Faith

Matriaux en lectromagntisme
Matriaux absorbants radar

par
Alain PRIOU
Professeur des universits
Directeur du Groupe dlectromagntisme appliqu
Directeur de lIUT de Ville-dAvray
1.
Gnralits................................................................................................. AF 3 372 - 2
2.
2.1
Matriaux absorbants plans..................................................................

Matriaux rsonnants .................................................................................
2.1.1 cran de Salisbury lectrique ............................................................
2.1.2 cran de Salisbury magntique ........................................................
2.1.3 cran de Dllenbach...........................................................................
2.1.4 cran comportant des circuits analogiques
et/ou des surfaces slectives en frquence ......................................
Matriaux large bande .............................................................................
2.2.1 Couches inhomognes.......................................................................
2.2.2 Pyramides............................................................................................
2.2.3 Matriaux magntiques .....................................................................
2.2.4 Structures absorbantes hybrides ......................................................
2.2.5 Structures absorbantes chirales........................................................
2.2.6 Structures absorbantes trs large bande ......................................
Applications des matriaux absorbants ....................................................
2.2
2.3
Pour en savoir plus ..........................................................................................
3
3
3
6
7
8
9
9
10
11
12
12
13
13
Doc AF 3 374
es matriaux absorbants ont t crs en 1940 la fois aux tats-Unis et

en Allemagne. Ils portent souvent le nom de RAM (radar absorbing materials).
Le RAM optimal idal ressemblerait une peinture efficace pour toutes les
polarisations sur une grande bande de frquences et une grande plage dincidences. Malheureusement, un tel matriau nexiste pas et la probabilit den voir
apparatre un prototype est assez faible.
Pratiquement, le type dabsorbant le plus efficace dans une situation donne
est fortement dpendant de plusieurs paramtres (frquence du radar, forme de
londe mise, largeur de bande, forme de la cible, etc.).
Les exigences et les proprits des absorbants sont dtermines par les considrations suivantes :
frquence de fonctionnement : labsorbant est ralis pour une absorption
rsonnante ( une seule frquence ou pour de multiples frquences discrtes)
ou pour une application large bande ;
milieu composite ou monolithique : labsorbant est constitu par un matriau monolithique ou par une srie de milieux discrets ;
gamme dabsorption : fonction des pertes de transmission travers les
absorbants ;
tenues en puissance : gouvernes par les gammes de dissipation thermique des matriaux absorbants ;
considrations gomtriques : paisseur et surface ncessaires pour arriver aux niveaux dabsorption requis ;
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur, trait Sciences fondamentales
AF 3 372 1
MATRIAUX EN LECTROMAGNTISME
____________________________________________________________________________________________________
stabilit mcanique : fonction du vieillissement des matriaux, en tenant

compte de la dgnration physique et thermique due une exposition continue
au rayonnement lectromagntique ;
facilit de fabrication : faisabilit de mouler ou de former un absorbant sur
une forme et une taille donnes ;
considrations de poids : poids faible pour les applications aroportes et
aronautiques (3 4 kg/m2 est une valeur maximale) ;
enfin, le dernier point est le cot de ralisation, de vente et dinstallation du
produit qui doit tre le plus rduit possible ; pour exemple, nous voquons la
grande chambre anchoque de Boeing Seattle qui permet de mesurer un
Boeing 747, en entier, dont le cot hors matriel lectronique dpasse 100 MF.
Le but de ce fascicule est de permettre au lecteur dacqurir ou de prciser des
connaissances sur les matriaux absorbants.
Nous allons examiner les divers types dcrans plans faible bande, les structures multicouches trs large bande, les crans analogiques et les crans slectifs en frquence. Nous intgrons les concepts dcran base de milieux chiraux
et terminons ce fascicule en donnant un exemple de structure absorbante trs
large bande constitue par un nid dabeille.
Larticle Matriaux en lectromagntisme fait lobjet de plusieurs
fascicules :
AF 3 370 Introduction
AF 3 371 Modlisation des matriaux composites
AF 3 372 Matriaux absorbants radar
AF 3 373 Caractrisation des matriaux composites
Les sujets ne sont pas indpendants les uns des autres. Le lecteur devra assez
souvent se reporter aux autres fascicules.
1. Gnralits
RADAR signifie radio detection and ranging . Le radar fut
introduit en 1940, il fut dvelopp pour la dtection de cibles
distance et pour remplacer la dtection visuelle. Les ondes radio
prsentent moins dattnuation que les ondes lumineuses travers
latmosphre, ce qui permet une dtection longue porte. Le radar
utilise la vitesse de la lumire, quantit connue, pour dterminer la
distance de la cible, le pointage et la rsolution angulaire de
lantenne pour positionner la cible dans lespace.
Nous tablissons lquation du radar. On suppose quun metteur a une puissance Pt en watts que dlivre une antenne directionnelle. A la distance r de lantenne, la densit de puissance est la
puissance transmise divise par laire de la sphre o cette puissance sest rpartie. Lantenne directionnelle est caractrise par un
gain dantenne Gt(, ) o et dfinissent les angles principaux du
faisceau principal de lantenne.
La densit de puissance une distance r de lantenne est dfinie
par la relation :
Pt Gt
-------------( W/m 2 )
4 r 2
La cible est reprsente par sa surface quivalente radar (SER, )
dont nous donnerons une dfinition thorique [relation (4)]. En
premire approximation, on peut voir la cible comme une antenne
qui va rerayonner la puissance reue.
AF 3 372 2
De la mme manire, la densit de puissance au niveau de

lantenne de rception produite par le rerayonnement de la cible est
gale :
Pt Gt
--------------------- ( W/m 2 )
( 4 ) 2 r 4
Lantenne de rception a un gain Gr et une aire effective Ac :
Gr 2
A c = --------------- ( m 2 )
4
(1)
avec longueur donde.

La puissance reue par le rcepteur dans lhypothse o les gains
dantenne dmission et de rception sont gaux G est :
Pt G 2 2
- (W)
P r = --------------------------( 4 ) 3 r 4
(2)
La relation (2) reprsente la forme la plus simple de lquation

du radar, qui va permettre dexpliquer pourquoi on va chercher
rduire la SER de la cible.
Si on considre une puissance minimale de rception Pmin au

niveau du rcepteur, associe au rapport signal bruit du rcepteur,
la dtection maximale de puissance est fournie par la relation :
Pt G 2 2
-
r max = ----------------------------- ( 4 ) 3 P min
14
(3)
A partir de cette relation (3) on peut voir que la distance varie en

1/4. Ce qui signifie que si, Pt et G donns, on rduit la SER dans
le rapport :
____________________________________________________________________________________________________ MATRIAUX EN LECTROMAGNTISME
/16, on rduit la distance par deux ;

/104, on rduit la distance dun rapport 10.
SER de lobjet quand on change la frquence et langle dobservation.
Sans entrer dans trop de dtails, la dtection dans le clutter

( fouillis ) et les multitrajets conduit des relations plus
complexes entre r et .
Une dfinition thorique de la SER est fournie par les relations :
E r2
= lim r ------E 2i
ou :
H r2
= lim r -------H 2i
(4)
o Er , Ei, Hr et H i sont respectivement les amplitudes des champs

lectriques et magntiques au niveau du rcepteur et des champs
incidents sur la cible.
Quantitativement, la SER dun objet mesure sa taille vue par
une onde radar une certaine frquence et pour une polarisation
donne. La SER est donne en mtres carrs et est souvent
exprime en dcibels par rapport 1 m2 par la relation :
(dB m2) = 10 lg [ (m2)]

Pour tenir compte de la dpendance de la SER en fonction de la
polarisation, on doit considrer les relations entre les champs
transmis et reus en terme de polarisations verticale (dnote V) et
horizontale (H). Les champs lectromagntiques (EH et EV transmis
et reus peuvent sexprimer par les relations :
E Hr
E Vr
a HH
a VH
E Ht
a HV
a VV
E Vt
Les quantits aij sont complexes et indpendantes de la distance.

La matrice A dfinit la matrice de diffraction de la cible en
polarisation linaire verticale et horizontale. Une matrice analogue
peut tre dfinie pour des polarisations circulaires.
Dans le cas dun radar monostatique, on a :
a HV = a VH.
On est amen, dans ce cas, considrer une matrice de SER de
diffraction gale :
11
12
21
22
Chaque ij est proportionnel au carr de aij [27] et [28].

On a vu limportance de la notion de SER pour la dtection des
cibles. Il y a quatre techniques pour rduire la SER.
Jouer sur les formes (les surfaces, les bords et les artes). On
essaie ainsi de renvoyer les ondes diffractes dans des directions
diffrentes des directions dobservation des radars. Des codes de
calcul permettent de dduire les formes les plus appropries en
fonction des dimensions de lobjet et des frquences.
Utiliser des matriaux absorbants. On rduit ainsi lnergie
rflchie par les objets grce des techniques dadsorption de
lnergie. Les paragraphes suivants vont dtailler les principes de
ralisation des absorbants.
Annulation passive. Le concept de base est dintroduire un
signal parasite dont lamplitude et la phase peuvent tre ajustes
pour annuler le signal mis par un radar. Une des formes de cette
passivation consiste employer des impdances localises spcialement bien places sur la cible. Il est trs difficile de dfinir un traitement dannulation passive pour toutes formes de cibles et pour
divers signaux mis. Parfois les lments qui savrent utiles pour
une polarisation et une frquence augmentent considrablement la
Cette technique est pratiquement abandonne et ne sera donc

pas voque.
Annulation active. La cible doit mettre un rayonnement en
concidence temporelle avec limpulsion arrivant sur la cible. La
phase et lamplitude de ce rayonnement doivent annuler londe
rflchie par la cible. Cela implique que la cible doit tre un peu
intelligente pour dtecter londe incidente, sa forme, sa frquence, sa polarisation et langle dattaque. La cible doit tre intelligente pour connatre son propre cho pour cette onde particulire et
pouvoir agir rapidement en gnrant sa propre forme donde. Le
systme doit ajuster et rayonner une impulsion damplitude et de
phase adaptes en un temps propice.
Les difficults de cette technique apparaissent avec laugmentation de la frquence, car les centres de diffraction ne sont plus directement corrls avec les petits changements daspect de la cible et
les diagrammes de diffraction deviennent plus complexes.
Lutilisation de cette technique dannulation active se situe dans le
domaine des basses frquences o lemploi des absorbants et les
possibilits de jouer sur les formes deviennent plus difficiles et o
les diagrammes de diffraction deviennent plus complexes.
2. Matriaux absorbants
plans
Deux catgories existent : lune appele absorbant rsonnant et
lautre large bande. La sparation entre des deux catgories nest
pas formelle car les matriaux rsonnants peuvent aussi fonctionner sur des bandes de frquences trs grandes par association
entre eux.
La diffrence fondamentale entre ces deux types rside essentiellement dans lapplication des conditions conduisant diminuer la
rflectivit :
pour les matriaux rsonnants, la rduction des coefficients de
rflexion pour les polarisations horizontale et verticale est obtenue
pour une frquence ou pour des frquences discrtes ;
pour les matriaux large bande, les conditions doivent tre
valables pour toute une gamme de frquences.
2.1 Matriaux rsonnants

Lun des plus vieux et des plus simples crans absorbants est
connu sous le nom dcran de Salisbury.
2.1.1 cran de Salisbury lectrique

Labsorbant consiste en une couche fine de matriau pertes,
dpaisseur (milieu 1, figure 1), spar par une couche sans perte
(milieu 2) dpaisseur < (espaceur) et termin par une paroi mtallique (milieu 3) de conductivit = 1/ infinie ( tant la rsistivit
qui tend vers zro). Le schma quivalent de lcran est donn sur la
figure 1b.
Selon les expressions de la rflectivit dune couche donne
(cf. [AF 3 371] 3.3), le coefficient de rflexion de lensemble est
donn par la relation :
Z( 1 ) Z0
R = ---------------------Z( 1 ) + Z0
(5)
AF 3 372 3
,,,
,
,,
(1) (2)
1
1
Rappel. Sur les dfinitions et critures de (et ). En toute

rigueur, on a, pour la permittivit et la permabilit, les formes
gnrales
(3)
____________________________________________________________________________________________________
= 0 r
0
(ou `)
/
Cp
r
:
constante dilectrique du milieu,
r :
pertes dilectriques du milieu,
angle de pertes du milieu.
tan :
Par abus de langage et souci de rapidit, on confond r et et,
plus gnralement, r permittivit relle ou constante dilectrique avec : elle devient relative au vide.
De mme, on confond r permittivit imaginaire ou pertes
dilectriques avec : elle devient relative au vide.
La mme explication est valable pour la permabilit .
avec
Cp et Lp respectivement
capacit et inductance quivalentes
angle d'incidence et
angle de transmission
Figure 1 cran de Salisbury
Z (1)est limpdance dentre effective linterface entre

lespace libre et les milieux 1, 2 et 3
Z 0 est limpdance du vide.

On peut montrer, selon la thorie des lignes ou par le calcul matriciel des structures multicouches ([AF 3 371] 3.3), que Z (1) a pour
valeur :
Z ( 2 ) i Z 1 tan 1
(6)
Z ( 1 ) = -----------------------------------------Z 1 i Z ( 2 ) tan 2
On aura une rflexion nulle si :
et o
avec
Z (2)
Z1
= 0 r
= 0 ( r i r ) = 0 r ( 1 i tan )
Lp
1 et 2 respectivement
et
r et r tant les valeurs relatives et 0 et 0 celles du vide.

La forme la plus courante pour la permittivit est :
impdance dentre effective linterface 1 et 2,

impdance du milieu 1
Z (1) = Z 0.
On doit donc avoir :
1
-------- = Z 0
(11)
La condition Z (2) trs grand ( Z ( 2 ) ) peut tre ralise quand le

milieu 2 est un milieu dilectrique sans perte et dpaisseur
< = 4.
et
1 = k 1 cos 1
2 = k 2 cos 2
(7)
k1 et k2 tant les constantes de propagation dans les milieux 1 et 2.

Si on suppose que Z (2) >> Z 1, on obtient une formule approche
pour Z (1) sous la forme :
Z ( 1 ) i Z 1 tan 1 .
(9)
k 0 tant la constante de propagation dans le vide.

En incidence normale :
tan 1 k 1
o (cf. relation (8) et en [AF 3 371] 1) :
---+ i Z1
i
Z ( 1 ) ------------------ i ---------------------- ---------k1

(10)
Langle de pente 1 , dpendant de la conductivit du milieu 1, est

grand devant la constante dilectrique du milieu 1 ( 1 >> 1 ) ,
alors :
1 i
et Z (1) devient :
1
Z ( 1 ) -------
AF 3 372 4
1
-------- = Z 0
< 4 , dans un milieu de permittivit 0 ; il sagit dune

lame quart-donde.
(8)
Pour des paisseurs de la premire couche trs faible ( <<< ),

1 << 1 et la tangente est assimilable son angle ; on a :
12
k0 2
1 = k 1 1 ----- sin 21
k1
Lcran de Salisbury lectrique se dfinit par :

R 0 , si lon a :
La feuille rsistive employe ou le matriau composite ralis

pour la premire couche doit avoir une conductivit parfaitement
dfinie. Cette conductivit est obtenue en faisant des mlanges
dilectrique-conducteur et en appliquant soit les lois du mlange,
soit la GEM et/ou la thorie des agrgats prsentes en [AF 3 371]
( 2).
La figure 2 montre la variation du coefficient de rflexion dun
cran de Salisbury lectrique en fonction de la frquence (f0 tant la
frquence de rfrence) pour plusieurs valeurs de 2 = 1, 2, 4 et
2 = 1 , en incidence normale. On remarque que la bande de fonctionnement dcrot quand on augmente la constante dilectrique
relative du milieu 2.
Pour un cran de Salisbury lectrique adapt pour un fonctionnement incidence normale avec 2 trs grand, les coefficients de
rflexion en polarisation perpendiculaire R et en polarisation
parallle R // hors incidence normale sont approximativement
donns par les relations :
1 cos 1
R // -------------------------1 + cos 1
cos 1 1
et : R -------------------------1 + cos 1
(12)
Coefficient de rflexion uR u
uR'u , uR// u
'2 = 1
0,8
0,6
'2 = 1
'2 = 2
'2 = 4
0,4
0,2
'2 = 4
'2 = 2
101
R//
'2 = 1
R'
uRu = 0,1
0
0
0,4
0,8
1,2
1,6
2
Frquence relative f /f0
102
Figure 2 Coefficient de rflexion dun cran de Salisbury lectrique

en fonction de la frquence
10
20
30
40
50
60
70
80
90
1 ()
uR'u , uR// u

dfini pour une rflexion nulle 1 = 15 en polarisation
perpendiculaire
1
0,9
Puissance rflchie (dB)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
200 /u
10
300 /u
20
377 /u
30
0,1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
1 ()
Les amplitudes des coefficients de rflexion sont donnes

figure 3 en fonction de langle dincidence. On remarque que R et
R // sont < 0, 1 quand lincidence 1 < 35 .
On peut dfinir des absorbants pour avoir une rflexion nulle

pour un angle dincidence particulier. La figure 4 montre le cas o :
R ( 15 ) = 0
Les performances dun cran comportant un espaceur dilectrique < de 1,27 cm sont donnes figure 5. On remarque que les
meilleures performances sont obtenues pour une feuille rsistive de
377 / . La bande passante 20 dB de lcran est de 25 %. Une
rduction de cette valeur de 20 % permet dobtenir des rflexions de
18 dB.
Pour obtenir des performances similaires en plus basse

frquence, on doit augmenter lespacement entre la couche fine et
la partie mtallique. La figure 6 montre la modification du cas prcdent en plus basse frquence. On remarque quune frquence
harmonique de fonctionnement survient la frquence triple de la
frquence centrale.
8
10
Frquence (GHz)
Figure 5 Performances thoriques dun cran de Salisbury

lectrique pour un espaceur dilectrique de 1,27 cm
Puissance rflchie (dB)

en fonction de langle dincidence
40
200 /u
10
300 /u
20
377 /u
30
40
0
8
10
Frquence (GHz)
Figure 6 Performances thoriques du mme cran de Salisbury

lectrique que figure 5 pour un espaceur dilectrique de 2,54 cm
AF 3 372 5
____________________________________________________________________________________________________
2.1.2 cran de Salisbury magntique

Si lon considre maintenant que Z (2) <<< Z1, << , 1 << 1, on
a alors, en incidence normale :
Z ( 1 ) i Z 1 tan 1 i Z 1 1 i Z 1 k 1
(13)
Il suffit de remplacer Z1 et k1 par leur valeur ([AF 3 371] 1) ; on a :
Z( 1 ) i 1
(14)
1 tant la permabilit du milieu 1.

Pour 1 = 1 = i 1 et pour 1 >> 1 , la relation (14) devient :
0,1
Z ( 1 ) 1
10
Frquence (GHz)
on aura une rflexion nulle si :
1 = Z 0
(15)
Figure 7 Comportement des ferrites en frquence
Les conditions Z (2) <<< Z1, << 1, 1 << 1 et 1 >> 1 constituent les conditions de ralisation dun cran de Salisbury magntique. La premire condition est satisfaite quand on place sur la
paroi mtallique un matriau magntique pertes. On montre que
lon peut obtenir un absorbant fin en employant un matriau ferrite.
Le tableau 1 donne les proprits lectriques dun ferrite de

nickel-zinc.
La largeur de bande dun cran de Salisbury peut tre amliore en construisant un absorbant multi-crans o cran de Jaumann (analogie avec les circuits rsonnants parallles coupls).
Lcran de Salisbury magntique se dfinit par :

R 0 , si lon a :
1 = Z 0
La figure 9 donne un exemple dun cran de Salisbury large

bande. Limpdance dentre dun tel absorbant peut tre calcule
par la thorie des multicouches. Sil ny a n couches dilectriques les
conditions gnrales sur Z (1) sont :
Re [Z (1)] = Z0 aux n frquences ;
Im [Z (1)] = 0 toutes ces frquences.
< faible, couche fine ferrite ; il sagit dune lame quartdonde dans un milieu magntique (ferrite).
Pour satisfaire ces 2n quations, il faut supposer que les paisseurs < sont voisines les unes des autres, que la permittivit dilectrique des milieux est la mme pour tout intercalaire. Seules les
valeurs dimpdance ou de rsistance des couches de faibles
dimensions sont modifiables. La figure 10 montre le coefficient de
rflexion dans une bande de frquence de 3 octaves pour une
structure 5 couches comprenant 2 feuilles rsistives intgres.
ECCOSORB NZ-2
0
5
10
Rduction de
rflectivit (dB)
Rduction de
rflectivit (dB)
Un cran de Salisbury magntique prsente une largeur de

bande meilleure que lcran Salisbury lectrique, car seule la dpendance de 1 , en frquence intervient.
Les figures 7 et 8 donnent respectivement les variations de r et
r dun matriau ferrite utilis et des exemples de ralisation commerciale.
15
20
25
20
30
35
0,1
0,2
0,4
2
4
10
Frquence (GHz)
0,1
ECCOSORB NZ-41
Rduction de
rflectivit (dB)
Rduction de
rflectivit (dB)
5
10
15
25
ECCOSORB NZ-31
5
10
15
20
0,4
2
4
10
Frquence (GHz)
ECCOSORB NZ-51
0
5
10
15
20
25
25
30
30
35
0,2
35
0,1
0,2
AF 3 372 6
0,4
2
4
10
Frquence (GHz)
0,1
0,2
0,4
2
4
10
Frquence (GHz)
Figure 8 Proprits
dabsorbants commerciaux
ferrites de la Socit Grce
(1)
air
Tableau 1 Proprits lectromagntiques dun ferrite

de nickel-zinc en fonction de la frquence
Frquence (GHz)
0,1
0,5
1,0
3,0
10,0
27
24
20
18
15
54
24
9,0
6,3
6,3
15
1,2
0,9
0,1
45
45
12
6,3
0,32
53,5
39,5
16,3
11,0
2,3
,
,
(2)
(3)
, mtal
1
1
r r
,,
,
,
,,
,
,
,,
,,
R
R (dB)
0,17
0,31
0,39
0,77
23,1
15,6
10,3
8,3
2,3
R1
(2) R2
(3)
1
1
,1
,2
,3
Coefficient de rflexion uR u
Figure 9 cran de Salisbury magntique large bande
z=,
Figure 11 cran homogne ou de Dllenbach
2.1.3 cran de Dllenbach
0,07
(1)
z=0
Lcran de Dllenbach consiste en un milieu homogne pertes

plac sur une plaque mtallique (figure 11).
Limpdance dentre linterface z = 0 avec Z(3) = 0 est :
Z ( 0 ) i Z 1 tan 1
avec 1 = k 1 < cos 1 .
Le coefficient de rflexion est :
i Z 1 tan 1 Z 0
R = -------------------------------------------- i Z 1 tan 1 + Z 0
0,8
0,6
0,4
0,2
uRu = 0,1
0
0
2
3
4
Frquence relative f /f0
,1 = ,2 = ,3 = , = 0,094
1 = 2 = 3 = 1,76
R1 = 230
R2 = 552
Figure 10 Comportement en frquence dune structure Salisbury
cinq couches
(17)
La condition de rflexion nulle entrane la relation :

i Z 1 tan 1 = Z 0
(18)
En polarisation perpendiculaire, nous avons :
r
cos 1
2<
- tan ---------1 = i ----- ----------------------------------------
r
sin
12 1 2
1 ---------------
r r
sin 21 1 2
r r 1 -----------------
r r
et en polarisation parallle :
sin 21 1 2
1 ---------------r
r r
2<
1 = i ----- ------------------------------------------ tan ---------
r
cos 1
(16)
sin 21 1 2
r r 1 -----------------
r r
tant la longueur donde dans lcran.

Ces expressions sont compliques dans le cas gnral. Elles
peuvent tre simplifies en incidence normale.
Si = 0, les valeurs de r et r en fonction de < pour obtenir
une rflexion nulle en incidence normale sont donnes figure 12.
De mme, pour r = Cte et r = 0 , la figure 13 donne les variations, en incidence normale, des valeurs souhaitables de r et r
en fonction de r < .
La dpendance angulaire de coefficients de rflexion est la mme
que pour les crans de Salisbury lectrique ( 2.1.1).
Quand < est faible et que seules les pertes dilectrique et
magntique sont prsentes, les bandes de fonctionnement de
labsorbant dans le mode lectrique Fe et magntique Fm associes aux variations de r et r , pour avoir R < 0, 1 , sont
donnes par les relations :
0, 2
F e ---------------------------------------------------------<
< 1
----- ------ ----- i
16
AF 3 372 7
r = r' i 'r'
____________________________________________________________________________________________________
Fe
103
101
5
2
r'
102
5
102
'r'
0,2
0,4
0,6
0,8
,/
10
1
'r = 1
'r' = 0
Fm
1
0,01 0,02
0,1 0,2
0,5
,/
101
Figure 12 Valeur de la permittivit relative en fonction de <

dune couche homogne (r = 1) pour une rflexion nulle
0,2
0,4
0,6
0,8
'r, /
Figure 14 Variations de D F e et D F m en fonction de <
r
'
' '
= r i r
r
r'
'r
10
2.1.4 cran comportant des circuits analogiques

et/ou des surfaces slectives en frquence
'r'
'r
1
0,5
Les crans de Salisbury et de Jaumann utilisent des couches ou

des feuilles rsistives ou conductrices, ce qui permet de navoir que
des parties relles pour les admittances dadaptation.
r'
r'
Une plus grande flexibilit peut tre obtenue si les couches fines
prsentent une admittance complexe avec un terme de conductance
et un de susceptance. La partie imaginaire de ladmittance peut tre
obtenue en remplaant la feuille rsistive par une feuille qui
comporte des motifs mtalliques comme ceux indiqus figure 15.
0,2
0,1
0,05
0,02
Le terme de circuit analogique a t donn ces structures qui

sont largement employes dans le domaine lectromagntique
pour des fonctions de filtre.
'r = Cte
'r' = 0
0,01
0,01 0,02
0,1 0,2
'r, /
Figure 13 Valeur de la permabilit relative en fonction de r <
dune couche homogne (r = 1) pour une rflexion nulle ( r = Cte )
et :
Bandes ou fils
Fils entrelacs
Diples
Diples croiss
Bande double
priode
Croix de Jrusalem
0, 2
F m ------------------------------------------------------------i
<
2
- r ----- ---------
2
3
Fe a un maximum de 20 % quand < 1 4 et tend vers 0 quand
la couche devient plus fine. Fm augmente quand la couche devient
de plus en plus fine.
Dans cette analyse, on a suppos que la permittivit et la permabilit taient indpendantes de la frquence, ce qui nest jamais le
cas pour une trs large bande (figure 14).
AF 3 372 8
Figure 15 Gomtries dlments analogiques typiques
Les techniques de la micro-lectronique peuvent tre employes

pour dposer de tels circuits analogiques sur des couches fines
dilectriques.
Une autre classe de circuits est constitue par les crans slectifs en frquence (FSS, Frequency Selective Screen) qui sont des
surfaces passe-bande ou stop-bande. Un FSS est un filtre frquentiel qui peut tre employ comme un radme passe-bande devant
lantenne dun radar ou comme un duplexeur pour une antenne
double frquence.
La figure 16 donne des gomtries typiques utilises pour les
applications de bande passante. Dans les FSS, les dessins peuvent
tre faits avec des matriaux fortement conducteurs si lon ne dsire
pas dabsorption. Des motifs ont t, aussi, raliss avec des peintures dilectriques-conductrices dont les proprits taient donnes
par la GEM ou la thorie de percolation ([AF 3 371], 2). On conoit
aussi que, en associant ces motifs des composants actifs judicieusement placs, on puisse faire varier la ractance en fonction de la
frquence et donc faire voluer la rponse de labsorbant en
frquence (absorbant actif).
Pour dfinir ces crans analogiques, quatre tapes sont
ncessaires :
dfinir les caractristiques dadmittance souhaitables pour
chaque couche analogique en fonction de la frquence ; le nombre
de couches employer est une fonction de la rduction de la SER
recherche et de la bande de fonctionnement souhaite ;
trouver des gomtries ralisables et des combinaisons de
conductances qui adaptent, aussi prs que possible, les caractristiques dadmittance souhaite pour chaque feuille ou chaque couche
fine ; chaque motif correspond des fonctions de filtre dtermines
par le calcul ou par lexprience ; le fonctionnement en frquence
dterminera les dimensions principales et les espacements des
motifs ;
calculer les performances thoriques dun ensemble de couches dilectriques et de feuilles analogiques en fonction de la frquence, de la polarisation et de langle dincidence ;
optimiser la structure la fois sur le plan thorique et, en final,
ralisation exprimentale et tests de la structure.
Des programmes dcrans slectifs en frquence pour matriaux
absorbants plans existent, des corrections sont apportes pour tenir
compte de milieux de dimensions finies et de courbure grand
rayon.
La raison principale de lemploi de feuilles circuits analogiques
par rapport aux feuilles rsistives est dobtenir des bandes de fonctionnement plus larges, voire accordables par un meilleur contrle
des proprits dimpdance des matriaux pertes.
R (dB)
III
10
II
20
I
30
0
10
15
20
25
30
Frquence (GHz)
I cran de Salisbury classique : 25 % 20 dB

II cran de Salisbury couche dipolaire : 55 % 20 dB
III cran de Salisbury couche dipolaire limite 10 dB
donnant 75 % de bande
Figure 17 Simulation thorique dun cran de Salisbury
monocouche utilisant une couche analogique dipolaire
La figure 17 montre lamlioration obtenue pour un cran de

Salisbury une couche quand on remplace la couche rsistive par
une couche analogique. Un cran standard 20 dB a une largeur
de bande de 25 % ; en utilisant un cran dipolaire, la bande a
augment 55 % sans destruction des performances de lcran. Si
on dcide de limiter la rflectivit 10 dB sur la plus large bande,
on obtient une largeur de bande de 120 % comparer avec les 75 %
dun cran de Salisbury classique.
2.2 Matriaux large bande

On a vu quil tait possible dassocier des crans de Salisbury
lectrique ou magntique, des crans de Dllenbach pour faire des
crans large bande. Dautres types sont envisageables.
2.2.1 Couches inhomognes

Le principe de base est de rechercher des structures qui prsentent un minimum de discontinuit avec linterface espace libre et qui
progressivement augmentent les pertes pour absorber compltement londe transmise.
Fente rectangulaire
Trou circulaire
ou fente circulaire
Fente angulaire
Les couches inhomognes qui possdent des proprits (z )

et/ou (z ) peuvent accomplir cet objectif. Sur le plan thorique, le
problme reste complexe rsoudre car il implique des calculs
inverses dont la solution nest pas unique.
De nombreux auteurs ont tudi des formes comprenant des
variations de dilectrique. On donne, tableau 2, toutes les formes
qui ont t envisages avec les diffrentes relations et notamment
le rapport < qui permet dobtenir une valeur du coefficient de
rflexion R < 0, 1 .
Les couches dpaisseur les plus faibles sont donnes avec un
profil de constante dilectrique du type :
Fente charge
une fourche
Fente charge
4 fourches symtriques
Fente charge
3 fourches
Figure 16 Gomtries dcrans slectifs en frquence
z 2
r = 1 -----
<
La dpendance en incidence du coefficient de rflexion est
tudie dans des cas simples [26].
AF 3 372 9
____________________________________________________________________________________________________
Tableau 2 Diffrents types de couches inhomognes

r ( z )
r ( z )
r ( z )
r ( z )
Minimum de <
pour R < 0, 1
Jacobs idal
[ 1 (z <) ] 2
constante faible << 1
0,3
Jacobs fini
[ 1 ( 0, 95 z < ) ] 2
1
--2
0,42
Linaire
3 z<
0,55
Linaire
6 z<
0,77
Exponentiel
3, 76 ( z < ) 1, 5
0,4
Exponentiel
Type de variation
0, 285 e 2, 73
0,35
0, 25
------------- [ 6 z < 1 ]
< 0
0,35
2z <
5z < 1
0,56
10 z <
7z < 1
0,68
3, 3 z <
50 z <
0, 3 ( 3 , 3 z < 1 )
0,6
3z <
50 z <
50 z <
1
Exponentiel
Exponentiel
Exponentiel
Exponentiel
Exponentiel
3,
Approximation 3 couches
discrte et distribution
exponentielle
(z <)
0, 3 ( 3 ,
3z <
1)
0,5
0,58 pour 0,344 <

1,16 pour 0,359 <
3,48 pour 0,297 <
0,33
Il sagit essentiellement dune transition gomtrique entre

lespace libre et le milieu pertes. Ces matriaux se prsentent sous
formes de pyramides, de coins et comportent des caoutchoucs
synthtiques ou des mousses charges par un matriau pertes
comme un mlange dilectrique-carbone. La figure 18 montre un
type de matriau absorbant base de pyramides.
Les formes classiques sont des cnes, des profils rectangulaires,
sinusodals, ou triangulaires. Le profil triangulaire apporte des
meilleures performances que les autres, car il constitue une transition plus graduelle. La figure 19 donne une indication des paisseurs ncessaires pour atteindre une rduction de SER.
Coefficient de rflexion (dB)
2.2.2 Pyramides
60
50
50
60
40
70
30
20
Polarisation
'
//
50
60
70
10
0
1
3
4
5
6 7 8 9 10
paisseur en longueur d'onde (, / )
Figure 19 Coefficient de rflexion en fonction de lpaisseur

pour des absorbants pyramidaux pour divers angles dincidence
Figure 18 Absorbant base de pyramides
AF 3 372 10
Pour accrotre les pertes dinsertion, le socle de la pyramide peut

utiliser des transitions dilectriques inhomognes dfinies paragraphe 2.2.1. Des coefficients de rflexions infrieurs 0,1 ont t
observs pour des angles dincidence aussi grands que 50 60. Ces
absorbants peuvent atteindre des rductions de SER 50 dB avec
des paisseurs de 50.
Les applications de ces pyramides sont les chambres anchoques. Pour un fonctionnement en basse frquence, les dimensions
de la pyramide deviennent assez grandes ( < > 10 ) .
Un matriau avec r = r, suffisamment pais et qui a des pertes

dilectriques et magntiques assez importantes, plac devant une
paroi mtallique peut constituer un matriau absorbant. On peut
obtenir cette relation directement partir de la relation qui donne le
coefficient de rflexion R = 0 sur un milieu dpaisseur trs grande
o lon a :
Z=Z0
r = r .
Les seuls matriaux capables daccomplir cela sont les ferrites.
Quelques absorbants ferrite ont t dvelopps avec des bandes
assez grandes.
Pour un cran absorbant (r = r) recouvrant une surface
conductrice et dpaisseur finie, le coefficient de rflexion est le
coefficient de rflexion dun cran de Dllenbach ( 2.1.3) avec
Z1 = Z 0 .
En incidence normale et pour , >> , , lamplitude du
coefficient de rflexion est donne par la relation :
R = exp ( 2 k 0< r )
La figure 20 donne les courbes des valeurs minimales de < en
fonction des pertes dilectriques tan pour diffrentes valeurs de
R .
Dans le cas dun matriau quelconque, le nombre donde k
dans le matriau est complexe et les parties relles et imaginaires,
en fonction de , , , sont fournies par les relations :
12
Re ( k ) =

( + ) 2
-------------------------------- 1 + 1 + --------------------------------------
2
( ) 2
Im (k) =

( + ) 2
-------------------------------- 1 + 1 + --------------------------------------
2
( ) 2
12
Pour r r
partir des expressions prcdentes on
r
r
dduit le coefficient de rflexion en incidence normale :
2 2
( 4 2 2 )
R = exp ( k 0 < ) ---------------------- 1 + 1 + ---------------------------2
( 2 2 )
12
Le catalogue des matriaux utilisables dans le domaine des

hyperfrquences pour faire des absorbants magntiques est assez
important. Les alliages mtalliques (tels que le Permalloy) ont des
permabilits trs leves, mais les proprits de conduction dominent au-dessus des frquences suprieures quelques dizaines
dhertz. Des matriaux non conducteurs sont souhaitables pour les
applications dabsorption lectromagntique.
Les matriaux magntiques les plus employs dans les absorbants radars sont le fer carbonyl et les ferrites.
Le fer carbonyl est une poudre de fer pur dont les diamtres de
particules se situent entre quelques micromtres jusqu 10 m.
Les performances des absorbants sont une fonction de la taille et
de la conductivit des particules. Dans une situation idale, les particules individuelles contiennent un nombre suffisant de domaines
magntiques qui sont isotropes, mais pas trop important pour viter
un blindage automatique (d aux parcours lectriques dans un
milieu dense en particules de fer). Dans une matrice dilectrique, on
peut ajouter des particules de fer carbonyl jusqu ce que lon
atteigne le seuil de percolation. Les thories GEM et de percolation
peuvent aider dfinir les taux de charge en fer carbonyl.
Les ferrites sont des substances ferrimagntiques composes
doxydes de fer et dautres oxydes mtalliques. Comme ils sont non
102
10
u=
Z 0 tant limpdance du vide.

On en dduit que le milieu est adapt, soit R = 0 si :
paisseur en longueur d'onde (,/)
2.2.3 Matriaux magntiques
0,
01
0,
05
0,
0,
1
101
102
0,01
0,1
10
tan
Figure 20 paisseur minimale dun absorbant en fonction

des pertes du matriau r = r pour avoir un coefficient
de rflexion compris entre 0,01 et 0,3
conducteurs, les ferrites peuvent tre dilus en quantit importante

dans une matrice neutre. Par ailleurs, comme on peut contrler et
changer la structure en rseau et les lments mtalliques dopant
un ferrite, on peut mieux contrler les proprits des matriaux raliss.
Un inconvnient dun ferrite est que laimantation saturation est
faible compare au fer et le produit pertes dilectriques-largeur de
bande dun matriau est directement proportionnel la valeur de
laimantation saturation.
Cependant, la possibilit dobtenir des densits de concentration
importante, de rsister loxydation sous une forme non magntique et de permettre de faire des synthses proprits diffrentes
par des dopages appropris rendu les ferrites trs populaires
demploi dans les matriaux absorbants radar.
La figure 21 donne, par exemple, les permabilits de ferrite de
nickel-zinc en fonction du dopage en zinc.
Les matriaux ferrites se prsentent sous forme de tuiles frittes
rigides de petites dimensions. Une autre mthode consiste
enfermer les particules magntiques dans une matrice flexible de
caoutchouc naturel ou synthtique. Cette couche composite peut
tre ensuite colle sur une surface protger. Quelques socits ont
dfini des techniques de pulvrisation de matriaux ferrites o le
nuage magntique est suspendu dans une matrice poxy. Le revtement pertes peut tre, alors, rpandu selon une paisseur dsire
sur la surface protger. Le matriau peut, galement, tre peint
directement sur la surface. De tels matriaux sont, souvent, utiliss,
pour rduire les ondes rampantes et les ondes se propageant sur la
structure.
Bien que les matriaux magntiques soient lourds, leur vertu
essentielle rside dans la possibilit dobtenir des performances
en basse frquence avec des matriaux dpaisseur raisonnable :
de 50 MHz jusqu 800 MHz, on peut utiliser des structures
ferro-spinelles ;
de 800 MHz 1,6 GHz, une structure ferroxplanaire est plus
souhaitable.
AF 3 372 11
104
103
'
'
____________________________________________________________________________________________________
I
II
III
IV
V
''
103
II
I
x = 0,36
x = 0,5
x = 0,64
x = 0,2
x=0
''
102
II
III
IV
III
102
10
IV
10
Largeur du
motif ferrite
,
,
,
X'
paisseur
du ferrite
V
1
Priode
du rseau
Coupe X-X'
Figure 23 Absorbants ferrites en rseau 2D

1
0,6
0,1
0
102
10
103 4.103
Frquence (MHz)
Figure 21 Permabilits de ferrites de nickel-zinc

en fonction du dopage en zinc
Dans chaque cas, la masse volumique est denviron 5 g/cm3, et,

en fonction des proprits dabsorption recherches, des paisseurs
de 2 5 mm sont ncessaires. Le rsultat est une pnalit de masse
dapproximativement 10 25 kg/m2.
De nouvelles structures ont t dveloppes pour largir la
bande dabsorption lectromagntique des matriaux ferrites.
Des absorbants ailettes en ferrite ont t construits par des Asiatiques (figure 22) qui peuvent rduire les coefficients de rflexion de
20 dB de 30 700 MHz et de 15 dB de 30 1 000 MHz.
Le matriau absorbant consiste en un rseau de pices de ferrite
placs sur un conducteur mtallique, dont les dimensions et lespacement entre pices de ferrite sont calculs en fonction de la bande
couvrir.
Pour obtenir des effets insensibles la polarisation une structure
en grille peut tre ralise (figure 23). Cette grille constitue un
rseau 2D de pices de ferrite, analogue aux crans slectifs en
frquence ( 2.1.4). Avec un rseau priodique de cylindres de
ferrite carrs et un support en ferrite fritt, des bandes de frquence
de 30 MHz 2,6 GHz ont pu tre obtenues.
,
,
Lapplication vise est la protection des immeubles en basse

frquence et la constitution de chambres anchoques performantes
et pas trop volumineuses.
Priode
du rseau
Onde
lectromagntique
incidente
paisseur
du ferrite
Figure 22 Absorbant ferrites en rseau
AF 3 372 12
2.2.4 Structures absorbantes hybrides

Des travaux ont t faits pour combiner les divers types dabsorbants radars (lectrique, magntique, circuit analogique, cran de
Jaumann et matriaux gradients) pour avoir une plus grande
bande passante avec des structures multicouches dpaisseur plus
faible ou pour amliorer les performances dans une bande donne
avec une mme paisseur. Les matriaux qui combinent deux ou
plus de types dabsorption de base sont appels les absorbants
hybrides.
Une structure hybride pour un fonctionnement large bande
comprenant les basses frquences doit inclure une couche arrire
du matriau magntique recouverte par des absorbants de
Jaumann ( 2.1.2), des feuilles analogiques ( 2.1.4) ou des matriaux gradients ( 2.2.1), du type nid dabeille charg par une
rsine contenant des particules de carbone. Sil est convenablement
dfini, labsorbant de Jaumann, en face avant, sera transparent aux
basses frquences qui passeront travers et seront absorbes par
lcran magntique arrire. Aux hyperfrquences, o labsorbant
magntique aurait des performances faibles sil tait utilis tout
seul, les couches en avant devront fournir lattnuation ncessaire.
Labsorbant peut tre rendu actif en haute frquence en adjoignant
aux absorbants en face avant des structures activables ou actives.
Plusieurs types dassociation dabsorbants de base sont possibles. Par exemple, la figure 24 montre les rsultats obtenus pour un
cran de Jaumann trois couches, un absorbant gradient quatre
couches et un matriau hybride form en combinant un cran
Jaumann et un absorbant gradient. Chaque couche a 7,5 mm
dpaisseur. Lpaisseur totale est de 3 cm. On remarque que
lemploi de techniques combines amliore les performances en
plus basse frquence et en haute frquence jusqu la bande Ku
(18 GHz).
Dautres combinaisons sont possibles avec des crans analogiques ou des crans slectifs en frquence ( 2.1.4).
2.2.5 Structures absorbantes chirales

Les matriaux chiraux ont t prsents en [AF 3 371] (6 4.1). On
peut facilement imaginer que tous les scientifiques ont t particulirement intresss par ces structures hlicodales ces dix
dernires annes. Du fait des proprits lectriques et magntiques
croises et par la prsence dun terme supplmentaire traduisant la
chiralit, un grand nombre de personnes a pens utiliser les milieux
chiraux comme matriaux absorbants.
Toutes les structures prcdemment envisages ont t tudies.
Les crans monocouche ou multicouches de Salisbury lectrique et
magntique, de Dllenbach, de Jaumann, gradients ont t
simuls. Certains ont mme t raliss.
0
10
Jaumann
20
30
40
Hybride
50
Gradient
dilectrique
60
2
10
12 14 16 18
Frquence (GHz)
0
5
10
15
50
20
50
25
30
20
35
20
40
Figure 24 Comparaison dun cran multicouche Jaumann,
dun absorbant gradient dilectrique et dun matriau hybride
45
50
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Frquence (GHz)
0
Figure 26 Nids dabeille plusieurs angles dincidence raliss
par Emerson et Cumings
5
Mesure
10
Calcul
15
20
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
Frquence (GHz)
Figure 25 Amplitudes calcules et mesures du coefficient
de rflexion, en incidence normale, dune plaque chirale hlices
mtalliques gauches de trois tours
Parmi les travaux exprimentaux, signalons ceux de F. Gurin de

Thomson-LCR [25]. La figure 25 donne lamplitude calcule et
mesure du coefficient de rflexion dune plaque dpoxy charge
en carbone et en hlices mtalliques gauches de trois tours raison
de 3,4 % en volume. Outre le bon accord thorie-exprience, on
constate que, pour une rflexion de 10 dB, des bandes de 10
25 GHz peuvent tre obtenues.
Des hlices dilectriques base de matriaux ferrolectriques
ont, aussi, t ralises par Thomson-LCR. Plusieurs tentatives de
comparaison des proprits des crans classiques avec des crans
chiraux utilisant les mmes principes ont t conduites travers le
monde. On constate des amliorations des performances dabsorption de quelques dcibels sur une bande plus large.
Par rapport ces performances, les structures chirales se heurtent
au problme de cot de ralisation dune plaque. Il faut environ
65 000 hlices par mtre carr. A 1 F lhlice, un panneau plan de
1 m2 revient 65 kF, en 1998, soit 5 10 fois plus cher quune structure classique.
Par ailleurs, il semble difficile de raliser des panneaux non plans
comme des artes ou des bords dattaque. Tout cela limite lemploi
de ces milieux.
2.2.6 Structures absorbantes trs large bande

Parmi les structures absorbantes permettant daccder de trs
larges bandes, on peut ranger les structures en nids dabeille. Les
simulations des structures nids dabeille ont t trs longtemps
difficiles voire impossibles. Lintervention des modles lments

finis avec description assez fine de la maille du nid dabeille permet
dapprocher les proprits de ces matriaux [27], [28]. Des cellules
hexagonales, circulaires ou autres ont t tudies et surtout ralises par les industriels du domaine.
La figure 26 donne les rsultats exprimentaux obtenus par
Emerson et Cumings avec un matriau nid dabeille cellules circulaires revtues dune couche de carbone gradient de conductivit. Les dimensions sont de 300 300 avec une paisseur de
25 mm. Le poids est de 2 kg/m2. La rflectivit est de 20 dB de 6
26 GHz.
2.3 Applications des matriaux

absorbants
Outre les applications dabsorbants radars pour la rduction de
surface quivalente radar des cibles terrestres, ariennes et navales,
on trouve des absorbants dans les domaines suivants :
absorbants lectromagntiques pour rduire les interfrences
lectromagntiques sur les bateaux, ou pour liminer les interfrences proches des aroports (trs employs au Japon comme crans
de blindage) ;
absorbants utiliss dans les antennes pour enlever les
rflexions non dsires, les rflexions parasites, rduire les lobes
secondaires des antennes et amliorer les performances de ces
antennes (application tlcommunication terrestre ou spatiale) ;
absorbants utiliss comme matriaux de protection des circuits hyperfrquences des divers systmes dmission et de rception (faisceau hertzien) ;
absorbants intervenant dans les applications industrielles des
micro-ondes pour viter les fuites lectromagntiques, par exemple
dans les portes des fours micro-ondes ou pour protger toute
ouverture ;
absorbants des chambres anchoques pour les tests des proprits dimmunit de certains objets (automobile, transports etc.),
les proprits des antennes et des circuits hyperfrquences ou pour
la mesure des proprits de rflexion des objets naturels (application la tldtection) ;
absorbants ou matriaux de simulation des conditions
dabsorption des ondes par les milieux biologiques (fantmes biolectromagntiques).
AF 3 372 13

Faith

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Faith

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Matriaux en lectromagntisme

Matriaux absorbants radar

Matriaux absorbants plans..................................................................

Pour en savoir plus ..........................................................................................

es matriaux absorbants ont t crs en 1940 la fois aux tats-Unis et

stabilit mcanique : fonction du vieillissement des matriaux, en tenant

De la mme manire, la densit de puissance au niveau de

avec longueur donde.

La relation (2) reprsente la forme la plus simple de lquation

Si on considre une puissance minimale de rception Pmin au

A partir de cette relation (3) on peut voir que la distance varie en

____________________________________________________________________________________________________ MATRIAUX EN LECTROMAGNTISME

/16, on rduit la distance par deux ;

SER de lobjet quand on change la frquence et langle dobservation.

Sans entrer dans trop de dtails, la dtection dans le clutter

o Er , Ei, Hr et H i sont respectivement les amplitudes des champs

(dB m2) = 10 lg [ (m2)]

Les quantits aij sont complexes et indpendantes de la distance.

Chaque ij est proportionnel au carr de aij [27] et [28].

Cette technique est pratiquement abandonne et ne sera donc

2.1 Matriaux rsonnants

2.1.1 cran de Salisbury lectrique

Rappel. Sur les dfinitions et critures de (et ). En toute

Figure 1 cran de Salisbury

Z (1)est limpdance dentre effective linterface entre

Z 0 est limpdance du vide.

On aura une rflexion nulle si :

r et r tant les valeurs relatives et 0 et 0 celles du vide.

impdance dentre effective linterface 1 et 2,

La condition Z (2) trs grand ( Z ( 2 ) ) peut tre ralise quand le

k1 et k2 tant les constantes de propagation dans les milieux 1 et 2.

k 0 tant la constante de propagation dans le vide.

Langle de pente 1 , dpendant de la conductivit du milieu 1, est

< 4 , dans un milieu de permittivit 0 ; il sagit dune

Pour des paisseurs de la premire couche trs faible ( <<< ),

Lcran de Salisbury lectrique se dfinit par :

La feuille rsistive employe ou le matriau composite ralis

____________________________________________________________________________________________________ MATRIAUX EN LECTROMAGNTISME

Figure 2 Coefficient de rflexion dun cran de Salisbury lectrique

Figure 4 Coefficient de rflexion dun cran de Salisbury lectrique

Puissance rflchie (dB)

Les amplitudes des coefficients de rflexion sont donnes

On peut dfinir des absorbants pour avoir une rflexion nulle

Pour obtenir des performances similaires en plus basse

Figure 5 Performances thoriques dun cran de Salisbury

Puissance rflchie (dB)

Figure 3 Coefficient de rflexion dun cran de Salisbury lectrique

Figure 6 Performances thoriques du mme cran de Salisbury

2.1.2 cran de Salisbury magntique

Il suffit de remplacer Z1 et k1 par leur valeur ([AF 3 371] 1) ; on a :

1 tant la permabilit du milieu 1.

on aura une rflexion nulle si :

Figure 7 Comportement des ferrites en frquence

Le tableau 1 donne les proprits lectriques dun ferrite de

Lcran de Salisbury magntique se dfinit par :

La figure 9 donne un exemple dun cran de Salisbury large

Un cran de Salisbury magntique prsente une largeur de

____________________________________________________________________________________________________ MATRIAUX EN LECTROMAGNTISME

Tableau 1 Proprits lectromagntiques dun ferrite

Figure 9 cran de Salisbury magntique large bande

Figure 11 cran homogne ou de Dllenbach

2.1.3 cran de Dllenbach

Lcran de Dllenbach consiste en un milieu homogne pertes