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Techniques et procds de fabrication

n n n

Lingot (ingot) Plaquette (wafer) Puce (chip)

andre.stauffer@epfl.ch

Tirage

Mthode de Czochralski (CZ process): fabrication dun lingot monocristallin de matriau semiconducteur dont le diamtre peut atteindre 150 mm

Purification

Mthode de la zone flottante (FZ process): purification du lingot par refoulement des impurets vers lextrmit en dplaant une zone fondue rsultant dun chauffage induction

Meulage et sciage

Production de la plaquette (wafer): cration dun mplat dans le lingot cylindrique comme rfrence pour lorientation cristallographique puis dcoupage du lingot en tranches dune paisseur de 300 500 m laide dune scie diamante

Rodage et polissage

Lopration de rodage supprime les faibles irrgularits de la surface de la tranche Lopration de polissage donne une surface lisse et exempte de dfauts; elle seffectue avec un abrasif trs fin en suspension dans une solution aqueuse ou avec un liquide caustique

Slection

La slection sopre par mesure de la rsistivit des tranches et conduit la formation dun lot de plaquettes (25)

Oxydation et dpt

Oxydation: croissance dune couche de silice (SiO2) amorphe dans une atmosphre oxydante haute temprature (900 degrs C) Dpt: talement par rotation de la tournette dune couche mince et trs uniforme de rsine photosensible

Photolithographie

Report optique du dessin du circuit sur la couche de rsine photosensible par exposition aux rayons ultraviolets au travers dun masque

Alignement du masque

Opration qui consiste positionner avec prcision, au moyen de repres et dun faisceau de rayons X, le masque sur la tranche de semiconducteur

Dveloppement

Obtention de limage visible par limination de la rsine photosensible soluble Rsine positive: les parties exposes aux rayons ultraviolets deviennent solubles dans lagent de dveloppement Rsine ngative: les parties exposes aux rayons ultraviolets polymrisent et deviennent insolubles dans lagent de dveloppement

Photogravure

Attaque slective qui permet de retirer localement la couche doxyde

Dcapage

Elimination de la couche de rsine laide dun acide ou dun plasma

Diffusion

Technique de dopage consistant faire pntrer des impurets dans un semiconducteur monocristallin sous leffet de lagitation thermique favorise par une forte lvation de temprature (entre 900 et 1200 degrs C); la vapeur dopante se condense sur la surface de la tranche et diffuse ensuite dans lpaisseur du substrat

Evaporation

Technique de dposition dun matriau sous forme dune couche mince rsultant du chauffage et de la vaporisation de ce matriau sous un ultravide

Mtallisation

Dpt dune couche mtallique qui sera photograve pour raliser les contacts et les interconnexions sur le circuit intgr

Enrobage

Opration qui consiste recouvrir les puces dune couche de laque pour les protger contre les agressions extrieures

Dcoupage

Opration de sciage de la tranche selon les lignes de dcoupe afin dobtenir les circuits intgrs lmentaires

Circuit intgr

Puce (chip): substrat de matriau semiconducteur contenant un circuit intgr lmentaire

Photorptition

En fabrication de masques, reproduction pas pas dune mme image pour crer sur le masque une matrice de motifs de circuits

Photorptition

Ecriture directe sur tranche: technique permettant de dessiner, laide dun faisceau dlectrons ou dions, les motifs dun circuit directement sur la tranche sans recours des masques

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