COURS MASTER

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Les différentes technologies photovoltaïques

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Panorama des différents types de cellules PV avec leur

part du marché

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TABLE DE MATIERES

CHAPITRE I
GENERALITES 18

CHAPITRE II
METHODES D ELABORATION 44

CHAPITRE III
TECHNIQUES DE CARACTERISATION 55

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INTRODUCTION

La consommation d’énergie est de plus en plus croissante dans les villes, alors que la
réserve de carburant (pétrole, gaz, charbon, etc...) dans le monde entier peut être épuisée entre
2020 et 2060. Les sources d'énergies renouvelables sont nécessaires pour maintenir les types
de consommations d'énergies auxquels les gens se sont habitués, ces sources énergétiques
telles que la puissance de vent, l'énergie hydroélectrique et l'énergie solaire sont disponibles.
La conversion de la lumière du soleil en électricité est aisément disponible par
l'utilisation des cellules solaires. Plusieurs types de cellules solaires existent aujourd'hui, les
principaux matériaux étant le silicium cristallin (c-Si), le silicium amorphe (a-Si), le gallium-
arséniure (GaAs) cristallin, le cuivre-indium-gallium-disellenide (CuInGaS2) polycristallin, et
le cadmium-tellurure (CdTe) polycristallin.
Les propriétés uniques de CdTe lui font un matériau idéal pour plusieurs applications:
cellules photovoltaïques, détecteurs nucléaires, modulateurs électro-optiques de rendement
élevé et dispositifs photo réfractive. Ce matériau peut montrer les deux types de conductivités
n et p, qui fait la technologie de diode et les transistors à effet de champ. Les semi-
magnetiques à base de CdTe, comme CdMnTe, montrent des propriétés extrêmement
passionnantes qui jusqu’à maintenant n'ont pas été complètement exploitées. Le CdTe est un
composant d’alliage ternaire CdHgTe, qui est l’un des matériaux industriels principaux pour
la détection infrarouge. Le CdZnTe est employé comme substrat pour le dépôt épitaxie des
couches de HgCdTe, et en tant que détecteur nucléaire, ce qui représente une application d’un
énorme potentiel principalement pour des buts médicaux.
Les propriétés des cellules solaires à base de CdTe sont limitées, en particulier en
raison de la nature polycristalline puisque les joints de grains sont des régions de désordres,
caractérisé par la présence d’un grand nombre des états défauts due à la rupture des liaisons
atomiques et à la ségrégation des impuretés, ces états pièges fonctionnent comme des pièges
effectifs des porteurs de charges ; Ceci conduit à l’apparition d’une barrière de potentiel ce
qui empêche l’écoulement des porteurs majoritaires est minoritaires depuis un grain à un autre
ce qui est cause de la perte d’électricité, alors il affect les propriétés électriques et optiques du
matériau.
Il faut préciser que ces matériaux II-VI, tout en présentant de nombreuses possibilités
d’applications, posent néanmoins un certain nombre de problèmes lors de l’élaboration et des
traitements. D’un point de vue métallurgique, les lingots sont loin d’être aussi facilement
produits ou tirés que le Si, Ge ou GaAs, et ceci provient essentiellement de plusieurs
paramètres physiques :

- la forme particulière de la courbe du solidus dans le diagramme de phase des

II-VI qui présente une ou plusieurs boucles rétrogrades lors du
refroidissement.
- la forme de la courbe miscibilité dans les ternaires menant à des
précipitations intempestives lors du tirage.
- la possibilité de sublimation à cause des hautes pressions partielles des
éléments de la colonne II présents dans ces matériaux.

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Ces éléments influent sur leurs propriétés optiques et électroniques qui peuvent être
irrémédiablement dégradées. En effet lors du tirage du CdTe ou CZT, présente la difficulté
d’obtenir de bons cristaux à cause de la présence de mâcles, de précipités de Te, Cd ou Zn, et
de nombreux joints de grains. D’un point de vue électrique, il présente des résistivités basses
dues à la présence de lacunes de Cd et de nombreux défauts complexes engendrés par les
défauts structurels qui dégradent les propriétés électroniques du matériau (µτ, ρ,…). Il est
néanmoins possible de remédier à certains de ces problèmes lors du tirage mais le coût en
temps et moyens est apparu assez lourd, tandis que la méthode d’un tirage classique, suivie
par des traitements thermiques et chimiques s’avère plus judicieuse.

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GENERALITES

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I. Les Semiconducteurs II-VI

I. 1. Structure cristalline

La cristallographie des composés MN (Métallique et Non-métallique) pose quelques

problèmes du fait du polymorphisme de ces composés. Ils peuvent avoir des structures
cristallines de deux types principaux : la structure cubique du type sphalérite et la structure
hexagonale du type wurtzite. Ces structures se caractérisent toutes les deux par une
disposition tétraédrique des atomes. Elles peuvent aussi former différents polytypes de
structures analogues, qui maintiennent la disposition tétraédrique des atomes et qui ne sont en
fait que des structures dérivées de la sphalérite et de la wurtzite.
Sous l'action des fortes pressions extérieures, certains de ces composés peuvent acquérir une
structure de type (NaCl), caractérisée par une disposition octaédrique des atomes. Bien que
ces phases soient instables dans les conditions usuelles, elles peuvent subsister aux bases
températures.

a) Structure sphalérite (Blende de Zinc)

Tous les composés MN peuvent former des cristaux de la même structure que la
blende ZnS (fig. I-1). Le groupe spatial de ce composé est F 4 3m. Chaque maille élémentaire
comporte quatre molécules de ZnS, dont les atomes occupent des positions bien déterminées,
définies par les coordonnées suivantes :
- Quatre atomes de S dans les positions : (0, 0, 0); (0, 1/2, 1/2); (1/2, 0, 1/2); (1/2, 1/2, 0).
- Quatre atomes de Zn dans les positions : (1/4,1/4,1/4); (1/4,3/4,3/4); (3/4,1/4,3/4);
(3/4,3/4,1/4).
Tout atome d'une espèce possède un entourage de 4 atomes de l'autre espèce placés aux
sommets d'un tétraèdre régulier, se trouvent à une distance (√3/4) x a. Tout atome à un
entourage de 12 atomes de la même espèce dans la deuxième sphère de coordination ; ces
derniers sont à une distance de (1/√2) x a de l'atome considéré.

b) Structure de la wurtzite

Les composés II-VI peuvent former des cristaux ayant la structure de la wurtzite qui est la
variété hexagonale de ZnS ou du zincate (ZnO).
La figure (I-2) illustre la répartition des atomes métalliques (M) et non-métalliques (N) dans
la structure de la wurtzite.
Le groupe spacial de cette structure est P63mc. Chaque maille élémentaire comporte deux
molécules de ZnS, les deux atomes de Zn occupent les positions (2/3, 1/3, 1/8) et (0, 0, 5/8);
et les deux atomes de S occupent les positions (0, 0, 0) et (2/3, 1/3, 1/2) avec u = a/c ≈ (3/8)1/2.
Chaque atome Zn est lié à quatre atomes S disposés aux sommets d'un tétraèdre.

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Figure I-2 : a) Structure wurtzite b) Projection de la maille élémentaire de la structure sur

le plan (001) c) Représentation polyhedrale de la coordination tétraédrique dans cette
structure.

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Autour de chaque atome on trouve 12 voisins de la 2éme sphère de coordination. Il existe une
corrélation étroite entre les structures de la blende et de la wurtzite figure (I-3) qui permet
d'établir une relation précise entre les paramètres de la maille élémentaire du réseau
hexagonale et ceux de la variété cubique du même composé :
a (hexagonal) =√2 x 1/2 x a (cubique) = (1/√2) x a (cubique).
c (hexagonal) =2 x √3/3 x a (cubique) = 2/√3 x a (cubique).

I. 2. Propriétés physiques et physico-chimiques des composés II - VI

Les composés II-VI se caractérisent par des points de fusion relativement élevés et des
pressions de vapeur plus petites ceci est du à la différence des propriétés de leurs éléments
constituant ; ces matériaux se dissocient par augmentation de température selon l'équation
d'équilibre générale:
n MN (sol) = nM (gaz) + nN (gaz)

Des recherches ont permis d'établir que la phase gazeuse est composée d'atomes et de
molécules des éléments constituants, et que la vapeur des éléments du groupe VI est
essentiellement composée des molécules diatomiques. Les pressions de vapeur partielles des
constituants M(II) et N(VI) sont reliées entre elles par l'équation :

KP = PM nPNn
Où KP est la constante d'équilibre de la réaction.

1. 3. Propriétés générales de CdTe

1. 3. 1. Propriétés cristallographiques

Le tellure de cadmium (CdTe) est un composé semiconducteur de la famille II-VI. Il

cristallise donc soit dans la structure Sphalérite (cubique), soit dans la structure Wurtzite
(hexagonale) (Fig I-1, 2).
La structure Sphalérite est cependant la plus stable à la pression atmosphérique et à
température ambiante (Τ = 300 Κ), elle est constituée de deux sous-réseaux cubiques faces
centrées (cfc), l'un Constitué d'atomes Cd, l'autre d'atomes Te, décalés l'un par rapport à
l'autre du quart de la diagonale principale du cube. La maille élémentaire contient quatre
molécules CdTe.
Le cadmium a deux électrons de valence sur une orbitale s, alors que le tellure a 6 électrons de
valences (5s2 5p4), un matériau II-VI comportera donc des liaisons hybrides de type sp3, où
chaque anion se retrouve dans un environnement tétraédrique de cation et inversement. Ces
liaisons sont polaires, avec un caractère intermédiaire entre la liaison ionique est la liaison
covalente.
Le CdTe appartient au groupe ponctuel F43m, qui comporte :
- 3 axes [100] qui sont les arêtes du cube, ayant une symétrie d’ordre quatre
(rotation de π/2), plus une inversion par rapport à l’origine ; ce type de
symétrie est noté Ă4.
- 4 axes [111] qui sont les diagonales du cube, ayant une symétrie d’ordre trois
(rotation de 2π/3) et dont la notation est A3.
- 6 miroirs m qui sont les plans diagonaux (110).

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Ce groupe ponctuel comporte donc au total 24 opérations de symétrie, que se soit translation
autour d’un axe ou inversion par rapport à un point, laissent la structure cristalline de CdTe
invariante.
La figure (Fig. I-5) présente le modèle atomique de la structure blende de Zinc ; Les surfaces
(111) terminées par les atomes du groupe II (Cd) sont désignées par surfaces (111) ou
surfaces A, et celles terminées par les atomes du groupe VI (Te) sont désignées par surfaces

(1 -1 -1) ou surfaces B.
La structure Sphalérite n’a pas de centre de symétrie, ce qui confère au matériau une polarité
cristallographique le long de l’axe [111] et entraîne de ce fait une variation des propriétés
physiques et chimiques des faces (111) et (-1-1-1).
Le CdTe possède une des plus fortes ionicités des composés II-VI qui est estimée à environ
72% , ce qui conduit à supposer un renforcement des concentrations en défauts natifs, favorisé
notamment par la présence de charges électriques aux différents sites atomiques. Un rôle
important est généralement attribué à ces défauts intrinsèques dans les phénomènes
d’autocompensation des matériaux de cette famille.

Figure I-3 : La structure blende de Zinc vue à partir de la normal à la direction [111]

I-3-2 Propriétés thermodynamiques de CdTe

La compréhension des différentes méthodes de croissance de cristaux passe

inévitablement par la compréhension des propriétés thermodynamiques fondamentales des
matériaux concernés. Les conditions de croissance des composés découlent du diagramme de
phase qui représente les différents états du composé suivant la pression, la température et la
composition. Les deux représentations les plus usuelles du diagramme de phase sont les
représentations P-T et T-x ; les domaines d’existence des composés binaires tels que CdTe et

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ZnTe ont des diagrammes

es assez bien établis même si celui du CdTe reste sujet à controverse.

Figure I-4:
4: Diagramme de phase en fonction de fraction

Figure I-5 : Diagramme de phase : Pression en fonction de la température

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Dès 1911, Kobayashi a développé les premières recherches sur CdTe, en traçant les
grandes lignes du diagramme de phase. Appel, Jenny et Bube ont établi les propriétés de la
semi-conductrice et donc effectué une étude approfondie du diagramme de phase. La thèse de
Nobel publiée en 1959 a mis en évidence l’importance des défauts natifs et les a corrélés avec
les propriétés électriques du matériau. Ces défauts natifs engendrés par les écarts à la
stoechiométrie et plus particulièrement les lacunes de cadmium sont désormais reconnus. Ces
dernières décennies, des améliorations sensibles des techniques de mesures et de la pureté des
composants utilisés ont été réalisées. Les conditions d’équilibre de CdTe ont été publiées par
Greenberg et Brebrick, surtout en ce qui concerne le domaine d’homogénéité côté tellure du
diagramme (T-x) (figure I-4), montrées aussi par Peters et al. Le diagramme est semblable à
celui d’autres semi-conducteurs II-VI. La contribution de la liaison ionique très forte de ces
matériaux révèle l’angle aigu formé par le liquidus au point de fusion maximale. Remarquons
que le liquidus est dissymétrique par rapport à l’axe de x =50%. Ce diagramme est du type
« eutectique déporté » et ne comporte qu’un seul composé défini à 50% de Te qui fond à
1092°C. Le type de la liaison chimique de CdTe a engendré un mélange à une température
légèrement supérieure au point de fusion. Rodolphe et al ont lié ce problème de surfusion
rencontré dans la cristallogenèse de CdTe à l’existence des agrégats dans le liquide.

Domaine du Solidus
Le domaine d’existence d’un matériau c’est à dire le Solidus et sa forme déterminent
en grande partie ses propriétés électriques, or celui de CdTe est très étroit et en plus il
présente des lignes de solubilité rétrograde qui en fait une boucle, contrairement aux autres
binaires où l’on a une boucle ouverte. Son domaine d’extension est sujet à controverse, car
étant donné la faible valeur de solubilité du Cd et du Te dans la matrice de CdTe, il n’était pas
évident d’avoir un tracé précis du diagramme de phase. Ainsi le Solidus, tracé par Greenberg
et d’autres, est contesté par Ivanov qui a trouvé 3 boucles (α β γ) au lieu d’une seule. Il
explique ainsi la difficulté d’obtenir un monocristal de CdTe par les méthodes de croissance
classique, de plus le point de fusion congruente n’est pas situé au milieu mais du côté riche en
Te. Tout cela signifie que le cristal tiré et refroidi lentement présentera des inclusions de Te
ou de Cd suivant le côté du diagramme où se situe le refroidissement car lors de cette étape, et
vu la forme rétrograde du solidus, la matrice de CdTe solide retiendra l’élément en excès dans
le liquide au lieu de le rejeter ; ceci a été mis en évidence pour les cristaux tirés par THM
(Travelling Heater Method) et par la méthode Bridgman.

Cette originalité thermodynamique se révèle très gênante pour obtenir des monocristaux
uniformes nécessaires à certaines applications comme les détecteurs nucléaires ou les
substrats pour les détecteurs infrarouges.

En détection, si le nombre de précipités est trop important ou s’ils sont regroupés en

nappes ou en lignes denses, ils sont susceptibles d’être à l’origine de courants de fuite par
claquages successifs. Néanmoins un nombre limité de petits précipités (1-3µm) semble une
condition favorable pour obtenir un matériau de haute résistivité, aux caractéristiques
électriques intéressantes (ρ, µτ,…). Ces précipités de Te agissent en effet comme des centres
de « gettering » en drainant impuretés et défauts présents dans le cristal qui les entourent.

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Les mesures de spectrométrie de masse ont montré que la molécule de CdTe n’existait
pas en phase gazeuse. Seuls les espèces Cd et Tei (i = 1 à 7) existent dans l’atmosphère en
équilibre avec le solide de CdTe. Le diagramme (P-T) (figure I-5) ne fait apparaître que les
éléments Cd et Te2. Ce diagramme représente la synthèse des travaux de Nobel, Brebrick et
Strauss, Jordan et Zupp et Greenberg. Le Cd ayant une pression de vapeur saturante élevée,
celle-ci peut atteindre des valeurs élevées à la température de fusion de CdTe, largement plus
importantes que celles de Te, ce qui implique qu’il est difficile de réaliser des tirages de
cristaux de composition stoechiométrique en creuset ouvert, d’autant plus que ceci favorise
l’évaporation ou la sublimation de Cd, source de défauts connus sous le nom de lacunes de Cd
(VCd), la seule méthode possible est alors le tirage en atmosphère confinée, ce qui nécessite un
tirage en ampoule de quartz scellée avec contrôle de pression partielle de Cd de préférence.

La figure I-6 montre le diagramme de phases composition-température. Le point de

fusion maximal est de 1092 ± 1°C pour la composition stoechiométrique CdTe. Il comporte
deux paliers eutectiques à 324 ± 2°C du côté riche en Cd et à 449 ± 2 °C du côté riche en
Te. On constate clairement que le diagramme présente une dissymétrie ; la température du
début de cristallisation décroît plus vite du côté Te. La forte interaction des atomes de la
colonne II avec ceux de la colonne VI conduit à une augmentation anormale de la température
du liquidus.

Figure I-6 : Diagramme de phases "composition-température " de CdTe

I. 3. 3. Propriétés optiques et électriques

La base pour comprendre la nature électronique des cristaux simples de CdTe a été révélée la
première fois par D. A. Jenny et col en 1950. Le rapport entre les équilibres de phase et les
défauts avec les propriétés semiconductrices de CdTe a été développé plus tard par D. Nobel
en 1959 et raffiné par d'autres groupes de recherche durant 1960.
La structure électronique de CdTe, calculée par la méthode du pseudo-potentiel est
représentée par la figure. I-7. Elle montre un semiconducteur à gap direct, dont la structure de

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bande lui permet des transitions verticales radiatives très important entre la bande de valence
et la bande de conduction. Cette propriété est la cause principale des applications de ce
matériau dans plusieurs domaines. Le CdTe présente une large bande interdite, d’environ 1,51
eV à température ambiante (300 K), ce qui lui donne un seuil d’absorption optique dans le
domaine infrarouge, notamment en détection infrarouge et en tant que substrat pour l’épitaxie
des couches de CdHgTe.
Le matériau CdTe peut présenter les deux types de conductivité n ou p, avec des niveaux de
dopage différents ; le changement de type est aussi possible lors des recuits thermiques,
notamment sous atmosphère de Cd.
La diffusion des porteurs de charge par les imperfections du réseau cristallin, les impuretés et
les défauts étendus entraînent une réduction de la mobilité de ces derniers.
La longueur de diffusion des porteurs minoritaires est faible, elle est de l’ordre du micron
(1µm), contrairement à celle observée dans le Silicium (~ 100 µm). En effet, il à été observé
par cathodoluminescence, que la longueur de diffusion dans ce matériau, de type n, diminue
avec le dopage, passant de Lp = 5µm pour une concentration d’électron libres de
2 .1013 cm-3 à Lp = 0,13µm pour une concentration d’électron libres de 8 .1017 cm-3.

Figure I-7 : Transitions électroniques entre les extrema des bandes de valence
et de conduction: a) semiconducteur à gap direct, (les transitions
sont verticales radiatives). b) semiconducteur à gap indirect, les
transitions sont obliques (non radiatives).

I. 3. 4. Propriétés plastiques

Le CdTe est un matériau plastique à température ambiante et même aux températures

plus basses. Les scissions résolues sont d’environ 25 MPa (avec prédéformation à T = 300 K)
et 40 MPa (sans prédéformation à T = 220 K), et de 10 MPa (à T = 300 K). Le domaine
athermique se situe au-delà de 600 K et l’encapsulation de CdTe dans B2O3 provoque une
décroissance de la contrainte résolue par rapport à sa valeur sous air.
Les principales caractéristiques de CdTe sont résumées dans les tableaux ci-dessus :

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Tableau .I –1 : Les valeurs des grandeurs cristallographiques, énergétiques, électriques,

thermiques et optiques.

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I. 4. Différents types de défauts dans CdTe

Les matériaux CdTe et leurs dérivés élaborés par les différentes méthodes de tirage ne
sont pas homogènes (chapitre II). Cette inhomogénéité est due : i) à la forme rétrograde du
solidus du diagramme binaire où le CdTe est élaboré en solvant de tellure, ii) à la différence
de pression partielle entre Te et Cd (PTe<<PCd), iii) à la difficulté de maîtriser le gradient de
température radial et longitudinal lors du tirage des lingots par les différentes méthodes de
croissance ainsi qu’à l’usage de proportions non stœchiométriques de tellure et de cadmium.

L’apparition dans le matériau CdTe des défauts microscopiques et macroscopiques est

inévitable. En effet, les défauts microscopiques peuvent être structurels tels que les lacunes
(VCd, VTe,…), substitutionnels (CdTe, TeCd,…) ou interstitiels (Cdi, Tei), chimiques (CuCd,
ClTe,…) ou bien complexes (VCd-ClTe-X) comprenant des impuretés métalliques (X) comme
le cuivre, l’indium, etc.. Tandis que les défauts macroscopiques peuvent être des précipités,
des dislocations, des inclusions, des mâcles, etc…. Ces défauts macroscopiques (>1µm de
taille) sont identifiables par microscopie à transmission infrarouge à l’aide d’une caméra CCD
à une longueur d’onde de 1.2µm (domaine où le CdTe reste transparent). Ceci permet de
déceler les précipités/impuretés dans le volume de nos matériaux comme le montre la figure I-
12. Tous ces défauts jouent un rôle primordial sur l’uniformité électrique et physique des
cristaux. L’utilisation de ces matériaux pour différentes applications en imagerie biomédicale
ou industrielle exige une bonne uniformité.
L’assignation des défauts profonds et superficiels reste très difficile et très
controversée dans la littérature (Annexe 1).

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Figure I-8 : Identification de différents défauts grossiers par microscope à transmission

infra-rouge

I. 4. 1. Introduction

Dans un cristal quelque soit sa pureté ou sa qualité cristalline, il est impossible

d’éliminer totalement les défauts ; Leurs présences inéluctables de différentes manières et
différentes concentrations. L'étude de ces défauts permet d’expliquer un grand nombre de ces
propriétés les plus intéressantes, ainsi les propriétés électriques des semiconducteurs sont très
dépendantes des propriétés des défauts cristallins, et toute la plasticité des cristaux repose sur
l’existence des dislocations. Nous donnerons ci-dessous un aperçu sur ces différents défauts
présents dans CdTe. Il existe trois grandes classes de défauts : Les défauts ponctuels, défauts
unidimensionnels et les défauts bidimensionnels.
Un défaut ponctuel est un défaut de dimension zéro. Ceci peut impliquer les lacunes (un
atome absent du réseau), une interstitiel (un atome supplémentaire entre les sites normaux de
réseau), et une substitution (un atome sur site du réseau d'un autre élément). Une dislocation
est un défaut unidimensionnel. Un défaut bidimensionnel peut être un joint de grains, un
défaut d'empilement, une interface, une surface.

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Les joints de grain sont une source des densités élevées de défaut dans les matériaux
polycristallin de CdTe. Il existe d’autres défauts d’ordre thermique (phonons) ou
électroniques (excitons).

I. 4. 2. Les défauts ponctuels

I. 4. 2. 1. Introduction

Les étapes de transformations pour la création d'un dispositif (fabrication d’une cellule
solaire a base de CdTe) comportent l'addition de beaucoup de diverses impuretés au cristal de
CdTe. Certains de ces derniers sont des impuretés intentionnelles telles que le cuivre et le
chlore (dopage) ; tandis que d'autres sont involontaires comme le fer [18]. D'autres étapes de
transformation incluent le recuit aux diverses températures pour différentes périodes. Ce
recuit peut créer ou annihiler beaucoup de types de défauts par à l’amélioration de la diffusion
avec augmentation de la température.
Un souci important pour les dispositifs CdTe est la mobilité (ou des coefficients de diffusion)
des divers éléments dans le matériau menant au changement du profil de dopage et
changements de la conductivité, et même d'inversions dans le type dominant de porteur de
charge dans le matériau. Parmi ces défauts localisés on distingue en particulier les lacunes
intrinsèques de cadmium, les interstitielles extrinsèques de cuivre, ainsi que les défauts reliés
au chlore. La figure I-8 présente un diagramme des niveaux profonds connus dans CdTe.

I. 4. 2. 2. Notation

L'état de charge d'un défaut sera présenté dans la notation commune de Kroger-Vink.
y
Dans cette notation, les défauts ponctuels sont identifiés comme suit : Mx
Où M est l'espèce du défaut, y son emplacement (i pour interstitiel, s pour surface, et le
symbole d'élément pour un emplacement normal du site du réseau), et x est sa charge en
respectant ces espèces originaux, (*) pour une charge positive et (′) pour une charge négative.
Un exemple de cette notation serait un interstitiel neutre de cadmium qui peut alors libérer un
électron au réseau pour devenir un défaut chargé positivement : [Cdi] [Cdi* + e + énergie].
De même, un atome de cuivre neutre dans un site interstitiel peut renoncer à un électron pour
devenir un défaut chargé positivement [Cui] [Cui* + e + énergie] ou il peut remplacer un
atome de Cd et gagner un électron pour devenir un défaut chargé négativement
[CuCd + e + énergie] [CuCd′].

I. 4. 2. 3. Défauts intrinsèques dans CdTe

Les types spécifiques de défauts ponctuels sont les défauts de Schottky et les défauts de
Frenkel. Les défauts de Schottky se rapport toujours à des lacunes. Celles-ci peuvent être un
cation ou un anion manquant au réseau. Un exemple d'un défaut de Schottky pourrait une
lacune de cadmium ou (et) une lacune de tellure dans CdTe. Les défauts de Frenkel
impliquent un atome qui a émigré de son site de réseau à une position interstitielle, un
exemple d'un défaut de Frenkel serait une lacune de cadmium et un interstitiel de cadmium.
Une variété de défauts intrinsèques liés à CdTe, et leurs positions estimées dans l'espace de
bande sera discutée. CdTe est de type p quand il est riche en tellure, ce qui implique
naturellement un excès de tellure et par conséquent une absence de cadmium du réseau dans
le cristal. Par conséquent, pour ce matériau on s'attendrait à ce que les lacunes de cadmium

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soient un défaut intrinsèque dominant. Les lacunes de cadmium peuvent être simplement
ionisées [VCd '] ou doublement ionisées [VCd ''].
Ces lacunes chargées négativement fonctionnent comme des pièges de prolongation de la duré
de vie, et peuvent dominer les défauts. Le niveau d’énergie de la lacune de cadmium
simplement ionisé [VCd'] est rapporté proche de 0,45 eV + Ev aussi bien qu'un accepteur peu
profond près de 0,14 eV + Ev. Ce niveau peu profond a une section de capture transversale de
1x10-16cm2. La lacune de cadmium doublement ionisée [VCd''] à une énergie de formation
entre de 0,8 et de 1,0eV. Ce niveau profond réside près de 0,6eV + Ev, mais a été également
rapporté plus profond proche de 0,735eV+ Ev avec une section de capture transversale proche
de 6x10-13 cm2. La densité de lacune de cadmium est généralement dans la gamme de 1.1017 à
1.1018 cm-3 pour CdTe non dopé, et certains l’estime jusqu'à 1x1019cm-3.
L'énergie de formation d'un défaut est le changement de l'énergie du cristal entre les états
initial et final (d'abord sans défaut, et puis avec le défaut). Ainsi, pour former une lacune de
cadmium [VCd'], un atome de cadmium devrait être enlevé du cristal entièrement. L'énergie
impliquée dans ce processus inclus la rupture des quatre liaisons des atomes de tellure au
commencement attachés à l'atome de cadmium. En plus il y a également les effets des atomes
autres que les proches voisins, et le calcul des énergies de formation deviennent rapidement
compliqués. Les lacunes de tellure existent également dans CdTe, mais avec des
concentrations très faibles ( pour CdTe de type p riche en Te désirées pour des applications
photovoltaïques). Celles-ci peuvent également être doublement ionisées [VTe**], mais elles
agissent en tant que donneurs plutôt qu'accepteurs, et réside près de 0,4 à 0,5 eV + Ev. Dans
CdTe de type p riche en Te il existe d'autres défauts, mais moins communs sont les accepteurs
interstitiels de tellure [Tei'], avec une énergie élevée de formation près de 3,44 eV.
Généralement le tellure en excès produira des donneurs d'anti-sites (TeCd*) qui peuvent
compenser les lacunes de cadmium. Ces défauts compensateurs sont également trouvés dans
des concentrations élevées jusqu'à 1018cm-3 dans CdTe riche en Te non dopé. Le complexe
impliquant Cd et Te est également connu sous la forme [VCdTeCd ], ce complexe peut être
neutre ou accepteur dépendant de l'état d'ionisation de la lacune de cadmium, ce niveau
profond résidant près de 0.743 eV + Ev avec une section de capture de 4.10-14 cm2.

I. 4. 2. 4. Défauts extrinsèques dans CdTe

Il existe une variété de défauts extrinsèques associés à CdTe avec des positions différentes
dans l’espace de bande interdite. Les calculs théoriques réalisés pour des positions de niveaux
profonds, sont en accord dans biens des cas avec les mesures expérimentales, mais il y a
souvent des anomalies. Bien que l'information soit disponible sur beaucoup de défauts
extrinsèques, dans CdTe comprenant Ge , Sn , Pb , Sc , Ti , V , Cr , Mn, Fe, et Co, les défauts
discutés ici seront limités au Cu, au Cl, et à leurs complexes de défauts.
Le cuivre dans CdTe peut résider dans plusieurs différents états, mais le plus commun est
l’état accepteur sur un site de cadmium [CuCd']. On distingue au moins deux niveaux ou
bandes de défauts directement associés au cuivre dans CdTe ; Le premier niveau est un
accepteur peu profond à approximativement 0,15 eV + Ev, au-dessous du niveau de Fermi de
CdTe pour des concentrations typiques en porteurs (Fig. I-8). Le deuxième niveau réside près
de 0,35eV + Ev. L’interstitiel de cuivre [Cui *] peut agir en tant que donneur. Le cuivre peut
également former des complexes neutres auto-compensateurs comme [CuCdCui].
Les défauts de chlore sont également répandus dans CdTe. Typiquement le chlore réside sur
un site de tellure [ClTe*], agissant en tant que donneur peu profond, compensant la nature
désirée de type p dans CdTe. Ce donneur peu profond est proche de EC – 0,014 eV, et est
présent dans des concentrations élevées jusqu'à 1. 1018cm-3.

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F.LMAI

Plusieurs complexes peuvent se former à cause chlore dans CdTe. Le complexe [VCdClTe]
peut être neutre pour des lacunes uniquement ionisées de cadmium, ou un accepteur pour des
lacunes doublement ionisées de cadmium. Le complexe d'accepteur [VCdClTe] réside près de
0,12 eV + Ev. L'auto compensation de chlore se produit par l'existence de [ClTe *] et [VCdClTe]
'. Comme la majorité des semiconducteurs de la famille II-VI, le dopage de type n de CdTe
peut être obtenu par la substitution d’un élément de la colonne III (Al, Ga, In) en site
cadmium ou un élément de la colonne VII (Cl, I, Br) en site tellure. Quant au dopage p du
matériau, il se fait par la substitution des atomes de tellure du réseau par des atomes de la
colonne V (As, P, N) ou en substituant au cadmium des éléments de la colonne I (Li, Na) qui
se comportent comme des accepteurs.

I. 4. 2. 5. La compensation dans CdTe

La compensation est l'acte d'un défaut annulant l'effet de dopage des autres: La version la plus
simple de la compensation implique un électron d'un état donneur peu profond remplit un état
accepteur peu profond. Cet effet enlève temporairement le donateur et l'accepteur de l'action
sur le matériau. Une compensation plus compliquée implique des donneurs peu profonds, des
accepteurs peu profonds, et des états plus profonds.
Le niveau apparent de dopage d'une couche mince polycristalline CdTe est beaucoup inférieur
au niveau prévu dû au nombre de dopants. Par exemple avec la technique standard de contact
de dos de CSM (Colorado School of Mines) qui a seulement 7Ẳ de Cu, la concentration
devrait être approximativement 1. 1019 cm-3 des atomes du Cu (supposant une distribution
uniforme dans toute la couche de CdTe). Cependant les mesures standard de capacité - tension
l'estime de1.1014cm-3. Ce phénomène s'explique différemment :
• Soit les atomes de Cu ne sont pas présents dans une telle forte densité dans le volume du
CdTe.
• Soit les atomes de Cu ne sont pas tous des donneurs ou tous des accepteurs, mais se
compensent par une certaine combinaison des deux,
• Soit les atomes de Cu sont compensés par d'autres dopants ou défauts.
L’auto compensation du cuivre est complète si les donneurs cuivre (interstitiels) négligeant
complètement les accepteurs de cuivre (cadmium substitutional) comme suit: [CuCd '] = [Cui*]
Ce phénomène est susceptible d’avoir lieu dans le cas des concentrations de cuivre jusqu'à
1019cm-3 dans le cristal simple de CdTe dopé intentionnellement. Naturellement, cet équilibre
est en général non parfait, mais la compensation, même d’une forte densité des états peu
profonds de niveaux accepteurs peut facilement être entièrement compensée.
Les études sur le cristal simple de CdTe dopé intentionnellement de cuivre ont prouvé qu'il
peut être auto-compensé à plus que 99% pour des concentrations allant jusqu'a 1. 1019cm-3. Le
niveau de Fermi est très probablement épinglé en raison des densités élevées de défauts dans
CdTe. Pour la compensation, ceci est le cas pour des cristaux simples de CdTe semi-isolé, où
le niveau de Fermi est épinglé près du mi-gap. CdTe non dopé est supposé être de type p dû à
la stoechiométrie légèrement riche en Te causant des sites d'accepteur [VCd '']. Si le chlore est
rajouté à CdTe non dopé de type p, il compense ces accepteurs et rend le matériau semi-
isolant. Ceci est fait par les sites de [ClTe*].

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Figure I-9 : Diagramme de bandes de CdTe avec les niveaux d'énergie de défauts connus

Figure I-10 : Un contraste obtenu par cathodoluminescence résume l'ensemble des défauts
plans et linéaires pouvant exister dans CdTe.

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F.LMAI

I. 4. 3. Les défauts linéaires : Les dislocations

I. 4. 3. 1. Introduction

Les défauts linéaires sont formés par le glissement ou la distorsion de deux régions adjacentes
l’une par rapport à l’autre. Il existe deux types de dislocation. Les dislocations vis et les
dislocations coin. La combinaison des deux types permet d’expliquer les défauts linaires dans
les cristaux.
Les dislocations existantes dans CdTe (Figure I-9) sont crées lors de la croissance du matériau
; leur densité peut être contrôlée en agissant sur les paramètres de croissance ou par
adjonction d’impuretés comme Zn ou Mn. Elles peuvent être aussi créées artificiellement par
déformation plastique. Un essai quelconque de déformation active 12 systèmes de glissement
du type [(a/2) <1-1 0> {111}] pour un réseau cubique à faces centrées.

I. 4. 3. 2. Effet des dislocations sur les propriétés électriques d’un semiconducteur

La présence des dislocations dans un semiconducteur affecte non seulement ses propriétés
mécaniques mais également ses propriétés électriques et optiques. Ces effets se résument
comme suit :
- La distribution potentielle du réseau est perturbée dans la région voisinant d'une dislocation,
les impuretés ont alors tendance à diffuser dans ces régions et à se concentrer autour des
dislocations.
- La formation des liaisons pendantes à l’extrémité des demi-plans réticulaires délimitant une
dislocation (surtout pour le cas des dislocations coins). Cet effet conduit à la création des
niveaux d’énergies dans la bande interdite des matériaux polycristallins.
- La présence d'une dislocation affecte la diffusion et la recombinaison des porteurs de charge.
Les états localisés dans la bande interdite jouent le rôle des centres pièges des porteurs de
charge, ce qui réduit leurs mobilités. Les dislocations affectent également la diffusion des
impuretés ainsi que leurs solubilités dans le semiconducteur, elles se comportent comme des
sites préférentiels d’accumulation pour des impuretés surtout celles qui ont une grande vitesse
de diffusion.

I. 4. 4. Les défauts plans

La structure macroscopique typique de CdTe présente plusieurs types de défauts plans :

les joints de macle, les macles lamellaires, les joints de grains (Figure I-10) et les sous joints de
grains (Figure I-9).
Le maclage est un phénomène qui se produit dans la plupart des semiconducteurs ; il pose un
problème à la croissance des monocristaux surtout des composés II-VI. Le maclage est lié à la
nature ionique des liaisons chimiques du matériau, il ne peut être totalement éliminé qu’en
changeant l’ionicité du matériau. Les joints de macles se forment durant la croissance du
cristal à cause des accidents provoqués à l’interface liquide/solide. Leur densité dépend du
choix de la méthode de croissance ainsi que des paramètres de croissance propres à cette
méthode.
Les sous joints de grains sont caractérisés par une faible désorientation. La taille des grains est
liée à la technique de croissance et à l’optimisation de ses paramètres. La technique de
Bridgman permet d’avoir de gros grains, comparée aux autres méthodes de croissance en
phase liquide.

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I. 5. Description d’un joint de grains

I. 5. 1. Introduction

Dans son sens le plus général, un joint de grain est une interface de séparation de deux grains
de même matière cristalline, qui est reliés par des opérations de symétrie. Les premières
descriptions du joint de grains le considèrent comme une couche relativement fine de
matériau amorphe. Suite à l'observation de nombreuses propriétés intergranulaires présentant
un caractère anisotrope, Mott envisage un joint de grains comme une juxtaposition d'îlots de
bons et de mauvais accords entre les réseaux des grains accolés.
On distingue plusieurs types de joints de grains portant des dénominations maintenant
classiques. Lorsque le plan de joint contient l'axe de rotation R0, il s'agit d'un joint de flexion.
Read et Shokley le décrivent, quant il est faiblement désorienté par un arrangement
périodique de dislocations coins. Il peut arriver que les deux cristaux se déduisent l'un de
l'autre par symétrie par rapport au plan du joint, il s'agit d'un joint de flexion symétrique.
Dans le cas où le plan est perpendiculaire à l'axe de rotation alors c'est un joint de torsion.
(Figure I-11).

Figure I-11 : Morphologie des joints de grain dans la couche de

CdTe

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Figure I-12:
a) Joint de flexion, l’axe de rotation appartient au plan de l’interface.
b) Joint de torsion, l’axe de rotation est normal au plan de l’interface.

Depuis la découverte des joints de grains et l’appréciation de son rôle dans la science des
matériaux un effort majeur à été dirigé pour trouver une méthode convenable pour décrire la
déviation depuis l’ordre du cristal parfaite créé par le joint de grains qui est en même temps
l’explication de ces propriétés, plusieurs et différentes approches ont été proposés :

la description géométrique
la description par les dislocations
La description par les unités structurales qui est liée à la description énergétique.

I. 6. Etude théorique du contact métal - semiconducteur

I.6. 1. Introduction

Lorsqu’un métal et un semi-conducteur sont en contact, il s'établit à l’interface une barrière de

potentiel φB donnée par :
φB = φm - χS
Ou φm représente le travail de sortie du métal et χS l’affinité électronique du semi-conducteur.
La structure de bande au voisinage de l’interface est conditionnée par la différence éventuelle
des travaux de sortie des deux matériaux (Fig. I-13).
D’une manière générale, on distingue quatre cas, dont deux pour chaque type de
semiconducteur. Le contact est redresseur pour un semiconducteur de type n lorsque φm > χS
et il est ohmique quand φm < χS. Pour un semi-conducteur de type p ; φm > χS donne un
contact ohmique et φm < χS un contact redresseur (Fig. I-14).

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Figure I-13 : La structure de bande au voisinage de l’interface métal-semiconducteur

a) avant contact b) après contact

I. 6. 2. Le contact redresseur

a) Le contact redresseur idéal

La propriété la plus caractéristique d’un contact métal - semiconduteur est effet redresseur qui
est la base de construction des diodes schottky. Le modèle classique du contact métal-
semiconducteur prévoit l’établissement d’une barrière de potentiel associé à une zone de
charge d’espace qui dépend de la différence des travaux de sortie du métal et du
semiconducteur, le champ électrique associé à cette charge d’espace produit un pliage
(courbure) des bandes du semiconducteur (fig. I-13). Les premières approches théoriques
proposées, concernent le contact métal semiconducteur ≪idéal ≫ prennent en compte le
transport des porteurs au-dessus de la barrière de potentiel constituée par le contact, elles
aboutissent d’abord à la loi de conduction semi empirique valable encore de nos jours, qui se
rapproche de celle d’une diode à jonction. (fig. I-15):

[ (
I = I0 exp (eV )/nkT ) - 1]
I0 = S A‫ ٭‬T2exp (- eVd / kT)
I0 : courant de saturation.
A* : constante de Richardson = 4pm*qk2 /h3
S : surface de la jonction.
n : facteur d’idéalité, égale à l’unité pour un contact idéal.

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Figure I-14 : Diagramme énérgétique représantant la structure de bande des différents cas d’un contact
métal semiconducteur.

Figure I-15 : Caractéristique courant- tension d’un

contact Schottky

En réalité des travaux de recherches montrent qu’il existe un écart entre la valeur de la
hauteur de barrière mesurée expérimentalement et celle tirée de la différence entre les travaux
de sortie du semi-conducteur et du métal en contact. D’où la nécessité de considérer le contact
réel, en tenant compte d’autres paramètres autres que les travaux de sortie des deux
matériaux, comme l’influence de la technique de déposer le contact, celle du dopage du
semiconducteur, la présence d’une couche d’oxyde, et surtout la notion d’états de surface et
d’interface.

b) Le contact redresseur réel et la notion d’états de surface

L’élaboration d’une nouvelle théorie capable de rendre compte du comportement

électrique d’un contact métal-semiconducteur réel à travers un mode de présentation et une
nouvelle expression de la hauteur de barrière de potentiel, doit prendre en considération, non
seulement, les paramètres intrinsèques des deux matériaux mis en contact, mais aussi la zone
d’interface résultante de la fiabilité technologique.
Sur cette base se fut d’abord Bardeen qui émet la première hypothèse qui s’appuie sur la
notion d’états de surfaces. Ces états sont des états électroniques qui existent à la surface du

39
F.LMAI

semi-conducteur, et qui diffèrent de ceux qui existent dans son volume. Ils sont dus d’une part
à des phénomènes intrinsèques, résultants de la rupture de la périodicité cristalline, que
représente la surface du cristal, et d'autre part à des phénomènes extrinsèques résultants de
l’absorption à la surface d’atomes étrangers, suite aux traitements de surface préalables à la
mise en contact, ou à l’oxydation de la surface du semi-conducteur. La présence d’une part
d’atomes étrangers et d’autre part de la distorsion du réseau, résultant de la différence de
maille entre le semiconducteur et son oxyde, entraîne l’existence d’états de surface
extrinsèques.
Enfin, si on considère l’interface entre les deux matériaux (métal et semi-conducteur), le
réseau passe sur une distance de quelques angströms de la périodicité d’un matériau à celle de
l’autre. Il en résulte des états électroniques différents de ceux de chacun des matériaux, se
sont des états d’interface. Tous les états dont nous venons de parler sont qualifiés d’états
d’interface.

I. 6. 3. Zone de charge d’espace

a) Champ et potentiel électrique

Considérons la structure métal-semiconducteur, on obtient la distribution du potentiel dans la

zone de charge d’espace en intégrant l'équation de Poisson. Nous supposons que le
semiconducteur est homogène, nous admettrons que tous les donneurs sont ionisés à la
température ambiante et que la densité d’états d’interface est négligeable. Nous ferons
l’hypothèse que la zone de charge d’espace est vide de porteurs et considérons W la largeur
de cette zone (fig. I-17 a). Ainsi la densité de charge d’espace dans le semiconducteur s’écrit :

0< x <W ρ(x) = eNd

x >W ρ(x) = 0

L’équation de Poison s’écrit :

En intégrant une première fois avec la condition E = 0 pour x > W on obtient :

Le champ électrique est négatif est varie linéairement dans la zone de charge d’espace (fig. I-
16 b) sa valeur à l’interface est égale à :

En intégrant une deuxième fois en prenant l’origine des potentiels à l’interface (fig. I-16 c), on
obtient:

La tension de diffusion résulte de la différence des travaux de sorties du métal et du

semiconducteur Vd =Φm−Φs. Cette tension correspond à la différence de potentiel entre la
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surface du semiconducteur est son volume, c’est-à-dire aux bornes de la zone de charge
d’espace.

D’où l’expression de la largeur de la zone de charge d’espace à l’équilibre :

b) Capacité

Si la structure est polarisée par une tension V, supposée positive dans le sens direct c’est à
dire quant le métal est polarisé positivement par rapport au semiconducteur, la barrière de
potentiel devient Vd − V et la zone de charge d’espace devient :

Comme la jonction PN toute variation de V entraîne une modulation de W(V) et par suite une
modulation de la charge totale développée dans le semiconducteur. Il en résulte que la
structure présente une capacité différentielle. La charge d’espace est donnée par :

La capacité différentielle est donnée par :

Cette capacité est équivalente à celle d’un condensateur plan d’épaisseur W. On peut écrire
L’expression de C (V) sous la forme :

La courbe représentant C-2(V) est une droite dont la pente permet de déterminer la densité de
donneurs Nd. et dont l’abscisse à l’origine permet de déterminer la hauteur de barrière Vd.

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Figure I-16: diode Schottky à l’équilibre thermodynamique a)la

charge d’espace dans le semiconducteur b) champ
électrique c) potentiel électrique.

I. 6. 4. Le contact ohmique

Un bon contact ohmique doit avoir une résistance négligeable aux flux du courant,
comparée à celle du matériau, de sorte que le courant dans le dispositif est déterminé par la
caractéristique du semiconducteur ou du dispositif, plutôt que du par les propriétés du contact.
La caractéristique courant-tension devrait être linéaire (Fig. I-17). Pour un système métal -
semiconducteur se comportant selon les prévisions du modèle de Schottky-Mott.
Cela n’est pas toujours facile à réaliser surtout pour certains matériaux de type p, du fait
qu'aucun des métaux communément utilisés n’a un travail d’extraction suffisamment élevé
comparé à celui du matériau (c’est le cas de CdTe de type p). Cependant d’autres mécanismes
peuvent être mis à profit pour réaliser un contact ohmique.
- L’effet tunnel au contact métal- semiconducteur.
- Les recombinaisons dans la zone de charge d’espace.

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Figure I-17: Caractéristique courant tension d’un contact ohmique.

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METHODES D’ELABORATION

44
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Les méthodes de croissance de CdTe découlent des propriétés thermodynamiques de

ce dernier. En fait trois grands modes de croissance ont été utilisés : croissance en solvant,
croissance en phase vapeur, solidification dirigée : Bridgman et ses variantes, la méthode
Czochralsky (Si, Ge, …) n’ayant pas donné de bon résultats.

II-1 Croissance par la méthode THM

La méthode THM (Travelling Heater Method) a été étudiée par Bell et Wald,
Triboulet, Cornet ainsi que Wolff et Malavsky qui ont publié différentes descriptions
complètes de cette technique.

Cette méthode est particulièrement intéressante car on obtient de façon reproductible

des cristaux de CdTe performants pour la détection nucléaire (malgré la structure
polycristalline). La méthode est basée sur la fusion de zone d’un solvant, utilisée
traditionnellement pour purifier les matériaux. La purification est basée sur la valeur du
coefficient de ségrégation k (ou k = Cs/ Cl < 1 ou >1, avec Cs solubilité d’une impureté dans
une phase solide et Cl dans la phase liquide). La formule classique donnée par Pfann pour la
variation de la concentration Cs(x), est la suivante : k = Cs/ Cl =1 + (k+1) exp(-kx/L), où L est
la longueur de la zone fondue. Le four, qui entoure la zone du solvant, est déplacé de bas en
haut du CdTe brut, en entraînant cette zone le long du lingot, il dissout le CdTe en haut de la
zone et le dépose à sa base de l’autre coté. Plusieurs éléments ont été utilisés comme solvants,
Sn, Bi, In, Te, Cd, …, généralement de basse température de fusion pour éviter la
contamination par le quartz à haute température ; si le Te est le plus utilisé, la valeur élevée de
la pression de Cd (PCd >> PTe) a limité son utilisation comme solvant malgré certains
avantages. Il faut préciser que la croissance par cette méthode s’accompagne en même temps
d’une purification du matériau cristallisé. Cette méthode opère un transfert de matière par
diffusion dans la phase liquide depuis l’interface de cristallisation ; le flux de matière
s’exprime par : Ф = D/L(C1-C2) où D est le coefficient de diffusion, L est la hauteur de la
zone, C1 et C2 sont les concentrations à l’interface de la zone fondue. D’après les valeurs
connues des coefficients de diffusion, on peut déduire que la vitesse de tirage est très lente : il
faut environ un mois pour tirer un lingot de 15 mm de diamètre et de 120 mm de longueur.

En pratique les gradients de température aux interfaces de la zone fondue sont très
élevés (de l’ordre de 200°C.cm-1), ce qui induit des inclusions de Te surtout lorsque les
paramètres sont mal adaptés, par exemple : vitesse trop grande, température trop élevée, en
plus l’inconvénient majeur est la difficulté d’augmenter la taille de lingot qui par sa longueur
joue le rôle d’un doigt de refroidissement, mais la faible température de croissance permet
d’éviter les contaminations au contact de l’ampoule de quartz, la bonne reproductibilité du
procédé, la purification par le solvant et la faible densité de dislocations, tout ceci rend la
méthode privilégiée pour produire des cristaux semi isolants en vue de la détection nucléaire.

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F.LMAI

II-2 Méthode de croissance en phase gazeuse

En théorie elle permet de faire croître des cristaux de très grande pureté et de bonne
qualité structurale. Le principe consiste à maintenir les conditions de sublimation congruente
durant la croissance. Néanmoins, en pratique ces conditions sont difficiles à obtenir et à
stabiliser, ce qui rend la mise en œuvre délicate. En effet le domaine de diagramme de phase
favorable à ce type de croissance est étroit. La croissance se déroule dans une ampoule de
quartz scellée ou en contact avec une source de gaz qui sert de vecteur pour transporter la
matière vers la zone de croissance. Le solide, source, est déposée à une extrémité et chauffé.
Le cristal se sublime et se dépose dans la partie froide de l’ampoule. Le transport s’effectue
par convection naturelle ou forcée à l’aide d’un gaz neutre ou actif. La méthode souffre
principalement d’une faible vitesse de croissance ; dans la littérature, les auteurs comme
Zanio, Graz et al déclarent obtenir des cristaux d’un volume de 8cm3, de type P et de type N
suivant l’écart à la stoechiométrie de la charge. Les résistivités sont de l’ordre de 108 Ω.cm
pour les cristaux de type P et de 0,1 Ω.cm pour des cristaux de type N. La densité de
dislocation est de l’ordre de 103 et de 104 cm-2, ce qui montre la bonne qualité cristalline. La
vitesse de croissance est de 0,1 à 3 mm/jour donc la production des échantillons est limitée à
cause de cette faible vitesse. Le groupe de Fribourg, K.W.Benz et al, a mis au point la
méthode (Sublimation Travelling Heater Method) (STHM). La méthode a été expérimentée
sur terre et dans l’espace en condition de microgravité. L’objet de cette étude a été de faire
croître de façon contrôlée des cristaux de haute résistivité et d’une qualité remarquable.

Yang et al ont utilisé P.V.T (Physical Vapor Transport) pour élaborer du CdTe très pur et de
haute qualité. La particularité de la méthode réside dans la façon de sceller l’ampoule de
quartz, qui permet d’éviter la contamination excessive de la charge.

II-3 Méthode Bridgman-Stockbarger

Cette méthode figure parmi les plus utilisées pour la croissance de CdTe. Le principe
est basé sur une solidification dirigée. Un creuset contenant le matériau source est placé dans
une zone chauffée au dessus de la température de fusion du composé. La charge est
entièrement fondue puis, après un temps d’homogénéisation, on la déplace lentement dans un
gradient négatif de température. La cristallisation peut se faire de manière spontanée ou par
l’utilisation d’un germe monocristallin. Le mouvement relatif de l’ampoule de croissance par
rapport au gradient de température est assuré soit par le déplacement de l’ampoule : c’est la
méthode de Stokbarger, soit par le déplacement du gradient. On peut utiliser des fours
verticaux et horizontaux mono ou multizones, le contrôle de la stoechiométrie avec une
source de cadmium pendant la croissance est souvent utilisée. La position horizontale peut
donner lieu à un transfert d’impuretés par la phase gazeuse mais cette méthode a donné de
bons détecteurs et a été utilisée pour réaliser des substrats infrarouges de grande qualité.

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F.LMAI

II-3-1 Introduction

Elle a été inventée par Bridgman en 1925 pour la croissance des cristaux métalliques (W, Sb,
Bi, Te, Zn, Sn). Par la suite, Stockberger l’a étendue pour la croissance des cristaux
Alkalihalides (Kcl, Ncl,…).
La technique Bridgman est basée sur le principe de la migration de l’ampoule contenant le
matériau suivant un gradient de température. Dans cette technique deux configurations sont
adoptées; l’une consiste en la translation horizontale de l’ampoule (Bridgman horizontale), et
l’autre à la translation verticale (Bridgman verticale), (Fig. II.1 a, b). Dans ce qui a précédé
nous avons montré les diagrammes de phase température concentration et température-
pression (fig. II.1, II.2) et nous avons mentionné l'existence d'un domaine d'homogénéité
autour de la composition stoechiométrique qui atteint, d'après Metvedev et al, 10-1 atomes %,
soit 1020 atomes par cm3 de chaque côté de la composition stoechiométrique.
Le diagramme température-pression ou ligne des trois phases nous permet, comme nous
l'avons vu, de connaître les conditions d'élaboration, à savoir les températures de solidification
de CdTe en fonction de la pression partielle de Cd(Te).
La sublimation de CdTe - transformation qui peut être vue à travers l'équation de réaction
entre CdTe (S), Cd (g) et Te2(g) peut être arrêtée par l'application d'une surpression d'un des
deux composés; cette surpression possède en plus le rôle très important de l'ajustement de la
stoechiométrie.
En se servant des deux diagrammes de phases, on peut connaître, pour une pression de Cd(Te)
donnée la composition du liquide en présence du solide. L'application d'une certaine pression
de vapeur de Cd(Te) au-dessus du liquide entraîne une modification de composition du
matériau parce qu'un équilibre est établi entre la pression de vapeur de Cd(Te) au-dessus du
liquide et la pression imposée du même composant. Le contrôle de cette pression durant la
croissance est nécessaire si on veut garder la stoechiométrie du cristal à la fin de la croissance.
L’intérêt de la méthode Bridgman réside dans la possibilité de produire des cristaux de grande
taille et des monocristaux de bonne qualité, l’inconvénient étant la nécessité pour la
croissance de travailler à des températures proches du point de fusion du composé qui est
environ de (1100°C).

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Figure. II.1 Méthode de croissance Bridgman :a) Verticale, b) horizontale.

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II.3.2 Croissance des cristaux CdTe par la méthode Bridgman horizontale

Le modèle le plus simple d’un four Bridgman horizontal est représenté sur la figure II.2. Une
zone chaude (hot zone): c’est la partie gauche du four où les résistances chauffantes
permettent de maintenir cette zone à une température T haute supérieure à la température de
fusion du matériau.
- Une zone froide (cold zone): c’est la partie droite du four où les résistances chauffantes
permettent de maintenir cette zone à une température T basse inférieure à la température de
fusion du matériau
- Les deux zones précédentes sont séparées par une zone démunie de résistances chauffantes,
les parois de cette zone sont adiabatiques. Ainsi la différence de température entre ces deux
zones laisse naître un gradient thermique, raison pour la quelle on l’appelle zone de transition,
zone adiabatique ou zone à gradient. La croissance est réalisée dans un creuset en quartz qui
contient le matériau CdTe.

Figure II.2 Schéma d’un four Bridgman horizontal et distribution de la

Température

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II.3.3 Croissance des cristaux CdTe par la méthode Bridgman verticale

II.3.3.1 Description de la technique

II.3.3.1.a Préparation de l’ampoule

La préparation des ampoules revêt une très grande importance dans l'élaboration de cristaux
de bonne qualité.
La réaction, à haute température, du matériau (CdTe) avec la silice peut donner du
métasilicate de cadmium SiO3Cd qui provoque l'adhérence du matériau sur la silice. Les
conséquences sont très néfastes car ceci peut conduire à la casse des tubes en plus d'une
contamination par les impuretés incluses dans la silice. Deux choses sont donc à éviter, le
contact direct du matériau avec la silice et la présence d'oxyde de cadmium (par exemple) qui
favoriseraient la formation de métasilicate de cadmium. Pour cela l'ampoule est soumise à une
préparation particulière dont le revêtement en graphite sur sa surface intérieure et le dégazage
sous 10-6 Torr à 1150°C.
Les composants, Cd, Te, Zn de pureté 6N et Mn de pureté 4N subissent eux aussi une certaine
préparation avant la synthèse. Les ampoules ayant servi à la préparation de nos cristaux ont
toutes un diamètre de 20/23 mm sauf celle qui a servi à la préparation de Cd0.9Mn0.1Te (C9)
qui avait un diamètre plus faible, elles comportent toutes un petit réservoir de cadmium dans
leur partie supérieure. L'opération suivante consiste à sceller l'ampoule sous 10-6 Torr. Un
piège à azote liquide est introduit entre la pompe secondaire et l'ampoule pour réduire les
contaminations par les huiles de pompe.

II.3.3.1.b Synthèse du composé

Le composé est obtenu par croissance dans un four de Bridgman (fig. II.3) après avoir subi
préalablement une présynthèse dans un premier four de Bridgman. Cette première synthèse
est effectuée en deux étapes: une montée rapide de 0 à 700°C. Au voisinage de cette
température a lieu la réaction exothermique de formation du composé. Puis on procède à
une montée lente en 24 heures de 700 à 1125°C pour achever la réaction de formation. Le
point froid utilisé dans ce four est de 800°C (température imposée à la nacelle de Cd en haut
de l'ampoule). L'ampoule est ensuite disposée dans un autre four de Bridgman, plus élaboré
que celui de la présynthèse. La croissance s'effectue toujours sous pression de vapeur de
cadmium représentée par un point froid qui varie d'une expérience à une autre entre 750°C et
850°C. La température du four est augmentée progressivement, 300°C par heure, jusqu'à
1110°C - 1120°C. La température du four supérieur contrôle la pression de vapeur de
cadmium. L'ampoule est ensuite lentement descendue dans le four à des vitesses qu'on fait
varier pour chacune des expériences (1,7 cm/jour en moyenne). Le four inférieur est maintenu
à une température supérieure à celle du four supérieur (>850°C). Après le refroidissement
normal que subit l'ampoule, le four inférieur est lentement refroidi, par programmation,
jusqu'à la température ambiante, pour limiter la densité de dislocation dans le matériau.

50
F.LMAI

Figure II.3 Schéma explicatif de la technique de croissance Bridgman

Stockberger

II.3.3.1.c Présentation des différents cristaux

Différents cristaux ont été préparés en vu d'améliorer la qualité cristalline de CdTe sans pour
autant négliger la taille du monocristal obtenue à la fin de la croissance. Pour réaliser cet
objectif des impuretés (Zn, Mn) ont été introduites dans la matrice de CdTe et on a agi sur un
certain nombre de paramètres de croissance pour un même type de cristal Cd0.96Zn0.04Te.
Le tableau II.1 permet d'identifier chacun des cristaux obtenus avec tous les paramètres de
croissance le concernant.

Tableau II.1 : Paramètres de croissance

51
F.LMAI

II.3.4 L’effet de la contrainte thermique sur le cristal CdTe lors de la croissance par
Bridgman

L'effet négatif des dislocations dans les composants électroniques est très bien connu. Trois
phénomènes sont à l'origine de l'existence de dislocations dans la couche active d'un
composant déposé sur un substrat par épitaxie.
1) Propagation des dislocations du substrat dans la couche active durant la croissance.
2) Si le désaccord entre les paramètres cristallins de la couche et du substrat est grand, des
dislocations de non adaptation (de misfit) prennent naissance.
3) Si les paramètres s'accordent à la température de dépôt, des dislocations peuvent encore se
générer si les coefficients de dilatation du substrat et de la couche épitaxie sont différents et
engendrent une déformation supérieure à la limite élastique lors du refroidissement.

Dans les deux derniers cas les dislocations peuvent se générer même avec un substrat non
disloqué. Cela constitue un argument pour tenter d'élaborer des cristaux massifs sans
dislocations. Mais pour arriver à cet objectif il faut déjà tenter de comprendre pourquoi les
dislocations apparaissent dans un lingot en cours de croissance.

Le problème peut être séparé en deux parties :

a) Nucléation des dislocations à partir d'un matériau exempt de dislocations.

b) Propagation et multiplication de celles-ci à partir d'un cristal déjà disloqué.

La distribution de la température dans le cristal, pendant la croissance à partir d'un bain fondu,
crée des contraintes thermiques.
La nucléation de dislocations peut être expliquée par la formation de boucles d'interstitiels ou
de lacunes pouvant ensuite agir comme des sources de Frank-Read.
Une autre explication est liée à d'éventuels glissements cristallographiques se présentant
lorsque les contraintes thermiques engendrées pendant la croissance dépassent une certaine
valeur critique nommé CRSS (Critical Resolved Shear Stress).
La propagation et la multiplication des dislocations dans le lingot sont essentiellement dues à
ces contraintes thermiques. Une bonne connaissance de l'état de contrainte du lingot peut donc
nous aider à la compréhension des phénomènes de nucléation, de propagation et de
multiplication des dislocations pendant la croissance.

II.3.5 L'addition de zinc dans CdTe

Les travaux effectués par Guergouri et ses collaborateurs et par Imhoff et ses collaborateurs
ont montré que l'addition de zinc (Zn) entraîne un fort durcissement de CdTe. Ce
durcissement a été interprété à partir des observations suivantes:
- augmentation de la contrainte critique de cisaillement.
- augmentation du taux de consolidation.

II.3.5.1 Effet de taille

L'effet de taille d'une impureté dans les métaux est considéré comme étant l'une des origines
du durcissement (augmentation de la limite d'élasticité) par solution solide.
Dans le cas de la solution solide Cd0.96Zn0.04Te, Guergouri et ses collaborateurs
considèrent, que la présence de défauts tétraédriques du type ZnTe4 engendre une compression

52
F.LMAI

locale du réseau de 4,5% qui est due à la différence des longueurs de liaison Cd-Te et Zn-Te
(tab. I.5), et constitue un obstacle à la propagation des dislocations.
Le calcul de l'énergie d'interaction élastique entre une dislocation et ce défaut permet la
détermination de la contrainte supplémentaire qu'il faut appliquer à la dislocation pour vaincre
cet effet. Des expériences de "vieillissement statique", effectuées par Imhof, ont montré que
l'effet de taille est le mécanisme dominant du durcissement de CdTe jusqu'à 0,7 Tf.
La présence de manganèse (Mn) dans CdTe entraîne une réduction de la longueur de la liaison
mais ne durcit pas le matériau. Ce qui veut dire que l'effet de taille ne peut pas être appliqué
systématiquement à toutes les impuretés.

II.3.5.2 Effet de l'énergie de liaison

L’addition de zinc entraîne une stabilisation de CdTe, par réduction statistique de la longueur
de liaison et augmentation concomitante de l'énergie de liaison (Tab. II.2). Cette liaison
constitue un obstacle d'autant plus difficile à franchir que l'énergie de liaison est plus
importante.
C'est donc en entravant le glissement des dislocations que le zinc réduit la densité de
dislocations au cours du processus de croissance et retarde d'autant l'apparition de la structure
cellulaire (sous-structure).

Tableau II.2 : Energie et longueur de liaison

II-4 Méthode par épuisement de solution

Cette méthode est à mi-chemin entre le THM et le Bridgman. Une quantité de Cd (~
35 %) est mélangée avec un excès de Te (~ 65 %) dans une ampoule de quartz. Le tirage
s’effectue sous le contrôle simultané de la vitesse de croissance et de la température en
respectant la courbe du diagramme de phase. Il s’ensuit que le Cd en refroidissant, s’associe
avec la quantité nécessaire de Te pour former du CdTe, en épuisant la solution de Te. Cette
méthode donne des monocristaux de grande taille mais avec des caractéristiques électriques
moyennes.

II-5 Méthode HPBM (Bridgman haute pression)

La méthode Bridgman haute pression permet de réduire la cinétique d’évaporation des
espèces (Cd et Te). En effet, elle consiste à tirer des lingots de CdTe et CdZnTe sans dopants
et sous forte pression d’un gaz neutre (Quelques centaines de bar) en creuset ouvert à
l’intérieur du four. La Température de cycle thermique subit par le matériau peut dépasser
1300°C et en suite refroidit à une vitesse de 0.3 à 0.6 mm/h. L’avantage de cette technique

53
F.LMAI

c’est qu’elle nous permet d’avoir des lingots poly-cristallins (gros grains) de diamètre plus
important que le Bridgman classique ou le THM et avec une résistivité généralement élevée
(>1010 Ω.cm) surtout pour le CdZnTe.

II-6 Méthode CSS (Close-Space-Sublimation)

La technique de CSS est une méthode d'évaporation thermique, elle est caractérisée
par une distance courte entre la source et le substrat (habituellement moins de 1 millimètre).
La chambre de réaction se compose d'une source et d'un substrat séparés par des entretoises.
Celles-ci sont tenues entre deux susceptors de graphite à l'intérieur d'un réacteur de quartz. Le
chauffage est fourni par les lampes évidentes ou infrarouges faire face au graphite bloque en
dehors du réacteur. Le chauffage de résistance employant les deux blocs de graphite comme
résistances est parfois employé. Une combinaison des deux peut également être adoptée.

Cette technique est utilisée essentiellement pour fabriquer des cellules solaires.

54
F.LMAI

TECHNIQUES DE
CARACTERISATION

55
F.LMAI

Les techniques d’investigations expérimentales utilisées pour la caractérisation des

cellules à base de CdTe sont nombreuses et diversifiées. Dans ce chapitre, nous rappelons les
principes de base de certaines de ces méthodes.

III-1 Méthodes de caractérisation électriques

III-1-1 PICTS (Photo Induced Current Transient)

La caractérisation des défauts électriquement actifs présents dans la bande interdite des
matériaux hautement résistifs nécessite des méthodes spectroscopiques électriques bien
adaptées à ce type de semiconducteurs. Nous utilisons habituellement comme méthodes
spectroscopiques thermiques le courant stimulé thermiquement (TSC), le courant
thermoélectrique (TEES) ; la DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)….Mais ces
techniques ont des limites dans leur utilisation soit à cause de l’augmentation du courant
d’obscurité à température ambiante pouvant masquer les défauts (cas de la TSC) soit à cause
de la haute résistivité des matériaux qui empêche l’utilisation des méthodes capacitives telle
que la DLTS…Pour remédier à ce problème nous avons utilisé la méthode PICTS (Photo
Induced Current Transient). Cette méthode est capable d’identifier les défauts se situant dans
une gamme d’énergie allant de 0,12 à 1,2eV et permet également le calcul de l’énergie
d’activation, la section efficace ainsi qu’une estimation de la concentration de ces défauts. En
effet, la PICTS est une alternative à la DLTS qui néanmoins ne permet pas de connaître le
type de défaut. Elle repose sur la mesure du courant transitoire photo-généré produit par les
charges dé-piègées thermiquement. Nous décrirons dans la suite de cette étude le principe
ainsi que les équations fondamentales de la méthode PICTS.

i) Principe de la PICTS
Le principe de la PICTS découle directement de celui de la DLTS ; le point commun entre les
deux méthodes concerne l’étude, par des techniques de corrélation des transitoires de
relaxation thermo-stimulée. Néanmoins la PICTS pose plus de problèmes à cause de
l’évolution temporelle de la transitoire du courant de dé-piégeage. En effet, en DLTS la
mesure de la capacité de la jonction permet d’avoir accès directement à la charge des pièges,
le courant transitoire ayant une forme exponentielle simple à analyser. Par contre en PICTS,
le courant de dé-piégeage dépend non seulement de l’émission thermique des porteurs mais
aussi de leur temps de recombinaison et de leur re-piégeage éventuel par le même type de
centres. Ce courant ne peut pas toujours être exprimé sous forme purement exponentielle, il
représente plutôt la somme de plusieurs exponentielles décalées.

56
F.LMAI

Le principe de la méthode consiste à analyser l’évolution du photo-courant transitoire en

fonction de la température après coupure de l’excitation lumineuse, transitoire qui se traduit
dans une gamme de température, par l’émission thermique de porteurs à partir de pièges.
Cette analyse se base sur un modèle qui permet d’établir la forme analytique du transitoire de
courant.

La réponse typique d’un photo-courant suite à une excitation lumineuse est montrée dans la
figure III-1. Pendant la durée de l’impulsion lumineuse, le photo-courant présente trois
phases : la phase de génération des porteurs libres traduite par la tranche AB, la phase de
capture partielle marquée par BC, ainsi que la saturation des pièges et l’établissement d’un
équilibre entre capture et émission (tranche CD). A l’arrêt de l’excitation optique, on observe
une décroissance rapide indiquée par DE, qui décrit la recombinaison initiale des photo-
porteurs. Et enfin la tranche EF traduit la relaxation thermique des porteurs à partir des pièges.

Figure III-1 : Impulsion lumineuse d’excitation et transitoire photocourant

ii) Expression théorique du transitoire photo-courant

Pour établir l’équation de base de la cinétique de la transitoire due au dé-piégeage des
porteurs, nous considérons le cas le plus classique d’un photoconducteur comportant une
seule espèce de piège (T) et une seule espèce de centre de recombinaison (R) (Figure III.2).
Le courant mesuré dépend en effet non seulement du taux d’émission des porteurs à partir des
pièges, mais également de leur durée de vie.

57
F.LMAI

Figure III-2 : Diagramme d’énergie du modèle relatif à l’étude théorique

Les paramètres indiqués sur la figure sont :

Nt : concentration totale des pièges

nt : densité des électrons dans les pièges

Nr : concentration totale des centres de recombinaison

nr : concentration des centres de recombinaison occupés

Cnr : coefficient de capture des électrons par le centre R

Cn : coefficient de capture des électrons par le centre T

en : taux d’émission des électrons par centre

g : taux de génération des porteurs

Et et Er : sont les énergies électroniques des centres T et R respectivement.

L’excitation optique de l’échantillon favorise une transition bande à bande caractérisée par un
taux de génération g. Les variations de la densité n(t) des électrons libres et nt(t) des électrons
dans les pièges obéissent aux équations cinétiques suivantes :

58
F.LMAI

dn(t ) n (t ) (1)
= g + e n nt − C n ( N t − nt ).n(t ) −
dt τn

Avec τn la durée de vie des électrons libres

dnt (2)
= C n ( N t − nt ).n(t ) − en nt
dt

Donc d’une façon générale on écrit :

d ( nt + n ) n(t ) (3)
=g−
dt τn

Ces équations décrivent des populations électroniques tendant vers un état d’équilibre. A
l’état stationnaire, les densités à l’équilibre n(0) et nt(0) s’écrivent :

gτ n C n N t (4)
n(0) = gτ n et nt (0) =
en + gτ n C n

Ces deux dernières équations définissent les conditions initiales du transitoire de

photocourant. Pour avoir accès à la concentration réelle Nt des pièges, il faut que nt(0) = Nt.
Pour ceci une forte excitation optique dans toute la plage de température utilisée permet de
saturer les pièges et donc assure cette concentration réelle.

Après la coupure de l’excitation, on a g = 0. Une recombinaison rapide des porteurs libres se

produit et le piégeage et le re-piégeage de ces derniers à des temps longs, sont négligeables.
Les équations deviennent alors :

dn (t ) n (t ) (5)
= e n nt −
dt τn

59
F.LMAI

dnt (6)
= − e n nt
dt

d ( nt + n) n (7)
=−
dt τn

Les pièges libèrent les porteurs dès la décroissance rapide du courant. L’équation (6) admet
comme solution :

nt (t ) = nt (0) exp(−en t ) (8)

nt(0) étant la densité initiale des électrons piégés à la saturation. Donc on peut écrire que

nt(0) = Nt, où Nt est la concentration totale des centres pièges comme on l’a déjà indiqué.

On peut négliger (dn(t)/dt) devant (n/τn) dans l’équation (7), car expérimentalement on est
limité à l’étude des phénomènes transitoires avec des temps aussi courts que la durée de
recombinaison des électrons. Donc la relation (7) devient :

d ( nt ) n (9)
=−
dt τn

Une simple dérivée de (8) par rapport au temps, que l’on remplace dans (9), ce qui revient à
écrire :

n(t ) = nt (0)enτ n exp(−en t ) (10)

On suppose que la durée de vie reste constante durant le processus de relaxation et en

appliquant un champ électrique E à l’échantillon, la transitoire du photo-courant s’écrit :

i(t , T ) = qAEµ nτ n nt (0)en exp(−en t ) (11)

Avec A section efficace de l’échantillon perpendiculairement à la direction du champ

électrique E appliqué ; µn la mobilité des électrons et τn la durée de vie de recombinaison des
électrons. A partir de cette relation on peut extraire les paramètres caractérisant le piège.

A l’équilibre et en égalisant les taux d’émission et de capture pour chaque type de porteurs on
peut en déduire aisément la relation entre le taux d’émission et l’énergie d’activation.

60
F.LMAI

Et (12)
en = τ t−1 = σ nVth N c exp(− )
kT

où Nc est la densité effective d’états dans la bande de conduction, Vth la vitesse thermique des
électrons libres, k la constante de Boltzmann et T la température absolue. Avec Nc est
proportionnel à T3/2 et Vth à T1/2, en s’écrit alors :

Et (13)
en = τ t−1 = Bσ nT 2 exp(− )
kT

avec B une constante.

iii) Méthodes de traitements de la transitoire photo-courant

Plusieurs techniques de traitements de la transitoire du photocourant ont été

envisagées afin de déduire les caractéristiques des défauts. Ces techniques sont :

Double porte

Le traitement double porte consiste à calculer et à tracer en fonction de la température

le signal différentiel suivant :

∆i12 (T ) = i(t1 ) − i(t 2 ) = qAEµ nτ n nt (0)en [exp(−en t1 ) − exp(−en t 2 )] (14)

t1 et t2 étant deux instants prédéterminés (figure II-I)

Le tracé de ∆i12 (T) donne le spectre PICTS double porte. L’amplitude de ce courant passe
par un maximum, si en satisfait à la condition suivante :

en t 2 − 1 (15)
en (t1 − t 2 ) = ln[ ]
e n t1 − 1

avec le paramètre de transport µτ supposé indépendant de la température, en = τt-1 présente la

relaxation du piège à la température Tm. Pour un choix judicieux des temps t1et t2, on peut

61
F.LMAI

dresser un tableau de (Tm, en) à partir duquel on peut tracer la droite d’Arrhenius Ln (Tm2/en)
= f(1/ Tm). En déterminant la pente et l’ordonnée à l’origine de cette courbe on calcule
l’énergie d’activation et la section efficace du piège.

Double porte normalisé

Le principe de ce traitement est de normaliser le spectre double porte par la valeur i (t0) du
photo-courant à la saturation, dans le but d’éliminer le problème de la dépendance thermique
du paramètre de transport µτ qui n’est généralement pas connue et ne peut pas être exprimée
sous forme analytique. Le courant i (t0) est donné par :

i(t 0 ) = qAµταΦ 0 (16)

La transitoire du courant normalisée s’écrit alors :

en nt (0) (17)
∆i12 (T ) = i (t1 ) − i (t 2 ) = [exp(−en t1 ) − exp(−en t 2 )]
i (t 0 )α

où α est le coefficient d’absorption, Φ0 est le flux de photons incidents. Après une forte
excitation des centres dans le matériau Nt = nt(0), à partir des équations (16) et (17), on déduit
l’amplitude h du pic qui est directement liée à la concentration des pièges Nt, donc h
s’exprime sous la forme suivante :

en2 N t (t 2 − t1 ) (18)
h=
αΦ 0 (en t 2 − 1)

La hauteur h est indépendante de µτ, ce qui facilite la mesure de la concentration.

Quadruple porte
Afin de s’affranchir des difficultés causées par le traitement double porte et surtout en terme
pré-exponentiel de l’équation (11), la méthode quadruple consiste à lire le signal transitoire
entre quatre temps t0, t1, t2, t3 (Figure II-I) et à étudier le rapport thermique suivant :

i (t1 ) − i (t 2 ) (19)
Y (T ) =
i (t 0 ) − i (t 3 )

Si le produit µτ reste constant durant chaque transitoire, indépendamment du temps,

l’expression de Y(T) s’écrit :

62
F.LMAI

exp(−en t1 ) − exp(−en t 2 ) (20)

Y (T ) =
exp(−en t 0 ) − exp(−en t 3 )

Cette relation élimine le terme pré-exponentiel de la méthode double porte, donc elle devient
indépendante de la concentration de défauts. Balland et al ont montré que si les temps de
lecture sont choisis de telle sorte que t0 < t1 < t2 < t3 et t0 << t3, la fonction Y(T) passe par un
maximum à la température Tm de façon que en s’écrive :

t 2 − t 0 −1 (21)
en = (t 2 − t1 ) ln[ ]
t1 − t 0

D’habitude les rapports t1/t0, t2/t0 et t3/t0 sont maintenus constants et c’est t0 qui varie. Donc si
les différents types de pièges n’interfèrent pas, on obtiendra une suite de pics bien séparés.
Cette méthode donne un diagramme d’Arrhenius plus correct et plus précis, ce qui permet de
déduire l’énergie et la section efficace du piège quelle que soit sa concentration mais ne
permet pas d’estimer la valeur de la concentration.

L’excitation optique de l’échantillon dans notre cas est effectuée par des impulsions carrées
d’un rayonnement de lumières monochromatiques avec une longueur d’onde λ de l’ordre de
820 nm. La durée de ces pulses est de 1ms adaptée de telle sorte qu’elle atteigne l’effet de
saturation qui représente l’équilibre entre le piégeage et le dé-piégeage thermiques des centres
à chaque température.

L’échantillon est placé dans un cryostat où la température monte de 77K à 380K. A chaque
valeur de celle-ci, on incrémente par 2 K et on suit comme le montre la figure (III-1) le
piégeage et le dé-piégeage des centres dans le matériau en visualisant les transitoires de
courant.

III-1-2 TSC (Thermally Stimulated Current)

La technique TSC (Thermally Stimulated Current) est une méthode qui explore les
défauts électriquement actifs dans les matériaux de haute résistivité. Elle peut analyser des
centres de pièges d’énergie comprise entre 0.1 et 0.6eV. Sa sensibilité est de l’ordre de 10-12
cm-3 et son principe est basé sur le refroidissement de l’échantillon jusqu’à la température de
l’azote liquide ou hélium liquide. Dès que les basses températures sont atteintes, on illumine
l’échantillon par un rayonnement laser He-Ne pour créer des porteurs libres (électron-trou).
Les pièges situés dans la bande interdite, capturent ces porteurs libres. Etant donné le « gel »
thermodynamique, ces derniers n’ont pas l’énergie suffisante pour se réemettre de nouveau.
Donc après l’arrêt de l’illumination, on procède à une remontée en température suivant une
pente de (0.3 K/sec). Cette énergie thermique communique aux porteurs l’énergie nécessaire
pour se libérer des centres de piégeage vers la bande de conduction, c’est le courant « thermo-
stimulé ». Le tracé courant - température montre les pics caractéristiques de ces défauts.

63
F.LMAI

Durant la manipulation, l’échantillon est maintenu sous vide et soumis à une tension de 10V.

L’évaluation de la signature des pièges est donnée par Grossweiner, qui a utilisé dans sa
relation de l’énergie la température maximum Tm et la température à mi-hauteur T1.
L’expression de l’énergie d’activation et de la section efficace est donnée par :

1.51kT1Tm 3T1b exp( E kTm ) (22)

Ea = et σt =
Tm − T1 N cVth Tm (Tm − T1 )

où E / kT > 20 et NcSV / B > 10+7

Cette méthode permet un calcul rapide des énergies et des sections efficaces avec une grande
précision, surtout pour les pics bien définis et isolés.

III-1-3 TEES (Thermo Electric Effect Spectroscopy)

La méthode TEES (Thermo Electric Effect Spectroscopy) est presque similaire à celle
de TSC, la seule différence réside dans le fait que les mesures s’effectuent sans polarisation
lors de la remontée en température et après l’extinction de la lumière. Suivant le signe du
courant thermoélectrique mesuré, on peut identifier s’il s’agit d’un courant dû aux électrons
ou aux trous. Comme la plupart des méthodes dédiées à la caractérisation des défauts dans les
semi-conducteurs, la TEES permet de donner les paramètres des centres pièges. Huang et al
ont utilisé l’expression suivante pour déterminer l’énergie d’activation :

Tm2 E Ea (23)
ln( ) = a + ln( )
b kTm N cVth kσ t

La méthode TEES possède l’avantage de déterminer le type donneur ou accepteur des défauts
mais l’inconvénient réside dans le très petit gradient thermique entre les deux faces de
l’échantillon qui rend le signal thermoélectrique extrêmement faible et bruyant.

La figure III-3 montre un exemple de spectre PICTS obtenu en caractérisant deux échantillons
CdTe avant et après recuit. Les énergies d’activation ainsi que les sections efficaces de ces
défauts sont présentées dans le tableau III-1.

64
F.LMAI

0,18
en,p=72s
-1
L75 avant recuit P9
0,16 L25 avant recuit

Signal PICTS Normalisé (u.a)

L75 après recuit
0,14 L25 après recuit
0,12
P1
0,10

0,08
P2
0,06 P5 P6
P4
0,04 P3

0,02

0,00
50 100 150 200 250 300 350 400

Température (K)

Figure III-3 : Signal PICTS normalisé avant et après recuit

P1 P2 P3 P4 P5 P6 P9

Ea(eV) Ea(eV) Ea(eV) Ea(eV) Ea(eV) Ea(eV) Ea(eV)

Références

σ(cm2) σ(cm2) σ(cm2) σ(cm2) σ(cm2) σ(cm2) σ(cm2)

L75 0.15 0.23 0.31 Présent 0.5 0.6 0.95

Avant
recuit
3x10-17 9x10-11 2,3x10-14 1x10-13 1x10-13

0.12 0.2 - Présent 0.52 0.6 0.96

L75 1x10-18 9x10-11 2,3x10-14 1x10-13 2x10-14

Après
recuit

L25 0.13 0.2 Très Très - - 0.9 et

faible faible 0.96
Avant
recuit
2x10-17
2x10-12

0.14 0,24 - 0.42 - - 0.96

L25
4x10-17 5x10-15 1x10-13
Après
recuit

Tableau III-1 : Les énergies et les sections efficaces des défauts avant et après recuit

65
F.LMAI

I-1-2 TDCM (Time Dependent Charge Measurement)

En général la méthode la plus classique de mesure de la résistivité ρ d’un échantillon est

sa caractéristique I-V. Si le contact est ohmique, la résistance est R = V/I, et comme ρ = RS/L
avec S la surface de l’échantillon, L son épaisseur, on peut écrire :

VS (24)
ρ=
IL

Ce type de mesure, pourtant simple et rapide pour déterminer la résistivité, présente un

inconvénient : il est fortement lié au type du contact, qui peut être injecteur ou bloquant. Pour
remédier à ce problème, on a utilisé une méthode indépendante du contact : la TDCM qui est
une méthode de mesure capacitive sans aucun contact, son principe étant basé sur la durée de
relaxation diélectrique τR du semi-conducteur, qui est proportionnelle à la résistivité par la
relation suivante :

τ R = ερ (25)

où ε est la constante diélectrique du matériau.

Un détecteur plan simple (planar) peut être assimilé à une capacité Cs en parallèle à une
résistance Rs. Ces deux paramètres sont liés à la géométrie de l’échantillon et permettent
d’écrire la résistivité sous forme :

Rs C s (26)
ρ=
ε
La figure (III-4) représente le circuit équivalent, l’échantillon est placé entre deux plaques
électrodes séparées de l’échantillon par deux films diélectriques εa pour bien fixer la
géométrie :

66
F.LMAI

εa
ε_ρ Cs Rs
εa

Ca
a) b)

Figure III-4 : La mesure de la résistivité sans contact - a) schéma de mesure – b) circuit

équivalent

Stibal a montré qu’en appliquant une impulsion de tension à ce circuit, la charge totale
s’exprime par :

Ca  t  (27)
Q(t ) = V C a + C s − C a exp(− )
Ca + Cs  τe 

E où τe = Rs(Ca+Cs) et Ca est la capacité de l’ensemble des deux diélectriques εa. En

remplaçant cette constante de temps dans l’équation (26), on aura :

C sτ e Q(0)τ e (28)
ρ= =
(C a + C s )ε Q(∞)ε

avec Q(0) = CaCsV/(Ca+Cs), Q(∞) = CaV et Q(τe) = 0,63 . [Q(∞) - Q(0)] + Q(0)

67
F.LMAI

Q(t)

Q(∞)

Q(τe)

t(s)

Figure III-5 : Charge Q(t) pour la mesure de la résistivité en fonction du temps

La dépendance typique de la charge Q avec le temps est présente sur la figure (III-5),
l’extraction de ces trois charges caractéristiques Q(0), Q(τe) et Q(∞) est donc simple à obtenir,
ce qui donne immédiatement la résistivité. Néanmoins les résistivités hors de l’intervalle 106-
1010 Ω.cm ne sont pas mesurées, du fait de leur temps de charge τe trop court ou trop long pour
notre dispositif électronique qui limite l’investigation par la TDCM à ce domaine.

La figure III-6 donne la cartographie de la résistivité moyenne d’un échantillon CdTe

donnée par TDCM.
Résistivité (Ω.cm)

Figure III-6 : Cartographie de la résistivité

68
F.LMAI

III-2 Méthodes de caractérisation nucléaires

III-2-1 RBS (Rutherford Back Scattering)

La méthode RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), est de loin la méthode
d'analyse par faisceau d'ions la plus utilisée en science des matériaux, nous l’avons largement
exploitée dans nos caractérisations. Elle repose sur la rétro-diffusion élastique de l'ion
incident sur un atome de la cible. Il s’agit d’une interaction coulombienne (électrostatique) où
l’on peut appliquer les lois de la conservation d'énergie et de quantité de mouvement, du
système projectile-cible. Il faut distinguer 2 cas :

- Le cas d’un atome unique ou à la surface d’un échantillon : lorsqu'une particule frappe cet
atome avec une énergie (E), celle-ci rebondit sur l'atome cible en lui communiquant une partie
de son énergie qui se traduit par un recul, et part donc avec une énergie plus faible (k.E). Le
facteur (k) qui caractérise la perte d'énergie subie par la particule lors de la collision, est
uniquement fonction de la masse de la particule incidente (m1), de la masse du noyau cible
(m2) et de l'angle de diffusion (θ), ce facteur appelé le facteur cinématique s’exprime :

[(m22 − m12 sin 2 θ )1 / 2 + m1 cos θ ]2 (29)

k=
[m1 + m2 ]2

La section efficace de diffusion est régie par la loi de Rutherford, elle est
proportionnelle à {Z2E-2[sin (θ/2)] -4} où Z est le numéro atomique de la cible.

- Le cas d’un atome en profondeur d’un échantillon : Avant d’atteindre cet atome, le faisceau
doit traverser une certaine épaisseur où il va perdre une énergie (∆E1) à l’aller et (∆E2) au
retour, en plus de la perte par le facteur (k), il sort donc de l’échantillon avec une énergie (E’).
A partir de la perte totale : aller, diffusion et retour (∆E) = (E) - (E’), et en connaissant les
tableaux des valeurs de perte d’énergie de l’ion dans la cible, on peut calculer le facteur [S] tel
que (∆x) = (∆E)x[S], on peut ainsi déduire la profondeur (∆x) de l’interaction ou l’épaisseur
d’une couche mince.

Les particules rétrodiffusées sont détectées avec un détecteur Si à barrière de surface, le signal
est traité par une chaîne électronique de spectrométrie : préamplificateur, amplificateur,
codeur analogique digital, analyseur multicanaux, qui permettra de tracer l’histogramme
comptage- énergie : le spectre RBS.

La hauteur du spectre est fonction de la section efficace et de la concentration

atomique de l’élément étudié. Le spectre obtenu avec une cible épaisse multi élémentaire est
constitué de marches successives; chaque front à l’énergie d’un des éléments constitutifs, la
hauteur du front est proportionnelle à la concentration atomique de l’élément et sa section
efficace. Donc on a ainsi le moyen de mesurer par RBS plusieurs paramètres en physique du
solide.

L'énergie des particules rétrodiffusées (k) permet l'identification des atomes cibles à la surface
si la résolution en masse est suffisante ainsi que l’évaluation de l’épaisseur, la concentration,

69
F.LMAI

les profils et le rapport stœchiométrique. Le calcul se fait manuellement ou à l’aide de codes

comme : SAM, SIMNRA, ….

L’angle de diffusion θ est choisi généralement dans la gamme 150-170° par rapport à la
direction du faisceau incident d’ions 4He autour de 2 MeV d’énergie.

Cette méthode est particulièrement bien adaptée à l'analyse des éléments lourds dans un
substrat léger, et dans le cas contraire, c’est la méthode suivante que l’on utilise.

III-2-3 ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis)

L’ERDA est le complément de la RBS, lorsqu'une particule d’un faisceau d’ions assez
lourd frappe un atome cible plus léger avec une énergie (E), il lui communique une énergie
suffisamment grande pour sortir, par le recul, d’un échantillon en couche mince. Si
l’échantillon est épais, on choisira des angles d’incidence et de détection rasants par rapport à
la surface de l’échantillon. Le faisceau incident est de (4He) par exemple, les particules
sortantes sont du (H, D,..) de nature différente du faisceau cette fois. Comme en RBS les lois
de la conservation d'énergie et de quantité de mouvement, du système projectile-cible nous
permettent de trouver un coefficient cinématique (k’), les pertes d’énergie du 4He et du H
dans la cible, et le filtre permettent de calculer un facteur [S’] et [S’’] pour déterminer la
concentration de H ou D présent dans la couche étudiée. Les instruments sont les mêmes que
ceux de RBS, la seule différence étant les angles rasants et la présence d’un filtre de mylar de
13µm pour arrêter les atomes lourds d’4He, de diffusion, et ne laisser passer que les atomes
légers d’H de recul, plus énergétiques, l’énergie du faisceau étant dans ce cas de 3MeV ; cette
méthode permet de détecter et doser les éléments légers tel l’H dans le Si amorphe…

70
F.LMAI

Rayonnement Détecteur
tecteur
Incident

Cible

Figure III-7 : Schéma des interactions ions - matière avec des angles de détection compris
entre 0° et 180°.

Figure III-8 : Spectres RBS

La figure III-8 montre un exemple des spectres obtenu par la caractérisation RBS d’un
échantillon CdTe avec un contact métallique de platine.

71
F.LMAI

III-2-4 Diffraction des rayons X (DRX)

La diffraction des rayons X (DRX) permet l’analyse qualitative et quantitative de la matière à

l’état condensé. La forme des pics de diffraction peut être reliée à la microstructure cristalline.
La connaissance des positions des pics de diffraction et les intensités des faisceaux diffractés
permettent l’identification des phases présentes, la mesure des contraintes résiduelles, le
paramètre de maille, la taille des grains et l’étude des textures. Les analyses de diffraction des
rayons x ont été effectuées à l’aide d’un diffractomètre de marque Siemens D5000. La source
utilisée est une anticathode de cuivre fonctionnant sous une puissance de 1200 W (30 mA et
40 kV). Lorsqu’on irradie une espèce cristalline par un rayonnement X de longueur d’onde λ
incliné d’un angle θ le rayonnement est diffracté si la loi de Bragg est vérifiée :

2dhklsinθ = nλ

En diffraction X la configuration symétrique θ/2θ est la plus utilisée dans les diffractomètres
commerciaux. Dans cette configuration le plan de l’échantillon passe par l’axe du
diffractomètre et peut tourner autour de cet axe à une vitesse constante et réglable w. Le
détecteur placé sur le même cercle que la source X se déplace à une vitesse 2ω. Le montage
est généralement à focalisation approchée dite de Bragg-Brentano. Avec cette géométrie, la
technique de diffraction X, en tant que méthode d’analyse structurale, est peu sensible à la
surface à cause de la grande pénétration des rayons X dans la matière. A l’aide d’un modèle
simple, nous pouvons calculer la profondeur analysée dans cette configuration géométrique.
(Figure III.9). Le tableau suit, présent les paramètres de la diffraction des rayons X utilisés
pour des applications métallurgiques.

Tableau III.2 Les paramètres de la diffraction des rayons X utilisés pour des
applications métallurgiques

72
F.LMAI

Figure. III.9 Représentation schématique des deux configurations géométriques

de diffraction X a) Position de Bragg symétrique. b) Position de
Bragg asymétrique (incidence rasante). La réfraction des rayons x
est négligée.

III.2.4.1 Principe des mesures de diffraction des rayons X

III.2.4.1.a Appareillage

Les acquisitions sont effectuées à l’aide d’un goniomètre θ-2θ (X'PERT MPD Philips) par pas
de 2,5.10-3 degrés et en utilisant un détecteur linéaire (PSD) possédant 801 canaux actifs. La
radiation X utilisée est la raie Kα d’une anticathode en cuivre (λCuKα =1,54056Å). Le schéma
de l’appareillage est présenté dans la figure III.10.

73
F.LMAI

Figure III.10 : Schéma de principe du diffractomètre.

Si on réalise la diffraction d’un rayonnement X par un cristal en utilisant la méthode du

goniomètre de Bragg-Brentano, on obtient un diffractogramme représentant l’intensité des
raies en fonction de l’angle de détection 2θ. La mesure des angles de diffraction permet
d’accéder aisément aux distances interréticulaires et de mettre en évidence les orientations
cristallines préférentielles.

III.2.4.1 b Détermination des distances interréticulaires et des paramètres de maille

Les distances interréticulaires des différentes familles de plan dhkl sont calculées au moyen de
la relation de Bragg, avec n=1 : 2dhklsinθ = λ
La comparaison d’un diffractogramme avec les fiches JCPDS permet de déterminer les
paramètres de maille. Dans le cas de CdTe (maille cubique), la relation reliant les distances
interréticulaires des plans (hkl) aux paramètres cristallographiques est la suivante :

74
F.LMAI

La comparaison de la valeur obtenue pour le paramètre a avec les valeurs théoriques (a0 =
6.481 Å dans la fiche PSC : cF8. Mwt : 240.01. Volume (CD) : 272.22) donne des
informations sur l’état de contraintes dans la couche considérée.

III-3 Méthodes d’analyses chimiques

III-3-1 SIMS (Spectroscopie de masse des ions secondaires)

La Spectroscopie de Masse d'Ions Secondaires (SIMS) est une technique d'analyse physico-
chimique de l'extrême surface à très grande sensibilité. Elle est ponctuelle (zone d'analyse ~
0.1 µm) destructive pour les matériaux isolants et conducteurs. Cette technique permet de
réaliser des profils élémentaires (sur quelques micromètres) et des images élémentaires. Elle
est basée sur la détection des ions secondaires produits sous l'effet d'un bombardement d'ions
primaires incidents. L'impact d'un ion ou d'une molécule possédant une énergie de quelques
keV produit une émission de rayonnements et de particules de différentes natures : des
photons, des électrons secondaires, des particules neutres (atomes et molécules), des ions
secondaires positifs et négatifs caractéristiques de l'échantillon. Ces derniers sont extraits et
analysés dans un analyseur de masse.

Ils ne représentent qu'une fraction des particules émises. Les particules neutres produites sont
étudiées avec d'autres techniques par post-ionisation (SNMS). Par cette méthode nous
pourrons déterminer la composition, la stoechiométrie et les profils de concentrations d’un
échantillon. C’est une des techniques d’analyse les plus usitées. La figure III-11 donne les
impuretés dans le matériau CdTe obtenues par mesures SIMS.

75
F.LMAI

Na Cd

Cu Te
Fe
Si

O16 Al K CuCl TeO

Sr
SiO
SiO2
Cl
Li C
O3 TeO2

Figure III-11: Impuretés dans le matériau CdTe obtenues par mesures SIMS

III-3-2 Absorption atomique

L'absorption des radiations électromagnétiques des régions visibles et UV du spectre par les
atomes libres résulte d'un changement dans la structure électronique. On l'observe lorsque la
radiation caractéristique (de résonance en général) d'un élément passe dans un nuage de
vapeur atomique de l'échantillon. L'échantillon est vaporisé par aspiration de la solution dans
une flamme ou par évaporation d'une surface chauffée électriquement. L'intensité de
l'absorption dépend directement du nombre de particules absorbant la lumière selon la loi de
Beer Lambert selon laquelle l'absorbance est proportionnelle au coefficient d'absorption
spécifique a, au trajet optique b et à la concentration c. A = axbxc

où A=logIo/I, I l’intensité après absorption par les atomes et Io l’intensité initiale de la source
lumineuse. Cependant en pratique, il faut utiliser des solutions étalons pour tracer une droite
d'étalonnage. C’est l’une des méthodes les plus sensibles, mais elle présente l’inconvénient
d’être destructive.

76
F.LMAI

III- 4 Méthodes de caractérisation optiques

III.4.1 Spectroscopie optique ultraviolet-visible (UV-visible)

Dans cette partie nous allons définir le coefficient de transmittance optique et en donner sa
signification physique, comme nous allons décrire la méthode de la détermination du gap
optique Eg du matériau.

III.4.1.1Principe de fonctionnement

On utilise une lampe à filament de tungstène (50W) comme source blanche, c'est-à-dire
émettant de la lumière dans une gamme très large de longueur d'onde couvrant l'ensemble du
spectre, visible. Cette lumière est tout d'abord filtrée spécialement par deux diaphragmes, puis
rendue parallèle en plaçant la source au foyer d'une lentille convergente. La lumière transmise
à travers l'échantillon est dispersée spectralement par le réseau, puis elle traverse un
monochromateur et est détectée ensuite par un photomultiplicateur. Les mesures sont
effectuées à température ambiante. Le schéma synoptique est montré sur la figure III.12.

Figure III.12 : Représentation schématique du spectrophotomètre

III.4.1.2 Domaine d'utilisation

Les domaines de la spectroscopie se distinguent généralement distingués selon l'intervalle de

longueur d'onde dans lequel les mesures sont faites. On peut distinguer les domaines:
ultraviolet-visible, infrarouge et micro-onde. Nous pourrons tracer des courbes représentant la
variation de la transmittance, en fonction de la longueur d'onde dans le domaine de l'UV-

77
F.LMAI

visible et proche de l'infrarouge (300-1500 nm). En exploitant ces courbes. Il est possible de
calculer l'épaisseur des films, ainsi que des caractéristiques optiques ; le seuil d'absorption
optique, le coefficient d'absorption, la largueur de queue de bande de valence et l'indice de
réfraction.

III.4.1.3 Les spectres de transmittance

Le coefficient de transmission, ou transmittance T, est défini comme étant le rapport de

l'intensité lumineuse transmise à l'intensité de lumière incidente. Pour avoir les courbes de
transmittance, nos échantillons de CdTe, ont été déposés sur des substrats en verre. Ces
derniers sont indispensables, car il n'absorbe pas la lumière dans le domaine spectrale étudié.
Un substrat vierge dans le faisceau de référence du spectrophotomètre, a été utilisé. Pour le
tracé des spectres, un ordinateur connecté à cet appareil reproduit les spectres représentant la
transmittance, en fonction de la longueur d'onde du faisceau incident. Un exemple de ces
spectres est représenté sur la figure III.13, où nous distinguons un
domaine où la transmittance commence à décroître rapidement, nous servira pour la
détermination du seuil d'absorption optique.

Figure III.13 Spectre de transmittance en fonction de la longueur d'onde.

III.4.1.4 les spectres d'absorption

Pour déterminer le coefficient d'absorption (α), nous avons utilisé la relation de Bouguer-
Lambert-Beer ou souvent appelée tout simplement ; la loi de Beer:

Si on exprime la transmittance, T, en (%), le coefficient d'absorption est donné par :

78
F.LMAI

Connaissant l'épaisseur de la couche, d, nous pouvons donc déterminer le coefficient

d'absorption pour chaque valeur de la transmittance qui correspond à une énergie. En balayant
tout le domaine d'énergie, nous avons tracé la variation du coefficient d'absorption en fonction
de l'énergie des photons incidents (hν), dont un exemple est représenté sur la figure III.14.

Figure III.14 Variation du coefficient d'absorption en fonction de l'énergie des

photons.

III.4.1.5 Détermination de la largeur de queue de bande

Nous avons reporté en coordonnées semi-logarithmiques la variation du coefficient

d'absorption, en fonction de l'énergie des photons. Dans cette région, appelée la région
d'Urbach, le coefficient d'absorption peut être exprimé par la relation suivante :

En calculant la pente logarithmique, 1/ E00 dans cette région, nous avons pu évaluer le
désordre du film, E00, en prenant l'inverse de cette pente.

III.4.1.6 Détermination du seuil d'absorption optique

Dans le domaine de forte absorption (α >104cm-1), la relation reliant le coefficient

d'absorption α à l'énergie des photons hν est :

79
F.LMAI

Où B est une constante et Eg définit le seuil d'absorption optique. La représentation graphique

de (α h ν)1/2 en fonction de l'énergie (figure III.15), représente une partie linéaire, dont
l'intersection avec l'axe des énergies donne le gap optique Eg.

Figure III.15 Détermination du gap d’énergie par la méthode d’extrapolation

à partir de la variation de (αhν)1/2 en fonction de hν

III.4.2 Thermoluminescence

III.4.2.1 Dispositif Expérimental

Le domaine d’investigation s’étende de -100 à 300 °C. Le dispositif expérimental utilisé pour
détecter la thermoluminescence est composé aux quatre éléments essentiels :

III.4.2.1.1 Source d’irradiation (UV, X)

L'excitation des matériaux est obtenue à l'aide de deux types de sources d’irradiation
l’ultraviolet (UV) et les rayons X. Ces rayonnements ionisants ne créent pas de défauts
ponctuels dans le tellurure de cadmium CdTe, car les énergies nécessaires pour déplacer les
ions sont très élevées. Le seul processus conduisant à la thermoluminescence est l’ionisation
des défauts existants dans le cristal.

80
F.LMAI

III.4.2.1.1.a Irradiation par UV

L’excitation de l’échantillon par un rayonnement UV est obtenue à partir de l'utilisation d'une

lampe à mercure Hg, couvrant le domaine spectral de 200 à 820 nm (figure III.16). La raie
d’excitation la plus énergétique est à 254nm soit 4.9 eV. Les photons UV ne vont agir que sur
les niveaux des défauts inférieurs à 5 eV, dans ce cas on ne peut qu’induire des transferts de
charge entre défauts voisins ou les exciter. Il est possible en présence d’une distribution
étendue de niveaux pièges dans le gap, de faire transiter les électrons bande à bande par
absorptions successives des photons UV. L’échantillon est irradié à la température de -100°C
pendant l’excitation de 10 minutes. Une fois irradié, il est conservé dans l’azote liquide
jusqu’à ce qu’il soit monté dans le four.

III.4.2.1.1.b Irradiation par rayons X

L'irradiation par rayons X est dispensé à l'aide d'un générateur à anticathode, alimenté sous
une tension de 40 KV et 30 mA. La duré d’excitation est de 15 minutes à température
ambiante. Après irradiation l’échantillon est conservé dans l’azote liquide avant qu’il ne soit
monté dans le four.

III.4.2.1.2 Système de chauffage

Le chauffage est assuré par un petit four qui s'échauffe par effet joule. Il est relié à un
thermocouple pour mesurer la température. La vitesse de chauffage est estimée à une valeur
moyenne de 0.5°C/s.

III.4.2.1.3 Système de détection

Le système de détection des émissions de la thermoluminescence est composé de:

• Un spectrographe CP200 Jobin Yvon avec deux réseaux 133 et 200 trits/mm
interchangeables, Ces derniers nous permettent d’effectuer des analyses dans des
gammes spectrales de longueurs d’onde allant de 190 à 820 nm ou de 250 à 1200
nm respectivement. Il capte l’intensité lumineuse émise.
• Un détecteur CCD (Charge Coupled Devis) qui permet de mesurer l’intensité
radiative présente à une longueur d’onde ou dans un intervalle de longueurs
d’ondes. Il convertit l’intensité en courant électrique, qui par la suite est amplifiée
et mesurée par un contrôleur (Jobin Yvon). Le détecteur est équipé d’un Dewar
d’une capacité de 2.81F, leur assurant une autonomie de 72 heures, pour son
refroidissement à l’azote liquide (150°C).

III.4.2.1.4 Système informatisé

L’acquisition des données est assurée par un micro-ordinateur à l’aide d’un logiciel
Spectramax. Ce dernier perme de:

• Contrôler tous les instruments de la chaîne de mesures (les appareils).

• L’automatisation des mesures et le traitement des données après acquisition.

• La présentation graphique selon nombreuses fonctions.

81
F.LMAI

• La manipulation des données et de calcul.

Figure III.16 : Dispositif expérimental de la thermoluminescence

III.4.2.2 Principales étapes de la thermoluminescence

Les principales étapes de fonctionnement sont schématisées sur la figure III.17, où on

distingue deux phases principales:

• Phase 1
Elle concerne l’irradiation de l’échantillon, effectuée à partir d’une lampe Hg. L’excitation est
maintenue pendant 10 min, le rayonnement émis se situe dans le domaine de l’UV.
Après excitation et lors du retour à l’état d’équilibre, des électrons et des trous viennent se
piéger dans des centres à l’intérieur de la bande interdite (fig. III.17.a). En plus des porteurs
qui se recombinent d’une façon classique, d’autres perdent de l’énergie sous forme de
fluorescence.

82
F.LMAI

• Phase 2
Elle consiste à exciter par chauffage, les porteurs qui ont été piégés dans la phase1. Le retour
à l’état d’équilibre qui veut dire une perte de l’énergie emmagasinée se manifeste sous forme
de luminescence (fig. III.17.b).
Cette luminescence est enregistrée sous forme de spectres I=ƒ(λ), qui permet l’identification
des centres ayant semis cette luminescence.

Figure. III.17 Etapes de la thermoluminescence

La figure III-18 montre un exemple des pics thermoluminescence.

Figure. III.18 Spectres thermoluminescence pour CdTe, irradié a T=25°C

83
F.LMAI

III- 4 -3 Spectroscopie photoluminescence

La spectroscopie photoluminescence est une méthode non destructive où la lumière est

dirigée directement sur l'échantillon puis absorbé, l'énergie excessive est transmet dans la
matière en un processus appelé « photon d’excitation ». Cet excès d’énergie est dissipé par
l'échantillon est à travers l’émission de la lumière ou la luminescence est appelée
« photoluminescence » l’intensité et le contenu du spectre photoluminescence est la mesure
directe des différentes propriétés de la matière.
L’excitation par les photons cause le mouvement des électrons dans les états excités
permis, quant ces électrons retournent à leurs états d’équilibre l’énergie en excès sort sous
forme d’émission de la lumière (processus radioactif ou non radioactif). L’énergie de la
lumière émise est reliée à la différence des niveaux d’énergie entre deux états d’électron
impliqués dans la transition (états excités et états d’équilibre). La quantité de lumière émise
est reliée à la contribution relative aux processus radioactifs.
Cette technique a plusieurs autres applications comme :
• La détermination de la bande gap (la largeur), elle est particulièrement utile quant
on travaille avec des nouveaux composants semiconducteurs.
• La détection des défauts : transition radioactive dans les semiconducteurs implique
la localisation des niveaux défauts, l’énergie photoluminescence associé à ces
transitions peut être utilisée pour identifier les défauts spécifiques. L’intensité de la
photoluminescence est utile pour la détermination de leur concentration.
• Le mécanisme de recombinaison : le retour à l’équilibre implique les processus
radioactifs et non radioactifs, l’analyse photoluminescence inclut la physique sous-
jacente du mécanisme de recombinaison.

La photoluminescence est une puissante technique optique permettant de caractériser

les matériaux semiconducteurs et les isolants. En général, l'énergie de la lumière émise est
plus faible que celle du rayonnement utilisé pour l'excitation. En pratique, l'intensité émise
par les solides est souvent très faible. Il est donc nécessaire d'utiliser un laser comme
source d'excitation de même qu'un système de détection performant. La photoluminescence
peut servir à étudier la configuration des bandes d'énergie des solides de même que leurs
niveaux d'impuretés. Elle permet de mettre en évidence les niveaux quantiques provenant
de l'empilement des semiconducteurs ayant des gaps d'énergie différents. La
photoluminescence est un domaine qui a connu beaucoup d'expansion et de raffinement
depuis les années 70.
Outre la photoluminescence, qui résulte d'une excitation lumineuse, il existe plusieurs
autres formes de luminescence utilisant d'autres sources d'excitation.
L'électroluminescence est la lumière émise par un corps traversé par un courant électrique.
La catholuminescence résulte du bombardement par un faisceau d'électrons. La
triboluminescence est due à une excitation mécanique alors que la chimiluminescence fait
suite à une réaction chimique

III-4-3-1 Montage expérimental

Le montage expérimental est présenté sur la figure III-19. On utilise un laser pour exciter
l'échantillon qui est collé sur le doigt froid d'un réfrigérateur à cycle fermé. La lumière émise
par l'échantillon est récoltée par un système de deux lentilles et est focalisée sur
l'entrée d'un spectromètre muni d'un photomultiplicateur. Le courant produit par le
photomultiplicateur est converti en tension (par une boîte de résistances) qui elle est mesurée

84
F.LMAI

à l'aide d'un amplificateur synchrone lui-même relié à un ordinateur. La détection synchrone

utilisée ici requiert un faisceau d'excitation haché à une fréquence fixe.

Figure. III.19 Montage expérimental de la photoluminescence

III-4-3-1-a Le laser

On utilise un laser à semiconducteur émettant à une longueur d’onde

monochromatique.

III-4-3-1-b Le réfrigérateur à cycle fermé

Le système de refroidissement que vous utiliserez est un réfrigérateur à cycle fermé

utilisant l’hélium gazeux comme substance réfrigérante. L'échantillon est collé sur un doigt
froid, entouré de vide. La température de l'échantillon peut être variée de 20K à 300K
en contrôlant le chauffage produit par un élément résistif placé dans le porte échantillon.
Même si la température indiquée par le contrôleur de température est très stable, il est
préférable d'attendre quelques minutes de plus afin de permettre à l'échantillon d'atteindre lui
aussi une température stable car sa conductivité thermique est beaucoup plus faible que celle
de son support. Le mode d’emploi du réfrigérateur est affiché sur le montage expérimental.

III-4-3-1-c Le spectromètre

Le spectromètre est la composante déterminante du montage expérimental. En effet,

son ouverture, sa dimension, le choix du réseau qu'il contient et la qualité des fentes
d'entrée et de sortie déterminent entièrement ce qu'il est possible de mesurer. La figure III-
20 présente le schéma d’un spectromètre :

85
F.LMAI

Figure. III.20 Schéma d’un spectromètre

III-4-3-2 Théorie

III-4-3-2-1 L'absorption de la radiation

Dans le processus de photoluminescence, des électrons sont excités par la radiation incidente
(laser). On se sert du coefficient d'absorption α (hν ) pour décrire le changement de
l'intensité lumineuse L(hν ) lorsque la lumière excitatrice traverse l'échantillon:

III-4-3-2-1-a La transition bande à bande (dans les semiconducteurs à gap direct)

Même si la quantité de mouvement du photon h/ λ (où λ est la longueur d'onde de la

lumière excitatrice, i.e quelques milliers d'angstroms) est très petite devant celle de
l'électron dans le réseau h/a (a étant le paramètre du réseau), le processus d'absorption du
photon doit conserver le vecteur d'onde de l'électron. Pour un photon d'énergie hν, le
coefficient d'absorption α (hν ) est proportionnel à la probabilité de transition Pif d'aller
de l'état initial i vers l'état final f. Le coefficient d'absorption est également
proportionnel à la densité d'électrons occupant l'état initial ni, de même qu'à la densité de trous
occupant l'état final nf, il faut également sommer sur toutes les paires de transitions possibles
reliant les états séparés par une différence d'énergie égale à hν:

Traitons maintenant du cas d'un semiconducteur non dopé à 0oK. On considère toutes les
transitions possibles où le vecteur d'onde est conservé, i.e. que la probabilité de transition Pif
est indépendante de l'énergie du photon. Chaque état initial d'énergie Ei est donc couplé à
un état final d'énergie Ef où:

86
F.LMAI

Pour une bande parabolique, on a:

Et

Alors

La densité d'états directement associés est donnée par :

où mr est la masse réduite. Le coefficient d'absorption est donc donné par:

Avec

87
F.LMAI

Par exemple, pour un semiconducteur d'indice de réfraction n=4 dont les masses effectives
des électrons et des trous sont prises égales à la masse de l'électron libre, on a:

où hν et Eg sont exprimés en eV.

III-4-3-2-2 L'émission de la radiation

III-4-3-2-2-a La transition bande à bande

La transition bande à bande, en photoluminescence, apparaît progressivement lorsque la

température de l'échantillon dépasse celle associée à l'énergie d'activation des impuretés. A
haute température (300K) cette transition, lorsque visible, domine généralement le
spectre de luminescence. La figure ci-dessous schématise le processus de
photoluminescence:

Lors de l'excitation, un électron passe de la bande de valence à la bande de

conduction. Il redescend rapidement au bas de celle-ci en émettant des phonons
(chaleur), puis il émet un photon en retournant à la bande de valence. L'émission de
phonons est un processus extrêmement rapide de l'ordre de la picoseconde. Par contre,
l'émission d'un photon peut prendre de 10-9 secondes à plusieurs secondes. Les matériaux
phosphorescents sont ceux dont le temps d'émission est plus long ou de l'ordre de la
milliseconde. Les autres matériaux sont dits simplement luminescents. Comme dans le
cas de l'absorption de la radiation, la conservation du vecteur d'onde permet de relier
uniquement les états possédant un même k. Cette restriction conduit à un coefficient
d'émission de la forme:

88
F.LMAI

où la constante B est donnée par:

On voit donc que la transition bande à bande possède un seuil situé à hν = Eg . Au fur et à
mesure que l'on augmente la température, les états situés plus haut dans les bandes d'énergie
commencent à être occupés et contribuent à l'émission de radiation. Il s'en suit donc que la
transition possède une queue, du côté des hautes énergies, qui varie rapidement avec la
température.

III-4-3-2-2-b Les transitions donneur-bande de valence et bande de conduction-

accepteur

Une première transition consiste en un électron qui quitte un niveau donneur pour aller vers
la bande de valence. L’énergie de cette transition est donnée par :
E = Egap − ED
On peut aussi observer une transition où un électron quitte la bande de conduction
pour se retrouver sur un niveau accepteur. Dans ce cas, l’énergie de la transition est donnée
par :
E = Egap − EA

89
F.LMAI

On sait que les énergies ED et EA diffèrent selon la nature chimique de l’impureté. C’est ce qui
permet aux expériences de photoluminescence de confirmer la présence d’un type
spécifique d’impureté dans un matériau. Cependant, la théorie de la masse effective, qui est
une première approximation valable dans bien des cas, prédit la valeur des énergies ED
et EA pour un semiconducteur donné. Elle donne :

Comme la masse effective des trous est généralement plus grande que celle des électrons,
cela explique pourquoi l’énergie de liaison des niveaux accepteurs est plus grande que
celle des niveaux donneurs. Les transitions impliquant des recombinaisons entre les
électrons de niveaux donneurs et la bande de valence seront donc situées juste sous l’énergie
du gap alors que celles impliquant des transitions entre des électrons de la bande de
conduction et les niveaux accepteurs se situeront à une énergie plus faible. Certaines
transitions ne sont généralement visibles qu’à basse température.

90
F.LMAI

Annexe 1 :

Les niveaux profonds dans CdTe

Ev : Energie d’activation, e : piège électron, h : piège trou, Les abréviations représentent :

P : PICTS, D : DLTS, PL : Photoluminescence, CL : Cathodoluminescence, T : TSCS, P-D :

Photo-DLTS.

Ev(eV) Type Assignation Caractérisation

0.23 ---------- Tei, TeCd P

0.33 ---------- VCd2- P

Ev + 0.2 h ---------- D, CL, P, P-D

Ec - 0.79 e ---------- P

Ev + 0.32 h Complexe TeCd P, P-D

Ev + 0.43 ---------- VCd isolé D, P, P-D

Ec - 0.64 e Cdi++ P

Ev + 0.76 e,h Centre de D, CL, P, P-D

recombinaison

Ec - 1.1 e ---------- P, Cl

Ev + 0.28 ---------- ---------- P

Ec - 0.66 ---------- Complexe (In) P

Ec - 0.68 ---------- Complexe (In) P

Ec - 0.34 ---------- ---------- P

Ec - 0.32 ---------- ---------- P

Ec - 0.61 ---------- Cd interstitial P

Ec - 0.89 ---------- Dû à Sn P

Ec - 0.43 ---------- Dû à Sn P

0.28 ---------- ---------- P

0.35 ---------- ---------- P

91
F.LMAI

0.47-0.51 ---------- ---------- P

0.64 ---------- ---------- P

0.77 ---------- ---------- P

0.82-0.86 ---------- ---------- P

1.01-1.10 ---------- ---------- P

Ev + 0.2 h Impureté Au et P
Ag

Ev + 0.23 h Lacune Te P

Ev + 0.35 h Défaut natif, P

précipité de Te

Ev + 0.65 h Défaut natif, P

précipité de Te

Ev + 0.73 h Lacune Cd, P

Défaut structurel

Ev + 0.81 h ---------- P

0.54 e Cdi2+ P

0.56 e Cdi2+ P

0.67 e ---------- P

0.2 h ---------- P

0.23 h Complexe P

0.23 h Complexe P

0.3 h ---------- P

0.3 h Cu P

0.35 h ---------- P

0.42 h Complexe P

0.49 h VCd2- P

0.88 h ---------- P

0.88 h Cdi2+ P

92
F.LMAI

0.89 h ---------- P

0.63 h VCd2- P

0.71 h ---------- P

0.36 h Cu ----------

0.46 h Complexe P

0.58 h ---------- P

0.63 h VCd2- P

0.64 h ---------- P

0.2 h Complexe ----------

0.34 h Cu ----------

0.2003 ---------- ---------- P

1.08 e ---------- ----------

Ec - 0.76 ---------- ---------- D

Ev + 0.54 h VCd2- P

0.51 h VCd2- P

0.51 h VCd2- P

0.6 h VCd2- P

0.62 h VCd2- P

0.65 h VCd2- P

0.65 h VCd2- P

0.65 h VCd2- P

0.8 h ---------- P

0.84 h ---------- P

0.97 h ---------- P

0.97 h ---------- P

1.38 h ---------- P

93
F.LMAI

Ev + 0.21 ---------- Impureté Au et P

Ag superficiel

Ev + 0.39 ---------- Niveau -défaut P

Ev + 0.43 ---------- Défaut natif P

Précipité Te

Ev + 0.75 ---------- Lacune Cd P

0.23 ---------- Niveau -défaut ----------

0.27 ---------- Niveau -défaut ----------

0.4 ---------- Niveau -défaut ----------

0.52 ---------- Niveau -défaut ----------

0.65 ---------- Niveau -défaut ----------

0.75 ---------- ---------- ----------

0.28 ---------- ---------- P

0.35 ---------- ---------- P

0.47-0.51 ---------- ---------- P

0.64 ---------- ---------- P

0.7 ---------- ---------- P

0.77 ---------- ---------- P

0.82-0.86 ---------- ---------- P

1.01-1.1 ---------- ---------- P

Ev + 0.27 ---------- Impureté P

résiduelle (Ag,
Au)

Ev + 0.31 ---------- Impureté P

résiduelle(Cu)

Ev + 0.38 ---------- Défaut structurel P

Ec - 0.42 ---------- Défaut structurel P

Ec - 0.75 ---------- Niveau donneur P

94
F.LMAI

0.95 e P, D

0.78 e P, D

0.22 h Impureté P
superficielle

0.38 h Lacune Te P

0.45 h P

0.63 h Défaut-cristal P

Ev + 0.22 h Impureté P
(Ag,Au)

Ev + 0.38 h Lacune Te P

Ev + 0.45 h Défaut natif P

Ev + 0.63 h Défaut natif P

Ev + 0.74 h Lacune Cd P

Ev + 0.2 ---------- Lacune Cd ----------

Ev + 0.35 h ---------- D

Ev + 0.54 h Lacune Cd D

Ev + 0.54 h ---------- ----------

Ev + 0.25 h ---------- ----------

Ev + 0.4 h ---------- ----------

Ev + 0.53 h ---------- ----------

Ev + 0.35 h Impureté Cu ----------

Ev + 0.43 h ----------

0.38 ---------- Lacune Cd D

0.59 ---------- Etat d’interface D

0.42 ---------- Porteur D

minoritaire

0.32-0.665 ---------- Porteur D

majoritaire

95
F.LMAI

0.2 e ---------- P

0.26 e ---------- P

0.85 e ---------- P

0.49 ---------- ---------- D

0.48 ---------- ---------- D

0.53 ---------- ---------- D

0.46 ---------- ---------- D

0.26 ---------- ---------- D

0.95 ---------- ---------- D

1.0 ---------- ---------- D

0.29 ---------- ---------- T

0.32 ---------- ---------- T

Les niveaux superficiels dans le CdTe

0.1 ---------- Cl+Te P

0.14 ---------- Cl+Te P

0.16-0.17 ---------- Complexe : P

VCd2-Cl+Te

0.17 ---------- Tei, TeCd P

0.18 ---------- VCd2- P

Ev + 0.12 ---------- VCd-ClTe P, P-D, CL, D

Ev + 0.14 ---------- Complexe VCd, P, P-D, CL, D

impureté
résiduelle

Ev + 0.15 ---------- Complexe VTe, P, P-D, CL, D

impureté
résiduelle

96
F.LMAI

0.14 h Centre A, Cl P, CL

0.16 h Centre A, Cl P, CL

0.11 ---------- ---------- P

0.12 ---------- ---------- P

0.14 ---------- ---------- P

0.16 ---------- ---------- P

0.05 e V2CdClTe PICTS

0.13 h VCdClTe PICTS

0.011 ---------- Donneur Cl+Te PL

0.013 ---------- Donneur Cl+Te PL

0.05 ---------- Accepteur VCd2- PL

0.127 ---------- Défaut PL

0.146 ---------- Défaut PL

0.154 ---------- Défaut PL

0.162 ---------- Défaut PL

0.161 ---------- Défaut PL

0.167 ---------- Défaut PL

0.175 ---------- Défaut PL

0.11 e VCd2-/2ClTe+ P

0.02 h Li, Na, P, N P

0.06 h Tei2-/ClTe+ P

0.11 h ---------- P

0.11 h VCd2-/ClTe+, Ag P

0.12 h ---------- P

0.15 h ---------- P

0.15 h Complexe, Cu ----------

97
F.LMAI

0.17 h ---------- P

0.19 h Complexe

0.06 h Tei2-/ClTe+, Li, P

Na, P, N, O

0.05 e VCd2-/2ClTe+ ----------

0.09 h VCd2-/2ClTe+, Ag ----------

Ev + 0.06 h Tei2-/ClTe+ ----------

Ev + 0.12 h Ag, VCd2-/ClTe+ ----------

0.0604 ---------- VCd2-2BrTe+ P

0.0989 ---------- Bande accepteur P

0.1731 ---------- Bande accepteur P

0.1957 ---------- Bande accepteur P

Ec - 0.12 e VCd2-/2ClTe+ P

Ec - 0.07 e VCd2-/2ClTe+ P

0.15 ---------- ---------- P, TSC

0.03 ---------- ---------- P, TSC

0.16 ---------- Niveau-défaut P

0.16 h ---------- TSC

0.19 h ---------- TSC

Ev + 0.18 h ---------- TSC

Ec - 0.04 e Lacune Te PL

Ec-0.06 à 0.08 e CdTe PL

h Lacune Cd, anti

site CdTe

Ev + 0.095 à ---------- ---------- PL

0.115

0.14 ---------- Accepteur, PL

Lacune Cd, anti-

98
F.LMAI

site CdTe

0.18 ---------- Impuretés T

0.0018 ---------- ---------- PL

0.0049 ---------- ---------- PL

0.014 ---------- ---------- PL

0.009 ---------- Donneur PL

0.032 ---------- Niveau PL

d’impureté

0.0017 ---------- ---------- PL

0.0064 ---------- ---------- PL

0.026 ---------- ---------- PL

0.0062 ---------- ---------- PL

0.03 e VCd2ClTe PL

0.135 h VCdClTe PL

0.084 h ---------- TSCS

0.19 ---------- Complexe VCd TSCS

0.086 h ---------- ----------

0.17 ---------- Complexe VCd ----------

0.11 h ---------- ----------

0.0495 ---------- Accepteur, ClTe- PL

Cdv-ClTe

0.0516 ---------- Accepteur ClTe- PL

Cdv

0.0558 ---------- Accepteur, N PL

0.0581 ---------- Accepteur, Li PL

0.0688 ---------- Accepteur, P PL

0.1084 ---------- Accepteur, Ag PL

99
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0.1472 ---------- Accepteur, Cu PL

0.09 ---------- ---------- DLTS

0.0614 ---------- Niveau PL

accepteur

0.015 ---------- Niveau donneur PL

0.07-0.08 ---------- Niveau PL

accepteur

100