TRANSISTORS à JONCTION (JFET)

1 –Structure
Le transistor unipolaire repose dans leur fonctionnement sur deux types de porteurs les trous
et les électrons.
Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor unipolaire.

Figure 1

Sur un substrat (P+) très fortement dopé, on diffuse une zone dopée N :le canal.

Au centre du dispositif, on diffuse une grille dopée P+ reliée au substrat de part et d'autre de
cette grille, deux îlots très fortement dopées N+ : la source et le drain.

Il existe aussi des JFET ayant un canal P qui sont complémentaires des transistors canal N.

Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et les courants sont à inverser.

Symboles, tensions et courants

Elément actif à 3 accès :
SOURCE : électrode par laquelle les porteurs entrent dans le canal.
DRAIN : électrode par laquelle les porteurs quittent dans le canal.
GRILLE : électrode de commande (IG = 0).

Figure :3
 Figure : 4

Le sens de la flèche représente la diode qui doit être polarisée en inverse.

2 – Fonctionnement

JFET a canal N
Dans un barreau de silicium N, dont les extrémités constituent le drain et la source du
dispositif, on réalise la diffusion de deux zones de silicium de type P formant la grille. Sous
la zone de grille se trouve le canal N du JFET.

Figure 5 .
Comme le montre la figure 6 les deux zones de charge d’espace des deux diodes PN a cathode
et a anode commune peuvent modulée l’épaisseur de canal sous l’action d’une tension Vgs
négativé.

Figure 6
JFET a canal N, les électrons et majoritaire dans le canal, la grille et de type P

Vds=0.
•La conductance maximale du barreau est obtenu pour VGS = 0 (taille du canal Max).
les trous de la grille vont attirer les électrons du canal ce qui provoque l’élargissement de
canal.
• Lorsque la tension VGS devient négative, la zone déplétée s’étend réduisant la taille du canal
et sa conductance.
On aura des électrons qui vont entrer par la grille de type P et on aura une répulsion avec les
électrons du canal ce qui provoque la diminution de largeur du canal (les deux zones
s’approchent).
• Lorsque impédance infinie).
Lorsque VGS = VGSoff , les deux zones déplétées se rejoignent ce qui provoque un obstacle
technologique et le canal est supprimé́ ..
• La conductance tend alors vers 0 (
• Dans ce cas, on peut considérer le TEC comme une résistance commandée en tension
Vds>0. Vgs=0.
le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source.
La tension inverse grille-canal sera donc plus importante du coté du drain.
Alors on aura le passage des électrons de drain vers la source. Et le courant Ids sera maximal.

• Lorsque VDS ➚, il y a pincement du canal pour VDS = VP.

• Si VDS ➚ encore, le canal se rétrécit et le courant est limité.

Les caracteristiques de la sortie Id=f(Vds) a Vgs constante present deux regions
- Ohmique et de coude pour Vds<Vdssaturation= Vgs-Vp.
- Saturation ou de plateau (Vds>Vds_sat).

Zone ohmique :
JFET a canal P

Figure 7

Même principe de fonctionnement mais cette fois la tension Vgs du JFET doit être comprise
entre 0 et Vp qui est positive. Sa tension Vds est négative.
Figure 8 :Caractéristiques électriques