Principe de fonctionnement de la cellule photovoltaïque

1. La structure de la cellule photovoltaïque au silicium

Une cellule photovoltaïque est constituée de plusieurs couches.
De part et autre du cœur de la cellule, on a une couche conductrice (K)
autrement dit une grille métallique, puisqu'il faut que cette couche
soit conductrice et ne subisse pas des phénomène de corrosion.
On a une couche qui sert de pôle (-) recouvrant la couche
semi-conductrice dopée N et une couche qui joue le rôle de pôle (+)
en dessous la couche semi-conductrice P. (cf. annexe )
Aussi le silicium est très réflecteur, on place
donc un revêtement anti-réflexion sur le dessus
de la cellule. Enfin on trouve une couche
de verre qui protège la cellule.
Ces couvertures de protections sont
indispensables car la cellule est très fragile.
L'épaisseur totale de la cellule est de l'ordre
du millimètre. Pour finir, on relie les cellules
entre elles, constituant alors le panneau solaire,
afin d'obtenir une puissance suffisante.
Sous l’action de radiations lumineuse,
le silicium libère des électrons, c’est l’effet
photoélectrique. Ces électrons sont ensuite
susceptibles de produire un courant électrique.
L'énergie lumineuse des rayons solaire est transformée en électricité par le biais de la production et
du transport dans le silicium de charges électriques positives et négatives sous l'effet de la lumière.
Le silicium comporte deux parties, l'une présentant un excès d'électron et l'autre un déficit d'électrons,
dites respectivement dopée de type n et dopée de type p.
Pourquoi la couche 3 borne (-) est-elle une grille et non une plaque comme la couche 6 borne (+) ?
2. Que se passe-t-il si on expose la cellule photovoltaïque au Soleil ? (cf. annexe )
a- la photopile : Si, sous l'action d’un rayonnement incident, les photons ayant une énergie suffisante,
(longueur d’onde est comprise entre 0,4 et 1,1 μm correspondant au spectre visible), heurtent les atomes
de silicium. Ils arrachent des électrons de valence et leur communiquent une certaine vitesse.
Quand un photon arrache un électron à la matrice, créant un électron libre et un trou, sous l'effet
de ce champ électrique ils partent chacun à l'opposé : les électrons s'accumulent dans la région N
(qui devient le pôle négatif), tandis que les trous s'accumulent dans la couche dopée P (qui devient
le pôle positif). Ce phénomène est surtout efficace dans la zone neutre , électrons et trous
vont s’accumuler sur chacune des faces extérieures des zones P et N de la jonction.
Ainsi, une tension entre les faces extérieures de la jonction est créée : la photopile peut fonctionner.
Si l'on ferme le circuit à l'aide de n'importe quel dipôle, telle une lampe, ces électrons se mettent
en mouvement, le courant circule dans le circuit, il y a production d'électricité.
1. Comment est généré le champ électrique interne à la cellule ?
Quel est le rôle de ce champ électrique interne ? 
2. De quel(s) paramètre(s) peut dépendre l’intensité du courant électrique
débité par la cellule photovoltaïque ? 
4. Pourquoi la cathode est-elle une grille et non une plaque comme l’anode ?
Elle doit laisser passer la lumière jusqu’à la jonction PN où les photons extrait des électrons de la matière

annexe - conduction dans les semi-conducteurs dopés

a- Conduction dans les semi-conducteurs dopés N
Lorsque que le cristal d’un semi-conducteur n’est plus pur, il est dopé.
Si les atomes “étrangers” possèdent 5 électrons sur leur couche
de valence (colonne 15 de la classification, exple le phosphore) ,
on les appellent atomes donneurs. Le matériau est dit dopé de type N.
Pourquoi N ? En ayant 5 électrons sur sa couche de valence,
cet atome va échanger 4 électrons avec ses voisins, et il va rester 1 électron libre, puisqu’il n’appartient
pas à une liaison de valence. Il y a un surplus d’électron, chargé négativement.
Le matériau est donc de type N pour négatif. Ainsi, ce matériau contient :
- des ions positifs immobiles dans le cristal (atomes donneurs P ayant perdu un électron).
- des électrons libres provenant des atomes donneurs P et de l’agitation thermique.
- des trous provenant de l’agitation thermique seulement.
Dans un matériau dopé N, les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs mino
Remarque sur l’utilité du dopage :
Dans le cas du silicium, l’agitation thermique crée 3 paires d’électrons-trous pour 1012 atomes
alors que le dopage génère un électron libre pour 103 à 109 atomes, soit 1 000 à 1 000 000 fois plus.
Le dopage permet donc une conductivité beaucoup plus forte que dans un matériau pur.
b- Conduction dans les semi-conducteurs dopés P
Le principe est le même que pour les matériaux dopés de type P,
mais au lieu d’ajouter des atomes de la colonne 15, on ajoute
des atomes de la colonne 13, par exple le Bore.
Ces atomes n’ont que 3 électrons sur leur couche de valence,
donc 3 liaisons de covalences. Cette configuration permet aux électrons
voisins de venir facilement combler le trou libre, générant un trou.
Ces atomes de B sont donc appelés des atomes accepteurs.
Les matériaux dopés P contiennent donc : - des ions négatifs
immobiles dans le réseau cristallin (atomes Accepteurs ayant
gagné un électron, donc ayant un électron de plus),
- des trous provenant du dopage et de l’agitation thermique,
- des électrons provenant de l’agitation thermique.
Nous allons pouvoir parler du fonctionnement du panneau
solaire, grâce à la mise en contact d’un matériau dopé P
et d’un dopé N. On appelle cela : la jonction PN.
c- Que se passe-t-il si on colle un matériau dopé N
contre un matériau dopé P ?
 le matériau dopé P contient des trous en trop,
 le matériau dopé N contient des électrons en trop.
Des électrons vont diffuser à travers le matériau N vers P
et les trous vont diffuser à travers le matériau dopé P vers N .
Au milieu de ces 2 matériaux, il va se former une zone neutre.
Il existe un champ électrique entre les 2, orienté de N vers P
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