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Bensaci Wafa
Bensaci Wafa
Thme
Wafa bensaci
Rsum
" ,
. "
MSX 60
. 17.1 3.5 60 ,
. Matlab/Simulink
.,, MPPT , , :
Rsum
Dans ce travail, on a analys la modlisation et la simulation du fonctionnement
lectrique dun systme photovoltaque (PV) adapt par une commande numrique
perturbation et observation assurant la poursuite de la puissance maximale fournie par
le gnrateur PV. Dans notre analyse, on a conu un systme PV o le gnrateur PV est le
module MSX60 produisant, dans les conditions standards de test (CST), une puissance
crte de 60W, un courant optimal de 3.5 A et une tension optimale de 17.1V. Les rsultats
de simulation obtenus sous Matlab/Simulink montrent la performance du contrle dans le
comportement dynamique des systmes photovoltaques.
Abstract
n this work, we analyze the modelisation and the simulation of the electric
operation of a photovoltaic (PV) system adapted by an numerical control perturbation
and observation ensuring the tracking of the maximum power provided by the PV
generator. In our analysis, we conceived a PV system where the PV generator is the panel
MSX60, this panel gives under the test standard conditions (CST), a power peak of 60W,
an optimal current of 3.5A and an optimal voltage of 17.1V. The simulation results under
Matlab/Simulink show the control performance and dynamic behaviour of photovoltaic
system.
Keywords :
PVsysteme, Boost converter, MPPT command, Modelisation, Simulation
Liste des symboles
PV: Photovoltaque.
GPV: Gnrateur Photovoltaque.
FF: Facteur de forme.
MPPT: Maximum Power Point Tracking.
P&O: Perturbation et Observation.
DC: Courant Continu (Direct Current).
AC: Courant Alternatif (Alternative Current).
Sommaire
Introduction gnrale 01
03
I-1 .Introduction
I.2. Leffet photovoltaque 03
I.6. Conclusion 14
Sommaire
II.1. Introduction 16
II.4. Conclusion 28
III.1.Introduction 29
III.7. La Charge 48
III.9. Conclusion 53
Conclusion gnrale 54
Bibliographie 56
List de figure
Figure (II.11) : dP 26
Signe de pour diffrentes zones de fonctionnement
dV
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir.
Les besoins nergtiques des socits industrialises ainsi que les pays en voie de
dveloppement ne cessent de se multiplier. Cette production a tripl depuis les annes 60
nos jours. La totalit de production mondiale dnergie provient de sources fossiles.
La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz effet de serre et donc
une augmentation de la pollution. En plus la consommation excessive de stock de
ressources naturelles rduit les rserves de ce type dnergie de faon dangereuse pour les
gnrations futures.
Les nergies renouvelables telles que l'nergie olienne, l'nergie solaire, lnergie
biomasse et lnergie hydrolectrique, sont des solutions prometteuses pour concurrencer
les sources dnergies de masse telle que lnergie fossile et nuclaire.
On entend par nergie renouvelable, des nergies issues du soleil, du vent, de la chaleur de
la terre, de leau ou encore de la biomasse. A la diffrence des nergies fossiles, les
Energies renouvelables sont des nergies ressource illimite.
Le rayonnement solaire est repartie sur toute la surface de la terre, sa densit n'est pas
grande et ne cause aucun conflit entre les pays contrairement au ptrole. Les systmes
photovoltaques semblent bien simposer comme moyen de conversion de lnergie solaire
en nergie lectrique. Un tel systme se compose d'un champ de modules et d'un ensemble
de composants qui adaptent l'lectricit produite par les modules aux spcifications des
rcepteurs.
Page 1
Introduction gnrale
Page 2
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Chapitre I :
I.1. Introduction
Cette nergie solaire est disponible en abondance sur toute la surface terrestre, et malgr
une attnuation importante lorsqu'elle traverse l'atmosphre, la quantit qui reste est encore
assez importante quand elle arrive au sol. On peut ainsi compter sur 10 000 w/m crte
dans les zones tempres et jusqu' 14 000 W/m lorsque l'atmosphre est faiblement
pollue [1-3].
Le terme photovoltaque vient du Grec et qui signifie Lumire, il est compos de deux
parties : photos (lumire) et du nom de famille du physicien italien (Allessandro Volta)
qui inventa la pile lectrique en 1800 et donna son nom lunit de mesure de la tension
lectrique, le volt.
Page 3
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Lorsquun matriau semi-conducteur est expos la lumire du soleil, les atomes exposs
au rayonnement sont "bombards" par les photons constituants la lumire; sous laction de
ce bombardement, les lectrons des couches lectroniques suprieures (appels lectrons
des couches de valence) ont tendance tre "arrachs":
Par contre, dans les cellules photovoltaques, une partie des lectrons ne revient pas son
tat initial. Les lectrons "arrachs" crent une tension lectrique continue faible. Une
partie de lnergie cintique des photons est ainsi directement transforme en nergie
lectrique: cest leffet photovoltaque [4].
La fabrication des cellules s'effectue partir de lingots de silicium. Ces lingots sont
dcoups en fines couches de type P ou N en y diffusant du brome ou du phosphore.
Page 4
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Une cellule solaire est alors obtenue en constituant une jonction de deux zones de type
oppos (jonction PN).
Une cellule photovoltaque donc est un dispositif qui permet de transformer l'nergie
solaire en nergie lectrique. Cette transformation est base sur les trois mcanismes
suivants : Absorption des photons (dont l'nergie est suprieure au gap) par le matriau
constituant le dispositif ; Conversion de l'nergie du photon en nergie lectrique, ce qui
correspond la cration des pairs lectrons/trous dans le matriau semi-conducteur ;
Collecte des particules gnres dans le dispositif [4].
Afin de collecter les particules gnres, un champ lectrique permettant de dissocier les
pairs lectrons / trous crs est ncessaire. Pour cela on utilise le plus souvent une jonction
P-N [4].
Page 5
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Ces rsistances ont une certaine influence sur la caractristique I =f (V) de la cellule [1]:
+( ) +( )
=
1 (I.1)
O I sat est le courant de saturation, K est la constante de Boltzmann (1,381 10-23 J/K), T est
la temprature effective des cellules en Kelvin(K), e est la charge de llectron (e=1,6 10-19
C), n est le facteur didalit de la jonction (1< n<3), I pv est le courant fourni par la cellule
lorsquelle fonctionne en gnrateur, V pv est la tension aux bornes de cette mme cellule,
I ph est le photo-courant de la cellule dpendant de lclairement et de la temprature ou
bien courant de (court circuit), R shu est la rsistance shunt caractrisant les courants de
fuite de la jonction, R ser est la rsistance srie reprsentant les diverses rsistances de
contacts et de connexions [3].
Page 6
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Cest le courant pour lequel la tension aux bornes de la cellule ou du gnrateur PV est
nulle. Dans le cas idal (R ser nulle et R shu infinie), ce courant se confond avec le photo-
courant I ph dans le cas contraire, en annulant la tension V dans lquation (I.1), on obtient:
( ) ( )
= 1 (I.2)
Pour la plupart des cellules (dont la rsistance srie est faible), on peut ngliger le terme
( )
1 devant I ph . Lexpression approche du courant de court-circuit
est alors:
(I.3)
1+
Cest la tension V co pour laquelle le courant dbit par le gnrateur photovoltaque est nul
(cest la tension maximale dune photopile ou dun gnrateur photovoltaque).
0 = 1 (I.4)
Cest le rapport entre la puissance lectrique maximale fournie par la cellule P max (I opt ,V opt )
et la puissance solaire incidente. Il est donn par :
= = (I.6)
Avec P inc est gale au produit de lclairement et de la surface totale des photopiles. Ce
paramtre reflte la qualit de conversion de lnergie solaire en nergie lectrique.
Page 7
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
On appelle facteur de forme FF, dit aussi facteur de courbe ou facteur de remplissage (fill
factor), le rapport entre la puissance maximum fournie par la cellule P max (I opt ,V opt ) et le
produit du courant de court-circuit I cc par la tension de circuit-ouvert V co (c'est--dire la
puissance maximale dune cellule idale). Le facteur de forme indique la qualit de la
cellule ; plus il sapproche de lunit plus la cellule est performante, Il est de lordre de 0.7
pour les cellules performantes ; et diminue avec la temprature. Il traduit linfluence des
pertes par les deux rsistances parasites R ser et R shu . il est dfini par :
= = (I.7)
Elle est donc son maximum lorsque le soleil est au znith et nulle la nuit.
Mais, trs souvent, les besoins en lectricit ne correspondent pas aux heures
d'ensoleillement et ncessitent une intensit rgulire (clairage ou alimentation de
rfrigrateurs, par exemple). On quipe alors le systme de batteries d'accumulateurs qui
permettent de stocker l'lectricit et de la restituer en temps voulu [4].
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Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
La figure (I.3) reprsente la courbe I =f (V) dun module photovoltaque typique dans des
conditions constantes dirradiation et de temprature.
Lirradiation standard adopte pour mesurer la rponse des modules photovoltaques est
une intensit rayonnante de 1000 W/m2 et une temprature de 250C.
Il est important de noter que certains rgulateurs solaires ralisent une adaptation
dimpdance afin qu chaque instant on se trouve proche de ce point P m [4].
[2, 3, 5, 6].
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Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Page 10
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
circuit ouvre. Quand la temprature augmente la tension de circuit ouvert diminue. Par
consquent la puissance maximale du gnrateur subit une diminution [3].
Page 11
Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Pour produire plus de puissance, les cellules sont assembles pour former un module (ou
panneau).
Un module de 36 cellules en srie (Type GTO136 - 80/2) est suffisant pour obtenir une
tension compatible avec la charge. Pour avoir plus de tension, il faut assembler Ns modules
en srie, par contre pour le courant gnr, un nombre Np de modules en parallle permet
den ajouter, les diodes de protection srie et parallles protgent le circuit contre le retour
de courant [6].
Lassociation en srie des cellules dlivre une tension gale la somme des tensions
individuelles et un courant gal celui dune seule cellule [6].
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Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Lassociation en parallle des photopiles dlivre un courant gal la somme des courants
individuels et une tension gale celui dune seule cellule [6].
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Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
Pour avoir une satisfaction en courant et en tension, on est oblig dutiliser un groupement
mixte, cest dire Srie-Parallle [6].
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Chapitre I Gnralit sur les gnrateurs photovoltaques
I.6. Conclusion:
Dans le chapitre prochain, on prsentera une tude sur les convertisseurs DC-DC
(hacheurs) et leurs commande MPPT pour chercher le point o la puissance du gnrateur
photovoltaque est maximale.
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Chapitre II :
Les convertisseurs DC-DC et la commande
MPPT
II.1. Introduction
Cette adaptation pourra tre ralise par linsertion dun convertisseur DC-DC
(hacheur) contrl par un mcanisme de poursuite Maximum Power Point Tracking
(MPPT) [1, 2, 7, 8].
Le but de ce chapitre est ltude des quelques types convertisseurs DC-DC, utiliss
dans les systmes photovoltaques. Comme lhacheur dvolteur, lhacheur survolteur et
lhacheur mixte (dvolteur-survolteur). Ainsi, on dcrive la commande MPPT des
convertisseurs DC-DC.
On prsente dans ce chapitre, quelques mthodes MPPT bases sur contre raction
de puissance, comme lalgorithme dincrmentation de linductance et mthode de
perturbation et observation.
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
La technique du dcoupage, apparue environ dans les annes soixante, a apport une
solution au problme du mauvais rendement et de l'encombrement des alimentations sries.
Dans une alimentation dcoupage (Figure II.1), la tension dentre est "hache" une
frquence donne par un transistor alternativement passant et bloqu.
Il en rsulte une onde carre de tension qu'il suffit de lisser pour obtenir finalement une
tension continue [7].
Dun point de vue circuit, le hacheur apparat comme un quadriple (figure II.2), jouant le
rle dorgane de liaison entre deux parties dun rseau. On peut le considrer comme un
transformateur de grandeurs lectriques continues [7].
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
La rgulation de la tension de sortie un niveau constant est ralise par une action sur le
"rapport cyclique", dfini comme la fraction de la priode de dcoupage o linterrupteur
est passant (figure II.3). Linterrupteur est un dispositif semi-conducteur en mode tout-rien
(bloqu satur), habituellement un transistor MOSFET. Si le dispositif semi-conducteur
est bloqu, son courant est zro et par consquent sa dissipation de puissance est nulle. Si
le dispositif est dans l'tat satur la chute de tension ses bornes sera presque zro et par
consquent la puissance perdue sera trs petite [7].
T est la priode de commutation qui est gale
.
s
Il existe plusieurs types des convertisseurs DC-DC. Parmi les quels, on prsente le
principe des trios types des convertisseurs dcoupage (dvolteur, survolteur et mixte),
utiliss frquemment dans les systmes photovoltaques pour gnrer les tensions et les
courants souhaits ainsi que pour ladaptation des panneaux solaires avec les dfrentes
charges [1, 2, 7,8].
cyclique du commutateur.
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Pour cela nous devons faire la reprsentation du circuit quivalent par les deux tats du
commutateur et de tirer par suite le modle mathmatique reliant les variables
dentre/sortie. La figure (II.5) montre les schmas des circuits quivalents dun
convertisseur dvolteur dans les deux cas : linterrupteur ferm pendant dTs et
linterrupteur ouvert pendant (1-d) T S [1, 2, 7, 8].
(a) (b)
En appliquant les lois de Kirchhoff sur les deux circuits de la figure (II.5), on obtient les
systmes dquations suivants :
()
2 () = 2 = () () (II.1)
() = = () ()
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
()
1 () = 1 = ()
()
2 () = = () () (II.2)
() = = ()
Pour trouver une reprsentation dynamique valable pour tout la priode Ts , on utilise
gnralement lexpression suivante [7] :
= + (1 ) (II.3)
(1 )
En appliquant la relation (II.3) sur les systmes dquations (II.1) et (II.2), on obtient les
quations qui rgissent le systme sur une priode entire :
()
1 = ( ) + (1 )
()
2 = ( ) + (1 ) ( ) (II.4)
= ( ) + (1 ) ( )
()
() = () 2
1 ()
() = ( ()1 ) (II.5)
() = 1 ( () + ())
Comme pour le convertisseur dvolteur, lapplication des lois de Kirchhoff sur les circuits
quivalents du convertisseur survolteur (voir figure II.7) des deux phases de
fonctionnement donne [7] :
(a) (b)
()
2 () = 2 = () (II.6)
() = = ()
()
2 () = 2 = () () (II.7)
() = = () ()
En appliquant la relation (II.3) sur les systmes dquations (II.6) et (II.7), Comme
pour le convertisseur dvolteur, on trouve le modle approxim du convertisseur survolteur
[7] :
()
= 1
()
= (1 ) 2 (II.8)
= + (1 )
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
(a) (b)
()
2 () = 2 = () (II.9)
() = = ()
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
()
1 () = 1 = ()
()
2 () = 2
= () () (II.10)
() =
= ()
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Ces mthodes sont bases sur des algorithmes de recherche itrative pour trouver le
point de fonctionnement du module solaire pour que la puissance gnre soit maximale
sans interruption de fonctionnement du systme. Elles ne sont pas bases sur des valeurs
de rfrences prdfinies ou partir des paramtres oprationnels, mais sur la
maximisation permanente de la puissance gnre par les modules photovoltaque PV.
La puissance extraite du module est calcule partir des mesures de courant I et de tension
V du module et la multiplication de ces deux grandeurs PPV = I PV * VPV .
Ces mesures sont utilises par diverses mthodes qui poursuivent le MPP rel de la rage
[2,8].
Cette drive est nulle au point de puissance maximale, positive gauche du point MPP et
ngative droite [4, 8].
P = IV (II.12)
dP
La driv partielle est donne par :
dV
dP dI
= I +V (II.13)
dV dV
1 dP I dI
= + (II.14)
V dV V dV
I dI
On dfinit la conductance de la source G = et lincrmentale conductance G = .
V dV
Page 24
Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Puisque la tension V du panneau est toujours positive, les relations (II.15) explique que le
point de puissance maximale MPP est atteint si la conductance de la source G gale
lincrmentale conductance G de la source avec un signe moins, et quelle est gauche
de ce point lorsque la conductance G est suprieure lincrmentale conductance G et
vice-versa, comme suit :
dP I dI
dV > 0 si V > dV
dP I dI
= 0 si = (II.15)
dV V dV
dP I dI
< 0 si <
dV V dV
dP
La figure (II.11) prsent le signe de pour diffrentes zones de fonctionnement
dV
dP
Figure (II.11): Signe de pour diffrentes zones de fonctionnement
dV
Les tensions et courants du panneau sont monitoires, de telle manire que le contrleur
peut calculer la conductance et la conductance incrmentale, et dcider de son
comportement. Cet algorithme implique un nombre important de calculs de drives [4].
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Comme son nom lindique, la mthode P&O fonctionne avec la perturbation de la tension
V pv et lobservation de l'impact de ce changement sur la puissance de sortie du panneau
photovoltaque.
sont mesurs pour calculer P pv (k). Cette valeur de P pv (k) est compare la valeur P pv (k-1)
calcule au cycle prcdent.
Si la puissance de sortie a augment, V pv est ajuste dans la mme direction que dans le
cycle prcdent. Si la puissance de sortie a diminu, V pv est ajuste dans la direction
oppose que dans le cycle prcdent. V pv est ainsi perturbe chaque cycle de MPPT.
Quand le point de puissance maximale est atteint, V pv oscille autour de la valeur optimale
V op . Ceci cause une perte de puissance qui augmente avec le pas de lincrmentation de la
perturbation. Si ce pas d'incrmentation est large, l'algorithme du MPPT rpond
rapidement aux changements soudains des conditions de fonctionnement.
D'autre part, si le pas est petit, les pertes, lors des conditions de changements
atmosphriques lents ou stables, seront infrieures mais le systme ne pourra pas rpondre
rapidement aux changements rapides de la temprature ou de l'clairement. Le pas idal est
dtermin exprimentalement en fonction des besoins [8].
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Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
Lalgorithme prcdent ragit comme si cette augmentation est produite par leffet de
perturbation prcdente, alors il continu dans la mme direction qui est une mauvaise
direction, ce que lloigne du vrai point de puissance maximale.
Ceci cause un retard de rponse lors des changements soudains de fonctionnement et des
pertes de puissance [8].
Page 27
Chapitre II Les convertisseurs DC-DC et la commande MPPT
II.4. Conclusion
Page 28
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Chapitre III :
Modlisation et simulation du systme
III.1. Introduction :
La figure (III.2) est reprsent le schma synoptique dun systme PV alimente une
charge rsistive (R S ) :
Page 30
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Le module fait intervenir un gnrateur de courant pour la modlisation dune diode pour
les phnomnes de polarisation de la cellule, une rsistance srie Rs reprsentant les
diverses rsistances de contacts et de connexions et une rsistance parallle R P
caractrisant les divers courants de fuites dus la diode et aux effets de bords de la
jonction.
Le gnrateur photovoltaque est reprsent par un modle standard une seule diode,
tablit par shockley pour une seule cellule PV, et gnralis un module PV en le
considrant comme un ensemble de cellules identiques branches en srie-parallle.
Page 31
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Page 32
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Dans ce cas, on a choisi un modle simple ne ncessitant que les paramtres donns par le
fabriquant, la caractristique I-V de ce modle est donne par (chapitre I-quation (I.1)):
+( ) +( )
=
1 (III.1)
Page 33
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Si lon suppose que la rsistance parallle (shunte) est infinie (R P =), lquation (III.1)
devienne :
+.
= exp
( ) 1 (III.2)
La rsistance srie influe largement sur la pente de la courbe des caractristique (I-V) au
voisinage de .
Lquation de la caractristique I=f(V) (III.1) non linaire est rsolue par des mthodes
ditration simple. Gnralement la mthode de Newton-Raphson est choisie pour la
convergence rapide de la rponse. La mthode de Newton-Raphson est dcrite comme suit:
( )
+1 = (III.5)
( )
En remplaant dans lquation (III.5), on calcule le courant (I) par les itrations [10] :
+ .
exp 1
+1 = + .
(III.7)
1 exp
( )
Les quations prcdentes ne sont valables que pour un mode de fonctionnement optimal.
Pour gnraliser notre calcul pour diffrentes clairements et tempratures, nous utilisons
le modle qui dplace la courbe de rfrence de nouveaux emplacements [11].
Page 34
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
() = . [1 + ] (III.8)
= 1000 (III.9)
3
. 1 1
() = . . (III.10)
Les rsultats de simulation du gnrateur photovoltaque reprsentent par les figures (III.6)
(III.9). Ces figures reprsentent les caractristiques Courant-Tension et Puissance-
Tension pour diffrents tempratures et diffrents clairements.
Les figures (III.6) et (III.7) ci-dessous montrent que la tension vide d'un module
photovoltaique (une cellule solaire) diminue avec laugmentation de la temprature du
module PV (de la cellule). Le courant de court-circuit, par contre, augmente lgrement
avec la temprature du module PV (de la cellule solaire).
Page 35
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Les figures (III.8) et (III.9) montrent linfluence de lclairement sur les caractristiques
courant-tension et puissance-tension. A une temprature constante, on constate que le
courant subit une variation importante, mais par contre la tension varie lgrement. Car le
courant de court circuit est une fonction linaire de lclairement alors que la tension de
circuit ouvert est une fonction logarithmique.
G=1000W/m2
4
3.5
0C
Courant du module (A)
25C
2.5
50C
2
75C
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Tension du module (V)
Page 36
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
25C
50
Puissance du module (W)
50C
40 75C
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension du module (V)
3.5
Courant du module (A)
800W/m2
3
2.5 600W/m2
2
400W/m2
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Tension du module (V)
Page 37
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
1000W/m2
60
Puissance du module (W)
50 800W/m2
40
600W/m2
30
400W/m2
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension du module (V)
On remarque que le courant optimal est trs sensible lclairement. Par contre la tension
optimal varie trs peut avec lclairement et diminue lgrement avec la temprature.
A partir la figure (III.12), on peut remarquer que la puissance maximale est trs sensible
lclairement.
La rsistance optimale, figure (III.13), est trs sensible lclairement en particulier pour
les faibles clairements.
Page 38
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
En examinant les caractristiques obtenues, nous pouvons conclure que des fortes
variations du niveau de lclairement provoquent des variations relativement importantes
du courant optimal. Alors que, les variations relatives de la tension optimale restent faibles.
20
0C
18
25C
Tension optimale du module (V)
16
50C
14
75C
12
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Eclairement (W/m )
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Chapitre III Modlisation et simulation du systme
0C
3.5 25C
50C
75C
Courant optimal du module(A)
2.5
1.5
0.5
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Eclairement (W/m2)
60 50C
75C
50
40
30
20
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
2
Eclairement (W/m )
Page 40
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
18
0C
Rsistance optimale du module (ohm)
16
25C
14 50C
12 75C
10
0
0 200 400 600 800 1000 1200
Eclairement (W/m2)
Pour une tude en rgime continu, en liminant les drives des variables dynamiques,
dans le systme dquations (II.7) du chapitre prcdent, et en remplaant ces signaux par
leurs valeurs moyennes. Le systme dquations devient :
IL = Ie
Is = (1 d)IL (III.11)
Ve = (1 d)Vs
= 1 = 1
(III.12)
= (1 ) = (1 )
= (1 )2 = 1 (III.14)
Puisque le rapport est vrifi lingalit 0< d < 1, le convertisseur ne joue le rle dun
lvateur que si la charge R S remplit la condition suivante :
RS > R pv
(III.15)
Dans les conditions optimales et pour une charge R S donne, la rsistance interne du
panneau (R pv = R opt ) et le rapport cyclique (d = d opt ) obissent donc lquation:
La relation (III.16) montre que, pour une puissance incidente P, la puissance optimale
transfre la charge ne pourrait tre maximale que pour un rapport cyclique bien dfini
(d opt ) (point PPM).
Page 42
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Page 43
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
0.8
Amplitude
0.6
0.4
0.2
0
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Temps (S)
Les rsultats de simulation du convertisseur survolteur reprsentent par les figures (III.17)
(III.19). Ces figures reprsentent les tensions dentre et de sortie dhacheur survolteur
ainsi le courant de sortie dhacheur. Ces rsultats montrent que la tension de sortie
dhacheur survolteur est superieur celle dentre. Donc lhacheur survolteur effuctue
correctement son role.
Page 44
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
35
30
25
Tension (V)
20
15
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
35
30
25
Tension (V)
20
15
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
5
Courant (A)
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
Ce point de fonctionnement varie car les conditions de travail varient ou/et la charge varie
tout moment. C'est pourquoi, souvent, on nopre pas au MPP, et la puissance fournie
la charge est infrieure la puissance maximale [9].
Page 46
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Elle peut dduire le point de puissance maximale mme lors des variations de lclairement
et la temprature. Sur la figure (III.18), on a reprsent le schma synoptique de la
mthode de perturbation et dobservation.
Page 47
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
III.7. La Charge :
Page 48
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
Lhacheur survolteur fournie une tension sa sortie superieure celle fournie par le
gnrateur photovoltaique. Et la commande MPPT adapte le gnrateur PV la charge:
transfert de la puissance maximale fournie par le gnrateur PV.
Page 49
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
30
25
20
Tension (V)
15
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
4.5
3.5
3
Courant (A)
2.5
1.5
0.5
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
Page 50
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
80
70
60
50
Puissance (W)
40
30
20
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
40
35
30
25
Tension (V)
20
15
10
0
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
Temps (S)
2.5
1.5
Courant (A)
0.5
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
70
60
50
Puissance (W)
40
30
20
10
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (S)
Page 52
Chapitre III Modlisation et simulation du systme
III.9. Conclusion:
Page 53
Conclusion gnrale
On a tudi, dans un deuxime temps, quelques types convertisseurs DC-DC, utiliss dans
les systmes photovoltaques. Comme lhacheur dvolteur, lhacheur survolteur et
lhacheur mixte (dvolteur-survolteur). Ainsi, on a dcri le mcanisme de la poursuite
pour lextraction de la puissance maximale sous diffrentes conditions de fonctionnement.
On a prsent les mthodes MPPT bases sur contre raction de puissance, comme
lalgorithme dincrmentation de linductance et la mthode de perturbation et observation.
Cette dernire mthode est utilise dans ce travail cause de sa simplicit, et son exigence
seulement des mesures de tension et du courant du panneau photovoltaque
Page 54
Conclusion gnrale
Comme perspective nous proposons de dvelopp notre systme pour des puissances assai
leve en utilisant cette mthode perturbation et observation .
Ainsi, lutilisation des techniques dintelligence artificielle comme la logique floue, les
rseaux de neurones artificiels et les rseaux neuro-flous pour la commande du
convertisseur.
Page 55
Bibliographie
[2] S. Issaadi, Commande dune poursuite du point de puissance maximum (MPPT) par
les Rseaux de Neurones , Mmoire de magister, Ecole Nationale Polytechnique, Alger,
Algrie, 2006.
Page 56
Bibliographie
[11] B. Gori, modlisation et simulation dun systme PV adapt par une commande
MPPT analogique , Mmoire dIngniorat, universit Ouargla, 2011.
Page 57