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Chapitre 6
Nombre d’heures/chapitre : 8h
Cours intégré
Système d’évaluation : Continu
OBJECTIFS DE L’ENSEIGNEMENT :
- Connaître les composants élémentaires de l’électronique et leurs applications dans les
fonctions de base
- Prendre en compte les limitations et des caractéristiques d'un composant réel,
- Savoir exploiter un document constructeur.
CONTENU THEORIQUE :
Dans ce chapitre en étudie l’aspect dynamique d’un transistor bipolaire tout en trouvant ses
paramètres schématiques et l’effet de chaque élément sur le bon fonctionnement de transistor.
En premier lieu en détermine les éléments hybrides du transistor ainsi que son schéma
équivalent en dynamique ou pour les petits signaux.
En second lieu on démontre l’effet et les conditions d’installé plusieurs étages d’amplifications
en cascade ainsi que les paramètres à vérifiés pour amélioré le rendement de chaque étage et par
la suite de tout le montage.
En fin en détaille les trois montages fondamentaux qui sont le montage émetteur commun, Le
montage collecteur commun et Le montage base commune
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ISET Nabeul
Chapitre 6
1.1. Description :
La figure (VI-1) représente le schéma synoptique d’un amplificateur. C’est un circuit
électronique à transistors destiné à amplifier la puissance d’un signal. Le signal est appliqué à
l’entrée d’un amplificateur par une source représentée par un générateur de tension eg ayant une
résistance interne Rg. La source peût être, par exemple, une antenne, un capteur ou un circuit
électronique qui fournit un signal analogique. Le générateur d’entrée (eg,Rg) est appelé
générateur de commande ou générateur d’attaque.
La charge est représentée par la résistance Ru (résistance de charge ou d’utilisation). Elle peut
être, par exemple, un haut parleur, un système de déviation du faisceau d’électrons d’un
oscilloscope ou un circuit électronique.
ie is
Amplificateur
C
B
ve vs
E
Figure VI- 1
L’amplification est nécessaire quand la puissance du générateur d’entrée n’est pas suffisante
pour inciter la charge. Elle peut être réalisé en amplifiant la tension d’entrée ve ou le courant
d’entrée ie ou les deux.
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Amplificateur
ie is
Ve Sve Vs
Figure VI- 2
Amplificateur
ie is
Ve Av0ve Vs
Figure VI-3
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is is vs ve 1 R
- L’amplification(le gain) en courant : Ai = = . = − . Av .Re = − Av e
ie vs ve ie Ru Ru
Pu vs (−is ) R
- L’amplification (le gain) en puissance : AP = = = − Av Ai = Av2 e avec
Pe ve .ie Ru
Pu est la puissance absorbée par la charge Ru et Pe est la puissance fournie par le
générateur de commande à l’entrée de l’amplificateur.
- La résistance de sortie : c’est la résistance vue par la charge Ru quand tous les générateurs
indépendants sont éliminés ( les générateurs de tension court-circuitées et générateurs de
v
courant coupés) : RS = ( s )eg =0 .
is
2. Amplificateurs à plusieurs étages :
Un amplificateur peut être composé d’un ou de plusieurs étages branchés en cascade
Amplificateur
étages
Figure VI - 4
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v1 v v
Av1 = , Av 2 = 2 ,........ Avn = s
ve v1 vn −1
Le gain en tension de l’amplificateur est égal au produit des gains des étages :
vs v1 v2 vs
Av = = ... = Av1 Av 2 ... Avn
ve ve v1 vn −1
Les gains en courant et en puissance peuvent être calculés par la même démarche que pour un
seul amplificateur où Re est la résistance d’entrée du premier étage.
Remarque :
- La résistance de sortie Rs de chaque étage intermédiaire joue le rôle de résistance de
générateur Rg pour l’étage suivant.
- La résistance d’entrée Re de chaque étage intermédiaire joue le rôle de résistance charge
Ru pour l’étage précédent.
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Par contre, les condensateurs C1 et C2 doivent laisser passer les signaux. Pour cela, on choisit
ωmin
les capacités C1 et C2 assez grande pour que les signaux d’une fréquence donnée f min =
2π
passent à travers les condensateurs C1 et C2 sans être trop affaiblis.
Les résistances servent à polariser le transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques,
ainsi qu’à assurer les paramètres dynamiques du montage.
+E
Is
Ie
T
Vs
Ve
Charge
Générateur Amplificateur
D’attaque ou Emetteur commun
De commande
Figure VI -5
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la source d’alimentation E ( le potentiel E est lié à la masse par rapport aux signaux )
ie iB
ic is
Ve 1/h22 Vs
h21.iB
Figure VI- 6
R1 R2
Avec RB = R1 // R2 =
R1 + R2
ve v v
Or iB = donc ie = e + e
h11 R B h11
T
h R
Soit R e = 11 B
R B + h11
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ve = h11.iB
Rc '.Ru
vs = −h21 .iB
Rc '+ Ru
vs h R '.R
Il vient : Av = = − 21 c u
ve h11 Rc '+ Ru
Les tensions d’entrée et de sortie sont en opposition de phase.
is R
Ai = = − e Av
ie Ru
RB Rc '
Ai = − h21
h11 + RB Rc '+ Ru
Un ordre de grandeur de ce gain est Ai=100
iB=0
is
1/h22
h21.iB Vs
Figure VI- 7
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h21.iB=0
vs 1
Rs = = R c ' = R c //
is h22
+E
Ie
T
Is
Ve
CE Vs
Charge
Générateur Amplificateur
D’attaque ou Collecteur commun
De commande
Figure VI- 8
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ie iB (h21+1).iB
is
Ve 1/h22
h21.iB Vs
Figure VI- 9
RE
Posons : R E ' =
1 + h22 R E
ve v v
ie = + iB = e + e
RB RB re
avec re = h11 + ( β + 1)( RE' Ru )
Donc Re = RB re
L’ordre de grandeur de la résistance d’entrée résulte de la mise en parallèle de la résistance RB
et de la résistance ‘re’ . Elle est très grande, de l’ordre de plusieurs centaines de kilos ohms, voire
de plusieurs mégas ohms.
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Ordre de grandeur :
h21 est grande devant 1. Le gain est inférieur à 1, mais d’autant plus voisin de l’unité que
RE' Ru
h21 ' est grande devant h11.
RE + Ru
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iB is
h21.iB 1/h22 Vs
Figure VI-10
vs v
is = + s − h21iB − iB
RE 1
h22
vs
iB =
RB Rg
h11 +
RB + Rg
vs RB Rg 1 1
d ' ou ' Rs = = (h11 + ) // RE //
is RB + Rg h21 +1 h22
Ordre de grandeur :
La résistance de sortie est faible et dépend du courant de polarisation Ic ( présence du
terme h11).
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+E
Is
T
Vs
Ie
Ve
Générateur Charge
Amplificateur base commune D’attaque ou
De commande
Figure VI- 11
h21.iB
ie is
ic
Ve iB 1/h22
Vs
Figure VI-12
1
Par transformation du générateur de Norton (h21iB , ) en son générateur de Thévenin
h22
équivalent, nous obtenons le schéma de la figure (VI-13)
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h21.iB
h22
ie 1/h22
ic is
iB
Ve Vs
v
Figure VI-13
ve ve
ie = + − ic
RE h11
v
avec ic = −
1
+ R0
h22
D’autre part, on a :
h21iB
v = ve −
h22
Or
ve
iB = −
h11
Donc :
h21
v = (1 + )ve
h22 h11
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v1 = Ri
e 1 ; v2 = Rui2
Il vient :
i2 R e
Ai = = Av
i1 Ru
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Ordre de grandeur :
Sachant que :
h21 R0 h11
Av ≈ ; Re ≈
Re h21
Il vient :
Rc
Ai ≈
Rc + Ru
Le gain de courant est donc inférieur à 1 et ne dépend que du rapport entre la résistance de
collecteur et la résistance de charge.
h21.iB
h22
1/h22
is
Vs
Figure VI-.14
Ou encore :
h21.iB
h22
1/h22
is
ic
Req Vs
Figure VI-15
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Avec :
1 1 1 1
= + +
R eq h11 R g RE
L’équation du nœud de sortie est :
vs
is = + ic
Rc
D’autre part, on a :
1 h
vs = ic − 21 iB + u
h22 h22
Or
u = Réq .ic = − h11iB
En éliminant u et iB, on trouve :
1 h 21 R éq
vs = ic + ic + R éq ic
h 22 h11 h 22
D’où
vs
ic =
1 h
+ ( 21 + 1) Réq
h22 h11 h22
Soit la résistance de sortie :
1 h
Rs = Rc // + ( 21 + 1) Réq
h22 h11h22
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8. Application :
Exercice 1 :
Soit l’amplificateur à un transistor ci-dessous :
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Corrigé :
a) Etant donné que le gain en courant ß du transistor est >>1, on admet que :
β VB 0
IC = I E ≈ I E et donc : I C 0 =
1+ β R E1 + R E 2
1 V .R
IC0 = .( CC 2 − U j ) = 0.97 mA
R E1 + RE 2 R1 + R2
VCC I
et l’on peut vérifier que = 31μA est bien >> IB0 = C 0 = 6.5 µA
R1 + R2 β
IC0 1 1 β
gm = = 37 mA/V, = 27Ω et = = 4 kΩ
UT gm g be g m
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c) v1 = vbe + ve
v2 = - ic(RL//RC) = -gmvbe(RL//RC)
ve = (ic+ib)RE1 = (gm+gbe)vbeRE1
v2 g m ( R L // RC ) g ( R // RC )
AV = =− ≈ m L = −4.99 Av
v1 1 + ( g m + g be ) RE1 1 + g m .R E 1
v 2 RL // RC
Av = ≈ = −5.3
v1 R E1
v1 1
Ri = = + β RE1 = 74.5KΩ
ib g be
v 2 v1 v 2 R1 // R2 // Ri g ( R // RC )
A’v = = * =− . m L = −3.8
v s v s v1 ( R1 // R2 // Ri ) + Rs 1 + g m RE1
d) Le schéma équivalent pour petits signaux avec les éléments déterminant la fréquence de
coupure basse est le suivant :
1 R1 // R2 // RS
fE = [2p·CE(RE2 // (RE1 + + ))]-1
gm β
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1
f1 = [2p·C1(Rs + R1//R2//(ßRE1 + ))]-1
g be
f2 = [2p·C2(RC + RL)]-1
1
• CE = [2p·fE·(RE2//(RE1+ ))]-1 = 26 µF
gm
1
C1 = [2p·f1·(Rs + R1//R2//(ßRE1 + ))]-1 = 2.6 µF
g be
C2 = [2p·f2·(RC+RL)]-1 = 8 µF
Exercice 2 :
On considère le montage émetteur commun de la figure suivante :
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On demande :
e) pour quelle amplitude du signal Vs obtient-on en sortie (V2) une amplitude maximale.
Corrigé :
a) Pour déterminer le courant de repos dans le transistor, on se sert du schéma DC suivant :
R2
VB = VCC = 2,48 V VE = VB - VBE= 1,78 V
R1 + R2
VE
=> IC0 = IE= = 0,81 mA
RE
IC0 g
b) gm = = 31 mA/V gbe = m = 0,2 mA/V
UT β
c) Hypothèse : Les capacités C1 et Ce sont assimilées à des court-circuits (C1 et CE = ∞ ).
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−1
v 1 1
d) Rin = 1 = + + g be = 4,16 kΩ
i1 R1 R2
v2
Rout = v 1= 0 = RC = 1,8 kΩ
i2
v2
Av' = = -gmRc = -55,8
v1
v 2 v1 v 2 Rin
Av = = . = (− g m RC ) = -45
v S v S v1 RS + Rin
Pour avoir la meilleure dynamique possible, il faut que VC0 soit le point central de l'amplitude
crête - crête.
V2 max
V2max = 1.5V donc Vsmax = = 33 mV
AV
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