FACULTE DES SCIENCES SEMLALIA – DPT PHYSIQUE

Contrôle de Physique des Matériaux - S5 –15 janvier 2018

Durée 2H

N°Table N° APOGEE NOM PRENOM NOTE

ATTENTION
Dans les questions à choix multiples :
- Entourer la bonne réponse : Exemple A ou B ou C……
Des fois plusieurs réponses sont possibles (par exemple A et B et C)……
Des fois aucune réponse n’est possible indiquer la valeur trouvée dans la case autre……
- Toute réponse fausse sera notée négativement c’est à dire :
si la bonne réponse vaut 1 point, la réponse fausse sera notée -1.

Exercice I
1. Dans une maille cubique, les indices de Miller d’un plan qui passe par les nœuds A (0, 1, 1),
B (1, 0, 1) et C (1, 1, 0) sont :

A (012) B (111) C (𝟏 𝟏 𝟏) D (222)

2. L’ordre de ce plan est :

A m=1 Bm=2 C m=4 D m=-2

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Exercice II

1. Les indices [uvw] de la rangée passant par les nœuds A (4, 3,2) et B (1, 2,0) sont:

A [2 1 3] B [1 1 3]. C [𝟑𝟏𝟐] DAutre à préciser

2. Si le système cristallin est cubique la période est :

A 𝒂√𝟏𝟒 B 𝒂√𝟏𝟏 C 𝒂√𝟏𝟖 D Autre à préciser

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Exercice III

Un faisceau d’électron d’énergie cinétique Ec = 27 keV heurte une cible en molybdène et produit
un rayonnement X ayant une raie Ka de longueur d’onde λ = 0,07093 nm.
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On rappelle que : 𝐸(𝑒𝑉) = 5(Å)
1. La longueur d’onde minimale limitant le spectre continu des rayons X est :

A λ = 0,07093 nm B λ = 0, 000459 nm C λ = 0, 459 nm D Autre à préciser

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2. Ces photons pénètrent un acier de masse volumique ρ = 7900 kg.m-3. Le coefficient
d’absorption massique est µ / ρ = 0,0357 cm2.g-1.
Calculer dans ces conditions l’épaisseur de demi-atténuation.

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Exercice IV
La diffraction des rayons X sur un échantillon de nickel de structure cubique, donne les trois
premières raies 111, 200, 220.
a) Le mode du réseau qui décrit le cristal est :

A Cubique Simple B Cubique Centré C Cubique à Faces Centrées

b) Donner les indices de Miller des quatrième, cinquième et sixième plan qui diffractent ?

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Exercice V

1. Parmi les liaisons suivantes, quelles sont les plus stables ?

A Les liaisons métalliques, B les liaisons ioniques, C les liaisons covalentes,

D les liaisons hydrogène E les liaisons de Van Der Waals.

2. Parmi les liaisons suivantes, quelles sont celles qui sont directionnelles ?

A Les liaisons métalliques, B les liaisons ioniques, C les liaisons covalentes,

D les liaisons hydrogène E les liaisons de Van Der Waals.

3. On considère un cristal ayant une structure cubique simple de type CsCl avec un ion Cs+ au
centre et un ion Cl- à chaque sommet du cube. Soit a le paramètre de maille.

a) Quel est le nombre de premiers voisins entourant un ion Cs+ et de quelle nature sont-ils ?
Nombre de premiers voisins :
Nature :

b) Même question pour l’ion Cl-.

Nombre de premiers voisins :

Nature :

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4. On modélise parfois l'énergie d'une liaison chimique entre deux atomes par la fonction ci-dessous
(où r est la distance entre les centres des ions) :
B A
U (r ) = - + A>0 et B>0
rm rn

On désignera par R la plus petite distance entre ion de même nature. En ne tenant compte que
des interactions entre premiers voisins, déterminer l’énergie totale UT (en fonction de A, B, n,
m, N et R) d’un cristal contenant N ions Cs+ et N ions Cl-.

5. Déterminer la distance R0 entre deux atomes Cs+ et Cl- à l’équilibre en fonction de A,B, n et
m.

6. En déduire le paramètre de maille a en fonction de R0.

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Exercice VI

Répondre brièvement aux questions suivantes :

1. Quelles sont les charges qui se déplacent dans une jonction PN ?

2. Quelles sont les charges qui se déplacent dans un conducteur ?

3. Quelle est la charge globale d’un semi-conducteur dopé N ?

4. Qu’est-ce qui crée le déplacement des porteurs dans un conducteur ?

5. Qu’est-ce qui crée le déplacement des porteurs dans une jonction

PN?

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Exercice VII

Soit un silicium dopé N de résistivité r =0.1 Ω.cm.

Soient nn et np la concentration des électrons et des trous, respectivement.
On rappelle que le silicium possède une densité intrinsèque ni de l’ordre de 1,5 1010 cm-3 et que
les mobilité des porteurs n et p sont respectivement µn = 1000 cm2/V.s et que µp = 400
cm2/V.s.

1. Indiquer la nature des porteurs majoritaires.

2. Quelle est la conductivité s du silicium dopé ?

3. En négligeant la concentration des porteurs minoritaires, calculer la concentration des

porteurs majoritaires dans le silicium dopé.

4. En déduire la concentration des porteurs minoritaires.