SEMI-CONDUCTEURS

I – L'atome
Il comprend un noyau constitué de :

protons (p) : charge + 1,6 10-19 C (m = 1,67 10-27 kg),

neutrons (n) : charge nulle (m = 1,67 10-27 kg),
et d 'électrons (e-) charge - 1,6 10-19 C (m = 9,1 10-31 kg).

Le nombre de protons étant égal au nombre d'électrons, un atome est

électriquement neutre.

La dernière couche, appelée couche de valence, définit les propriétés chimiques et

électriques des atomes. - -
On peut donc représenter un atome par sa - - -
couche de valence et par un coeur qui regroupe +6 +4
le noyau et les couches internes - -
-
- -
carbone
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La couche de valence peut comporter de 1 à 8 électrons.

Pour n = 8, la couche est dite saturée (sauf pour la première couche n sat = 2).

Les atomes ayant 1 électron périphérique forment les matériaux conducteurs.

Les atomes ayant 8 électrons périphériques forment les matériaux isolants.

Les atomes ayant 4 électrons périphériques forment les matériaux semi-

conducteurs.

n é lé m ent s
1 Cu, Ag, Au
3 B, Al, Ga, In, Tl (Thallium )
4 C, Si, Ge, Sn (ét ain), Pb
5 N (Azot e), P, As, Sb (Ant im oine), Bi (Bism ut h)
8 He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn (Radon)

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II – Le cristal
Lorsque des atomes ayant 4 électrons périphériques s'assemblent sous la forme
d'un solide, ils peuvent s'ordonner selon un motif régulier appelé cristal.

Dans ce cristal, chaque atome partage ses électrons avec ses voisins.
- - - - - -
- - - -
Chaque atome « voit » ainsi huit - - - -
- - - - - -
électrons périphériques. -
- - -
Chaque atome ayant huit électrons sur
sa couche de valence, le cristal est - - - -
- - - - - -
isolant à température ambiante. - -
- -
- - - -
- - - - - -

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Lorsque la température augmente, on apporte de l'énergie au semi-conducteur.
Certains électrons peuvent alors utiliser cette énergie pour augmenter leur vitesse
et quitter leur orbite.

Le départ de l'électron crée un vide dans la couche de valence appelé « trou ». Ce

dernier se comporte comme une charge positive car la perte d'un électron entraîne
l'apparition d'un ion positif. - - - -
- -
- - - - -
Le nombre d'électrons libres et de trous - - - -
- - - - -
est identique. -
- - -
Lorsque qu'un é- est attiré par un ion +
positif, il « tombe » dans le « trou » : - - - -
- - - - - -
c'est la recombinaison. L'ion positif - -
- -
disparaît.
- - - -
- - - - - -

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
U

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente. F = q.E
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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 SEMI-CONDUCTEURS
III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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 SEMI-CONDUCTEURS
III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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III – Le semi-conducteur intrinsèque
C'est un semi-conducteur pur. i E
+ -
A température ambiante, i =
Lorsque la température U
augmente.
Le courant i dans le
semiconducteur correspond à
la somme de deux flux, celui
des électrons dans un sens et
celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont
appelés porteurs car ils
« transportent » des charges
d'un endroit à un autre.

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Pour obtenir un cristal conducteur à température ambiante, il faut ajouter des
porteurs libres. Ceci est obtenu par dopage.

IV – Le semi-conducteur extrinsèque
Le dopage consiste à insérer dans le cristal des atomes :

pentavalents (ayant 5 électrons périphériques),

tritavalents (ayant 3 électrons périphériques),

t rivalent s pent av alent s

Bore Silicium Arsenic
Gallium Germ anium Ant im oine
Phosphore

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IV.1 – Dopage par atome pentavalent
- - - - - -
- - - On peut donc considérer que l'atome
-
5 e é- Si Si Si dopant devient un ion positif
- - - - accompagné d'un électron libre.
- - -- - - -
- - - -
Si As Si -
- - - - +
- - - - - -
- - - -
Si Si Si Le semi-conducteur dopé reste
- - - -
- - - - - - électriquement neutre.

Il n'y a que huit places sur la couche

de valence.
L'électron exédentaire devient un
électron libre.

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E
A température ambiante, les porteurs sont i - -
+ +
des électrons.
+ - - -
F=qE + +
U
Lorsque la température augmente, il y
génération de paires électrons-trous qui
s'ajoutent aux porteurs précédents.

La majorité des porteurs sont des électrons

(négatifs). Le semi-conducteur dopé par E
- -
atome pentavalent est appelé semi-
i - + +
Si
conducteur de type N. + - - -
F=qE + +
U
Les électrons sont les porteurs majoritaires.

Les trous sont les porteurs minoritaires.

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IV.2 – Dopage par atome trivalent
- - - - - -
- - - On peut donc considérer l'atome
-
trou Si Si Si dopant comme un ion négatif
- - - - accompagné d'une charge positive,
- - - - -
- - - - le trou.
Si B Si +
- - - - - ou -
- - - - - -
- - - -
Si Si Si Le semi-conducteur dopé reste
- - - -
- - - - - - électriquement neutre.

Sur les huit places que comporte la

couche de valence, seuls sept sont
occupées.
Il reste une place libre que l'on peut
considérer comme un trou.

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A température ambiante, les porteurs sont
des trous. E
i
- -
+ -
F=qE - -
U
Lorsque la température augmente, il y
génération de paires électrons-trou qui
s'ajoutent aux porteurs précédents.

La majorité des porteurs sont des trous

(positifs). Le semi-conducteur dopé par E
atome trivalent est appelé semi-conducteur
i - - -
Si
de type P. + -
F=qE - -
U
Les trous sont les porteurs majoritaires.

Les électrons sont les porteurs minoritaires.

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III – La jonction PN
Elle est réalisée dans un cristal semi-conducteur unique divisé en deux zones
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.

A la limite des deux zones, il se produit des modifications dans une région de
faible épaisseur (1 µm).
Les électrons libres de la zone N sont piègés par les
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en
porteurs : la zone de déplétion.
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent
un champ électrique E.
Ce champ électrique empèche la circulation
d'électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière
de potentiel.
A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.
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III – La jonction PN
Elle est réalisée dans un cristal semi-conducteur unique divisé en deux zones
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.

A la limite des deux zones, il se produit des modifications dans une région de
faible épaisseur (1 µm).
Les électrons libres de la zone N sont piègés par les
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en
porteurs : la zone de déplétion.
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent
un champ électrique E.
Ce champ électrique empèche la circulation
d'électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière
de potentiel.
A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.
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III – La jonction PN
Elle est réalisée dans un cristal semi-conducteur unique divisé en deux zones
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.

A la limite des deux zones, il se produit des modifications dans une région de
faible épaisseur (1 µm).
Les électrons libres de la zone N sont piègés par les
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en
porteurs : la zone de déplétion.
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent
un champ électrique E.
Ce champ électrique empèche la circulation
d'électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière
de potentiel.
A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.
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III – La jonction PN
Elle est réalisée dans un cristal semi-conducteur unique divisé en deux zones
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.

A la limite des deux zones, il se produit des modifications dans une région de
faible épaisseur (1 µm).
Les électrons libres de la zone N sont piègés par les
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en
porteurs : la zone de déplétion.
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent
un champ électrique E.
Ce champ électrique empèche la circulation
d'électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière
de potentiel.
A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.
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III – La jonction PN
Elle est réalisée dans un cristal semi-conducteur unique divisé en deux zones
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.

A la limite des deux zones, il se produit des modifications dans une région de
faible épaisseur (1 µm).
Les électrons libres de la zone N sont piègés par les
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en
porteurs : la zone de déplétion.
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent
un champ électrique E.
Ce champ électrique empèche la circulation
d'électrons à travers la jonction.
Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière
de potentiel.
A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.
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III.2 – La jonction PN polarisée

0 < U < barrière de potentiel

L'énergie des électrons est insuffisante pour franchir la barrière de potentiel.
Le courant est nul.

U > barrière de potentiel

Les électrons ont assez d'énergie pour franchir la zone déplétée, un courant
positif s'établit. C'est la polarisation directe.

La jonction est passante.

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III.2 – La jonction PN polarisée

U<0

Les électrons sont attirés vers l'électrode

de droite et les trous sont attirés vers
l'électrode de gauche.

La zone déplétée s'élargit. Il n'y a plus de porteurs dans la jonction, le courant est
nul.

C'est la polarisation inverse

La jonction est bloquée.

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III.3 – Le claquage
La génération thermique de paires électrons-trous dans la zone déplétée donne lieu
à un très faible courant de fuite inverse. Ce courant est généralement négligeable.

Lorsque la tension inverse est trop grande, les électrons se déplacent plus
rapidement. Lors de chocs avec les atomes du réseau, ils peuvent arracher un
électron de valence. Ce phénomène produit d'autres porteurs qui vont eux aussi
entrer en collision avec les atomes. La progression est géométrique : un électron
initial libère un électron de valence, ces deux porteurs vont libérer chacun deux
autres électrons de valence pour donner quatre porteurs et ainsi de suite jusqu'à ce
que le courant inverse devienne énorme et provoque la destruction de la jonction.

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