pvd (PVD) décrit une variété de procédés de dépôt sous vide pour produire

des films minces pvd : ‫ ﻣن اﺟل ﺻﻧﻊ‬film mince

.
Le PVD utilise un procédé physique (tel que le chauffage ou la
pvd: ‫ﺗﺳﺗﻌﻣل ﺗﻘﻧﯾﺔ اﻟﺗﺳﺧﯾن واﻟرذاذ‬
pulvérisation cathodique ) pour produire une vapeur de matériau qui
est ensuite déposée sur l'objet qui nécessite un revêtement. ‫وﻧﺣطوھﺎ ﻓوق اﻟﻣﺎدة اﻟﺗﻲ ﺗﺣﺗﺎج اﻟﺗﻐﻠﯾف‬
Les revêtements PVD sont généralement utilisés pour améliorer la ‫ﻧﺳﺗﻌﻣﻠوھﺎ ﻣن اﺟل اﻟﺻﻼﺑﺔ وﻗدرة اﻟﺗﺣﻣل و ﺗﺣﻣل اﻟﺗﺄﻛﺳد‬
dureté, la résistance à l'usure et la résistance à l'oxydation.
 Le dépôt physique en phase vapeur conduit à une croissance du film par réaction
entre la surface d’un substrat et une vapeur adjacente, qui alimente le matériau de
revêtement sous la forme d’atomes, de molécules ou d’ions, qui sont générés à
partir d'une cible et transportés vers la surface du substrat, sur laquelle la
condensation et la réaction avec les atomes de la surface treillis ont eu lieu.

‫ﻧص ﻋﻠﻣﻲ‬
 PVD ‫اﻟﻣﻌﺎﻟﺟﺔ ب‬
 L'évaporation , la pulvérisation et le revêtement ionique
sont des procédés de (PVD)

L’evaporation est un procédé hybride avec une large gamme

d'application dans la modification de la surface de l'implant.
L'évaporation est effectuée sous vide , 0,1-1 Pa, de sorte que les atomes
évaporés subissent un transport sans collision avant la condensation sur
le substrat.

 Le substrat est habituellement au potentiel de la terre. 0V

L'épaisseur du dépôt est la plus grande directement au-dessus de l'axe
 de la source.

Pour atteindre une épaisseur de revêtement indépendante du lieu, le


substrat peut être déplacé.
‫اﻟﺧﺻﺎﺋص‬
 Pulverisation : ‫اﻟرذاذ‬
Dans le procédé de pulvérisation , des ions d'argon positifs, produits
dans une décharge luminescente, bombardent le matériau cible commuté
laen cathode, délogeant ‫ ازاﺣﺔ‬des groupes d'atomes qui passent alors dans
.
phase vapeur et se déposent sur le substrat.

La pression de gaz typique dans le récipient est de 2 à 15 Pa

Dans le procédé de revetement ionique , le matériau est vaporisé de
manière similaire au procédé d'évaporation, mais passe par une décharge
luminescente gazeuse sur son chemin vers le substrat, ionisant ainsi
certains des atomes vaporisés.
La décharge luminescente est produite en polarisant le substrat à un
potentiel négatif élevé, -1 à -5 kV, et en admettant un gaz, habituellement
de l'argon, sous une pression de 0,5 à 20 Pa dans le récipient.
Le substrat est bombardé par des ions gazeux à haute énergie, qui
pulvérisent le matériau présent sur la surface et nettoient le substrat.