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Sources photoniques

Lasers
Sources photoniques

3 Lasers : Généralités
LASERS : généralités

3.1 Introduction
Qu’est-ce qu’un laser ?

LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

LEDs Photodétecteurs Lasers

Chap 3 Sources photoniques - M2 EEA 4


LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation

 Trois éléments fondamentaux :


– Milieu amplificateur = milieu à gain : émission stimulée
– Pompe : alimentation en énergie
– Cavité : rétro-action + filtre

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Laser

 Laser = oscillateur optique

 Le milieu amplificateur suffisamment pompé va


amplifier le rayonnement : gain. La cavité re- injecte
une partie du rayonnement dans le milieu
amplificateur : filtre.

L’effet laser repose sur l’intéraction du milieu


amplificateur avec le rayonnement
électromagnétique.

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Types de lasers

 Le milieu amplificateur d’un laser peut être:


– Gaz
– Liquide
– Solide
• Cristaux (YAG)
• Fibres optiques (télécom)
• Semi-conducteurs : GaAs, InP, GaN, GaSb

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Etendue spectrale accessible par les lasers

N.B.: XUV et RX: en labo uniquement

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Lasers à gaz

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Rendement des lasers usuels

Type de laser Puissance Puissance Rendement à la


électrique optique typique prise
typique
consommée
Gaz HeCd 1 kW 100 mW 0.002 – 0.02 %
Ar 40 kW 4W 0.01 %
HeNe 100 W 1 mW 0.01 %
CO2 1 kW 10 W 1%

Terres rares YAG 1 kW 1W 0.1 %


dans une YAG pompé 100 W 1W 1%
matrice solide par diode laser
Semi- 500 mW 50 mW 10 – 60 %
conducteur

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Rayonnement laser

 Les principales propriétés recherchées pour les


applications sont:
– Monochromaticité
– Cohérence
– Directivité
– Intensité / densité de puissance

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LASERS : généralités

3.2 Gain du milieu


Emission spontanée vs stimulée vs absorption

absorption = inverse de l’émission stimulée


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Absorption vs Emission stimulée

 Deux « sens opposés » pour un seul phénomène,


l’intéraction entre la matière et le rayonnement:
– Absorption = transition du niveau d’énergie basse vers le
niveau d’énergie haute
– Émission stimulée = transition du niveau d’énergie haute vers
le niveau d’énergie basse

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Absorption vs Emission stimulée : un peu d’intuition..

 Naturellement la distribution de population est telle qu’il y a


plus d’électrons sur le niveau bas.

 Pour que l’émission stimulée devienne prépondérante il faut


qu’il y ait plus d’électrons sur le niveau haut.

Inversion de population !!

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Pertes – transparence – gain

I0 milieu I?
?

 Naturellement, la population occupe majoritairement le niveau


bas. L’absorption domine : pertes, I < I0.
 Quand on fournit de l’énergie au milieu (pompe), on augmente
progressivement la population sur le niveau haut. Pour un
niveau de pompage donné, il n’y a plus d’absorption :
transparence, I = I0.
 Si on continue à pomper, la population sur le niveau haut est
plus élevée que sur le niveau bas : inversion de population. Le
matériau amplifie le signal : gain, I > I0.
 Toute « inversion supplémentaire » fournit des photons
stimulés.

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Loi de Beer-Lambert : absorption & gain

I0
dI
I(x
I 
dx
)

0 x

I (x)  I 0  exp( 
x)
0 Pertes ou absorption (cm-1)

0 Gain ou amplification (cm-1)

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Pertes – transparence – gain

 Pompe :
Injection électrique : lasers à semi-conducteurs
– Pompage optique : lasers à fibres, YAG, doublage fréq
– Décharge électrique : lasers à gaz

Ex : diode GaAs/AlGaAs QW

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LASERS : généralités

3.3 Pertes de la cavité


Cavité Fabry-Pérot (FP)

R1 R2
L

 Cavité la plus simple: deux miroirs plans parallèles.


 Très simple à mettre en œuvre avec les lasers à semi-
conducteurs.

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1 2
R1 R2 Pertes de la cavité FP
4 3

Considérons unecavité FP qui comprend un


milieu de gain g et pertes internes i est :

En 1 : I(0)
Après un aller (2) : I(L)=I(0) exp[(g- i)L]
Après réflexion (3) : IR2(L) = R2 x I(L)
Après le retour (4) : IR2(2L) = IR2(L) exp[(g- i)L]
Après réflexion (1) : IAR(2L) = R1 x IR2(2L)

IAR(2L) = I(0) x R1R2 x exp[2(g- i)L]


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1 2
R1 R2 Pertes de la cavité
4 3

IAR (2L) = I(0) x R1R2 x exp[2(g- i)L]

Globalement, on aura amplification si l’intensité après un


AR est supérieure à l’intensité initiale.

A la limite : IAR(2L) = I(0)


 1 = R1R2 exp[2(g- i)L]
 g = i + (1/2L) ln (1/R1R2)
 g = i + FP

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1 2
R1 R2 Pertes de la cavité
4 3

 1
 2L ln
1
FP
RR 1 2

– Si R1 = R2 = R,

1 1
 ln
FP
L

Chap 3 R
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Lasers à semiconducteurs

 Milieu amplificateur: semiconducteur


 Cavité: faces clivées, miroir, cavité externe
 Pompage: injection électrique, pompage optique

qques µm

qques µm
Face clivée Miroi
Semi-réfléchissante r
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Pertes Fabry-Perot FP

Pouvoir réflecteur d’un matériau


d’indice complexe N=n-ik :
(n1)2
k
R  (n1)2k2
2

0.8
0.669
0.6

R(n) 0.4

0.2 k=0
0 0
0 2 4 6 8 10
1 n 10

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Pertes Fabry-Perot FP

FP  1

Cm-1
3
1 10
ln( 1 )

R=0.30
 3(L) 100
pertes Fabry-Perot

 9(L)
R=0.90
 99(L)
10
R=0.99

1
1 10 100 1 103
L
Longueur (µm)

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Pertes de la cavité FP

 Si on veut diminuer les pertes d’une cavité FP, il


faut augmenter sa longueur.

 Problème: dans un laser à semi-conducteurs, plus la cavité est


longue et plus la probabilité d’avoir un défaut est grande…
compromis à trouver.

 Si la cavité est courte (ex: VCSELs) il faut des miroirs


à très haute réflectivité pour limiter les pertes.

 Problème: croissance ou dépôt d’un miroir de forte réflectivité =


opération complexe

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LASERS : généralités

3.4 Seuil du laser


1 2
R1 R2 Seuil Laser
4 3

 Au seuil le gain compense exactement les


pertes intrinsèques du milieu amplificateur
plus les pertes à la réflexion sur les mirroirs
de la cavité:

 gth = i + FP

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Seuil Laser

Souvent la cavité occupe un volume Vp plus important que


le volume V de la zone active. On définit le facteur de
confinement  = V/Vp de la cavité représentant la fraction du
mode qui recouvre la zone active. Seule cette fraction du mode
pourra être amplifiée et participera au gain.

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Seuil Laser

 La condition de seuil devient alors :

.gth = i + FP

 i = pertes internes (matériau + structure)


 FP = pertes de la cavité

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1 2
R1 R2 Seuil Laser
4 3

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