Struture Des Cellules

RÉPUBLIQUE ALGÉRIENNE DÉMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTÈRE DE L’ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

CENTRE UNIVERSITAIRE SALHI AHMED – NAAMA
INSTITUT DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES

DÉPARTEMENT DE TECHNOLOGIE
MÉMOIRE
En vue de l’obtention du diplôme de Master en :
Énergie renouvelable
Option : Énergie renouvelable en Électrotechnique
Intitulé :
MODÉLISATION ET SIMULATION D’UN SYSTÈME

PHOTOVOLTAÏQUE ADAPTÉ PAR LA COMMANDE MPPT
Présenté par :
➢ Ameri Zahra
➢ Chaib Imane
➢ Belhachemi Ahmed
Soutenu le : … 30/06/2020….. devant le Jury :
Dr. Habchi Yacine MAA Centre Universitaire Naâma Président

Dr. Khessam Medjdoub MCB Centre Universitaire Naâma Encadreur
Dr. Brahimi Mohamed MAA Centre Universitaire Naâma Examinateur
Naama – Algérie - 2020

Résumé :
La connexion entre un générateur photovoltaïque (GPV) et une charge de type continu reste
encore un sujet d’étude. L’adaptation d’impédance entre un générateur PV et une charge de type
continu est un problème technologique que signifie essentiellement le transfert du maximum de
puissance du générateur PV à la charge. Le travail présenté dans ce mémoire concerne l’étude de la
chaine de conversion photovoltaïque.
L’étude et la simulation des éléments de cette chaine ont montré que l’élément principal de
la chaine, le générateur photovoltaïque GPV, ne peut délivrer une puissance maximale que pour des
valeurs particulières du courant et de la tension. Ainsi, afin de poursuivre le point de puissance
maximale, l’insertion d’un étage d’adaptation, entre le GPV et la charge est nécessaire. Cet étage a
été réalisé dans notre cas en utilisant un convertisseur DC/DC Boost et l’algorithme MPPT (P&O)
et INC.
Mots clés : Générateur PV – Convertisseur survolteur – Commande MPPT –– Simulation –
Algorithme (P&O) et INC .
‫الملخص‬
‫ مطابقة الممانعة بين المولد الكهروضوئي‬.‫) وحمل النوع المستمر محل دراسة‬GPV( ‫ال تزال العالقة بين المولد الكهروضوئي‬
‫ يتعلق العمل‬.‫والحمل المستمر هي مشكلة تكنولوجية تعني في األساس نقل الطاقة القصوى من المولد الكهروضوئي إلى الحمل‬
.‫المقدم في هذه الرسالة بدراسة سلسلة التحويل الكهروضوئي‬
‫ يمكن أن يوفر فقط‬، GPV ‫أظهرت دراسة ومحاكاة عناصر هذه السلسلة أن العنصر الرئيسي للسلسلة المولد الكهروضوئي‬
‫ من الضروري إدخال مرحلة التكيف بين‬، ‫ من أجل مواصلة نقطة القوة القصوى‬، ‫ وبالتالي‬.‫أقصى طاقة لقيم معينة للتيار والجهد‬
.INC ‫) و‬MPPT (P&O ‫ وخوارزمية‬DC / DC Boost ‫ تم تحقيق هذه المرحلة في حالتنا باستخدام محول‬.‫ والحمل‬GPV
)INC‫و‬P&O ( MPPT ‫ خوارزمية‬.- ‫ محاكاة‬- MPPT ‫ تحكم‬- ‫ محول تقوية‬- PV ‫ المولد‬: ‫الكلمات المفتاحية‬
Abstract :
The connection between a photovoltaic generator (GPV) and a continuous type load is still a
subject of study. The impedance matching between a PV generator and a DC load is a technological
problem that essentially means transferring the maximum power from the PV generator to the load.
The work presented in this thesis concerns the study of the photovoltaic conversion chain. The
study and the simulation of the elements of this chain showed that the main element of the chain,
the photovoltaic generator GPV, can deliver a maximum power only for particular values of the
current and the voltage. Thus, in order to find the point of maximum power, the insertion of an
adaptation stage between the GPV and the load is necessary. This stage was realized in our case
using a Boost DC / DC converter and the MPPT (P & O), INC algorithm.
Keywords : PV generator - Booster converter - MPPT control - - Simulation - MPPT (P & O), INC
algorithm.
V
Sommaire
Dédicace I
Remerciement IV
Résumé V
Sommaire VI
Liste des Figures X
Liste des tableaux XIII
Liste des symboles XIV
Liste des abréviations XV
Introduction Générale 01
CHAPITRE 1 : Généralité sur les systèmes photovoltaïque
I.1 Introduction ………………………………………………………………………... 02

I.2 Historique ………………………………………………………………………….. 02
I.3 Energie renouvelable en Algérie …………………………………………………... 03
I.4 Potentiel solaire en Algérie ………………………………………………………... 04
I.5 Généralités sur le soleil ………………………………………………………….. 05
I.5.1 Rayonnement solaire ……………………………………………………………. 05
I.5.1.1 Rayonnement direct …………………………………………………………… 06
I.5.1.2 Rayonnement diffus …………………………………………………………… 06
I.5.1.3 Rayonnement solaire réfléchi ………………………………………………… 06
I.5.1.4 Rayonnement global …………………………………………………………… 07
I.5.2 Energie solaire …………………………………………………………………… 07
I.5.3 Spectre du rayonnement …………………………………………………………. 07
I.6 Cellule photovoltaïque …………………………………………………………….. 08
I.6.1 Cellule solaire ……………………………………………………………………. 08
I.6.2 Effet photovoltaïque …………………………………………………………….. 09
I.6.3 Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque ……………………… 11
VI
I.6.4 Rendement énergétique ………………………………………………………….. 11
I.6.5 Facteur de forme ………………………………………………………………… 11
I.6.6 Rappel sur les propriétés des semi-conducteurs …………………………………. 12
I.6.6.1 Semi-conducteur ………………………………………………………………. 12
I.6.6.2 Dopage de silicium …………………………………………………………….. 12
I.6.6.2.1 Dopage de type N ……………………………………………………………. 12
I.6.6.2.2 Dopage de type P ……………………………………………………………. 13
I.6.6.3 Formation de la jonction PN …………………………………………………... 13
I.6.7 Différents types de cellule solaire ………………………………………………. 14
I.6.7.1 Silicium monocristallin ………………………………………………………... 14
I.6.7.2 Silicium poly cristallin ………………………………………………………… 14
I.6.7.3 Silicium amorphe ……………………………………………………………… 15
I.6.7.4 Cellule Tandem ………………………………………………………………... 15
I.6.7.5 Cellule multi-jonction …………………………………………………………. 16
I.7 Générateur photovoltaïque ………………………………………………………… 16
I.7.1 Zones de fonctionnement de module solaire …………………………………….. 17
I.7.2 Association des modules photovoltaïques ………………………………………. 18
I.7.2.1 En série ………………………………………………………………………… 18
I.7.2.2 En parallèle ……………………………………………………………………. 19
I.7.2.3 Association mixte (série/parallèle) ……………………………………………. 20
I.8 Les systèmes photovoltaïques ……………………………………………………... 21
I.8.1 Définition ………………………………………………………………………... 21
I.8.2 Types d’un système photovoltaïque …………………………………………….. 21
I.8.2.1 Système autonome ……………………………………………………………. 21
I.8.2.1.1 Système autonome sans batterie ……………………………………………. 21
I.8.2.1.2 Système autonome avec batterie ……………………………………………. 22
I.8.2.2 Système hybride ………………………………………………………………. 22
I.8.2.3 Système raccordé au réseau électrique ………………………………………… 23
I.8.2.3.1 Injection de la totalité de la production ……………………………………… 23
I.8.2.3.2 Injection de surplus de production …………………………………………... 23
I.8.3 Avantages et inconvénients des systèmes photovoltaïques ……………………... 24
I.8.3.1 Avantages ……………………………………………………………………… 24
I.8.3.2 Inconvénients ………………………………………………………………….. 24
I.9 Conclusion …………………………………………………………………………. 24
VII
CHAPITRE 2 : Modélisation et simulation des éléments
d’un système photovoltaïque
II.1 Introduction ……………………………………………………………………… 25
II.2 Modélisation et simulation d’un générateur photovoltaïque ……………………. 25
II.2.1 Modélisation d’un générateur photovoltaïque ………………………………… 25
II.2.1.1 Cas d’une cellule idéale ……………………………………………………… 25
II.2.1.2 Cas d’une cellule réelle (5P) ………………………………………………… 26
II.2.1.2.1 Aves résistance shunt ……………………………………………………… 26
II.2.1.2.2 Sans résistance shunt ………………………………………………………. 28
II.2.2 Simulation d’un générateur photovoltaïque …………………………………… 29
II.2.2.1 Caractéristique courant- tension ……………………………………………… 30
II.2.2.2 Caractéristique puissance- tension …………………………………………… 31
II.2.3 Effets climatiques sur le générateur PV ………………………………………... 32
II.2.3.1 Influence de la température sur le générateur ………………………………... 32
II.2.3.1.1 Caractéristique (I-V) ………………………………………………………... 32
II.2.3.1.2 Caractéristique (P-V) ……………………………………………………….. 32
II.2.3.2 Influence de l’éclairement sur le générateur ………………………………… 33
II.2.3.2.1 Caractéristique (I-V) ……………………………………………………….. 33
II.2.3.2.2 Caractéristique (P-V) ………………………………………………………. 34
II.3 Etage d’Adaptation entre un générateur PV et une charge ………………………. 34
II.4 Modélisation et simulation du convertisseur de puissance BOOST …………….. 35
II.4.1 Les convertisseurs DC-DC (hacheurs) ………………………………………… 35
II.4.1.1 Hacheur dévolteur (Buck) …………………………………………………..... 36
II.4.1.2 Hacheur dévolteur-survolteur ………………………………………………… 37
II.4.1.3 Hacheur survolteur (Boost) …………………………………………………… 38
II.4.2 Simulation du convertisseur de puissance (Boost) ……………………………... 39
II.5 Conclusion ………………………………………………………………………... 41
VIII
CHAPITRE 3 : Poursuite du point de puissance maximale
III.1 Introduction ……………………………………………………………………… 42

III.2 Principe de la commande MPPT ………………………………………………… 42
III.3 Techniques de commande MPPT ……………………………………………….. 43
III.3.1 Les méthodes indirectes ………………………………………………………. 43
III.3.2 Les méthodes directes …………………………………………………………. 44
III.4 Méthode de perturbation et observation (P&O) …………………………………. 44
III.4.1 Avantages et Inconvénients de P&O ………………………………………….. 46
III.5 Méthode d’incrémentation de conductance …………………………………….. 46
III.5.1 Avantages et Inconvénients d’incrémentation de conductance ……………… 49
III.6 Simulation et résultats …………………………………………………………… 49
III.6.1 Système photovoltaïque proposée ……………………………………………... 49
III.6.2 Simulation de système photovoltaïque avec la commande P&O ……………… 50
III.6.3 Simulation de système photovoltaïque avec la commande INC ………………. 54
III.6.4 Comparaison …………………………………………………………………… 58
III.7 Conclusion ……………………………………………………………………….. 58
Conclusion Générale ………………………………………………………………….. 59
Références bibliographiques ………………………………………………………….. 60
Annexes ……………………………………………………………………………….. 65
IX
Liste des figures
Figure (I.1) : La moyenne annuelle de l'irradiation globale en Algérie ……………. 05

Figure (I.2) : Composants du rayonnement solaire ………………………………… 06
Figure (I.3) : Composante du rayonnement global sur un plan horizontal ………… 07
Figure (I.4) : Le spectre solaire hors atmosphère …………………………………... 08
Figure (I.5) : Structure d’une cellule photovoltaïque utilisant de silicium comme
matériau PV (présence d’une jonction PN) ………………………… 09
Figure (I.6) : Principe de la conversion photovoltaïque ……………………………. 10
Figure (I.7) : Dopage de type N …………………………………………………….. 13
Figure (I.8) : Dopage de type P …………………………………………………….. 13
Figure (I.9) : Cellule monocristalline ……………………………………………… 14
Figure (I.10) : Cellule photovoltaïque en silicium poly cristallin …………………… 14
Figure (I.11) : Cellule photovoltaïque en silicium amorphe ………………………… 15
Figure (I.12) : Cellule photovoltaïque Tandem …………………………………….. 16
Figure (I.13) : Cellule photovoltaïque multi jonction ………………………………. 16
Figure (I.14) : Composants d’un GPV ……………………………………………… 17
Figure (I.15) : Les différentes zones de la caractéristique I (V), T=25°C …………. 18
Figure (I.16) : Caractéristique résultante du regroupement de Ns cellules en série ….. 19
Figure (I.17) : Caractéristique résultante du regroupement de Np cellules en parallèle 20
Figure (I.18) : Connexions mixtes des modules photovoltaïques sur la
caractéristique I(V) ………………………………………………….. 20
Figure (I.19) : Exemple d’un système PV autonome sans batterie ………………….. 22
Figure (I.20) : Exemple d’un système PV autonome avec batterie …………………. 22
Figure (I.21) : Exemple d’un système PV hybride …………………………………. 23
X
Figure (II.1) : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque ……………………… 25

Figure (II.2) : Schéma équivalent d’une cellule solaire ………………………….. 26
Figure (II.3) : Schéma équivalent d’une cellule solaire sans résistance shunt …... 28
Figure (II.4) : Schéma bloc de générateur photovoltaïque ……………………….. 29
Figure (II.5) : Caractéristique I(V) d’un générateur sans résistance shunt ……... 30
Figure (II.6) : Caractéristique I(V) d’un générateur avec résistance shunt …….. 30
Figure (II.7) : Caractéristique P(V) d’un générateur sans résistance shunt …….. 31
Figure (II.8) : Caractéristique P(V) d’un générateur avec résistance shunt …….. 31
Figure (II.9) : Caractéristique I(V) pour différentes températures (G=1000W/m²)
sans résistance shunt …………………………………………… 32
Figure (II.10) : Caractéristique P(V) pour différentes températures (G=1000W/m²)
sans résistance shunt ……………………………………………. 32
Figure (II.11) : Caractéristique I(V) pour différentes niveaux d’éclairement
(T=25°C) sans résistance shunt ………………………………….. 33
Figure (II.12) : Caractéristique P(V) pour différentes niveaux d’éclairement
(T=25°C) sans résistance shunt ………………………………….. 34
Figure (II.13) : Etage d’adaptation entre un GPV et une charge …………………... 35
Figure (II.14) : Convertisseurs DC-DC ……………………………………………. 35
Figure (II.15) : Circuit d’un hacheur série ………………………………………... 37
Figure (II.16) : Convertisseur dévolteur-survolteur ……………………………….. 37
Figure (II.17) : Schéma de principe d’un convertisseur Boost ……………………. 38
Figure (II.18) : Schémas équivalents du hacheur survolteur K fermé …………….. 38
Figure (II.19) : Schémas équivalents du hacheur survolteur K ouvert …………….. 38
Figure (II.20) : Schéma de simulation du hacheur survolteur ……………………... 39
Figure (II.21) : Tension de sortie du hacheur survolteur …………………………... 40
Figure (II.22) : Courant de sortie du hacheur survolteur …………………………... 40
Figure (II.23) : Puissance de sortie du hacheur survolteur ………………………… 41
Figure (III.1) : Principe général d’une commande MPPT ………………………. 42
XI
Figure (III.2) : Caractéristique puissance-tension du panneau PV ……………… 43
Figure (III.3) : Caractéristique PPV(VPV) ………………………………………… 44
Figure (III.4) : Organigramme de la méthode P&O ……………………………... 45
Figure (III.5) : Modèle Simulink de l’algorithme P&O …………………………. 46
Figure (III.6) : Schéma bloc d’algorithme P&O ………………………………… 46
Figure (III.7) : 𝒅𝑷 47
Signe 𝒅𝑽 de pour différentes zones de fonctionnement …………..
Figure (III.8) : Algorithme d'incrémentation de la conductance ………………… 48

Figure (III.9) : Modèle Simulink de l’algorithme INC …………………………. 48
Figure (III.10) : Schéma bloc d’algorithme INC …………………………………. 49
Figure (III.11) : Schéma synoptique d’un système photovoltaïque avec
convertisseur (DC/DC) contrôlé par (MPPT) sur charge (DC) …. 50
Figure (III.12) : Schéma MATLAB SIMULINK d’un système photovoltaïque
avec la commande MPPT (P&O) ……………………………….. 50
Figure (III.13) : Pulsation de Mosfet …………………………………………….. 51
Figure (III.14) : Tension générée par la GPV pour G=1000W/m2 et T=25°C ……. 51
Figure (III.15) : Tension de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C …… 51
Figure (III.16) : Courant de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C …… 52
Figure (III.17) : Puissance d’entrée et sortie du système pour G=1000W/m2 et
T=25°C …………………………………………………………... 52
différentes Température [0 25 50 75 100] ………………………. 53
Figure (III.19) : Puissance d’entrée et sortie du système pour T= 25C et
différentes irradiation [1000 800 600 400 200] ……………….. 53
Figure (III.20) : Schéma MATLAB SIMULINK d’un système photovoltaïque
avec la commande MPPT (INC) ………………………………… 54
Figure (III.21) : Tension générée par la GPV pour G=1000W/m2 et T=25°C ……. 55
Figure (III.22) : Tension de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C …… 55
Figure (III.23) : Courant de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C …… 56
T=25°C …………………………………………………………... 56
différentes Température [0 25 50 75 100] ……………………… 57
Figure (III.26) : Puissance d’entrée et sortie du système pour T= 25C et
différentes irradiation [1000 800 600 400 200] ……………….. 57
XII
Liste des tableaux
Tableau (I.1) : Taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie ………………… 04

Tableau (II.1) : Caractéristiques électriques du module photovoltaïque panneau MSX60

Dans les conditions standards «CST»………………………… 29
Tableau (II.2) : Complexité de chaque type de convertisseur DC-DC ………………. 36
XIII
Liste des Symboles
h Constante de Planck 6.62*10-34Js-1

C Vitesse de propagation 3*108 ms-1
FF Facteur de forme
Ƞ Rendement énergétique
Vt Tension thermique V
VCO Tension à circuit ouvert V
Isc , Icc Courant de court circuit A
Vopt Tension optimal V
Iopt Courant optimal A
Icell Courant délivré par la photopile A
Iph Photo courant A
Id Courant de la diode A
Isat Courant de saturation A
IRsh Courant shunt A
A,B facteur d’idéalité
Pmax Puissance maximal W
T Température ambiant Kelvin
Tref Température de référence 298.15 kelvin
G Irradiation W/m2
Gref Irradiation de référence 1000 W/m2
Ns Nombre de cellule en série
NP Nombre de cellule en parallèle
Eg Energie de bonde gap 1.12 eV
Ki Coefficient de température du court circuit A/K
K Constant de Boltzman 1.38*10-23J/K
q Charge de l’électron 1.6*10-19C
Rs Résistance série Ω
Rsh Résistance shunt Ω
D Rapport cyclique
XIV
Liste des abréviations
PV Photovoltaïque.
GPV Générateur Photovoltaïque
I-V Courant-Tension
P-V Puissance-Tension
MPPT Poursuite du point de puissance maximale (Maximum
Power Point Tracking
DC-DC Continue-Continue
DS Diamètre de soleil
Dt Diamètre de la terre
Lts Distance moyenne soleil- terre
E Énergie du photon.
H Constante de Planck
C Vitesse de propagation
V Longueur d'onde
UV Ultraviolet
IR Infrarouge
CuO Oxyde cuivreux
Se Sélénium
Si Silicium
GaAs Arséniure de gallium
N Couche avec porteurs des charges libres négatives
P Couche avec porteurs des charges libres positives
K Couche conductrice
MOSFET Métal Oxide Silicon Field Effect Transistor
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
CST Conditions de Test Standard
P&O Perturbation et Observation
BV Bande de valence
BC Bande de conduction
MLI Modulation de Largeur d'Impulsion
XV
DC-AC Continue-Alternatif
PWM Pulse Width Modulation
FS Fréquence de commutation
α Rapport cyclique des impulsions qui commandent
l’interrupteur
PPM point de puissance maximale
Gds Sulfure de cadmium
Cu2S Sulfure de cuivre
XVI
Introduction
Générale
Introduction Générale
L’énergie solaire est la source d’énergie la plus encourageante (gratuite) et la plus

puissante parmi les énergies renouvelables. L’électricité photovoltaïque est le résultat d’une
transformation directe de la lumière du soleil en électricité au moyen des cellules photovoltaïque.
Elles sont essentiellement constituées d’une jonction PN. Les cellules peuvent être groupées pour
former des panneaux. Les panneaux peuvent être regroupés pour former des champs
photovoltaïques. Le terme panneau est habituellement utilisé pour décrire un système
photovoltaïque (avec plusieurs cellules connectées en série et / ou parallèle).
Dans la plupart des systèmes de production d’énergie photovoltaïque, on trouve une
technique ou un algorithme particulier appelé « Maximum Power Point Tracking » (MPPT) qui se
traduit par poursuite du point de puissance maximale.
Dans ce mémoire, on analyse la modélisation et la simulation du fonctionnement
électrique d’un système photovoltaïque adapté par une commande numérique [commande MPPT
(perturbation et observation) et (incrémentation la conductance)] .L’objectif de ce travail est de
contribuer à une meilleure compréhension des performances de convertisseur DC-DC adapté par
la commande numérique lors qu’il est couplé à un générateur photovoltaïque et améliorer sa
tension de sortie afin d’obtenir une bonne source qu’on peu utiliser comme un générateur
d’électricité.
En plus d'une introduction générale et une conclusion générale, qui résume notre étude, le
présent travail est subdivisé en trois chapitres organisés comme suit :
Dans le premier chapitre nous avons vu des notions sur l'énergie et le principe de
fonctionnement d’une cellule photovoltaïque au silicium ainsi que les différents types de Cellule,
Ensuite, nous avons abordé les différents groupements possibles des cellules. (GPV) et défini son
rendement, le Facteur de forme et différentes systèmes photovoltaïques.
Dans le deuxième chapitre nous avons présenté la modélisation mathématique de la cellule

et le générateur photovoltaïque, Ensuite nous avons utilisé le logiciel MATLAB pour étudier dans
un premier temps le comportement d’un générateur photovoltaïque (composé de 36 cellules
connectées en série) dans les conditions standard (G=1000 W/m² T=25°C). Nous avons étudié
aussi l’influence de la température et de l’éclairement sur l’énergie produite par la générateur PV,
ainsi L’étude des convertisseurs DC-DC (hacheur série) et faire leur simulation.
L’étude commande MPPT pour chercher le point où la puissance du générateur

photovoltaïque est maximale sera l’objet du dernier chapitre.
Page 1
CHAPITRE 1 :
Généralité sur les

Systèmes
Photovoltaïque
CHAPITRE1 : Généralité sur les systèmes photovoltaïque
I.1.Introduction
Les énergies renouvelables sont issues des phénomènes naturels réguliers ou constants
provoqués principalement par le Soleil (l'énergie solaire mais aussi hydraulique, éolienne et
biomasse...), la Lune (énergie marémotrice, certains courants : énergie hydrolienne...) et la
Terre (géothermique profonde...), à l'échelle de la durée de vie de humanité. Ce n'est pas le
cas pour les combustibles fossiles et nucléaires [1]. Le soleil est une source énergétique
quasiment illimitée, il pourrait couvrir plusieurs milliers de fois notre consommation globale
d'énergie. C'est pourquoi, l'homme cherche depuis long temps à mettre à profit cette énergie
importante et diffusée sur l'ensemble de la planète, il est arrivé à réaliser ce but par le moyen
dit cellule photovoltaïque [2][3] .
L’énergie photovoltaïque résulte de la transformation directe de la lumière du soleil en

énergie électrique aux moyens des cellules généralement à base de silicium cristallin qui reste
la filière la plus avancées sur le plan technologiques et industriel, en effet le silicium et
l’un des éléments les plus abondants sur terre sous forme de silice non toxique.
En effet le mot " photovoltaïque " vient du grec " photo " qui signifie lumière
et de " voltaïque " qui tire son origine du nom d’un physicien italien Alessandro Volta
(1754 -1827) qui a beaucoup contribué à la découverte de l’électricité , alors le
photovoltaïque signifie littérairement la « lumière électricité » [4].
Pour comprendre le fonctionnement de cette énergie et en optimiser son utilisation,

nous effectuons dans ce chapitre un bref rappel sur le principe de l’effet photovoltaïque, la
cellule photovoltaïque et ses caractéristiques ainsi le générateur solaire photovoltaïque.
I.2. Historique
Bien que les bases théorique de l’effet photovoltaïque fussent connues depuis le début
du siècle ; ce n’est qu’à partir de 1954, dans les laboratoires de la Bell Téléphone à New
Jersey, que la première cellule ayant un rendement raisonnable a été mise au point. Depuis la
deuxième moitié du siècle précédent, le processus de purification de monocristaux de silicium
a émergé.
En 1956 Loferski publiait différentes tables de conversion de rendement

photovoltaïque pour tous les matériaux semi-conducteur. Puis, c’est au début des années 70
que l’on a pu obtenir en laboratoire un rendement de 20 % en travaillant sur des cellules de
Page 2
monocristal d’arsenic de Gallium (𝐆𝐚𝐀𝐬). Le rendement est sensiblement inférieur lorsque

ces cellules se font d’échelle industrielle.
Aussi, des expériences ont été faites avec des cellules composées de deux couches :
une de Sulfure de Cadmium (𝐆𝐝𝐒) et une autres de Sulfure de Cuivre (𝐂𝐮𝟐 𝐒). Ces cellules
présentent d’avantage d’utiliser très peu de manière active et permettent un processus de
fabrication plus simple. Cependant, leur faible rendement ne permet pas de les utiliser à
l’échelle industrielle. Ces cellules ont été commercialisées des cellules de Silicium des années
70. En 1999, elles occupaient 12% de marché [4].
Plus tard, apparurent les matériaux poly-cristallins, de fabrication plus économique,

mais présentant encore de faibles rendement.
Récemment se sont commercialisées de cellules de Silicium amorphe, utilisées pour

des dispositifs de très faible puissance : calculettes, montres, radio portable, etc…
Les premières applications pratiques de l’électricité photovoltaïque se firent dans les

véhicules spatiaux, permettant l’alimentation des équipements de commande, de mesure, ou
de retransmission de données. Ensuite, la production industrielle de premiers panneaux ayant
des applications terrestres domestiques a débuté. Bien qu’au début des années 80 ces
panneaux n’aient pas été suffisamment compétitifs pour la production à grande échelle, ils ont
tout de même permis l’électrification de logements isolés.
Les recherches pour faire des produits plus efficaces et économiques continuent à bon
rythme même s’il existe peu d’entreprise au niveau mondial ayant la capacité de supporter des
coûts élevés de recherche [4][5].
I.3. Energie renouvelable en Algérie

Une énergie renouvelable est une source d’énergie qui se renouvelle assez rapidement
pour être considérée comme inépuisable à l’échelle de l’homme. Les réalisations algériennes
dans le domaine des énergies renouvelables sont très limitées en comparaison avec l'actuelle
évolution du parc d’énergie renouvelable mondial ou européen, qui a atteint des stades très
avancés.
L'utilisation des énergies renouvelables en Algérie n'a pas dépassé le seuil

d'expérience durant cinq décennies d'indépendance, malgré la position géographique
stratégique du pays qui dispose de l'un des gisements solaire les plus importants au monde. La
Page 3
durée d'insolation sur la quasi-totalité du territoire national dépasse les 2000 heures par an, et
peut atteindre les 3900 heures sur les hauts plateaux et le Sahara. L'énergie reçue
quotidiennement sur une surface horizontale de 1m 2 est de l'ordre de 5 kWh sur la majeure
partie du territoire national, soit près de 1700kwh/m 2 /𝛼𝑛 au Nord et 2263kwh/m 2 /𝛼𝑛 au
Sud [6][7].
I.4.Potentiel solaire en Algérie
De par sa situation géographique, l’Algérie dispose d’un des gisements solaires les
plus élevés au monde. La durée d’insolation sur la quasi-totalité du territoire national dépasse
les 2000 heures annuellement et peut atteindre les 3900 heures (hauts plateaux et Sahara).
L’énergie reçue quotidiennement sur une surface horizontale de 1m2 est de l’ordre de 5KWh
sur la majeure partie du territoire national, soit près de 1700KWh/m2/an au nord et
2263kwh/m2/an au sud du pays. Au Sahara, ce potentiel peut constituer un facteur important
de développement durable s’il est exploité de manière économique. Le tableau suivant indique
le taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie [8]
Régions Régions côtières Hauts plateaux Sahara
Superficie 4% 10% 86%
Durée moyenne d’ensoleillement (Heures=an) 2650 3000 3500
Energie moyenne reçue (KWh/m2/an) 1700 1900 2650
Tableau (I.1) : Taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie [8][9]
Page 4
Figure (I.1) : La moyenne annuelle de l'irradiation globale en Algérie période 1992-2002[9]
I.5. Généralités sur le soleil

I.5.1. Rayonnement solaire
Le soleil est une étoile parmi tant d'autres. Il a un diamètre de 1390000 km, soit
environ 50 fois celui de la terre. Il est composé à 80% d'hydrogène, 19% d'hélium et 1% d'un
mélange de 100 éléments, soit pratiquement tous les éléments chimiques connus depuis que
Langevin et Perrin, s'appuyant sur la théorie de la relativité d'Einstein, ont émis l'idée il y a
une soixantaine d'années que c'est l'énergie de fusion nucléaire qui fournit au soleil sa
puissance, il est aujourd'hui admis que le soleil est une bombe thermonucléaire hydrogène -
hélium transformant chaque seconde 564 millions de tonnes d'hydrogène en 560 millions
tonnes d'hélium, la réaction se faisant dans son noyau à la température d'environ 25 millions
de degrés Celsius. Ainsi, à chaque seconde, le soleil est allégé de 4 millions de tonnes
dispersées sous forme de rayonnement Sa lumière, à une vitesse de 300000km/s, met environ
8 minutes pour parvenir à la terre. Sa distribution spectrale de l'atmosphère présente un
maximum pour une longueur d'onde d'environ 0.5 pm, la température de corps noir à la
surface du soleil est d'environ 5780°k [10][11].
Diamètre de soleil Ds =1.39*𝟏𝟎𝟗 m
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Diamètre de la terre Dt =1.27*𝟏𝟎𝟕 m

Distance moyenne soleil- terre Lts =1.5*𝟏𝟎𝟏𝟏 m
Le rayonnement solaire est la matière première de l’énergie solaire. C’est une propagation
d’une onde de longueur qui varie entre 0.2 et 4*10−6 m .sans la nécessite d’un support
physique pour se déplacer, il arrive au sol après la perte d’une grande partie de son intensité, à
cause d’une partie de l’ultraviolet, qui s’absorbent [1].
Figure (I.2) : Composants du rayonnement solaire[12]

I.5.1.1 Rayonnement direct
Le rayonnement direct est le rayonnement reçu directement du Soleil, sans diffusion
par L’atmosphère. Il peut être mesuré par un pyrhéliomètre . Ses rayons sont parallèles entre
eux, il forme donc des ombres.[12]
I.5.1.2 Rayonnement diffus
Le rayonnement diffus (Dh) est le rayonnement émis par des obstacles (nuages, sol,
bâtiments) et provient de toutes les directions, Il est constitué par la lumière diffusée par
l'atmosphère (air, nébulosité, aérosols). Il peut être mesuré par un pyranomètre avec écran
masquant le soleil [1].
I.5.1.3 Rayonnement solaire réfléchi
C’est le rayonnement qui est réfléchi par le sol ou par des objets se trouvant à sa
surface. Cet albédo peut être important lorsque le sol est particulièrement réfléchissant (eau,
neige) [1].
Page 6
I.5.1.4 Rayonnement global

Le rayonnement global est le rayonnement émis par le soleil incident sur un plan
donné, et c'est la somme du rayonnement direct et diffus, il est mesuré par un Pyranomètre ou
un Solarimètre sans écran. Les stations météorologiques généralement mesurent le
rayonnement global horizontal par un Pyranomètre placé horizontalement à l'endroit requis
[1].
Figure (I.3): Composante du rayonnement global sur un plan horizontal [1]

I.5.2 Energie solaire
L'énergie solaire est l'énergie transmise par le Soleil sous la forme de lumière et de
chaleur. Cette énergie est virtuellement inépuisable à l'échelle des temps humains, ce qui lui
vaut d'être classée parmi les énergies renouvelables (même si le Soleil disparaîtra un jour).
Les déserts de notre planète reçoivent en 6 heures plus d’énergie du soleil que n’en consomme
l’humanité en une année. L'énergie solaire, peut être convertie en chaleur ou en électricité. On
distingue deux moyens principaux de convertir l'énergie solaire :
• Conversion en chaleur: énergie solaire thermique qui consiste tout simplement à
produire de la chaleur grâce à des panneaux sombres. On peut aussi produire avec de
la vapeur à partir de la chaleur du soleil puis convertir la vapeur en électricité [13].
• Conversion en électricité : énergie solaire photovoltaïque qui consiste à produire
directement de l'électricité à partir de la lumière à l'aide de panneaux solaires. Cette
forme d'énergie est déjà exploitée dans de nombreux pays, surtout dans les pays ou les
régions ne disposant pas de ressources énergétiques conventionnelles tels que les
hydrocarbures ou le charbon [14][15].
I.5.3 Spectre du rayonnement
Le rayonnement électromagnétique est composé de «grains» de lumière appelés
photons. L'énergie de chaque photon est directement liée à la longueur d'onde.
L'énergie de chaque photon est donnée par la formule suivante :
𝐄 = H⁄V = HC⁄X (I.1)
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Le spectre du rayonnement extraterrestre correspond environ à l'émission d'un corps noir

porté à 5800° K. Une courbe standard, compilée selon les données recueillies par les
satellites, est désignée sous le nom d’AM0. Sa distribution en énergie est répartie en [16] :
Ultraviolet UV 0.20 < 1 < 0.38 mm 6.4%
Visible 0.38 < 1 < 0.78 mm 48.0%
Infrarouge IR 0.78 < 1 < 10 mm 45.6%
Figure (I.4): Le spectre solaire hors atmosphère [17]

I.6. Cellule photovoltaïque
I.6.1 Cellule solaire
Les cellules solaires sont des composants optoélectroniques qui transforment
directement La lumière solaire en électricité par un processus appelé «effet photovoltaïque»
Elles sont réalisées à l'aide de matériaux semi-conducteurs, c'est à dire ayant des propriétés
Intermédiaires entre les conducteurs et les isolants. L'association de plusieurs cellules PV en
série/parallèle donne lieu à un générateur photovoltaïque
Les cellules photovoltaïques sont de fines tranches planes fabriquées à partir de matériaux
appelés semi-conducteurs qui sont capables de conduire l’électricité ou de la transporter. Plus
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de 90 % des cellules solaire fabriquées à l’heure actuelle sont en silicium, un semi conducteur,
ou métalloïde, présentant à la fois les propriétés d’un métal et d’un isolant.
Dans un semi-conducteur exposé à la lumière, un photon d’énergie suffisante arrache
un électron, créant au passage un « trou ». Normalement, l’électron trouve rapidement un trou
pour se replacer, et l’énergie apportée par le photon est ainsi dissipée. Le principe d’une
cellule photovoltaïque est de forcer les électrons et les trous à se diriger chacun vers une face
opposée du matériau au lieu de se recombiner simplement en son sein : ainsi, il apparaitra une
différence de potentiel et donc une tension entre les deux faces, comme une pile.[18] Pour
cela, on s’arrange pour crée un champ électrique permanent au moyen d’une jonction PN,
entre deux couches dopées respectivement P et N [17]. Comparable à une diode utilisée
classiquement en électronique, une cellule PV peut être réalisée à partir de deux couches de
silicium, une dopée P (dopée au bore) et l’autre dopée N (dopée au phosphore) [19].Entre les
deux zones se développent une jonction PN avec une batterie de potentiel. La zone N est
couverte par une grille métallique qui sert de cathode (contact avant) et surtout de collecteurs
d’électrons, tandis qu’une plaque métallique (contact arrière) recouvre l’autre face de cristal et
joue le rôle d’anode. [18].
Figure (I.5) : Structure d’une cellule photovoltaïque utilisant de silicium comme matériau
PV (présence d’une jonction PN) [18]
I.6.2 Effet photovoltaïque
Le terme photovoltaïque est formé à partir de deux mots :

- « Phots », qui signifient lumière.
- « Volta », du nom du physicien Alessandro Volta (1745-1827), inventeur de la pile
électrique) [14].
La photopile ou la cellule photovoltaïque est fabriquée à partir de semi-conducteurs de

différents types, elle constitue l’élément de base d’un générateur photovoltaïque. Son rôle est
Page 9
de transformer de manière directe l’énergie reçue par le soleil en énergie électrique avec un
certain rendement qui est caractéristique du semi-conducteur utilisé dans la fabrication.
La photopile utilise deux couches de semi-conducteur, une dopée de type N qui est
excédentaire en électrons et l’autre dopée P qui est excédentaire en trous. Ces deux couches
sont comprises entre deux électrodes métalliques (+) et (-) pour collecter le courant.
L’énergie du photon absorbée par le semi-conducteur va servir à arracher des électrons qui
vont passer à un état d’énergie supérieur créant un déséquilibre électrique se traduisant par
une paire électron-trou. Lorsque les deux couches entrent en contact, les électrons libérés se
déplacent de la zone dopée N vers la zone dopée P, de même pour les trous qui se déplacent
de la zone P vers la zone N, ceci va créer une jonction P-N et donc un champ électrique.
Le champ permet de déplacer les électrons de la zone N vers la surface négative où ils
deviennent disponibles pour le circuit électrique. En même temps les trous se déplacent dans
la direction opposée, vers la surface positive où ils attendent les électrons entrants. Quand les
trous et les électrons rejoignent la jonction P-N, une tension est générée, elle peut varier entre
0,3V et 0,7 V en fonction du matériau utilisé, de la température et du vieillissement de la
cellule [17][20].
Figure (I.6) : Principe de la conversion photovoltaïque[20].
Page 10
I.6.3. Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque
Sous un éclairement donné, toute cellule photovoltaïque est caractérisée par une
courbe courant-tension (𝑰𝒑𝒗 - 𝑽𝒑𝒗 ) et par une courbe tension-puissance (𝑷𝒑𝒗 - 𝑽𝒑𝒗 ). Trois
grandeurs physiques définissent ces caractéristiques :
• La tension à vide : 𝑽𝒄𝒐 (tension en circuit ouvert). Cette valeur représente la tension
générée par une cellule éclairée non raccordée.
• Le courant de court-circuit: 𝑰𝒄𝒄 . Cette valeur représente le courant généré par une
cellule éclairée raccordée à elle-même.
• Le Point de Puissance Maximal: PPM obtenu pour une tension et un courant
optimaux : 𝑽𝒐𝒑𝒕 , 𝑰𝒐𝒑𝒕 (parfois appelés aussi 𝑽𝒑𝒑𝒎 , 𝑰𝒑𝒑𝒎 ).[21]
I.6.4. Rendement énergétique
C’est le rapport entre la puissance électrique maximale fournie par la cellule 𝑷𝒎𝒂𝒙
(𝑰𝒐𝒑𝒕 , 𝑽𝒐𝒑𝒕 ) et la puissance solaire incidente. Il est donné par :
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑜𝑝𝑡 𝑉𝑜𝑝𝑡

Ƞ= = (I.2)
𝑃𝑖𝑛𝑐 𝑃𝑖𝑛𝑐
Avec 𝑃𝑖𝑛𝑐 est égale au produit de l’éclairement et de la surface totale des photopiles. Ce
paramètre reflète la qualité de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique.

I.6.5. Facteur de forme
On appelle facteur de forme FF, dit aussi facteur de courbe ou facteur de remplissage
(fil factor), le rapport entre la puissance maximum fournie par la cellule 𝑷𝒎𝒂𝒙 (𝑰𝒐𝒑𝒕 , 𝑽𝒐𝒑𝒕 ) et
le produit du courant de court-circuit 𝑰𝒄𝒄 par la tension de circuit-ouvert 𝑽𝒄𝒐 (c'est-à-dire la
puissance maximale d’une cellule idéale). Le facteur de forme indique la qualité de la cellule ;
plus il s’approche de l’unité plus la cellule est performante, Il est de l’ordre de 0.7 pour les
cellules performantes ; et diminue avec la température. Il traduit l’influence des pertes par les
deux résistances parasites 𝑹𝒔𝒆𝒓 et 𝑹𝒔𝒉𝒖 . il est défini par : [22]
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑜𝑝𝑡 𝑉𝑜𝑝𝑡

𝑭𝑭 = = (I.3)
𝐼𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑜 𝐼𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑜
Page 11
I.6.6. Rappel sur les Propriétés des Semi-conducteurs
I.6.6.1 Semi-conducteur
Un semi-conducteur est un matériau dont la concentration en charge libre est très
faible par rapport aux métaux. Pour qu’un électron lié à son atome (bande de valence)
devienne libre dans un semi-conducteur et participe à la conduction du courant, il faut lui
fournir une énergie minimum pour qu’il puisse atteindre les niveaux énergétiques supérieurs
(bande de conduction).
C’est l’énergie du «bonde gap», Eg en électronvolt (eV).Cette valeur seuil est propre à
chaque matériau semi-conducteur et va de 1.0 à 1.8 eV pour les applications photovoltaïques.
Elle est de 1.1 eV pour le silicium cristallin (c - Si), et 1.7eV pour le silicium amorphe (a -Si).
Le spectre du rayonnement solaire est la distribution des photons particules de lumière en
fonction de leur énergie (inversement proportionnelle à la longueur d’onde). Le rayonnement
arrivant sur la cellule solaire sera en partie réfléchi, une autre partie sera absorbée et le reste
passera à travers l’épaisseur de la cellule [23].
Les photons absorbés dont l’énergie est supérieure à l’énergie de la bande gap vont libérer un
électron négatif, laissant un ‘trou’ positif derrière lui. Pour séparer cette paire de charges
électriques de signes opposés (positive et négative) et recueillir un Courant électrique, il faut
introduire un champ électrique e, de part et d’autre de la cellule [24].
I.6.6.2 Dopage du silicium

Les wafers de silicium obtenus à l’issue de l’étape de sciage sont alors introduits dans
un réacteur de croissance dans lequel va se dérouler l’étape de dopage. Le dopage est une
méthode permettant de réaliser la jonction P-N. Cela consiste à introduire des impuretés dans
un cristal intrinsèque pour modifier ces propriétés électriques. Les atomes de Si on quatre
électrons de valence, chacun étant lié à un atome Si voisin par une liaison covalente. Le semi-
conducteur dopé est alors appelé « semi-conducteur extrinsèque ».
Il existe deux types de dopage : le type N (Négatif) et le type P (Positif).
I.6.6.2.1 Dopage de type N

Le dopage de type N consiste à ajouter un atome de phosphore au sein de la structure
cristalline du silicium. Le phosphore disposant de 5 électrons sur sa couche électronique
externe va s’associer avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre un électron : Cet ajout a
pour effet de donner à la structure cristalline une charge globale négative.
Page 12
Figure (I.7) : Dopage de type N[25].
I.6.6.2.2 Dopage de type P

Le dopage de type P consiste à ajouter un atome de bore au sein de la structure cristalline du
silicium. Le bore disposant de 3 électrons sur sa couche électronique externe va s’associer
avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre un trou : Cet ajout a pour effet de donner à la
structure cristalline une charge globale positive [25].
Figure (I.8) : Dopage de type P[25]

I.6.6.3 Formation de la jonction PN
Le silicium, comme tous les semi-conducteurs, a une bande de valence pleine et une
bande de conduction vide. Mais grâce à un apport énergétique suffisant, il est possible de faire
passer des électrons de la bande de valence (BV) à la bande de conduction (BC), d’où la
génération d’électrons libres.
La présence d'électrons libres dans la bande de conduction d'un matériau n'est pas suffisante
pour générer un courant : il est nécessaire de créer une différence de potentiel aux bornes du
photo-générateur afin d'entraîner les charges positives d'un côté et les charges négatives de
Page 13
l'autre. Cette opération est possible par dopage du Silicium. Une jonction PN est créée par
l'assemblage de deux barreaux de Silicium de type N et P [26][27].
I.6.7 Différents types de cellules solaires (cellules photovoltaïque)
Plusieurs techniques permettant la conversion directe de la lumière solaire en
électricité, et cela à l’aide de matériaux semi-conducteurs tel que le silicium (Si), le
germanium (Ge), le sélénium (Se) ou les composés semi-conducteurs tel que l'arséniure de
gallium (GaAs), ou le tellurure de cadmium (CdTe). Les cellules solaires de type GaAs sont
très coûteuses dans leur fabrication et leur utilisation est en général limitée aux applications
spatiales, mais le matériau le plus utilisé reste le silicium.
I.6.7.1. Silicium monocristallin
Elles sont considérées comme la première génération de photopile, elles ont un taux
de rendement excellent (12 – 16% et jusqu’a 24 % en laboratoire) mais leur méthode de
production est laborieuse et délicate, et donc, très chère; il faut une grande quantité d’énergie
pour obtenir du cristal pur. Il présente l’inconvénient d’avoir un mauvais rendement en soleil
diffus (temps nuageux...) [21].
Figure (I.9) : Cellule monocristalline.[21]
I.6.7.2 Silicium poly cristallin

Elles ont un coût de production moins élevé et un rendement qui varie entre 11 – 13%
(autour de 18 % en laboratoire). Comme le monocristallin il présente l’inconvénient d’avoir
un mauvais rendement en soleil diffus (temps nuageux...)[21].
Figure (I.10) : Cellule photovoltaïque en silicium poly cristallin [21]
Page 14
I.6.7.3. Silicium amorphe
Leur coût de production bien plus bas, mais malheureusement aussi, ont un rendement plus
bas qui varie entre 8 –10 % (autour de 13 % en laboratoire pour une cellule non dégradée).
Cette technologie permet d’utiliser des couches très minces de silicium de 0.3 a 1.0 nanomètre
seulement (500 nanomètres pour les deux autres types). On peut donc appliquer de très fines
couches de silicium amorphe sur des vitres, du métal, voir du plastique souple par un procède
de vaporisation sous vide. C’est le silicium amorphe que l’on trouve le plus souvent dans les
petits produits de consommation comme les calculatrices, les montres,…
Les cellules amorphes ont besoin d’environ deux fois plus de surface (comparé aux cellules
cristallin) pour produire la même quantité d’électricité, et semblent se dégrader plus
rapidement, mais ils ont l’avantage de mieux réagir a la lumière diffuse et a la lumière
fluorescente et d’être plus performants à des températures élevées [21].
Figure (I.11) : Cellule photovoltaïque en silicium amorphe[21]
I.6.7.4.Cellule Tandem
Empilement monolithique de deux cellules simples. En combinant deux cellules
(couche mince de silicium amorphe sur silicium cristallin par exemple) absorbantes dans des
domaines spectraux se chevauchant, on améliore le rendement théorique par rapport à des
cellules simples distinctes, qu'elles soient amorphes, cristallines ou microcristallines [21].
Page 15
Figure (I.12) : Cellule photovoltaïque Tandem[21].
I.6.7.5.Cellule multi-jonction
Des cellules ayant une grande efficacité ont été développées pour des applications
spatiales. Les cellules multi-jonctions sont constituées de plusieurs couches minces. Chaque
type de semi-conducteur est caractérisé par une longueur d'onde maximal de la quelle il est
incapable de convertir le photon en énergie électrique. D'un autre côté, en deçà de cette
longueur d'onde, le surplus d'énergie véhiculé par le photon est perdu. D'où l'intérêt de choisir
des matériaux avec des longueurs aussi proches les unes des autres que possible (en
multipliant leur nombre d'autant) de manière à ce qu'une majorité du spectre solaire soit
absorbé, ce qui génère un maximum d'électricité à partir du flux solaire [21].
Figure (I.13) : Cellule photovoltaïque multi jonction[21]
I.7. Générateur photovoltaïque

Les cellules solaires sont généralement associées en série et en parallèle, puis
encapsulées sous verre pour obtenir un module photovoltaïque. Un générateur PV est
constitué de modules interconnectés pour former une unité produisant une puissance continue
élevée compatible avec le matériel électrique usuel (figure I.14). Les modules PV sont
habituellement branchés en série-parallèle pour augmenter la tension et l’intensité à la sortie
du générateur. Les modules interconnectés sont montés sur des supports métalliques et
Page 16
inclinés suivant l’angle désiré en fonction du lieu, cet ensemble est souvent désigné par
champ de modules [28].
Figure (I.14) : Composants d’un GPV[28]
I.7.1. Zones de fonctionnement du module solaire
La caractéristique fondamentale du générateur photovoltaïque donnée pour un

éclairement et une température donnée, n’impose ni le courant ni la tension de
fonctionnement ; seule la courbe I (V) est fixée. C’est la valeur de la charge aux bornes du
générateur qui va déterminer le point de fonctionnement du système photovoltaïque. La figure
(I.15) représente trois zones essentielles :
- La zone (I) : où le courant reste constant quelle que soit la tension, pour cette région, le
générateur photovoltaïque fonctionne comme un générateur de courant.
- La zone (II) : correspondant au coude de la caractéristique, la région intermédiaire entre les
deux zones précédentes, représente la région préférée pour le fonctionnement du générateur,
où le point optimal (caractérisé par une puissance maximale) peut être déterminé.
- La zone (III) : qui se distingue par une variation de courant correspondant à une tension
presque constante, dans ce cas le générateur est assimilable à un générateur de tension [29].
Page 17
Figure (I.15) : Les différentes zones de la caractéristique I (V), T=25°C[29].
I.7.2 Association des modules photovoltaïques
Les modules peuvent également être connectés en série et en parallèle afin d’augmenter la
tension et l’intensité du courant d’utilisation. Toutefois, il importe de prendre quelques
précautions car l’existence de cellules moins efficaces ou l’occlusion d’une ou plusieurs
cellules (dues à de l’ombrage, de la poussière, etc...) peuvent en dommage les cellules de
façon permanente.
I.7.2.1. En série
La tension délivrée par une cellule photovoltaïque est limitée à la tension du gap du
semi-conducteur utilisé, c’est pour cela qu’on connecte plusieurs cellules en série afin
d’augmenter la tension de sortie. Ces cellules sont traversées par le même courant et
la tension du générateur est proportionnelle à leur nombre [20][30].
En termes d’équations on aura :
𝑉𝐶𝑂𝑛𝑠 = 𝑁𝑠 𝑉𝐶𝑂
{ (I. 4)
𝐼𝐶𝐶 = 𝐼𝐶𝐶𝑛𝑠
Avec
𝐕𝐂𝐎𝐧𝐬 : Tension aux bornes de 𝐍𝐬 cellules en série
𝐍𝐬 : Nombre de cellules en série
𝐕𝐂𝐎 : Tension aux bornes d’une seule cellule
𝐈𝐂𝐂 : Courant traversant une cellule
𝐈𝐂𝐂𝐧𝐬 : Courant traversant 𝐍𝐬 cellules en série
Page 18
Figure (I.16) : Caractéristique résultante du regroupement de Ns cellules en série[30].
La caractéristique I-V représentée par la figure ( I.16) du groupement série est

donc obtenue par addition des tensions à un courant donné.
I.7.2.2. En parallèle
Pour l’association en parallèle, on doit vérifier que les tensions des photopiles
sont identiques, et le courant obtenu représente le produit entre le courant de la cellule
élémentaire et le nombre de ces cellules pour une tension qui reste la même [20][30].
𝐼𝐶𝐶𝑛𝑝 = 𝑁𝑝 𝐼𝐶𝐶
{ (I. 5)
𝑉𝑂𝐶𝑛𝑝 = 𝑉𝑂𝐶
Avec
𝐈𝐂𝐂𝐧𝐩 : Courant traversant Np cellules en parallèle
𝐕𝐎𝐂𝐧𝐩 : Tension aux bornes de Np cellules en parallèle
𝐍𝐩 : Nombre de cellules en parallèle
Page 19
Figure (I.17) : Caractéristique résultante du regroupement de Np cellules en parallèle[30].
I.7.2.3. Association mixte (En Série et En Parallèle)
Afin d’augmenter la puissance des générateurs photovoltaïque on est obligé à

grouper les cellules photovoltaïque en série et en parallèle pour obtenir un générateur mixte
équivalent.
Figure (I.18) : Connexions mixtes des modules photovoltaïques sur la caractéristique I(V)
[31]
Page 20
La courbe de puissance d’un groupement série parallèle est analogue à celle d’un
générateur photovoltaïque élémentaire tous les paramètres de celle-ci sont appliqués
pour un générateur mixte, mais certain conditions doivent être respectée [31][32].
S’assuré que les cellules connectées en série ont le même courant de court-circuit. Il
faut connecter en parallèle que des cellules ayant la même tension de circuit ouvert 𝐕𝐎𝐂 .
I.8. Le Systèmes photovoltaïque

I.8.1. Définition
Le système photovoltaïque est constitué par une source d’énergie (générateur

photovoltaïque), une interface de puissance (les convertisseurs statiques DC-DC et DC-AC
avec un système de commande) et une charge. Le rôle principal du convertisseur statique est
de faire une adaptation d’impédance de sorte que le générateur délivre le maximum d’énergie
[22].
I.8.2.Types d’un système solaire photovoltaïque
Les systèmes photovoltaïques sont actuellement divisés en trois catégories : Autonome,
hybride et raccordé au réseau électrique.
I.8.2.1. Système autonome
Le rôle des systèmes autonomes est d'alimenter un ou plusieurs consommateurs situés dans
Une zone isolée du réseau électrique. Les systèmes photovoltaïques autonomes sont
actuellement divisés en deux types [33].
I.8.2.1.1.Système autonome sans batterie
Ce type de système ne requiert pas de stockage d’électricité, soit parce que la production
d’énergie des cellules est suffisante sous un faible éclairage (exemple: calculatrice), soit que
le temps de fonctionnement de la charge n’est pas critique (ex. : pompage photovoltaïque :le
Réservoir d’eau sert de stockage).
Page 21
Figure (I.19) : Exemple d’un système PV autonome sans batterie[34][35]
I.8.2.1.2.Système autonome avec batterie

C’est le système photovoltaïque le plus commun. Le champ PV sert de chargeur pour la
batterie. L’électricité peut alors être utilisée en tout temps. (Ex. l’éclairage d’une maison dans
la nuit).
Figure (I.20) : Exemple d’un système PV autonome avec batterie[34][35]
I.8.2.2.Système hybride
Un système hybride à sources d'énergie renouvelables (SHSER) est un système
électrique, comprenant plus d'une source d’énergie, parmi lesquelles une au moins est
renouvelable. Ce type de système s’applique particulièrement bien à des sites éloignés où il
Page 22
est important d’avoir de l’électricité à tout moment, où les coûts de transport du carburant
sont élevés et où il n’est pas encore rentable d’utiliser le système photovoltaïque seul avec les
batteries.
Ils sont souvent utilisés pour de très nombreuses applications d’intérêt sensible et stratégique
comme les relais de télécommunication, les postes frontaliers, l’habitat isolé, etc., hors réseau
d’électricité conventionnelle [34][35].
Figure (I.21) : Exemple d’un système PV hybride[34][35]
I.8.2.3. Système raccordé au réseau électrique

Le système photovoltaïque est couplé directement au réseau électrique à l’aide d’un
convertisseur Courant Continu/Courant Alternatif (DC-AC). Étant donné que l’énergie est
normalement emmagasinée dans le réseau même. Il y’a deux types d’installations existantes
pour l’injection de la production solaire [24].
I.8.2.3.1.Injection de la totalité de la production
L’énergie produite par les modules est directement injectée sur le réseau électrique. Les
périodes d’injections sur le réseau correspondent aux périodes de production photovoltaïque.
I.8.2.3.2 Injection du surplus de production:
L’énergie produite par les modules est directement consommée sur place par les charges.
L’éventuel surplus de production par rapport à la consommation instantanée est injecté sur le
réseau [24].
Page 23
I.8.3.Avantages et inconvénients des systèmes photovoltaïques

I.8.3.1. Avantages
➢ Sa gratuité.
➢ Pas de pollution.
➢ Sa fiabilité et la longue vie de l’installation.
➢ Sa structure fixe.
➢ Son coup de maintenance bas.
➢ Sa flexibilité (dimensionnement selon les besoins, modularité).
➢ L’installation ne produit aucun bruit
➢ Son potentiel illimité. 5% de la surface des déserts sucraient pour alimenter la planète
entière.
I.8.3.2. Inconvénients
➢ Le coût élevé de l'installation.
➢ Le rendement relativement bas de l’effet photovoltaïque.
➢ La puissance est réduite lorsque les conditions climatiques sont défavorables (nuages).
➢ Le stockage de l'énergie électrique sous forme chimique (batterie) est nécessaire pour
une installation autonome.
Même si l'électricité produite par une installation photovoltaïque est sans pollution, la
fabrication, l’installation et l'élimination des panneaux ont un impact sur l’environnement
[36][37][38].
I.9.Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons vu des notions sur l'énergie renouvelable en Algérie et
généralités sur le soleil Ainsi la cellule photovoltaïque et leur caractéristiques électriques,
types de cellule.
Ensuite nous avons abordé le générateur photovoltaïque et leurs zones de fonctionnement et
association des modules .A la fin nous mentionnons également les différents systèmes
photovoltaïques.
Page 24
CHAPITRE 2 :
Modélisation et
Simulation des
éléments d’un
Système
Photovoltaïque
CHAPITRE2:Modélisation et simulation des éléments d’un système photovoltaïque
II.1. Introduction
Dans ce chapitre, nous allons étudier la modélisation de la cellule et ses différents cas
Puis le générateur photovoltaïque (composé de 36 cellules connectées en série) avec
résistance shunt dans les conditions standard (G=1000W/m2, T=25°c), nous allons traiter
l’effet de la température et l’éclairement sur l’énergie de la générateur PV.
Ensuite, Le but de ce chapitre est l’étude de quelques types de convertisseurs DC-DC, utilisés
dans les systèmes photovoltaïques. Comme l’hacheur dévolteur, l’hacheur survolteur et
l’hacheur mixte (dévolteur-survolteur. On utilise l’outil MATLAB -SIMULINK pour faire la
simulation de comportement de générateur PV et de convertisseur survolteur.
II.2. Modélisation et simulation d’un générateur photovoltaïque

II.2.1. Modélisation d’un générateur photovoltaïque
De nombreux modèles mathématiques de modules photovoltaïques, ont été
développes, Dont le but est l’obtention de la caractéristique Courant-Tension et Puissance-
Tension pour L’analyse et l’évaluation des performances des systèmes photovoltaïques [39].
II.2.1.1 Cas d’une cellule idéale
Dans le cas idéal, la cellule d’une jonction PN soumise a l’éclairement photovoltaïque
peut être schématisée par un générateur de courant __ en parallèle avec une diode délivrant un
courant selon la figure (II.1), qui représente le circuit équivalent d’une cellule solaire idéale
[40].
Figure (II.1) : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque [40]

• L’équation retenue de ce modèle est :
𝑰𝒑𝒗 = 𝑰𝒑𝒉 − 𝑰𝒅 (II.1)
• Le courant 𝐼𝑝ℎ est assimile au courant 𝐼𝑐𝑐 avec 𝑉𝑝𝑣 = 0, courant de court-circuit.
Page 25
𝑮
𝑰𝒑𝒉 = [𝑰𝒄𝒄 + 𝑲𝒊 *( 𝑻𝒄 - 𝑻𝒓𝒆𝒇 )] * (II.2)
𝑮𝒓𝒆𝒇
Ki: Coefficient de température du court-circuit de la cellule (Ampères / K)

Tc: Température de la cellule en Kelvin
G : L’éclairement absorbe par la cellule
Gref : L’éclairement de référence (1000 w/m2)
𝑽𝒅
𝑰𝒅 = 𝑰𝟎 (𝒆 𝑽𝒕 -1) (II.3)
I0 : Courant de saturation de la diode
𝑩𝑲𝑻
𝑽𝒕 = (II.4)
𝒒
𝑽𝒕 : Tension thermique
B : Facteur d’idéalité
K : Constant de Boltzmann (1,38*10-23 J/K)
q : Charge de l’électron (1,6*10-19 C) [41]
II.2.1.2 Cas d’une cellule réelle (cinq paramètres 5P)

II.2.1.2.1. Avec résistance shunt
C’est le modèle le plus classique dans la littérature, il fait intervenir un générateur de courant
pour la modélisation du flux lumineux incident, une diode pour les phénomènes physique de
polarisation et deux résistances (série et shunt).
Ces résistances auront une certaine influence sur la caractéristique I-V de la photopile:
• la résistance série est la résistance interne de la cellule; elle principalement la
résistance du semi-conducteur utilisé, de la résistance de contact des grilles
collectrices et de la résistivité de ces grilles,
• la résistance shunt est due à un courant de fuite au niveau de la jonction; elle dépend
de la façon dont celle-ci a été réalisée.
Figure (II.2) : Schéma équivalent d’une cellule solaire[42]
Page 26
Le courant généré par la cellule PV est donné par la loi des mailles
𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 = 𝑰𝒑𝒉 - 𝑰𝒅 -𝑰𝑹𝒔𝒉 (II.5)
Avec :
𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 ∶ Courant délivré par la photopile.
𝑰𝒑𝒉 : Photo courant.
𝑰𝒅 : Courant de la diode.
𝑰𝑹𝒔𝒉 : Courant shunt
a. Le photo-courant
C’est le courant généré par une cellule, il est proportionnel à l’irradiation solaire et est
légèrement influencé par la température selon l’équation suivante :
𝑮
𝑰𝒑𝒉 = [ 𝑰𝒄𝒄 + 𝑲𝒊 (𝑻 − 𝑻𝒓𝒆𝒇 )] ∗ (II.6)
𝑮𝒓𝒆𝒇
Avec :
𝑰𝒄𝒄 [A] : Courant de court-circuit du panneau (donné par le constructeur).
𝑲𝒊 [A/K] : Courant de court-circuit divisé par le coefficient de température du panneau.
T [K] : Température ambiante.
G [W/m²] : Irradiation sur la surface de la cellule.
𝑻𝒓𝒆𝒇 [K] : Température de référence (298.15 K).
𝑮𝒓𝒆𝒇 [W/m²] : Irradiation de référence (1000 W/m²).
b. Le courant de saturation I0
Ce courant varie avec la température et est donné par :
𝑻 𝒒𝑬𝒈 𝟏 𝟏
𝑰𝟎 = 𝑰𝒓𝒔 ( )𝟑 exp [ ( − )] (II.7)
𝑻𝒓𝒆𝒇 𝑨𝒌 𝑻𝒓𝒆𝒇 𝑻
Avec :
Eg [eV] : Énergie de gap du semi-conducteur (1.1 eV pour le silicium poly cristallin à 25°C).
c. Le courant de saturation inverse de la diode (courant de fuite)
Son expression est donnée par l’équation :
𝑰𝒄𝒄
𝑰𝒓𝒔 = 𝒒𝑽𝒐𝒄 (II.8)
𝒆𝒙𝒑( )−𝟏
𝑲𝑨𝑻
Où :
Voc [V] : Tension de circuit ouvert du module (donnée par le constructeur).
A : Constante d’idéalité de la jonction (1<A<2).
Page 27
À partir des expressions décrites précédemment on peut déduire le courant délivré par une
cellule
𝒒(𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍) 𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍

𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 =𝑰𝒑𝒉 -𝑰𝟎 [exp ( ) – 1] – (II.9)
𝑨𝑲𝑻 𝑹𝒔𝒉
d. Le courant du panneau
Les équations décrites précédemment ne peuvent représenter la caractéristique I-V d’un
module PV puisqu’elles sont propres à une seule cellule PV qui représente l’élément de base
du panneau, on introduit donc l’équation spécifique à un module :
𝒒(𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍) 𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍

𝑰𝒑𝒗 =𝑵𝒑𝑰𝒑𝒉 - 𝑵𝒑𝑰𝟎 [exp ( ) – 1] – Np (II.10)
𝑵𝒔𝑨𝑲𝑻 𝑹𝒔𝒉
Où :
Ns : Nombre de cellules connectées en série dans un module.
Np : Nombre de cellules connectées en parallèle dans un module.
II .2.1.2.2 Sans résistance shunt
Un modèle électrique empirique simple, le plus proche du générateur photovoltaïque, est

actuellement le plus utilisé en raison de la qualité des résultats obtenus, c’est le modèle à une
diode. La figure (II.3) illustre le circuit électrique équivalent au modèle à une diode.
Le courant généré par la cellule PV est donné par la loi des mailles [42[43].
Figure (II.3) : Schéma équivalent d’une cellule solaire sans résistance shunt [42]
𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 =𝑰𝒑𝒉 -𝑰𝒅
(II.11)
𝒒(𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍)
𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍 =𝑰𝒑𝒉 -𝑰𝟎 [ exp( ) – 1] (II.12)
𝑨𝑲𝑻
Page 28
𝒒(𝑽𝒄𝒆𝒍𝒍+𝑹𝒔 𝑰𝒄𝒆𝒍𝒍)
𝑰𝒑𝒗 = 𝑵𝒑𝑰𝒑𝒉 - 𝑵𝒑𝑰𝟎 [ exp( ) – 1] (II.13)
𝑵𝒔𝑨𝑲𝑻
II.2.2. Simulation d’un générateur photovoltaïque
Les caractéristiques électriques de ce module photovoltaïque (avec résistance shunt) sont
données dans le tableau Suivant :
Eclairement standard G 1000W/m2
Température standard T 25°C
Puissance maximale Pmax 60W

Tension à Pmax ou tension optimale (Vopt) 17.1V
Courant à Pmax ou courant optimale (Iopt) 3.5A
Courant de court-circuit Isc 3.8A

Tension à circuit ouvert Vco 21.1V
Nombre des cellules en séries 36
Energie de la bande interdite 1.12 eV

Coefficient de température de Isc 65mA/C°
Coefficient de température de Vco -80mV/C°

Coefficient de température de puissance (0.5±0.05)%/
°C
Courant de saturation Isat 20nA
Tableau (II.1) : Caractéristiques électriques du module photovoltaïque panneau MSX60

Dans les conditions standards «CST»
Figure (II.4) : Schéma bloc de générateur photovoltaïque
Page 29
Les résultats obtenus de la simulation d’un caractéristique courant –tension I(V) et puissance -
tension P(V) de la générateur photovoltaïque dans les conditions standards (T=25°c,G=1000
W/m²)
II.2.2.1. Caractéristique courant-tension
3.5
2.5
Courant(A)
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v)
Figure (II.5) : Caractéristique I(V) d’un GPV sans résistance shunt
4.5
3.5
3
Courant (A)
2.5
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30
Tension (V)
Figure (II.6) : Caractéristique I(V) d’un GPV avec résistance shunt
Page 30
On observe que la caractéristique I(V) d’un générateur photovoltaïque avec et sans résistance
shunt sont identiques à celle d’une jonction P-N avec un sens bloqué, mais décalé le long de
l’axe du courant d’une quantité directement proportionnelle à l’éclairement.
II.2.2.2. Caractéristique puissance-tension
90
80
70
60
Puissance(w)
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v)
Figure (II.7) : Caractéristique P(V) d’un GPV sans résistance shunt
80
70
60
50
Puissance (W)
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension (V)
Figure (II.8) : Caractéristique P(V) d’un GPV avec résistance shunt

On observe que la caractéristique P(V) d’un générateur photovoltaïque dans les conditions de
G=1000 W/m² et T=25°c de deux figures ne sont pas identiques.
Avec résistance la puissance maximale Pmax= 62.54 W
Sans résistance la puissance maximale Pmax= 59.85 W
Page 31
Aussi on remarque que, quand la tension augmente la puissance augmente jusqu’à atteindre la
valeur optimale (Pmax) ensuite elle décroit.
II.2.3. Effets climatiques sur le générateur PV
II.2.3.1. Influence de la température sur le générateur
Les figures (II.9) et (II.10) représentent la caractéristique courant – tension I(V) et
puissance – tension P(V) dans la même condition de l’éclairement (G=1000 W/m²) et pour
différents température (T=0 ,25 ,40 ,60) .
II.2.3.1.1.Caractéristique (I-V)
3.5
3
Courant(A)
T=25°C
2.5
T=40°C
T=60°C
T=0°C
2
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v)
Figure(II.9) : Caractéristique I(V) pour différentes températures (G=1000W/m²).

Sans résistance shunt
II.2.3.1.2.Caractéristique (P-V)
90
80 T=25°C
T=40°C
T=60°C
70 T=0°C
puissance(w)
60
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v))
Figure (II.10) : Caractéristique P(V) pour différentes températures (G=1000W/m²).

La tension de circuit ouvert est diminué avec l’augmentation de la température, par contre le
courant de court-circuit augmente légèrement avec l’augmentation de la température et la
Page 32
puissance maximale diminue. On constate que la température influe négativement sur la

tension de circuit ouvert.
On peut donc tirer la conclusion suivante : générateur photovoltaïque a de meilleure
performance dans un environnement froid avec ciel dégagé.
II.2.3.2. Influence de l’éclairement sur le générateur
Les figures (II.11) et (II.12) représentent la caractéristique (I-V) et (P-V) d’un
générateur en fonction de la variation de l’éclairement (G=200.400.600.800.1000 W/m2) à
température constants (T=25°c) :
II.2.3.2.1.Caractéristique (I-V)
4
1000w/m2
800w/m2
600w/m2
3.5
400w/m2
200w/m2
Courant(A)2.5
1.5
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v)
Figure (II.11) : Caractéristique I(V) pour différentes niveaux d’éclairement (T=25°C).

Le courant de court-circuit est directement proportionnel au rayonnement incident. Par contre,

la tension de circuit ouvert augmente rapidement pour de faibles niveaux d’éclairement, puis
lentement pour des niveaux plus élevés.
Page 33
II.2.3.2.2.Caractéristique (P-V)
90
1000/m2
80 800w/m2
600w/m2
400w/m2
70
200w/m2
60
Puissace(w)
50
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20 25
Tension(v)
Figure (II.12) : Caractéristique P(V) pour différentes niveaux d’éclairement (T=25°C).

II.3. Étage d’Adaptation entre un Générateur PV et une Charge
Un générateur photovoltaïque présente des caractéristiques I-V non linéaires avec un
point de puissance maximum MPP. Ces caractéristiques dépendent entre autre du niveau
d’éclairement et de la température de la cellule. De plus, selon les caractéristiques de la
charge sur laquelle le GPV débite, nous pouvons trouver un très fort écart entre la puissance
potentielle du générateur et celle réellement transférée à la charge en mode connexion directe.
Afin d’extraire à chaque instant le maximum de puissance disponible aux bornes du
générateur photovoltaïque et de la transférer à la charge, la technique utilisée classiquement
est d’utiliser un étage d’adaptation entre le générateur photovoltaïque et la charge comme
présenté dans la figure (II.13).
Cet étage joue le rôle d’interface entre les deux éléments en assurant à travers une action de
contrôle, le transfert du maximum de puissance fournie par le générateur pour qu’elle soit la
plus proche possible de puissance maximale disponible.
Rôle du convertisseur DC-DC fait fonctionner les modules à leur point de puissance optimale,
quelques soient l’éclairement et la charge pour délivrer cette puissance à l’utilisation [44].
Page 34
Figure(II.13) : Etage d’adaptation entre un GPV et une charge [44]

L’adaptateur communément utilisé en PV est un convertisseur statique (convertisseur de
puissance DC/DC).
II.4. Modélisation et simulation du convertisseur de puissance survolteur
BOOST
II.4.1.Les convertisseurs DC-DC (hacheurs)
La figure(II.14) montre la représentation d’un convertisseur DC/DC, qui peut être utilisé
comme interface entre la source et la charge.
Figure(II.14) : Convertisseurs DC-DC [45]

Les hacheurs sont des convertisseurs statiques continu-continu permettant de générer une
tension continue variable à partir d’une source de tension fixe. Ils se composent de
condensateurs, d’inductances et de commutateurs. Tous ces dispositifs ne consomment
aucune puissance dans le cas idéal, c'est pour cette raison que les hacheurs ont de bons
rendements. Généralement le commutateur est un transistor MOSFET qui travaille en mode
bloqué-saturé.
Si le commutateur est bloqué, son courant est nul, il ne dissipe donc aucune puissance ; s’il est
saturé, la chute de tension à ses bornes sera presque nulle et par conséquent la puissance
perdue sera très petite.
Page 35
Le commutateur du convertisseur est commandé par un signal PWM (Pulse Width

Modulation) ou MLI (Modulation de Largeur d'Impulsion), avec une fréquence de
commutation FS fixe et un rapport cyclique α variable [45].
L’utilisation des convertisseurs DC-DC permet le contrôle de la puissance électrique dans les
circuits fonctionnant en courant continu avec une très grande souplesse et un rendement élevé
[46].
Il y a différents types de convertisseurs DC-DC. Le tableau suivant donne une idée sur la
complexité de chaque type de convertisseur.
Type Fonction Interrupteur Diode Transformateur Complexité
Buck Abaisseur 1 1 Non Faible
Boost Elévateur 1 1 Non Faible
Buck-Boost Abaisseur /Elévateur 1 1 Non Faible
Flyback Abaisseur /Elévateur 1 1 Oui Moyen
Half forward Abaisseur /Elévateur 1 1 Oui Moyen
Push Pull Abaisseur /Elévateur 2 2 Oui Forte
Half Bridge Abaisseur /Elévateur 2 2 Oui Forte
Full Bridge Abaisseur /Elévateur 4 4 Oui Très Forte
Tableau (II.2) : Complexité de chaque type de convertisseur DC-DC[26].

II.4.1.1. Hacheur dévolteur « Buck »
Le hacheur dévolteur est un convertisseur statique continu-continu son rôle principale
est de convertir sa tension d'entrée en tension de sortie inférieure. Le hacheur se compose des
condensateurs, d’inductance, de diode et de commutateur. Tous ces dispositifs dans le cas
idéal ne consomment aucune puissance. Généralement le commutateur est un transistor
MOSFET ou IGBT qui sont des dispositifs semi-conducteur en mode (bloqué-saturé) [15-47].
Page 36
Figure(II.15) : Circuit d’un hacheur série[48]

On en déduit facilement la tension et l'intensité dans la charge par les équations suivante :
𝑉𝑠=𝑎*𝑉 (II.14)
1
𝐼𝑠= * 𝐼𝑒 (II.15)
α
𝑡𝑓
Avec : α = (II.16)
T
II.4.1.2.Hacheur dévolteur-survolteur
Le convertisseur dévolteur-survolteur combine les propriétés des deux convertisseurs
précédents, il est utilisé comme un transformateur idéal de n’importe quelle tension d’entrée
pour n’importe quelle tension de sortie désirée; son schéma de base est illustré par la figure
(II.16) [48].
Figure (II.16) : Convertisseur dévolteur-survolteur [48]

Dans notre étude nous présentons le principe d’un convertisseur DC/DC de types
Boost, qui est utilisé fréquemment dans les systèmes photovoltaïques pour générer les
tensions et les courants souhaités. Ce type de convertisseur n'est constitué que par des
éléments réactifs (Selfs, Capacités) qui, dans le cas idéal, ne consomment aucune énergie.
C’est pour cette raison qu'ils sont caractérisés par un grand rendement.
Page 37
II.4.1.3 Hacheur survolteur (Boost)

Ce dernier est un convertisseur survolteur, connu aussi sous le nom de « boost » ou hacheur
parallèle, son schéma de principe de base est celui de la figure (II.17). Son application typique
est de convertir sa tension d’entrée en une tension de sortie supérieure [48].
Figure (II.17) : Schéma de principe d’un convertisseur Boost[48]

L’application des lois de Kirchhoff sur les circuits équivalents du convertisseur survolteur
(voir figures II.18 et II.19) des deux phases de fonctionnement donne :
Figure (II.18) : Schémas équivalents du hacheur survolteur K fermé [48]
Figure (II.19) : Schémas équivalents du hacheur survolteur K ouvert[48]
Page 38
Pour la première période d.Ts :

𝒅𝑽𝒊(𝒕)
𝒊𝒄𝟏 (𝒕) = 𝑪𝟏 = 𝒊𝒊 (t) - 𝒊𝑳 (t) (II.17)
𝒅𝒕
𝒅𝑽𝟎(𝒕)
𝒊𝒄𝟐 (𝒕) = 𝑪𝟐 = - 𝒊𝟎 (t) (II.18)
𝒅𝒕
𝒅𝒊𝑳
𝑽𝑳 (𝒕) = 𝑳 = - 𝑽𝒊 (t) (II.19)
𝒅𝒕
Pour la deuxième période (1-d)Ts :
𝒅𝑽𝒊(𝒕)
𝒊𝒄𝟏 (𝒕) = 𝑪𝟏 = 𝒊𝒊 (t) - 𝒊𝑳 (t) (II.20)
𝒅𝒕
𝒅𝑽𝟎(𝒕)
𝒊𝒄𝟐 (𝒕) = 𝑪𝟐 = 𝒊𝑳 (t) - 𝒊𝟎 (t) (II.21)
𝒅𝒕
𝒅𝒊𝑳
𝑽𝑳 (𝒕) = 𝑳 = 𝑽𝒊 (t) - 𝑽𝟎 (t) (II.22)
𝒅𝒕
II.4.2 Simulation du convertisseur de puissance (Boost)
Pour la simulation du convertisseur nous utilisons :
-Une source de tension de 230 V continu comme tension d'entrée du convertisseur DC-DC.
- Les paramètres (𝑅 = 22Ω, 𝐿 = 1.8𝑚𝐻, 𝐶1 = 2.2𝑚𝐹, 𝐶2 = 220μ𝐹)
Figure(II.20): Schéma de simulation du hacheur survolteur

Les résultats de simulation du convertisseur survolteur représentent par les figures (II.21) à
(II.23). Ces figures représentent la tension de sortie d’hacheur survolteur ainsi le courant et
puissance de sortie d’hacheur. Ces résultats montrent que la tension de sortie d’hacheur
Page 39
survolteur est supérieure à celle d’entrée. Donc le hacheur survolteur effectue correctement
son rôle.
300
250
200
Tension (v)
150
100
50
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (s)
Figure(II.21):Tension de sortie du hacheur survolteur.
12
10
8
Courant (A)
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (s)
Figure(II.22): Courant de sortie du hacheur survolteur
Page 40
3500
3000
2500
Puissance (W)
2000
1500
1000
500
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps (s)
Figure(II.23): Puissance de sortie du hacheur survolteur

II.5.Conclusion
Dans ce chapitre nous avons présenté la modélisation mathématique de différant
cellule et le générateur photovoltaïque, Ensuite Nous avons utilisé le logiciel MATLAB pour
étudier le comportement d’un générateur photovoltaïque (composé de 36 cellules connectées
en série) dans les conditions standard (G=1000 W/m², T=25°C). Nous avons étudié aussi
l’influence de la température et de l’éclairement sur l’énergie produite par générateur
photovoltaïque
Enfin, nous avons utilisé l’outil MATLAB-SIMULINK pour simuler le comportement
de convertisseur statique DC/DC survolteur.
Page 41
CHAPITRE 3 :
Poursuite du point
de Puissance
Maximale
III.1. Introduction
La puissance délivrée par un générateur PV dépend fortement du niveau d'ensoleillement

et de la température des cellules. C'est donc très imprévisible. Comme nous l'avons déjà vu dans
le chapitre précédent, la courbe caractéristique de puissance du GPV présente un point de
puissance maximale MPP (Maximum Power Point) correspondant à un certain point de
fonctionnement des coordonnées 𝑉𝑀𝑃𝑃 pour la tension et 𝐼𝑀𝑃𝑃 pour le courant (voir figure II.6).
La position de ce député varie dans le temps car cela dépend du niveau d'ensoleillement et de la
température des cellules (figure II.9) et (figure II.11). Un adepte de ce tracker de point de
puissance maximale (MPPT) doit donc être utilisé de manière à obliger le GPV à opérer au MPP
et donc à fournir puissance maximale à tout moment.
Les premisères utilisations des MPPTs remontent à 1968 dans le cadre d’applications
spatiales ayant pour générateur électrique des panneaux photovoltaïques.
Dans ce chapitre, on présentera la commande MPPT numérique (perturbation et

observation) et la commande d’incrémentation de Conductance.
III.2 Principe De La Commande MPPT
Le principe de cette commande est basé sur la modification automatique du rapport

cyclique α en l'amenant à la valeur optimale pour maximiser la puissance délivrée par le panneau
solaire. Pour cette raison, nous présenterons et analyserons ensuite l'algorithme de contrôle de la
méthode "perturbation et observation".
La figure (III.1) montre le diagramme synoptique d’un système photovoltaïque, avec un

module MPPT qui a pour entrées la tension et le courant de sortie du module [49]. Dans la plupart
des cas, on fait une maximisation de la puissance fournie par le module solaire.
Hacheur
Panneau
BOOST
PV
Commande MPPT Rapport cyclique
Figure (III.1): Principe général d’une commande MPPT
Page 42
La commande MPPT fait varier le rapport cyclique du convertisseur statique (CS), à l’aide d’un
signal électrique approprié, pour tirer le maximum de puissance que le GPV peut fournir.
L’algorithme MPPT peut être plus ou moins compliqué pour rechercher le MPP. En général, il est
basé sur la variation du rapport cyclique du convertisseur statique en fonction de l’évolution des
paramètres d’entrée de ce dernier (I et V et par conséquent de la puissance du GPV) jusqu’à se
placer sur le MPP [50].
Figure (III.2): Caractéristique puissance-tension du panneau PV
III.3. Techniques de commande MPPT

La classification des algorithmes suiveurs peut être basée sur la fonction des techniques ou
stratégies de contrôle utilisées. Ainsi, deux catégories peuvent être présentées: méthodes directes
et indirectes.
III.3.1 Les méthodes indirectes

Les méthodes indirectes utilisent des bases de données regroupant les caractéristiques des
panneaux photovoltaïques (PV) dans différentes conditions climatiques (température
ensoleillement…) mais aussi des équations mathématiques empiriques permettant de déterminer
le point de puissance maximum. Parmi ces méthodes, on retrouve la méthode de la tension de
circuit ouvert du générateur, la méthode de court-circuit etc….[51]
Page 43
III.3.2.Méthodes directes
Les méthodes directes sont des méthodes qui utilisent les mesures de tension et de courant des
panneaux l’algorithme sont basé sur la variation de ces mesures. L’avantage de ces algorithmes
est qu’ils ne nécessitent pas une connaissance préalable des caractéristiques des panneaux PV
.Parmi ces méthodes, on retrouve la méthode de différenciation, la méthode Perturbe & Observe
(P&O), l’incrément de conductance, etc….[51].
III.4.Méthode de perturbation et observation (P&O)

Dans la littérature, beaucoup de concentration a été mis sur la méthode perturbe et observe (P&O)
c’est une méthode itérative permettant d'obtenir le point de puissance maximal.Elle consiste à
perturber la tension de la charge d’une faible valeur et d’analyser la variation de puissance
délivrée par le générateur photovoltaïque etla comparer à celle du cycle de perturbation
précédente (figure III.3). Il peut être vu que l'incrémentation ou la décrémentation de la tension
augmente ou diminue la puissance, si la puissance est augmenté, la prochaine perturbation devrait
être dans le même sens jusqu’à atteindre le point de puissance maximale, et si la puissance
diminue, la perturbation devrait être inversée[52][53][54][55].
Figure (III.3) : Caractéristique PPV(VPV) [56].
Page 44
Figure (III.4): Organigramme de la méthode P&O.
Dans l’algorithme classique associé à une commande MPPT de type P&O, l’évolution de
la puissance est analysée après chaque perturbation de tension, pour ce type de commande, deux
capteurs sont habituellement nécessaire (mesurant le courant et la tension des panneaux PV) pour
calculer la puissance à chaque instant [57][58]. Dans la référence le courant est estimé à partir de
la tension photovoltaïque, ceci utile pour éviter la nécessité d'un capteur de courant. son modèle
Simulink est donné par la figure ci-dessous [59]:
D : rapport cyclique
Page 45
Figure (III.5) : Modèle Simulink de l’algorithme P&O
Figure (III.6) : Schéma bloc d’algorithme P&O
III.4.1.Avantages et inconvénients de P&O

➢ Avantages
• Structure de régulation simple
• Nombre des paramètres mesures réduit
➢ Inconvénients
• Dépassement du point maximum optimal en cas de changement rapide des conditions
atmosphériques [60].
III.5.Méthode d’incrémentation de Conductance
Dans cet algorithme la dérivée de la puissance de sortie du panneau est calculée d’une autre
manière. Elle est calculée en fonction de la tension V et sa différence dV et du courant I et sa
différence dI.
Page 46
Cette dérivée est nulle au point de puissance maximale, positive à gauche du point MPP et
négative à droite [22][61].
La puissance du panneau solaire est donnée par :
P = IV (III.1)
𝒅𝑷
La dérivé partielle est donnée par
𝒅𝑽
𝒅𝑷 𝒅𝑰
= I+ V (III.2)
𝒅𝑽 𝒅𝑽
𝟏 𝒅𝑷 𝟏 𝒅𝑰
= + (III.3)
𝑽 𝒅𝑽 𝑽 𝒅𝑽
𝟏 𝒅𝑰
On définit la conductance de la source G = et l’incrémentale conductance G =
𝑽 𝒅𝑽
Puisque la tension V du panneau est toujours positive, les relations (III.4) expliquent que le point
de puissance maximale MPPT est atteint si la conductance de la source G égale l’incrémentale
conductance ΔG de la source avec un signe négatif, et qu’elle est à gauche de ce point lorsque la
conductance G est supérieure à l’incrémentale conductance ΔG.
𝒅𝑷 𝟏 𝒅𝑰
  si >-
𝒅𝑽 𝑽 𝒅𝑽
=  si =- (III.4)
  si <-
𝒅𝑷
Figure (III.7) : Signe de pour différentes zones de fonctionnement
𝒅𝑽
Page 47
Figure (III.8) : Algorithme d'incrémentation de la conductance
Figure (III.9) : Modèle Simulink de l’algorithme INC
Page 48
Figure (III.10) : Schéma bloc d’algorithme INC
III.5.1. Avantages et inconvénients d’incrémentation de Conductance

L'avantage principal de cet algorithme est qu'il offre un bon rendement même sous un changement
rapide des conditions atmosphériques. En outre, il réalise l'oscillation inférieure autour du MPP
que la technique de P&O, quoique, quand la technique de P&O est optimisée, les rendements de
MPPT de la conductance par incrémentation et de l'algorithme P&O de MPPT soient,
essentiellement, identiques.
Néanmoins, l’inconvénient est que le circuit de commande est complexe et très couteux [60].
III.6. Simulations et résultats
III.6.1. Système photovoltaïque proposée
La figure (III.11) est représenté le schéma synoptique d’un système PV alimente une charge
résistive ( Rs = 17 Ω).
• Le générateur PV (MSX60) est en silicium monocristallin est constitué de 36 cellules
photovoltaïques élémentaires avec résistance shunt . Il peut délivrer dans les conditions standards
de test (CST) une puissance de 60 W, un courant de 3.5A sous une tension optimale de (17.1V) :
• Le quadripôle d’adaptation est un convertisseur d’énergie de type survolteur pour des
applications nécessitant des tensions supérieures à 17V.
• La commande MPPT (Maximum Power Point Tracking) est un organe fonctionnel du système
PV et permet de chercher le point de fonctionnement optimal du générateur PV qui dépend des
conditions météorologiques et de la variation de la charge stables. Son principe de régulation est
basé sur la variation automatique du rapport cyclique α à la valeur adéquate de manière à
Page 49
maximiser continuellement la puissance à la sortie du panneau PV. On utilisé algorithme P&O et

algorithme d’incrémentation de conductance.
Figure (III.11) : schéma synoptique d’un système photovoltaïque avec convertisseur

(DC/DC) contrôlé par (MPPT) sur charge (DC)
III.6.2.Simulation de système photovoltaique avec la commande P&O
La figure(III.12) Représente le schéma global d’un système photovoltaïque composé d’un module
PV avec un hacheur commandé en MPPT (P&O).
Figure (III.12): Schéma MATLAB SIMULINK d’un système photovoltaïque avec la commande
MPPT (P&O).
Page 50
0.45
0.4
0.35
0.3
Pulsation
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2
Temps(s) -3
x 10
Figure (III.13) : Pulsation de Mosfet
18
16
14
12
Tension (v)
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps (s)
Figure (III.14) : Tension générée par la GPV pour G=1000W/m2 et T=25°C
35
30
25
Tension (v)
20
15
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps
Figure (III.15) : Tension de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
Page 51
1.8
1.6
1.4
1.2
Courant (A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
temps (s)
Figure (III.16) : Courant de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
80
Puissance d'entrée
Puissance de sortie
70
60
50
Puissance (w)
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps(s)
Figure (III.17) : Puissance d’entrée et sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
Puissance d’entrée = 59.96 W
Puissance de sortie = 58.06 W
Page 52
80
Puissance de sortie
Puissance de sortie
70
60
50
Puissance(W)
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps(s)
Figure (III.18) : Puissance d’entrée et sortie du système pour G=1000W/m2 et différentes

température [0 25 50 75 100]
80
Puissance d'entrée
Puissance de sortie
70
60
50
Puissance(w)
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps(s)
Figure (III.19) : Puissance d’entrée et sortie du système pour T= 25C et différentes irradiation
[1000 800 600 400 200]
Page 53
Les résultats de simulation du système photovoltaïque adapté par la commande MPPT

«perturbation et observation » représentent par les figures (III.14) à (III.17). Ces figures
représentent la tension et puissance générées par le générateur photovoltaïque. Ainsi, la tension,
le courant et la puissance à la sortie du système photovoltaïque. Ces résultats montrent que
l’hacheur survolteur et la commande MPPT « perturbation et observation » effectuent
correctement leurs rôles.
Le hacheur boost fournie une tension à sa sortie ssupérieure à celle fournie par le générateur
photovoltaïque et la commande MPPT adapte le générateur PV à la charge.
Les figures (III.18)(III.19) présentent l’évolution de la puissance générée par le système

photovoltaique.On note que la puissance augmente avec l’augmentation de température et
diminuée avec la diminution de l’éclairement.
III.6.3.Simulation de système photovoltaique avec la commande d’incrémentation de

Conductance
La figure(III.20) Représente le schéma global d’un système photovoltaïque composé d’un module
PV avec un hacheur commandé en MPPT (INC).
Figure (III.20): Schéma MATLAB SIMULINK d’un système photovoltaïque avec la commande
MPPT (INC).
Page 54
20
15
Tension(V)
10
0
0 1 2 3 4 5
temps(s)
Figure (III.21) : Tension générée par la GPV pour G=1000W/m2 et T=25°C
35
30
25
Tension(V)
20
15
10
0
0 1 2 3 4 5
Temps(s)
Figure (III.22) : Tension de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
Page 55
1.5
Courant(A)
0.5
0
0 1 2 3 4 5
Temps(s)
Figure (III.23) : Courant de sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
80
Puissance d'entrée
puissance de sortie
70
60
Puissance(W)
50
40
30
20
10
0
0 1 2 3 4 5
Temps(S)
Figure (III.24) : Puissance d’entrée et sortie du système pour G=1000W/m2 et T=25°C
Puissance d’entrée = 60.02 W
Puissance de sortie = 58.87 W
Page 56
80
puissace d'entrée
Puissance de sortie
70
60
50
Puissance(W)
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps(s)
Figure (III.25) : Puissance d’entrée et sortie du système pour G=1000W/m2 et différentes

température [0 25 50 75 100]
80
Puissance d'entrée
Puissance de sortie
70
60
50
Puissance(W)
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Temps(s)
Figure (III.26) : Puissance d’entrée et sortie du système pour T= 25C et différentes irradiation
[1000 800 600 400 200]
Page 57
III.6.4.Comparaison
Deux techniques pour le suivie du point de fonctionnement à puissance maximale (perturbation et
observation) est la méthode plus utilisé qui a un organigramme simple à implémenté et qui
converge rapidement.
La deuxième méthode (incrémentation de la conductance) s’appuie sur la variation de la
conductance du circuit elle a un organigramme plus complexe est qui ne converge pas rapidement
et qui influencé par le pas de simulation et celui de variation de rapport cyclique.
III.7.Conclusion
Dans ce chapitre, nous a présenté la commande MPPT pour rechercher le point de

puissance maximale du générateur photovoltaïque, sous conditions standards. On a étudié
quelques méthodes MPPT basées sur contre réaction de puissance, comme l'algorithme
d'incrémentation de l’inductance et méthode de perturbation et observation (P&O).
Page 58
Conclusion
Générale
Conclusion Générale
Dans notre projet l’étude, On a vu la modélisation et simulation d’un système

photovoltaïque (PV) adapté par une commande numérique (commande perturbation et
observation aussi la commande d’incrémentation de la conductance) pour chercher la
puissance maximale fournie par le générateur photovoltaïque.
D’abord, nous avons vu historique de l’effet PV et Qu’est-ce que énergie
renouvelable en Algérie, le principe de fonctionnement d’une cellule PV et leur
caractéristiques électriques, rendement énergétique, facteur de forme, Ainsi que le générateur
photovoltaïque et différent système PV.
Ensuite, nous avons présenté la modélisation mathématique de différent cas de cellule
et le générateur photovoltaïque (MSX60) (composé de 36 cellules connectées en série) dans
les conditions standard (G=1000 W/m² T=25°C). Nous avons étudié aussi l’influence de la
température et de l’éclairement sur l’énergie produite par générateur PV. On a utilisé le
logiciel MATLAB.
Puis On a étudié l’adaptation par le convertisseur DC-DC survolteur et on trouve les
relations relient les grandeurs du convertisseur et le rapport cyclique du signal qui commande
l’interrupteur du convertisseur.
Finalement, on a représenté la structure de la commande MPPT numérique
(perturbation et observation) et (incrémentation de la conductance) nous avons comparé les
deux.
Les principaux éléments de ce travail sont :
• Le courant délivré par le GPV est directement proportionnel à l’ensoleillement par
contre la tension aux bornes du GPV est relativement peu dégradée par
l’accroissement de celui-ci.
• L’augmentation de la température conduit à une diminution nette de la tension de

circuit ouvert, à une légère augmentation du courant de court-circuit, et à une
diminution de la puissance maximale.
• Le convertisseur DC-DC et la commande MPPT effectuent correctement leurs rôles.

Le convertisseur fournit dans les conditions optimales une tension à sa sortie
supérieure à celle fournie par le générateur PV.
• .Pour profiter de la puissance maximale délivrée par un panneau solaire, l’utilisation

d’un étage d’adaptation entre ce panneau et la charge est nécessaire.
• La commande perturbation et observation converge plus rapidement et présente moins

d’oscillations par rapport à la commande d’incrémentation de la conductance
Page 59
Références
Bibliographiques
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maximale a base de microcontrôleur des destiné a une installation photovoltaïques» ,Mémoire
d’ingéniorat université de Ouargle Algérie, 2005
Page 64
Annexes
La série MSX de BP Solar est une gamme premium de modules PV avec une
garantie de performance de 25 ans, des paramètres électriques étroitement
contrôlés et un étiquetage indiquant les caractéristiques électriques testées de
chaque module. Le MSX 60 pr oxides
60 watts de puissance maximale nominale, et est bien adapté aux applications
traditionnelles du photovoltaïque telles que les télécommunications, les villages
émotifs et les cliniques, le pompage et les aides terrestres à la navigation. Son
joli cadre anodisé bronze lui convient également bien pour les applications
architecturales.
Matériaux et construction Qualité et sécurité
éprouvés • Fabriqué dans des usines certifiées
• Le quart de siècle d'expérience ISO 9001;
sur le terrain de BP Solar • Certifié par PowerMark Corporation;
montre dans tous les aspects • Répertorié par Underwriter’s
de la construction et des Laboratories pour la sécurité électrique
matériaux de ces modules: et anti-incendie (classe de résistance au
• 36 cellules solaires au silicium feu de classe C);
multicr ystalline configurées en • Certifié par le TÜV Rheinland comme
deux chaînes de 18 cellules; équipement de classe II;
• Les cellules sont stratifiées • Approuvé par Factory Mutual
entre des feuilles d'éthylène- Research pour une application dans les
acétate de vinyle (EVA) et du zones dangereuses NEC Classe 1,
verre trempé à haute teneur en Division 2, Groupes C et D;
fer de 3 mm à faible • Conforme aux exigences de la CEI
transmissivité; 61215, notamment:
• La structure du cadre dépasse ° cyclisme répétitif entre
les exigences des organismes -40 ° C et 85 ° C à 85% relatif
de certification; humidité;
° impact simulé d'une grêle de 25 mm
(un pouce) à la vitesse terminale;
° un test de «chaleur humide»,
consistant en 1000 heures d'exposition
à 85 ° C et 85% d'humidité relative;
° un test de «point chaud», qui
détermine la capacité d’un module à
tolérer l’observation localisée
(qui peut provoquer un fonctionnement
polarisé en inverse et un chauffage
localisé);
° charge statique, avant et arrière, de
Cadre universel 2400 pascals (50 psf); chargement
en bronze anodize frontal (p. ex. neige) de 5400 pascals
(113 psf).
Boîte de jonction
Garanties limitées BP MSX 60
polyvalente haute capacité • Puissance de sortie pendant 25 ans;
La boîte de jonction est étanche (IP54) et accepte • Absence de défauts de matériaux et Testé et étiqueté
les raccords de conduit ou de câble PG13,5 ou 1/2 de fabrication pendant 5 ans. individuellement
"nominal. Son volume (411 cm3, 25 pouces cubes) Consultez notre site Web ou votre
et son bloc de connexion à 6 bornes permettent la
Chaque module testé et étiqueté
plupart des connexions de la matrice du système
représentant local pour les conditions avec sa sortie réelle - tension, courant
(modules de montage) en série ou parallèle) à completes de ces guaranties. et puissance au point de puissance
réaliser directement dans la boîte de jonction. maximale (Pmax) - dans des
Les options comprennent: conditions de test standard et des
conditions de fonctionnement
• diodes de blocage et de dérivation;
standard.
• un bornier surdimensionné qui accepte des
conducteurs jusqu'à 25 mm2 (AWG # 4); les bornes
standard acceptent jusqu'à 6 mm2 (AWG # 10);
TÜV
• un régulateur de charge Solarstate ™. Expédiés en
configuration 12V, les modules peuvent facilement
être commutés en configuration 6V en déplaçant les
fils dans la boîte de jonction. Les modules à six volts
sont destinés à prendre en charge des charges de 6
V et ne sont pas recommandés comme éléments en
série dans des réseaux à tension plus élevée
65
Caractéristiques électriques 1
4
BP MSX 60 BP MSX 64
Puissance maximum (Pmax )2 60W 64W
Tension a P max (V mp ) 17.1V 17.5V
Courant a P max (l mp ) 3.5A 3.66A
Minimum P max 58W 62W
Courant de court-circuit (Isc) 3.8A 4.0A
Tension en circuit ouvert (V oc) 21.1V 21.3V
Coefficient de temperature of Isc (0.065±0.015)%/°C
Coefficient de temperature of V oc -(80±10)mV/°C
Temperature coefficient of power -(0.5±0.05)%/°C
NOCT3 47±2°C
Tension maximale 600V (U.S. NEC rating)
dusystème 1000V (TÜV Rheinland rating)
Calibre de fusible série maximum 20A
Notes
1. Ces données représentent les performances des modules MSX 60 et MSX 64 typiques, mesurées à
leurs bornes de sortie, et n'incluent pas l'effet d'équipements supplémentaires tels que les diodes ou
les câbles. Les données sont basées sur des mesures effectuées conformément à la norme ASTM
E1036 corrigée en SRC (Standard Reporting Conditions, également connu sous le nom de STC ou
Standard Test Conditions), qui sont:
• illumination de 1 kW / m2 (1 soleil) à distribution spectrale d'AM 1,5 (irradiance spectrale globale
ASTM E892);
• température de cellule de 25 ° C.
2. Pendant le processus de stabilisation qui se produit au cours des premiers mois de déploiement, la
puissance du module peut diminuer d'environ 3% par rapport à la Pmax typique.
3. Les cellules d'un module éclairé fonctionnent plus chaud que la température ambiante e. NOCT
(Nominal Operating Cell Temperature) est un indicateur de cette différence de température, et est la
température de la cellule dans des conditions de fonctionnement standard: température ambiante de 20
° C, irradiation solaire de 0,8 kW / m2 et vitesse du vent de 1 m / s.
4. La puissance des cellules solaires varie au cours de la production normale; le MSX 64 est assemblé
en quantités limitées en utilisant des cellules de puissance légèrement plus élevée que le MSX 60.
MSX 60 I-V Curves MSX 64 I-V Curves

4.5 4.5
4.0 4.0
3.5 3.5 T=0C

T=0C
T=25C
T=25C
3.0 3.0 T=50C
T=50C
T=75C
T=75C
Current (A)
2.5 2.5
Current (A)
2.0 2.0
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0
66
Mechanical Characteristics
Weight Dimensions
MSX 60 7.2 kg (15.9 pounds) Unbracketed dimensions are in millimeters.
Dimensions in brackets are in inches.
Overall tolerances ±3mm (1/8")
2.8 [0.11] max. 502 [19.8]

screw head
projection, typ.
Front View
Grounding hole,
2 places
X X
1105 [43.5]
(does not include
screw head
projection)
Back View
610 [24.0]
Junction box
9.5 [0.38] dia.

mtg. holes, typ.
246 [9.7]
17 [0.69] 467 [18.4] 16 [0.63] typ.
MSX 60
11.1 [0.44]
50 [1.97]
2.4 [0.09]
27 [1.06]
Grounding Detail Section X-X
67
68

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RÉPUBLIQUE ALGÉRIENNE DÉMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTÈRE DE L’ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

INSTITUT DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES

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Soutenu le : … 30/06/2020….. devant le Jury :

Dr. Habchi Yacine MAA Centre Universitaire Naâma Président

Naama – Algérie - 2020

CHAPITRE 1 : Généralité sur les systèmes photovoltaïque

I.1 Introduction ………………………………………………………………………... 02

III.1 Introduction ……………………………………………………………………… 42

CHAPITRE 1 : Généralité sur les systèmes photovoltaïque

Figure (I.1) : La moyenne annuelle de l'irradiation globale en Algérie ……………. 05

Figure (II.1) : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque ……………………… 25

CHAPITRE 3 : Poursuite du point de puissance maximale

Figure (III.1) : Principe général d’une commande MPPT ………………………. 42

Figure (III.8) : Algorithme d'incrémentation de la conductance ………………… 48

CHAPITRE 1 : Généralité sur les systèmes photovoltaïque

Tableau (I.1) : Taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie ………………… 04

CHAPITRE 2 : Modélisation et simulation des éléments

Tableau (II.1) : Caractéristiques électriques du module photovoltaïque panneau MSX60

h Constante de Planck 6.62*10-34Js-1

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I.3. Energie renouvelable en Algérie

L'utilisation des énergies renouvelables en Algérie n'a pas dépassé le seuil

I.4.Potentiel solaire en Algérie

Régions Régions côtières Hauts plateaux Sahara

Superficie 4% 10% 86%

Durée moyenne d’ensoleillement (Heures=an) 2650 3000 3500

Energie moyenne reçue (KWh/m2/an) 1700 1900 2650

Tableau (I.1) : Taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie [8][9]

Figure (I.1) : La moyenne annuelle de l'irradiation globale en Algérie période 1992-2002[9]

I.5. Généralités sur le soleil

Diamètre de la terre Dt =1.27*𝟏𝟎𝟕 m

Figure (I.2) : Composants du rayonnement solaire[12]

I.5.1.4 Rayonnement global

Figure (I.3): Composante du rayonnement global sur un plan horizontal [1]

Le spectre du rayonnement extraterrestre correspond environ à l'émission d'un corps noir

Figure (I.4): Le spectre solaire hors atmosphère [17]

Le terme photovoltaïque est formé à partir de deux mots :

La photopile ou la cellule photovoltaïque est fabriquée à partir de semi-conducteurs de

Figure (I.6) : Principe de la conversion photovoltaïque[20].

I.6.3. Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque

𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑜𝑝𝑡 𝑉𝑜𝑝𝑡

paramètre reflète la qualité de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique.

𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑜𝑝𝑡 𝑉𝑜𝑝𝑡

I.6.6. Rappel sur les Propriétés des Semi-conducteurs

I.6.6.2 Dopage du silicium

I.6.6.2.1 Dopage de type N

Figure (I.7) : Dopage de type N[25].

I.6.6.2.2 Dopage de type P

Figure (I.8) : Dopage de type P[25]

Figure (I.9) : Cellule monocristalline.[21]

I.6.7.2 Silicium poly cristallin

Figure (I.10) : Cellule photovoltaïque en silicium poly cristallin [21]