Centre Universitaire Ain Témouchent

Institut des Sciences et de la Technologie

Filière : Génie Electrique
Parcours : L2/Génie Electrique
Année universitaire : 2020-2021
Intitulé de la matière : Electronique fondamentale 1

TD N° 2 Quadripôles passifs et Diodes

Exercice N° 1 :

Un générateur basse fréquence (BF) de résistance interne négligeable délivre une

tension 𝑢1 (𝑡) = 𝑈1 cos⁡(𝜔𝑡). La tension 𝑢1 (𝑡) alimente le quadripôle Q.
Ce quadripôle est chargé par une résistance R. notant : R=30KΩ et C=10nF

a. Déterminer la fonction de transfert H (jω)=U2/U1 du quadripôle Q.

b. Tracez le diagramme de Bode que déduisez-vous.

Exercice N°2 :
Soit le montage suivant :
-Calculer le courant I dans les trois cas suivants :
1* La diode est idéale.
2* La diode est avec seuil (VD=0,7 V).
3* La diode est avec seuil et résistance RD.
On donne : E=12 V, R1=6 KΩ, R2=3 KΩ, RC=1 KΩ et
RD=100 Ω.
Exercice N°3 :
On considère le circuit suivant :

Avec : 𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑚 sin 𝜔𝑡 R

I
En utilisant le modèle idéal de la diode (Vd=0V et rd=0) :
D
1. Tracer la caractéristique de transfert 𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑓[𝑣𝑒 (𝑡)]. 𝑣𝑒 (𝑡) 𝑣𝑠 (𝑡)
2. Représenter 𝑣𝑠 (𝑡)⁡ pour 𝑉𝑚 > 𝐸. E
3. Quelle est le rôle de ce montage.

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Centre Universitaire Ain Témouchent
Institut des Sciences et de la Technologie
Filière : Génie Electrique
Parcours : L2/Génie Electrique
Année universitaire : 2020-2021
Intitulé de la matière : Electronique fondamentale 1

Exercice N° 4 :
On considère le circuit suivant :
En utilisant le modèle réelle de la diode, avec
Vd=0,6V et rd=25, calculer la tension VS aux
bornes de RL dans les deux cas suivant :
 E1=6V et E2=5V.
 E1=12V et E2=8V.
On donne : R1=R2=RL=1k.