SEMI­CONDUCTEURS

I – L'atome
Il comprend un noyau constitué de :
protons (p) : charge + 1,6 10­19 C (m = 1,67 10­27 kg),
neutrons (n) : charge nulle (m = 1,67 10­27 kg),
et des électrons (e­) charge ­ 1,6 10­19 C (m = 9,1 10­31 kg).
Le nombre de protons étant égal au nombre d'électrons, un atome est 
électriquement neutre.
La dernière couche, appelée couche de valence, définit les propriétés chimiques et 
électriques des atomes.  
­ carbone ­
On  peut  donc  représenter  un  atome  par  sa  ­ ­ ­
couche de valence et par un coeur qui regroupe  +6 +4
le noyau et les couches internes ­ ­
­
­ ­
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La couche de valence peut comporter de 1 à 8 électrons. 
Pour n = 8, la couche est dite saturée (sauf pour la première couche nsat = 2).

Les atomes ayant 1 électron périphérique forment les matériaux conducteurs.
Les atomes ayant 8 électrons périphériques forment les matériaux isolants.
Les atomes ayant 4 électrons périphériques forment les matériaux 
semi­conducteurs.

n éléments
1 Cu, Ag, Au
3 B, Al, Ga, In, Tl (Thallium)
4 C, Si, Ge, Sn (étain), Pb
5 N (Azote), P, As, Sb (Antimoine), Bi (Bismuth)
8 He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn (Radon)

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II – Le cristal
Lorsque des atomes ayant 4 électrons périphériques s'assemblent sous la forme 
d'un solide, ils peuvent s'ordonner selon un motif régulier appelé cristal.
Dans ce cristal, chaque atome partage ses électrons avec ses voisins.
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
 
Chaque  atome  « voit »  ainsi  huit  ­ ­ ­ ­
électrons périphériques. ­ ­ ­ ­ ­ ­
Chaque atome ayant huit électrons  sur  ­ ­ ­ ­
sa  couche  de  valence,  le  cristal  est  ­ ­ ­ ­
isolant à température ambiante. ­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­ ­ ­

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Lorsque  la  température  augmente,  on  apporte  de  l'énergie  au  semi­conducteur. 
Certains  électrons peuvent alors utiliser cette  énergie pour augmenter leur vitesse 
et quitter leur orbite.
Le départ de l'électron crée un vide dans la couche de valence appelé « trou ». Ce 
dernier se comporte comme une charge positive car la perte d'un  électron  entraîne 
l'apparition d'un ion positif.  
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­ ­
 Le nombre d'électrons libres et de trous  ­ ­ ­ ­
est identique. ­ ­ ­ ­ ­
Lorsque  qu'un  é­  est  attiré  par  un  ion  ­ ­ ­ ­
+
positif,  il  « tombe »  dans  le  « trou »  :  ­ ­ ­ ­
c'est  la  recombinaison.  L'ion  positif  ­ ­ ­ ­ ­ ­
disparaît. ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­ ­ ­

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III – Le semi­conducteur intrinsèque
C'est un semi­conducteur pur. i E
A température ambiante, i =  + ­
U

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III – Le semi­conducteur intrinsèque
C'est un semi­conducteur pur. i E
A température ambiante, i =  + ­
U
Lorsque la température 
augmente.
Le 
  courant  i  dans  le 
semiconducteur  correspond    à  la 
somme  de  deux  flux,  celui  des 
électrons dans un sens et celui des 
trous dans l'autre. 
Les  électrons  et  les  trous  sont 
appelés  porteurs  car  ils 
« transportent »  des  charges  d'un 
endroit à un autre.

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Pour obtenir un cristal conducteur à température ambiante, il faut ajouter des 
porteurs libres. Ceci est obtenu par dopage.

IV – Le semi­conducteur extrinsèque
Le dopage consiste à insérer dans le cristal des atomes :
pentavalents (ayant 5 électrons périphériques),
trivalents (ayant 3 électrons périphériques),

trivalents pentavalents
Bore Silicium Arsenic
Gallium Germanium Antimoine
Phosphore

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IV.1 – Dopage par atome pentavalent
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ On peut donc considérer que l'atome 
­ ­
5e é­ Si Si Si dopant  devient  un  ion  positif 
­ ­ ­ ­ accompagné d'un électron libre.
­ ­ ­­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
Si As Si ­
­ ­ ­ ­ +
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
Si Si Si Le semi­conducteur dopé reste 
­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­ ­ ­ électriquement neutre.

Il n'y a que huit places sur la couche 
de valence.
L'électron  exédentaire  devient  un   
électron libre.

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E
i ­ ­
A  température  ambiante,  les  porteurs  sont  + +
des électrons.   + ­ ­ ­
F = q E + +
U
Lorsque  la  température  augmente,  il  y 
génération  de  paires  électrons­trous  qui 
s'ajoutent aux porteurs précédents.
La  majorité  des  porteurs  sont  des  électrons 
(négatifs).  Le  semi­conducteur  dopé  par  E
­ ­
atome  pentavalent  est  appelé  i ­ +
Si +
semi­conducteur de type N. + ­ ­ ­
F = q E + +
 Les électrons sont les porteurs majoritaires. U
 Les trous sont les porteurs minoritaires.

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IV.2 – Dopage par atome trivalent
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ On  peut  donc  considérer  l'atome 
­ ­
trou Si Si Si dopant  comme  un  ion  négatif 
­ ­ ­ ­ accompagné d'une charge positive, 
­ ­ ­ ­ ­ le trou.
­ ­ ­ ­
Si B Si +
­ ­ ­ ­ ou
­ ­
­ ­ ­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­
Si Si Si Le semi­conducteur dopé reste 
­ ­ ­ ­
­ ­ ­ ­ ­ ­ électriquement neutre.

Sur les huit places que comporte la 
couche  de  valence,  seuls  sept  sont 
occupées.
Il reste une place libre que l'on peut 
considérer comme un trou.

Polytech'Nice Sophia 10 C. PETER – V 3.0
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A  température  ambiante,  les  porteurs  sont  E
des trous.   i
­ ­
+ ­
F = q E ­ ­
U

Lorsque  la  température  augmente,  il  y 

génération  de  paires  électrons­trou  qui 
s'ajoutent aux porteurs précédents.
La  majorité  des  porteurs  sont  des  trous 
(positifs).  Le  semi­conducteur  dopé  par  E
atome trivalent est appelé semi­conducteur  i ­ ­ ­
Si
de type P. + ­
F = q E ­ ­
 Les trous sont les porteurs majoritaires. U
 Les électrons sont les porteurs minoritaires.

Polytech'Nice Sophia 11 C. PETER – V 3.0
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III – La jonction PN
Elle  est  réalisée  dans  un  cristal  semi­conducteur  unique  divisé  en  deux  zones 
dopées, l'une par des atomes trivalents, l'autre par des atomes pentavalents.
A  la  limite  des  deux  zones,  il  se  produit  des  modifications  dans  une  région  de 
faible épaisseur (1 µm).

Les électrons libres de la zone N sont piègés par les 
trous de la zone P. Il en résulte une zone déplétée en 
porteurs : la zone de déplétion.
 
Dans cette zone de déplétion, les ions fixes génèrent 
un champ électrique E.
Ce  champ  électrique  empêche  la  circulation 
d'électrons à travers la jonction.

Le champ électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière 
de potentiel.  A 20°C, elle vaut 0,6 V pour le silicium.

Polytech'Nice Sophia 12 C. PETER – V 3.0
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III.2 – La jonction PN polarisée
U < 

Les électrons sont attirés vers l'électrode 
de  droite  et  les  trous  sont  attirés  vers 
l'électrode de gauche.

La zone déplétée s'élargit. Il n'y a plus de porteurs dans la jonction, le 
courant est nul.
C'est la polarisation inverse
La jonction est bloquée.

Polytech'Nice Sophia 13 C. PETER – V 3.0
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0 < U < barrière de potentiel
L'énergie des électrons est insuffisante pour franchir la barrière de potentiel. 
Le courant est nul.

 U > barrière de potentiel

Les électrons ont assez d'énergie pour franchir la zone déplétée, un courant 
positif s'établit. C'est la polarisation directe.

La jonction est passante.

Polytech'Nice Sophia 14 C. PETER – V 3.0
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III.3 – Le claquage
La génération thermique de paires électrons­trous dans la zone déplétée donne lieu 
à un très faible courant de fuite inverse. Ce courant est généralement négligeable.

Lorsque  la  tension  inverse  est  trop  grande,  les  électrons  se  déplacent  plus 
rapidement.  Lors  de  chocs  avec  les  atomes  du  réseau,  ils  peuvent  arracher  un 
électron  de  valence.  Ce  phénomène  produit  d'autres  porteurs  qui  vont  eux  aussi 
entrer  en  collision  avec  les  atomes.  La  progression  est  géométrique  :  un  électron 
initial  libère  un  électron  de  valence,  ces  deux  porteurs  vont  libérer  chacun  deux 
autres électrons de valence pour donner quatre porteurs et ainsi de suite jusqu'à ce 
que le courant inverse devienne énorme et provoque la destruction de la jonction.

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