H Mach Had Ani Thesis

No DORDRE : 2020
THSE DE DOCTORAT
Spcialit : Physique cole Doctorale "Sciences et Technologies de lInformation des Tlcommunications et des Systmes"
prsente par :
Houssaine MACHHADANI
Transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlN du proche infrarouge au THz
Soutenue le 28 Mars 2011 devant les membres du jury : Raaele Colombelli Bernard Gil Franois Julien Eva Monroy Carlo Sirtori Jrme Tignon Examinateur Rapporteur Directeur de thse Examinateur Examinateur Rapporteur
Table des matires

Remerciements Introduction 1 Les nitrures dlments III 1.1 1.1.1 1.1.2 1.1.3 1.2 1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.3 1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4 1.4 1.5 7 9 13
Structure cristalline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Structure wurtzite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Structure cubique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Polarit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Epitaxie en phase vapeur aux organo-mtalliques . . . 17 Epitaxie par jets molculaires EJM . . . . . . . . . . . 17 Substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Structure de bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Bande interdite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 Variation du gap avec la temprature . . . . . . . . . . 22 Potentiel de dformation . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Elaboration des nitrures dlments III . . . . . . . . . . . . . 16
Proprits des matriaux nitrures . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 Thorie des transitions intersousbandes . . . . . . . . . . . . . 29 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4 Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 Equation de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 Approximation de la fonction enveloppe . . . . . . . . 30 Coecient dabsorption intersousbande . . . . . . . . . 32 Absorbants saturables . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 Dtecteurs infrarouges . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.6
Etat de lart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 1.6.1 1.6.2
4 1.6.3 1.6.4
TABLE DES MATIRES Modulateurs lectro-optiques . . . . . . . . . . . . . . . 37 Emission de lumire ISB . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires 2.1 2.2 41 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41 Etude thorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.4 Courbure de bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 Eet Stark quantique conn . . . . . . . . . . . . . . 44 Energie des transitions intersousbandes . . . . . . . . . 45 Rduction du champ interne dans les puits quantiques 48
Etude exprimentale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 Description des chantillons . . . . . . . . . . . . . . . 49 Rduction des barrires . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 Inuence de lpaisseur des puits . . . . . . . . . . . . 58 Accordabilit des transitions intersousbandes jusqu la bande Reststrahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 Eet de la concentration de porteurs . . . . . . . . . . 63 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN semipolaires 3.1 3.2 3.3 3.4 73 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73 Simulation du connement lectronique . . . . . . . . . . . . . 77 Description des chantillons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81 Caractrisation optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 3.4.1 3.4.2 3.4.3 3.5 Spectroscopie de la photoluminescence . . . . . . . . . 83 Spectroscopie intersousbande . . . . . . . . . . . . . . 85 Nature de llargissement des spectres intersousbandes 89
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN cubiques 4.1 4.2 93 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 Description des chantillons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94 4.2.1 Choix du substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
TABLE DES MATIRES 4.2.2 4.2.3 4.3 4.4 4.5
Croissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 Proprits structurales des puits GaN/AlN cubiques . . 95
Spectroscopie de photoluminescence . . . . . . . . . . . . . . . 98 Spectroscopie infrarouge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 Simulation du connement lectronique . . . . . . . . . . . . . 102 4.5.1 4.5.2 Estimation de la valeur de la masse eective . . . . . . 102 Discontinuit de potentiel entre GaN et AlN . . . . . . 104
4.6
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 107
5 Absorption intersousbande dans le THz 5.1 5.2
Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 Structure des puits quantiques polaires marche . . . . . . . . 109 5.2.1 5.2.2 5.2.3 Conception des structures . . . . . . . . . . . . . . . . 109 Simulation numrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110 Caractrisations structurales . . . . . . . . . . . . . . . 111 Procdure exprimentale . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 Absorption intersousbande . . . . . . . . . . . . . . . . 113 Estimation de la densit de porteurs . . . . . . . . . . 114
5.3
Spectroscopie dabsorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5.3.1 5.3.2 5.3.3
5.4 5.5
Puits GaN/AlGaN cubiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 Vers un laser cascade quantique GaN . . . . . . . . . . . . . 117 5.5.1 5.5.2 Structure de bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118 Fonctionnement plus haute temprature . . . . . . . 118
5.6
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122 125 127
Conclusions et perspectives Liste des publications
Actes de colloques avec comit de lecture . . . . . . . . . . . . 129 Confrences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
TABLE DES MATIRES
Remerciements
Tout dabord, Je tiens exprimer ma profonde gratitude et mes sincres remerciements mon directeur de thse Franois Julien pour ses conseils, sa disponibilit et son soutien durant ces trois annes et demi. Merci de mavoir laiss une large marge de libert pour mener bien ce travail de recherche. Je voudrais remercier galement Bernard Gil et Jrme Tignon davoir accept dtre rapporteur de cette thse. Jaimerais aussi remercier Carlo Sirtori dtre venu assister ma soutenance en qualit dexaminateur. Jadresse mes remerciements Eva Monroy davoir t examinateur de cette thse et davoir fourni sa matire premire. Merci aussi pour sa disponibilit pour discuter et rpondre mes questions. Je remercie Raaele Colombelli, davoir accept dtre prsident de mon jury mais galement pour les nombreuses discussions et conseils. La partie THz naurai pas existe sans ses comptences et son matriel. Jadresse ma gratitude Maria Tchernycheva, pour les nombreuses discussions thoriques (spontanes et stimules) et pour la lecture et les corrections de ce manuscrit. Je remercie galement toutes les personnes avec qui jai eu la chance de collaborer : Prem Kandaswamy, Nicolas Grandjean et Laurent Vivien avec qui jai eectu certaines mesures exprimentales. Je remercie aussi C. Mietze et D. J. As pour les croissances eectues luniversit de Paderborn. Un grand merci Laurent Nevou pour mavoir initi aux techniques de mesure. Je tiens galement exprimer ma reconnaissance envers lquipe Photis qui ma support durant ces annes en crant une excellente atmosphre de travail. Merci tous mes amis de lIEF, mes heures de travail au labo ont t agrablement interrompues par les nombreux cafs grce eux. Merci mes amis et ma famille. Je nirai, en remerciant ma femme qui a vcu cette thse avec moi : mes
Remerciements
joies, mes coups de gueule, mes moments de dprime . . .merci pour tout et surtout pour les lectures et les corrections de ce manuscrit.
Introduction
Ltude des transitions intersousbandes dans les htrostructures de nitrures dlments-III (GaN, AlN et InN et leurs alliages) est rcente. Au dbut des annes 2000, lquipe de C. Gmachl Bell Labs a montr que lon pouvait accorder ces transitions dans le proche infrarouge et notamment dans la gamme spectrale 1.3 1.55 m utilise par les systmes de transmission de linformation par bre optique. Cette gamme spectrale qui tait inaccessible aux dispositifs ISB base de matriaux GaAs/AlGaAs ou InGaAlAs sur InP, pouvait tre couverte grce la discontinuit de potentiel en bande de conduction trs leve entre le GaN et lAlN. Outre la possibilit daccorder la longueur donde dans le domaine tlcom, une motivation majeure pour les recherches sur les composants intersousbandes de nitrures tient lextrme rapidit intrinsque qui permet denvisager la ralisation de dispositifs intersousbandes fonctionnant au-del du Tbit/s. En eet, le temps de retour lquilibre des porteurs entre sousbandes est infrieur la picoseconde grce la forte interaction des lectrons avec les phonons optiques longitudinaux. Les progrs accomplis dans la croissance de matriaux nitrures en couche mince de haute qualit avec une paisseur contrle la monocouche atomique, essentiellement par pitaxie par jets molculaires assiste par plasma dazote, ont permis la ralisation de composants optolectronique tlcoms de plus en plus sophistiqus : commutateurs tout-optique multi-Tbit/s [Iizu 06a], dtecteurs puits ou botes quantiques [Hofs 06, Doye 05], modulateurs lectrooptiques [Baum 06, Nevo 07a, Khei 08] et plus rcemment dtecteurs photovoltaques cascade quantique [Vard 08a]. Les matriaux nitrures suscitent actuellement un grand intrt plus grande longueur donde infrarouge. Cest par exemple le dveloppement de dtecteurs et dimageurs rapides cascade quantique dans la gamme = 2 5 m. Cest aussi lextension des dispositifs intersousbandes dans le domaine
10
Introduction
de frquences THz. En eet, lnergie du phonon optique dans les nitrures dlments-III est trs leve par rapport aux arsniures ou aux phosphures, de lordre de 90 meV. Ceci ore la possibilit de raliser des lasers cascade quantique THz fonctionnant temprature ambiante dans une gamme spectrale inaccessible auparavant allant jusqu 15 THz. Mon travail de thse porte sur ltude des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlGaN. Le but est daccorder ces transitions dans une gamme spectrale trs large allant du proche au lointain infrarouge. Dans, les puits quantiques GaN/AlGaN en phase hexagonale synthtiss selon laxe polaire c [0001], ceci impose lingnierie du champ lectrique interne, dont la valeur peut atteindre dans le GaN 10 MV/cm. En eet, le champ interne conne les niveaux dnergies dans les puits quantiques larges et limite la longueur donde des transitions intersousbandes ( 3 m pour le systme GaN/AlN). Une solution alternative avec les nitrures en phase hexagonale consiste utiliser une orientation particulire, dite semipolaire, qui conduit une rduction du champ lectrique interne le long de laxe de croissance. Une autre piste de recherche consiste utiliser des nitrures de structure cubique, qui par raison de symtrie, ne prsentent pas de champ lectrique interne. Cependant la mtastabilit de cette phase rend la croissance plus complique. Ce manuscrit de thse se divise en cinq chapitres. Le chapitre 1 dcrit les proprits structurales et optiques des nitrures en phase hexagonale et cubique. La deuxime partie de ce chapitre porte sur les proprits des transitions optiques intersousbandes dans les htrostructures de semi-conducteurs. Une revue de ltat de lart des dispositifs nitrures intersousbandes est enn expose. Dans le chapitre 2 je montrerai comment il est possible daccorder les transitions intersousbandes dans les puits quantiques polaires de 1 12 m, c--d jusqu la bande Reststrahlen du GaN. Les chapitres 3 et 4 concernent ltude des transitions interbandes et intersousbandes dans les systmes GaN/AlN semipolaires et cubiques respectivement. Le chapitre 5 est ddi la spectroscopie des transitions intersousbandes dans les puits GaN/AlGaN dans la gamme de frquences THz. Ces mesures ouvrent des perspectives intressantes pour la ralisation dun laser cascade quantique THz fonctionnant temprature ambiante. Dans la dernire
Introduction
11
section de ce chapitre je propose une structure active pour un laser cascade quantique en GaN/AlGaN mettant 3.3 THz. Une bonne part des travaux dcrite dans ce manuscrit rentre dans le cadre du projet EC FET-OPEN Unitride en coordination au laboratoire.
12
Introduction
Chapitre 1 Les nitrures dlments III
Les nitrures dlments III sont des semiconducteurs III-V gap direct, forms datomes dazote et dlments de la colonne III de la classication priodique de Mendeleev : il sagit des composs GaN, AlN et InN ainsi que leurs alliages. Cette famille de semiconducteurs prsentent un grand intrt en optolectronique puisquelle permet de couvrir une gamme spectrale tendue, allant de linfrarouge lultraviolet. Contrairement au silicium et aux composs arsniures, GaN et AlN sont particulirement stables thermiquement et chimiquement, ce qui en fait dexcellents candidats pour lutilisation dans des conditions adverses, par exemple en lectronique de puissance. Dans ce chapitre, je prsente les gnralits concernant les nitrures dlments III, qui seront ncessaires dans la suite pour les simulations et pour dcrypter les rsultats exprimentaux. Ensuite je dcrirai les thories et les modles ncessaires pour la comprhension de la structure lectronique dun systme base de puits quantiques en mettant laccent sur les transitions intersousbandes. Le but est dapporter les outils ncessaires la comprhension des chapitres suivants qui constituent le cur de ma thse. Enn je prsenterai un tat de lart des recherches sur les dispositifs intersousbandes nitrures.
14
Les nitrures dlments III
1.1
Structure cristalline
Les nitrures dlments III cristallisent naturellement dans la structure wurtzite. Lorsque la croissance est ralise sur un substrat de symtrie cubique, on peut galement obtenir la phase mtastable blende de zinc. Les proprits de ces deux structures sont dcrites ci-dessous :
1.1.1
Structure wurtzite
Les cristaux qui ont la structure wurtzite appartiennent au groupe des4 pace C6v dans la notation Schoenies (ou P 63 mc dans la notation de Herma-
nn Mauguin). La cellule lmentaire contient deux ions de X (0 0 0) et (1/3 2/3 1/2) (o X= Al, Ga, In) et deux ions dazote (0 0 u) et (1/3 2/3 1/(2 + u)) (voir gure 1.1 (a)). On obtient deux sous rseaux hexagonaux compacts, lun pour les atomes de mtal, et lautre pour les atomes dazote, dcals selon laxe c qui est en gnral, la direction de croissance. Le paramtre du rseau dans le plan (0001) est le ct a0 , et le paramtre c0 correspond la hauteur de la maille selon laxe [0001]. Le paramtre u0 est dni comme la longueur de la liaison anion-cation selon laxe c0 . Sa valeur idale pour la structure wurtzite est (3/8) c0 . Dans les structures relles, sa valeur donne une indication de lcart par rapport la structure wurtzite idale. Ces valeurs sont rsumes dans le tableau 1.1. Les plans hexagonaux de gallium (ou dazote) sempilent suivant la squence ABAB selon [0001].
AlN a0 [] c0 [] c0 /a0 u0 [] u0 /c0 3.112 4.982 1.601 1.892 0.798
GaN
Rf.
3.189 [Amba 98] 5.186 [Amba 98] 1.624 1.949 0.376 [Levi 01] [Matt 99] [Levi 01]
Table 1.1 Paramtre de maille dAlN et GaN en phase hexagonale.
1.1 Structure cristalline
15
Figure 1.1 (a) : la structure du GaN wurtzite. En rouge les atomes de gallium Ga, et en bleu les atomes dazote N. c0 et a0 sont les paramtres de maille, u0 la distance anion-cation. Dans la structure wurtzite idale, les ions occupent les sites ttradriques satisfaisant c0 /a0 = ct d0 . 8/3 = 1.633 et u0 = 0.375. (b) : Structures blende de zinc de
1.1.2
Structure cubique
2 43m) La structure blende de zinc appartient au groupe despace Td ( ou F
correspondant deux rseaux cubiques face centre forms respectivement datomes dlment III et dazote dcals lun de lautre du quart dune diagonale du cube (voir gure 1.1 (b)). Le paramtre de maille correspond la longueur dune arte du cube est not d0 . Les plans hexagonaux de gallium (ou dazote) sempilent suivant la squence ABCABC selon [111]. AlN d0 () 4.38 GaN 4.50 Rf. [Vurg 03]
Table 1.2 Paramtre de maille dAlN et GaN cubique.
1.1.3
Polarit
Comme la structure wurtzite ne possde pas de centre dinversion, en consquence les directions [0001] et [000 ne sont pas quivalentes. Par 1]
16
convention laxe [0001] est orient du mtal vers lazote et laxe [000 est 1] orient de lazote vers le mtal. Les structures labores selon lorientation [0001] sont dites polarit mtal (Ga, Al, In) et celles selon [000 polarit 1] azote, la gure 1.2 montre ces deux cas. Il faut toutefois noter que, la polarit dune couche ne nous renseigne pas sur la nature des atomes en surface, cest la minimisation de lnergie de surface qui contrle ce paramtre. Dans ce travail tous les chantillons tudis sont de polarit mtal.
Figure 1.2 Schma des orientations cristallographiques [0001] et [0001] en fonction des polarits gallium et azote du GaN wurtzite.
1.2
Elaboration des nitrures dlments III
La croissance des nitrures dlments III se fait essentiellement par htropitaxie. En eet, en raison du point de fusion lev de GaN et de la haute pression dquilibre de lazote, la croissance de monocristaux nest pas facile. Plusieurs substrats comme par exemple SiC, Al2 O3 ou silicium sont employs tant pour la croissance du GaN de symtrie hexagonale que pour celle du GaN de symtrie cubique. Nanmoins, aucun de ces substrats nest accord en maille avec le GaN, ce qui va engendrer des contraintes et donc des dfauts dans le matriau. Dans cette partie nous allons voquer les principales singularits des techniques de croissance des nitrures et prsenter les substrats utiliss pour la croissance des deux phases cristallines du GaN.
1.2 Elaboration des nitrures dlments III
17
1.2.1
Epitaxie en phase vapeur aux organo-mtalliques
Lpitaxie en phase vapeur aux organo-mtalliques (EPVOM) est la principale technique de croissance des nitrures III. Sa mise en uvre souple, la possibilit dpitaxie sur des grandes surfaces et son faible cot par rapport lEJM font quelle est normment utilise pour la fabrication de composants dans lindustrie des semiconducteurs. LEPVOM repose sur une proprit des composs organo-mtalliques qui est la forte dpendance en temprature de leur tension de vapeur. Cette mthode consiste en une pyrolyse 1 de composs organo-mtalliques et dhydrures (NH3 , SiH4 ) transports par un gaz (azote ou hydrogne) au voisinage du substrat port haute temprature. Les ux des sources utilises sont stabiliss, puis mlangs juste avant leur introduction dans le racteur. Pour le gallium, le trithylgallium ou le trimthylgallium sont les principaux composs utiliss. La croissance de GaN se fait une temprature comprise entre 1000o C et 1150o C. Les vitesses de croissance dpendent des conditions de dpt mais restent sensiblement voisines de quelques microns par heure. Les structures dsires tant toujours dpaisseur infrieure une dizaine de microns, quelques heures susent pour les raliser.
1.2.2
Epitaxie par jets molculaires EJM
La plupart des chantillons tudis dans cette thse ont t synthtiss par pitaxie par jets molculaires assiste par plasma dazote (ou PAMBE pour Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). La technique consiste envoyer un ou plusieurs jets atomiques ou molculaires vers un substrat monocristallin. La croissance de GaN se fait gnralement une temprature comprise entre 700o C et 740o C. Cette technique sous ultra-vide repose sur lvaporation squentielle des constituants lmentaires placs dans des cellules eusion de Knudsen. Contrairement lEPVOM, aucun gaz de transport des espces ractives nintervient. Un des avantages de cette mthode repose sur la possibilit de contrle et de caractrisation de la croissance en temps rel grce lutilisation in situ de la diraction dlectrons de haute nergie en incidence rasante (RHEED).
1. La pyrolyse est la dcomposition thermique de matires organiques en labsence doxygne ou en atmosphre pauvre en oxygne.
18
Les nitrures dlments III LEJM ore la possibilit de couper le ux atomique de faon quasi-
instantane. Cest la technique de choix pour obtenir des interfaces abruptes et pour contrler les paisseurs lchelle de la monocouche atomique. En revanche, en raison de la faible vitesse de croissance, typiquement infrieure 0.5 m/h, lEJM ne permet pas une croissance aise de couches pitaxiales dpaisseur suprieure quelques microns.
1.2.3
Substrat
Une des principales dicults dans la croissance de GaN est le manque de substrats ayant un paramtre de maille adapt. Les paramtres de maille et les coecients dexpansion thermique des nitrures sont en fort dsaccord avec les caractristiques des substrats commerciaux. Des monocristaux de GaN massifs peuvent tre employs mais ils ne sont disponibles quen trs faible quantit cause des dicults lies leur laboration (haute temprature de 1800 K et haute pression de 1,5 GPa [Karp 82]) et trs petite taille. Une solution alternative est lutilisation de substrats autosupports de GaN faible taux de dislocations ( 106 cm2 ) dont la qualit a fait dnormes progrs au cours des derniers annes mme si le cot reste lev. Plusieurs substrats sont utiliss pour lhtropitaxie du GaN. Nanmoins le fort dsaccord de maille et la dirence de coecient thermique entre GaN et le substrat conduisent la formation de couches de GaN avec une haute densit de dislocations ce qui peut conduire la dtrioration des proprits optiques du matriau. Dans le tableau 1.3 sont reports les paramtres de maille et les coecients dexpansion thermique des nitrures dlments III et de divers substrats. Le saphir est le plus frquemment utilis en raison de son faible cot, malgr son fort dsaccord de maille et sa dirence de coecient de dilatation thermique avec le GaN. Le carbure de silicium a lavantage davoir un dsaccord de maille faible avec le GaN mais il est plus cher. Le Si (111) est une alternative intressante en termes de cot et de grande dimension, mais il conduit des densits de dislocations leves.
1.3 Proprits des matriaux nitrures Substrat AlN GaN saphir 4H-SiC 6H-SiC ZnO ScAlMgO4 LiAlO2 LiGaO2 Si GaAs -SiC MgO Symtrie Hexagonal Hexagonal Hexagonal Hexagonal Hexagonal Hexagonal Hexagonal Tetragonal Orthorhombique Cubique Cubique Cubique Cubique a () 3.104 3.189 4.758 3.073 3.081 3.249 3.246 7.1 5.402 5.4301 5.653 4.36 4.216 10.5 4.2 4.75 6.2 6.267 6 3.59 6 3.4% a/a (106 K 1 ) 4.2 5.59 7.5
19 Dsaccord de maille avec le GaN -2.7% 0% 13% -3.63% -3.36% +1.9% +1.8% -1.7% 0.18% -17%
Table 1.3 Paramtre de maille a et coecient de dilatation thermique des direntes substrats utiliss pour la croissance pitaxiale des nitrures [Mork 08].
1.3
1.3.1
Proprits des matriaux nitrures

Structure de bande
Le GaN en phase hexagonale ou cubique possde un gap direct. La structure de bande dpend de la symtrie du rseau. La gure 1.3 prsente la structure de bande de GaN dans les deux symtries, en insistant particulirement sur les causes de la leve de dgnrescence de la bande de valence. En phase blende de zinc la bande de conduction (CB) en centre de zone est dgnre deux fois par le nombre quantique de spin et possde la symtrie 6 . Comme elle est construite sur des orbitales atomiques s son moment cintique orbital L = 0, et le moment cintique total de chaque bande est gal au moment cintique de spin, soit J = 1/2. Si on nglige le couplage spinorbite, la bande de valence est dgnre six fois car elle est construite sur trois orbitales p quivalentes (px , py , pz ) prsentant deux nombre quantique de spin chacune. En prenant en compte linteraction spin-orbite (moment
20
Figure 1.3 Structure de bande du GaN massif Bz et Wz. La partie gauche des gures schmatise la leve de dgnrescence des niveaux de bande valence par le couplage spin-orbite et le champ cristallin [Fish 88, Chua 96]. La partie droite reprsente les courbes de dispersion calcules pour des structures Bz et Wz du GaN [Vurg 03]. Figure tire de [Rol 07].
cintique orbital L = 1 et de spin S = 1/2) la dgnrescence est leve entre les tats de moment cintique total J = 1/2 et J = 3/2. En k = 0, les bandes de valence correspondant J = 3/2 et J = 1/2 prsentent respectivement les symtries 8 et 7 et des degrs de dgnr-
1.3 Proprits des matriaux nitrures
21
escence de 4 et 2. Lcart nergtique entre les deux bandes est donn par lnergie de couplage spin-orbite so . La gure 1.3 prsente les courbes de dispersion des bandes de valence tires de la rfrence [Vurg 03]. Lorsque lon sloigne du centre de zone, les deux bandes 8 se direncient. Celle qui prsente le rayon de courbure le plus faible est appele bande de trous lourds (HH) et lautre bande de trous lgers (LH). La bande de valence 7 est note SO car elle est dcouple par linteraction spin-orbite. Dans le cas o le semi-conducteur est contraint, comme cest gnralement le cas dans les htrostructures de nitrures, la dgnrescence entre les bandes LH et HH en centre de zone est leve.
Dans le cas de la structure wurtzite du GaN (groupe ponctuel C6v ), mme avant de prendre en compte le couplage spin-orbite, labaissement de la symtrie entrane une leve de dgnrescence partielle de la bande de valence par linteraction avec le champ cristallin. Lcart nergtique entre les bandes de valence 6 (dgnrescence 4) et 1 (dgnrescence 2) est donn par lnergie cr . Linteraction spin-orbite lve la dgnrescence de la bande 6 en une bande de trous lourds (HH) 8 et de trous lgers (LH) 7 . La bande de valence dcouple par le champ cristallin (CH) devient de symtrie 7 . Les nergies de toutes les bandes en centre de zone aprs les interactions avec le champ cristallin et le couplage spin-orbite sont donnes sur la gure 1.3 en fonction de cr et de lnergie de couplage spin-orbite so . Les courbes de dispersion des bandes HH, LH et CH sont galement reprsentes. Les excitons forms partir de ces bandes de valence sont appels excitons A, B, C. Ils sont visibles en absorption dans du GaN massif (en mission seuls A et B sont visibles). Les carts nergtiques entre les bords de bande HH et LH dune part et LH et CH dautre part sont donns respectivement par EAB = 6meV et EBC = 37meV [Jain 00]. Dans AlN, cr < 0, donc CH est la bande de valence la plus haute en nergie. Lordre des bandes de valence de la plus nergtique la moins nergtique est CH, LH, HH [Chua 96], ce qui est totalement invers par rapport au GaN. Les valeurs de so et cr pour les dirents nitrures dlment III tant assez disperses, le tableau 1.4 rsume celles que conseille Vurgaftman dans la rfrence [Vurg 03].
22 Wurtzite AlN so (en meV) cr (en meV) 19 -169 GaN 17 10
Les nitrures dlments III Blende de zinc AlN 19 GaN 17
Table 1.4 Energies de couplage spin-orbite so et champ cristallin cr [Vurg 03].
1.3.2
Bande interdite
LAlN et le GaN sont des matriaux large bande interdite dont le gap correspond aux longueurs donde dans lultraviolet profond (200 nm) et ultraviolet proche (360 nm), respectivement. Les paramtres de la bande dnergie interdite de la phase hexagonale et cubique du GaN et AlN sont rsums dans le tableau 1.5. Il faut noter que lAlN cubique est un semiconducteur bande interdite indirecte [Vurg 03]. (Wz) GaN Eg,1 AlN Eg,1 (eV) (eV) 3.43 6.2 Rf. [Fout 99] Eg, [Fout 99] Eg, (eV) (eV) (Bz) Rf.
3.38, 3.1, 3.2 [Fan 96] 5.94, 6 [Fan 96]
Table 1.5 Comparaison des nergies du gap du GaN et AlN en phase hexagonale et cubique 300 K.
1.3.3
Variation du gap avec la temprature
La dpendance en temprature de la bande interdite peut tre calcule par la formule de Varshni et les coecients de Varshni et : [Vurg 03] Eg (T ) = Eg (0) T 2 ( + T ) (1.1)
Eg (0) est lnergie du gap 0K et et sont des constantes dtermines partir de mesure de photoluminescence, dabsorption ou dellipsomtrie. Le tableau 1.6 prsente les paramtres de Varshni pour lAlN et le GaN. Pour un alliage ternaire Al1x Gax N, le gap varie avec la composition x selon la loi quadratique [Vurg 03] : Eg (x) = (1 x)Eg (GaN ) + xEg (AlN ) x(1 x)b (1.2)
1.3 Proprits des matriaux nitrures Wurtzite GaN [meV/K] [K] 830 AlN 1462 Blende de zinc GaN 600 AlN 0.593 600
23
0.909 1.799 0.593
Table 1.6 Paramtres de la bande interdite du GaN et AlN. o le paramtre b, connu comme bowing parameter, reprsente la non-linarit du gap en fonction de la composition. Cette valeur varie dune publication lautre de 0.53 eV 1.5 eV [Vurg 03]. Buchheim a rapport une valeur de 0.9 eV que jutilise dans cette thse [Buch 05].
1.3.4
Potentiel de dformation
Pour quune htrostructure prsente de bonnes qualits optiques, nous verrons quil faut limiter au maximum la formation de dislocations. Il est donc prfrable que la croissance dun puits quantique de GaN/AlN, par exemple, se fasse avec continuit du paramtre de maille (on dit que la structure est pseudomorphe). En consquence le GaN qui possde un paramtre de maille suprieur celui de lAlN est en compression et lAlN proche du GaN probablement en tension. Cette dformation physique des semiconducteurs change la position des atomes, ce qui modie les niveaux dnergie des bandes dlectron et de trous. Les coecients qui relient la variation dnergie dune bande une dformation sont appels les potentiels de dformation. Ils permettent notamment de calculer lvolution du gap avec la contrainte ou encore la discontinuit des bandes de valence et de conduction aux interfaces dune htrostructure pseudomorphe. En symtrie cubique, on relie le dcalage en nergie de la bande de conduction Ec et le dcalage moyen de la bande de valence Ev d au changement relatif de volume V /V par la relation : ac,v =
xx , yy
Ec,v = V /V
Ec,v xx + yy +
(1.3)
zz
et
zz
sont les lments diagonaux du tenseur de dformation de
la forme
xx
= (d d0 )/d0 o d0 est le paramtre de maille non contraint. ac,v
sont les potentiels de dformation hydrostatique de la bande de conduction et de la bande de valence. Ce sont des paramtres diciles obtenir exp-
24
rimentalement car cest gnralement le potentiel de dformation associ au changement de gap qui est mesur. Sa dnition est donne par la relation : a = ac av (1.4)
En structure wurtzite, cause de lanisotropie du cristal il faut dnir deux potentiels de dformations acz et act pour la bande de conduction et six pour la bande de valence : D1 , D2 , ...D6 . Lexpression de lnergie des trois bandes de valence en fonction des dformations du cristal sont donnes dans les rfrences [Chua 96, Peng 05, Wall 89]. Comme les structures Wz et Bz sont identiques jusquaux deuximes voisins on a souvent recours lapproximation cubique qui revient dcrire la structure hexagonale comme la structure cubique la plus proche. Dans ce cas, lvolution des bandes est bien dcrite par les coecients habituels av , ac . Les valeurs des potentiels de dformation trouves dans la littrature sont trs disperses. On donne au tableau 1.7 les valeurs typiques des paramtres av , ac ou a pour la structure Wz ainsi que tous les potentiels de dformation des nitrures cubiques. ac (eV) GaN (Wz) AlN (Wz) GaN(Bz) AlN(Bz) -6 -9 -6.71 -4.5 0.69 4.9 av (eV) a -6.9 -9 -7.4 -9.4 Rf. [Kim 96] [Kim 96] [Vurg 03] [Vurg 03]
acz = 4.9,act = 11.3 [Vurg 03] acz = 3.4,act = 11.8 [Vurg 03]
Table 1.7 Potentiels de dformation de GaN et AlN en phase hexagonale et cubique. Le tableau 1.8 contient dautre paramtres lis aux proprits optiques et lectriques du GaN wurtzite et cubique, qui nous serviront pour les simulations aux prochains chapitres.
1.4
Polarisation
Dans un cristal contenant deux atomes de nature dirente comme Ga et N, la rpartition du nuage lectronique le long dune liaison Ga-N est dforme vers latome dazote qui est le plus lectrongatif. On peut considrer
1.4 Polarisation Paramtre

indice de rfraction
25 GaN (Wz)
n(1.55 m)=2.3 n(100 m)=3
GaN (Bz)
2.3 3 9.7
Rf.
[Frit 03]
constante dilectrique (statique) constante dilectrique (haute frquence) phonon-LO me mhh mlh mobilit lectronique (300K) (cm2 V1 s1 )
10.4(E
c)
[Bark 73, Levi 01, Frit 03]
10.4(E c) 5.8(E c) 5.3
5.35(E c) 91.2 meV 0.2m0 0.8m0 0.3m0 1400 87.3 meV 0.13m0 0.8m0 0.22m0 10000 [Levi 01] [Levi 01] [Pank 75] [Frit 03] [Levi 01]
Table 1.8 Quelques paramtres optiques et lectriques du GaN. que lazote porte alors une charge et le gallium une charge +. Lorsque le barycentre des charges ngatives et positives nest pas confondu, il y a apparition de diples lectriques microscopiques, dont la somme par unit de volume dnit la polarisation P. Si la polarisation existe indpendamment de toute contrainte, on parle de polarisation spontane Psp . Si par contre elle est induite par une dformation du cristal, il sagit dune polarisation pizolectrique Ppe . Comme le cristal est neutre, les charges positives et ngatives des diples microscopiques se compensent en volume. A la surface, par contre, la sparation des charges du dernier plan de diple nest plus compense, ce qui va faire apparatre des plans de charges de signes opposs dun ct et de lautre du cristal (voir gure 1.4). Une polarisation P, quelle que soit son origine, induit la surface du cristal une densit surfacique de charge donne par :
= P.n o n est le vecteur unitaire normal la surface.
(1.5)
Dans la phase blende de zinc de GaN, reprsente la gure 1.1(b), le cristal non contraint ne prsente pas de polarisation.
26
Figure 1.4 Schma dun cristal prsentant une polarisation macroscopique qui induit en surface lapparition de plans de charges. La structure hexagonale de GaN, ne possde pas de centre dinversion, cest dire les barycentres des charges positives (les atomes de Ga et Al) et des charges ngatives (les atomes dazote) ne concident pas dans la cellule lmentaire. Ainsi, il y a cration dun diple dans chaque maille. Ces diples sajoutent alors travers la structure pour donner lieu une polarisation macroscopique (spontane) oriente suivant la direction c [0001]. Le tableau 1.9 prsente la valeur de Psp du GaN et AlN en phase hexagonale daprs [Vurg 03]. La valeur de la polarisation spontane dans les alliages ternaires AlGaN peut tre exprimes au deuxime ordre en fonction du paramtre de composition x [Bern 01, Fior 02] :
Al Psp x Ga1x N (x) = 0.090x 0.034(1 x) + 0.019x(1 x)
(1.6)
Les deux premiers termes dans ces quations correspondent linterpolation linaire entre les composs binaires, i.e. loi de Vegard, tandis que le dernier terme est le bowing parameter dcrivant la non-linarit. Dans la phase hexagonale des nitrures la polarisation pizolectrique apparat lors de lapplication dune contrainte qui fait varier la distance entre les barycentres de charge positive et ngative dans la maille lmentaire. La polarisation macroscopique obtenue est proportionnelle la dformation :
i Ppe = j
eij
ij
(1.7)
o eij est le tenseur pizolectrique. Pour un matriau soumis une

z contrainte biaxiale dans le plan (x, y), seule la composante Ppe selon laxe
c est non nulle, elle est donne par :
1.4 Polarisation
27
z Ppe = e33
zz
+ e31 (
xx
yy )
(1.8)
avec
xx
yy
as a as
xx
zz
2C13 c33
(1.9)
o as est le paramtre de maille dans le plan du substrat, a celui du matriau pitaxi lquilibre et C13 , C33 les coecients lastiques exprims en GPa. Lexpression de la polarisation pizolectrique devient :
z Ppe = (e31
C13 e33 )2 c33
xx
(1.10)
Le tableau 1.9 donne la valeur des coecients dlasticit et des coecients pizolectriques pour GaN et AlN wurtzite. GaN Psp (C/m2 ) C13 (GPa) C33 (GPa) e31 (C/m2 ) e33 (C/m2 ) 106 389 0.35 1.27 AlN 108 373 0.5 1.79
0.029 0.081
Table 1.9 Polarisation spontane et coecient dlasticit et de pizolectricit daprs [Vurg 03]. Une description plus dtaille de la polarisation pizolectrique pour les systmes ternaires des nitrures dlments III Ax B1x N (A,B=Al, Ga, In) est donne dans les rfrences [Bern 01, Fior 02]. Il a t dmontr que, contrairement au cas de la polarisation spontane, la loi de Vegard reste valable. Elle sexprime comme suit :
A AN BN Ppex B1x N (x) = xPpe [ (x)] + (1 x)Ppe [ (x)]
(1.11)
o x est la composition de llment A.
28 Htrostructures de nitrures
La polarisation totale dans une htrostructure de nitrure en phase hexagonale scrit : P = P sp + P pe (1.12)
Dans une htrostructure, les polarisations spontane et pizolectrique sajoutent si le matriau contraint est en tension, mais elles se soustraient si le matriau est en compression comme illustr sur la gure 1.5.
Figure 1.5 Etat de la polarisation totale pour AlN/GaN pour deux tats de contraintes dirents. Dans un puits quantique de GaN/AlN wurtzite, la dirence de polarisation entre les deux matriaux nitrures va induire un plan de charge chaque interface de densit surfacique = P .n.
1.5 Thorie des transitions intersousbandes
29
1.5
1.5.1
Thorie des transitions intersousbandes

Dnition
Figure 1.6 Prol dun puits quantique form de deux matriaux de gap A et B. A gauche : transition interbande. A droite : transition intersousbande. Lorsquon fait crotre une couche nanomtrique dun semiconducteur de gap A prise en sandwich entre deux couches dun autre semiconducteur de gap B plus grand, on obtient un puits quantique. La dirence dnergie de bande interdite des deux matriaux se rpartit entre la bande de valence et la bande de conduction formant ainsi un puits de potentiel pour les lectrons ou les trous (voir gure 1.6). Lorsque lpaisseur du matriau constituant le puits est susamment faible pour que leet de taille quantique se manifeste, le mouvement des lectrons (ou des trous) dans le puits est quanti dans la direction perpendiculaire au plan des couches tout en restant libre dans le plan des couches. On parle de gaz dlectrons (ou de trous) bidimensionnel. Cette quantication unidimensionnelle de lnergie des porteurs donne lieu la formation de sousbandes dans la bande de conduction ou de valence. Lintrt majeur pour le physicien est que lon dispose, avec les puits quantiques, dune structure articielle o les eets quantiques peuvent tre facilement
30
moduls en jouant sur les paramtres de croissance.
1.5.2
Equation de Schrdinger
Pour un lectron dans le cristal lquation de Schrdinger scrit : H | = E | o lHamiltonien H scrit : p2 +V 2me (1.13)
H=
(1.14)
me dnote la masse de llectron et V le potentiel priodique associ au cristal o V (r + R) = V (r) pour tout R appartenant au rseau de Bravais. Daprs le thorme de Bloch, les tats propres de lHamiltonien un lectron, peuvent tre choisis sous forme dondes planes que multiplie une fonction ayant la priodicit du rseau de Bravais :
n,k (r) = un,k (r)exp(ik.r)
(1.15)
o un,k (r) est une fonction avec la mme priodicit que le rseau de Bravais. n correspond au numro de la bande, et k au vecteur donde dun lectron dans la premire zone de Brillouin.
1.5.3
Approximation de la fonction enveloppe
Pour une htrostructure constitue de deux matriaux A et B, lapproximation de la fonction enveloppe consiste crire la fonction donde lectronique (r) au point comme le produit de la fonction de Bloch u (r) rapidement variable lchelle de la maille lmentaire, par une fonction enveloppe fn (r) lentement variable : n (r) = fn (r)u (r) (1.16)
Cette fonction enveloppe est fonction propre du Hamiltonien eectif : H(r) = h2 2mef f (z)
2
+ Vef f (z)
(1.17)
31
Avec une nergie potentielle et une masse eective dpendant de z, la direction de croissance. Ceci repose sur lhypothse que les fonctions rapidement variables u (r) sont non seulement indpendantes de k, mais aussi les mme dans les deux matriaux A et B, uA (r) uB (r) (1.18)
Dans le puits quantique, le potentiel de lhtrostructure ne dpend que de z, linvariance cristalline tant prserve dans le plan (xOy). La fonction enveloppe scrit : 1 fn,k (r) = n (z) exp ik (1.19) S o k = (kx , ky ) est le vecteur donde dans le plans (xOy), S la surface de normalisation et correspond la projection du vecteur r sur le plan (xOy) La fonction enveloppe vrie lquation de Schrdinger une dimension (z) : h2 d2 2 + V (z) n (z) = En n (z) 2m dz Lnergie totale est alors la somme : E(n, k) = En + h2 k2 2m (1.21) (1.20)
Lquation 1.20 correspond un matriau donn (A ou B), la masse eective dpend de z. Pour obtenir la fonction donde nale il faut rsoudre cette quation dans chaque matriau et utiliser les relations de continuit linterface (z = zAB ) des fonctions donde et des courants de probabilit daprs [Bast 81]. A (zAB ) = B (zAB ) n n et 1 d A 1 d B n (zAB ) = (zAB ) (1.23) mA dz mB dz n Finalement sous cette forme lquation 1.20 vrie les relations de continuit aux interfaces : h2 d 1 d + V (z) n (z) = En n (z) 2 dz m (z) dz (1.24) (1.22)
32
1.5.4
Coecient dabsorption intersousbande
Les tats lectroniques, dans les puits quantiques sont dcrits par la mcanique quantique, mais le champ lectromagntique (de frquence et vecteur donde q) est trait classiquement. La forme de lHamiltonien dinteraction, en jauge de Coulomb, la plus utilise dans les solides est : Hint = e (A.p) m (1.25)
o A est le potentiel vecteur du champ lectrique E = A donn par : t E(r, t) = E0 ecos(q.r t) = E0 e i(q.rt) e + ei(q.rt) , 2 (1.26)
q est le vecteur de propagation, et e est le vecteur de polarisation. Dans les systmes 2D (on se place dans le cas des transitions intersousbandes ) o seulement le niveau fondamental est peupl, le taux de transition Wij depuis le niveau fondamental |i ltat nal |j sous lexcitation dun champ magntique de frquence est donn par la rgle dor de Fermi : Wif = en utilisant E =
A t
2 | f |Hint |i |2 (Ef Ei h) h et lquation 1.26 : E0 e iE0 e i(q.rt) sin(q.r t) = e + C.C., 2
(1.27)
A(r, t) =
(1.28)
A ce stade nous pouvons utiliser lapproximation dipolaire o le vecteur donde de la lumire est nglig. Pour les transitions ISB, cette condition est toujours vrie, les puits quantiques tudis dans ce manuscrit ont des paisseurs entre 1 et 10 nm, alors que les longueurs donde vises sont entre 1 et 100 m. Donc lquation 1.27 peut tre crite comme :
2 2 e2 E0 2 (1.29) 2 2 | f |e.p|i | (Ef Ei h) h 4m En utilisant lexpression des fonctions enveloppes dtermine plus haut :
Wif =
1 fn,k (r) = n (z) exp ik (1.30) S Llment de matrice f |e.p|i peut tre divis en deux parties, cause de la variation lente de la fonction enveloppe fn compare celle de la fonction de Bloch u :
33
f |e.p|i = e. u |p|u
fn |fn + e. u |u
fn |p|fn
(1.31)
Le premier terme de cette quation est non nul uniquement pour les tats issus de bandes direntes ( = ). Il donne lieu aux transitions interbandes. Les fonctions u tant orthogonales (le produit scalaire u |u transitions intersousbandes. Llment de matrice est donn par : 1 S = 1), le second terme ne couple que les tats issus de la mme bande. Il dcrit les
fn,k |e.p|fn ,k =
d3 reikr (z)[ex px + ey py + ez pz ]eik r n (z). (1.32) n
Du fait de la forme particulire des fonctions enveloppes, les intgrales selon x et y de lquation 1.32 sont nulles, seul le terme proportionnel ez est non nul. Cette rgle de slection signie que seul la composante du champ lectrique perpendiculaire au plan des couches se couple aux transitions intersousbandes. En dautres termes, le champ lectrique doit avoir une composante TM pour exciter une transition intersousbande. Donc tout le problme se rduit calculer le diple : n|pz |n = nn = dz (z)pz n (z). n (1.33)
Le coecient dabsorption est dnie comme le rapport entre lnergie absorbe par unit de volume et par unit de temps, et lnergie incidente. Pour une transition entre les sousbandes i et f , il est donn par : S (Ei Ef )2 ( .if )2 s () = (ni ns )(Ef Ei h) f 2 nc 0 h
(1.34)
Dans les puits quantiques rels, la fonction (E) de Dirac doit tre remplace par une fonction dlargissement spectral g(E) qui rete la largeur nie de la raie dabsorption. Cette fonction est introduite de manire phnomnologique. Dans les cas particuliers dlargissement purement homogne ou purement inhomogne, g(E) correspond une fonction de type Lorentzien ou Gaussien, respectivement. Elle est donne respectivement par : g(E) = h 1 (Ef Ei h)2 + ( )2 h (1.35)
34 et
(E Ei ) h 1 f ( )2 h e g(E) = h
(1.36)
avec h est la mi-largeur mi-hauteur. Pour un angle entre la direction de propagation de londe dans le matriau et la normale aux couches, nous avons ( .if ) = if sin et Ef . Donc le coecient dabsorption 1.34 est gal : 1 (Ei Ef )2 2 sin2 s if (n ns )g(Ef Ei h) f 2 L cos i nc 0 h
S
1 , Lcos
o L et lpaisseur de la rgion active et if le diple de la transition Ei vers
() =
(1.37)
Dautre part, le coecient dabsorption intersousbande de la transition Ei vers Ef est le produit de la section ecace dabsorption () par la dirence de population entre les sousbandes i et f par unit de volume, il scrit comme : (ns ns ) f i () (1.38) L daprs les quations 1.37 et 1.38 on dduit lexpression de la section () = ecace dabsorption : (Ei Ef )2 2 sin2 if () = g(Ef Ei h) (1.39) 2 cos nc 0 h Je dnis une autre quantit souvent utilise qui est la force doscillateur dcrivant la force de couplage quantique entre les sousbandes i et f : fif = 2m0 (Ef Ei ) 2 if e2 h (1.40)
donc la section ecace dabsorption scrit : () = e2 (Ei Ef ) sin2 f12 g(Ef Ei h) 2m0 nc 0 cos (1.41)
1.6
Etat de lart
La premire observation dabsorptions intersousbandes dans des puits quantiques GaN/Al0.6 Ga0.4 N labors par MOCVD date de 1997. Labsorption a t observe la longueur donde de 3-4 m [Suzu 97]. C. Gmachl et
1.6 Etat de lart
35
al. Bell-Labs rapporte en 2000 la premire observation dune absorption intersousbande dans les puits quantiques de nitrures labors par MBE dans la gamme spectrale des tlcommunications par bre optique [Gmac 00]. Depuis, des absorptions intersousbandes courte longueur donde infrarouge ont t rapportes par plusieurs quipes dans des puits quantiques GaN/AlGaN [Kish 02, Iizu 02, Helm 03], des puits coupls [Gmac 01, Dris 07] mais aussi des htrostructures laccord de maille GaN/AlInN et contrainte compense GaInN/AlInN [Nico 05, Cywi 06]. Des absorptions ISB dans le proche infrarouge a t aussi observe dans des botes quantiques GaN/AlN [Moum 03, Tche 05, Guil 06]. La gamme spectrale du proche infrarouge tait inaccessible aux dispositifs ISB base de matriaux GaAs/AlGaAs ou InGaAs/InAlAs sur InP. Elle pouvait tre couverte grce la discontinuit de potentiel en bande de conduction trs leve entre le GaN et lAlN. M. Tchernycheva et al. a montr par une tude systmatique de puits GaN/AlN dpaisseur variable que la valeur de la discontinuit de potentiel en bande de conduction tait de 1.750.05 eV [Tche 06]. Outre la possibilit daccorder la longueur donde dans le domaine tlcom, une motivation majeure pour les recherches sur les composants intersousbandes de nitrures tient leur extrme rapidit intrinsque qui permet denvisager la ralisation de dispositifs intersousbandes fonctionnant au-del du Tbit/s. Il a t montr que le temps de retour lquilibre des porteurs entre sousbandes est infrieur la picoseconde grce la forte interaction des lectrons avec les phonons optiques longitudinaux. Les temps mesurs vont de 170 370 fs 1.55 m [Hebe 02, Hama 04, Iizu 05]. Je donne dans la suite quelques exemples de composants intersousbandes base de puits quantiques de GaN/AlGaN.
1.6.1
Absorbants saturables
Labsorbant saturable utilis comme commutateur tout-optique est la premire application des transitions intersousbandes dans les nitrures. Ce composant ne demande pas une ingnierie des couches trs complexe et bncie du temps de retour lquilibre de labsorption extrmement rapide. Cela permet la fabrication de commutateurs tout-optique multi-Tbits/s. Cet axe de recherche a t fortement dvelopp par Iizuka et al. To-
36
shiba [Iizu 04, Iizu 05, Iizu 06b]. Ces auteurs ont montr une extinction de 11.5 dB pour une nergie par impulsion pompe de 100 pJ [Shim 07]. Lquipe de Roberto Paiella lUniversit de Boston a montr quen optimisant le guide donde, cest--dire, en augmentant le recouvrement modal du champ lectromagntique avec les puits quantiques, lnergie de saturation peut tre diminue 38 pJ pour une profondeur de modulation de 10 dB [Li 06a, Li 07]. Pour diminuer encore lnergie de saturation, ces auteurs travaillent sur linsertion de puits quantiques coupls dans la rgion active [Sun 05a, Li 06b, Dris 07].
1.6.2
Dtecteurs infrarouges
Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector) est un dtecteur infrarouge photoconducteur mettant en jeu des transitions intersousbandes. Labsorption dun photon incident se fait par lintermdiaire dune transition intersousbande entre le niveau fondamental et le niveau excit qui est coupl par eet tunnel aux tats du continuum par application dun champ lectrique. Llectron photo-excit donne lieu un photo-courant. Le premier QWIP base de matriaux nitrures a t ralis par lquipe de D. Hofstetter. Le pic de photo-courant a t mesur 10 K vers 1.76 m [Hofs 03]. La rponse de ce photo-dtecteur est estime 100 A/W et la dtectivit D = 2 109 cm Hz/W . Nanmoins, ce photo-dtecteur soure dun courant dobscurit gigantesque li la prsence de fuites de courant via les dislocations traversantes en grande densit. Pour pallier cette dicult, le mme quipe a propos et dmontr des dtecteurs GaN/AlN photovoltaques bas sur un processus de rectication optique [Baum 05]. La rponse de ces dispositifs reste trs modeste [Hofs 07]. Rcemment, des dtecteurs photovoltaques cascade quantique (QCD) ont t conus [Gend 04]. Lintrt de ces dispositifs est de supprimer le courant dobscurit qui limite les QWIPs. La gure 1.7 gauche montre une priode de la structure active dun QCD base de GaN/AlN. Elle contient 1 puits en GaN et 6 priodes en AlN/Al0.25 GaN de 1nm/1nm qui constitue lextracteur. Le puits quantique A est le puits actif, il est dop n. Lensemble des puits non dops B-F forme lextracteur. Sous excitation optique llectron passe de ltat fondamental ltat excit (du puits A) qui est dlocalis
1.6 Etat de lart
37
Figure 1.7 A gauche : Prol de bande dun QCD GaN/AlN. A droite : rponse en frquence du QCD. Figure tire de [Vard 08b]. dans le premier puits de lextracteur (puits B). Llectron subit une cascade de relaxation entre les puits B-F en mettant un phonon optique chaque transition. La charge est transfre sur plusieurs centaines de nanomtres en crant un photovoltage mesurable aux bornes de la structure. Loriginalit du dtecteur cascade quantique base de nitrures est quil exploite le champ lectrique interne pour raliser la cascade de niveaux spars par un phonon optique LO. Le pic de photo-courant a t observ = 1.7 m temprature ambiante, la rponse du dtecteur est de 10 mA/W (1kV/W). Lquipe de lIEF a montr que ces dtecteurs taient non seulement sensibles mais potentiellement trs rapides [Vard 08b]. La gure 1.7 droite montre la rponse en frquence dun QCD, la frquence de coupure -3 dB limite par la constante RC du dispositif atteint 11.4 GHz. En rduisant lpaisseur du puits actif 4-5 monocouches atomiques, S. Sakr lIEF a montr que le pic de photocourant pouvait tre accord = 1.5 m temprature ambiante [Sakr 10].
1.6.3
Modulateurs lectro-optiques
Plusieurs types de modulateurs lectro-optiques ont t dmontrs dans les nitrures. Le premier modulateur lectro-optique propos par lquipe de D. Hofstetter utilise le transfert de charge entre un super-rseau et un gaz dlectrons bidimensionnel form linterface entre le super-rseau et la couche infrieure de GaN [Baum 06]. Le deuxime type de modulateurs dvelopp par notre quipe lIEF
38
Figure 1.8 A gauche : Rponse en frquence dun modulateur transfert de charge pour direntes tailles de mesas. A droite : Spectres de transmission direntielle. Figure tire de [Nevo 07b].
repose sur le transfert de charge entre deux puits coupls. Les puits quantiques de GaN sont coupls par une barrire de potentiel ultramince (1nm) en AlN [Nevo 07b]. Lun des puits sert de rservoir dlectrons, lautre, le puits actif, est conu pour prsenter une transition intersousbande = 1.3 1.55 m. Sous application dune tension positive, les lectrons sont transfrs par eet tunnel du puits rservoir au puits actif et le modulateur est absorbant. Il redevient transparent en appliquant une tension ngative (gure 1.8 droite). La bande passante (-3 dB) de modulation optique limite par la constante RC atteint 3 GHz pour des mesas de 15 15 m2 [Khei 08]. Intrinsquement, le temps de rponse est extrmement court, de lordre de la picoseconde. Des frquences de coupure dpassant les 60 GHz ont t prdites par P. Holmstrm [Holm 06]. Un troisime type de modulateurs dvelopps par lquipe de lIEF repose sur le peuplement/dpeuplement des puits quantiques sous laction dun champ lectrique [Mach 09]. En insrant la rgion active compose de trois puits quantiques GaN/AlN dans un guide donde en AlGaN, nous avons montr que la profondeur de modulation = 1.55 m atteignait 13.5 dB pour une tension appliqu de 7 V.
1.6 Etat de lart
39
Figure 1.9 Luminescence intersousbande de deux super-rseaux GaN/AlN temprature ambiante [Nevo 07a].
1.6.4
Emission de lumire ISB
De nombreux travaux thoriques ont port sur la ralisation de lasers cascade quantique dans le systme GaN/AlGaN [Sun 05b, Jova 03, Bell 08]. La premire observation exprimentale de lmission intersousbande dans un super-rseau GaN/AlN, a t obtenue dans notre laboratoire par L. Nevou et al. [Nevo 06, Nevo 07a]. Les puits en GaN de 8 monocouches dpaisseur taient conus pour prsenter 3 niveaux dnergie en bande de conduction. Sous pompage optique de la transition e1 e3 980 nm, lmission e3 e2 a t observe 2.1 m (voir gure 1.9). Le mme rsultat a t obtenu plus rcemment par K. Driscoll et al. en utilisant cette fois un pompage optique impulsionnel [Dris 09]. L. Nevou au laboratoire a montr que les botes quantiques GaN/AlN donnaient lieu une mission intrabande = 1.48 m temprature ambiante par un processus Raman rsonnant [Nevo 08].
40
Chapitre 2 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires

2.1 Introduction
Dans ce chapitre je prsente une tude du connement lectronique dans les puits quantiques GaN/AlGaN en phase hexagonale pitaxis selon laxe polaire [0001]. Le connement lectronique dans ce type de structure est compliqu par la prsence du champ interne. Pour concevoir des structures dans la gamme spectrale 1-12 m, il est particulirement important de comprendre leet du champ sur le connement lectronique pour pouvoir calculer les nergies des transitions intersousbandes et interprter les rsultats exprimentaux. Notre but est de pousser les transitions intersousbandes du proche infrarouge jusqu 12 m, cest dire jusqu la bande dabsorption Reststrahlen du GaN.
42
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires
2.2
2.2.1
Etude thorique
Courbure de bande
Dans une htrostructure GaN/AlN, la dirence de polarisation entre GaN et AlN va induire un plan de charge chaque interface de densit surfacique : =P .n

(2.1)
O n est le vecteur unitaire normal la surface. P est la dirence de polarisation entre GaN et AlN. Les deux interfaces portent chacune un plan de charge de mme densit mais de signe oppos. Lquation de continuit de la composante perpendiculaire du vecteur dplacement lectrique n .(D1 D2 ) = 0 conduit la discontinuit du champ lectrique F suivante : FB FP Q = PP Q PB
0 r
P
0 r 0 r
(2.2) est la mme dans les
avec lapproximation que la constante dilectrique hexagonale

P
0 r
matriaux puits et barrire. Pour une htrostructure GaN/AlN en phase = 10 MV/cm. La discontinuit de polarisation entre GaN et AlN peut induire une courbure globale du prol de potentiel dans lchantillon. Cette courbure de bande est la cause principale de la formation dune zone de dpltion et la formation dun gaz dlectron bidimensionnel dans la structure. Cela aecte radicalement les absorptions intersousbandes. Leet de la courbure de bande est illustr sur la gure 2.1. Cette gure montre le prol de potentiel en bande de conduction et la densit lectronique calculs pour 10 priodes de multi-puits quantiques GaN/AlN dpaisseur 2nm/2nm entre deux couches tampons en GaN (A-C), en AlN (D-E), en AlN et GaN (F) et en Al0.5 GaN0.5 N (G-I). Pour les gures A, B, D, E, G, et H, les couches tampons sont non dopes. Pour les gures C et I les couches tampons sont dopes 1 1019 cm3 . Pour la gure F, seulement la couche tampon infrieure est dope. La rgion active est non dope pour les gures A, D et G. Pour les gures B, C, E, F, H, et I, les puits quantiques sont dops 5 1019 cm3 . La ligne en pointille correspond au niveau de Fermi.
2.2 Etude thorique
43
Figure 2.1 Prol de la bande de conduction et la densit lectronique calcule pour 10 priodes de puits quantiques GaN/AlN pris entre deux couches tampons en GaN (A-C), en AlN (D-E), en AlN (F) et en Al0.5 GaN0.5 N (G-I). La ligne en pointille correspond au niveau de Fermi. Dans le cas (A), le prol de potentiel est fortement perturb. On observe la formation dun gaz dlectrons 2D, entre la rgion active et la couche contact infrieure, et lapparition dune zone dpeuple linterface entre la rgion active et la couche contact suprieure. Dans le cas o la rgion active est dope (B et C), le potentiel obtenu dans la partie active se divise en deux rgions : une rgion de bande plate et une rgion forte courbure de bande. La majorit des puits quantiques se trouvent dans la premire rgion, o la chute de potentiel pour une priode est nulle, lexception des trois derniers puits situs prs de la couche de contact suprieur. Ces trois derniers puits
44
ont une nergie plus haute que le niveau de Fermi et sont donc dpeupls. En consquence ils ne participent pas labsorption intersousbande. Dans le cas des contacts en AlN non dops (D), le potentiel est fortement perturb avec une formation dun gaz dlectron 2D entre la rgion active et le contact suprieur. Lorsque la rgion active est dope (E), nous avons toujours une rgion avec une forte courbure de bande linterface avec le contact infrieur. Dans le cas o les puits et la couche tampon infrieure sont dops (F), on obtient un prol de bande plat mais avec une densit lectronique dans les puits faibles et non homognes. Cest seulement lorsque la teneur en Al des couches tampons correspond la teneur moyenne en Al du super rseau et que ces couches sont dopes (I), que nous obtenons une densit lectronique relativement homogne dans les puits, et labsence de courbure de bande. Dans ce cas, les conditions priodiques peuvent tre appliques pour calculer la distribution du champ dans les couches. En appliquant les conditions priodiques (la chute de potentiel est nulle aux bornes de chaque priode GaN/AlN), le champ lectrique est rparti dans le puits et la barrire selon les formules suivantes : FGaN = P
0 r
LAlN LAlN + LGaN
et FAlN =
P
0 r
LGaN LAlN + LGaN
(2.3)
o LGaN et LAlN dsignent respectivement, lpaisseur du puits et de la barrire.
2.2.2
Eet Stark quantique conn
La gure 2.2 prsente le prol de potentiel dun puits quantique GaN/AlN en phase cubique ( gauche) et en phase hexagonale ( droite). En labsence du champ interne et en ngligeant lnergie de liaison de lexciton, la transition interbande fondamentale dans un puits quantique se fait lnergie : Eeh = Eg + Ee1 + Eh1 (2.4)
o Ee1 et Eh1 sont les nergies de connement de ltat fondamental pour llectron et le trou, et Eg la largeur de bande interdite du GaN. La transition a donc toujours lieu une nergie suprieure celle de lnergie de la bande interdite du GaN. En prsence du champ lectrique (gure 2.2 droite), les bandes de conduction et de valence sinclinent, ce qui a pour consquence de
2.2 Etude thorique
45
Figure 2.2 Prol de potentiel dun puits quantique GaN/AlN de 3nm/3nm sans et avec champ lectrique interne (obtenu avec une structure Blende de Zinc et Wurtzite). Le carr de la fonction enveloppe de llectron et de trou sont reprsents. Les traits en pointills reprsentent les niveaux dnergies. dcaler spatialement les fonctions donde dlectron et de trou et dabaisser lnergie de la transition. Ce phnomne est appel leet Stark quantique conn. Lnergie de la transition dun puits quantique dpaisseur Lp soumis un champ F scrit : Eeh = Eg + Ee1 + Eh1 eF Lp (2.5)
o Ee1 et Eh1 reprsentent cette fois lnergie du connement de llectron et du trou dans un puits triangulaire, et e la charge de llectron.
2.2.3
Energie des transitions intersousbandes
Pour calculer les tats lectroniques, jai utilis le programme dvelopp par Maria Tchernycheva dans le cadre de sa thse. Les simulations consistent rsoudre de faon auto-cohrente les quations de Schrdinger et Poisson dans un modle de masse eective [Tche 06]. Pour prendre en compte leet de la non parabolicit de la bande de conduction du GaN, la dpendance de la masse eective en fonction de lnergie est dduite de la dispersion E(k)
46
calcule par un modle k.p 8 bandes : m (E) = 0.22 + 0.1228E + 0.021E 2 m0 (2.6)
o E est lnergie partir du bas de la bande de conduction et m0 la masse de llectron libre. La discontinuit de potentiel en bande de conduction entre GaN et AlN est prise gale 1.75 eV dans tous nos calculs, et la discontinuit de polarisation divise par les constantes dilectriques est prise gale 10 MV/cm.
P
0 r
entre GaN et AlN
Figure 2.3 Energie intersousbande E12 et E13 mesure et calcule pour un puits quantique GaN/AlN en fonction de lpaisseur du puits. Lpaisseur de la barrire est maintenue constante 3nm. La bande grise reprsente la gamme spectrale des tlcommunications par bre optique (gure tire de [Tche 06]). La gure 2.3, montre lnergie des transitions intersousbandes e12 et e13 calcules en fonction de lpaisseur du puits (courbes en traits pleins), ainsi que les valeurs exprimentales (points). Lpaisseur des barrires est maintenue constante 3 nm. Lnergie de la transition intersousbande e12 couvre la gamme spectrale des tlcommunications par bre optique (bande grise) pour des paisseurs du puits comprises entre 1 nm et 1.5 nm.
2.2 Etude thorique
47
Nous pouvons distinguer deux rgions dans la dpendance de lnergie e12 avec lpaisseur du puits. Pour Lp 1.7 nm, lnergie intersousbande diminue rapidement avec laugmentation de lpaisseur du puits, puis elle tend saturer pour Lp 1.7 nm. Pour les puits troits, cest lpaisseur du puits qui rgit lnergie de transition intersousbande e12 , le champ interne ayant peu dinuence (gure 2.4 gauche). En revanche, dans le cas des puits larges (Lp 1.7 nm), le niveau fondamental et le premier niveau excit sont conns dans le potentiel en V induit par le champ lectrique interne. Dans ce cas, cest le champ qui rgit lnergie de transition intersousbande (gure 2.4 droite).
Figure 2.4 Prol de potentiel en bande de conduction ainsi que les niveaux dnergie e1 , e2 et e3 et les fonctions donde correspondantes dans le cas dun puits troit (1.3nm) gauche, et dun puits large (2.6nm) droite.
Dans les puits larges la transition de ltat fondamental au deuxime tat excit peut avoir lieu. Cette transition est interdite dans les puits quantiques symtriques. Puisque, dans les puits quantiques des nitrures la symtrie est brise par la prsence du champ lectrique interne, cette transition devient permise. Lorsque lpaisseur du puits Lp est rduite, lnergie de la transition e13 augmente de faon monotone jusqu Lp 1.8 nm. Lorsque lpaisseur de puits Lp est infrieure 1.8 nm, le niveau excit e3 devient dlocalis dans le continuum et la force doscillateur de la transition e13 chute rapidement.
48
2.2.4
Rduction du champ interne dans les puits quantiques
Figure 2.5 Energie intersousbande e1 e2 en fonction de lpaisseur du puits calcule pour un puits quantique o lpaisseur de la barrire a t xe 2nm et pour direntes concentrations dAl dans la barrire. La bande dabsorption Reststrahlen du GaN (13-20m) est reprsente par une bande verte. Dans le but de baisser lnergie de transition intersousbande dans les puits quantiques GaN/AlN, le champ lectrique dans le puits doit tre rduit. En se basant sur lquation (2.3), le champ dans le puits peut tre baiss en utilisant des barrires en AlGaN avec une faible concentration dAluminium tout en augmentant lpaisseur du puits et en diminuant celle de la barrire. La gure 2.5 prsente le rsultat du calcul de lnergie de la transition intersousbande e12 en fonction de lpaisseur du puits et de la teneur en Aluminium dans la barrire. Lpaisseur de la barrire est maintenue xe 2 nm. La non-linarit du gap de lAlGaN a t prise gale zro dans les calculs. Comme attendu, lnergie e1 e2 diminue avec lpaisseur du puits. Elle diminue aussi paisseur de puits xe lorsque la concentration en Aluminium diminue. Pour couvrir la gamme spectrale allant du moyen infrarouge au Reststrahlen du GaN, un bon compromis est dutiliser des barrires en
2.3 Etude exprimentale
49
Alx Ga1x N avec x 0.3 et des paisseurs de puits comprises entre 4 et 8 nm.
2.3
2.3.1
Etude exprimentale
Description des chantillons
La croissance des puits quantiques GaN/AlGaN a t eectue dans le laboratoire Nanophysique et Semiconducteurs DRFMC du CEA de Grenoble par Eva Monroy et Prem Kumar Kandaswamy. Elle a t ralise par pitaxie par jets molculaires assiste par plasma dazote. La temprature du substrat a t xe 700o C, environ 20o C infrieure la temprature standard utilise pour la croissance des puits quantiques GaN/AlN [Kand 08]. Cela rduit la probabilit dinterdiusion de GaN et AlGaN. Les barrires et les puits quantiques ont t pitaxis dans des conditions riches en Ga.
Figure 2.6 Structure des chantillons. La structure des chantillons est reprsente sur la gure 2.6. La partie active est un super rseau, qui contient 40 priodes de puits quantiques GaN dops Si avec des barrires en AlGaN. Deux couches en GaN et AlGaN dpaisseur 60 nm sont dposes sur le quasi-substrat pour rduire le nombre de dislocations traversant la structure active et amliorer la qualit des couches pitaxies. Le super rseau est recouvert dune couche de 100 nm en AlGaN, la teneur en Al de cette couche est choisie soigneusement an dviter tout eet de courbure de bande d aux charges dinterfaces.
50
Figure 2.7 Transmission infrarouge dans la gamme spectrale 1 25m du substrat saphir, compare la transmission du substrat GaN/Si (ou HEMT). Les oscillations correspondent aux rsonances Fabry-Perot dans les couches GaN. Le tableau 2.1 prsente une description dtaille des dirents chantillons utiliss dans cette tude. Deux types de substrats ont t utiliss : - Le saphir : La plupart des structures destines ltude des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlGaN dans le proche infrarouge sont pitaxies sur substrat saphir qui ore une transmission de 90 100 % entre 1 et 5 m. Malheureusement le saphir prsente une extinction de sa transmission 5.5 m (voir gures 2.7). - GaN/Si (111), ce substrat ore la possibilit dobserver les absorptions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN jusqu la gamme Reststrahlen du GaN (13 m). Il sagit des couches de type HEMT de GaN/AlGaN pitaxies sur substrat Silicium (111). Le gap de transmission entre 13 et 19 m est attribue la bande Reststrahlen du GaN. Les oscillations correspondent aux rsonances Fabry-Perot dans les couches HEMT.
2.3 Etude exprimentale Echantillon Srie 1 E1744 E1743 E1742 E1741 E1740 Srie 2 Srie 3 E1818 E1816 E1820 E1816 E1826 E1980 E1979 Srie 4 E2128 E2125 E2126 E2124 Lp (nm) 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 6 7 3 3 3 3 Lb (nm) 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 3 3 3 3 Composition x(%) 100 80 60 40 20 30 30 35 30 20 10 10 20 20 20 20 Dopage (cm3 ) 5 1019 5 1019 5 1019 1 10
19
51 Substrat saphir saphir saphir GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si GaN/Si
1 1019 1 1019 1 1019 1 1019 1 1019 1 1019 1 10

19
1 1019 1 1019 5 1019 1 1020 5 10

20
Table 2.1 Structure des chantillons des sries 1, 2, 3 et 4. Notations : Lp est lpaisseur nominale des puits quantiques ; Lb est lpaisseur nominale des barrires ; x(%) est le pourcentage dAl dans la barrire. Le dopage a t introduit uniquement dans les puits quantiques.
2.3.2
Rduction des barrires
La srie 1 est un ensemble de puits quantiques GaN/AlGaN de 3 nm/3 nm et de 40 priodes pitaxies sur substrat saphir et GaN/Si (111). La teneur en Al des barrires varie de 100% pour E1744 jusqu 20% pour E1740 par pas de 20% (voir tableau 2.1).
Spectroscopie de photoluminescence de la srie 1 Jai caractris les chantillons multi-puits quantiques GaN/Alx Ga1x N par spectroscopie de photoluminescence (PL) sous excitation UV =
52
244 nm an de sonder la transition fondamentale interbande e1 h1 .
Figure 2.8 Spectres de photoluminescence 300 K des puits quantiques GaN/Alx Ga1x N de la srie 1.
Echantillon Al (%) PL (eV) FWHM (meV) Fw (MV/cm)
E1743 E1742 E1741 E1740 80 3.28 270 4 60 3.38 200 3 40 3.43 120 2 20 3.46 100 1
Table 2.2 Energie de photoluminescence de la srie 1, FWHM est la valeur de la largeur totale mi-hauteur. Fw dsigne la valeur du champ interne dans le puits. La gure 2.8 montre les spectres de la photoluminescence la temprature ambiante des puits quantiques de la srie 1. A titre de rfrence, jai report le spectre de PL du quasi substrat GaN (3.41 eV). Lorsque la concentration en Al diminue de 80% 20%, le pic de photoluminescence se dplace progressivement vers le bleu. Pour lchantillon E1743
53
(80%) lnergie de PL est infrieure de 130 meV celle de la luminescence du bord de bande du GaN. Pour lchantillon E1742 (60%), elle est trs proche de cette dernire et elle passe au dessus du gap de GaN pour E1741 et E1740 (40% et 20% respectivement). Ce phnomne est d la rduction de leet Stark quantique conn. Lorsque la teneur en Al diminue, la valeur du champ interne diminue dans le puits, cela pousse le niveau fondamental e1 (h1 ) vers les hautes (basses) nergies, ce qui explique laugmentation de lnergie de PL en diminuant la teneur en Al dans les barrires. Le tableau 2.2 rsume les valeurs de PL, llargissement spectral et la valeur du champ interne dans le puits pour chaque chantillon. La largeur totale mi-hauteur augmente avec la teneur en Al. Cet eet est li la uctuation de lpaisseur du puits dune monocouche. En eet, dans le cas de E1740 (20%), la valeur du champ interne dans le puits est de 1 MV/cm soit 10 mV/. Nous avons vu que le champ contribue lnergie de PL comme -eFL. Eeh = Eg + Ee1 + Eh1 eF Lp (2.7)
La variation de lpaisseur du puits (Lp ) dune monocouche atomique ( 2.6 ) induit une variation de lnergie de lmission de 52 meV dans ce cas. Plus la concentration dAl augmente dans les barrires, plus le champ interne dans le puits augmente. Pour E1743 (80%), la variation de lpaisseur du puits dune monocouche modie lnergie de la PL de 200 meV, ce qui explique laugmentation de llargissement avec la concentration dAl dans les barrires. Dautre part, la gure 2.9 prsente le prol de potentiel dun puits quantique GaN/Alx Ga1x N de 3nm/3nm (x = 0.2 droite et x = 1 gauche), avec les fonctions donde de llectron e et du trou t . Pour une valeur leve du champ interne dans le puits (gure 2.9 gauche), les fonctions donde de llectron et du trou sont spares spatialement ce qui diminue leur recouvrement et rduit considrablement lecacit de recombinaison radiative. Cela explique le fait que le signal de photoluminescence diminue dans le cas des barrires forte concentration dAl (E1743), jusqu sa disparition pour E1744 (100%). Lnergie de la PL est gouverne par deux eets opposs. En eet, dune part la rduction de la teneur en Al dans les barrires dcale lnergie de la transition e1 h1 vers le rouge. Dautre part, les niveaux fondamentaux e1 et
54
Figure
2.9
Prol
de
potentiel
dun
puits
quantique
GaN/Al0.2 Ga0.8 N droite et GaN/AlN gauche de 3nm/3nm dpaisseur.
Figure 2.10 Evolution de lnergie de PL des puits quantiques GaN/Alx Ga1x N de 3nm/3nm en fonction de la teneur dAl dans les barrires daprs les rsultats de mesures obtenus pour la srie 1. La courbe en trait plein est un guide pour les yeux.
h1 sont conns dans la partie triangulaire du puits quantique, la rduction de la teneur en Al dans les barrires diminue la valeur du champ interne dans le puits, ce qui conduit un dcalage vers le bleu de la transition e1 h1 .
55
Dans le cas de la srie 1 (voir gure 2.10), lnergie de la transition e1 h1 est inuenc plus par le deuxime eet que le premier. Spectroscopie intersousbande de la srie 1
Figure 2.11 Spectres dabsorption intersousbande en polarisation p mesurs pour des super rseaux GaN/AlGaN de 3nm/3nm avec des concentrations dAl allant de 1 0.2 par pas de 0.2. Les mesures ont t ralises 300K. Comme discut au chapitre 1, le champ lectrique doit avoir une composante TM (ou p) pour exciter une transition intersousbande. Labsorption intersousbande des puits quantiques GaN/Alx Ga1x N a t mesure dans le proche et moyen infrarouge en spectroscopie infrarouge laide de linterfromtre transforme de Fourier Nicolet Nexus 870. La gure 2.11 prsente les spectres dabsorption intersousbande de la srie 1 en polarisation p. Lorsque la teneur en Al dans les barrires diminue de 100% 20%, lnergie dabsorption intersousbande se dplace vers le rouge. Ces absorptions visibles uniquement en polarisation p sont attribues la transition intersousbande e1 e2 dans les puits quantiques. Lnergie de la transition e1 e2 et la largeur totale mi-hauteur pour chaque chantillon sont rsumes dans le tableau 2.3.
56
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires Echantillon E1744 E1743 E1742 E1741 E1740 Teneur en Aluminium 1 0.8 0.6 0.4 0.2 e1 e2 meV (m) 580 (2.13) 433 (2.86) 390 (3.18) 317 (3.9) 240 (5.16) FWHM meV 105 104 118 106 90
Table 2.3 Energies des pics dabsorption intersousbande e1 e2 de la srie 1. FWHM est la largeur totale mi-hauteur correspondantes. La gure 2.12 prsente lvolution de lnergie intersousbande e1 e2 en fonction de la teneur en Al dans les barrires. Les points rouges reprsentent les valeurs mesures et la ligne continue montre les rsultats de calcul. Les rsultats numriques sont en trs bon accord avec les rsultats exprimentaux.
Figure 2.12 Energie intersousbande e1 e2 calcule et mesure dans le cas des puits quantiques GaN/Alx Ga1x N de 3nm/3nm en fonction de la teneur en Al dans les barrires. Contrairement la dpendance de lnergie intersousbande en fonction de la concentration dAl pour un puits sans champ interne (qui ressemble une fonction log), on remarque sur la gure 2.12 une dpendance quasi linaire. Cela est d au connement des deux niveaux e1 et e2 dans la partie
57
triangulaire du puits quantique. La diminution de la teneur en Al dans les barrires, rduit la valeur du champ interne dans le puits, de faon linaire, et aecte ainsi les deux niveaux de la mme faon. Elargissement de raie intersousbande
Figure 2.13 A gauche : Absorption intersousbande des puits troits ajuste par deux fonctions Lorenziennes. A droite : Absorption intersousbande de E1740 ajuste par une fonction Gaussienne. Les traits discontinus reprsentent lnergie ISB calcule pour Lp 1MC. Dans le cas des puits GaN/AlN avec un paisseur de puits infrieure ou gale 2 nm, la uctuation dune monocouche de lpaisseur du puits dcale la transition intersousbande dune nergie ( 50 meV) suprieure la largeur spectrale de la transition. Cela se traduit par lobservation de raies dabsorptions intersousbandes distinctes propres chaque paisseur de puits quantique et ayant un largissement homogne de 40 meV (gure 2.13 gauche). Dans le cas de de la srie 1, llargissement des spectres ISB ne peut pas tre expliqu seulement par la uctuation dune monocouche de lpaisseur du puits. Par exemple, pour lchantillon E1740 (gure 2.13 droite), la uctuation dune monocouche sur lpaisseur du puits dcale lnergie ISB de 22 meV alors que llargissement total est de 90 meV. Limpact de linteraction lectron-rugosit dinterface, lectron-lectron, lectron-phonon et lectron-impuret sur llargissement des spectres dab-
58
sorption intersousbande a t tudi thoriquement, puis valid exprimentalement sur un simple puits quantiques GaAs/AlAs [Unum 01, Unum 03]. Cette tude rvle que linteraction lectron-rugosit dinterface est le facteur le plus important sur llargissement des raies intersousbandes, ce qui est probablement le cas pour la srie 1.
2.3.3
Inuence de lpaisseur des puits
Cette section prsente les rsultats de mesures spectroscopiques obtenus pour les chantillons de la srie 2 (voir tableau 2.1). Ces chantillons ont la mme teneur en Al dans les barrires Al0.3 Ga0.7 N, mais des paisseurs de puits direntes 3 nm et 5 nm. Spectroscopie de photoluminescence de la srie 2
Figure 2.14 Spectre de photoluminescence de lchantillon E1816 et E1818 300K. La gure 2.14 montre les spectres de photoluminescence des chantillons E1816 et E1818 300K. Les oscillations basse nergie sont dues aux interfrences Fabry-Perot. Les deux spectres sont presque confondus, bien que les puits aient des paisseurs direntes : 5 nm et 3 nm. La gure 2.15 montre le prol de potentiel en bande de conduction et en bande de valence avec les niveaux fondamentaux et le carr des fonctions
59
enveloppes de ltat fondamental des deux chantillons. Le dcalage du niveau fondamental e1 (h1 ) vers les basses (hautes) nergies en augmentant lpaisseur du puits est compens par la baisse de la valeur du champ interne dans le puits ce qui le pousse vers les hautes (basses) nergies.
Figure 2.15 Prol de potentiel en bande de conduction et valence de lchantillon E1816 (en rouge) et E1818 (en noire) avec les niveaux fondamentaux et le carr des fonctions denveloppes correspondantes.
Spectroscopie intersousbande de la srie 2 Les deux chantillons ont t analyss par mesure de transmission directe, mais aucune trace dabsorption polarise na t dtecte probablement
60
cause dun dopage trop faible des puits quantiques. Lorsque la concentration de porteurs dans la bande de conduction est insusante, les absorptions intersousbandes peuvent tre tudies en utilisant la technique dabsorption photo-induite [Juli 97]. Cette technique consiste exciter optiquement les lectrons partir de la bande de valence et mesurer la variation de la transmission sous leet du pompage optique interbande.
Figure 2.16 Spectres dabsorption photo induite 300K en conguration zigzag de E1818 et E1816 en polarisation p et s. Les spectres en polarisation p ont t ajusts par une fonction Gaussienne. La gure 2.16 montre les spectres dabsorption photo-induite des chantillons E1818 et E1816 en polarisation p et s. Pour E1818, une absorption intersousbande est prsente en polarisation p 281 meV (4.4 m). En polarisation s, on retrouve des rsonances Fabry-Perot venant des couches HEMT. Ces oscillations correspondent une paisseur de 3 m . Lchantillon E1816, montre une absorption intersousbande 203 meV (6.1 m). Les rsultats obtenus sur la srie 1 et 2 montrent que le champ interne dans le puits peut tre rduit soit en diminuant que la teneur en Al dans les barrires (srie 1), soit en augmentant que lpaisseur du puits (srie 2). Nanmoins la longueur donde de la transition e1 e2 maximale obtenue est de 6.1 m. Pour aller au-del de 6 m il faut encore rduire la hauteur des barrires toute en augmentant lpaisseur du puits.
61
2.3.4
Accordabilit des transitions intersousbandes jusqu la bande Reststrahlen
Pour pousser la longueur donde de la transition e1 e2 au-del de 6 m, jai utilis des barrires en Alx Ga1x N avec x 0.3 et des paisseurs de puits suprieures 5 nm, en accord avec les simulations prsentes dans la section 2.2.4. Cette section prsente les rsultats de mesures de la PL et de transmission infrarouge que jai obtenus pour la srie 3 (voir tableau 2.1). Spectroscopie de photoluminescence de la srie 3
Figure 2.17 Spectres de photoluminescence 300K des chantillons de la srie 3. La gure 2.17 prsente les spectres de photoluminescence de la srie 3 300 K. Pour les chantillons E1820 et E1826 (35% et 20% respectivement), le
62
pic de la transition e1 h1 est au-dessus de lnergie du gap du GaN massif (prsent dans le quasi-substrat est reprsent par le trait en pointill sur la gure 2.17). Plus la teneur en Al diminue, plus lnergie de la transition se dcale vers le rouge. Cela pourrait sembler contradictoire avec les rsultats de PL obtenus pour la srie 1, o nous avons observ un dcalage vers le bleu lorsquon rduit la teneur en Al (voir gure 2.8). En fait, lorsque lpaisseur du puits dpasse une paisseur critique (Lcritique ), le niveau fondamental e1 p (h1 ) est plus inuenc par la rduction de la discontinuit de potentiel en bande de conduction (valence) (dcalage vers le rouge), que par la diminution du champ interne dans le puits (dcalage vers le bleu). La variation de la valeur du champ interne dans le puits tait ngligeable par rapport la variation de la discontinuit de potentiel. Spectroscopie intersousbande de la srie 3
Figure 2.18 Spectres dabsorption intersousbande dans la gamme spectrale 4 12m en polarisation p de la srie 3. La gure 2.18 montre les spectres dabsorption en polarisation p des chantillons de la srie 3. Ces absorptions sont attribues la transition
63
intersousbande e1 e2 . Cette dernire peut tre accorde dans la gamme spectrale 4 - 12 m en utilisant des barrires en AlGaN avec des concentrations dAl allant de 35% 10% et des paisseurs des puits allant de 5 7 nm. La valeur de lnergie intersousbande mesure ainsi que la valeur de la largeur totale mi-hauteur sont rsumes dans le tableau 2.4. La largeur totale mi-hauteur des spectres dcrot avec lnergie. Mais le facteur de llargissement / reste constant, il est compris entre 25% et 27%. Il est trois fois plus grand que dans les puits quantiques GaN/AlN dans le proche infrarouge ( 7 10%). Echantillon e1 e2 (meV) FWHM (meV) E1820 E1826 E1980 E1979 215 52 188 45 160 38 136 37
Table 2.4 Energie de la transition intersousbande e1 e2 ainsi que la largeur totale mi-hauteur de la srie 3. La valeur de la transition ISB mesure semble plus leve compar aux simulations prsentes sur la gure 2.5. En eet, ces calculs ont t eectus sans tenir en compte de leet du dopage, cela tend sous-estimer lnergie de la transition intersousbande e1 e2 surtout plus basse nergie. Le dcalage vers le bleu des valeurs exprimentales est d essentiellement aux eets N corps. Dans la section suivante nous allons tudier les eets majeurs du dopage sur les transitions interbandes et intersousbandes an de comprendre son eet sur le connement lectronique dans les puits quantiques GaN/AlGaN.
2.3.5
Eet de la concentration de porteurs
Spectroscopie de photoluminescence de la srie 4 Pour comprendre les eets dus la concentration de porteurs, nous avons tudi une srie de super rseaux GaN/Al0.2 Ga0.8 N dpaisseur 3nm/3nm avec un dopage nominal dans les puits de 1 1019 cm3 , 5 1019 cm3 , 1 1020 cm3 , et 5 1020 cm3 (voir srie 4 tableau 2.1). En supposant que les impurets dopantes soient toutes ionises, la concentration surfacique en lectrons est n2D = 31012 cm2 , 1.51013 cm2 , 31013 cm2 , 1.51014 cm2 .
64
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires La gure 2.19 prsente les spectres de photoluminescence 300 K des
chantillons de la srie 4. Le tableau 2.5 rsume la valeur de lnergie de la photoluminescence ainsi que celle de la largeur totale mi-hauteur.
Figure 2.19 Photoluminescence 300K des puits quantiques GaN/Al0.2 Ga0.8 N de 3nm/3nm (voir srie 4 tableau 2.1).
Echantillon Dopage n2D cm2 Photoluminescence (eV) FWHM (meV)
E2128 3 1012 3.44 85
E2125 1.5 1013 3.44 96
E2126 3 1013 3.449 109
E2124 1.5 1014 3.49 176
Table 2.5 Energie de la photoluminescence de la srie 4, FWHM est la largeur totale mi-hauteur. Lorsque la densit lectronique augmente dans les puits, lnergie de la PL se dcale progressivement vers le bleu. Les deux chantillons moins dops
65
E2128 et E2125 ont la mme nergie de PL. En revanche celle des chantillons les plus dops E2126 et E2124 prsente un dcalage de 10 meV et 50 meV vers le bleu par rapport la PL de E2128 et E2125. Le dcalage vers le bleu de lnergie de la PL avec le dopage est d essentiellement lcrantage du champ interne par les porteurs. La largeur totale mi-hauteur augmente aussi avec le dopage. En eet, lorsque la densit des lectrons augmente dans les puits quantiques, le niveau de Fermi se dcale vers les hautes nergies, dans ce cas les transitions de bord de bande ( une nergie lgrement suprieure) entre en jeu. Le pic 3.6 eV correspond la photoluminescence de la couche dAl0.1 Ga0.9 N situe la surface. Ce pic steint progressivement avec laugmentation du dopage, il est masqu par la luminescence des puits quantiques. Dans lhypothse o lcrantage du champ est le principal mcanisme responsable du dcalage de lnergie de la PL, lcart entre lnergie de la PL de E2128 et E2124 de 50 meV correspond une diminution du champ interne dans les puits de 0.2 MV/cm. Cette valeur correspond 20% du champ interne dans le puits. Lcrantage du champ interne peut aussi tre induit par les porteurs photo gnrs sous excitation intense [Bige 00]. Jai eectu des mesures de photoluminescence en fonction de lintensit de pompage pour lchantillon le moins dop E2128 et le plus dop E2124 (voir gure 2.20). Dans le cas de lchantillon E2128 (gure 2.20 gauche) lnergie de la PL se dcale de 36.7 meV vers le bleu en augmentant la densit dexcitation de 39 400 mW/cm2 . Cette quantit correspond une diminution du champ interne de 0.12 MV/cm (12% de la valeur du champ totale dans le puits). Dans le cas de lchantillon E2124 le spectre de photoluminescence reste inchang 3.49 eV. Ceci indique que le champ est dj crant cause du niveau de dopage trs lev. Spectroscopie intersousbande de la srie 4 Les mesures infrarouges ont t ralises 300K et en conguration multipassage pour tous les chantillons. La gure 2.21 montre les spectres de transmission intersousbande en polarisation p et s de la srie 4. La transition intersousbande e1 e2 se dcale vers le bleu avec un accrossement de la largeur totale mi-hauteur en augmentant le dopage, ces valeurs sont rsumes dans le tableau 2.6. La transition ISB e1 e2 se dcale
66
Figure 2.20 Spectres de photoluminescence 300K en fonction de la puissance injecte de lchantillon dop 1.1019 cm3 ( gauche) et celui dop 5.1020 cm3 ( droite) pour une densit dexcitation croissante de 39 400 mW/cm2 . de 60 meV vers le bleu en augmentant le dopage surfacique de 3 1012 cm2 3 1013 cm2 . Pour lchantillon E2124 dop n2D = 1.5 1014 cm2 le dcalage atteint 226meV. Cet eet est d essentiellement aux eets N corps, et notamment lcrantage par les plasmons (depolarization shift) [Guo 09]. En plus, ces niveaux de dopage (1.5 1014 cm2 ) toutes les sousbandes deviennent remplies et on sonde la fois la contribution de toutes les transitions intersousbandes e1 e2 , e1 e3 et e2 e3 . Les eets N corps modient fortement lnergie de la transition ISB dans le cas des puits quantiques fortement dops. Il faut donc en tenir compte dans les calculs. Dans la suite je prsente un bref aperu des dirents eets existants. Echantillon e1 e2 (meV) FWHM (meV) E2128 214 48 E2125 1.5 1013 250 104 E2126 3 1013 269 116 E2124 1.5 1014 440 205
Dopage (cm2 ) 3 1012
Table 2.6 Energie intersousbande e1 e2 mesure de la srie 4 ainsi que la valeur de la largeur totale mi-hauteur. Lcrantage par les plasmons : Lorsque la densit de porteurs dans
67
Figure 2.21 Spectres de transmission intersousbande de la srie 4 en polarisation p et s. un puits quantique est importante, labsorption intersousbande ne peut plus tre considre comme une transition une particule. Londe lectromagntique induit une excitation collective du plasma dlectrons de la sousbande fondamentale. Cette oscillation collective des porteurs induit un dcalage vers le bleu de lnergie de la transition par rapport la valeur trouve dans le modle une particule [Alle 93]. Cet eet est appel lcrantage par les plasmons (depolarization shift). La modication de lnergie de la transition dans le modle deux niveaux est dcrite par la formule [Alle 93] : depol E12 = E12 1 + o est donn par (2.8)
68
avec E12
z 2e2 ns dz dz 1 (z )2 (z ) 0 r E12 est lnergie de transition intersousbande.
(2.9)
La valeur de la correction augmente linairement avec la densit surfacique de porteurs ns . Linteraction excitonique : La signication physique de ce terme est linteraction Coulombienne entre un lectron excit et le quasi-trou quil laisse dans la sousbande fondamentale. Il en rsulte un dcalage vers les basses nergies de la transition intersousbande, qui devient
excit E12 = E12 1
(2.10)
Le dcalage excitonique est dni par [Blos 89] : 2ns Vxc [n(z)] = dz |1 (z)|2 |2 (z)|2 . (2.11) E12 n(z) est le potentiel dchange-corrlation introduit par Kohn et Sham
avec Vxc
[Kohn 65]. La correction totale due la nature collective de lexcitation est donne par :
collectif E12 = E12 1 +
(2.12)
Linteraction dchange : Le principe de Pauli se traduit par une rpulsion entre les lectrons de mme spin. Cette interaction a pour eet de baisser lnergie des sousbandes fortement peuples (surtout la sousbande fondamentale) et donc daugmenter lnergie de la transition intersousbande. Cet eet peut tre pris en compte par lintroduction du terme dchange dans lquation de Schrdinger. LHamiltonien dans ce cas est crit sous la forme [Guo 09] : H=p 1 p + Vpq (z) + VH (z) + Vxc (z). 2m (z) (2.13)
o m est la masse eective de llectron, p est loprateur du moment, Vpq est le potentiel de connement dans le puits quantique, VH est le potentiel dHartree, et Vxc est le potentiel dchange. Sa valeur est donne par [Gunn 76] : e2 9 4 2 aB rs (z) 4
1/3
Vxc (z) =
1 + 0.0545rs (z)ln 1 +
11.4 rs (z)
(2.14)
69
1/3
o aB = h2 /e2 m (z) est le rayon de Bohr eectif, et rs = {(3/4)[a3 e (z)]1 } B Somme de toutes les corrections
Figure 2.22 Energie intersousbande E12 en fonction de la concentration surfacique de porteurs calcule 300K. Courbe avec des carrs noirs : leet dcrantage du champ par des porteurs (solution des quations de Schrdinger et Poisson), courbe avec des points gris : correction due linteraction dchange, courbe avec des triangles verts : dcalage excitonique, courbe avec des points bleus : crantage par les plasmons, courbe carrs rouges : somme de toutes les contributions. Les direntes corrections dcrites ci-dessus ont t calcules sparment. La gure 2.22 montre lnergie de la transition intersousbande E12 calcule en fonction de la densit surfacique de porteurs dans le puits en tenant compte de chaque correction sparment et de toutes les corrections ensemble. Le calcul est excut T= 300 K et pour un puits de largeur 7 nm et des barrires en Al0.1 Ga0.9 N de 4nm, le puits est dop avec une concentration qui varie entre 0 et 7 1012 cm2 . Lnergie E12 , obtenue en rsolvant les quations de Schrdinger et de Poisson sans introduire de corrections dues aux eets N corps (prsente avec des carrs noirs), dcroit avec le dopage.
70
Cette tendance est due lcrantage du champ interne dans le puits par les porteurs. La correction due linteraction dchange et au dcalage excitonique (prsente avec des points gris et triangles verts) rduit E12 , mais cet eet est compens par lcrantage par les plasmons (points bleus) qui est la correction la plus forte. Cette correction dcale la transition E12 de 50 meV pour une concentration de porteurs varie de 0 7 1012 cm2 . Le rsultat de tous les eets N corps (carrs rouges) montre que lnergie E12 varie peu avec le dopage jusqu une concentration de porteurs de 7 1012 cm2 . Nanmoins, aux concentrations plus leves, lcrantage par les plasmons lemporte sur les autres eets n-corps et conduit une augmentation importante de lnergie E12 . Les eets N corps ont un eet majeur sur les transitions intersousbandes basse nergie, et ils doivent tre pris en compte pour la conception des structures.
2.4 Conclusion
71
2.4
Conclusion
Jai mis en vidence les absorptions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlGaN dans la gamme spectrale 1 12 m. Les spectres dabsorption intersousbande sont reprsents sur la gure 2.23.
Figure 2.23 Spectres dabsorption intersousbande dans la gamme spectrale 114 m en polarisation p mesurs pour des super rseaux GaN/AlGaN pour des concentrations dAl allant de 100% 10% et des paisseurs de puits comprises entre 3 et 7 nm. La bande Reststrahlen du GaN et la gamme des tlcommunications par bre optique sont reprsentes. Pour des puits GaN/AlN dpaisseurs suprieures 2 nm, les niveaux dnergie e1 et e2 sont conns par le champ triangulaire en V. La valeur du champ interne peut atteindre 10 MV/cm dans le puits. La rduction de lnergie de transition intersousbande e1 e2 ncessite dsormais la rduction de la valeur du champ interne dans le puits, soit en diminuant la teneur en Al, soit en augmentant lpaisseur du puits et rduisant celle de la barrire. Pour pousser lnergie des transitions intersousbandes au del de 6m, il faut
72
que la valeur du champ interne dans le puits soit infrieure 1 MV/cm. Pour cela, le jeu de paramtres optimal est obtenu pour des barrires en Alx Ga1x N avec x 0.3, et des paisseurs de puits comprises entre 5 et 10 nm. Le facteur de llargissement intersousbande / des puits GaN/AlGaN est autour de 25% dans le moyen infrarouge. Il est trois fois plus grand que celui des puits quantiques GaN/AlN dans le proche infrarouge ( 7 10%). A fort dopage, les interactions N corps dcale la transition e1 e2 vers le bleu. Le dcalage est plus important lorsque lnergie de la transition e1 e2 est faible.
Chapitre 3 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN semipolaires
3.1
Introduction
La structure la plus stable des nitrures est la structure wurtzite. Elle est caractrise par la prsence dune polarisation spontane et pizolectrique le long de laxe c. Pour les htrostructures de nitrures pitaxies selon laxe c, la discontinuit de polarisation entre le GaN et lAlN rsulte en un champ lectrique trs lev dans les couches [Bern 98]. Dans le cas des transitions interbandes, celui-ci baisse lecacit des recombinaisons radiatives et dcale les raies dmission vers le rouge. Pour les transitions intersousbandes, le champ interne conne les porteurs dans les puits quantiques larges et limite la longueur donde des transitions ISB dans le moyen infrarouge. Leet de la polarisation pourrait tre limin par la croissance des couches sur des surfaces non-polaires plan-a (1120) ou plan-m (1010). La gure 3.1 montre la phase hexagonale du GaN ainsi que les plans non-polaires a et m. Malheureusement, la croissance du GaN sur ces surfaces non-polaires est rendue dicile cause de lanisotropie des proprits de ces surfaces. Cela conduit des couches contenant de trs fortes densits de dfauts cristallins. Une approche alternative consiste raliser la croissance selon les plans semipolaires. La gure 3.2 montre un exemple de trois plans semipolaires (10 11),
74
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN semipolaires
Figure 3.1 Structure cristalline du GaN en phase hexagonale. Les sphres grises (bleues) reprsentent les atomes de Gallium (Azote). Les plans non-polaires a (11 et m (10 sont reprsents. 20) 10) (10 et (11 13) 22).
Figure 3.2 Exemple de trois plans semipolaires du GaN. La projection de la polarisation oriente selon laxe c sur des axes semipolaires nest pas nulle comme dans le cas des plans a et m. Nanmoins, la discontinuit de polarisation est fortement rduite compare au cas de la croissance suivant laxe c. Elle peut mme sannuler suivant le signe de la contrainte [Laho 08a]. Ceci prsente un grand intrt pour la ralisation des DELs de haute performance [Guhn 08, Sato 08, Funa 06, Chak, Kami 05]. Choix du plan (11 22)
3.1 Introduction
75
En gnral, la croissance du GaN semipolaire (ou AlN) sur le substrat saphir (dsaccord de maille avec le GaN 14%) donne un polycristal avec direntes orientations cristallographiques. Si une seule orientation est assez stable, il est possible de trouver des conditions de croissance pour obtenir un monocristal, avec une seule orientation cristallographique, ce qui est le cas du plan (11 lors de la croissance du GaN (ou AlN) semipolaire. 22)
Figure 3.3 Changement de base des coordonnes de (x, y, z) (x , y , z ). Pour comprendre linclinaison du plan semipolaire (1122) par rapport au plan polaire (0001), nous associons deux bases de coordonnes (x, y, z) et (x , y , z ) aux plans polaires et semipolaires respectivement (voir gure 3.3). Les axes x et y sont dans le plan (0001), quant laxe z , il est parallle laxe [0001] qui est laxe de croissance des couches polaires. Les axes x et y sont dans le plan (11 et laxe z reprsente laxe de croissance des couches 22) semipolaires. Langle entre les axes z et z vaut = 58o avec x x [Roma 06]. Ce chapitre prsente une tude des proprits optiques interbandes et intersousbandes des puits quantiques semipolaires (11 labors par pitaxie 22) par jets molculaires assiste par plasma dazote. Dans ce type de structure la transition interbande e1 h1 est fortement dcale vers le bleu par rapport aux puits polaires (0001), quant la transition intersousbande e1 e2 est dcale vers le rouge. Cela est d la rduction du champ lectrique interne dans les puits. Ceci permet daccorder la longueur donde des transitions ISB dans le moyen infrarouge en changeant uniquement lpaisseur des puits. Dans ce chapitre je commence par prsenter une tude thorique du connement lectronique dans les puits semipolaires. Je donne ensuite un aperu
76
rapide sur la technique de fabrication des puits quantiques semipolaires avec une description de la structure des chantillons tudis. La dernire section est consacre aux mesures de photoluminescence et dabsorption intersousbande.
3.2 Simulation du connement lectronique
77
3.2
Simulation du connement lectronique
Nous avons vu dans le chapitre 2 que dans un puits quantique GaN/AlN polaire le champ lectrique est rparti dans le puits et la barrire selon les formules suivantes : FGaN = P
0 r
LAlN LAlN + LGaN
et FAlN =
P
0 r
LGaN LAlN + LGaN
(3.1)
La discontinuit de polarisation P linterface GaN/AlN dans le cas des puits semipolaires est la somme de la projection de la polarisation spontane sur laxe semipolaire z (voir gure 3.3), et de la composante pizolectrique (selon z ) :
sp sp P = Pz = (PGaN PAlN )cos + Pzpz
(3.2)
est langle entre les axes z et z . Psp et Psp sont les composantes GaN AlN de la polarisation spontane du GaN et AlN selon laxe polaire c. Ppz est la z composante de la polarisation pizolectrique selon laxe semipolaire z . Grce aux rgles de symtrie intrinsques la maille wurtzite, les lments non-nuls du tenseur de contrainte dans la base (x,y,z) sont :
xx
yy
as a as
xx
zz
2c13 c33
(3.3)
o as est le paramtre de maille dans le plan du substrat, a est celui du matriau de la couche pitaxie lquilibre et c13 , c33 les coecients lastiques exprims en GPa. Dans le cas semipolaire, la distribution des coecients lastiques est anisotrope dans le plan. En gnral, le dsaccord de maille selon les axes x et y (
m1
et
m2
respectivement) est dirent. Roma-
nov et al. [Roma 06] ont calcul les lments du tenseur de contrainte dans la base (x , y , z ) illustrs sur la gure 3.3 :
xx y y z z
m1
= =
(B41 (B31
m1
+ B42 + B32
m1
y z
(B31 m1 + B32 A31 A42 A32 A41 m2 )A41 (B41 m1 + B42 A31 A42 A32 A41
m2 )A32
= m2 m2 )A42
m2 )A32
78
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN semipolaires avec :
A41
A32 1 = ((C11 C13 )sin2 + 2C44 )cos(2) + (C13 C33 )cos2 )sin(2) 2 C11 + C33 A42 = ( C13 )sin2 (2) + 2C44 cos2 (2) 2 B31 = C12 sin2 + C13 cos2 C11 + C33 B32 = C13 (sin4 + cos4 ) + ( C44 )sin2 (2) 4 C12 C13 B41 = sin(2) 2 1 B42 = (C11 cos2 (C13 + 2C44 )cos(2) C33 sin2 )sin(2) 2
1 A31 = C11 sin4 + ( C13 + C44 )sin2 (2) + C33 cos4 2 2 = (C11 sin + (C13 + 2C44 )cos(2) C33 cos2 )sin(2)
Le tableau 3.1 rsume les valeurs de Aij et Bij calculs pour le GaN (11 22) et lAlN (11 o nous dduisons les valeurs de i j . 22), Finalement, les lments du tenseur de contrainte dans le cas semipolaire sont donns par :
xx yy zz yz
xx
= = =
y y y y y y
cos2 + sin2 + cos2 +
z z z z z z
sin2 + cos2 sin2 +
y z y z y z
sin2 sin2 sin2
Le tableau 3.2, rsume les valeurs de ij calcules pour AlN(11 et 22) GaN(1122) pitaxis sur saphir, et pour GaN(11 pitaxi sur AlN(11 22) 22). Pour les simulations de la structure de bande jai utilis le logiciel Nextnano3 . Lavantage de ce logiciel, est quil peut rsoudre lquation de Schrdinger non seulement selon laxe c, mais aussi selon les axes semipolaires et non-polaires tout en prenant en compte les polarisations spontane et pizolectrique selon laxe de croissance. Jai utilis les coecients lastiques cits ci-dessus, pour le calcul du connement lectronique dans les puits quantiques semipolaires. La gure 3.4 prsente le prol de potentiel en bande de conduction dun puits quantique GaN/AlN (3nm/3nm) polaire et semipolaire. Le calcul est eectu dans les cas o le puits quantique est contraint sur GaN ou sur AlN.
3.2 Simulation du connement lectronique Paramtres (GPa) AlN(1122) GaN(11 22) A31 A32 A41 A42 B31 B32 B41 B42 371 27.9 13.9 268 129 126 13 -3.6 340 20.5 10.2 264 126 140 14.3 -27.2
79
Table 3.1 Les valeurs de Aij et Bij pour lAlN(11 et le GaN(11 22) 22) daprs [Roma 06]. Template Couches
xx yy zz yz
Saphir(1 100) AlN(11 22) AlN(1122) GaN(11 22) GaN(11 22) -0.116 0.168 -0.063 -0.115 -0.137 0.024 0.606 0.035 -0.54 -0.0002 -0.327 -0.688
Table 3.2 Les valeurs de Aij et Bij pour lAlN(11 et le GaN(11 22) 22) daprs [Roma 06].
Figure 3.4 Prol de potentiel en bande de conduction dun puits quantique GaN/AlN 3nm/3nm polaire ( gauche) et semipolaire ( droite) dans le cas o le puits est contraint sur GaN ou AlN.
80
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN semipolaires Dans le cas o le puits quantique est contraint sur le GaN, la valeur
du champ interne dans le puits semipolaire est gale 0.8 MV/cm contre 5 MV/cm dans le puits polaire. Dans le cas o le puits est contraint sur AlN, la valeur du champ interne dans le puits semipolaire est gale -0.4 MV/cm contre 4.5 MV/cm dans le puits polaire. La force doscillateur f12 de la transition ISB e1 e2 est plus grande dans le puits semipolaire grce au bon recouvrement des fonctions enveloppes 1 et 2 .
3.3 Description des chantillons
81
3.3
La croissance des htrostructures semipolaires a t ralise sur un substrat saphir plan m par lquipe dEva Monroy au CEA de Grenoble. La croissance bidimensionnelle du GaN (11 est ralise sous des condi22) tions riches en lments III avec un excs de Ga dune monocouche. Il a t dmontr que dans ces conditions la croissance est stabilise dynamiquement par la couche de mouillage, ce qui conduit la formation de couches 2D prsentant une trs faible rugosit de surface. La croissance sur le substrat saphir plan m conduit la formation de do maines parasites semipolaires orients (1013), mme dans des conditions optimales de croissance 2D. Une faon de saranchir de ces domaines parasites est de dposer le GaN sur une couche paisse dAlN oriente (11 [Laho 08b]. 22) La croissance de lAlN semipolaire (11 est accompagne par lexistence 22) de phases parasites (10 et (10 Il a t dmontr que la suppression de 10) 13). la nitruration du substrat avant la croissance et lutilisation dun rapport de ux Al/N adquat ( 0.95) rend possible la limitation de la propagation de domaines parasites [Laho 07]. Pour les puits quantiques GaN/AlN semipolaires (11 la croissance est 22) gouverne par les mmes conditions de croissance bidimensionnelle du GaN et AlN semipolaires cits ci-dessus. Je dcris ci-dessous les caractrisations structurales mesures au CEA et au CIMAP de CAEN, dun chantillon tudi dans cette thse. Lchantillon contient 40 priodes de puits quantiques GaN/AlN (11 22). La gure 3.5 montre le diractogramme 2 des puits quantiques GaN/AlN semipolaires autour de la rexion (3 300) du saphir. Le pic 2 = 69.02o correspond au GaN (11 lpaulement autour 2 = 71.15o est 22), attribu lAlN (1122). Les pics (SLi ) correspondent aux ordres de diraction dus la priodicit des multi-puits quantiques. Ces pics sont clairement visibles jusqu lordre quatre, ce qui dmontre la bonne priodicit de la structure. La gure 3.5 montre aussi une image TEM haute rsolution de trois priodes de puits quantiques GaN/AlN dpaisseur nominale 3nm/5nm. Laxe de croissance est dirig du bas vers le haut. Elle montre une qualit cristalline remarquable sans inter-diusion Ga-Al linterface puits/barrire. Pour dterminer lpaisseur moyenne des couches, lintensit transmise
82
Figure 3.5 Spectre de diraction des rayons X dun super rseau GaN/AlN orient (11 et dpaisseur nominale 3/5 nm. Linsert 22) montre une image TEM haute rsolution de trois priodes de puits quantiques. Figure tire de [Laho 08a]. est intgre sur quelques nanomtres dans le plan des couches. Lanalyse du prol dintensit selon la direction de croissance donne une paisseur des barrires gale 4.7 nm et une paisseur des puits gale 3.4 nm. Pour cet chantillon, lcart par rapport lpaisseur nominale est estime 13% pour les puits et de 6% pour les barrires. La variation dpaisseur moyenne des puits dune priode lautre est de 1 ou 2 monocouches. Les chantillons tudis dans ce chapitre sont des puits quantiques multiples de GaN/AlN semipolaires, lpaisseur des puits varie de 1.2 3 nm. Le tableau 3.3 rsume les paramtres des chantillons utiliss dans cette tude. De faon comparer les eets de polarisation interne, la mme structure a t pitaxie simultanment selon laxe polaire et semipolaire.
3.4 Caractrisation optique Echantillon Lp nominale (nm) A : E1364 B : E2270 C : E2271 D : E2273 E : E2342 1.2 1.7 2 2.5 3 Lb nominale (nm) 5 3 3 3 3 Lcap (nm) ... 10 10 10 10 Dopage nominal cm3 5 1019 5 1019 5 1019 5 1019 5 1019
83
Table 3.3 Structure des chantillons des multi puits quantiques semipolaires. Lp est lpaisseur des puits. Lb est lpaisseur des barrires. Lcap est lpaisseur de la couche de surface en AlN.
Figure 3.6 Structure des chantillons polaires ( gauche) et semipolaires ( droite).
3.4
3.4.1
Caractrisation optique
Spectroscopie de la photoluminescence
Dans un premier temps, jai tudi les chantillons par spectroscopie de photoluminescence. La gure 3.7 montre les spectres de la photoluminescence 4 K des puits polaires et semipolaires. Lorsque lpaisseur du puits augmente de 1.2 3 nm, le pic de la PL se dplace fortement vers le rouge dans le cas polaire. Tandis que le dcalage vers le rouge pour les puits semipolaires est beaucoup moins fort. Lnergie reste toujours suprieure celle de la photoluminescence du GaN massif. Cela est une dmonstration claire de la faible valeur du champ interne dans les puits quantiques semipolaires. La largeur totale mi-hauteur varie de 130 meV 330 meV pour les puits
84
Figure 3.7 Spectres de photoluminescence 4K des puits quantiques polaires et semipolaires.
semipolaires, elle est inversement proportionnelle lpaisseur du puits. En eet, la uctuation de lpaisseur du puits dune priode lautre aecte plus fortement la position des niveaux fondamentaux e1 et h1 dans les puits troits que dans les puits larges. Pour les puits polaires la largeur totale mi-hauteur varie de 50 100 meV. La gure 3.8 montre lvolution de lnergie de la photoluminescence en fonction de lpaisseur du puits et de ltat de contrainte. Dans le cas des puits polaires, les points exprimentaux suivent parfaitement la courbe calcule dans le cas o le super rseau est contraint sur GaN. Dans les deux cas, les super-rseaux sont contraints sur GaN. Dans ce cas P/
0 r
est gale 1.6 MV/cm pour les puits semipolaires, et 10 MV/cm
pour les puits polaires.
3.4 Caractrisation optique
85
Figure 3.8 Energie de photoluminescence mesure pour les puits semipolaires (carrs rouges) et polaires (carrs bleus) en fonction de lpaisseur du puits. Les traits discontinus reprsentent le calcul de lnergie de PL en fonction de ltat des contraintes. Le trait discontinu (en noir) reprsente le gap du GaN massif 4 K. Les barres derreurs verticales correspondent llargissement des spectres de PL.
3.4.2
Spectroscopie intersousbande
Les chantillons sont prpars en conguration zigzag par polissage mcanique du substrat saphir et de deux facettes opposes 45o . Les spectres ont t enregistrs dans les polarisations p et s. La gure 3.9 montre titre dexemple deux spectres de transmission en polarisation s correspondant aux puits quantiques polaires (spectre bleu) et semipolaires (spectre rouge). Ces spectres ne montrent pas dabsorption intersousbande comme attendu des rgles de slection. Les oscillations sont dues aux interfrences Fabry-Perot dans la couche tampon dAlN et de GaN. La priode des oscillations E correspond une paisseur h des couches, telle que : h = cos 2nE (3.4)
86
Figure 3.9 Spectres de transmission en polarisation s des puits quantiques polaires (0001) (spectre bleu) et semipolaires (11 22) (spectre rouge).
o n est la moyenne des indices de rfraction du GaN et AlN, = 35o est langle entre la direction de propagation dans les couches et la normale. Daprs les spectres de la gure 3.9, h = 9.7m pour les puits polaires, tandis que pour les puits semipolaires h = 0.9m. Ces valeurs sont trs proches de lpaisseur nominale de la couche tampon dans le cas polaire (10m) et semipolaire (1m) respectivement. La gure 3.10 prsente les spectres dabsorption intersousbande en polarisation p des puits quantiques GaN/AlN polaires et semipolaires. Ces absorptions correspondent la transition intersousbande e1 e2 . Contrairement aux mesures de photoluminescence, les puits semipolaires prsentent un dcalage vers le rouge des transitions ISB par rapport aux puits polaires. La structuration des spectres dabsorptions haute nergie dans le cas des chantillons polaires A, B et C correspond labsorption de puits dpaisseur dirente, correspondant un nombre entier de monocouches. Laugmentation de lpaisseur du puits de 1.2 3 nm dcale lnergie intersousbande de 1.45 2 m dans le cas polaire alors quelle atteint 3.3 m
3.4 Caractrisation optique
87
Figure 3.10 Spectres dabsorption intersousbande des puits quantiques polaires et semipolaires. La mme couleur est attribue aux puits de mme paisseur.
dans le cas semipolaire. La gure 3.11 montre la dpendance de lnergie intersousbande mesure et calcule dans les puits polaires et semipolaires en fonction de lpaisseur des puits. Le calcul est ralis dans le cas o le super rseau est contraint sur GaN, (daprs les rsultats de mesure interbande). La valeur de
P
0 r
utilise dans le
cas polaire et semipolaire est de 10 MV/cm et 1.6 MV/cm respectivement. Les barres derreurs verticales correspondent llargissement des spectres ISB. Pour une paisseur du puits suprieure 2 nm, lnergie de la transition intersousbande tend saturer dans le cas polaire. Cela est d au connement des niveaux e1 et e2 par le champ interne. Tandis que pour les puits semipolaires, lnergie continue de baisser jusqu 0.38 eV (3.3 m). Dans ce cas le champ interne a peu deet sur le connement lectronique. Par consquent
88
Figure 3.11 Energie de la transition intersousbande calcule et mesure dans les puits polaires et semipolaires en fonction de lpaisseur des puits. La discontinuit de polarisation P/ 1.6 MV/cm dans le cas semipolaire.
0 r
est xe
la transition ISB e1 e2 peut atteindre des longueurs donde plus grandes que pour les puits GaN/AlN polaires. La magnitude dabsorption en % varie de 5.6% 14% par passage travers la rgion active dans le cas des puits polaires. Elle augmente avec lpaisseur des puits. Cela est d laugmentation de la densit surfacique dlectrons avec lpaisseur des puits ( dopage volumique constant). La densit surfacique dlectrons dans les puits quantiques obtenue daprs les mesures de transmission est rsume dans le tableau 3.4 qui cite aussi la valeur de lnergie de transition intersousbande et la valeur de la largeur totale mi-hauteur. La magnitude dabsorption est 2 7 fois plus faible dans les puits semipolaires que dans les puits polaires, elle varie de 1.3% 3.4% par passage, bien que la force doscillateur soit plus grande pour les puits semipolaires. Ceci dmontre une moindre concentration surfacique en lectrons dans le cas semipolaire. Dans les puits polaires, la valeur leve du champ interne contribue lactivation des atomes de silicium. On sattend ce que cet eet soit plus faible dans les puits semipolaires.
3.4 Caractrisation optique Echantillon A : E1364 B : E2270 C : E2271 D : E2273 E : E2342 (0001) (11 22) (0001) (11 22) (0001) (11 22) (0001) (11 22) (0001) (11 22) Lp (nm) 1.2 1.2 1.7 1.7 2 2 2.5 2.5 3 3 e1 e2 (eV) 0.85 0.81 0.694 0.593 0.662 0.54 0.617 0.407 0.613 0.38 FWHM (meV) 90 180 100 153 90 156 100 160 105 100 n2D mesure (cm2 ) 4.71012 1.91012 5.71012 3.11012 6.71012 2.31012 8.31012 1.51012 11.71012 3.91012
89 Absorption (%) 5.6 1.7 6.9 2.7 8 2 10 1.3 14 3.4
Table 3.4 Energie des pics dabsorption ISB e1 e2 en (eV). FWHM est la largeur totale mi-hauteur en (meV). n2D est la densit surfacique des lectrons calcule daprs les mesures infrarouges. La dernire colonne dsigne la magnitude dabsorption ISB par passage en (%).
3.4.3
Nature de llargissement des spectres intersousbandes
La gure 3.12 montre les spectres dabsorbances des chantillons E2272 semipolaire ( gauche) et E2271 polaire ( droite). Dans le cas polaire, la structuration de la rsonance provient de labsorption de puits ayant une paisseur de 5 et 6 monocouches, respectivement. Ces structurations sont ajustes par la somme des deux courbes Lorentziennes ayant un largissement homogne de 50 meV. Dans le cas semipolaire (gure 3.12 gauche), le prol dabsorption est ajust par une seule courbe Gaussienne avec une largeur totale mi-hauteur de 156 meV. Daprs les caractrisations TEM des puits quantiques GaN/AlN polaires, la longueur caractristique des uctuations de monocouche dans le plan des couches est suprieure une vingtaine de nm. Cette valeur est plus grande que la longueur donde de De Broglie dans le GaN ( 300 K, la longueur de De Broglie dans le GaN massif est de b = 20 nm). Dans ce cas, llectron est
90
Figure 3.12 Absorbance intersousbande des chantillons E2272 semipolaire ( gauche) et E2271 polaire ( droite) ajuste avec une courbe Gaussienne et une superposition de deux courbes Lorentziennes respectivement. Les absorbances mesures sont montres avec des traits pleins, les ajustements avec des courbes en pointilles. localis entre les marches de potentiel dans le plan. Les puits tant trs ns, lcart en nergie entre deux rsonances ISB correspondant n monocouches et n + 1 monocouches est suprieur la largeur de raie homogne. Le spectre ISB se prsente comme une superposition de fonctions Lorentziennes. En rsum, cest la faible paisseur des puits et la grande longueur caractristique des uctuations qui sont responsables de la structuration des spectres ISB en pics Lorentziens dans le cas des puits polaires (voir gure 3.13 droite). Llargissement ISB pour les puits semipolaires devrait tre du mme type que pour les puits polaires sils sont de mme paisseur. Ce nest pas le cas daprs les mesures qui montrent un prol Gaussien. Ceci suggre que la longueur caractristique des uctuations est beaucoup plus courte dans le cas semipolaire. Dans ce cas llectron est localis entre deux marches de monocouches. Du fait de la faible longueur caractristique il va subir un connement dans le plan et lnergie ISB va tre celle correspondant un nombre entier de monocouches diminue de lnergie de connement dans le plan (voir gure 3.13 gauche). Comme cette dernire varie de faon alatoire dune marche de potentiel une autre (la distance entre marches est distribue de manire alatoire), le spectre ISB est une fonction Gaussienne.
3.5 Conclusion
91
Ceci est valable si la longueur caractristique des uctuations est de lordre de la longueur donde de De Broglie. Si la longueur caractristique est plus courte que la longueur donde de de Broglie, llectron voit une paisseur moyenne (sur une longueur de cohrence comparable la longueur donde de De Broglie). Dans ce cas llargissement ISB est aussi Gaussien.
Figure 3.13 Interface dun puits quantique GaN/AlN polaire et semipolaire. Le cas du GaAs, quoiquun peu dirent, est similaire. La longueur caractristique typique en MBE est de 6.5 nm mais lpaisseur des puits est bien plus leve que dans le GaN (Lp 8 nm pour obtenir deux niveaux conns en bande de conduction). Laugmentation dune monocouche de lpaisseur du puits conduit une variation de lnergie ISB ngligeable devant kT et la distribution alatoire de lnergie de connement dans le plan font que lnergie ISB prsente un prol gaussien.
3.5
Conclusion
Jai mis en vidence les absorptions intersousbandes jusqu 3.3 m dans les puits quantiques GaN/AlN orients selon le plan semipolaire (11 La 22). longueur donde dabsorption a t ajuste de 1.55 3.3 m en augmentant uniquement lpaisseur du puits de 1.2 nm 3 nm. La transition intersousbande e1 e2 3.3 m, na jamais t observe dans les puits polaires (0001) avec des barrires en AlN. Le dcalage des transitions intersousbandes vers le rouge dans les puits semipolaires par rapport aux puits polaires, est d la rduction du champ
92

P
0 r
interne dans les puits. Daprs les calculs, la valeur de lorsquil est contraint sur AlN.
est estime
1.6 MV/cm, dans le cas o le super rseau est contraint sur GaN, et 0.8 MV/cm
Chapitre 4 Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN cubiques

4.1 Introduction
Dans ce chapitre nous allons tudier les transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlN en phase cubique. Ces htrostructures ne prsentent pas de champ interne. Nous montrerons que la transition E12 peut couvrir la gamme spectrale de 1.4 m jusqu 4.1 m en variant uniquement lpaisseur du puits de 2 5 nm. Dans la dernire section, laide dun modle de masse eective appliqu aux donnes exprimentales, nous dterminerons les paramtres des matriaux qui rgissent le connement quantique tel que la masse eective des porteurs et la discontinuit de potentiel entre GaN et AlN.
94
Transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN cubiques
4.2
4.2.1

Choix du substrat
Pour lhtropitaxie des nitrures cubiques, le substrat le mieux adapt en maille est le carbure de silicium (3.4% avec le GaN). De plus le choix du substrat le plus transparent est ncessaire pour la spectroscopie infrarouge. Dans cet objectif jai test la transmission de plusieurs substrats SiC qui possdent un coecient de rsistivit lectrique dirent. Malheureusement la transmission dans la gamme spectrale dtude nest pas plate (gure 4.1). Une autre approche a t envisage pour rsoudre ce problme. Cest dutiliser des pseudo-substrats 3C-SiC (de 10 m dpaisseur) dpos sur substrat Si (001). Ce substrat possde une transmission trs plate dans la gamme spectrale dtude. La gure 4.1, prsente les spectres de transmission infrarouge dans la gamme spectrale 1.55 23 m de trois substrats SiC et dun pseudosubstrat 3C-SiC de 10 m dpos sur un substrat silicium.
Figure 4.1 Transmission du quasi-substrat 3C-SiC/Si et de trois substrats SiC, normalise par la rponse du systme de mesure. Labsorption 190 et 200 meV sur le spectre de transmission du substrat 3C-SiC correspond labsorption 2-phonon TO et LO respectivement du
95
3C-SiC. La bande dabsorption entre 94 et 122 meV correspond labsorption Reststrahlen du 3C-SiC. Les oscillations sont dues aux interfrences FabryPerot dans la couche 3C-SiC 10m.
4.2.2
Croissance
Les chantillons tudis dans ce chapitre ont t fabriqus par pitaxie par jets molculaires assists par plasma dazote. La croissance a t ralise au Dpartement de Physique de lUniversit de Paderborn en Allemagne par C. Mietze et D. J. As. La croissance du super-rseau commence par le dpt dune couche de GaN ( 100nm) sur un substrat 3C-SiC/Si(001) 720o C. Les barrires en AlN sont synthtises sous des conditions riches en Azote [Schu 10]. Un arrt de croissance sous ux dazote est eectu aprs chaque couche pour vacuer lexcs de mtal accumul en surface. Pour la croissance des puits, le ux de Ga est choisi de faon ce quil y ait une couche de Ga qui recouvre la surface de lchantillon. Lpaisseur de cette couche (= 1 monocouche) est constante dans le temps [Scho 07]. La vitesse de croissance du GaN et AlN est de 0.18 MC/s et 0.19 MC/s respectivement. Plus de dtails sur la procdure de croissance par MBE du GaN et AlN cubiques sont prsents dans la rfrence [As 09]. Les chantillons tudis dans ce chapitre contiennent des puits quantiques de GaN/AlN cubiques. La structure des chantillons est reprsente sur la gure 4.2 et est rsume dans le tableau 4.1. La partie active contient 40 priodes de puits quantiques GaN/AlN dops avec du Si. Le super rseau se trouve entre deux couches de GaN dpaisseur 7 nm (en surface) et 100 nm (en dessous), voir gure 4.2. Lpaisseur des puits varie de 2 nm 5 nm, tandis que celle des barrires reste xe 3 nm.
4.2.3
Proprits structurales des puits GaN/AlN cubiques
Pour connatre avec prcision les paisseurs des puits et des barrires, les mesures de diraction des rayons X ont t ralises pour les structures A, B et C. Ces caractrisations ont t faites par C. Mietze et D. J. As au Dpartement de Physique de lUniversit de Paderborn en Allemagne.
96
Figure 4.2 Structures des multi-puits quantiques GaN/AlN en phase cubique. Echantillon A :1981 B :1966 C :1967 Lp 2 3 5 Lb 3 3 3 Dopage (cm3 ) 5 1019 1 1019 1 1019
(nm) (nm)
Table 4.1 Structure des chantillons de multi-puits quantiques GaN/AlN cubiques. Notations : Lp est lpaisseur nominale des puits quantiques ; Lb est lpaisseur nominale des barrires. La gure 4.3 montre titre dexemple le diractogramme 2 mesur et calcul autour de la rexion (002) de lchantillon B. Le plus haut pic 2 = 20.81o correspond la diraction de la couche 3C-SiC, lpaulement autour 2 = 20.09o est attribu la rexion du c-GaN de la couche tampon. Les pics (SLi ) correspondent aux ordres de diraction dus la priodicit des multi-puits quantiques. Lespace entre SL0 et les pics satellites permet de dterminer la priode
97
Figure 4.3 Spectre mesur et calcul de diraction des rayons X de lchantillon B dpaisseur nominale 3/3nm. (puits+barrire) d partir de lquation : d= (m n) 2(sin(m ) sin(n )) (4.1)
o m et n sont les positions angulaires des satellites SLm et SLn du super rseau et est la longueur donde des rayons X ( = 0.154056 nm). Les rsultats obtenus sont rsums dans le tableau 4.2. Echantillon LXRD periode (nm) A B C 4.8 5.9 8.4 LXRD (LXRD ) FWHM X-ray p b (nm) 1.8 (3) 3.1 (2.8) 5.5 (2.9) (arcmin) 52 55 55
Table 4.2 Paramtres structuraux des chantillons A, B, C. LXRD periode est la priode mesure daprs les rayons X. LXRD et LXRD dsignent p b lpaisseur du puits et de la barrire.
98
4.3
Spectroscopie de photoluminescence
Dans un premier temps, jai caractris les chantillons en spectroscopie de photoluminescence UV. La gure 4.4 montre les spectres de PL des chantillons A, B, et C 300 K. Lnergie de la PL se dcale progressivement vers le rouge en augmentant lpaisseur du puits. Les maxima des spectres sont piqus 3.67 eV, 3.43 eV et 3.32 eV pour A, B et C. La valeur de la largeur totale mi-hauteur augmente de 130 meV 267 meV lorsque lpaisseur des puits diminue. Cette augmentation est due la uctuation de lpaisseur des puits qui inuence fortement la position des niveaux fondamentaux e1 et h1 dans le cas des puits ns. Ces valeurs sont comparables celles obtenues dans les puits GaN/AlN en phase hexagonale de mme paisseur.
Figure 4.4 Spectres de photoluminescences 300 K de multi-puits quantiques GaN/AlN cubique. La gure 4.5 prsente lnergie E = EP Q Egap mesure et calcule en fonction de lpaisseur du puits (pour le GaN cubique Egap = 3.2 eV). A titre de comparaison, jai report la valeur de lnergie de la PL des puits quantiques GaN/AlN en phase hexagonale tudis dans le chapitre 3. Contrairement lmission des puits quantiques GaN/AlN en phase hexagonale qui passe en dessous du gap du GaN massif pour des paisseurs suprieures 2 nm, lmission des puits quantiques cubiques (001) reste toujours
4.3 Spectroscopie de photoluminescence
99
Figure 4.5 E = EP Q Egap mesure et calcule des puits quantiques GaN/AlN cubiques en fonction de lpaisseur du puits, compare celle des puits GaN/AlN en phase hexagonale. au dessus du gap du GaN massif. Cest une consquence de labsence de champ interne dans ce type de structure. La variation de lnergie de la PL des puits cubiques en fonction de lpaisseur a un comportement similaire celui observ dans les puits quantiques GaN/AlN en phase hexagonale nonpolaire (plan-a) [Ng 03]. Pour les puits cubiques, du fait de labsence du champ interne, les fonctions dondes de llectron et du trou sont localises au centre du puits, le recouvrement des fonctions donde est meilleur, ce qui renforce la force doscillateur de la transition e1 h1 .
100
4.4
Spectroscopie infrarouge
Les mesures infrarouges ont t ralises 300 K en conguration zigzag. La longueur des chantillons correspond 10, 14, 12 passages travers la rgion active pour les chantillons A, B et C respectivement. La gure 4.6 montre les spectres de transmission des chantillons A, B, et C dans la gamme spectrale 1- 7.7 m en polarisation p.
Figure 4.6 Spectres de transmission infrarouge en polarisation p des chantillons A, B, et C. Les chantillons A, B et C prsentent des absorptions polarises p 0.88 eV (1.4m), 0.46 eV (2.7m), et 0.3 eV (4.1m). Ces absorptions correspondent la transition intersousbande de ltat fondamental e1 au premier tat excit e2 dans les puits quantiques. Lnergie de la transition ISB se dcale vers le rouge avec laugmentation de lpaisseur du puits. Les oscillations correspondent aux interfrences Fabry-Perot dans la couche SiC dpaisseur 10 m. La coupure haute nergie est due labsorption du substrat silicium. Quant la coupure basse nergie elle correspond labsorption
4.4 Spectroscopie infrarouge 2-phonons LO et TO de la couche 3C-SiC [Patr 61].
101
Figure 4.7 Spectres dabsorptions ISB par passage travers la rgion active des chantillons A, B, et C (traits pointills). Ajustement Gaussien des spectres (traits pleins) La gure 4.7 montre labsorption par passage en polarisation p, ainsi que les ajustements Gaussiens. Ces ajustements nous permettent de mesurer la valeur de la largeur totale mi-hauteur. Elle est de 170 meV, 210 meV et 220 meV pour les chantillons A, B, et C respectivement. Llargissement ISB des puits GaN/AlN cubiques est plus important que celui des puits GaN/AlN hexagonaux (60-100 meV dans les puits dops [Tche 06] et 40 meV dans les puits non dops [Juli 07]). De plus, les spectres dabsorption des puits cubiques montrent un prol Gaussien contrairement aux puits GaN/AlN polaires en phase hexagonale qui sont ajusts par une ou plusieurs Lorentziennes [Tche 06]. Comme le cas des puits quantique GaN/AlN semipolaires, le prol Gaussien suggre que la longueur caractristique des uctuations linterface puits barrire est beaucoup plus courte que la longueur donde de De Broglie dans le GaN voir section 3.4.3.
102
4.5
Simulation du connement lectronique
Il y a une grande dispersion dans la littrature des paramtres du GaN et AlN en phase cubique, en particulier en ce qui concerne la masse eective et la discontinuit de potentiel entre le GaN et lAlN. Pour cette raison nous avons choisi destimer la valeur de la masse eective et la discontinuit de potentiel daprs les mesures interbandes et intersousbandes. Les simulations consistent rsoudre de faon auto-cohrente les quations de Schrdinger et Poisson dans un modle de masse eective [Tche 06].
4.5.1
Estimation de la valeur de la masse eective
Pour la masse eective, le calcul de lnergie intersousbande et de la photoluminescence a t ralis en utilisant trois jeux de paramtres tirs de [Pugh 99], [Ramo 01] et [Suzu 96]. Ces valeurs sont rsumes dans le tableau 4.3. Ref [Pugh 99] [Ramo 01] [Suzu 96] m GaN e 0.11m0 0.14m0 0.17m0 m GaN hh 0.8m0 0.86m0 0.85m0 m AlN e 0.19m0 0.28m0 0.3m0 m AlN hh 1.2m0 1.44m0 1.39m0
Table 4.3 Masse eective des lectrons et des trous lourds du GaN et AlN cubique. Lnergie de la PL ne dpend pas beaucoup de la valeur de la discontinuit de potentiel, mais elle dpend fortement de la valeur de la masse eective. On peut donc utiliser les mesures de PL pour dterminer la masse eective en comparant la simulation aux rsultats de mesures. La gure 4.8 montre le rsultat de calcul de lnergie de la photoluminescence en fonction de lpaisseur de puits en utilisant les valeurs pour la masse eective du GaN et AlN cites dans les rfrences ci-dessus. La discontinuit de potentiel en bande de conduction est choisie gale 1.2 eV. Il faut souligner que lnergie de liaison de lexciton a t nglig dans ce calcul. La gure 4.8 montre que le meilleur accord avec les mesures est obtenu pour la masse eective du GaN la plus faible m = 0.11m0 [Pugh 99]. Cette e valeur est aussi en accord avec les rsultats des mesures intersousbandes
103
Figure 4.8 Energie de PL calcule en fonction de lpaisseur du puits et de la masse eective. La discontinuit de potentiel en bande de conduction utilise dans ce calcul est : Ec =1.2 eV. (gure 4.9). La valeur de la masse eective des lectrons du GaN en phase cubique est deux fois plus faible que celle du GaN en phase hexagonale (m = e 0.22m0 ).
Figure 4.9 Energie intersousbande calcule en fonction de lpaisseur du puits et de la masse eective.
104
4.5.2
Discontinuit de potentiel entre GaN et AlN
La discontinuit de potentiel en bande de conduction entre le GaN et lAlN aecte fortement lnergie de transition intersousbande pour les puits ns. Dans cette tude, nous avons dcid de prendre la discontinuit de potentiel en bande de conduction (CBO) comme paramtre ajustable. En premire approximation nous avons nglig la non-parabolicit de la bande de conduction. Labsorption haute nergie (0.88 eV) de lchantillon A, nous permet dvaluer avec prcision la valeur de la discontinuit de potentiel en bande de conduction. La gure 4.10 montre les rsultats de calcul de lnergie E12 en fonction de lpaisseur du puits pour 3 valeurs direntes de la discontinuit de potentiel : 1 eV, 1.2 eV et 1.4 eV. Les paramtres utiliss dans le calcul sont les suivants : la masse eective daprs [Pugh 99], et le dopage volumique est de 1.1019 cm3 dans le puits.
Figure 4.10 Energies dabsorption ISB calcules pour direntes valeurs de Ec . La masse eective a t prise gale m GaN e = 0.11m0 , m GaN = 0.8m0 , m AlN = 0.19m0 , et m AlN = 1.2m0 . hh e hh Les carrs rouges reprsentent les rsultats de mesures, les barres derreurs correspondent lincertitude sur lattribution dpaisseur chaque pic 1 monocouche.
105
Le meilleur accord avec les mesures est obtenu pour Ec = 1.4 eV. Notons nanmoins que dans ce calcul nous avons nglig la non-parabolicit de la bande de conduction. La prise en compte de la non parabolicit implique une diminution de lnergie de ltat excit, on peut donc considrer que la valeur de la discontinuit de potentiel Ec est suprieure ou gale 1.4 eV. C. Mietze et al. [Miet] ont calcul la discontinuit de potentiel en bande de conduction pour ces chantillons en prenant en compte la non-parabolicit de la bande de conduction. La variation de la masse eective en fonction de lnergie a t calcule en utilisant lquation 4.2 : m0 Ep = 1 + 2F + m ( ) 3 2 1 + Eg + Eg + + (4.2)
o est lnergie de ltat fondamental, Ep est llment de matrice interbande, dsigne la dgnrescence due au couplage spin-orbite de la bande de valence. Les paramtres utiliss dans leur calcul sont rsums dans le tableau 4.4 Paramtre Eg a mhh /m0 mlh /m0 me /m0 Ep F c-AlN 5.3eV 4.38 1.2 0.33 0.19 23.84eV c-GaN 3.3eV 4.52 0.8 0.18 0.13 16.86eV 0.6 0.017eV
Table 4.4 Paramtres utiliss dans le calcul de C. Mietze et al. [Miet]. Le calcul consiste rsoudre lquation de de Schrdinger dans un formalisme de masse eective laide du logiciel Nextnano3 . Le rsultat de calcul est prsent sur la gure 4.11, les carrs correspondent aux rsultats de mesures. La discontinuit de potentiel en bande de conduction a t varie de 1 eV 1.7 eV. Laccord optimal entre les calculs et les mesures se trouve pour Ec = 1.4 0.05eV , ce qui correspond au rapport Ec : Ev de
106
Figure 4.11 Energies dabsorption ISB calcules en fonction de Ec . Les carrs reprsentent les rsultats de mesures. (70 2.5) : 30. Ce rsultat est en parfait accord avec la valeur dduite de nos mesures.
4.6
Conclusion
Nous avons prsent une tude exprimentale et thorique des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlN en phase cubique. Ces structures ne possdent pas de champ lectrique interne. La longueur donde dabsorption a t ajuste de 1.4 4.1m en augmentant lpaisseur du puits de 2 nm 5 nm. Les paramtres rgissant le connement quantique dpendent de plusieurs facteurs tel que la masse eective et la discontinuit de potentiel en bande de conduction Ec . En sappuyant sur les rsultats de mesure optique, nous avons dtermin le jeu de paramtre optimal : la discontinuit de potentiel en bande de conduction entre GaN et AlN est autour de 1.4 0.05 eV et la masse eective des lectrons gale 0.11m0 dans le GaN et 0.19m0 dans lAlN.
Chapitre 5 Absorption intersousbande dans le THz

5.1 Introduction
La rgion TeraHertz (THz) du spectre lectromagntique, longtemps reste peu exploite, voit merger aujourdhui des sources compactes et faciles demploi qui orent de nouvelles opportunits pour les communications de proximit ou les techniques dimagerie, avec des applications la scurit, lenvironnement, ainsi qu la mdecine et la biologie car les rayons THz ne sont pas ionisants. En particulier sont apparus des lasers semiconducteur trs prometteurs qui gnrent une mission optique THz au moyen de puits quantiques formant une structure dite cascade quantique. Les lasers cascades quantiques (QCL) bass sur les transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaAs/AlGaAs sont lheure actuelle les meilleures sources THz compactes dlivrant des puissances de quelques dizaines de milliwatts dans la gamme spectrale 1.2 5 THz [Kohl 02], [Will 05], [Will 06], [Walt 07], [Luo 09]. Ces lasers ont un handicap de fonctionnement haute temprature cause de lnergie des phonons optiques LO faible dans le GaAs (36 meV) qui est comparable kB T = 25 meV. La temprature maximale de fonctionnement (Tmax ) des QCLs est de 186K et 120K pour un fonctionnement en mode puls et en mode continu respectivement [Kuma 09],[Will 05]. La raison fondamentale limitant la temprature de fonctionnement de ces lasers
108
Absorption intersousbande dans le THz
est la faible nergie du phonon optique. Les lectrons excits thermiquement peuvent acqurir susamment dnergie pour permettre lmission de phonons optiques LO. Le mcanisme non-radiatif de relaxation vers la sousbande fondamentale rduit linversion de population et le gain du laser. Les semiconducteurs possdant une nergie leve des phonons optiques comme les nitrures dlments III sont de bons candidats pour saranchir de ce problme. De plus, les nitrures dlments III orent la possibilit de raliser un laser cascade fonctionnant dans la gamme 4.6-12 THz qui correspond la bande Reststrahlen dabsorption du GaAs [Jova 04]. Nous avons vu dans le chapitre 2 que les transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/Alx Ga(1x) N (en phase hexagonale) peuvent tre accordes dans la gamme spectrale 1-12 m. Cela est possible en utilisant des barrires faible teneur en Al, tout en augmentant lpaisseur des puits et diminuant celle de la barrire. Malheureusement cette stratgie est dicile mettre en uvre dans la gamme THz. En eet, la prsence du champ interne et la valeur leve de lpaisseur du puits conduit une concentration surfacique leve dlectrons d au dopage intentionnel ou non-intentionnel dans le puits et lon peut sattendre un dcalage vers le bleu de la transition intersousbande d aux eets N-corps. Tous les travaux sur les proprits intersousbandes des nitrures dlments III dans la rgion THz, publis ce jour taient thoriques. Dans ce chapitre je prsente la premire observation exprimentale de labsorption intersousbande dans la gamme de frquence THz dans les systmes GaN/AlGaN en phase hexagonale et en phase cubique. Pour les puits quantiques GaN/AlGaN en phase hexagonale, jai tudi des puits quantiques contenant une marche de potentiel. Le principe est de se rapprocher dun prol de bande plat en jouant sur les concentrations dAl et sur les paisseurs des couches. Les puits quantiques GaN/AlGaN en phase cubique ne possdent pas de champ interne. Pour baisser lnergie de transition intersousbande il sut de diminuer la concentration en Aluminium de la barrire, tout en augmentant lpaisseur du puits.
5.2 Structure des puits quantiques polaires marche
109
5.2
Structure des puits quantiques polaires marche
5.2.1
Conception des structures
La gure 5.1 montre la structure schmatique des puits quantiques marche que jai conus. La priode est compose de trois couches : la premire couche en Al0.1 Ga0.9 N est la barrire de sparation, elle a une paisseur de 3 nm, le puits en GaN dpaisseur 3 nm, et la marche de potentiel constitue d Al0.05 Ga0.95 N. Les paisseurs des couches et la concentration en Al ont t choisies de faon obtenir un prol de potentiel plat dans la marche. Une fois que le prol de potentiel est plat, il sut de varier lpaisseur de la marche an de changer lnergie de la transition e1 e2 . Changer lpaisseur du puits (GaN) ou de la barrire (Al0.1 Ga0.9 N) rsulterait en une valeur non nulle du champ interne dans la marche. Deux chantillons ont t conus avec une marche dpaisseur dirente. Pour lchantillon A (E2261) lpaisseur de la marche est de 10 nm, et pour lchantillon B (E2321) lpaisseur de la marche est de 15 nm. La rgion active se termine par une couche paisse de 50 nm dAl0.05 Ga0.95 N, an dviter la courbure de prol de bande induite par les charges dinterface. Lpaisseur de la marche permet daccorder lnergie de transition ISB.
Figure 5.1 Schma dune priode des puits marche de potentiel.
110
5.2.2
Simulation numrique
Figure 5.2 Prol de bande de conduction (trait noir), carr des fonctions enveloppes du niveau fondamental et le premier niveau excit e1 et e2 . Le niveau de Fermi est reprsent par le trait en pointill. Pour les simulations numriques jai utilis le logiciel Nextnano3 pour la rsolution de lquation de Schrdinger-Poisson. Les paramtres du GaN et lAlGaN utiliss dans le calcul sont exposs dans le chapitre 1. Le paramtre qui dcrit la non-linarit du gap de lAlN (bowing) a t pris gal 1 eV, et
5.2 Structure des puits quantiques polaires marche nous avons considr que les conditions priodiques sont respectes.
111
La gure 5.2 montre le prol de bande de conduction des chantillons A et B. La couche dAl0.05 Ga0.95 N devrait prsenter un prol de potentiel plat, mais on remarque une lgre courbure d linteraction coulombienne entre les lectrons et les donneurs ioniss. Le niveau fondamental et le premier niveau excit sont conns par le puits GaN et la marche en Al0.05 Ga0.95 N. La longueur des diples est calcule comme tant 2.76 (3.84) nm pour la transition e1 e2 de lchantillon A (B). Lnergie de la transition intersousbande e1 e2 est calcule 21 meV (5.1 THz) pour lchantillon A et 10 meV (2.4 THz) pour lchantillon B.
5.2.3
Caractrisations structurales
Figure 5.3 Spectre de diraction des rayons X pour lchantillon A mesur et calcul. A droite : une image TEM de 8 priodes de la rgion active du mme chantillon. La gure 5.3 montre le diractogramme 2 de lchantillon A autour de la rexion (0002) obtenu par Eirini Sarigiannidou lINP de Grenoble. Le pic 2 = 34.57o correspond au GaN. Les pics (SLi ) correspondent aux ordres de diractions dus la priodicit de multi-puits quantiques. Ces pics sont clairement visibles jusqu lordre trois, ce qui dmontre la bonne priodicit de la structure. Lpaisseur de la priode est 6% (c--d 1 nm) plus faible que lpaisseur nominale (16 nm). La teneur en Al est lgrement
112
plus faible que les valeurs nominales (variation de 10%). Limage TEM sur la gure 5.3 montre 8 priodes de la rgion active, la structure est assez rgulire, les direntes couches qui constituent la priode sont nettement distinguables et sans ssures. Ici leet de la contrainte est presque nul parce que le paramtre de maille de lAlGaN est proche de celui du GaN.
5.3
5.3.1
Spectroscopie dabsorption
Procdure exprimentale
Pour les mesures infrarouges dans la gamme THz, jai utilis un linterfromtre transforme de Fourier Bruker IFS66, quipe dune source glow-bar. An de mesurer le signal optique, jai utilis, deux bolomtres Si refroidis 4 K : le premier de la marque QMC Instruments Ltd pour la gamme spectrale 2.5 - 18 THz, le second de la marque BFI OPTILAS pour une gamme de dtection 0.4 - 5 THz. Les chantillons ont t coups en deux morceaux de mme longueur (3.9 et 3.51 mm pour lchantillon A et B), et les facettes opposes de chaque chantillon ont t polies mcaniquement un angle de 30o . Jai ensuite plaqu les deux morceaux face contre face an de doubler le nombre de priodes et damliorer le signal transmis en doublant la surface dinjection (facette). De plus, cette conguration autorise un meilleur couplage aux transitions intersousbandes dans le THz. En eet, la conguration multi-passage standard utilise dans le proche et moyen infrarouge, nest pas favorable dans le THz cause du facteur /n = 43m (pour = 100m) lev compar lpaisseur de la rgion active ( 1m). Cela rsulte en une composante du champ lectrique TM nulle linterface (air-semiconducteur). En revanche, la conguration face face donne un bon couplage de la composante TM du champ dans la rgion active. Les mesures de transmission ont t ralises 4 K, les deux morceaux plaqus mcaniquement lun sur lautre placs sur le doigt froid du cryostat insr dans la chambre principale du spectromtre. An didentier les absorptions intersousbandes, les spectres ont t enregistrs en polarisation p et s. Dans la plage spectrale dtude 2-12 THz, les molcules deau H2 O et CO2
5.3 Spectroscopie dabsorption
113
absorbent une bonne partie du signal, ce qui peut nuire la mesure. Pour remdier cela, les mesures ont t ralises aprs avoir purg le spectromtre lair sec. Pour saranchir de labsorption du substrat et des optiques, les spectres de transmission sont diviss par la transmission de deux morceaux de GaN sur Si (111) plac face face dans la mme conguration que lchantillon. Chaque morceau a une longueur de 3.6 mm et une paisseur de 0.55 mm.
5.3.2
Absorption intersousbande
La gure 5.4 montre le spectre dabsorption des chantillons A et B en polarisation p et s 4 K. Labsorption des deux chantillons est fortement polarise p comme attendu dune transition intersousbande. Le pic dabsorption est situ 4.2 THz (17.4 meV) pour lchantillon A, et 2.1 THz (8.7 meV) pour lchantillon B. Lnergie des transitions intersousbande pour les chantillons A et B est en bon accord avec les simulations qui prdisent 5.1 THz et 2.4 THz pour A et B, respectivement. La ligne de base nest pas parfaitement plate car lchantillon et la rfrence nont pas les mmes dimensions. La largeur totale mi-hauteur est de 2.4 THz pour lchantillon A et 0.72 THz pour lchantillon B, ce qui donne des facteurs dlargissements (/) de 54% et 34% pour A et B. Daprs les simulations le facteur dlargissement dduit ne peut pas sexpliquer simplement par la uctuation dune monocouche de lpaisseur des couches. En eet, en admettant une variation dune monocouche (0.26 nm) de lpaisseur du puits, de la marche et de la barrire de sparation, cela dcale la longueur donde de transition dun facteur / = 14% (8%) pour lchantillon A (B). Nous avons vu dans la section 2.3.5 que llargissement des pics dabsorption intersousbande augmente avec le dopage. En sappuyant sur le fait que llargissement est plus important dans lchantillon A (dopage nominal 11019 cm3 ) que B (dopage nominal 5 1018 cm3 ), llargissement est probablement d linteraction lectron-lectron et lectron-impuret. Cependant pour lchantillon A (le plus peupl) on ne peut pas exclure la contribution dabsorption partant du niveau e2 vers e3 . Nanmoins les simulations montrent que la transition e2 e3 serait pique vers 9 THz (39 meV) ce qui inrme cette hypothse.
114
Figure 5.4 Spectres de transmission en polarisation p et s des chantillons A et B.
5.3.3
Estimation de la densit de porteurs
Nous allons calculer la densit des lectrons partir des mesures dabsorption intersousbande. Lexpression du coecient dabsorption intersousbande de la transition e1 vers e2 (quation 1.37) est :
5.3 Spectroscopie dabsorption
115
() =
(e1 e2 )2 2 sin2 s (ns ns ) 12 2 (n1 ns )g(e2 e1 h) = 1 () 2 Lpuits cos Lpuits 2 nc 0 h (5.1) 1
ici langle est gal 52o . Donc lexpression de la section ecace scrit sous la forme : (e1 e2 )2 2 sin2 12 g(e2 e1 h) (5.2) cos 2 nc 0 h La longueur des diples de la transition e1 vers e2 est calcule comme () = tant 2.76 nm (3.84 nm) pour lchantillon A (B). En utilisant la valeur du diple calcule et llargissement mesur, la section ecace estime est de 2D = 1.6 1015 cm2 pour lchantillon A et 5.5 1015 cm2 pour lchantillon B. Labsorbance Ltot totale dduite des spectres de transmission est de 0.33 et 0.2 pour A et B respectivement. Le nombre eectif de passage travers la rgion active est calcul 1.5 (1.2) pour lchantillon A (B). Donc labsorbance Lpuits par puits est de 2.75 103 (2 103 ) pour lchantillon A (B). Daprs ces valeurs, la densit surfacique des lectrons entre e1 et e2 est estime n1 n2 1.6 1012 cm2 , pour lchantillon A, ce qui correspond un niveau de Fermi Ef suprieur ltat excit e2 . Cette valeur est trs proche de la valeur trouve dans lapproximation Ef E2 cas : n1 n2 kT . Dans ce
m E12 = 1.8 1012 cm2 (5.3) 2 h A ce niveau de dopage, n1 n2 ne dpend que de lcart dnergie E12 et
ne dpend plus du dopage. Il nest donc pas possible dextraire de la mesure de transmission, la concentration totale de porteurs n1 + n2 . Pour lchantillon B, n1 n2 est estim 4.5 1011 cm2 . Dans ce cas le niveau de Fermi est situ entre e1 et e2 avec Ef E1 = 5 meV. Contrairement lchantillon A, la population de ltat excit est ngligeable et la mesure ISB permet de dduire la concentration totale de porteurs n1 +n2 =4.51011 cm2 . Ceci correspond une concentration volumique dlectrons de 1.51018 cm3 , valeur 3.3 fois plus faible que celle attendue du dopage nominal en Si. Ceci sexplique par une ionisation partielle des dopants silicium la temprature de 4.7 K.
116
5.4
Puits GaN/AlGaN cubiques
La structure consiste en 40 priodes de puits quantiques GaN/Al0.05 Ga0.95 N cubiques, pitaxis sur un quasi-substrat 3C-SiC (10m) sur Silicium. Les paisseurs du puits et de la barrire sont de 12 et 15 nm, respectivement. La mesure de transmission a t ralise en utilisant le montage exprimental dcrit dans la section 5.3.1. La gure 5.5 montre le spectre de transmission dans la gamme 1.5-12.5 THz de cet chantillon en polarisation p et s.
Figure 5.5 Transmission 4 K en polarisation p et s des multipuits GaN/Al0.05 Ga0.95 N cubiques. Labsorption polarise TM 5 THz (21 meV) correspond la transition intersousbande e1 vers e2 . Les trois pics dabsorption non polariss situs entre 7 THz et 10 THz sont probablement dus labsorption par des impurets dans la couche 3C-SiC [Chen 01]. Lnergie de transition intersousbande e1 e2 , est calcule 31 meV, en utilisant lpaisseur et la concentration dAl nominale des couches, et en prenant les valeurs pour la masse eective et la discontinuit de potentiel
5.5 Vers un laser cascade quantique GaN
117
discutes dans le chapitre 4. Lnergie de la transition mesure est 30% plus faible. Ceci peut probablement sexpliquer par une concentration dAl dans les barrires plus faible que la valeur nominale ou des puits plus pais. Notons aussi que le calcul se base sur une interpolation linaire entre GaN et AlN pour estimer la discontinuit de potentiel et la masse eective de lAl0.05 Ga0.95 N, ce qui est probablement une approximation grossire. La largeur totale mi-hauteur du pic dabsorption est de 9 meV (2.1 THz). Elle correspond un facteur dlargissement / gal 42%. Llargissement dans les puits cubiques est plus important que celui mesur dans lchantillon B (en phase hexagonale). Ceci peut tre le signe dune uctuation importante de lpaisseur des puits dune priode lautre.
5.5
Vers un laser cascade quantique GaN
La structure la plus simple pour les lasers cascade quantique THz est la structure trois puits. Ici je propose dappliquer cette structure au GaN. La structure consiste en trois puits quantiques dans le systme GaN/ Al0.15 Ga0.85 N. Lpaisseur des deux premiers puits est choisie pour que leurs niveaux fondamentaux aient la mme nergie. Ils vont alors tre dgnrs, le splitting entre ces deux niveaux va tre dtermin par lpaisseur de la barrire les sparant. Cest entre ces deux niveaux dgnrs que va avoir lieu la transition optique. Lpaisseur du troisime puits est choisie an que lcart nergtique entre les deux premiers niveaux (niveaux 1 et 3 dans la gure 5.6) soit gal lnergie du phonon optique dans le GaN (ELO = hLO = 92 meV). Ce qui correspond un puits denviron 6 nm dpaisseur. Lmission rsonante de phonons LO tant un processus trs rapide dans le GaN, on sattend une dpopulation rapide du niveau fondamental de la transition optique, an dobtenir linversion de population (linversion de population a lieu si 2 < 4 , o i reprsente le temps de vie du niveau i). Les niveaux lectroniques sont rpartis an quil y ait deux autres rsonances : le niveau fondamental de la transition mettant en jeu le phonon va tre coupl par transport tunnel au niveau excit de la transition optique, et le niveau fondamental de la transition optique tant coupl avec le niveau excit du puits large.
118
Figure 5.6 Schma de la structure du laser cascade quantique 3 puits. La transition optique se fait entre le niveau 4 et le niveau 2. Linversion de population est obtenue par mission rapide de phonons LO entre les niveaux 3 et 1. Entre les niveaux 2 et 3 ainsi quentre 1 et 4, les lectrons traversent la barrire par transport tunnel rsonant.
5.5.1
Structure de bande
La gure 5.7 montre le prol de bande de conduction dune priode du laser cascade GaN, avec le carr des fonctions enveloppes. Lpaisseur en Angstrm des puits GaN et les barrires Al0.15 Ga0.85 N de gauche droite est de 26/37/22/31/26/59 (lpaisseur des barrires est en gras). Le calcul est excut pour trois priodes et en prsence dun champ lectrique de lordre de 73 kV/cm. Lmission laser (entre le niveau 4 et 2) est prdite 3.3 THz (14 meV). Lcart entre les niveaux 3 et 1 est de 94 meV, trs proche de celle du phonon LO du GaN.
5.5.2
Fonctionnement plus haute temprature
Dans cette partie nous allons expliquer pourquoi cette structure (gure 5.7) peut fonctionner plus haute temprature. Dans la structure 3 puits quantiques, il y a quatre niveaux nergtiques
119
Figure 5.7 Prol de la bande de conduction et le carr des fonctions enveloppes dun laser cascade quantique GaN. La structure est trace en prsence dun champ lectrique de 73 kV/cm. par priode, qui sont regroups en deux doublets. Nous allons simplier la structure en ne prenant quun seul niveau par doublet. Nous nous retrouvons avec un modle trs simple contenant deux niveaux (gure 5.8). Nous nous plaons en rgime stationnaire, cest dire que le systme est formellement identique un systme priodique comprenant deux niveaux. Pour le systme deux niveaux les volutions temporelles des populations des niveaux scrivent (quations bilans) :
dn1 n1 n2 = + dt 12 2 dn2 n2 n1 = + dt 2 12
(5.4) (5.5)
o n1 et n2 sont les populations du niveau excit et du niveau fondamental. 2 est le temps de vie du niveau fondamental, et 12 est le temps de
120
Figure 5.8 Schma du systme deux niveaux. 12 est le temps de relaxation, et 2 la dure de vie du niveau fondamental. En rgime stationnaire, chaque priode est identique, cest dire quun lectron qui relaxe du niveau fondamental vers le niveau excit de la priode suivante est formellement identique un lectron rinject dans le niveau excit de la mme priode. relaxation du niveau 1 vers le niveau 2. En rgime continu les drives temporelles sannulent et nous trouvons que linversion de population est donne par : 12 2 N (5.6) 12 + 2 o N = n1 +n2 est la population totale des deux niveaux. Nous retrouvons n = n1 n2 = le rsultat habituel : pour obtenir linversion de population il faut que la dure de vie du niveau fondamental soit plus courte que le temps de relaxation 12 . Emission de phonon active thermiquement Dans le systme GaAs/AlGaAs, lmission de phonon LO du niveau 1 vers le niveau 2 est interdite basse temprature pour des carts nergtiques infrieurs lnergie du phonon LO. En augmentant la temprature lmission de phonon (activ thermiquement) devient le processus dominant (voir gure 5.9). Le taux dmission de phonon scrit en fonction de la temprature : W emi (T ) = dEk W (Ek )fF D (Ek ) fF D (Ek )
h 2 2 k 2m
(5.7) est lnergie dans le
o fF D est la distribution de Fermi Dirac et Ek =
plan des lectrons. Dans le cas o Ef Ei < ELO , cette expression est proche dune expression beaucoup plus simple, sous forme dun terme dactivation :
121
Figure 5.9 Illustration de la comptition entre lmission de phonon activ thermiquement et lmission de photon. Figure tire de [Bell 08].
W emi (T ) W chaud exp(
(Ef Ei ) ELO ) kB Te
(5.8)
o W chaud est le taux dmission pour la plus petite nergie Ek tel que lmission de phonon LO est permise. Nous pouvons alors rcrire le taux de transition du niveau 1 vers le niveau 2 comme la somme de deux termes. Le premier est la dure de vie du niveau (suppose indpendante de la temprature), et le second prend en compte lmission de phonon activ thermiquement. 1 1 1 = + e(hELO )/kTe 12 12,0 12,chaud est aecte par lmission de phonons active thermiquement. A titre de comparaison, nous mentionnons les rsultats obtenus par Bellotti et al. [Bell 08], ils ont compar dans une tude par simulation Monte Carlo deux structures de lasers cascade quantique dans les systmes GaN et GaAs avec une mission 2 THz (8.2 meV) et une largeur de raie de 3 meV. La gure 5.10 tire de [Bell 08] montre lvolution de linversion de population n dans les deux structures en fonction de la temprature. Lorsque la temprature augmente de 10 300 K, n dans le laser GaN diminue dun facteur 1.25 compar au GaAs o elle diminue dun facteur 4.48. Ce rsultat est la consquence principale de lmission de phonons LO actives thermiquement. Ils ont estim galement une temprature maximale (5.9)
Plus lnergie du phonon LO est leve, moins linversion de population
122
de fonctionnement (Tmax ) pour le systme GaAs de 200 K (ce qui est trs proche de ltat de lart), et une Tmax =400 K pour le systme GaN.
Figure 5.10 Linversion de population n calcule en fonction de la temprature pour deux structures lasers cascade en GaAs et en GaN. Figure tire de [Bell 08].
5.6
Conclusion
Dans ce chapitre deux approches ont t utilises pour observer labsorption intersousbande dans la rgion THz. La premire utilisant une structure polaire avec un potentiel en forme de marche descalier dans le systme Al0.1 Ga0.9 N/GaN/Al0.05 Ga0.95 N. En fonction de lpaisseur de la marche, les pics dabsorption sont observs 4.2 THz et 2.1 THz avec un largissement de 2.4 THz et 0.53 THz respectivement. La valeur leve de llargissement / = 57% et 25% est attribue linteraction lectron-impuret et lectron-lectron consquence du dopage lev. La deuxime approche est dutiliser des puits quantiques GaN/Al0.05 Ga0.95 N en phase cubique. Dans ce cas labsorption ISB est observe 5 THz avec un largissement de 2.1 THz. Dans la dernire section jai prsent une structure dun laser cascade quantique dans le systme GaN/AlGaN. Je montre avec un modle simple deux niveaux, que le facteur limitant le fonctionnement plus haute tem-
5.6 Conclusion
123
prature des QCL est lmission de phonon active thermiquement qui varie comme exp ELO hv . La grande nergie de phonons LO dans le GaN est kT un atout pour la ralisation de lasers cascade quantique THz fonctionnant haute temprature.
124
Conclusions et perspectives
Mon travail de thse prsent dans ce manuscrit est ddi ltude par spectroscopie infrarouge des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlGaN. Jai tudi trois types de structure : les puits quantiques polaires, semipolaires et cubiques. Pour les puits polaires, le but tait daccorder les transitions intersousbandes dune part du proche infrarouge la bande Reststrahlen du GaN (13 20 m), et dautre part dans la gamme THz. Jai montr que lon pouvait accorder les transitions intersousbandes de puits quantiques GaN/AlGaN polaires dans la gamme de longueur donde 1.5 12 m en jouant sur le champ interne et lpaisseur respective des puits et des barrires. Le jeu de paramtres optimal pour couvrir la gamme spectrale 5-12 m est obtenu pour des barrires en AlGaN avec une teneur en Al 0.3, et des paisseurs de puits comprises entre 5 et 10 nm. Dans le chapitre 3 jai men une tude systmatique des proprits interbandes et intersousbandes des puits quantiques GaN/AlN pitaxis selon laxe semipolaire [11 et laxe polaire [0001]. Pour les puits quan22] tiques semipolaires, la discontinuit de polarisation P/
0 r
est fortement
rduite compare au cas des puits polaires pitaxis selon laxe c. Jai montr que la longueur donde intersousbande pouvait tre ajuste dans la gamme 1.55 3.3 m en augmentant seulement lpaisseur des puits. La comparaison des rsultats exprimentaux et de simulations ma permis destimer la valeur de la discontinuit de polarisation entre le GaN et lAlN, elle est de 1.6 MV/cm dans le cas o le super-rseau est contraint sur GaN, et de 0.8 MV/cm dans le cas o il est contraint sur AlN. Dans le chapitre 4 jai tudi les proprits optiques des puits quantiques GaN/AlN en phase cubique. Ces htrostructures ne possdent pas de champ interne par raison de symtrie. Jai montr que la transition intersousbande pouvait tre accorde entre 1.4 et 4.1 m en augmentant seulement lpaisseur
126
Conclusions et perspectives
du puits. La comparaison des rsultats exprimentaux avec les simulations permis daner certains paramtres de ces matriaux, encore mal connus. La discontinuit de potentiel en bande de conduction est estime 1.4 0.05 eV, et la valeur de la masse eective des lectrons dans le GaN m = 0.11m0 . Dans le chapitre 5, jai dmontr la possibilit daccorder les transitions intersousbandes des puits quantiques GaN/AlGaN polaires mais aussi cubiques aux frquences THz au del de la bande dabsorption Reststrahlen du GaN. Pour le GaN polaire, jai propos une structure de puits quantiques marche de potentiel pour se rapprocher dun prol de bande plat et maximiser le diple de transition intersousbande. Jai montr exprimentalement que lon pouvait accorder labsorption 4.2 et 2.1 THz en jouant sur lpaisseur de la marche de potentiel. Pour le GaN cubique, jai montr quen jouant sur la concentration en Al dans les barrires et lpaisseur du puits on pouvait obtenir une absorption intersousbande 5 THz. Il sagit dans les deux cas de la premire observation dabsorption intersousbande dans le domaine THz pour les puits quantiques de nitrures. Les perspectives de ce travail sont nombreuses. Nous pouvons par exemple citer la poursuite de ltude visant raliser des dtecteurs moyen infrarouge. Cest aussi le dveloppement de lasers ou dtecteurs cascade quantique THz. En ce qui concerne les lasers THz, plusieurs tapes restent encore franchir. Il faut dabord matriser le transport tunnel dans les puits quantiques de nitrures. Des rsultats trs encourageants viennent dtre obtenus dans notre quipe par S. Sakr dans le cadre de sa thse, en troite collaboration avec Elias WARDE. Il est clair que les matriaux polaires sont privilgier mais quils pourraient terme tre concurrencs par les nitrures semipolaires ou cubiques en fonction des progrs accomplis dans la croissance de couches de haute qualit structurale.
Liste des publications

12. H. Machhadani, M. Tchernycheva, S. Sakr, L. Rigutti, R. Colombelli, E. Warde, C. Mietze, D. J. As and F. H. Julien. Intersubband absorption of cubic GaN/Al(Ga)N quantum wells in the near-infrared to terahertz spectral range. PHYSICAL REVIEW B 83, 075313 (2011) 11. H. Machhadani, Y. Kotsar, S. Sakr, M. Tchernycheva, R. Colombelli, J. Mangeney, E. Bellet-Amalric, E. Sarigiannidou, E. Monroy and F.H. Julien. Intersubband absorption of GaN/AlGaN step quantum wells at THz frequencies. Applied Physics Letters, vol. 97, p. 191101, 3 pages, 2010 10. Machhadani H., Kandaswamy P., Sakr S., Vardi A., Wirtmller A., Nevou L., Guillot F., Pozzovivo G., Tchernycheva M., Lupu A., Vivien L., Crozat P., Warde E., Bougerol C., Schacham S., Strasser G., Bahir G., Monroy E., Julien F. H. GaN/AlGaN intersubband optoelectronic devices. New Journal of Physics 11, 125023, 2009 9. P. Kandaswamy, H. Machhadani, Y. Kotsar, S. Sakr, A. Das, M. Tchernycheva, L. Rapenne, E. Sarigiannidou, F. Julien, and E. Monroy. Eect of doping on the mid-infrared intersubband absorption in GaN/AlGaN superlattices grown on Si(111) templates. Applied Physics Letters, vol. 96, p. 141903, 3 pages, 2010 8. M. Tchernycheva, H. Macchadani, L. Nevou, J. Mangeney, F. Julien, P. Kandaswamy, A. Wirtmller, E. Monroy, A. Vardi, S. Schacham, GaN/AlGaN nanostructures for intersubband optoelectronics. Physica status solidi (a), vol. 207, p. 1421, 4 pages, 2010
128 7.
Liste des publications P. Kandaswamy, H. Machhadani, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, M. Tchernycheva, L. Lahourcade, F. Julien, and E. Monroy. Strain eects in GaN/AlN multi-quantum-well structures for infrared optoelectronics. Microelectronics journal, vol. 40, num. 2, p. 336, 3 pages, 2009
6.
P. Kandaswamy, H. Machhadani, C. Bougerol, S. Sakr, M. Tchernycheva, F. Julien, and E. Monroy. Midinfrared intersubband absorption in GaN/AlGaN superlattices on Si(111) templates. Applied Physics Letters, vol. 95, p. 141911, 3 pages, 2009
5.
L. Lahourcade, P. Kandaswamy, J. Renard, P. Ruterana, H. Machhadani, M. Tchernycheva, F. Julien, B. Gayral, and E. Monroy. Interband and intersubband optical characterization of semipolar (11 22)-oriented GaN/AlN multiple-quantum-well structures. Applied Physics Letters, vol. 93, p. 111906, 3 pages, 2008
4.
N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, P. Crozat, L. Vivien, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, et al. Electrooptical Modulator at Telecommunication Wavelengths Based on GaNAlN Coupled Quantum Wells. IEEE photonics technology letters, vol. 20, num. 9, p. 724, 3 pages, 2008
3.
N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. Julien, P. Crozat, L. Meignien, E. Warde, L. Vivien, et al. Electrooptical intersubband modulators at telecommunication wavelengths based on GaN/AlN quantum wells. Physica status solidi (a), vol. 205, num. 5, p. 1093, 3 pages, 2008
2.
A. Vardi, N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, L. Vivien, P. Crozat, M. Tchernycheva, R. Colombelli, F. Julien, F. Guillot et al. High-speed operation of GaN/AlGaN quantum cascade detectors at = 1.55 m. Applied Physics Letters, vol. 93, p. 193509, 3 pages, 2008
1.
C. Mietze, M. Landmann, E. Rauls, H. Machhadani, S. Sakr, M. Tchernycheva, F.H. Julien, W. G. Schmidt, K. Lischka, and D. J. As Band osets in cubic GaN/AlN superlattices. submitted to Phys. Rev. B. 2010
Actes de colloques avec comit de lecture

1. A. Dussaigne, S. Nicolay, D. Martin, A. Castiglia, N. Grandjean, L. Nevou, H. Machhadani, M. Tchernycheva, L. Vivien, F. Julien, et al. Growth of intersubband GaN/AlGaN heterostructures. Proceedings of SPIE, p. 76080H, 2010 2. Kandaswamy P., Machhadani H., Sakr S., Julien F. H., Monroy E. Midinfrared intersubband absorption in GaN/AlGaN superlattices grown on Si(111) templates. E-MRS Spring Meeting 2009, Strasbourg, France, du 08 juin 2009 au 12 juin 2009 3. E. Monroy, P. Kandaswamy, H. Machhadani, A. Wirtmller, S. Sakr, L. Lahourcade, A. Das, M. Tchernycheva, P. Ruterana, and F. Julien. Polar and semipolar III-nitrides for long wavelength intersubband devices . In : Proceedings of SPIE, p. 76081G, 2010
Confrences
12. Machhadani H., Kandaswamy P. K., Vardi A., Sakr S., Nevou L., Tchernycheva M., Bahir G., Monroy E., Julien F. H. GaN-based intersubband devices : recent developments and new challenges for long infrared wavelength applications. International conference on intersubband transitions (ITQW 2009), Montreal, Canada, du 06 septembre 2009 au 11 septembre 2009 11. Machhadani H., Tchernycheva M., Nevou L., Mangeney J., Warde E., Julien F. H., Kandaswamy P. K., Wirthmller A., Monroy E., Vardi A., Schacham S., Bahir G., Pozzovivo G., Golka S. , Strasser G. GaN/AlGaN Nanostructures for Intersubband Optoelectronics International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS8), Jeju, Core, du 18 octobre 2009 au 23 octobre 2009
130 10.
Confrences Kandaswamy P. K., Machhadani H., Sakr S., Bougerol C., Tchernycheva M., Julien F. H., Monroy E. Mid-Infrared Intersubband Transitions in GaN/AlGaN Superlattices Grown on Si(111) Templates International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS8), Jeju, Core, du 18 octobre 2009 au 23 octobre 2009
9.
Kandaswamy P. K., Lahourcade L., Wirtmller A., Bougerol C., Monroy E., Machhadani H., Sakr S., Tchernycheva M., Julien F. H., Vardi A., Bahir G. GaN/AlN-based nanostructures for intersubband devices 51st Electronic Materials Conference (EMC 2009), University Park, Pensylvania, USA, du 24 juin 2009 au 26 juin 2009
8.
Kandaswamy P. K., Machhadani H., Bougerol C., Ruterana P., Tchernycheva M., Julien F. H., Monroy E. Short-period GaN/AlN superlattices for near-infrared intersubband absorption at telecommunication wavelengths International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS09), Santa Barbara, USA, du 30 aot 2009 au 02 septembre 2009
7.
Kandaswamy P. K., Machhadani H., Sakr S., Bougerol C., Tchernycheva M., Julien F. H., Monroy E. AlGaN/GaN superlattices on GaNon-Si(111) templates for Mid-IR intersubband absorption International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-09), Santa Barbara, USA, du 30 aot 2009 au 02 septembre 2009
6.
Kheirodin N., Nevou L., Machhadani H., Tchernycheva M., Lupu A., Julien F., Crozat P., Meignien L., Warde E., Pozzovivo G., Golka S., Strasser G., Guillot F., Monroy E., Remmele T., Albrecht M. ElectroOptical Intersubband Modulator Based on Electron Tunneling between GaN/AlN Coupled Quantum Wells 7th Intl Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, Etats-Unis, du 16 septembre 2007 au 21 septembre 2007
Confrences 5.
131
Monroy E. , Kandaswamy P. K., Lahourcade L., Guillot F., Machhadani H., Nevou L., Tchernycheva M., Julien F. H., Baumann E., Giorgetta F. R., Hofstetter D., Vardi A., Bahir G., Remmele T., Albrecht M. New Frontiers in Plasma-Assisted MBE of GaN-based Intersubband Devices International Workshop on Nitride Semiconductors, Montreux, Suisse, du 06 octobre 2008 au 10 octobre 2008
4.
Vardi A., Kheirodin N., Julien F. H., Nevou L., Machhadani H., Crozat P., Tchernycheva M., Vivien L., Colombelli R., Guillot F., Bougerol C., Monroy E., Schacham S., Bahir G. Ultrafast GaN/AlGaN quantum cascade detector at telecommunication wavelengths International Workshop on Nitride Semiconductors, Montreux, Suisse, du 06 octobre 2008 au 10 octobre 2008
3.
Kandaswamy P. K., Jalabert D., Bougerol C., Machhadani H., Tchernycheva M., Julien F. H., Monroy E. Strain eects in GaN/AlN short period spuerlattices for intersubband optoelectronics International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2008, Montreux, Suisse, du 06 octobre 2008 au 10 octobre 2008
2.
Kandaswamy P. K., Bougerol C., Jalabert D., Bellet-Amalric E., Machhadani H., Tchernycheva M., Julien F. H., Monroy E. Polarization eects in GaN/AlN Short-Period Superlattices for Intersubband Optoelectronics Trends in Nanotechnology (TNT2008), Oviedo, Espagne, du 01 septembre 2008 au 05 septembre 2008
1.
Monroy E., Kandaswamy P. K., Lahourcade L., Guillot F., Leconte S., Machhadani H., Nevou L., Tchernycheva M., Julien F. H., Baumann E., Giorgetta F. R., Hofstetter D., Vardi A., Bahir G. GaN Heterostructures for Unipolar Devices 17th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH08), Venise, Italie, du 02 novembre 2008 au 05 novembre 2008
132
Confrences
Bibliographie
[Alde 01] D. Alderighi, A. Vinattieri, J. Kudrna, M. Colocci, A. Reale, G. Kokolakis, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Semond, and N. Grandjean. Recombination dynamics in GaN/AlGaN quantum wells : The role of built-in elds. physica status solidi (a), Vol. 188, No. 2, pp. 851855, 2001. [Alle 93] S. Allen Jr, D. Tsui, and B. Vinter. On the absorption of infrared radiation by electrons in semiconductor inversion layers. Solid State Communications, Vol. 88, No. 11-12, pp. 939942, 1993. [Amba 98] O. Ambacher. Growth and applications of group III-nitrides. Journal of Physics D : Applied Physics, Vol. 31, p. 2653, 1998. [As 09] D. As. Cubic group-III nitride-based nanostructuresbasics
and applications in optoelectronics. Microelectronics Journal, Vol. 40, No. 2, pp. 204209, 2009. [Barb 03] S. Barbieri, J. Alton, S. Dhillon, H. Beere, M. Evans, E. Lineld, A. Davies, D. Ritchie, R. Kohler, and A. Tredicucci. Continuous-wave operation of terahertz quantum-cascade lasers. IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 39, No. 4, pp. 586591, 2003. [Bark 73] A. Barker Jr and M. Ilegems. Infrared lattice vibrations and free-electron dispersion in GaN. Physical Review B, Vol. 7, No. 2, pp. 743750, 1973. [Bast 81] G. Bastard. Superlattice band structure in the envelope-
function approximation. Phys. Rev. B, Vol. 24, No. 10, pp. 5693 5697, Nov 1981. [Baum 05] E. Baumann, F. Giorgetta, D. Hofstetter, H. Lu, X. Chen, W. Scha, L. Eastman, S. Golka, W. Schrenk, and G. Stras-
134
BIBLIOGRAPHIE ser. Intersubband photoconductivity at 1.6 m using a straincompensated AlN/ GaN superlattice. Applied Physics Letters, Vol. 87, p. 191102, 2005.
[Baum 06] E. Baumann, F. Giorgetta, D. Hofstetter, S. Leconte, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, and E. Monroy. Electrically adjustable intersubband absorption of a GaN/AlN superlattice grown on a transistorlike structure. Applied Physics Letters, Vol. 89, No. 10, pp. 101121101121, 2006. [Bell 08] E. Bellotti, K. Driscoll, T. Moustakas, and R. Paiella. Monte Carlo study of GaN versus GaAs terahertz quantum cascade structures. Applied Physics Letters, Vol. 92, p. 101112, 2008. [Bern 01] F. Bernardini and V. Fiorentini. Nonlinear macroscopic polarization in III-V nitride alloys. Physical Review B, Vol. 64, No. 8, p. 85207, 2001. [Bern 98] F. Bernardini and V. Fiorentini. Macroscopic polarization and band osets at nitride heterojunctions. Vol. 57, No. 16, pp. 94279430, 1998. [Bige 00] P. Bigenwald, A. Kavokin, B. Gil, and P. Lefebvre. Electron-hole plasma eect on excitons in GaN/Alx Ga1x N quantum wells. Physical Review B, Vol. 61, No. 23, pp. 1562115624, 2000. [Blos 89] W. L. Bloss. Eects of Hartree, exchange, and correlation energy on intersubband transitions. Journal of Applied Physics, Vol. 66, No. 8, pp. 36393642, 1989. [Buch 05] C. Buchheim, R. Goldhahn, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, U. Rossow, D. Fuhrmann, and A. Hangleiter. Dielectric function and critical points of the band structure for AlGaN alloys. physica status solidi (b), Vol. 242, No. 13, pp. 26102616, 2005. [Chak] A. Chakraborty, T. Baker, B. Haskell, F. Wu, J. Speck, S. Denbaars, S. Nakamura, and U. Mishra. Milliwatt power blue InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar GaN templates. Jpn. J. Appl. Phys., Part, Vol. 2, p. 44. [Chen 01] C. Chen, R. Helbig, J. Zeman, and A. Poulter. Zeeman spectroscopy of shallow nitrogen donor in 3C-SiC. Physica B : Condensed Matter, Vol. 293, No. 3-4, pp. 402407, 2001. Physical Review B,
BIBLIOGRAPHIE [Chua 96]
135
S. Chuang and C. Chang. k.p method for strained wurtzite semiconductors. Physical Review B, Vol. 54, No. 4, pp. 2491 2504, 1996.
[Cing 00]
R. Cingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoc, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. Di Carlo, F. Della Sala, and P. Lugli. Spontaneous polarization and piezoelectric eld in GaN/Al0.15 Ga0.85 N quantum wells : Impact on the optical spectra. Physical Review B, Vol. 61, No. 4, pp. 27112715, 2000.
[Cywi 06]
G. Cywiski, C. Skierbiszewski, A. Fedunieiwcz-muda, M. Siekacz, L. Nevou, L. Doyennette, M. Tchernycheva, F. Julien, P. Prystawko, and M. Kryko. Growth of thin AlInN/ GaInN quantum wells for applications to high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths. Journal of Vacuum Science, Vol. 24, p. 1505, 2006.
[Di C 01]
A. Di Carlo and A. Reale. Charge Screening of Polarization Fields in Nitride Nanostructures. Vol. 228, No. 2, pp. 553558, 2001. physica status solidi (b),
[Doye 05]
L. Doyennette, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. Guillot, E. Monroy, R. Colombelli, and F. Julien. GaN-based quantum dot infrared photodetector operating at 1.38 m. Electronics Letters, Vol. 41, No. 19, pp. 10771078, 2005.
[Dris 07]
K. Driscoll, A. Bhattacharyya, T. Moustakas, R. Paiella, L. Zhou, and D. Smith. Intersubband absorption in AlN/ GaN/ AlGaN coupled quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 91, p. 141104, 2007.
[Dris 09]
K. Driscoll, Y. Liao, A. Bhattacharyya, L. Zhou, D. Smith, T. Moustakas, and R. Paiella. Optically pumped intersubband emission of short-wave infrared radiation with GaN/AlN quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 94, p. 081120, 2009.
[Fan 96]
W. Fan, M. Li, T. Chong, and J. Xia. Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys GaAlN. Journal of Applied Physics, Vol. 79, p. 188, 1996.
136 [Fior 02]
BIBLIOGRAPHIE V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher. Evidence for nonlinear macroscopic polarization in IIIV nitride alloy heterostructures. Applied Physics Letters, Vol. 80, p. 1204, 2002.
[Fish 88]
G. Fishman. Energie et fonction donde des semi-conducteurs. Monographies de Physique, les Editions de physique., 1988.
[Fout 99]
B. Foutz, S. OLeary, M. Shur, and L. Eastman. Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN. Journal of Applied Physics, Vol. 85, p. 7727, 1999.
[Frie 01]
L. Friedman, G. Sun, and R. Soref. SiGe/Si THz laser based on transitions between inverted mass light-hole and heavy-hole subbands. Applied Physics Letters, Vol. 78, p. 401, 2001.
[Frit 03]
D. Fritsch, H. Schmidt, and M. Grundmann. Band-structure pseudopotential calculation of zinc-blende and wurtzite AlN, GaN, and InN. Physical Review B, Vol. 67, No. 23, p. 235205, 2003.
[Funa 06]
M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, and T. Mukai. Blue, green, and amber In GaN/GaN light-emitting diodes on semipolar (1122) GaN bulk substrates. Japanese Journal of Applied Physics Part 2 Letters, Vol. 45, No. 24/28, p. 659, 2006.
[Gain 01]
G. Gainer, Y. Kwon, J. Lam, S. Bidnyk, A. Kalashyan, J. Song, S. Choi, and G. Yang. Well-thickness dependence of emission from GaN/AlGaN separate connement heterostructures. Applied Physics Letters, Vol. 78, p. 3890, 2001.
[Gend 04]
L. Gendron, M. Carras, A. Huynh, V. Ortiz, C. Koeniguer, and V. Berger. Quantum cascade photodetector. Applied Physics Letters, Vol. 85, p. 2824, 2004.
[Gmac 00] C. Gmachl, H. Ng, S. Chu, and A. Cho. Intersubband absorption at 1.55 m in well-and modulation-doped GaN/AlGaN multiple quantum wells with superlattice barriers. Applied Physics Letters, Vol. 77, p. 3722, 2000. [Gmac 01] C. Gmachl, H. Ng, and A. Cho. Intersubband absorption in degenerately doped GaN/AlGaN coupled double quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 79, p. 1590, 2001.
BIBLIOGRAPHIE
137
[Guhn 08] T. Ghne, P. DeMierry, M. Nemoz, E. Beraudo, S. Chenot, and G. Nataf. Demonstration of semipolar (11 InGaN/GaN blue22) green light emitting diode. Electronics Letters, Vol. 44, No. 3, pp. 231232, 2008. [Guil 06] F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. Julien, T. Remmele, M. Albrecht, T. Shibata, et al. Si-doped GaN/ AlN quantum dot superlattices for optoelectronics at telecommunication wavelengths. Journal of Applied Physics, Vol. 100, p. 044326, 2006. [Gunn 76] O. Gunnarsson and B. I. Lundqvist. Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism. Phys. Rev. B, Vol. 13, No. 10, pp. 42744298, 1976. [Guo 09] X. Guo, Z. Tan, J. Cao, and H. Liu. Many-body eects on terahertz quantum well detectors. Applied Physics Letters, Vol. 94, p. 201101, 2009. [Hama 04] J. Hamazaki, S. Matsui, H. Kunugita, K. Ema, H. Kanazawa, T. Tachibana, A. Kikuchi, and K. Kishino. Ultrafast intersubband relaxation and nonlinear susceptibility at 1.55 m in GaN/AlN multiple-quantum wells. Vol. 84, p. 1102, 2004. [Hebe 02] J. Heber, C. Gmachl, H. Ng, and A. Cho. Comparative study of ultrafast intersubband electron scattering times at 1.55 m wavelength in GaN/AlGaN heterostructures. Applied Physics Letters, Vol. 81, p. 1237, 2002. [Helm 03] A. Helman, M. Tchernycheva, A. Lusson, E. Warde, F. Julien, K. Moumanis, G. Fishman, E. Monroy, B. Daudin, D. Dang, et al. Intersubband spectroscopy of doped and undoped GaN/AlN quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, Vol. 83, p. 5196, 2003. [Hofs 03] D. Hofstetter, S. Schad, H. Wu, W. Scha, and L. Eastman. GaN/AlN-based quantum-well infrared photodetector for 1.55 m. Applied Physics Letters, Vol. 83, p. 572, 2003. [Hofs 06] D. Hofstetter, E. Baumann, F. Giorgetta, M. Graf, M. Maier, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, and E. Monroy. High-quality Applied Physics Letters,
138
BIBLIOGRAPHIE AlN/ GaN-superlattice structures for the fabrication of narrowband 1.4 m photovoltaic intersubband detectors. Applied Physics Letters, Vol. 88, p. 121112, 2006.
[Hofs 07]
D. Hofstetter, E. Baumann, F. Giorgetta, F. Guillot, S. Leconte, and E. Monroy. Optically nonlinear eects in intersubband transitions of GaN/ AlN-based superlattice structures. Applied Physics Letters, Vol. 91, p. 131115, 2007.
[Holm 06]
P. Holmstrom. Electroabsorption modulator using intersubband transitions in GaN-AlGaN-AlN step quantum wells. Quantum Electronics, IEEE Journal of, Vol. 42, No. 8, pp. 810819, 2006.
[Iizu 02]
N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki. Near-infrared intersubband absorption in GaN/AlN quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, Vol. 81, p. 1803, 2002.
[Iizu 04]
N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki.
Sub-picosecond mo-
dulation by intersubband transition in ridge waveguide with GaN/AlN quantum wells. Electronics Letters, Vol. 40, No. 15, pp. 962963, 2004. [Iizu 05] N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki. Sub-picosecond all-
optical gate utilizing an intersubband transition. Optics Express, Vol. 13, No. 10, pp. 38353840, 2005. [Iizu 06a] N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki. All-optical switch utilizing intersubband transition in GaN quantum wells. Quantum Electronics, IEEE Journal of, Vol. 42, No. 8, pp. 765771, 2006. [Iizu 06b] N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki. Polarization dependent loss in III-nitride optical waveguides for telecommunication devices. Journal of Applied Physics, Vol. 99, p. 093107, 2006. [Jain 00] S. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten. IIInitrides : Growth, characterization, and properties. Journal of Applied Physics, Vol. 87, p. 965, 2000. [Jova 03] V. Jovanovi, Z. Ikoni, D. Indjin, P. Harrison, V. Milanovi, and R. Soref. Designing strain-balanced GaN/AlGaN quantum well structures : Application to intersubband devices at 1.3 and 1.55 m wavelengths. Journal of Applied Physics, Vol. 93, p. 3194, 2003.
BIBLIOGRAPHIE [Jova 04]
139
V. Jovanovi, D. Indjin, Z. Ikoni, and P. Harrison. Simulation and design of GaN/AlGaN far-infrared ( 34 m) quantumcascade laser. Applied Physics Letters, Vol. 84, p. 2995, 2004.
[Juli 07]
F. Julien, M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, R. Colombelli, E. Warde, F. Guillot, and E. Monroy. Nitride intersubband devices : prospects and recent developments. physica status solidi (a), Vol. 204, No. 6, pp. 19871995, 2007.
[Juli 97]
F. Julien and F. Boucaud. Optical spectroscopy of low dimensional semiconductors. Kluwer Academic Publishers, Netherlands, Vol. 344, 1997.
[Kami 05]
S. Kamiyama, A. Honshio, T. Kitano, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, and H. Shiomi. GaN growth on (30 38) 4H-SiC substrate for reduction of internal polarization. Physica status solidi. C., Vol. 2, No. 7, pp. 21212124, 2005.
[Kand 08]
P. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Michon, F. Julien, E. Baumann, and F. Giorgetta. GaN/AlN short-period superlattices for intersubband optoelectronics : A systematic study of their epitaxial growth, design, and performance. Journal of Applied Physics, Vol. 104, p. 093501, 2008.
[Karp 82]
J. Karpiski, S. Porowski, et al. High pressure vapor growth of GaN. Journal of Crystal Growth, Vol. 56, No. 1, pp. 7782, 1982.
[Khei 08]
N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, P. Crozat, L. Vivien, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, et al. Electrooptical Modulator at Telecommunication Wavelengths Based on GaNAlN Coupled Quantum Wells. Photonics Technology Letters, IEEE, Vol. 20, No. 9, pp. 724726, 2008.
[Kim 96]
K. Kim, W. Lambrecht, and B. Segall. Elastic constants and related properties of tetrahedrally bonded BN, AlN, GaN, and InN. Physical Review B, Vol. 53, No. 24, pp. 1631016326, 1996.
[Kish 02]
K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana. Intersubband Absorption at 1.2-1.6 m in GaN/AlN Multiple
140
BIBLIOGRAPHIE Quantum Wells Grown by rf-Plasma Molecular Beam Epitaxy. physica status solidi (a), Vol. 192, No. 1, pp. 124128, 2002.
[Kohl 02]
R. Khler, A. Tredicucci, F. Beltram, H. Beere, E. Lineld, A. Davies, D. Ritchie, R. Iotti, and F. Rossi. pp. 156159, 2002. Terahertz semiconductor-heterostructure laser. Nature, Vol. 417, No. 6885,
[Kohn 65]
W. Kohn and L. Sham. Self-consistent equations including exchange and correlation eects. Phys. Rev, Vol. 140, No. 4A, pp. A1133A1138, 1965.
[Kuma 04] S. Kumar, B. Williams, S. Kohen, Q. Hu, and J. Reno. Continuous-wave operation of terahertz quantum-cascade lasers above liquid-nitrogen temperature. Applied Physics Letters, Vol. 84, p. 2494, 2004. [Kuma 09] S. Kumar, Q. Hu, and J. Reno. 186 K operation of terahertz quantum-cascade lasers based on a diagonal design. Applied Physics Letters, Vol. 94, p. 131105, 2009. [Kuok 02a] E. Kuokstis, C. Chen, M. Gaevski, W. Sun, J. Yang, G. Simin, M. Khan, H. Maruska, D. Hill, and M. Chou. Polarization eects in photoluminescence of C-and M-plane GaN/AlGaN multiple quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 81, p. 4130, 2002. [Kuok 02b] E. Kuokstis, J. Yang, G. Simin, M. Khan, R. Gaska, and M. Shur. Two mechanisms of blueshift of edge emission in InGaN-based epilayers and multiple quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 80, p. 977, 2002. [Kuro 02] T. Kuroda and A. Tackeuchi. Inuence of free carrier screening on the luminescence energy shift and carrier lifetime of InGaN quantum wells. Journal of Applied Physics, Vol. 92, p. 3071, 2002. [Laho 07] L. Lahourcade, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, M. Abouzaid, and P. Ruterana. Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of AlN(11 on m sapphire. Applied Physics Letters, Vol. 90, 22) No. 13, p. 131909, 2007. [Laho 08a] L. Lahourcade, P. K. Kandaswamy, J. Renard, P. Ruterana, H. Machhadani, M. Tchernycheva, F. H. Julien, B. Gayral, and
BIBLIOGRAPHIE
141
E. Monroy. Interband and intersubband optical characterization of semipolar (11 22)-oriented GaN/AlN multiple-quantum-well structures. Applied Physics Letters, Vol. 93, No. 11, p. 111906, 2008. [Laho 08b] L. Lahourcade, J. Renard, B. Gayral, E. Monroy, M. P. Chauvat, and P. Ruterana. Ga kinetics in plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN(1122) : Eect on the structural and optical properties. Journal of Applied Physics, Vol. 103, No. 9, p. 093514, 2008. [Lepk 02] S. epkowski, T. Suski, P. Perlin, V. Ivanov, M. Godlewski, N. Grandjean, and J. Massies. Study of light emission from GaN/AlGaN quantum wells under power-dependent excitation. Journal of Applied Physics, Vol. 91, p. 9622, 2002. [Levi 01] M. Levinshten, S. Rumyantsev, and M. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials : GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley-Interscience, 2001. [Li 06a] Y. Li, A. Bhattacharyya, C. Thomidis, T. Moustakas, and R. Paiella. Ultrafast all-optical switching with low saturation energy via intersubband transitions in GaN/AlN quantum-well waveguides. structure, Vol. 89, p. 101121, 2006. [Li 06b] Y. Li and R. Paiella. Intersubband all-optical switching based on Coulomb-induced optical nonlinearities in GaN/AlGaN coupled quantum wells. Semiconductor Science and Technology, Vol. 21, p. 1105, 2006. [Li 07] Y. Li, A. Bhattacharyya, C. Thomidis, T. Moustakas, and R. Paiella. Nonlinear optical waveguides based on near-infrared intersubband transitions in GaN/AlN quantum wells. Opt. Express, Vol. 15, pp. 58605865, 2007. [Luo 09] H. Luo, S. Laframboise, Z. Wasilewski, G. Aers, H. Liu, and J. Cao. Terahertz quantum-cascade lasers based on a three-well active module. Applied Physics Letters, Vol. 90, No. 4, p. 041112, 2009. [Mach 09] H. Machhadani, P. Kandaswamy, S. Sakr, A. Vardi, A. Wirtmller, L. Nevou, F. Guillot, G. Pozzovivo, M. Tchernycheva, and
142
BIBLIOGRAPHIE A. Lupu. GaN/AlGaN intersubband optoelectronic devices. New Journal of Physics, Vol. 11, p. 125023, 2009.
[Matt 99]
T. Mattila and A. Zunger. Predicted bond length variation in wurtzite and zinc-blende InGaN and AlGaN alloys. Journal of Applied Physics, Vol. 85, p. 160, 1999.
[Miet]
C. Mietze, M. Landmann, E. Rauls, H. Machhadani, S. Sakr, M. Tchernycheva, F. Julien, W. G. Schmidt, K. Lischka, and D. J. As. Band osets in cubic GaN/AlN superlattices. Submitted to Phys. Rev. B.
[Mork 08]
H. Morkoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth. Vch Verlagsgesellschaft Mbh, 2008.
[Moum 03] K. Moumanis, A. Helman, F. Fossard, M. Tchernycheva, A. Lusson, F. Julien, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies. Intraband absorptions in GaN/AlN quantum dots in the wavelength range of 1.272.4 m. Applied Physics Letters, Vol. 82, p. 868, 2003. [Nevo 06] L. Nevou, F. Julien, R. Colombelli, F. Guillot, and E. Monroy. Room-temperature intersubband emission of GaN/AlN quantum wells at = 2.3 m. Electronics Letters, Vol. 42, No. 22, pp. 13081309, 2006. [Nevo 07a] L. Nevou, N. Kheirodin, M. Tchernycheva, L. Meignien, P. Crozat, A. Lupu, E. Warde, F. Julien, G. Pozzovivo, S. Golka, et al. Short-wavelength intersubband electroabsorption modulation based on electron tunneling between GaN/ AlN coupled quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 90, p. 223511, 2007. [Nevo 07b] L. Nevou, N. Kheirodin, M. Tchernycheva, L. Meignien, P. Crozat, A. Lupu, E. Warde, F. Julien, G. Pozzovivo, and S. Golka. Short-wavelength intersubband electroabsorption modulation based on electron tunneling between GaN/ AlN coupled quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 90, p. 223511, 2007. [Nevo 08] L. Nevou, F. Julien, M. Tchernycheva, F. Guillot, E. Monroy, and E. Sarigiannidou. Intraband emission at 1.48 m from
BIBLIOGRAPHIE
143
GaN/ AlN quantum dots at room temperature. Applied Physics Letters, Vol. 92, p. 161105, 2008. [Ng 03] H. M. Ng, A. Bell, F. A. Ponce, and S. N. G. Chu. Structural and optical characterization of nonpolar GaN/AlN quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 83, No. 4, pp. 653655, 2003. [Nico 05] S. Nicolay, J.-F. Carlin, E. Feltin, R. Butt, M. Mosca, N. Grandjean, M. Ilegems, M. Tchernycheva, L. Nevou, and F. H. Julien. Midinfrared intersubband absorption in lattice-matched AlInN/GaN multiple quantum wells. Applied Physics Letters, Vol. 87, No. 11, p. 111106, 2005. [Pank 75] J. Pankove. Optical processes in semiconductors. dover publications, 1975. [Patr 61] L. Patrick and W. J. Choyke. Lattice Absorption Bands in SiC. Phys. Rev., Vol. 123, No. 3, pp. 813815, 1961. [Peng 05] H. Peng, M. McCluskey, Y. Gupta, M. Kneissl, and N. Johnson. Shock-induced band-gap shift in GaN : Anisotropy of the deformation potentials. Physical Review B, Vol. 71, No. 11, p. 115207, 2005. [Pugh 99] S. Pugh, D. Dugdale, S. Brand, and R. Abram. Electronic structure calculations on nitride semiconductors. Semiconductor Science and Technology, Vol. 14, p. 23, 1999. [Ramo 01] L. Ramos, L. Teles, L. Scolfaro, J. Castineira, A. Rosa, and J. Leite. Structural, electronic, and eective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, Vol. 63, No. 16, p. 165210, 2001. [Real 02] A. Reale, G. Massari, A. Di Carlo, and P. Lugli. Dynamic Screening in AlGaN/GaN Multi Quantum Wells. physica status solidi (a), Vol. 190, No. 1, pp. 8186, 2002. [Real 03] A. Reale, G. Massari, A. Di Carlo, P. Lugli, A. Vinattieri, D. Alderighi, M. Colocci, F. Semond, N. Grandjean, and J. Massies. Comprehensive description of the dynamical screening of the internal electric elds of AlGaN/GaN quantum wells in timeresolved photoluminescence experiments. Journal of Applied Physics, Vol. 93, p. 400, 2003.
144 [Roch 02]
BIBLIOGRAPHIE M. Rochat, L. Ajili, H. Willenberg, J. Faist, H. Beere, G. Davies, E. Lineld, and D. Ritchie. Low-threshold terahertz quantumcascade lasers. Applied Physics Letters, Vol. 81, p. 1381, 2002.
[Rol 07]
F. Rol. Etude optique de botes quantiques uniques non polaires de GaN/AlN. thse de Doctorat, 2007.
[Roma 06] A. Romanov, T. Baker, S. Nakamura, and J. Speck. Straininduced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers. Journal of Applied Physics, Vol. 100, p. 023522, 2006. [Sakr 10] S. Sakr, Y. Kotsar, S. Haddadi, M. Tchernycheva, L. Vivien, I. Sarigiannidou, N. Isac, E. Monroy, and F. Julien. GaN-based quantum cascade photodetector with 1.5 m peak detection wavelength. Electronics Letters, Vol. 46, No. 25, pp. 16851686, 2010. [Sato 08] H. Sato, R. B. Chung, H. Hirasawa, N. Fellows, H. Masui, F. Wu, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura. Optical properties of yellow light-emitting diodes grown on semipolar (1122) bulk GaN substrates. Applied Physics Letters, Vol. 92, No. 22, p. 221110, 2008. [Scal 03] G. Scalari, S. Blaser, L. Ajili, J. Faist, H. Beere, E. Lineld, D. Ritchie, and G. Davies. Population inversion by resonant magnetic connement in terahertz quantum-cascade lasers. Applied Physics Letters, Vol. 83, p. 3453, 2003. [Scho 07] J. Schrmann, S. Potthast, D. As, and K. Lischka. In situ growth regime characterization of cubic GaN using reection high energy electron diraction. Vol. 90, p. 041918, 2007. [Schu 10] T. Schupp, K. Lischka, and D. As. MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN. Journal of Crystal Growth, Vol. 312, No. 9, pp. 15001504, 2010. [Shim 07] T. Shimizu, C. Kumtornkittikul, N. Iizuka, N. Suzuki, M. Sugiyama, and Y. Nakano. Fabrication and measurement of AlN cladding AlN/GaN multiple-quantum-well waveguide for all-optical switching devices using intersubband transition. Japanese journal of applied physics, Vol. 46, No. 10A, p. 6639, 2007. Applied Physics Letters,
BIBLIOGRAPHIE [Sirt 02]
145
C. Sirtori. Bridge for the terahertz gap. Nature, Vol. 417, No. 6885, pp. 1323, 2002.
[Sore 01]
R. Soref and G. Sun. Terahertz gain in a SiGe/Si quantum staircase utilizing the heavy-hole inverted eective mass. Applied Physics Letters, Vol. 79, p. 3639, 2001.
[Sun 05a]
G. Sun, J. Khurgin, and R. Soref. Nonlinear all-optical GaN/ AlGaN multi-quantum-well devices for 100 Gb/ s applications at = 1.55 m. Applied Physics Letters, Vol. 87, p. 201108, 2005.
[Sun 05b]
G. Sun, R. Soref, and J. Khurgin. Active region design of a terahertz GaN/Al0. 15Ga0. 85N quantum cascade laser. Superlattices and Microstructures, Vol. 37, No. 2, pp. 107113, 2005.
[Sun 98]
G. Sun, Y. Lu, and J. Khurgin. Valence intersubband lasers with inverted light-hole eective mass. Applied Physics Letters, Vol. 72, p. 1481, 1998.
[Suzu 96]
M. Suzuki and T. Uenoyama. Optical gain and crystal symmetry in IIIV nitride lasers. Applied Physics Letters, Vol. 69, p. 3378, 1996.
[Suzu 97]
N. Suzuki and N. Iizuka. Feasibility Study on Ultrafast Nonlinear Optical Properties of 1.55- m Intersubband Transition in AlGaN/GaN Quantum Wells. Japanese journal of applied physics, Vol. 36, pp. 10061008, 1997.
[Taka 00]
A. T. Takamasa Kuroda and T. Sota. Luminescence energy shift and carrier lifetime change dependence on carrier density in InGaN/InGaN quantum wells. Appl. Phys. Lett., Vol. 76, p. 3753, 2000.
[Tche 05]
M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, A. Helman, R. Colombelli, F. Julien, F. Guillot, E. Monroy, T. Shibata, and M. Tanaka. Intraband absorption of doped GaN/ AlN quantum dots at telecommunication wavelengths. Vol. 87, p. 101912, 2005. Applied Physics Letters,
[Tche 06]
M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. Julien, E. Warde, F. Guillot, E. Monroy, E. Bellet-Amalric, T. Remmele, and M. Albrecht. Systematic experimental and theoretical investi-
146
BIBLIOGRAPHIE gation of intersubband absorption in GaN/ AlN quantum wells. Physical Review B, Vol. 73, No. 12, p. 125347, 2006.
[Unum 01] T. Unuma, T. Takahashi, T. Noda, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, and H. Akiyama. Eects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well. Applied Physics Letters, Vol. 78, p. 3448, 2001. [Unum 03] T. Unuma, M. Yoshita, T. Noda, H. Sakaki, and H. Akiyama. Intersubband absorption linewidth in GaAs quantum wells due to scattering by interface roughness, phonons, alloy disorder, and impurities. Journal of Applied Physics, Vol. 93, p. 1586, 2003. [Vard 08a] A. Vardi, G. Bahir, F. Guillot, C. Bougerol, E. Monroy, S. Schacham, M. Tchernycheva, and F. Julien. Near infrared quantum cascade detector in GaN/ AlGaN/ AlN heterostructures. Applied Physics Letters, Vol. 92, p. 011112, 2008. [Vard 08b] A. Vardi, N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, L. Vivien, P. Crozat, M. Tchernycheva, R. Colombelli, F. Julien, F. Guillot, et al. High-speed operation of GaN/AlGaN quantum cascade detectors at 1.55 m. Applied Physics Letters, Vol. 93, p. 193509, 2008. [Vurg 03] I. Vurgaftman and J. Meyer. Band parameters for nitrogencontaining semiconductors. Journal of Applied Physics, Vol. 94, p. 3675, 2003. [Wall 89] C. Van de Walle. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory. Physical Review B, Vol. 39, No. 3, pp. 1871 1883, 1989. [Walt 07] C. Walther, M. Fischer, G. Scalari, R. Terazzi, N. Hoyler, and J. Faist. Quantum cascade lasers operating from 1.2 to 1.6 THz. Applied Physics Letters, Vol. 91, p. 131122, 2007. [Will 03a] B. Williams, H. Callebaut, S. Kumar, Q. Hu, and J. Reno. 3.4-THz quantum cascade laser based on longitudinal-opticalphonon scattering for depopulation. Applied Physics Letters, Vol. 82, No. 1015, 2003.
BIBLIOGRAPHIE
147
[Will 03b] B. Williams, S. Kumar, H. Callebaut, Q. Hu, and J. Reno. Terahertz quantum-cascade laser operating up to 137 K. Applied Physics Letters, Vol. 83, No. 5142, 2003. [Will 05] B. Williams, S. Kumar, Q. Hu, and J. Reno. Operation of terahertz quantum-cascade lasers at 164 K in pulsed mode and at 117 K in continuous-wave mode. Optics Express, Vol. 13, No. 9, pp. 33313339, 2005. [Will 06] B. Williams, S. Kumar, Q. Qin, Q. Hu, and J. Reno. Terahertz quantum cascade lasers with double-resonant-phonon depopulation. Applied Physics Letters, Vol. 88, No. 261101, p. 261101, 2006.

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Table des matires

Elaboration des nitrures dlments III . . . . . . . . . . . . . 16

Proprits des matriaux nitrures . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Etat de lart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 1.6.1 1.6.2

TABLE DES MATIRES Modulateurs lectro-optiques . . . . . . . . . . . . . . . 37 Emission de lumire ISB . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

TABLE DES MATIRES 4.2.2 4.2.3 4.3 4.4 4.5

Croissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 Proprits structurales des puits GaN/AlN cubiques . . 95

Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 107

5 Absorption intersousbande dans le THz 5.1 5.2

Spectroscopie dabsorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5.3.1 5.3.2 5.3.3

Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122 125 127

Conclusions et perspectives Liste des publications

Actes de colloques avec comit de lecture . . . . . . . . . . . . 129 Confrences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

TABLE DES MATIRES

Chapitre 1 Les nitrures dlments III

Les nitrures dlments III

AlN a0 [] c0 [] c0 /a0 u0 [] u0 /c0 3.112 4.982 1.601 1.892 0.798

Table 1.1 Paramtre de maille dAlN et GaN en phase hexagonale.

1.1 Structure cristalline

2 43m) La structure blende de zinc appartient au groupe despace Td ( ou F

Table 1.2 Paramtre de maille dAlN et GaN cubique.

Les nitrures dlments III

Elaboration des nitrures dlments III

1.2 Elaboration des nitrures dlments III

Epitaxie en phase vapeur aux organo-mtalliques

Epitaxie par jets molculaires EJM

Proprits des matriaux nitrures

Les nitrures dlments III

1.3 Proprits des matriaux nitrures

22 Wurtzite AlN so (en meV) cr (en meV) 19 -169 GaN 17 10

Les nitrures dlments III Blende de zinc AlN 19 GaN 17

Table 1.4 Energies de couplage spin-orbite so et champ cristallin cr [Vurg 03].

3.38, 3.1, 3.2 [Fan 96] 5.94, 6 [Fan 96]

Variation du gap avec la temprature

0.909 1.799 0.593

sont les lments diagonaux du tenseur de dformation de

= (d d0 )/d0 o d0 est le paramtre de maille non contraint. ac,v

Les nitrures dlments III

1.4 Polarisation Paramtre

[Bark 73, Levi 01, Frit 03]

10.4(E c) 5.8(E c) 5.3

= P.n o n est le vecteur unitaire normal la surface.

Les nitrures dlments III

o eij est le tenseur pizolectrique. Pour un matriau soumis une

c est non nulle, elle est donne par :

C13 e33 )2 c33

o x est la composition de llment A.

Les nitrures dlments III

1.5 Thorie des transitions intersousbandes

Thorie des transitions intersousbandes

Les nitrures dlments III

moduls en jouant sur les paramtres de croissance.

n,k (r) = un,k (r)exp(ik.r)

Approximation de la fonction enveloppe

1.5 Thorie des transitions intersousbandes

Les nitrures dlments III

Coecient dabsorption intersousbande

2 | f |Hint |i |2 (Ef Ei h) h et lquation 1.26 : E0 e iE0 e i(q.rt) sin(q.r t) = e + C.C., 2

1.5 Thorie des transitions intersousbandes

d3 reikr (z)[ex px + ey py + ez pz ]eik r n (z). (1.32) n

Les nitrures dlments III

o L et lpaisseur de la rgion active et if le diple de la transition Ei vers