D O S S I E R

enregistrement ultra haute densit micropointes

Didier SALUEL
Ingnieur ENSPG, Doctorant

Jean-Marc FEDELI
Assistant Programme en Enregistrement et Composants Magntiques Intgrs au CEA-LETI (Laboratoire dElectronique, de Technologie et dInstrumentation)

Le stockage d'information a volu depuis 40 ans vers des capacits mmoire de plus en plus grandes tout en augmentant les performances en temps d'accs et en dbit. Les enregistrements sont effectus sous forme de disques, bandes, ou puces silicium. Cette volution n'est pas sans fin et les techniques d'enregistrement actuels vont rencontrer des limites. Elles peuvent tre physiques (stabilit des domaines magntiques l'chelle nanomtrique, diffraction et longueur d'onde pour les techniques optiques) ou techniques (ralisation dentrefer magntique nanomtrique, suivi de piste avec des bits d'information de trs petites tailles) . Afin de poursuivre l'augmentation de densit, de nouveaux concepts voient le jour et doivent satisfaire une dlicate quation, capacit, dbit, temps d'accs. Ces approches font partie de ce que l'on appelle tout simplement l'enregistrement ultra haute densit, UHD pour les initis. Dans ce document nous passerons en revue tout d'abord les limites des enregistrements actuels (magntique, optique) puis nous aborderons les diffrentes propositions pour lUHD.

1. Lenregistrement magntique
L'enregistrement magntique repose sur la capacit crire des domaines magntiques sur un support aimantable, conserver cette aimantation reprsentant linformation de manire fiable pour la dure de vie ncessaire, et relire cette information avec le plus faible taux derreur. La technologie des disques durs reste le moteur de la forte progression technique qui se traduit par une augmentation de capacit de 60% par an depuis 10 ans. Actuellement, le dfi de l'augmentation des densits passe par un ensemble de performances technologiques : - diminution de la taille et du poids des ttes (Figure 1), - suivi de piste plus performant grce des microactionneurs, - contrle du vol de la tte autour de la dizaine de nm, - augmentation de la sensibilit de lecture par lutilisation de couches magntorsistance gante, - diminution de la taille des grains du disque afin de diminuer le bruit.
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courant de lecture capteur GMR courant d'criture

entrefer

mdia magntique longitudinal

Figure 1 : Vue d'ensemble d'une tte d'criture - lecture magntique.

2. Lenregistrement optique
L'enregistrement optique regroupe une grande famille de technologies incluant les disques compacts lecture seule (CD-audio, CD-ROM), les disques compacts inscriptibles (CD-Recordable) et les diffrents disques r-inscriptibles (Mini-disque, CD-RW, DVD-RAM). Pour ces derniers disques, deux technologies permettent l'enregistrement rversible : la magnto-optique et le changement de phase. Pour la technologie magnto-optique, l'information enregistre est comme pour les disques durs un domaine magntique

Cependant la stabilit des domaines magntiques impose une taille de grains minimum de 7nm environ, ce qui conduit des densits maximum de 1.5 Gbit/cm2 dans les mdias longitudinaux et 6,1 Gbit/cm2 pour les mdias perpendiculaires.

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optiques permettent galement d'augmenter l'ouverture numrique. C'est le cas des technologies utilisant des lentilles immersion solide (SIL, Solid Immersion Lens). De plus il existe d'autres astuces permettant l'criture et la lecture de domaines plus petits que la taille du spot laser :
Figure 2 : principe des enregistrements magnto-optique (a) et changement de phase (b).

inscrit, par contre, dans un mdia aimantation perpendiculaire. Les matriaux les plus utiliss sont des alliages amorphes de terre rare (Gadolinium, Terbium, Dysprosium) avec des mtaux de transition (Fer, Cobalt). Le mdia magntique perpendiculaire utilis en magntooptique permet d'obtenir des domaines magntiques stables jusqu' des diamtres d'environ quelques dizaines de nanomtres. La technologie changement de phase utilise aussi un processus thermo-optique. L'enregistrement repose sur le principe qu'un matriau changement de phase (gnralement base de Tellure) passe rversiblement de l'tat amorphe l'tat cristallin. Les limites intrinsques du matriau changement de phase sont elles moins connues. On peut supposer que la limite en taille de bit cristallin stable est la dimension des grains cristallins qui constituent les couches cristallises, soit autour de 10 nm. Comme nous venons de le voir les matriaux pour l'enregistrement optique ont de grandes possibilits intrinsques pour les hautes densits. Cependant si de petits domaines peuvent exister dans ces mdias il faut pouvoir les inscrire et les lire. L'outil utilis jusqu' maintenant est un laser focalis sur la couche active. La rsolution de ce spot lumineux va donc dfinir la taille des objets crits. Le diamtre total du spot dans le plan focal de la lentille est donn par :

- MSR et PCSM (Magnetic Super Resolution et Phase Change Super Resolution) [i,ii]. - MAMMOS (Magnetic Amplifying Magneto-Optical System) [iii]. - LPMFM (Laser Pumped Magnetic Field Modulation) [iv].

Les principaux acteurs japonais de l'enregistrement optique classique s'accordent pour estimer les possibilits de leurs techniques 3 Gbit/cm2 , cette densit serait atteinte dans les annes 2005-2007.

3. Les techniques base de micropointes locales

Hormis les techniques denregistrement trois dimensions comme la focalisation du spot laser sur plusieurs plans en enregistrement optique ou comme les procds holographiques qui tendent moins rduire la taille des informations enregistres qu les enregistrer sur tout le volume du support en travaillant en trois dimensions, les nouvelles techniques vont toutes dans le mme sens : une rduction physique de loutil dcriture et de lecture permettant ainsi une grande rsolution et un enregistrement haute densit. Ainsi, les procds font intervenir des objets de plus en plus petits et l'interaction entre la tte d'criture et le mdia devient de plus en plus intime. La ncessit de rapprocher l'outil d'enregistrement et le mdia pour obtenir de plus grandes densits de stockage et de travailler avec des outils de petites tailles se traduit par l'utilisation de plus en plus importante des micropointes qui sont les sondes des microscopes de proximit :
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avec la longueur d'onde de la lumire utilise et ON l'ouverture numrique de la lentille de focalisation. Pour diminuer la taille du spot, donc augmenter les densits des donnes crites, il faut : - augmenter l'ouverture numrique de la lentille de focalisation, - diminuer la longueur d'onde utilise. Ainsi, les futures gnrations de DVD travailleront certainement avec des lasers bleus. De nouvelles configurations

- microscopie champ proche optique, SNOM (Scanning Near field Optical Microscopy), - microscopie effet tunnel, STM (Scanning Tunnelling Microscopy),

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- microscopie force atomique, AFM (Atomic Force Microscopy), - microscopie de champ magntique, MFM (Magnetic Field Microscopy), - microscopie de champ lectrique, EFM (Electric Field Microscopy), - ... Les modifications du substrat qui peuvent servir comme mcanisme d'enregistrement sont varies. Elles peuvent tre : - atomique : manipulation d'atomes ou de molcules, - surfacique : formation d'amas mtalliques, formation de trou... - volumique : formation de zones de charges d'espace, pigeage de charges, renversement d'aimantation localis, transformation de phase... Ces techniques de microscopie, brivement prsentes sur la figure 3, sont toutes bases sur une pointe qui balaye la surface. L'interaction entre la pointe et cette dernire est contrle par un asservissement qui permet de restituer une image de la surface. Cette image sera topographique, lectronique, magntique, etc. selon la sonde utilise. Dveloppes pour l'observation et la spectroscopie, ces sondes sont naturellement candidates pour une lecture trs

haute densit puisqu'elles possdent les meilleures rsolutions. Depuis l'invention du microscope effet tunnel par Gerg Binnig et Heinrich Rohrer en 1982 de nombreux laboratoires s'attachent dmontrer la faisabilit d'un enregistrement par micropointe pouvant atteindre le terabit/cm2 . Les types denregistrement peuvent tre scinds en trois catgories qui conduisent des applications diffrentes : Les systmes de stockage lecture seule (ROM, Read Only Memory). Les systmes inscription unique et lecture multiple (WORM,Write Once Read Many). Les systmes denregistrement rversible (RW, ReWritable).

3.1. Les systmes de stockage en lecture seule

Le disque compact audio et informatique, le CD-ROM, sont les formes les plus connues de stockage d'informations en lecture seule. Le disque en plastique (P.M.M.A. ou polycarbonate) est moul par pressage puis mtallis. Les informations sont donc inscrites dfinitivement sous forme de bosses ou de trous appels "pits". Ces informations sont alors lues par un laser qui vient se rflchir sur le disque. Les motifs des matrices mtalliques qui impriment les trous sont dfinis par lithographie. Les techniques actuelles de gravure permettent de faire des motifs plus petits que ceux prsents sur un DVD-ROM (0,3 m). Plusieurs techniques de nanolithographie peuvent donc tre utilises [v, vi] pour imprimer des mini-disques de quelques centimtres de diamtre qui pourront tre lus par des techniques de micropointe optique ou par AFM [vii]. Une matrice est fabrique par gravure ionique ractive sur un substrat oxyde/silicium comme montr sur la figure 4-a. La lithographie par faisceau dlectrons permet de dfinir des formes aux

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Figure 3 : Principe de base des microscopies sonde locale. A) Effet tunnel. B) AFM en mode contact. C) AFM en mode contact intermittent (tapping). D) Dtection de champ lectrostatique ou magntique.

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dimensions infrieures 10 nm dans le substrat. Les informations ainsi inscrites peuvent ensuite tre transfres sur plusieurs dupliqua par photopolymrisation. Un procd par pressage propos par S. Y. Chou [v] est prsent sur la figure 4-b. Une tape critique de ce processus est le retrait de la matrice, il faut viter les contaminations de la matrice par la rsine pour que les formes de l'empreinte soient fidles. Des traitements spciaux de la matrice (couches anti-adhsives spcifiques la rsine utilise) sont alors ncessaires.

permet de rduire lusure de la pointe et du mdia. Ainsi des tests dusure nont rvl aucune dtrioration du couple pointe/mdia plastique aprs plusieurs jours de lecture en continue [vii]. De part l'impossibilit donne l'utilisateur d'inscrire lui mme des donnes, les applications se limitent la diffusion dinformations en volume (ex. CD-A, CD-ROM, DVD-Video).

3.2 Les systmes inscription unique et lecture multiple

Un perfectionnement des techniques ROM est donc de concevoir des pointes capables d'crire. L'criture peut tre thermique en utilisant des pointes optiques ou lectriques (STM, AFM) pour chauffer localement le mdia et y induire des dfauts topographiques. Toujours en Californie dans les laboratoires de lUniversit de Stanford et d'IBM-Almaden, les quipes de B. W. Chui et H. J. Mamin utilisent des pointes AFM en mode contact avec en leur extrmit un lment rsistif ralis par dopage [ix]. Cet lment permet par l'application dune impulsion lectrique de chauffer un disque de polycarbonate. L'lvation de temprature du polycarbonate permet une inscription topographique induite par la pointe. La lecture se fait toujours par dtection AFM avec un capteur pizorsistif (une contrainte mcanique modifie la rsistivit dune couche semi-conductrice dope). La figure 5 montre la forme spcifique du levier actuel [viii] avec deux circuits lectriques distincts, l'un pour l'criture et l'autre pour la lecture. La dimension des trous forms dans le disque plastique permet d'atteindre des densits de stockage de 7 Gbit/cm2 avec des vitesses de lecture de 1.2 Mbit/s. L'criture est relativement plus lente : 100 kbit/s [ix]. En effet aucun courant ne passe de la pointe vers le substrat, la source de chaleur est donc localise au niveau de l'embase de la pointe et l'chauffement du substrat sous la pointe se fait par transfert thermique. Les constantes de temps de la

Faisceau dlectrons rsine SiO2 Si RIE

pressage matrice rsine substrat RIE

transfert par photopolymrisation

A)

B)

Figure 4 : A) Processus de fabrication d'une matrice. B) Processus d'impression et de transfert par gravure ionique ractive.

La technique la plus rapide pour lire ces information est l'utilisation de pointe de microscopie force atomique travaillant en contact avec la surface. Une pointe sur un levier souple (cantilever) suit le profil du mdia avec une force d'appui constante. Les dflexions du levier engendres par les informations inscrites sur le mdia sont dtectes par un capteur pizorsistif intgr au levier. Cette dtection permet la fois la lecture des donnes et l'asservissement en position verticale de la pointe. Outre les travaux sur la fabrication du mdia les efforts sont ports sur la fabrication de pointes spcifiques. La rsolution des pointes tant bien entendu suffisante, ce sont les vitesses de balayage et donc de transfert des donnes que l'on cherche amliorer. La forme des pointes utilises par H. J. Mamin [viii] a permis des vitesses de lecture de jauge de contrainte l'ordre du Mbit/s. pizorsistive La difficult des systmes de pointe au contact est de saffranchir des problmes tribologiques (comportement mcanique linterface) entre la pointe et le substrat. Lutilisation de pointe trs lgre, de force dappui faible (nanoNewton) et dun mdia plus mou que la pointe comme un polymre,

lment chauffant

2 m

Figure 5 : Levier AFM en silicium monocristallin avec les fonctions lecture et criture, informations inscrites avec ce type de pointe sur un disque en polycarbonate.

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conduction de la chaleur travers la pointe limitent les vitesses d'criture. La taille des informations inscrites dpend de la puissance applique lors de l'criture et du profil de l'extrmit de la pointe. Dans une publication toute rcente [X], cette technique est prsente comme permettant l'effacement des informations inscrites. En utilisant un film d'enregistrement plus fin (polymre) sur un substrat silicium et en chauffant l'ensemble du mdia environ 150C pendant quelques secondes les bits de dimensions infrieures 100 nm s'effacent. En changeant de matriau d'autres outils peuvent tre utiliss pour former des trous ou des amas de matire la surface du mdia. Par exemple, avec des matriaux peu conducteurs, une pointe de microscope effet tunnel (STM) peut induire des effets thermo-mcaniques. En effet une pointe STM n'chauffera pas un matriau mtallique mme en travaillant avec des potentiels de quelques volts et des courants de plusieurs nanoampres entre la pointe et le substrat. Par contre la mme pointe sur des matriaux plus rsistifs va induire des chauffements locaux du mdia pouvant parfois atteindre sa temprature de fusion. Ce procd a t expriment par U. Staufer et R. Wiesendanger [xi, xii] sur des substrats mtalliques amorphes tels que Co35Tb65 et Rh25Zr75. Plusieurs autres systmes de modification de surface, combinant des effets thermiques et mcaniques peuvent tre envisags. Les diffrentes interactions qu'il y a entre une pointe et un substrat par simple effet thermique peuvent former des trous ou des bosses de formes varies dans les matriaux utiliss [xiii] . La pointe qui s'chauffe peut avoir une dilatation telle qu'il y est contact avec la surface, les conditions de refroidissement du systme dfiniront les formes des modifications produites sur la surface : trous avec bourrelets, bosses... Les effets combins du champ lectrique lev et de l'lvation de la temprature dans le mdia peuvent donner lieu de la diffusion atomique vers ou partir de la pointe, etc. ... L'mission ionique sous l'effet du champ lectrique donne aussi des interactions complexes interprter aboutissant la formation aussi bien d'amas de matire que de trous. L'vaporation sous un champ lectrique lev de molcules ou d'atomes est souvent tudie avec l'or. Il est ainsi possible de transfrer de la matire d'une pointe STM couverte d'or pour former des amas sur un substrat. L'inverse est aussi ralisable en vaporant cette fois-ci les atomes d'or de la surface du mdia. Des plots d'or de 10 100 nm de diamtre ont ainsi t raliss par de nombreux laboratoires [xiv, xv, xvi, xvii]. Enfin on doit aussi retenir pour l'enregistrement criture unique les mthodes plus brutales pour induire des transformations dans un substrat mou telle que l'utilisation de la seule

force d'appui de la pointe. S. Hosaka [xviii] propose cette mthode sur un disque en polycarbonate pour former des trous nanomtriques. Les trous sont forms par dformation plastique froide du mdia sous l'action mcanique de la pointe. La force applique est contrle et suprieure 40 nN. En utilisant un levier suffisamment rigide il est ainsi possible de disposer de forces d'appui suffisantes et de frquences de rsonance leves pour la phase de lecture. S. Hosaka a ainsi dmontr la possibilit de raliser sur un substrat rotatif un enregistrement avec une densit de 190 Gbit/cm2 avec une vitesse de lecture de 1 Mbit/s. Cette technique est galement applique des rsines (PGMA), l'action mcanique de la pointe permet de mettre jour localement la surface sous la rsine formant ainsi un masque de gravure. L'application de force d'appui de 750 nm (dflexion du levier de 1.1 m, pour une constante de raideur k = 0.68 N/m,) a permis S. I. Yamamoto [xix] aprs attaque chimique de former des motifs de 20 nm lus par la mme pointe AFM 10 m/s.

3.3. Enregistrement rversible par micropointe

Lenregistrement rversible reprsente lenjeu rel de ces nouvelles techniques car les procds ROM et WORM noffrent que les fonctions de diffusion et darchivage de linformation. La rversibilit de l'enregistrement dpend plus des proprits du mdia que de la technique utilise pour lire et crire. Les mdias candidats l'enregistrement rversible haute densit peuvent se rduire aux : - structures NOS ou ONOS pour le stockage de charge, - matriaux magntiques, - matriaux changement de phase : amorphe et cristallis. Bien sr, il faut aussi mentionner la manipulation d'atomes ou de molcules qui est rversible et qui dtient le record absolue de densit surfacique. Par exemple la dmonstration faite par D. M. Eigler d'IBM (Figure 6) avec des atomes de Xnon correspond une densit de 150 Tbit/cm 2 [xx]. Cependant ces techniques demandent des conditions d'ultra vide et de trs basse temprature qui les rendent aujourd'hui

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Figure 6 : Manipulation d'atomes de Xenon.

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inenvisageables pour une application en enregistrement. De plus ces techniques sont trs lentes, l'approche de la pointe sur un atome pour le capturer est trs dlicate. Nous allons donc nous intresser aux systmes demandant des conditions d'oprations plus adaptes au stockage de donnes. 3.3.1. Stockage de charge L'enregistrement par stockage de charge consiste piger localement dans le mdia des particules charges (e). Il est par exemple possible d'injecter des charges dans une structure nitrure oxyde silicium (NOS, [xxi]) avec des pointes AFM conductrices. Une impulsion de tension permet aux lectrons de passer par effet tunnel du silicium, dop p, vers la couche de nitrure au travers de l'oxyde. Avec une structure oxyde nitrure oxyde silicium (ONOS, [xxii]) les charges proviennent de la pointe et passent par effet tunnel au travers de la couche suprieure d'oxyde pour tre piges l'interface entre cette couche d'oxyde et la couche de nitrure. La figure 7 illustre des points inscrits dans une structure NOS.

- force lectrostatique [xxv], dus aux charges localement piges dans le mdia. De grandes rsolutions latrales et de bonnes sensibilits en lecture ont dj t montres avec ces outils sur des nanoobjets chargs (10 nm en mesure de potentiel de surface [xxviii], et quelques nm en dtection de champ lectrique[xxix]). Pour les structures NOS et ONOS la densit limite de stockage est surtout due la diffusion des charges dans la couche de nitrure, la taille de la zone de dpltion dans la couche de silicium (structure NOS). Les domaines les plus petits obtenus par ces mthodes sont de 100 nm de diamtre et il semble difficile de rduire encore beaucoup les tailles des bits inscrits. La stabilit des charges piges qui dtermine la dure de vie des donnes reste un point tudier. Les vitesses de lecture sont supposes capables d'atteindre le MHz. 3.3.2. Stockage magntique Comme pour le stockage de charge, il existe de nombreuses solutions par micropointe pour raliser un enregistrement haute densit magntique. La difficult rside en fait dans l'obtention de domaines stables de quelques dizaines de nanomtres. De nombreuses recherches portent sur le magntisme de plots ou d'lots dun matriau aimantation perpendiculaire. Trois techniques de ralisation de plots se distinguent aujourd'hui. La premire consiste crer dans un substrat plan et continu un rseau de domaines magntiques spars par des lignes de matriaux magntiquement diffrents [xxx]. L'irradiation ionique par exemple change dramatiquement les proprits magntiques des matriaux. Ainsi des quadrillages ont t raliss par irradiation ionique d'une couche de Pt/Co/Pt par un faisceau de Ga + focalis ou par un faisceau d'He + non focalis mais travers un masque [xxx]. Les observations magnto-optiques ont montr le confinement des domaines dans les zones non irradies. Les modifications possibles dues l'irradiation ionique peuvent tre la perte de l'anisotropie (transition : aimantation perpendiculaire / dans le plan) ou plus forte dose la perte des proprits ferromagntiques (transformation : ferromagntique / paramagntique). La deuxime technique consiste dposer l'aide d'une pointe STM des lots de matire magntique par dpt lectrochimique. Le dpt d'amas de Fer peut tre ainsi ralis par dcomposition de molcules Fe(CO)5 sous l'effet du champ lectrique appliqu par la pointe. Les matrices de plots ainsi obtenues par A. D. Kent [xxxi] sont constitues d'amas de 70 nm de hauteur et 30 nm de diamtre (Figure 8).

+V

0.3 m

nitrure oxyde p-silicium

0.3 m
Figure 7 : Stockage de charge dans une structure NOS.

Les charges ainsi piges peuvent tre dtectes par de nombreuses techniques de microscopie lectrostatique avec des pointes conductrices : - SCAM (Scanning Capacitance Microscopy) [xxiii], - SKPM (Scanning Kelvin Probe Microscopy) [xxiv], - EFM (Electrostatic Force Microscopy) [xxv]. Ces modes de dtection sont sensibles aux contrastes de : - capacit [xxvi] (Figure 7), - potentiel de contact ou de surface [xxvii],

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Figure 8 : Dpt chimique d'amas de Fer assist par une pointe STM.

interfrentielle et gravure ionique a permis M. A. M. Haast [xxxiii] de faire un premier tat sur la structure magntique des plots. Il s'avre que, pour cette configuration, des plots de 180 nm sont multi-domaines et des plots de 70 nm sont mono-domaines. La transition entre mono-domaine et multi-domaine se situerait aux environs de 100-120 nm. Le champ coercitif des plots (115-270 kA/m) est suprieur celui de la couche continue (15 kA/m) et est plus faible dans les plots mono-domaines que dans les multi-domaines. Cette dernire constatation est certainement due la dtrioration de l'anisotropie intrinsque de la multicouche lors du processus de fabrication des plots. En effet ceux de plus petite dimension ont une forme presque pyramidale l'issue de l'usinage cause de la rsolution de la technique utilise (Figure 10).

On peut donc imaginer la ralisation de matrice de plots d'un matriau magntique qui serait alors enregistrable. La troisime dmarche pour obtenir un rseau rgulier de plots magntiques est l'utilisation des nanolithographies : faisceau d'lectrons, rayons X, micropointes, nano-impression. Les rseaux de plots obtenus sur des substrats de silicium peuvent constituer le support pour un dpt de matriau magntique (Figure 9).
dpt magntique
Figure 10 : rseau de plots magntiques, observation par microscopie lectronique balayage et par microscope force magntique.

lift off

polissage

A)

B)

Figure 9 : Procd de fabrication d'un rseau de plots magntiques.

D'autres techniques utilisant la lithographie interfrentielle et lusinage ionique peuvent aussi tre utilises pour raliser des mdias magntiques discrets [xxxii]. L'ide tant bien sr de faire correspondre chaque plot 1 bit d'information. La structure magntique des domaines au sein d'un plot et les inter-influences entre plots sont les paramtres les plus souvent tudis. Ainsi une tude sur des plots de multicouche Co50Ni50/Pt aimantation perpendiculaire, fabriqus par lithographie

Des observations sur des plots raliss grce la fabrication de tranches suffisamment profondes puis dpt de la couche magntique (Configuration de la figure 9 - profonde sans la gravure) ont t menes par S. Landis [xxxiv]. Ces premires observations sur des plots de Co/Pt et Co montrent une bonne isolation magntique des plots par rapport aux fonds des tranches (Figure 11). Le Co prsente ici aussi des plots multi-domaines pour des dimensions suprieures 200 nm alors que l'alliage Co/Pt s'organise en plots monodomaines dans toute la gamme de tailles tudies. Enfin, dans tous les cas, il n'y a pas de couplage direct entre plots voisins (la configuration la plus serre tant des plots de 400 nm spares de 100 nm). Les tudes sur les plots magntiques montrent donc de bonnes configurations pour utiliser les rseaux de plots indpendants magntiquement pour l'enregistrement. La prochaine tape est bien sr l'tude des conditions d'criture et de lecture avec des techniques de champ proche optique ou magntique. Les pointes MFM largement utilises en magntisme peuvent servir pour la phase de lecture. Ces

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MFM, pointe optique, capteur GMR, et processus d'criture : purement magntique, avec ou sans champ extrieur, thermo-magntique... Cependant une grande part des efforts de recherches pour dvelopper un systme de stockage rversible trs haute densit concerne les matriaux magntiques. L'utilisation de mdia discret mais plan semble une des solutions les plus intressantes. 3.3.3. Stockage par changement de phase Comme pour l'enregistrement classique, les matriaux changement de phase sont concurrents (ou complmentaires) des matriaux magntiques pour les applications avec des micropointes. Les plus connus des matriaux changement de phase sont les chalcognures (alliages base de Tellure) utiliss dans les disques optiques rinscriptibles tels que le CD-RW et le DVD-RAM. Ils prsentent une transition rversible (plus de 10 5 cycles) entre leurs tats amorphes et cristallins. Les tempratures de cristallisation et de fusion ainsi que les cintiques des transformations garantissent une bonne stabilit des deux phases. La taille minimale des bits stables crits dans ces matriaux ne rencontre pas les limites existantes dans les matriaux magntiques (interaction dipolaire et couplage d'change) et les limitations actuelles semblent essentiellement lies aux rsolutions des outils utiliss pour l'criture et la lecture. 3.3.3.1. Matriaux changement de phase en champ proche optique. Les applications actuelles utilisent le contraste optique qui existe entre les tats amorphes et cristallins de ces matriaux. L'utilisation de SNOM (Scanning Near field Optical Microscopy) permet alors d'obtenir des tailles de spot plus faibles qu'en champ lointain. La figure 13 montre une vue simplifie du systme utilis par S. Hosaka pour crire et lire dans un mdia changement de phase [xxxix]. La structure du mdia est semblable celle des disques optiques "quadricouche". Pour la lecture, un photomultiplieur

Figure 11 : Plots magntiques de 200 x 200 nm2 spars de 200 nm (a), 400 x 400 nm2 spars de 100 nm.

pointes prsentent en plus l'avantage de pouvoir mesurer aussi bien l'information magntique que l'information topographique. La pointe MFM standard (pointe faible aimantation donc directement utilisable pour une lecture) peut servir de guide de champ magntique en la couplant un champ extrieur (Figure 12) pour la phase dcriture. A lextrmit de la pointe, le champ gnr permet de faire basculer laimantation du plot.

Figure 12 : Utilisation d'une pointe MFM pour lire et crire : Htip + Hext > Hc(mdia).

Avec cette mthode, des bits de 150 nm de diamtre ont t inscrits et lus par S. Manalis [xxxv] dans un mdia continu de TbGd-FeCo, avec une pointe de Co-Cr (400) et un champ extrieur de 1200 2300 Oe. Une criture thermo-magntique est galement envisageable dans les matriaux magnto-optiques. Une pointe optique ou lectrique est capable de chauffer localement le matriau d'un mdia continu aimantation perpendiculaire de manire abaisser son champ coercitif. L'aimantation du mdia autour de la zone chauffe suffit alors faire retourner l'aimantation de la dite zone [xxxvi, xxxvii]. L'utilisation de pointe optique permet alors une lecture par effet Kerr en rflexion ou Faraday en transmission [xxxviii]. Jusqu' prsent, il n'y a finalement pas de direction privilgie en enregistrement magntique ultra haute densit. De nombreux mdias sont tudis : magntique, magntooptique, ainsi que diffrents systmes de dtection : pointe

Figure 13 : Enregistrement optique avec un SNOM sur un mdia changement de phase.

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est plac proche du SNOM recueillant la lumire rflchie par le mdia. La cristallisation du matriau changement de phase intervient des tempratures comprises entre 140 et 200C. Par contre pour amorphiser la couche active il faut la chauffer jusqu' environ 600C (temprature de fusion du matriau). Ceci prsente une difficult, car il est difficile de disposer avec un SNOM de grande puissance. La couche mtallique qui couvre la pointe SNOM absorbe une grande partie de la puissance [xl]. Par exemple pour une puissance de 7.3 mW l'augmentation de temprature dans le mdia est due pour 70C l'absorption directe de la puissance par le matriau changement de phase et pour 90C la conduction thermique depuis la pointe chaude (400C) vers le mdia. La couche mtallique de la pointe peut mme atteindre sa temprature de fusion pour une puissance de 13 mW. La lecture est ralise avec les SNOM, mais leur rsolution atteint difficilement 50 nm alors que les dimensions des domaines inscrits dans les matriaux changement de phase peuvent descendre jusqu' quelques nm. 3.3.3.2. Application lectrique des matriaux changement de phase. Les matriaux changement de phase dvelopps pour l'industrie du disque optique garantissent les meilleures proprits de vieillissement et de cyclabilit pour le stockage de donnes. Leur transition amorphe/cristallis ne se traduit pas seulement par un changement de proprit optique mais aussi par un changement de proprit lectrique. On peut donc aussi envisager avec ces matriaux l'utilisation de pointe lectrique. A) Les premires exprimentations ont t menes par H. Kado et T. Tohda (1995 [xli], 1997 [xlii]), et H. J. Mamin (1996 [xliii]). Ce dernier a utilis des pointes du type de celles prsentes sur la figure 5 pour chauffer localement le matriau. Des observations optiques (Figure 14) ont montr clairement le contraste optique obtenu aprs cristallisation du matriau par la pointe AFM. Les pointes utilises possdant

uniquement un lment chauffant sur leur levier et ne permettant pas de faire passer un courant travers le film de matriau changement de phase, aucune lecture lectrique n'a t ralise. La puissance disponible avec ce type de pointe (destine l'enregistrement sur du polycarbonate) ne permettait pas non plus d'amorphiser le matriau. Les travaux d'H. Kado et T. Tohda ont t raliss avec des pointes AFM standard rendues conductrices par une couche de mtallisation. La pointe, ici aussi en mode contact (5nN), sert appliquer des impulsions de tension pour la phase d'criture. La lecture se fait avec une plus faible tension applique sur la pointe par la mesure du courant qui passe depuis la pointe vers une sous couche conductrice travers le film de changement de phase. La topographie du substrat et la conductivit du mdia sont mesures simultanment. La figure 15 montre des points crits par cette mthode, les zones inscrites prsentent une conductivit suprieure au mdia initial (amorphe).

Figure 15 : Image en conductivit avant (a1) et aprs (a2) l'criture de bits conducteurs dans un mdia changement de phase amorphe. Image topographique correspondante (b1 et b2).

B)

Ces points inscrits peuvent tre effacs en appliquant une tension de polarisation inverse celle utilise pour l'criture. Il est donc impossible d'imaginer que les domaines conducteurs ainsi crs et effacs correspondent des zones cristallises thermiquement par effet joule. De plus les courants mesurs durant la phase d'criture sont trop faibles pour chauffer la couche de matriaux changement de phase. L'hypothse retenue par les auteurs est une modification de la structure des bandes d'nergie du matriau induite par l'effet du fort champ lectrique sous la pointe. Cependant nous avons vu d'une part que les micropointes lectriques peuvent induire des effets thermiques importants dans certains matriaux, et d'autre part que les transitions amorphe-cristallis sont ralisables avec ces pointes et avec des SNOM pour les matriaux changement de phase classiques (chalcognures). Les travaux mens au CEA-LETI par D. Saluel [xliv ] ont montr que le courant dune micropointe pouvait induire

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Figure 14 : Zone cristallise par une pointe AFM possdant un lment chauffant.

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Figure 16 : Rsistivit des matriaux amorphes en fonction du taux de cristallisation mesur en mthode 4 pointes.

crire et lire. En appliquant une impulsion de courant entre la pointe et la sous couche conductrice du media, une transition de phase est induite thermiquement. Le courant gnr travers la couche changement de phase la chauffe et la cristallise localement. En lecture, la surface est balaye avec une tension plus faible sur la pointe afin de dtecter le bit conducteur (cristallin) par une mesure de courant. La difficult rside dans le contrle de la qualit du contact afin dviter des bits de tailles diffrentes. La figure 18 montre des bits crits diffrentes puissances. Les bits crits et lus peuvent atteindre des dimensions infrieures 20nm ce qui donne une densit de 60 Gbit/cm2. [xlvii ]

une transition dans un mdia changement de phase. La figure 16 dcrit le brusque changement de rsistivit (103) entre la phase cristalline et la phase amorphe. Les techniques AFM sont bases sur la mesure de la force de contact afin de dterminer la topologie surfacique de lchantillon, indpendamment du signal dinvestigation. Les techniques de microscopie les plus frquemment utilises sont : le potentiel de surface, le gradient de champ lectrique, la conductance. Les deux premires techniques ont pu tre utilises pour lire linformation lectrique du mdia [xlv] et la troisime pour

4. Conclusion
Les volutions vertigineuses du march du stockage de l'information ne laissent aucun doute sur la fuite en avant dans la course vers les hautes densits. Cependant, ce rythme et selon la majorit des acteurs du domaine, les techniques actuelles atteindront leurs limites d'ici 5 15 ans selon l'optimisme de chacun. De nombreuses techniques nouvelles sont tudies et peuvent prtendre la succession des techniques actuelles (Figure 19). Certaines sont dj pratiquement commercialises comme les techniques base de S.I.L. et de super rsolution magntique. Les autres, enregistrement trois dimensions ou par micropointes, ont encore devant elles plusieurs annes pour faire leurs preuves. Hormis les techniques 3 dimensions, les techniques base de micropointes semblent offrir des solutions capables d'atteindre le Tbit/cm2. Le saut technologique le plus difficile n'est peut-tre pas d'arriver crire et lire des domaines aussi petits que 10 nm mais de combiner ce grand pouvoir de rsolution avec des dbits dinformation suffisants. Cest tout lenjeu du dveloppement de matrices de micropointes (Figure 20) qui devraient permettre

x z

5,000 m/div 0,122 V/div

A)

B)

Figure 17 : A) Image des potentiels de surface dun media changement de phase. B) Image par force lectrostatique avec inversion de polarit de la pointe

Une pointe AFM rendue conductrice peut tre utilise en mode contact pour

Figure 18 : Bits crits diffrentes puissances avec des impulsions de -14V, 500ns.

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lire et crire sur une couche changement de phase. La figure 17 montre limage de bits et zones amorphes sur un mdia cristallis par microscopie potentiel de surface. [xlvi]

Lenregistrement ultra haute densit micropointes

Figure 19 : Prvisions des limites des techniques actuelles et solutions venir.

datteindre des dbits proches de la cinquantaine de Mbit/s. Cependant en comparant avec les dbits des enregistreurs actuels qui atteignent 380 Mbit/s avec 10 disques et 20 ttes, le domaine dutilisation de ce type de mmoires ultra denses pourrait se resteindre aux applications o la capacit et la compacit sont primordiales par rapport au dbit comme par

exemple les appareils portables. On peut rver dappareil photo avec une centaine de photos numriques trs haute rsolution, au tlphone mobile avec une mmoire de 10 Go permettant denregistrer les conversations, les courriers, etc....

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Figure 20 : Vue schmatique dune matrice pointes.

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Photos de circuits DRAM 16 Mbit (ci-dessus), 64 Mbit (page suivante - haut) et 256 Mbit (page suivante - bas) fabriqus par lusine dIBM Corbeil Essonnes (Copyright IBM France, usine de Corbeil Essonnes). Pour diminuer les temps daccs en lecture et criture (critiques pour les applications actuelles), les plans mmoires sont diviss en quadrants et blocs, tout ceci tant gr par un systme dadressage complexe. Chaque photo reprsente un seul chip, avec un zoom sur une des sections du plan mmoire.

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