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INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE

attribu par la bibliothque


THSE
Pour obtenir le grade de
Docteur de lINPG
Spcialit : Optique et Radiofrquence
prpare au Laboratoire dHyperfrquences et de Caractrisation de lUniversit de Savoie
dans le cadre de lcole Doctorale
lectronique, lectrotechnique, Automatique et Traitement du Signal
prsente et soutenue publiquement
par
Emmanuel PISTONO
le mardi 11 juillet 2006
Conception et ralisation de ltres microondes
planaires accordables par varactors, base de
structures priodiques
Directeur de thse : Philippe Ferrari
Codirecteurs de thse : Anne Vilcot, Lionel Duvillaret
JURY
M. Serge Toutain Professeur des universits, Nantes , Rapporteur
M. Serge Verdeyme Professeur des universits, Limoges , Rapporteur
M. Robert Plana Professeur des universits, Toulouse , Examinateur
M. Eric Rius Professeur des universits, Brest , Examinateur
M. Jean-Louis Coutaz Professeur des universits, Chambry , Examinateur
M. Philippe Ferrari Professeur des universits, Grenoble , Directeur de thse
Mme Anne Vilcot Professeur des universits, Grenoble , Co-directrice de thse
M. Lionel Duvillaret Professeur des universits, Grenoble , Co-directeur de thse
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Remerciements
Ces trois annes de thse ont t loccasion pour moi de faire de nombreuses rencontres,
et dvoluer autant sur le plan professionnel que sur les plans personnel et familial. Je tiens
ici remercier toutes ces personnes qui mont permis de mener bien ce projet.
Cette aventure a commenc un jour de novembre 2002, jour o jai rencontr Philippe
Ferrari, alors Matre de confrence au Laboratoire dHyperfrquences et de Caractrisation
de lUniversit de Savoie, pour une proposition de stage de DEA visant concevoir en
microondes lanalogue dune structure priodique photonique ltrante tudie en version
accordable par Lionel Duvillaret. Outre le sujet dj trs intressant, la pdagogie et
lcoute de Philippe mont tout de suite enchant lide de pouvoir travailler avec lui.
Cest ainsi que jai eu la chance de collaborer avec ces deux Enseignants-Chercheurs
que sont Philippe et Lionel, personnes qui ne sont pas indirentes dans mon souhait
dexercer ce mtier aux multiples facettes mais dont les dnominateurs communs sont
selon moi lenvie de comprendre et dapprendre quelquun ou de quelquun, et qui
passe obligatoirement par la case "gnrosit". Je tiens ds prsent les remercier trs
chaleureusement et amicalement pour leurs multiples explications et discussions, pour la
conance, lattention et la sympathie quils mont portes, dabord pendant ce stage de
DEA, puis quils mont renouveles en acceptant dtre codirecteurs de ma thse. Bien
entendu, je noublie pas de remercier Anne Vilcot, professeur lINPG, qui aprs mavoir
eu comme tudiant lENSERG, ma accord sa conance en acceptant dtre galement
codirectrice de ma thse : merci pour ses encouragements, sa sympathie et pour lattention
et le temps quelle a consacrs mes travaux de recherche durant ces trois annes de
thse. Jexprime ces trois personnes toutes mes reconnaissance, estime et amiti les plus
sincres.
Parmi les personnes qui ont galement contribu ma formation de chercheur, je
souhaite remercier Jean-Marc Duchamp, Matre de confrence lUniversit Joseph Fou-
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rier, pour nos multiples discussions scientiques animes sur les structures priodiques.
Je pense galement Robert G. Harisson, Professeur lUniversit dOttawa, pour le
temps quil ma consacr et pour les remarques techniques et linguistiques pertinentes
dont il ma fait part. Je souhaite galement remercier Jean-Michel Fournier, Professeur
lINPG, pour lintrt quil a port mes travaux, pour sa gentillesse, sa gnrosit et
pour le temps quil a consacr sur le prototype de ltre passe-bas MMIC.
Merci toutes ces personnes de mavoir considr durant ces trois annes non pas
seulement comme un tudiant, mais comme un chercheur part entire.
Je suis galement reconnaissant Pierre Saguet, Professeur et responsable de la spcia-
lit de thse Optique et Radiofrquences lINPG, pour son soutien, sa comprhension
et sa sympathie que jai observs de nombreuses occasions.
Je tiens remercier aussi Messieurs Serge Toutain et Serge Verdeyme pour avoir
accept dtre rapporteurs de mon travail de thse ainsi que Messieurs Eric Riuz et Robert
Plana pour avoir accept dtre examinateurs lors de ma soutenance de thse.
Merci Jean-Louis Coutaz et Gilbert Angnieux, actuel et ancien directeurs du LAHC
et Bernard Flchet, responsable du dpartement EEA de lUniversit de Savoie, pour
mavoir permis deectuer ma thse et mon monitorat dans de bonnes conditions. Je
remercie par ailleurs Frdric Garet pour avoir accept dtre mon tuteur de monitorat
auprs du CIES. Merci galement Jean-Franois Roux pour sa sympathie et ses multiples
conseils et discussions : jespre quavec Gwen et Guill, on naura pas trop abus de tes
prcieux conseils lors de cette dernire anne... merci aussi pour mavoir rappel combien
ma rgion dorigine la valle du Buch tait une belle et paisible contre ! Je pense
galement tous les autres membres passs et actuels du laboratoire dHyperfrquences
et de Caractrisation pour leur accueil : merci Eric, Hynek, Thierry, Anne-Laure, Da-
rine, Ra, Mathieu, Benjamin, Stphane, Stphane, Siham, Jean-Marie (dit Jeannot le
rigolo ), Michel, Trang, Cdric, Pascal, Anne, Fred, Fernanda et Dd. Merci galement
Vincent pour les sorties Kayak. Un merci tout particulier mes successifs collgues
de bureau qui durant ces trois annes de thse sont passs du rang de collgues celui
damis. Par ordre dapparition, je souhaite alors remercier Herv Eusbe, Gwenael Gabo-
rit et Guillermo Martin. Comme pour tout thsard qui se respecte, vinrent les moments
de doute sur mon travail de recherche et sur ma petite personne ; mes questions phy-
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siques et mtaphysiques ont alors pu tre apaises par nos multiples discussions dans ce
bureau au fond du deuxime tage du btiment Chablais : je les remercie grandement
pour mavoir donn la pche et rendu le sourire dans ces moments. Et notamment, merci
Eusbius pour mavoir accord ta conance un certain samedi de septembre 2005 lors dun
priple en pays polonais, merci aussi pour la cure de raisin ! merci Guill qui, dans mes
souvenirs, doit tre lorigine dun mythe : les simulations sous CorelDraw... et merci
pour ton jambon dEspagne ! et enn merci Gaby pour ma formation acclre en bires
de garde, pour les casse-tte et pour avoir battu le record de longvit de partage de
bureau (plus de 35 mois !), les deux autres compres ayant choisi entre temps daller voir
ailleurs... Oups, je pense avoir oubli le quatrime mousquetaire Jrme Piquet qui,
dfaut davoir partag mon bureau en tant que membre permanent, la partag en tant
que membre occasionnel . Merci Jrme pour ta sympathie, pour ton vin et pour ce
qui va avec.
Je pense galement mes amis davant la thse auprs desquels je mexcuse de
navoir pu passer plus de temps avec eux depuis trois ans. Tout dabord merci Vincent
pour toutes ces soires passes danser dans les bals de villages et pour tous les autres
bons moments quon a vcu ensemble. Merci aussi Anne-Laure et Patrice pour les
discussions acharnes sur la question : lequel de ces deux dpartements est le plus... :
Les Hautes-Alpes ou la Haute-Savoie ? . Merci galement Nico, Laure et Philippe que
jai rencontrs lENSERG, et qui chacune de nos trop rares retrouvailles me donnent
limpression de ne les avoir quitts que la veille !
Bien sr, je ne peux oublier de remercier mes parents qui mont toujours fait conance
en me laissant choisir par moi-mme ce que je voulais faire. Je les en remercie nor-
mment et pense trs fort eux. Merci galement mes frres et soeurs et leurs fa-
milles respectives : merci Tito-Marie-Ml-Cyril-Lili, Ccile-Je-Lucile-Camille-Delphine,
Bernard-Juju-Nico-Max, Denis-Flo-Mat-Gui-Titia-Johan, Dominique-Sandrine-Thomas-
Sarah, Michel-Muriel-Simon-Clia, Marie-Lionel-Lo-Antoine et Anne-Manu-Etienne-Jules
pour lamiti ou plutt la fraternit quils mont portes depuis toujours. Merci pour tous
ces moments de bonheur dj partags. Merci galement aux parents dAdeline et ses
frres pour mavoir accueilli au sein de leur famille.
Enn, je remercie la personne qui a particip au premier plan cette aventure qua t
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ma thse. Merci Adeline de mavoir support et soutenu pendant ces annes, et notamment
ces six mois. Merci pour ta gentillesse, ta comprhension et pour les moments heureux
dj passs. Merci pour tes corrections automatiques et orthographiques qui nous
ont emmens vers des discussions passionnes. Merci enn pour ce joli cadeau que tu
mas oert : notre petit Basile ! Je pense vous trs tendrement et nous souhaite plein de
joyeuses annes ensemble.
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Table des matires
Introduction 1
1 Filtres microondes planaires accordables : tat de lArt 5
1.1 Dispositifs microondes accordables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.1 Exemple dapplication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 Technologies utilises pour raliser laccord . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.2.1 Transducteurs pizolectriques . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.2.2 Transducteurs photoconducteurs . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.2.3 Substrats commandables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.2.4 Varactors micro-lectro-mcaniques (MEMS) . . . . . . . 11
1.1.2.5 Varactors jonctions semiconductrices . . . . . . . . . . . 12
1.2 Filtres accordables dans le domaine microonde . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.1 Rappels sur la notion de gabarit de ltre . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.2 Facteurs de mrite de ltres microondes . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2.2.1 Facteurs de mrite de ltres microondes non-accordables . 16
1.2.2.2 Facteurs de mrite de ltres microondes accordables . . . 17
1.2.3 Filtres passe-bande microondes planaires accordables . . . . . . . . 19
1.2.3.1 lments localiss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.3.2 Structures priodiques bandes interdites lectromagn-
tiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.3.3 Rsonateurs quart donde . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.3.4 Rsonateurs demi-onde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2.3.5 Rsonateurs en boucle ferme . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.2.3.6 Rsonateurs DBR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.3.7 Rsonateurs patch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
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1.2.4 tude comparative de ltres accordables . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.4.1 Filtres accordables en frquence centrale . . . . . . . . . . 26
1.2.4.2 Filtres double accord . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2 Rsonateur accordable bandes interdites lectromagntiques 35
2.1 tude thorique du rsonateur Bandes Interdites lectromagntiques . . 36
2.1.1 Topologie du rsonateurPrincipe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.2 Interfromtre de Fabry-Prot plan-parallle . . . . . . . . . . . . . 38
2.1.3 Principe du rsonateur BIE microonde . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.2 Rsultats de ltres accordables base de rsonateurs BIE . . . . . . . . . 44
2.2.1 Ligne de propagation coplanaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.2.2 Validation de laccord mcanique du rsonateur . . . . . . . . . . . 47
2.2.2.1 Conception du rsonateur xe . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2.2.2 Rsultats du rsonateur xe . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2.2.3 Accord mcanique du rsonateur 4 GHz . . . . . . . . . 50
2.2.3 Filtre accordable lectriquement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.2.3.1 Conception du ltre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.2.3.2 Rsultats du ltre ralis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2.4 Conclusion de ltude et amliorations envisages . . . . . . . . . . 59
3 Filtres passe-bas accordables en bande passante 61
3.1 Etude thorique de la structure priodique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.1.1 Topologie tudiePrincipe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.1.2 Dtermination de limpdance caractristique dune cellule lmen-
taire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.1.3 Impdance dentre de la structure priodique . . . . . . . . . . . . 68
3.1.3.1 Expression de limpdance dentre en module et phase . . 68
3.1.3.2 Extrema de limpdance dentre . . . . . . . . . . . . . . 69
3.1.4 Coecient de rexion en entre de la structure priodique . . . . . 71
3.1.5 Critres de conception de la structure priodique . . . . . . . . . . 72
3.1.5.1 Dtermination du taux dondulation basse frquence . . 72
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3.1.5.2 Droite de rjection de la structure priodique . . . . . . . 73
3.1.5.3 Longueur lectrique optimale des cellules lmentaires . . 74
3.1.6 Mthode de conception applique un exemple . . . . . . . . . . . 75
3.1.6.1 Structure priodique non taprise . . . . . . . . . . . . . 75
3.1.6.2 Structure priodique taprise optimise . . . . . . . . . . 76
3.2 Rsultats de ltres passe-bas accordables en technologie CPW . . . . . . . 79
3.2.1 Dispositifs hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.2.1.1 Prsentation des trois ltres raliss . . . . . . . . . . . . 79
3.2.1.2 Filtre hybride avec cellules de taprisation xes . . . . . . 80
3.2.1.3 Filtre hybride avec cellules de taprisation accordables si-
multanment avec les cellules centrales . . . . . . . . . . . 83
3.2.1.4 Filtre hybride avec cellules de taprisation accordables in-
dpendamment des cellules centrales . . . . . . . . . . . . 84
3.2.2 Dispositif MMIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.2.2.1 Conception du ltre MMIC . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.2.2.2 Rsultats du ltre ralis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.2.2.3 Amliorations envisages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.2.3 Conclusion de ltude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
4 Filtre passe-bande accordable en bande passante et en frquence cen-
trale 97
4.1 tude thorique du ltre base de rsonateurs onde lente coupls en srie 98
4.1.1 Topologie tudiePrincipe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.1.2 Impdance caractristique du rsonateur et dtermination des cri-
tres de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
4.1.3 Critres de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
4.1.3.1 Capacits de charge C
p
et C
s
du rsonateur onde lente
coupl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
4.1.3.2 Longueur lectrique optimale du rsonateur . . . . . . . . 106
4.1.3.3 Abaques de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4.1.4 Mthode de conception applique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
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4.2 Rsultats de ltres passe-bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.2.1 Filtre hybride xe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.2.1.1 Conception du ltre trois ples . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.2.1.2 Rsultats du ltre ralis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
4.2.2 Filtre passe-bande hybride accordable en frquence centrale et en
bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.2.2.1 Conception du ltre deux ples double accord . . . . . . . 114
4.2.2.2 Rsultats du ltre ralis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.2.2.3 Contribution des pertes varactors et CPW aux pertes to-
tales du ltre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
4.2.3 Comparaison de ltres accordables bass sur des lignes de propaga-
tion charges priodiquement par des capacits . . . . . . . . . . . 121
4.2.4 Conclusion de ltude et amliorations envisages . . . . . . . . . . 123
Conclusion 125
Bibliographie 128
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Introduction
La conception de ltres compacts et performants constitue un grand d dans le do-
maine RF/microondes. Lintgration de systmes de transmission sans l pour ces gammes
de frquences ncessite la rduction des dimensions de chaque fonction lmentaire de la
chane dmission-rception (antennes, ltres, amplicateurs, etc.). Dans le cas de rcep-
teurs multibandes, lutilisation de plusieurs ltres (ddis chaque bande de frquences,
ou ensemble de canaux de rception) doit tre vite puisquelle consomme une surface
importante. Ainsi, le ltre accordable est une solution intressante ce problme de su-
percie, sa rponse frquentielle pouvant tre modie an de slectionner les diverses
bandes de frquences utiles du rcepteur multibandes.
Le grand nombre de publications dmontrant laccord de la frquence centrale (f
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) de
ltres passe-bande prouve lintrt port par la communaut scientique pour ces dispo-
sitifs recongurables. Cependant, les ltres passe-bande accordables en frquence centrale
prsentent gnralement une variation non dsire de la bande passante sur la plage dac-
cord de f
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. Ainsi, la recherche dans le domaine des ltres prsentant le double accord
simultan de la bande passante et de la frquence centrale sest dveloppe ces trois der-
nires annes pour pallier notamment ce problme de uctuation de la bande passante. En
outre, ces ltres passe-bande, dits ltres double accord, prsentent dautres intrts puis-
quils peuvent tre utiliss pour slectionner des bandes de frquences variables, centres
sur des frquences distinctes, et ddies des applications ou standards de communication
dirents.
Par ailleurs, il sest toujours avr ncessaire de dvelopper des mthodes de conception
simples [1], ecaces et en adquation avec les outils de calcul dont disposent les concep-
teurs de circuits radiofrquences. Ainsi, depuis plus dun demi-sicle, de nombreuses m-
thodes de conception de ltres RF/microondes adaptes aux diverses topologies de ltres
ont t labores et prsentes dans de multiples ouvrages. Cette double problmatique
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(topologie de ltre - mthode de synthse associe) reste encore aujourdhui au coeur de la
recherche en ltrage pour acqurir entre autre des outils de conception ables permettant
dobtenir des performances de plus en plus accrues dans des technologies donnes. Enn,
la mise disposition doutils simples et ecaces de conception de dispositifs haute fr-
quence pour des concepteurs de circuits en microlectronique classique basse frquence
semble galement pertinente et doit tre prise en compte.
Le travail prsent dans ce mmoire de thse concerne trois topologies de ltres ra-
diofrquences et microondes. Des tudes thoriques bases sur des modlisations semi-
rparties des structures tudies (prenant en considration un modle rparti des lignes de
propagation et un modle localis des capacits ou varactors considrs) sont dveloppes
pour obtenir des rgles de conception simples. Les outils logiciels actuels de simulation et
doptimisation de circuits microondes tant susamment ecaces pour les structures tu-
dies, une rapide optimisation des ltres calculs (considrant les modles lectriques rels
des lignes de propagations et capacits) est alors ncessaire pour rpondre aux gabarits
attendus et amliorer notamment ladaptation dans la bande passante. Des prototypes de
ltres sont ensuite prsents pour chacune de ces topologies pour des frquences de travail
allant de 0,5 9 GHz. Les mesures de ces dispositifs, appuyes par des simulations circuit
et lectromagntiques, valident les tudes thoriques proposes.
Aprs un bref descriptif des dirents types de dispositifs accordables microondes et
de leurs applications, le premier chapitre de ce manuscrit propose un tat de lart sur les
ltres microondes accordables. Des facteurs et gures de mrite sont alors dvelopps pour
comparer les performances de ces ltres notamment en termes daccord et de supercie.
Le second chapitre prsente une topologie de ltre base sur un rsonateur microonde
de type Fabry-Prot constitu dun rsonateur demi-onde insr entre deux recteurs
de Bragg. Laccord de la frquence centrale du rsonateur est obtenu lectriquement en
chargeant le rsonateur demi-onde par une capacit variable (varactor) en parallle entre
le conducteur et la masse. Les mesures en petit et grand signal dun prototype de ltre
accordable en technologie hybride 9 GHz sont prsentes. Une conclusion rsume ltude
et prsente les inconvnients de telles structures en termes de taille, pertes dinsertion,
accord et plages de rjection.
Le troisime chapitre est ddi ltude dune topologie de ltre passe-bas compact
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base sur une ligne de propagation priodiquement charge par des lments capacitifs.
Une mthode de conception base sur ltude de limpdance dentre de la structure
priodique permet dobtenir une structure de ltre prsentant une large bande rejete,
et une forte slectivit. Loptimisation des cellules latrales permet damliorer ladapta-
tion dans la bande passante. Les rsultats de trois ltres accordables hybrides autour de
0, 5 GHz et dun ltre MMIC accordable autour de 4,3 GHz sont prsents. Lorigine des
fortes pertes dinsertion du dispositif MMIC est explique.
Le quatrime et dernier chapitre est consacr la conception de ltres passe-bande
compacts double accord. Ces ltres sont bass sur la mise en cascade de rsonateurs
onde lente coupls en srie. Lapproche thorique repose sur ltude de limpdance
caractristique dun unique rsonateur partir de laquelle des relations de conception et
une mthode de synthse sont dduites. Loptimisation des rsonateurs latraux permet
ici encore dobtenir le ltre rpondant au gabarit dsir. Les mesures dun prototype xe
0,7 GHz valident une tude de sensibilit des valeurs des capacits sur les paramtres S
du ltre. Enn, les rsultats dun ltre double accord autour de 0, 7 GHz dmontrent les
performances de cette structure de ltre en termes de dimensions, daccords et de bande
rejete.
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Chapitre 1
Filtres microondes planaires
accordables : tat de lArt
1.1 Dispositifs microondes accordables
1.1.1 Exemple dapplication
Pour rpondre aux besoins de recongurabilit des systmes dmission-rception multi-
bandes tout en vitant la multiplication des chanes de transmission au sein dun mme
systme, plusieurs architectures radiofrquences recongurables ont t proposes [27].
La gure 1.1 prsente larchitecture propose par Rebeiz [5], architecture dune chane
dmission-rception tri-bandes de tlphonie sans l. Cette solution montre lintrt
vident apport par les dispositifs accordables. Ainsi, les antennes, commutateurs, adap-
tateurs dimpdance et ltres accordables permettent de traiter les diverses bandes de
frquences dvolues chaque standard (par exemple : GSM 900, DCS 1800, PCS 1900,
UMTS) tout en rduisant les dimensions. Les bandes alloues chaque standard ne pr-
sentant pas les mmes largeurs de spectre utile (voir tableau 1.1), les ltres accordables
en frquence centrale mais aussi en bande passante peuvent alors tre dune grande utilit
pour remplacer dans lexemple de la gure 1.1 les ltres en entre de chane dmission-
rception (front-end).
Les ltres microondes accordables peuvent tre utiliss dans dautres types dappli-
cations commerciales, mais galement militaires, ou encore dans des systmes de me-
sure [810].
Dautres dispositifs accordables comme les diviseurs de puissance ou les dphaseurs
prsentent un rel intrt, par exemple pour raliser des rseaux dantennes balayage.
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Standards de tlphonie
mobile
GSM DCS 1800 PCS 1900 UMTS
Plages de frquence en
mission (MHz)
890-915 1710-1785 1850-1910 1920-1980
Plages de frquence en
rception (MHz)
935-960 1805-1880 1930-1990 2110-2170

Tableau 1.1: Plages de frquences alloues aux standards GSM 900, DCS 1800,
PCS 1900, UMTS [11].













SP2T
SP3T SP3T
LNA
Rseau
dadapt.
Peut tre
remplac par
SP3T SP3T
SP3T SP3T
PA
PA
PA
Rseau
dadapt.
Peut tre
remplac par
Amplificateur
de puissance
De la modulation I/Q
Peut tre
remplac par
0/90
Rseau
dadapt.
Rseau
dadapt.
Antenne
accordable
LNA
LNA
LNA
PA
Figure 1.1: Architecture dune chane dmission-rception tri-bandes de tlphonie
sans l propose par Rebeiz [5].
1.1.2 Technologies utilises pour raliser laccord
Plusieurs voies technologiques sont actuellement utilises pour raliser laccord des
dispositifs microondes partir dune commande lectrique :
les transducteurs pizolectriques ;
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les transducteurs photoconducteurs ;
les matriaux commandables (ferrolectriques, magntolectriques, cristaux liquides) ;
les varactors micro-lectro-mcaniques (MEMS, de langlais Micro-Electro-Mechanical
Systems) ;
les varactors jonctions semiconductrices.
Nous allons prsenter un aperu de ces direntes technologies. Aprs un bref rappel
du principe utilis pour chacune de ces voies technologiques, des exemples de rsultats
pertinents seront cits an de permettre au lecteur de trouver matire rexion et
comparaison.
1.1.2.1 Transducteurs pizolectriques
La pizolectricit est la proprit que possdent certains matriaux se polariser
lectriquement sous laction dune force mcanique (eet direct) et, rciproquement,
se dformer lorsquon leur applique un champ lectrique (eet inverse). Cest cet eet
inverse qui est utilis pour commander le positionnement, une hauteur h au-dessus
dune ligne de propagation, dun matriau perturbateur (voir gure 1.2), le plus souvent
dilectrique. Ceci permet alors de perturber le champ lectromagntique situ au-dessus
de la ligne de propagation en modiant la permittivit eective de la ligne. Ainsi, la
vitesse de propagation et limpdance caractristique sont galement modies, rendant
le systme accordable. Ce principe a t utilis principalement pour les dphaseurs [12,13]
et les ltres accordables [1316].













Ligne coplanaire
Matriau perturbateur
Pizolectrique
Support
h
Tension de
commande
continue
Figure 1.2: Exemple de ligne de propagation coplanaire perturbe par un matriau
plac une hauteur h au-dessus de la ligne par eet pizolectrique.
Ces dispositifs permettent dobtenir de fortes variations de la permittivit eective
de la ligne de propagation (jusqu un facteur 4) induisant ainsi de fortes variations des
proprits lectriques des lignes perturbes. De plus, les dispositifs prsentent de faibles
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pertes [13] et sont adapts aux applications forte puissance. En revanche, la commutation
(mcanique) de tels dispositifs est lente. Enn, lutilisation de ces dispositifs daccord dans
des systmes de transmission embarqus est peu adapte, en raison des fortes tensions
dactivation appliquer (gnralement >50 ou 100 V), dune dlicate mise en botier et
dune mauvaise immunit aux vibrations. Cependant, de tels dispositifs peuvent tre utiles
pour des systmes de mesure ou dans des stations de base subissant peu de contraintes
mcaniques.
1.1.2.2 Transducteurs photoconducteurs
Deux types de contrle optique sont gnralement distingus [17] :
le contrle optique direct bas sur leet photoconducteur, modiant les caractris-
tiques microondes et lectriques du substrat dans la zone dclairement ;
le contrle optique indirect, bas sur leet photovoltaque ou photoconducteur. Ce
contrle indirect nest pas abord ici. En eet, un composant intermdiaire est nces-
saire pour convertir le signal optique en signal lectrique. Le rel lment daccord,
du type varactor semiconducteur par exemple, utilise ensuite le signal lectrique
converti. Les pertes dinsertion et plages daccord du systme dpendent principa-
lement du varactor utilis et non de llment intermdiaire.
Leet photoconducteur, utilis pour le contrle optique direct, repose sur la conver-
sion de photons en paires lectron-trou dans un substrat semiconducteur [18]. La gnra-
tion des paires lectron-trou, un endroit prcis du composant (voir gure 1.3) par une
source optique dnergie suprieure la bande interdite du matriau, modie localement
la conductivit et la permittivit du substrat.
La variation obtenue des proprits du substrat dpend de la puissance du signal
lumineux incident et de la tension continue applique [18, 20] (voir aussi des exemples de
ralisations de dphaseurs [18,21,22] et de ltres accordables [20,23,24]). Ce type daccord
ncessite lutilisation de systmes base de bres optiques, ce qui peut tre encombrant.
Cependant, la co-ralisation des circuits microondes monolithiques intgrs (MMIC) et
optiques intgrs sur un seul et mme substrat permet de diminuer les dimensions et de
rendre lensemble plus compact [18]. Enn, les pertes dinsertion doivent tre amliores
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Faisceau laser
RF
& DC
Figure 1.3: Exemple de contrle optique de la frquence de rsonance dun ltre
coupe-bande en technologie microruban [19].
an de rendre lapproche optomicroonde comptitive par rapport aux MEMS et jonctions
semiconductrices.
1
1.1.2.3 Substrats commandables
Nous prsentons ici trois types de technologies bases sur des matriaux capables de
voir modie, sous lapplication dun champ lectrique ou magntique, soit leur permit-
tivit soit leur permabilit . Ces matriaux sont gnralement utiliss sous forme de
couches minces dposes sur un substrat mcanique. Ainsi, contrairement linuence
locale prsente par des varactors du type MEMS ou semiconducteur, leet exerc par
ces substrats commandables est distribu sur tout ou partie de la surface du dispositif.
a) Matriaux ferromagntiques
Le ferromagntisme est la proprit quont certains corps de saimanter trs fortement
sous leet dun champ magntique extrieur statique, et pour certains (aimants, mat-
riaux magntiques durs) de garder une aimantation importante mme aprs la disparition
du champ extrieur. Cette proprit rsulte du couplage collectif des spins entre centres
mtalliques dun matriau ou dun complexe de mtaux de transitions, les moments de
tous les spins tant orients de la mme faon au sein du milieu. La permabilit du ma-
triau ferromagntique est ainsi modie sous laction de ce champ magntique. Citons
quelques exemples de dphaseurs [25,26] et de ltres [2733] accordables ferromagntique-
ment. Linconvnient majeur limitant lintgration de ces dispositifs est la ncessit davoir
un champ magntique de commande important, ce qui est obtenu par des lectro-aimants
1
Un tat de lart ddi aux dispositifs contrle optique est prsent dans [18].
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encombrants et consommateurs de puissance lectrique.
b) Matriaux ferrolectriques
De manire duale vis--vis des matriaux ferromagntiques, les matriaux ferrolec-
triques ont la particularit davoir une permittivit dilectrique variable sous leet dun
champ lectrique statique. Ils permettent donc galement de raliser des systmes accor-
dables en frquence [34]. Le dveloppement rcent des techniques de dpts en couches
minces a entran un regain dintrt pour ces matriaux. En eet, lutilisation des ma-
triaux ferrolectriques ltat massif prsentait de nombreux inconvnients tels que de
fortes pertes, ou de fortes tensions de polarisation. Lutilisation de lms ferrolectriques
permet de minimiser ces problmes [35] ; des capacits localises ont alors pu tre ralises
avec ces lms ferrolectriques [36, 37] avec des facteurs de qualit comparables ceux des
diodes jonctions semiconductrices et des valeurs de capacit variant dans un rapport
C
max
/C
min
suprieur 3 (pour une tension applique infrieure 10 V). Plusieurs dpha-
seurs accordables [3845] ont t raliss base de matriaux ferrolectriques, ainsi que
des adaptateurs dimpdance [46, 47], et des ltres accordables [4855].
2
c) Cristaux liquides
Gnralement utiliss pour leurs proprits optiques, les cristaux liquides prsentent un
tenseur de permittivit dont les coecients peuvent tre modis par un champ lectrique
ou magntique basse frquence. Dans le cas des cristaux liquides thermotropes constitus
de molcules de forme allonge et utiliss pour laccord microonde, ces molcules peuvent
tre orientes dans une direction donne selon le champ lectrique de commande appliqu.
Ainsi, la permittivit du substrat cristaux liquides va tre modie, permettant alors de
commander la longueur lectrique dune ligne de propagation. Les tensions de commande
de ces substrats sont relativement faibles, gnralement infrieures une quinzaine de
volts. Cependant, les temps de rponse de ces matriaux sont importants, typiquement
suprieurs la milliseconde. De plus, lintgration de dispositifs accordables bass sur
de tels substrats parat dicile dans des technologies standard du type Bi-CMOS. Les
dispositifs microondes commands bass sur cette technologie sont principalement les
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Un tat de lart ddi aux matriaux ferrolectriques est prsent dans [35].
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dphaseurs [5660] ainsi que les antennes [57, 61, 62]
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1.1.2.4 Varactors micro-lectro-mcaniques (MEMS)
Depuis les annes 1985 jusquaux annes 2000, la frquence de coupure des diodes
semiconducteurs (par exemple les diodes p-i-n GaAs ou InP) a peu volu, passant
de lordre de 500 GHz 2000 GHz. Les varactors MEMS microondes dvelopps depuis
1990 (premier varactor MEMS microonde [63]) ont permis de franchir ce verrou techno-
logique [5] et datteindre de bonnes performances en termes de frquence de coupure et
de facteur de qualit (Q > 100 aux frquences microondes). Ce pas en avant autorise le
dveloppement de nouveaux circuits accordables adapts aux besoins actuels.
Plusieurs types de commandes peuvent tre utiliss (lectrostatique, magntostatique,
pizolectrique, ou thermique) pour rendre accordables les varactors MEMS. La com-
mande lectrostatique est la technique la plus utilise car cest la moins consommatrice
dnergie, la plus rapide en terme de commutation et celle conduisant la plus forte int-
gration. Deux congurations typiques de varactors MEMS analogiques sont prsentes
la gure 1.4. Nous entendons par varactor analogique, un varactor prsentant une capa-
cit pouvant prendre toutes les valeurs comprises entre ses deux valeurs extrmes C
min
et
C
max
, par opposition avec le varactor discret qui ne prsente quun nombre ni de valeurs.
W
g
Fe W
g
w
(a) (b)
Fe
w
Figure 1.4: Congurations typiques de varactors MEMS analogiques. (a) poutre
double encrage (pont) et (b) poutre simple encrage (cantilever).
Lorsquune tension continue est applique entre la poutre de largeur w et llectrode
de largeur W, une force lectrostatique F
e
est exerce sur cette poutre comme le montre la
gure 1.4, force proportionnelle w et W. Cette force F
e
va alors contraindre la poutre se
dformer et se rapprocher de llectrode xe, diminuant alors la distance g. La capacit
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Un tat de lart ddi aux dispositifs accordables base de cristaux liquides est prsent dans [62]
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prsente par le varactor, correspondant en premire approximation la capacit plan
entre les deux lectrodes (C =
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Ww
g
), va alors augmenter.
Les avantages principaux de ce type de varactor sont lis son fort facteur de qua-
lit, pouvant tre suprieur 300 aux frquences millimtriques, et son bon rapport
C
max
/C
min
pouvant tre suprieur 3 ou 4 pour des architectures optimises de varactors
MEMS. De plus, ces dispositifs sont trs linaires tant que la tension de commande DC
reste trs infrieure la valeur ecace de la tension RF (le point dinterception dordre 3
est suprieur 40 ou 50 dBm [5,64]). Dans le cas des ltres accordables et des adaptateurs
dimpdance, ces dispositifs sont donc bien appropris puisquils peuvent tre utiliss aussi
bien lmission (en forte puissance) qu la rception (plus faible puissance) de systmes
de transmission sans l. De plus, ces dernires annes, leort a galement port sur la
abilit de ce type de dispositif (voir par exemple [5, 65]). Des mesures faible puissance
(<5 mW) ont montr un nombre de cycles de commutations ralisables dpassant les
60 milliards. En revanche, le temps de commutation de ces varactors est encore lent (de
lordre de la s). De plus, leur intgration reste dicile et leur encapsulation doit tre
amliore. Enn, les tensions dactivation de ces varactors tendent se rapprocher des
tensions appliques sur les varactors semiconducteurs (<25 V).
Les atouts des varactors MEMS leur ont valu un grand nombre de travaux publis
ces dernires annes dans le domaine des dispositifs accordables, les performances tant
gnralement trs bonnes en termes daccordabilit, et de pertes dinsertion aux fr-
quences de fonctionnement. Citons par exemple les dphaseurs [6668], les adaptateurs
dimpdance [6976], les diviseurs de puissance [77], et enn les nombreux ltres accor-
dables [3, 10, 7897].
1.1.2.5 Varactors jonctions semiconductrices
An dobtenir un varactor jonctions semiconductrices, plusieurs solutions sont en-
visageables parmi lesquelles nous pouvons citer les diodes p-n, les diodes Schottky, les
transistors bipolaires, les transistors AMOS, etc. Le principe de ces varactors consiste
alors commander la tension de polarisation du dispositif en rgime de fonctionnement
inverse : ainsi, le comportement prdominant de la diode ou du transistor est dni par
sa capacit de jonction variable en fonction de la tension continue de polarisation. Cer-
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taines de ces solutions (par exemple les diodes Schottky ou diodes GaAs hyper-abruptes)
sont spcialement tudies pour maximiser le rapport C
max
/C
min
pouvant atteindre des
valeurs suprieures 6 ou 8, ainsi que le facteur de qualit (lequel ne dpasse cependant
pas la centaine au-del de la dizaine de GHz). Bien que prsentant des pertes relative-
ment fortes au-del de la dizaine de GHz, les atouts de cette technologie sont multiples.
Tout dabord, lintgration de tels dispositifs est actuellement bien matrise. De plus, la
tension dactivation est relativement faible (<10 V) et le temps de commutation est bien
meilleur que celui obtenu en technologie MEMS notamment. Nanmoins, la non-linarit
de ces dispositifs limite leur utilisation des applications faible puissance (< quelques
dBm), except pour des applications utilisant ce phnomne [98101].
De multiples travaux, publis depuis une trentaine dannes, dans le domaine des
dispositifs microondes accordables, ont montr la pertinence de cette technologie daccord
jusqu la dizaine de GHz. Sont cits ici des exemples de dispositifs accordables base
de jonctions semiconductrices constituant ltat de lart dans ce domaine : les dphaseurs
[17, 102106], les adaptateurs dimpdance [107109], les antennes [110114], et enn les
ltres accordables [8, 115137].
Remarque : les jonctions p-i-n sont galement utilises pour laccord de dispositifs
microondes. Ces diodes tant utilises en temps que commutateurs, laccord obtenu est un
accord discret et non continu (voir par exemple le ltre double accord de Lugo [137]).
1.2 Filtres accordables dans le domaine microonde
Aprs avoir rappel des notions sur le ltrage, des facteurs de mrite permettant la
comparaison de ltres passe-bande et passe-bas accordables vont tre proposs et discuts.
Les direntes topologies de ltres tudies en version accordable seront alors prsentes.
Ensuite, des gures de mrite permettront de comparer les ltres RF/microondes accor-
dables en frquence centrale rcemment publis. Enn, une tude comparative rsumera
les performances des ltres double accord existants.
1.2.1 Rappels sur la notion de gabarit de ltre
Un ltre idal est un quadriple qui permet la transmission sans pertes dans des plages
de frquences donnes et une rjection innie dans toutes les autres plages de frquences.
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De telles caractristiques idales ne peuvent pas tre obtenues ; le but de la conception de
ltres est donc dapprocher les spcications avec une tolrance acceptable [138]. Quatre
catgories de ltres peuvent tre rpertories :
les ltres passe-bas qui ne laissent passer que les frquences infrieures la frquence
de coupure f
c
et qui rejettent les frquences suprieures f
c
;
les ltres passe-haut qui rejettent les frquences infrieures et transmettent les fr-
quences suprieures f
c
;
les ltres passe-bande qui permettent la transmission uniquement dans une bande de
frquences f centre sur la frquence centrale f
0
et qui interdisent la transmission
hors de cette bande passante ;
les ltres coupe-bande ou rjecteurs qui sont le complment des ltres passe-bande.
Dans la suite, nous nous intresserons prioritairement aux ltres passe-bande. La gure
1.5 reprsente le module |S
21
| de deux ltres passe-bande xes non idaux prsentant les
mmes caractristiques dans la bande passante mais des attnuations hors bande passante
direntes.


-40
-30
-20
-10
0
0 0,5 1 1,5 2
3 dB
f
3 dB
= 0,23 GHz
0,4 GHz
0,5 GHz
Filtre 1
Filtre 2
IL
L
s1
L
s2
f
Ls1
f
Ls2
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
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(
d
B
)
Frquence (GHz)

Figure 1.5: Modules |S
21
| de deux ltres passe-bande non idaux prsentant les
mmes caractristiques dans la bande passante (mmes pertes dinsertion, adaptation
dans la bande passante, facteur de qualit et pentes des droites de rjection) mais
des niveaux de rjection hors bande passante direntes.
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La gure 1.5 permet de dnir les nombreux critres utiles pour quantier les perfor-
mances dun ltre. Parmi ces critres, les plus importants sont :
la frquence centrale du ltre f
0
et sa bande passante f (par dfaut, la bande
passante considre est la bande passante 3 dB appele f
3dB
) ou son facteur
de qualit (charg) Q
L
=
f
0
f
3dB
;
les pertes dinsertion IL dans la bande passante du ltre ;
ladaptation RL ou le taux dondulation dans la bande passante ;
la pente des droites de rjection ou le facteur de forme F
s
=
f
3dB
f
L
s
dB
o f
L
s
dB
correspond la largeur de la bande passante L
s
dB;
la largeur (en Hz) et la profondeur L

s
(en dB) de la bande rejete ;
les dimensions du ltre ;
laccord de la frquence centrale et/ou de la bande passante pour les ltres accor-
dables.
Ainsi, lexistence de ces nombreux critres rend la comparaison des direntes topolo-
gies de ltres trs complique, notamment pour les ltres accordables.
De nombreuses mthodes de synthse de ltres RF/microondes adaptes aux diverses
topologies de ltres ont t labores pour rpondre aux gabarits de ltrage dsirs. Parmi
ces mthodes de conception, nous pouvons citer par exemple la mthode des pertes din-
sertion trs largement utilise, mais galement la mthode des paramtres images ,
mthodes dcrites dans de nombreux ouvrages [138, 139] ou encore des mthodes num-
riques telles que la mthode des matrices de couplage dcrite dans [34].
Remarque : dans lexemple de la gure 1.5, L
s
est pris gal L

s
. Ds prsent, nous
considrerons toujours ce critre o L
s
= L

s
. Ainsi, le facteur de forme F
s
est dni pour
une profondeur de bande rejete donne. En pratique, ce critre sera considr en bande
troite car peu de publications prsentent les mesures en large bande des ltres raliss.
1.2.2 Facteurs de mrite de ltres microondes
Comme nous lavons vu, de nombreux critres sont ncessaires pour quantier les per-
formances dun ltre xe ou accordable. Par ailleurs, la comparaison de ltres accordables
peut tre intressante pour aider les concepteurs microondes choisir le ltre le plus per-
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tinent pour une application donne. Nous allons donc chercher ici dnir de nouveaux
facteurs de mrite ddis la comparaison des ltres accordables. Ces facteurs de mrite
sont bass sur le facteur de mrite propos par Simine [140]. Tout dabord, un facteur de
mrite pour les ltres xes est driv an damliorer la prise en compte de lattnuation
dans la bande rejete et des pertes dinsertion dans la bande passante. Ensuite, deux
facteurs de mrite ddis aux ltres accordables en frquence centrale sont proposs. Un
facteur de surface est galement propos pour prendre en compte la compacit des struc-
tures de ltres. Enn, des facteurs de mrite ddis dautres types de ltres microondes
accordables sont proposs et discuts.
1.2.2.1 Facteurs de mrite de ltres microondes non-accordables
a) Facteur de mrite initial
Le facteur de mrite dni par Simine [140] est le suivant :
F
Simine
=
L
s
1/F
s
1
RL Q
L
IL
. (1.1)
Ce facteur de mrite F
Simine
est dautant plus lev que ladaptation RL et que le facteur
de qualit Q
L
du ltre sont levs dune part, et que les pertes dinsertion IL sont faibles
dautre part (ce qui est pris en compte par le terme
RL Q
L
IL
). En revanche, ce facteur de
mrite prsente un paradoxe. En eet, pour les deux ltres de la gure 1.5 prsentant
les mmes caractristiques dans la bande passante du ltre (mmes pertes dinsertion,
adaptation, facteur de qualit et pentes des droites de rjection), le facteur de mrite est
sensiblement meilleur pour le ltre 1 que pour le ltre 2 alors que ce dernier prsente un
meilleur niveau de rjection hors bande passante que le ltre 1 (voir tableau 1.2). Ceci
est d la mauvaise prise en compte des pertes dinsertion et de la profondeur L
s
de la
bande rejete. Le premier terme de ce facteur de mrite
L
s
1/F
s
1
doit ainsi tre modi.
b) Facteur de mrite modi
An de lever ce paradoxe, dnissons un nouveau facteur de mrite pour les ltres xes :
F
0
= F
s
(L
s
IL)
RL Q
L
IL
. (1.2)
Comme prcdemment, ce nouveau facteur de mrite F
0
est ddi aux ltres fort facteur
de qualit, ce qui sera pertinent par la suite pour dnir un facteur de mrite ddi aux
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3 dB
IL RL L
s
f
Ls dB
F
s

1/ 1
s
s
L
F

F
Simine

Filtre 1 0,23 GHz 6 dB 15 dB 20 dB 0,4 GHz 0,575 27,1 dB 294
Filtre 2 0,23 GHz 6 dB 15 dB 30 dB 0,5 GHz 0,46 25,6 dB 278

Tableau 1.2: Paramtres et facteurs de mrite prsents par les ltres 1 et 2 de la
gure 1.5.
ltres accordables, bande troite exclusivement. Le premier terme F
s
(L
s
IL) permet
prsent de mieux prendre en compte la rjection et les pertes dinsertion du ltre. Ce terme
reprsente le facteur de forme rel du ltre. En eet, le facteur de forme F
s
caractrise la
transmission du ltre dun point de vue frquentiel, alors que le terme (L
s
IL) reprsente
lattnuation relle entre les signaux transmis dans la bande passante et les signaux rejets
hors de cette bande. prsent, les ltres 1 et 2 prsentent des facteurs de mrite de 88
et 120 dB, respectivement. Les performances hors bande des ltres sont alors prises en
compte avec ce nouveau facteur de mrite, le F
0
du ltre 2 tant 36% plus grand que celui
du ltre 1.
1.2.2.2 Facteurs de mrite de ltres microondes accordables
A prsent quun facteur de mrite adquat pour les ltres passe-bande a t tabli,
nous allons le dcliner pour les dirents types de ltres accordables.
a) Filtres passe-bande accordables en frquence centrale
Ces ltres reprsentent la majorit des cas rencontrs dans le domaine du ltrage ac-
cordable microonde. Le facteur de mrite ci-dessous est ddi ce type de dispositif :
F
f
0
= F
s
(L
s
IL)
RL Q
L
IL
f
0
/f
0
(f
max
/f
min
)
r
. (1.3)
Les pertes dinsertion IL, le facteur de qualit Q
L
et le facteur de forme F
s
correspondent
aux valeurs moyennes sur toute la plage daccord. Ladaptation RL considre correspond
ladaptation dans le pire cas sur toute la plage daccord.
Ce facteur de mrite est proportionnel laccord relatif f
0
/f
0
de part et dautre de
la frquence de travail f
0
du ltre. De plus, pour beaucoup dapplications ncessitant des
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ltres accordables en frquence centrale, la largeur f
3dB
de cette bande passante doit res-
ter constante sur toute la plage daccord de f
0
: le facteur rsiduel (f
max
/f
min
)
r
prend
ce critre en considration, f
max
et f
min
tant respectivement les bandes passantes
3 dB maximale et minimale du ltre accordable sur toute la plage daccord.
Pour tenir compte de laspect surface occupe , un second facteur de mrite peut
tre obtenu :
F
f
0
_S
= F
f
0
c
2
S f
2
0
(1.4)
o c est la vitesse de la lumire dans le vide et S est la surface du ltre en m
2
. Le facteur
de surface
c
2
S f
2
0
doit tre aussi grand que possible pour obtenir un ltre compact. La
permittivit relative eective du matriau sur lequel le ltre est ralis nest pas considre
ici. Ceci est d dune part au fait que peu de publications prcisent ce paramtre, et
dautre part au fait que les contraintes technologiques peuvent empcher le transfert
dune topologie de ltres donne dans une autre technologie.
b) Filtres passe-bande accordables en bande passante
Le mme type de facteurs de mrite peut tre obtenu pour les ltres accordables en
bande passante :
F
f
= F
s
(L
s
IL)
RL Q
L
IL
f
max
/f
min
(f
0
/f
0
)
r
(1.5)
o f
max
/f
min
reprsente le rapport obtenu de la plage daccord de la bande passante
et (f
0
/f
0
)
r
reprsente le dsaccord rsiduel relatif de la frquence centrale du ltre sur
toute la plage daccord de la bande passante. De la mme manire que prcdemment, un
second facteur de mrite prenant en compte la compacit de ces ltres peut tre dni :
F
f_S
= F
f
c
2
S f
2
0
. (1.6)
Les ltres passe-bande microondes accordables en bande passante sont actuellement peu
nombreux. Ces deux facteurs de mrite (1.5) et (1.6) ne seront donc pas utiliss dans la
suite de ce chapitre.
c) Filtres passe-bande double accord
Ces ltres sont la fois des ltres accordables en frquence centrale et accordables en
bande passante. Il serait possible de dnir de nouveaux facteurs de mrite pour ces ltres
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comme nous lavons fait prcdemment, cependant, le nombre de critres pris en compte
dans ces formules limiterait grandement leur pertinence. Par ailleurs, gnralement les
ltres double accord sont prsents dans le meilleur des cas : laccord de la frquence cen-
trale est gnralement propos pour une (voire exceptionnellement deux) bande passante
donne, et laccord de la bande passante est dmontr uniquement la frquence centrale
moyenne du ltre. Laccord de la bande passante sur une large plage daccord de f
0
nest
pas propos, except dans [133] o une gure de mrite prsente lensemble des facteurs
de qualit obtenus en fonction des frquences centrales obtenues.
Ainsi, il semble pertinent pour comparer ces ltres de considrer les facteurs de mrite
ddis aux ltres accordables en frquence centrale ainsi que laccord maximal obtenu de
la bande passante f
max
/f
min
.
d) Filtres passe-bas accordables en bande passante
Nous dnissons enn deux facteurs de mrite ddis aux ltres passe-bas microondes
accordables :
F
f
c
= F
s
(L
s
IL)
RL Q
L
IL
f
c
/f
c
(1.7)
et
F
f
c
_S
= F
f
c
c
2
S f
2
c
. (1.8)
Ces facteurs de mrite sont proportionnels laccord relatif de la bande passante f
c
/f
c
de part et dautre de la frquence de coupure moyenne f
c
du ltre. Peu de ltres passe-bas
microondes accordables sont dnombrs. Ces facteurs de mrite ne seront donc pas utiliss
dans la suite de ce chapitre mais sont prsents ici en vue de futures comparaisons.
1.2.3 Filtres passe-bande microondes planaires accordables
Cette partie est consacre prsenter les principales topologies de ltres passe-bande
accordables dans le domaine des radiofrquences et microondes. Cette tude se limite aux
topologies de ltres planaires. Ces technologies visent rsoudre le problme dencombre-
ment rencontr dans les technologies volumiques (du type guides donde rectangulaires),
et donc en faciliter lutilisation dans des systmes embarqus ; la contre-partie tant une
utilisation de ces structures compactes pour de plus faibles puissances et avec des pertes
plus leves. De plus, la ralisation de ltres planaires est simple et peu coteuse par
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rapport aux ltres volumiques. Les applications vises par les ltres accordables (notam-
ment en frquence centrale) tant du type bande troite, seules des topologies de ltres
accordables haut facteur de qualit (Q
L
> 5) sont tudies.
1.2.3.1 lments localiss
Les ltres lments localiss utiliss en microondes sont bass sur le mme prin-
cipe que les ltres classiques plus basse frquence utilisant des capacits et inductances
localises en technologie CMS, hybride, MMIC ou encore MEMS. Ces ltres sont trs
compacts. Des lments semi-localiss (du type lignes de propagation assimiles des
lments capacitifs ou inductifs) peuvent galement tre considrs pour raliser ce type
de ltre. Ces lments semi-localiss doivent prsenter des dimensions faibles devant la
longueur donde pour ne pas rsonner des frquences o leurs dimensions sont de lordre
de la demi-longueur donde [34]. La modlisation en lments localiss de telles struc-
tures permet alors de prvoir correctement leur rponse frquentielle autour de la bande
passante. En revanche, la rponse en large bande de cette modlisation sloigne trs ra-
pidement des rsultats de mesure, laspect propagatif ntant pas pris en compte dans ces
modlisations. Ainsi, des rsonances parasites apparaissent haute frquence en mesure,
les largeur et profondeur de la plage de rjection ne sont alors pas correctement prvues
par la modlisation.
Laccord de tels ltres est obtenu en substituant certains de ces lments localiss xes
par des lments accordables, notamment les capacits xes par des capacits accordables
[51, 78, 79, 81, 82, 86, 87, 94, 96]. Les rfrences [87] et [96] prsentent des ltres double
accord.
Dans [87] des varactors MEMS sont utiliss pour obtenir le double accord dun ltre
passe-bande 1,3 GHz avec une variation de la frquence centrale de 35% pour un facteur
de qualit moyen de 4,4, des pertes dinsertion de lordre de 1 dB et une adaptation
de 13 dB. la frquence moyenne de travail du ltre, laccord de la bande passante
est f
max
/f
min
= 5 pour des pertes dinsertion infrieures 3 dB et une adaptation
meilleure que 9 dB.
La rfrence [96] prsente un ltre double accord autour de 10,5 GHz (en technologie
MEMS), optimis en termes de pertes dinsertion, de facteur de forme et de bande reje-
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te, et ralis avec deux ltres accordables passe-bas et passe-haut lments localiss.
Laccord relatif f
0
/f
0
est de lordre de 14% pour un facteur de qualit moyen du ltre
dans le meilleur des cas de lordre de 7, les pertes dinsertion tant alors de lordre de 10
dB. Laccord de la bande passante est galement propos : f
max
/f
min
2, 5 pour des
pertes dinsertion importantes (entre 4 et 11 dB) et une adaptation meilleure que 10 dB.
1.2.3.2 Structures priodiques bandes interdites lectromagntiques
Pour obtenir des ltres forte slectivit, une solution consiste en optique utiliser
des structures priodiques bandes interdites photoniques [141]. Ce type de structure pr-
sente une rponse spectrale constitue de bandes de frquences successivement permises
et interdites. En microonde, la structure quivalente est appele structure bandes in-
terdites lectromagntiques (BIE). Dj tudies en 1983 [142], elles sont depuis quelques
annes massivement utilises pour concevoir par exemple des ltres passe-bas [143147],
passe-bande [148150] ou rjecteurs de bande [151153]. Des ltres passe-bas accordables
constitus dune ligne de propagation charge priodiquement par des lments capacitifs
sont bass sur ce concept [154156]. Les dimensions longitudinales inter-capacits de telles
structures pouvant tre faibles devant la longueur donde, lapproche de conception du
type ltre lments localiss ou semi-localiss peut tre envisage, laspect large bande
ntant alors pas pris en compte.
Ce type de structure pouvant prsenter une large bande rejete [101], une approche
thorique semi-rpartie (prenant en considration un modle rparti des lignes de propa-
gation et un modle localis des capacits ou varactors considrs) peut tre judicieuse
pour mettre cette proprit en vidence et prdire les largeur et profondeur de la bande
rejete. Cest ce point de vue qui sera dvelopp et exploit pour les ltres tudis aux
chapitres 3 et 4 prsentant des largeurs de bandes rejetes jusqu 8, voire 10 fois la
frquence de travail.
1.2.3.3 Rsonateurs quart donde
Ces rsonateurs distribus prsentent une longueur gale au quart de la longueur
donde la frquence fondamentale de rsonance f
0
. Des rsonances peuvent galement
apparatre aux frquences (2k +1) f
0
, avec k = 1, 2, 3, ... . La gure 1.6 prsente les deux
topologies de ltres rsonateurs quart donde (a) en peigne et (b) interdigits.
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(a) (b)

0
/4
0
/4
Figure 1.6: Topologies de ltres rsonateurs quart donde (a) en peigne et (b)
interdigits.
a) rsonateurs en peigne
Les ltres rsonateurs en peigne sont plus connus sous leur dnomination anglo-saxone
ltres combline . Chaque ligne quart donde court-circuite lune de ses deux extr-
mits est relie une capacit lautre extrmit, les rsonateurs ainsi constitus tant
positionns en tte--tte . Lorsque la capacit est variable, la frquence centrale du
ltre devient accordable [15, 50, 54, 55, 115, 127, 129131, 133135, 157, 158]. Le contrle du
couplage inter-rsonateurs [92, 130, 133] permet de contrler galement la bande passante.
Dans [133], le ltre double accord hybride 0,64 GHz est trs performant et prsente
notamment un facteur de qualit lev Q
L
= 54. Le contrle du couplage inter-rsonateurs
et donc de la bande passante est obtenu par des rducteurs de couplages contrls par
varactors et positionns entre les rsonateurs parallles. Ce ltre est compact (
c
2
S f
2
0
= 69)
et prsente une forte accordabilit en frquence centrale (34%) et en bande passante
(rapport f
max
/f
min
= 2, 3). Le facteur de qualit lev de ce ltre a pu tre obtenu
grce des varactors mcaniques contrlant la frquence centrale du ltre, prsentant de
forts facteurs de qualit. Enn, ce ltre prsente un pic de rsonance basse frquence (
environ f
0
/2).
Le double accord a galement t obtenu dans [92] en insrant priodiquement des
capacits de couplage entre les rsonateurs parallles pour contrler le couplage et donc
la bande passante du ltre. Laccord de la frquence de rsonance est obtenu par des
commutateurs contrlant la longueur lectrique des rsonateurs quart donde. Un accord
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relatif de la frquence centrale de 27% a t obtenu pour un facteur de qualit moyen sur
toute la plage daccord Q
L
= 13. Laccord maximal obtenu (f
max
/f
min
) de la bande
passante est de 4,1. Cet accord de la bande passante dgrade trs fortement la rjection
du ltre en haute frquence, rjection qui dans le meilleur des cas prsente une seconde
rsonance environ deux fois la frquence centrale du ltre. Enn, le facteur de surface
de ce ltre
c
2
S f
2
0
est de lordre de 22, correspondant alors un ltre relativement peu
compact.
b) rsonateurs interdigits
Similaires aux ltres combline , les ltres rsonateurs interdigits sont constitus
de lignes de propagation quart donde ( la frquence centrale f
0
) disposes en parallle.
Chacune de ces lignes quart donde court-circuite lune de ses deux extrmits est en
circuit ouvert lautre extrmit, les rsonateurs ainsi constitus tant positionns en
tte-bche . La seconde plage de frquence prsentant une rsonance se trouve alors
autour de la frquence 3 f
0
. Laccord de la frquence centrale est obtenu en modiant
la longueur lectrique des rsonateurs quart donde. Plusieurs ltres accordables rso-
nateurs interdigits ont t raliss en plaant une capacit entre lextrmit en circuit
ouvert et la masse de ces rsonateurs [125, 126, 159]. Laccord de la frquence centrale a
galement t obtenu en allongeant la longueur physique des rsonateurs quart donde par
lintermdiaire de commutateurs MEMS [88].
1.2.3.4 Rsonateurs demi-onde
Ces rsonateurs prsentent une longueur gale la moiti de la longueur donde la
frquence fondamentale de rsonance f
0
. Des rsonances peuvent galement apparatre
aux frquences n f
0
, avec n = 2, 3, ... . La gure 1.7 prsente deux topologies de ltres
rsonateurs demi-onde coupls (a) en parallle et (b) en srie.
Un autre type de rsonateur demi-onde utilis pour raliser des ltres accordables
nest pas prsent dans cette tude : le rsonateur demi-onde en boucle ouverte [160].
Deux ltres passe-bande accordables en frquence centrale ont t raliss avec cette
topologie de ltre, le premier tant accordable par un transducteur pizolectrique [14],
le second tant accordable par des commutateurs MEMS modiant la longueur physique
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(a)


(b)

0
/2

0
/2
Figure 1.7: Topologies de ltres rsonateurs demi-onde coupls (a) en parallle et
(b) en srie.
des rsonateurs [93].
a) rsonateurs demi-onde coupls en parallle
Ces ltres sont constitus de rsonateurs demi-onde coupls en parallle sur la moiti
de leur longueur avec les rsonateurs adjacents. Typiquement, ce type de disposition
des rsonateurs (permettant dobtenir de forts couplages) rend cette topologie de ltres
moins adapte aux bandes passantes troites que les ltres demi-onde coupls en srie
[34]. Laccord de la frquence centrale peut tre obtenu en chargeant les rsonateurs par
des varactors [97, 161], en modiant la longueur physique des rsonateurs laide de
commutateurs photoconducteurs [24], en utilisant des substrats commands [31, 32, 48] ou
en dposant un substrat dilectrique au-dessus du ltre [13].
Un ltre hybride 10 GHz a rcemment dmontr le double accord de la frquence
centrale et de la bande passante [137] de manire discrte avec des diodes p-i-n. Laccord
de la frquence centrale a t obtenu en modiant la longueur physique des rsonateurs
alors que des stubs de couplage insrs entre les deux rsonateurs demi-onde parallles
permettent le contrle de la bande passante. Trois positions de la frquence centrale ont
t obtenues 9, 10 et 11 GHz, deux facteurs de qualit (Q
L
8 et Q
L
14) pouvant
tre slectionns pour chacune de ces frquences centrales. Les pertes dinsertion de ce
ltre sont infrieures 2 dB et ladaptation est meilleure que 14 dB.
b) rsonateurs demi-onde coupls en srie
Les accords de la frquence centrale et de la bande passante des ltres rsonateurs
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coupls en srie sont obtenus en modiant respectivement la longueur lectrique des rso-
nateurs et le couplage entre eux. Laccord de la frquence centrale a pu tre obtenu laide
dun substrat ferrolectrique [49]. Plus gnralement cet accord a t montr en chargeant
les rsonateurs par des varactors placs en parallle [80, 83, 84, 90, 91, 95]. Laccord de la
bande passante, ralis en modiant le couplage inter-rsonateurs, a t obtenu dans [128]
o (f
max
/f
min
= 3) pour une frquence centrale xe de 10 GHz.
Dans les rfrences [90,91], le double accord a t dmontr avec des varactors MEMS.
Dans [91], les mesures prsentes semblent montrer, pour une frquence centrale donne,
un accord de la bande passante f
max
/f
min
< 2. Laccord de la frquence centrale tait,
quant lui, de lordre de 16% autour de 8,2 GHz pour un facteur de qualit moyen de
6,8, des pertes dinsertion maximales infrieures 3,8 dB et une forte uctuation de la
bande passante dans un rapport 1 :1,4 sur la plage daccord.
Les ltres double accord raliss dans le cadre de cette thse sont bass sur le mme
type de structure que [91], ltre double accord paru durant la thse. Le ltre de la rfrence
[162] est le premier prototype double accord que nous avons ralis. Une mthode de
conception propose dans le chapitre 4 de ce manuscrit a permis doptimiser ce type de
ltre et de concevoir un second prototype hybride optimis prsentant un accord continu
de la bande passante et de la frquence centrale autour de 0,7 GHz, laccord tant obtenu
avec des varactors jonctions semiconductrices. Laccord de la frquence centrale est de
24, 5% (21, 5%, respectivement) pour une bande passante de 50 MHz ( 100 MHz,
respectivement), les pertes dinsertion tant infrieures 5,4 dB, et ladaptation meilleure
que 11 dB. Laccord maximal obtenu de la bande passante, une frquence donne, est
f
max
/f
min
> 4.
1.2.3.5 Rsonateurs en boucle ferme
Ces rsonateurs sont constitus dune ligne de propagation en boucle ferme dont le
primtre est gal la longueur donde. Des ltres accordables en frquence centrale [118
120, 122, 123, 132] ont alors t raliss partir de ces rsonateurs, la premire ralisation
datant de 1986.
Dans [132], un ltre hybride double accord 1,75 GHz a t ralis en contrlant les
frquences de rsonance des modes pairs et impairs. Ceci a t obtenu en contrlant des
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varactors disposs sur deux plans perpendiculaires sur la boucle rsonante.
1.2.3.6 Rsonateurs DBR
Les rsonateurs DBR (Dual Behavior Resonators) sont constitus dune ligne de pro-
pagation charge par deux stubs parallles en circuit ouvert [163, 164]. Le rsonateur
demi-onde cr par ces deux stubs permet dobtenir une bande passante centre la fr-
quence fondamentale f
0
, la longueur de chacun de ces deux stubs tant gale au quart
de la longueur donde, lun pour une frquence infrieure et lautre pour une frquence
suprieure la frquence f
0
, ce qui permet alors de dnir des zros de transmission de
part et dautre de f
0
et accrotre ainsi la slectivit du dispositif.
Dans [89], un ltre double accord a t ralis avec ces rsonateurs autour de 34 GHz.
Laccord est ralis laide de varactors MEMS placs lextrmit de chaque stub
an de contrler la position des zros de transmission de part et dautre de la bande
passante. Les mesures montrent un accord relatif de la frquence centrale de 2, 4% pour
un facteur de qualit moyen Q
L
= 11, 6, des pertes dinsertion de 3,6 dB et une adaptation
meilleure que 20 dB. Des simulations montrent un possible accord de la bande passante
(f
max
/f
min
= 2) pour ce ltre.
1.2.3.7 Rsonateurs patch
Un ltre accordable constitu dun rsonateur patch triangulaire a galement t tudi
pour raliser laccord de la bande passante [136]. Ce patch, dont la longueur des cts
est environ gale la demi-longueur donde la frquence de travail, permet dobtenir
laccord discret de la bande passante dans un rapport f
max
/f
min
= 1, 9. Cet accord est
obtenu en connectant ou non, laide dune diode p-i-n utilise comme commutateur, un
stub lun des trois cts du patch.
1.2.4 tude comparative de ltres accordables
1.2.4.1 Filtres accordables en frquence centrale
Un grand nombre de ltres microondes accordables a t tudi, notamment depuis
une dizaine dannes. Il parat donc important de comparer les performances de ces topo-
logies de ltres accordables. La recherche dans ce domaine ayant principalement port sur
laccord de la frquence centrale du ltre, nous avons souhait ici comparer ces ltres RF
26
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
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s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
et microondes au moyen des facteurs de mrite dnis au paragraphe 1.2.2.2. Des gures
de mrite sont alors prsentes. Cette tude nest pas exhaustive ; elle a pour unique but
de dresser un aperu des performances atteintes dans le domaine du ltrage accordable
en frquence centrale, les ltres compars ici ayant t publis il y a moins de 5 ans et
prsentant toutes les caractristiques requises pour pouvoir tre compars. Par ailleurs,
puisque la majorit des travaux publis ne prsentent pas les rsultats en large bande, la
rjection L
s
est considre seulement au voisinage de la bande passante du ltre
4
.
La gure 1.8 compare le facteur de mrite F
f
0
donn par (1.3) de ltres accordables
publis depuis 5 ans en fonction de leur frquence moyenne de travail.
0
5
10
15
20
25
1 10
Frquence moyenne de travail (GHz)
Salahun-02
Young-03
Hsieh-03
Kim-04
Sanchez-05 (F
f0
=106)
Sanchez-05
Pistono-05
Nath-05
Chauraya-05
Leon-05
Rahman-03
Lei-05
Eriksson-05
Al-Ahmad-05
F
a
c
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u
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d
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m

r
i
t
e

F
f
0

(
d
B
)
Kim-02
Liu-01
Abbaspour-02
Fourn-03
Lakshminar.-03
Abbaspour-03
Fourn-03
Kraus-04
Entesari-05
Nordquist-05
Nordquist-04
Pothier-05
Mercier-04
Siegel-05
Lugo-06
Pothier-05
Kim-02
Figure 1.8: Figure de mrite F
f
0
en fonction de la frquence moyenne de travail des
ltres.
Comme le montre la gure 1.8, le facteur de mrite F
f
0
ne dpasse pas 10 dB pour
des ltres centrs sur des frquences suprieures 20 GHz. La principale explication de
ce faible facteur de mrite pour des frquences leves est prsente la gure 1.9 qui
montre laccord relatif de la frquence centrale f
0
/f
0
. En eet, ces frquences de
travail, la plage daccord de f
0
obtenue est faible, et ne dpasse pas 10%. Par ailleurs,
la gure 1.8 montre que pour des frquences de travail infrieures 5 GHz, le facteur
de mrite F
f
0
peut facilement atteindre 15 ou 20 dB, le ltre le plus tudi dans cette
4
An de faciliter les comparaisons dans cette tude, L
s
a t pris gal 30 dB lorsque les rsultats le
permettaient, et gal 20 dB sinon.
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0
0
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,

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s
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n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
plage de frquences tant le ltre combline. Les topologies de ltres base de rsonateurs
demi-onde coupls en srie, ou en parallle ont dj t tudies pour raliser laccord
de la frquence centrale sur une large gamme de frquences alors que dautres topologies
du type ltres rsonateurs quart donde interdigits semblent jusqualors navoir t
que peu investigues comme en atteste le nombre de publications pour chacune de ces
topologies.
1
10
1 10
A
c
c
o
r
d

r
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l
a
t
i
f

(
+
/
-

f
0
/
f
0
)
Salahun-02
Young-03
Hsieh-03
Kim-04
Sanchez-05
Sanchez-05
Pistono-05
Nath-05
Chauraya-05
Leon-05
Rahman-03
Lei-05
Eriksson-05
Al-Ahmad-05
Kim-02
Liu-01
Abbaspour-02
Fourn-03
Lakshminar.-03
Abbaspour-03
Fourn-03
Kraus-04
Entesari-05
Nordquist-05
Nordquist-04
Pothier-05
Pothier-05
Mercier-04
Siegel-05
Lugo-06
Frquence moyenne de travail (GHz)
Kim-02
Figure 1.9: Accord relatif de la frquence centrale des ltres.
La gure 1.10 prsente les pertes dinsertion maximales des ltres accordables en
fonction de la frquence moyenne de travail des ltres. Cette gure de mrite montre
que des eorts ont t faits pour minimiser les pertes dinsertion haute frquence et
maintenir des pertes dinsertion infrieures 4 dB au dtriment de laccord de la frquence
centrale. Ceci a t principalement obtenu grce aux varactors raliss en technologie
MEMS permettant dobtenir de bons facteurs de qualit au-del de 10 GHz. Notons enn
quenviron deux tiers des ltres accordables publis ces cinq dernires annes sont conus
avec cette technologie MEMS permettant dexplorer des plages de frquences non encore
envisageables dans dautres technologies.
An de mettre en avant la compacit des dirents ltres, la gure 1.11 compare le
facteur de mrite F
f
0
_S
donn par (1.4).
La gure 1.11 montre que pour des ltres faible frquence centrale, le facteur de
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t
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l
-
0
0
4
2
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3
4
9
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0
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7
8
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(
d
B
)
Frquence moyenne de travail (GHz)
Salahun-02
Young-03
Hsieh-03
Kim-04
Sanchez-05
Sanchez-05
Pistono-05
Nath-05
Chauraya-05
Leon-05
Rahman-03
Lei-05
Eriksson-05
Al-Ahmad-05
Kim-02
Liu-01
Abbaspour-02
Fourn-03
Lakshminar.-03
Abbaspour-03
Fourn-03
Kraus-04
Entesari-05
Nordquist-05
Nordquist-04
Pothier-05
Pothier-05
Mercier-04
Siegel-05
Lugo-06
Kim-02
Figure 1.10: Pertes dinsertion maximales du ltre la frquence centrale.
surface peut atteindre des valeurs suprieures 100 conduisant un facteur de mrite
F
f
0
_S
> 2000 dB. Outre les topologies de ltres lments localiss, les deux topologies
de ltres combline et ltres rsonateurs demi-onde coupls en srie permettent dobtenir
les ltres les plus compacts.
Dautres ltres publis devraient tre insrs dans cette tude comparative pour ac-
qurir une vue globale des performances proposes par les direntes topologies de ltres
accordables en frquence centrale. Cependant, il semble clair que loptimisation de va-
ractors fort facteur de qualit et large plage daccord reste un point crucial pour
la ralisation de ltres accordables trs slectifs (Q
L
> 20) aux frquences microondes.
Pour contourner ce problme et essayer de limiter les pertes dinsertion la frquence
centrale, lutilisation de varactors mcaniques [133] a t considre. Par ailleurs, an de
complter cette tude, une prsentation des mesures en large bande des ltres accordables
permettrait de comparer la qualit de la rjection de ces direntes topologies de ltres.
1.2.4.2 Filtres double accord
Les ltres double accord publis sont actuellement peu nombreux dans le domaine
RF/microondes [87, 8992, 96, 132, 133, 137, 162]. Par ailleurs, peu dentre eux prsentent
toutes les caractristiques ncessaires pour les comparer avec les facteurs de mrite que
29
t
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l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

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10
100
1000
10
4
1 10 100 1000
F
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f
0
_
S

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B
)
Facteur de surface
(a)
Salahun-02
Young-03
Hsieh-03
Kim-04
Tombak-03
Sanchez-05
Pistono-05
Nath-05
Chauraya-05
Leon-05
Lei-05
Al-Ahmad-05
Sanchez-05
F
f0_S
=61.10
3
dB
10
100
1000
1 10 100 1000
Kim-02
Liu-01
Kim-02
Abbaspour-02
Fourn-03 Lakshminar.-03
Abbaspour-03
Kraus-04
Nordquist-05
Nordquist-04
Pothier-05
Pothier-05
Entesari-05
Mercier-04
Facteur de surface
(b)
F
a
c
t
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u
r

d
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M

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i
t
e

F
f
0
_
S

(
d
B
)
Figure 1.11: Pertes dinsertion maximales du ltre la frquence centrale (a) pour
des frquences infrieures 5 GHz et (b) pour des frquences suprieures 5 GHz.
nous avons dni prcdemment.
Nous allons donc chercher ici rsumer les principaux avantages et inconvnients de
ces ltres double accord. Le tableau 1.3 rcapitulatif rsume les performances de ces ltres.
Nous pouvons tout dabord remarquer que ces ltres ont t exclusivement raliss
avec des lments daccord localiss du type :
varactors MEMS digitaux et commutateurs [87, 91, 92, 96] frquences de travail
des ltres raliss couvrant une large plage de frquences RF et microondes ;
varactors MEMS analogiques [89, 90] frquences de travail des ltres raliss
30
t
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l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

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1

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2

N
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2
0
0
9

Filtres double accord
publis
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2
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0
3

F
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2
0
0
6

Frquence
centrale (GHz)
1
,
3

G
H
z

3
4

G
H
z

8
,
2

G
H
z

4
2
,
8

G
H
z

1
0
,
5

G
H
z

1
,
7
5

G
H
z

0
,
6
2

G
H
z

0
,
6
4

G
H
z

0
,
6
6

G
H
z

1
0

G
H
z

Accord
0 0
/ f f

3
5
%

2
,
4
%

1
6
%

2
,
9
%

1
4
%

8
%

2
7
%

3
4
%

2
3
%

1
0
%

Bande passante
f
3 dB
moyenne
sur la plage
daccord
0
,
3

G
H
z

2
,
9

G
H
z

1
,
2

G
H
z

2
,
8

G
H
z

1
,
5

G
H
z

0
,
1
8

G
H
z

4
8

M
H
z

1
2

M
H
z

5
0

M
H
z

0
,
8
1

G
H
z

Fluctuation de la
bande passante
1

:
1
,
4

1

:
1
,
1

1

:
1
,
4

1

:
1

~
1

:
1

1

:
2
,
1

1

:
1
,
1

1

:
2
,
1

1

:
1

1

:
1
,
3

Facteur de qualit
Q
L
moyen sur la
plage daccord
4
,
4

1
1
,
6

6
,
8

1
5
,
3

~
7

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,
5

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1

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2

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B

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d
B

5

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B

1
,
9

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B

Bande passante
minimale f
3 dB

0
,
1
2

G
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z

1
,
9

G
H
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0
,
5

G
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,
0
5

G
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1
,
4

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H
z

0
,
2

G
H
z

1
6

M
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6
,
5

M
H
z

5
0

M
H
z

0
,
8
5

G
H
z

Bande passante
maximale f
3 dB

0
,
6

G
H
z

3
,
9

G
H
z

~
1

G
H
z

2
,
8

G
H
z

~
3
,
5

G
H
z

0
,
3

G
H
z

6
6

M
H
z

1
5

M
H
z

1
5
0

M
H
z

1
,
4
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G
H
z

Rapport
f
max
/f
min

5

2
,
1

~
2

1
,
4

2
,
5

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,
5

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,
1

2
,
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,
7

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Pertes dinsertion
maximales f
0
3

d
B

5
,
5

d
B

7

d
B

7

d
B

1
1

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B

3

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B

4

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B

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5

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B

1
,
9

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-
i
-
n

Tableau 1.3: Performances prsentes par les ltres double accord microondes ac-
tuels.
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l
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0
0
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2
9
3
4
9
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-

2

N
o
v

2
0
0
9
au-del de 25 GHz ;
commutateurs p-i-n [137] frquence de travail de 10 GHz ;
varactors jonctions semiconductrices [132, 133, 162] frquences de travail des
ltres raliss infrieures 3 GHz ;
varactors jonctions semiconductrices et varactors mcaniques [133] frquence
de travail du ltre de 0,64 GHz.
Les ltres raliss en technologie MEMS visent rpondre des frquences de fonc-
tionnement plus leves que les ltres base de jonctions semiconductrices, grce leurs
forts facteurs de qualit.
Les ltres de Fourn [89] et de Mercier [90] utilisent des varactors MEMS continus alors
que les autres ltres double accord MEMS utilisent des MEMS digitaux ou commuta-
teurs. Ces deux ltres prsentent donc un accord continu, mais les accords obtenus sont
relativement faibles, cause des faibles rapports de capacits C
max
/C
min
.
Le ltre de Pillans [96], optimis pour obtenir une rjection suprieure 50 dB, pr-
sente de trs fortes pertes dinsertion (jusqu 11 dB) pour un facteur de qualit Q
L
< 7
la frquence de travail.
Par ailleurs, cause des proprits intrinsques des topologies employes, les ltres
de Lei [132] et de Carey-Smith [92] prsentent de mauvaises rjections (pouvant tre
<15 dB). Bien que prsentant de bons accords de la frquence centrale et de la bande
passante, la mauvaise rjection du ltre de la rfrence [92] le limite une utilisation de
ltre accordable en frquence centrale pour le facteur de qualit le plus fort (Q
L
= 13).
Le ltre de Kraus [91] prsente un bon accord de la frquence centrale mais laccord
de la bande passante f
max
/f
min
est, dans le meilleur des cas, de lordre de 2, et ce pour
une unique frquence de fonctionnement. De plus, laccord de ce ltre nest pas continu.
Le ltre de Young [87] bas sur une topologie de ltre en lments localiss prsente de
trs bonnes performances en termes daccords et les pertes dinsertion sont faibles (< 3 dB
quel que soit laccord).
Le ltre propos par Sanchez-Renedo [133] ralis dans la gamme des frquences RF
prsente de trs bonnes performances en termes daccords obtenus, et de pertes dinsertion
(relativement faibles compte tenu du facteur de qualit ralis Q
L
= 54 !). De plus, laccord
de la bande passante est ralis pour ce ltre sur une large gamme de frquences, ce qui
32
t
e
l
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0
0
4
2
9
3
4
9
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1

-

2

N
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v

2
0
0
9
navait jamais t prsent jusqualors.
Enn, le ltre de Lugo [137] prsente un double accord discret (deux facteurs de qualit
ralisables pour trois frquences centrales). Ses performances sont trs intressantes en
termes de pertes (<2 dB), dadaptation (>15 dB) et daccords.
Malheureusement, aucune mesure en large bande de ces ltres nest prsente.
1.2.5 Conclusion
Comme il vient dtre prsent, ltude de ltres passe-bande double accord est trs
rcente puisque les premires publications sur ce thme dans le domaine microonde datent
de 2003, anne o a dbut cette thse.
Les direntes technologies considres jusquici pour raliser laccord de ltres ont t
prsentes dans ce premier chapitre. Les deux technologies semblant les plus adaptes et
les plus matures pour obtenir cet accord sont les technologies MEMS et jonctions semicon-
ductrices, chacune de ces deux solutions prsentant ses propres atouts et inconvnients.
Dailleurs, seules ces deux technologies ont t utilises pour obtenir le double accord dans
les direntes topologies de ltres prsentes. Des facteurs et gures de mrite permettant
de comparer les performances des ltres accordables ont t proposs an de dresser un
aperu de ltat de lart.
Le but de cette thse tant de dvelopper une mthode de conception permettant de
concevoir des ltres adapts laccord de la bande passante et de la frquence centrale,
la technologie que nous avons privilgie pour raliser nos prototypes est la technologie
hybride, bien matrise dans notre laboratoire, et relativement bas cot. Les varactors
utiliss dans les tudes qui suivent sont des varactors jonction semiconductrice commer-
ciales prsentant des facteurs de qualit acceptables aux frquences de travail considres
pour nos prototypes (entre 0,5 et 9 GHz).
Les chapitres 2 et 3 concernent des tudes de ltres passe-bande accordables en fr-
quence centrale dune part, et de ltres passe-bas accordables en bande passante dautre
part. Enn, le chapitre 4 traite de la conception de ltres passe-bande double accord.
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Chapitre 2
Rsonateur accordable bandes
interdites lectromagntiques
Ce chapitre prsente une topologie de ltre accordable haut facteur de qualit consti-
tu dun rsonateur demi-onde charg par un varactor, insr entre deux recteurs de
Bragg [165], [166]. Constitus de lignes de propagation quart donde, ces deux recteurs
de Bragg prsentent un spectre en transmission et en rexion constitu de bandes de
frquences permises et de bandes de frquences interdites, les BIE. Linsertion du rsona-
teur demi-onde permet alors dobtenir au milieu de ces BIE un maximum de transmission
appel niveau de dfaut.
Similaire la structure prsente en [150], cette topologie de ltre passe-bande est
lanalogue en lectronique de la structure priodique bandes interdites photoniques
(BIP) prsente en [167] et tudie en version accordable [168]. Si la longueur lectrique
du rsonateur demi-onde est rendue variable, alors la position en frquence du niveau de
dfaut dans la bande interdite est modie : un ltre passe-bande accordable est alors
obtenu. Dans [124], cet accord avait t obtenu avec un varactor semiconducteur plac
en srie avec le rsonateur an de faire varier sa longueur lectrique et donc la frquence du
niveau de dfaut autour de la frquence de travail de 10 GHz. Laccord de cette frquence
avait galement t ralis avec un varactor pizolectrique, plac au-dessus du rsonateur
demi-onde [13]. Dans ces deux cas, les pertes dinsertion taient comprises entre 6 et 10 dB,
et ladaptation du rsonateur tait mauvaise (comprise entre 3 et 7 dB). De plus, aucun
de ces travaux ne prsentait dtude thorique dtaille.
Nous avons alors cherch ici travailler sur une topologie de ltre similaire, la frquence
du niveau de dfaut tant rendue accordable par des varactors parallles chargeant le
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rsonateur. La partie 2.1 dveloppe ltude thorique dtaille dun rsonateur insr entre
deux recteurs de Bragg et prsente lanalogie entre linterfromtre de Fabry-Prot et la
structure tudie ici. Les eets des impdances caractristiques, de la longueur du dfaut
et du nombre de cellules constituant les recteurs de Bragg sur le gabarit du ltre sont
discuts. Dans la partie 2.2, laccord du rsonateur est dmontr tout dabord de faon
mcanique : un matriau de haute permittivit est dpos une hauteur h variable du
rsonateur demi-onde pour modier la longueur lectrique de celui-ci et donc la position
du niveau de dfaut. Ensuite, ltude dun ltre accordable lectriquement par varactors
semiconducteur autour de 9 GHz est prsente. Linuence des lments lectriques
parasites des capacits variables (diodes Schottky polarises en inverse) utilises pour
raliser laccord, ainsi que leur position le long du rsonateur sont prises en compte.
Des mesures en petit signal et fort signal du ltre accordable 9 GHz sont galement
prsentes. Enn, une conclusion rsume ltude aborde en pointant les caractristiques
principales de ces structures de ltrage.
2.1 tude thorique du rsonateur Bandes Interdites
lectromagntiques
An dobtenir des quations simples et des abaques permettant de concevoir ce type
de rsonateur, nous considrons dans ltude thorique qui suit des lignes de propagation
idales sans pertes.
2.1.1 Topologie du rsonateurPrincipe
La gure 2.1 prsente la topologie du rsonateur haut facteur de qualit consti-
tu dune structure bandes interdites lectromagntiques. Ce rsonateur est lanalogue
microonde de linterfromtre de Fabry-Prot optique dans lequel les miroirs sont consti-
tus de cristaux unidimensionnels bandes interdites photoniques (BIP) [141] appels
recteurs de Bragg.
La gure 2.2 compare le module de S
21
dun rsonateur BIE (similaire celui prsent
sur la gure 2.1) avec celui de la structure correspondante BIE (TL
d
est remplac par
TL
1
).
Pour ce rsonateur de rfrence, la longueur du dfaut L
d
est gale
(d)
c
/2 (o
(d)
c
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1
TL
2
TL
1
TL
2
TL TL
d

2
TL
1
TL
2
TL
1
TL
d
L
(1)
4
c

(2)
4
c

( )
1 2
cellules TL , TL n ( )
2 1
cellules TL , TL n dfaut
Figure 2.1: Topologie du rsonateur BIE constitu dun dfaut insr entre deux
recteurs de Bragg microondes.
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 1 2 3 4 5 6
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Rsonateur
de rfrence
Structure BIE
Frquence normalise (f /f
c
)
Interfromtre
de Fabry-Prot
Figure 2.2: Module |S
21
| du rsonateur de rfrence BIE prsent la gure 2.1
et de la structure correspondante BIE avec n = 2.
reprsente la longueur donde guide dans le dfaut la frquence f
c
).
Le module de transmission de la cavit Fabry-Prot analogue (donn par (2.2)) est
reprsent sur ce mme graphe. Comme nous allons le voir, on retrouve les pics de trans-
mission du Fabry-Prot comme prvu au centre de chaque BIE du rsonateur BIE
microonde.
Dans le chapitre suivant, nous rappelons quelques notions sur linterfromtre de
Fabry-Prot optique, ce qui permettra par la suite de faire des analogies entre les do-
maines optique et microonde.
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2.1.2 Interfromtre de Fabry-Prot plan-parallle
Linterfromtre de Fabry-Prot plan-parallle est un interfromtre optique constitu
de deux miroirs plans forts coecients de rexion placs face face et orients de telle
sorte quils soient parfaitement parallles. La lumire fait de multiples allers-retours
lintrieur de cette cavit, donnant lieu une gure dinterfrences ondes multiples.
Plaons-nous dans le cas o le faisceau incident est normal aux miroirs plans an de
maximiser les interfrences entre les dirents rayons rchis. Le faisceau transmis par
linterfromtre de Fabry-Prot va tre constitu de la somme dune multitude de fais-
ceaux, chacun correspondant la portion du faisceau incident qui est transmise par le
second miroir de la cavit aprs un certain nombre dallers-retours. Si tous ces faisceaux
ne sont pas parfaitement en phase, ils vont interfrer destructivement et alors lamplitude
du faisceau transmis sera trs faible, voire nulle. En revanche, sils sont tous en phase,
cette amplitude du faisceau transmis sera maximale et gale 1 en labsence de pertes.
Par consquent, seules les longueurs donde qui satisfont la condition 2 n L = m (avec
m entier positif, L tant la longueur de la cavit et n son indice de rfraction) seront
transmises ecacement. Cette relation explique simplement le fait que le dphasage in-
troduit par un aller-retour du faisceau dans la cavit doit tre un multiple de 2 . partir
de cette relation, on dduit aisment lintervalle spectral libre (ISL), dni comme tant
lintervalle frquentiel entre deux pics de transmission conscutifs du Fabry-Prot :
ISL =
c
2 n L
(2.1)
o c est la vitesse de propagation de la lumire dans le vide. Cet ISL varie de faon
inversement proportionnelle la longueur L de la cavit.
Lexpression gnrale de lintensit I
t
du faisceau transmis par un interfromtre de
Fabry-Prot plan-parallle, en fonction de lintensit du faisceau incident I
i
est donne
par :
I
t
= I
i
_
T
1 R
_
2
1
1 +
4 R
(1R)
2
sin
2
_
f
ISL
+
r
_ (2.2)
o f est la frquence de londe optique, R =

R
1
R
2
et T =

T
1
T
2
sont respectivement
les coecients moyens de rexion et de transmission en puissance des deux miroirs M
1
et M
2
en entre et sortie de la cavit, et
r
le dphasage moyen introduit par la rexion
sur les miroirs.
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En absence de pertes, le dveloppement limit lordre 2 par rapport R de (2.2)
pour f = ISL/2 permet dobtenir le coecient dattnuation maximal dans les bandes
interdites :
I
t
/I
i
=
1
4
(R 1)
2
. (2.3)
Ainsi, plus les miroirs sont rchissants, plus les bandes interdites sont profondes.
La nesse F du Fabry-Prot, dnie comme le rapport de lintervalle spectral libre sur
la largeur mi-hauteur f des pics de transmission, caractrise son pouvoir de rsolution :
F =
ISL
f
=

R
1 R
. (2.4)
Ici encore, cette relation montre que plus R est proche de 1, plus la nesse sera importante.
Ainsi, pour un ISL donn, plus le coecient de rexion moyen des miroirs sera important,
plus le pic de transmission sera n.
2.1.3 Principe du rsonateur BIE microonde
Dans ltude ralise ici en microonde, les miroirs sont des recteurs de Bragg iden-
tiques consistant en une squence de lignes de propagation TL
1
et TL
2
dimpdances
caractristiques Z
1
et Z
2
direntes et de longueurs physiques L
1
et L
2
. Supposons que
ces longueurs L
i
(i=1, 2) soient celles de lignes quart donde la frquence f
c
:
L
i
=

(i)
c
4
=
c
4
_

(i)
reff

(i)
reff
f
c
(2.5)
o
(i)
reff
et
(i)
reff
sont respectivement les permittivit et permabilit relatives eectives de
la ligne de propagation considre la frquence f
c
. Dans ce qui suit,
(i)
reff
est considre
gale 1. La propagation est alors interdite pour les frquences centres sur (2 k + 1) f
c
avec k entier positif, et la condition (2.5) conduit au plus grand ratio entre largeur de
bande interdite et frquence f
c
[169].
Le coecient de rexion en puissance R
Bragg
de chacun de ces rseaux est alors
maximal la frquence f
c
o il vaut :
R
Bragg
=
2
=
_
Z
2n
2
Z
c
Z
2n
1
Z
d
Z
2n
2
Z
c
+Z
2n
1
Z
d
_
2
=
_
z
2n
2
z
2n
1
z
d
z
2n
2
+z
2n
1
z
d
_
2
(2.6)
o n est le nombre de cellules lmentaires (TL
2
-TL
1
) dans chaque recteur de Bragg. Les
impdances caractristiques normalises de chaque ligne de propagation sont z
1
= Z
1
/Z
c
,
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z
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= Z
2
/Z
c
et z
d
= Z
d
/Z
c
. Limpdance caractristique des accs Z
c
est prise gale
50 pour la suite. R
Bragg
est alors dautant plus proche de 1 que le contraste entre les
impdances caractristiques Z
1
et Z
2
dune part et que le nombre n de cellules lmentaires
dautre part sont grands.
Plaons prsent un dfaut constitu dune ligne de propagation TL
d
dimpdance
caractristique Z
d
et de longueur physique L
d
entre les deux recteurs de Bragg constitus
de n cellules lmentaires, comme le montre la gure 2.1. Ainsi, on obtient un analogue
microonde de linterfromtre de Fabry-Prot et plus particulirement de la structure
priodique BIP prsente en [167]. Des niveaux de dfaut apparaissent alors dans les
BIE. Pour obtenir la plus grande attnuation de part et dautre du niveau de dfaut dans
la BIE, le niveau de dfaut doit tre situ en son centre, cest--dire lorsque la frquence
du dfaut f
d
est gale f
c
.
En utilisant les matrices ABCD cascadables [138] puis en convertissant la matrice
ABCD rsultante du dispositif en matrice S, on obtient lexpression du paramtre de
transmission S
21
la frquence f = f
c
:
S
21
=
sec(
d
)
1 +j
z
4 n
1
z
2
d
+z
4 n
2
2 z
2 n
1
z
2 n
2
z
d
tan(
d
)
(2.7)
et limpdance dentre rduite z
in
du rsonateur :
z
in
=
Z
in
Z
c
= z
d
1 +j (z
1
/z
2
)
2 n
z
d
tan(
d
)
z
d
+j (z
2
/z
1
)
2 n
tan(
d
)
(2.8)
o n est le nombre de cellules lmentaires (TL
1
-TL
2
) dans chaque recteur de Bragg et
o le dphasage
d
introduit par le dfaut est donn par :

d
=
2 L
d

(d)
c
=
2 f
c
_

(d)
reff
L
d
c
. (2.9)
An dobtenir un niveau de dfaut localis au centre de la BIE (cest--dire la fr-
quence f
c
), il sut de rsoudre (2.7) pour |S
21
| = 1 ou (2.8) pour z
in
= 1 (condition
dadaptation). On dduit alors lexpression de la longueur lectrique du dfaut la fr-
quence f
c
:
d
= m avec m entier positif. La frquence du dfaut est alors :
f
d
=
m c
2 L
d
_

(d)
reff
(2.10)
et la longueur physique du dfaut TL
d
est :
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L
d
=
m
(d)
c
2
. (2.11)
Lquation (2.10) correspond la dnition de lISL (voir (2.1)) pour m = 1, ce qui
donne alors la position de la premire frquence de rsonance de linterfromtre de Fabry-
Prot comme le montre la gure 2.2. On obtient bien une frquence du dfaut situe au
centre de la BIE qui dpend uniquement de la longueur lectrique du dfaut et non pas
des impdances caractristiques Z
1
, Z
2
ou Z
d
. Les mmes rsultats sont obtenus quand
les impdances caractristiques sont inverses, cest--dire lorsque z
i
est remplac par
z

i
= 1/z
i
, cette proprit tant due au fait que S
21
reste inchang et z

in
= 1/z
in
. Notons
galement que la nesse F dnie pour linterfromtre de Fabry-Prot correspond au
facteur de qualit charg du rsonateur Q
L
dni par :
Q
L
=
f
d
f
3dB
, (2.12)
o f
3dB
est la bande passante 3 dB du rsonateur.
Nous nous intresserons prsent uniquement la premire BIE (k = 0)
pour raliser un ltre passe-bande accordable en frquence centrale. Ceci per-
met dobtenir la plus large BIE relative et la structure la plus compacte.
Lvolution du module de transmission |S
21
| pour ce type de rsonateur BIE par
rapport z
1
, z
2
et z
d
est prsente sur la gure 2.3. Ceci est en accord avec ce qui est
observ pour le Fabry-Prot, savoir une indpendance de la frquence de dfaut par
rapport z
1
, z
2
et z
d
.
La largeur relative de la bande rejete -20 dB du rsonateur de rfrence est dnie
par :
BW
20 dB
=
f
h
f
b
f
d
. (2.13)
Pour le rsonateur de rfrence, BW
20 dB
est de 61%.
De faon qualitative, le rapport
Bragg
= z
1
/z
2
(ratio des impdances caractristiques
constituant les recteurs de Bragg) et le rapport
D efaut
= z
d
/z
2
(rapport des impdances
caractristiques aux interfaces du dfaut) doivent tre les plus grands possibles pour ob-
tenir la bande rejete BW
20 dB
la plus large et la plus profonde possible, le rapport

Bragg
tant plus inuent que le rapport
D efaut
. On retrouve le mme comportement avec
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-30
-20
-10
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0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
z
2
= 1,25
z
1
= 3
z
d
= 2,5
61 %
f
b
f
h
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f /f
c
)
Rsonateur de rfrence
z
1
= 2,5, z
2
= 1, z
d
= 3,
d
=
Figure 2.3: Eet des valeurs dimpdances caractristiques z
1
, z
2
et z
d
sur le module
|S
21
| du rsonateur de rfrence BIE.
lanalogue optique o la profondeur de la bande rejete augmente lorsque le coecient de
rexion du miroir saccrot.
La gure 2.4 montre lvolution de la largeur de la bande rejete BW
20 dB
par rapport

Bragg
et
D efaut
pour des valeurs dimpdances caractristiques variant entre 35 et 175
. Cet abaque sera utilis lors de la conception des dirents rsonateurs.
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
(z
1
/z
2
) = 2
(z
1
/z
2
) = 2,5
(z
1
/z
2
) = 3,5
(z
1
/z
2
) = 3
(z
1
/z
2
) = 4
(z
1
/z
2
) = 4,5
z
2
= 0,75 z
2
= 1 z
2
= 1,25
L
a
r
g
e
u
r

r
e
l
a
t
i
v
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d
e

l
a

b
a
n
d
e

a
t
t

n
u


-
2
0
d
B

(
%
)
Rapport d'impdance (z
d
/z
2
)
Figure 2.4: Eet des variations de ratios dimpdances caractristiques sur le module
|S
21
| du rsonateur de rfrence.
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0
0
4
2
9
3
4
9
,

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2
0
0
9
La gure 2.4 montre lvolution de la bande rejete BW
20 dB
par rapport
D efaut
,
pour trois valeurs de z
2
(0,75, 1 et 1,25), et pour les valeurs de z
1
mentionnes prcdem-
ment (avec 2 z
1
/z
2
4, 5). Comme attendu, la bande rejete BW
20 dB
augmente avec
les deux ratios dimpdance
Bragg
et
D efaut
. Pour des valeurs donnes de ces deux ratios,
cette bande rejete BW
20 dB
augmente avec z
2
. De plus, la largeur de la bande rejete
dpend principalement du ratio
Bragg
, le ratio
D efaut
nayant quune faible inuence
sur cette largeur BW
20 dB
. Par exemple, si nous considrons le rsonateur de rfrence
(z
2
= 1, et une bande rejete BW
20 dB
=61%) et si nous augmentons le ratio
Bragg
de
0,5 alors la BW
20 dB
slargit de 11%, alors quen augmentant
D efaut
de la mme valeur,
cela largit la BW
20 dB
de seulement 2%. La prdominance de linuence du ratio
Bragg
sur la largeur de la bande rejete semble naturelle ; en eet, la bande interdite est cre
par la structure priodique constituant les recteurs de Bragg et non par linsertion du
rsonateur dans ce rseau priodique.
La gure 2.5 montre lvolution du module de transmission |S
21
| du rsonateur de
rfrence en fonction de la longueur lectrique du dfaut (m est compris entre 1 et 4).
-40
-30
-20
-10
0
0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6

d
= 2

d
= 3

d
= 4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f /f
c
)
Rsonateur de rfrence
z
1
= 2,5, z
2
= 1, z
d
= 3,
d
=
Figure 2.5: Eet de la longueur lectrique du dfaut
d
= m sur le module |S
21
|
du rsonateur de rfrence.
Comme prvu par la thorie, la frquence du dfaut f
d
reste au centre de la bande
interdite, cest--dire la frquence centrale f
c
. Quand m augmente, dautres niveaux
de dfaut apparaissent dans la BIE et le niveau de rsonance situ f = f
c
sane, ce
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0
0
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2
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3
4
9
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2
0
0
9
que corrobore lanalogie avec le Fabry-Prot o lISL est inversement proportionnel
la longueur du rsonateur (voir (2.1)). Ainsi, pour obtenir la BIE la plus large possible,
nous devons prendre une longueur lectrique du dfaut la plus petite possible (
d
= )
correspondant ainsi la plus petite longueur physique possible de ce dfaut L
d
=
(d)
c
/2,
daprs (2.11).
La gure 2.6 prsente linuence du nombre n de cellules lmentaires (TL
1
-TL
2
) sur
la largeur de la bande rejete BW
20 dB
du rsonateur de rfrence. Ici encore, comme
dans le cas de linterfromtre de Fabry-Prot, plus n est grand, plus la BIE est attnue
en raison de laugmentation de la rectivit des miroirs de Bragg (voir (2.6)). Cependant,
pour n =2, 3 et 4, la largeur de la bande rejete BW
20 dB
nest pas augmente.
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
n = 1
61 %
n = 2
n = 3
n = 4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f /f
c
)
Rsonateur de rfrence
z
1
= 2,5, z
2
= 1, z
d
= 3,
d
=
Figure 2.6: Eet du nombre n de cellules lmentaires (TL
1
-TL
2
) dans chaque
recteur de Bragg sur le module |S
21
| du rsonateur de rfrence.
Ainsi, cette tude montre que la valeur n = 2 correspond au ltre xe le plus compact
prsentant une BW
20 dB
> 50%. Cest pour cette raison que les deux ltres raliss par
la suite prsentent un nombre de cellules lmentaires n = 2.
2.2 Rsultats de ltres accordables base de rsona-
teurs BIE
Lquation (2.10) montre quune variation de la permittivit relative eective du d-
faut entrane une variation de la frquence f
d
autour de f
c
. En utilisant ce principe, cette
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n

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N
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2
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9
section propose deux dispositifs accordables. Le premier est command de faon mca-
nique, cest--dire en recouvrant le dfaut central par un matriau de haute permittivit
pour augmenter la permittivit eective locale du dfaut. Le second ltre est command
lectriquement par des varactors disposs sur le dfaut en parallle entre le ruban central
et les plans de masse an de faire varier la longueur lectrique du dfaut.
Le substrat utilis pour raliser ces deux dispositifs est le RT-Duroid 5880 dont les
paramtres sont donns dans le tableau 2.1.


Substrat RT-Duroid 5880
Permittivit relative
r
2,2
Pertes dilectriques tan() 0,0015
Epaisseur h du substrat 1,5 mm
Epaisseur t de la mtallisation 35 m

Tableau 2.1: Paramtres du substrat RT-Duroid 5880.
Les simulations et optimisations ont t eectues avec deux logiciels de simulation
microonde ANSOFT Designer [170] et ADS [171]. Les mesures ont t ralises sur un
analyseur vectoriel de rseau avec la technique de calibrage thru-reect-line (TRL).
2.2.1 Ligne de propagation coplanaire
Les ltres tudis ici ont t raliss en technologie guide donde coplanaire (CPW)
dont une reprsentation schmatique en perspective est donne sur la gure 2.7, la propa-
gation seectuant dans la direction z. Ce guide donde coplanaire a t invent par Cheng
P. Wen [172] dont les initiales sont lorigine de labrviation CPW utilise pour cette
technologie. Outre lanecdote, cette technologie de ligne de propagation prsente plusieurs
avantages par rapport dautres types de lignes de propagation [138], [101].
Tout dabord, de faon pragmatique, cette technologie ore lavantage de prsenter
sur un mme plan le conducteur central et les plans de masse. Cette topologie facilite
ainsi le report de matriaux au-dessus de la ligne de propagation (pour en faire varier la
permittivit eective de faon importante et donc les paramtres lectriques) ainsi que les
interconnexions avec des composants monts en surface (CMS) du type capacits xes ou
accordables, ce qui nous intresse ici. Remarquons quan dviter lapparition des modes
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Substrat

h
G W G

t
W
g
W
g

x
y
z
Mtallisation

Figure 2.7: Reprsentation en perspective dune ligne de propagation en guide donde
coplanaire. W, G et W
g
sont les largeurs respectives du ruban central, des fentes, et
des plans de masse.
de propagation impairs (antisymtriques) le long de la ligne coplanaire, des paires de
composants identiques (capacits ou varactors) devront tre considres, chacun dentre
eux devant tre soud de part et dautre du conducteur central pour maintenir la symtrie.
De plus, cette topologie de ligne prsente une quasi indpendance de limpdance
caractristique et de la permittivit eective vis--vis de la frquence, ceci sur de larges
plages de frquences.
Par ailleurs, du fait de sa structure, la ligne CPW ore une bonne immunit aux
couplages et un paramtre gomtrique supplmentaire par rapport la ligne microruban,
rendant sa conception peu dpendante de lpaisseur du substrat.
Cependant, bien que la tangente eective des pertes du substrat soit meilleure pour ce
type de ligne CPW que pour les lignes microruban, les pertes totales engendres en CPW
restent gnralement plus importantes quen technologie microruban. Aux frquences qui
nous intressent, infrieures quelques dizaines de GHz, ces pertes sont principalement
lies aux pertes conductrices, les pertes par rayonnement devenant gnralement prdo-
minantes au del de plusieurs dizaines de GHz.
Enn, la plage des impdances caractristiques ralisables dans cette technologie est
grande (typiquement entre 35 et 175 ) et permet dobtenir des impdances caractris-
tiques leves. Cette dernire proprit sera utilise aux chapitres 3 et 4 pour rduire les
dimensions longitudinales des ltres.
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2.2.2 Validation de laccord mcanique du rsonateur
Pour valider ltude thorique ci-dessus, un premier rsonateur xe BIE a t conu
[165], [173]. Laccord du rsonateur est valid de manire mcanique par report dun
substrat de haute permittivit une hauteur h au-dessus de la ligne de propagation du
dfaut.
2.2.2.1 Conception du rsonateur xe
La frquence souhaite du dfaut est f
d
= 4 GHz, avec une BW
20 dB
> 55%. Comme
cela a dj t prcis, le nombre n de cellules lmentaires est pris gal 2 an dobtenir
une large bande rejete mieux que 20 dB (voir gure 2.6) tout en obtenant une
structure de ltre la plus courte possible (la longueur totale du ltre tant gale 2, 5
c
pour une longueur du dfaut L
d
=
(d)
c
/2).
Lobjectif dune largeur relative de bande rejete 20 dB dau moins 55% conduit
(daprs la gure 2.4) des rapports minimaux dimpdances
Bragg
= z
1
/z
2
et
D efaut
=
z
d
/z
2
pour une impdance caractristique rduite z
2
donne. Notre choix se porte alors
sur le triplet
Bragg
= 2, 5,
D efaut
= 3, et z
2
= 1.
Une photographie du rsonateur xe ralis est prsente la gure 2.8. Les dimensions
de chacune des lignes de propagation CPW constituant le ltre ont t optimises laide
du logiciel de simulation ADS. Ces valeurs sont donnes dans le tableau 2.2. La simulation
lectrique du module du paramtre S
21
du rsonateur est prsente la gure 2.9.

1 cm
lignes daccs
2,5
c
Figure 2.8: Photographie du rsonateur xe 4 GHz.
2.2.2.2 Rsultats du rsonateur xe
La mesure des pertes dinsertion de ce rsonateur xe est prsente la gure 2.10.
Des rtro-simulations prenant en compte les sauts importants dimpdance caractristique
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Ligne de propagation TL
1
TL
2
TL
d

Impdance caractristique normalise z
i
2,48 1,04 2,92
Largeur du ruban central W
i
2,5 mm 5,5 mm 2,5 mm
Largeur de la fente G
i
2,5 mm 0,25 mm 4,25 mm
Longueur de la ligne L
i
15 mm 16 mm 32 mm

Tableau 2.2: Paramtres du rsonateur xe 4 GHz.
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
1 2 3 4 5 6 7
58 %
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 2.9: Simulations du module |S
21
| du rsonateur xe optimis 4 GHz.
prsents dans la structure du rsonateur sont galement montres sur cette mme gure.
Ces sauts dimpdance caractristique ont t simuls de manire lectromagntique puis
r-imports dans les simulations lectriques. Les rsultats de mesure sont alors en bon
accord avec ces rtro-simulations, le dsaccord entre mesures et rtro-simulations de la
frquence de dfaut f
d
tant de seulement 2% puisque f
d
= 3, 86 GHz (dsaccord de 3,5%
avec les simulations initiales). la frquence du dfaut, les pertes dinsertion mesures
sont de 4,2 dB (suprieures de 2,4 dB par rapport aux simulations initiales et de seulement
0,4 dB par rapport aux rtro-simulations) et la bande rejete BW
20 dB
est de 57% (entre
2,8 et 5 GHz). Le facteur de qualit charg obtenu est alors Q
L
= 66. Ces rtro-simulations
mettent en vidence les eets de bords aux interfaces induisant des modications de lon-
gueur lectrique des tronons de ligne constituant la structure du rsonateur, notamment
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-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
1 2 3 4 5 6 7
Mesures
Simulations
57 %
M
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d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 2.10: Mesures et rtro-simulations du module |S
21
| du rsonateur xe 4 GHz.

(a) (b)


Figure 2.11: Inuence dune discontinuit dimpdances sur les lignes de champ
lectrique du ct de la ligne haute impdance : (a) reprsentation schmatique et
(b) simulation lectrostatique eectue avec le logiciel Quickeld [174].
pour le dfaut central TL
d
. Physiquement, les lignes de champ lectrique aux interfaces
sont dformes du ct de la ligne haute impdance (voir gure 2.11), ces lignes de champ
suivant le plus court chemin entre le ruban central et les plans de masse. Le dfaut
central demi-onde TL
d
prsente, pour le rsonateur BIE ralis ici, une haute impdance
Z
d
(voir gure 2.8). Ainsi, les lignes de champ aux interfaces de ce dfaut sont dformes,
ce qui implique une augmentation de la capacit linique de la ligne TL
d
, quivalant une
augmentation de la permittivit eective
(d)
eff
. Daprs (2.10), cela conduit un dcalage
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9
vers les basses frquences de f
d
comme observ la gure 2.10.
2.2.2.3 Accord mcanique du rsonateur 4 GHz
Comme le montre lquation (2.10), il est possible de rendre accordable la frquence
du niveau de dfaut en faisant varier la permittivit eective au niveau de ce dfaut.
On montre cet eet exprimentalement en plaant un matriau de permittivit relative

r
= 10, 2 et dpaisseur 1,27 mm au-dessus du dfaut un hauteur h des mtallisations
comme le propose la gure 2.12. Plus le matriau sera proche de la ligne de propagation
constituant le dfaut, plus la permittivit eective de cette ligne CPW sera augmente,
induisant une augmentation de la longueur lectrique du dfaut et donc une diminution
de la frquence du dfaut.
Les mesures de laccord obtenu sont prsentes sur la gure 2.13.
h

Dfaut
Ligne CPW
Matriau dilectrique
Figure 2.12: Principe du rsonateur rendu accordable mcaniquement par report
dun matriau dilectrique une hauteur h au-dessus du dfaut.
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
2 2,5 3 3,5 4 4,5
h=200 m
|S
21
|
|S
11
|
h=1890 m
h=630 m
Frquence (GHz)
M
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1

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S
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1

(
d
B
)
Figure 2.13: Mesures de laccord mcanique du rsonateur.
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0
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Comme attendu, plus le matriau se rapproche de la ligne TL
d
, plus la frquence du
niveau de dfaut est dcale vers les basses frquences. La frquence f
d
peut alors tre
mcaniquement accorde entre 3,33 GHz et 3,69 GHz avec des pertes dinsertion f
d
comprises entre 1,7 et 3,3 dB et une adaptation comprise entre 10,8 et 15,7 dB.
2.2.3 Filtre accordable lectriquement
Le principe de laccord de la frquence f
d
ayant t dmontr prcdemment, un ltre
accordable de manire lectrique va tre prsent dans ce paragraphe.
2.2.3.1 Conception du ltre
La frquence du dfaut est xe 9 GHz. La mme mthode de conception que celle
prsente ci-dessus a t utilise pour raliser ce second dispositif sur le mme substrat
RT-Duroid 5880. Laccord du ltre a t ralis en chargeant le dfaut par une paire de
varactors (comme expliqu au paragraphe 2.2.1). Les varactors utiliss ici sont des diodes
Schottky Agilent HSCH-5314 polarises en inverse dont le modle lectrique quivalent
est donn la gure 2.14.

( )
j
C V
s
R
s
L
c
C

Figure 2.14: Modle lectrique quivalent dune diode Schottky polarise en inverse.
La capacit accordable en tension de la diode Schottky Agilent HSCH-5314 polarise
en inverse peut tre modlise par :
C
j
(V ) = C
j0
(1 +V/V
j
)
M
(2.14)
o C
j0
= 130 fF est la capacit de jonction sans polarisation de la diode, V
j
= 0, 65 V
est la tension de built-in, M est le coecient de grading, et V est la tension de
polarisation en inverse de la diode. Avec une tension de claquage V
BR
= 4 V, la capacit
peut varier entre C
min
= 50 fF et C
max
= 130 fF, conduisant un rapport C
max
/C
min
=
51
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2, 6. Le constructeur donne pour valeurs de la rsistance srie R
s
= 2, 8 , de linductance
srie L
s
= 0, 1 nH et de la capacit de botier C
c
= 20 fF.
La frquence de coupure des diodes est environ 50 fois suprieure la frquence du
dfaut f
d
:
f
cutoff
= 1/(2 R
s
C
max
) = 437 GHz (2.15)
La caractrisation de ces diodes a conduit des caractristiques direntes des donnes
constructeur, avec un plus faible rapport C
max
/C
min
= 1, 5 (C
min
= 77 fF et C
max
= 116 fF)
et une rsistance srie plus leve (R
s
= 4 ). Ces valeurs induisent donc une plus petite
plage de variation de la frquence du niveau de dfaut et des pertes dinsertion plus
grandes quinitialement prvues.
Le ltre a t optimis, en considrant les caractristiques des diodes mesures, pour
obtenir une plage de variation maximale de la frquence du dfaut f
d
centre la frquence
de fonctionnement f
c
= 9 GHz. La longueur lectrique
d
du dfaut charg par la paire
de varactors doit tre gale pour C
moy
= (C
max
+ C
min
)/2 la frquence centrale
an dobtenir un niveau du dfaut de frquence f
d
accordable de part et dautre de la
frquence f
c
= 9 GHz.
A cette frquence,
(d)
reff
1, 5 et
(d)
c
= 28 mm. Loptimisation conduit alors une
longueur physique du dfaut L
d
= 10 mm (= 0, 36
(d)
c
), les lignes de propagation quart
donde TL
1
et TL
2
f
c
ayant pour longueurs L
1
= L
2
= 7 mm. Ainsi, la longueur totale du
ltre est 66 mm (= 2, 36
(d)
c
). Les impdances caractristiques normalises et paramtres
physiques des lignes de propagation constituant le ltre sont reportes dans le tableau
2.3. Ces valeurs conduisent des ratios dimpdance z
2
/z
1
= 2, 7 et z
2
/z
d
= 2, 33.

Ligne de propagation TL
1
TL
2
TL
d

Impdance caractristique normalise z
i
1,3 3,5 1,5
Largeur du ruban central W
i
1,7 mm 0,2 mm 1 mm
Largeur de la fente G
i
0,25 mm 1 mm 0,25 mm
Longueur de la ligne L
i
7 mm 7 mm 10 mm

Tableau 2.3: Paramtres du ltre accordable 9 GHz.
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N
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0
9
La position de la paire de diodes le long de la ligne de propagation constituant le
dfaut est critique quant la plage daccord de f
d
. Dans le cas de cristaux photoniques
unidimensionnels (analogie optique de la structure priodique BIE tudie ici), il a t
dmontr dans [175] que pour des modes de dfaut impairs (correspondant ici des valeurs
impaires de m, [voir (2.10)]), le champ lectrique sannule la frquence du niveau de
dfaut au centre de la ligne de propagation constituant ce dfaut. Cest pourquoi, lorsque
la paire de diodes est place en ce point, son inuence sur le gabarit du ltre est nulle.
Nous sommes ici dans ce cas puisque m = 1. La gure 2.15 prsente laccord relatif de f
d
en fonction de la position de cette paire de varactors le long de la ligne de propagation
constituant le dfaut.
0
1
2
3
4
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Position relative des varactors sur la ligne de transmission du dfaut
A
c
c
o
r
d

r
e
l
a
t
i
f

d
e

l
a

f
r

q
u
e
n
c
e

d
u

d

f
a
u
t

f
d


(
%
)
Figure 2.15: Accord relatif de f
d
en fonction de la position de la paire de diodes
Schottky le long de la ligne de propagation TL
d
.
Ainsi, pour obtenir un accord relatif de f
d
maximal, la paire de varactors doit tre
soude lune des deux extrmits du dfaut TL
d
. Comme prvu par la thorie, il ny a
aucun accord de cette frquence du dfaut lorsque les varactors sont souds au centre du
rsonateur TL
d
.
Pour illustrer les eets parasites du botier et de la rsistance srie des diodes sur le
gabarit du ltre, trois simulations lectriques ont t eectues en considrant le modle
lectrique des diodes Schottky polarises en inverse. La paire de diodes est soude sur un
des bords de la ligne de propagation TL
d
pour assurer laccord maximal possible du niveau
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3
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,

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i
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n

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-

2

N
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2
0
0
9
de dfaut. Dans la premire simulation, tous les eets parasites des diodes sont considrs
(R
s
= 4 , L
s
= 0, 1 nH et C
c
= 20 fF). Dans la seconde simulation, uniquement les eets
parasites du botier sont pris en compte (R
s
= 0 , L
s
= 0, 1 nH et C
c
= 20 fF). Enn,
dans la troisime simulation, seulement la rsistance srie est considre, les eets parasites
du botier tant considrs comme inexistants (R
s
= 4 , L
s
= 0 nH et C
c
= 0 fF). Les
rsultats de ces simulations sont prsents la gure 2.16 et rsums dans le tableau 2.4.
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
7 8 9 10 11
C
max
= 116 fF C
min
= 77 fF
Sim. 1: Rs=4 , Ls=0,1 nH, Cc=20 fF
Sim. 2: Rs=0 , Ls=0,1 nH, Cc=20 fF
Sim. 3: Rs=4 , Ls=0 nH, Cc=0 fF
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Figure 2.16: Simulations du ltre accordable lectriquement optimis 9 GHz (n =
2) montrant les eects des rsistance srie, inductance srie et capacit de botier sur
le module |S
21
|.

Simulations Sim. 1 Sim. 2 Sim. 3
C
j
(V) C
min
C
max
C
min
C
max
C
min
C
max

f
d
(GHz) 9,11 8,79 9,11 8,79 9,31 8,99
Pertes dinsertion f
d
(dB) 3,05 4,4 2,05 2,6 2,8 4,1
Facteur de qualit charg (Q
L
) 41 39,5 46 48 39 38
Accord relatif de f
d
3,5 % 3,5 % 3,5 %

Tableau 2.4: Eects des rsistance srie, inductance srie et capacit de botier sur
les pertes dinsertion, sur le facteur de qualit et sur la plage daccord relative de la
frquence du dfaut.
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t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

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i
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n

1

-

2

N
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v

2
0
0
9
Pour la simulation considrant le modle lectrique quivalent complet des diodes,
correspondant un ltre raliste, la plage daccord relatif de la frquence du dfaut
atteint 3,5 % avec des pertes dinsertion comprises entre 3,05 et 4,4 dB, et un facteur de
qualit charg Q
L
= 40.
Les simulations 1 et 2 montrent leet de la rsistance srie des diodes sur les pertes
dinsertion du ltre. La prise en compte de la rsistance srie R
s
augmente alors les pertes
dinsertion de 1 1,8 dB, et rduit le facteur de qualit charg du niveau de dfaut.
Cependant, cela ninue pas sur la frquence f
d
comprise entre 8,79 et 9,11 GHz pour
C
max
et C
min
, respectivement (voir tableau 2.4). De la mme faon, les simulations 1 et
3 montrent les eets du botier des diodes sur le gabarit du ltre : la longueur lectrique
du dfaut est alors modie conduisant un dcalage de 0,2 GHz de la frquence de
fonctionnement du ltre. Cependant, les eets parasites induits par le botier ont une
inuence faible sur laccord relatif de f
d
qui reste de 3,5 %.
2.2.3.2 Rsultats du ltre ralis
Aprs fabrication du ltre conu, celui-ci a t mesur en absence de diodes sur le
dfaut an de valider la modlisation lectromagntique de la ligne priodique ralise.
La gure 2.17 compare les modules |S
21
| mesur et simul du ltre non charg par les
varactors.
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
4 6 8 10 12 14
Mesures
Simulations
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 2.17: Mesures et simulations lectromagntiques du module |S
21
| du ltre
accordable lectriquement optimis 9 GHz (n = 2) sans diodes.
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3
4
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2

N
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0
9
En labsence de diodes sur le dfaut, sa longueur lectrique est rduite, ce qui induit
un dcalage de la frquence du dfaut f
d
au-dessus de la frquence centrale de la BIE.
De plus, les mesures sont en bon accord avec les simulations issues de cette modlisation
lectromagntique. Ce bon accord entre mesures et simulations tant en termes de frquence
que damplitude du niveau de dfaut permet de valider la modlisation lectromagntique
de la structure. Il est ainsi possible dtudier la contribution des dirents types de pertes
(conductrices, dilectriques, et par rayonnement) la frquence du dfaut f
d
en comparant
(voir gure 2.18) les simulations du ltre rel, avec celles du ltre sur substrat sans pertes,
puis avec un conducteur parfait, puis enn avec substrat sans pertes et conducteur parfait.
-5
-4
-3
-2
-1
0
9,6 9,8 10 10,2 10,4
Conducteur parfait
& substrat sans perte
Conducteur parfait
Substrat sans perte
Dispositif rel
M
o
d
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d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 2.18: Simulations lectromagntiques du ltre autour de f
d
, mettant en
vidence les contributions respectives des pertes dilectriques, conductrices, et par
rayonnement.
Les rsultats de simulation prsents la gure 2.18 permettent alors de mettre en
exergue la contribution principale des pertes conductrices la frquence du dfaut. En
eet, alors que les pertes conductrices reprsentent environ 1 dB dattnuation la fr-
quence du dfaut, les pertes dilectriques et radiatives slvent seulement 0, 3 dB cha-
cune. Les pertes radiatives peuvent tre correctement estimes dans le cas o les simu-
lations prennent en compte simultanment des conducteur et substrat parfaits puisque
ladaptation de la structure est alors meilleure que 38 dB f
d
.
Le ltre rendu accordable (en prsence de la paire de diodes soudes sur le dfaut)
a ensuite t mesur. Pour estimer les pertes dinsertion, ladaptation et la distorsion
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N
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0
9
dharmoniques, des mesures en petit puis en fort signal ont t ralises. Une photographie
du ltre optimis 9 GHz accordable lectriquement par varactors semiconducteur est
prsente la gure 2.19.




1 cm
lignes daccs

Entre Sortie
Figure 2.19: Photographie du ltre accordable 9 GHz.
a) Mesures en petit signal
La gure 2.20 compare les modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls du ltre accordable.
Les mesures sont en trs bon accord avec les simulations, puisque laccord frquentiel rela-
tif de la frquence du dfaut est denviron 3,5 % (de 8,8 GHz 9,11 GHz), avec un facteur
de qualit charg de 40. la frquence du dfaut, les pertes dinsertion sont comprises
entre 3,3 dB et 4,75 dB, et ladaptation lentre du ltre est meilleure que 20 dB. Le ltre
tant longitudinalement asymtrique, |S
11
| est dirent de |S
22
|. En eet, ladaptation en
sortie du ltre est mauvaise ( 5 dB). Enn, la rjection entre les frquences extrmes du
dfaut est suprieure 8 dB, avec une bande rejete relative BW
20 dB
de 56 %.
b) Mesures en fort signal
Nous prsentons ici des mesures du ltre en fort signal pour valuer la distorsion dhar-
moniques engendre par les varactors semiconducteur non linaires. Cette non linarit
des diodes conduit la gnration dharmoniques et augmente les pertes dinsertion en
forte puissance. Les mesures prsentes ici ont t ralises pour une polarisation inverse
des varactors de 2 V pour centrer la frquence du dfaut 9 GHz. La gure 2.21 montre
les rsultats des mesures de puissance de sortie la frquence du fondamental (9 GHz) et
au second harmonique (18 GHz) pour une puissance en entre du ltre 9 GHz comprise
entre 26 dBm et 15 dBm.
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-30
-25
-20
-15
-10
-5
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6 7 8 9 10 11
Frquence (GHz)
(a)
M
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e

S
2
1

(
d
B
)
10 dB
0V
3,8V
77 fF
116 fF
8 dB
56 %
Mesures
Simulations
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
6 7 8 9 10 11
Frquence (GHz)
(b)
M
o
d
u
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d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
0 V 3,8 V
77 fF
116 fF
Figure 2.20: Modules (a) |S
21
|, et (b) |S
11
| mesurs et simuls du ltre accordable
lectriquement 9 GHz.
Pour une puissance en entre du ltre infrieure 5 dBm, les pertes dinsertion du
ltre correspondent aux pertes dinsertion en petit signal, cest--dire environ 4,5 dB.
Le ltre prsente alors une bonne linarit, la puissance du second harmonique tant au
moins 15 dB infrieure la puissance du fondamental. Le point de compression 1 dB
apparat pour une puissance dentre de 8 dBm, la puissance en sortie du ltre au second
harmonique tant infrieure de 12 dB la puissance du fondamental. Enn, le point
dinterception de second ordre en sortie de ltre OIP2 (de langlais "2
nd
order Output
Intercept Point") est situ une puissance de 16, 5 dBm.
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-40
-30
-20
-10
0
10
20
-30 -20 -10 0 10 20
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(
d
B
m
)
Fondamental
(9 GHz)
Seconde harmonique
(18 GHz)
1 dB
12 dB
OIP2
Puissance d'entre 9 GHz (dBm)
Figure 2.21: Puissance en sortie du ltre en fonction de la puissance son entre
9 GHz.
2.2.4 Conclusion de ltude et amliorations envisages
Une topologie de ltre passe-bande accordable haut facteur de qualit a t tudie
dans ce chapitre. Bien que dj aborde dans plusieurs articles [150], [124], et [13], cette
structure ltrante ne prsentait pas jusquici dtude thorique claire. Le but a donc
consist dans un premier temps obtenir des quations simples permettant de concevoir
de tels dispositifs. Laccord de la frquence f
d
a t mis en vidence de manire mcanique
(par report dun substrat au-dessus du dfaut) puis lectrique par ajout dune paire de
varactors en parallle sur le dfaut. Nous avons montr que la position de ces varactors le
long de la ligne de propagation constituant le dfaut est critique pour maximiser laccord
obtenu de f
d
. Deux dispositifs ont ensuite t raliss pour valider ltude thorique,
ce qui a permis de dmontrer latout principal de ce type de ltre : son haut facteur de
qualit charg Q
L
atteint (=40 pour le ltre lectriquement accordable). Cependant, cette
topologie de ltre passe-bande slectif accordable prsente plusieurs inconvnients :
des pertes dinsertion importantes combines une longueur du dispositif rdhibi-
toire ;
un faible accord de la frquence du dfaut ;
la prsence de forts sauts dimpdance caractristique compliquant la modlisation,
et pouvant induire des dsaccords entre les mesures et simulations ;
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une distorsion dharmoniques en fort signal due au caractre non linaire des diodes
imposant lutilisation de ces dispositifs pour des applications faible puissance (in-
frieures quelques dBm) ;
la prsence de bandes de frquences transmises non dsires de part et dautre du
niveau de dfaut.
Des solutions permettant damliorer sensiblement les performances de ces ltres
peuvent tre envisages [166]. Cependant, les inconvnients inhrents la topologie (di-
mensions importantes et prsence de bandes de frquences transmises de part et dautre
de la bande passante) rendent son usage peu intressant, ou alors dans des applications
trs spciques, ncessitant par exemple des hauts facteurs de qualit sans contrainte de
dimensions.
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Chapitre 3
Filtres passe-bas accordables en bande
passante
Dans ce troisime chapitre, une topologie de ltre passe-bas accordable en bande pas-
sante, base dune structure priodique, est prsente. Cette structure priodique consiste
en une ligne de propagation priodiquement charge par des capacits xes [101], [147]
ou variables dans le cas de dispositifs accordables. Ltude de cette structure priodique
met en vidence un spectre constitu de bandes de frquences permises et de bandes de
frquences interdites, les BIEs. La premire bande de frquences permises peut tre assi-
milable un ltre passe-bas, la seconde plage de frquences autorises pouvant tre rejete
plus de cinq fois la frquence de coupure du ltre, do un vritable intrt dans le do-
maine du ltrage passe-bas. Cependant, ladaptation dans la bande passante nest pas
bonne. Aussi, an de lamliorer, les cellules latrales, dites cellules de taprisation ,
sont optimises. Elles jouent alors le rle dadaptateurs dimpdance en entre/sortie de la
structure priodique [139]. Ce type de structure priodique compacte optimise prsente
de faibles pertes dinsertion ainsi quune forte slectivit. Ceci permet ainsi de rpondre
aux besoins de compacit et de non dgradation des signaux utiles (faibles pertes dinser-
tion et bonne adaptation) [176]. De plus, la forte pente de rjection et la large bande rejete
permettent dattnuer des signaux parasites aussi bien proches quloigns du signal utile
traiter.
Le prsent chapitre propose la section 3.1 une mthode de conception de ces ltres,
base sur ltude du coecient de rexion en entre de la structure priodique non
optimise. Cette tude permet de dnir quatre critres de conception : la frquence de
coupure du ltre, le taux dondulation dans la bande passante, la pente de la droite de
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9
rjection et limpdance caractristique maximale ralisable dans la technologie utilise
(impdance maximiser pour minimiser la longueur totale du dispositif). La section 3.2
prsente ensuite les rsultats de plusieurs dispositifs accordables raliss en technologie
CPW. Tout dabord, trois ltres hybrides accordables autour de 0,5 GHz prsentant des
topologies similaires sont compars an de dmontrer laccord de la bande passante. Les
rsultats de mesure sont trs proches des simulations pour ces trois ltres. Le ltre le
plus performant permet alors dobtenir un accord de la frquence de coupure 1 dB
de 8, 5 % (respectivement 17 %, 24 %) pour une adaptation meilleure que 18 dB
(respectivement 16 dB, 13 dB) sur toute la bande passante. De plus, la pente de la droite
de rjection calcule entre 3 et 30 dB est de 307 dB/dcade avec une dispersion
infrieure 3, 5 % sur toute la plage daccord. Enn, la bande interdite est attnue
mieux que 25 dB jusqu plus de neuf fois la frquence de coupure. Dans un second temps,
les rsultats dun ltre accordable MMIC sont prsents. Ce ltre prsente un accord
relatif de la bande passante de 19 % avec une bonne adaptation dans la bande passante
(> 15 dB). Les pertes dinsertion de ce dispositif sont importantes et dj de 1, 5 dB
basse frquence. Ces pertes correspondent majoritairement aux pertes conductrices de la
ligne de propagation haute impdance considre. Enn, une conclusion rsume ltude
aborde.
3.1 Etude thorique de la structure priodique
Ltude thorique considre des lignes de propagation idales sans pertes pour obtenir
une mthode de conception simple de la structure priodique non optimise, les cellules
tant toutes identiques. Ensuite, une optimisation des cellules de taprisation entre/sortie
permet dobtenir la structure du ltre passe-bas dsir, avec prise en compte des modles
complets des lignes de propagation et des capacits chargeant ces lignes.
3.1.1 Topologie tudiePrincipe
La gure 3.1 prsente la topologie de ltre passe-bas compact BIE constitue de
m = n + 2 cellules lmentaires : les n cellules centrales tant identiques et les deux
cellules latrales de taprisation, de mme forme que les cellules centrales, tant optimises
a posteriori pour adapter le ltre dans la bande passante.
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2
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C
tap

tap
/ 2

Z
0
/ 2

Z
0
/ 2

Z
0
/ 2

Z
0
C
v
/ 2

Z
0

tap
/ 2

Z
0
C
tap

tap
/ 2

Z
0

tap
/ 2

Z
0
C
v

cellule de
taprisation
cellule de
taprisation
n cellules centrales
Figure 3.1: Topologie du ltre passe-bas BIE.
Cette structure peut tre considre en premire approximation comme une ligne de
propagation dimpdance caractristique Z
0
charge priodiquement par m = n + 2 l-
ments capacitifs C
v
identiques. Le module du paramtre S
21
de cette structure priodique
permet de mettre en vidence une succession de bandes permises et interdites, la pre-
mire bande de frquences permises stendant du continu jusqu la frquence de Bragg
f
B
. Cette frquence de Bragg est la premire frquence pour laquelle limpdance ca-
ractristique quivalente de la ligne charge Z
eq
sannule. Au del de cette frquence,
la transmission est alors interdite (la vitesse de propagation tant non dnie), hormis
autour des frquences de Bragg dordre suprieur (plages de frquences dans lesquelles
limpdance Z
eq
est relle) [101, 153]. La gure 3.2 prsente le rsultat du calcul du mo-
dule de S
21
pour des structures priodiques (en bande troite et en large bande) dont le
nombre de cellules lmentaires m varie entre 2 et 6, pour une longueur lectrique des
cellules lmentaires
B
= /6 (= 30) f
B
, et Z
0
= 170 . C
v
est dtermin partir de
la relation (3.6) qui sera explicite plus loin.
De manire prvisible, la gure 3.2 montre que pour un couple (
B
, C
v
.
B
) donn,
la pente de la droite de rjection et la rjection dans la bande interdite augmentent
avec m. De plus, la position de la seconde bande permise est indpendante de m. Le
zoom de la gure 3.2(b) montre que les pics de transmission situs dans cette bande de
frquences permises prsentent des facteurs de qualit trs levs : ils seront alors fortement
attnus en prsence de pertes mme faibles dans la structure priodique. Remarquons
galement que le nombre de ples de transmission dans cette seconde bande de frquences
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0
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N
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v

2
0
0
9
-20
-10
0
0 0,5 1 1,5
Frquence normalise (f / f
B
)
(a)
m=2 6
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
-80
-40
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Frquence normalise (f / f
B
)
(b)
m=2 6
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
-60
-30
0
5,95 6 6,05 6,1 6,15 6,2
m=2 6
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
B
)
Figure 3.2: Exemple de transmission (a) en bande troite (dans la bande passante)
et (b) en large bande, de structures priodiques prsentant un nombre m de cellules
lmentaires compris entre 2 et 6, avec
B
= /6(= 30) et Z
0
= 170 .
permises est gal (m 1). Enn, on observe un taux dondulation important dans la
bande passante de la structure priodique, cest--dire une mauvaise adaptation dans cette
bande. Nous allons maintenant chercher tudier cette adaptation dans la bande passante
de la structure priodique non taprise.
La gure 3.3 prsente la position relative (par rapport f
B
) de la premire frquence,
dans la bande rejete du ltre, dont lattnuation est infrieure 25 dB, en fonction
de la longueur lectrique
B
des cellules lmentaires (pour un nombre m de cellules
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N
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v

2
0
0
9
lmentaires compris entre 2 et 6 avec Z
0
= 170 ). Nous appellerons lobes parasites
ces transmissions hors bande passante.
3
4
5
6
7
8
9
20 30 40 50 60
m=2
m=3
m=4
m=5
m=6
F
r

q
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c
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m
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B
)

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m
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2
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d
B

d
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a

b
a
n
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c
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Longueur lectrique des cellules lmentaires ()
m=2
m=3
m=4
m=5
m=6
Figure 3.3: Position relative (par rapport f
B
) dans la bande rejete du ltre de la
premire frquence prsentant une attnuation infrieure 25 dB en fonction de la
longueur lectrique
B
des cellules lmentaires (avec Z
0
= 170 ).
Comme le montre la gure 3.3, la variation de la position de cette premire remonte
dans la bande rejete est ngligeable quel que soit m 2. Par ailleurs, plus la longueur
lectrique des cellules lmentaires est petite, plus la largeur de la bande interdite est
grande. Nous verrons par la suite que ces lobes parasites sont fortement attnus en
prsence de pertes mme faibles dans la structure.
La conception des ltres passe-bas prsents ici ncessite la connaissance des quatre
paramtres : la longueur lectrique
B
, la capacit de charge C
v
, limpdance caractris-
tique de la ligne de propagation non charge Z
0
, et le nombre de cellules lmentaires m.
An de dterminer ces paramtres pour un gabarit de ltre dsir, nous allons tudier
ladaptation dans la bande passante de la structure priodique constitue de m cellules
lmentaires. Pour cela, ltude dune cellule lmentaire va permettre de dnir une pre-
mire relation entre
B
, C
v
, Z
0
et la frquence de Bragg f
B
. Ensuite, ltude dtaille
de limpdance dentre de la structure priodique constitue de m cellules lmentaires
permettra de dnir les critres de conception de cette structure. Enn, la mthode de
conception sera applique un exemple.
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N
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v

2
0
0
9
3.1.2 Dtermination de limpdance caractristique dune cellule
lmentaire
Considrons une cellule lmentaire de cette ligne priodique comme prsente sur la
gure 3.4.


/ 2

Z
0
/ 2

Z
0
C
v

Figure 3.4: Schma dune cellule lmentaire constitue dune ligne de propagation
dimpdance caractristique Z
0
, de longueur lectrique , charge en son milieu par
une capacit C
v
.
Soit la longueur lectrique de la ligne de longueur physique d la frquence f :
= d =
2 f

reff
c
d (3.1)
o
reff
est la permittivit relative eective de la ligne non charge et c est la vitesse de
propagation de la lumire dans le vide. la frquence de Bragg f
B
, la longueur lectrique
quivalente la longueur physique d est alors appele
B
. Ainsi :
=
B
(f/f
B
) =
B

f. (3.2)
o

f reprsente la frquence normalise par rapport f
B
. An de saranchir des dimen-
sions physiques du dispositif et du choix de la frquence de coupure, ltude est mene en
raisonnant sur des longueurs lectriques, frquences normalises et susceptances. Dnis-
sons la susceptance de la capacit C
v
la frquence f
B
par :
B
B
= 2 f
B
C
v
. (3.3)
En utilisant les matrices ABCD cascadables [138], on peut dterminer limpdance
caractristique quivalente de la cellule lmentaire prsente la gure 3.4 :
Z
eq
=

B
eq
C
eq
= Z
0

_
2

f B
B
Z
0
tan
_

f
B
/2
_
2 +

f B
B
Z
0
tan
_

f
B
/2
_ (3.4)
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,

v
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2

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v

2
0
0
9
o la matrice ABCD de la cellule lmentaire T
eq
est donne par :
T
eq
=
_
_
A
eq
B
eq
C
eq
D
eq
_
_
. (3.5)
Par dnition, pour =
B
(cest--dire

f = 1), limpdance caractristique Z
eq
de la
ligne charge est nulle, ce qui conduit lexpression suivante liant
B
, B
B
et Z
0
:
B
B
Z
0
tan (
B
/2) = 2 (3.6)
o
B
[0; /2[. En pratique cette relation sera vrie puisque
B
< /3.
La relation (3.6), dite relation de Bragg, qui sera rutilise ultrieurement,
montre que pour minimiser la longueur lectrique
B
une frquence f
B
don-
ne, il faut maximiser C
v
et Z
0
.
On obtient alors la formule suivante de Z
eq
qui dpend uniquement de
B
, Z
0
et

f :
Z
eq
= Z
0

tan(

f
B
/2) (1

f tan(

f
B
/2) cotan(
B
/2))
tan(

f
B
/2) +

f cotan(
B
/2)
= Z
0
_

(3.7)
avec :
= tan(

f
B
/2)
_
1

f tan(

f
B
/2) cotan(
B
/2))
_
(3.8)
et
= tan(

f
B
/2) +

f cotan(
B
/2), (3.9)
et tant toujours positifs pour les longueurs lectriques qui nous intressent, cest--
dire pour
B
[0; /2[.
Dnissons la longueur lectrique quivalente de la cellule lmentaire :

eq
= arccos(A
eq
) = arccos
_
cos(

f
B
)

f sin(

f
B
) cotan(
B
/2)
_
. (3.10)
La gure 3.5 reprsente lvolution de limpdance caractristique Z
eq
de la ligne charge
ainsi que le ratio
eq
/ entre la longueur lectrique quivalente de la cellule lmentaire
et celle de la ligne non charge en fonction de la frquence normalise

f pour Z
0
= 170
et
B
= /6 (= 30).
Comme le montre la gure 3.5, limpdance caractristique quivalente du tronon de
ligne charg par la capacit C
v
sannule bien pour =
B
. De plus, le phnomne donde
lente est clairement dmontr, puisque dans cet exemple
eq
/ > 3, 5, ce qui signie que la
vitesse de propagation de londe dans la structure est diminue dans un rapport suprieur
3,5 jusqu la frquence de Bragg.
67
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
0
10
20
30
40
50
3,5
4
4,5
5
5,5
6
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
M
o
d
u
l
e

d
e

Z
e
q


(

)
R
a
t
i
o

e
q
/

Frquence normalise (f /f
B
)
Figure 3.5: Impdance caractristique Z
eq
et ratio
eq
/ entre la longueur lectrique
quivalente de la cellule lmentaire et celle de la ligne non charge en fonction de la
frquence normalise

f pour Z
0
= 170 et
B
= /6 (= 30).
3.1.3 Impdance dentre de la structure priodique
Lexpression de limpdance caractristique quivalente de la cellule lmentaire tant
tablie, nous allons dterminer lexpression de limpdance dentre de la structure prio-
dique constitue de m cellules lmentaires identiques an de dterminer la position des
dirents extrma de cette impdance dentre. Ceci nous permettra ensuite de dduire
le taux dondulation dans la bande passante du ltre.
3.1.3.1 Expression de limpdance dentre en module et phase
Limpdance dentre Z
in
de la structure priodique constitue de m cellules lmen-
taires identiques (dimpdance caractristique Z
eq
et de longueur lectrique
eq
), charge
par limpdance de sortie Z
c
(impdance des accs en entre et sortie du ltre), est :
Z
in
= |Z
in
| e
i
= Z
eq
Z
c
+i Z
eq
tan(m
eq
)
Z
eq
+i Z
c
tan(m
eq
)
(3.11)
Le module |Z
in
| et la phase de cette impdance dentre scrivent alors :
|Z
in
| = Z
0

Z
2
c
+Z
2
0

tan
2
(m
eq
)
Z
2
0
+Z
2
c

tan
2
(m
eq
)
(3.12)
et
= arg(Z
in
) = arctan
_
_
(Z
2
c
+Z
2
0

) sin(2 m
eq
)
2 Z
0
Z
c
_

_
_
. (3.13)
68
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
3.1.3.2 Extrema de limpdance dentre
Cherchons la position des frquences particulires pour lesquelles la structure est adap-
te, cest--dire les frquences pour lesquelles Z
in
= Z
c
. Ces solutions sont donnes par
les deux quations suivantes :
tan(m
eq
) = 0 (3.14)
et


_
Z
0
Z
c
_
2
= 0. (3.15)
Aprs dveloppement limit lordre 3 autour de
B
= 0 , lquation (3.14) donne m
solutions physiques :

f
2p
=

1
2
+
3

2
B

_
36 +
4
B
+ 12
2
B
cos(p /m)
2
2
B
, p [0; m1]. (3.16)
Lordre du dveloppement limit a t dtermin pour obtenir un compromis entre sim-
plicit de formule et prcision du rsultat obtenu.
N.B. : Cest ce mme critre qui sera appliqu pour tous les dveloppements limits
eectus dans ce chapitre.
Lquation (3.15) donne une seule solution physique, indpendante de m, que lon
appellera

f

. Un exemple est prsent la gure 3.6 avec (Z


0
/Z
c
) compris entre 2 et 4,
et
B
variant de 0 /3.
La recherche dextrema du module |Z
in
| de limpdance dentre de la structure p-
riodique est ralise en rsolvant lquation suivante :
d (|Z
in
|)
d

f
= 0. (3.17)
Lquation (3.18) donne m solutions approches de lquation (3.17) obtenues par dve-
loppement limit au troisime ordre autour de
B
= 0, ces solutions sajoutent celles
donnes par (3.16) :

f
2p+1
=

1
2
+
3

2
B

_
36 +
4
B
+ 12
2
B
cos ((2p + 1) /(2 m))
2
2
B
, p [0; m1]. (3.18)
Lensemble des solutions du problme, donnes par (3.16) et (3.18), peut tre synthtis
par une unique expression :

f
p
=

1
2
+
3

2
B

_
36 +
4
B
+ 12
2
B
cos (p /(2 m))
2
2
B
, p [0; 2 m1]. (3.19)
69
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
20 30 40 50 60
0
0,25
0,5
0,75
1
Z0/Zc=2
Z0/Zc=2.5
Z0/Zc=3
Z0/Zc=3.5
Z0/Zc=4
P
o
s
i
t
i
o
n

r
e
l
a
t
i
v
e

d
a
n
s

l
a

b
a
n
d
e

p
a
s
s
a
n
t
e

d
e

l
a

f
r

q
u
e
n
c
e

p
a
r
t
i
c
u
l
i

r
e

s
o
l
u
t
i
o
n

d
e

Z
i
n
=
Z
c

i
n
d

p
e
n
d
a
n
t
e

d
e

m
Z
0
/Z
c
=2.5
Z
0
/Z
c
=3
Z
0
/Z
c
=3.5
Z
0
/Z
c
=4
Longueur lectrique des cellules lmentaires ()
Figure 3.6: Solution particulire de Z
in
= Z
c
indpendante du nombre de cellules
lmentaires dans la structure priodique.
La gure 3.7 prsente le module de limpdance dentre |Z
in
| dune structure priodique
constitue de 16 cellules lmentaires (m = 16), avec Z
0
= 170 et
B
= /4 (45).
0
50
100
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Enveloppe (|Z
in
|)
Positions des extrema de |Z
in
|
Module |Z
in
| de la structure priodique constitue
de m=16 cellules lmentaires avec
B
=/4
Frquence normalise (f /f
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

Z
i
n


(

)
f

Figure 3.7: Module de limpdance dentre |Z


in
| de la structure priodique consti-
tue de 16 cellules lmentaires donn par (3.12) , position des extrema donne par
(3.19), et enveloppe (|Z
in
|) donne par (3.20).
Dans un souci de simplicit dutilisation des quations, nous avons choisi de faon
dlibre de ne pas travailler avec les impdances rduites. Ainsi, les rsultats numriques
70
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
de cette tude considrent une impdance caractristique Z
c
des accs gale 50 , cas
gnralement rencontr.
Les points reprsentent les solutions

f
p
donnes par (3.19). Lenveloppe (|Z
in
|) pas-
sant par les extrema de la fonction |Z
in
| dnis en (3.18) est indpendante du nombre de
cellules lmentaires (voir gure 3.7). Lexpression de cette enveloppe est :
(|Z
in
|) =

Z
2
0
Z
c
. (3.20)
La gure 3.7 valide le choix de lordre des dveloppements limits. En eet, les fr-
quences solutions de lquation (3.16) correspondent aux frquences pour lesquelles |Z
in
| =
Z
c
et les solutions de lquation (3.18) correspondent bien des extrema de limpdance
dentre de la structure priodique (except pour les deux frquences solutions de part et
dautre de la solution

f

). Par ailleurs, la solution particulire



f

est elle aussi conforme


la solution donne par la gure 3.6 (

= 0, 637).
3.1.4 Coecient de rexion en entre de la structure priodique
Le coecient de rexion
in
en entre de la structure priodique est dni par :

in
=
Z
in
Z
c
Z
in
+Z
c
(3.21)
dont le module est :
|
in
| =

|Z
in
|
2
+Z
2
c
2 |Z
in
| Z
c
cos()
|Z
in
|
2
+Z
2
c
+ 2 |Z
in
| Z
c
cos()
(3.22)
La gure 3.8 prsente le module du coecient de rexion de la structure priodique
constitue de 16 cellules lmentaires (m = 16), avec Z
0
= 170 et
B
= /4 (= 45).
Les points reprsentent les solutions

f
p
donnes par (3.19).
Comme on pouvait sy attendre, les extrema du module |Z
in
| de limpdance caractris-
tique correspondent aux extrema du module du coecient de rexion |
in
|. Lenveloppe
de ces extrema est donne par :
(|
in
|) =
| Z
2
c
Z
2
0
|
Z
2
c
+ Z
2
0
. (3.23)
71
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
0
0,5
1
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Enveloppe (|
in
|)
Positions des extrema de |Z
in
|
Module |
in
| de la structure priodique constitue
de m=16 cellules lmentaires avec
B
=/4
M
o
d
u
l
e

d
e

i
n
Frquence normalise (f /f
B
)
Figure 3.8: Module du coecient de rexion |
in
| en entre de la structure prio-
dique constitue de 16 cellules lmentaires, positions des extrema donns par (3.19)
et enveloppe (|
in
|).
3.1.5 Critres de conception de la structure priodique
Rappelons que le but de ltude mene ici est de dnir une mthode de conception
simple de la structure priodique initiale permettant dobtenir par simple optimisation
le ltre rpondant au gabarit souhait. Nous allons pour cela nous attacher tudier le
taux dondulation admissible dans la bande passante, ainsi que la pente de la droite de
rjection.
3.1.5.1 Dtermination du taux dondulation basse frquence
Comme le montre la gure 3.8, basse frquence, cest--dire dans lintervalle [0;

f

],
(|
in
|) est strictement dcroissant et donc maximal la frquence normalise

f
1
(premier
extremum donn par (3.18) pour p = 1). Le dveloppement limit au premier ordre de
cette frquence normalise autour de
B
= 0 est indpendant de
B
:

f
1
= sin
_

4 m
_
. (3.24)
A cette frquence, le dveloppement limit lordre 5 autour de
B
= 0 de lenveloppe
(|Z
in
|) donne par (3.20) permet dobtenir la relation (3.25) :

Z
in
_

f
1
_

=
_
1

f
1
2
_
Z
2
0

2
B
_
6 +
_

f
1
2
1
_

2
B
_
24 Z
c
. (3.25)
72
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
Par ailleurs, il est ais de dmontrer que pour les frquences solutions donnes par (3.19),
la phase de limpdance dentre Z
in
est nulle. Ainsi, en ces points o |
in
| est maximal,
(3.22) devient :
|
in
| =

|Z
in
| Z
c
|Z
in
| +Z
c

. (3.26)
Ayant considr dans cette tude une structure de ltre sans pertes, alors |
in
| = |S
11
|
(voir [139]). Nous pouvons alors dnir le taux dondulation de la structure priodique en
basse frquence par :
S
max
= 20 log
_
_
1 |
in1
|
2
_
, S
max
0 (3.27)
o |
in1
| est le module du coecient de rexion de la structure priodique la frquence

f
1
.
Ce taux dondulation en basse frquence sera utilis par la suite pour conce-
voir la structure priodique initiale permettant dobtenir le ltre dsir.
3.1.5.2 Droite de rjection de la structure priodique
Une formule approche de la pente de la droite de rjection peut tre obtenue de
manire thorique. En eet, le dveloppement limit au premier ordre autour de
B
= 0
de la drive de |S
21
| la frquence f
B
donne une expression de la pente (en dB/dcade)
de la structure priodique :
=
80 m
2
3
. (3.28)
Ce dveloppement limit lordre 1 prsente lavantage de donner une expression trs
simple de la pente , qui ne dpend que du nombre m de cellules lmentaires de la
structure priodique. Montrant une dpendance quadratique de par rapport m, cette
formule ne donne quune premire approximation indicative de la pente relle de la struc-
ture priodique. En eet, la gure 3.9 prsente la pente de la droite de rjection calcule
aprs simulation entre 3 dB et 30 dB, en fonction de m pour direntes valeurs de
B
(B
B
vriant (3.6) pour Z
0
= 170 ). Les solutions approches donnes par (3.28) sont
galement reprsentes sur cette gure (courbe en gras).
La gure 3.9 montre que la pente de la droite de rjection de la structure priodique
augmente bien avec le nombre de cellules lmentaires comme le prvoit la formule appro-
che (3.28) ; on observe galement que cette pente augmente lorsque la longueur lectrique
73
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
-1200
-1000
-800
-600
-400
-200
0
2 3 4 5 6
P
e
n
t
e

d
e

l
a

d
r
o
i
t
e

d
e

r

j
e
c
t
i
o
n

(
d
B
/
d
e
c
a
d
e
)
Nombre de cellulles lmentaires

B
=20
B
=60
Simulations
Approximation donne par (3.27)
Figure 3.9: Pente de la droite de rjection en fonction du nombre m de cellules
lmentaires pour direntes valeurs de
B
(B
B
vriant (3.6) pour Z
0
= 170 ).

B
diminue. Enn, on peut remarquer que lapproximation (3.28) donne une valeur plu-
tt optimiste (pour m < 5) de la pente de la droite de rjection par rapport la droite
calcule.
3.1.5.3 Longueur lectrique optimale des cellules lmentaires
Dans la section 3.1.5.1, le taux dondulation maximal admissible en basse frquence
a t dtermin. En considrant ce critre comme lun des critres de conception de la
structure priodique, ceci permet dobtenir la structure priodique prsentant une on-
dulation infrieure S
max
jusqu la frquence

f

. Au-del de cette frquence, dans la


bande passante du ltre, cet objectif nest plus atteint. Pour lobtenir, des cellules de
taprisation [139] seront utilises pour adapter la structure.
Considrons alors S
max
comme tant le taux dondulation maximal sur toute la bande
passante du ltre. La plage dimpdances [Z
in1
; Z
in2
] pour laquelle S
max
est vri
basse frquence est alors obtenue laide des quations (3.26) et (3.27). Le calcul du
dveloppement limit lordre 5 autour de
B
= 0 de lenveloppe (|Z
in
|) passant par
les extrema de la fonction |Z
in
| dnie en (3.20) permet dobtenir la plage des longueurs
lectriques [
B1
;
B2
] satisfaisant S
max
avec :

Bi
=

3
_
9 Z
2
0
24 Z
c
Z
in i
Z
0
sec
_

4 m
_
. (3.29)
74
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
Une fois cette longueur lectrique choisie, lquation (3.6) permet dobtenir la suscep-
tance B
B
pour une impdance caractristique Z
0
donne.
3.1.6 Mthode de conception applique un exemple
An de concevoir un ltre passe-bas, il faut tout dabord connatre les quatre critres
suivants : la frquence de coupure (f
c
), le taux dondulation maximal (S
max
) admissible
dans la bande passante, la pente () de la droite de rjection du ltre passe-bas, ainsi
que limpdance maximale (Z
0
) ralisable dans la technologie utilise. Rappelons que ce
dernier critre permet dobtenir la structure de ltre la plus compacte. Ltude ci-dessous
prsente les tapes de conception dun ltre passe-bas hybride de frquence de coupure
3 dB gale 1 GHz, avec S
max
= 0, 1 dB (correspondant une adaptation meilleure
que 16 dB), une pente = 250 dB/dcade et une impdance caractristique leve
Z
0
= 170 en technologie CPW (voir section 2.2.1). Cette mthode sera utilise pour
raliser les trois ltres prsents dans la section 3.2.
3.1.6.1 Structure priodique non taprise
En premire approximation, on peut considrer la frquence de coupure f
c
du ltre
passe-bas comme tant gale la frquence de Bragg f
B
de la structure priodique. Les
tapes de conception sont alors les suivantes :
le nombre m minimal de cellules lmentaires ncessaire pour atteindre la pente
= 250 dB/dcade est donn la gure 3.9 ou grce la formule approche
(3.28) ;
comme indiqu en 3.1.5.3, la connaissance du taux dondulation S
max
permet de
remonter au module |
in
| par inversion de (3.27) puis la plage des impdances
dentre [Z
in1
; Z
in2
] de la structure par inversion de (3.26). La relation (3.29) permet
alors dobtenir la plage des longueurs lectriques [
B1
;
B2
] satisfaisant le critre
dondulation dans la bande passante ;
une fois la longueur lectrique choisie dans lintervalle [
B1
;
B2
], lquation (3.6)
donne la susceptance B
B
pour une impdance caractristique Z
0
donne. La capacit
C
v
peut alors tre obtenue la frquence f
c
= f
B
dsire.
75
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
Pour le ltre passe-bas rpondant au critre S
max
< 0, 1 dB ci-dessus, on obtient les
deux longueurs lectriques extrmes admissibles
B1
= 30, 2et
B2
= 41, 8. Cet intervalle
de longueurs lectriques acceptables permet de disposer dun degr de libert. En eet,
lajustement de cette longueur lectrique dans lintervalle admissible peut tre un atout en
technologie hybride par exemple, o les capacits utilises sont du type CMS prsentant
des valeurs normalises.
La gure 3.10 prsente londulation dans la bande passante de structures priodiques
constitues de 4 cellules lmentaires pour dirents couples (
B
; B
B
) vriant (3.6) avec
Z
0
= 170 .
-1,5
-1
-0,5
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1

B
=40

B
=45

B
=30

B
=35
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
B
)
f
1
/ f
B
Figure 3.10: Module |S
21
| de structures priodiques prsentant m = 4 cellules l-
mentaires pour dirents couples (
B
; B
B
) vriant (3.6) avec Z
0
= 170 .
La gure 3.10 montre, comme attendu, que la condition sur le taux dondulation est
vrie la frquence

f =

f
1
. On remarque bien quune longueur lectrique
B
hors de la
plage admissible implique un non respect basse frquence du taux dondulation.
3.1.6.2 Structure priodique taprise optimise
An de satisfaire au critre S
max
sur toute la bande passante du ltre, il est propos
doptimiser les cellules lmentaires latrales de la structure priodique comme prsent en
[139] (sec. 3.08, pp. 72-77). Les cellules de taprisation, de mme topologie que les cellules
centrales, prsentent une longueur lectrique
tap
et une capacit de charge C
tap
optimises
permettant dobtenir des adaptateurs dimpdances de part et dautre de la structure
76
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
ltrante. Ces adaptateurs dimpdances permettent dadapter limpdance dentre de la
structure 50 une frquence

f
adapt
>

f

.
La gure 3.11 prsente les parties relles des impdances caractristiques des cellules
centrales Z
eq
et des cellules de taprisation Z
eq_tap
optimises
1
, ainsi que les coecients
de rexion de la structure priodique constitue de m = 4 cellules identiques et du ltre
optimis. Dans cet exemple, la longueur lectrique choisie dans lintervalle [
B1
;
B2
] est

B
= 35, ce qui donne B
1
B
= 26, 7 , pour Z
0
= 170 . Pour le ltre optimis, les
deux cellules de taprisation prsentent la frquence de Bragg une longueur lectrique

tap_B
= 33, 6et une susceptance B
B
= 30, 8 10
3
S (soit B
1
B
= 32, 5 ).
La longueur lectrique quivalente
eq_tap
des cellules de taprisation est gale /2
la frquence

f
adapt
0, 78. Ceci correspond bien aux rsultats de la gure 3.11. En
eet, cette frquence, le coecient de rexion du ltre optimis prsente un zro
de rexion , quivalant une radaptation de la structure priodique

f
adapt
. Cette
mthode doptimisation induit alors une lgre dsadaptation de la structure ltrante
basse frquence mais amliore trs nettement ses performances globales.
La gure 3.12 compare alors les paramtres |S
21
| et |S
11
| de la structure priodique avec
le ltre optimis. La seule optimisation des cellules de taprisation permet datteindre,
voire mme de dpasser les objectifs souhaits (selon la longueur lectrique
B
[
B1
;
B2
]
choisie), concernant le taux dondulation admissible dans la bande passante. En eet,
le ltre optimis prsente un taux dondulation sur toute la bande passante infrieur
0,05 dB, conduisant une adaptation dans cette bande meilleure que 20 dB. Par ailleurs,
la pente de la droite de rjection est de 300 dB/dcade, ce qui rpond la pente
dsire, cette valeur tant cependant infrieure la pente de la structure priodique non
taprise ( 350 dB/dcade).
Une mthode de conception simple a t mise en place pour raliser des ltres passe-
bas compacts xes prsentant une large bande rejete. Une tude similaire [147] base
uniquement sur ltude de limpdance caractristique Z
eq
donne des rsultats comparables
aux rsultats prsents ici. Des rsultats de ltres xes raliss en technologie hybride
CPW y sont galement prsents.
1
Rappelons que jusquaux frquences de Bragg respectives de ces deux cellules, limpdance caract-
ristique est uniquement relle.
77
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0
10
20
30
40
50
60
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
u

c
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

r

f
l
e
x
i
o
n

|

i
n
|

d
e
l
a

s
t
r
u
c
t
u
r
e

p

r
i
o
d
i
q
u
e

n
o
n

o
p
t
i
m
i
s

e

e
t

d
u

f
i
l
t
r
e
R
e
(
Z
e
q
)

e
t

R
e
(
Z
e
q
_
t
a
p
)

(

)
Frquence normalise (f / f
B
)
f
adapt
/ f
B
Re(Z
eq
)
Re(Z
eq_tap
)
|
in
| de la
structure priodique
|
in
|
du filtre
Figure 3.11: Impdances caractristiques des cellules centrales Z
eq
et des cellules de
taprisation Z
eq_tap
optimises et coecients de rexion de la structure priodique
avant optimisation et du ltre optimis.
-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Structure priodique (m=4)
Filtre optimis
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
-0,2
-0,1
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Frquence normalise (f / f
B
)
Frquence normalise (f / f
B
)
Figure 3.12: Comparaison des modules |S
21
| et |S
11
| de la structure priodique avec
le ltre optimis.
78
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
3.2 Rsultats de ltres passe-bas accordables en tech-
nologie CPW
A prsent, nous allons prsenter des rsultats de ltres accordables conus partir de
la mthode de conception dcrite au paragraphe 3.1. Laccord de la frquence centrale
des ltres est ralis en remplaant les capacits xes par des varactors semiconducteurs
(voir section 2.2.3.1) prsentant une plage daccord de capacit centre sur la valeur xe
C
v
. En eet, (3.6) montre que la frquence de coupure du ltre, ou plus prcisment la
frquence de Bragg, dpend de la valeur de la capacit C
v
. Ainsi, en commandant C
v
,
on rend accordable la frquence de coupure du ltre passe-bas. Quatre dispositifs ont t
conus et raliss en version accordable (trois ltres hybrides et un ltre MMIC). Comme
expliqu la section 2.2.1, an dviter la propagation des modes impairs le long de la ligne
coplanaire, un varactor doit tre soud de part et dautre du ruban central pour maintenir
la symtrie de la structure. Ainsi, la valeur de la capacit de charge C
v
de chaque cellule
lmentaire correspond la somme des deux capacits identiques prsentes par chacun
des deux varactors situs de part et dautre du conducteur central.
3.2.1 Dispositifs hybrides
3.2.1.1 Prsentation des trois ltres raliss
Les cellules de taprisation latrales utilises pour adapter le ltre dans sa bande pas-
sante sont de types dirents pour chacun des trois ltres hybrides accordables prsents
ici. Les capacits des cellules de taprisation du ltre LPF
1
sont xes, ladaptation dans
la bande nest donc pas commandable. Les capacits de charge des cellules de taprisation
du ltre LPF
2
sont des varactors commands par la mme tension de polarisation que
les varactors des cellules centrales du ltre. Enn, le ltre LPF
3
prsente des cellules de
taprisation charges par des varactors dont la commande en tension est dirente de celle
des varactors des cellules centrales du ltre ; ceci permet ainsi daccorder la frquence de
coupure du ltre tout en adaptant le mieux possible ce ltre dans sa bande passante par
le biais de deux commandes spares.
Les critres retenus lors de loptimisation de ces ltres sont les suivants :
des pertes dinsertion dans la bande passante infrieures 1 dB;
une plage daccord en frquence la plus grande possible avec une adaptation la
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t
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-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
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o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
meilleure possible sur toute la bande passante ;
une largeur de la bande rejete mieux que 25 dB suprieure cinq fois la bande
passante ;
une pente des droites de rjection suprieure 200 dB/dcade.
Sagissant de dmonstrateurs, la frquence de fonctionnement na pas constitu un
critre strict lors de la conception, ce qui explique le dcalage entre les trois frquences
de travail des ltres hybrides raliss.
Les simulations et optimisations de ce type de ltre sont trs simples puisquun simu-
lateur lectrique [170, 171] permet dobtenir des rsultats de simulations et de mesures en
bon accord.
Le substrat utilis pour les trois ltres est le RT-Duroid 5880 dont les paramtres
sont donns dans le tableau 2.1. Limpdance caractristique non charge Z
0
des cellules
lmentaires centrales et de taprisation des trois prototypes est de 170 avec une largeur
du ruban central W = 0, 48 mm pour une largeur des fentes G = 2 mm, conduisant
une permittivit relative eective
reff
= 1, 5 0,5 GHz. Les diodes Schottky M/A-Com
MA4ST1240 pralablement caractrises en polarisation inverse sont les varactors utiliss
ici pour rendre accordable chacun des ltres prototypes raliss. La capacit de jonction de
ces varactors est comprise entre C
min
= 1, 5 pF et C
max
= 8, 6 pF. Les lments parasites
de ces varactors sont une capacit de boitier C
c
= 0, 11 pF, une rsistance srie R
s
= 1, 6
et une inductance srie L
s
= 1, 2 nH. Les capacits C
j
(V) et C
j_tap
(V) donnes dans les
gures suivantes correspondent aux valeurs de capacits de jonction de chaque varactor
pour les cellules lmentaires centrales et pour les cellules de taprisation, respectivement.
Les dimensions des trois prototypes sont donnes dans le tableau 3.1 et une photographie
des ltres est prsente la gure 3.13.
Les mesures de ces dispositifs ont t ralises sur un analyseur vectoriel de rseau
WILTRON 360 avec un calibrage thru-reect-line (TRL).
3.2.1.2 Filtre hybride avec cellules de taprisation xes
Pour ce premier prototype, chaque cellule de taprisation est charge par deux capaci-
ts xes de valeur 4 pF et chaque cellule centrale du ltre est charge par deux varactors
MA4ST1240, chacun en parallle avec une capacit xe de 1 pF permettant dobtenir la
80
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9

Filtre LPF
1
LPF
2
LPF
3

Frquence de coupure moyenne 0,53 GHz 0,48 GHz 0,66 GHz
Longueur physique et lectrique
des cellules de taprisation

36,0 mm /
28,0
31,2 mm /
22
34,0 mm /
33
Longueur physique et lectrique
des cellules centrales

39,4 mm /
30,7
38,7 mm /
27,3
33,0 mm /
32
Longueur physique et lectrique
totale du filtre
150,8 mm /
117,4
139,8 mm /
98,6
134,0 mm /
130

Tableau 3.1: Dimensions longitudinales relatives aux trois ltres passe-bas hybrides
accordables.

(a) : LPF
1
(b) : LPF
2
(c) : LPF
3
Figure 3.13: Photographie des trois ltres hybrides accordables raliss.
plage de variation de capacit optimise lors des simulations. La gure 3.14 prsente les
modules |S
21
| et |S
11
| mesurs en large bande (entre 40 MHz et 10 GHz) du ltre LPF
1
pour les deux accords frquentiels extrmes vriant une adaptation dans la bande pas-
sante meilleure que 13 dB. La bande rejete mieux que 25 dB stend jusqu plus de
20f
c
. Les lobes parasites prsents en thorie sont ici aussi fortement attnus, ce qui est
d aux pertes rsistives des varactors et de la ligne de propagation CPW. Les tensions de
polarisation des varactors sont faibles (<2 V).
La gure 3.15 reprsente les modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls du ltre sur la
bande 40 MHz 1 GHz pour une adaptation dans la bande passante meilleure que 13 dB.
81
t
e
l
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0
0
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2
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3
4
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,

v
e
r
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n

1

-

2

N
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v

2
0
0
9
-80
-60
-40
-20
0
0 2 4 6 8 10
V(C
v
) = 1,28 V
V(C
v
) = 2,00 V
M
o
d
u
l
e
s

d
e

S
2
1

e
t

S
1
1

(
d
B
)
|S
21
|
|S
11
|
Frquence (GHz)
Figure 3.14: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs pour les deux accords frquentiels ex-
trmes de f
c
du ltre LPF
1
vriant une adaptation meilleure que 13 dB.
-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
C
j
(V) = 3,3 pF
C
j
(V) = 4,65 pF
-1
-13
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
Figure 3.15: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls pour les deux accords fr-
quentiels extrmes de f
c
du ltre LPF
1
vriant une adaptation meilleure que 13 dB.
Ce ltre prsente un accord relatif de la bande passante 1 dB autour de 0,53 GHz de
8% (respectivement 3, 5%) pour une adaptation meilleure que 13 dB (respectivement
16 dB). La pente de la droite de rjection de ce ltre est alors de 281 dB/dcade 10%.
Laccord frquentiel est relativement faible. Cependant, la commande en tension unique
pour ce ltre le rend simple en termes de fabrication et dutilisation. Il pourra tre utilis
pour ajuster par exemple avec prcision la frquence de coupure dun ltre xe.
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t
e
l
-
0
0
4
2
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3
4
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,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
3.2.1.3 Filtre hybride avec cellules de taprisation accordables simultan-
ment avec les cellules centrales
Chaque cellule de taprisation de ce second ltre LPF
2
est charge par une paire
de varactors MA4ST1240, chaque cellule centrale tant aussi charge par deux varactors
MA4ST1240, chacun en parallle avec une capacit xe de 1,5 pF an dobtenir un point
de fonctionnement au repos qui soit dirent du point de fonctionnement au repos des va-
ractors de charge des cellules de taprisation. Ici encore une unique tension de polarisation
est ncessaire pour commander simultanment les varactors des cellules de taprisation
et les varactors des cellules centrales du ltre. La gure 3.16 prsente les mesures entre
40 MHz et 10 GHz du ltre LPF
2
pour les deux accords frquentiels extrmes vriant
une adaptation dans la bande passante meilleure que 13 dB.
-80
-60
-40
-20
0
0 2 4 6 8 10
V(C
v
) = 1,19 V
V(C
v
) = 1,87 V
|S
21
|
|S
11
|
M
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d
u
l
e
s

d
e

S
2
1

e
t

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 3.16: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs pour les deux accords frquentiels ex-
trmes de f
c
du ltre LPF
2
vriant une adaptation meilleure que 13 dB.
La gure 3.17 compare les modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls du ltre en
bande troite (entre 40 MHz et 1 GHz) pour la mme adaptation dans la bande pas-
sante (<13 dB).
Ici encore, la bande rejete mieux que 25 dB stend au-del de 20 f
c
. De plus, les
tensions de polarisation des varactors sont faibles (<1,9 V). La plage daccord 1 dB de
f
c
autour de 0, 48 GHz est de 5% (respectivement 1%) pour une adaptation meilleure
que 13 dB (respectivement 16 dB). La pente de la droite de rjection de ce ltre est de
258 dB/dcade 8%. Cette seconde solution ne prsente pas dintrt par rapport au
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t
e
l
-
0
0
4
2
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3
4
9
,

v
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1

-

2

N
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v

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0
0
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-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
C
j
(V) = 3,45pF
C
j
(V) = 4,85pF
Mesures
Simulations
-13
-1
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
Figure 3.17: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls pour les deux accords fr-
quentiels extrmes de f
c
du ltre LPF
2
vriant une adaptation meilleure que 13 dB.
premier ltre LPF
1
mesur. En eet, ici toutes les capacits de charge des cellules lmen-
taires sont des varactors commands en tension, ce qui augmente les pertes dinsertion,
et laccord obtenu de f
c
est moindre.
3.2.1.4 Filtre hybride avec cellules de taprisation accordables indpendam-
ment des cellules centrales
Ce dernier prototype LPF
3
prsente la mme topologie de ltre que le ltre LPF
2
,
chaque cellule de taprisation tant charge par une paire de varactors MA4ST1240 et
chaque cellule centrale tant charge par deux varactors MA4ST1240, chacun en parallle
avec une capacit xe de 1,6 pF. Cependant, pour ce troisime prototype, deux polari-
sations sont utilises, une premire pour commander les varactors des deux cellules de
taprisation en entre et en sortie du ltre et une seconde pour commander les varactors
de charge des cellules centrales. Pour raliser cette double polarisation, les plans de masse
du guide coplanaire sont coups comme le montre la photographie du ltre LPF
3
prsen-
te la gure 3.13, des capacits de liaison tant utilises entre les plans de masse pour
permettre la transmission des frquences RF le long de cette ligne de propagation.
Les mesures en large bande (entre 40 MHz et 10 GHz) du ltre LPF
3
pour les deux
accords frquentiels extrmes vriant une adaptation dans la bande passante meilleure
que 13 dB sont prsents la gure 3.18.
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t
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-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

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2

N
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v

2
0
0
9
-80
-60
-40
-20
0
0 2 4 6 8 10
|S
21
|
|S
11
|
V(C
v
) = 1,34 V & V(C
tap
) = 1,30 V
V(C
v
) = 11,5 V & V(C
tap
) = 3,20 V
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e
s

d
e

S
2
1

e
t

S
1
1

(
d
B
)
Figure 3.18: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs pour les deux accords frquentiels ex-
trmes de f
c
du ltre LPF
3
vriant une adaptation meilleure que 13 dB.
La bande rejete mieux que 25 dB pour ce troisime ltre LPF
3
est moins grande
que pour les ltres LPF
1
et LPF
2
mais elle est tout de mme suprieure 9f
c
, ce qui
est dj trs intressant. Le pic de transmission situ au-dessus de 7 GHz tait prvu par
les simulations, sa position tant lie la valeur de linductance srie prsente par les
varactors.
La gure 3.19 reprsente la plage daccord du ltre LPF
3
pour une adaptation dans
la bande passante meilleure que 13 dB (16 dB, 18 dB, respectivement). Remarquons tout
dabord que, comme dans le cas des deux ltres prcdents, laccord entre mesures et
simulations est bon pour le ltre LPF
3
. Ce dernier, centr autour de 0,66 GHz, prsente
un accord relatif de f
c
1 dB de 24% (17%, 8, 5%, respectivement) pour une
adaptation meilleure que 13 dB (16 dB, 18 dB, respectivement), ce qui amliore nettement
les performances de ces ltres par rapport aux deux premiers prototypes. De plus, la
pente de la droite de rjection est ici de 306 dB/dcade avec une dispersion trs faible
(3, 5%). Ainsi, la double commande en tension permet dobtenir un ltre accordable
avec une pente de rjection bien plus stable que pour les ltres LPF
1
et LPF
2
et avec
un accord de f
c
important mme pour une adaptation exigeante. Ceci navait, notre
connaissance, jusqualors pas t prsent dans le domaine RF/microondes. Enn, les
tensions dalimentation restent raisonnables, <11,5 V pour un accord en bande passante
de 24%, et <5,7 V pour un accord de 8, 5% menant une adaptation dans la bande
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t
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l
-
0
0
4
2
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3
4
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,

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1

-

2

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0
0
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-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
C
j
(V) = 1,05 pF
C
j_tap
(V) = 2,18pF
C
j
(V) = 4,4 pF
C
j_tap
(V) = 4,4 pF
-1
-13
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
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d
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S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
Frquence (GHz)
(a)
-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
C
j
(V) = 3,25 pF
C
j_tap
(V) = 3,6 pF
-16
-1
C
j
(V) = 1,05pF
C
j_tap
(V) = 2,18pF
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
Frquence (GHz)
(b)
-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
C
j
(V) = 1,52 pF
C
j_tap
(V) = 2,5 pF
C
j
(V) = 2,7pF
C
j_tap
(V) = 3,25pF
-1
-18
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(c)
Mesures
Simulations
Figure 3.19: Modules |S
21
| et |S
11
| mesurs et simuls pour les accords frquentiels
extrmes de f
c
du ltre LPF
3
pour une adaptation dans la bande passante meilleure
que (a) 13 dB, (b) 16 dB et (c) 18 dB.
86
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
passante meilleure que 18 dB.
3.2.2 Dispositif MMIC
La conception de ltres microondes intgrs en technologie silicium Bi-CMOS [177,178]
est trs attractive du point de vue de son faible cot et de la compacit des dispositifs
ralisables. Un ltre passe-bas accordable MMIC a ainsi t optimis puis ralis en tech-
nologie Bi-CMOS autour de la frquence de coupure de 4,3 GHz. Les mesures sous pointes
du ltre ont t ralises sur un analyseur vectoriel de rseau ANRITSU 37397 C avec un
calibrage thru-reect-line (TRL).
3.2.2.1 Conception du ltre MMIC
La technologie Bi-CMOS 0,35 m a t utilise pour raliser ce ltre MMIC. Le sub-
strat de silicium utilis, dpaisseur 300 m et de permittivit relative
r
= 11, 9, prsente
une faible rsistivit de 30 .cm. Sur ce substrat, plusieurs niveaux de mtallisation en
aluminium (conductivit
Al
= 38.10
6
S/m) peuvent tre superposs, chacune de ces m-
tallisations tant dpose sur un matriau isolant (dioxyde de silicium SiO
2
de permittivit
relative
rSi0
2
= 4). Dans le cas qui nous intresse ici, seul un niveau de mtallisation est
ncessaire pour la ralisation dune ligne CPW : cest le plus haut niveau daluminium
ralisable dans ce process qui a t utilis. En eet, ce dernier niveau de mtallisation
prsente deux avantages permettant de minimiser les pertes de la ligne. Tout dabord,
lpaisseur de mtallisation de ce dernier niveau est plus importante que celle des niveaux
infrieurs ( t 2, 8 m au lieu de 0, 9 m), ce qui permettra de rduire les pertes
conductrices de la ligne. Par ailleurs, ce niveau de mtallisation est le niveau le plus loi-
gn du substrat Si basse rsistivit (Si BR), une couche disolant SiO
2
dpaisseur 5 m
les sparant. Ainsi, les pertes substrat sont galement minimises : les lignes de champ
pntrent moins en profondeur dans le Si BR.
Les varactors semiconducteurs utiliss pour raliser laccord de la frquence de coupure
du dispositif sont des diodes jonctions prsentant un ratio C
max
/C
min
= 1, 94, avec
C
max
= 700 fF 0 V et C
min
= 360 fF 3 V, pour une surface de 350 m
2
. Leur facteur
de qualit est compris entre 48 (pour C
max
) et 90 (pour C
min
) 2,4 GHz, conduisant
une rsistance srie de lordre de 2 . Linductance srie de ces varactors est considre
87
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
comme nulle.
Ralis en technologie CPW, ce ltre est constitu de seulement deux cellules l-
mentaires dans le but de minimiser les pertes dinsertion et les dimensions du prototype.
An de rduire la longueur du dispositif, la ligne de propagation CPW (avec W = 3 m,
G = 34, 5 m et W
g
= 34, 5 m) a t replie comme le montre la photographie du
ltre prsente la gure 3.20. La surface totale du ltre incluant les quatre varactors
semiconducteurs est denviron 1,35 mm
2
, soit 0, 066
c
0, 023
c
, i.e. 1, 5.10
3

2
c
(avec

c
= 30 mm 4,3 GHz), montrant une forte compacit de la structure.



Filtre passe-bas accordable Thru
Line
Reflect
100 m
Varactors
Figure 3.20: Photographie du ltre passe-bas MMIC accordable avec ses trois l-
ments de calibrage thru, reect et line.
Les simulations ont t ralises laide du logiciel ANSOFT Designer. Pour ce faire,
la ligne CPW replie et les interconnections entre cette ligne et chaque varactor ont t
simules de manire lectromagntique avec le module EM 2,5D. La technologie multi-
couches considre dans ces simulations est la suivante : la ligne CPW dpaisseur 2, 8 m
est dpose sur du SiO
2
dpaisseur 5 m, lui-mme dpos sur le substrat Si BR. Enn,
une couche de passivation (en nitrure de silicium SiN) de 1 m protge la mtallisation.
Les rsultats de simulation EM ont ensuite t rimports dans le module de simulations
lectriques an de simuler le ltre complet.
Les interconnections permettant de relier chaque varactor la ligne CPW prsentent
une inductance srie L
sI
et une rsistance srie R
sI
. La pente de la droite de rjection
du ltre tant dautant plus grande que L
sI
lest aussi, un compromis a t cherch lors
des simulations an de maximiser la pente tout en dgradant le moins possible les pertes
88
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
dinsertion dans la bande passante ainsi que la largeur de la bande rejete mieux que
20 dB. En eet, linductance L
sI
en srie avec la capacit C
v
constitue une impdance
parallle sur la ligne CPW prsentant une rsonance la frquence :
f
r
=
1
2

L
sI
C
v
. (3.30)
Le compromis a consist prendre des interconnections pour chaque varactor ayant
une longueur totale de 300 m, conduisant daprs les simulations L
sI
= 0, 75 nH
et R
sI
= 11 , et permettant dobtenir des pentes de la droite de rjection de lordre
de 130 dB/dcade. Ainsi, les rsistance et inductance sries prsentes par lensemble
(varactor+interconnections) et considres dans ces premires simulations sont R
s
= 13
et L
s
= L
sI
= 0, 75 nH.
Les rsultats de ces simulations sont prsents la gure 3.21. Remarquons que les
frquences de rsonance f
rmin
et f
rmax
, correspondant aux valeurs extrmes de capacit
C
max
= 700 fF et C
min
= 360 fF, sont respectivement gales 6,95 GHz et 9,7 GHz, ce
qui correspond aux deux zros de transmission prsents la gure 3.21.
Les pertes dinsertion du ltre tant importantes, il peut tre judicieux de dnir la
frquence de coupure du ltre comme lintersection de la pente induite par les pertes dans
la bande passante du ltre avec la pente de la droite de rjection. Ainsi, cette frquence de
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 5 10 15 20
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
C
max
=700 fF
C
min
=360 fF
Figure 3.21: Modules |S
21
| et |S
11
| pour les deux valeurs extrmes de capacits des
varactors (avec R
s
= 13 et L
s
= 0, 75 nH) du ltre passe-bas MMIC co-simul
(simulations EM 2,5D puis lectriques).
89
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
coupure simule peut tre dplace entre 3,35 et 4,80 GHz, conduisant une accordabilit
de 18% de la bande passante du ltre. Les pertes dinsertion basse frquence sont de
lordre de 0,6 dB et ladaptation dans la bande passante est meilleure que 14 dB. De plus,
aucun lobe parasite notable napparat en dessous de 20 GHz.
3.2.2.2 Rsultats du ltre ralis
La gure 3.22 prsente les rsultats de mesure du ltre pour une tension de polarisation
des varactors comprise entre 0 et 6 V.
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 5 10 15 20 25 30
0V
1V
3V
6V
Frquence (GHz)
(a)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
0,1 1 10
Frquence (GHz)
(b)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
0V
1V
3V
6V
Figure 3.22: Mesures de |S
21
| et |S
11
| du ltre passe-bas MMIC pour une tension
de polarisation des varactors comprise entre 0 et 6 V : (a) en chelle frquentielle
linaire et (b) en chelle frquentielle logarithmique.
90
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
Les performances de ce premier prototype MMIC sont intressantes bien que direntes
des performances attendues. En eet, alors que les pertes dinsertion mesures dun tel
dispositif sont trs importantes, mme basse frquence (1,5 dB 40 MHz), laccord de la
frquence de coupure est important (19% autour de 4, 3 GHz) et aucun pic de rsonance
napparat en-dessous de 30 GHz. De plus, ladaptation du ltre est meilleure que 14 dB
sur toute la bande passante. La droite de rjection du ltre est quasiment constante sur
toute la plage daccord o elle est comprise entre 91 dB/dcade 0 V et 82 dB/dcade
6 V. Ces pentes de droite de rjection presque identiques sont mises en vidence la
gure 3.22(b) o une chelle frquentielle logarithmique est utilise.
Elles peuvent tre retrouves en simulation pour une inductance srie L
s
= 0, 18 nH,
comme prsent la gure 3.23, avec des valeurs de C
max
et C
min
ajustes qui sont trs
proches des donnes constructeur. Cette valeur dinductance semble plus raliste que la
valeur donne par la simulation EM 2,5D (0, 75 nH) pour une longueur dinterconnection
de 300 m.
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 5 10 15 20
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
6V
330 fF
0V
720 fF
Mesures
Simulations
Figure 3.23: Comparaisons des rsultats de mesure du ltre pour les deux tensions de
polarisation extrmes 0 et 6 V avec les rtro-simulations lectromagntiques du ltre,
linductance srie L
sI
ayant t ajuste an de sapprocher au mieux des mesures
(avec R
s
= 13 et L
s
= 0, 18 nH).
Il est noter qu basse frquence, les pertes de la ligne CPW simule ne sont pas
bien prises en compte par le logiciel de simulations EM 2,5D. Ainsi, an dapprhender
lorigine des pertes du ltre en vue de futures ralisations, des simulations lectriques ont
91
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
t eectues. Ces simulations considrent un modle de ligne CPW sur substrat mono-
couche propos par le simulateur lectrique dADS. Pour ramener notre cas rel multi-
couches au modle CPW mono-couche, la permittivit relative
rSub
=

rSub
i

rSub
et les pertes dilectriques du modle CPW mono-couche ont t ajustes. Ces pertes
dilectriques sont modlises par une tangente de pertes :
tan() =

rSub

rSub
+

Sub
2 f
0

rSub
, (3.31)

Sub
= 1/
Sub
tant la rsistivit eective du substrat multi-couches et
0
la permittivit
du vide. Le modle de lensemble (varactor+interconnections) a lui aussi t an dans
ces simulations. Tous ces paramtres sont prsents dans le tableau 3.2.


C
max
C
min
R
s
L
s

rSub

rSub

Sub

720 fF 330 fF 13 180 pH 0,572 10,4 110 .cm

Tableau 3.2: Paramtres des modles de ligne CPW et de varactor ajusts en simu-
lation lectrique.
La modlisation lectrique obtenue est alors en trs bon accord avec les mesures (voir
gure 3.24), et ce, quelle que soit la tension de polarisation des varactors, de 1 GHz
jusqu plus de 30 GHz. Par ailleurs, les valeurs ralistes obtenues de ces paramtres
permettent de valider cette modlisation, le modle lectrique (varactor+interconnections)
correspondant exactement celui issu des modlisations EM 2,5D de la gure 3.23, les
valeurs de la permittivit complexe correspondant des valeurs gnralement utilises [18].
En outre, la prsence de la couche de SiO
2
(
rSi0
2
= 4) entre les mtallisations et le substrat
de silicium (
rSi
= 11, 9) permet dexpliquer la valeur de

rSub
= 10, 4 obtenue.
Ainsi, cette modlisation lectrique va tre utilise dans le paragraphe suivant pour
quantier lorigine des pertes dinsertion du ltre.
3.2.2.3 Amliorations envisages
Les fortes pertes dinsertion de ce ltre passe-bas doivent tre rduites en vue de son
intgration et utilisation dans des systmes de transmission RF. Pour cela, nous avons
tudi lorigine de ces pertes dans la bande passante qui peuvent tre de trois sortes :
92
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 5 10 15 20 25 30
6V
330 fF
0V
720 fF
Frequence (GHz)
(a)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
-150
-100
-50
0
50
100
150
0 5 10 15 20 25 30
P
h
a
s
e

d
e

S
2
1

(

)
6V
330 fF
0V
720 fF
Mesures
Simulations
|
Frequence (GHz)
(b)
Figure 3.24: Comparaison entre mesures et simulations lectriques du ltre passe-
bas MMIC pour les deux accords extrmes de la bande passante. (a) Modules |S
21
|
et |S
11
| et (b) phase de S
21
.
pertes conductrices de la ligne CPW, pertes dilectriques du substrat Si et rsistance
srie des varactors.
Pour rduire les pertes conductrices, il faut largir le ruban central, et conscutivement
la fente de la ligne CPW an de conserver la mme impdance caractristique de la ligne
non charge. Cependant, llargissement de la fente implique une plus grande pntration
des lignes de champ lectrique dans le substrat Si, ce qui induit une augmentation des
pertes dilectriques. Lutilisation dun substrat silicium haute rsistivit (Si HR) ou SOI
(Silicon on Insulator) peut alors permettre de rduire ces pertes substrat. Enn, les va-
93
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
ractors doivent tre insrs dans la fente de la ligne CPW an de rduire au maximum
les pertes des accs.
Partant de ces considrations et en utilisant les simulations lectriques valides ci-
dessus avec les paramtres donns dans le tableau 3.2, la contribution de chaque source de
perte a t tudie. La capacit de jonction considre pour les varactors est C
j
= C
moy
=
465 fF, valeur conduisant la frquence de coupure moyenne du ltre de 4,3 GHz. La
gure 3.25 prsente les amliorations possibles en considrant des valeurs ralistes pour
les dirents paramtres du ltre, la simulation sim. 1 correspondant la simulation du
ltre mesur :
sim. 2 : la rsistance srie R
s
est considre gale 3 prenant ainsi en compte la
valeur donne par le constructeur +1 . En pratique, cette valeur doit pouvoir tre
approche lorsque les varactors sont insrs dans la fente de la ligne CPW;
sim. 3 : une rsistivit du substrat
Sub
= 4000 .cm au lieu de 110 .cm corres-
pondant un substrat Si HR ou SOI. Linductance des accs est considre nulle
pour des varactors insrs dans la fente de la ligne CPW (R
s
= 3 ) ;
sim. 4 : le ruban central est largi (W = 10 m et G = 95 m, au lieu de W = 3 m
et G = 34, 5 m), limpdance caractristique tant maintenue inchange.
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
2 4 6 8 10 12 14
Sim. 1
Sim. 2
Sim. 3
Sim. 4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frequence (GHz)
Figure 3.25: Amliorations envisageables des performances du ltre passe-bas MMIC
en considrant une faible rsistance srie des varactors, un substrat Si HR, et une
ligne CPW largie pour une capacit des varactors C
moy
= 465 fF.
Ces simulations montrent quen considrant une rsistance srie des varactors de 3
94
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
au lieu de 13 actuellement, les pertes dinsertion sont rduites de 1,9 dB 4,3 GHz
(|S
21
| = 5, 9 dB au lieu de 7, 8 dB). De plus, si lon considre cette faible rsistance
srie des varactors avec un substrat Si HR (
Si
= 4000 .cm), alors les pertes dinsertion
4,3 GHz sont gales 4,6 dB. Enn, en largissant le ruban central (tout en conservant
la mme impdance caractristique) sur un substrat Si HR ou SOI, avec R
s
= 3 , il est
possible de rduire les pertes conductrices, les pertes dinsertion tant alors grandement
rduites (2, 2 dB 4,3 GHz).
3.2.3 Conclusion de ltude
Ce chapitre a montr laccordabilit dune topologie de ltre passe-bas compact base
sur une ligne de propagation priodiquement charge par des capacits parallles. Une
mthode de conception simple de ces ltres a t dveloppe. Dans un premier temps,
trois prototypes RF accordables hybrides ont t raliss. Le bon accord entre simula-
tions lectriques et mesures de ces dispositifs dmontre leur simplicit de conception et de
ralisation. Les performances de ces ltres passe-bas accordables sont intressantes puis-
quelles permettent dobtenir la fois une forte pente de la droite de rjection, une trs
large bande rejete (jusqu plus de 9 fois la frquence de coupure), ainsi quune bonne
adaptation dans la bande passante pour une grande accordabilit de la frquence de cou-
pure. Les faibles dimensions de ces dispositifs sont telles que lutilisation de ces ltres en
technologie intgre parat envisageable. Un premier prototype MMIC a alors t ralis
dans une technologie Bi-CMOS 0,35 m standard. Bien que les pertes dinsertion dun tel
dispositif intgr doivent tre amliores, ses performances sont intressantes en terme de
compacit, mais galement en termes daccord de la frquence de coupure et de largeur
de bande rejete obtenus.
Optimis sur Si HR avec des varactors performants, ce type de dispositif trs compact
pourrait alors tre utilisable dans des systmes de transmission intgrs relativement
basse frquence (< 20 GHz).
95
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
96
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
Chapitre 4
Filtre passe-bande accordable en bande
passante et en frquence centrale
Ce dernier chapitre dveloppe ltude de ltres passe-bande compacts prsentant des
performances intressantes en termes de double accord de la bande passante et de la
frquence centrale. Ces ltres sont constitus de rsonateurs CPW coupls en srie par des
capacits, ltres inspirs de la topologie prsente en [179]. Pour rduire les dimensions des
ltres, dirents types de structures onde lente peuvent tre utilises (par exemple [80,83,
84,9092,143,180,181]). Parmi elles, les lignes de propagation distribues base de MEMS
capacitifs (en anglais Distributed MEMS Transmission Lines : DMTL) sont largement
utilises. Des rsonateurs DMTL coupls en srie [80,83,84,90,91] constituent une solution
intressante non seulement pour rduire les dimensions (en chargeant priodiquement les
rsonateurs par des capacits connectes entre le ruban central et la masse pour obtenir le
comportement onde lente) mais galement pour obtenir laccordabilit de la frquence
centrale du ltre (en remplaant ces capacits xes par des varactors). Pour ce type de
ltre, les publications rcentes montrent un accord de la bande passante soit non contrl,
soit mal contrl [91], conduisant une uctuation non dsire de celle-ci.
Contrairement aux ltres proposs en [80, 84, 90, 91] o chaque rsonateur est charg
par un nombre important de varactors (>6 ou 8), les ltres passe-bande double accord
prsents ici considrent des rsonateurs chargs par deux varactors, comme cela avait
t propos pour la premire fois dans [83], ceci permettant datteindre des dimensions
de rsonateurs faibles en comparaison avec les ltres DMTL proposs jusqualors. Par
ailleurs, les varactors srie (entre chaque rsonateur) et parallles (sur chaque rsonateur)
utiliss dans notre cas sont du type analogiques (varactors semiconducteurs) et permettent
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0
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3
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9
ainsi dobtenir respectivement le double accord continu en bande passante, et en frquence
centrale (f
0
) du ltre passe-bande.
Ce chapitre est organis comme suit. La section 4.1 est ddie ltude thorique de la
structure de ltre passe-bande xe base de rsonateurs onde lente. Cette tude permet
dobtenir une mthode de conception simple base sur ltude dun seul rsonateur. De
faon similaire ce qui a t propos dans le chapitre prcdent, une optimisation des
rsonateurs latraux du ltre sera ncessaire an damliorer ladaptation dans la bande
passante du ltre calcul. Ainsi, quatre critres de conception sont ncessaires : la fr-
quence centrale (f
0
), la bande passante f
3dB
(ou facteur de qualit du ltre Q
L
), la
pente des droites de rjection et limpdance caractristique maximale ralisable dans la
technologie utilise (impdance maximiser pour minimiser la longueur totale du disposi-
tif). Dans la section 4.2, les rsultats de deux ltres sont prsents. Tout dabord, un ltre
passe-bande xe trois ples est conu et mesur, montrant un bon accord entre mesures
et simulations. Une tude de sensibilit portant sur lincertitude des valeurs des capacits
xes utilises est prsente an dvaluer la robustesse de ces ltres. Ensuite, les rsultats
de mesure et de simulation dun ltre passe-bande double accord optimis 0,7 GHz
sont prsents. Ils dmontrent des performances prometteuses en terme de dimensions, de
double accordabilit continue, et de large bande rejete. Enn, la conclusion rsume les
performances de ces ltres passe-bande accordables et propose des amliorations possibles.
4.1 tude thorique du ltre base de rsonateurs
onde lente coupls en srie
Comme pour les deux tudes prcdemment menes, nous considrons des lignes de
propagation sans pertes pour trouver des quations partir desquelles une mthode simple
de synthse peut tre dduite. Ces quations de conception permettent dobtenir une pre-
mire approximation des paramtres du ltre dsir, ladaptation dans la bande passante
devant tre amliore. Ceci est ralis par une optimisation des rsonateurs latraux du
ltre calcul, permettant dobtenir la structure nale du ltre passe-bande dsir en pre-
nant en compte les modles complets des lignes de propagation et des varactors non
idaux.
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0
9
4.1.1 Topologie tudiePrincipe
Les ltres prsents dans ce chapitre reposent sur des rsonateurs onde lente coupls
en srie. La gure 4.1 prsente le schma lectrique dun rsonateur onde lente coupl
en srie en entre/sortie par des varactors srie C
s
.

/ 4

Z
0
/ 4

Z
0
C
p

/ 4

Z
0
/ 4

Z
0
C
p

C
s
C
s

Figure 4.1: Schma lectrique dun rsonateur onde charg en entre/sortie par
des capacits srie C
s
.
Ce rsonateur est constitu dune ligne de propagation haute impdance dimpdance
caractristique Z
0
et de longueur lectrique , priodiquement charge par des capacits
parallles C
p
entre le conducteur central et la masse. Dans cette tude, seulement deux
capacits parallles sont considres sur chaque rsonateur
1
. La longueur lectrique de
la ligne non charge est dnie la frquence f par :
= d =
2 f

reff
c
d (4.1)
o
reff
est la permittivit relative eective de la ligne non charge, d est la longueur
physique de la ligne, et c est la vitesse de propagation de la lumire dans le vide. la
frquence centrale f
0
du ltre, la longueur lectrique quivalente la longueur physique
d est alors appele
0
.
Les gures 4.2 et 4.3 prsentent (respectivement en large bande et en bande troite)
la rponse en frquence de structures ltrantes passe-bande constitues dun nombre m
de rsonateurs identiques onde lente calculs pour un facteur de qualit charg Q
r
des rsonateurs gal 10 avec Z
0
= 170 . C
p
, C
s
et
0
sont dtermines laide des
quations (4.8), (4.9) et (4.11) que nous verrons plus loin. Le facteur de qualit charg Q
r
1
Une tude similaire a t mene sur des ltres considrant uniquement une capacit de charge C
p
sur
chaque rsonateur [182]. Les longueurs physiques de ces rsonateurs sont alors 8 10 fois plus grandes
que les rsonateurs que nous prsentons ici.
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0
0
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3
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0
0
9
du rsonateur est dni par :
Q
r
=
f
0
f
2
f
1
, (4.2)
o f
1
et f
2
correspondent aux limites basse et haute de la premire bande de frquences
dans laquelle Z
eq
est purement relle (voir section 4.1.2), f
0
= (f
1
+f
2
)/2 tant la frquence
moyenne. Le facteur de qualit charg du ltre est dni par :
Q
L
=
f
0
f
3dB
, (4.3)
o f
3dB
est la bande passante 3 dB. Comme le montre la gure 4.3, lorsque le nombre
m de rsonateurs dans la structure ltrante augmente, le facteur de qualit charg Q
L
du
ltre tend vers le facteur de qualit charg Q
r
du rsonateur. Ainsi, lors de la conception
du ltre dsir, on prendra en premire approximation Q
L
= Q
r
.
-50
-25
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
m=1 5
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
0
)
-50
-25
0
2,62 2,64 2,66 2,68 2,7
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
0
)
m = 1 5
Figure 4.2: Exemple de transmission large bande de ltres passe-bande non optimiss
pour un nombre m de rsonateurs identiques compris entre 1 et 6, avec Z
0
= 170
et Q
r
= 10.
De faon similaire la structure priodique passe-bas tudie au chapitre 3, on observe
que :
pour un rsonateur donn (caractris par
0
, C
s
, C
p
, et Z
0
), la pente des droites de
rjection et lattnuation dans la bande interdite augmentent avec le nombre m de
rsonateurs ;
la position de la seconde bande de frquences permises reste xe pour un rsonateur
donn quel que soit m (voir gure 4.2) ;
100
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0
0
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3
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0
0
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-20
-15
-10
-5
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0,9 0,95 1 1,05 1,1
m = 1 5
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
0
)
(a)
-25
-20
-15
-10
-5
0
0,9 0,95 1 1,05 1,1
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence normalise (f / f
0
)
(b)
Figure 4.3: Spectres en transmission et rexion pour un nombre m de rsonateurs
identiques (voir gure 4.2) compris entre 1 et 5, avec Z
0
= 170 et Q
r
= 10. (a)
Module |S
21
|, et (b) Module |S
11
|.
les pics de transmission de la seconde bande de frquences permises prsentent des
facteurs de qualit trs levs (voir zoom gure 4.2) ; ainsi, ils seront fortement
attnus en prsence de pertes mme faibles dans la structure du ltre ;
le nombre de ples de transmission dans la seconde bande de frquences permises
est gal (m1) ;
le taux dondulation dans la bande passante augmente avec m (voir gure 4.3) et
devra tre optimis, notamment pour m > 2.
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0
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0
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4.1.2 Impdance caractristique du rsonateur et dtermination
des critres de conception
En utilisant les matrices ABCD cascadables, limpdance caractristique quivalente
Z
eq
dun rsonateur onde lente coupl peut tre facilement extraite. Notons que le r-
sonateur est considr comme symtrique et rciproque. Limpdance caractristique Z
eq
dun rsonateur onde lente coupl est prsente la gure 4.4 pour trois valeurs (5, 10
et 20) du facteur de qualit du rsonateur charg Q
r
(avec Z
0
= 170 ). Comme expliqu
dans [138], en appliquant la mthode des ondes de Bloch au cas dune structure priodique
constitue dune innit de rsonateurs onde lente coupls en srie, limpdance carac-
tristique Z
eq
correspond limpdance des ondes de Bloch. Ceci permet alors de dduire
les bandes de frquences permises et interdites de la structure innie qui correspondent
aux bandes de frquences pour lesquelles la propagation existe, et celles o elle nest pas
dnie ( [138], [101]), le signal y tant alors rejet. Dans le cas de dispositifs sans pertes,
ces bandes de frquences permises et interdites correspondent alors respectivement aux
plages de frquences pour lesquelles limpdance caractristique Z
eq
est purement relle
ou purement imaginaire.
En pratique, le nombre m de rsonateurs nest pas inni, et les impdances de charge
en entre et sortie de la structure pseudo-priodique sont xes (= Z
c
= 50 ). Cest
pourquoi, pour obtenir un ltre adapt dans la bande passante, Z
eq
doit tre gal ou
proche de 50 . Cette condition peut tre ralise seulement pour f
1
< f < f
2
comme
le montre les gures 4.4 et 4.5. Dpendant de la valeur de Q
r
, les plages de frquences
pour lesquelles Z
eq
est purement relle donnent une bonne estimation de la position des
bandes permises de la structure pseudo-priodique. En eet, on obtient un bon accord
(mme pour m = 2) entre les bandes permises (voir gures 4.2 et 4.5(b)) et les bandes qui
conduisent des valeurs relles de Z
eq
(voir gure 4.4). Pour m = 1, ces considrations ne
sappliquent plus puisque la structure nest plus priodique, et aucun pic de transmission
napparat au-del de f
0
la gure 4.5(a). Plus le facteur de qualit Q
r
sera grand,
plus la seconde bande permise sera troite et rejete en haute frquence, permettant ainsi
dobtenir de larges bandes rejetes sans lobe parasite. En pratique, mme pour des valeurs
de Q
r
faibles (de lordre de 5), de larges bandes rejetes peuvent tre obtenues, le niveau
des lobes parasites tant fortement attnus en prsence de pertes mme faibles des lignes
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0
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50
100
150
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Module ()
Phase ()
Q
r
= 5
f
2
/f
0
f
1
/f
0
M
o
d
u
l
e

(

)

e
t

p
h
a
s
e

(

)

d
e

Z
e
q
Frquence normalise (f / f
0
)
(a)
0
50
100
150
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Q
r
= 10
f
2
/f
0
f
1
/f
0
Frquence normalise (f / f
0
)
(b)
M
o
d
u
l
e

(

)

e
t

p
h
a
s
e

(

)

d
e

Z
e
q
Module ()
Phase ()
0
50
100
150
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Q
r
= 20
f
2
/f
0
f
1
/f
0
M
o
d
u
l
e

(

)

e
t

p
h
a
s
e

(

)

d
e

Z
e
q
Module ()
Phase ()
Frquence normalise (f / f
0
)
(c)
Figure 4.4: Impdance caractristique calcule Z
eq
de trois rsonateurs onde lente
pour : (a) Q
r
= 5, (b) Q
r
= 10, et (c) Q
r
= 20 (avec Z
0
= 170 ).
de propagation ou des varactors utiliss (voir section 4.2.1).
La gure 4.6 prsente le phnomne donde lente dun rsonateur type (Q
r
= 10 et
Z
0
= 170 ),
L
tant la longueur lectrique du rsonateur onde lente charg par les
capacits parallles C
p
(sans considrer les capacits de couplage C
s
en entre/sortie du
rsonateur). La gure 4.6 montre que la longueur lectrique du rsonateur onde lente est
f
2
. Ainsi, ces rsonateurs onde lente constituent des rsonateurs demi-onde coupls
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0
0
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2
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3
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s
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2

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2
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0
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-50
-40
-30
-20
-10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Q
r
= 5
Q
r
= 10
Q
r
= 20
Frquence normalise (f / f
0
)
(a)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Frquence normalise (f / f
0
)
(b)
Q
r
= 5
Q
r
= 10
Q
r
= 20
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
Figure 4.5: Module de S
21
correspondant aux trois Q
r
(5, 10 et 20) de la gure 4.4 :
(a) des rsonateurs onde lente et (b) des ltres constitus de deux rsonateurs
onde lente.
0
5
10
15
20
0 0,5 1 1,5

L
/

L
f
2
/f
0
Frquence normalise (f / f
0
)

L

(
r
a
d
)

e
t

r
a
t
i
o

L

/

Figure 4.6: Longueur lectrique


L
du rsonateur onde lente (calcul pour Q
r
= 10
et Z
0
= 170 ). Le ratio
L
/ dmontre le phnomne donde lente.
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0
0
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,

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2

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2
0
0
9
en entre/sortie par des capacits C
s
. Le phnomne donde lente est clairement dmontr,
le ratio
L
/
0
entre la longueur lectrique du rsonateur onde lente et celle du rsonateur
non charg tant denviron 15 f
0
soit
0
/30. Ceci signie que la longueur physique totale
dun ltre constitu de tels rsonateurs onde lente est environ 15 fois plus petite que
celle du ltre quivalent bas sur des rsonateurs demi-onde non chargs [179]. Pour des
rsonateurs onde lente prsentant des Q
r
de 5 et 20 (avec Z
0
= 170 ), les ratios
L
/
0
correspondant sont de 8 et 28.
4.1.3 Critres de conception
4.1.3.1 Capacits de charge C
p
et C
s
du rsonateur onde lente coupl
Des rgles de conception et relations vont prsent tre dveloppes. Dans ce but,
rsolvons les deux quations correspondant aux limites de la premire bande permise,
appele prsent bande passante du ltre :
Re(Z
eq
) = 0 la frquence f = f
1
;
Re(Z
eq
) = la frquence f = f
2
.
La solution de Re(Z
eq
) = conduit deux solutions pour C
p
de signes opposs dont
la solution positive est :
C
p
=
cotan(
2
/2)
f
2
Z
0
, (4.4)
avec =
2
f = f
2
. Cette quation montre que C
p
dpend uniquement de la frquence f
2
et pas de f
1
. De faon similaire, la solution de Re(Z
eq
) = 0 f = f
1
donne deux solutions
pour C
s
. La solution positive est :
C
s
=
f
2
cos(
1
/2) f
1
cotan(
2
/2) sin(
1
/2)
2 f
1
Z
0
_
f
2
sin(
1
/2) 2 f
1
cotan(
2
/2) sin
2
(
1
/4)
_, (4.5)
avec =
1
f = f
1
. Cette quation montre que C
s
est li aux deux frquences f
1
et f
2
de manire non triviale.
De faon similaire ce qui a t propos au chapitre 3, considrons des longueurs
lectriques, frquences normalises et susceptances an de saranchir des dimensions
physiques du dispositif et du choix de la frquence centrale du ltre. Dnissons les sus-
ceptances B
p
et B
s
des capacits C
p
et C
s
, respectivement, la frquence f
0
:
B
p
= 2 f
0
C
p
, (4.6)
105
t
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0
0
4
2
9
3
4
9
,

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r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
et
B
s
= 2 f
0
C
s
. (4.7)
Des relations (4.2), (4.4) et (4.5), nous dduisons des quations de B
p
et B
s
ne dpen-
dant que des paramtres Q
r
,
0
et Z
0
:
B
p
=
4 Q
r
cotan
_
2 Q
r
+1
4 Q
r

0
_
(2 Q
r
+ 1) Z
0
, (4.8)
et
B
s
=
Q
r
cosec
_
2 Q
r
1
8 Q
r

0
_ _
sin (
0
) + 2 Q
r
sin
_

0
2 Q
r
__
(2 Q
r
1) Z
0
_
2 Q
r
sin
_
2 Q
r
+3
8 Q
r

0
_
+ sin
_
6 Q
r
+1
8 Q
r

0
__. (4.9)
4.1.3.2 Longueur lectrique optimale du rsonateur
Ltape suivante consiste alors dterminer lexpression de
0
. Une mthode adapte
consiste calculer le dveloppement en srie de Fourier de Z
eq
au premier ordre autour
de
0
= 0 :
Z
eq
=
Z
0

0
128
e
f Q
3
r

(
1+2
(
e
f1
)
Q
r)(
1+2
(
e
f+1
)
Q
r)

1+8 Q
r

2+Q
r

1+2 Q
r

42
(
e
f
)
2
+Q
r

1+4 Q
r

1+

1
(
e
f
)
2

Q
r

1+8 Q
r

2+Q
r

7+2 Q
r

42
(
e
f
)
2
+Q
r

1
(4.10)
o

f = f/f
0
reprsente la frquence normalise par rapport la frquence centrale du
ltre. La formule (4.10) est valable en pratique pour
0
< 30. En imposant la condition
Z
eq
= 50 la frquence de travail f
0
, ce qui correspond la condition dadaptation,
une expression simple de
0
peut tre obtenue, expression dautant plus prcise que Q
r
est lev :

0

400
Q
r
Z
0
_
1
7
4 Q
r
+
65
32 Q
2
r
_
. (4.11)
Plus Q
r
est grand, plus la valeur de
0
doit tre petite pour satisfaire la condition dadap-
tation. Par ailleurs, pour minimiser la longueur lectrique du rsonateur onde lente,
limpdance caractristique Z
0
de la ligne de propagation non charge doit tre aussi
grande que possible, cest donc une limite technologique (impdance caractristique maxi-
male ralisable dans une technologie donne) qui dterminera la longueur lectrique
0
minimale.
4.1.3.3 Abaques de conception
A prsent, des abaques permettant de dcrire la dpendance des paramtres C
p
et
C
s
par rapport
0
, Z
0
, et Q
r
vont tre prsents. La gure 4.7 montre comment les
106
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

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1

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2

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2
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0
9
susceptances B
p
et B
s
varient avec la longueur lectrique
0
( f
0
) pour des facteurs de
qualit chargs du rsonateur compris entre 5 et 20, avec Z
0
variant entre 110 et 170 .
La gure 4.7 montre que B
p
et B
s
prsentent le mme type de dpendance par rapport

0
. Pour une frquence centrale f
0
donne, plus
0
est petit, plus C
p
et C
s
doivent tre
grands pour obtenir des rsonateurs onde lente coupls f
0
. Par ailleurs, pour obtenir
un rsonateur onde lente coupl adapt 50 la frquence f
0
:
pour un Z
0
donn, plus Q
r
est grand, plus
0
doit tre petit ;
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
5 10 15 20 25 30 35
Z
0
= 170
Z
0
= 110
Z
0
= 140
Q
r
= 5
Q
r
= 10
Q
r
= 20
Z
eq
= 50 f
0
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B
p

(
S
i
e
m
e
n
s
)
Longueur lectrique du rsonateur onde lente non charg
0
()
(a)
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
5 10 15 20 25 30 35
Z
0
= 170
Z
0
= 140
Z
0
= 110
Z
eq
=50 f
0
Q
r
= 20
Q
r
= 5
Q
r
= 10
S
u
s
c
e
p
t
a
n
c
e

B
s

(
S
i
e
m
e
n
s
)
Longueur lectrique du rsonateur onde lente non charg
0
()
(b)
Figure 4.7: Dpendance de (a) B
p
et (b) B
s
en fonction de la longueur lectrique
0
du rsonateur onde lente non charg, la frquence f
0
.
107
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
pour un Q
r
donn, plus Z
0
est grand, plus
0
doit tre petit ;
pour un Q
r
donn, quel que soit Z
0
, les capacits C
p
et C
s
restent peu prs
constantes.
Remarquons par ailleurs que cette tude thorique montre que la longueur lectrique

0
dun rsonateur non charg est infrieure 30pour un facteur de qualit Q
r
> 5 et
une impdance caractristique Z
0
comprise entre 110 et 170 . Ainsi, une modlisation
en lments localiss plutt que semi-rpartie du rsonateur onde lente pourrait tre
ralise, modlisation approximant chaque tronon de ligne par une inductance srie. Les
rsultats de cette seconde modlisation permettrait alors dobtenir les mmes rsultats
que prcdemment en bande troite. Cependant, cette modlisation aurait prsent un
inconvnient au niveau de ltude large bande du rsonateur. En eet, les longueurs des
tronons de ligne de propagation ntant alors plus trs faibles devant la longueur donde,
lapproximation des tronons de ligne par des inductances srie ne permettrait pas de
prdire correctement le comportement de la structure en haute frquence.
La gure 4.8 prsente la pente des droites de rjection du ltre, calcule entre 3 dB
et 30 dB, en fonction du nombre m de rsonateurs onde lente coupls constituant le
ltre, pour Q
r
= 5, 10 et 20 avec Z
0
= 170 . Pour un ltre donn, la gure 4.8 montre
que les droites des pentes de rjection au-dessous et au-dessus de la frquence centrale f
0
sont similaires. Dautre part, pour un nombre m donn de rsonateurs, ces pentes sont
dautant plus grandes que le facteur de qualit Q
r
est grand.
4.1.4 Mthode de conception applique
La mthode propose ici pour concevoir des ltres passe-bande rsonateurs onde
lente coupls en srie est constitue de deux tapes.
Dans un premier temps, partir du gabarit de ltre dsir (pente des droites de
rjection, facteur de qualit Q
L
considr gal Q
r
, et frquence centrale f
0
), et pour une
impdance caractristique maximale ralisable Z
0
dans une technologie donne, on peut
dterminer :
le nombre m de rsonateurs ncessaires (voir gure 4.8) ;
la longueur lectrique
0
des rsonateurs onde lente donne par lquation (4.11) ;
108
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
10
100
1000
10
4
1 2 3 4 5 6
P
e
n
t
e
s

d
e
s

d
r
o
i
t
e
s

d
e

r

j
e
c
t
i
o
n

(
d
B
/
d

c
a
d
e
)
Nombre m de rsonateurs coupls onde lente
Au-dessous de f
0
Au-dessus de f
0
Q
r
= 5
Q
r
= 10
Q
r
= 20
Figure 4.8: Pente des droites de rjection de ltres rsonateurs onde lente coupls
en srie identiques, pour des facteurs de qualit Q
r
compris entre 5 et 20, avec
Z
0
= 170 .
les valeurs des capacits C
p
et C
s
laide des quations (4.8) et (4.9).
Dans un second temps, pour amliorer ladaptation dans la bande passante du ltre, les
paramtres
0
, C
p
et C
s
des rsonateurs latraux doivent tre modis, de faon similaire
ce qui a t propos au chapitre prcdent (sec. 3.1.6) pour les ltres passe-bas (voir
galement [139]). Cette optimisation a t ralise ici laide du logiciel ADS [171], les
pertes des lignes de propagation ainsi que les modles lectriques complets des capacits
tant considrs dans cette seconde tape.
En version accordable, cette topologie de ltre semble bien adapte galement. En
eet, les frquences de coupure du ltre passe-bande sont dpendantes des capacits C
s
et C
p
, la frquence de coupure haute dpendant uniquement de C
p
et la frquence de
coupure basse dpendant des deux capacits. Ainsi, en remplaant les capacits xes par
des varactors, cela permet de concevoir des ltres passe-bande accordables double accord
en bande passante et frquence centrale.
4.2 Rsultats de ltres passe-bande
Les deux ltres raliss en technologie CPW prsents dans cette section ont t fabri-
qus sur un substrat Rogers RO4003 dont les paramtres sont donns dans le tableau 4.1.
109
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9


Substrat Rogers RO4003
Permittivit relative
r
3,38
Pertes dilectriques tan() 0,0035
Epaisseur h du substrat 0,813 mm
Epaisseur t de la mtallisation 35 m

Tableau 4.1: Paramtres du substrat Rogers RO4003.
Ici encore, pour viter la propagation de modes impairs, les capacits parallles doivent
tre soudes par paires, une capacit de chaque ct du conducteur central, an de main-
tenir la symtrie. Ceci signie que la valeur de chaque capacit parallle C

p
doit tre gale
C
p
/2.
4.2.1 Filtre hybride xe
Le but de cette premire ralisation tait de valider ltude thorique prsente ci-
dessus et de dmontrer sa faisabilit dans le domaine microonde en version xe hybride.
4.2.1.1 Conception du ltre trois ples
Un ltre xe constitu de trois rsonateurs onde lente coupls a t optimis pour une
frquence centrale de 0,7 GHz avec un facteur de qualit du ltre Q
L
= 5. Une photogra-
phie de ce ltre xe est prsente la gure 4.9. Les longueurs lectriques correspondant
aux longueurs physiques d
1
et d
2
sont 32, 4et 30, 9, respectivement. La surface totale du
ltre est 16 cm
2
, soit 14.10
3

2
0
, o
0
340 mm est la longueur donde guide f
0
.
Les capacits CMS utilises sont des capacits American Technical Ceramics ATC 600-S.
Elles prsentent une faible rsistance srie de 0,15 et une inductance srie de 0,8 nH. La
tolrance de ces capacits est comprise entre 3, 5% et 5% pour les valeurs de capaci-
ts utilises ici. Limpdance caractristique des rsonateurs non chargs est Z
0
= 110
avec W
0
= 2, 35 mm, G
0
= 2 mm et W
g
= 5 mm, conduisant une permittivit relative
eective
reff
1, 6 0,7 GHz.
Une tude de sensibilit a t mene sur le gabarit du ltre en fonction de linuence
de la tolrance des capacits. Pour cela, une analyse de Monte Carlo considrant une
incertitude de 5% sur la valeur des capacits montre cette inuence sur les modules
en transmission et rexion du ltre xe. La gure 4.10(a) considre une incertitude
110
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9

d
1
= 30,6 mm d
1
= 30,6 mm d
2
= 29,2 mm
C
s1
= 10 pF C
s1
= 10 pF C
s2
= 3 pF C
s2
= 3 pF
C
p
= 5,6 pF C
p
= 5,6 pF C
p
= 5,6 pF
Figure 4.9: Photographie du ltre xe optimis 0,7 GHz constitu de trois rsona-
teurs onde lente coupls.
indpendante de 5% sur la valeur de chacune des 16 capacits du circuit. Ce cas nest
pas forcment trs raliste. En eet, lorsquun constructeur donne une certaine incertitude,
cela signie quil garantit leur valeur dans cet intervalle ; mais, tant issues dun mme lot
de fabrication, ces capacits prsentent une faible dispersion des valeurs de capacit (de
lordre de 2 3%). Ainsi, la gure 4.10(b) plus raliste considre une incertitude de 5%
commune pour toutes les capacits srie dune part, et pour toutes les capacits parallles
dautre part.
Dans les deux cas, la frquence centrale ne prsente pas une dpendance critique par
rapport lincertitude des valeurs de capacits. En eet, une tolrance de 5% induit
une variation de la frquence centrale infrieure 1, 5% dans le cas (a) (et 3% dans
le cas (b)). Par contre, la largeur de la bande passante peut prsenter une variation de
13% dans le cas (a) trs dfavorable. Dans le cas (b) plus raliste, cette variation de la
bande passante est infrieure 3%. Enn, ladaptation la frquence centrale du ltre
est toujours meilleure que (a) 17 dB et (b) 24 dB. Pour valider cette tude de Monte
Carlo, les rsultats dun ltre xe vont tre prsents.
4.2.1.2 Rsultats du ltre ralis
Les mesures du ltre ont t ralises laide dun analyseur vectoriel de rseau WIL-
TRON 360 en utilisant la mthode de calibrage OSTL (Open-Short-Thru-Load). La -
gure 4.11 compare les mesures et simulations du ltre xe ralis. Les mesures et simu-
lations sont en bon accord. Les pertes dinsertion et ladaptation la frquence centrale
sont respectivement de 0,6 dB et 24 dB. Le facteur de qualit Q
L
du ltre est de 5, 15, ce
111
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(a)





-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(b)
Figure 4.10: tude de sensibilit par analyse de Monte Carlo de lincertitude des
capacits xes sur le gabarit du ltre en transmission et en rexion. (a) Pire cas :
incertitude indpendante (de 5%) pour chaque capacit du circuit et (b) cas plus
raliste : incertitude commune (de 5%) pour chaque type de capacits (issues dun
mme lot).
qui est proche de la valeur initialement souhaite. Les pentes des droites de rjection basse
et haute du ltre sont de 211 dB/dcade et de 360 dB/dcade, ce qui donne un facteur
de forme F
s
= 0, 316. Un pic de rsonance est prsent environ 1, 8 f
0
, de transmission
maximale |S
21
| = 16, 7 dB 1,24 GHz, et de largeur 20 dB gale 10 MHz. Ce
pic de transmission correspond la seconde bande passante permise, o Z
eq
est relle,
112
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
-40
-30
-20
-10
0
-40
-30
-20
-10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
Frquence (GHz)
Figure 4.11: Comparaison entre mesures et simulations des modules |S
21
| et |S
11
|
du ltre xe trois ples.
(voir gure 4.4(a)). Ce lobe parasite apparat une frquence plus faible quattendu en
thorie avec des capacits idales. Ceci est d linductance srie parasite prsente par
les capacits. Les mesures du ltre en large bande de la gure 4.12 montrent une large
bande rejete mieux que 20 dB (en occultant le lobe secondaire 1, 8 f
0
) qui stend
jusqu 7 GHz (i.e. 10 f
0
).
-50
-40
-30
-20
-10
0
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 2 4 6 8 10 12
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Mesures
Simulations
Frquence (GHz)
Figure 4.12: Mesures en large bande du ltre xe trois ples.
113
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9


Type de varactor C
max
C
min
R
s
L
s
C
c

MA46H071 (case 1088) 2,25 pF 0,4 pF 0,7 1,5 nH 0,15 pF
MA4ST1240 (case SOD-323) 8,4 pF 2,2 pF 1,6 1,2 nH 0,11 pF

Tableau 4.2: Paramtres des modles lectriques des diodes Schottky M/A-Com
MA46H071 et MA4ST1240 en polarisation inverse.
4.2.2 Filtre passe-bande hybride accordable en frquence centrale
et en bande passante
Nous allons prsent dmontrer laccord en frquence centrale et en bande passante
des ltres proposs dans ce chapitre. Un premier prototype non optimal (notamment en
terme de dimensions) et prsentant un accord de la bande passante de 50 78 MHz pour
une plage daccord de f
0
de 18% autour de 0,7 GHz a t prsent [162] et publi [183].
Le prototype prsent ici a t optimis an de rduire les dimensions du ltre, et dobtenir
des performances en terme daccordabilit au moins gales celles du premier prototype.
4.2.2.1 Conception du ltre deux ples double accord
La frquence moyenne centrale du ltre double accord ralis ici est de 0,7 GHz. Il est
constitu de deux rsonateurs onde lente coupls identiques. Limpdance caractristique
des rsonateurs non chargs est Z
0
= 170 avec W
0
= 0, 3 mm, G
0
= 2 mm et W
g
=
5 mm, conduisant une permittivit relative eective
reff
1, 8 0,7 GHz. Les longueurs
physiques et lectriques d
0
et
0
des rsonateurs sont 20, 8 mm et 23, 6, respectivement.
La surface totale du ltre est 7, 3 cm
2
, cest--dire 7, 3.10
3

2
0
, o
0
317 mm
f
0
. Les diodes M/A-Com MA46H071 et MA4ST1240 pralablement caractrises en
polarisation inverse ont t utilises pour raliser les varactors srie C
s
et parallles C

p
,
respectivement. Les valeurs des paramtres des modles de ces deux varactors sont donnes
dans le tableau 4.2, les valeurs C
max
et C
min
correspondant aux valeurs maximales et
minimales des capacits de jonction C
j
(V ) utilises en simulation. Une photographie du
ltre accordable ainsi que son circuit de polarisation associ sont prsents la gure 4.9.
An de raliser les deux rsonateurs identiques, les varactors srie latraux C
s
sont
114
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9

(a)




Port 1
VNA
15 k 15 k
15 k
15 k
470 nF 470 nF
V
3s
V
p1
V
p2
15 k
Port 2
VNA
HF HF
(b)
C
p

C
p

C
p

C
p

C
p

C
p

C
p

C
p

C
s
C
s
/2 C
s

Figure 4.13: Filtre double accord optimis 0,7 GHz constitu de deux rsonateurs
onde lente : (a) photographie et (b) circuit et schma de polarisation des varactors.
constitus de deux diodes en parallle alors que le varactor srie central C
s
/2 est ra-
lis avec une seule diode. Trois tensions de polarisation sont ncessaires pour raliser le
double accord du ltre. La tension V
3s
est utilise pour polariser les trois diodes srie par
le biais dun diviseur de tension constitu de trois rsistances de 15 k. Deux autres r-
sistances de valeurs identiques (en srie avec des ls prsentant une inductance de lordre
de 50 nH) sont utilises pour acheminer ces tensions polarisant les varactors srie. La
tension aux bornes de ces deux rsistances est trs faible (et donc considre nulle), le
courant y passant tant gal au courant inverse passant dans les varactors (<100 nA
max.). Par ailleurs, les deux rsonateurs tant identiques, les tensions de polarisation des
115
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
varactors parallles doivent ltre aussi (V
p1
=V
p2
=V
p
). Pour cela, les plans de masse ont
t coups, des capacits de liaison tant utilises et soudes sur le bord le plus proche
du ruban central (l o le champ lectrique est maximal) pour transmettre uniquement
les signaux hyperfrquences. Enn, deux capacits de dcouplage (de valeur 470 nF) sont
utilises pour stabiliser les alimentations et empcher le retour de signaux HF vers les
alimentations.
4.2.2.2 Rsultats du ltre ralis
Les mesures de ce ltre double accord ont t ralises sur un analyseur vectoriel de
rseau WILTRON 360 avec un calibrage thru-reect-line (TRL).
La gure 4.14 prsente laccord de f
0
pour des bandes passantes de 50 et 100 MHz.
Pour une bande passante de 50 MHz, la frquence centrale accordable obtenue est f
0
=
0, 7 GHz 24, 5% avec des pertes dinsertion comprises entre 4,8 et 5,4 dB et une adap-
tation >11 dB. Pour une bande passante de 100 MHz, f
0
= 0, 81 GHz 21, 5% avec des
pertes dinsertion <3,4 dB et une adaptation >12,5 dB. Ainsi, la plage daccord de f
0
permettant dobtenir une bande passante comprise entre 50 et 100 MHz est de 15%
autour de 0,7 GHz. De plus, pour ces deux bandes passantes, ladaptation est meilleure
que 15 dB sur plus de la moiti de la plage daccord couverte par f
0
. La gure 4.14(c)
montre que pour une bande passante infrieure 200 MHz, aucun pic de transmission
damplitude suprieure 20 dB napparat jusqu 10 GHz (i.e. > 10 f
0
). Par ailleurs,
pour des tensions de polarisation des varactors direntes, la transmission du ltre en
large bande est peu modie au-dessus de 2 f
0
.
La gure 4.15 prsente laccord de la bande passante du ltre pour une tension de
polarisation des capacits parallles xe V
p
= 2, 4 V. Ces mesures corroborent lquation
(4.4) puisqu capacit C
p
constante, la frquence de coupure haute mesure nest que peu
modie. Les pertes dinsertion la frquence centrale sont comprises entre 1,2 et 4,7 dB
pour une adaptation la frquence centrale meilleure que 11 dB. La variation de la bande
passante obtenue est f
max
/f
min
= 4, 4. Cet accord de la bande passante rend ce ltre
comptitif avec dautres ltres accordables uniquement en bande passante tel que celui
prsent dans [128] o f
max
/f
min
3. Enn, laccord de la bande passante est obtenu
ici en modiant uniquement la tension de polarisation des varactors srie, la variation de
116
t
e
l
-
0
0
4
2
9
3
4
9
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2

N
o
v

2
0
0
9
-40
-30
-20
-10
0
-20
-15
-10
-5
0
0 0,5 1 1,5 2
M
o
d
u
l
e

d
e

S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(a)
V(C
p
)=1,8 V, V(C
3s
)=16 V
V(C
p
)=0 V, V(C
3s
)=0 V
V(C
p
)=0,75 V, V(C
3s
)=4 V
V(C
p
)=1,2 V, V(C
3s
)=8 V
V(C
p
)=2,1 V, V(C
3s
)=20 V
-40
-30
-20
-10
0
-20
-15
-10
-5
0
0 0,5 1 1,5 2
M
o
d
u
l
e

d
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S
2
1

(
d
B
)
M
o
d
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l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(b)
V(C
p
)=0,85 V, V(C
3s
)=0 V
V(C
p
)=3,35 V, V(C
3s
)=20 V
V(C
p
)=1,5 V, V(C
3s
)=4 V
V(C
p
)=2 V, V(C
3s
)=8 V
V(C
p
)=2,95 V, V(C
3s
)=16 V
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 2 4 6 8 10
M
o
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d
e

S
2
1

(
d
B
)
Plage d'accord du filtre
Premier pic de rsonance :
< -20 dB pour une BP<200MHz
Frquence (GHz)
(c)
|
Figure 4.14: Accord de la frquence centrale du ltre passe-bande double accord
pour une bande passante de (a) 50 MHz et (b) 100 MHz. (c) Performances
du ltre en large bande pour plusieurs tensions de polarisation et pour une bande
passante <200 MHz.
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-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
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-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 0,5 1 1,5 2
M
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(
d
B
)
M
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1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
V(C
3s
)=0 V
V(C
3s
)=4 V
V(C
3s
)=8 V
V(C
3s
)=16 V
V(C
3s
)=20 V
Figure 4.15: Accord de la bande passante du ltre passe-bande double accord pour
une tension de polarisation des capacits parallles xe V
p
= 2, 4 V.
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
Frquence centrale (GHz)
RL>20 dB
RL>17 dB
RL>14 dB
RL>11 dB
RL>9 dB
IL=6 dB
IL=5 dB
IL=4 dB
IL=2 dB
B
a
n
d
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p
a
s
s
a
n
t
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o
b
t
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n
u
e

(
G
H
z
)
IL=3 dB
Figure 4.16: Bande passante obtenue sur toute la plage daccord de la frquence
centrale du ltre double accord.
la frquence centrale pour cet accord de f
3dB
tant de 5, 5%.
La gure 4.16 synthtise la gamme des bandes passantes obtenue en fonction de la plage
daccord de la frquence centrale du ltre. Des courbes de niveaux permettent de donner
les pertes dinsertion IL la frquence centrale du ltre accordable ; ladaptation du
ltre RL y est galement prcise. Notons tout dabord que lorsque la bande passante est
suprieure 200 MHz, alors la seconde bande permise prsente une attnuation infrieure
20 dB, comme cela est galement prsent la gure 4.15. Par ailleurs, les pertes
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dinsertion sont dautant plus faibles que la bande passante est grande, ladaptation dans
la bande passante tant alors dautant meilleure.
An de montrer le bon accord entre mesures et simulations, la gure 4.17 compare les
modules |S
21
| et |S
11
| du ltre pour plusieurs accords obtenus. Quelle que soit la plage
daccord dsire, les simulations sont proches des mesures sur une large gamme de fr-
quences. En eet, du point de vue frquentiel, les bandes passantes et frquences centrales
attendues en simulation ont t obtenues en mesure. De plus, quel que soit laccord (f
0
,
f
3dB
) donn, les pertes dinsertion simules et mesures la frquence centrale corres-
pondent mieux que 0,7 dB prs sur toute la plage daccord. Par ailleurs, le second pic de
transmission prvu par la thorie et observ en mesure (voir gure 4.17(a)) concorde avec
les simulations bien que le spectre mesur du ltre soit perturb au-del de 1,2 GHz. Cette
perturbation du gabarit du ltre, situe au-del de la plage daccord en bande passante
et frquence centrale attendue, na pas t tudie de faon approfondie ici. Cependant,
des perturbations avaient dj t observes sur un premier prototype (voir [183]), pertur-
bations lies lamene des polarisations des varactors. En eet, les composants utiliss
pour amener la polarisation continue sur les varactors parallles (rsistances classiques +
ls inductifs) doivent prsenter des eets parasite, induisant ainsi des rsonances non
prvues au niveau de la transmission du ltre.
4.2.2.3 Contribution des pertes varactors et CPW aux pertes totales du ltre
Une tude montrant la prdominance des pertes des varactors sur les pertes dinsertion
globales du ltre est prsente la gure 4.18 pour une frquence centrale f
0
= 0, 82 GHz
et une bande passante de 100 MHz (C
p
= 3, 14 pF et C
s
= 0, 91 pF). Ladaptation
pour cette mesure tant suprieure 20 dB, les pertes dinsertion la frquence centrale
correspondent uniquement aux pertes de la ligne CPW et des varactors. La simulation
sim. 1 correspond la simulation du ltre actuel o la rsistance srie des varactors srie
R
ss
= 0, 7 et la rsistance srie des varactors parallles R
sp
= 1, 6 : les pertes din-
sertion sont alors de 2,84 dB. valuons tout dabord les pertes dinsertion prsentes par
la ligne CPW. Pour cela, la simulation sim. 2 considre des pertes nulles des varactors
R
ss
= R
sp
= 0 ; les pertes dinsertion prsentes par la ligne CPW sont alors de 0,5 dB.
La simulation sim. 3 o R
ss
= 0 et R
sp
= 1, 6 montre que les pertes prsentes par
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0
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0
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-15
-10
-5
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
M
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S
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1

(
d
B
)
M
o
d
u
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S
1
1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(a)
C
p
=8,39 pF,
C
s
=2,31 pF
C
p
=4,48 pF, C
s
=0,95 pF
C
p
=3,08 pF, C
s
=0,53 pF
Mesures
Simulations
-40
-30
-20
-10
0
-20
-15
-10
-5
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
M
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S
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1

(
d
B
)
M
o
d
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1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(b)
Mesures
Simulations
C
p
=2,2 pF, C
s
=0,51 pF
C
p
=5,38 pF, C
s
=2,21 pF
C
p
=3,14 pF,
C
s
=0,91 pF
-40
-30
-20
-10
0
-30
-20
-10
0
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
M
o
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u
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e

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1

(
d
B
)
M
o
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S
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1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
(c)
C
s
=2,23 pF
C
s
=0,95 pF
C
s
=0,51 pF
Mesures
Simulations
Figure 4.17: Comparaison entre mesures et simulations des modules |S
21
| et |S
11
| du
ltre double accord (a) en frquence centrale pour une bande passante de 50 MHz,
(b) en frquence centrale pour une bande passante de 100 MHz, et (c) en bande
passante (avec V
p
= 2, 4 V, soit C
p
= 2, 71 pF).
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les varactors srie ont une faible inuence sur les pertes dinsertion qui sont amliores
seulement de 0,1 dB par rapport la simulation sim. 1. linverse, pour la simulation
sim. 3 considrant des rsistances srie R
ss
= R
sp
= 0, 7 (valeurs ralistes correspon-
dant la rsistance srie des varactors MA46H071), les pertes dinsertion sont nettement
amliores (1,6 dB au lieu de 2,8 dB). Ainsi, cette tude montre que la rsistance srie des
varactors parallles a un impact prdominant sur les pertes dinsertion totales du ltre.
-10
-8
-6
-4
-2
0
-25
-20
-15
-10
-5
0
0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
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)
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S
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1

(
d
B
)
Frquence (GHz)
R
ss
=0,7 , R
sp
=1,6
R
ss
=0,7 , R
sp
=0,7
R
ss
=0 , R
sp
=0
R
ss
=0 , R
sp
=1,6
Figure 4.18: Contribution des pertes prsentes par la ligne CPW et par les varactors
aux pertes totales du ltre pour une frquence centrale de 0,82 GHz et une bande
passante de 100 MHz.
4.2.3 Comparaison de ltres accordables bass sur des lignes de
propagation charges priodiquement par des capacits
An de situer les rsultats du ltre passe-bande accordable prsent dans cette tude,
le tableau 4.3 rsume les performances de plusieurs ltres accordables de rfrence, base
de lignes de propagation charges priodiquement par des varactors.
Les ltres de Kraus [91], de Entesari [95] et de Carey-Smith [92] prsentent des rsultats
intressants en terme daccordabilit de la frquence centrale et comparables au ltre
prsent dans ce chapitre ; cependant, pour raliser ces accords, un minimum de 8 MEMS
capacitifs est ncessaire pour chaque rsonateur. De plus, mme dans le cas de [91] o
les auteurs cherchent compenser la drive de la bande passante et dans le cas de [92]
o le double accord de la bande passante et de la frquence centrale est obtenu, la bande
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Rfrence
Q
L

moyen
Fluctuation
non dsire
de la BP
Accord
de f
0
Pertes
dinsertion
maximales
Facteur de
surface
F
f0
(dB)

Liu-2001
8,4 1:1,1 1,9% ~4,7 dB 26 1
Abbaspour-2002
8,8 1:1,2 2,6% ~3,8 dB 16 2,3
Abbaspour-2003
9,4 1:1,1 7,1% ~4,1 dB 49 8
Kraus-2004
6,8 1:1,4 16% ~3,8 dB 36 8,8
Entesari-2005
10,7 1:1,5 19% ~8,2 dB 13 8,5
Mercier-2004
17,6
1:1,3 2,9% ~3,5 dB 1,2 5,6
Carey-Smith-2005
13,1
1 :1,1 27% ~2 dB 220 NC
Notre filtre
*
8,0 1:1 21,5% ~3,4 dB 193 13,5
Notre filtre
**
13,1 1:1 24,5% ~5,4 dB 264 18,1

NC : non calculable cause des lobes secondaires proches de la bande passante.
*
Pour une bande passante de 100 MHz.
**
Pour une bande passante de 50 MHz.

Tableau 4.3: Comparaison de ltres accordables base de lignes de propagation
priodiquement charges par des capacits.
passante uctue dans la plage daccord de f
0
, ce qui est d au fait que ces deux topologies
de ltres emploient des varactors MEMS discrets prsentant un nombre ni de valeurs de
capacits. Par ailleurs, les facteurs de mrite F
f
0
et facteurs de surface sont les meilleurs
pour le ltre de la rfrence [92] et pour le ntre. Ceci doit tre tout de mme relativis.
En eet, la frquence de fonctionnement de ces deux ltres est bien moindre (au moins un
ordre de grandeur) par rapport celle prsente par [91] et [95], des verrous technologiques
tant peut-tre lorigine de ces dirences concernant les facteurs de surface. Dautre
part, le ltre propos en [92] prsente des lobes parasites trs proches de la bande passante,
la bande rejete tant alors trs mal attnue au-dessus de f
0
.
Comme cela a t prcis au chapitre 1, les ltres faisant rfrence dans le domaine
des ltres microondes double accord sont peu nombreux : parmi les meilleurs rsultats,
nous pouvons citer les ltres de Carey-Smith [92] (compar ci-dessus), de Young [87] et
de Sanchez-Renedo [133]. Ce dernier prsente un facteur de surface de 69, ce qui le rend
moins compact que le ntre. Nanmoins ce ltre prsente un trs bon F
f
0
(=106 dB), ce
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qui est bien sr d laccordabilit en frquence centrale (34%) et en bande passante
(f
max
/f
min
= 2, 3) du ltre mais surtout son fort facteur de qualit charg Q
L
= 54.
Ici encore ce rsultat doit tre relativis par le fait que les varactors utiliss pour laccord
de la frquence centrale du ltre sont mcaniques et non lectriques, prsentant eux-mmes
des forts facteurs de qualit. Enn, ce ltre prsente un pic de rsonance basse frquence
( environ f
0
/2).
Ainsi, le ltre prsent dans notre tude dmontre des performances intressantes en
termes de dimensions, daccordabilit de la frquence centrale mais aussi de la bande pas-
sante puisquil amliore les rsultats de ltres accordables simple accord (en frquence
centrale, en bande passante). En terme de ltrage double accord, ce ltre peut tre com-
par avec les ltres faisant rfrence jusqualors dans ce domaine. Enn, la large plage de
rjection est un atout prsent par ce ltre.
4.2.4 Conclusion de ltude et amliorations envisages
Des rsultats de ltres passe-bande compacts prsentant une large bande rejete ont
t proposs. Des rgles de dessin et quations ont t drives pour permettre aux concep-
teurs de disposer doutils de conception simples. Un premier ltre xe (avec Q
L
= 5) a
t conu et mesur, validant ainsi la mthode de conception propose ainsi quune tude
de sensibilit base sur lincertitude des capacits utilises. Les mesures sont en trs bon
accord avec la thorie. la frquence centrale, ladaptation est meilleure que 24 dB et
les pertes dinsertion sont de 0,6 dB. La surface du ltre est 14 10
3

2
0
. Ensuite, un
ltre double accord a t ralis montrant de larges plages daccord de la frquence cen-
trale et de la bande passante. Laccord de la frquence centrale est de 24, 5% (21, 5%,
respectivement) pour une bande passante de 50 MHz ( 100 MHz, respectivement),
les pertes dinsertion tant alors comprises entre 2,8 et 5,4 dB selon le facteur de qualit
dsir, et ladaptation meilleure que 11 dB. Laccord de la bande passante est maximal
0, 8 GHz (o f
max
/f
min
> 4). Par ailleurs, pour une bande passante infrieure
200 MHz, aucun pic de transmission damplitude suprieure 20 dB napparat au-
dessous de 10 f
0
. Les pertes dinsertion du ltre sont dues pour moiti aux pertes des
varactors parallles. Il semble donc opportun denvisager la ralisation de tels ltres avec
des varactors MEMS (prsentant un fort Q), notamment aux frquences millimtriques.
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Lintgration de ces ltres semble elle aussi adquate sur substrat Si HR tant donne la
forte compacit de ces structures. Enn, la ralisation de tels dispositifs est envisage en
technologie supraconducteur au-del de la centaine de GHz pour des applications faible
bruit du type rception de signaux radioastronomiques.
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Conclusion
Ce mmoire de thse porte sur la conception de ltres accordables dans le domaine
RF/microondes. Trois topologies de ltres ont t proposes. Ces ltres sont bass sur
des structures priodiques planaires constitues de lignes de propagation et de capacits
chargeant ces lignes. Pour les trois tudes prsentes, des modlisations semi-rparties de
ces structures ont t eectues, modlisations analytiques prenant en considration un
modle rparti des lignes de propagation et un modle localis des capacits considres.
Des rgles de conception simples ont alors t dduites. Des ltres xes et accordables
ont pu tre conus partir de ces mthodes de conception puis raliss en technologie
coplanaire hybride. Laccord de la frquence de fonctionnement et/ou de la bande passante
de ces ltres est ralis par lintermdiaire de varactors chargeant les lignes de propagation.
Les varactors que nous avons utiliss taient du type jonctions semiconductrices polarises
en inverse, leur comportement prdominant tant alors dni par la capacit de jonction
variable en fonction de la tension continue de polarisation. Les mesures des prototypes
raliss ont ensuite permis de valider les tudes thoriques proposes.
Aprs avoir rappel dans un premier temps les direntes techniques permettant de
raliser laccord de dispositifs microondes planaires, un tat de lart sur les principales
topologies de ltres microondes accordables a t prsent. Des facteurs de mrite ont
ensuite t proposs pour comparer les dirents types de ltres accordables en bande
passante et/ou en frquence de fonctionnement. Des gures de mrite, reprsentant les
facteurs de mrite que nous avons proposs, laccordabilit, et les pertes dinsertion des
ltres accordables en fonction de leur frquence de fonctionnement, ont alors permis de
comparer les performances des principaux rsultats actuels de ltres accordables en fr-
quence centrale. Enn, nous avons cherch dresser un premier comparatif des rcents
rsultats de ltres double accord publis.
Dans la seconde partie du manuscrit, nous avons prsent une topologie de ltre base
sur un rsonateur de Fabry-Prot microonde constitu dun rsonateur demi-onde insr
entre deux recteurs de Bragg. Ces recteurs tant constitus de lignes de propagation
dimpdances caractristiques trs direntes, de forts sauts dimpdance ont d tre
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modliss de faon lectromagntique pour tre pris en compte dans les simulations. Un
premier dispositif conu 4 GHz a permis de valider ltude thorique en dmontrant
laccord de la frquence centrale du ltre de manire mcanique. Un second dispositif
accordable lectriquement a t conu et ralis 9 GHz. Pour ce faire, le rsonateur demi-
onde central a t charg par une capacit variable en parallle pour faire varier la longueur
lectrique de ce rsonateur et donc obtenir laccord lectrique de la frquence centrale.
Bien que prsentant un faible accord relatif du ltre (3,5 %) et une plage de frquence
rejete troite, le dispositif ralis possde un facteur de qualit lev et suprieur 40.
Des mesures en large signal ont t ralises pour montrer la linarit du ltre qui prsente
un point de compression 1 dB de 8 dBm.
Nous avons ensuite travaill sur une topologie de ltre passe-bas compact, base sur
une ligne de propagation priodiquement charge par des capacits. Une mthode de
conception a t labore partir de ltude de limpdance dentre de la structure
priodique. Cette tude a mis en vidence une mauvaise adaptation de la structure dans
la bande passante ainsi que de larges bandes rejetes. Une simple optimisation des cellules
latrales de cette structure priodique permet alors damliorer grandement ladaptation
dans la bande passante du ltre conu. Trois ltres passe-bas accordables hybrides ont
t raliss autour de 0,5 GHz. Le prototype le plus performant prsente un accord de la
frquence de coupure de 8, 5 % (24 %, respectivement) pour une adaptation meilleure
que 18 dB (13 dB, respectivement) et des pertes dinsertion infrieures 1 dB. La bande
rejete mieux que 25 dB stend jusqu plus de neuf fois la frquence de coupure. Les
rsultats dun ltre accordable MMIC ont ensuite t prsents. Ce ltre prsente un
accord relatif de la bande passante de 19 % avec une bonne adaptation dans la bande
passante (> 15 dB) mais avec de fortes pertes dinsertion, lies majoritairement aux pertes
conductrices de la ligne de propagation haute impdance utilise.
La dernire partie de ce mmoire a t consacre la conception de ltres passe-bande
compacts double accord. La topologie de ltre considre est du type ltre rsonateurs
demi-onde coupls en srie par des capacits. Les rsonateurs que nous avons tudis
sont constitus dune ligne de propagation charge priodiquement par deux capacits
an de rduire les dimensions de ces structures. Ltude de limpdance caractristique
dun unique rsonateur a permis de dnir des relations simples de conception du rsona-
teur onde lente coupl. La mise en srie de plusieurs de ces rsonateurs identiques (le
nombre de rsonateurs tant dtermin par les pentes des droites de rjection dsires)
permet dobtenir une premire approximation du gabarit de ltre raliser. De manire
analogue ltude des ltres passe-bas, loptimisation des rsonateurs latraux de la struc-
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ture priodique permet alors de rpondre au gabarit attendu, notamment en terme
dadaptation. Deux ltres hybrides CPW autour de 0,7 GHz, lun xe et lautre accor-
dable en bande passante et en frquence centrale, ont pu tre conus, optimiss, raliss
puis mesurs pour valider ltude. Conformment une tude de sensibilit mene sur
les valeurs des capacits du ltre xe, les mesures ont montr les faibles pertes dinser-
tion (0,6 dB) et la bonne adaptation (24 dB) du prototype ralis pour un facteur de
qualit mesur de 5,15 (proche de celui simul de 5). Le ltre double accord a ensuite
t mesur en petit signal pour valider laccord. Les mesures et simulations de ce ltre
sont en bon accord. La bande passante du ltre peut tre accorde dans un rapport 3 sur
une plage daccord de la frquence centrale de 13%. Pour une bande passante constante
de 50 MHz, laccord de la frquence centrale peut atteindre jusqu 24, 5%, les pertes
dinsertion tant infrieures 5,4 dB et ladaptation meilleure que 11 dB.
En conclusion, le but premier de cette thse, qui tait de concevoir et raliser un ltre
double accord, a donc t atteint. Une mthode de conception a galement t propose
pour concevoir ce type de dispositif. La validation exprimentale en petit signal de ces
ltres a t ralise pour dmontrer ce double accord.
Des mesures en fort signal pourront et devront tre ralises sur ce type de dispositif
an de complter cette tude. La prsentation du temps de groupe de telles structures
pourra galement tre propose. Par ailleurs, des comparaisons nes entre ces structures
priodiques , dont uniquement les cellules latrales sont optimises, avec des structures
de ltres similaires prsentant une rponse du type Tchebychev, serait pertinente an de
montrer les avantages et inconvnients prsents par ces deux approches. Enn, ltude de
tels ltres double accord plus haute frquence sur des substrats faibles pertes pourrait
constituer un axe de recherche intressant. En eet, lintgration en technologie MMIC
de ce type de structure semi-rpartie compacte semble pertinente pour raliser du ltrage
double accord. En outre, laccs la technologie MEMS pourrait permettre damliorer
grandement les performances de ces ltres, notamment en terme de facteur de qualit
ralisable et de puissance maximum admissible.
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CONCEPTION ET RALISATION DE FILTRES MICROONDES PLANAIRES
ACCORDABLES PAR VARACTORS, BASE DE STRUCTURES
PRIODIQUES
Rsum :
Lobjectif de ce travail fut de concevoir des ltres accordables dans le domaine RF/microondes.
Aprs avoir dress un tat de lart du ltrage accordable microonde et dni des facteurs de m-
rite permettant de comparer ces types de dispositifs, trois topologies de ltres ont ensuite t
proposes. Ces ltres sont bass sur des structures priodiques planaires constitues de lignes de
propagation et de capacits chargeant ces lignes. Pour les trois tudes prsentes, des modli-
sations semi-rparties de ces structures ont t eectues, modlisations analytiques prenant en
considration un modle rparti des lignes de propagation et un modle localis des capacits
considres. Des rgles de conception simples ont alors t dduites. Des ltres xes et accor-
dables ont pu tre conus partir de ces mthodes de conception puis raliss en technologie
coplanaire hybride. Laccord de la frquence de fonctionnement et/ou de la bande passante de ces
ltres est ralis par lintermdiaire de varactors chargeant les lignes de propagation, les varactors
que nous avons utiliss tant du type jonctions semiconductrices polarises en inverse prsentant
des facteurs de qualit acceptables aux frquences de travail considres pour nos prototypes
(entre 0,5 et 9 GHz). Les mesures des prototypes raliss ont ensuite permis de valider les tudes
thoriques proposes.
Mots-cls : ltre accordable, ltre microonde, varactor, hybride, guide donde coplanaire,
rsonateurs demi-onde coupls en srie, structure priodique.
DESIGN AND REALIZATION OF VARACTOR-TUNABLE PLANAR
MICROWAVE FILTERS, BASED ON PERIODIC STRUCTURES
Abstract :
The aim of this work was to design tunable RF/microwave lters. After having drawn up a
state of the art of tunable microwave lters, factors of merit were proposed to compare these
kinds of devices. Next, three topologies of tunable lters were developed. These lters are ba-
sed on planar periodic structures consisting in transmission lines and capacitors loading these
lines. For these three studies, semi-distributed based modelizations were done, by taking a dis-
tributed model of transmission lines and a lumped model of considered capacitors into account.
Straightforward design rules have been derived. Fixed and tunable lters were designed with
these methods of conception and then carried out in an hybrid coplanar technology. Working-
frequency- and/or bandwidth-tunings of these lters are obtained by using reverse-biased varactor
diodes loading the transmission lines, these varactors showing acceptable quality factors at the
considered working frequencies (between 0,5 and 9 GHz for our prototypes). Measurements of
manufactured prototypes allowed to validate theoretical studies.
Keywords : tunable lter, microwave lter, varactor, hybrid, coplanar waveguide, series cou-
pled half-wavelength resonators, periodic structure.
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