Fascicule

de Travaux dirigés de Convertisseurs statiques

EXERCICE 1 :
Soit la structure onduleur de la figure 1 suivante :

T1
D1
E + ib1
2
C1 v1

iCH L
E Figure 1
vCH
E +
C2
T2 v2
2 D2
ib2

E = 100 V ; L = 3.18mH ; f = 500 Hz.

1- Comment est appelée cette structure ?

2- Avec quel type de commande élémentaire (carrée ou carrée décalée fonctionne-t-elle ?
3- Tracer alors vCH().
4- Déterminer les expressions du courant de charge iCH() sur chaque intervalle.
On notera par I0 et I1, les courants au début de chaque intervalle.
5- Exprimer, puis calculer les courants I0 et I1.
6- Tracer alors le courant iCH().
7- Donner alors les semi-conducteurs passants sur chaque intervalle.

EXERCICE 2 : Soit la structure onduleur de la figure 2 suivante :

iT1 iD1
T1
D1
E +
ib1
2 C1 v1

iCH L R
E iD2
Figure 2
iT2
vCH
E +
2 C2
T2 v2 D2
ib2

Les transistors T1 et T2 sont commandés par les courants ib1 et ib2 de manière à ce que la
tension de sortie soit de type carrée. Tous les composants sont supposés parfaits. On donne :
E = 100 V ; R = 10 ; L = 3.18mH ; f = 500 Hz.
1- Tracer alors vCH().
2- Déterminer les expressions du courant iCH() sur chaque intervalle.
On notera par Im et IM, les courants au début de chaque intervalle.
3- Exprimer, puis calculer les courants Im et IM.
4- Donner alors les semi-conducteurs passants sur chaque intervalle.
5- Tracer alors les allures des tensions v1 et v2 ainsi que celles des courants iD1, iT1, iD2 et
iT2.

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EXERCICE 3 : On se propose d’étudier l’onduleur suivant (figure 3).

T3

2
T1
D1 D3

1
Figure 3
E iS L
+ C
25mH
100V
vS T4

2
T2 D2 D4

1
La commande de l’onduleur est de type quasi-carrée (ou décalée).
La fréquence f de fonctionnement est de 50 Hz.

1- Comment est appelée cette structure de puissance ?

2- Déterminer, en justifiant votre réponse, le(s) angle(s) pour le(s)quel(s) le courant de
sortie iS s’annule sur toute la période angulaire (intervalle [, 2]).
3- Ecrire l’équation reliant vS à iS en fonction de .
Résoudre cette équation, à une constante près, pour les 3 valeurs de vS.
Quelles sont alors les trois formes du courant iS.
4- Tracer maintenant ce courant.
5- Déterminer en conséquence les intervalles de conduction des semi-conducteurs.
6- Faire un bilan des puissances.

EXERCICE 4 : On se propose d’étudier l’onduleur suivant (figure 4) :

iE
T3
2

T1
D1 D3
1

E iS L Figure 4
+ C
25mH
100V
vS T4
2

T2 D2 D4
1

Sa tension de sortie vS est schématisée sur le document réponse DR1.

La fréquence f de fonctionnement est de 50 Hz.
1- Comment est appelée cette structure de puissance ? et ce type de commande ?
2- Déterminer, en justifiant la réponse, le(s) angle(s) pour le(s)quel(s) le courant de sortie
iS s’annule sur toute la période angulaire (intervalle [, 2]).
3- Ecrire l’équation reliant vS à iS en fonction de .
Résoudre cette équation, à une constante près, pour les 3 valeurs de vS.
Quelles sont alors les trois formes du courant iS.
4- Tracer alors ce courant sur le document réponse DR 1 (avec les valeurs numériques).
5- Déterminer en conséquence les intervalles de conduction des semi-conducteurs.
Reporter les résultats dans le document-réponse DR 1.

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6- Quelles relations relient les courants iE et iS pour les 3 valeurs de vS ?

7- Tracer alors ce courant sur le document réponse DR 1.
8- Exprimer, puis calculer, la valeur efficace de la tension de sortie VSeff
Sachant que le développement en séries de Fourier de vS est le suivant :


v S      4 E . 1  cos 2k  1.1  cos 2k  1. 2  . sin 2k  1
 2k  1 
k 0    
 V2 k 1
Exprimer, puis calculer, la valeur efficace du fondamental V1eff
Déterminer alors la valeur du taux de distorsion harmonique TDH%.
Quelle(s) solution(s) peut-on utiliser pour faire baisser le TDH%.
Proposer, au moins, un exemple pratique.
9- Faire un milan des puissances.

EXERCICE 5 : On se propose d’étudier l’onduleur de la figure 5 suivante :

T3
T1
D1 D3

E iS L
+
C Figure 5
50mH
200V
vS
T4
T2 D2 D4

Sa tension de sortie vS est schématisée sur la figure document réponse DR 2 – Figure 6.

La fréquence f de fonctionnement est de 50 Hz.
1- Comment est appelée cette structure de puissance ? et ce type de commande ?
2- Déterminer, en justifiant la réponse, le(s) angle(s) pour le(s)quel(s) le courant de sortie
iS s’annule sur toute la période angulaire (intervalle [, 2]).
3- Ecrire l’équation reliant vS à iS en fonction de .
Résoudre cette équation, à une constante près, pour les 2 valeurs de vS.
Quelles sont alors les 3 formes du courant iS.
4- Tracer alors le courant iS sur DR 2 – Figure 7 (avec les valeurs numériques).
5- Déterminer en conséquence les intervalles de conduction des semi-conducteurs.
Reporter les résultats dans le tableau du document-réponse DR 2.
6- Quelles relations relient les courants iE et iS pour les 2 valeurs de vS ?
7- Tracer alors ce courant sur le document réponse DR 2 – Figure 7.
8- Exprimer, puis calculer, la valeur efficace de la tension de sortie VSeff
Sachant que le développement en séries de Fourier de vS est le suivant :


v S      4 E . 1  2 cos 2k  1 1  2 cos 2k  1 2  . sin 2k  1
 2k  1 
k 0   
 V2 k 1
Exprimer, puis calculer, la valeur efficace du fondamental V1eff
Déterminer alors la valeur du taux de distorsion harmonique TDH%.
9- Faire un milan des puissances.

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Document réponse DR1

vS
1 ≈ 17.9°
E
2 ≈ 38°

2-1  (en °)
+1 +2 2-2
0 1 2 /2 -2 -1  2
/2

-E

iS

 (en °)

Semi-conducteurs passants

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Document réponse DR2

vS Figure 6
1 ≈ 23.3°
E
2 ≈ 33°

+1 +2  (en °)

2-2
0 1 2 /2 -2 -1  /2
2-1 2

-E

iS, iE Figure 7

 (en °)

Semi-conducteurs passants

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EXERCICE 6 :
On considère l’onduleur monophasé de tension de la figure 8 suivante :

T1 T2
D1 D2
E iS L
+
C
vS
T4 T3 Figure 8
D4 D3

On donne : E = 200 V et L = 10 mH.

Tous les composants semi-conducteurs sont supposés idéaux.

PARTIE A :
Les IGBTS sont commandés, avec une fréquence de 500 Hz, de la manière suivante :
- 0 < t < T/2 : T1 et T3 sont saturés T2 et T4 sont bloqués.
- T/2 < t < T : T2 et T4 sont saturés T1 et T3 sont bloqués.
1- Comment est appelée cette structure de puissance ?
Et ce type de commande ?
2- Tracer la tension de sortie vS.
3- Tracer la forme d’onde du courant iS sachant que ISmoy = 0.
4- Déterminer les intervalles de conduction des semi-conducteurs.
5- Exprimer, puis calculer la valeur efficace de la tension de sortie, notée VS1eff.

PARTIE B :
On modifie la commande des 4 transistors IGBT pour obtenir la tension vS dessinée sur le
document-réponse DR 3 – Figure 9
1- Qu’appelle-t-on ce type de commande ?
2- Ecrire l’équation reliant vS à iS en fonction de t.
Résoudre cette équation, à une constante près, pour les 3 valeurs de vS.
Quelles sont alors les trois formes du courant iS.
3- Tracer maintenant le courant de sortie iS (avec les valeurs numériques) sur le
document réponse DR 3 – Figure 10, sachant que pour t = 0,5 ms, iS = 0.
4- Déterminer en conséquence les intervalles de conduction des semi-conducteurs.
Reporter les résultats dans le tableau du document-réponse DR 3.
5- Quel est l’intérêt de cette commande MLI ?
6- Exprimer, puis calculer la valeur efficace de la tension de sortie, notée VS2eff.
Quelle valeur faut-il donner à la tension d’entrée E pour obtenir la même valeur efficace
de vS que celle trouvée en 1ère partie ?
7- De quelle forme serait le courant de sortie iS, si la charge était de type R-L série ?

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Document réponse DR 3

vS Figure 9
0,1 ms
E

1,1 1,9
1,05 1,15 1,25 1,3 1,5 1,7 1,75 1,85 1,95 t (ms)
0 0,05 0,15 0,25 0,3 0,5 0,7 0,75 0,9 1 2
0,1 0,85 0,95

-E

iS
Figure 10

t (ms)
0,5

Semi-conducteurs passants

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EXERCICE 7 :
On se propose d’étudier l’onduleur de la figure 11 suivante :

R L C

iCH uCH

iS i1 i’1
v1 v’1
E
100 V T1 T2 Figure 11
ib1
D1 ib2
D2

iT1 iD1 iT2 iD2

On donne :

E: tension continue égale à 100 V.

Transformateur : il comporte deux primaires de N1 spires chacun et un secondaire

de N2 spires de rapport de transformation m = N2/N1 = 3.
On admettra que le courant magnétisant est négligeable devant
le courant appelé par le secondaire.

Le fonctionnement du montage set périodique de période T.

La tension uCH est de forme carrée de valeurs ± U sur une période T.

A la fréquence utilisée, proche de la fréquence de résonance, la charge RLC est globalement

inductive et on admet que le courant ich est sinusoïdal et d’expression :
iCH (t) = 141,4 sin(t-) avec : T = 2.

Tous les composants semi-conducteurs sont supposés idéaux.

1- Comment est appelé cet onduleur ?

2- Exprimer la fréquence de résonance f0 en fonction des éléments du montage.
3- La fréquence utilisée est elle supérieure ou inférieure à la fréquence de résonance ?
4- Tracer, pour  = 45°, les allures de uCH et iCH.
5- Analyser le fonctionnement du montage et tracer les allures de :
i1, i’1, iS, v1 et v’1.
6- Calculer la valeur de U.
7- Donner l’expression de la puissance P dissipée en fonction de .
Déterminer la valeur maximale de cette puissance, notée PMAX.
De quoi dépend  ?
Comment peut-on faire varier P ?

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EXERCICE 8 :

Un onduleur triphasé (figure 12) est raccordé à une source de tension continue E
constante et de valeur 100 V. le récepteur est monté en Y. chaque phase est constituée d’une
résistance R= 10 Ω en série avec une bobine d’inductance L = 5 mH. La fréquence de
fonctionnement f est de 50 Hz.

T1 D1 T2 D2 T3 D3

R L
A
E
R L
B N
R L
C

T4 D4 T5 D5 T6 D6

Figure 12

La commande est de type 180° (ou pleine onde). Tous les composants semi-conducteurs sont
supposés idéaux. Le motif de commande est le suivant (on désigne par Ki la cellule onduleur
constitué par le transistor MOSFET Ti en antiparallèle avec la diode Di, où i = 1, 2, …. 6) :

intevalle K1 K2 K3 K4 K5 K6
0; 1 0 1 0 1 0
6
; 1 0 0 0 1 1
6 3
; 1 1 0 0 0 1
3 2
2
; 0 1 0 1 0 1
2 3
4 5
; 0 1 1 1 0 0
6 6
5
; 0 0 1 1 1 0
6

1- Déterminer les interrupteurs passants pour chaque intervalle de fonctionnement.

2- Analyser le fonctionnement du montage.

3- Tracer les tensions vAN et vAB ainsi que le courant de charge .

4- Faire le développement en séries de Fourier des tensions vA et uAB.

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