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16/03/2017

Université Hassan 1er


Faculté des Sciences et techniques
- Settat -

Département GE&GM
Cycle Ingénieur
Télécommunications et Systèmes Embarqués
Semestre 2

Electronique Analogique

Chapitre 2 :
Transistor Bipolaire

Pr. Abdelmajid FARCHI

Transistor bipolaire - Principe


• Le transistor est constitué par la
succession de trois couches de semi-
conducteur de type N-P-N (ou P-N-
P). Des connexions métalliques sont
respectivement fixées sur la partie
centrale appelée Base et sur les
deux extrémités appelées Collecteur
et Emetteur.

• La couche centrale est très mince


par rapport aux autres. Sa largeur
doit être très inférieure à la longueur
de diffusion des porteurs injectés
dans cette zone.

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Transistor bipolaire - Principe


• En fonctionnement normal la jonction base émetteur est polarisée dans le
sens passant (VBE # 0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens
bloquant (VC>VB).

• Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base, le courant


Emetteur- Base est essentiellement constitué par les porteurs négatifs
passant de E vers B. La largeur de la base étant inférieure à la longueur de
diffusion de ces électrons dans le matériau de base, la plus grande partie
d'entre eux parvient dans la région de charge d'espace de la jonction BC ,
polarisée en inverse, où ils sont capturés et atteignent le collecteur.

• C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple IC=α IE

α < 1 est le gain en courant en base commune.

» Effet transistor

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» Symboles normalisé du transistor bipolaire

Pour le transistor type NPN, les courants de base et de collecteur sont


rentrants, et le courant d'émetteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont
positives.
Pour le transistor type PNP, les courants de base et de collecteur sont
sortants, et le courant d'émetteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont
négatives.

Quelques exemples de transistors

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Caractéristiques du transistor
• Caractéristique IB =f(VBE ) à VCE = cte.
On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la jonction BE est une
jonction PN.

Caractéristiques du transistor
• Caractéristique de transfert IC =f(IB) à VCE = cte.

On retrouve :
IC = 0 en fonctionnement bloqué
IC = β IB en fonctionnement linéaire
IC = ICsat en fonctionnement saturé

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Caractéristiques du transistor
• Caractéristique IC =f(VCE ) à IB = cte.
C’est un réseau de courbes prises à des courants IB.
Chaque courbe correspond à une valeur différente de IB.

Réseau de caractéristiques du transistor

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• Polarisation par résistance de base


Polariser le transistor consiste à fixer son point de fonctionnement, c’est-à-dire
le courant de base IB, le courant du collecteur IC , la tension Base-Emetteur VBE
et la tension Collecteur-Emetteur VCE.
Le montage le plus élémentaire tout en étant fonctionnel est le suivant :
La résistance limite le courant de collecteur.
La résistance limite le courant de base.

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• Droite d’attaque

La droite d’attaque est obtenue en écrivant la loi des mailles côté jonction BE.
C’est la droite d’équation = ( ).
Dans le cas du montage précédant :
E V
E B = R B I B + VBE Þ I B = B - BE
RB RB
Cette droite passe par deux points
( , 0) (0, )

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• Droite de charge

La droite de charge est obtenue en écrivant la loi des mailles côté jonction CE.
C’est la droite d’équation IC=f(VCE).
Ainsi, en connaissant la valeur de IB, on peut trouver le point de fonctionnement
à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de charge.
Dans le cas du montage précédant :
E V
EC = RC I C + VCE Þ I C = C - CE
RC RC

Cette droite passe par deux points ( , 0) (0, )

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Polarisation du transistor
On retrouve le point de fonctionnement du transistor à l’intersection de la
droite d’attaque et la droite de charge avec les caractéristiques d’entrées et de
sorties

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• Mode de fonctionnement bloqué


Ce mode est obtenu si on polarise la jonction BE en inverse, c’est-à-dire que la
tension sera inférieur au seuil de conduction qui est de l’ordre de 0,6 . Le
courant sera nul et par conséquents les courants et le seront aussi.

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• Mode de fonctionnement linéaire


Dans ce cas la jonction BE est polarisé en direct, la tension VBE sera de l’ordre de
0,6 . Les courants , et seront donnés par:
E - VBE b +1
IB = B , I C = b I B et I E = (b + 1)I B = I
RB b C

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• Mode de fonctionnement saturé


Pour obtenir le mode saturé, le courant doit être maximale, il doit attendre le
courant caractéristique du transistor, le courant doit dépasser le courant
/ E - VCEsat E - VBE I Csat
RC = C , IB = B >
I Csat RB b

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• Polarisation par pont diviseur


La jonction BE est polarisée par un pont diviseur constitué par les résistance
RB1 et RB2, le courant du pont IP est généralement choisit supérieur à 10IB pour
pouvoir appliquer le diviseur de tension.
RB 2
I P > 10I B Þ E B » EC
R B1 + R B 2

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• Polarisation d’un transistor PNP


• Pour un transistor PNP, les résultats sont analogues, mais les polarités des
tensions et les sens des courants sont inversés.

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• VCEsat : Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est saturé.


• VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
• VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
• ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.
• IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( à ne pas dépasser
surtout lorsqu’on souhaite saturer le transistor ).
• β : gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE).
• ton /t off : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
• PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le
dissipateur thermique si besoin est ).

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Amplificateurs à transistors
Un amplificateur en tension est un quadripôle qui permet
d’amplifier une tension d’entrée pour fournir une tension de
sortie plus forte.

On définit l’amplification en tension par le rapport :


v
Av = s
ve

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Amplificateurs à transistors
• Modèle Quadripôle d’un amplificateur

• Un amplificateur peut être représenté de façon générale par :


• Son impédance d’entrée (Zin), Son gain en tension et son
impédance de sortie (Zout).

• Le quadripôle d’un amplificateur peut être déterminé par les


différentes matrices classiques (admittance, impédance et hybride)

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Caractéristiques d’un ampli en tension


Un amplificateur est caractérisé par les paramètres suivants :
ve
L’impédance d’entrée définie par: Ze =
ie
v
L’impédance de sortie définie par: Zs = s
is v =0
e

Le gain en tension exprimé en décibel (dB), donné par:

G (dB ) = 20 log (Av )


La dynamique de sortie : c’est l’amplitude maximale au-delà de
laquelle l’amplificateur n’est plus dans un régime de
fonctionnement linéaire.

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Amplificateurs à transistors
• L’amplificateur de tension chargé
• Le chainage des amplificateurs peut avoir une influence sur le
comportement.
• La tension d’entrée Ve2 de l’amplificateur A2 est dépendante des
impédances Zs1 et Ze2 avec la relation :
ZE2 ZE2
vS 2 = AV 2 .vS1 vS 2 = AV 1.AV 1. .v e AVTotal = AV 1AV 2
Z E 2 + Z S1 Z E 2 + Z S1

• En conclusion, pour rendre un amplificateur indépendant de ces conditions


il faut que soit la plus grande possible et la plus faible possible.

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Principe d’amplification

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• Schéma équivalent dynamique


• Les signaux dans un transistor se décomposent en deux parties : les
tensions et courants continus de polarisation notés , , , et ,
et les petites variations alternatives autour du point de repos (point de
fonctionnement) qui sont respectivement , , , et .

I C = I C 0 + ic
I B = I B 0 + ib
VCE = VCE 0 + vce
V BE = VBE 0 + v be

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Amplificateur à transistor bipolaire

• Modèle aux petits signaux

La schématisation en statique est inadaptée aux calculs dans le cas où les


signaux appliqués au transistor sont variables et de faible amplitude autour du
point de repos (ex: amplificateur).

Le transistor est alors considéré comme un quadripôle linéaire que l'on définie
par sa matrice H.

ævbe ö æ h11 h12 öæ ib ö


çç ÷÷ = çç ÷÷çç ÷÷
è ic ø è h 21 h 22 øèvce ø

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Modèle aux petits signaux

» On obtient donc le modèle aux petits signaux suivant :

UT b rBE
h11 = rBE = = ; h12 = ® 0 car rCB ® ¥
IB gm rCB
1
h 21 = b ; h 22 = ®0
rCE

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Amplificateur à transistor bipolaire


• Modèles simplifiés aux petits signaux

La résistance entre base et collecteur est très souvent négligé ainsi que celle
entre collecteur et émetteur. De plus, on accepte pour la source de courant
commandé un modèle commandé en tension ou en courant. Les modèles
couramment utilisés sont donc les suivants :

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Montage émetteur commun

Le point de fonctionnement est fixé au milieu de la droite de charge : le


courant de base est fixé par le pont diviseur 1 2 ce qui entraîne le
,
courant de collecteur .

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

On notera que la résistance d'émetteur a disparu, car elle est shuntée par
le condensateur de découplage CDE.
Les résistances R1 et R2 sont mises à la masse, (variations nulles autour du
point de fonctionnement)

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Amplificateur à transistor bipolaire


• Etude en dynamique de l’amplificateur

• On va évaluer la capacité du montage à amplifier le signal d'entrée .


Calcul du gain en tension Av,

• Ensuite, on détermine l‘impédance d'entrée . le montage peut s'interfacer


avec la source d'entrée sans la perturber

• Même chose vis à vis de la charge branchée en sortie du montage, on


détermine ainsi l'impédance de sortie .

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Amplificateur à transistor bipolaire


— Gain en tension.
Le gain en tension peut être défini de deux manières :
- le gain à vide , c'est à dire sans charge connectée en sortie du
montage.

v e = h11ib ü
ï v s - bR c
v s = -Rc ic ý Þ v s = -h 21Rc ib Av = =
ve h11
ic = h 21ib ïþ

- le gain en charge , avec la charge Ru connectée.

v s - b (Rc // Ru )
Av = =
ve h11

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Impédance d'entrée.
Par définition, l'impédance d'entrée est égale à :

ve
Ze =
ie

Ici, le schéma est simple, le générateur d'entrée débite sur deux résistances
en parallèle. On a donc :
Z e = R1 // R2 // h11

» Impédance de sortie.
L'impédance de sortie est donc ici très simple à identifier :
Z S = RC

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Montage collecteur commun
Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur. Le transistor est
alimenté par un pont de résistances de base R1 et R2. C'est le collecteur qui
est le point commun entre l'entrée et la sortie.

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Fonctionnement en petits signaux alternatifs

Nous avons ici fait les mêmes simplifications de schéma que pour le montage
émetteur commun. On voit bien sur le schéma résultant que le collecteur est
le point commun entrée / sortie.

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Gain en tension.

Si on applique la loi des nœuds au niveau de l'émetteur, on voit que le


courant circulant dans RE est égal à ib et va de l'émetteur vers le
collecteur. On peut alors poser les équations suivantes :

ìve = h11ib + (b + 1)RE ib vS (b + 1)RE


í Þ AV = =
îvs = (b + 1)RE ib ve h11 + (b + 1)RE

Ce gain est légèrement inférieur à 1,

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Impédance d'entrée.

Le courant ie est égal à ib augmenté du courant circulant dans Rp.


On en déduit la valeur de l'impédance d'entrée :

Z e = (h11 + (b + 1)RE ) // R p

On remarque que le premier terme est une valeur très élevée (de l'ordre de
bRE, h11 étant négligeable),

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Impédance de sortie.

On peut écrire les équations suivantes :

vS = RE (iS + (b + 1)ib )
vS = ve - h11ib

On en déduit l’expression de l’impédance de sortie

h11
Z S = RE //
b +1

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Amplificateur à transistor bipolaire


» Bilan. Utilisation du montage.

Un montage collecteur commun présente donc les caractéristiques


suivantes :
gain en tension quasiment égal à l'unité .
impédance d'entrée élevée : environ b fois plus grande que celle de
l'émetteur commun. La valeur typique est de plusieurs dizaines à
plusieurs centaines de kW en fonction du montage.
impédance de sortie faible (divisée par environ b par rapport à
l'émetteur commun). Sa valeur est de l'ordre de quelques dizaines
d‘W.

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Amplificateur à transistor
• Réponse en fréquence
• Le gain en tension du montage amplificateur (Emetteur commun ou
Collecteur commun) est calculer aux fréquences moyennes. Le signe
négatif du gain (dans le cas de l’Emetteur commun) indique que la
tension de sortie est en opposition de phase avec la tension d’entrée
.

• Si on fait varier la fréquence du générateur d’excitation dans un large


domaine de fréquences, le module du gain ne sera pas constant.

• Le gain est une fonction de la fréquence du signal d’entrée


Av = F ( f )

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Amplificateur à transistor
» Exemple de réponse en fréquence

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Amplificateur à transistor
» Réponse en fréquence d’un amplificateur
On distingue trois zones :
La zone des fréquences moyennes où le module du gain est constant.

Le domaine des basses fréquences où le gain décroit rapidement et devient


est plus faible. Les condensateurs de liaisons et de découplage sont
responsables de cette chute du gain.

Le domaine des hautes fréquences où le gain chute à nouveau. En H.F, le


schéma équivalent du transistor doit être modifié pour tenir compte des
capacités des jonctions.

On défini alors les deux fréquences de coupure du montage fb et fh à -3 dB. La


bande passante du montage amplificateur Df est donné par leur différence.
(exprimée en Hz)
Df = fh - fb

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