Vous êtes sur la page 1sur 15

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE MOS MOS de type N enrichissement du canal Fonctionnement et quations MOS de type N appauvrissement du canal

al Fonctionnement et quations Bilan : Comparaison entre les deux types de MOS canal N Montages transistors MOS Ralisation dune rsistance active de valeur moyenne Amplificateur source commune Amplificateur diffrentiel Amplificateur diffrentiel charge active Inverseur logique CMOS Commutateur analogique

Philippe ROUX 2004

MOS CANAL N TYPE ENRICHISSEMENT Sur un substrat de silicium P (Bulk), sont amnages deux diffusions distinctes de type N++ formant le drain et la source du dispositif. Ces deux diffusions N++ sont spares par une zone P de surface (W.L) qui forme le canal du MOS. Ce canal est recouvert dune mince couche doxyde de silicium eox de lordre de 10 nm qui est superpose dune couche de mtal ou de polysilicium appele grille. Lensemble grille, oxyde et canal forme alors une capacit Cox par unit de surface telle que : 0 Sio2 C ox = avec : 0 =8,85 10 -14 F cm -1 et Sio2 = 3,9 e ox Bulk Source Grille Drain W
G
N++ +

ID B
+ VDS

Al
Si O2 P

N++ L
Substrat P Bulk

N++

VGS > VT

Si O2 paisseur eox

ID (mA)
1

Structure du MOS enrichissement et symbole ID (mA) VGS (V)


1

zone ohmique et de coude

4
zone de plateau

0.75

0.75

3.5
0.5 0.5

3
0.25

2.5 2

0.25

VT
0 5 0 1 2 3 4

0 0 1 2 3 4

VGS (V) VDS (V) Figure 1 : Caractristiques de sortie et de transfert MOS N enrichissement

Le bulk et la source tant relies, on applique entre D et S une tension VDS positive, constante et de valeur faible. Pour une tension VGS nulle, le courant ID est trs faible car la jonction PN drain-substrat est polarise en inverse : Le transistor MOS enrichissement est normalement bloqu pour V GS nulle. Pour une tension VGS lgrement positive, une partie des trous dans la couche superficielle du canal, est repousse dans le volume par le champ lectrique cr par influence lectrostatique. On dfinit alors une tension particulire de VGS, nomme tension de seuil VT pour laquelle tous les trous de la surface du SiP sont repousss et remplacs par des lectrons (porteurs minoritaires dans le SiP). Un canal induit, trs mince de type N apparat et le courant ID commence circuler entre drain et source (fig. 2). Pour des tensions VGS suprieures la tension de seuil VT, la couche inverse senrichit en lectrons et le courant ID saccroit. On dcrit alors la zone ohmique du composant : Id est proportionnelle VDS faible.
1

Ensuite, au fur et mesure que VDS augmente, laccroissement de ID se ralentit. On dcrit la zone de coude des caractristiques. En effet la tension entre grille et bulk diminue en se rapprochant du drain selon la relation Q = C V et le canal devient alors localement moins profond comme indiqu en figure 3. La rsistance du canal augmente et cela dautant plus que VDS crot. Lorsque cette tension est telle que : VDS = VGS -V T = VDSAT, le courant ID se sature (comme pour le JFET) et on atteint la zone de plateau des caractristiques de sortie. Le MOS est alors, pour VDS > V DSAT, une source de courant dpendante de la tension VGS.
VDS < V DSat
+

VDSat =V GS-V T
+

VGS = V T
+

ID

VGS > V T
+

I Dsat

S
N++

+++++++++

+++++++++

S
N++ canal N induit N++

N++ canal N induit

Substrat P (bulk) Zone de charge despace

Substrat P (bulk) Zone de charge despace

Figure 2

Figure 3

On distingue donc deux rgions sur les caractristiques de sortie ID = f(VDS) VGS constant : La zone ohmique et de coude pour VDS < VDSAT o : I D = K 2(VGS VT ) VDS V2 DS La zone de saturation du courant de drain ID pour VDS VDSAT o : I D = K VGS VT 2 (1 + VDS ) avec K = C OX W 2 L

Le coefficient K est un paramtre caractristique du MOS qui dpend de la gomtrie du canal (W, Cox et L) et de la mobilit des porteurs. Le paramtre rend compte de la rsistance interne de la source de courant ID dpendante (identique leffet Early pour le transistor bipolaire). Remarque : dans un circuit intgr, le produit C ox est le mme pour tous les transistors de type identique (N ou P) qui se distinguent seulement par les dimensions du canal W et L. Cette proprit est exploite dans les circuit intgrs utilisant les transistors MOS. MOS CANAL N TYPE APPAUVRISSEMENT La structure des transistors MOS appauvrissement ressemble celle dun transistor MOS canal N enrichissement. Cependant pour ce dispositif, un canal N entre drain et source est cr par implantation ionique lors de la fabrication du composant (fig. 4). Grille Bulk Source Drain
D G N++ N++ Canal N implant
VGS + VDS

ID

Substrat P (bulk)

Figure 4 : Structure du MOS N appauvrissement et symbole

Le MOS N appauvrissement est normalement conducteur pour V GS = OV. 1 ID (mA) VGS (V)
1

ID (mA) appauvrissement
VT 0

1.5
0.75 0.75

1
0.5 0.5

0
0.25

- 1.5 -1

0.25

enrichissement
0 10 4 2 0 2

0 0 2 4 6 8

VGS (V) VDS (V) Figure 5 : Caractristiques de sortie et de transfert MOS N appauvrissement

Pour rtrcir le canal, il faut lappauvrir en lectrons, en repoussant ces porteurs par une tension VGS ngative. Pour une tension VGS VT ( tension de seuil ngative) il se rtrcit compltement et le MOS est bloqu. Son fonctionnement (figures 5 et 6) est tout fait analogue celui du JFET canal N avec une Z.C.E. gomtrie variable par influence lectrostatique (au lieu dune Z.C.E. dune jonction bloque).
VDS < V DSat
+

VDSat =V GS-V T
+

VGS = V T
+

ID

VGS > V T
+

I Dsat

G
- - - - - - - - - -- - -

S
N++ N++

G
- - - - - - - - - -- - -

S
N++

N++

Substrat P (bulk)

Substrat P (bulk)

Figure 5

Figure 6

Pour la zone de saturation du courant de drain ID lorsque : VDS VDSAT = VGS -VT , lvolution du courant de drain est encore donne par lquation : C OX W I D = K VGS VT 2 (1 + VDS ) avec : K = 2 L Remarque : La tension VGS peut tre positive et dans ces conditions le transistor Mos entre dans une zone dite : mode enrichissement.

BILAN : MOS CANAL N Normalement bloqu


VDS
+ +

Normalement conducteur
VDS VGS > VT
+

VGS > VT
+

ID

ID

G
+++++++++

S
N++

G
- - - - - - - - - -- - -

S
N++

N++ canal N induit

N++

Substrat P (bulk) Zone de charge despace D

Substrat P (bulk)

ID G VGS > VT S ID (mA)


zone ohmique et de coude zone de plateau

VDS

W/L VT

VGS > V T ID = K (VGS VT )2 (1 + VDS ) P repos VGS repos

0.75

ID repos

0.5

0.25

0 0 1 2 3 4 5

VGS = V T VDS (V) VDS repos gm


D S gm vgs

rds G vgs

K rds

Shma quivalent autour de Prepos

) IVGS VSD cte Cox W n 2 L V ( DS )VSD cte ID

ID

2 K I D repos (1

VDS repos )

VDS repos I D repos

TRANSISTORS MOS CANAL N ET P APPAUVRISSEMENT ET ENRICHISSEMENT D1


N++

G1
N++

S1

D2
P

G2
P N++

S2 B

CANAL N
P substrat ou Bulk

CANAL P

Caractristique de transfert canal N


5 4 3 2 1 0 2 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ID (mA) 5

Caractristique de transfert canal P


ID (mA) 4 3 2 1 0 VGS (v) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1 2

enrichissement

enrichissement

VGS (v)

VT W L
VGS > VT

ID
VDS positif

VT W L

ID
VDS ngatif

VGS < VT

CANAL N

CANAL P

Zone de saturation : VDS > V DSAT :

ID = K ( VGS VT )2 (1 + K= Cox W 2 L

VDS )

n ( oup )

rds G vgs S gm vgs D

gm = 2 K ID K= rds =
n

repos

(1 + VDS

repos

Cox W 2 L

Shma quivalent autour de Prepos

1 + VDS repos ID repos

TRANSISTOR MOS CANAL N NORMALEMENT BLOQUE (ENRICHISSEMENT) Expression de la tension drain source de saturation
ID (mA)
1
zone ohmique et de coude

VGS (V) 4
zone de plateau

0.75

3.5
0.5

3
0.25

2.5 2

0 0 1 2 3 4 5

VDS (V) VDSsat Source


VGS

Grille
VDS (sat)

SiO2 Canal induit

Vox

D Drain
N++

Pour une tension VGS donne, lorsque la tension entre drain et source atteint VDS de saturation, le canal induit est localement pinc. Dans ces conditions, la tension locale Vox aux bornes de loxyde de silicium est gale la tension de seuil VT du MOS. Vox = VT = VGS - VDS (sat) VDS (sat) = VGS -VT

TRANSISTOR MOS CANAL N ENRICHISSEMENT normalement bloqu VGS = 0 V

Bulk

Source

Grille Drain W
G D B +
VDS

ID

+
S

VGS > VT

N++

N++

Substrat P Bulk L Si O2 paisseur eox 10 nm

N++ Al Si O2 P

TRANSISTOR MOS CANAL N APPAUVRISSEMENT normalement conducteur pour VGS = 0 V

Grille Source Bulk


D

Drain
ID B +
VDS

W
G N++ N++

VGS > VT

Substrat P Bulk L Canal N implant lors de la conception N++ Al Si O2 P

MONTAGES A TANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE MOS

Philippe ROUX 2004

REALISATION DUNE RSISTANCE DE VALEUR MOYENNE MOS CANAL N normalement bloqu ID (mA)
VGS (V) 5

20

ID

18 16 14

VDS VGS VT = 1V

12 10 8 6 4 2 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5

4.5

142

4 3.5

500

250

3 2.5 2 6

VDS (V)

AMPLIFICATEUR SOURCE COMMUNE MOS CANAL N NORMALEMENT CONDUCTEUR


+ VCC ID (mA) 7.5 W1/L1 VT1 = - 2V
Transfert T1

RD ID1
5

T1

RG

+
eg

ve

VGS1
RGG

vs RS

ID1 2.5

P0

0 2 VT 1 VGS1 0 1 VGS (V)

AMPLIFICATEUR SOURCE COMMUNE CHARGE ACTIVE (canal P normalement bloqu)


+ VCC VGS2 VT2 = -1V
+

10

ID (mA)
7.5 5

Transfert T2

Vpol

T2 T1 ID2 ID2 2.5


S1

G1 RG

P0
VGS (V)
4 3 2 1 0

vs RS

+
eg

ve

VGS1
RGG

vgs2 = 0

VGS2 = Vpol -VCC

G2 gm2 vgs2
D1 D2

S2 rds2 vs

gm1 vgs1
G1 RG

vgs1 ve
RGG

S1

+
eg

RS

AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL : MONTAGE CONVENTIONNEL

+ VCC = +15 V

RD vs1 T1 ve1 ve vs2 T2

RD

ve2

2 I0
- VEE = -15 V

Ri

ve G1 vgs1 gm vgs1 ve1 vs1 RD Ri RD vs2 S vgs2 gm vgs2 ve2 G2

Ad = Ad =

vs1 v s2 = gm RD v e1 ve 2 vs1 + v s2 gm RD = v e1 + ve 2 1 + 2 gm Ri RD 2 Ri

R. R. M.C .

MONTAGE RECOPIEUR DE COURANT


+ VDD = +15 V
MOS canal P normalement bloqu VT = 1 V K = 1mA / V 2 I D0 = 1 mA VGS 0 = 2V gm = 2 mS rds = 1M

VGS -2 V

M3

M4

M5

R5 vgs
ID3

1 mA
D3

1 mA

ID4
D4

1 mA
IRef R5
D3 D4 D5

R3

10 k

R4

10 k

13 k

r3 r4 Rsistance de sortie vue par R3 ou R4

vgs nul

AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A CHARGE ACTIVE


+ VDD = +15 V

ve G1 vgs1 vgs1 G2 M4

M3

1 mA
vs1
G1

1 mA
M5 vs2 M2 IRef R5

gm vgs1
Ri

gm vgs2

1 mA 13 k

M1 ve

vs1

rds

rds

vs2

G2

ve1

ve2

2 mA

I0

Ri
-VSS = -15 V

r Ad = gm ds = 1000 2

INVERSEUR LOGIQUE CMOS


+ VDD = +5 V

T1 : canal P
VT1 = -1 V

5V 0 ve

i
VT2 =+1 V

Ce

vs

T2 : canal N

T2 bloqu 5V

T2 passant

T2 bloqu

ve
0

Courant i 0

5V

vs T1 passant
0

T1 bloqu

T1 passant

COMMUTATEUR (PORTE ANALOGIQUE )

10

MOS canal N : VT 1 = 1V

RDS ( )

RDS
D

VGS ve (t) < 4 V

1000

5V
0V

R U vs (t)
100 M (0 V)

R DS =

VDS 1 = ID K 2(VGS VT ) VDS

Amplitude de V e(t)
10 0 1 2 3 4

5V 0V
G2 M2 D1 S2 M1

M1(N) seuil : 1 V M2(P) seuil : -1 V


S1 D2

1 V < ve (t) < 4 V

5V 0V

G1

R U vs (t)

M (0 V) 10 4

R DS1
1000

R DS2
100

R DS2 // RDS1 Amplitude de V e(t)


10 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5