. HEMTs for millimeter and sub-millimeter waves applications

BOLLAERT S. , CAPPY A. , DAMBRINE G. , DUSZYNSKI I. , ROELENS Y. ,
SHCHEPETOV A. , WALLART X. , WIESZT A
GDR THz, Montpellier, 27-28 juin 2005 , PP. 1, 2005.
6. THz active devices and applications : a survey of recent researchs

L. CHUSSEAU, J.F. LAMPIN, S. BOLLAERT , L. DUVILLARET, J. MANGENEY
GaAs 2005, Paris, 4 octobe 2005.
7. Composants balistiques
S. BOLLAERT
Journe Nationales Microlectroniques optolectroniques, Grande Motte, juin 2004.
8. An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space
applications
DAMBRINE G. , PARENTY T. , BOLLAERT S. , HAPPY H. , CAPPY A. , TAPANI N. ,
ORLHAC J.C. , TRIER M. , BAUDET P. , LANDRY P.
GAAS 2003, EuMW, Munchen, 6-10 octobre 2003 , pp.157-162, 2003.
9. HEMT structures on GaAs or InP substrates for millimeter wave power

amplification.
113
millimtriques
THERON D. , CORDIER Y. , WALLART X. , BOLLAERT S. , ZAKNOUNE M. ,

BOUDRISSA M. , BONTE B. , GAQUIERE C. , MOLLOT F. , CAPPY A. ,
FAUQUEMBERGUE R. , DE JAEGER J.C
WOCSDICE'2000, Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
held in Europe, Grce, 29 mai-2 juin 2000 , 2000.
10. Les matriaux mtamorphiques : une voie pour l'intgration de composants pour
applications millimtriques sur substrat d'arsniure de gallium.
CORDIER Y. , CAPPY A. , ZAKNOUNE M. , BOLLAERT S.
Journe Thmatique sur l'Electronique Intgre, Arcueil, France, 30 mars 2000 , 2000.
11. Status of metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs"

A. Cappy, Y. Cordier, S. Bollaert, M. Zaknoune
IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium (GaAs IC), Oct 1999.
CHAPITRES DANS LIVRES:

1. Millimeter waves in communication systems
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, T. PARENTY, H. HAPPY, A. CAPPY
Editeur: NEY M., Innovative technolgy series, Inforamtion systemes and networks, Hermes
Penton Science, ISBN 1-9039-9617-1, 2002
2. Metamorphic InAIAs/InGaAs HEMTs : material properties and device

performance
CORDIER Y. , BOLLAERT S. , ZAKNOUNE M. , CHAUVEAU J.M. , CAPPY A
Chap. V of the book : "III-V semiconductor heterostructures : physics and devices". ISBN :
8177361708 Will Z. CAI, Research signpost, pp. 111-137, 2003.
DIVERS :
1. "IEMN achieves record fmax for MHEMT"
Compound semiconductor, vol. 8 n 6, pp29, July 2002
2. "Top Developments in Microelectronics in 1998"

Compound semiconductor, vol. 4 n 9, pp22-24, dcembre 1998
ARTICLES DANS REVUES INTERNATIONALES AVEC COMITE DE LECTURE

1. 100-nm T-gates In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate
gate controls
WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , WALLART X. , BOLLAERT S. , CAPPY A.
IEEE Electron. Device Lett., 26, 9, pp.601-603, 2005.
2. Magnetic field effect on the terahertz emission from nanometer InGaAs/AlInAs high
electron mobility transistors
DYAKONOVA N. , NOM INITI. , LUSAKOWSKI J. , KNAP W. , LEVINSHTEIN M.. ,
NOM INITI. , SHUR M. S. , BOLLAERT S. , CAPPY A
J. Appl. Phys., 97, 11, pp.114313.1-114313.5, 2005.
3. Dwell-time-limited coherence in open quantum dots

HACKENS B. , FANIEL S. , GUSTIN C. , WALLART X. , BOLLAERT S. , CAPPY A. ,
BAYOT V.
Phys. Rev. Lett., 94, 14, pp. 146802.1-146802.4, 2005.
114
millimtriques
4. Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs

transistor
LUSAKOWSKI J. , KNAP W. , DYAKONOVA N. , NOM INITI. , MATEOS J. ,
GONZALES T. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , CAPPY A. , NOM INITI.
J. Appl. Phys., 97, 6, pp. 64307.1-64307.7, 2005.
5. Sign reversal and tunable rectification in a ballistic nanojunction

HACKENS B. , GENCE L. , GUSTIN C. , WALLART X. , BOLLAERT S. , CAPPY A. ,
BAYOT V
Appl. Phys. Lett., 85, 19, pp.4508-4510, 2004.
6. Nonlilear effects in T-branch junctions

MATEOS J. , VASALLO B. G.. , PARDO D.. , GONZALES T.. , PICHONAT E. ,
GALLOO J.S. , BOLLAERT S. , ROELENS Y. , CAPPY A.
IEEE Electron. Device Lett., 25, 5, pp. 235-237, 2004.
7. InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate

WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , WALLART X. , BOLLAERT S. , CAPPY A.
IEEE Electron. Device Lett., 25, 6, pp.354-356, 2004.
8. Low and room temperature studies of RF to DC rectifiers based on ballistic

transport
BERDNARZ L. , RASHMI R.. , HACKENS B. , NOM INITI. , BAYOT V. , HUYNEN S. ,
GALLOO J.S. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , CAPPY A.
Microelectron. Eng., 81, pp.194-200, 2005.
9. InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate

N. WICHMANN, I. DUSZYNSKI, X. WALLART, S. BOLLAERT, A. CAPPY
IEEE Electron Device Letters, volume: 25 , issue: 6, pp.235 237, juin 2004
10. Nonlinear effects in T-branch junctions

MATEOS, J.; VASALLO, B.G.; PARDO, D.; GONZALEZ, T.; PICHONAT, E.; GALLOO,
J.-S.; BOLLAERT, S.; ROELENS, Y.; CAPPY, A.
IEEE Electron Device Letters, Volume: 25 , Issue: 5 , mai 2004, Pages:235 237
11. Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for low-noise applications

MATEOS J. , GONZALES T. , PARDO D. , BOLLAERT S. , PARENTY T. , CAPPY A.
IEEE Trans. Electron. Devices, 51, 8, pp.1228-1233, 2004.
12. Design optimization of AlInAs/GaInAs HEMTs for high frequency applications

J. MATEOS, T. GONZLEZ, D. PARDO, S. BOLLAERT, T. PARENTY, A. CAPPY
IEEE transaction on Electron Devices, vol 51, n4, pp.521-528, April 2004
13. Terahertz emission by plasma waves in 60 nanometer gate high electron mobility
transistors
W. KNAP, J.LUSAKOWSKI, T. PARENTY, S. BOLLAERT, A. CAPPY, V. POPOV, AND
M. S. SHUR
Applied Physic letter, volume 84, issue 13 pp. 2331-2333, 29 mars 2004.
115
millimtriques
14. Microscopic modelling of nonlinear transport in ballistic nanodevices

J. MATEOS, B.G. VASALLO, D. PARDO, T. GONZALES, J.-S. GALLOO, S.
BOLLAERT, Y. ROELENS, A. CAPPY
IEEE Transaction on electron devices, vol. 50, n9, pp.1897-1905, Sept. 2003.
15. Ballistic nanodevices for terahertz data processing: Monte Carlo simulations
J. MATEOS, B.G. VASALLO, D. PARDO, T. GONZALEZ, J.S. GALLOO, Y. ROELENS,
S. BOLLAERT AND A. CAPPY
Special issue in Nanotechnology 14 (2003), pp117-122.
16. "fmax of 490GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on GaAs

substrate"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, T. PARENTY, H. HAPPY, S. LEPILLIET,
A. CAPPY.
Electronics Letters 11th April 2002, vol. 38, n8, pp389-391.
17. Long dephasing time and high-temperature conductance fluctuations in an open

InGaAs quantum dot
B. HACKENS, F. DELFOSSE, S. FANIEL, C. GUSTIN, H. BOUTRY, X. WALLART, S.
BOLLAERT, A. CAPPY, V. BAYOT
Physical Review B 66, 241305(R), 2002
18. "0.12m Transferred-Substrate InAlAs/InGaAs HEMTs on Silicon Wafer"

S. BOLLAERT, X. WALLART, S. LEPILLIET, A. CAPPY, E. JALAGUIER, S. POCAS, B.
ASPAR
IEEE Electron Device Letters, vol. 25, n2, pp.73-75, February 2002.
19. "HEMT's capability for millimeter wave applications"

S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, T. PARENTY, H. HAPPY, A. CAPPY
Annales des tlcommunications, 56, n1-2, pp15-26, jan-fev. 2001
20. "The Indium Content in Metamorphic InxAl1-xAs/InxGa1-xAs HEMTs on GaAs

Substrate: a New Structure Parameter"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, H. HAPPY, V. HOEL, S. LEPILLIET, D.
THRON, A. CAPPY.
Solid State Electronics 44, pp1021-1027, 2000.
21. "0.1m high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As

metamorphic HEMTs on GaAs"
M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, D. FERR, D. THRON, Y.CROSNIER
Solid-state Electronics 44, pp1685-1688, 2000.
22. "Influence on the power performances at 60 GHz of the Indium composition in the
metamorphic HEMT's"
C. GAQUIRES, S. BOLLAERT, M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, D. THRON, Y.
CROSNIER
Electronics Letters, Vol. 35, n 17, pp1489-1491, Aug. 1999..
23. "Metamorphic In0.4Al0.6As/In0.4Ga0.6As HEMTs on GaAs substrate"
116
millimtriques
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, V. HOEL, M. ZAKNOUNE, H. HAPPY, S. LEPILLIET, A.

CAPPY
IEEE Electron Device Letters, vol. 20, n3, mars 1999.
24. "0.1m high performance metamorphic In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As HEMTs on GaAs

using inverse step InAlAs buffer"
M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, D. FERR, D. THRON, Y.CROSNIER
Electronics Letters, vol. 35, n19, pp1670-1671, Sept. 1999.
25. "InAlAs/InGaAs metamorphic HEMT's on GaAs substrate: influence of Indium

content on material properties and device performances"
Y. CORDIER, S. BOLLAERT, M. ZAKNOUNE, J. DIPERSIO, D. FERRE
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, n3, pp 1164, Feb. 1999.
26. "Numerical analysis of device performance of metamorphic InAlAs/InxGa1-xAs (0.3

x 0.6) HEMT's on GaAs substrate"
H. HAPPY, S. BOLLAERT, H. FOURR, A. CAPPY
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 45, n 10, pp2089-2095, octobre 1998.
27. "MBE grown InAlAs/InGaAs lattice mismatched buffer layers for HEMT applications
on GaAs substrate"
Y. CORDIER, S. BOLLAERT, J. DIPERSIO, D.FERR, S. STRUDEL, Y. DRUELLE, A.
CAPPY
Applied Surface Science, vol. 123/124, pp734-737, janvier 1998.
28. "Design, Fabrication and Characterization of Striped Channel HEMT's"

S. BOLLAERT, P. LEGRY, E. DELOS, A. CAPPY, P. DEBRAY, J. BLANCHET
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 41, n10, pp.1716-1724, Oct. 1994.
COMMUNICATIONS INTERNATIONALES DANS CONFERENCES AVEC COMITE

DE LECTURE
1. Theoritical and experimental characterization of Y-branch nanojunction rectifier up
to 94GHz
L. Berdnarz, Rashme, Ghanie Farhi, B. Hackens, V. Bayot, I. Huynen, J.S. Galloo, Y. roelens,
S. BOLLAERT, A. CAPPY.
EuMC 2005, pp. 301-304, Paris, 3-7 oct. 2005.
1. Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room

temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures
GALLOO J.S. , PICHONAT E. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , WALLART X. , CAPPY
A. , MATEOS J. , GONZALES T. , BOUTRY H. , GALLOO J.S. , BAYOT V. ,
BERDNARZ L. , HUYNEN S.
IPRM, indium phosphine and related materials, Kagoshima, Japan, 31/05-04/06 2004 ,
pp.378-381, 2004.
2. Ballistic GaInAs/AlInAs Devices Technology and Characterization at Room

Temperature
GALLOO J.S. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , PICHONAT E. , WALLART X. , CAPPY
A. , MATEOS J. , GONZALES T.
IEEE-NANO 2004, Paolo Lugli, Munich, 16-19 aot 2004 , p.17, 2004.
117
millimtriques
3. Ballistic devices based on T-branch junctions and Y-branch junctions on

GaInAs/AlInAs heterostructure
GALLOO J.S. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , PICHONAT E. , WALLART X. , CAPPY
A. , MATEOS J. , GONZALES T.
GaAs 2004, Amsterdam, Pays-bas, 11-12 octobre 2004 , pp.219-222, 2004.
4. Nanoscaled Double Y-Branch Junction Operating as Room Temperature RF to DC

Rectifier
LUKASZ L.. , RASHMI R.. , HACKENS B. , BOUTRY H. , BAYOT V. , HUYNEN S. ,
GALLOO J.S. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , PICHONAT E. , CAPPY A.
IEEE-NANO 2004, Munich, Germany, 16-19 aot 2004 , p.38, 2004.
5. InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high extrinsic transconductance

WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , PARENTY T. , BOLLAERT S. , MATEOS J. ,
WALLART X. , CAPPY A.
IPRM'04, Indium phoshine and related material, IEEE, Kagoshima, Japon, 31 mai-4 juin ,
pp.295-298, 2004.
6. Submicrometer InAlAs/InGaAs double-gate HEMT's on transferred substrate

WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , PARENTY T. , BOLLAERT S. , MATEOS J. ,
WALLART X. , CAPPY A.
GaAs 2004, Amsterdam, Pays bas, 11-12 octobre 2004 , pp.215-218, 2004.
7. 100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , BOLLAERT S. , MATEOS J. , WALLART X. ,
CAPPY A.
IEDM, San Fransisco, USA, 13-15 dcembre 2004 , pp.1023-1026, 2004.
8. Double-gate HEMTs on transferred susbstrate

N. WICHMANN, I. DUSZYNSKI, T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, X.
WALLART, A. CAPPY
Indium Phosphine and Related Material (IPRM), Santa Barbara, USA, May 2003
9. Monte Carlo simulation of a ballistic Y-branch junction (YBJ)

J.S. GALLOO, E. PICHONAT, Y. ROELENS, S. BOLLAERT, X. WALLART, A. CAPPY,
T. GONZALEZ, H. BOUTRY, B. HACKENS, V. BAYOT, L. BERDNARZ, I. HUYNEN.
Proceeding of Trends in NanoTechnology, Salamanca, Spain, September 2003
10. Fabrication of nano-ballistic devices using high resolution process

E. PICHONAT, J.S. GALLOO, Y. ROELENS, S. BOLLAERT, X. WALLART, A. CAPPY,
T. GONZALEZ, H. BOUTRY, B. HACKENS, V. BAYOT, L. BERDNARZ, I. HUYNEN.
11. Nonlinear electron transport in InGaAs/InAlAs ballistic devices

B. HACKENS, L. GENCE, S. FANIEL, C. GUSTIN, H. BOUTRY, L. BERDNARZ, I.
HUYNEN, V. BAYOT, X. WALLART, S. BOLLAERT, A. CAPPY, J. MATEOS, T.
GONZALEZ.
118
millimtriques
12. Room temperature non-linear transport in InGaAs/InAlAs based ballistic

nanodevices
J. MATEOS, B.G. VASALLO, D. PARDO, T. GONZALEZ, H. BOUTRY, B. HACKENS,
V. BAYOT, L. BERDNARZ, P. SIMON, J.S. GALLOO, E. PICHONAT, Y. ROELENS, X.
WALLART, S. BOLLAERT, A. CAPPY
Indium Phosphine and Related Material (IPRM), Santa Barbara, USA, May 2003
13. "Improvement of the high frequency performance of HEMTs by bufferless

technology"
J. MATEOS, T. GONZALEZ, D. PARDO, S. BOLLAERT, X. WALLART, A. CAPPY
Indium Phosphine and Related Material (IPRM), Stockholm, Sweden, pp173-176, May 2002.
14. HEMTs design for applications beyond 100GHz

S. BOLLAERT, T. PARENTY, X. WALLART, H. HAPPY, G. DAMBRINE, A. CAPPY
GaAs2002,pp45-48, Milan, Italy, Sept. 2002.
15. "Influence of recess extension on double heterostructure metamorphic HEMT for

power application at 60 GHz"
M. ARDOUIN, B. BONTE, M. ZAKNOUNE, D. THRON, Y. CORDIER*, S.
BOLLAERT, J.C. DE JAEGER.
GaAs 2002, Milan, Italie, septembre 2002.
16. Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open
quantum dot
B. HACKENS, S. FANIEL, F. DELFOSSE, C. GUSTIN, H. BOUTRY, I. HUYNEN, X.
WALLART, S. BOLLAERT, A. CAPPY, V. BAYOT
Confrence ICSNN 2002 (Toulouse), proceeding paru dans Physica E17 (2003), pp143-146
17. "0.06m gate length metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs with high ft and
fmax"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, T. PARENTY, H. HAPPY, S. LEPILLIET,
A. CAPPY
18. "0.12m gate length InAlAs/InGaAs HEMTs on transferred substrate"

S. BOLLAERT, X. WALLART, S. LEPILLIET, A. CAPPY, E. JALAGUIER, S. POCAS, B.
ASPAR, J. MATEOS
GaAs2001, London England, Oct. 2001
19. "Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs"

T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, X. WALLART, A. CAPPY
20. "0.12m gate length InAlAs/InGaAs HEMTs on transferred substrate"

X. WALLART, S. BOLLAERT, S. LEPILLIET, A. CAPPY, E. JALAGUIER, J. MATEOS
International Symposium on Compound Semiconductors, Tokyo Japan,Oct. 2001
21. Design optimization of low-noise HEMTs

J. Mateos, T. Gonzlez, D. Pardo, V. Hoel, S. Bollaert, and A. Cappy
119
millimtriques
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Springer

Verlag, 2001, pp. 1777-1778
22. Noise optimization of ultra-short gate HEMTs using Monte Carlo simulation
J. MATEOS, T. GONZLEZ, D. PARDO, S. BOLLAERT, T. PARENTY, AND A. CAPPY
Proceedings of the 16th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f
fluctuations, World Scientific, 2001, pp. 245-248.
23. "Design optimization of ultra-short gate HEMTs using Monte Carlo simulation"
J. MATEOS, T. GONZALEZ, D. PARDO, V. HOEL, S. BOLLAERT, A. CAPPY
GaAs2000, Paris, pp624-627, Oct. 2000.
24. Electroluminescence of metamorphic In/sub x/Al/sub 1-x/As/In/sub x/Ga/sub 1-x/As

HEMTs on GaAs substrate
CAVASSILAS N.; ANIEL F.; NOJEH A.; ADDE R.; ZAKNOUNE M.; BOLLAERT S.;
CORDIER Y.; THERON D.; CAPPY A.
GAAS-2000, Paris, Conference-Proceedings, Oct. 2000.
25. "Charge control and electron transport properties inInAlAs/InGaAs metamorphic

HEMTs: effect of Indium content"
Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, S. BOLLAERT, A. CAPPY
Indium Phosphine and Related Material (IPRM), NJ USA, pp582, 2000
26. "94GHz Low Noise amplifier on InP in Coplanar Technology"

V. HOEL, S. BORET, B. GRIMBERT, G. APERC, S. BOLLAERT, H. HAPPY, X.
WALLAERT, A. CAPPY
GaAs'99, pp257-262, 1999.
27. 94 GHz MMIC CPW low-noise amplifier on InP

DAMBRINE,-G.; HOEL,-V.; BORET,-S.; GRIMBERT,-B.; BOLLAERT,-S.; WALLART,-
X.; LEPILLIET,-S.; CAPPY,-A.
Proceedings-of-the-SPIE-The-International-Society-for-Optical-Engineering, 1999.
28. "Metamorphic InxAl1-xAs/InxGa1-xAs HEMTs on GaAs substrate: the influence of

Indium composition"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, H. HAPPY, M. ZAKNOUNE, V. HOEL, S. LEPILLIET , A.
CAPPY
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'1998), San Fransisco, USA, 6-9
dcembre 1998.
29. "The influence of Indium composition in metamorphic InxAl1-xAs/InxGa1-xAs HEMTs

realized on GaAs substrate"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, H. HAPPY, M. ZAKNOUNE, A; CAPPY
Asia Pacific Microwave Conference (APMC'98), Yokohama, Japon, 8-11 dcembre 1998.
30. "0.1m metamorphic In0.4Al0.6As/In0.4Ga0.6As HEMTs on GaAs substrate"

S. BOLLAERT, Y. CORDIER, H. HAPPY, M. ZAKNOUNE, V. HOEL, S. LEPILLIET , A.
CAPPY
120
millimtriques
31. "A new gate process for the realization of lattice-matched HEMT on InP for high
yield MMICs"
V. HOEL, S. BOLLAERT, X. WALLART, B. GRIMBERT, S. LEPILLIET, A. CAPPY
32. "Power performace capability of metamorphic HEMT on GaAs substrate"

M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, D. THRON, Y. CORDIER
33. "MBE growth of AlInAs/GaInAs lattice relaxed layers for HEMT application on
GaAs substrate"
Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, S. BOLLAERT
40th Electronic Materials Conference (EMC), Charlottesville, USA, 24-26 juin 1998
34. "High performance metamorphic In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As HEMT's on GaAs

substrate with an inverse step InAlAs metamorphic buffer"
M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, Y. DRUELLE, D. THRON, Y.
CORDIER
Device Research Conference, (DRC), Charlottesville, USA, 22-24 juin 1998.
35. "InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs substrate: from material to device"

Y. CORDIER, S. BOLLAERT, M. ZAKNOUNE J. DIPERSIO, D.FERR, S. STRUDEL,
Indium Phosphine Related Material (IPRM), Universit de Tsukuba, Japon, mai 1998.
36. "MBE growth of AlInAs and GaInAs lattice mismatched buffer layers for HEMT
application on GaAs substrate"
Y. CORDIER, Y. DRUELLE, S. BOLLAERT, A. CAPPY, S. TRUDEL, J. DI PERSIO ET
D. FERRE
39th Electronic materials Conference (EMC), Collorado, USA, juin 1997.
37. "Comparative study of InAlAs and InGaAs lattice-matched buffer layers for HEMT
application on GaAs"
Y. CORDIER, S. BOLLAERT, J. DIPERSIO, D.FERR, S. STRUDEL, Y. DRUELLE, A.
CAPPY
International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-6th), Cardiff,
Grande Bretagne, 23-27 juin 1997.
38. "DC characteristics I(V) of pseudomorphic GaAs/InGaAs/AlGaAs quantum-wire

FETs"
J. BLANCHET, P. DEBRAY, S. BOLLAERT, A. CAPPY
Growth, Processing and Characterization of Semiconductor Heterostructures, Symposium
Mater Res. Soc., Pittsburgh, USA, pp 602, 1994.
WORKSHOP
1. "Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using
double recess technology"
M. ARDOUIN, B. BONTE, M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, D. THRON
AND J.C. DE JAEGER.
WOCSDICE 2002, Chernogolovka, Russie, mai 2002.
121
millimtriques
2. "70-nm gate InP-based HEMTs with high fT and fmax"

T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, S. LEPILLIET, X. WALLART, A. CAPPY.
HETECH 2001, Padova, Italie, Oct. 2001.
3. "Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs"

T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, A. CAPPY
HETECH '00, Ulm, Allemagne, septembre 2000.
4. "HEMT structure on GaAs and InP substrates for millimeter wave power application"
D. THRON, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, M. ZAKNOUNE, M. BOUDRISSA, B.
BONTE, C. GAQUIRE, F. MOLLOT, A. CAPPY, R. FAUQUEMBERGUE, JC. DE-
JAEGER
24th Worshop on Compound and Semiconductor Devices and integrated Circuits
(WOCSDICE 2000), Ann Arbor USA, pp196, 2000.
5. "94GHz Low Noise amplifier on InP in Coplanar Technology"

V. HOEL, S. BORET, B. GRIMBERT, G. APERC, S. BOLLAERT, H. HAPPY, X.
WALLAERT, A. CAPPY
Worshop on Compound and Semiconductor Devices and integrated Circuits
(WOCSDICE'99), 26-28 May 1999, Chantilly - France.
6. "The use of an inverse step InAlAs metamorphic buffer to realize high performance
In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As HEMT's on GaAs substrate"
M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT, Y. DRUELLE, D. THRON, Y.
CROSNIER
HETECH'98.
7. "Device technology for millimeter wave receiver"

S. BOLLAERT, H. HAPPY, V. HOEL, Y. CORDIER, H. FOURR, M. ZAKNOUNE,A.
CAPPY
5th International Workshop on Terahertz Electronics, Grenoble, septembre 1997.
COMMUNICATIONS NATIONALES
1. Realisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de 20nm de grille
DUSZYNSKI I. , WICHMANN N. , BOLLAERT S. , WALLART X. , CAPPY A.
JNM, Journe Nationales Microondes, Nantes, 11-13 mai 2005 , pp.1, 2005.
2. Technologie ,simulation et caractrisation T=300K de dispositifs balistiques de type

GaInAs/AlInAs avec grille de commande
GALLOO J.S. , GARDES C. , TEUKAM Z. , ROELENS Y. , BOLLAERT S. , WALLART
X. , CAPPY A.
JNM, Journes Nationales Microondes, Nantes, 11-13 mai 2005 , pp.1, 2005.
3. HEMT In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Double-grille de longueur 100nm

WICHMANN N. , DUSZYNSKI I. , BOLLAERT S. , WALLART X. , CAPPY A.
Journes Nationales Microondes (JNM), Nantes,, Nantes, 11 Mai-13 Mai , pp, 2005.
4. HEMT double grille sur substrat report

N. WICHMANN, I. DUSZYNSKI, T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, X.
WALLART, A. CAPPY
122
millimtriques
Journe Nationales Microondes, Lille, mai 2003
5. Amlioration de fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat dInP de longueur de

grille 70nm par optimisation de la structure de couche
DUSZYNSKI, T. PARENTY, S. BOLLAERT, J. MATEOS, X. WALLART, A. CAPPY
Journe Nationales Microondes, Lille, mai 2003
6. "HEMTs sur substrat report"

7. N. WICHMANN, I. DUSZYNSKI, S. BOLLAERT, X. WALLART, S. LEPILLIET, A.
CAPPY, E. JALAGUIER
9mes Journe Nationales de Microlectronique et Optolectronique (JNMO), St-Aygulf,
France, Octobre 2002.
8. "Performance 60 GHz de HEMTs Mtamorphiques sur GaAs utilisant une Technologie

Double Recess"
M. Zaknoune, M. Ardouin, B. Bonte, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Thron and J.C. De Jaeger.
9. "HEMTs sur substrat report"

N. WICHMANN, I. DUSZYNSKI, S. BOLLAERT, X. WALLART, S. LEPILLIET, A.
CAPPY, E. JALAGUIER
10. "HEMTs mtamorphiques htrojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs sur substrat GaAs:

influence du taux d'Indium x"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, H. HAPPY, V. HOEL, S. LEPILLIET , A.
CAPPY
Journe Nationales de Microlectronique et Optolectronique (JNMO), Egat, France, 6-8
janvier 1999.
11. "Performances en puissance de HEMTs In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As sur substrat GaAs"

M. ZAKNOUNE, Y. CORDIER, S. BOLLAERT
Journe Nationales de Microlectronique et Optolectronique, Egat, France, 6-8 janvier 1999.
12. "Optimisation de la croissance par EJM de couches tampons AlInas relaxes pour
TEGFET mtamorphiques sur substrat GaAs"
Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, S. BOLLAERT
Journe Nationales de Microlectronique et Optolectronique, Egat, France, 6-8 janvier 1999.
13. HEMTs mtamorphiques htrojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs sur substrat GaAs:

influence du taux d'Indium"
S. BOLLAERT, Y. CORDIER, M. ZAKNOUNE, H. HAPPY, V. HOEL, S. LEPILLIET, A.
CAPPY
Journe Nationales Microondes (JNM'99), Arcachon, mai 1999.
14. "Etude compare des couches tampons GaInAs et AlInAs pour TEGFET mtamorphique
sur substrat GaAs"
123
millimtriques
Y. CORDIER, Y. DRUELLE, S. BOLLAERT, A. CAPPY, J. DI PERSIO, D. FERRE ET S.

TRUDEL
6me Journe III-V, Chantilly, 29-31 janvier 1997.
15. "Influence des capacits parasites lies la technologie niture sur les performances de
HEMT adapt en maille sur InP de longueur de grille submicronique"
V. HOL, P. CHEVALIER, S. BOLLAERT, H. FOURR, J.M. BELQUIN, S. LEPILLIET,
A. CAPPY
6me Journe III-V, Chantilly, 29-31 janvier 1997
16. "Etude de transistors effet de champ canaux quasi-unidimensionnels"

S. BOLLAERT, P. LEGRY, S. LEPILLIET, P. WIN, H. HAPPY, A. CAPPY
5me Journe Nationales de Microlectronique et Optolectronique (JNMO), Ecully France,
juin 1994.
124

2005 Bollaert

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HDR de Sylvain Bollaert, Lille 1, 2005

UNIVERSIT DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE

Habilitation Diriger des Recherches

Composants ultra rapides pour applications en

2002 2004 Dlgation au CNRS section STIC

Isabelle Duszynski, (2001), Nano-transistors pour communications optiques ultra

Membre lu au conseil de laboratoire

Comits de lecture et scientifiques de revues et confrences :

Salamanque, Universit de Montpellier, Universit de Louvain) et industriels (Thales,

Composants ultra rapides pour applications en

I. INTRODUCTION GENERALE ............................................................... 16

II. LE HEMT AlInAs/GaInAs ...................................................................... 20

II.2. Variantes : le HEMT mtamorphique sur substrat de GaAs ............................................. 32

II.3. HEMT AlInAs/GaInAs enrichissement sur substrat de GaAs ........................................ 36

II.4. Perspective du HEMT: Transistors onde plasma ............................................................. 37

III. COMPOSANTS RAPIDES ALTERNATIFS........................................ 46

III.2. HEMTs sur substrat transfr .............................................................................................. 48

III.3. Composants balistiques.......................................................................................................... 56

IV. CONCLUSION ET PERSPECTIVES .................................................. 68

VI. BIBLIOGRAPHIE DES TRAVAUX DE RECHERCHE ....................... 83

VI.2. Liste des publications ........................................................................................................... 113

Une deuxime solution a t tudie : les composants balistiques. Dans un composant

II. Le HEMT AlInAs/GaInAs

II.1. HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat dInP

II.1.1. HEMTs 100 nanomtres et circuits 100GHz

II.1.1.a.1) Etapes gnrales

II.1.1.a.2) Grille en T et recess slectif

(a) Lithographie de grille en T 100nm

a) Procd Nitrure b) Procd bicouche

Dpt Si3N4 Si3N4

Dpt PMMA PMMA

Nettoyage rsine Dpt mtallisation

Figure II-1 Procds technologiques a) nitrure et b) bicouche, de ralisation de grille en T de

Une alternative ce procd est lutilisation du procd bicouche (Figure II-1.b). Ce

(b) Recess slectif

II.1.1.b) Structure de couche

II.1.1.c) Rsultats lectriques

Les principaux rsultats lectriques et la comparaison des transistors HEMTs-InP de

Tableau II-2 Transconductances intrinsques gm, frquences de coupure intrinsques

Pour la technologie nitrure de longueur de grille 100nm, une transconductance Gm

II.1.1.d) MMIC bandes V et W

Tableau II-3 Mesures du facteur de bruit NF et du gain en puissance associ Ga.

II.1.2. HEMTs 60 nanomtres et circuits 140, 180GHz

II.1.2.a) Optimisation de la structure de couche

Figure II-4 Principaux lments intervenant dans les performances du HEMT

la transconductance extrinsque Gm et du fT [Rf. 23, Rf. 28]. De plus un recess long ct

Figure II-5 Structure de couche optimise pour filire 60 nm.

II.1.2.b) Rsultats lectriques

Tableau II-4 Mesures deffet Hall sur structures standard et optimise.

Tableau II-5 Principaux paramtres lectriques de comparaison entre des HEMTs

II.1.2.c) Rsultats MMIC

Les rsultats des conceptions sont :

Amplificateur 140GHz Amplificateur 180GHz

II.1.3. Perspectives : filires sub-50 nanomtres

II.1.3.a) Technologies de grille envisages

Ouverture de la rsine et Profil de grille final :

La Figure II-7 donne une photographie ralise par microscopie lectronique. La

II.1.3.b) Structures de couche

paisseurs de la couche Schottky, de lespaceur et du canal ont t diminues, et le plan de

Cap layer InGaAs 10 nm 6x1018 Si.cm-3

Couche tampon In0.52Al0.48As 200 nm

Figure II-8 Structure de couche optimise pour ralisation de grille sub-50nm.

II.1.3.c) Rsultats lectriques