Chapitre 6

Transistor bipolaire
Principe Fonctionnement en mode normal Gains Caractristiques statiques Fonctionnement en frquence

Science et gnie des matriaux, Romuald Houdr - 2006 /2007

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Plan du cours
1. Introduction - Caractristiques physiques des semiconducteurs - Quels Matriaux pour quel type dapplications

1/3 bases

2. Proprits lectroniques des semiconducteurs - Structure de bandes - Statistiques doccupation des bandes - Proprits de transport - Processus de recombinaison 3. Jonctions et interfaces - Jonctions mtal/semi-conducteurs - Jonction p-n lquilibre, Jonction p-n hors-quilibre

1/3 transport

4. Composants lectroniques - Transistors bipolaires - Transistors effet de champ - Dispositifs quantiques - Nouveaux matriaux 5. Composants optolectroniques - Dtecteurs

1/3 optique

- Diodes lectroluminescentes - Diodes lasers - Lasers mission par la surface - Lasers cascade quantique

Un peu dhistoire et de futur

Premier circuit intgr (1 transistor) Jack Kilby, TI - 1958 Prix Nobel (2000) Dimension: 11x1.6mm
3

Laser GaN 405 nm

http://www.blu-ray.com/players/

http://www.toshiba.co.jp/hddvd/eng/index.htm

Le transistor

Le transistor (contraction de transfer resistor) est un composant actif capable de modifier un signal par lapplication dun second. Une des applications la plus rpandue est lamplification

Le transistor: fonctions
Analogiques:
Fonctions linaires pour transformer correctement les signaux (redressement,modulation) Lamplification qui est une fonction linaire particulire permettant dexploiter de faibles signaux Production de puissance pour transporter rapidement des signaux ou convertir ces signaux sous une autre forme dnergie (lumineuse, acoustique, mcanique, ...)

Logiques:
Circuits combinatoires lorigine des blocs de calculs (numriques) Circuits squentiels lorigine des automates permettant dexploiter la notion dtat et dimplmenter de vritables algorithmes de calcul sur des circuits intgrs silicium La mmorisation de donnes

Le transistor bipolaire: Points forts

Forts courants (tage de sortie/puissance) Circuits logiques ultra-rapides Faible bruit (pr-ampli Hi-Fi) Linarit Faible tension de fonctionnement
(0.7 V au lieu +/- 2V pour un MOS)

Transistor bipolaire: principe

jonction p-n Jonction p+-n
ZCE

p+

np

pn

xp

xn

Conclusions des calculs du cours sur la jonction p-n : 1 - Le courant Js est essentiellement dtermin par l'injection des porteurs minoritaires

2 - Dans une jonction p+ - n, le courant dpend des trous et essentiellement de l'injection des trous dans la rgion n

Transistor bipolaire: principe

Jonction p+-n
ZCE

Conclusions des calculs du cours sur la jonction p-n : 1 - Le courant Js est essentiellement dtermin par l'injection des porteurs minoritaires 2 - Dans une jonction p+ - n, le courant dpend des trous et essentiellement de l'injection des trous dans la rgion n 3 - Plus prcisment le rapport

p+

np -xp xn

pn

J p (x n ) Jn ( x p )

est constant (indpendant de V) et selon le choix de la structure peut tre trs grand ou trs petit

J s = J n ( x p ) + J p (x n )
Admettre

J p (x n ) Dp pn 0 Ln Dp N A Ln = = J n ( x p ) Dn n p 0 L p Dn N D L p J p (x n ) Dp N A Ln th(d p Ln ) = J n ( x p ) Dn N D L p th(dn L p ) Dp N A d p Dn N D dn
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Note: dans le cas o l'paisseur d n'est pas >> longueur de diffusion

Transistor bipolaire: principe

Objectif: contrler Jn qui est petit afin de contler Jp qui est grand Comment: en sparant ces deux courants dans deux boucles indpendantes Comment bis: en plaant une jonction n - p en inverse proximit
C B E B E Composant constitu de trois rgions npn ou pnp
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Note: transistor npn le mme discours s'applique en intervertissant chaque fois n et p

Le transistor bipolaire: structure

p+ n

L'metteur est imprativement plus dop que la base: dtermine le gain en courant du transistor. La base est une rgion extrmement mince: dtermine les proprits du transistor. Le collecteur est faiblement dop: permet au transistor de supporter des tensions leves.

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Le transistor bipolaire
C B E B E Fonctionnement normal : la jonction metteur-base est polarise en direct, la jonction collecteur-base est polarise en inverse Fonctionnement bloqu : les 2 jonctions sont polarises en inverse Fonctionnement satur : les 2 jonctions sont polarises en direct logique
Note: transistor npn le mme discours s'applique en intervertissant chaque fois n et p

analogique

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Transistor bipolaire
La vie d'un trou depuis l'metteur: 1 il passe la jonction metteur-base qui est polarise en direct 2 il se retrouve porteur minoritaire dans la zone neutre de la base, en rgime de diffusion 3 le champ lectrique de la jonction inverse base-collecteur happe les minoritaires qui parviennent jusqu' elle (base courte)

P-n-p

4 le trou redevient porteur majoritaire dans l'metteur et il continue son parcours jusqu'au contact. Idalement Imetteur = Icollecteur

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Transistor bipolaire
La vie d'un trou depuis l'metteur: Idalement Imetteur = Icollecteur La vie d'un lectron depuis la base: 1 il est porteur majoritaire dans la base et voit une grande barrire de potentiel vers le collecteur 2 il contribue uniquement au petit courant lectronique de la jonction directe metteurbase Le rapport entre ces deux courants est li et imposer l'un (Ibase) permet de controler l'autre (Imetteur)

J p (x n ) = Cst Jn ( x p )
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Le transistor bipolaire: gain

Mode normal Gain en courant
IEp: trous issus de lmetteur ICp: trous dans le collecteur IEn: lectrons vers lmetteur venant de la base ICn: lectrons venant du collecteur par activation thermique IBB: lectrons de la base compensant les lectrons qui ce sont recombins avec les trous venant de E (IBB=IEp-ICp)

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Transistor bipolaire

I prop. courant d'lectrons minoritaires

I prop. courant de trous majoritaires

On verra plus tard comment on boucle rellement le circuit

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Le transistor bipolaire
Mode normal Gain en courant
IE = IEp + IEn IC = ICp + ICn IB = IE IC = IEn + IEp ICp - ICn Un paramtre important est le gain = ICp/IE soit
T facteur de transport de la base

= ICp/(IEp + IEn) = [IEp/(IEp + IEn)] (ICp/IEp)

efficacit de lmetteur

doit tre le plus proche possible de 1

IEn doit tre le plus faible possible

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Le transistor bipolaire
Mode normal Gain en courant
IE = IEp + IEn IC = ICp + ICn IB = IE IC = IEn + IEp ICp - ICn Un autre paramtre important est le gain en courant en metteur commun

= ICp/IE

ICp IC = = = IB IE ICp 1
IEn doit tre le plus faible possible

doit tre le plus grand possible

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Le transistor bipolaire
Mode normal Gain en courant
Les gains et dpendent de la gomtrie du transistor et des paramtres du semiconducteur tels que dopages (niveaux et profils) et de la dure de vie des porteurs minoritaires. On peut estimer selon la relation (pour un pnp):

Dp N A Ln th(d p Ln ) p N A Ln th(d p Ln ) = = = J n ( x p ) Dn N D L p th(dn L p ) n N D L p th(dn L p )

De manire gnrale:

J p (x n )

p N A Ln th(d p Ln ) dn n N D

minoritaire,base = minoritaire,metteur
Choisir npn plutt que pnp

N Emetteur N Base
Emetteur plus dop que la base

min(Lminoritaire,metteur ,dmetteur ) dBase

Base courte

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Le transistor bipolaire
Schmas quivalents (b): Veb 0 et Vcb = 0. Ie est le courant d'une jonction p-n polarise par Veb (a) = (b) + (c)

Ie = Is1 e

qVeb kB T

Ie se distribue entre base et collecteur. Si la base est troite, les porteurs sont prfrentiellement happs par le champs de la jonction base-collecteur. Une petite portion se recombine et contribue au courant de base

Ic =

Ie =

qVeb kB T

reprsente le gain en courant direct tension collecteur-base nulle

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Le transistor bipolaire
Schmas quivalents (c): Veb = 0 et Vcb 0. C'est le rgime inverse du prcdent Ic est le courant d'une jonction p-n polarise par Vcb (a) = (b) + (c)

Ic = Is2 e

qVcb kB T

De mme Ic se distribue entre base et metteur

Ie =
i

i c

I =

i s2

qVcb kB T

reprsente le gain en courant inverse tension metteur-base nulle. Pour des raisons de dissymtrie des profils de dopage, il est beaucoup moins proche de 1 que

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Le transistor bipolaire
Schmas quivalents (a) = (b) + (c)

Ie = Is1 e Ic =

qVeb kB T

i s2

qVcb kB T

qVeb kB T

1 + Is2 e

qVcb kB T

Equations d'Ebers-Moll
Remarque: il existe des dmonstrations plus rigoureuses et beaucoup plus longues
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Le transistor bipolaire
Modes dopration du transistor bipolaire
Il existe 4 modes dopration qui dpendent de la polarit des tensions appliques aux jonctions metteur/base et collecteur base.

Mode dopration Rgime actif/normal Rgime satur Mode de coupure/ bloqu Mode invers

E/B Direct Direct Inverse Inverse

C/B Inverse Direct Inverse Direct

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Le transistor bipolaire
Modes dopration du transistor bipolaire

Distribution des porteurs minoritaires

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Le transistor bipolaire
Utilisation du transistor bipolaire en rgime normal
IE IB IC VCB VEB Base commune IB VBE Emetteur commun IB VBC Collecteur commun
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IC IE VCE

IE IC VEC

Le transistor bipolaire
Caractristiques statiques Base commune
Courant C en fonction de la tension entre B et C pour diffrents courants E

IC = IE+ ICB0

Rgion IC

IE

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Le transistor bipolaire
Caractristiques statiques Emetteur commun

Rgion

200

IC =

IE+ ICB0 = En posant

(IB+ IC) + ICB0 = /(1- ) IB + ICB0/(1- ) = /(1- ) et ICE0 = ICB0/(1- )

IC =

IB + ICE0

= gain en courant en metteur commun

est proche de lunit donc

est trs lev

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Le transistor bipolaire
Dans un transistor idal, le courant Ic doit tre constant pour un courant IB donn lorsque VEC varie Or IBC augmente quand VEC augmente
Aperu

En fait, IC n'est constant que si la largeur de la base est constante or La zone de charge despace entre B et C augmente lorsque VBC augmente, cad VEC En consquence, la largeur de la base diminue et le courant de diffusion (venant de lmetteur) collect travers la base est plus grand ( est plus lev)
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Le transistor bipolaire

tension de Early

Aperu

Cet effet est appel effet Early (1952) Si lon extrapole le courant Ic pour une valeur nulle, la tension VA ainsi dtermine est appele tension de Early . Plus VA sera lev plus la dpendance en tension du courant Ic sera faible

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Le transistor bipolaire
Comportement dynamique: rponse en frquence
Diffrents modes dopration possibles. Gnralement, les transistors Bipolaires fonctionnent en mode normal (direct/inverse) dans les circuits analogiques. En logique, les quatre diffrents modes sont utiliss

Aperu

Emetteur commun

IC =

IB + ICE0
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Le transistor bipolaire

Aperu

On superpose un faible signal (qq A) appliqu la base (VBC ou IB) un signal continu (qq mA): le courant IE

IC =

IB + ICE0

Le courant IC est alors modul avec la mme frquence que IB: on a donc amplifi un signal alternatif

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Le transistor bipolaire

Aperu

Quand on applique une tension VEB, les courants IC est IB stablissent dans le transistor. Ils dfinissent le point de fonctionnement du transistor. Celuici dpend aussi de la rsistance de charge RL

VEC = VCC - RL IC

IC = (VCC-VEC)/RL

Ligne de charge varie en -1/RL

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Le transistor bipolaire
Comportement en frquences
Lorsque le transistor fonctionne hautes frquences, il faut tenir compte des effets capacitifs. Ceux-ci proviennent des jonctions entre la base et lmetteur, et la base et le collecteur. Dans le circuit quivalent, il faut aussi tenir compte des diffrentes rsistances de la base et du collecteur La consquence de ces diffrents paramtres est lexistence dune frquence de coupure au-del de laquelle le transistor ne fonctionne plus correctement le gain diminue On peut crire avec
0

0/(1

+j f/f )

gain en continu et fc la frquence de coupure

0 (-3

f = f est dfinie =0.707

dB)

f frquence de coupure en base commune

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Le transistor bipolaire
= /(1- ) =
0/(1+j(f/f
0)/f

))

f = frquence de coupure en metteur commun avec f <<f car

0

f = (1-

Une autre frquence de coupure souvent utilise pour caractriser un transistor est dfinie pour (le gain en frquence) = 1

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Transistor bipolaire htrojonction

(HBT)
Un transistor HBT met en jeu deux types de matriaux diffrents Lune des caractristiques principales est la trs forte efficacit de lmetteur ( ) Les applications des HBTs sont similaires aux bipolaires classiques mais ils prsentent de meilleures performances en frquences et en modulation.

HBT

BTexp(EgE-EgB)

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Transistor bipolaire htrojonction (HBT)

InP/InGaAs/InAlAs

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HBT SiGe

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Transistor Bipolaire: fabrication

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