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6) Sachant qu'd T:300K la concentration intrinseclLre clu silicir-rm vaut (n; =6,4 x 10e cm-3; et que la
hauteur de la bande interdite vaut (Es:1,12 eV). determiner [a valeur de,4.
7) En supposant,4 itrdependant de la tempdrature i". calculer la concentration intrinseclue de ce rnatiriau
(Silicium) d la tempdrature d'Lrn lbrrr a diffirsion (T=1200K).
8) Ddduire le niveau de Fermi Ei, ./
iLrn)l)ilr tlcs alontcs ditnnerrrs (Na:10't cm-t1. Op pote n et p les
e) On clope ce semi-ttoltrluctcllr'(\ilie
nouvelles concentrations respectivement des dlectlons libres dans RC et des trous libres dans la BV.
a) Quelest le type de ce nouveau semi-conducteur aope.(g,Q
b) Ecrire la relarion de-nepr:dite. Expliquer. les approxi^ffint.@
c) Monrrer eue n.p=n12 W)
d) Calcule. les .on..nt.uhffi n et pd la rempdrarure 300K.
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Exercice 2 o0 poinrs): &g 8, tZ / /o'
Soit le schdma dlectrique suivant :
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1) Indiquer sur ce schdma les composants passils et composa -"if42#)
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2) Indiquer par un dessin les trois diflerenres paryies-d€ circuir. (*1r, -
3) Calculer la resistance d'entree : Re=Y,1;-4 rr' \I--/
4) Calculer la rdsistance de sortie R,.
s) Calcurler le gain d vide : Ays=Vss/Vs.
6) Dessiner le sch6ma eWivatent@
Donn6es : R= R*=f,f(C), R;:0.2KQ, R,=1KC), Rz:4 KC), B=25.
Bon courage
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